JP7453744B2 - 組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイ - Google Patents
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Description
[1] A、B、及びXを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物であって、単位格子体積が0.2000nm3以上、0.2150nm3以下であり、Bのイオン半径が0.7Å以上、1.4Å以下であり、Xのイオン半径が0.5Å以上、2.5Å以下であるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物。
(Aは、ペロブスカイト型結晶構造において、Bを中心とする6面体の各頂点に位置する成分であって、1価の陽イオンである。
Xは、ペロブスカイト型結晶構造において、Bを中心とする8面体の各頂点に位置する成分であって、ハロゲン化物イオンである。
Bは、ペロブスカイト型結晶構造において、Aを頂点に配置する6面体、及びXを頂点に配置する8面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。)
[2] 前記Aが、有機アンモニウムイオン及びアミジニウムイオンからなる群より選ばれる少なくとも1種の陽イオンである[1]に記載の化合物。
[3] 前記Bが、鉛イオン、スズイオン、アンチモンイオン及びビスマスイオンからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属イオンである[1]又は[2]に記載の化合物。
[4] 前記Xが、臭化物イオンである[1]~[3]のいずれか一項に記載の化合物。
[5] [1]~[4]のいずれか一項に記載の化合物と、下記(2-1)、下記(2-1)の改質体、下記(2-2)及び下記(2-2)の改質体からなる群より選ばれる少なくとも1つの化合物とを含む組成物。
(2-1)シラザン
(2-2)アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有するケイ素化合物
[6] [1]~[4]のいずれか一項に記載の化合物と、下記(3)、下記(4)及び下記(5)からなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含む組成物。
(3)溶媒
(4)重合性化合物
(5)重合体
[7] 更に、下記(3)、下記(4)及び下記(5)からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む[5]に記載の組成物。
(3)溶媒
(4)重合性化合物
(5)重合体
[8] [1]~[4]のいずれか一項に記載の化合物を含むフィルム。
[9] [5]~[7]のいずれか一項に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
[10] [8]又は[9]に記載のフィルムを含む積層構造体。
[11] [10]に記載の積層構造体を備える発光装置。
[12] [10]に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
本実施形態の化合物は単位格子体積が0.2000nm3以上、0.2150nm3以下であるA、B、及びXを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物(以下、「(1)ペロブスカイト化合物」、又は単に「(1)」ともいう。)である。
Aは、ペロブスカイト型結晶構造において、Bを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、1価の陽イオンである。
Bは、ペロブスカイト型結晶構造において、Aを頂点に配置する六面体、及びXを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、イオン半径が0.7Å以上、1.4Å以下の金属イオンである。BはXの八面体配位をとることができる金属カチオンであることが好ましい。
Xは、ペロブスカイト型結晶構造において、Bを中心とする八面体の各頂点に位置する成分であって、イオン半径が0.5Å以上、2.5Å以下のハロゲン化物イオンである。
3次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ABX(3+δ)で表される。
2次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、A2BX(4+δ)で表される。
ペロブスカイト化合物が3次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるBX6は、八面体(BX6)において頂点に位置する1つのXを、結晶中で隣り合う2つの八面体(BX6)で共有することで、3次元ネットワークを構成する。
単位格子体積(nm3)=(λ/(2・sinθ))3・・・式1
ペロブスカイト化合物を構成するAは、1価の陽イオンである。Aとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、及びアミジニウムイオンが挙げられ、有機アンモニウムイオン、及びアミジニウムイオンが好ましい。
Aの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記式(A3)で表される陽イオンが挙げられる。
Aで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記式(A4)で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
(R10R11N=CH-NR12R13)+・・・(A4)
R10~R13のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にR6~R9において例示したシクロアルキル基と同じ基が挙げられる。
2次元のペロブスカイト型結晶構造が複数積層すると3次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる(参考文献:P.PBoixら、J.Phys.Chem.Lett.2015,6,898-907など)。
Aのイオン半径が上記範囲内であると、(1)ペロブスカイト化合物の単位格子体積を所定の範囲に制御しやすくなる。
ペロブスカイト化合物を構成するBは、イオン半径が0.7Å以上、1.4Å以下の1価の金属イオン、2価の金属イオン、及び3価の金属イオンからなる群より選ばれる1種類以上の金属イオンであってよい。
Bは2価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛イオン(イオン半径:1.19Å)、スズイオン(イオン半径:0.93Å)、アンチモンイオン(イオン半径:0.76Å)、ビスマスイオン(イオン半径:1.03Å)、及びインジウムイオン(イオン半径:0.800Å)からなる群より選ばれる1種類以上の金属イオンを含むことがより好ましく、鉛イオン又はスズイオンがさらに好ましく、鉛イオンが特に好ましい。
Bのイオン半径が上記範囲内であると、(1)ペロブスカイト化合物の単位格子体積を所定の範囲に制御しやすくなり、ペロブスカイト化合物中の結晶構造における欠損が減少し、量子収率が向上する。
ペロブスカイト化合物を構成するXは、イオン半径が0.5Å以上、2.5Å以下のハロゲン化物イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン化物イオンである。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
ABX(3+δ)で表される3次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3PbI3、CH3NH3PbBr(3-y)Iy(0<y<3)、CH3NH3PbBr(3-y)Cly(0<y<3)、(H2N=CH-NH2)PbBr3、(H2N=CH-NH2)PbCl3、(H2N=CH-NH2)PbI3を挙げることができる。
2次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、(C4H9NH3)2PbBr4、(C4H9NH3)2PbCl4、(C4H9NH3)2PbI4、(C7H15NH3)2PbBr4、(C7H15NH3)2PbCl4、(C7H15NH3)2PbI4、(C4H9NH3)2Pb(1-a)LiaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)NaaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)RbaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)を挙げることができる。
(1)の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、1nm以上であることが好ましく、2nm以上であることがより好ましく、3nm以上であることがさらに好ましい。
例えば、(1)の平均粒径は、1nm以上10μm以下であることが好ましく、2nm以上1μm以下であることがより好ましく、3nm以上500nm以下であることがさらに好ましい。
本明細書において「最大フェレー径」とは、TEM又はSEM画像上において、(1)を挟む2本の平行な直線の最大距離を意味する。
本実施形態の組成物1は、上述の(1)ペロブスカイト化合物と、下記(2-1)、下記(2-1)の改質体、下記(2-2)及び下記(2-2)の改質体からなる群より選ばれる少なくとも1つの化合物とを含む。
(2-1)シラザン
(2-2)アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有するケイ素化合物
(3)溶媒
(4)重合性化合物
(5)重合体
本実施形態の組成物2は、上述の(1)ペロブスカイト化合物と、前記(3)、前記(4)及び前記(5)からなる群から選ばれる少なくとも一種と、を含む。
(6)表面修飾剤
本実施形態の組成物1は(1)ペロブスカイト化合物の(2)表面保護剤として、(2-1)シラザン、前記(2-1)の改質体、(2-2)アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有するケイ素化合物、及び前記(2-2)の改質体からからなる群より選ばれる少なくとも1つの化合物を含む。
(2-1)シラザンは、Si-N-Si結合を有する化合物である。シラザンは、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。
低分子シラザンとしては、例えば、下記式(B1)で表されるジシラザンであることが好ましい。
低分子シラザンとしては、例えば、下記式(B2)で表される低分子シラザンも好ましい。
複数あるR15は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
高分子シラザンとしては、例えば、下記式(B3)で表される高分子シラザン(ポリシラザン)が好ましい。
分子鎖末端のSi原子の結合手には、R15が結合している。
複数あるR15は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
高分子シラザンとしては、例えば、下記式(B4)で表される構造を有するポリシラザンも好ましい。
式(B4)の結合手は、式(B3)で表されるポリシラザンの結合手、又は式(B3)で表されるポリシラザンの構成単位の結合手と結合していてもよい。
本明細書において「改質」とは、Si-N結合、Si-SR結合(Rは水素原子又は有機基)又はSi-OR結合(Rは水素原子又は有機基)を有するケイ素化合物が加水分解し、Si-O-Si結合を有するケイ素化合物が生成することをいう。Si-O-Si結合は、分子間の縮合反応で生成してもよく、分子内の縮合反応で生成してもよい。
本実施形態の組成物1は、(2-2)アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有するケイ素化合物を含んでいてもよい。以下、(2-2)アミノ基、アルコキシ基及びアルキルチオ基からなる群より選ばれる少なくとも1つの基を有するケイ素化合物を総称して「(2-2)ケイ素化合物」と称することがある。
(2-2)ケイ素化合物の改質体は、上述の(2-2)ケイ素化合物を改質することにより得られる化合物をいう。「改質」に関しては、(2-1)シラザンの改質体における説明と同様である。
本実施形態の(1)ペロブスカイト化合物の表面は表面修飾剤層により覆われていてもよい。表面修飾剤層は、(1)ペロブスカイト化合物と(2)表面保護剤との間に位置していてもよい。
表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第1級~第4級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、及びカルボキシレート塩からなる群より選ばれる少なくとも一種のイオン又は化合物を形成材料とする。
以下、表面修飾剤層の形成材料を「(6)表面修飾剤」と称することがある。
(6)表面修飾剤であるアンモニウムイオン、及び第1級~第4級アンモニウムカチオンは、下記式(A1)で表される。(6)表面修飾剤であるアンモニウム塩は、下記式(A1)で表されるイオンを含む塩である。
R1~R4で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常1~20であり、5~20であることが好ましく、8~20であることがより好ましい。
表面修飾剤であるアミンとしては、下記式(A11)で表すことができる。
表面修飾剤であるカルボキシレートイオンは、下記式(A2)で表される。表面修飾剤であるカルボキシレート塩は、下記式(A2)で表されるイオンを含む塩である。
R5-CO2 -・・・(A2)
R5のシクロアルキル基の具体例としては、R6~R9において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の(1)ペロブスカイト化合物を分散させることができる媒体であれば特に限定されない。本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の(1)ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
本明細書において「溶媒」とは、1気圧、25℃において液体状態である物質のことをいう。ただし、溶媒には、後述する重合性化合物は含まない。
(a)エステル
(b)ケトン
(c)エーテル
(d)アルコール
(e)グリコールエーテル
(f)アミド基を有する有機溶媒
(g)ニトリル基を有する有機溶媒
(h)カーボネート基を有する有機溶媒
(i)ハロゲン化炭化水素
(j)炭化水素
(k)ジメチルスルホキシド
本実施形態の組成物が有する重合性化合物は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の(1)ペロブスカイト化合物を溶解し難いものが好ましい。
本実施形態の組成物に含まれる重合体は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の(1)ペロブスカイト化合物の溶解度が低い重合体が好ましい。
本実施形態の組成物1及び組成物2において、組成物の総質量に対する(1)ペロブスカイト化合物の含有割合は、特に限定されるものではない。
本実施形態の組成物1及び2において、分散媒に対する(1)ペロブスカイト化合物の質量比[(1)ペロブスカイト化合物/分散媒]は、0.00001~10であってもよく、0.0001~5であってもよく、0.0005~3であってもよい。
ペロブスカイト化合物のB成分である金属イオンのモル数(B)は、誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)によって、ペロブスカイト化合物に含まれるB成分である金属の質量を算出したのち、モルに換算することによって求める。また、(2)表面保護剤のSi元素のモル数(Si)は、用いた(2)表面保護剤の質量からモル換算することによって求める。
このときの、(2)表面保護剤のSi元素のモル数(Si)とペロブスカイト化合物のB成分である金属イオンのモル数(B)の比が、[Si/B]である。
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
(1)ペロブスカイト化合物の製造方法は、既知文献(Nano Lett. 2015, 15, 3692-3696、ACSNano,2015,9,4533-4542)を参考に、以下に述べる方法によって製造することができる。
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するB成分、X成分、及びA成分を高温の上述の(3)溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
本工程は、高温の(3)溶媒に各化合物を加えて溶解させ溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、(3)溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得ることとしてもよい。第1の製造方法においては、溶液は、(3)溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで得ることが好ましい。
冷却する温度としては、-20~50℃が好ましく、-10~30℃がより好ましい。
冷却速度としては、0.1~1500℃/分が好ましく、10~150℃/分がより好ましい。
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するA成分、B成分を含む第1溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するX成分を含む第2溶液を得る工程と、第1溶液と第2溶液を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
本工程は、高温の(3)溶媒に各化合物を加えて溶解させ第1溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、(3)溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで第1溶液を得ることとしてもよい。第2の製造方法においては、第1溶液は、(3)溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで得ることが好ましい。
冷却する温度としては、-20~50℃が好ましく、-10~30℃がより好ましい。
冷却速度としては、0.1~1500℃/分が好ましく、10~150℃/分がより好ましい。
以下、得られる組成物の性状を理解しやすくするため、組成物1の製造方法1で得られる組成物を「組成物1-1」と称する。組成物1-1は液状の組成物である。
(1)ペロブスカイト化合物と、(2)表面保護剤と、(3)溶媒と、を含む組成物の製造方法としては、例えば、下記製造方法(a1)であってもよく、下記製造方法(a2)であってもよい。
改質処理の方法は、前記(2-1)シラザン及び前記(2-2)ケイ素化合物に対し紫外線を照射する方法、及び前記(2-1)シラザン及び前記(2-2)ケイ素化合物と水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法が挙げられる。以下の説明では、前記(2-1)シラザン及び前記(2-2)ケイ素化合物と水蒸気とを反応させる処理のことを、「加湿処理」と称することがある。
(1)ペロブスカイト化合物、(2)表面保護剤、及び(4)重合性化合物を含む組成物の製造方法は、例えば、下記製造方法(c1)~(c3)が挙げられる。
均一に分散しやすいため、(1)ペロブスカイト化合物、(2)表面保護剤の少なくとも一つを(4)重合性化合物に滴下することが好ましい。
均一に分散しやすいため、(1)ペロブスカイト化合物、(2)表面保護剤の少なくとも一つを分散体に滴下することが好ましい。
(5)重合体が溶解している溶媒としては、例えば、上述の(3)溶媒が挙げられる。
本実施形態の組成物の製造方法としては、(1)ペロブスカイト化合物と、(2)表面保護剤と、(4)重合性化合物と、を混合する工程と、(4)重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法を挙げることができる。
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記(d3)~(d6)の製造方法も採用することができる。
本実施形態の組成物2は、(2)表面保護剤の添加、改質処理を行わない以外は、上述の組成物1の製造方法1~3と同様に製造することができる。
本明細書において、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」とは、有機基とケイ素元素を含み、前記有機基の全てが改質処理(加水分解)により脱離する有機基である化合物の改質体及び有機基を有さないケイ素元素を含む化合物の改質体を意味する。
本実施形態の組成物に含まれる(1)ペロブスカイト化合物は乾燥質量法によって固形分濃度(質量%)を算出することができる。乾燥質量法の詳細については、実施例において説明する。
本発明の(1)ペロブスカイト化合物の量子収率は、絶対PL量子収率測定装置(例えば、浜松ホトニクス株式会社製、C9920-02)を用いて、励起光450nm、室温、大気下で測定する。発光波長は最も発光強度の高い値の波長を用いる。
本発明に係るフィルムは、前記本実施形態の(1)ペロブスカイト化合物を含む。
本実施形態に係るフィルムは、上述の組成物を形成材料とする。例えば、本実施形態に係るフィルムは、(1)ペロブスカイト化合物及び(5)重合体を含み、(1)ペロブスカイト化合物及び(5)重合体の合計がフィルム全体の90質量%以上である。
本明細書においてフィルムの厚みは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向のおもて面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の3点においてフィルムの厚みを測定し、3点の測定値の平均値を、フィルムの厚みとする。
本実施形態に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。
基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよい。基板は、光透過性を有するものが好ましい。光透過性を有する基板を有する積層構造体では、(1)ペロブスカイト化合物が発した光を取り出しやすいため好ましい。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護する観点から、バリア層を含んでいてもよい。
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。
本発明に係る発光装置は、本発明の実施形態の化合物、組成物又は前記積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、後段に設置した組成物又は積層構造体に照射することで、組成物又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。前記発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。
本発明の一つの側面は、プリズムシート50と、導光板60と、前記第一の積層構造体1aと、光源30と、がこの順に積層された発光装置2である。
本発明に係る発光装置を構成する光源は、特に制限は無いが、前述の化合物、前述の組成物、又は積層構造体中の(1)ペロブスカイト化合物を発光させるという観点から、600nm以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード(LED)、レーザー、ELなどの公知の光源を用いることができる。
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光源の光を前記の組成物、又は積層構造体に向かって照射する観点から、光反射部材を含んでいても良い。光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであっても良い。
反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいても良い。
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。プリズムシートは、任意の適切な接着層(例えば、接着剤層、粘着剤層)を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。プリズムシートは、視認側とは反対側(背面側)に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側及び/又は視認側にプリズム形状等が形成された導光板などの任意の適切な導光板が用いることができる。
本発明に係る発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素(層)間の光路上に1つ以上の媒体材料からなる層(要素間の媒体材料層)が挙げられる。
要素間の媒体材料層に含まれる1つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は前記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。
具体的には、
(E1)本発明の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面(側面)に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト(オンエッジ方式のバックライト)、
(E2)本発明の組成物をシート化し、これを2枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面(側面)に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト(表面実装方式のバックライト)、
(E3)本発明の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト(オンチップ方式のバックライト)、及び
(E4)本発明の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト
が挙げられる。
図2に示すように、本実施形態のディスプレイ3は、液晶パネル40と、前述の発光装置2とを視認側からこの順に備える。発光装置2は、第2の積層構造体1bと光源30とを備える。第2の積層構造体1bは、前述の第1の積層構造体1aが、プリズムシート50と、導光板60と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
本発明の一つの側面は、液晶パネル40と、プリズムシート50と、導光板60と、前記第一の積層構造体1aと、光源30と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ3である。
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、前記液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、前記液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。
液晶セルは、一対の基板と、前記基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔(セルギャップ)は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。
<LED>
本実施形態の化合物又は組成物は、例えば、LEDの発光層の材料として用いることができる。
本実施形態の化合物又は組成物を含むLEDとしては、例えば、本実施形態の化合物又は組成物とZnSなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にn型輸送層を積層し、もう片面にp型輸送層を積層した構造をしており、電流を流すことで、p型半導体の正孔と、n型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる(1)ペロブスカイト化合物の粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。
本実施形態の化合物又は組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ(FTO)基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本実施形態の化合物又は組成物を含む活性層、2,2’,7,7’-tetrakis(N,N’-di-p-methoxyphenylamine)-9,9’-spirobifluorene(Spiro-MeOTAD)などのホール輸送層、及び、銀(Ag)電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、FTOのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。
活性層に含まれる、本実施形態の化合物又は組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。
フィルムの製造方法は、例えば、下記(e1)~(e3)の製造方法が挙げられる。
積層構造体の製造方法は、例えば、下記(f1)~(f3)の製造方法が挙げられる。
例えば、前述の光源と、光源から後段の光路上に前述の化合物、前述の組成物、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。
本実施形態の化合物又は組成物は、X線撮像装置及びCMOSイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部(イメージセンサー)、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部に使用する含まれる光電変換素子(光検出素子)材料として利用することができる。
実施例6で得られた組成物におけるペロブスカイト化合物の固形分濃度は、それぞれ、再分散させることで得られたペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液を105℃で3時間乾燥させた後に、残存した質量を測定して下記式2に当てはめて算出した。
固形分濃度(質量%)=乾燥後の質量÷乾燥前の質量×100・・・式2
実施例1~6、及び比較例1で得られた組成物の量子収率を、絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス株式会社製、C9920-02)を用いて、励起光450nm、室温、大気下で測定した。
本実施形態の化合物は、量子収率が50%以上であり、量子収率が高い方がよい。
発光波長は上述の方法で量子収率を測定した際の発光スペクトルの、最も発光強度の高い波長を用いた。発光波長は530nm以上540nm未満が好ましい。
実施例1~6、及び比較例1で得られた化合物の単位格子体積をX線構造回折(XRD、CuKα線、X’pert PRO MPD、スペクトリス社製)によって測定した。 実施例1~6、及び比較例1の化合物を含む分散液を無反射板上にキャストして、自然乾燥させた後、測定を行い、X線回折パターンよりブラッグの式で単位格子の面間隔を算出し、前記単位格子の面間隔を3乗し、下記式1により求めた。
単位格子体積(nm3)=(λ/(2・sinθ))3・・・式1
前記式1中、λは0.15418nmである。θは(1)ペロブスカイト化合物のd(100)に対応するピークの中で最も強度の強いピークに対応する2θの値を採用した。
((1)ペロブスカイト化合物の製造)
オレイルアミン25mL、及びエタノール200mLを混合した後、氷冷しながら攪拌し、臭化水素酸溶液(48%)を17.12mL添加した後、減圧乾燥して沈殿を得た。沈殿はジエチルエーテルを用いて洗浄した後、減圧乾燥して臭化オレイルアンモニウムを得た。
酢酸鉛・3水和物0.38gと、ホルムアミジン酢酸塩0.39g、1-オクタデセンの溶媒40mLと、オレイン酸10mLとを混合した。攪拌して、窒素を流しながら130℃まで0.5℃/minで昇温した後、上述の臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を13.35mL添加した。添加後溶液を室温まで降温し、(1)ペロブスカイト化合物を含む分散液1を得た。
XRD測定の結果から単位格子体積を算出すると、0.2150nm3であった。
ペロブスカイト化合物の製造工程における130℃までの昇温速度を2℃/minとした以外は、上記実施例1と同様の方法で分散液2を得た。
XRD測定の結果から単位格子体積を算出すると、0.2135nm3であった。
ペロブスカイト化合物の製造工程における130℃までの昇温速度を1℃/minとした後に、30分間温度を保持した以外は、上記実施例1と同様の方法で分散液3を得た。
XRD測定の結果から単位格子体積を算出すると、0.2128nm3であった。
ペロブスカイト化合物の製造工程における130℃までの昇温速度を1.3℃/minとした以外は、上記実施例1と同様の方法で分散液4を得た。
XRD測定の結果から単位格子体積を算出すると、0.2077nm3であった。
オレイルアミン25mL、及びエタノール200mLを混合した後、氷冷しながら攪拌しながら臭化水素酸溶液(48%)を17.12mL添加した後、減圧乾燥して沈殿を得た。沈殿はジエチルエーテルを用いて洗浄した後、減圧乾燥して臭化オレイルアンモニウムを得た。
酢酸鉛・3水和物1.52gと、ホルムアミジン酢酸塩1.56g、1-オクタデセンの溶媒160mLと、オレイン酸40mLとを混合した。攪拌して、130℃まで1℃/minで昇温した後、上述の臭化オレイルアンモニウムを含む溶液を53.4mL添加した。添加後溶液を室温まで降温し、(1)ペロブスカイト化合物を含む分散液5を得た。
XRD測定の結果から単位格子体積を算出すると、0.2063nm3であった。
上記実施例5と同様の方法で分散液6を得た。上述の方法で単位格子体積を算出すると、0.2063nm3であった。
200mLの上記分散液5に対してトルエン100mL、及びアセトニトリル50mLを混合した溶液をろ過で固液分離した。その後、ろ過上の固形分をトルエン100mL、及びアセトニトリル50mLの混合溶液を2回流して洗浄し、ろ過した。これにより、ペロブスカイト化合物を得た。
この際の改質処理条件として、水蒸気の流量は0.2L/min(N2ガスとともに供給、30℃の飽和水蒸気量)、加熱温度は80℃とした。
上述の方法で発光特性を評価すると、量子収率は97.4%であった。発光波長は535.9nmであった。
ペロブスカイト化合物の製造工程における昇温速度を4℃/minとした以外は、上記実施例1と同様の方法で分散液7を得た。
XRD測定の結果から単位格子体積を算出すると、0.2164nm3であった。
実施例1~6に記載の化合物、又は組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
実施例1~6に記載の化合物、又は組成物をシート化する事で樹脂組成物を得ることができ、これを2枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面(側面)に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
実施例1~6に記載の化合物、又は組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
実施例1~6に記載の化合物、又は組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるOLEDの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。
実施例1~6に記載の化合物、又は組成物をZnSなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にn型輸送層を積層し、もう片面をp型輸送層で積層することでLEDを得る。電流を流すことによりp型半導体の正孔と、n型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。
フッ素ドープされた酸化スズ(FTO)基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例1~6に記載の化合物、又は組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から2,2’,7,7’-tetrakis-(N,N’-di-p-methoxyphenylamine)-9,9’-spirobifluorene(Spiro-OMeTAD)などのホール輸送層を積層し、その上に銀(Ag)層を積層し、太陽電池を作製する。
実施例1~6に記載の化合物、又は組成物の、溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから組成物に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。
実施例1~6に記載の化合物、又は組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができる。得られた組成物を光電変換層の一部とすることで、光を検知する検出部に使用する含まれる光電変換素子(光検出素子)材料を製造する。光電変換素子材料は、X線撮像装置及びCMOSイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部(イメージセンサー)、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーに用いられる。
したがって、本発明のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物、前記化合物を含む組成物、前記組成物を形成材料とするフィルム、前記フィルムを含む積層構造体、及び前記前記積層構造体を備える発光装置及びディスプレイは、発光用途において好適に使用することができる。
Claims (6)
- A、B、及びXを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する化合物と、下記(2-1)、及び下記(2-1)の改質体からなる群より選ばれる少なくとも1つの化合物と、を含む組成物であって、
前記化合物の単位格子体積が0.2000nm3以上、0.2150nm3以下であり、
Bのイオン半径が0.7Å以上、1.4Å以下であり、
Xのイオン半径が0.5Å以上、2.5Å以下である、組成物。
(Aは、ペロブスカイト型結晶構造において、Bを中心とする6面体の各頂点に位置する成分であって、炭素原子数が1の有機アンモニウムイオン、又は(H 2 N=CH-NH 2 ) + で表されるアミジニウムイオンである。
Xは、ペロブスカイト型結晶構造において、Bを中心とする8面体の各頂点に位置する成分であって、臭化物イオンである。
Bは、ペロブスカイト型結晶構造において、Aを頂点に配置する6面体、及びXを頂点に配置する8面体の中心に位置する成分であって、鉛イオンである。)
(2-1)シラザン - 更に、下記(3)、下記(4)及び下記(5)からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む請求項1に記載の組成物。
(3)溶媒
(4)重合性化合物
(5)重合体 - 請求項1又は2に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
- 請求項3に記載のフィルムを含む積層構造体。
- 請求項4に記載の積層構造体を備える発光装置。
- 請求項4に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
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J. Phys. Chem. C,2015年,119,12047-12054 |
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