TWI714870B - 印墨組成物、膜及顯示器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種印墨組成物，其係包含：(1)含鈣鈦礦化合物之半導體奈米粒子及(2)硬化性樹脂組成物並可含有(3)溶劑，前述印墨組成物中，式(a)Z=(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)中之Z值為0.37以下，前述O2、N2、C2分別表示前述(2)所含之O原子數、N原子數、C原子數，前述O3、N3、C3分別表示前述(3)所含之O原子數、N原子數、C原子數。

Description

印墨組成物、膜及顯示器

本發明係關於一種印墨組成物、膜及顯示器。

本發明係根據2017年7月28日於日本申請之特願2017-146319號主張優先權，於此引用其內容。

近年來，就波長轉換材料而言，對於具有高發光強度之鈣鈦礦的關心持續增高，例如，作為用以製作波長轉換膜的印墨組成物者，係有含有鈣鈦礦化合物與PMMA的印墨組成物之報告(非專利文獻1)。

[先前技術文獻] [非專利文獻]

非專利文獻1：Nano Lett. 2015, 15, 3692-3696。

然而，非專利文獻1所記載之印墨組成物的硬化物，其耐溶劑性並不一定充分。

本發明係有鑑於上述課題所完成者，其目 的在於提供一種可維持發光強度、且硬化物之耐溶劑性高的印墨組成物及該印墨組成物硬化所成之膜。

亦即，本發明之實施形態係包含下述[1]至[7]之發明。

[1]一種印墨組成物，其係包含下述(1)及(2)並可含有下述(3)，其中，下述式(a)中Z之值為0.37以下。

(1)含鈣鈦礦化合物之半導體奈米粒子

(2)硬化性樹脂組成物

(3)溶劑

式(a)Z=(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)

(O2、N2、C2：分別為前述(2)所含之O原子數、N原子數、C原子數。

O3、N3、C3：分別為前述(3)所含之O原子數、N原子數、C原子數。

其中，當印墨組成物不含有(3)時，O3、N3、C3分別為0。)

[2]如[1]所記載之印墨組成物，其中，前述(2)包含選自由下述式(b-1)所表示之低分子化合物及含有下述式(b-2)所表示之重複單元的聚合物所構成群組中之至少一種，當前述(2)之總質量為100質量%時，前述低分子化合物及聚合物的合計含有比率為50質量%以上。

(式(b-1)及(b-2)中，A表示氫原子或甲基。

m1表示0至20的整數，m2表示0至2的整數，m3表示0至20的整數，m4表示0至2的整數，m5表示0至20的整數，m1至m5之合計為20以下。

Ra表示亞甲基。

Rb表示下述式(b-31)至(b-38)之任一者所表示之2價基，當有複數個Rb時，Rb可互為相同或相異。

Rc表示下述式(b-41)至(b-48)之任一者所表示之1價基)。

[3]如[2]所記載之印墨組成物，其中，當前述聚合物所含之所有重複單元為100莫耳%時，含有前述式(b-2)所表示之重複單元的聚合物係含有50莫耳%以上之式(b-2)所表示之重複單元。

[4]如[1]至[3]中任一項所記載之印墨組成物，其中，前述(2)為光硬化性樹脂組成物。

[5]如[1]至[4]中任一項所記載之印墨組成物，其中，以印墨組成物的總質量為100質量%時，前述(3)之含有比率為25質量%以下，前述(1)、(2)及(3)之合計含有比率為70質量%以上。

[6]一種膜，其由[4]所記載之組成物硬化所成者。

[7]一種顯示器，其具備[6]所記載之膜。

藉由本發明，可提供一種發光特性及耐溶劑性高的印墨組成物。

1a‧‧‧第1積層構造體

1b‧‧‧第2積層構造體

2‧‧‧發光裝置

3‧‧‧顯示器

10‧‧‧薄膜

20‧‧‧第1基板

21‧‧‧第2基板

22‧‧‧密封層

30‧‧‧光源

40‧‧‧液晶面板

50‧‧‧稜鏡片

60‧‧‧導光板

第1圖係顯示本發明之積層構造體之一實施形態的截面圖。

第2圖係顯示本發明之顯示器之一實施形態的截面圖。

<印墨組成物>

本實施形態之印墨組成物，係包含下述(1)及(2)並可含有下述(3)的印墨組成物，下述式(a)中Z之值未滿0.37。又，下述式(a)中Z之值可為0.37以下。

(1)含鈣鈦礦化合物之半導體奈米粒子

(2)硬化性樹脂組成物

(3)溶劑

式(a)Z=(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)

(O2、N2、C2：分別為前述(2)所含之O原子數、N原子數、C原子數。

O3、N3、C3：分別為前述(3)所含之O原子數、N原子數、C原子數。

其中，當印墨組成物不含(3)時，O3、N3、C3分別為0。)

本實施形態之印墨組成物係可含有選自由下述(1)-2及(1)-3所構成群組中之至少一種。

(1)-2封端配位基(capping ligand)

(1)-3表面被覆材

本實施形態之印墨組成物，由可得良好耐溶劑性的觀點考量，以印墨組成物之總質量為100質量%，前述(1)、(2)及(3)之合計含有比率較佳為70質量%以上，更佳為80質量%以上。

就本發明之一面向而言，本實施形態之印墨組成物中，以印墨組成物之總質量為100質量%時，前述(1)、(2)及(3)之合計含有比率，較佳為70質量%以上100質量%以下，更佳為80質量%以上100質量%以下。

關於本實施形態之印墨組成物，由揮發性的觀點而言，以印墨組成物之總質量為100質量%時，前述(3)之含有比率較佳為25質量%以下，更佳為20質量%以下，再更佳為10質量%以下。

就本發明之一面向而言，本實施形態之印墨組成物中，以印墨組成物之總質量為100質量%時，前述(3)之含有比率，較佳為0質量%以上25質量%以下，更佳為0質量%以上10質量%以下。

前述(1)、(2)及(3)之合計含有比率的較佳範圍與前述(3)之含有比率的較佳範圍係可任意組合。

例如，本實施形態之印墨組成物中，以印墨組成物之總質量為100質量%時，較佳者係前述(3)之含有比率為25質量%以下，且前述(1)、(2)及(3)之合計含有比率為70質量%以上。

<<(1)含鈣鈦礦化合物之半導體奈米粒子>>

鈣鈦礦化合物係以A、B及X作為構成成分之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物。

於本發明，A係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心之六面體之各頂點的成分，且為1價陽離子。

X表示於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心之八面體之各頂點的成分，且係選自由鹵化物離子及硫氰酸離子所構成群組中之至少一種陰離子。

B係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於將A配置於頂點之六面體及將X配置於頂點之八面體之中心的成分，且為金屬離子。

以A、B及X作為構成成分的鈣鈦礦化合物，只要具有本發明之效果即可，並無特別限定，可為具有三維構造、二維構造、擬二維構造之任一構造的化合物。

當為三維構造時，鈣鈦礦化合物的組成式係以ABX_(3+δ)表示。

當為二維構造時，鈣鈦礦化合物的組成式係以A₂BX_(4+δ)表示。

此處，δ為依據B的電荷平衡而可適當改變的數，為-0.7以上0.7以下。由使結晶構造安定的觀點而言，δ較佳為-0.3以上0.3以下，更佳為-0.1以上0.1以下，再更佳為0。

鈣鈦礦化合物較佳為下述通式(P1)所表示之鈣鈦礦化合物。

ABX_(3+δ)(-0.7≦δ≦0.7)...(P1)

前述A係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以前述B為中心之六面體之各頂點的成分，且為1價陽離子。

前述X表示於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以前述B為中心之八面體之各頂點的成分，且係選自由鹵化物離子及硫氰酸離子所構成群組中之一種以上的陰離子。

前述B係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於將A配置於頂點之六面體及將前述X配置於頂點之八面體之中心的成分，且為金屬離子。

(A)

鈣鈦礦化合物中，A係於前述鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心之六面體之各頂點的成分，且為1價陽離子。1價陽離子可舉例如銫離子、有機銨離子、或脒離子。鈣鈦礦化合物中，當A為銫離子、碳原子數為3以下之有 機銨離子、或碳原子數為3以下之脒離子時，一般之鈣鈦礦化合物係具有ABX_(3+δ)所表示之三維構造。

鈣鈦礦化合物中之A，較佳為銫離子或有機銨離子。

作為A之有機銨離子，可舉例如下述通式(A1)所表示的陽離子。

通式(A1)中，R⁶至R⁹分別獨立地表示氫原子、可具有胺基作為取代基之烷基、或可具有烷基或胺基作為取代基之環烷基。其中，R⁶至R⁹不會同時為氫原子。

R⁶至R⁹所表示之烷基，可分別獨立地為直鏈狀、分支鏈狀，亦可具有胺基作為取代基。

當R⁶至R⁹為烷基時，碳原子數通常分別獨立地為1至20，較佳為1至4，更佳為1至3，再更佳為1。

R⁶至R⁹所表示之環烷基，可分別獨立地具有烷基作為取代基，亦可具有胺基作為取代基。

R⁶至R⁹所表示之環烷基的碳原子數，通常分別獨立地為3至30，較佳為3至11，更佳為3至8。碳原子數亦包含取代基的碳原子數。

R⁶至R⁹所表示之基，較佳為分別獨立地為氫原子或烷基。

藉由減少通式(A1)可含有之烷基及環烷基的數目、並 減小烷基及環烷基的碳原子數，可得發光強度高之具有三維構造之鈣鈦礦型結晶構造的化合物。

當烷基或環烷基的碳原子數為4以上時，即可得到部分或全部具有二維、及/或擬二維構造(quasi-2D)之鈣鈦礦型結晶的化合物。若無限大地積層二維的鈣鈦礦型結晶構造則等同於三維的鈣鈦礦型結晶構造(參考文獻：P.P.Boi等，J.Phys.Chem.Lett.2015,6,898-907等)。

R⁶至R⁹所表示之烷基所含之碳原子數的合計，以1至4為佳，R⁶至R⁹所表示之環烷基所含之碳原子數的合計，以3至4為佳。更佳者係R⁶至R⁹中之1個為碳原子數1至3之烷基、R⁶至R⁹中之3個為氫原子。

R⁶至R⁹之烷基可例示如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、異戊基、新戊基、三級戊基、1-甲基丁基、正己基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、正庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、2,2-二甲基戊基、2,3-二甲基戊基、2,4-二甲基戊基、3,3-二甲基戊基、3-乙基戊基、2,2,3-三甲基丁基、正辛基、異辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基。

其中，R⁶至R⁹之烷基較佳為乙基、甲基，更佳為甲基。

R⁶至R⁹之環烷基可舉例如分別可獨立地為 R⁶至R⁹之烷基所例示之碳原子數3以上之烷基形成環者，作為一例，可例示如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、降莰基、異莰基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、三環癸基等。

A所表示之有機銨離子，較佳為CH₃NH₃ ⁺(亦稱為甲基銨離子)、C₂H₅NH₃ ⁺(亦稱為乙基銨離子)、或C₃H₇NH₃ ⁺(亦稱為丙基銨離子)，更佳為CH₃NH₃ ⁺或C₂H₅NH₃ ⁺，再更佳為CH₃NH₃ ⁺。

A所表示之脒離子，可舉例如下述通式(A2)所表示之脒離子。

(R¹⁰R¹¹N=CH-NR¹²R¹³)⁺．．．(A2)

通式(A2)中，R¹⁰至R¹³分別獨立地表示氫原子、可具有胺基作為取代基之烷基、或可具有烷基或胺基作為取代基之環烷基。

R¹⁰至R¹³所表示之烷基，可分別獨立地為直鏈狀、分支鏈狀，可具有胺基作為取代基。

當R¹⁰至R¹³所表示之烷基之碳原子數，通常分別獨立地為1至20，較佳為1至4，更佳為1至3。

R¹⁰至R¹³所表示之環烷基，可分別獨立地具有烷基作為取代基、亦可具有胺基作為取代基。

R¹⁰至R¹³所表示之環烷基的碳原子數，通常分別獨立地為3至30，較佳為3至11，更佳為3至8。碳原子數係包含取代基的碳原子數。

R¹⁰至R¹³之烷基的具體例，可分別獨立地 舉例如R⁶至R⁹中所例示的烷基。

其中，R¹⁰至R¹³之烷基較佳為乙基、甲基，更佳為甲基。

R¹⁰至R¹³之環烷基的具體例，可分別獨立地舉例如R⁶至R⁹中所例示的環烷基。

R¹⁰至R¹³所表示之基，較佳為分別獨立地為氫原子或烷基。

藉由減少通式(A2)所含有之烷基及環烷基的數目、並減小烷基及環烷基的碳原子數，即可得到發光強度高之具有三維構造之鈣鈦礦型化合物。

當烷基或環烷基的碳原子數為4以上時，即可得到部分或全部具有二維、及/或擬二維構造(quasi-2D)之鈣鈦礦型結晶構造的化合物。

R¹⁰至R¹³所表示之烷基所含之碳原子數的合計，較佳為1至4，R¹⁰至R¹³所表示之環烷基所含之碳原子數的合計，較佳為3至4。更佳者係R¹⁰為碳原子數1至3之烷基且R¹¹至R¹³為氫原子。

(B)

鈣鈦礦化合物中，B係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於將A配置於頂點之六面體及將X配置於頂點之八面體之中心的成分，為金屬離子。B成分之金屬離子，可為選自由1價金屬離子、2價金屬離子、及3價金屬離子所構成群組中之一種以上所構成的金屬離子。B較佳為包含2價金屬離子，更佳為含有選自由鉛、或錫所構成群組中之至少一 種的金屬離子。

(X)

鈣鈦礦化合物中，X表示於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心之八面體之各頂點的成分，係選自由鹵化物離子及硫氰酸離子所構成群組中之至少一種陰離子。

X可為氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸離子所構成群組中之至少一種陰離子。

X可視所欲之發光波長適當地加以選擇，例如，X可含有溴化物離子。

當X為2種以上鹵化物離子時，前述鹵化物離子的含有比率，可依發光波長適當地選擇，例如，可為溴化物離子與氯化物離子的組合、或溴化物離子與碘化物離子的組合。

當鈣鈦礦化合物為三維構造時，係以B為中心，而具有使頂點為X之BX₆所表示之頂點共有之八面體的三維網狀構造。

當鈣鈦礦化合物為二維構造時，係以B為中心，而使頂點為X之BX₆所表示之八面體共有同一平面的四個頂點之X，藉此而形成二維上連接之BX₆所構成之層與A所構成之層相互積層的構造。

B係可對X進行八面體配位的金屬陽離子。

本說明書中，鈣鈦礦構造係可藉由X射線繞射圖型來確認。

當為具有前述三維構造之鈣鈦礦型結晶構造的化合 物時，於X射線繞射圖型，通常可確認到於2θ=12至18°位置之來自(hkl)=(001)的波峰、於2θ=18至25°位置之來自(hkl)=(110)的波峰，更佳為可確認到於2θ=13至16°位置之來自(hkl)=(001)的波峰、於2θ=20至23°位置之來自(hkl)=(110)的波峰。

當為具有前述二維構造之鈣鈦礦型結晶構造的化合物時，於X射線繞射圖型，通常可確認到於2θ=1至10°位置之來自(hkl)=(002)的波峰，更佳為確認到於2θ=2至8°位置之來自(hkl)=(002)的波峰。

鈣鈦礦化合物之以ABX_(3+δ)所表示之具有三維構造之鈣鈦礦型結晶構造的化合物之具體例，較佳可舉例如CH₃NH₃PbBr₃、CH₃NH₃PbCl₃、CH₃NH₃PbI₃、CH₃NH₃PbBr_(3-y)I_y(0<y<3)、CH₃NH₃PbBr_(3-y)Cl_y(0<y<3)、(H₂N=CH-NH₂)PbBr₃、(H₂N=CH-NH₂)PbCl₃、(H₂N=CH-NH₂)PbI₃、CH₃NH₃Pb_(1-a)Ca_aBr₃(0<a≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Sr_aBr₃(0<a≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)La_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,0<δ≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Ba_aBr₃(0<a≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Dy_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,0<δ≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Na_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Li_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、CsPb_(1-a)Na_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、CsPb_(1-a)Li_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Na_aBr_(3+δ-y)I_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Li_aBr_(3+δ-y)I_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Na_aBr_(3+δ-y)Cl_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Li_aBr_(3+δ-y)Cl_y(0<a≦ 0.7,-0.7≦δ<0,0<y<3)、(H₂N=CH-NH₂)Pb_(1-a)Na_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、(H₂N=CH-NH₂)Pb_(1-a)Li_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、(H₂N=CH-NH₂)Pb_(1-a)Na_aBr_(3+δ-y)I_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<3)、(H₂N=CH-NH₂)Pb_(1-a)Na_aBr_(3+δ-y)Cl_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<3)、CsPbBr₃、CsPbCl₃、CsPbI₃、CsPbBr_(3-y)I_y(0<y<3)、CsPbBr_(3-y)Cl_y(0<y<3)、CH₃NH₃PbBr_(3-y)Cl_y(0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Zn_aBr₃(0<a≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Al_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,0≦δ≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Co_aBr₃(0<a≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Mn_aBr₃(0<a≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Mg_aBr₃(0<a≦0.7)、CsPb_(1-a)Zn_aBr₃(0<a≦0.7)、CsPb_(1-a)Al_aBr_(3+δ)(0<a≦0.7,0<δ≦0.7)、CsPb_(1-a)Co_aBr₃(0<a≦0.7)、CsPb_(1-a)Mn_aBr₃(0<a≦0.7)、CsPb_(1-a)Mg_aBr₃(0<a≦0.7)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Zn_aBr_(3-y)I_y(0<a≦0.7,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Al_aBr_(3+δ-y)I_y(0<a≦0.7,0<δ≦0.7,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Co_aBr_(3-y)I_y(0<a≦0.7,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Mn_aBr_(3-y)I_y(0<a≦0.7,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Mg_aBr_(3-y)I_y(0<a≦0.7,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Zn_aBr_(3-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Al_aBr_(3+δ-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<δ≦0.7,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Co_aBr_(3+δ-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Mn_aBr_(3-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<y<3)、CH₃NH₃Pb_(1-a)Mg_aBr_(3-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<y<3)、(H₂N=CH-NH₂)Zn_aBr₃(0<a≦0.7)、(H₂N=CH-NH₂)Mg_aBr₃(0<a≦0.7)、(H₂N=CH-NH₂)Pb_(1-a)Zn_aBr_(3-y)I_y(0<a≦0.7,0<y<3)、(H₂N=CH-NH₂)Pb_(1-a)Zn_aBr_(3-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<y<3) 等。

本發明之一面向係鈣鈦礦化合物之以ABX_(3+δ)所表示之具有三維構造之鈣鈦礦型結晶構造的化合物，較佳為CsPbBr₃。

鈣鈦礦化合物之以A₂BX_(4+δ)所表示之具有二維構造之鈣鈦礦型結晶構造的化合物之具體例，較佳可舉例如(C₄H₉NH₃)₂PbBr₄、(C₄H₉NH₃)₂PbCl₄、(C₄H₉NH₃)₂PbI₄、(C₇H₁₅NH₃)₂PbBr₄、(C₇H₁₅NH₃)₂PbCl₄、(C₇H₁₅NH₃)₂PbI₄、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Li_aBr_(4+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Na_aBr_(4+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Rb_aBr_(4+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、(C₇H₁₅NH₃)₂Pb_(1-a)Na_aBr_(4+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、(C₇H₁₅NH₃)₂Pb_(1-a)Li_aBr_(4+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、(C₇H₁₅NH₃)₂Pb_(1-a)Rb_aBr_(4+δ)(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Na_aBr_(4+δ-y)I_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Li_aBr_(4+δ-y)I_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Rb_aBr_(4+δ-y)I_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Na_aBr_(4+δ-y)Cl_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Li_aBr_(4+δ-y)Cl_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Rb_aBr_(4+δ-y)Cl_y(0<a≦0.7,-0.7≦δ<0,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂PbBr₄、(C₇H₁₅NH₃)₂PbBr₄、(C₄H₉NH₃)₂PbBr_(4-y)Cl_y(0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂PbBr_(4-y)I_y(0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Zn_aBr₄(0<a≦0.7)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Mg_aBr₄(0<a≦0.7)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Co_aBr₄(0<a≦0.7)、 (C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Mn_aBr4(0<a≦0.7)、(C₇H₁₅NH₃)₂Pb_(1-a)Zn_aBr₄(0<a≦0.7)、(C₇H₁₅NH₃)₂Pb_(1-a)Mg_aBr₄(0<a≦0.7)、(C₇H₁₅NH₃)₂Pb(_1-a)Co_aBr₄(0<a≦0.7)、(C₇H₁₅NH₃)₂Pb_(1-a)Mn_aBr₄(0<a≦0.7)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Zn_aBr_(4-y)I_y(0<a≦0.7,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Mg_aBr_(4-y)I_y(0<a≦0.7,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Co_aBr_(4-y)I_y(0<a≦0.7,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Mn_aBr_(4-y)I_y(0<a≦0.7,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Zn_aBr_(4-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Mg_aBr_(4-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Co_aBr_(4-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<y<4)、(C₄H₉NH₃)₂Pb_(1-a)Mn_aBr_(4-y)Cl_y(0<a≦0.7,0<y<4)等。

本實施形態之印墨組成物所含之(1)的平均粒徑，只要具有本發明之效果並無特別限定。本實施形態之印墨組成物中，由可良好地維持(1)之結晶構造的觀點而言，(1)之平均粒徑以1nm以上為佳，更佳為2nm以上，再更佳為3nm以上。又，本實施形態之印墨組成物中，由使(1)不易沉降的觀點而言，(1)之平均粒徑以10μm以下為佳，更佳為1μm以下，再更佳為500nm以下。

上述之上限值及下限值可任意組合。

本實施形態之印墨組成物所含之(1)之平均粒徑雖無特別限定，但由使(1)不易沉降的觀點、及可良好地維持(1)之結晶構造的觀點而言，平均粒徑較佳為1nm以上10μm以下，更佳為2nm以上1μm以下，再更佳為3nm以上500nm以下。

印墨組成物所含之(1)之平均粒徑，例如可藉由掃描型電子顯微鏡(以下，亦稱為SEM)、或透過型電子顯微鏡(以下，亦稱為TEM)進行測定。具體而言，係藉由TEM、或SEM觀察前述印墨組成物中所含之20個(1)的菲烈直徑(Feret's diameter)，計算出該等之平均值的平均菲烈直徑，藉此可得到前述平均粒徑。本說明書中所謂之「菲烈直徑」，係指於TEM、或SEM影像中，夾著觀察對象之兩條平行直線的最大距離。

本實施形態之印墨組成物所含之(1)的中位徑(D50)只要具有本發明之效果，並無特別限定。本實施形態之印墨組成物中，由可良好地維持(1)之結晶構造的觀點而言，(1)的中位徑(D50)較佳為3nm以上，更佳為4nm以上，再更佳為5nm以上。又，本實施形態之印墨組成物中，由使(1)不易沉降的觀點而言，(1)的中位徑(D50)較佳為5μm以下，更佳為500nm以下，再更佳為100nm以下。

本發明之另一面向係印墨組成物所含之(1)的中位徑(D50)較佳為3nm至5μm，更佳為4nm至500nm，再更佳為5nm至100nm。

本說明書中，印墨組成物所含之(1)的中位徑(D50)，例如可藉由TEM、SEM進行測定。具體而言，可藉由TEM、或SEM觀察前述印墨組成物所含之20個(1)的菲烈直徑，由該等的分布求出前述中位徑(D50)。

相對於本實施形態之半導體奈米粒子總質量之鈣鈦礦化合物的含有比率，通常為1至100質量%、 較佳為10至100質量%，更佳為70至100質量%。

相對於本實施形態之印墨組成物總質量之(1)的含有比率，只要具有本發明之效果並無特別限定，而由使含有鈣鈦礦化合物之半導體奈米粒子不易凝集的觀點及防止濃度驟滅的觀點而言，較佳為50質量%以下，更佳為5質量%以下，再更佳為1質量%以下。又，由獲得良好之量子產率的觀點而言，相對於印墨組成物總質量之(1)的含有比率，較佳為0.0001質量%以上，更佳為0.0005質量%以上，再更佳為0.001質量%以上。

上述之上限值及下限值可任意組合。

相對於印墨組成物總質量之(1)的含有比率，通常為0.0001至50質量%。

相對於印墨組成物總質量之(1)的含有比率，較佳為0.0001至5質量%，更佳為0.0005至2質量%。

本實施形態之印墨組成物中，相對於印墨組成物總質量之(1)之含有比率為上述範圍內的組成物，不易產生(1)的凝集且發光性亦良好，故較佳。

相對於本實施形態之印墨組成物總質量之(2)的含有比率，只要具有本發明之效果並無特別限定，而由維持發光強度之同時提高硬化物之耐溶劑性的觀點而言，較佳為99質量%以下。又，由維持發光強度之同時提高硬化物之耐溶劑性的觀點而言，相對於印墨組成物總質量之(2)之含有比率，較佳為0.1質量%以上，更佳為1質量%以上，再更佳為10質量%以上。

上述之上限值及下限值可任意組合。

相對於印墨組成物總質量之(2)之含有比率，通常為0.1至99質量%。

相對於印墨組成物總質量之(2)之含有比率，較佳為1至99質量%，更佳為10至99質量%。

本實施形態之印墨組成物中，相對於印墨組成物總質量之(2)之含有比率為上述範圍內的組成物，可於維持發光強度之同時提高硬化物的耐溶劑性，故較佳。

相對於本實施形態之印墨組成物總質量之(1)及(2)的合計含有比率，只要具有本發明之效果並無特別限定，而由維持發光強度之同時提高硬化物之耐溶劑性的觀點而言，較佳為99質量%以下。又，由維持發光強度之同時提高硬化物之耐溶劑性的觀點而言，相對於印墨組成物總質量之(1)及(2)的合計含有比率，較佳為0.1質量%以上，更佳為1質量%以上，再更佳為10質量%以上。

上述之上限值及下限值可任意組合。

相對於印墨組成物總質量之(1)及(2)的合計含有比率，通常為0.1至99質量%。

相對於印墨組成物總質量之(1)及(2)的合計含有比率，較佳為1至99質量%，更佳為10至99質量%。

本實施形態之印墨組成物中，相對於印墨組成物總質量之(1)及(2)的合計含有比率為上述範圍內的組成物，可於維持發光強度之同時提高硬化物的耐溶劑性，故較佳。

(1)含鈣鈦礦化合物之半導體奈米粒子的至 少一部分，可由後述之(1)-2封端配位基及/或(1)-3表面被覆材所被覆。

<<(1)-2封端配位基>>

本實施形態之印墨組成物可含有用以提升(1)之分散性並提升發光特性之封端配位基。

本實施形態之印墨組成物中，作為封端配位基可含有選自由氨、胺及羧酸，以及前述化合物可得的形態之該等之鹽或離子所構成群組中之至少一種化合物或離子。

亦即，本實施形態之印墨組成物可含有選自由氨、胺、羧酸、氨之鹽、胺之鹽、羧酸之鹽、氨之離子、胺之離子、及羧酸之離子所構成群組中之至少一種化合物或離子。

氨、胺、及羧酸、以及該等之鹽或離子，通常係用作為封端配位基。所謂「封端配位基」，係吸附於(1)之表面，具有使(1)安定地分散於印墨組成物中之作用的化合物。氨或胺之離子或鹽(銨鹽等)可舉例如後述之通式(A1’)所表示之銨陽離子、與包含其之銨鹽、或由通式(A1’)所表示之銨陽離子除去R¹至R⁴之任1個基所得之胺。羧酸之離子或鹽(羧酸鹽等)可舉例如後述之通式(A2’)所表示之羧酸鹽陰離子、與包含其之羧酸鹽、或於通式(A2’)所表示之羧酸鹽陰離子鍵結有質子的羧酸。本實施形態之印墨組成物可含有銨鹽及羧酸鹽等之任一者，亦可含有兩者。

封端配位基可為通式(A1’)所表示之銨陽離子、或包含其之銨鹽。

通式(A1’)中，R¹至R³表示氫原子，R⁴表示氫原子或一價之烴基。R⁴所表示之烴基可為飽和烴基(亦即，烷基或環烷基)，亦可為不飽和烴基。

R⁴所表示之烷基可為直鏈狀、亦可為分支鏈狀。

R⁴所表示之烷基的碳原子數通常為1至20，較佳為5至20，更佳為8至20。

R⁴所表示之環烷基係可具有烷基作為取代基。環烷基之碳原子數通常為3至30，較佳為3至20，更佳為3至11。碳原子數係包含取代基的碳原子數。

R⁴之不飽和烴基可為直鏈狀、亦可為分支鏈狀。

R⁴之不飽和烴基的碳原子數通常為2至20，較佳為5至20，更佳為8至20。

R⁴較佳為氫原子、烷基或不飽和烴基。不飽和烴基較佳為烯基。R⁴較佳為碳原子數8至20的烯基。

R⁴之烷基的具體例可舉例如R⁶至R⁹中所例示之烷基。

R⁴之環烷基的具體例可舉例如R⁶至R⁹中所例示之環烷基。

R⁴之烯基可例示如R⁶至R⁹中所例示之前 述直鏈狀或分支鏈狀之烷基中，任1個之碳原子間之單鍵(C-C)取代成雙鍵(C=C)者，雙鍵之位置並無限定。

如此之烯基的較佳例可舉例如乙烯基、丙烯基、3-丁烯基、2-丁烯基、2-戊烯基、2-己烯基、2-壬烯基、2-十二烯基、9-十八烯基。

當銨陽離子形成鹽時，平衡陰離子並無特別限制，而作為較佳例可舉例如Br^-、Cl^-、I^-、F^-之鹵化物離子、或羧酸鹽離子等。

具有通式(A1’)所表示之銨陽離子與平衡陰離子的銨鹽，作為較佳例可舉例如正辛基銨鹽、油基銨鹽。

封端配位基可為通式(A2’)所表示之羧酸鹽陰離子、或包含其之羧酸鹽。

R⁵-CO₂ ^-．．．(A2’)

通式(A2’)中，R⁵表示一價之烴基。R⁵所表示之烴基可為飽和烴基(亦即，烷基、環烷基)、亦可為不飽和烴基。

R⁵所表示之烷基可為直鏈狀、亦可為分支鏈狀。R⁵所表示之烷基的碳原子數，通常為1至20、較佳為5至20，更佳為8至20。

R⁵所表示之環烷基可具有烷基作為取代基。環烷基之碳原子數通常為3至30，較佳為3至20，更佳為3至11。碳原子數亦包含取代基的碳原子數。

R⁵所表示之不飽和烴基可為直鏈狀、亦可為分支鏈狀。

R⁵所表示之不飽和烴基的碳原子數通常為2至20，較佳為5至20，更佳為8至20。

R⁵較佳為烷基或不飽和烴基。不飽和烴基較佳為烯基。

R⁵之烷基的具體例可舉例如R⁶至R⁹中所例示之烷基。

R⁵之環烷基的具體例可舉例如R⁶至R⁹中所例示之環烷基。

R⁵之烯基的具體例可舉例如R⁴中所例示之烯基。

其中，R⁵之烯基較佳為9-十八烯基。

通式(A2’)所表示之羧酸鹽陰離子較佳為油酸陰離子。

當形成羧酸鹽陰離子時，平衡陽離子並無特別限制，作為較佳例可舉例如鹼金屬陽離子、鹼土金屬陽離子、銨陽離子等。

<<(1)-3表面被覆材>>

本實施形態之印墨組成物中，為了保護(1)之表面並提升發光特性而可含有表面被覆材。表面被覆材只要為可被覆(1)的材料即可。

表面被覆材可舉例如含有矽原子的化合物。

含有矽原子的化合物可舉例如矽烷氧化物(silicon alkoxide)、四乙氧矽烷、四甲氧矽烷等四烷氧矽烷、甲基三甲氧矽烷、甲基三乙氧矽烷、苯基三乙氧矽烷等三烷氧矽烷等。

含有矽原子的化合物可為具有有機官能基的含矽烷氧化合物。具體而言，可舉例如巰基丙基三乙氧矽烷、胺基丙基三乙氧矽烷等。

含有矽原子的化合物可為矽氮烷或其改質體。

含有矽原子的化合物較佳為矽氮烷或其改質體。

表面被覆材(1)之被覆率，較佳為1至100%，更佳為3至100%，再更佳為10至100%。

表面被覆材(1)之被覆率，可藉由以TEM、SEM等觀察經表面被覆材所被覆之(1)，進行能量分散型X射線分析(EDX)來求得。具體而言，係藉由EDX求出來自表面被覆材之元素所存在之區域範圍與粒子整體之區域範圍，進行計算((來自表面被覆材之元素所存在之區域範圍/粒子整體之區域範圍)×100)而求得。

矽氮烷可為直鏈狀、分支鏈狀或環狀之任一者。又，矽氮烷可為低分子、亦可為高分子(本說明書中，亦有記載為聚矽氮烷)。

本說明書中所謂「低分子」係指數量平均分子量未滿600之意，所謂「高分子」係指數量平均分子量為600以上2000以下。

本說明書中所謂「數量平均分子量」，係指以凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算值。

例如，較佳為下述通式(B1)或(B2)所表示之低分子的矽氮烷、及具有通式(B3)所表示之構成單元、或通式(B4)所表示之構造的聚矽氮烷。

矽氮烷亦可以後述之方法改質以使氧化矽變性來使用。

實施形態之組成物所含之矽氮烷可為以後述之方法進行改質之矽氮烷的改質體。

所謂改質，係指矽氮烷所含之至少一部分的Si-N-Si鍵中，將N以O取代而形成Si-O-Si鍵之意，矽氮烷之改質體係含有Si-O-Si鍵之化合物。

矽氮烷之改質體例如較佳為上述通式(B1)、或(B2)所含之至少1個N以O取代之低分子的化合物、以及具有以通式(B3)所表示之構造單元之聚矽氮烷所含之至少1個N以O取代之高分子的化合物、或具有以通式(B4)所表示之構造之聚矽氮烷所含之至少1個N以O取代之高分子的化合物。

相對於通式(B2)所含之N的總量，取代之O之個數的比率，較佳為0.1至100%，更佳為10至98%，再更佳為30至95%。

相對於通式(B3)所含之N的總量，取代之O之個數的比率，較佳為0.1至100%，更佳為10至98%，再更佳為30至95%。

相對於通式(B4)所含之N的總量，取代之O之個數的比率，較佳為0.1至99%，更佳為10至97%，再更佳為30至95%。

氮烷之改質體可為一種、亦可為兩種以上的混合物。

矽氮烷及其改質體所含之Si原子數、N原 子數、O原子數，可藉由核磁共振譜法(NMR)、X射線光電子光譜法(XPS)、或使用透過型電子顯微鏡(TEM)的能量分散型X射線分析(EDX)等來計算。

就特佳之方法而言，可藉由X射線光電子光譜法(XPS)，測定印墨組成物中之Si原子數、N原子數、O原子數來進行計算。

藉由上述方法所測定之矽氮烷及其改質體所含之相對於N原子數之O原子數的比率，較佳為0.1至99%，更佳為10至95%，再更佳為30至90%。

矽氮烷、或其改質體之至少一部分，可吸附於組成物所含之鈣鈦礦化合物、亦可分散於組成物中。

通式(B1)中，R¹⁴及複數之R¹⁵分別獨立地表示氫原子、碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之烯基、碳原子數3至20之環烷基、碳原子數6至20之芳基、或碳原子數1至20之烷基矽基。碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之烯基、碳原子數3至20之環烷基、碳原子數6至20之芳基、或碳原子數1至20之烷基矽基，可具有胺基等取代基。複數之R¹⁵可為相同、亦可相異。

通式(B1)所表示之低分子的矽氮烷，可舉例 如1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氮烷、1,3-二苯基四甲基二矽氮烷及1,1,1,3,3,3-六甲基二矽氮烷。

通式(B2)中，R¹⁴及R¹⁵係與上述相同。

複數之R¹⁴可為相同，亦可相異。

複數之R¹⁵可為相同，亦可相異。

n₁表示1以上20以下的整數。n₁可為1以上10以下的整數、亦可為1或2。

通式(B2)所表示之低分子的矽氮烷，可舉例如八甲基環四矽氮烷、2,2,4,4,6,6-六甲基環三矽氮烷、及2,4,6-三甲基-2,4,6-三乙烯基環三矽氮烷。

低分子的矽氮烷較佳為八甲基環四矽氮烷、及1,3-二苯基四甲基二矽氮烷，更佳為八甲基環四矽氮烷。

聚矽氮烷係具有Si-N-Si鍵的高分子化合物，並無特別限制，可舉例如具有下述通式(B3)所表示之構成單元的高分子化合物。聚矽氮烷所含之通式(B3)所表示之構成單元，可為一種、亦可為複數種。

通式(B3)中，R¹⁴、及R¹⁵係與上述相同。

*表示鍵結鍵。末端之N原子的鍵結鍵可具有與R¹⁴相同的取代基，末端之Si原子的鍵結鍵可具有與R¹⁵相同的取代基。

複數之R¹⁴可為相同、亦可相異。

複數之R¹⁵可為相同、亦可相異。

m表示2以上10000以下的整數。

具有通式(B3)所表示之構成單元的聚矽氮烷，例如可為R¹⁴、及R¹⁵之全部為氫原子的全氫聚氮矽烷。

又，具有通式(B3)所表示之構成單元的聚矽氮烷，例如可為至少1個R¹⁵為氫原子以外之基的有機聚矽氮烷。可視用途選擇適當之全氫聚氮矽烷與有機聚矽氮烷加以混合使用。

聚氮矽烷係可於分子內之一部分具有環構造，例如可具有通式(B4)所表示之構造。

通式(B4)中，*表示鍵結鍵。

鍵結鍵可與通式(B3)所表示之構成單元的鍵結鍵鍵結。聚矽氮烷係當分子內含有複數之通式(B4)所表示的構造時，通式(B4)所表示之構造的鍵結鍵可與其他通式(B4)所表示之構造的鍵結鍵鍵結。

未與通式(B3)所表示之構成單元的鍵結鍵、或其他通式(B4)所表示之構造的鍵結鍵鍵結之N原子的鍵結鍵，可具有與R¹⁴相同的取代基，未與通式(B3)所表示之構成單元的鍵結鍵、或其他通式(B4)所表示之構造的鍵結鍵鍵結之S原子的鍵結鍵，可具有與R¹⁵相同的取代基。

n₂表示1以上10000以下的整數。n₂可為1以上10以下的整數、亦可為1或2。

矽氮烷或其改質體，並無特別限制，由提升分散性、可抑制凝集的觀點而言，較佳為有機聚矽氮烷、或其改質體。有機聚矽氮烷例如可為具有通式(B3)所表示之構成單元的有機聚矽氮烷，該通式(B3)中之R¹⁴及R¹⁵之至少一者，為碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之烯基、碳原子數3至20之環烷基、碳原子數6至20之芳基、或碳原子數1至20之烷基矽基，亦可為具有通式 (B4)所表示之構成單元的有機聚矽氮烷，該通式(B4)中之至少1個鍵結鍵與R¹⁴或R¹⁵鍵結，前述R¹⁴及R¹⁵之至少1個為碳原子數1至20之烷基、碳原子數1至20之烯基、碳原子數3至20之環烷基、碳原子數6至20之芳基、或碳原子數1至20之烷基矽基。

有機聚矽氮烷較佳為具有通式(B3)中之R¹⁴及R¹⁵之至少一者為甲基之通式(B3)所表示之構成單元的有機聚矽氮烷、或具有通式(B4)中之至少1個鍵結鍵與R¹⁴或R¹⁵鍵結而前述R¹⁴及R¹⁵之至少1個為甲基之通式(B4)所表示之構造單元的聚矽氮烷。

一般之聚矽氮烷，例如係存在有直鏈構造、與六員環、或八員環等環構造的構造。如前述，該分子量係數量平均分子量(Mn)為600至2000(聚苯乙烯換算)，依分子量可為液體或固體的物質。前述聚矽氮烷係可使用市售品，市售品可舉例如NN120-10、NN120-20、NAX120-20、NN110、NAX120、NAX110、NL120A、NL110A、NL150A、NP110、NP140(安智電子材料股份有限公司製)、以及AZNN-120-20、Durazane(註冊商標)1500 Slow Cure、Durazane(註冊商標)1500 Rapid Cure、Durazane(註冊商標)1800(默克先進科技材料股份有限公司製)、及Durazane(註冊商標)1033(默克先進科技材料股份有限公司製)等。

具有通式(B3)所表示之構成單元的聚矽氮烷，較佳為AZNN-120-20、Durazane(註冊商標)1500 Slow Cure、Durazane(註冊商標)1500 Rapid Cure，更佳為Durazane(註 冊商標)1500 Slow Cure。

<<參數Z>>

本實施形態之印墨組成物，由於下述式(a)中之Z值為0.37以下，而顯示優異的發光特性。

式(a)Z=(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)

(O2、N2、C2：分別為(2)所含之O原子數、N原子數、C原子數。O3、N3、C3：分別為(3)所含之O原子數、N原子數、C原子數。)

當(2)為由複數種之化合物所構成時，O2、N2及C2，分別為相對於構成之化合物所含之O原子數、N原子數、C原子數，以(2)之總質量為100質量%，以所構成之化合物的比率(質量%)之加重平均的O2、N2及C2之值。

當(3)為由複數種之化合物所構成時，O3、N3及C3，分別為相對於構成之化合物所含之O原子數、N原子數、C原子數，以(3)之總質量為100質量%，以所構成之化合物的比率(質量%)之加重平均的O3、N3及C3之值。

亦即，O2、N2、C2、O3、N3及C3，可定義如以下者。

(n2表示(2)之種類的個數，f_n2表示：以(2)所含之全部化合物之總質量為100質量%時，第n2個化合物的比率(質量%)，O2_n2表示：以(2)所含之全部化合物之總質量為100質量%時，第n2個化合物所含的O原子數，N2_n2表示：以(2)所含之全部化合物之總質量為100質量%時，第n2個化合物所含的N原子數，C2_n2表示：以(2)所含之全部化合物之總質量為100質量%時，第n2個化合物所含的C原子數。

n3表示(3)的化合物之種類的個數，f_n2表示：以(3)所含之全部化合物之總質量為100質量%時，第n3個化合物的比率(質量%)，O3_n2表示：以(3)所含之全部化合物之總質量為100質量%時，第n3個化合物所含的O原子數，N3_n2表示：以(3)所含之全部化合物之總質量為100質量%時，第n3個化合物所含的N原子數，C3_n2表示：以(3)所含之全部化合物之總質量為100質量%時，第n3個化合物所含的C原子數。)

本實施形態之印墨組成物中，Z之值較佳為0.27以下，更佳為0.20以下。

本發明之一面向係於本實施形態之印墨組成物中，Z之值較佳為0.01以上0.37以下，更佳為0.01以上0.27以下，再更佳為0.01以上0.20以下。

由於Z為前述範圍內，於聚合本實施形態之印墨組成物之際，可於抑制鈣鈦礦化合物表面的劣化之同時進行硬化，故可於發光特性高的狀態下得到耐溶劑性。

Z值的測定方法，可使用下述方法：使用核磁共振譜法(NMR)、液相層析、氣相層析、紫外線可見光光譜等方法，特定所含化合物的化學構造以計算出的方法。

又，亦可使用下述方法：X射線光電子光譜法(XPS)、或使用透過型電子顯微鏡(TEM)之能量分散型X射線分析(EDX)、使用元素分析裝置、碳硫分析裝置、氧氮氫分析裝置、螢光X射線裝置等之元素分析法、離子層析法、滴定法、極譜法、重量分析法等測定元素之含量以計算出的方法。

該等之測定方法可單獨使用、亦可組合複數組使用。

由經混合有(2)與(3)之(2)與(3)之混合物求得Z的方法，可舉例如下述方法，藉由上述測定方法，求出前述混合物中之O原子數、N原子數、C原子數，依據前述式(a)，將O原子數與N原子數之和除以C原子數，藉此可求得。於該情形，C原子數可藉由碳硫分析裝置測定，O原子數及N原子數可藉由氧氮氫分析裝置或離子層析法進行測定。

由經混合有(1)與(2)與(3)之(1)與(2)與(3)之混合物求得Z的方法，當(1)不含O原子、N原子、C原子時，可採用前述之由(2)與(3)之混合物求得Z的方法。當(1) 含有O原子、N原子、C原子時，可藉由層析等分析(1)所含的原子，進行鑑定及定量。以上述方法測定(1)與(2)與(3)之混合物中之O原子數、N原子數、C原子數，由該等之值減去源自(1)之O原子數、N原子數、C原子數，求出源自(2)與(3)之O原子數與N原子數的和，藉由以該和除以C原子數可求得Z。

<<(2)硬化性樹脂組成物>>

硬化性樹脂組成物含有硬化性樹脂作為主原料，硬化性樹脂組成物可含有硬化劑及起始劑。

硬化性樹脂組成物可含有低分子化合物(本說明書中，亦記載為硬化性樹脂單體)，亦可含有低分子化合物聚合所成的聚合物。聚合物可為寡聚物、亦可為聚合物，而以寡聚物為佳。此處，所謂寡聚物係指聚合物所具有之全部重複單元，其重複數的合計為2至20之聚合物，所謂聚合物，係指重複數的合計為21以上的聚合物。

本說明書中，所謂硬化性樹脂，係指硬化性單體及其聚合物之意。

硬化性樹脂組成物所含之硬化性樹脂的含有比率，相對於硬化性樹脂組成物的總質量，較佳為10至95質量%，更佳為50至95質量%，再更佳為70至95質量%。

當以硬化性樹脂組成物所含之硬化性樹脂的總質量為100質量%時，硬化性樹脂組成物所含之硬化劑的含有比率較佳為1至50質量%，更佳為5至20質量%。

當以硬化性樹脂組成物所含之前述硬化性樹脂的總質量為100質量%時，硬化性樹脂組成物所含之起始劑的含有比率較佳為0.01至20質量%，更佳為0.01至5質量%。

本實施形態之印墨組成物所含的硬化性樹脂組成物，只要以印墨組成物整體計前述參數Z之值滿足0.37即可，並無特別限定。

由維持發光特性的觀點而言，硬化性樹脂組成物較佳係例如包含選自由下述式(b-1)所表示之低分子化合物及含有下述式(b-2)所表示之重複單元的聚合物所構成群組中之至少一種，且以前述(2)之總質量為100質量%時，前述低分子化合物及聚合物之合計含有比率較佳為50質量%以上。

本發明之一面向為，硬化性組成物較佳係例如包含選自由下述式(b-1)所表示之低分子化合物及含有下述式(b-2)所表示之重複單元的聚合物所構成群組中之至少一種，且以前述(2)之總質量為100質量%時，前述低分子化合物及聚合物之合計含有比率較佳為50質量%以上99質量%以下。

前述硬化性樹脂組成物更佳為，以前述(2)之總質量為100質量%時，下述式(b-1)所表示之低分子化合物的含有比率為50質量%以上，或者，以前述(2)之總質量為100質量%時，含有下述式(b-2)所表示之重複單元的聚合物的含有比率為50質量%以上。

本發明之一面向為，硬化性樹脂組成物更佳為，以前述(2)之總質量為100質量%時，下述式(b-1)所表示之低分子化合物的含有比率為50質量%以上99質量%以下，或者，以前述(2)之總質量為100質量%時，含有下述式(b-2)所表示之重複單元的聚合物的含有比率為50質量%以上99質量%以下。

前述含有式(b-2)所表示之重複單元的聚合物，以聚合物所含之全部重複單元為100莫耳%時，較佳為含有式(b-2)所表示之重複單元50莫耳%以上的聚合物，更佳為含有90莫耳%以上的聚合物。

前述含有式(b-2)所表示之重複單元的聚合物，以聚合物所含之全部重複單元為100莫耳%時，較佳為含有式(b-2)所表示之重複單元50莫耳%以上99莫耳%以下的聚合物，更佳為含有90莫耳%以上99莫耳%以下的聚合物。

式(b-1)及(b-2)中，A表示氫原子或甲基。

m1表示0至20之整數，m2表示0至2之整數，m3表示0至20之整數，m4表示0至2之整數，m5表示0至20之整數，m1至m5的合計為20以下。

Ra表示亞甲基。

Rb表示下述式(b-31)至(b-38)之任一者所表示之2價基，當有複數個Rb時，Rb可互為相同或相異。

Rc表示下述式(b-41)至(b-48)之任一者所表示之1價基。

式(b-1)及(b-2)中，Rb較佳為前述式(b-32)至(b-35)之任一者所表示之2價基。當有複數個Rb時，Rb可互為相同或相異。

式(b-1)及(b-2)中，Rc較佳為前述式(b-41)、(b-42)、(b-44)、(b-45)或(b-46)之任一者所表示之1價基。

式(b-1)及(b-2)中，較佳者係m2為0或1，m4及m5為0。

式(b-1)及(b-2)中，較佳者係，Rb為前述式(b-32)至(b-35)之任一者所表示之2價基，Rc為前述式(b-41)、(b-42)、(b-44)、(b-45)或(b-46)之任一者所表示之1價基，m2為0或1，m4及m5為0。

由維持發光特性的觀點而言，(b-1)所表示之低分子化合物，較佳為下述式(b-51)至(b-54)之任一者所表示的低分子化合物。

硬化性樹脂單體可舉例如(甲基)丙烯酸酯、環氧基(甲基)丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甘油(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯。

該等硬化性樹脂單體可單獨使用，亦可混合複數種使用。

亦可使用使該等硬化性樹脂單體聚合而成之聚合物。

硬化性樹脂單體較佳為選自由(甲基)丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯及聚醚(甲基)丙烯酸酯所構成群組中之至少一種，更佳為選自由(甲 基)丙烯酸酯及聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯所構成群組中之至少一種。亦可使用使該等硬化性樹脂單體聚合而成之聚合物。

(甲基)丙烯酸酯可舉例如乙烯基甲基丙烯酸酯、烯丙基甲基丙烯酸酯、三級丁基甲基丙烯酸酯、月桂基甲基丙烯酸酯、2-乙基己基丙烯酸酯、異莰基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸酯、四氫呋喃甲基甲基丙烯酸酯、硬脂基甲基丙烯酸酯、己內酯丙烯酸酯。

該等硬化性樹脂單體可單獨使用、亦可混合複數種使用。

亦可使用使該等硬化性樹脂單體聚合而成之聚合物。

．硬化劑

前述樹脂組成物可含有硬化劑。硬化劑可舉例如具有複數個官能基的硬化劑。具有複數個官能基的硬化劑可舉例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、含有硫醇基之巰基化合物等。三羥甲基丙烷三丙烯酸酯係可使用三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯。

．起始劑

前述樹脂組成物可含有起始劑。關於起始劑，具體而言可舉例如安息香及其衍生物、苯乙酮、二苯基酮、羥基 二苯基酮、米其勒酮、α-戊肟酯(amyloxime ester)、9-硫雜蒽酮等及該等之衍生物或Irgacure819、Irgacure651、Irgacure184等。該等起始劑可與敏化劑一起使用。上述起始劑亦可作為敏化劑使用。又，當使用環氧基丙烯酸酯系之起始劑時，可使用正丁基胺、三乙基胺、三-正丁基膦等敏化劑。

硬化性樹脂組成物之較佳者係藉由加熱而硬化的熱硬化性樹脂組成物、藉由光而硬化的光硬化性樹脂組成物或兼具該兩者的熱光硬化性樹脂組成物。為了於短時間內硬化以提高生產效率，更佳為光硬化性樹脂組成物。

當採用光硬化性樹脂組成物或熱光硬化性樹脂組成物時作為硬化性樹脂組成物，硬化所使用的光並無特別限定，可使用紫外光、可見光之波長的光。較佳為具有150至800nm之波長的光，更佳為具有200至500nm之波長的光。該光源係可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學燈、發光二極體(LED)光源、準分子雷射產生裝置等，較佳可使用i射線(365nm)、h射線(405nm)、g射線(436nm)等具有300nm以上450nm以下之波長的活化光線。又，視需要亦可透過長波長截止濾鏡、短波長截止濾鏡、帶通濾波器等分光濾鏡來調整照射光。曝光量較佳為1至5000mJ/cm²，更佳為10至2000mJ/cm²、又更佳為50至500mJ/cm²。

如此硬化的光硬化性樹脂，可舉例如苯乙烯、丙烯酸 酯樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽樹脂等及該等之原料之單體或寡聚物等周知的硬化性樹脂。

<<溶劑>>

本發明之印墨組成物，除了(1)、(2)之外亦可含有溶劑。溶劑只要滿足參數Z的較佳範圍、可使(1)分散之介質即可，並無特別限定。

本說明書中之「溶劑」，係指於1大氣壓、25℃下為液體狀態的物質(惟前述(2)除外)。

本說明書中所謂「分散」，係指(1)於浮游或懸浮於溶劑中的狀態，可部分沉降。

溶劑可舉例如甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、丙酮、二甲酮、二異丁酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙醚、甲基-三級丁醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧環戊烷(dioxolane)、4-甲基二氧環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、三級丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等醇；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等二醇醚；N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、 N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基之有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基之有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵烴基之有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基之有機溶劑；二甲亞碸等。

該等之中，甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、丙酮、二甲酮、二異丁酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙醚、甲基-三級丁醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧環戊烷、4-甲基二氧環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基之有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基之有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵烴基之有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基之有機溶劑，由於極性低、難以溶解(1)故較佳，更佳為，二氯甲烷、氯仿等具有鹵烴基之有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基之有機溶劑。

<<無機微粒子添加物(散射材)>>

於本發明之印墨組成物中，為了使光散射以提升發光特性而可添加無機微粒子。無機微粒子可舉例如氧化物、氫氧化物等周知之無機微粒子，由使通過組成物中之光可有效地被鈣鈦礦化合物吸收的觀點而言，以及由不使鈣鈦 礦化合物劣化、減少表面的缺陷位置數以減少激發之電子被缺陷位置捕獲之機率的觀點而言，以氧化物為佳。

關於前述無機微粒子添加物的添加量，相對於印墨組成物100質量份，較佳為0.1至30質量份，更佳為0.5至20質量份，再更佳為1至10質量份。

當無機微粒子為氧化物時，可舉例如氧化鋁、氧化鋅、氧化鈮、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎂、及氧化鎵等周知之氧化物，可為氧化鋁、氧化鋅、氧化鈮，亦可為氧化鋅、氧化鈮，可為氧化鈮。

當無機微粒子為氧化鋯時，α氧化鋁、γ氧化鋁、θ氧化鋁、δ氧化鋁、η氧化鋁、κ氧化鋁及χ氧化鋁等周知之氧化鋁，可為α氧化鋁、γ氧化鋁，亦可為α氧化鋁。

由使通過組成物中之光可有效地被鈣鈦礦化合物吸收的觀點而言，以及由不使鈣鈦礦化合物劣化、減少表面的缺陷位置數以減少激發之電子被缺陷位置捕獲之機率的觀點而言，無機微粒子之平均粒徑較佳為150nm以上30μm以下，更佳為160nm以上10μm以下，再更佳為170nm以上4μm以下。

關於無機微粒子之平均粒徑的測定方法，可舉例如使用掃描型電子顯微鏡(SEM)、或TEM等進行觀察的方法。再者，藉由使用SEM、或TEM之EDX測定，可詳細地分析元素分布。

無機微粒子之形狀並無特別限制。無機微 粒子之粒徑係指粒子外周部的大小，在測定外切該外周部圖形之長方形的長度及寬度中之較大者，可計算出平均的大小(菲烈直徑)。亦即，無機微粒子的平均粒徑例如可藉由TEM觀察20個無機微粒子的菲烈直徑，計算出該等平均值之平均菲烈直徑。

由使通過組成物中之光可有效率地被鈣鈦礦化合物吸收的觀點而言，以及由不使鈣鈦礦化合物劣化、減少表面的缺陷位置數以減少激發之電子被缺陷位置捕獲之機率的觀點而言，無機微粒子之比表面積較佳為0.05m²/g以上、100m²/g以下，更佳為0.1m²/g以上、30m²/g以下，又更佳為0.4m²/g以上、15m²/g以下。

無機微粒子的比表面積例如可使用比表面積測定裝置(例如，可使用Macsorb、mountech製)以BET法進行測定。

<印墨組成物之製造方法>

以下，關於本發明中之組成物之製造方法，呈示實施形態來進行說明。根據實施形態之印墨組成物的製造方法，可製造本實施形態的印墨組成物。又，本發明之組成物，只要是由以下實施形態之印墨組成物的製造方法所製造者即可，並無特別限定。

<<(1)鈣鈦礦化合物之製造方法>>

可參考先前文獻(Nano Lett.2015,15,3692-3696, ACSNano,2015,9,4533-4542)，藉由以下所述之第1實施形態及第2實施形態的方法進行製造鈣鈦礦化合物。

(以A、B、及X作為構成成分之鈣鈦礦化合物之製造方法的第1實施形態)

例如，本發明之鈣鈦礦化合物之製造方法，可舉例如包含下述步驟之製造方法：使B成分、X成分、及A成分溶解於溶劑x而得到溶液g的步驟；與將所得之溶液g與對鈣鈦礦化合物之溶劑的溶解度低於在得到溶液g之步驟所使用之溶劑x的溶劑y，進行混合的步驟。

更具體而言，可舉例如包含下述步驟之製造方法：使含有B成分及X成分的化合物與含有A成分、或A成分及X成分的化合物溶解於溶劑x而得到溶液g的步驟；與將所得之溶液g，與對鈣鈦礦化合物之溶劑的溶解度低於在得到溶液g之步驟所使用之溶劑x的溶劑y，進行混合的步驟。

藉由混合溶液g、與對於鈣鈦礦化合物之溶劑的溶解度低於在得到溶液g之步驟所使用之溶劑x的溶劑y，可使鈣鈦礦化合物析出。

以下，說明含有下述步驟的製造方法：使含有B成分及X成分的化合物與含有A成分、或A成分 及X成分的化合物溶解於溶劑x而得到溶液g的步驟；以及將所得之溶液g與對鈣鈦礦化合物之溶劑的溶解度低於在得到溶液g之步驟所使用之溶劑x的溶劑y，進行混合的步驟。

又，所謂溶解度，係指進行混合步驟之溫度下的溶解度。

由可使鈣鈦礦化合物安定地分散的觀點而言，前述製造方法以含有加入封端配位基的步驟為佳。封端配位基較佳為於前述混合步驟之前添加，亦可將封端配位基添加於溶解有A成分、B成分及X成分的溶液g，亦可添加於對於鈣鈦礦化合物之溶劑的溶解度低於在得到溶液g之步驟所使用之溶劑x的溶劑y，亦可添加於溶劑x及溶劑y雙方。

前述製造方法較佳為於前述之混合步驟之後，包含藉由離心、濾過等方法除去巨大粒子的步驟。藉由前述除去步驟所除去之巨大粒子的大小，較佳為10μm以上，更佳為1μm以上，再更佳為500nm以上。

前述之混合溶液g與溶劑y的步驟，可為(I)將溶液g滴入溶劑y中的步驟，亦可為(II)將溶劑y滴入溶液g中的步驟，而由提高(1)之分散性的觀點考量係以(I)較佳。

由提高(1)之分散性的觀點考量，較佳為於滴入時進行攪拌。

於溶液g與溶劑y的混合步驟中，對於溫度並無特別 限制，而由確保(1)之析出容易度的觀點而言，較佳為-20至40℃的範圍，更佳為5至30℃的範圍。

前述製造方法所使用之對鈣鈦礦化合物之溶劑的溶解度不同之2種溶劑x及y，並無特別限定，可舉例如，選自由：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、三級丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等醇；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等二醇醚；N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑；甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、丙酮、二甲酮、二異丁酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙醚、甲基-三級丁醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧環戊烷、4-甲基二氧環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基之有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基之有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵烴基之有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基之有機溶劑、二甲亞碸所構成之群中之2種溶劑。

前述之製造方法所含之得到溶液g之步驟所使用的溶劑x，較佳為對鈣鈦礦化合物之溶劑之溶解度 高的溶劑，例如，當以室溫(10℃至30℃)進行前述步驟時，可舉例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、三級丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等醇；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等二醇醚；N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑；二甲亞碸。

前述製造方法所含之混合步驟中使用的溶劑y，較佳為對鈣鈦礦化合物之溶劑之溶解度低的溶劑，例如，當以室溫(10℃至30℃)進行前述步驟時，可舉例如甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、丙酮、二甲酮、二異丁酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙醚、甲基-三級丁醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧環戊烷、4-甲基二氧環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基之有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基之有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵烴基之有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基之有機溶劑。

溶解度不同的2種溶劑中，溶解度的差較佳為(100μg/溶劑100g)至(90g/溶劑100g)，更佳為(1mg/溶劑100g)至(90g/溶劑100g)。由使溶解度的差為(100μg/溶 劑100g)至(90g/溶劑100g)的觀點而言，較佳為，例如當以室溫(10℃至30℃)進行混合步驟時，於得到溶液之步驟所使用的溶劑x為N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基之有機溶劑或二甲亞碸，混合步驟所使用之溶劑y為二氯甲烷、氯仿等具有鹵烴基之有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基之有機溶劑。

由所得之含有鈣鈦礦化合物之分散液取出鈣鈦礦化合物的方法，可舉例如，藉由進行固液分離僅回收鈣鈦礦化合物的方法。

前述之固液分離方法，可舉例如過濾等方法、及利用溶劑之蒸發的方法等。

(以A、B、及X作為構成成分之鈣鈦礦化合物之製造方法的第2實施形態)

鈣鈦礦化合物之製造方法，亦可為含有下述步驟的製造方法：將B成分、X成分及A成分添加至高溫的溶劑z中使溶解而得到溶液h的步驟；與對所得之溶液h進行冷卻的步驟。

更具體而言，可舉例如含有下述步驟的製造方法：將含有B成分及X成分的化合物與含有A成分、或A成分及X成分的化合物添加至高溫的溶劑z中使溶解而得到溶液h的步驟；以及對所得之溶液h進行冷卻的步驟。

將含有B成分及X成分的化合物、與含有A成分、或 A成分及X成分的化合物添加至高溫的溶劑z中使溶解而得到溶液h的步驟，亦可為將含有B成分及X成分的化合物，與含有A成分、或A成分及X成分的化合物添加於溶劑z後，進行升溫而得到溶液h的步驟。

於前述製造方法，藉由溫度差所造成之溶解度的差，使本發明之鈣鈦礦化合物析出，而可製造本發明之鈣鈦礦化合物。

由可安定分散鈣鈦礦化合物的觀點而言，前述製造方法以含有加入封端配位基的步驟為佳。封端配位基較佳為於前述冷卻步驟之前含於溶液h。

前述製造方法較佳為在前述之冷卻步驟之後，含有藉由離心、過濾等方法除去巨大粒子的步驟。藉由前述除去步驟所去除之巨大粒子的大小，較佳為10μm以上，更佳為1μm以上，再更佳為500nm以上。

此處，所謂高溫的溶劑z，只要為可溶解含有B成分及X成分的化合物與含有A成分、或A成分及X成分的化合物之溫度的溶劑即可，例如，較佳為60至600℃的溶劑，更佳為80至400℃的溶劑。

冷卻的溫度較佳為-20至50℃，更佳為-10至30℃。

冷卻速度較佳為0.1至1500℃/分鐘為佳，更佳為10至150℃/分鐘。

前述製造方法所使用之溶劑z，只要為可溶解含有B成分及X成分的化合物與含有A成分、或A成分及X成分的化合物之溶劑即可，並無特別限定，可舉例 如甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、丙酮、二甲酮、二異丁酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙醚、甲基-三級丁醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧環戊烷、4-甲基二氧環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、三級丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等醇；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等二醇醚；N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基之有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基之有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵烴基之有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基之有機溶劑；二甲亞碸、1-十八烯。

由所得之含有鈣鈦礦化合物之分散液取出鈣鈦礦化合物的方法，可舉例如，藉由進行固液分離僅回收鈣鈦礦化合物的方法。

前述之固液分離方法，可舉例如過濾等方法、或利用溶劑之蒸發的方法等。

[二矽氮烷之改質方法]

將二矽氮烷進行改質之方法，可舉例如：藉由準分子燈等照射真空紫外線以進行改質的方法、或以水等進行加濕處理的方法等周知之改質方法。其中，藉由加濕處理的改質處理，由可形成更強固之保護層的觀點為較佳。

照射紫外線之方法所使用之紫外線的波長，通常為10至400nm、較佳為10至350nm，更佳為100至180nm。產生紫外線的光源，可舉例如金屬鹵素燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、氙弧燈、碳弧燈、準分子燈、UV雷射光等。

加濕處理的方法，只要可使水蒸氣、與矽氮烷進行反應的方法即可。

當對印墨組成物中之矽氮烷以加濕處理進行改質時，例如可於後述之溫度及濕度條件下以一定時間將組成物靜置、或攪拌。

由提高印墨組成物所含之矽氮烷之分散性的觀點而言，以進行攪拌為佳。

加濕處理時之溫度，只要可使改質充分進行的溫度即可，例如，較佳為5至150℃為佳，更佳為10至100℃，再更佳為15至80℃。

加濕處理之溫度，只要可對印墨組成物中之矽氮烷供給充分的水分之濕度即可，例如30%至100%、較佳為40%至95%，更佳為60%至90%。

本說明書之「濕度」，係指進行加濕處理之溫度下的相對濕度。

加濕處理所需要的時間，只要可使改質充分進行的時間即可，例如10分鐘以上一週以下、較佳為1小時以上5天以下，更佳為12小時以上3天以下。

本實施形態中，藉由適當調整所使用之(2)、(3)的組成式、以及使用量，可使前述Z為既定之值(0.37以下)。

<組成物之製造方法>

以下，關於本發明之組成物的製造方法，呈示實施形態加以說明。依據本發明之組成物的製造方法，可製造本發明之實施形態的組成物。又，本發明之組成物，並不限定於藉由以下之實施形態之組成物的製造方法所製造者。

含有(1)及(2)之組成物的製造方法，較佳為含有混合(1)及(2)之步驟的製造方法。

又，含有(1)、(2)及(3)之組成物的製造方法，較佳為含有下述步驟的製造方法：含有混合(1)及(2)之步驟、與混合(1)及(2)之混合物與(3)之步驟。

上述之製造方法所含之混合步驟，由提高分散性的觀點以進行攪拌為佳。

上述之製造方法所含之混合步驟中，溫度並無特別限制，但由均勻混合的觀點而言，較佳為0℃以上100℃以下的範圍，更佳為10℃以上80℃以下的範圍。

組成物進一步包含(1)-2封端配位基之組成物的製造方法，除了於上述之製造方法所含之任一步驟中 混合(1)-2以外，可為與含有(1)及(2)之組成物、或含有(1)、(2)及(3)之組成物之製造方法相同的方法。

本實施形態中，由提高(1)之分散性的觀點而言，(1)-2較佳為，於上述之(1)成分之以A、B、及X作為構成成分之鈣鈦礦化合物的製造方法中所含之任一步驟中混合。例如，較佳為藉由下述製造方法(a1)或製造方法(a2)進行製造。

製造方法(a1)：係包含下述步驟的製造方法，使含有B成分及X成分之化合物、含有A成分或A成分及X成分之化合物、(2)、與(1)-2溶解於溶劑x而得到溶液g的步驟；與混合對鈣鈦礦化合物之溶劑的溶解度低於在得到溶液g之步驟所使用之溶劑x的溶劑y的步驟。

製造方法(a2)：係包含有下述步驟的製造方法，將含有B成分及X成分之化合物、含有A成分或A成分及X成分之化合物、(2)、與(1)-2，與高溫之溶劑z混合，得到z中溶解有(1)、(2)及(1)-2之溶液h的步驟；對所得之溶液h進行冷卻的步驟。

於組成物中進一步含有(1)-3表面被覆材之組成物的製造方法，除了於上述之製造方法所含之任一步驟中混合(1)-3以外，可為與含有(1)及(2)之組成物、或含有(1)、(2)及(3)之組成物之製造方法相同的方法。

<薄膜>

本實施形態之印墨組成物可作為印墨使用。具體而言，可使用本實施形態之印墨組成物製得薄膜。

例如，可使用凹版塗佈器、浸漬塗佈器、逆輥塗佈器、線棒塗佈器、模口塗佈器、噴墨法等周知之方法，將本實施形態之印墨組成物塗佈於基板，藉由硬化處理而形成薄膜。塗佈量以濕膜厚計宜為0.1至500μm、較佳為0.5至300μm。又，以乾膜厚計平均膜厚為0.1至200μm、較佳為20至150μm。

本發明之薄膜，係塗佈含有前述(1)及(2)之印墨組成物後硬化所得之樹脂組成物膜。

例如，本實施形態之印墨組成物，係以印墨組成物之總質量為100質量%，前述(3)之含有比率為30質量%以下、前述(1)、(2)及(3)之合計含有比率為70質量%以下之印墨組成物所構成的薄膜。

本發明之一面向係以印墨組成物之總質量為100質量%，前述(3)之含有比率為25質量%以下、前述(1)、(2)及(3)之合計含有比率為70質量%以下之印墨組成物所構成的薄膜。

薄膜的形狀並無特別限定，可為片狀、條狀等任意的形狀。本說明書中，所謂「條狀的形狀」，係指例如具有各向異性的形狀。具有各向異性的形狀，可例示如各邊長度不同之板狀的形狀。

薄膜的厚度可為0.01μm至1000mm、可為0.1μm至10mm、亦可為1μm至1mm。

本說明書中，前述薄膜的厚度可藉測微器測定任意3點，藉由計算出其平均值而得。

薄膜可為單層、亦可為複數層。當為複數層時，各層可使用同一種類之實施形態的組成物、亦可使用互相不同種類之實施形態的組成物。

薄膜例如可藉由後述之積層構造體之製造方法(i)至(iii)，而得到形成於基板上的薄膜。又，薄膜可由基板剝下而得。

<積層構造體>

本發明之積層構造體具有複數的層，而至少一層為上述的薄膜。

積層構造體所具有之複數層之中，上述薄膜以外的層可舉例如基板、障壁層、光散射層等任意之層。

積層之薄膜形狀並無特別限定，可為片狀、條狀等任意的形狀。

(基板)

本發明之積層構造體可具有之層，並無特別限制，可舉例如基板。

基板並無特別限制，可為薄膜，惟由提取所發出之光的觀點而言，以透明者為佳。基板例如可使用聚對酞酸乙二酯等聚合物、玻璃等周知之基材。

例如，於積層構造體中，可於基板上設置上述薄膜。

第1圖係示意性地顯示本實施形態之積層構造體之構成的截面圖。第1積層構造體1a係於第1基板 20及第2基板21之間，設置有本實施形態之薄膜10。薄膜10係以密封層22密封。

本發明之一面向係一種第1積層構造體1a，其係具有第1基板20、第2基板21、位於第1基板20及第2基板21間之本實施形態之薄膜10、與密封層22的積層構造體，其特徵係，前述密封層，係配置於前述薄膜10之不與前述第1基板20、及第2基板21相接的面上。

(障壁層)

本發明之積層構造體可具有的層，並無特別限制，可舉例如障壁層。由保護前述之組成物以隔離外部空氣之水蒸氣、及大氣中之空氣的觀點而言，可含有障壁層。

障壁層並無特別限制，惟由提取所發出之光的觀點而言，以透明之障壁層為佳。障壁層例如可使用聚對酞酸乙二酯等聚合物、或玻璃膜等周知之障壁層。

(光散射層)

本發明之積層構造體可具有的層，並無特別限制，可舉例如光散射層。由有效利用所入射之光的觀點而言，亦可含有光散射層。

光散射層並無特別限制，由提取所發出之光的觀點而言，以透明者為佳。光散射層可使用氧化矽粒子等光散射粒子、或放大擴散膜等周知之光散射層。

<發光裝置>

本發明之發光裝置係可藉由組合本發明之實施形態之薄膜或積層構造體、與光源而得。發光裝置係藉由將光源所發出之光，照射設置於後段之薄膜或積層構造體，以使組成物或積層構造體發光，而提取光的裝置。前述發光裝置中積層構造體所具有之複數層之中，上述薄膜、基板、障壁層、光散射層以外的層，可舉例如光反射構件、增亮膜、稜鏡片、導光板、必要元件間之介質材料層等任意之層。

本發明之一面向係依序積層稜鏡片50、導光板60、前述第1第1積層構造體1a、與光源30的發光裝置2。

(光源)

構成本發明之發光裝置的光源並無特別限制，由使前述之薄膜、或積層構造體中之含鈣鈦礦化合物之半導體奈米粒子發光的觀點而言，以具有600nm以下之發光波長的光源為佳。光源例如可使用藍色發光二極體等發光二極體(LED)、雷射、EL等周知之光源。

(光反射構件)

構成本發明之發光裝置之積層構造體可具有的層，並無特別限制，可舉例如光反射構件。由使光源的光朝向前述之組成物、或積層構造體照射的觀點而言，可含有光反射構件。光反射構件並無特別限制，可為反射膜。

反射膜例如可使用反射鏡、反射粒子之薄膜、反射金屬膜或反射體等周知之反射膜。

(增亮部)

構成本發明之發光裝置之積層構造體可具有的層，並無特別限制，可舉例如增亮部。由使光的一部分朝向光傳送的方向反射而回射的觀點而言，可含有增亮部。

(稜鏡片)

構成本發明之發光裝置之積層構造體可具有的層，並無特別限制，可舉例如稜鏡片。稜鏡片具代表性者係具有基材部與稜鏡部。又，基材部亦可視相鄰之構件而省略。稜鏡片，可透過任意之適當的接著層(例如，接著劑層、黏著劑層)貼合於相鄰之構件。稜鏡片係於觀視側之相反側(背面側)並排有成為凸部的複數個單元稜鏡所構成。藉由使稜鏡片之凸部朝背面側配置，透過稜鏡片的光容易聚光。又，若使稜鏡片之凸部朝背面側配置，相較於使凸部朝觀視側配置的情形，不入射於稜鏡片而反射的光較少，可得到亮度高的顯示器。

(導光板)

構成本發明之發光裝置之積層構造體可具有的層，並無特別限制，可舉例如導光板。導光板例如可使用以可使來自橫向的光朝厚度方向偏轉之方式於背面側形成有稜鏡 圖型(lens pattern)的導光板、於背面側及/或觀視側形成有稜鏡形狀等的導光板等任意之適當的導光板。

(必要元件間之介質材料層)

構成本發明之發光裝置之積層構造體可具有的層，並無特別限制，可舉例如於相鄰必要元件(層)間的光徑上由1個以上的介質材料所構成的層(必要元件間之介質材料層)。

必要元件間之介質材料層所含之1個以上的介質，並無特別限制，可包含真空、空氣、氣體、光學材料、接著劑、光學接著劑、玻璃、聚合物、固體、液體、凝膠、硬化材料、光學耦合材料、折射率匹配或折射率不匹配材料、折射率梯度材料、塗覆材料及防覆材料、間隔物、氧化矽凝膠、增亮材料、散射或擴散材料、反射或抗反射材料、波長選擇性材料、波長選擇性抗反射材料、濾色器、或前述技術領域中已知之較佳介質。

本發明之發光裝置之具體例，可舉例如具備EL顯示器或液晶顯示器用之波長轉換材料者。

具體而言，可舉例如：(E1)將本發明之組成物置入玻璃管等之中並密封，將其以沿著導光板之端面(側面)的方式，配置於光源之藍色發光二極體與導光板之間，以使藍色光轉換成綠色光或紅色光的背光(邊緣式背光)；(E2)將本發明之組成物薄片化，將其以兩片障壁膜夾 持而密封成之薄膜設置於導光板上，使由設置於導光板之端面(側面)之藍色發光二極體通過導光板而照射於前述薄片的藍色光，轉換成綠色光或紅色光的背光(表面黏著式背光)；(E3)使本發明之組成物分散於樹脂等並設置於藍色發光二極體的發光部附近，使所照射之藍色光轉換成綠色光或紅色光的背光(晶載式背光)；以及(E4)使本發明之組成物分散於光阻中並設置於濾色器上，使自光源所照射之藍色光轉換成綠色光或紅色光的背光。

又，本發明之發光裝置之具體例，可舉例如，使本發明之實施形態之組成物成形，配置於光源之藍色發光二極體的後段，將藍色光轉換成綠色光或紅色光而發出白色光的照明。

<顯示器>

如第2圖所示，本實施形態之顯示器3由觀視側起依序具備有液晶面板40、與前述發光裝置2。發光裝置2具備有第2積層構造體1b與光源30。第2積層構造體1b除了前述第1積層構造體1a之外，進一步具備有稜鏡片50、與導光板60。顯示器可進一步具備任意之適當的其他構件。

本發明之一面向係依序積層有液晶面板40、稜鏡片50、導光板60、前述第1積層構造體1a、與光源30的液 晶顯示器。

(液晶面板)

上述液晶面板中，具代表性者係具備液晶單元、配置於前述液晶單元之觀視側之觀視側偏光板、與配置於前述液晶單元之背面側之背面側偏光板。觀視側偏光板及背面側偏光板，各個吸收軸可實質地配置成垂直或平行。

(液晶單元)

液晶單元具有一對基板、夾持於前述基板間之作為顯示介質的液晶層。於一般的構成中，係於一側的基板設置濾色器及黑矩陣，於另一基板設置控制液晶之光電特性的切換元件、對該切換元件提供閘信號之掃描線及提供源信號的信號線、與像素電極及對向電極。上述基板的間隔(單元間隙)可藉由間隔物等來控制。於與上述基板之液晶層接觸之側，例如可設置聚醯亞胺所構成之配向膜等。

(偏光板)

偏光板具代表性者具有偏光片、配置於偏光片兩側的保護層。偏光片之具代表性者為吸收型偏光片。

上述偏光片係可使用任意之適當的偏光片。可舉例如，於聚乙烯醇系膜、部分甲醛化聚乙烯醇系膜、乙烯．乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜，使碘或雙色性染料等雙色性物質吸附並單軸拉伸者、聚乙烯醇之脫水 處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系配向膜等。該等之中，於聚乙烯醇系膜使碘或雙色性染料等雙色性物質吸附並單軸拉伸的偏光片，偏光雙色比高，故為特佳。

本發明之印墨組成物之用途，可舉例如發光二極體(LED)用之波長轉換材料。

<LED>

本發明之印墨組成物，例如可作為LED之發光層的材料使用。

含有本發明之印墨組成物之LED，可舉例如下述發光方式：將本發明之印墨組成物與ZnS等導電性粒子混合而積層為膜狀，於一面積層n型傳送層，於另一面積層p型傳送層的構造，藉由流通電流，使p型半導體之電洞、與n型半導體之電子，於接合面之組成物所含之(1)及(2)之粒子中使電荷抵消，藉此而發光的方式。

<太陽能電池>

本發明之組成物，可利用作為太陽能電池之活性層所含之電子傳送性材料。

前述太陽能電池之構成並無特別限定，可舉例如依序具有氟摻雜之氧化錫(FTO)基板、氧化鈦緻密層、多孔質氧化鋁層、含有本發明組成物之活性層、2,2’,7,7’-四(N,N-二-對甲氧基苯基胺)-9,9'-螺二茀(Spiro-MeOTAD)等電洞傳送層、及銀(Ag)電極的太陽能電池。

氧化鈦緻密層具有電子傳送的功能、抑制FTO之粗糙 度的效果、以及抑制反向電子傳送的功能。

多孔質氧化鋁層具有提升光吸取效率的功能。

活性層所含之本發明之組成物具有電荷分離及電子傳送的功能。

<積層構造體之製造方法>

積層構造體之製造方法，(i)當印墨組成物含有(3)時，可為包含下述步驟之方法：將本發明之印墨組成物塗佈於基板上之步驟、除去溶劑之步驟，以及使硬化性樹脂組成物硬化之步驟，(ii)當印墨組成物不含(3)時，可為包含下述步驟之方法：將本發明之印墨組成物塗佈於基板上之步驟，以及使硬化性樹脂組成物硬化之步驟，(iii)可為將本發明之印墨組成物所構成之薄膜，貼合於基板之步驟。

(i)、(ii)之製造方法所含之塗佈於基板上的步驟，並無特別限制，可使用凹版塗佈法、棒塗佈法、印刷法、噴霧法、旋塗法、浸漬法、模口塗佈法等周知之塗佈方法。

(iii)之製造方法所含之貼合於基板的步驟，可使用任意之接著劑。

接著劑只要為不會溶解(1)及(2)之化合物者即可，並無特別限制，可使用周知之接著劑。

積層體之製造方法，亦可含有於(i)至(iii) 所得之積層構造體進一步貼合任意薄膜的步驟。

所貼合之任意薄膜，可舉例如反射膜、擴散膜。

貼合薄膜的步驟中，可使用任意的接著劑。

上述之接著劑，只要為不會溶解(1)及(2)之化合物者即可，並無特別限制，可使用周知之接著劑。

<發光裝置之製造方法>

可舉例如包含下述步驟之製造方法：於前述之光源，與從光源起至後段的光徑上設置前述組成物、或積層構造體的步驟。

又，本發明之技術範圍並不限定於上述之實施形態，只要不脫離本發明主旨的範圍內，可施加各種變更。

[實施例]

以下，根據實施例及比較例以更具體地說明本發明，但本發明並不限定於以下的實施例。

<發光強度之測定>>

本發明之印墨組成物之發光強度，係使用絕對PL量子產率測定裝置(濱松光子學股份有限公司製，C9920-02)，以激發光450nm、室溫、大氣下進行測定。激發光之強度為5×10⁷。

<<硬化性試驗>>

本實施形態之印墨組成物的耐溶劑性，可藉由以下之硬化性試驗來進行評價。

於1英吋×1英吋、厚度0.7mm之玻璃基板，進行UV臭氧處理15分鐘。將實施例1至6、比較例4之印墨組成物滴鍍在玻璃基板。

接著，於滴鍍後之玻璃基板的兩側配置積層有四片26mm×76mm、厚度1mm之載玻片所成的構造物。

接著，以構造物為基部，於構造物上以橋接配置50mm×20mm×厚度0.35mm的鋁板。此時，係以使滴鍍之面的一半被鋁板遮蔽、剩餘另一半不被鋁板遮蔽之方式設置。藉此，照射紫外線於玻璃基板之半面側，另半面側則不照射到紫外線。

接著，使用紫外線照射裝置(USHIO LIGHTING公司製Spotcure SP-9)由上方照射紫外光。紫外光照射後，將每個玻璃基板浸漬於甲苯液(和光純藥)。浸漬後，取出玻璃基板使甲苯揮發。耐溶劑性的判斷，係以目視觀察甲苯液浸漬後之硬化物是否有保留，以此來判斷。

[實施例1]

混合碳酸銫0.814g、1-十八烯之溶劑40mL、與油酸2.5mL。以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在150℃下加熱1小時以調製成碳酸銫溶液。

將溴化鉛(PbBr₂)0.276g與1-十八烯之溶劑20mL混合。以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在120℃之溫度下 加熱1小時之後，添加油酸2mL、及油胺2mL以調整成溴化鉛分散液。

使溴化鉛分散液升溫至160℃的溫度後，添加上述之碳酸銫溶液1.6mL。添加後將反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，而得分散液。

接著，將分散液以10000rpm離心5分鐘，而得沉澱物之鈣鈦礦化合物。

以X射線繞射測定裝置(XRD，CuKα射線，X’pert PRO MPD，Spectris公司製)測定前述鈣鈦礦化合物之X射線繞射圖型的結果，於2θ=14°之位置具有來自(hkl)=(001)的波峰，確認具有三維之鈣鈦礦型結晶構造。

以TEM(日本電子股份有限公司製，JEM-2200FS)觀察20個鈣鈦礦化合物之菲烈直徑的結果，鈣鈦礦化合物之平均菲烈直徑(平均粒徑)為11nm。

使所得之鈣鈦礦化合物分散於甲苯5mL，得到含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

將含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液0.29mL，以10000rpm離心10分鐘，而得沉澱物。

於沉澱物添加甲基丙烯酸月桂酯(純正化學)2.64mL，攪拌而得甲基丙烯酸月桂酯分散液。接著，於甲基丙烯酸月桂酯分散液，加入三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TMPTM)0.32mL與光起始劑(Irgacure819 9.0mg、Irgacure651 18.3mg)，藉此得到印墨組成物。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.15。

將所得之印墨組成物以磁攪拌器攪拌15分鐘。

接著，測定發光強度。發光強度為4.5×10⁶。

再者，將前述印墨組成物滴鍍於玻璃基板上，對經塗佈之玻璃基板之一半面積照射紫外光。照射條件為照度10mW/cm²、照射時間90秒鐘。照射紫外光的部分硬化，而未照射紫外光的部分則以甲苯淋洗而去除。

[實施例2]

與實施例1同樣地製得含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

將含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液0.52mL，以10000rpm離心10分鐘，而得沉澱物。

於沉澱物添加甲基丙烯酸三級丁酯(東京化成)2.64mL，攪拌而得甲基丙烯酸三級丁酯分散液。接著，於甲基丙烯酸三級丁酯分散液中加入TMPTM 0.58mL與光起始劑(Irgacure819 16.3mg、Irgacure651 32.3mg)，藉此得到印墨組成物。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.26。

將所得之印墨組成物以磁攪拌器攪拌15分鐘。

接著，測定發光強度。發光強度為3.8×10⁶。

再者，將前述印墨組成物滴鍍於玻璃基板上，對經滴鍍之玻璃基板之一半面積照射紫外光。照射條件為照度10mW/cm²、照射時間90秒鐘。照射紫外光的部分硬化，而未照射紫外光的部分則以甲苯淋洗而去除。

[實施例3]

與實施例1同樣地製得含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

將含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液0.62mL，以10000rpm離心10分鐘，而得沉澱物。

於沉澱物添加甲基丙烯酸烯丙酯(東京化成)2.64mL，攪拌而得甲基丙烯酸烯丙酯分散液。接著，於甲基丙烯酸烯丙酯分散液中加入TMPTM 0.69mL與光起始劑(Irgacure819 19.1mg、Irgacure651 38.9mg)，藉此得到印墨組成物。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.29。

將所得之印墨組成物以磁攪拌器攪拌15分鐘。

接著，測定發光強度。發光強度為3.5×10⁶。

再者，將前述印墨組成物滴鍍於玻璃基板上，對玻璃基板之一半面積照射紫外光。照射條件為照度10mW/cm²、照射時間120秒鐘。照射紫外光的部分硬化，而未照射紫外光的部分則以甲苯淋洗而去除。

[實施例4]

與實施例1同樣地製得含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

將含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液0.71mL，以10000rpm離心10分鐘，而得沉澱物。

於沉澱物添加甲基丙烯酸乙烯酯(東京化成)2.64mL，攪拌而得甲基丙烯酸乙烯酯分散液。接著，於甲基丙烯酸乙烯酯分散液中加入TMPTM 0.71mL與光起始劑(Irgacure819 21.9mg、Irgacure651 44.0mg)，藉此得到印墨組成物。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.33。

將所得之印墨組成物以磁攪拌器攪拌15分鐘。

接著，測定發光強度。發光強度為3.3×10⁶。

再者，將前述印墨組成物滴鍍於玻璃基板上，對經滴鍍之玻璃基板之一半面積照射紫外光。照射條件為照度10mW/cm²、照射時間180秒鐘。照射紫外光的部分硬化，而未照射紫外光的部分則以甲苯淋洗而去除。

[實施例5]

混合碳酸銫0.814g、1-十八烯之溶劑40mL與油酸2.5mL。以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在150℃下加熱1小時以調製成碳酸銫溶液。

將溴化鉛(PbBr₂)0.276g與1-十八烯之溶劑20mL混合。以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在120℃之溫度下加熱1小時之後，添加油酸2mL及油胺2mL以調整成溴化鉛分散液。

使溴化鉛分散液升溫至160℃的溫度後，添加上述之碳酸銫溶液1.6mL。添加後將反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫而得到分散液。

接著，將分散液以10000rpm離心5分鐘，得到沉澱物之鈣鈦礦化合物。

以X射線繞射測定裝置(XRD，CuKα射線，X’pert PRO MPD，Spectris公司製)測定前述鈣鈦礦化合物之X射線繞射圖型的結果，於2θ=14°之位置具有來自(hkl)=(001)的波峰，確認具有三維之鈣鈦礦型結晶構造。

以TEM(日本電子股份有限公司製，JEM-2200FS)觀察20個鈣鈦礦化合物之菲烈直徑的結果，鈣鈦礦化合物之平均菲烈直徑(平均粒徑)為11nm。

使所得之鈣鈦礦化合物分散於甲苯5mL，得到含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

接著，於含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液3mL中混合有機聚矽氮烷(Durazane 1500 Slow Cure，默克先進科技材料股份有限公司製)600μL。

在25℃、80%之濕度條件下以磁攪拌器攪拌含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液，同時進行改質處理1天。

將經上述改質處理之分散液0.29mL，以10000rpm離心10分鐘，而得沉澱物。

於沉澱物添加甲基丙烯酸月桂酯(純正化學)2.64mL，攪拌而得甲基丙烯酸月桂酯分散液。接著，於甲基丙烯酸月桂酯分散液中加入TMPTM 0.32mL與光起始劑(Irgacure819 8.8mg、Irgacure651 17.7mg)，藉此得到印墨組成物。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.15。

將所得之印墨組成物以磁攪拌器攪拌15分鐘。

接著，測定發光強度。發光強度為4.5×10⁶。

再者，將前述混合分散液滴鍍於玻璃基板上，對經滴鍍之玻璃基板之一半面積照射紫外光。照射條件為照度10mW/cm²、照射時間90秒鐘。照射紫外光的部分硬化，而未照射紫外光的部分則以甲苯淋洗而去除。

[比較例1]

混合碳酸銫0.814g、1-十八烯之溶劑40mL與油酸2.5mL。以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在150℃下加熱1小時以調製成碳酸銫溶液。

將溴化鉛(PbBr₂)0.276g與1-十八烯之溶劑20mL混合。以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在120℃之溫度下加熱1小時之後，添加油酸2mL及油胺2mL以調整成溴化鉛分散液。

使溴化鉛分散液升溫至160℃的溫度後，添加上述之碳酸銫溶液1.6mL。添加後將反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫而得到分散液。

接著，將分散液以10000rpm離心5分鐘，而得沉澱物之鈣鈦礦化合物。

以X射線繞射測定裝置(XRD，CuKα射線，X’pert PRO MPD，Spectris公司製)測定前述鈣鈦礦化合物之X射線繞射圖型的結果，於2θ=14°之位置具有來自(hkl)=(001)的波峰，確認具有三維之鈣鈦礦型結晶構造。

以TEM(日本電子股份有限公司製，JEM-2200FS)觀察20個鈣鈦礦化合物之菲烈直徑的結果，鈣鈦礦化合物之平均菲烈直徑(平均粒徑)為11nm。

使所得之鈣鈦礦化合物分散於甲苯5mL，得到含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

將含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液0.80mL，以10000rpm離心10分鐘，而得沉澱物。

於沉澱物添加甲基丙烯酸甲酯(東京化成)2.64mL，攪拌而得甲基丙烯酸甲酯分散液。接著，於甲基丙烯酸甲酯分散液中加入TMPTM 0.88mL與光起始劑(Irgacure819 24.7mg、Irgacure651 49.4mg)，藉此得到印墨組成物。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.38。

將所得之印墨組成物以磁攪拌器攪拌15分鐘。

接著，測定發光強度。發光強度為2.5×10⁵。

[比較例2]

與比較例1同樣地製得含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

將含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液0.45mL，以10000rpm離心10分鐘，而得沉澱物。

於沉澱物添加二甲基丙烯酸乙二醇酯(東京化成)2.64mL，攪拌而得二甲基丙烯酸乙二醇酯分散液。接著，於二甲基丙烯酸乙二醇酯分散液中加入TMPTM 0.50mL與光起始劑(Irgacure819 13.9mg、Irgacure651 27.7mg)，藉此 得到印墨組成物。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.39。

將所得之印墨組成物以磁攪拌器攪拌15分鐘。

接著，測定發光強度。發光強度為1.0×10⁵。

[比較例3]

與比較例1同樣地製得含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

將含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液0.61mL，以10000rpm離心10分鐘，而得沉澱物。

於沉澱物中添加KarenzMOI(化學名：甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯)(昭和電工)2.64mL，攪拌而得KarenzMOI分散液。接著，於KarenzMOI分散液中加入TMPTM 0.63mL與光起始劑(Irgacure819 18.7mg、Irgacure651 37.0mg)，藉此得到印墨組成物。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.56。

將所得之印墨組成物以磁攪拌器攪拌15分鐘。

接著，測定發光強度。發光強度為7.4×10⁵。

[比較例4]

混合碳酸銫0.814g、1-十八烯之溶劑40mL與油酸2.5mL。以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在150℃下加熱1小時以調製成碳酸銫溶液。

將溴化鉛(PbBr₂)0.276g與1-十八烯之溶劑20mL混合。 以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在120℃之溫度下加熱1小時之後，添加油酸2mL及油胺2mL以調整成溴化鉛分散液。

使溴化鉛分散液升溫至160℃的溫度後，添加上述之碳酸銫溶液1.6mL。添加後將反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，而得分散液。

接著，將分散液以10000rpm離心5分鐘，而得沉澱物之鈣鈦礦化合物。

以X射線繞射測定裝置(XRD，CuKα射線，X’pert PRO MPD，Spectris公司製)測定前述鈣鈦礦化合物之X射線繞射圖型的結果，於2θ=14°之位置具有來自(hkl)=(001)的波峰，確認具有三維之鈣鈦礦型結晶構造。

以TEM(日本電子股份有限公司製，JEM-2200FS)觀察20個鈣鈦礦化合物之菲烈直徑的結果，鈣鈦礦化合物之平均菲烈直徑(平均粒徑)為11nm。

使所得之鈣鈦礦化合物分散於甲苯5mL，得到含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

分離取出上述之分散液500μL，藉由再分散於甲苯4.5mL，而得到含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

接著，將甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX．Methacryl樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/mL)，以相對於甲基丙烯酸樹脂與甲苯之總質量為16.5質量%的方式，混合甲基丙烯酸樹脂與甲苯之後，在 60℃下加熱3小時，而得到溶解有聚合物的溶液。

混合上述之含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液0.1mL、與上述之溶解有聚合物的溶液5.83mL(甲苯5.10mL、PMMA0.73mL)，而得PMMA-甲苯分散液(印墨組成物)。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.05。

將前述混合分散液滴鍍於玻璃基板上，對經滴鍍之玻璃基板之一半面積照射紫外光。照射條件為照度10mW/cm²、照射時間300秒鐘。照射紫外光的部分未硬化，照射紫外光的部分與未照射紫外光的部分兩者皆可以甲苯淋洗除去。

[實施例6]

混合碳酸銫0.814g、1-十八烯之溶劑40mL與油酸2.5mL。以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在150℃下加熱1小時以調製成碳酸銫溶液。

將溴化鉛(PbBr₂)0.276g與1-十八烯之溶劑20mL混合。以磁攪拌器進行攪拌，於流通氮之同時在120℃之溫度下加熱1小時之後，添加油酸2mL及油胺2mL以調整成溴化鉛分散液。

使溴化鉛分散液升溫至160℃的溫度後，添加上述之碳酸銫溶液1.6mL。添加後將反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，而得分散液。

接著，將分散液以10000rpm離心5分鐘，得到沉澱物之鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液。

將含有鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液0.29mL，以10000rpm離心10分鐘，藉由分離沉澱物而得沉澱物。

於沉澱物添加甲基丙烯酸月桂酯(純正化學)2.10mL，攪拌而得甲基丙烯酸月桂酯分散液。接著，於甲基丙烯酸月桂酯分散液中加入TMPTM 0.25mL與光起始劑(Irgacure819 7.0mg、Irgacure651 14.1mg)，再加入甲苯0.61mL，得到溶劑之甲苯的含有比率為20質量%的印墨組成物。

印墨組成物中，前述式(a)中之Z值為0.19。

將所得之印墨組成物以磁攪拌器攪拌15分鐘。

接著，測定發光強度。發光強度為4.4×10⁶。

再者，將前述印墨組成物滴鍍於玻璃基板上，對玻璃基板之一半面積照射紫外光。照射條件為照度10mW/cm²、照射時間90秒鐘。照射紫外光的部分硬化，而未照射紫外光的部分則以甲苯淋洗而去除。

[產業上之可利用性]

藉由本發明，可提供發光特性高、具有良好之耐溶劑性的印墨組成物、前述組成物所構成之薄膜以及使用前述組成物的顯示器。

藉此，本發明之印墨組成物、前述組成物所構成之膜、以及使用前述組成物的顯示器可適用於發光用途。

本發明中之圖式僅為例示，無法代表本發明。

Claims (7)

1. 一種印墨組成物，其包含下述(1)及(2)並可含有下述(3)，其中，下述式(a)中Z之值為0.15至0.37；(1)含鈣鈦礦化合物之半導體奈米粒子、(2)硬化性樹脂組成物、(3)溶劑，式(a)：Z=(O2+O3+N2+N3)/(C2+C3)O2、N2、C2：分別為前述(2)所含之O原子數、N原子數、C原子數；O3、N3、C3：分別為前述(3)所含之O原子數、N原子數、C原子數；其中，當印墨組成物不含有(3)時，O3、N3、C3分別為0。
2. 如申請專利範圍第1項所述之印墨組成物，其中，前述(2)包含選自由下述式(b-1)所表示之低分子化合物及含有下述式(b-2)所表示之重複單元的聚合物所構成群組中之至少一種，當前述(2)之總質量為100質量%時，前述低分子化合物及聚合物的合計含有比率為50質量%以上；

   

   式(b-1)及(b-2)中，A表示氫原子或甲基；m1表示0至20的整數，m2表示0至2的整數，m3表示0至20的整數，m4表示0至2的整數，m5表示0至20的整數，m1至m5之合計為20以下；Ra表示亞甲基；Rb表示下述式(b-31)至(b-38)之任一者所表示之2價基，當有複數個Rb時，Rb可互為相同或相異；

   

   Rc表示下述式(b-41)至(b-48)之任一者所表示之1價基，

   
3. 如申請專利範圍第2項所述之印墨組成物，其中，當前述聚合物所含之所有重複單元為100莫耳%時，含有前述式(b-2)所表示之重複單元的聚合物係含有50莫耳%以上之式(b-2)所表示之重複單元。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之印墨組成物，其中，前述(2)為光硬化性樹脂組成物。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之印墨組成物，其中，以印墨組成物的總質量為100質量%時，前述(3)之含有比率為25質量%以下，前述(1)、(2)及(3)之合計含有比率為70質量%以上。
6. 一種膜，其由申請專利範圍第4項所述之印墨組成物硬化所成者。
7. 一種顯示器，其具備申請專利範圍第6項所述之膜。

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