TWI702645B - 切割晶粒接著片、半導體晶片的製造方法及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

切割晶粒接著片、半導體晶片的製造方法及半導體裝置的製造方法 Download PDF

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Abstract

一種切割晶粒接著片101，係於基材11上具備黏著劑層12，且於黏著劑層12上具備膜狀接著劑13而成，黏著劑層12的厚度為20μm至50μm，黏著劑層12的斷裂伸長率為5%至50%。一種半導體晶片9的製造方法，係形成中間結構體，並使用切割刀於前述中間結構體中形成自前述半導體晶圓的表面到達黏著劑層12並且不到達基材11的切口10，藉此分割前述半導體晶圓，該中間結構體係於該切割晶粒接著片101的膜狀接著劑13的第1面13a設置半導體晶圓而成。

Description

切割晶粒接著片、半導體晶片的製造方法及半導體裝置的製造方法
本發明係關於一種切割晶粒接著片、半導體晶片的製造方法及半導體裝置的製造方法。
本申請係基於2016年3月10日在日本提出申請的日本特願2016-046904號而主張優先權，並將該內容援用至本文中。
切割晶粒接著片例如係於基材上依序具備黏著劑層及膜狀接著劑而構成，並利用該膜狀接著劑貼附至半導體晶圓上而使用。固定於切割晶粒接著片上的半導體晶圓係藉由切割而與黏著劑層及膜狀接著劑一併分割，從而單片化為半導體晶片。其後，例如於黏著劑層為硬化性的情況下，預先使黏著劑層硬化而降低黏著性，將具備切斷後的膜狀接著劑的半導體晶片自該硬化後的黏著劑層剝離並拾取。所拾取的半導體晶片係利用膜狀接著劑晶粒接著 (die bonding)於基板的電路面，根據需要於該半導體晶片上進一步積層1個以上的別的半導體晶片，並進行打線接合(wire bonding)後，利用樹脂將整體加以密封。使用如此而獲得的半導體封裝，最終製造目標半導體裝置。
切割例如係藉由使用切割刀，一邊使該切割刀旋轉一邊切入半導體晶圓而進行。但是，於該切割方法中，由於係利用切割刀將半導體晶圓與切割晶粒接著片的至少一部分加以切削，故而會產生切削屑。切割雖然係一邊利用水洗淨切口部位一邊進行，但無法完全沖洗掉切削屑，故而若切削屑的量多，則一部分切削屑於切割後會附著於所獲得的半導體晶片、或該半導體晶片所具備的已切斷的膜狀接著劑上而容易殘存。但是，具備切斷後的膜狀接著劑的半導體晶片若如此殘存切削屑，則有無法正常地進行拾取的情況。亦即，若切割時的切削屑的產生量多，則會導致拾取不良。
另一方面，於使用切割刀進行半導體晶圓的切割時，作為能夠抑制切削屑附著於半導體晶片的黏著帶，揭示有於基材膜上具備由60℃至100℃下的儲存彈性率為特定範圍內的黏著劑所構成的放射線硬化型丙烯酸系黏著劑層而成的半導體晶圓固定用黏著帶(參照專利文獻1)。該黏著帶相當於切割片，於黏著帶的黏著劑層上進一步設置膜狀接著劑(亦即晶粒接著膜)，並用於切割。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2007-027215號公報。
然而，雖然專利文獻1中揭示有於使用切割刀進行切割的情況下藉由使用前述文獻所記載的切割片(亦即半導體晶圓固定用黏著帶)而能夠抑制切削屑的產生，但並未揭示具備膜狀接著劑的半導體晶片的拾取適應性。
因此，本發明的目的在於提供一種切割晶粒接著片、以及使用該切割晶粒接著片的半導體晶片的製造方法及半導體裝置的製造方法，該切割晶粒接著片於使用切割刀進行半導體晶圓的切割時，能夠降低切削屑的產生量，而能夠抑制具備膜狀接著劑的半導體晶片的拾取不良的產生。
為了解決前述課題，本發明提供一種切割晶粒接著片，係於基材上具備黏著劑層，且於前述黏著劑層上具備膜狀接著劑而成，並且前述黏著劑層的厚度為20μm至50μm，前述黏著劑層的斷裂伸長率為5%至50%。
於本發明的切割晶粒接著片中，較佳為前述黏著劑層為非能量線硬化性。
於本發明的切割晶粒接著片中，較佳為前述黏著劑層對前述膜狀接著劑的黏著力為35mN/25mm至300mN/25mm。
另外，本發明提供一種半導體晶片的製造方法，係使用前述切割晶粒接著片，並且包含有下述步驟：形成中間結構體之步驟，該中間結構體係於前述切割晶粒接著片中的前述膜狀接著劑中的與設置有前述黏著劑層之側相反側的表面設置半導體晶圓而成；以及藉由使用切割刀於前述中間結構體中形成自前述半導體晶圓的表面到達前述黏著劑層並且不到達前述基材的切口，藉此分割前述半導體晶圓而形成半導體晶片之步驟。
另外，本發明提供一種半導體裝置的製造方法，係於藉由前述半導體晶片的製造方法進行形成前述半導體晶片的步驟之後，具有下述步驟：對於形成前述切口後的切割晶粒接著片自基材側施加力，並且將前述半導體晶片與切斷後的前述膜狀接著劑一併自前述黏著劑層剝離。
根據本發明，提供一種切割晶粒接著片、使用該切割晶粒接著片的半導體晶片的製造方法及半導體裝置的製造方法，該切割晶粒接著片係於使用切割刀進行半導體晶 圓的切割時，能夠抑制切削屑的產生量，而能夠抑制具備膜狀接著劑的半導體晶片的拾取不良的產生。
8‧‧‧切割刀
8a‧‧‧尖端部
9‧‧‧半導體晶片
9'‧‧‧半導體晶圓
9a'‧‧‧半導體晶圓的表面
10‧‧‧切口
11‧‧‧基材
11a‧‧‧基材的第1面
12‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧黏著劑層的第1面
13、23‧‧‧膜狀接著劑
13a、23a‧‧‧膜狀接著劑的第1面
14‧‧‧治具用接著劑層
14a‧‧‧第1面
14c‧‧‧側面
15‧‧‧剝離膜
23c‧‧‧側面
70‧‧‧突起
71‧‧‧提拉部
101、102、103‧‧‧切割晶粒接著片
110a‧‧‧底面
120a‧‧‧底面
201‧‧‧中間結構體
L‧‧‧直徑方向的長度
T1‧‧‧黏著劑層的厚度
T2‧‧‧切口的深度
T3‧‧‧切口的深度
W‧‧‧切割刀的寬度
圖1係示意性地表示本發明的切割晶粒接著片的一實施形態的剖視圖。
圖2係示意性地表示本發明的切割晶粒接著片的另一實施形態的剖視圖。
圖3係示意性地表示本發明的切割晶粒接著片的另一實施形態的剖視圖。
圖4係用以示意性地說明本發明的半導體晶片的製造方法的一實施形態的剖視圖。
圖5係示意性地表示藉由本發明的製造方法所獲得的半導體晶片的一實施形態的放大剖視圖。
圖6係示意性地表示於切割步驟中使用切割刀於中間結構體上形成切口的狀態的一例的剖視圖。
圖7係示意性地表示藉由以往的製造方法所獲得的半導體晶片的一例的放大剖視圖。
圖8係用以示意性地說明本發明的半導體裝置的製造方法的一實施形態的剖視圖。
<<切割晶粒接著片>>
本發明的切割晶粒接著片係於基材上具備黏著劑層，且於前述黏著劑層上具備膜狀接著劑而成，前述黏著劑層的厚度為20μm至50μm，前述黏著劑層的斷裂伸長率為5%至50%。
本發明的切割晶粒接著片適宜在半導體晶圓的使用切割刀所進行的切割(亦即刀切割(blade dicing))、及繼該切割之後進行的具備切斷後的膜狀接著劑的半導體晶片(於本說明書中有時稱為「附帶膜狀接著劑的半導體晶片」)的拾取時使用。
於使用切割刀的切割中，使切割刀旋轉，而切入半導體晶圓。此時，由於利用切割刀將半導體晶圓與切割晶粒接著片的至少一部分加以切削，故而會產生切削屑。該切削屑係自半導體晶圓及切割晶粒接著片中的任一層所產生，且為粉體狀、纖維狀等的浮游物，或未自前述的任一層完全地斷開地成為鬚狀而殘存。若該切削屑的產生量多，則一部分切削屑容易附著於半導體晶片或已切斷的膜狀接著劑上而殘存。而且，若切削屑如此殘存，則有無法正常地拾取附帶膜狀接著劑的半導體晶片的情況，而導致拾取不良。另外，即便假設成功地拾取，於殘存有切削屑的狀態下製作的半導體裝置有變得不再正常地發揮機能的情況。
相對於此，本發明的切割晶粒接著片藉由使黏著劑層的厚度及斷裂伸長率為前述範圍內，於使用切割刀切割半導體晶圓時，可降低切削屑的產生量。而且，藉此可抑制附帶膜狀接著劑的半導體晶片的拾取不良的產生。
以下，首先對構成本發明的切割晶粒接著片的各層加以說明。
<基材>
前述基材的構成材料較佳為各種樹脂，具體而言，例如可列舉：聚乙烯(低密度聚乙烯(有時簡稱為LDPE；low density polyethylene)、直鏈低密度聚乙烯(有時簡稱為LLDPE；linear low density polyethylene)、高密度聚乙烯(有時簡稱為HDPE；high density polyethylene)等)、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸胺基甲酸酯、聚醯亞胺、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、這些中的任一種樹脂的氫添加物、改性物、交聯物或共聚物等。
此外，於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」係設為包含有「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者的概念。與(甲基)丙烯酸類似的用語亦相同，例如所謂「(甲基)丙烯酸酯」 係包含有「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者的概念，所謂「(甲基)丙烯醯基」係包含有「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者的概念。
構成基材的樹脂可為1種，亦可為2種以上；在為2種以上的情況下，這些組合及比率可任意地選擇。
基材可包含1層(亦即單層)，亦可包含2層以上的複數層。於基材包含複數層的情況下，這些複數層可相互相同，亦可不同。亦即，可所有層相同，亦可所有層不同，亦可僅一部分層相同。而且，於複數層相互不同的情況下，這些複數層的組合只要無損本發明的功效，則無特別限定。此處，所謂複數層相互不同，意指各層的材質及厚度中的至少一個相互不同。
此外，於本說明書中，不限於為基材的情況，所謂「複數層可相互相同亦可不同」意指「可所有層相同，亦可所有層不同，亦可僅一部分層相同」，再者所謂「複數層相互不同」意指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。
基材的厚度可根據目的而適當選擇，較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至100μm。
此處，所謂「基材的厚度」意指基材整體的厚度，例如所謂包含複數層的基材的厚度意指構成基材的所有層 的合計厚度。此外，作為基材的厚度的測定方法，例如可列舉：於任意的5處，使用接觸式厚度計測定厚度，並算出測定值的平均值的方法等。
為了提升基材與設置於該基材上的黏著劑層等其他層的密接性，亦可對該基材的表面實施藉由噴砂處理、溶劑處理、壓紋加工處理等所進行的凹凸化處理、或電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧-紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等。
另外，基材亦可為表面實施過底塗(primer)處理的基材。
另外，基材於層疊抗靜電塗層、切割晶粒接著片而保存時，亦可具有用以防止基材接著於其他片材或用以防止基材接著於吸附帶的層等。
<黏著劑層>
前述黏著劑層滿足以下所示的厚度及斷裂伸長率的條件，較佳為非能量線硬化性。
於本發明中，所謂「非能量線硬化性」意指即使照射能量線亦不會硬化的性質。與此相反地藉由照射能量線而硬化的性質稱為「能量線硬化性」。
於本發明中，所謂「能量線」意指電磁波或荷電粒子線中具有能量量子的射線，作為例子，可列舉：紫外線、電子束等。
紫外線例如可使用高壓水銀燈、融合(fusion)H燈或氙氣燈等作為紫外線源而進行照射。電子束可由電子束加速器等產生而進行照射。
黏著劑層可僅為1層(亦即單層)，亦可為2層以上的複數層；於為複數層的情況下，這些複數層可相互相同亦可不同，這些複數層的組合並無特別限定。
黏著劑層的厚度為20μm至50μm，較佳為20μm至45μm，更佳為20μm至40μm，尤佳為20μm至35μm。藉由使黏著劑層的厚度為前述下限值以上，對被黏著體(亦即膜狀接著劑)獲得更高的黏著力。另一方面，藉由使黏著劑層的厚度為前述上限值以下，於下述剝離步驟中，可更容易地剝離附帶膜狀接著劑的半導體晶片並加以拾取；另外，於使用切割刀切割半導體晶圓時，可進一步降低切削屑的產生量。並且，避免黏著劑層的厚度變得過厚，可降低切割晶粒接著片的製造成本，並且可穩定地形成黏著劑層，而可更穩定地進行切割晶粒接著片的製造。
此處，所謂「黏著劑層的厚度」意指黏著劑層整體的厚度，例如所謂包含複數層的黏著劑層的厚度意指構成黏著劑層的所有層的合計厚度。此外，作為黏著劑層的厚度的測定方法，例如可列舉：於任意5處，使用接觸式厚度計測定厚度，並算出測定值的平均值的方法等。
黏著劑層的斷裂伸長率為5%至50%，較佳為6%至46%，更佳為7%至44%，尤佳為8%至42%。藉由使黏著劑層的斷裂伸長率為前述下限值以上，在直至將附帶膜狀接著劑的半導體晶片自黏著劑層剝離並加以拾取為止的過程中，於對黏著劑層進行拉伸(亦即進行延伸)時，高度地抑制黏著劑層的目標以外之處的破裂，切割晶粒接著片成為具有更優異的特性的接著片。另一方面，藉由使黏著劑層的斷裂伸長率為前述上限值以下，於使用切割刀切割半導體晶圓時，可降低切削屑的產生量，而可將切割後的附帶膜狀接著劑的半導體晶片容易地自黏著劑層剝離並加以拾取。
此外，於本說明書中，所謂「黏著劑層的斷裂伸長率」只要無特別說明，則於黏著劑層為硬化性的情況下意指「硬化前的黏著劑層的斷裂伸長率」。另外，前述斷裂伸長率只要無特別說明，則意指常溫下的黏著劑層的斷裂伸長率。而且，於本說明書中，所謂「常溫」意指不特別冷又不特別熱的溫度，即平常的溫度，例如可列舉15℃至25℃的溫度等。
於本發明中，黏著劑層的斷裂伸長率係藉由如下方式求出：將寬度10mm、厚度0.03mm的黏著劑層以固定處之間的距離成為10mm的方式於兩處加以固定，將拉伸速 度設為1000mm/min，於該固定處之間拉伸黏著劑層並測定黏著劑層斷裂時的黏著劑層的伸長率。
此外，於本說明書中，所謂「斷裂伸長率為X%(式中，X為正數)」意指如下情況：於前述的測定方法中，拉伸黏著劑層，黏著劑層於拉伸方向上伸長原長度(亦即尚未拉伸時的長度)的X%的長度時，亦即黏著劑層於拉伸方向上的整體長度成為拉伸前的長度的[1+X/100]倍時，黏著劑層斷裂。
黏著劑層的斷裂伸長率例如可藉由調節黏著劑層的含有成分的種類及量等而適當加以調節。例如可藉由調節黏著劑層的含有成分亦即下述黏著性樹脂中的構成單元的種類及其含有比率等，而容易地調節黏著劑層的斷裂伸長率。另外，可藉由調節黏著劑層的黏著性樹脂或交聯劑的含量，而容易地調節黏著劑層的斷裂伸長率。但是，這些調節方法僅為一例。
於本發明中，黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力只要無損本發明的功效，則無特別限定，較佳為35mN/25mm至300mN/25mm，更佳為45mN/25mm至100mN/25mm。
藉由使前述黏著力為35mN/25mm以上，對於切割晶粒接著片而言，可更穩定地維持黏著劑層及膜狀接著劑的積層結構。另外，藉由使前述黏著力為45mN/25mm以上，而進一步抑制所謂晶片飛散，該晶片飛散係因於半導體晶 圓的切割時對半導體晶片所施加的力而導致半導體晶片飛散。
另一方面，藉由使前述黏著力為300mN/25mm以下，黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力會適度地減小，如下所述，即使藉由能量線照射等而進行黏著劑層的硬化，亦可將切割後的附帶膜狀接著劑的半導體晶片容易地自黏著劑層剝離並加以拾取。再者，此時會抑制於膜狀接著劑上附著殘留有黏著劑層的一部分的狀態下拾取附帶膜狀接著劑的半導體晶片的情況。另外，藉由使前述黏著力為100mN/25mm以下，於上推附帶膜狀接著劑的半導體晶片並自黏著劑層將該半導體晶片剝離並加以拾取時，可以較少的上推量容易地進行拾取，而進一步抑制所謂碎屑，例如於半導體晶片上產生破裂或破片。
此外，於本說明書中，所謂「黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力」只要無特別說明，則於黏著劑層為硬化性的情況下，意指「硬化前的黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力」。另外，前述黏著力只要無特別說明，則意指常溫下的黏著劑層的黏著力。
於本發明中，前述黏著力(mN/25mm)可藉由以下的方法進行測定。亦即，製作寬度為25mm且長度為任意的前述切割晶粒接著片。
接著，於常溫(例如23℃)下，利用膜狀接著劑將該切割晶粒接著片貼附至固定用基材上。此處所謂「固定用基材」，只要為能夠牢固地固定切割晶粒接著片的膜狀接著劑的基材即可，該基材的形狀可為片狀，亦可為其他形狀，例如可列舉具有黏著面作為膜狀接著劑(換言之，為切割晶粒接著片)的固定面的黏著性基材。
接著，於常溫(例如23℃)下，自膜狀接著劑將基材及黏著劑層的積層物進行所謂180°剝離，亦即以膜狀接著劑及黏著劑層的相互接觸的面彼此成為180°的角度的方式以剝離速度300mm/min進行剝離。測定此時的剝離力，將剝離力的測定值設為前述黏著力(mN/25mm)。
供於測定的切割晶粒接著片的長度只要為能夠穩定地測定剝離力的範圍，則無特別限定。
黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力例如可藉由調節黏著劑層的含有成分的種類及量、黏著劑層的厚度等而適當加以調節。例如可藉由調節黏著劑層的含有成分亦即下述的黏著性樹脂中的構成單元的種類及其含有比率等，而容易地調節前述黏著力。另外，可藉由調節黏著劑層的黏著性樹脂或交聯劑的含量，而容易地調節前述黏著力。但是，這些調節方法僅為一例。
於本發明中，黏著劑層的彈性率並無特別限定，較佳為30MPa至140MPa，更佳為35MPa至130MPa，尤佳為 40MPa至120MPa。藉由使黏著劑層的彈性率為前述下限值以上，黏著劑層不會過軟，因此針對膜狀接著劑的追隨性變得過度的情況得到抑制，於將附帶膜狀接著劑的半導體晶片自黏著劑層剝離並加以拾取時，有更容易進行拾取的傾向。另外，藉由使黏著劑層的彈性率為前述上限值以下，黏著劑層不會過硬，因此於將附帶膜狀接著劑的半導體晶片上推且自黏著劑層剝離並加以拾取時，黏著劑層容易變形，可更容易地加以拾取。
此外，於本說明書中，所謂「黏著劑層的彈性率」，與前述的「黏著劑層的斷裂伸長率」的情況同樣地，只要無特別說明，則於黏著劑層為硬化性的情況下意指「硬化前的黏著劑層的彈性率」。另外，前述彈性率只要無特別說明，則意指常溫下的黏著劑層的彈性率。
於本發明中，黏著劑層的彈性率可於測定前述的黏著劑層的斷裂伸長率的同時進行測定。
黏著劑層的彈性率例如可藉由調節黏著劑層的含有成分的種類及量等而適當加以調節。例如可藉由調節黏著劑層的含有成分亦即下述的黏著性樹脂中的構成單元的種類及其含有比率等，而容易地調節黏著劑層的彈性率。另外，可藉由調節黏著劑層的黏著性樹脂或交聯劑的含 量，而容易地調節黏著劑層的彈性率。但是，這些調節方法僅為一例。
前述黏著劑層可由含有黏著劑的黏著劑組合物所形成。例如可藉由在黏著劑層的形成對象面上塗敷黏著劑組合物，根據需要使之乾燥，而於目標部位形成黏著劑層。黏著劑層的更具體的形成方法係與其他層的形成方法於下文進行詳細說明。黏著劑組合物中的常溫下不會氣化的成分彼此的含量比率通常與黏著劑層的前述成分彼此的含量比率相同。
黏著劑組合物的塗敷可藉由公知方法進行，例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、淋幕式塗佈機、模具塗佈機、刀片塗佈機、網版塗佈機、繞線(meyer)棒式塗佈機、吻合式塗佈機等各種塗佈機的方法。
黏著劑組合物的乾燥條件並無特別限定，黏著劑組合物於含有下述溶劑的情況下，較佳為進行加熱乾燥，在該情況下，例如較佳為在70℃至130℃下在10秒至5分鐘的條件下使之乾燥。
[黏著劑組合物]
前述黏著劑組合物較佳為非能量線硬化性。
作為非能量線硬化性的黏著劑組合物，例如可列舉：含有丙烯酸系樹脂(亦即具有(甲基)丙烯醯基的樹脂)、胺基甲酸酯系樹脂(亦即具有胺基甲酸酯鍵的樹脂)、橡膠系樹脂(亦即具有橡膠結構的樹脂)、聚矽氧系樹脂(亦即具有矽氧烷鍵的樹脂)、環氧系樹脂(亦即具有環氧基的樹脂)、聚乙烯醚、或聚碳酸酯等黏著性樹脂(以下，稱為「黏著性樹脂(i)」)的組合物。
(黏著性樹脂(i))
前述黏著性樹脂(i)較佳為丙烯酸系樹脂。
作為黏著性樹脂(i)中的前述丙烯酸系樹脂，例如可列舉：至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元的丙烯酸系聚合物。
前述丙烯酸系樹脂所具有的構成單元可為1種，亦可為2種以上；在為2種以上的情況下，這些組合及比率可任意地選擇。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉構成烷基酯的烷基的碳數為1至20的(甲基)丙烯酸烷基酯，前述烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第 三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
就提升黏著劑層的黏著力的方面而言，前述丙烯酸系聚合物較佳為具有源自前述烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元。而且，就進一步提升黏著劑層的黏著力的方面而言，前述烷基的碳數較佳為4至12，更佳為4至8。另外，前述烷基的碳數為4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為丙烯酸烷基酯。
前述丙烯酸系聚合物較佳為除了具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元以外，亦具有源自含官能基單體的構成單元。
作為前述含官能基單體，例如可列舉：前述官能基藉由與下述的交聯劑進行反應而成為交聯的起點，且前述官 能基藉由與含不飽和基化合物中的不飽和基進行反應，而能夠於丙烯酸系聚合物的側鏈導入不飽和基的單體。
作為含官能基單體中的前述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、胺基、環氧基等。
亦即，作為含官能基單體，例如可列舉：含羥基單體、含羧基單體、含胺基單體、含環氧基單體等。
作為前述含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(亦即不具有(甲基)丙烯醯基骨架的不飽和醇)等。
作為前述含羧基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、巴豆酸等乙烯性不飽和單羧酸(亦即具有乙烯性不飽和鍵的單羧酸)；反丁烯二酸、衣康酸、順丁烯二酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(亦即具有乙烯性不飽和鍵的二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能基單體較佳為含羥基單體、含羧基單體，更佳為含羥基單體。
構成前述丙烯酸系聚合物的含官能基單體可為1種，亦可為2種以上；在為2種以上的情況下，這些組合及比率可任意地選擇。
於前述丙烯酸系聚合物中，源自含官能基單體的構成單元的含量相對於構成單元的總量，較佳為1質量%至35質量%，更佳為3質量%至32質量%，尤佳為5質量%至30質量%。
前述丙烯酸系聚合物除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構成單元、及源自含官能基單體的構成單元以外，亦可具有源自其他單體的構成單元。
前述其他單體只要為能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯等進行共聚合的單體，則無特別限定。
作為前述其他單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。
構成前述丙烯酸系聚合物的前述其他單體可為1種，亦可為2種以上；在為2種以上的情況下，這些組合及比率可任意地選擇。
前述丙烯酸系聚合物以外的黏著性樹脂(i)亦與前述丙烯酸系聚合物同樣地較佳為具有源自含官能基單體的構成單元。
黏著劑組合物所含有的黏著性樹脂(i)可為1種，亦可為2種以上；在為2種以上的情況下，這些組合及比率可任意地選擇。
於黏著劑組合物中，相對於溶劑以外的成分的總含量的黏著性樹脂(i)的含量比率(亦即黏著劑層的黏著性樹脂(i)的含量)較佳為40質量%至95質量%，更佳為50質量%至95質量%，尤佳為60質量%至90質量%。藉由使黏著性樹脂(i)的含量的前述比率為此種範圍，黏著劑層的黏著性變得更良好。
(交聯劑(ii))
黏著劑組合物較佳為含有交聯劑(ii)。
交聯劑(ii)例如係與前述官能基進行反應，而使黏著性樹脂(i)彼此進行交聯。
作為交聯劑(ii)，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、1,6-己二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、這些二異氰酸酯的加合物等異氰酸酯系交聯劑(亦即具有異氰酸酯基的交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(亦即具有縮水甘 油基的交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷雜三嗪等氮丙啶系交聯劑(亦即具有氮丙啶基的交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(亦即具有金屬螯合物結構的交聯劑)；異三聚氰酸酯系交聯劑(亦即具有異三聚氰酸骨架的交聯劑)等。
就使黏著劑的凝集力提升而提升黏著劑層的黏著力的方面及容易取得等方面而言，交聯劑(ii)較佳為異氰酸酯系交聯劑。
黏著劑組合物所含有的交聯劑(ii)可為1種，亦可為2種以上；在為2種以上的情況下，這些組合及比率可任意地選擇。
於黏著劑組合物含有交聯劑(ii)的情況下，於黏著劑組合物中，交聯劑(ii)的含量於將黏著性樹脂(i)的含量設為100質量份時，較佳為5質量份至100質量份，更佳為10質量份至80質量份，尤佳為15質量份至60質量份。藉由使交聯劑(ii)的前述含量為前述下限值以上，會更顯著地獲得因使用交聯劑(ii)而產生的功效。另外，藉由使交聯劑(ii)的前述含量為前述上限值以下，變得更容易調節黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力。
(其他添加劑)
黏著劑組合物於無損本發明的功效的範圍內，亦可含有不屬於前述任一成分的其他添加劑。
作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(亦即塑化劑)、填充材(亦即填料)、防鏽劑、著色劑(亦即顏料或染料)、增感劑、黏著賦予劑、反應延遲劑、交聯促進劑(亦即觸媒)等公知的添加劑。
此外，所謂「反應延遲劑」例如係指藉由混入至黏著劑組合物中的觸媒的作用，對於保存中的黏著劑組合物，抑制非目的之交聯反應的進行的添加劑。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由對觸媒的螯合而會形成螯合錯合物的化合物，更具體而言，可列舉1分子中具有2個以上羰基(-C(=O)-)的化合物。
黏著劑組合物所含有的其他添加劑可為1種，亦可為2種以上；在為2種以上的情況下，這些組合及比率可任意地選擇。
於黏著劑組合物中，其他添加劑的含量並無特別限定，只要根據添加劑的種類而適當選擇即可。
(溶劑)
黏著劑組合物亦可含有溶劑。黏著劑組合物藉由含有溶劑，而使於塗敷對象面上的塗敷適應性提升。
前述溶劑較佳為有機溶劑，作為前述有機溶劑，例如可列舉：甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等羧酸酯；四氫呋喃、二噁烷(dioxane)等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇等。
作為前述溶劑，例如可不將製造黏著性樹脂(i)時所使用的溶劑自黏著性樹脂(i)中去除，而直接於黏著劑組合物中使用；亦可於製造黏著劑組合物時，另外添加與製造黏著性樹脂(i)時所使用的溶劑相同或不同種類的溶劑。
黏著劑組合物所含有的溶劑可為1種，亦可為2種以上；在為2種以上的情況下，這些組合及比率可任意地選擇。
於黏著劑組合物中，溶劑的含量並無特別限定，只要加以適當調節即可。
[黏著劑組合物的製造方法]
黏著劑組合物係藉由調配用以構成該黏著劑組合物的各成分而獲得。
調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可將2種以上的成分同時添加。
於使用溶劑的情況下，可藉由將溶劑與溶劑以外的任一調配成分混合，預先將該調配成分加以稀釋而使用；亦 可不將溶劑以外的任一調配成分預先加以稀釋，藉由將溶劑與這些調配成分加以混合而使用。
調配時混合各成分的方法並無特別限定，自如下的公知方法中適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合的方法；使用混合機進行混合的方法；施加超音波進行混合的方法等。
各成分的添加及混合時的溫度以及時間只要不會使各調配成分劣化，則無特別限定，加以適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
<膜狀接著劑>
前述膜狀接著劑只要無損本發明的功效，則無特別限定，可適當使用公知的膜狀接著劑。
前述膜狀接著劑係具有硬化性的膜狀接著劑，較佳為具有熱硬化性的膜狀接著劑，且較佳為具有感壓接著性的膜狀接著劑。具有熱硬化性及感壓接著性的膜狀接著劑於未硬化狀態下可藉由較輕地推壓至各種被黏著體上而加以貼附。另外，膜狀接著劑亦可為可藉由進行加熱使之軟化而貼附於各種被黏著體的膜狀接著劑。膜狀接著劑藉由硬化而最終成為耐衝擊性高的硬化物，該硬化物於嚴酷的高溫、高濕度條件下亦能夠保持充分的接著特性。
膜狀接著劑可為包含1層(亦即單層)的膜狀接著劑，亦可為包含2層以上的複數層的膜狀接著劑。於膜狀接著劑包含複數層的情況下，這些複數層可相互相同，亦可不同。亦即，可所有層相同，亦可所有層不同，亦可僅一部分層相同。而且，於複數層相互不同的情況下，這些複數層的組合只要無損本發明的功效，則無特別限定。此處，所謂複數層相互不同意指各層的材質及厚度的至少一者相互不同。
前述膜狀接著劑的厚度並無特別限定，較佳為1μm至50μm，更佳為3μm至40μm。藉由使膜狀接著劑的厚度為前述下限值以上，對於被黏著體(亦即半導體晶片)獲得更高的接著力。另一方面，藉由使膜狀接著劑的厚度為前述上限值以下，於下述的分割步驟中可更容易地切斷膜狀接著劑，另外，於使用切割刀的半導體晶圓的切割時，可進一步降低切削屑的產生量。
此處，所謂「膜狀接著劑的厚度」意指膜狀接著劑整體的厚度，例如所謂包含複數層的膜狀接著劑的厚度，意指構成膜狀接著劑的所有層的合計厚度。此外，作為膜狀接著劑的厚度的測定方法，例如可列舉：於任意5處，使用接觸式厚度計測定厚度，並算出測定值的平均值的方法等。
作為較佳的膜狀接著劑，例如可列舉含有聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)的膜狀接著劑。作為環氧系熱硬化性樹脂(b)，例如可列舉由環氧樹脂(b1)及熱硬化劑(b2)所構成的樹脂。
另外，為了改良膜狀接著劑的各種物性，除了聚合物成分(a)及環氧系熱硬化性樹脂(b)以外，該膜狀接著劑亦可進一步根據需要含有不屬於這些的其他成分。作為較佳的前述其他成分，例如可列舉：硬化促進劑(c)、填充材(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。通用添加劑(i)可為公知的添加劑，可根據目的而任意地選擇，並無特別限定，作為較佳的添加劑，例如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(亦即染料或顏料)、除氣劑等。
[接著劑組合物]
膜狀接著劑可由含有該膜狀接著劑的構成材料的接著劑組合物所形成。例如可於膜狀接著劑的形成對象面上塗敷接著劑組合物，根據需要使之乾燥，而於目標部位形成膜狀接著劑。膜狀接著劑的更具體的形成方法係與其他層的形成方法一併於下文進行詳細說明。接著劑組合物中的於常溫下不氣化的成分彼此的含量比率通常與膜狀接著劑的前述成分彼此的含量比率相同。
接著劑組合物的塗敷可藉由與前述的黏著劑組合物的塗敷的情形相同的方法而進行。
接著劑組合物的乾燥條件並無特別限定，接著劑組合物於含有下述溶劑的情況下，較佳為加以加熱乾燥，在該情況下，例如較佳為於70℃至130℃、10秒至5分鐘的條件下加以乾燥。
作為較佳的接著劑組合物，例如可列舉：含有前述的聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)、以及根據需要的前述其他成分及溶劑的接著劑組合物。
作為接著劑組合物所含有的前述溶劑，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(亦即2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(亦即具有醯胺鍵的化合物)等。
就可將接著劑組合物中的含有成分更均勻地加以混合的方面而言，接著劑組合物所含有的溶劑較佳為甲基乙基酮等。
作為接著劑組合物所含有的前述溶劑，例如可不將製造聚合物成分(a)等各成分時所使用的溶劑自各成分中去除，而直接於接著劑組合物中使用，亦可於製造接著劑組 合物時另外添加與製造聚合物成分(a)等各成分時所使用的溶劑相同或不同種類的溶劑。
接著劑組合物及膜狀接著劑所含有的聚合物成分(a)等各成分可為1種，亦可為2種以上；在為2種以上的情況下，這些組合及比率可任意地選擇。
接著劑組合物及膜狀接著劑中的聚合物成分(a)等各成分的含量並無特別限定，只要根據目的而適當選擇即可。
[接著劑組合物的製造方法]
接著劑組合物係藉由將用以構成該接著劑組合物的各成分加以調配而獲得，除了調配成分不同以外，可藉由與前述的黏著劑組合物的製造方法相同的方法進行製造。
其次，引用圖式，更詳細地說明本發明的切割晶粒接著片。此外，為了便於理解本發明的特徵，以下的說明所使用的圖有為了方便起見將成為主要部分的部分放大而表示的情形，各構成要素的尺寸比率等不限於與實際相同。
圖1係示意性地表示本發明的切割晶粒接著片的一實施形態的剖視圖。
此處所示的切割晶粒接著片101係於基材11上具備黏著劑層12，且於黏著劑層12上具備膜狀接著劑13而成。另外，切割晶粒接著片101係進一步於膜狀接著劑13上具備剝離膜15。
於切割晶粒接著片101中，於基材11的一表面(以下，有時稱為「第1面11a」)積層有黏著劑層12，於黏著劑層12中的與設置有基材11之側的相反側表面(以下，有時稱為「第1面12a」)的整個面積層有膜狀接著劑13，於膜狀接著劑13中的與設置有黏著劑層12之側的相反側表面(以下，有時稱為「第1面13a」)的一部分亦即周邊部附近的區域積層有治具用接著劑層14；於膜狀接著劑13的第1面13a中，於未積層有治具用接著劑層14的面、及治具用接著劑層14中的未與膜狀接著劑13接觸的表面(亦即第1面14a及側面14c)積層有剝離膜15。此處，所謂治具用接著劑層14的第1面14a係指治具用接著劑層14中的與膜狀接著劑13接觸之側的相反側表面，亦有無法明確地區分治具用接著劑層14的第1面14a及側面14c的邊界的情形。
如前所述，黏著劑層12的厚度為20μm至50μm，斷裂伸長率為5%至50%。
治具用接著劑層14例如可為含有接著劑成分的單層結構，亦可為於成為芯材的片材的兩面積層有含有接著劑成分的層的複數層結構。
圖1所示的切割晶粒接著片101係於去除了剝離膜15的狀態下，將膜狀接著劑13的第1面13a貼附至半導體晶圓(省略圖示)的形成有電路的面(於本說明書中，有時簡稱為「電路形成面」)的相反側的面(於本說明書中，有時簡稱為「背面」)，並且將治具用接著劑層14的第1面14a貼附至環狀框架等治具上而使用。
圖2係示意性地表示本發明的切割晶粒接著片的另一實施形態的剖視圖。此外，於圖2以後的圖中，對於與圖1所示的構成要素相同的構成要素，標注與圖1相同的符號，並省略詳細說明。
此處所示的切割晶粒接著片102不具備治具用接著劑層14，除此以外，與圖1所示的切割晶粒接著片101相同。
亦即，於切割晶粒接著片102中，於基材11的第1面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的第1面12a的整個面積層有膜狀接著劑13，於膜狀接著劑13的第1面13a的整個面積層有剝離膜15。
圖2所示的切割晶粒接著片102係於去除了剝離膜15的狀態下，將膜狀接著劑13的第1面13a中的中央側的一部分區域貼附至半導體晶圓(省略圖示)的背面，並且將膜狀接著劑13的第1面13a中的周邊部附近的區域貼附至環狀框架等治具上而使用。
圖3係示意性地表示本發明的切割晶粒接著片的又一實施形態的剖視圖。
此處所示的切割晶粒接著片103的膜狀接著劑的形狀不同，除此以外，與圖1所示的切割晶粒接著片101相同。
亦即，切割晶粒接著片103係於基材11上具備黏著劑層12，且於黏著劑層12上具備膜狀接著劑23而成。另外，切割晶粒接著片103係進一步於膜狀接著劑23上具備剝離膜15。
於切割晶粒接著片103中，於基材11的第1面11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12的第1面12a的一部分亦即中央側區域積層有膜狀接著劑23。而且，於黏著劑層12的第1面12a中的未積層有膜狀接著劑23的面、及膜狀接著劑23中的不與黏著劑層12接觸的表面(亦即第1面23a及側面23c)積層有剝離膜15。此外，亦有無法明確地區分膜狀接著劑23的第1面23a及側面23c的邊界的情形。
於自膜狀接著劑23側的上方向下俯視切割晶粒接著片103時，膜狀接著劑23的表面積小於黏著劑層12，例如具有圓形狀等形狀。
圖3所示的切割晶粒接著片103係於去除了剝離膜15的狀態下，將膜狀接著劑23的第1面23a貼附至半導體晶圓(省略圖示)的背面，並且，將黏著劑層12的第1面12a中的未積層有膜狀接著劑23的面貼附至環狀框架等治具上而使用。
此外，於圖3所示的切割晶粒接著片103中，亦可於黏著劑層12的第1面12a中的未積層有膜狀接著劑23的面上，與圖1所示同樣地積層治具用接著劑層(省略圖示)。此種具備治具用接著劑層的切割晶粒接著片103係與圖1所示的切割晶粒接著片101同樣地將治具用接著劑層的第1面貼附至環狀框架等治具上而使用。
本發明的切割晶粒接著片並不限定於圖1至圖3所示，亦可於無損本發明的功效的範圍內，將圖1至圖3所示的切割晶粒接著片的一部分構成加以變更、刪除或追加。
<<切割晶粒接著片的製造方法>>
前述切割晶粒接著片可藉由將前述各層以成為對應的位置關係的方式依序加以積層而製造。各層的形成方法如前文所說明。
例如可藉由在基材上塗敷前述的黏著劑組合物，根據需要使之乾燥，而於基材上積層黏著劑層。
另一方面，例如於基材上已積層完畢的黏著劑層上進一步積層膜狀接著劑的情況下，可藉由在黏著劑層上塗敷前述的接著劑組合物，根據需要使之乾燥，而直接形成膜狀接著劑。於如此使用任一組合物而形成連續兩層的積層結構的情況下，可於由前述組合物所形成的層上進一步塗敷組合物而新形成層。但是，這些兩層中的後積層的層較佳為於別的剝離膜上使用前述組合物而預先形成，並將該形成完畢的層中的與前述剝離膜接觸之側的相反側露出面與已形成完畢的剩餘的層的露出面加以貼合，藉此形成連續兩層的積層結構。此時，前述組合物較佳為塗敷至剝離膜的剝離處理面。剝離膜於形成積層結構後，只要根據需要加以去除即可。
亦即，藉由在基材上塗敷黏著劑組合物，根據需要使之乾燥，而於基材上預先積層黏著劑層，另外藉由在剝離膜上塗敷接著劑組合物，根據需要使之乾燥，而於剝離膜上預先形成膜狀接著劑，藉由將該膜狀接著劑的露出面與 基材上積層完畢的黏著劑層的露出面加以貼合，將膜狀接著劑積層至黏著劑層上，而獲得前述切割晶粒接著片。
此外，於基材上積層黏著劑層的情況下，亦可代替如前所述於基材上塗敷黏著劑組合物的方法，而藉由在剝離膜上塗敷黏著劑組合物，根據需要使之乾燥，而於剝離膜上預先形成黏著劑層，並藉由將該黏著劑層的露出面與基材的一表面加以貼合，而進行積層。
於任一方法中，剝離膜於形成目標積層結構後的任意時機加以去除即可。
如此，構成切割晶粒接著片的基材以外的層均可藉由預先形成於剝離膜上，並貼合於目標層的表面的方法進行積層，因此只要根據需要適當選擇採用此種步驟的層製造切割晶粒接著片即可。
此外，切割晶粒接著片通常係於該切割晶粒接著片的設置有膜狀接著劑的一側的最表層(例如，膜狀接著劑)的表面貼合有剝離膜的狀態下加以保管。因此，即便藉由在該剝離膜(較佳為該剝離膜的剝離處理面)上塗敷接著劑組合物等用以形成構成最表層的層的組合物，根據需要使之乾燥，而於剝離膜上預先形成構成最表層的層，於該層中的與剝離膜接觸的側的相反側露出面上，藉由前述的任 一方法積層剩餘的各層，不將剝離膜去除而設為貼合有剝離膜的狀態，亦獲得切割晶粒接著片。
<<半導體晶片的製造方法>>
本發明的半導體晶片的製造方法係使用前述的本發明的切割晶粒接著片的半導體晶片的製造方法，並且具有下述步驟：形成中間結構體的步驟，該中間結構體係於前述切割晶粒接著片中的前述膜狀接著劑中的與設置有前述黏著劑層之側的相反側表面(亦即前述第1面)上設置半導體晶圓而成(以下，有時簡稱為「中間結構體形成步驟」)；以及使用切割刀於前述中間結構體中形成自前述半導體晶圓的表面到達前述黏著劑層並且不到達前述基材的切口，藉此分割前述半導體晶圓而形成半導體晶片之步驟(以下，有時簡稱為「切割步驟」)。
藉由使用本發明的切割晶粒接著片，於前述切割步驟中，於使用切割刀切割半導體晶圓時，可使切削屑的產生量較以往大幅度降低。此處，所謂「切削屑」見上文的說明。
以下，參照圖4對前述半導體晶片的製造方法加以說明。圖4係用以示意性地說明本發明的半導體晶片的製造方法的一實施形態的剖視圖。
在此，對使用圖1所示的切割晶粒接著片的情況下的製造方法加以說明。
<中間結構體形成步驟>
於前述中間結構體形成步驟中，如圖4中的(a)所示，形成中間結構體201，該中間結構體201係於切割晶粒接著片101中的膜狀接著劑13的第1面13a設置半導體晶圓9'而成。
中間結構體201中的半導體晶圓9'的厚度並無特別限定，較佳為10μm至100μm，更佳為30μm至90μm。
<切割步驟>
接著，於前述切割步驟中，如圖4中的(b)所示，使用切割刀於中間結構體201中形成自半導體晶圓9'的表面(亦即電路形成面)9a'到達黏著劑層12並且不到達基材11的切口10，藉此分割半導體晶圓9'從而形成半導體晶片9。
半導體晶片9的厚度係與前述的半導體晶圓9'的厚度相同。
圖5係將形成有切口10的切割晶粒接著片101與所獲得的半導體晶片9一併示意性地表示的放大剖視圖。
如圖5所示，於本步驟中，以黏著劑層12的厚度T1、自黏著劑層12的第1面12a起的切口10的深度T2滿足T1>T2的關係的方式形成切口10。此外，於黏著劑層12 中的切口部位的底面120a並非平面的情況下，只要將與前述底面120a的基材11最接近的部位(亦即黏著劑層12中切口10的深度最深的部位)設為算出T2時的一個基凖即可。
藉由如此以不到達基材11的第1面11a而止於黏著劑層12中的方式形成切口10，可降低切削屑的產生量，而可抑制附帶膜狀接著劑的半導體晶片9的拾取不良的產生。
於切割步驟中，降低切削屑的產生量的情況例如可根據如下情況而確認，亦即於拾取附帶膜狀接著劑的半導體晶片9後，使用SEM(Scanning Electron Microscope；掃描式電子顯微鏡)觀察黏著劑層及基材時，切割線上所殘存的切削屑減少。
黏著劑層12中的切口10的深度T2相對於黏著劑層12的厚度T1的比率(T2/T1)大於0且小於1，較佳為0.1至0.9，更佳為0.2至0.8，尤佳為0.3至0.7。藉由使前述比率為前述下限值以上，可降低黏著劑層的切口10的形成部位的黏著劑層的伸出部位的大小亦即伸出量。藉由降低該黏著劑層的伸出量，可進一步高度地抑制附帶膜狀接著劑的半導體晶片9的拾取不良的產生。另一方面，藉由使前述比率為前述上限值以下，可進一步降低切削屑的產生量。
圖6係示意性地表示於切割步驟中，使用切割刀而於中間結構體201形成有切口10的狀態的一例的剖視圖。此處，顯示出切割刀8的直徑方向上的尖端部8a位於黏著劑層12中且未到達基材11的狀態。此外，圖6中僅剖視表示關於切割晶粒接著片的構成。另外，雖然表示在切割刀8與黏著劑層12之間存在空隙部作為切口10的狀態，但亦有如下情況：黏著劑層12伸出至切割刀8側而殘存，如前所述存在伸出部位，前述空隙部進一步變窄或不存在。
於本發明中，切割刀8的寬度W較佳為20μm至50μm，更佳為30μm至35μm。藉由使用此種寬度W的切割刀8，而獲得本發明的更優異的功效。此外，於使用寬度W的切割刀將半導體晶圓加以分割而形成半導體晶片的情況下，相鄰的半導體晶片間的距離(亦即切口寬度(kerf width))通常與W相同或成為W的近似值。
於本發明中，於切割刀8的尖端部8a的附近區域，寬度W朝向切割刀8的直徑方向外側(亦即朝向尖端部8a)逐漸變窄的區域的前述直徑方向上的長度L較佳為小於黏著劑層12的厚度T1且為(L<T1)，例如較佳為小於50μm，更佳為小於45μm，進而較佳為小於40μm，尤 佳為小於35μm。藉由使用此種前述長度L的切割刀8，而獲得本發明的更優異的功效。
另一方面，前述長度L的下限值只要大於0μm，則無特別限定，通常較佳為10μm，更佳為15μm。前述長度L係使用下述的角度θ，而以L=(W×tanθ)/2表示。
於本發明中，可使用切割刀8的尖端部8a與切口的形成對象面所成的角度(於本說明書中，有時將此種角度稱為「切割刀的尖端角度」)θ大於0°且小於90°的切割刀。關於此種切割刀8，θ例如可大於0°且為80°以下，較佳為大於0°且為70°以下。藉由使用此種尖端角度θ的切割刀8，而獲得本發明的更優異的功效。
此外，此處對使用前述的尖端角度θ大於0°且小於90°的切割刀的情形進行了說明，但前述切割步驟所使用的切割刀並不限定於此。例如於前述切割步驟中亦可使用如下切割刀，亦即於圖6所示的切割刀8中，尖端角度θ為0°，亦即於切割刀8的尖端部8a的附近區域，不存在寬度W朝向切割刀8的直徑方向外側(亦即朝向尖端部8a)逐漸變窄的區域。
另一方面，如圖7所示，藉由以往的製造方法，於中間結構體201中，以滿足T1=T2的關係的方式，亦即於形成有自半導體晶圓9'的表面9a'貫通黏著劑層12而到達基 材11的切口10的情況下，無法獲得前述的本發明的功效。此外，於圖7中，T3(T3>0)意味著自基材11的第1面11a起的切口10深度。另外，標注符號110a的部位表示基材11的切口部位的底面。
於切割步驟中，切割刀的旋轉速度較佳為10000rpm至60000rpm，更佳為20000rpm至50000rpm。
另外，切割刀的移動速度較佳為20mm/sec至80mm/sec，更佳為40mm/sec至60mm/sec。
另外，於切割刀作動時，對於正進行切割之處，較佳為例如以0.5L/min至1.5L/min左右的量流通切削水。
<<半導體裝置的製造方法>>
本發明的半導體裝置的製造方法係於經過藉由前述的本發明的半導體晶片的製造方法而形成前述半導體晶片的步驟(亦即切割步驟)之後，具有如下剝離步驟：對於形成前述切口後的切割晶粒接著片自基材側施加力，並且將前述半導體晶片與切斷後的前述膜狀接著劑一併自前述黏著劑層剝離(以下，有時簡稱為「剝離步驟」)。
於本發明的半導體裝置的製造方法中，藉由利用前述的本發明的半導體晶片的製造方法，於前述切割步驟中可大幅度降低切削屑的產生量。
藉此，於前述剝離步驟中，抑制具備膜狀接著劑的半導體晶片(亦即附帶膜狀接著劑的半導體晶片)的拾取不良的產生。
以下，參照圖8對前述半導體裝置的製造方法加以說明。圖8係用以示意性地說明本發明的半導體裝置的製造方法的一實施形態的剖視圖。此處，對使用圖1所示的切割晶粒接著片的情況下的製造方法加以說明。此外，於圖8中，僅剖視表示關於切割晶粒接著片及半導體晶片的構成。
<剝離步驟>
如圖8所示，於前述剝離步驟中，對於形成切口10後的切割晶粒接著片101自基材11側施加力，並且將半導體晶片9與切斷後的膜狀接著劑13一併自黏著劑層12剝離(亦即加以拾取)。
此處，揭示了如下例子：自半導體裝置的製造裝置的上推部(省略圖示)使突起(亦即頂針)70突出，突起70的尖端部將切割晶粒接著片101自基材11側上推，藉此對形成有切口10及半導體晶片9的中間結構體201沿著突起70的突出方向施加力。此時，可適當調節突起70的突出量(亦即上推量)、突出速度(亦即上推速度)、突出狀態的 保持時間(亦即推起等待時間)等上推條件。突起70的數量並無特別限定，只要適當選擇即可。
於前述剝離步驟中，上推切割晶粒接著片101的方法可採用公知方法，例如除了如前所述的利用突起進行上推的方法以外，亦可列舉：藉由沿著切割晶粒接著片101使滑件移動，而上推該切割晶粒接著片101的方法。
另外，此處揭示了如下例子：藉由利用半導體裝置的製造裝置的提拉部71來提拉半導體晶片9，而將半導體晶片9與膜狀接著劑13一併自黏著劑層12剝離。此處，以箭頭I表示半導體晶片9的提拉方向。
提拉半導體晶片9的方法可採用公知方法，例如可列舉：利用真空吸頭(vacuum collet)來吸附半導體晶片9的表面並加以提拉的方法等。
於剝離步驟中，藉由使用本發明的切割晶粒接著片101，並利用本發明的半導體晶片的製造方法，而抑制附帶膜狀接著劑的半導體晶片9的拾取不良的產生。
於本發明的半導體裝置的製造方法中，如上文所說明，藉由使用剝離步驟中黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力為特定值以下的切割晶粒接著片，即便不藉由能量線照射等而進行黏著劑層的硬化，亦可容易地將附帶膜狀接著劑 的半導體晶片自黏著劑層剝離並加以拾取。而且，由於可不進行黏著劑層的硬化而將附帶膜狀接著劑的半導體晶片拾取，故而可簡化半導體裝置的製造步驟。
於本發明的半導體裝置的製造方法中，可使用與膜狀接著劑一併剝離的(亦即所拾取的)半導體晶片(亦即附帶膜狀接著劑的半導體晶片)，其後藉由與以往方法相同的方法，亦即經過將前述半導體晶片利用膜狀接著劑而晶粒接著於基板的電路面的步驟，而製造半導體裝置。例如，將前述半導體晶片利用膜狀接著劑而晶粒接著於基板的電路面，根據需要於該半導體晶片上進一步積層1個以上的半導體晶片，並進行打線接合後，利用樹脂將整體加以密封，藉此製成半導體封裝。然後，只要使用該半導體封裝製作目標半導體裝置即可。
[實施例]
以下，藉由具體的實施例而更詳細地說明本發明。但是，本發明不受以下所示的實施例的任何限定。
此外，以下，時間的單位「msec」意指「毫秒」。
[實施例1]
<切割晶粒接著片的製造>
於在基材上具備非能量線硬化性的黏著劑層而成的切割片(基材的厚度80μm、黏著劑層的厚度30μm)的前 述黏著劑層上，於常溫下貼附有膜狀接著劑(Lintec公司製造的「ADWILL LE61-25*」、厚度25μm)。藉此，獲得於前述基材上具備黏著劑層且於前述黏著劑層上具備膜狀接著劑而成的切割晶粒接著片。
此外，此處所使用的切割片的黏著劑層含有將丙烯酸2-乙基己酯(以下，有時簡稱為「2EHA」)(60質量份)、甲基丙烯酸甲酯(以下，有時簡稱為「MMA」)(30質量份)、及丙烯酸2-羥基乙酯(以下，有時簡稱為「HEA」)(10質量份)進行共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量450000、玻璃轉移溫度-31℃)(100質量份)作為黏著性樹脂，且含有三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(18.85)質量份作為交聯劑。
將藉由下述方法所測得的該黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率、以及對膜狀接著劑的黏著力示於表1。
(黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率的測定)
以黏著劑層以長度成為30mm、寬度成為10mm、厚度成為0.03mm的方式切出作為試驗片。
接著，將該試驗片設置於測定裝置(島津製作所公司製造的「Autograph」)。此時，利用夾頭將試驗片的自長 度方向兩端起至10mm長度部分為止夾住，使試驗片的測定對象部的長度成為10mm。
接著，於溫度23℃、相對濕度50%的環境下，以拉伸速度1000mm/min，將試驗片沿著試驗片的長度方向進行拉伸，並測定黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率。
(黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力的測定)
將切割晶粒接著片以寬度成為25mm、長度成為200mm的方式切出作為試驗片。
接著，於常溫(23℃)下，利用膜狀接著劑將該試驗片貼附至黏著片材的黏著面。
接著，於常溫(23℃)下，以膜狀接著劑及黏著劑層的相互接觸的面彼此形成180°的角度的方式，將基材及黏著劑層的積層物以剝離速度300mm/min自膜狀接著劑加以剝離，而進行180°剝離，測定此時的剝離力並作為黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力(mN/25mm)。
<半導體晶片的製造及評價>
(中間結構體形成步驟)
於實施過乾式拋光精加工的12吋矽晶圓(厚度75μm)的研磨面，使用全自動多功能晶圓貼片機(Lintec公司製造的「ADWILL RAD-2700」)，將前述所獲得的切割晶粒接著片利用該切割晶粒接著片的膜狀接著劑加以貼附，而獲得中間結構體。
(切割步驟)
接著，將所獲得的中間結構體利用該中間結構體的黏著劑層的露出面貼附至切割用環狀框架上而加以固定。
接著，使用切割裝置(Disco公司製造的「DFD6361」)，於前述所獲得的中間結構體上形成切口。此時的條件如下所述。使用切割刀，自矽晶圓的表面貫穿膜狀接著劑，自黏著劑層的具備膜狀接著劑之側的表面起切削至20μm的深度為止，而形成切口。亦即，前述切口係於前述中間結構體中以不到達基材的方式形成，將黏著劑層中的切口的深度T2相對於黏著劑層的厚度T1的比率(T2/T1)設為0.67。作為切割刀，使用前述寬度W為30μm至35μm、前述尖端部的角度θ為30°、前述直徑方向的長度L為9μm至10μm的切割刀，將該切割刀的旋轉速度設為40000rpm，將移動速度設計為50mm/sec。另外，針對正進行切割之處，一邊以1L/min的量流通切削水，一邊進行切割。
藉此，於自上而下觀察矽晶圓的表面時，於正交的2個方向上，以8mm間隔亦即矽晶片成為8mm×8mm的大小的方式進行切割。
(半導體晶片的拾取適應性的評價)
接著，形成切口，將形成有矽晶片後的中間結構體設置於拾取、晶粒接著裝置(Canon Machinery公司製造的 「BESTEM-D02」)上。然後，於常溫下，將上推速度設為20mm/sec，將保持時間設為300msec，將上推量設為特定值，藉由5頂針上推方式，對形成切口後的切割晶粒接著片自基材側施加力，將形成切口及矽晶片後的中間結構體加以上推，並且使用剝離半導體晶片的部位的大小為8mm×8mm的夾頭，而嘗試將所獲得的附帶膜狀接著劑的半導體晶片自黏著劑層剝離(亦即拾取)。改變上推量而繼續進行該中間結構體的上推、與附帶膜狀接著劑的半導體晶片的剝離，連續進行30次，求出不伴有異常而能夠進行情形的上推量的最小值並作為附帶膜狀接著劑的半導體晶片的拾取適應性的評價指標。另外，使用掃描型電子顯微鏡(SEM；KEYENCE公司製造的「VE-9800」)，觀察拾取後的基材及黏著劑層的表面，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表1。
<切割晶粒接著片的製造、半導體晶片的製造及評價>
[實施例2]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，進一步求出前述上推量的最小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表1。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率、以及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表1。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(85質量份)及HEA(15質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量700000、玻璃轉移溫度-63℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(28.28質量份)。
[實施例3]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，進一步求出前述上推量的最小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表1。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率、以及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表1。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(80質量份)及HEA(20質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量850000、玻璃轉移溫度-61℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(37.70質量份)。
[實施例4]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，進一步求出前述上推量的最 小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表1。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率、以及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表1。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(60質量份)、MMA(30質量份)及HEA(10質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量450000、玻璃轉移溫度-31℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(56.55質量份)。
[實施例5]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，進一步求出前述上推量的最小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表1。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率、以及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表1。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(60質量份)、MMA(30質量份)、及丙烯酸4-羥基丁酯(以下，有時簡稱為「4HBA」)(10質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量300000、玻璃轉移溫度-30℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯 三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(15.19質量份)。
[比較例1]
<切割晶粒接著片的製造>
藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片。
<半導體晶片的製造及評價>
(中間結構體形成步驟)
藉由與實施例1相同的方法而獲得中間結構體。
(切割步驟)
接著，將所獲得的中間結構體藉由該中間結構體的黏著劑層的露出面貼附至切割用環狀框架上而加以固定。
接著，使用切割裝置(Disco公司製造的「DFD6361」)，於前述所獲得的中間結構體上形成切口。此時的條件如下所述。使用切割刀，自矽晶圓的表面貫穿膜狀接著劑及黏著劑層，並自基材中的具備黏著劑層之側的表面起切削至20μm的深度為止，而形成切口。亦即，前述切口係於前述中間結構體中遍及黏著劑層的整個厚度方向而形成，將黏著劑層中的切口的深度T2相對於黏著劑層的厚度T1的比率(T2/T1)設為1，並且對於基材亦形成切口，將基材中的切口的深度T3設為20μm。切割刀、以及切割刀的旋轉速度及移動速度係設為與實施例1的情形相同。
藉此，於自上而下觀察矽晶圓的表面時，於正交的2個方向上，以8mm間隔亦即矽晶片成為8mm×8mm的大小的方式進行切割。
(半導體晶片的拾取適應性的評價)
藉由與實施例1相同的方法，嘗試將附帶膜狀接著劑的半導體晶片自黏著劑層剝離(亦即拾取)，求出前述上推量的最小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表2。
[比較例2]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，進一步求出前述上推量的最小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表2。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率、以及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表2。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(70質量份)、MMA(20質量份)、及HEA(10質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量510000、玻璃轉移溫度-44℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(18.85質量份)。
[比較例3]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，進一步求出前述上推量的最小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表2。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率、以及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表2。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(90質量份)、及HEA(10質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量700000、玻璃轉移溫度-66℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(18.85質量份)。
[比較例4]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，進一步求出前述上推量的最小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表2。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率、以及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表2。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(85質量份)、及HEA(15質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量700000、玻璃轉移溫度-63℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(28.28質量份)。
[比較例5]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，進一步求出前述上推量的最小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表2。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率、及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表2。此外，黏著劑層的彈性率未能進行測定。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(80質量份)及HEA(20質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量850000、玻璃轉移溫度-61℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(113.10質量份)。
[比較例6]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法，嘗試製 造切割晶粒接著片，但於黏著劑層上無法貼附膜狀接著劑，而未能製造切割晶粒接著片。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(80質量份)及HEA(20質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量850000、玻璃轉移溫度-61℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(188.50質量份)。
[比較例7]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，進一步求出前述上推量的最小值，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表3。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率及彈性率、以及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表3。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使2EHA(60質量份)、MMA(30質量份)及HEA(10質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量450000、玻璃轉移溫度-31℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(94.25質量份)。
[比較例8]
使用具備以下所示的層(厚度30μm)作為黏著劑層的切割片，除此以外，藉由與實施例1相同的方法而製造切割晶粒接著片及半導體晶片，確認切割線上的切削屑的量。將結果示於表3。另外，將黏著劑層的斷裂伸長率、及對膜狀接著劑的黏著力一併示於表3。此外，於本比較例中，無法將附帶膜狀接著劑的半導體晶片自黏著劑層剝離(亦即拾取)，而未能求出前述上推量的最小值。另外，未能測定黏著劑層的彈性率。
(黏著劑層)
該黏著劑層含有作為黏著性樹脂之使丙烯酸月桂酯(以下，有時簡稱為「LA」)(80質量份)及HEA(20質量份)共聚合而成的丙烯酸系聚合物(重量平均分子量720000、玻璃轉移溫度-27℃)(100質量份)、與作為交聯劑的三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(TOYO INK公司製造的「BHS8515」)(137.70質量份)。
[表1]
Figure 106107066-A0202-12-0057-1
[表2]
Figure 106107066-A0202-12-0058-2
[表3]
Figure 106107066-A0202-12-0059-4
於實施例1至實施例5中，使用黏著劑層的厚度為20μm至50μm的範圍內且黏著劑層的斷裂伸長率為8.7%至40.2%的範圍內的切割晶粒接著片，於切割步驟中的中間結構體上，形成有自半導體晶圓的表面到達黏著劑層並且不到達基材的切口。其結果為，根據前述結果明確，前述上推量的最小值成為200μm以下，附帶膜狀接著劑的半導體晶片的拾取適應性良好。尤其於黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力更小的實施例2至實施例4中，前述上推量的最小值更小，附帶膜狀接著劑的半導體晶片的拾 取適應性極優異。另外，於實施例1至實施例5中，切割線上的切削屑少，尤其於實施例2至實施例4中變得極少。
如此，切割線上的切削屑的量係與附帶膜狀接著劑的半導體晶片的拾取適應性存在相關關係。
此外，於實施例1至實施例5中，亦未見到於切割半導體晶圓時半導體晶片發生飛散的所謂晶片飛散。
相對於此，於比較例1中，於切割步驟中的中間結構體上，形成有自半導體晶圓的表面到達基材的切口，結果儘管黏著劑層與實施例1相同，但前述上推量的最小值成為300μm，附帶膜狀接著劑的半導體晶片的拾取適應性差。
另外，於比較例2至比較例3中，黏著劑層的斷裂伸長率過大，伴隨於此，前述上推量的最小值大，附帶膜狀接著劑的半導體晶片的拾取適應性差。
另外，於比較例4中，黏著劑層的斷裂伸長率過大，伴隨於此，如下所述，切割線上所殘存的切削屑多，前述上推量的最小值亦高。
另外，於比較例5及比較例7中，黏著劑層的斷裂伸長率過小，於黏著劑層的目標以外之處見到破裂，黏著劑層的特性差。本比較例的切割晶粒接著片不適合於實際使用。
另外，於比較例6中，黏著劑層的交聯劑的含量過多，於黏著劑層的組成方面存在問題，因此如前所述，無法於黏著劑層上貼附膜狀接著劑，而未能製造切割晶粒接著片。
另外，於比較例8中，黏著劑層中的黏著性樹脂的種類不妥，黏著劑層的斷裂伸長率過大，黏著劑層對膜狀接著劑的黏著力過大，如前所述，未能拾取附帶膜狀接著劑的半導體晶片。
於比較例1至比較例4及比較例8中，切割線上的切削屑多，於比較例1至比較例4中，前述上推量的最小值為250μm以上，於比較例8中，無法進行測定；相對於此，於比較例5及比較例7中，切割線上的切削屑少，前述上推量的最小值小而為75μm。如此，於這些比較例中，切割線上的切削屑的量亦與附帶膜狀接著劑的半導體晶片的拾取適應性存在相關關係。
另外，於比較例1至比較例5及比較例7中，使用SEM而觀察拾取失敗的附帶膜狀接著劑的半導體晶片、與和該半導體晶片對應的位置的黏著劑層及基材加以觀察，結果確認，切割線上的切削屑與膜狀接著劑密接，切割線上所殘存的切削屑成為拾取不良的一個原因。另外，於比較例1、比較例3及比較例8中，切割線上所殘存的切削屑極多。
此外，於比較例5及比較例7中雖然見到晶片飛散，但於比較例1至比較例4及比較例8中未見到晶片飛散。
(產業可利用性)
本發明能夠利用於半導體裝置的製造。
9‧‧‧半導體晶片
10‧‧‧切口
11‧‧‧基材
11a‧‧‧基材的第1面
12‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧黏著劑層的第1面
13‧‧‧膜狀接著劑
13a‧‧‧膜狀接著劑的第1面
101‧‧‧切割晶粒接著片
120a‧‧‧底面
T1‧‧‧黏著劑層的厚度
T2‧‧‧切口的深度

Claims (5)

  1. 一種切割晶粒接著片，係於基材上具備黏著劑層，且於前述黏著劑層上具備膜狀接著劑而成；前述黏著劑層的厚度為20μm至50μm；將寬度10mm的黏著劑層以固定處之間的距離成為10mm的方式於兩處加以固定，將拉伸速度設為100()mm/min，於該固定處之間拉伸黏著劑層並測定黏著劑層斷裂時的黏著劑層的伸長率，藉此所求出的前述黏著劑層的斷裂伸長率為5%至50%。
  2. 如請求項1所記載之切割晶粒接著片，其中前述黏著劑層為非能量線硬化性。
  3. 如請求項1或2所記載之切割晶粒接著片，其中前述黏著劑層對前述膜狀接著劑的黏著力為35mN/25mm至300mN/25mm。
  4. 一種半導體晶片的製造方法，係使用如請求項1至3中任一項所記載之切割晶粒接著片，並且具有下述步驟：形成中間結構體之步驟，該中間結構體係於前述切割晶粒接著片中的前述膜狀接著劑中的與設置有前述黏著劑層之側相反側的表面設置半導體晶圓而成；以及使用切割刀於前述中間結構體中形成自前述半導體晶圓的表面到達前述黏著劑層並且不到達前述 基材之切口，藉此分割前述半導體晶圓而形成半導體晶片之步驟。
  5. 一種半導體裝置的製造方法，係於藉由如請求項4所記載之半導體晶片的製造方法進行形成前述半導體晶片的步驟之後，具有下述步驟：對於形成前述切口後的切割晶粒接著片，自基材側施加力，並且將前述半導體晶片與切斷後的前述膜狀接著劑一併自前述黏著劑層剝離。
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