TWI712922B - 觸控面板筆用書寫片、觸控面板、觸控面板系統及顯示裝置，以及觸控面板筆用書寫片之揀選方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可使書寫感變良好之觸控面板筆用書寫片。

本發明之觸控面板筆用書寫片係下述之觸控面板筆(A)用書寫片，該書寫片具有截止值(cutoff value)0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大谷深Rv_0.8，以及截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5滿足下述條件(A1)及(A2)的表面。

0.35≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.60 (A1)

0.05mm≦S_2.5≦0.30mm (A2)

<觸控面板筆(A)>

該觸控面板筆於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X為500MN/m以下。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

Description

觸控面板筆用書寫片、觸控面板、觸控面板系統及顯示裝置，以及觸控面板筆用書寫片之揀選方法

本發明係關於一種觸控面板筆用書寫片、觸控面板、觸控面板系統及顯示裝置，以及觸控面板筆用書寫片之揀選方法。

近年來，亦開始將觸控面板搭載於許多之行動資訊終端上，而流量增加。有時於觸控面板之表面為了各種目的而貼合表面保護片。

關於先前主流之電阻膜式觸控面板，由於進行如用手指或筆反覆進行碰觸之操作，故而對於表面保護片，要求高度之耐刮傷性。

另一方面，對於目前之作為主流之靜電電容式觸控面板之表面保護片，要求用手指進行操作時之滑動性。其原因在於：由於先前之電阻膜式無法同時檢測多個部位，故而沒有於畫面上移動手指之情況，但靜電電容式觸控面板可同時檢測多個部位，而於畫面上移動手指之操作較多。

又，對於電阻膜式及靜電電容式之觸控面板，均要求觸控面板用之表面保護片有如下性能：防止用手指操作時附著指紋，或者容易擦掉所附著之指紋。

作為如上述之觸控面板用之表面保護片，例如提出有專利文 獻1~2。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2015-114939號公報

[專利文獻2]日本專利特開2014-109712號公報

靜電電容式觸控面板由於要測量靜電電容之變化並識別所碰觸之部位，故而接觸物需要一定之導電性。因此，於靜電電容式觸控面板之出現當初，僅研究用手指之操作性，而未研究藉由觸控面板筆描繪文字或圖畫等之書寫性。即便於電阻膜式觸控面板中，使用觸控面板筆時之操作亦以碰觸為主流，而描繪文字或圖畫時之書寫性未受到重視。

然而，近年來，由於開始提出可書寫輸入至靜電電容式觸控面板或電磁感應式觸控面板之觸控面板筆；及對應利用觸控面板筆之文字輸入或繪圖之應用軟體增加，故而對於觸控面板用之表面保護片，要求有利用觸控面板筆之良好書寫感。

然而，關於先前所提出之專利文獻1~2之觸控面板用之表面保護片，未對利用觸控面板筆之書寫感做任何研究。

本發明之課題在於提供一種可使書寫感變良好之觸控面板筆用書寫片、觸控面板及顯示裝置，以及觸控面板筆用書寫片之揀選方法。

為了解決上述課題，本發明提供以下之[1]~[14]之觸控面板筆用書寫片、觸控面板、觸控面板系統及顯示裝置，以及觸控面板筆用書寫片之揀選方法。

[1]一種觸控面板筆用書寫片，其係下述之觸控面板筆(A)用書寫片，該書寫片具有截止值(cutoff value)0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大谷深Rv_0.8，以及截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5滿足下述條件(A1)及(A2)的表面。

0.35≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.60 (A1)

0.05mm≦S_2.5≦0.30mm (A2)

<觸控面板筆(A)>

該觸控面板筆於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X為500MN/m以下。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

[2]一種觸控面板，於表面具有片，以作為該片之上述[1]記載之觸控面板筆用書寫片滿足上述條件(A1)及(A2)之側的面配置成朝向觸控面板之表面而成。

[3]一種顯示裝置，具有觸控面板，該觸控面板為上述[2]記載之觸控面板。

[4]一種觸控面板筆用書寫片之揀選方法，其揀選具有截止值0.8mm之 JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大谷深Rv_0.8，以及截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5滿足下述條件(A1)及(A2)之表面的片作為下述之觸控面板筆(A)用書寫片。

0.35≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.60 (A1)

0.05mm≦S_2.5≦0.30mm (A2)

<觸控面板筆(A)>

該觸控面板筆於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X為500MN/m以下。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

[5]一種觸控面板筆用書寫片，其係下述之觸控面板筆(B)用書寫片，該書寫片具有截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大山高Rp_0.8，以及測量區間1mm中之剖面曲線的偏斜度Psk滿足下述條件(B1)及(B2)之表面，且該書寫片之JIS K7136：2000之霧度(haze)滿足下述條件(B3)。

0.50<Rp_0.8/Rz_0.8≦0.75 (B1)

0.60≦Psk (B2)

霧度為5.0%以上 (B3)

<觸控面板筆(B)>

該觸控面板筆於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖 面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X超過500MN/m。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

[6]一種觸控面板，表面具有片，以作為該片之上述[1]記載之觸控面板筆用書寫片滿足上述條件(B1)及(B2)之側的面配置成朝向觸控面板之表面而成。

[7]一種顯示裝置，具有觸控面板，該觸控面板為上述[6]記載之觸控面板。

[8]一種觸控面板筆用書寫片之揀選方法，揀選具有截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大山高Rp_0.8，以及測量區間1mm中之剖面曲線的偏斜度Psk滿足下述條件(B1)及(B2)之表面，且

JIS K7136：2000之霧度滿足下述條件(B3)之片作為下述之觸控面板筆(B)用書寫片。

0.50<Rp_0.8/Rz_0.8≦0.75 (B1)

0.60≦Psk (B2)

霧度為5.0%以上 (B3)

<觸控面板筆(B)>

該觸控面板筆於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X超過500MN/m。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

[9]一種觸控面板筆用書寫片之揀選方法，揀選滿足下述條件(C1)者作為觸控面板筆用書寫片。

<條件(C1)>

將觸控面板筆於以60度之角度接觸觸控面板筆用書寫片表面之狀態下固定，一面對該觸控面板筆施加垂直負載100gf一面以14mm/秒之速度掃描單程40mm之長度，將此時作用於該觸控面板筆之掃描方向之動摩擦係數設為μk，將靜摩擦係數設為μs時，μk/μs為0.30以上且0.58以下。

[10]如申請專利範圍第12項記載之觸控面板筆用書寫片之揀選方法，其揀選上述μk滿足下述條件(C2)者作為觸控面板筆用書寫片。

<條件(C2)>

0.06≦μk≦0.30

[11]一種觸控面板筆用書寫片，其具有滿足下述條件(C1)之表面。

<條件(C1)>

將觸控面板筆於以60度之角度接觸觸控面板筆用書寫片表面之狀態下固定，一面對該觸控面板筆施加垂直負載100gf一面以14mm/秒之速度掃描單程40mm之長度，將此時作用於該觸控面板筆之掃描方向之動摩擦係數設為μk，將靜摩擦係數設為μs時，μk/μs為0.30以上且0.58以下。

[12]一種觸控面板，表面具有片，以作為該片之上述[11]記載之觸控面板筆用書寫片滿足上述條件(C1)之側的面配置成朝向觸控面板之表面而成。

[13]一種觸控面板系統，由表面具有觸控面板筆用書寫片之觸控面板與 觸控面板筆構成，該觸控面板系統滿足下述條件(C1)。

<條件(C1)>

將觸控面板筆於以60度之角度接觸觸控面板筆用書寫片表面之狀態下固定，一面對該觸控面板筆施加垂直負載100gf一面以14mm/秒之速度掃描單程40mm之長度，將此時作用於該觸控面板筆之掃描方向之動摩擦係數設為μk，將靜摩擦係數設為μs時，μk/μs為0.30以上且0.58以下。

[14]一種顯示裝置，具有觸控面板，該觸控面板為上述[12]記載之觸控面板。

本發明之觸控面板筆用書寫片、觸控面板、觸控面板系統及顯示裝置可使書寫感變良好。又，本發明之觸控面板筆用書寫片之揀選方法即便不進行觸控面板筆之書寫試驗，亦可揀選對特定觸控面板筆之書寫感良好之書寫片，而可高效率地進行書寫片之製品設計、品質管理。

1‧‧‧塑膠膜

2‧‧‧樹脂層

10‧‧‧觸控面板筆用書寫片

2.0‧‧‧透明基板

30‧‧‧導電膜

40‧‧‧間隔片

50‧‧‧X軸電極

60‧‧‧Y軸電極

70‧‧‧絕緣體層

82‧‧‧可動台

83‧‧‧砝碼

84‧‧‧保持器

85‧‧‧基座

100‧‧‧觸控面板

200‧‧‧觸控面板筆

300‧‧‧夾具

400‧‧‧不鏽鋼板

圖1係表示本發明之觸控面板筆用書寫片一實施形態之剖面圖。

圖2係表示本發明之觸控面板筆用書寫片其他實施形態之剖面圖。

圖3係表示本發明之觸控面板一實施形態之剖面圖。

圖4係表示本發明之觸控面板其他實施形態之剖面圖。

圖5係筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數E的測量方法之概略圖。

圖6係對觸控面板筆之直徑D之算出方法進行說明之圖。

圖7係對摩擦係數之測量方法進行說明之概略圖。

以下，針對本發明之觸控面板筆用書寫片、觸控面板、觸控面板系統及顯示裝置，以及觸控面板筆用書寫片之揀選方法，以實施形態A、實施形態B及實施形態C為例進行說明。

<實施形態A>

[觸控面板筆用書寫片]

實施形態A之觸控面板筆用書寫片係下述之觸控面板筆(A)用書寫片，且該書寫片具有截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大谷深Rv_0.8，以及截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5滿足下述條件(A1)及(A2)之表面。

0.35≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.60 (A1)

0.05mm≦S_2.5≦0.30mm (A2)

<觸控面板筆(A)>

該觸控面板筆係於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X為500MN/m以下。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

再者，楊氏模數E之單位為「N/m²」，筆尖之直徑D之單位為「m」，算術平均高度Pa之單位為「m」。又，「M」意指「mega(10⁶)」。

圖1係表示實施形態A之觸控面板筆用書寫片10一實施形態之剖面圖。圖1之觸控面板筆用書寫片10於塑膠膜1之一面具有樹脂層2。圖2之觸控面板筆用書寫片10為樹脂層2之單層構成。

實施形態A之觸控面板筆用書寫片可一表面滿足條件(A1)及(A2)，亦可兩表面滿足條件(A1)及(A2)。

實施形態A之觸控面板筆用書寫片可為單片狀之形態，亦可為將長條片捲繞成輥狀之輥狀形態。

以下，有將觸控面板筆用書寫片稱為「書寫片」之情形。又，以下，有將滿足條件(A1)及(A2)之表面稱為「書寫面」之情形。

<書寫面>

實施形態A之觸控面板筆用書寫片係至少一表面滿足條件(A1)及(A2)者。

於實施形態A中，條件(A1)與條件(A2)係使用不同之截止值。以下，對使用2種截止值(0.8mm、2.5mm)之原因進行說明。

截止值係表示從由粗糙度成分(高頻成分)與波紋成分(低頻成分)所構成之剖面曲線將波紋成分截止之程度的值。換言之，截止值係表示自剖面曲線將波紋成分(低頻成分)截止之濾波器之細度的值。若截止值較大，則濾波器較疏，因此波紋成分中較大之波紋成分被截止，但較小之波紋成分未被截止。另一方面，若截止值較小，則濾波器較密，因此波紋成分基本上被截止。即，若截止值較小，則對高頻成分之凹凸之影響變強，若截止值較大，則對低頻成分之凹凸之影響變強。

於JIS B0601中所參照之JIS B0633中，係根據算術平均粗糙度Ra之值 而使用特定之截止值(標準長度)。即，於JIS中，針對任意樣品，以使用單一之截止值為原則，而未假定使用多個截止值之情況。

本發明人等對與書寫片之書寫感之關係進行了努力研究。結果發現，筆尖之物性會嚴重影響書寫感。此處所謂筆尖之物性，係基於觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之硬度(楊氏模數E)、筆尖之直徑D及筆尖之粗糙度(筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa)，自上述式(i)算出之「X」。X會嚴重影響書寫感之情況可說明如下。

首先，楊氏模數E係表示筆尖因負載而變形之容易性的基本物性，且存在如下傾向：楊氏模數E越小，筆尖越容易因負載而變形。繼而，直徑D之平方係表示分散負載之程度，且存在如下傾向：直徑D之平方越小，越難以分散負載，而筆尖越容易因負載而變形。即，表示如下情況：「楊氏模數E×直徑D×直徑D」越小，筆尖越容易變形，而筆尖與書寫片越容易接觸。其次，筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa係表示筆尖接觸書寫片之程度。具體而言，Pa越大，筆尖與書寫片越成為點接觸，而筆尖與書寫片之接觸面積變得越少。因此，表示如下情況：自[楊氏模數E×直徑D×直徑D]÷Pa算出之「X」之值越小，筆尖與書寫片越容易密接，從而會對書寫感產生重大影響。

進而，本發明人等發現，於X值較小之情形時，於書寫時表現出以下之行為。

首先，於X值較小之情形時，於使筆接觸書寫片之階段及開始書寫之階段，筆尖以追隨於書寫片之表面形狀之方式進行變形，筆尖與書寫膜之接觸於微小區域中變緊密。因此，高頻成分之凹凸對開始書寫之階段之摩 擦阻力之影響變大。

繼而，於開始書寫以後之階段，藉由伴隨著書寫速度上升之移動，而會因膜之低頻成分之凹凸之幫助，筆尖與膜於微小區域之密接頻度降低，從而高頻成分之凹凸對摩擦阻力之影響降低，另一方面，凹凸量較大之低頻成分之凹凸對摩擦阻力之影響變大。

然後，本發明人等基於上述行為進一步進行研究，發現藉由使用2種截止值對表面形狀進行設計，可使開始書寫直至書寫結束之書寫感變得良好。再者，於書寫文字或描繪圖形時，大多停止書寫一瞬後再開始書寫(例如，於轉換書寫方向時，通常停止書寫一瞬；又，於移動書寫位置時亦會停止書寫一瞬)。本發明人等將此種剛再開始書寫後亦視為「開始書寫」。

條件(A1)係要求將截止值設為0.8mm時之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大谷深Rv_0.8滿足0.35≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.60。

條件(A1)之截止值為0.8mm。條件(A1)係表示高頻成分之凹凸，且主要會對開始書寫時之書寫感產生影響之參數。

條件(A1)之Rv_0.8/Rz_0.8係表示高頻成分之凹凸之谷之比例。筆尖密接於凹凸之山，另一方面，筆尖難以進入凹凸之谷中，因此谷抑制開始書寫時之筆尖之剝離力(摩擦阻力)。因此，藉由將Rv_0.8/Rz_0.8設為上述範圍內，開始書寫時之筆尖之剝離力(摩擦阻力)變得適當，而可使開始書寫時之書寫感變得良好。又，藉由將Rv_0.8/Rz_0.8設為上述範圍內，可容易使筆靜止於書寫片之表面。

另一方面，於Rv_0.8/Rz_0.8未達0.35之情形時，谷之比例過少，因此有被 卡住之感觸，而無法使開始書寫時之書寫感變得良好。又，於Rv_0.8/Rz_0.8超過0.60之情形時，谷之比例過多，因此有光滑之感觸，而無法使開始書寫時之書寫感變得良好，且難以使筆靜止。

條件(A1)較佳滿足0.37≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.55，更佳滿足0.40≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.50。

再者，算出條件(A1)之成為基準之Rv_0.8、Rz_0.8係設為對20個樣品各測量1次時之平均值。又，下述之S_2.5、Pp、Pv、Pa、Ra、透過清晰度及霧度亦設為對20個樣品各測量1次時之平均值。

條件(A2)係要求將截止值設為2.5mm時之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5滿足0.05mm≦S_2.5≦0.30mm。

條件(A2)之截止值係2.5mm。條件(A2)係表示低頻成分之凹凸，且主要會對開始書寫以後之書寫感產生影響之參數。

條件(A2)之S_2.5係表示低頻成分之局部山頂平均間隔。開始書寫以後，筆尖一面與局部山頂接觸一面進行移動。因此，S_2.5會對開始書寫以後之感觸產生影響。因此，藉由將S_2.5設為上述範圍內，開始書寫以後之摩擦阻力變得適當，而可使開始書寫以後之書寫感變得良好。

於S_2.5未達0.05mm之情形時，局部山頂過多，因此有被卡住之感觸，而無法使開始書寫以後之書寫感變得良好。又，於S_2.5超過0.30mm之情形時，與筆尖之接觸面積相比，局部山頂過少，而有光滑之感觸，而無法使開始書寫以後之書寫感變得良好。

條件(A2)較佳滿足0.05mm≦S_2.5≦0.25mm，更佳滿足0.05mm≦S_2.5≦0.15mm。再者，將S_2.5設為0.05mm以上亦關係到顯示元件之解像度降低 之抑制。尤其是於可抑制像素密度為300ppi以上之超高清顯示元件之解像度降低之方面較佳。

又，實施形態A之書寫片較佳於將單位測量區間設為1mm，將單位測量區間中之剖面曲線的山高最大值設為Pp，將單位測量區間中之剖面曲線的谷深最大值設為Pv，將Pp與Pv之和設為單位測量區間中之剖面曲線的最大剖面高度Pt，將5個測量區間之Pt的平均值設為Ptm時，書寫面之Ptm滿足下述條件(A3)。

0.01μm≦Ptm≦1.00μm (A3)

所謂單位測量區間中之剖面曲線的山高最大值Pp，係將位於單位測量區間之標高平均線之上的部分定義為山，表示最高之山之高度者。再者，Pp與JIS B0601：2001之粗糙度曲線之最大山高Rp係算出參數之基準於Pp為剖面曲線、Rp為粗糙度曲線之方面不同。

所謂單位測量區間中之剖面曲線的谷深最大值Pv，係將位於單位測量區間之標高平均線之下的部分定義為谷，表示最深之谷之深度者。再者，Pv與JIS B0601：2001之粗糙度曲線之最大谷深Rv係算出參數之基準於Pv為剖面曲線、Rv為粗糙度曲線之方面不同。

如上所述，高頻之凹凸對開始書寫時之書寫感之影響較大，低頻之凹凸對開始書寫以後之書寫感之影響較大。然而，將高頻之凹凸與低頻之凹凸累加在一起之凹凸亦會對開始書寫時之書寫感及開始書寫以後之書寫感產生若干影響。條件(A3)係表示將高頻之凹凸與低頻之凹凸累加在一起之凹凸(截止值0)之標高差不會過小且不會過大。因此，藉由將條件(A3)設為上述範圍，可使開始書寫直至書寫結束之書寫感變得更良 好。

條件(A3)更佳滿足0.10μm≦Ptm≦0.85μm，進而較佳滿足0.35μm≦Ptm≦0.75μm。

又，實施形態A之書寫片之書寫面較佳為將截止值設為0.8mm時之JIS B0601：2001之算術平均粗糙度Ra_0.8滿足下述條件(A4)。

0.01μm≦Ra_0.8≦0.50μm (A4)

藉由將Ra_0.8設為上述範圍，而可使書寫感變得更良好，並且可藉由書寫片抑制顯示元件之解像度降低。尤其是於可抑制像素密度為300ppi以上之超高清顯示元件之解像度降低之方面較佳。

條件(A4)更佳為0.03μm≦Ra_0.8≦0.30μm，進而較佳為0.05μm≦Ra_0.8≦0.15μm。

進而，實施形態A之書寫片較佳於將觸控面板筆(A)於以60度之角度接觸書寫面之狀態下進行固定，一面對該觸控面板筆(A)施加垂直負載100gf一面以14mm/秒之速度掃描單程40mm之長度，將此時作用於觸控面板筆(A)之掃描方向之動摩擦係數設為μk，將靜摩擦係數設為μs時，滿足0.30≦μk/μs≦0.58之關係。再者，於實施形態A中，動摩擦係數μk意指全部測量時間之動摩擦係數之平均值。靜摩擦係數係設為自摩擦力0開始隨著測量時間之經過，成為動摩擦係數以上之最初摩擦力之峰值。摩擦係數之測量間隔較佳設為0.02秒。

於書寫文字或描繪圖形時，大多停止書寫一瞬後再開始書寫(例如，於轉換書寫方向時，通常停止書寫一瞬。又，於移動書寫位置時亦會停止書寫一瞬)。於如上述般停止書寫一瞬後再開始書寫時，容易受到靜摩擦係 數與動摩擦係數之差之影響，但藉由將μk/μs設為上述範圍，而即便於停止書寫一瞬後再開始書寫時亦可實現所想像之書寫(例如，可將書寫方向轉換至預想之方向)。

為了滿足0.30≦μk/μs≦0.58之關係，較佳滿足上述條件(A1)及(A2)，更佳滿足上述條件(A1)~(A3)，進而較佳滿足上述條件(A1)~(A4)。

又，為了使上述效果變得更良好，μk/μs更佳滿足0.30≦μk/μs≦0.44之關係。

μk/μs係設為對20個樣品各測量1次而算出各樣品之μk/μs，將20個樣品之μk/μs進行平均而獲得之值。

再者，即便於將觸控面板筆於以60度以外之角度(例如30~75度範圍之任意角度)接觸書寫面之狀態下進行固定時，亦較佳為μk/μs為上述範圍。又，即便於將掃描之速度設為14mm/秒以外之速度(例如0.1~100mm/秒範圍之任意速度)時，亦較佳為μk/μs為上述範圍。

又，就不會過度光滑而獲得適度之阻力感之觀點而言，μk及μs較佳為以下之範圍。μk較佳為0.06~0.30，更佳為0.08~0.28。μs較佳為0.15~0.95，更佳為0.20~0.60。

圖7係對μk及μs之測量方法進行說明之概略圖。

圖7中，觸控面板筆200係以接觸書寫片10之狀態由保持器84固定。又，於保持器84之上部附帶有用以載置砝碼83之基座85。於基座85上載置砝碼83，藉由該砝碼而對觸控面板筆施加垂直負載。書寫片10係固定於可動台82上。

於測量摩擦係數時，於將觸控面板筆以上述方式固定之狀態下，將可動台82以特定速度向可動台與觸控面板筆所成之角之鈍角方向側(圖7之左側)進行掃描。

作為圖7所示之可測量之裝置，可列舉：新東科學公司製造之商品名HEIDON-14DR。

觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數E可根據向拉伸試驗機之壓縮方向之變異及負載特性而算出。具體而言，可如圖5般，將利用夾具300自兩側固定距筆尖10cm之部位後之軸長設為L，將經由夾具300向筆軸方向施加5gf之垂直負載時之變形量與施加100gf之垂直負載時之變形量的差ΔL定義為位移，將負載差95gf設為ΔF，從自筆尖之直徑求出之剖面積S藉由下述式(ii)算出。壓抵觸控面板筆200之對象係設為厚度3mm以上之不鏽鋼製板400。再者，於壓抵筆時筆不穩定之情形時，只要於板之表面設置用以使筆穩定之凹部，並使筆接觸該凹部之位置即可。

關於測量楊氏模數E時之環境，溫度係設為23℃±5℃，濕度係設為50%±10%。又，於楊氏模數E之測量開始前，將觸控面板筆放置於23℃±5℃、濕度50%±10%之環境中10分鐘以上。

σ(應力)=ΔF/S

ε(應變)=ΔL/L

E=σ/ε (ii)

筆尖之直徑D係以自垂直於筆軸之方向側拍攝觸控面板筆而獲得之照片為基準而算出。圖6係用虛線表示自垂直於筆軸之方向側拍 攝觸控面板筆時之觸控面板筆之外形者。如圖6(a)所示般，針對該照片，將通過該照片之頂點且未自該照片伸出之圓重疊時，將成為最大之圓之直徑設為筆尖之直徑D。但是，若如圖6(b)所示般，該照片具有斜面，且該斜面與筆軸所成之角度為40~90度，則亦可伸出該斜面而重疊該圓。

筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度Pa可藉由如下方式算出：利用數位顯微鏡對筆尖之形狀進行拍攝，將拍攝所得之筆尖之輪廓模擬為剖面曲線，於剖面曲線之平均線之方向僅抽出單位測量區間(0.5mm)之長度L，將該抽出部分之平均線直至測量曲線之偏差之絕對值進行合計並進行平均。具體而言，Pa可自以下之式(iii)算出。於筆尖具有曲率之情形時，只要將曲面修正為直線後算出Pa即可。再者，單位測量區間(0.5mm)之中間點較佳為與筆尖之中心一致。

作為數位顯微鏡，例如可使用其恩斯公司之商品名VHX-5000等。

再者，Pa與JIS B0601：2001之算術平均粗糙度Ra係算出參數之基準於Pa為剖面曲線，Ra為粗糙度曲線之方面不同。

又，實施形態A之書寫片較佳於將依據JIS K7374：2007所測得之圖像解析度測量器之光頻梳之寬度為0.125mm、0.5mm、1.0mm及2.0mm之透過圖像清晰度設為C_0.125、C_0.5、C_1.0及C_2.0時，C_0.125、C_0.5、C_1.0及C_2.0之總和C_s為250%以上，更佳為270%以上，進而較佳為280%以上。

藉由將C_s設為2.50%以上，而可藉由書寫片抑制顯示元件之解像度降 低。尤其是於可抑制像素密度為300ppi以上之超高清顯示元件之解像度降低之方面較佳。C_s之上限並無特別限定，為399%左右。

又，實施形態A之書寫片較佳為JIS K7136：2000之霧度未達5.0%，更佳為3.0%以下，進而較佳為1.0%以下。

藉由將霧度設為5.0%以下，而可藉由書寫片抑制顯示元件之解像度降低。尤其是於可抑制像素密度為300ppi以上之超高清顯示元件之解像度降低之方面較佳。霧度之下限並無特別限定，較佳為0.1%以上，更佳為0.2%以上。

再者，於對透過圖像清晰度及霧度進行測量時，將光自書寫片之與書寫面相反側之表面入射。於書寫片之兩面滿足上述條件(A1)及(A2)之情形時，光入射面可為任一面。

<書寫片整體之構成>

實施形態A之觸控面板筆用書寫片只要至少一表面滿足條件(A1)及(A2)，則其構成並無特別限定。

例如，作為實施形態A之觸控面板筆用書寫片10之構成，可列舉：如圖1及圖2般具有樹脂層2，且該樹脂層2之一表面滿足條件(A1)及(A2)者。

再者，雖未圖示，但亦可具有樹脂層或塑膠膜以外之其他層，且該其他層之表面滿足條件(A1)及(A2)。作為其他層，可列舉：抗靜電層、防污層等。又，雖未圖示，但樹脂層亦可由2層以上構成。

滿足條件(A1)及(A2)之表面(書寫面)可藉由(a)壓紋、噴砂、蝕刻等物理或化學處理、(b)利用模具之成型、(c)塗佈等而形 成。該等方法中，就表面形狀之再現性之觀點而言，較佳為(b)之利用模具之成型，就生產性及對應多品種之觀點而言，較佳為(c)之塗佈。

利用模具之成型可藉由製作由與滿足條件(A1)及(A2)之形狀互補之形狀所構成之模具，使形成樹脂層之材料流入至該模具中，然後自模具取出而形成。此處，若使用構成樹脂層之材料作為該材料，使該材料流入至模具中後重疊塑膠膜，並將樹脂層連同塑膠膜一起自模具取出，則可獲得於塑膠膜上具有樹脂層，且該樹脂層之表面滿足條件(A1)及(A2)之觸控面板筆用書寫片。又，不使用塑膠膜而直接自模具取出樹脂層，或者使用塑膠膜自模具取出樹脂層後剝離塑膠膜，藉此可獲得由樹脂層單層所構成，且該樹脂層之表面滿足條件(A1)及(A2)之觸控面板筆用書寫片。

於使用硬化性樹脂組成物(熱硬化性樹脂組成物或游離輻射硬化性樹脂組成物)作為流入至模具中之材料之情形時，較佳於自模具取出前使硬化性樹脂組成物硬化。

關於利用塗佈之樹脂層之形成，可藉由將含有樹脂成分、粒子及溶劑而成之樹脂層形成塗佈液利用凹版塗佈、棒式塗佈等公知之塗佈方法塗佈於塑膠膜上，並進行乾燥、硬化而形成。

為了使藉由塗佈而形成之樹脂層之表面形狀滿足上述條件，較佳為形成將膜厚、粒子之含量及粒子之平均粒徑設為下述範圍之第一樹脂層，且於該第一樹脂層上形成第二樹脂層。

第一樹脂層之膜厚較佳為1.5~10μm，更佳為2~8μm，進而較佳為4~7μm。第一樹脂層及下述之第二樹脂層之膜厚例如可根據 使用穿透式電子顯微鏡(TEM)或掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)所拍攝到之剖面之圖像測量20處之厚度，並根據20處之值之平均值而算出。TEM或STEM之加速電壓較佳設為10~30kV，倍率較佳設為5萬~30萬倍。

第一樹脂層之粒子可使用有機粒子及無機粒子中之任一者。作為有機粒子，可列舉：由聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸-苯乙烯共聚物、三聚氰胺樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、苯胍胺-三聚氰胺-甲醛縮合物、聚矽氧、氟系樹脂及聚酯系樹脂等所構成之粒子。作為無機粒子，可列舉：由二氧化矽、氧化鋁、銻、氧化鋯及二氧化鈦等所構成之粒子。該等粒子中，就分散控制之容易性的觀點而言，較佳為有機粒子。

第一樹脂層中之粒子之含量較佳為形成樹脂層之全部固形物成分中之0.1~15質量%，更佳為0.2~12質量%，進而較佳為0.3~10質量%。

第一樹脂層中之粒子之平均粒徑較佳為0.2~8.0μm，更佳為0.3~7.0μm，進而較佳為0.5~5.0μm。於粒子凝集之情形時，較佳為凝集粒子之平均粒徑滿足上述範圍。粒子之平均粒徑可藉由以下之(1)~(3)之作業而算出。

(1)利用光學顯微鏡對書寫片拍攝透過觀察圖像。倍率較佳為500~2000倍。

(2)自觀察圖像挑選任意10個粒子，算出各粒子之粒徑。粒徑係以於用任意平行之2條直線夾住粒子之剖面時，該2條直線間距離成為最大之2條直線之組合中的直線間距離之方式進行測量。

(3)針對同一樣品之另一畫面之觀察圖像，進行相同之作業5次，將根據合計50個量之粒徑之數量平均獲得之值設為第一樹脂層中之粒子之平 均粒徑。

關於下述之第二樹脂層之粒子之平均粒徑，首先利用TEM或STEM對書寫片之剖面進行拍攝。拍攝後，進行與上述(2)及(3)相同之方法，藉此可算出第二樹脂層之粒子之平均粒徑。TEM或STEM之加速電壓較佳設為10kv~30kV，倍率較佳設為5萬~30萬倍。

第二樹脂層係使第一樹脂層之凹凸平滑之層。因此，第二樹脂層較佳為不含有平均粒徑0.2μm以上之粒子。

第二樹脂層之膜厚較佳為0.01~0.15μm，更佳為0.05~0.10μm。

於第二樹脂層含有粒子之情形時，該粒子之平均粒徑較佳為未達0.2μm，更佳為0.01~0.2μm。

第二樹脂層之粒子可使用與作為第一樹脂層之粒子所例示之有機粒子、無機粒子相同者。該等中，就降低反射率之觀點而言，較佳為中空粒子，更佳為中空二氧化矽。

第二樹脂層中之粒子之含量較佳為形成第二樹脂層之全部固形物成分中之20~60質量%，更佳為30~50質量%。

第一樹脂層及第二樹脂層之樹脂成分較佳包含熱硬化性樹脂組成物或游離輻射硬化性樹脂組成物之硬化物，就使機械強度變得更良好之觀點而言，更佳為包含游離輻射硬化性樹脂組成物之硬化物，其中，進而較佳包含紫外線硬化性樹脂組成物之硬化物。

熱硬化性樹脂組成物係至少包含熱硬化性樹脂之組成物，且係藉由加熱而硬化之樹脂組成物。

作為熱硬化性樹脂，可列舉：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、酚系 樹脂、脲三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、矽酮樹脂等。於熱硬化性樹脂組成物中，視需要向該等硬化性樹脂添加硬化劑。

游離輻射硬化性樹脂組成物係包含具有游離輻射硬化性官能基之化合物(以下，亦稱為「游離輻射硬化性化合物」)之組成物。作為游離輻射硬化性官能基，可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等乙烯性不飽和鍵結基及環氧基、氧雜環丁基等。作為游離輻射硬化性化合物，較佳為具有乙烯性不飽和鍵結基之化合物，更佳為具有2個以上之乙烯性不飽和鍵結基之化合物，其中，進而較佳為具有2個以上之乙烯性不飽和鍵結基之多官能性(甲基)丙烯酸酯系化合物。作為多官能性(甲基)丙烯酸酯系化合物，單體及低聚物均可使用。

再者，所謂游離輻射，意指電磁波或帶電粒子束中具有可使分子聚合或交聯之能量量子者，通常可使用紫外線(UV)或電子束(EB)，此外，亦可使用X射線、γ射線等電磁波；α射線、離子束等帶電粒子束。

多官能性(甲基)丙烯酸酯系化合物中，作為雙官能(甲基)丙烯酸酯系單體，可列舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A四乙氧基二丙烯酸酯、雙酚A四丙氧基二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等。

作為3官能以上之(甲基)丙烯酸酯系單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸改質三(甲基)丙烯酸酯等。

又，上述(甲基)丙烯酸酯系單體亦可為將分子骨架之一部分改質者，亦可使用經環氧乙烷、環氧丙烷、己內酯、異三聚氰酸、烷基、環狀烷基、 芳香族、雙酚等改質而成者。

又，作為多官能性(甲基)丙烯酸酯系低聚物，可列舉：胺酯(甲基)丙烯酸酯(urethane(meth)acrylate)、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸酯系聚合物等。

胺酯(甲基)丙烯酸酯例如可藉由多元醇及有機二異氰酸酯與羥基(甲基)丙烯酸酯之反應而獲得。

又，較佳之環氧(甲基)丙烯酸酯係使3官能以上之芳香族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等與(甲基)丙烯酸進行反應而獲得之(甲基)丙烯酸酯；使雙官能以上之芳香族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等與多元酸及(甲基)丙烯酸進行反應而獲得之(甲基)丙烯酸酯；及使雙官能以上之芳香族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等與酚類及(甲基)丙烯酸進行反應而獲得之(甲基)丙烯酸酯。

上述游離輻射硬化性化合物可單獨使用1種，或組合2種以上使用。

於游離輻射硬化性化合物為紫外線硬化性化合物之情形時，游離輻射硬化性組成物較佳包含光聚合起始劑或光聚合促進劑等添加劑。

作為光聚合起始劑，可列舉：選自苯乙酮、二苯甲酮、α-羥基烷基苯酮、米其勒酮、安息香、苯偶醯二甲基縮酮、苯甲醯基苯甲酸酯、α-醯基肟酯、9-氧硫

類等中之1種以上。

該等光聚合起始劑較佳為熔點為100℃以上。藉由將光聚合起始劑之熔點設為100℃以上，而於書寫片之製造過程、或觸控面板之透明導電膜之形成過程中所殘留之光聚合起始劑昇華，而可防止製造裝置或透明導電膜之 污染。

又，光聚合促進劑係可減輕硬化時之由空氣引起之聚合抑制而使硬化速度加快者，例如可列舉：選自對二甲胺基苯基苯甲酸異戊酯、對二甲胺基苯甲酸乙酯等中之1種以上。

塑膠膜可由聚酯、三乙醯纖維素(TAC)、二乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚碸、聚碸、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚胺基甲酸酯及非晶質烯烴(Cyclo-Olefin-Polymer：COP)等樹脂形成。

該等塑膠膜中，就機械強度或尺寸穩定性之觀點而言，較佳為經延伸加工、尤其是雙軸延伸加工之聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN))。

塑膠膜之厚度較佳為5~200μm，更佳為10~150μm。

關於樹脂層，就變得容易滿足條件(A1)及(A2)之觀點而言，較佳為含有氟系整平劑、聚矽氧系整平劑、氟聚矽氧共聚物系整平劑等整平劑之一種或兩種以上。

又，關於整平劑之含量，就變得容易形成滿足條件(A1)及(A2)之表面的觀點而言，較佳為樹脂層之全部固形物成分之0.01~5質量%，更佳為0.1~3質量%。

作為樹脂層塗佈液之溶劑，只要為通常所使用之有機溶劑，則無問題，該等溶劑中，較佳為酮系之溶劑，更佳為甲基乙基酮與甲基異丁基酮之混合溶劑。於樹脂層由兩層以上構成之情形時，較佳使用酮系溶劑作為最表面之樹脂層塗佈液之溶劑。酮系溶劑由於容易兼顧表面之平滑 化與和底層之密接性，故而於容易形成滿足條件(A1)及(A2)之表面的方面較佳。

實施形態A之書寫片藉由用作自上述式(i)導出之X為500MN/m以下之觸控面板筆(觸控面板筆(A))用書寫片，可使書寫感變得良好。

於使用實施形態A之書寫片作為自上述式(i)導出之X為100MN/m以下之觸控面板筆用書寫片之情形時，可使書寫感變得更良好，於使用實施形態A之書寫片作為自上述式(i)導出之X為0.1MN/m以上且50MN/m以下之觸控面板筆用書寫片之情形時，可使書寫感進一步變良好。

觸控面板筆(A)之楊氏模數E、直徑D及算術平均高度Pa之各值只要滿足上述式(i)，則無特別限定，但較佳為大致以下之範圍。

楊氏模數E較佳為0.001~2.5GPa(1.0×10⁶~2.5×10⁹N/m²)，更佳為0.002~1.7GPa(2.0×10⁶~1.7×10⁹N/m²)。直徑D較佳為0.3~6.0mm，更佳為0.5~2.0mm。算術平均高度Pa較佳為0.01~150μm，更佳為1.0~120μm。

又，觸控面板筆(A)之筆尖之曲率半徑並無特別限定，於曲率半徑為0.3~1.5mm之情形時，更容易發揮效果，於曲率半徑為0.5~0.8mm之情形時，容易進一步發揮效果。

[觸控面板]

實施形態A之觸控面板係表面具有片之觸控面板，以作為該片之實施形態A之觸控面板筆用書寫片滿足條件(A1)及(A2)之側的面配置成朝向觸控面板之表面而成。

作為觸控面板，可列舉：電阻膜式觸控面板、靜電電容式觸控面板、內嵌式觸控面板、光學式觸控面板、超音波式觸控面板及電磁感應式觸控面板等。

電阻膜式觸控面板100係如圖3所示般，將以使具有導電膜30之上下一對透明基板20之導電膜30彼此對向之方式隔著間隔片40進行配置而成之構成設為基本構成，並將未圖示之電路連接於該基本構成而成者。

於電阻膜式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：使用實施形態A之書寫片10作為上部透明基板20，且以該書寫片10之滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向觸控面板100之表面的方式使用。又，雖未圖示，但電阻膜式觸控面板亦可為如下構成：於上部透明基板上將實施形態A之書寫片以滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向表面之方式貼合；或者於上部透明基板上將實施形態A之書寫片以滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向表面之方式進行載置，並利用框架等固定。

靜電電容式觸控面板可列舉表面型及投影型等，大多使用投影型。投影型之靜電電容式觸控面板係將電路連接於基本構成而成者，該基本構成係將X軸電極，及與該X軸電極正交之Y軸電極隔著絕緣體進行配置而成。若更具體地說明該基本構成，則可列舉：於1片透明基板上之不同面形成X軸電極及Y軸電極之態樣；於透明基板上依序形成X軸電極、絕緣體層、Y軸電極之態樣；如圖4所示般於透明基板20上形成X軸電極50，於另一透明基板20上形成Y軸電極60，經由接著劑層等絕緣體層70進行積層之態樣等。又，可列舉於該等基本態樣中進而積層另一透明基板 之態樣。

於靜電電容式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：使用實施形態A之書寫片10作為表面側之透明基板20，且以該書寫片10之滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向觸控面板100之表面的方式使用。又，雖未圖示，但靜電電容式觸控面板亦可為如下構成：於表面側之透明基板上將實施形態A之書寫片以滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向表面之方式貼合；或者於表面側之透明基板上將實施形態A之書寫片以滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向表面之方式進行載置，並利用框架等固定。

電磁感應式觸控面板係使用產生磁場之專用筆之觸控面板。電磁感應式觸控面板至少具有檢測自筆產生之電磁能量之感測器部，進而於感測器部上具有透明基板。該透明基板亦可為多層構成。

於電磁感應式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：使用實施形態A之書寫片作為位於感測器部上之透明基板中最表面之透明基板，且以該書寫片之滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向觸控面板之表面的方式使用。或者，於電磁感應式觸控面板之情形時，亦可為如下構成：於位於感測器部上之透明基板中最表面之透明基板上，將實施形態A之書寫片以滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向表面之方式貼合；或者於該最表面之透明基板上，將實施形態A之書寫片以滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向表面之方式進行載置，並利用框架等固定。

內嵌式觸控面板係於在2片玻璃基板間夾持液晶而成之液晶元件之內部嵌入有電阻膜式、靜電電容式、光學式等觸控面板功能者。

於內嵌式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：將實施形態A之 書寫片以滿足條件(A1)及(A2)之側的面朝向表面之方式貼合於表面側之玻璃基板而使用。再者，亦可於表面側之玻璃基板與實施形態A之書寫片之間具有偏光板等其他層。

[顯示裝置]

實施形態A之顯示裝置係具有觸控面板之顯示裝置，且該觸控面板為實施形態A之觸控面板。

作為顯示元件，可列舉：液晶顯示元件、EL顯示元件、電漿顯示元件、電子紙元件、內嵌式觸控面板液晶顯示元件等。於顯示元件為液晶顯示元件、EL顯示元件、電漿顯示元件、電子紙元件之情形時，於該等顯示元件上載置實施形態A之觸控面板。

實施形態A之顯示裝置由於不會過度損害表面而使書寫感變良好，故而可抑制損害顯示元件之解像度之情況。尤其是於可抑制像素密度為300ppi以上之超高清顯示元件之解像度降低之方面較佳。

[觸控面板筆用書寫片之揀選方法]

關於實施形態A之觸控面板筆用書寫片之揀選方法，係揀選具有截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大谷深Rv_0.8，以及截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5滿足下述條件(A1)及(A2)之表面的片作為下述之觸控面板筆(A)用書寫片。

0.35≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.60 (A1)

0.05mm≦S_2.5≦0.30mm (A2)

<觸控面板筆(A)>

該觸控面板筆係於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X為500MN/m以下。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

關於實施形態A之觸控面板筆用書寫片之揀選方法，即便不進行觸控面板筆之書寫試驗，亦可揀選上述式(i)之X為500MN/m以下之觸控面板筆(觸控面板筆(A))之書寫感良好之書寫片，而可高效率地進行書寫片之製品設計、品質管理。。

揀選觸控面板筆用書寫片之判定條件係將上述(A1)及(A2)設為必須條件。條件(A1)及(A2)之判定條件較佳為上述實施形態A之書寫片之較佳之數值範圍。例如條件(A1)之判定條件較佳為0.37≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.58。

關於實施形態A之觸控面板筆用書寫片之揀選方法，就使書寫感變得更良好之觀點及抑制顯示元件之解像度降低之觀點而言，更佳為將以下所列舉之條件(A3)~(A6)之一項以上設為判定條件，進而較佳為將(A3)~(A6)全部設為判定條件。

0.01μm≦Ptm≦1.00μm (A3)

0.01μm≦Ra_0.8≦0.50μm (A4)

C_s為250%以上 (A5)

霧度未達5.0% (A6)

條件(A3)~(A6)之判定條件較佳為上述實施形態A之書寫片之較 佳之數值範圍。

<實施形態B>

[觸控面板筆用書寫片]

實施形態B之觸控面板筆用書寫片係下述之觸控面板筆(B)用書寫片，該書寫片係具有截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大山高Rp_0.8，以及測量區間1mm中之剖面曲線的偏斜度Psk滿足下述條件(B1)及(B2)之表面，且該書寫片之JIS K7136：2000之霧度滿足下述條件(B3)者。

0.50<Rp_0.8/Rz_0.8≦0.75 (B1)

0.60≦Psk (B2)

霧度未達5.0% (B3)

<觸控面板筆(B)>

該觸控面板筆係於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X超過500MN/m。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

再者，楊氏模數E之單位為「N/m²」，筆尖之直徑D之單位為「m」，算術平均高度Pa之單位為「m」。又，「M」係意指「mega(10⁶)」。

圖1係表示實施形態B之觸控面板筆用書寫片10一實施形態之剖面圖。圖1之觸控面板筆用書寫片10係於塑膠膜1之一面具有樹脂層2。圖2之觸控面板筆用書寫片10係成為樹脂層2之單層構造。

實施形態B之觸控面板筆用書寫片可一表面滿足條件(B1)及(B2)，亦可兩表面滿足條件(B1)及(B2)。

實施形態B之觸控面板筆用書寫片可為單片狀之形態，亦可為將長條片捲繞成輥狀之輥狀形態。

以下，有將觸控面板筆用書寫片稱為「書寫片」之情形。又，以下，有將滿足條件(B1)及(B2)之表面稱為「書寫面」之情形。

<書寫面>

實施形態B之觸控面板筆用書寫片係至少一表面滿足條件(B1)及(B2)者。

實施形態B中，條件(B1)係使用截止值0.8mm之粗糙度參數，另一方面，條件(B2)係使用剖面參數。以下，對該理由進行說明。

截止值係表示自由粗糙度成分(高頻成分)與波紋成分(低頻成分)所構成之剖面曲線將波紋成分截止之程度的值。換言之，截止值係表示自剖面曲線將波紋成分(低頻成分)截止之濾波器之細度的值。若截止值較大，則濾波器較疏，因此波紋成分中較大之波紋成分被截止，但較小之波紋成分未被截止。另一方面，若截止值較小，則濾波器較密，因此波紋成分基本上被截止。即，截止值較小之粗糙度參數係對高頻成分之凹凸之影響較強，截止值較大之粗糙度參數係對低頻成分之凹凸之影響變強。如條件(B1)之截止值0.8mm之粗糙度參數係表示高頻成分(微小區域)之凹凸。

另一方面，剖面參數係包含粗糙度成分(高頻成分)及波紋成分(低頻成分)兩者之凹凸，且表示較大區域之凹凸。

本發明人等對與書寫片之書寫感之關係進行了努力研究。結果發現，筆尖之物性會嚴重影響書寫感。此處所謂筆尖之物性，係基於觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之硬度(楊氏模數E)、筆尖之直徑D及筆尖之粗糙度(筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa)，自上述式(i)算出之「X」。X會嚴重影響書寫感之情況可以下述方式進行說明。

首先，楊氏模數E係表示筆尖因負載而變形之容易性的基本物性，且存在如下傾向：楊氏模數E越小，筆尖越容易因負載而變形。繼而，直徑D之平方係表示分散負載之程度，且存在如下傾向：直徑D之平方越小，越難以分散負載，而筆尖越容易因負載而變形。即，表示如下情況：「楊氏模數E×直徑D×直徑D」越小，筆尖越容易變形，而筆尖與書寫片越容易接觸。繼而，筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa係表示筆尖接觸書寫片之程度。具體而言，Pa越大，筆尖與書寫片越會變得點接觸，而筆尖與書寫片之接觸面積變得越少。因此，表示如下情況：自[楊氏模數E×直徑D×直徑D]÷Pa算出之「X」之值越小，筆尖與書寫片越容易密接，而會對書寫感產生重大影響。

進而，本發明人等對X值與書寫感之關係進行了努力研究。其結果發現了以下之(a)、(b)。

(a)於使筆接觸書寫片之階段中筆尖接地於書寫片之表面。於X值較大之情形時，筆尖難以密接於書寫片之表面，因此認為當筆尖越過高頻成分(微小區域)之凸部時會觸發書寫開始。因此，微小區域之凹凸(截止值0.8mm之粗糙度參數)對開始書寫時之書寫感之影響變大。

(b)於開始書寫以後之階段中，筆尖沿著較大區域之凹凸表面進行移 動。因此，較大區域之凹凸對開始書寫以後之書寫感之影響變大。

如上所述，於X值較大之情形時，微小區域之凹凸(截止值0.8mm之粗糙度參數)對開始書寫時之書寫感之影響變大。另一方面，較大區域之凹凸(剖面參數)對開始書寫以後之書寫感之影響變大。因此，於實施形態B中，條件(B1)係使用截止值0.8mm之粗糙度參數，另一方面，條件(B2)係使用剖面參數。

再者，於書寫文字或描繪圖形時，大多停止書寫一瞬後再開始書寫(例如，於轉換書寫方向時，通常停止書寫一瞬。又，於移動書寫位置時亦會停止書寫一瞬)。本發明人等將此種剛再開始書寫後亦視為「開始書寫」。

條件(B1)係要求截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8，及截止值0.8mm之JIS B0601：2001之粗糙度曲線之最大山高Rp_0.8滿足0.50<Rp_0.8/Rz_0.8≦0.75。

條件(B1)之截止值為0.8mm。條件(B1)係表示高頻成分之凹凸，且主要會對開始書寫時之書寫感產生影響之參數。

條件(B1)之Rp_0.8/Rz_0.8係表示Rz(山高最大值與谷深最大值之和)中之Rp(山高之最大值)之比例。如上所述，於使筆接觸書寫片之階段中筆尖接地於書寫片之表面。於X值較大之情形時，筆尖難以密接於書寫片之表面，因此當筆尖越過高頻成分(微小區域)之凸部時會觸發書寫開始。因此，Rp_0.8/Rz_0.8會對開始書寫時之書寫感產生重大影響。

於實施形態B中，藉由將Rp_0.8/Rz_0.8設為上述範圍內，而開始書寫時之筆尖之摩擦阻力變得適當，而可使開始書寫時之書寫感變得良好。又，藉由將Rp_0.8/Rz_0.8設為上述範圍內，可容易於書寫片之表面使筆靜止。

另一方面，於Rp_0.8/Rz_0.8為0.50以下之情形時，山之比例過少，因此摩擦阻力較小而成為光滑之感觸，而無法使開始書寫時之書寫感變得良好。再者，於Rp_0.8/Rz_0.8為0.50以下之情形時，難以於書寫結束時使筆靜止。又，於Rp_0.8/Rz_0.8超過0.75之情形時，山之比例過多，因此被卡住感變強，而無法使開始書寫時之書寫感變得良好。

條件(B1)較佳滿足0.53≦Rp_0.8/Rz_0.8≦0.70，更佳滿足0.58≦Rp_0.8/Rz_0.8≦0.65。

再者，算出條件(B1)之成為基準之Rp_0.8、Rz_0.8係設為對20個樣品各測量1次時之平均值。又，下述之Psk、Ptm、S_2.5及Ra_0.8、透過清晰度及霧度亦設為對20個樣品各測量1次時之平均值。

條件(B2)係要求測量區間1mm中之剖面曲線的偏斜度Psk為0.60以上。Psk係包含粗糙度成分(高頻成分)及波紋成分(低頻成分)兩者之剖面形狀之參數，且表示較大區域之凹凸。

Psk係關於凹凸之概率密度之參數。若未滿足條件(B2)，則表示如下情況：若Psk較小，則於較大區域之凹凸中凸部之比例較高。於較大區域之凹凸中凸部之比例較高之情形時，筆尖未沿著凹凸前進，而變得以連接凸部之頂點之方式移動，而摩擦阻力降低。因此，於未滿足條件(B2)之情形時，開始書寫以後之摩擦阻力降低而成為光滑之感觸。

另一方面，若滿足條件(B2)且Psk較大，則表示於較大區域之凹凸中凹部之比例較高。於該情形時，由於筆尖沿著較大區域之凹凸前進，故而被賦予適度之摩擦阻力。

Psk係將JIS B0601：2001之粗糙度曲線之偏斜度Rsk應用於剖面曲線 而獲得者，且可藉由與Rsk相同之式算出。

再者，不使用將條件(B1)之Rp_0.8/Rz_0.8應用於剖面曲線而獲得之參數作為條件(B2)之剖面參數的原因在於：關於剖面參數，由於區域較大，故而若為如Rp_0.8/Rz_0.8之使用區域內最大值之參數，則每個測量區域之誤差過大，而作為參數之可靠性變低。

條件(B2)較佳滿足0.80≦Psk，更佳滿足0.90≦Psk。

再者，於Psk過大之情形時，存在防眩性變差之傾向，因此Psk較佳為5.00以下，更佳為3.00以下，進而較佳為2.00以下。

<霧度>

實施形態B之觸控面板筆用書寫片係JIS K7136：2000之霧度滿足下述條件(B3)者。

霧度為5.0%以上 (B3)

藉由滿足條件(B3)，且滿足上述條件(B1)及(B2)，可使防眩性及書寫感變得良好。

霧度較佳為10.0%以上，更佳為15.0%以上。再者，若霧度過高，則顯示元件之解像度大幅降低。因此，霧度較佳為40.0%以下，更佳為30.0%以下。

於對霧度及下述之透過圖像清晰度進行測量時，將光自書寫片之與書寫面相反側之表面入射。於書寫片之兩面滿足上述條件(B1)及(B2)之情形時，光入射面可為任一面。

又，實施形態B之書寫片較佳於將單位測量區間設為1mm，將單位測量區間中之剖面曲線的山高最大值設為Pp，將單位測量區間 中之剖面曲線的谷深最大值設為Pv，將Pp與Pv之和設為單位測量區間中之剖面曲線的最大剖面高度Pt，將5個測量區間之Pt的平均值設為Ptm時，書寫面之Ptm滿足下述條件(B4)。

0.30μm≦Ptm≦7.00μm (B4)

再者，所謂單位測量區間中之剖面曲線的山高最大值Pp，係將位於單位測量區間之標高平均線之上的部分定義為山，表示最高之山之高度者。又，所謂單位測量區間中之剖面曲線的谷深最大值Pv，係將位於單位測量區間之標高平均線之下的部分定義為谷，表示最深之谷之深度者。

如上所述，較大區域之凹凸對開始書寫以後之書寫感之影響較大。條件(B4)表示於較大區域之凹凸中，標高差不會過小且不會過大。因此，藉由將條件(B4)設為上述範圍，可使開始書寫直至書寫結束之書寫感變得更良好。

條件(B4)更佳滿足0.50μm≦Ptm≦5.00μm，進而較佳滿足1.00μm≦Ptm≦4.00μm。

又，實施形態B之書寫片較佳於將截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔設為S_2.5時，書寫面之S_2.5滿足下述條件(B5)。

0.02mm≦S_2.5≦0.20mm (B5)

條件(B5)之截止值為2.5mm。條件(B5)係表示低頻成分之凹凸，且主要會對開始書寫以後之書寫感產生影響之參數。藉由滿足條件(B5)，而開始書寫以後之摩擦阻力變得適當，而可使開始書寫以後之書寫感變得更良好。

條件(B5)更佳滿足0.02mm≦S_2.5≦0.15mm，進而較佳滿足0.03mm≦S_2.5≦0.15mm。

再者，若將S_2.5設為0.20mm以下，則於提高防眩性之方面上亦較佳。

又，實施形態B之書寫片之書寫面較佳為截止值0.8mm之JIS B0601：2001之算術平均粗糙度Ra_0.8滿足下述條件(B6)。

0.10μm≦Ra_0.8≦0.25μm (B6)

藉由將Ra_0.8設為上述範圍，可使書寫感變得更良好。又，藉由將Ra_0.8設為0.10μm以上，可容易使防眩性變良好。又，藉由將Ra_0.8設為0.25μm以下，而可藉由書寫片抑制顯示元件之解像度大幅降低。

條件(B6)更佳為0.10μm≦Ra_0.8≦0.20μm，進而較佳為0.13μm≦Ra_0.8≦0.17μm。

又，實施形態B之書寫片之書寫面較佳為截止值0.8mm之JIS B0601：2001之十點平均粗糙度Rz_JIS0.8滿足下述條件(B7)。

0.50μm≦Rz_JIS0.8≦1.50μm (B7)

藉由將Rz_JIS0.8設為上述範圍，可使書寫感變得更良好。又，藉由將Rz_JIS0.8設為0.50μm以上，可容易使防眩性變良好。又，藉由將Rz_JIS0.8設為1.50μm以下，可一面賦予一面藉由書寫片抑制顯示元件之解像度大幅降低。尤其是於可抑制像素密度為300ppi以上之超高清顯示元件之解像度降低之方面較佳。

條件(B7)更佳為0.50μm≦Rz_JIS0.8≦1.25μm，進而較佳為0.60μm≦Rz_JIS0.8≦1.00μm。

進而，實施形態B之書寫片較佳於將觸控面板筆(B)於以 60度之角度接觸書寫面之狀態下進行固定，一面對該觸控面板筆(B)施加垂直負載100gf一面以14mm/秒之速度掃描單程40mm之長度，將此時作用於觸控面板筆(B)之掃描方向之動摩擦係數設為μk，將靜摩擦係數設為μs時，滿足0.30≦μk/μs≦0.58之關係。再者，於實施形態B中，動摩擦係數μk意指全部測量時間之動摩擦係數之平均值。靜摩擦係數係設為自摩擦力0開始隨著測量時間之經過，成為動摩擦係數以上之最初之摩擦力之峰值。摩擦係數之測量間隔較佳設為0.02秒。

於書寫文字或描繪圖形時，大多停止書寫一瞬後再開始書寫(例如，於轉換書寫方向時，通常停止書寫一瞬。又，於移動書寫位置時亦會停止書寫一瞬)。於如上述般停止書寫一瞬後再開始書寫時，容易受到靜摩擦係數與動摩擦係數之差之影響，但藉由將μk/μs設為上述範圍，即便於停止書寫一瞬後再開始書寫時亦可實現所想像之書寫(例如，可將書寫方向轉換至想要之方向)。

為了滿足0.30≦μk/μs≦0.58之關係，較佳滿足上述條件(B1)及(B2)，除上述條件(B1)及(B2)外，更佳滿足條件(B4)~(B7)之一項以上，進而較佳滿足上述條件(B1)、(B2)、(B4)~(B7)全部。

又，為了使上述效果變得更良好，μk/μs更佳滿足0.30≦μk/μs≦0.44之關係。

μk/μs係設為對20個樣品各測量1次而算出各樣品之μk/μs，將20個樣品之μk/μs進行平均而獲得之值。

再者，即便於將觸控面板筆於以60度以外之角度(例如30~75度範圍之任意角度)接觸書寫面之狀態下進行固定時，亦較佳為μk /μs為上述範圍。又，即便於將掃描之速度設為14mm/秒以外之速度(例如0.1~100mm/秒範圍之任意速度)時，亦較佳為μk/μs為上述範圍。

又，就不會過度光滑而獲得適度之阻力感之觀點而言，μk及μs較佳為以下之範圍。μk較佳為0.06~0.30，更佳為0.08~0.28，進而較佳為0.08~0.20。μs較佳為0.15~0.95，更佳為0.20~0.60，進而較佳為0.25~0.50。

μk及μs可利用與實施形態A中所說明之方法相同之方法進行測量。

又，「觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數E」、「筆尖之直徑D」及「筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度Pa」可利用與實施形態A中所說明之方法相同之方法進行測量。

又，實施形態B之書寫片較佳於將依據JIS K7374：2007所測得之圖像解析度測量器之光頻梳之寬度為0.125mm、0.5mm、1.0mm及2.0mm之透過圖像清晰度設為C_0.125、C_0.5、C_1.0及C_2.0時，C_0.125、C_0.5、C_1.0及C_2.0之總和C_s為100%以上且未達250%，更佳為120%以上且230%以下，進而較佳為150%以上且200%以下。

藉由將C_s設為100%以上，而可藉由書寫片抑制顯示元件之解像度大幅降低。又，藉由將C_s設為未達250%，而用以賦予防眩性之手段不受限定，可容易地進行製品設計。

<書寫片整體之構成>

實施形態B之觸控面板筆用書寫片只要至少一表面滿足條件(B1)及(B2)，則其構成並無特別限定。

例如作為實施形態B之觸控面板筆用書寫片10之構成，可列舉：如圖1及圖2般具有樹脂層2，且該樹脂層2之一表面滿足條件(B1)及(B2)者。

再者，雖未圖示，但亦可具有樹脂層或塑膠膜以外之其他層，且該其他層之表面滿足條件(B1)及(B2)。作為其他層，可列舉：抗靜電層、防污層等。又，雖未圖示，但樹脂層亦可由2層以上構成。

滿足條件(B1)及(B2)之表面(書寫面)可藉由(a)壓紋、噴砂、蝕刻等物理或化學處理、(b)利用模具之成型、(c)塗佈等而形成。該等方法中，就表面形狀之再現性之觀點而言，較佳為(b)之利用模具之成型，就生產性及對應多品種之觀點而言，較佳為(c)之塗佈。

利用模具之成型可藉由製作由與滿足條件(B1)及(B2)之形狀互補之形狀所構成之模具，使形成樹脂層之材料流入至該模具中，然後自模具取出而形成。此處，若使用構成樹脂層之材料作為該材料，使該材料流入至模具中後重疊塑膠膜，並將樹脂層連同塑膠膜一起自模具取出，則可獲得於塑膠膜上具有樹脂層，且該樹脂層之表面滿足條件(B1)及(B2)之觸控面板筆用書寫片。又，不使用塑膠膜而直接自模具取出樹脂層，或者使用塑膠膜自模具取出樹脂層後剝離塑膠膜，藉此可獲得由樹脂層單層所構成，且該樹脂層之表面滿足條件(B1)及(B2)之觸控面板筆用書寫片。

於使用硬化性樹脂組成物(熱硬化性樹脂組成物或游離輻射硬化性樹脂組成物)作為流入至模具中之材料之情形時，較佳於自模具取出前使硬化性樹脂組成物硬化。

關於利用塗佈之樹脂層之形成，可藉由將含有樹脂成分、粒子及溶劑而成之樹脂層形成塗佈液利用凹版塗佈、棒式塗佈等公知之塗佈方法塗佈於塑膠膜上，並進行乾燥、硬化而形成。為了使藉由塗佈而形成之樹脂層之表面形狀滿足上述條件，較佳併用微米級之粒子及奈米級之無機超微粒子作為粒子，且將膜厚、粒子之含量及粒子之平均粒徑設為下述之範圍。

樹脂層之膜厚較佳為1.5~10μm，更佳為2~8μm，進而較佳為4~7μm。樹脂層之膜厚例如可根據使用穿透式電子顯微鏡(TEM)或掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)所拍攝到之剖面之圖像測量20處之厚度，並根據20處之值之平均值而算出。TEM或STEM之加速電壓較佳設為10~30kV，倍率較佳設為5萬~30萬倍。

樹脂層之粒子(微米級粒子)可使用有機粒子及無機粒子中之任一者。作為有機粒子，可列舉：由聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸-苯乙烯共聚物、三聚氰胺樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、苯胍胺-三聚氰胺-甲醛縮合物、聚矽氧、氟系樹脂及聚酯系樹脂等所構成之粒子。作為無機粒子，可列舉：由二氧化矽、氧化鋁、銻、氧化鋯及二氧化鈦等所構成之粒子。該等粒子中，就分散控制之容易性的觀點而言，較佳為有機粒子。

樹脂層中之粒子(微米級粒子)之含量較佳為形成樹脂層之全部固形物成分中之2~25質量%，更佳為5~20質量%，進而較佳為10~15質量%。

樹脂層中之粒子(微米級粒子)之平均粒徑較佳為0.2~8.0μm，更佳為0.3~7.0μm，進而較佳為0.5~5.0μm。於粒子凝集之情形 時，較佳為凝集粒子之平均粒徑滿足上述範圍。粒子之平均粒徑可利用與實施形態A相同之方法算出。

就容易使書寫片之表面形狀為上述範圍之觀點而言，樹脂層之膜厚較佳為大於粒子之平均粒徑。具體而言，較佳為[粒子之平均粒徑]/[樹脂層之膜厚]之比為0.40~0.80，更佳為0.45~0.75，進而較佳為0.50~0.70。

又，作為粒子，較佳為不僅含有如上述之微米級粒子，亦含有奈米級之無機超微粒子。藉由含有奈米級之無機超微粒子，可容易使樹脂層之表面形狀為上述範圍。認為其原因在於：藉由微米級之粒子而形成高頻成分之凹凸(微小區域之凹凸)，另一方面，於含有無機超微粒子之情形時，於微米級粒子不存在之處亦形成較平緩之傾斜，而形成低頻成分之凹凸(較大區域之凹凸)，結果形成高頻成分之凹凸與低頻成分之凹凸混合存在之形狀。於含有無機超微粒子之情形時，塗佈液之觸變性及溶劑之乾燥特性受到影響，而不會產生如通常之整平，因此產生如上述之現象。

又，藉由含有無機超微粒子，而於微米級粒子不存在之處亦形成較平緩之傾斜，結果(大致平滑之部位減少之結果)可使防眩性亦變得良好。

作為無機超微粒子，可列舉：由二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯及二氧化鈦等所構成之超微粒子。該等中，就透明性之觀點而言，較佳為二氧化矽超微粒子。

就容易獲得上述凹凸形狀之觀點而言，無機超微粒子較佳為平均一次粒徑為1~25nm，更佳為5~20nm。

無機超微粒子較佳為藉由表面處理而導入有反應性基之反 應性無機超微粒子。藉由導入反應性基，而可於樹脂層中含有大量之無機超微粒子，而可容易使書寫片之表面形狀為上述範圍。

作為反應性基，可較佳地使用聚合性不飽和基，較佳為光硬化性不飽和基，尤佳為游離輻射硬化性不飽和基。作為其具體例，可列舉：(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯氧基、乙烯基及烯丙基等乙烯性不飽和鍵以及環氧基等。

此種反應性無機超微粒子可列舉經矽烷偶合劑表面處理之無機超微粒子。利用矽烷偶合劑對無機超微粒子之表面進行處理時，可列舉：將矽烷偶合劑向無機超微粒子進行噴射之乾式法；或使無機超微粒子分散於溶劑中後添加矽烷偶合劑而使之反應之濕式法等。

無機超微粒子之含量較佳為形成樹脂層之全部固形物成分中之1~20質量%，更佳為2~15質量%，進而較佳為3~10質量%。藉由設為該範圍，可利用整平性之控制，及樹脂層之聚合收縮之抑制而容易使書寫片之表面形狀為上述範圍。

又，關於樹脂層中之微米級粒子及無機超微粒子之含量之比(微米級粒子之含量/無機超微粒子之含量)，就容易使書寫片之表面形狀為上述範圍之觀點而言，較佳為1.0~3.0，更佳為1.5~2.5。

樹脂層之樹脂成分較佳包含熱硬化性樹脂組成物或游離輻射硬化性樹脂組成物之硬化物，就使機械強度變得更良好之觀點而言，更佳包含游離輻射硬化性樹脂組成物之硬化物，其中，進而較佳包含紫外線硬化性樹脂組成物之硬化物。

熱硬化性樹脂組成物係至少包含熱硬化性樹脂之組成物，且 係藉由加熱而硬化之樹脂組成物。

作為熱硬化性樹脂，可列舉：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、酚系樹脂、脲三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、矽酮樹脂等。於熱硬化性樹脂組成物中，視需要向該等硬化性樹脂添加硬化劑。

游離輻射硬化性樹脂組成物係包含具有游離輻射硬化性官能基之化合物(以下，亦稱為「游離輻射硬化性化合物」)之組成物。作為游離輻射硬化性官能基，可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等乙烯性不飽和鍵結基及環氧基、氧雜環丁基等。作為游離輻射硬化性化合物，較佳為具有乙烯性不飽和鍵結基之化合物，更佳為具有2個以上之乙烯性不飽和鍵結基之化合物，其中，進而較佳為具有2個以上之乙烯性不飽和鍵結基之多官能性(甲基)丙烯酸酯系化合物。作為多官能性(甲基)丙烯酸酯系化合物，單體及低聚物均可使用。

再者，所謂游離輻射，意指電磁波或帶電粒子束中具有可使分子聚合或交聯之能量量子者，通常可使用紫外線(UV)或電子束(EB)，此外，亦可使用X射線、γ射線等電磁波；α射線、離子束等帶電粒子束。

多官能性(甲基)丙烯酸酯系化合物中，作為雙官能(甲基)丙烯酸酯系單體，可列舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A四乙氧基二丙烯酸酯、雙酚A四丙氧基二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等。

作為3官能以上之(甲基)丙烯酸酯系單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸改質三(甲基)丙烯酸酯等。

又，上述(甲基)丙烯酸酯系單體亦可為將分子骨架之一部分改質者，亦可使用經環氧乙烷、環氧丙烷、己內酯、異三聚氰酸、烷基、環狀烷基、芳香族、雙酚等改質而成者。

又，作為多官能性(甲基)丙烯酸酯系低聚物，可列舉：胺酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸酯系聚合物等。

胺酯(甲基)丙烯酸酯例如可藉由多元醇及有機二異氰酸酯與羥基(甲基)丙烯酸酯之反應而獲得。

又，較佳之環氧(甲基)丙烯酸酯係使3官能以上之芳香族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等與(甲基)丙烯酸進行反應而獲得之(甲基)丙烯酸酯；使雙官能以上之芳香族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等與多元酸及(甲基)丙烯酸進行反應而獲得之(甲基)丙烯酸酯；及使雙官能以上之芳香族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等與酚類及(甲基)丙烯酸進行反應而獲得之(甲基)丙烯酸酯。

上述游離輻射硬化性化合物可單獨使用1種，或組合2種以上使用。

於游離輻射硬化性化合物為紫外線硬化性化合物之情形時，游離輻射硬化性組成物較佳包含光聚合起始劑或光聚合促進劑等添加劑。

作為光聚合起始劑，可列舉：選自苯乙酮、二苯甲酮、α-羥基烷基苯酮、米其勒酮、安息香、苯偶醯二甲基縮酮、苯甲醯基苯甲酸酯、α-醯基肟酯、9-氧硫

類等中之1種以上。

該等光聚合起始劑較佳為熔點為100℃以上。藉由將光聚合起始劑之熔 點設為100℃以上，而於書寫片之製造過程、或觸控面板之透明導電膜之形成過程中所殘留之光聚合起始劑昇華，而可防止製造裝置或透明導電膜之污染。

又，光聚合促進劑係可減輕硬化時之由空氣引起之聚合抑制而使硬化速度加快者，例如可列舉：選自對二甲胺基苯基苯甲酸異戊酯、對二甲胺基苯甲酸乙酯等中之1種以上。

於樹脂層形成塗佈液中，通常為了調節黏度、或可使各成分溶解或分散而使用溶劑。根據溶劑之種類，在塗佈、乾燥過程後之樹脂層之表面狀態不同，因此較佳為考慮溶劑之飽和蒸氣壓、溶劑向透明基材之滲透性等而選定溶劑。具體而言，溶劑例如可例示：酮類(丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等)、醚類(二

烷、四氫呋喃等)、脂肪族烴類(己烷等)、脂環式烴類(環己烷等)、芳香族烴類(甲苯、二甲苯等)、鹵化碳類(二氯甲烷、二氯乙烷等)、酯類(乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等)、醇類(丁醇、環己醇等)、溶纖劑類(甲基溶纖劑、乙基溶纖劑等)、乙酸溶纖劑類、亞碸類(二甲基亞碸等)、醯胺類(二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等)等，亦可為該等之混合物。

於溶劑之乾燥過慢之情形時，樹脂層之整平性會變得過度，因此變得難以形成上述之表面形狀。因此，作為溶劑，較佳包含全部溶劑中之50質量%以上之蒸發速度(將乙酸正丁酯之蒸發速度設為100時之相對蒸發速度)為180以上之溶劑，更佳包含60質量%以上。作為相對蒸發速度為180以上之溶劑，可列舉：甲苯。甲苯之相對蒸發速度為195。

又，就使表面形狀適度平滑，而容易使書寫片之表面形狀為 上述範圍之觀點而言，較佳於樹脂層形成塗佈液中含有整平劑。整平劑可列舉：氟系整平劑、聚矽氧系整平劑、氟聚矽氧共聚物系整平劑等，較佳為聚矽氧系整平劑。作為整平劑之添加量，相對於樹脂層形成塗佈液之全部固形物成分，較佳為0.01~0.5重量%，更佳為0.01~0.2重量%。

塑膠膜可由聚酯、三乙醯纖維素(TAC)、二乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚碸、聚碸、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚碳酸酯及非晶質烯烴(Cyclo-Olefin-Polymer：COP)等樹脂形成。

該等塑膠膜中，就機械強度或尺寸穩定性之觀點而言，較佳為經延伸加工、尤其是雙軸延伸加工之聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯)。

塑膠膜之厚度較佳為5~200μm，更佳為10~150μm。

實施形態B之書寫片藉由用作自上述式(i)導出之X超過500MN/m之觸控面板筆(觸控面板筆(B))用書寫片，而可使書寫感變良好。

於使用實施形態B之書寫片作為自上述式(i)導出之X為1,000MN/m以上之觸控面板筆用書寫片之情形時，可使書寫感變得更良好，於用作自上述式(i)導出之X為2,000MN/m以上且100,000MN/m以下之觸控面板筆用書寫片之情形時，可使書寫感進一步變良好。

觸控面板筆(B)之楊氏模數E、直徑D及算術平均高度Pa之各值只要滿足上述式(i)，則無特別限定，但較佳為大致以下之範圍。

楊氏模數較佳為0.1~5.0GPa(1.0×10⁸~5.0×10⁹N/m²)，更佳為0.5~ 2.5GPa(5.0×10⁸~2.5×10⁹N/m²)。直徑D較佳為0.3~6.0mm，更佳為0.4~2.5mm。算術平均高度Pa較佳為0.01~10μm，更佳為0.05~1.0μm。

又，觸控面板筆(B)之筆尖之曲率半徑並無特別限定，於曲率半徑為0.3~1.5mm之情形時，更容易發揮效果，於曲率半徑為0.5~0.8mm之情形時，容易進一步發揮效果。

[觸控面板]

實施形態B之觸控面板係表面具有片之觸控面板，以作為該片之實施形態B之觸控面板筆用書寫片滿足條件(B1)及(B2)之側的面配置成朝向觸控面板之表面而成。

作為觸控面板，可列舉：電阻膜式觸控面板、靜電電容式觸控面板、內嵌式觸控面板、光學式觸控面板、超音波式觸控面板及電磁感應式觸控面板等。

電阻膜式觸控面板100係如圖3所示般，將以使具有導電膜30之上下一對透明基板20之導電膜30彼此對向之方式隔著間隔片40進行配置而成之構成設為基本構成，並將未圖示之電路連接於該基本構成而成者。

於電阻膜式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：使用實施形態B之書寫片10作為上部透明基板20，且以該書寫片10之滿足條件(B1)及(B2)之側的面朝向觸控面板100之表面的方式使用。又，雖未圖示，但電阻膜式觸控面板亦可為如下構成：於上部透明基板上將實施形態B之書寫片以滿足條件(B1)及(B2)之側的面朝向表面之方式貼合；或者於上部透明基板上將實施形態B之書寫片以滿足條件(B1)及(B2)之側的面 朝向表面之方式進行載置，並利用框架等固定。

靜電電容式觸控面板可列舉表面型及投影型等，大多使用投影型。投影型之靜電電容式觸控面板係將電路連接於基本構成而成者，該基本構成係將X軸電極，及與該X軸電極正交之Y軸電極隔著絕緣體進行配置而成。若更具體地說明該基本構成，則可列舉：於1片透明基板上之不同面形成X軸電極及Y軸電極之態樣；於透明基板上依序形成X軸電極、絕緣體層、Y軸電極之態樣；如圖4所示般於透明基板20上形成X軸電極50，於另一透明基板20上形成Y軸電極60，經由接著劑層等絕緣體層70進行積層之態樣等。又，可列舉於該等基本態樣中進而積層另一透明基板之態樣。

於靜電電容式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：使用實施形態B之書寫片10作為表面側之透明基板20，且以該書寫片10之滿足條件(B1)及(B2)之側的面朝向觸控面板100之表面的方式使用。又，雖未圖示，但靜電電容式觸控面板亦可為如下構成：於表面側之透明基板上將實施形態B之書寫片以滿足條件(B1)及(B2)之側的面朝向表面之方式貼合；或者於表面側之透明基板上將實施形態B之書寫片以滿足條件(B1)及(B2)之側的面朝向表面之方式進行載置，並利用框架等固定。

電磁感應式觸控面板係使用產生磁場之專用筆之觸控面板。電磁感應式觸控面板至少具有檢測自筆產生之電磁能量之感測器部，進而於感測器部上具有透明基板。該透明基板亦可為多層構成。

於電磁感應式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：使用實施形態B之書寫片作為位於感測器部上之透明基板中最表面之透明基板，且以 該書寫片之滿足條件(B1)及(B2)之側的面朝向觸控面板之表面的方式使用。或者，於電磁感應式觸控面板之情形時，亦可為如下構成：於位於感測器部上之透明基板中最表面之透明基板上，將實施形態B之書寫片以滿足條件(B1)及(B2)之側的面朝向表面之方式貼合；或者於該最表面之透明基板上，將實施形態B之書寫片以滿足條件(B1)及(B2)之側的面朝向表面之方式進行載置，並利用框架等固定。

內嵌式觸控面板係於在2片玻璃基板間夾持液晶而成之液晶元件之內部嵌入有電阻膜式、靜電電容式、光學式等觸控面板功能者。

於內嵌式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：向表面側之玻璃基板將實施形態B之書寫片以滿足條件(B1)及(B2)之側的面朝向表面之方式進行貼合而使用。再者，亦可於表面側之玻璃基板與實施形態B之書寫片之間具有偏光板等其他層。

[顯示裝置]

實施形態B之顯示裝置係具有觸控面板之顯示裝置，且該觸控面板為實施形態B之觸控面板。

作為顯示元件，可列舉：液晶顯示元件、EL顯示元件、電漿顯示元件、電子紙元件、內嵌式觸控面板液晶顯示元件等。於顯示元件為液晶顯示元件、EL顯示元件、電漿顯示元件、電子紙元件之情形時，於該等顯示元件上載置實施形態B之觸控面板。

實施形態B之顯示裝置由於不會過度損害表面而使書寫感變良好，故而可抑制大幅損害顯示元件之解像度之情況。

[觸控面板筆用書寫片之揀選方法]

關於實施形態B之觸控面板筆用書寫片之揀選方法，係揀選具有截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大山高Rp_0.8，以及測量區間1mm中之剖面曲線的偏斜度Psk滿足下述條件(B1)及(B2)之表面，且JIS K7136：2000之霧度滿足下述條件(B3)之片作為下述之觸控面板筆(B)用書寫片。

0.50<Rp_0.8/Rz_0.8≦0.75 (B1)

0.60≦Psk (B2)

霧度為5.0%以上 (B3)

<觸控面板筆(B)>

該觸控面板筆係於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X超過500MN/m。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

關於實施形態B之觸控面板筆用書寫片之揀選方法，即便不進行觸控面板筆之書寫試驗，亦可揀選上述式(i)之X超過500MN/m之觸控面板筆(觸控面板筆(B))之書寫感良好，並且防眩性良好之書寫片，而可高效率地進行書寫片之製品設計、品質管理。

揀選觸控面板筆用書寫片之判定條件係將上述(B1)~(B3)設為必須條件。條件(B1)~(B3)之判定條件較佳為上述實施形態B之書寫片之較佳之數值範圍。例如條件(B1)之判定條件較佳為0.53≦Rp_0.8/Rz_0.8≦0.70，更佳為0.58≦Rp_0.8/Rz_0.8≦0.65。

於實施形態B之觸控面板筆用書寫片之揀選方法中，就使書寫感變得更良好之觀點、使防眩性變得更良好之觀點，及抑制顯示元件之解像度大幅降低之觀點而言，更佳為將以下所列舉之條件(B4)~(B8)之一項以上設為判定條件，進而較佳為將(B4)~(B8)全部設為判定條件。

0.30μm≦Ptm≦7.00μm (B4)

0.02mm≦S_2.5≦0.20mm (B5)

0.10μm≦Ra_0.8≦0.25μm (B6)

0.50μm≦Rz_JIS0.8≦1.50μm (B7)

C_s為100%以上且未達250% (B8)

條件(B4)~(B8)之判定條件較佳為上述實施形態B之書寫片之較佳之數值範圍。

<實施形態C>

[觸控面板筆用書寫片之揀選方法]

實施形態C之觸控面板筆用書寫片之揀選方法係揀選滿足下述條件(C1)者作為觸控面板筆用書寫片。

<條件(C1)>

將觸控面板筆於以60度之角度接觸觸控面板筆用書寫片表面之狀態下固定，一面對該觸控面板筆施加垂直負載100gf一面以14mm/秒之速度掃描單程40mm之長度，將此時作用於該觸控面板筆之掃描方向之動摩擦係數設為μk，將靜摩擦係數設為μs時，μk/μs為0.30以上且0.58以下。

圖1係表示實施形態C之觸控面板筆用書寫片10一實施形 態之剖面圖。圖1之觸控面板筆用書寫片10係於塑膠膜1之一面具有樹脂層2。圖2之觸控面板筆用書寫片10係成為樹脂層2之單層構造。

實施形態C之觸控面板筆用書寫片可一表面滿足條件(C1)，亦可兩表面滿足條件(C1)。

以下，有將觸控面板筆用書寫片稱為「書寫片」之情形時。又，以下，有將滿足條件(C1)之表面稱為「書寫面」之情形。

<書寫面>

實施形態C之觸控面板筆用書寫片之揀選方法係揀選具有滿足下述條件(C1)之表面者作為觸控面板筆用書寫片。

於書寫文字或描繪圖形時，大多停止書寫一瞬後再開始書寫(例如，於轉換書寫方向時，通常停止書寫一瞬。又，於移動書寫位置時亦會停止書寫一瞬)。於如上述般停止書寫一瞬後再開始書寫時，容易受到靜摩擦係數與動摩擦係數之差之影響。

於μk/μs未達0.30、或μk/μs超過0.58之情形時，於停止書寫一瞬後再開始書寫時，將書寫方向轉換至想要之方向等較為困難，而無法完成所想像之書寫。因此，揀選滿足條件(C1)之書寫片係關係到可高效率地揀選於停止書寫一瞬後再開始書寫時可實現所想像之書寫之書寫片。

條件(C1)較佳滿足0.30≦μk/μs≦0.44之關係。

於實施形態C中，動摩擦係數μk意指全部測量時間之動摩擦係數之平均值。靜摩擦係數係設為自摩擦力0開始隨著測量時間之經過，成為動摩擦係數以上之最初之摩擦力之峰值。摩擦係數之測量間隔較佳設為0.02秒。

μk、μs係設為對20個樣品各測量1次而獲得之平均值。μk/μs係設為對20個樣品各測量1次而算出各樣品之μk/μs，將20個樣品之μk/μs進行平均而獲得之值。

μk及μs可利用與實施形態A中所說明之方法相同之方法進行測量。

就揀選不過度光滑而適度之阻力感之書寫片之觀點而言，實施形態C之書寫片之揀選方法較佳為揀選書寫面之μk滿足下述條件(C2)者。

<條件(C2)>

0.06≦μk≦0.30

條件(C2)更佳滿足0.08≦μk≦0.28，進而較佳滿足0.08≦μk≦0.20。

0.06≦μk≦0.30

就揀選不過度光滑而適度之阻力感之書寫片之觀點而言，實施形態C之書寫片之揀選方法較佳揀選書寫面之μs滿足下述條件(C2')者。

<條件(C2')>

0.15≦μs≦0.95

條件(C2')更佳滿足0.20≦μs≦0.60，進而較佳滿足0.25≦μs≦0.50。

條件(C1)、(C2)及(C2')之判定所使用之觸控面板筆並無特別限定，可自市售之觸控面板筆中適當揀選。

再者，於筆過於密接於書寫片之情形時及筆基本上不密接於書寫片之情形時，變得難以設計滿足條件(C1)等之書寫片。因此，條件(C1)等之判定所使用之觸控面板筆較佳於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體 之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X為0.1MN/m~100,000MN/m者，更佳為0.5MN/m~80,000MN/m者。

X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)

再者，楊氏模數E之單位係「N/m²」，筆尖之直徑D之單位為「m」，算術平均高度Pa之單位為「m」。又，「M」意指「mega(10⁶)」。

「觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數E」、「筆尖之直徑D」及「筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度Pa」可利用與實施形態A中所說明之方法相同之方法進行測量。

又，於自上述式(i)導出之X為上述範圍之情形時，觸控面板筆之楊氏模數E、直徑D及算術平均高度Pa之各值較佳為大致以下之範圍。

楊氏模數較佳為0.1~5.0GPa(1.0×10⁸~5.0×10⁹N/m²)，更佳為0.5~2.5GPa(5.0×10⁸~2.5×10⁹N/m²)。直徑D較佳為0.3~6.0mm，更佳為0.4~2.0mm。算術平均高度Pa較佳為0.01~10μm，更佳為0.05~1.0μm。

又，條件(C1)等之判定所使用之觸控面板筆之筆尖之曲率半徑並無特別限定，較佳為0.3~1.5mm，更佳為0.5~0.8mm。

又，實施形態C之書寫片之揀選方法較佳揀選書寫片之JIS K7136：2000之霧度滿足下述條件(C3)者。

<條件(C3)>

霧度為5.0%以上

藉由揀選滿足條件(C3)之書寫片，可高效率地揀選防眩 性及書寫感良好之書寫片。

霧度較佳為10.0%以上，更佳為15.0%以上。再者，若霧度過高，則顯示元件之解像度大幅降低。因此，霧度較佳為40.0%以下，更佳為30.0%以下。

於對霧度及下述之透過圖像清晰度進行測量時，將光自書寫片之與書寫面相反側之表面入射。於書寫片之兩面滿足上述條件(C1)之情形時，光入射面可為任一面。

霧度及透過清晰度係設為對20個樣品各測量1次所得之平均值。

又，實施形態C之書寫片之揀選方法較佳為揀選於將依據JIS K7374：2007所測得之圖像解析度測量器之光頻梳之寬度為0.125mm、0.5mm、1.0mm及2.0mm的透過圖像清晰度設為C_0.125、C_0.5、C_1.0及C_2.0時，C_0.125、C_0.5、C_1.0及C_2.0之總和C_s滿足下述條件(C4)者。

<條件(C4)>

C_s為100%以上

藉由揀選滿足條件(C4)之書寫片，可抑制顯示元件之解像度大幅降低。

再者，若C_s過大，則有變得難以滿足條件(C1)或條件(C3)之情形。因此，條件(C4)更佳為C_s為100%以上且未達250%，進而較佳為120%以上且230%以下，進而更佳為150%以上且200%以下。

[觸控面板筆用書寫片]

實施形態C之觸控面板用書寫片係具有滿足下述條件(C1)之表面者。

<條件(C1)>

將觸控面板筆於以60度之角度接觸觸控面板筆用書寫片表面之狀態下固定，一面對該觸控面板筆施加垂直負載100gf一面以14mm/秒之速度掃描單程40mm之長度，將此時作用於該觸控面板筆之掃描方向之動摩擦係數設為μk，將靜摩擦係數設為μs時，μk/μs為0.30以上且0.58以下。

再者，即便於將觸控面板筆於以60度以外之角度(例如30~75度範圍之任意角度)接觸書寫面之狀態下進行固定時，亦較佳為μk/μs為上述範圍。又，即便於將掃描之速度設為14mm/秒以外之速度(例如0.1~100mm/秒範圍之任意速度)時，亦較佳為μk/μs為上述範圍。

實施形態C之書寫片較佳為書寫面之μk滿足下述條件(C2)。

<條件(C2)>

0.06≦μk≦0.30

又，實施形態C之書寫片較佳為書寫面之μs滿足下述條件(C2')。

<條件(C2')>

0.15≦μs≦0.95

實施形態C之書寫片之條件(C1)、(C2)及(C2')之較佳範圍係與上述觸控面板筆用書寫片之揀選方法之條件(C1)、(C2)及(C2')之較佳範圍相同。

又，實施形態C之書寫片由於容易滿足條件(C1)、(C2)及(C2')，故而較佳為用作自上述式(i)導出之X為0.1MN/m~100，000MN/m之觸控面板筆用書寫片，更佳為用作自上述式(i)導出之X為0.5MN /m~80,000MN/m之觸控面板筆用書寫片。又，觸控面板筆之楊氏模數E、直徑D、算術平均高度Pa及筆尖之曲率半徑之各值較佳為上述之範圍。

又，實施形態C之書寫片較佳為JIS K7136：2000之霧度滿足下述條件(C3)。

<條件(C3)>

霧度為5.0%以上

又，實施形態C之書寫片較佳於將依據JIS K7374：2007所測得之圖像解析度測量器之光頻梳之寬度為0.125mm、0.5mm、1.0mm及2.0mm之透過圖像清晰度設為C_0.125、C_0.5、C_1.0及C_2.0時，C_0.125、C_0.5、C_1.0及C_2.0之總和C_s滿足下述條件(C4)。

<條件(C4)>

C_s為100%以上

實施形態C之書寫片之條件(C3)及(C4)之較佳範圍係與上述觸控面板筆用書寫片之揀選方法之條件(C3)及(C4)之較佳範圍相同。

為了製成滿足條件(C1)之書寫片，較佳使高頻成分之凹凸(微小區域之凹凸)與低頻成分之凹凸(較大區域之凹凸)適當地混合存在於書寫面。以下，對高頻成分之凹凸(微小區域之凹凸)與低頻成分之凹凸(較大區域之凹凸)之差異進行說明。

i於使筆接觸書寫片之階段中筆尖接地於書寫片之表面。因此，認為當筆尖越過高頻成分(微小區域)之凸部時會觸發書寫開始，而微小區域之凹凸對開始書寫時之書寫感之影響變大。

ii於開始書寫以後之階段中，筆尖沿著較大區域之凹凸表面進行移動。因此，較大區域之凹凸對開始書寫以後之書寫感之影響變大。

如上所述，微小區域之凹凸對開始書寫時之書寫感之影響較大，較大區域之凹凸對開始書寫以後之書寫感之影響較大。因此，可藉由使高頻成分之凹凸(微小區域之凹凸)與低頻成分之凹凸(較大區域之凹凸)適當混合存在於書寫面，而使書寫感變良好。

再者，於使用自上述式(i)導出之X較大之觸控面板筆之情形時，由於筆尖難以密接於書寫片之表面，故而上述(a)及(b)之傾向變強。即，於使用自上述式(i)導出之X較大之觸控面板筆之情形時，較佳使高頻成分之凹凸與低頻成分之凹凸混合存在於書寫片之書寫面。所謂X較大，意指X超過500MN/m，較佳為X為1,000MN/m以上，更佳為X為2,000MN/m以上且100,000MN/m以下。

<書寫片整體之構成>

實施形態C之觸控面板筆用書寫片只要至少一表面滿足條件(C1)，則其構成並無特別限定。

例如，作為實施形態C之觸控面板筆用書寫片10之構成，可列舉：如圖1及圖2般具有樹脂層2，且該樹脂層2之一表面滿足條件(C1)者。

再者，雖未圖示，但亦可具有樹脂層或塑膠膜以外之其他層，且該其他層之表面滿足條件(C1)。作為其他層，可列舉：抗靜電層、防污層等。又，雖未圖示，但樹脂層亦可由2層以上構成。

滿足條件(C1)之表面(書寫面)可藉由(a)壓紋、噴砂、蝕刻等物理或化學處理、(b)利用模具之成型、(c)塗佈等而形成。該等方 法中，就表面形狀之再現性之觀點而言，較佳為(b)之利用模具之成型，就生產性及對應多品種之觀點而言，較佳為(c)之塗佈。

關於利用塗佈之樹脂層之形成，可藉由將含有樹脂成分、粒子及溶劑而成之樹脂層形成塗佈液利用凹版塗佈、棒式塗佈等公知之塗佈方法塗佈於塑膠膜上，並進行乾燥、硬化而形成。為了使藉由塗佈而形成之樹脂層滿足條件(C1)，較佳併用微米級之粒子及奈米級之無機超微粒子作為粒子，且將膜厚、粒子之含量及粒子之平均粒徑設為下述之範圍。

樹脂層之膜厚較佳為1.5~10μm，更佳為2~8μm，進而較佳為4~7μm。樹脂層之膜厚例如可根據使用穿透式電子顯微鏡(TEM)或掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)所拍攝到之剖面之圖像測量20處之厚度，並根據20處之值之平均值而算出。TEM或STEM之加速電壓較佳設為10~30kV，倍率較佳設為5萬~30萬倍。

樹脂層之粒子(微米級粒子)可使用有機粒子及無機粒子中之任一者。作為有機粒子，可列舉：由聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸-苯乙烯共聚物、三聚氰胺樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、苯胍胺-三聚氰胺-甲醛縮合物、聚矽氧、氟系樹脂及聚酯系樹脂等所構成之粒子。作為無機粒子，可列舉：由二氧化矽、氧化鋁、銻、氧化鋯及二氧化鈦等所構成之粒子。該等粒子中，就分散控制之容易性的觀點而言，較佳為有機粒子。

樹脂層中之粒子(微米級粒子)之含量較佳為形成樹脂層之全部固形物成分中之2~25質量%，更佳為5~20質量%，進而較佳為10~15質量%。

樹脂層中之粒子(微米級粒子)之平均粒徑較佳為0.2~8.0 μm，更佳為0.3~7.0μm，進而較佳為0.5~5.0μm。於粒子凝集之情形時，較佳為凝集粒子之平均粒徑滿足上述範圍。粒子之平均粒徑可利用與實施形態A相同之方法算出。

就容易使書寫片之表面滿足條件(C1)之觀點而言，樹脂層之膜厚較佳為大於粒子(微米級粒子)之平均粒徑。具體而言，較佳為[粒子之平均粒徑]/[樹脂層之膜厚]之比為0.40~0.80，更佳為0.45~0.75，進而較佳為0.50~0.70。

又，作為粒子，較佳不僅含有如上述之微米級粒子，亦含有奈米級之無機超微粒子。藉由含有奈米級之無機超微粒子，可容易使樹脂層之表面滿足條件(C1)。認為其原因在於：藉由微米級之粒子而形成高頻成分之凹凸(微小區域之凹凸)，另一方面，於含有無機超微粒子之情形時，於微米級粒子不存在之處亦形成較平緩之傾斜，而形成低頻成分之凹凸(較大區域之凹凸)，結果形成混合存在有高頻成分之凹凸與低頻成分之凹凸之形狀。於含有無機超微粒子之情形時，塗佈液之觸變性及溶劑之乾燥特性受到影響，而不會產生如通常之整平，因此認為會產生如上述之現象。如上所述，使高頻成分之凹凸與低頻成分之凹凸混合存在係對自上述式(i)導出之X較大之觸控面板筆極為有效。

又，藉由含有無機超微粒子，而於微米級粒子不存在之處亦形成較平緩之傾斜，結果(大致平滑之處減少之結果)可使防眩性亦變得良好。

作為無機超微粒子，可列舉：由二氧化矽、氧化鋁、氧化鋯及二氧化鈦等所構成之超微粒子。該等中，就透明性之觀點而言，較佳為二氧化矽超微粒子。

就容易獲得上述凹凸形狀之觀點而言，無機超微粒子較佳為平均一次粒徑為1~25nm，更佳為5~20nm。

無機超微粒子較佳為藉由表面處理而導入有反應性基之反應性無機超微粒子。藉由導入反應性基，而可於樹脂層中含有大量之無機超微粒子，而可容易使書寫片之表面形狀為上述範圍。

作為反應性基，可較佳地使用聚合性不飽和基，較佳為光硬化性不飽和基，尤佳為游離輻射硬化性不飽和基。作為其具體例，可列舉：(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯氧基、乙烯基及烯丙基等乙烯性不飽和鍵以及環氧基等。

此種反應性無機超微粒子可列舉經矽烷偶合劑表面處理之無機超微粒子。利用矽烷偶合劑對無機超微粒子之表面進行處理時，可列舉：將矽烷偶合劑向無機超微粒子進行噴射之乾式法；或使無機超微粒子分散於溶劑中後添加矽烷偶合劑而使之反應之濕式法等。

無機超微粒子之含量較佳為形成樹脂層之全部固形物成分中之1~20質量%，更佳為2~15質量%，進而較佳為3~10質量%。藉由設為該範圍，可利用整平性之控制，及樹脂層之聚合收縮之抑制而容易使書寫片之表面形狀為上述範圍。

又，關於樹脂層中之微米級粒子及無機超微粒子之含量之比(微米級粒子之含量/無機超微粒子之含量)，就容易使書寫片之表面形狀為上述範圍之觀點而言，較佳為1.0~3.0，更佳為1.5~2.5。

樹脂層之樹脂成分較佳包含熱硬化性樹脂組成物或游離輻射硬化性樹脂組成物之硬化物，就使機械強度變得更良好之觀點而言，更 佳為包含游離輻射硬化性樹脂組成物之硬化物，其中，進而較佳包含紫外線硬化性樹脂組成物之硬化物。

熱硬化性樹脂組成物係至少包含熱硬化性樹脂之組成物，且係藉由加熱而硬化之樹脂組成物。

作為熱硬化性樹脂，可列舉：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、酚系樹脂、脲三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、矽酮樹脂等。於熱硬化性樹脂組成物中，視需要向該等硬化性樹脂添加硬化劑。

游離輻射硬化性樹脂組成物係包含具有游離輻射硬化性官能基之化合物(以下，亦稱為「游離輻射硬化性化合物」)之組成物。作為游離輻射硬化性官能基，可列舉：(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等乙烯性不飽和鍵結基及環氧基、氧雜環丁基等。作為游離輻射硬化性化合物，較佳為具有乙烯性不飽和鍵結基之化合物，更佳為具有2個以上之乙烯性不飽和鍵結基之化合物，其中，進而較佳為具有2個以上之乙烯性不飽和鍵結基之多官能性(甲基)丙烯酸酯系化合物。作為多官能性(甲基)丙烯酸酯系化合物，單體及低聚物均可使用。

再者，所謂游離輻射，意指電磁波或帶電粒子束中具有可使分子聚合或交聯之能量量子者，通常可使用紫外線(UV)或電子束(EB)，此外，亦可使用X射線、γ射線等電磁波；α射線、離子束等帶電粒子束。

多官能性(甲基)丙烯酸酯系化合物中，作為雙官能(甲基)丙烯酸酯系單體，可列舉：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙酚A四乙氧基二丙烯酸酯、雙酚A四丙氧基二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等。

作為3官能以上之(甲基)丙烯酸酯系單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷 三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸改質三(甲基)丙烯酸酯等。

又，上述(甲基)丙烯酸酯系單體亦可為將分子骨架之一部分改質者，亦可使用經環氧乙烷、環氧丙烷、己內酯、異三聚氰酸、烷基、環狀烷基、芳香族、雙酚等改質而成者。

又，作為多官能性(甲基)丙烯酸酯系低聚物，可列舉：胺酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸酯系聚合物等。

胺酯(甲基)丙烯酸酯例如可藉由多元醇及有機二異氰酸酯與羥基(甲基)丙烯酸酯之反應而獲得。

又，較佳之環氧(甲基)丙烯酸酯係使3官能以上之芳香族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等與(甲基)丙烯酸進行反應而獲得之(甲基)丙烯酸酯；使雙官能以上之芳香族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等與多元酸及(甲基)丙烯酸進行反應而獲得之(甲基)丙烯酸酯；及使雙官能以上之芳香族環氧樹脂、脂環族環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等與酚類及(甲基)丙烯酸進行反應而獲得之(甲基)丙烯酸酯。

上述游離輻射硬化性化合物可單獨使用1種，或組合2種以上使用。

於游離輻射硬化性化合物為紫外線硬化性化合物之情形時，游離輻射硬化性組成物較佳包含光聚合起始劑或光聚合促進劑等添加劑。

作為光聚合起始劑，可列舉：選自苯乙酮、二苯甲酮、α-羥基烷基苯 酮、米其勒酮、安息香、苯偶醯二甲基縮酮、苯甲醯基苯甲酸酯、α-醯基肟酯、9-氧硫

類等中之1種以上。

該等光聚合起始劑較佳為熔點為100℃以上。藉由將光聚合起始劑之熔點設為100℃以上，而於書寫片之製造過程、或觸控面板之透明導電膜之形成過程中所殘留之光聚合起始劑昇華，而可防止製造裝置或透明導電膜之污染。

又，光聚合促進劑係可減輕硬化時之由空氣引起之聚合抑制而使硬化速度加快者，例如可列舉：選自對二甲胺基苯基苯甲酸異戊酯、對二甲胺基苯甲酸乙酯等中之1種以上。

於樹脂層形成塗佈液中，通常為了調節黏度、或可使各成分溶解或分散而使用溶劑。根據溶劑之種類，在塗佈、乾燥過程後之樹脂層之表面狀態不同，因此較佳為考慮溶劑之飽和蒸氣壓、溶劑向透明基材之滲透性等而選定溶劑。具體而言，溶劑例如可例示：酮類(丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等)、醚類(二

烷、四氫呋喃等)、脂肪族烴類(己烷等)、脂環式烴類(環己烷等)、芳香族烴類(甲苯、二甲苯等)、鹵化碳類(二氯甲烷、二氯乙烷等)、酯類(乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等)、醇類(丁醇、環己醇等)、溶纖劑類(甲基溶纖劑、乙基溶纖劑等)、乙酸溶纖劑類、亞碸類(二甲基亞碸等)、醯胺類(二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等)等，亦可為該等之混合物。

於溶劑之乾燥過慢之情形時，樹脂層之整平性會變得過度，因此變得難以形成上述之表面形狀。因此，作為溶劑，較佳包含全部溶劑中之50質量%以上之蒸發速度(將乙酸正丁酯之蒸發速度設為100時之相對蒸發速 度)為180以上之溶劑，更佳包含60質量%以上。作為相對蒸發速度為180以上之溶劑，可列舉：甲苯。甲苯之相對蒸發速度為195。

又，就使表面形狀適度平滑，而容易使書寫片之表面形狀為上述範圍之觀點而言，較佳於樹脂層形成塗佈液中含有整平劑。整平劑可列舉：氟系整平劑、聚矽氧系整平劑、氟聚矽氧共聚物系整平劑等，較佳為聚矽氧系整平劑。作為整平劑之添加量，相對於樹脂層形成塗佈液之全部固形物成分，較佳為0.01~0.5重量%，更佳為0.01~0.2重量%。

塑膠膜可由聚酯、三乙醯纖維素(TAC)、二乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚碸、聚碸、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚醚酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚碳酸酯及非晶質烯烴(Cyclo-Olefin-Polymer：COP)等樹脂形成。

該等塑膠膜中，就機械強度或尺寸穩定性之觀點而言，較佳為經延伸加工、尤其是雙軸延伸加工之聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯)。

塑膠膜之厚度較佳為5~200μm，更佳為10~150μm。

[觸控面板]

實施形態C之觸控面板係表面具有片之觸控面板，且係以作為該片之實施形態C之觸控面板筆用書寫片之滿足條件(C1)之側的面朝向觸控面板之表面的方式進行配置而成者。

作為觸控面板，可列舉：電阻膜式觸控面板、靜電電容式觸控面板、內嵌式觸控面板、光學式觸控面板、超音波式觸控面板及電磁感應式觸控面板等。

電阻膜式觸控面板100係如圖3所示般，將以使具有導電膜30之上下一對透明基板20之導電膜30彼此對向之方式隔著間隔片40進行配置而成之構成設為基本構成，並將未圖示之電路連接於該基本構成而成者。

於電阻膜式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：使用實施形態C之書寫片10作為上部透明基板20，且以該書寫片10之滿足條件(C1)之側的面朝向觸控面板100之表面的方式使用。又，雖未圖示，但電阻膜式觸控面板亦可為如下構成：於上部透明基板上將實施形態C之書寫片以滿足條件(C1)之側的面朝向表面之方式貼合；或者於上部透明基板上將實施形態C之書寫片以滿足條件(C1)之側的面朝向表面之方式進行載置，並利用框架等固定。

靜電電容式觸控面板可列舉表面型及投影型等，大多使用投影型。投影型之靜電電容式觸控面板係將電路連接於基本構成而成者，該基本構成係將X軸電極，及與該X軸電極正交之Y軸電極隔著絕緣體進行配置而成。若更具體地說明該基本構成，則可列舉：於1片透明基板上之不同面形成X軸電極及Y軸電極之態樣；於透明基板上依序形成X軸電極、絕緣體層、Y軸電極之態樣；如圖4所示般於透明基板20上形成X軸電極50，於另一透明基板20上形成Y軸電極60，經由接著劑層等絕緣體層70進行積層之態樣等。又，可列舉於該等基本態樣中進而積層另一透明基板之態樣。

於靜電電容式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：使用實施形態C之書寫片10作為表面側之透明基板20，且以該書寫片10之滿足條件 (C1)之側的面朝向觸控面板100之表面的方式使用。又，雖未圖示，但靜電電容式觸控面板亦可為如下構成：於表面側之透明基板上將實施形態C之書寫片以滿足條件(C1)之側的面朝向表面之方式貼合；或者於表面側之透明基板上將實施形態C之書寫片以滿足條件(C1)之側的面朝向表面之方式進行載置，並利用框架等固定。

電磁感應式觸控面板係使用產生磁場之專用筆之觸控面板。電磁感應式觸控面板至少具有檢測自筆產生之電磁能量之感測器部，進而於感測器部上具有透明基板。該透明基板亦可為多層構成。

於電磁感應式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：使用實施形態C之書寫片作為位於感測器部上之透明基板中最表面之透明基板，且以該書寫片之滿足條件(C1)之側的面朝向觸控面板之表面的方式使用。或者，於電磁感應式觸控面板之情形時，亦可為如下構成：於位於感測器部上之透明基板中最表面之透明基板上，將實施形態C之書寫片以滿足條件(C1)之側的面朝向表面之方式貼合；或者於該最表面之透明基板上，將實施形態C之書寫片以滿足條件(C1)之側的面朝向表面之方式進行載置，並利用框架等固定。

內嵌式觸控面板係於在2片玻璃基板間夾持液晶而成之液晶元件之內部嵌入有電阻膜式、靜電電容式、光學式等觸控面板功能者。

於內嵌式觸控面板之情形時，例如可列舉如下構成：向表面側之玻璃基板，以實施形態C之書寫片滿足條件(C1)之側的面朝向表面之方式貼合而使用。再者，亦可於表面側之玻璃基板與實施形態C之書寫片之間具有偏光板等其他層。

[觸控面板系統]

實施形態C之觸控面板系統係由表面具有觸控面板筆用書寫片之觸控面板與觸控面板筆所構成之觸控面板系統，且係滿足下述條件(C1)者。

<條件(C1)>

將觸控面板筆於以60度之角度接觸觸控面板筆用書寫片表面之狀態下固定，一面對該觸控面板筆施加垂直負載100gf一面以14mm/秒之速度掃描單程40mm之長度，將此時作用於該觸控面板筆之掃描方向之動摩擦係數設為μk，將靜摩擦係數設為μs時，μk/μs為0.30以上且0.58以下。

實施形態C之觸控面板系統中之觸控面板、觸控面板筆用書寫片，及觸控面板筆之實施形態例如可列舉：與上述實施形態C之觸控面板筆用書寫片之揀選方法、觸控面板筆用書寫片及觸控面板中所示之實施形態相同者。

根據實施形態C之觸控面板系統，可使觸控面板之書寫感變良好。

[顯示裝置]

實施形態C之顯示裝置係具有觸控面板之顯示裝置，且該觸控面板為實施形態C之觸控面板。

作為顯示元件，可列舉：液晶顯示元件、EL顯示元件、電漿顯示元件、電子紙元件、內嵌式觸控面板液晶顯示元件等。於顯示元件為液晶顯示元件、EL顯示元件、電漿顯示元件、電子紙元件之情形時，於該等顯示元件上載置實施形態C之觸控面板。

實施形態C之顯示裝置由於不會過度損害表面而使書寫感變良好，故而可抑制大幅損害顯示元件之解像度之情況。

[實施例]

其次，藉由實施例，對本發明更詳細地進行說明，但本發明並不受該例之任何限定。

<實施形態A之實施例>

A1.測量及評價

針對實施例及比較例中所製作之觸控面板筆用書寫片，進行以下之測量及評價。將結果示於表1。

A1-1.表面形狀測量

將實施例及比較例之觸控面板用書寫片切割成10cm見方。切割部位係利用目視確認沒有塵埃或損傷等異常點後，自隨機部位揀選。將切割出之表面構件經由東麗公司製造之光學透明黏著片(折射率：1.47，厚度100μm)貼合於長10cm×寬10cm尺寸之黑色板(可樂麗公司製造，商品名：CosmoGrass編號：DFA502K，厚度2.0mm)而獲得樣品，準備該樣品20個。

使用表面粗糙度測量器(型號：SE-3400/小阪研究所股份有限公司製造)，以成為樣品固定且密接於測量臺上之狀態之方式進行設置後，藉由下述之測量條件，針對下述之測量項目，測量各樣品之樹脂層側之表面形狀。然後，將20個樣品之平均值設為各實施例及比較例之Rz_0.8、Rv_0.8、S_2.5、Ra_0.8及Ptm。將結果示於表1。

<測量條件>

[表面粗糙度檢測部之觸針]

小阪研究所公司製造之商品名SE2555N(前端曲率半徑：2μm，頂角： 90度，材質：金剛石)

[表面粗糙度測量器之測量條件]

‧Rz_0.8、Rv_0.8、S_2.5及Ra_0.8之評價長度：截止值λc之5倍

‧Rz_0.8、Rv_0.8、S_2.5及Ra_0.8之預備長度：截止值λc之2倍

‧觸針之輸送速度：0.5mm/s

‧縱向倍率：2000倍

‧橫向倍率：10倍

‧滑動墊木：不使用(未接觸測量面)

‧截止濾波器種類：高斯

‧死帶等級：10%

‧tp/PC曲線：普通

<測量項目>

‧將截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度設為Rz_0.8，將截止值0.8mm之JIS B0601：2001之粗糙度曲線之最大谷深設為Rv_0.8時之Rv_0.8/Rz_0.8

‧截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5

‧截止值0.8mm之JIS B0601：2001之算術平均粗糙度Ra_0.8

‧將單位測量區間設為1mm、將單位測量區間中之剖面曲線的山高最大值設為Pp，將單位測量區間中之剖面曲線的谷深最大值設為Pv，將Pp與Pv之和設為單位測量區間中之剖面曲線的最大剖面高度Pt時之5個測量區間之Pt的平均值Ptm。截止值為0。

A1-2.透過圖像清晰度

準備將實施例及比較例之觸控面板用書寫片切割為5cm見方之樣品各20個。20個部位係利用目視確認沒有塵埃或損傷等異常點後，自隨機部位揀選。

使用Suga Test Instruments公司製造之圖像解析度測量器(商品名：ICM-1T)，依據JIS K7374：2000對各樣品之通過寬度0.125mm、0.5mm、1mm及2mm之光頻梳之4種透過圖像清晰度進行測量，並算出總和C_s。然後，將20個樣品之平均值設為各實施例及比較例之總和_Cs。光入射面係設為塑膠膜側。

A1-3.霧度

使用霧度計(HM-150，村上色彩技術研究所製造)，依據JIS K-7136：2000對上述「A1-2」中所製作之各樣品之霧度(整體霧度)進行測量。然後，將20個樣品之平均值設為各實施例及比較例之霧度。光入射面係設為塑膠膜側。

A1-4.摩擦係數

使用新東科學公司製造之商品名HEIDON-14DR，於一定負載單程之摩擦測量模式下藉由以下之方法測量靜摩擦係數(μs)及動摩擦係數(μk)，算出μk/μs。對20個樣品各測量1次而算出各樣品之μk/μs，將20個樣品之μk/μs之平均值設為各實施例及比較例之μk/μs。關於測量時之環境，溫度係設為23℃±5℃，濕度係設為50%±10%。摩擦係數之測量間隔係設為0.02秒。再者，於測量開始前，將各樣品放置於23℃±5℃、濕度50%±10%之環境中10分鐘以上。

如圖7所示般，將下述之觸控面板筆A1或A2以60度之角度接觸觸控 面板筆用書寫片之樹脂層側之表面，併用保持器進行固定。於保持器上部之基座上載置100g之砝碼，向觸控面板筆施加垂直負載100gf。於施加負載之狀態下將固定了書寫片之可動台以14mm/秒之速度向可動台與觸控面板筆所成之角的鈍角方向側(圖7之左側)移動。對移動了單程40mm長度時之該筆之移動方向之靜摩擦係數(μs)及動摩擦係數(μk)進行測量。若μk/μs為0.30≦μk/μs≦0.58，則表示靜摩擦係數與動摩擦係數之平衡性良好，而停止書寫一瞬後再開始書寫時之書寫感良好。

<觸控面板筆A1>

附觸摸筆之3色鋼珠筆(三菱鉛筆股份有限公司製造，商品名：JETSTREAM筆尖)；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：0.002GPa(2.0×10⁶N/m²)；筆尖之直徑：5mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：100μm；上述式(i)之X：0.5MN/m

<觸控面板筆A2>

東芝股份有限公司製造，商品名：主動靜電筆IPCZ131A；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：1.5GPa(1.5×10⁹N/m²)；筆尖之直徑：1.6mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：100μm；上述式(i)之X：38.4MN/m

A1-5.書寫感

將觸控面板筆用書寫片之與樹脂層側之面相反側之面經由東麗公司製造之光學透明黏著片(厚度100μm)貼合於玻璃板，使用上述觸控面板筆A1及A2，而評價書寫感。將開始書寫時及開始書寫以後之書寫感良好者設為2分，將開始書寫時及開始書寫以後中之任一者之書寫感欠佳者設為1 分，將開始書寫時及開始書寫以後之書寫感均欠佳者設為0分，由20人進行評價。將20人之平均分為1.6分以上者設為A，將1.0分以上且未達1.6分者設為B，將未達1.0分者設為C。

關於評價時之環境，溫度係設為23℃±5℃，濕度係設為50%±10%。再者，於評價開始前，將各樣品放置於23℃±5℃、濕度50%±10%之環境中10分鐘以上。

A2.觸控面板筆用書寫片之製作

[實施例A1]

將下述配方之第一樹脂層塗佈液A1以乾燥後之厚度成為3μm之方式塗佈於塑膠膜(PET膜，厚度80μm)上並進行乾燥，進行紫外線照射而形成第一樹脂層。繼而，將下述配方之第二樹脂層塗佈液A1以乾燥後之厚度成為2μm之方式塗佈於第一樹脂層上並進行乾燥，進行紫外線照射而形成第二樹脂層，而獲得觸控面板筆用書寫片。

<第一樹脂層塗佈液A1>

<第二樹脂層塗佈液A1>

[實施例A2]

將塑膠膜變更為厚度40μm之TAC，將第一樹脂層塗佈液A1變更為下述配方之第一樹脂層塗佈液A2，將第一樹脂層之膜厚變更為6μm，將第二樹脂層塗佈液A1變更為下述配方之第二樹脂層塗佈液A2，將第二樹脂層之厚度變更為0.1μm，除此以外，以與實施例A1相同之方式獲得觸控面板筆用書寫片。

<第一樹脂層塗佈液A2>

<第二樹脂層塗佈液A2>

[實施例A3]

將塑膠膜變更為厚度60μm之TAC，將第一樹脂層塗佈液A1變更為下述配方之第一樹脂層塗佈液A3，將第一樹脂層之厚度變更為5μm，除此以外，以與實施例A2相同之方式獲得觸控面板筆用書寫片

<第一樹脂層塗佈液A3>

[比較例A1]

將塑膠膜變更為厚度80μm之TAC，將第一樹脂層塗佈液A1變更為下述配方之第一樹脂層塗佈液A4，將第一樹脂層之厚度變更為8μm，且不形成第二樹脂層，除此以外，以與實施例A1相同之方式獲得觸控面板筆用書寫片。

<第一樹脂層塗佈液A4>

(丙二醇單甲醚乙酸酯)

[比較例A2]

將第一樹脂層塗佈液A1變更為下述配方之第一樹脂層塗佈液A5，將第一樹脂層之厚度變更為3μm，且不形成第二樹脂層，除此以外，以與實施例A1相同之方式獲得觸控面板筆用書寫片。

<第一樹脂層塗佈液A5>

[比較例A3]

將塑膠膜變更為厚度40μm之TAC，將第一樹脂層塗佈液A1變更為下述配方之第一樹脂層塗佈液A6，將第一樹脂層之厚度變更為5μm，且 不形成第二樹脂層，除此以外，以與實施例A1相同之方式獲得觸控面板筆用書寫片。

<第一樹脂層塗佈液A6>

自表1之結果可明確，實施例A1~A3之觸控面板筆用書寫片於使用上述式(i)之X值為500MN/m以下之觸控面板筆作為觸控面板筆時，自開始書寫直至書寫結束之書寫感良好。又，實施例A1~A3之觸控面板筆用書寫片係由於μk/μs為0.30≦μk/μs≦0.58，故而靜摩擦係數與動摩擦係數之平衡性良好，而停止書寫一瞬後再開始書寫時之書寫感良好者。

A3.觸控面板之製作

於實施例A1~A3及比較例A1~A3之觸控面板筆用書寫片之基材側之面利用濺鍍法形成厚度20nm之ITO導電性膜，而製成上部電極板。繼而，於厚度1mm之強化玻璃板之一面利用濺鍍法形成厚度約20nm之ITO之導電性膜，而製成下部電極板。繼而，藉由網版印刷法將作為間隔片用塗佈 液之游離輻射硬化型樹脂(Dot Cure TR5903：太陽油墨公司)點狀地印刷於具有下部電極板之導電性膜之面後，利用高壓水銀燈照射紫外線，並使直徑50μm、高度8μm之間隔片以1mm之間隔排列。

繼而，使上部電極板與下部電極板以使導電性膜彼此對向之方式進行配置，利用厚度30μm、寬度3mm之雙面膠帶將邊緣接著，而製作實施例A1~A3及比較例A1~A3之電阻膜式觸控面板。

用上述觸控面板筆A1~A2於實施例A1~A3及比較例A1~A3之電阻膜式觸控面板上進行書寫，結果各觸控面板筆之書寫感之評價係與表1相同。

又，將實施例A1~A3及比較例A1~A3之電阻膜式觸控面板載置於市售之超高清液晶顯示裝置(夏普製造之智慧型手機，商品名：SH-03G，像素密度480ppi)上，利用目視對圖像進行評價，結果實施例A1~A3之觸控面板係可抑制超高清顯示元件之解像度降低者。另一方面，比較例A1~A3之觸控面板係無法抑制超高清顯示元件之解像度降低者。

A4.顯示裝置之製作

將實施例A1~A3及比較例A1~A3之觸控面板筆用書寫片與市售之超高清液晶顯示裝置(夏普製造之智慧型手機，商品名：SH-03G，像素密度480ppi)經由透明黏著劑(東麗公司製造之光學透明黏著片，厚度100μm)進行貼合，而製作實施例A1~A3及比較例A1~A3之顯示裝置。再者，於貼合時，使觸控面板筆用書寫片基材側之面朝向顯示元件側。

用上述觸控面板筆A1~A2於實施例A1~A3及比較例A1~A3之顯示裝置上進行書寫，結果各觸控面板筆之書寫感之評價係與表1相同。

又，利用目視對實施例A1~A3及比較例A1~A3之顯示裝置之影像進行評價，結果實施例A1~A3之顯示裝置係可抑制超高清顯示元件之解像度降低者。另一方面，比較例A1~A3之顯示裝置係無法抑制超高清顯示元件之解像度降低者。

[參考例A1~A6]

針對實施例A1~A3及比較例A1~A3中所製作之觸控面板筆用書寫片使用下述之觸控面板筆A3，利用與上述相同之方法進行μk/μs之測量及書寫感之評價。將結果示於表2。

<觸控面板筆A3>

Adonit公司製造，商品名：Jot Mini；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：0.1GPa(1.0×10⁸N/m²)；筆尖之直徑：5.0mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：1.0μm；上述式(i)之X：2,500MN/m

自表2之結果可確認如下情況：實施例A1~A3之觸控面板筆用書寫片有於使用上述式(i)之X值超過500MN/m之觸控面板筆(筆A3)作為觸控面板筆時，書寫感並不良好之傾向。又，自表1及表2之結果可確認如下情況：滿足條件(A1)及(A2)之觸控面板筆用書寫片並不適合上述式(i)之X值超過500MN/m之觸控面板筆(難以密接於書寫片 之筆)用書寫片，另一方面，適合上述式(i)之X值為500MN/m以下之觸控面板筆(容易密接於書寫片之筆)用書寫片。

<實施形態B之實施例>

B1.測量及評價

針對實施例及比較例中所製作之觸控面板筆用書寫片，進行以下之測量及評價。將結果示於表3。

B1-1.表面形狀測量

將實施例及比較例之觸控面板用書寫片切割成10cm見方。切割部位係利用目視確認沒有塵埃或損傷等異常點後，自隨機部位揀選。將切割出之表面構件經由東麗公司製造之光學透明黏著片(折射率：1.47，厚度100μm)貼合於長10cm×寬10cm尺寸之黑色板(可樂麗公司製造，商品名：CosmoGrass編號：DFA502K，厚度2.0mm)而獲得樣品，準備該樣品20個。

使用表面粗糙度測量器(型號：SE-3400/小阪研究所股份有限公司製造)，以成為樣品固定且密接於測量臺上之狀態之方式進行設置後，藉由下述之測量條件，針對下述之測量項目，測量各樣品之樹脂層側之表面形狀。然後，將20個樣品之平均值設為各實施例及比較例之Rz_0.8、Rp_0.8、Psk、Ptm、S_2.5及Ra_0.8。將結果示於表3。

<測量條件>

[表面粗糙度檢測部之觸針]

小阪研究所公司製造之商品名SE2555N(前端曲率半徑：2μm，頂角：90度，材質：金剛石)

[表面粗糙度測量器之測量條件]

‧Rz_0.8、Rp_0.8、S_2.5及Ra_0.8之評價長度：截止值λc之5倍

‧Rz_0.8、Rp_0.8、S_2.5及Ra_0.8之預備長度：截止值λc之2倍

‧觸針之輸送速度：0.5mm/s

‧縱向倍率：2000倍

‧橫向倍率：10倍

‧滑動墊木：不使用(未接觸測量面)

‧截止濾波器種類：高斯

‧死帶等級：10%

‧tp/PC曲線：普通

<測量項目>

‧將截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度設為Rz_0.8，將截止值0.8mm之JIS B0601：2001之粗糙度曲線之最大山高設為Rp_0.8時之Rp_0.8/Rz_0.8

‧測量區間1mm中之剖面曲線的偏斜度Psk。截止值為0。

‧將單位測量區間設為1mm、將單位測量區間中之剖面曲線的山高最大值設為Pp，將單位測量區間中之剖面曲線的谷深最大值設為Pv，將Pp與Pv之和設為單位測量區間中之剖面曲線的最大剖面高度Pt時之5個測量區間之Pt的平均值Ptm。截止值為0。

‧截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5

‧截止值0.8mm之JIS B0601：2001之算術平均粗糙度Ra_0.8

B1-2.霧度

準備將實施例及比較例之觸控面板用書寫片切割成5cm見方之樣品各20個。20個部位係利用目視確認沒有塵埃或損傷等異常點後，自隨機部位揀選。

使用霧度計(HM-150，村上色彩技術研究所製造)，依據JIS K-7136：2000對各樣品之霧度(整體霧度)進行測量。然後，將20個樣品之平均值設為各實施例及比較例之霧度。光入射面係設為塑膠膜側。

B1-3.透過圖像清晰度

使用Suga Test Instruments公司製造之圖像解析度測量器(商品名：ICM-1T)，依據JIS K7374：2000對上述「B1-2」中所製作之各樣品之通過寬度0.125mm、0.5mm、1mm及2mm之光頻梳之4種透過圖像清晰度進行測量，並算出總和C_s。然後，將20個樣品之平均值設為各實施例及比較例之總和C_s。光入射面係設為塑膠膜側。

B1-4.摩擦係數

使用新東科學公司製造之商品名HEIDON-14DR，於一定負載單程之摩擦測量模式下藉由以下之方法測量靜摩擦係數(μs)及動摩擦係數(μk)，算出μk/μs。對20個樣品各測量1次而算出各樣品之μk/μs，將20個樣品之μk/μs之平均值設為各實施例及比較例之μk/μs。關於測量時之環境，溫度係設為23℃±5℃，濕度係設為50%±10%。摩擦係數之測量間隔係設為0.02秒。再者，於測量開始前，將各樣品放置於23℃±5℃、濕度50%±10%之環境中10分鐘以上。

如圖7所示般，將下述之觸控面板筆B1或B2以60度之角度接觸觸控面板筆用書寫片之樹脂層側之表面，併用保持器進行固定。於保持器上部 之基座上載置100g之砝碼，向觸控面板筆施加垂直負載100gf。於施加負載之狀態下將固定了書寫片之可動台以14mm/秒之速度向可動台與觸控面板筆所成之角的鈍角方向側(圖7之左側)移動。對移動了單程40mm長度時之該筆之移動方向之靜摩擦係數(μs)及動摩擦係數(μk)進行測量。若μk/μs為0.30≦μk/μs≦0.58，則表示靜摩擦係數與動摩擦係數之平衡性良好，而停止書寫一瞬後再開始書寫時之書寫感良好。

<觸控面板筆B1>

三星電子公司製造之商品名「S Pen SCL24KKA」；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：1.0GPa(1.0×10⁹N/m²)；筆之直徑：0.5mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：0.1μm；上述式(i)之X：2,500MN/m

<觸控面板筆B2>

任天堂股份有限公司製造之商品名「DS專用觸摸筆NTR-004」；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：2.0GPa(2.0×10⁹N/m²)；筆尖之直徑：2.0mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：0.1μm；上述式(i)之X：80,000MN/m

B1-5.書寫感

將觸控面板筆用書寫片之與樹脂層側之面相反側之面經由東麗公司製造之光學透明黏著片(厚度100μm)貼合於玻璃板，使用上述觸控面板筆B1及B2，而評價書寫感。將開始書寫時及開始書寫以後之書寫感良好者設為2分，將開始書寫時及開始書寫以後中之任一者之書寫感欠佳者設為1分，將開始書寫時及開始書寫以後之書寫感均欠佳者設為0分，由20人進行評價。將20人之平均分為1.6分以上者設為A，將1.0分以上且未達1.6 分者設為B，將未達1.0分者設為C。

關於評價時之環境，溫度係設為23℃±5℃，濕度係設為50%±10%。再者，於評價開始前，將各樣品放置於23℃±5℃、濕度50%±10%之環境中10分鐘以上。

B1-6.防眩性

於螢光燈之照明下(書寫面之明亮度：500勒克司)進行B1-5之書寫感之評價時，將完全不在意照明之映入者設為2分，將照明少許映入但未對書寫造成障礙者設為1分，將照明強烈映入且對書寫造成障礙者設為0分，由20人進行評價。將20人之平均分為1.6分以上者設為A，將為1.0分以上且未達1.6分者設為B，將未達1.0分者設為C。

B2.觸控面板筆用書寫片之製作

[實施例B1]

將下述配方之樹脂層塗佈液B1以乾燥後之厚度成為5μm之方式塗佈於塑膠膜(厚度40μm三乙醯纖維素樹脂膜)上並進行乾燥，進行紫外線照射而形成樹脂層，而獲得觸控面板筆用書寫片。

<樹脂層塗佈液B1>

[實施例B2]

將樹脂層塗佈液B1變更為下述配方之樹脂層塗佈液B2，將樹脂層之厚度變更為7μm，除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得觸控面板筆用書寫片。

<樹脂層塗佈液B2>

[比較例B1]

將樹脂層塗佈液B1變更為下述配方之樹脂層塗佈液B3，將樹脂層之厚度變更為6μm，且將下述配方之第二樹脂層塗佈液B1以乾燥後之厚度成為0.1μm之方式塗佈於樹脂層上並進行乾燥，進行紫外線照射而第二樹脂層，而獲得觸控面板筆用書寫片。

<樹脂層塗佈液B3>

<第二樹脂層塗佈液B1>

[比較例B2]

將樹脂層塗佈液B1變更為下述配方之樹脂層塗佈液B4，將樹脂層之厚度變更為3μm，除此以外，以與實施例B1相同之方式獲得觸控面板筆 用書寫片。

<樹脂層塗佈液B4>

自表3之結果可明確，實施例B1~B2之觸控面板筆用書寫片於使用上述式(i)之X值超過500MN/m之觸控面板筆作為觸控面板筆時，自開始書寫直至書寫結束之書寫感良好。又，實施例B1~B2之觸控面板筆用書寫片係由於μk/μs為0.30≦μk/μs≦0.58，故而靜摩擦係數與動摩擦係數之平衡性良好，而停止書寫一瞬後再開始書寫時之書寫感良好者。又，實施例B1~B2之觸控面板筆用書寫片係防眩性亦優異者。

B3.觸控面板之製作

於實施例B1~B2及比較例B1~B2之觸控面板筆用書寫片之基材側之面利用濺鍍法形成厚度20nm之ITO導電性膜，而製成上部電極板。繼而，於厚度1mm之強化玻璃板之一面利用濺鍍法形成厚度約20nm之ITO之導電性膜，而製成下部電極板。繼而，藉由網版印刷法將作為間隔片用塗佈液之游離輻射硬化型樹脂(Dot Cure TR5903：太陽油墨公司)點狀地印刷於 具有下部電極板之導電性膜之面後，利用高壓水銀燈照射紫外線，並使直徑50μm、高度8μm之間隔片以1mm之間隔排列。

繼而，使上部電極板與下部電極板以使導電性膜彼此對向之方式進行配置，利用厚度30μm、寬度3mm之雙面膠帶將邊緣接著，而製作實施例B1~B2及比較例B1~B2之電阻膜式觸控面板。

用上述觸控面板筆B1~B2於實施例B1~B2及比較例B1~B2之電阻膜式觸控面板上進行書寫，結果各觸控面板筆之書寫感之評價係與表3相同。

又，將實施例B1~B2及比較例B1~B2之電阻膜式觸控面板載置於市售之超高清液晶顯示裝置(夏普製造之智慧型手機，商品名：SH-03G，像素密度480ppi)上，於螢光燈照明下利用目視對圖像進行評價，結果實施例B1~B2之觸控面板係防眩性較比較例B1之觸控面板優異，且與比較例B2之觸控面板相比，可抑制超高清顯示元件之解像度降低者。

B4.顯示裝置之製作

將實施例B1~B2及比較例B1~B2之觸控面板筆用書寫片與市售之超高清液晶顯示裝置(夏普製造之智慧型手機，商品名：SH-03G，像素密度480ppi)經由透明黏著劑進行貼合，而製作實施例B1~B2及比較例B1~B2之顯示裝置。再者，於貼合時，使觸控面板筆用書寫片基材側之面朝向顯示元件側。

用上述觸控面板筆B1~B2於實施例B1~B2及比較例B1~B2之顯示裝置上進行書寫，結果各觸控面板筆之書寫感之評價係與表3相同。

又，於螢光燈照明下利用目視對實施例B1~B2及比較例B1~B2之顯 示裝置之影像進行評價(評價面之明亮度：500勒克司)，結果實施例B1~B2之顯示裝置係防眩性較比較例B1之顯示裝置優異，且與比較例B2之顯示裝置相比，可抑制超高清顯示元件之解像度降低者。

[參考例B1~B4]

針對實施例B1~B2及比較例B1~B2中所製作之觸控面板筆用書寫片使用下述之觸控面板筆B3，利用與上述相同之方法進行μk/μs之測量及書寫感之評價。將結果示於表4。

<觸控面板筆B3>

附觸摸筆之3色鋼珠筆(三菱鉛筆股份有限公司製造，商品名：JETSTREAM筆尖)；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：0.002GPa(2.0×10⁶N/m²)；筆尖之直徑：5.0mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：100μm；上述式(i)之X：0.5MN/m

自表4之結果可確認如下情況：實施例B1~B2之觸控面板筆用書寫片有於使用上述式(i)之X值為500MN/m以下之觸控面板筆(筆B3)作為觸控面板筆時，書寫感並不良好之傾向。又，自表3及表4之結果可確認如下情況：滿足條件(B1)及(B2)之觸控面板筆用書寫片並不適合上述式(i)之X值為500MN/m以下之觸控面板筆(容易密接於書寫 片之筆)用書寫片，另一方面，適合上述式(i)之X值超過500MN/m之觸控面板筆(難以密接於書寫片之筆)用書寫片。

<實施形態C之實施例>

C1.測量及評價

針對實施例及比較例中所製作之觸控面板筆用書寫片，進行以下之測量及評價。將結果示於表5或表6。

C1-1.摩擦係數

使用新東科學公司製造之商品名HEIDON-14DR，於一定負載單程之摩擦測量模式下藉由以下之方法測量靜摩擦係數(μs)及動摩擦係數(μk)，算出μk/μs。將對20個樣品各測量1次時之平均值設為各實施例及比較例之μk、μs。又，對20個樣品各測量1次而算出各樣品之μk/μs，將20個樣品之μk/μs之平均值設為各實施例及比較例之μk/μs。關於測量時之環境，溫度係設為23℃±5℃，濕度係設為50%±10%。摩擦係數之測量間隔係設為0.02秒。再者，於測量開始前，將各樣品放置於23℃±5℃、濕度50%±10%之環境中10分鐘以上。

如圖7所示般，將下述之觸控面板筆C1~C4以60度之角度接觸觸控面板筆用書寫片之樹脂層側之表面，併用保持器進行固定。於保持器上部之基座上載置100g之砝碼，向觸控面板筆施加垂直負載100gf。於施加負載之狀態下將固定了書寫片之可動台以14mm/秒之速度向可動台與觸控面板筆所成之角的鈍角方向側(圖7之左側)移動。對掃描了單程40mm長度時之該筆之掃描方向之靜摩擦係數(μs)及動摩擦係數(μk)進行測量。

<觸控面板筆C1>

三星電子公司製造之商品名「S Pen SCL24KKA」；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：1.0GPa(1.0×10⁹N/m²)；筆尖之直徑：0.5mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：0.1μm；上述式(i)之X：2,500MN/m

<觸控面板筆C2>

任天堂股份有限公司製造之商品名「DS專用觸摸筆NTR-004」；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：2.0GPa(2.0×10⁹N/m²)；筆尖之直徑：2.0mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：0.1μm；上述式(i)之X：80,000MN/m

<觸控面板筆C3>

附觸摸筆之3色鋼珠筆(三菱鉛筆股份有限公司製造，商品名：JETSTREAM筆尖)；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：0.002GPa(2.0×10⁶N/m²)；筆尖之直徑：5.0mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：100μm；上述式(i)之X：0.5MN/m

<觸控面板筆C4>

東芝股份有限公司製造，商品名：主動靜電筆IPCZ131A；筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數：1.5GPa(1.5×10⁹N/m²)；筆尖之直徑：1.6mm；筆尖之剖面曲線的算術平均高度Pa：100μm；上述式(i)之X：38.4 MN/m

C1-2.書寫感

將觸控面板筆用書寫片之與樹脂層側之面相反側之面經由東麗公司製造之光學透明黏著片(厚度100μm)貼合於玻璃板，使用上述觸控面板筆 C1~C4，而評價書寫感。將如下3種書寫感，即開始書寫時之書寫感、開始書寫以後之書寫感，及停止書寫一瞬後再開始書寫時之書寫感設為評價分數，將作為整體之書寫感良好者設為2分，將作為整體之書寫感普通者設為1分，將作為整體之書寫感欠佳者設為0分，由20人進行評價。將20人之平均分為1.6分以上者設為A，將1.0分以上且未達1.6分者設為B，將未達1.0分者設為C。

關於評價時之環境，溫度係設為23℃±5℃，濕度係設為50%±10%。再者，於評價開始前，將各樣品放置於23℃±5℃、濕度50%±10%之環境中10分鐘以上。

C1-3.霧度

準備將實施例及比較例之觸控面板用書寫片切割成5cm見方之樣品各20個。20個部位係利用目視確認沒有塵埃或損傷等異常點後，自隨機部位揀選。

使用霧度計(HM-150，村上色彩技術研究所製造)，依據JIS K-7136：2000對各樣品之霧度(整體霧度)進行測量。然後，將20個樣品之平均值設為各實施例及比較例之霧度。光入射面係設為塑膠膜側。

C1-4.透過圖像清晰度

使用Suga Test Instruments公司製造之圖像解析度測量器(商品名：ICM-1T)，依據JIS K7374：2000對上述「C1-3」中所製作之各樣品之通過寬度0.125mm、0.5mm、1mm及2mm之光頻梳之4種透過圖像清晰度進行測量，並算出總和C_s。然後，將20個樣品之平均值設為各實施例及比較例之總和C_s。光入射面係設為塑膠膜側。

C1-5.防眩性

於螢光燈之照明下(書寫面之明亮度：500勒克司)進行C1-2之書寫感之評價時，將完全不在意照明之映入者設為2分，將照明少許映入但未對書寫造成障礙者設為1分，將照明強烈映入且對書寫造成障礙者設為0分，由20人進行評價。將20人之平均分為1.6分以上者設為A，將為1.0分以上且未達1.6分者設為B，將未達1.0分者設為C。

C2.觸控面板筆用書寫片之製作

[實驗例C1]

將下述配方之樹脂層塗佈液C1以乾燥後之厚度成為5μm之方式塗佈於塑膠膜(厚度40μm三乙醯纖維素樹脂膜)上並進行乾燥，進行紫外線照射而形成樹脂層，而獲得觸控面板筆用書寫片。

<樹脂層塗佈液C1>

[實驗例C2]

將樹脂層塗佈液C1變更為下述配方之樹脂層塗佈液C2，將樹脂層之厚度變更為7μm，除此以外，以與實驗例C1相同之方式獲得觸控面板筆用書寫片。

<樹脂層塗佈液C2>

[實驗例C3]

將樹脂層塗佈液C1變更為下述配方之樹脂層塗佈液C3，將樹脂層之厚度變更為6μm，且將下述配方之第二樹脂層塗佈液C1以乾燥後之厚度成為0.1μm之方式塗佈於樹脂層上並進行乾燥，進行紫外線照射而形成第二樹脂層，而獲得觸控面板筆用書寫片。

<樹脂層塗佈液C3>

<第二樹脂層塗佈液C1>

[實驗例C4]

將樹脂層塗佈液C1變更為下述配方之樹脂層塗佈液C4，將樹脂層之厚度變更為3μm，除此以外，以與實驗例C1相同之方式獲得觸控面板筆用書寫片。

<樹脂層塗佈液C4>

如表5所示般，μk/μs顯示0.30以上且0.58以下之值之書寫片係書寫感之評價成為A或B。該情況表示：揀選μk/μs顯示0.30以上且0.58以下之值之書寫片係關係到書寫感良好之書寫片之揀選。又，筆C1~C4係全部種類不同者，因此表5之結果係表示如下情況：於使用任意之觸控面板筆之情形時，揀選μk/μs顯示0.30以上且0.58以下之值之書寫片係關係到書寫感良好之書寫片之揀選。

又，關於實驗例C1及C2之觸控面板筆用書寫片，可確認對上述式(i)之X值超過500MN/m之觸控面板筆(筆C1及筆C2)之書寫感極為良好，並且防眩性良好。認為其原因在於：實驗例C1及C2之觸控面板筆用書寫 片由於樹脂層包含微米級粒子及奈米級無機超微粒子，故而於樹脂層之表面微小區域之凹凸及較大區域之凹凸混合存在而形成。

C3.觸控面板之製作

於實驗例C1~C4之觸控面板筆用書寫片之基材側之面利用濺鍍法形成厚度20nm之ITO之導電性膜，而製成上部電極板。繼而，於厚度1mm之強化玻璃板之一面利用濺鍍法形成厚度約20nm之ITO之導電性膜，而製成下部電極板。繼而，藉由網版印刷法將作為間隔片用塗佈液之游離輻射硬化型樹脂(Dot Cure TR5903：太陽油墨公司)點狀地印刷於具有下部電極板之導電性膜之面後，利用高壓水銀燈照射紫外線，並使直徑50μm、高度8μm之間隔片以1mm之間隔排列。

繼而，使上部電極板與下部電極板以使導電性膜彼此對向之方式進行配置，利用厚度30μm、寬度3mm之雙面膠帶將邊緣接著，而製作實驗例C1~C4之電阻膜式觸控面板。

用上述觸控面板筆C1~C4於實驗例C1~C4之電阻膜式觸控面板上進行書寫時，結果各觸控面板筆之書寫感之評價係與表5相同。其結果為，表示如下情況：於由觸控面板與觸控面板筆之組合所構成之觸控面板系統中，μk/μs顯示0.30以上且0.58以下之值之觸控面板系統係書寫感良好。

又，將實驗例C1~C4之電阻膜式觸控面板載置於市售之超高清液晶顯示裝置(夏普製造之智慧型手機，商品名：SH-03G，像素密度480ppi)上，於螢光燈照明下利用目視評價圖像，結果實驗例C1~2之觸控面板係防眩性較實驗例C3之觸控面板優異，與實驗例C4之觸控面板相比，可抑制超高清顯示元件之解像度降低者。

C4.顯示裝置之製作

將實驗例C1~C4之觸控面板筆用書寫片與市售之超高清液晶顯示裝置(夏普製造之智慧型手機，商品名：SH-03G，像素密度480ppi)經由透明黏著劑進行貼合，而製作實驗例C1~C4之顯示裝置。再者，於貼合時，使觸控面板筆用書寫片基材側之面朝向顯示元件側。

用上述觸控面板筆C1~C4於實驗例C1~C4之顯示裝置上進行書寫，結果各觸控面板筆之書寫感之評價係與表5相同。

又，於螢光燈照明下利用目視對實驗例C1~C4之顯示裝置之影像進行評價，結果實驗例C1~C2之顯示裝置係防眩性較實驗例C3之顯示裝置優異，與實驗例C4之顯示裝置相比，可抑制超高清顯示元件之解像度降低者。

[產業上之可利用性]

本發明之觸控面板筆用書寫片、觸控面板、觸控面板系統及顯示裝置係於可使觸控面板筆之書寫感變良好之方面上有用。又，本發明之觸控面板筆用書寫片之揀選方法係於可高效率地進行書寫片之製品設計、品質管理之方面上有用。

1‧‧‧塑膠膜

2‧‧‧樹脂層

10‧‧‧觸控面板筆用書寫片

Claims (11)

1. 一種觸控面板筆用書寫片，其係下述之觸控面板筆(A)用書寫片，該書寫片具有截止值(cutoff value)0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大谷深Rv_0.8，以及截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5滿足下述條件(A1)及(A2)的表面，0.35≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.60 (A1) 0.05mm≦S_2.5≦0.30mm (A2)<觸控面板筆(A)>該觸控面板筆於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X為500MN/m以下，X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)。
2. 如申請專利範圍第1項之觸控面板筆用書寫片，其中，於將單位測量區間設為1mm，將單位測量區間中之剖面曲線的山高最大值設為Pp，將單位測量區間中之剖面曲線的谷深最大值設為Pv，將Pp與Pv之和設為單位測量區間中之剖面曲線的最大剖面高度Pt，將5個測量區間之Pt的平均值設為Ptm時，該表面之Ptm滿足下述條件(A3)，0.01μm≦Ptm≦1.00μm (A3)。
3. 一種觸控面板，於表面具有片，以作為該片之申請專利範圍第1或2項之觸控面板筆用書寫片滿足該條件(A1)及(A2)之側的面配置成 朝向觸控面板之表面而成。
4. 一種顯示裝置，具有觸控面板，該觸控面板為申請專利範圍第3項之觸控面板。
5. 一種觸控面板筆用書寫片之揀選方法，揀選具有截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大谷深Rv_0.8，以及截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔S_2.5滿足下述條件(A1)及(A2)之表面的片作為下述之觸控面板筆(A)用書寫片，0.35≦Rv_0.8/Rz_0.8≦0.60 (A1) 0.05mm≦S_2.5≦0.30mm (A2)<觸控面板筆(A)>該觸控面板筆於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X為500MN/m以下，X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)。
6. 一種觸控面板筆用書寫片，其係下述之觸控面板筆(B)用書寫片，該書寫片具有截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大山高Rp_0.8，以及測量區間1mm中之剖面曲線的偏斜度Psk滿足下述條件(B1)及(B2)之表面，且該書寫片之JIS K7136：2000之霧度(haze)滿足下述條件(B3)，0.50<Rp_0.8/Rz_0.8≦0.75 (B1) 0.60≦Psk (B2) 霧度為5.0%以上 (B3)<觸控面板筆(B)>該觸控面板筆於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X超過500MN/m，X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)。
7. 如申請專利範圍第6項之觸控面板筆用書寫片，其中，於將單位測量區間設為1mm，將單位測量區間中之剖面曲線的山高最大值設為Pp，將單位測量區間中之剖面曲線的谷深最大值設為Pv，將Pp與Pv之和設為單位測量區間中之剖面曲線的最大剖面高度Pt，將5個測量區間之Pt的平均值設為Ptm時，該表面之Ptm滿足下述條件(B4)，0.30μm≦Ptm≦7.00μm (B4)。
8. 如申請專利範圍第6或7項之觸控面板筆用書寫片，其中，於將截止值2.5mm之JIS B0601：1994之局部山頂平均間隔設為S_2.5時，該表面之S_2.5滿足下述條件(B5)，0.02mm≦S_2.5≦0.20mm (B5)。
9. 一種觸控面板，表面具有片，以作為該片之申請專利範圍第6至8項中任一項之觸控面板筆用書寫片滿足該條件(B1)及(B2)之側的面配置成朝向觸控面板之表面而成。
10. 一種顯示裝置，具有觸控面板，該觸控面板為申請專利範圍第9項之 觸控面板。
11. 一種觸控面板筆用書寫片之揀選方法，揀選具有截止值0.8mm之JIS B0601：2001之最大高度粗糙度Rz_0.8及粗糙度曲線之最大山高Rp_0.8，以及測量區間1mm中之剖面曲線的偏斜度Psk滿足下述條件(B1)及(B2)之表面，且JIS K7136：2000之霧度滿足下述條件(B3)之片作為下述之觸控面板筆(B)用書寫片，0.50<Rp_0.8/Rz_0.8≦0.75 (B1) 0.60≦Psk (B2) 霧度為5.0%以上 (B3)<觸控面板筆(B)>該觸控面板筆於將構成觸控面板筆之筆尖及軸之構造體之表觀楊氏模數設為E，將筆尖之直徑設為D，將筆尖之單位測量區間(0.5mm)中之剖面曲線的算術平均高度設為Pa時，自下述式(i)導出之X超過500MN/m，X(MN/m)=[E×D×D]/Pa (i)。

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