JP2020140946A - 無機el素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】陽極314と、正孔輸送層346と、発光層344と、電子輸送層342と、陰極312と、を積層した無機EL素子350であって、正孔輸送層346が、酸化物膜であり、発光層344が、酸化物膜であり、電子輸送層342が、酸化物膜である、無機EL素子350。
【選択図】図1
Description
本発明は、充分に低電圧・高効率で発光する直流駆動型無機EL素子を提供することを目的とする。
本発明の無機EL素子は、陽極と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、陰極と、を積層した無機EL素子であって、
前記正孔輸送層が、酸化物膜であり、
前記発光層が、酸化物膜であり、
前記電子輸送層が、酸化物膜である、ことを特徴とする。
本発明の無機EL素子は、発光層を少なくとも有し、更に必要に応じて、陽極、陰極、正孔輸送層、電子輸送層などのその他の部材を有する。
前記無機EL素子は、直流駆動型である。
前記正孔輸送層は、酸化物膜であり、アモルファス酸化物膜であることが好ましい。
前記電子輸送層は、酸化物膜であり、アモルファス酸化物膜であることが好ましい。
前記発光中心は、遷移金属イオン、又は希土類イオンであることが好ましい。
前記発光中心は、チタン(Ti)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、タングステン(W)、セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)、ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ディスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)及びイッテルビウム(Yb)の少なくともいずれかを含むことが好ましい。
前記発光層である前記酸化物膜においては、前記発光中心の発光エネルギー以上のバンドギャップエネルギーを持つ酸化物が前記発光中心のホストであることが好ましい。
前記電子輸送層である前記酸化物膜は、発光中心をドープしたn型酸化物半導体であって、前記発光層を兼ねていることが好ましい。
前記発光中心は、遷移金属イオン、又は希土類イオンであることが好ましい。
前記発光中心は、チタン(Ti)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、タングステン(W)、セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)、ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ディスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)及びイッテルビウム(Yb)の少なくともいずれかを含むことが好ましい。
図1の無機EL素子350は、陰極312と、陽極314と、無機EL薄膜層340とを有する。
陰極312の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)−銀(Ag)合金、アルミニウム(Al)−リチウム(Li)合金、金(Au)−ゲルマニウム合金、ITO(Indium Tin Oxide)などが挙げられる。なお、マグネシウム(Mg)−銀(Ag)合金は、充分厚ければ高反射率電極となり、極薄膜(20nm程度未満)では半透明電極となる。図では陽極側から光を取りだしているが、陰極を透明、または半透明電極とすることによって陰極側から光を取り出すことができる。
陽極314の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、銀(Ag)−ネオジウム(Nd)合金、アルミニウム(Al)−シリコン(Si)−銅(Cu)合金、などが挙げられる。なお、銀合金を用いた場合は、高反射率電極となり、陰極側から光を取り出す場合に好適である。
無機EL薄膜層340は、例えば、電子輸送層342と、発光層344と、正孔輸送層346とを有する。電子輸送層342は、陰極312に接続され、正孔輸送層346は、陽極314に接続されている。陽極314と陰極312との間に所定の電圧を印加すると、発光層344が発光する。
また、基材側(図1における下側)から光を取り出すいわゆる「ボトムエミッション」の場合について説明したが、基材(図1における下側)と反対側から光を取り出す「トップエミッション」であってもよい。
本発明の無機EL素子に於ける発光層である酸化物膜は、発光中心をドープした酸化物から構成されることが好ましい。発光中心としては特に制限はなく、遷移金属イオンや希土類イオンを目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ti、Cr、Mn、Cu、W、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybなどが挙げられる。
ホスト酸化物としては、目的に応じて適宜選択することができるが、バンドギャップエネルギーが発光中心の励起エネルギー以上であることが好ましく、バンドギャップエネルギーが発光中心の発光エネルギー以上であることもまた好ましい。そのようなホスト酸化物としては、例えばAl2O3、Ga2O3、La2O3、ZrO2、YAO(Yttrium Aluminium Oxide)、YGO(Yttrium Gadolinium Oxide)、LAO(Lanthanum Aluminium Oxide)、などが挙げられる。
発光中心の濃度としては、目的に応じて適宜選択することができるが、例えばホスト陽イオンの10atom%以下が好ましく、1〜5atom%程度が特に好ましい。
本発明の無機EL素子に於ける電子輸送層である酸化物膜は、n型酸化物半導体から構成されることが好ましい。n型酸化物半導体の材質としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、InGaZnO(Indium Gallium Zinc Oxide)、IMO(Indium Magnesium Oxide)、ZTO(Zinc Tin Oxide)、IAO(Indium Aluminium Oxide)、ILO(Indium Lanthanum Oxide)、などが挙げられる。n型酸化物半導体の電子キャリアを制御するために、キャリアドーピングすることも好適である。
本発明の無機EL素子に於ける正孔輸送層である酸化物膜は、p型酸化物半導体から構成されることが好ましい。p型酸化物半導体の材質としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Cu2O、CuInO2(Copper Indium Oxide)、CuAlO2(Copper Aluminium Oxide)、MCO(Magnesium Copper Oxide)、CCO(Calcium Copper Oxide)、SCO(Strontium Copper Oxide)、ACO(Antimony Copper Oxide)、CTO(Copper Tin Oxide)、NiO、ZnIr2O4(Zinc Iridium Oxide)、などが挙げられる。p型酸化物半導体の正孔キャリアを制御するために、キャリアドーピングすることも好適である。
発光層と正孔輸送層を1つの層で構成する場合には、前記正孔輸送層に前記発光層の発光中心をドープすることが好ましい。
発光中心の種類と濃度、電子輸送層及び正孔輸送層の材質と膜厚、等の組合せは、適宜選択することができる。
本発明の無機EL素子に於ける電子注入層は、陰極と電子輸送層の層間に存在し、陰極からの電子の注入を容易にする働きを持つ。前述のように発光層と電子輸送層を1つの層で構成する場合には特に有用である。本発明の無機EL素子に於ける電子注入層である酸化物膜は、n型酸化物半導体から構成されることが好ましい。n型酸化物半導体の材質としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、InGaZnO(Indium Gallium Zinc Oxide)、IMO(Indium Magnesium Oxide)、ZTO(Zinc Tin Oxide)、IAO(Indium Aluminium Oxide)、ILO(Indium Lanthanum Oxide)、などが挙げられる。
本発明の無機EL素子に於ける正孔注入層は、陽極と正孔輸送層の層間に存在し、陽極からの正孔の注入を容易にする働きを持つ。前述のように発光層と正孔輸送層を1つの層で構成する場合には特に有用である。本発明の無機EL素子に於ける正孔注入層である酸化物膜は、p型酸化物半導体から構成されることが好ましい。p型酸化物半導体の材質としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Cu2O、CuInO2(Copper Indium Oxide)、CuAlO2(Copper Aluminium Oxide)、MCO(Magnesium Copper Oxide)、CCO(Calcium Copper Oxide)、SCO(Strontium Copper Oxide)、ACO(Antimony Copper Oxide)、CTO(Copper Tin Oxide)、NiO、ZnIr2O4(Zinc Iridium Oxide)、などが挙げられる。
前記無機EL素子の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機EL薄膜形成用塗布液を用いて前記無機EL薄膜層を形成する工程を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
なお、前記無機EL薄膜形成用塗布液とは、前記無機EL薄膜層を構成する前記正孔輸送層、前記発光層、及び前記電子輸送層の少なくともいずれかを形成するための塗布液である。
無機EL薄膜形成用塗布液は、発光層、p型、n型酸化物半導体を構成する金属元素を、酸化物、無機塩、カルボン酸塩、有機化合物、又は有機金属の少なくともいずれかとして溶媒に溶解させたものが好ましい。前記酸化物、無機塩、カルボン酸塩、有機化合物、又は有機金属は、前記溶媒中に均一に溶解すればよく、解離してイオンとなっていても構わない。前記酸化物、無機塩、カルボン酸塩、有機化合物、又は有機金属が前記無機EL薄膜形成用塗布液に溶解している場合には、前記無機EL薄膜形成用塗布液中の濃度の偏析などが生じにくいため、前記無機EL薄膜形成用塗布液は、長期の使用が可能である。またこの塗布液を用いて作製した薄膜も均一な組成であるため無機EL薄膜層に用いた場合の特性均一性も良好である。
マンガン(Mn)含有化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機マンガン化合物、無機マンガン化合物などが挙げられる。
前記有機マンガン化合物としては、マンガンと、有機基とを有する化合物であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記マンガンと前記有機基とは、例えば、イオン結合、共有結合、又は配位結合で結合している。
前記置換基としては、例えば、ハロゲン、テトラヒドロフリル基などが挙げられる。
前記有機マンガン化合物としては、例えば、酢酸マンガン(II)四水和物、安息香酸マンガン(II)四水和物、マンガン(III)アセチルアセトナート、2−エチルヘキサン酸マンガン(II)などが挙げられる。
前記無機マンガン化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、オキソ酸マンガン、ハロゲン化マンガン、酸化マンガンなどが挙げられる。
前記オキソ酸マンガンとしては、例えば、硝酸マンガン、硫酸マンガン、炭酸マンガンなどが挙げられる。
前記ハロゲン化マンガンとしては、例えば、フッ化マンガン、塩化マンガン、臭化マンガン、沃化マンガンなどが挙げられる。
これらの中でも、各種溶媒に対する溶解度が高い点で、硝酸マンガン(II)四水和物、塩化マンガン(II)四水和物がより好ましい。
ユーロピウム(Eu)含有化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機ユーロピウム化合物、無機ユーロピウム化合物などが挙げられる。
前記有機ユーロピウム化合物としては、ユーロピウムと、有機基とを有する化合物であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記ユーロピウムと前記有機基とは、例えば、イオン結合、共有結合、又は配位結合で結合している。
前記置換基としては、例えば、ハロゲン、テトラヒドロフリル基などが挙げられる。
前記有機ユーロピウム化合物としては、例えば、酢酸ユーロピウム(III)水和物、ユーロピウム(III)アセチルアセトナート水和物、2−エチルヘキサン酸ユーロピウム(III)などが挙げられる。
前記無機ユーロピウム化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、オキソ酸ユーロピウム、ハロゲン化ユーロピウム、酸化ユーロピウムなどが挙げられる。
前記オキソ酸ユーロピウムとしては、例えば、硝酸ユーロピウム、硫酸ユーロピウム、炭酸ユーロピウムなどが挙げられる。
前記ハロゲン化ユーロピウムとしては、例えば、フッ化ユーロピウム、塩化ユーロピウム、臭化ユーロピウム、沃化ユーロピウムなどが挙げられる。
これらの中でも、各種溶媒に対する溶解度が高い点で、硝酸ユーロピウム(III)六水和物、塩化ユーロピウム(III)六水和物、硫酸ユーロピウム(III)八水和物がより好ましい。
同様の説明が、例えば、チタン(Ti)、クロム(Cr)、銅(Cu)、タングステン(W)、セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)、ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ディスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)等についても、当てはまる。
また、同様の説明が、前記発光層の一例を構成する、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ルテチウム(Lu)、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)、テルル(Te)等についても、当てはまる。
また、同様の説明が、前記正孔輸送層の一例を構成する、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、タリウム(Tl)、スズ(Sn)、鉛(Pb)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)、テルル(Te)等についても、当てはまる。
また、同様の説明が、前記電子輸送層の一例を構成する、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Tl)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)、チタン(Ti)、タングステン(W)等についても、当てはまる。
本発明の表示素子は、少なくとも、光制御素子と、前記光制御素子を駆動する駆動回路とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記光制御素子としては、駆動信号に応じて光出力を制御する素子であり、本発明の無機EL素子を含んでいる限り、その他の種類の光制御素子を含んでいてもよい。その他種類の光制御素子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子、エレクトロクロミック(EC)素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子などが挙げられる。
前記駆動回路としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、a−Si、LTPS、或いは酸化物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ(TFT)などの電界効果型トランジスタを含むことが好ましい。
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の画像表示装置は、少なくとも、複数の表示素子と、複数の配線と、表示制御装置とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記表示素子としては、マトリックス状に配置された本発明の前記表示素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線は、前記表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と画像データ信号とを個別に印加可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記表示制御装置としては、画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタの前記ゲート電圧と前記信号電圧とを複数の前記配線を介して個別に制御可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明のシステムは、少なくとも、本発明の前記画像表示装置と、画像データ作成装置とを有する。
前記画像データ作成装置は、表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する。
本発明の画像表示装置としては、例えば、特開2010−074148号公報の段落〔0059〕〜〔0060〕、図2、及び図3に記載の構成などを採ることができる。
図2は、表示素子がマトリックス上に配置されたディスプレイを表す図である。図2に示されるように、ディスプレイは、X軸方向に沿って等間隔に配置されているn本の走査線(X0、X1、X2、X3、・・・、Xn−2、Xn−1)と、Y軸方向に沿って等間隔に配置されているm本のデータ線(Y0、Y1、Y2、Y3、・・・、Ym−1)、Y軸方向に沿って等間隔に配置されているm本の電流供給線(Y0i、Y1i、Y2i、Y3i、・・・・・、Ym−1i)とを有する。なお、図3、及び図6において、同じ符号(例えば、X1、Y1)は、同じ意味を有する。
よって、走査線とデータ線とによって、表示素子302を特定することができる。
前記表示素子は、一例として図3に示されるように、無機EL(エレクトロルミネッセンス)素子350と、該無機EL素子350を発光させるためのドライブ回路320とを有している。即ち、ディスプレイ310は、いわゆるアクティブマトリックス方式の無機ELディスプレイである。また、ディスプレイ310は、カラー対応の55インチ型のディスプレイである。なお、大きさは、これに限定されるものではない。
ドライブ回路320は、2つの電界効果型トランジスタ10及び20と、キャパシタ30とを有する。
電界効果型トランジスタ20は、無機EL素子350に電流を供給する。電界効果型トランジスタ20のゲート電極Gは、電界効果型トランジスタ10のドレイン電極Dと接続されている。そして、電界効果型トランジスタ20のドレイン電極Dは、無機EL素子350の陽極に接続され、電界効果型トランジスタ20のソース電極Sは、所定の電流供給線に接続されている。
また、例えば、図5に示されるように、電界効果型トランジスタ20の上に無機EL素子350が配置されてもよい。この場合には、ゲート電極26に透明性が要求されるので、ゲート電極26には、ITO、In2O3、SnO2、ZnO、Gaが添加されたZnO、Alが添加されたZnO、Sbが添加されたSnO2などの導性を有する透明な酸化物が用いられる。なお、符号360は層間絶縁膜(平坦化膜)である。この絶縁膜にはポリイミドやアクリル系の樹脂等を利用できる。
図6において、画像表示装置は、表示素子302と、配線(走査線、データ線、電流供給線)と、表示制御装置400とを有する。
表示制御装置400は、画像データ処理回路402と、走査線駆動回路404と、データ線駆動回路406とを有する。
画像データ処理回路402は、映像出力回路の出力信号に基づいて、ディスプレイにおける複数の表示素子302の輝度を判断する。
走査線駆動回路404は、画像データ処理回路402の指示に応じてn本の走査線に個別に電圧を印加する。
データ線駆動回路406は、画像データ処理回路402の指示に応じてm本のデータ線に個別に電圧を印加する。
ではない。
<発光層形成用塗布液の作製>
2−エチルヘキサン酸ランタン50mmolと2−エチルヘキサン酸ユーロピウム2mmolを秤量し、2−エチルヘキサン酸(オクチル酸)1000mLとを室温で混合して溶解させ、発光層形成用塗布液(塗布液1−1)を作製した。
<電子輸送層形成用塗布液の作製>
酢酸亜鉛二水和物、硝酸ガリウム八水和物、硝酸インジウム三水和物、各10mmolを秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、エタノール、各300mLと室温で混合して溶解させ、電子輸送層形成用塗布液(塗布液2−1)を作製した。
<正孔輸送層形成用塗布液の作製>
硝酸銅三水和物25mmolと硝酸マグネシウム六水和物25mmolを秤量し、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、エタノール、各400mLとを室温で混合して溶解させ、正孔輸送層形成用塗布液(塗布液3−1)を作製した。
<無機EL素子の作製>
UVオゾン洗浄済みの無アルカリガラス基板(パターニングITO電極膜100nm付き)上に、スピンコート装置で塗布液3−1を印刷した。ホットプレートで120℃、3分間に乾燥させた後、大気雰囲気中400℃で1時間焼成して、40nm厚みの正孔輸送層を得た。
実施例1で作製した無機EL素子の発光特性を測定した。
直流電圧を電極間に印加したところ、図7に示すような電圧−電流特性を示した。また、4Vでユーロピウムに特有の良好な赤色発光を示した。
なお、図7において、「e」は10のべき乗を表す。即ち、「e−6」は、「10−6」を表す。
また、実施例1で作製した無機EL素子のELスペクトルを測定した。結果を図8に示した。
<発光層形成用塗布液の作製>
製造例1−1において、原料を、表1に記載の原料に変えた以外は、製造例1−1と同様にして、発光層形成用塗布液(塗布液1−2〜塗布液1−6)を作製した。
<電子輸送層形成用塗布液の作製>
製造例2−1において、原料を、表2に記載の原料に変えた以外は、製造例2−1と同様にして、電子輸送層形成用塗布液(塗布液2−2〜塗布液2−4)を作製した。
<正孔輸送層形成用塗布液の作製>
製造例3−1において、原料を、表3に記載の原料に変えた以外は、製造例3−1と同様にして、正孔輸送層形成用塗布液(塗布液3−2〜塗布液3−4)を作製した。
<正孔注入層形成用塗布液及び電子注入層形成用塗布液の作製>
製造例1−1において、原料を、表4に記載の原料に変えた以外は、製造例1−1と同様にして、正孔注入層形成用塗布液(塗布液4−1)及び電子注入層形成用塗布液(塗布液4−2)を作製した。
<表1・原料A>
La(C8H15O2)3 : 2−エチルヘキサン酸ランタン
Y(NO3)3・6H2O : 硝酸イットリウム六水和物
Al(NO3)3・9H2O : 硝酸アルミニウム九水和物
LaCl3・7H2O : 塩化ランタン七水和物
AlCl3・6H2O : 塩化アルミニウム六水和物
La(NO3)3・6H2O : 硝酸ランタン六水和物
<表1・原料B>
Mg(NO3)2・6H2O : 硝酸マグネシウム六水和物
CaCl2・2H2O : 塩化カルシウム二水和物
SrCl2・6H2O : 塩化ストロンチウム六水和物
<表1・原料C>
Eu(C8H15O2)3 : 2−エチルヘキサン酸ユーロピウム
Tb(NO3)3・6H2O : 硝酸テルビウム六水和物
EuCl3・6H2O : 塩化ユーロピウム六水和物
W(CO)6 : タングステンカルボニル
CrCl3・6H2O : 塩化クロム六水和物
Tm(NO3)3・6H2O : 硝酸ツリウム六水和物
Zn(CH3COO)2・2H2O : 酢酸亜鉛二水和物
Zn(NO3)2・6H2O : 硝酸亜鉛六水和物
Mg(NO3)2・6H2O : 硝酸マグネシウム六水和物
La(NO3)2・6H2O : 硝酸ランタン六水和物
<表2・原料B>
Ga(NO3)3・8H2O : 硝酸ガリウム八水和物
In(NO3)3・3H2O : 硝酸インジウム三水和物
SnCl4・5H2O : 塩化スズ五水和物
<表2・原料C>
Tb(NO3)3・6H2O : 硝酸テルビウム六水和物
TmCl3・7H2O : 塩化ツリウム七水和物
Cu(NO3)2・3H2O : 硝酸銅三水和物
Cu(C10H19O2)2 : ネオデカン酸銅
Tl(C8H15O2) : 2−エチルヘキサン酸タリウム
CuCl2・2H2O : 塩化銅二水和物
<表3・原料B>
Mg(NO3)2・6H2O : 硝酸マグネシウム六水和物
Sn(C8H15O2)2 : 2−エチルヘキサン酸スズ
Bi(C8H15O2)3 : トリス(2−エチルヘキサン酸)ビスマス
BaCl2・2H2O : 塩化バリウム二水和物
<表3・原料C>
Cr(C8H15O2)3 : トリス(2−エチルヘキサン酸)クロム
TbCl3・6H2O : 塩化テルビウム六水和物
<表4・原料A>
Cu(C10H19O2)2 : ネオデカン酸銅
Cd(NO3)2・2H2O : 硝酸カドミウム二水和物
<表4・原料B>
Ca(C8H15O2)2 : 2−エチルヘキサン酸カルシウム
InCl3・4H2O : 塩化インジウム四水和物
<表4・原料C>
SnCl4・5H2O : 塩化スズ五水和物
オクチル酸
EGME : エチレングリコールモノメチルエーテル
PGME : プロピレングリコール1−モノメチルエーテル
DMF : N,N−ジメチルホルムアミド
EGIPE : エチレングリコールモノイソプロピルエーテル
Toluene : トルエン
Xylene : キシレン
<表1〜表4・溶媒E>
EG : エチレングリコール
PG : プロピレングリコール
CHB : シクロヘキシルベンゼン
<表1〜表4・溶媒F>
MeOH : メタノール
EtOH : エタノール
IPA : イソプロパノール
H2O : 水
<無機EL素子の作製>
実施例1において、ホール輸送層(HTL)、発光層(EML)、電子輸送層(ETL)を表5に記載の塗布液を用いて作製した以外は、実施例1と同様にして、無機EL素子を作製した。
作製した無機EL素子について、実施例1と同様に評価した。
なお、実施例2の無機EL素子は、正孔輸送層である酸化物膜が、発光中心をドープしたp型酸化物半導体であって、発光層を兼ねている。
<無機EL素子の作製>
実施例1において、陽極(Anode)、及び陰極(Cathode)を表5のとおりとし、更に、ホール輸送層(HTL)、発光層(EML)、電子輸送層(ETL)を表5に記載の塗布液を用いて作製した以外は、実施例1と同様にして、無機EL素子を作製した。
作製した無機EL素子について、実施例1と同様に評価した。
なお、実施例3の無機EL素子は、電子輸送層である酸化物膜が、発光中心をドープしたn型酸化物半導体であって、発光層を兼ねている。
図10に、実施例2で作製した無機EL素子のエネルギーダイアグラムの模式図を示した。
図11に、実施例3で作製した無機EL素子のエネルギーダイアグラムの模式図を示し
た。
<無機EL素子の作製>
UVオゾン洗浄済みの無アルカリガラス基板(パターニングITO電極膜100nm付き)上に、スピンコート装置で塗布液4−1を印刷した。ホットプレートで120℃、3分間に乾燥させた後、大気雰囲気中400℃で1時間焼成して、30nm厚みの正孔注入層(HIL)を得た。
<無機EL素子の作製>
UVオゾン洗浄済みの無アルカリガラス基板(パターニングITO電極膜100nm付き)上に、スピンコート装置で塗布液3−2を印刷した。ホットプレートで120℃、3分間に乾燥させた後、大気雰囲気中400℃で1時間焼成して、60nm厚みの正孔輸送層を得た。
図13に、実施例6で作製した無機EL素子のエネルギーダイアグラムの模式図を示し
た。
<1> 陽極と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、陰極と、を積層した無機EL素子であって、
前記正孔輸送層が、酸化物膜であり、
前記発光層が、酸化物膜であり、
前記電子輸送層が、酸化物膜である、ことを特徴とする無機EL素子である。
<2> 前記正孔輸送層である前記酸化物膜が、p型酸化物半導体である前記<1>に記載の無機EL素子である。
<3> 前記電子輸送層である前記酸化物膜が、n型酸化物半導体である前記<1>から<2>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<4> 前記発光層である前記酸化物膜が、発光中心をドープした酸化物から構成される前記<1>から<3>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<5> 前記正孔輸送層である前記酸化物膜が、発光中心をドープしたp型酸化物半導体であって、前記発光層を兼ねている前記<1>から<4>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<6> 前記電子輸送層である前記酸化物膜が、発光中心をドープしたn型酸化物半導体であって、前記発光層を兼ねている前記<1>から<5>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<7> 前記発光中心が、遷移金属イオン、又は希土類イオンである前記<4>から<6>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<8> 前記発光中心が、チタン(Ti)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、銅(Cu)、タングステン(W)、セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)、ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ディスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)及びイッテルビウム(Yb)の少なくともいずれかを含む前記<4>から<7>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<9> 前記発光層である前記酸化物膜において、前記発光中心の励起エネルギー以上のバンドギャップエネルギーを持つ酸化物が前記発光中心のホストである前記<4>から<6>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<10> 前記発光層である前記酸化物膜において、前記発光中心の発光エネルギー以上のバンドギャップエネルギーを持つ酸化物が前記発光中心のホストである前記<4>から<6>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<11> 前記発光層である前記酸化物膜が、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ルテチウム(Lu)、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)及びテルル(Te)の少なくともいずれかを含む酸化物である前記<1>から<10>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<12> 前記正孔輸送層である前記酸化物膜が、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、タリウム(Tl)、スズ(Sn)、鉛(Pb)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)、及びテルル(Te)の少なくともいずれかを含むp型酸化物半導体である前記<1>から<11>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<13> 前記電子輸送層である前記酸化物膜が、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Tl)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)、チタン(Ti)、及びタングステン(W)の少なくともいずれかを含むn型酸化物半導体である前記<1>から<12>のいずれかに記載の無機EL素子である。
<14> 前記電子輸送層である前記酸化物膜が、更に、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタノイド(Ln)、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、アンチモン(Sb)、及びテルル(Te)の少なくともいずれかを含むn型酸化物半導体である前記<13>に記載の無機EL素子である。
<15> 前記発光層である前記酸化物膜が、アモルファス酸化物膜であり、
前記正孔輸送層である前記酸化物膜が、アモルファス酸化物膜であり、
前記電子輸送層である前記酸化物膜が、アモルファス酸化物膜である、前記<1>に記載の無機EL素子である。
<16> 直流駆動型である前記<1>に記載の無機EL素子である。
<17> 前記<1>から<16>のいずれかに記載の無機EL素子を有し、駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子である。
<18> 画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の前記<17>に記載の表示素子であって、前記駆動回路が電界効果型トランジスタを有する表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と信号電圧とを個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタの前記ゲート電圧と前記信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置である。
<19> 前記<18>に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステムである。
21 基材
22 活性層
23 ソース電極
24 ドレイン電極
25 ゲート絶縁層
26 ゲート電極
302 表示素子
310 ディスプレイ
320 画素回路
340 無機EL薄膜層
342 電子輸送層
344 発光層
346 正孔輸送層
350 無機EL素子
400 表示制御装置
Claims (19)
- 陽極と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、陰極と、を積層した無機EL素子であって、
前記正孔輸送層が、酸化物膜であり、
前記発光層が、酸化物膜であり、
前記電子輸送層が、酸化物膜である、ことを特徴とする無機EL素子。 - 前記正孔輸送層である前記酸化物膜が、p型酸化物半導体である請求項1に記載の無機EL素子。
- 前記電子輸送層である前記酸化物膜が、n型酸化物半導体である請求項1から2のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記発光層である前記酸化物膜が、発光中心をドープした酸化物から構成される請求項1から3のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記正孔輸送層である前記酸化物膜が、発光中心をドープしたp型酸化物半導体であって、前記発光層を兼ねている請求項1から4のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記電子輸送層である前記酸化物膜が、発光中心をドープしたn型酸化物半導体であって、前記発光層を兼ねている請求項1から5のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記発光中心が、遷移金属イオン、又は希土類イオンである請求項4から6のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記発光中心が、チタン(Ti)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、銅(Cu)、タングステン(W)、セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)、ネオジウム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ディスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)及びイッテルビウム(Yb)の少なくともいずれかを含む請求項4から7のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記発光層である前記酸化物膜において、前記発光中心の励起エネルギー以上のバンドギャップエネルギーを持つ酸化物が前記発光中心のホストである請求項4から6のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記発光層である前記酸化物膜において、前記発光中心の発光エネルギー以上のバンドギャップエネルギーを持つ酸化物が前記発光中心のホストである請求項4から6のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記発光層である前記酸化物膜が、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ルテチウム(Lu)、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)及びテルル(Te)の少なくともいずれかを含む酸化物である請求項1から10のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記正孔輸送層である前記酸化物膜が、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、タリウム(Tl)、スズ(Sn)、鉛(Pb)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)、及びテルル(Te)の少なくともいずれかを含むp型酸化物半導体である請求項1から11のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記電子輸送層である前記酸化物膜が、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Tl)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)、チタン(Ti)、及びタングステン(W)の少なくともいずれかを含むn型酸化物半導体である請求項1から12のいずれかに記載の無機EL素子。
- 前記電子輸送層である前記酸化物膜が、更に、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタノイド(Ln)、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、アンチモン(Sb)、及びテルル(Te)の少なくともいずれかを含むn型酸化物半導体である請求項13に記載の無機EL素子。
- 前記発光層である前記酸化物膜が、アモルファス酸化物膜であり、
前記正孔輸送層である前記酸化物膜が、アモルファス酸化物膜であり、
前記電子輸送層である前記酸化物膜が、アモルファス酸化物膜である、請求項1に記載の無機EL素子。 - 直流駆動型である請求項1に記載の無機EL素子。
- 請求項1から16のいずれかに記載の無機EL素子を有し、駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子。 - 画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の請求項17に記載の表示素子であって、前記駆動回路が電界効果型トランジスタを有する表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と信号電圧とを個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタの前記ゲート電圧と前記信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置。 - 請求項18に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステム。
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