TWI714743B - 取得表示靜電電容之數據的方法 - Google Patents

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Abstract

在表示測量器與聚焦環之間的靜電電容的測量數據之取得中，抑制測量器電源的消費電力。
測量器之處理器會以預設的時間間隔來取得一個以上的第1數據組。各一個以上的第1數據組係包含表示測量器的一個以上的感應電極中對應的感應電極的靜電電容之複數數位值。處理器係回應於各一個以上的第1數據組所包含之複數數位值的平均值會成為第1閾值以上的情形，而取得複數第2數據組。各複數第2數據組係包含表示測量器的複數感應電極中對應的感應電極的靜電電容之複數數位值。處理器會將基於複數第2數據組的測量數據記憶於測量器之記憶裝置。接著，從腔室來將測量器搬出。

Description

取得表示靜電電容之數據的方法
本發明實施形態係關於一種取得藉由處理系統之搬送裝置來被搬送至腔室內之測量器與聚焦環之間的靜電電容之數據的方法。
在稱為半導體元件之電子元件的製造中，會使用具有用以處理被加工物(Workpiece)的程序模組之處理系統。程序模組一般而言，係具有腔室本體及載置台。又，處理系統係具備有搬送裝置。被加工物會藉由搬送裝置來被搬入至腔室本體所提供之腔室內，而被載置於載置台上。然後，被加工物會在腔室內被處理。
載置台上之被加工物的位置對滿足該被加工物之稱為處理面內均勻性的各種需求而言，是重要的要素。從而，搬送裝置係需要將被加工物搬送至載置台上適當的位置。在被加工物未被搬送至適當的位置之情況，就必須修正特定出搬送裝置之搬送位置的座標資訊。
為了修正座標資訊，便需要檢測出載置台上之被加工物的位置。以往，此般位置的檢測會使用測量靜電電容之測量器。關於使用此般測量器之位置的檢測係例如記載於下述專利文獻1。另外，專利文獻1所記載之測量器係將所測量之靜電電容無線傳送至腔室外部所設置之控制部。
又，專利文獻2記載有一種無線感應器，係配置於程序模組之腔室內，而將程序中所測量之數據無線傳送至腔室外部所設置之接收器。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特許第4956328號說明書
專利文獻2：日本特許第4251814號說明書
另外，由於腔室本體一般而言為金屬製，故腔室內所配置之測量器與腔室外部所配置之機器並無法進行無線通訊。從而，測量器便需要在腔室內期間，自律性地取得測量數據，並記憶該測量數據。為了進行此般測量器之自律性動作，該測量器便需要具備有稱為電池的電源。需要抑制此電源之消耗電力。
一態樣中提供一種方法，係取得表示靜電電容的數據之方法。此方法中，係取得藉由處理系統之搬送裝置來被搬送至腔室內的測量器與聚焦環之間的靜電電容。處理系統係具備有程序模組、該搬送裝置以及控制部。程序模組係具備有腔室本體以及載置台。腔室本體會提供腔室。載置台會設置於該腔室內，且於其上載置有測量器。控制部會控制搬送裝置。
測量器係具備有基底基板、複數感應部以及電路基板。基底基板係具有圓盤形狀。複數感應部，係沿著基底基板邊緣來配列。電路基板係搭載於基底基板上。各複數感應部係具有沿著基底基板邊緣延伸之前面。電路基板係具有高頻震盪器、複數C/V轉換電路、A/D轉換器、處理器、記憶裝置、通訊裝置以及電源。高頻震盪器係構成為產生高頻訊號，且會電性連接於各複數感應部之感應電極。複數C/V轉換電路係構成為將複數感應部中對應之感應部的感應電極之電壓振幅轉換為表示靜電電容之電壓訊號。A/D轉換器係構成為將從各複數C/V轉換電路所輸出之電壓訊號轉換為數位值。處理器係連接於A/D轉換器。記憶裝置係連接於處理器。通訊裝置係構成為無線傳送記憶裝置所記憶的數據。電源係構成為將電力供給至處理器、高頻震盪器以及通訊裝置。
一態樣相關之方法係包含有：(i)處理器會以預設的時間間隔來取得一個以上的第1數據組，各該一個以上的第1數據組係包含藉由以第1取樣週期來取得表示複數感應部所包含之一個以上的感應部中對應的感應部之靜電電容的數位值，而取得的複數數位值之工序；(ii)藉由搬送裝置將測定器搬送至載置台上以聚焦環所包圍的區域之工序；(iii)回應於各一個以上的第1數據組所包含之複數數位值中一個以上或各一個以上的第1數據組所包含 之複數數位值的平均值會成為第1閾值以上之情形，而處理器會在測量期間中取得複數第2數據組，各該複數第2數據組係包含藉由以測量期間內之第2取樣週期來取得表示複數感應部中對應的感應部之靜電電容的數位值，而取得的複數數位值之工序；(iv)處理器會將測量數據記憶於記憶裝置，該測量數據係包含藉由求出複數第2數據組或各複數第2數據組所包含之複數數位值的平均值來得到的複數平均值之工序；以及(v)藉由搬送裝置來從腔室搬出測量器之工序。
一態樣相關之方法中，係使用具備有沿著圓盤狀基底基板邊緣來配列的複數感應電極的測量器，而取得反映出聚焦環內緣與測量器邊緣之間的間隔在周圍方向之分布的測量數據。又，表示各複數感應電極之靜電電容的數位值會在聚焦環所包圍之區域具有測量器時變大。在此方法並非一直取得測量數據，而是在較測量期間要前的期間中，以預設之時間間隔來取得一個以上的第1數據組。然後，在各一個以上的第1數據組所包含之複數數位值中一個以上或各一個以上的第1數據組所包含之複數數位值的平均值成為第1閾值以上時，便在測量期間中進行第2數據組之取得，然後，進行測量數據之記憶。如此般，由於本方法中，會在較測量期間要前的期間中，在測量器進行斷續的動作，故能抑制測量器電源之消耗電力。
一實施形態中，方法係進一步地包含有：(vi)在測量期間結束後，處理器會以預設的時間間隔來取得一個以上的第3數據組，各該一個以上的第3數據組係包含藉由以第3取樣週期來取得表示複數感應部所包含之一個以上的感應部中對應的感應部之靜電電容的數位值，而取得的複數數位值之工序；以及(vii)回應於各一個以上的第3數據組所包含之複數數位值中一個以上或各一個以上的第3數據組所包含之複數數位值的平均值會成為第2閾值以上之情形，而處理器會將該測量數據無線傳送至通訊裝置。
從腔室所搬出之測量器會被收納於稱為晶圓傳送盒(FOUP)的容器。在此容器內時，複數感應部之感應電極的靜電電容便會增加。從而，藉由回應各一個以上之第3數據組所包含之複數數位值中一個以上或各一個以上之第3數據組所包含之複數數位值的平均值會成為第2閾值以上之情況，而將測量數據無線傳送至通訊裝置，便可使得測量器在腔室外部時自律性地無線傳送測量數據。又，根據此實施形態，由於在測量期間後亦可在測量 器中進行斷續的動作，故能進一步地抑制測量器電源之消耗電力。
一實施形態中，係可在取得一個以上的第1數據組的期間以及接著取得一個以上的第1數據組的期間之間，停止來自電源之電力供給至高頻震盪器。又，一實施形態中，係可在取得一個以上的第3數據組的期間以及接著取得一個以上的第3數據組的期間之間，停止來自電源之電力供給至高頻震盪器。
一實施形態中，在搬送測量器之工序中，控制部係以將測量器搬送至預設之座標資訊的搬送位置之方式來控制搬送裝置。此實施形態之方法係進一步地包含有：控制部會以降低從測量數據所特定出之聚焦環與測量器邊緣之間的間隔在周圍方向之差距的方式來修正座標資訊之工序。
如上述說明，便可在表示測量器與聚焦環之間的靜電電容的測量數據之取得中，抑制測量器電源之消耗電力。
1‧‧‧處理系統
LM‧‧‧裝載模組
AN‧‧‧對位器
LL1、LL2‧‧‧裝載互鎖模組
TF‧‧‧移轉模組
TU1、TU2‧‧‧搬送裝置
PM1~PM6‧‧‧程序模組
MC‧‧‧控制部
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧腔室本體
30‧‧‧上部電極
40‧‧‧氣體源群
50‧‧‧排氣裝置
62‧‧‧第1高頻電源
64‧‧‧第2高頻電源
PD‧‧‧載置台
LE‧‧‧下部電極
ESC‧‧‧靜電夾具
FR‧‧‧聚焦環
P1‧‧‧第1部分
P2‧‧‧第2部分
100‧‧‧測量器
102‧‧‧基底基板
104‧‧‧感應部
104A~104H‧‧‧感應部
104f‧‧‧前側端面
141‧‧‧電極
141a‧‧‧第1部分
142‧‧‧電極
142a‧‧‧第2部分
143‧‧‧電極
143f‧‧‧前面
106‧‧‧電路基板
108、108A~108H‧‧‧配線群
161‧‧‧高頻震盪器
162‧‧‧C/V轉換電路
162A~162H‧‧‧C/V轉換電路
163‧‧‧A/D轉換器
164‧‧‧處理器
165‧‧‧記憶裝置
167‧‧‧電源
GL‧‧‧大地電位線
圖1係顯示測量一實施形態相關之靜電電容的方法之流程圖。
圖2係例示處理系統之圖式。
圖3係例示容器之剖面圖。
圖4係例示對位器之立體圖。
圖5係顯示電漿處理裝置一範例之圖式。
圖6係例示測量器之立體圖。
圖7係顯示感應部一範例之立體圖。
圖8係沿著圖7之VIII-VIII線所取得的剖面圖。
圖9係沿著圖8之IX-IX線所取得的剖面圖。
圖10係例示測量器之電路基板的構成之圖式。
圖11係關聯於圖1所示之方法的時序圖。
圖12係顯示感應部其他範例之縱剖面圖。
圖13係顯示感應部再其他範例之縱剖面圖。
圖14係例示其他實施形態相關之測量器的電路基板之構成的圖式。
以下，便參照圖式就各種實施形態來詳細說明。另外，各圖式中對於相同或相當的部分係附加相同符號。
圖1係顯示測量一實施形態相關之靜電電容的方法之流程圖。圖1所示之方法MT係取得表示藉由處理系統之搬送裝置來被搬送至腔室內之測量器與聚焦環之間的靜電電容之數據的方法。一實施形態中，方法MT係使用所取得之數據來修正搬送裝置之搬送位置的座標資訊。
圖2係例示處理系統之圖式。圖2所示之處理系統1係可適用方法MT之處理系統。處理系統1係具備有台2a~2d、容器4a~4d、裝載模組LM、對位器AN、裝載互鎖模組LL1,LL2、程序模組PM1~PM6、移轉模組TF以及控制部MC。另外，台2a~2d之個數，容器4a~4d之個數，裝載互鎖模組LL1,LL2之個數以及程序模組PM1~PM6之個數並不限定，可為一個以上的任意個數。
台2a~2d係沿著裝載模組LM之一邊緣來加以配列。容器4a~4d會分別被搭載於台2a~2d上。各容器4a~4d係被稱為例如FOUP(Front Opening Unified Pod)的容器。各容器4a~4d係構成為收納被加工物W。被加工物W係具有略圓盤形狀。
圖3係例示容器之剖面圖。圖3係顯示有各容器4a~4d所可採用之容器4的縱剖面圖。如圖3所示，容器4係具有容器本體4M以及一對支撐構件4S。容器本體4M會在其內部提供空間。一對支撐構件4S係在容器本體4M所提供之空間內沿著容器本體4M的一對側壁來加以設置。一對支撐構件4S係提供複數插槽4L。複數插槽4L會配列於垂直方向，且會往容器本體4M所提供之空間的內部方向延伸。各複數插槽4L係可收納被加工物W。任何被收納於複數插槽4L的被加工物W會藉由一對支撐構件4S來被加以支撐。
回到圖2，裝載模組LM係具有於其內部區劃出大氣壓狀態之搬送空間的腔室壁。此搬送空間內係設置有搬送裝置TU1。搬送裝置TU1係例如多關節之機器人，並藉由控制部MC所控制。搬送裝置TU1係構成為在容器4a~4d與對位器AN之間、對位器AN與裝載互鎖模組LL1~LL2之間、裝載互鎖模組LL1~LL2與容器4a~4d之間搬送被加工物W。
對位器AN會與裝載模組LM連接。對位器AN係構成為會進行被加工物W之位置調整(位置校正)。圖4係例示對位器之立體圖。對位器AN係具有支 撐台6T、驅動裝置6D以及感應器6S。支撐台6T係可沿著垂直方向延伸的軸線中心旋轉的台，且會構成為於其上支撐被加工物W。支撐台6T會藉由驅動裝置6D來加以旋轉。驅動裝置6D會藉由控制部MC來加以控制。在藉由來自驅動裝置6D的動力來使得支撐台6T旋轉時，該支撐台6T上所載置之被加工物W亦會旋轉。
感應器6S係光學感應器，會在旋轉被加工物W的期間檢測出被加工物W之邊緣。感應器6S會從邊緣之檢測結果來檢測出被加工物W之凹口WN(或是其他的標記)之角度位置相對於基準角度位置的偏移量，以及被加工物W之中心位置相對於基準位置的偏移量。感應器6S會將凹口WN之角度位置的偏移量以及被加工物W之中心位置的偏移量輸出至控制部MC。控制部MC會基於凹口WN之角度位置的偏移量來計算出用以將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置的支撐台6T之旋轉量。控制部MC係以讓支撐台6T旋轉此旋轉量之份量的方式來控制驅動裝置6D。藉此，便可將凹口WN之角度位置修正為基準角度位置。又，控制部MC係以讓被加工物W之中心位置會一致於搬送裝置TU1之末端作用器(end effector)上的既定位置之方式，並基於被加工物W之中心位置的偏移量來控制從對位器AN收取被加工物W時之搬送裝置TU1的末端作用器的位置。
回到圖2，各裝載互鎖模組LL1及裝載互鎖模組LL2係設置於裝載模組LM與移轉模組TF之間。各裝載互鎖模組LL1及裝載互鎖模組LL2係提供預備減壓室。裝載互鎖模組LL1與裝載模組LM之間係設置有閘閥。裝載互鎖模組LL1之預備減壓室與裝載模組LM之搬送空間會藉由開啟閘閥來連通，而藉由關閉閘閥來互相分離。又，裝載互鎖模組LL2與裝載模組LM之間係設置有其他閘閥。裝載互鎖模組LL2之預備減壓室與裝載模組LM之搬送空間會藉由開啟閘閥來連通，而藉由關閉閘閥來互相分離。
移轉模組TF會透過閘閥來連接於裝載互鎖模組LL1及裝載互鎖模組LL2。移轉模組TF係提供可減壓之減壓室。此減壓室係設置有搬送裝置TU2。搬送裝置TU2係例如多關節機器人，並藉由控制部MC來加以控制。搬送裝置TU2係構成為在裝載互鎖模組LL1~LL2與程序模組PM1~PM6之間以及在程序模組PM1~PM6中之任兩個程序模組之間搬送被加工物W。
各程序模組PM1~PM6係透過閘閥來連接於移轉模組TF。各程序模組 PM1~PM6係構成為對被加工物W進行所謂電漿處理之專用處理的處理裝置。各程序模組PM1~PM6的腔室與移轉模組TF的減壓室會藉由開啟閘閥來連通，而藉由關閉閘閥來互相分離。
在此處理系統1中進行被加工物W之處理時的一連串動作係如下所例示。裝載模組LM之搬送裝置TU1會從容器4a~4d的任一者來取出被加工物W，而將該被加工物W搬送至對位器AN。接著，搬送裝置TU1會從對位器AN來取出調整其位置後之被加工物W，而將該被加工物W搬送至裝載互鎖模組LL1及裝載互鎖模組LL2中之一者的裝載互鎖模組。接著，一者的裝載互鎖模組會將預備減壓室之壓力減壓致既定壓力。接著，移轉模組TF之搬送裝置TU2會從一者的裝載互鎖模組來取出被加工物W，而將該被加工物W搬送至程序模組PM1~PM6中的任一者。然後，程序模組PM1~PM6中一個以上的程序模組會處理被加工物W。然後，搬送裝置TU2會將處理後之被加工物W從程序模組來搬送至裝載互鎖模組LL1及裝載互鎖模組LL2中之一者的裝載互鎖模組。接著，搬送裝置TU1會將被加工物W從一者的裝載互鎖模組來搬送至容器4a~4d的任一者。
此處理系統1如上述般，係具備有控制部MC。控制部MC可為具備有處理器、稱為記憶體之記憶裝置、顯示裝置、輸出入裝置、通訊裝置等的電腦。上述處理系統1之一連串動作係依記憶裝置所記憶之程式，而藉由控制部MC所致的處理系統1之各部控制來加以實現。
圖5係顯示程序模組PM1~PM6的任一者所可採用的電漿處理裝置一範例之圖式。圖5所示之電漿處理裝置10係電容耦合型電漿蝕刻裝置。電漿處理裝置10係具備有略圓筒形狀之腔室本體12。腔室本體12係例如由鋁所形成，其內壁面係可施予陽極氧化處理。此腔室本體12係保全接地。
腔室本體12底部上係設置有略圓筒形狀之支撐部14。支撐部14係例如由絕緣材料所構成。支撐部14係設置於腔室本體12內，且會從腔室本體12底部朝上方延伸。又，腔室本體12所提供之腔室S內係設置有載置台PD。載置台PD係藉由支撐部14來被加以支撐。
載置台PD係具有下部電極LE及靜電夾具ESC。下部電極LE係包含第1板體18a及第2板體18b。第1板體18a及第2板體18b係例如由稱為鋁之金屬所構成，且會成為略圓盤形狀。第2板體18b係設置於第1板體18a上，且會電 性連接於第1板體18a。
第2板體18b上係設置有靜電夾具ESC。靜電夾具ESC係具有將為導電膜之電極配置於一對絕緣層或絕緣薄板間的構造，且具有略圓盤形狀。靜電夾具ESC之電極係透過開關23來電性連接有直流電源22。此靜電夾具ESC會藉由來自直流電源22之直流電壓所產生之庫倫力等的靜電力來吸附被加工物W。藉此，靜電夾具ESC便可保持被加工物W。
第2板體18b周緣部上係設置有聚焦環FR。此聚焦環FR係設置為圍繞被加工物W邊緣及靜電夾具ESC。聚焦環FR係具有第1部分P1及第2部分P2(參照圖8)。第1部分P1及第2部分P2係具有環狀板形狀。第2部分P2係設置於第1部分P1上。第2部分P2之內緣P2i係具有較第1部分P1之內緣P1i的直徑要大之直徑。被加工物W係以其邊緣區域會位於聚焦環FR之第1部分P1上的方式來被載置於靜電夾具ESC上。此聚焦環FR可以矽、碳化矽、氧化矽的各種材料中之任一種所形成。
第2板體18b內部係設置有冷媒流道24。冷媒流道24會構成溫控機構。冷媒流道24係透過腔室本體12外部所設置之冷卻器單元來供給有冷媒。供給至冷媒流道24之冷媒會透過配管26b而回到冷卻器單元。如此般，便會在冷媒流道24與冷卻器單元之間循環有冷媒。藉由控制此冷媒溫度，來控制靜電夾具ESC所支撐之被加工物W之溫度。
又，電漿處理裝置10係設置有氣體供給管線28。氣體供給管線28會將來自導熱氣體供給機構之導熱氣體，例如He氣體供給至靜電夾具ESC上面與被加工物W內面之間。
又，電漿處理裝置10係具備有上部電極30。上部電極30會在載置台PD上方與該載置台PD對向配置。上部電極30會透過絕緣性遮蔽構件32來被腔室本體12上部所支撐。上部電極30可包含頂板34及支撐體36。頂板34會面向腔室S，該頂板34係設置有複數氣體噴出孔34a。此頂板34可由矽或石英所形成。或者，頂板34可藉由在鋁製之基材表面形成稱為氧化釔的耐電漿性膜來加以構成。
支撐體36係裝卸自如地支撐頂板34者，並可例如由稱為鋁之導電性材料所構成。此支撐體36係可具有水冷構造。支撐體36內部係設置有氣體擴散室36a。從此氣體擴散室36a來連通於氣體噴出孔34a的複數氣體流通孔36b 會朝下方延伸。又，支撐體36係形成有引導處理氣體至氣體擴散室36a之氣體導入口36c，此氣體導入口36c係連接有氣體供給管38。
氣體供給管38係透過閥群42及流量控制器群44來連接有氣體源群40。氣體源群40係包含複數種氣體用的複數氣體源。閥群44係包含複數閥，流量控制器群44係包含稱為質流控制器的複數流量控制器。氣體源群40之複數氣體源會分別透過閥群42所對應之閥及流量控制器群44所對應之流量控制器來連接於氣體供給管38。
又，電漿處理裝置10係沿著腔室本體12內壁而裝卸自如地設置有沉積保護體46。沉積保護體46亦設置於支撐部14外周。沉積保護體46係防止蝕刻副產物(沉積物)附著於腔室本體12者，並可藉由於鋁材披覆Y2O3等的陶瓷來加以構成。
在腔室本體12底部側及支撐部14與腔室本體12側壁之間係設置有排氣板48。排氣板48係可例如藉由在鋁材披覆Y2O3等的陶瓷來加以構成。排氣板48係形成有貫穿於其板厚方向之複數孔。在此排氣板48下方及腔室本體12係設置有排氣口12e。排氣口12e係透過排氣管52來連接有排氣裝置50。排氣裝置50係具有壓力調整閥及渦輪分子泵等的真空泵，並可將腔室本體12內之空間減壓至所欲真空度。又，腔室本體12側壁係設置有被加工物W之搬出入口12g，此搬出入口12g可藉由閘閥54來加以開閉。
又，電漿處理裝置10係進一步地具備有第1高頻電源62及第2高頻電源64。第1高頻電源62係產生電漿生成用之第1高頻的電源，例如會產生具有27~100MHz之頻率的高頻。第1高頻電源62會透過匹配器66來連接於上部電極30。匹配器66係具有用以匹配第1高頻電源62之輸出阻抗與負載側(上部電極30側)之輸入阻抗的電路。另外，第1高頻電源62亦可透過匹配器66來連接於下部電極LE。
第2高頻電源64係產生用以將離子吸引至被加工物W之第2高頻的電源，例如會產生400kHz~13.56MHz之範圍內的頻率之高頻。第2高頻電源64會透過匹配器68來連接於下部電極LE。匹配器68係具有用以匹配第2高頻電源64之輸出阻抗與負載側(下部電極LE側)之輸入阻抗的電路。
此電漿處理裝置10係將來自複數氣體源中所選擇的一個以上的氣體源的氣體供給至腔室S。又，腔室S之壓力會藉由排氣裝置50來被設定為既定 壓力。進一步地，腔室S內之氣體會藉由來自第1高頻電源62之第1高頻而被激發。藉此，便會生成電漿。然後，被加工物W會藉由所產生之活性基而被處理。另外，亦可依需要而藉由第2高頻電源64之第2高頻的偏壓來將離子吸引至被加工物W。
以下，便就方法MT所使用之測量器來加以說明。圖6係例示測量器之立體圖。圖6所示之測量器100係具備有基底基板102。基底基板102係例如由矽所形成，且具有與被加工物W之形狀相同的形狀，亦即略圓盤形狀。基底基板102之直徑係與被加工物W為相同之直徑，例如為300mm。測量器100之形狀及尺寸會因為此被加工物W之形狀及尺寸而被限定。從而，測量器100係具有與被加工物W之形狀相同的形狀，並且具有與被加工物W之尺寸相同的尺寸。又，基底基板102之邊緣係形成有凹口102N(或其他之標記)。
基底基板102係具有下側部分102a及上側部分102b。下側部分102a係在將測量器100配置於靜電夾具ESC上方時，會位於較上側部分102b要靠近靜電夾具ESC的部分。基底基板102之下側部分102a係設置有靜電電容測量用之複數感應部104A~104H。另外，測量器100所設置之感應部的個數可為3個以上的任意個數。複數感應部104A~104H會沿著基底基板102邊緣，例如在該邊緣全周等間隔地配列。具體而言，複數感應部104A~104H的各前側端面104f係以沿著基底基板102之下側部分102a邊緣的方式來加以設置。另外，圖6中可觀察到複數感應部104A~104H中感應部104A~104C。
基底基板102之上側部分102b上面係提供凹部102r。凹部102r係包含中央區域102c及複數放射區域102h。中央區域102c係與中心軸線AX100交叉的區域。中心軸線AX100係於板厚方向通過基底基板102中心的軸線。中央區域102c係設置有電路基板106。複數放射區域102h係相對於中心軸線AX100而從中央區域102c來於放射方向延伸至配置有複數感應部104A~104H的區域上方。複數放射區域102h係設置有分別用以將複數感應部104A~104H與電路基板106電性連接的配線群108A~108H。另外，複數感應部104A~104H亦可設置於基底基板102之上側部分102b。
以下，便就感應部來詳細地說明。圖7係顯示感應部一範例之立體圖。圖8係沿著圖7之VIII-VIII線所取得的剖面圖，且與感應部一同地顯示測量器之基底基板及聚焦環。圖9係沿著圖8之IX-IX線所取得的剖面圖。圖7~圖9 所示之感應部104係作為測量器100之複數感應部104A~104H而加以使用的感應部，在一範例中係構成為晶片狀之構件。另外，以下說明中，會適當參照XYZ直角座標系統。X方向係顯示感應部104之前面方向，Y方向係正交於X方向的一方向，且顯示感應部104之寬度方向，Z方向係正交於Y方向的方向，且顯示感應部104之上面方向。
如圖7~圖9所示，感應部104係具有前側端面104f、上面104t、下面104b、一對側面104s以及後側端面104r。前側端面104f係在X方向中構成感應部104之前側表面。感應部104係以前側端面104f會相對於中心軸線AX100而朝向放射方向的方式來搭載於測量器100之基底基板102(參照圖6)。又，在感應部104搭載於基底基板102的狀態，前端側面104f會沿著基底基板102邊緣來擴展。從而，在測量器100配置於靜電夾具ESC上時，前側端面104f便會對向於聚焦環FR內緣。
後側端面104r會在X方向中構成感應部104之後側表面。在感應部104搭載於基底基板102的狀態，後側端面104r會位於較前側端面104f要靠近中心軸線AX100。上面104t會在Z方向構中成感應部104之上側表面，下面104b會在Z方向中構成感應部104之下側表面。又，一對側面104s係在Y方向中構成感應部104表面。
感應部104係具有電極143。感應部104亦可進一步地具有電極141及電極142。電極141係由導體所形成。電極141係具有第1部分141a。如圖7及圖8所示，第1部分141a係延伸於X方向及Y方向。
電極142係由導體所形成。電極142係具有第2部分142a。第2部分142a係延伸於第1部分141a上。在感應部104內，電極142會從電極141來加以絕緣。如圖7及圖8所示，第2部分142a係在第1部分141a上延伸於X方向及Y方向。
電極143係由導體所形成之感應電極。電極143係設置於電極141之第1部分141a及電極142之第2部分142a上。電極143係在感應部104內從電極141及電極142來加以絕緣。電極143係具有前面143f。此前面143f係延伸於第1部分141a及第2部分142a所交叉之方向。又，前面143f係沿著感應部104之前端側面104f來加以延伸。一實施形態中，前面143f會構成感應部104之前端側面104f的一部分。或者，感應部104亦可在電極143之前面143f前側具有覆 蓋該前面143f之絕緣膜。
如圖7~圖9所示，電極141及電極142亦可在配置有電極143之前面143f的區域側(X方向)開口，並以圍繞電極143周圍的方式來加以延伸。亦即，電極141及電極142亦可在電極143之上面、後面以及側面中，以圍繞該電極143之方式來加以延伸。
又，感應部104之前側端面104f可為具有既定曲率的曲面。在此情況，前側端面104f會在該前側端面的任意位置具有固定曲率，該前側端面104f的曲率可為測量器100之中心軸線AX100與該前側端面104f之間的距離之倒數。此感應部104係以前側端面104f之曲率中心會一致於中心軸線AX100的方式來搭載於基底基板102。
又，感應部104可進一步地具有基板部144、絕緣區域146~148、墊片部151~153以及貫孔配線154。基板部144係具有本體部144m以及表層部144f。本體部144m係例如由矽所形成。表層部144f會覆蓋本體部144m表面。表層部144f係由絕緣材料所形成。表層部144f係例如矽的熱氧化膜。
電極142之第2部分142a係在基板部144下方延伸，基板部144與電極142之間係設置有絕緣區域146。絕緣區域146係例如由SiO2、SiN、Al2O3或聚醯亞胺所形成。
電極141之第1部分141a係在基板部144及電極142之第2部分142a下方加以延伸。電極141與電極142之間係設置有絕緣區域147。絕緣區域147係例如由SiO2、SiN、Al2O3或聚醯亞胺所形成。
絕緣區域148係構成感應部104之上面104t。絕緣區域148係例如由SiO2、SiN、Al2O3或聚醯亞胺所形成。此絕緣區域148係形成有墊片部151~153。墊片部153係由導體所形成，並連接於電極143。具體而言，係藉由貫穿絕緣區域146、電極142、絕緣區域147以及電極141的貫孔配線154來使得電極143與墊片部153互相連接。貫孔配線154周圍係設置有絕緣體，該貫孔配線154會從電極141及電極142來加以絕緣。墊片部153會透過基底基板102內所設置之貫孔配線123以及凹部102r之放射區域102h所設置之配線183來連接於電路基板106。墊片部151及墊片部152亦同樣地由導體所形成。墊片部151及墊片部152會分別透過對應之貫孔配線來連接於電極141、電極142。又，墊片部151及墊片部152會透過基底基板102所設置之對應的 貫孔配線以及凹部102r之放射區域102h所設置之對應的配線來連接於電路基板106。
以下，便就電路基板106之構成來加以說明。圖10係例示測量器之電路基板的構成之圖式。如圖10所示，電路基板106係具有高頻震盪器161、複數C/V轉換電路162A~162H、A/D轉換器163、處理器164、記憶裝置165、通訊裝置166以及電源167。
各複數感應部104A~104H會透過複數配線群108A~108H中對應之配線群來連接於電路基板106。又，各複數感應部104A~104H會透過對應之配線群所包含的數個配線來連接於複數C/V轉換電路162A~162H中對應之C/V轉換電路。以下，便就與各複數感應部104A~104H相同構成的一個感應部104、與各複數配線群108A~108H相同構成的一個配線群108以及與各複數C/V轉換電路162A~162H相同構成的一個C/V轉換電路162來加以說明。
配線群108係包含配線181~183。配線181一端係連接於電極141所連接的墊片部151。此配線181係連接於電路基板106之大地GC所連接的大地電位線GL。另外，配線181亦可透過開關SWG來連接於大地電位線GL。又，配線182一端係連接於電極142所連接的墊片部152，配線182另端係連接於C/V轉換電路162。又，配線183一端係連接於電極143所連接之墊片部153，配線183另端係連接於C/V轉換電路162。
高頻震盪器161係連接於稱為電池之電源167，且構成為會接收來自該電源167之電力而產生高頻訊號。另外，電源167亦連接於處理器164、記憶裝置165以及通訊裝置166。高頻震盪器161係具有複數輸出線。高頻震盪器161會透過複數輸出線來將所產生之高頻訊號傳遞至配線182及配線183。從而，高頻震盪器161會電性連接於感應部104之電極142及電極143，來自該高頻震盪器161之高頻訊號會傳遞於電極142及電極143。
C/V轉換電路162之輸入係連接有配線182及配線183。亦即，C/V轉換電路162之輸入係連接有感應部104之電極142及電極143。C/V轉換電路162係構成從其輸入中之電壓振幅來生成表示該輸入所連接之電極(電極143)的靜電電容的電壓訊號，而輸出該電壓訊號。另外，C/V轉換電路162所連接之電極的靜電電容越大，則該C/V轉換電路162所輸出之電壓訊號的電壓大小越大。
A/D轉換器162之輸入係連接有複數C/V轉換電路162A~162H的輸出。又，A/D轉換器162會連接於處理器164。A/D轉換器163係藉由來自處理器164之控制訊號而被控制，以將複數C/V轉換電路162A~162H的輸出訊號(電壓訊號)轉換為數位值。亦即，A/D轉換器162會生成表示電極143之靜電電容的數位值，而將該數位值輸出至處理器164。
處理器164係連接有記憶裝置165。記憶裝置165係稱為揮發性記憶體的記憶裝置，且構成為會記憶後述測量數據。又，處理器164係連接有其他記憶裝置168。記憶裝置168係稱為非揮發性記憶體的記憶裝置，且記憶有以處理器164來讀取而實行之程式。又，記憶裝置168亦可記憶有後述參數。
通訊裝置166係符合任意無線通訊規格之通訊裝置。例如，通訊裝置166會符合Bluetooth(註冊商標)。通訊裝置166係構成為無線傳送記憶裝置165所記憶的測量數據。
處理器164係構成為藉由實行上述程式來在方法MT中控制測量器100之各部。例如，處理器164會控制電源167對電極142及電極143供給高頻訊號、電源167對記憶裝置165供給電力、電源167對通訊裝置166供給電力等。進一步地，處理器164會藉由實行上述程式，來實行方法MT中之數位值的取得、測量數據對記憶裝置165之記憶以及測量數據之傳送等。
此測量器100中，感應部104A~104H會沿著基底基板102邊緣來配列。從而，在將此測量器100配置於靜電夾具ESC上時，便可取得表示聚焦環FR與各感應部104A~104H之間的靜電電容之數位值。另外，靜電電容C係以C=ε S/d來加以表示。ε係電極143之前面143f與聚焦環FR內緣之間的介質的導電率，S係電極143之前面143f的面積，d可視為電極143之前面143f與聚焦環FR內緣之間的距離。從而，測量器100所取得之複數數位值係電極143之前面143f與聚焦環FR內緣之間的距離越大，則越小。
又，如上述，測量器100所搭載之感應部104中，係在電極141上設置有電極143(感應電極)，電極141與電極143之間係介設有電極142之第2部分。在使用此感應部104時，會關閉開關SWG而將電極141之電位設定為大地電位，且會將高頻訊號供給至電極142與電極143。此時，電極143之電壓振幅不會受到相對於該電極143而設置有電極141之方向，亦即自感應部104下方之靜電電容的影響，而成為反映出特定方向，亦即朝向電極143之前面143f 的方向(X方向)之靜電電容的電壓振幅。從而，藉由感應部104，便可在特定方向帶有高指向性地測量靜電電容。另外，在使用感應部104時開啟開關SWG時，C/V轉換電路162便會輸出具有對應於電極143之靜電電容與電極142之靜電電容的合成電容大小的大小之電壓的電壓訊號。
又，電極141及電極142會在配置有電極143前面的區域側(X方向)開口，並且以圍繞電極143周圍之方式來加以延伸。從而，電極143便會因電極141及電極142而在相對於特定方向以外的方向被遮蔽。因此，便可在靜電電容之測量中進一步地提升相對於特定方向之感應部104的指向性。
又，感應部104之前側端面104f會構成為具有既定曲率之曲面，電極143之前面143f會沿著前側端面104f來加以延伸。從而，便可將電極143之前面143f的各位置與聚焦環FR內緣之間的徑向距離設定為略等距離。因此，便可進一步地提升靜電電容之測量精度。
以下，便再次參照圖1，就方法MT來詳細地說明。又，以下說明中，會一同地參照圖1與圖11。圖11係關聯於圖1所示之方法的時序圖。如圖1所示，方法MT首先會實行工序ST1。工序ST1中，係將測量器100之電源167設定為ON。然後，處理器164會開始實行記憶裝置168所記憶之程序。接著的工序ST2中，測量器100會被收納於容器4a~4d中任一者的插槽。
接著的工序ST3係將參數輸入至測量器100。參數可從控制部MC無線傳送至測量器100。測量器100會將接收的參數記憶於記憶裝置168。參數係包含有第1監測期間的時間長度TA、時間間隔IA、第1取樣週期、測量期間的時間長度TM、第2取樣週期、第2監測期間的時間長度TB、時間間隔IB、第3取樣週期、第1閾值Th1以及第2閾值Th2。另外，時間長度TA、時間間隔IA、第1取樣週期亦可分別與時間長度TB、時間間隔IB、第3取樣週期共通。在此情況，參數便不包含時間長度TB、時間間隔IB以及第3取樣週期。之後，方法MT會並列性地進行處理。另外，圖1中2個雙重線之間所描繪的2個處理流程係並列性地實行之處理流程。
接著工序ST3的工序ST4會在控制部MC的控制下藉由搬送裝置TU1來將測量器100搬送至對位器AN。然後，對位器AN會在控制部MC之控制下，與上述被加工物W之位置調整同樣地進行測量器100之位置調整，亦即位置校正。
接著的工序ST5係將測量器100搬送至載置台PD上以聚焦環FR所圍繞出之區域內。具體而言，係在控制部MC之控制下，藉由搬送裝置TU1從對位器AN來將測量器100搬送至裝載互鎖模組LL1及裝載互鎖模組LL2中之一者的裝載互鎖模組。接著，藉由搬送裝置TU2，來從一者的裝載互鎖模組搬送至程序模組PM1~PM6中之一個程序模組的腔室內。在腔室內，測量器100會被配置於載置台PD上以聚焦環FR所圍繞出之區域內。另外，利用搬送裝置TU2的測量器100的搬送位置(載置台PD上的位置)會藉由預設之座標資訊來加以特定。之後，便關閉該一個程序模組與移轉模組TF之間的閘閥。
接著工序ST5之工序ST6係從腔室來搬出測量器100。具體而言，係在控制部MC之控制下，之後開啟上述一個程序模組與移轉模組TF之間的閘閥，接著，測量器100會藉由搬送裝置TU2來從腔室取出，而搬送至裝載互鎖模組LL1及裝載互鎖模組LL2中一者的裝載互鎖模組。接著的工序ST7中，測量器100會被收納於容器4a~4d中的一個容器之插槽。具體而言，係在控制部MC之控制下，測量器100會藉由搬送裝置TU1來從一者的裝載模組搬送至一個容器之插槽。
另一方面，在工序ST3後，於工序ST11中，測量器100之處理器164會取得一個以上的第1數據組。此工序ST11會在時間長度TA的第1監測期間中實行。時間長度TA並未限制，例如為1秒。工序ST11中所取得的各一個以上的第1數據組係可藉由處理器164會以第1取樣週期來取得表示複數感應部104A~104H所包含之一個以上的感應部中對應的感應部之電極143的靜電電容的數位值而得到。第1取樣週期並未限制，例如為0.1秒。另外，工序ST11所使用之感應部可為所有的複數感應部104A~104H，或者亦可為上述參數所指定之一個以上的感應部。
接著的工序ST12中，處理器164係判斷工序ST11所取得之各一個以上的第1數據組所包含的複數數位值之平均值是否為第1閾值Th1以上。另外，在將測量器100配置於聚焦環FR所圍繞之區域時，上述一個以上的感應部之電極143的靜電電容便會變大。從而，藉由比較第1閾值Th1與各一個以上的數據組所包含之複數數位值的平均值，便可判斷測量器100是否配置於聚焦環FR所圍繞之區域。在處理器164判斷工序ST12中平均值並不在第1閾值Th1以上的情況，便會在接著的工序ST13中，判斷是否已從工序ST11結束時有 經過時間間隔IA。時間間隔IA並未限制，例如為29秒。在從工序ST11結束時並未經過時間間隔IA的情況，處理器164會再次進行工序ST13的判斷。另一方面，在從工序ST11結束時經過時間間隔IA的情況，處理器164會再度於工序ST11中，進行一個以上的第1數據組之取得。另外，處理器164亦可在時間間隔IA中停止從電源167朝高頻震盪器161供給電力。
在處理器164於工序ST12中判斷平均值為第1閾值Th1以上時，便會轉移至工序ST14之處理。另外，工序ST12中亦可不以平均值，而以各一個以上的第1數據組所包含之複數數位值中的一個以上來與第1閾值Th1比較。
工序ST14中，處理器164會進行複數第2數據組之取得。此工序ST14會在時間長度TM的測量期間中實行。時間長度TM並未限制，例如為1秒。工序ST14中所取得之各複數第2數據組係包含可藉由在測量期間中以第2取樣週期來取得表示複數感應部104A~104H中對應之感應部的電極143之靜電電容的數位值而取得的複數數位值。第2取樣週期並未限制，例如為0.1秒。
接著的工序ST15中，處理器會將測量數據記憶於記憶裝置165。測量數據可為複數第2數據組。或著，測量數據亦可為藉由求取各複數第2數據組所包含之複數數位值的平均值而取得之複數平均值。
接著的工序ST16中，處理器164會進行一個以上的第3數據組之取得。此工序ST16會在時間長度TB之第2監測期間實行。第2監測期間之時間長度TB可如上述與時間長度TA共通。工序ST16中所取得之各一個以上的第3數據組係可藉由以第3取樣週期來取得表示複數感應部104A~104H所包含之一個以上的感應部中對應之感應部的電極143的靜電電容之數位值而加以取得。另外，工序ST16所使用之感應部可為所有複數感應部104A~104H，或者亦可為上述參數中所指定之一個以上的感應部。又，第3取樣週期可與第1取樣週期共通。
接著的工序ST17中，處理器164會判斷工序ST16所取得之各一個以上的第3數據組所包含之複數數位值的平均值是否為第2閾值Th2以上。另外，在測量器100被收納至容器4a~4d中任意一個容器的插槽時，上述一個以上的感應部之電極143的靜電電容便會變大。從而，藉由比較第2閾值Th2與各一個以上的數據組所包含之複數數位值的平均值，便可判斷測量器100是否收納於容器4a~4d中任一者的插槽。另外，在測量器100被收納於容器插槽時 之電極143的靜電電容會較將測量器100配置於聚焦環FR所圍繞之區域時之電極143的靜電電容要小。從而，第2閥值Th2係較第1閥值Th1要小之數值。
在處理器164判斷工序ST17中平均值並非在第2閾值Th2以上的情況，便會在接著的工序ST18中判斷是否已從工序ST16結束時有經過時間間隔IB。在從工序ST16結束時未經過時間間隔IB的情況，處理器164便會再次進行工序ST18的判斷。另一方面，在從工序ST16結束時經過時間間隔IB的情況，處理器164便會再次在工序ST16中進行一個以上的第3數據組之取得。另外，處理器164可在時間間隔IB中停止從電源167朝高頻震盪器161供給電力。又，第2監測期間與下一個第2監測期間之間的時間間隔可不為時間間隔IB，而為時間間隔IA。
在處理器164在工序ST17中判斷平均值為第2閾值Th2以上時，便會移轉至工序ST19。另外，工序ST17中，可不以平均值，而以各一個以上的第3數據組所包含之複數數位值中一個以上來與第2閾值Th2比較。
工序ST19中，處理器164會將記憶裝置165所記憶之測量數據無線傳送至控制部MC所連接之接收部。在控制部MC接收測量數據時，控制部MC便會在工序ST8中修正搬送裝置TU2之搬送位置的座標資訊，具體而言，係以測量數據所特定出之聚焦環FR與測量器100邊緣之間的間隔在周圍方向中之差距會降低的方式來修正座標資訊。在結束此工序ST19時，便結束方法MT。
如上述說明，方法MT中係使用具備有沿著圓盤狀基底基板102邊緣來配置之複數電極143(感應電極)的測量器100，來得到反映出聚焦環FR內緣與測量器100邊緣之間的間隔在周圍方向的分布之測量數據。又，表示各複數電極143之靜電電容的數位值會在聚焦環FR所圍繞之區域具有測量器100時變大。方法MT中並非一直取得測量數據，而是在較測量期間要前的期間中，以時間間隔IA來取得一個以上的第1數據組。然後，在各一個以上的第1數據組所包含之複數數位值中一個以上或各一個以上的第1數據組所包含之複數數位值的平均值為第1閾值Th1以上時，便在測量期間中進行第2數據組之取得，然後，進行測量數據之記憶。如此般，由於方法MT中，係在較測量期間要前的期間中，於測量器100進行斷續的動作，故會抑制測量器100之電源167的消耗電力。
又，回應於各一個以上的第3數據組所包含之複數數位值中一個以上或各一個以上的第3數據組所包含之複數數位值的平均值為第2閾值Th2以上，處理器100係可藉由將測量數據無線傳送至通訊裝置166，來於程序模組之腔室外部時自律性地無線傳送測量數據。從而，由於在測量期間後亦會在測量器100進行斷續的動作，故能進一步地抑制測量器100之電源167的消耗電力。
以下，便就可搭載於測量器100之感應部的其他範例來加以說明。圖12係顯示感應部之其他範例的縱剖面圖。圖12所示之感應部104A係感應部104之變形態樣，係在取代基板部144而具有基板部144A的點上，來與感應部104有所差異。基板部144A係由絕緣材料所形成。例如，基板部144A係由硼矽酸鹽玻璃所形成。另外，基板部144A可由氮化矽所形成。
基板部144A係多面體，係具有包含前面144a及下面144b的表面。一範例中，基板部144A表面係進一步地包含有上面144c、後面144d以及一對側面。下面144b及上面144c會延伸於X方向及Y方向，且會互相地對向。前面144a係構成基板部144A在X方向的前側端面，且會延伸於下面144b所交叉的方向。前面144a可具有既定曲率。此曲率係在將感應部104A搭載於基底基板102時，中心軸線AX100與前面144a之間的距離之倒數。後面144d係在X方向中構成基板部144A的後側端面，並會與前面144a對向。又，一對側面會延伸於前面144a在Y方向中的一邊緣部與後面144d在Y方向中的一邊緣部之間，以及前面144a在Y方向中的另邊緣部與後面144d在Y方向中的另邊緣部之間。
電極143會沿著基板部144A之前面144a與上面144c來加以延伸。絕緣區域146係以覆蓋基板部144A之下面144b、上面144c、後面144d及一對側面，以及延伸於上面144c上的電極143之方式來加以延伸。電極142係設置為覆蓋絕緣區域146。又，電極142之第2部分142a會透過絕緣區域146來沿著基板部144A的下面144b延伸。又，絕緣區域147會以覆蓋電極142的方式來加以延伸。又，電極141係設置為覆蓋絕緣區域147。又，電極141之第1部分141a會透過絕緣區域147來延伸於電極142之第2部分142a下方。
在上述感應部104之基板部144的本體部144m是由矽所形成的情況，感應部104便具有內部靜電電容。為了此內部靜電電容，便產生有將高頻震盪 器161之輸出設定為較大之輸出的需要。另一方面，由於在感應部104A中，基板部144A係由絕緣材料所形成，故內部靜電電容會極小。從而，便可在具有感應部104A之測量器100中，使得高頻震盪器161之輸出變小。
又，由於測量器100可在包含高溫之溫度帶區域(例如20℃~80℃)以及減壓環境(例如，1Torr(133.3Pa)以下)中使用，故需要抑制來自基板部144A之氣體產生。因此，便可由硼矽酸鹽玻璃、氮化矽、石英或氧化鋁來形成基板部144A。藉由此般基板部144A，便可抑制氣體產生。
又，由於測量器100可在包含高溫之溫度帶區域(例如20℃~80℃)使用，故基板部144A最好是具有接近於基底基板102之構成材料的線膨脹係數的線膨脹係數。因此，在基底基板102是由矽所形成的情況，便可由例如硼矽酸鹽玻璃或氮化矽來形成基板部144A。此般基板部144A之線膨脹係數會接近於基底基板102之線膨脹係數。從而，便可抑制起因於基板部144A之線膨脹係數與基底基板102之線膨脹係數之差距所致的感應部104A之損傷，以及感應部104A從基底基板102之剝離。
又，測量器100之重量最好是小一點。從而，基板部144A之密度(每單位體積之質量)最好會是接近於基底基板102之密度，或是較基底基板102之密度要小。因此，在基底基板102是由矽所形成的情況，便可例如由硼矽酸鹽玻璃來形成基板部144A。
以下，便就可搭載於測量器100之感應部再其他範例來加以說明。圖13係顯示感應部再其他範例的縱剖面圖。圖13係顯示感應部204之縱剖面圖，又，會與感應部204一同地顯示有聚焦環FR。
感應部204係具有電極241、電極242以及電極243。感應部204可進一步地具有基板部244及絕緣區域247。基板部244係具有本體部244m以及表層部244f。本體部244m係例如由矽所形成。表層部244f會覆蓋本體部244m表面。表層部244f係由絕緣材料所形成。表層部244f係例如矽之熱氧化膜。
基板部244係具有上面244a、下面244b以及前端側面244c。電極242係設置於基板部244之下面244b下方，且會延伸於X方向及Y方向。又，電極241會透過絕緣區域247來設置於電極242下方，且會延伸於X方向及Y方向。
基板部244之前側端面244c會形成為梯狀。前側端面244c之下側部分244d會較該前側端面244c的上側部分244u要朝向聚焦環FR側突出。電極243 會沿著前端側面244c的上側部分244u來加以延伸。
在使用此感應部204來作為測量器100之感應部的情況，電極241會連接於配線181，電極242會連接於配線182，電極243會連接於配線183。
感應部204中，為感應電極之電極243會藉由電極241及電極242而相對於感應部204下方來被加以遮蔽。從而，藉由此感應部204，便可朝向特定方向，亦即電極243之前面243f的方向(X方向)帶有高指向性地測量靜電電容。
以下，便就其他實施形態相關之測量器來加以說明。圖14係例示其他實施形態相關之測量器的電路基板構成的圖式。圖14所示之測量器100A除了與測量器100之構成要素相同的構成要素之外，係進一步地具有加速度感應器171、溫度感應器172、濕度感應器173以及壓力感應器174。加速度感應器171、溫度感應器172、濕度感應器173以及壓力感應器174會連接於處理器164。加速度感應器171會將表示所測量之測量器100A的加速度之加速度數據輸出至處理器164。溫度感應器172會將表示所測量之測量器100A周圍的溫度之溫度數據輸出至處理器164。濕度感應器173會將表示所測量之測量器100A周圍的濕度之濕度數據輸出至處理器164。壓力感應器174會將表示所測量之測量器100A周圍的壓力之壓力數據輸出至處理器164。
處理器164會基於加速度數據、溫度數據、濕度數據以及壓力數據來進行異常檢測處理。處理器164會比較從加速度數據所特定出之測量器100A的加速度與加速度閾值，在測量器100A之加速度會較該加速度閾值要大的情況，便判斷在測量器100A之搬送途中發生異常，而將第1訊號無線傳送至控制部MC。又，在處理器164從測量器100A之加速度來判斷在測量器100A產生有異常震動的情況，便將第2訊號無線傳送至控制部MC。在控制部MC接收到第1訊號及第2訊號時，便會停止測量器100A之搬送。另外，相關於第1訊號的異常亦可發生在搬送裝置TU1或搬送裝置TU2與其他工具接觸的情況。又，相關於第2訊號的異常會在搬送裝置TU1或搬送裝置TU2產生不良動作的情況。
又，處理器164係在從加速度數據所特定出之測量器100A的角度較角度閾值要大的情況，便會將第3訊號無線傳送至控制部MC。測量器100A之角度係表示測量器100A之水平程度的尺度，例如會基於從加速度數據所特定 出之測量器100A的加速度來計算出。在控制部MC接收第3訊號時，便會進行用以將測量器100A朝容器4a~4d任一者回收的控制。另外，相關於第3訊號之異常可發生在測量器100A的一部分會跨上聚焦環FR上的情況。
又，處理器164係在從溫度數據所特定之測量器100A周圍之溫度較溫度閾值要高的情況，便會將第4訊號無線傳送至控制部MC。在控制部MC接收第4訊號時，便進行用以回收測量器100A之控制。另外，相關於第4訊號之異常會因為提供搬入有測量器100A之腔室的程序模組之異常而產生。
又，處理器164係在從濕度數據所特定之測量器100A周圍的濕度較濕度閾值要高的情況，便會將第5訊號無線傳送至控制部MC。在控制部MC接收第5訊號時，便會實行脫水程序。脫水程序可例如藉由排氣來加以實現。另外，相關於第5訊號之異常會因為容器4a~4d、裝載模組LM、裝載互鎖模組LL1或裝載互鎖模組LL1中之吸濕而產生。
又，處理器164係在從壓力數據所特定之測量器100A周圍的壓力較壓力閾值要高的情況，便會將第6訊號無線傳送至控制部MC。在控制部MC接收第6訊號時，便會實行用以排氣處理、沖淨處理或回收測量器100A之控制。另外，相關於第6訊號之異常會因為裝載互鎖模組LL1之預備減壓室、裝載互鎖模組LL2之預備減壓室、移轉模組之減壓室或程序模組之腔室的減壓不足而產生。又，相關於第6訊號之異常可能發生在氣體殘留於程序模組之腔室內的情況。
一實施形態中，方法MT係可進一步地包含上述異常檢測處理。異常檢測處理係可在工序ST3實行後與圖1所示之雙重線間的2個處理流程並列實行。此異常檢測處理為了傳送上述第1~第6訊號，而需要讓測量器100A與控制部MC為可無線通訊的狀態。因此，各容器4a~4d、裝載模組LM、裝載互鎖模組LL1、裝載互鎖模組LL2以及移轉模組TF可具有可讓電波穿透之窗區域。或者，各容器4a~4d的個別內部空間、裝載模組LM之搬送空間、裝載互鎖模組LL1之預備減壓室、裝載互鎖模組LL2之預備減壓室以及移轉模組TF的減壓室會連通於可讓電波穿透之窗區域。測量器100A即便被配置於容器4a~4d的個別內部空間、裝載模組LM之搬送空間、裝載互鎖模組LL1之預備減壓室、裝載互鎖模組LL2之預備減壓室以及移轉模組TF的減壓室之任一者，仍可透過上述窗區域來與控制部MC無線通訊。又，若是開啟程序模組 與移轉模組TF之間的閘閥，則測量器100A即便被配置於該程序模組之腔室內，仍可透過上述窗區域來與控制部MC無線通訊。
另外，異常檢測處理中，只要檢測出上述所有異常中之至少一個異常即可。從而，測量器100A只要具有加速度感應器171、溫度感應器172、濕度感應器173以及壓力感應器174中對異常之檢測所需要之感應器即可。
以上，雖已就各種實施形態來加以說明，但並不限於上述實施形態而可構成各種變形態樣。例如，程序模組PM1~PM6的範例雖例示電漿處理裝置，但程序模組PM1~PM6只要為使用靜電夾具及聚焦環者的話，便可為任意處理裝置。又，雖上述電漿處理裝置10係電容耦合型電漿處理裝置，但可作為程序模組PM1~PM6來使用的電漿處理裝置係可為如感應耦合型之電漿處理裝置、使用稱為微波之表面波的電漿處理裝置般的任意電漿處理裝置。
ST1‧‧‧電源ON
ST2‧‧‧將測量器收納於容器
ST3‧‧‧輸入參數
ST4‧‧‧校正測量器之位置
ST5‧‧‧搬入測量器
ST6‧‧‧搬出測量器
ST7‧‧‧收納於容器
ST8‧‧‧修正座標資訊
ST11‧‧‧取得第1數據組
ST12‧‧‧平均值(或數位值)為第1閾值以上？
ST13‧‧‧時間間隔結束？
ST14‧‧‧取得第2數據組
ST15‧‧‧記憶測量數據
ST16‧‧‧取得第3數據組
ST17‧‧‧平均值(或數位值)為第2閾值以上？
ST18‧‧‧時間間隔結束？
ST19‧‧‧傳送測量數據

Claims (7)

  1. 一種取得表示靜電電容之數據的方法，係取得藉由處理系統之搬送裝置來被搬送至腔室內的測量器與聚焦環之間的靜電電容的數據之方法；該處理系統係具備有：程序模組，係具有提供該腔室之腔室本體以及設置於該腔室內，且於其上載置有該測量器的載置台；該搬送裝置；以及控制部，係控制該搬送裝置；該測量器係具備有：基底基板，係具有圓盤形狀；複數感應部，係沿著該基底基板邊緣來配列；以及電路基板，係搭載於該基底基板上；各該複數感應部係具有擁有沿著該基底基板邊緣延伸之前面的感應電極；該電路基板係具有：高頻震盪器，係產生高頻訊號的高頻震盪器，且會電性連接於各該複數感應部之該感應電極；複數C/V轉換電路，係各會將該複數感應部中對應之感應部的該感應電極之電壓振幅轉換為表示靜電電容之電壓訊號；A/D轉換器，係將從各該複數C/V轉換電路所輸出之該電壓訊號轉換為數位值；處理器，係連接於該A/D轉換器；記憶裝置，係連接於該處理器；通訊裝置，係用以無線傳送該記憶裝置所記憶的數據；以及電源，將電力供給至該處理器、該高頻震盪器以及該通訊裝置；該方法係包含有：該處理器會以預設的時間間隔來取得一個以上的第1數據組，各該一個以上的第1數據組係包含藉由以第1取樣週期來取得表示該複數感應部所包含之一個以上的感應部中對應的感應部之靜電電容的數位值，而取得的複數數位值之工序； 藉由該搬送裝置將該測定器搬送至該載置台上以聚焦環所包圍的區域之工序；回應於各該一個以上的第1數據組所包含之該複數數位值中一個以上或各該一個以上的第1數據組所包含之該複數數位值的平均值會成為第1閾值以上之情形，而該處理器會在測量期間中取得複數第2數據組，各該複數第2數據組係包含藉由以該測量期間中之第2取樣週期來取得表示該複數感應部中對應的感應部之靜電電容的數位值，而取得的複數數位值之工序；該處理器會將測量數據記憶於該記憶裝置，該測量數據係包含藉由求出該複數第2數據組或各該複數第2數據組所包含之該複數數位值的平均值來得到的複數平均值之工序；以及藉由該搬送裝置來從該腔室搬出該測量器之工序。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其係進一步地包含有：在該測量期間結束後，該處理器會以預設的時間間隔來取得一個以上的第3數據組，各該一個以上的第3數據組係包含藉由以第3取樣週期來取得表示該複數感應部所包含之一個以上的感應部中對應的感應部之靜電電容的數位值，而取得的複數數位值之工序；以及回應於各該一個以上的第3數據組所包含之該複數數位值中一個以上或各該一個以上的第3數據組所包含之該複數數位值的平均值會成為第2閾值以上之情形，而該處理器會將該測量數據無線傳送至該通訊裝置。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其係在取得該一個以上的第1數據組的期間以及接著取得該一個以上的第1數據組的期間之間，停止來自該電源之電力供給至該高頻震盪器。
  4. 如申請專利範圍第2項之方法，其係在取得該一個以上的第1數據組的期間以及接著取得該一個以上的第1數據組的期間之間，停止來自該電源之電力供給至該高頻震盪器。
  5. 如申請專利範圍第2或4項之方法，其係在取得該一個以上的第3數據組的期間以及接著取得該一個以上的第3數據組的期間之間，停止來自該電源之電力供給至該高頻震盪器。
  6. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之方法，其中在搬送該測量器之該工序中，該控制部係以將該測量器搬送至預設之座標資訊所特定出的搬 送位置之方式來控制該搬送裝置；進一步地包含有：該控制部會以降低從該測量數據所特定出之該聚焦環與該測量器邊緣之間的間隔在周圍方向之差距的方式來修正該座標資訊之工序。
  7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中在搬送該測量器之該工序中，該控制部係以將該測量器搬送至預設之座標資訊所特定出的搬送位置之方式來控制該搬送裝置；進一步地包含有：該控制部會以降低從該測量數據所特定出之該聚焦環與該測量器邊緣之間的間隔在周圍方向之差距的方式來修正該座標資訊之工序。
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