KR102637302B1 - 다이싱 다이 본딩 시트, 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다이싱 다이 본딩 시트, 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

기재(11) 상에 점착제층(12)을 구비하고, 점착제층(12) 상에 필름상 접착제(13)를 구비하여 이루어지며, 점착제층(12)의 두께가 20㎛∼50㎛이고, 점착제층(12)의 파단 신도가 5∼50％인 다이싱 다이 본딩 시트(101). 그 다이싱 다이 본딩 시트(101)의 필름상 접착제(13)의 제1 면(13a)에, 반도체 웨이퍼가 형성되어 이루어지는 중간 구조체를 형성하고, 다이싱 블레이드를 이용하여, 상기 중간 구조체에 있어서 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 점착제층(12)에 도달하되 기재(11)에는 도달하지 않는 절입(10)을 형성함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하는 반도체 칩(9)의 제조 방법.

Description

다이싱 다이 본딩 시트, 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
본 발명은 다이싱 다이 본딩 시트, 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본원은 2016년 3월 10일에, 일본에 출원된 특허출원 2016-046904호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
다이싱 다이 본딩 시트는 예를 들면, 기재 상에 점착제층 및 필름상 접착제를 이 순서로 구비하여 구성되며, 그 필름상 접착제에 의해 반도체 웨이퍼에 첩부되어 사용된다. 다이싱 다이 본딩 시트 상에서 고정된 반도체 웨이퍼는 다이싱에 의해, 점착제층 및 필름상 접착제와 함께 분할되어 반도체 칩으로 개편화된다. 그 후, 예를 들면, 점착제층이 경화성인 경우에는 점착제층을 경화시켜 점착성을 저하시켜 두고, 절단 후의 필름상 접착제를 구비한 반도체 칩이 이 경화 후의 점착제층으로부터 분리되어 픽업된다. 픽업된 반도체 칩은, 필름상 접착제에 의해 기판의 회로면에 다이 본딩되고, 필요에 따라 이 반도체 칩에 추가로 별도의 반도체 칩이 1개 이상 적층되고, 와이어 본딩된 후, 전체가 수지에 의해 봉지된다. 이와 같이 하여 얻어진 반도체 패키지를 사용하고, 최종적으로는, 목적으로 하는 반도체 장치가 제조된다.
다이싱은 예를 들면, 다이싱 블레이드를 이용하여, 이를 회전시키면서 반도체 웨이퍼를 절입하는 것에 의해 행해진다. 그러나 이 다이싱 방법에서는, 다이싱 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼와 다이싱 다이 본딩 시트의 적어도 일부를 절삭하기 때문에, 절삭 부스러기가 발생한다. 다이싱은 절입 부위를 물로 세정하면서 행하지만 절삭 부스러기를 완전히 씻어 낼 수 없기 때문에, 절삭 부스러기의 양이 많으면 그 일부는 다이싱 후에 있어서, 얻어진 반도체 칩이나 이 반도체 칩이 구비하는 절단이 완료된 필름상 접착제에 부착해 잔존하기 쉽다. 그러나 절단 후의 필름상 접착제를 구비한 반도체 칩은 이와 같이 절삭 부스러기가 잔존해 있으면 정상적으로 픽업할 수 없는 경우가 있다. 즉, 다이싱 시의 절삭 부스러기의 발생량이 많으면 픽업 불량의 원인이 된다.
한편, 다이싱 블레이드를 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에, 반도체 칩에 대한 절삭 부스러기의 부착을 억제할 수 있는 것으로는, 60∼100℃에 있어서의 저장 탄성률이 특정 범위 내에 있는 점착제로 구성된 방사선 경화형 아크릴계 점착제층을 기재 필름 상에 구비하여 이루어지는 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프가 개시되어 있다(특허문헌 1 참조). 이 테이프는 다이싱 시트에 상당하고, 그 점착제층에 추가로 필름상 접착제(즉, 다이 본드 필름)를 형성하여, 다이싱에 사용한다.
일본 공개특허공보 2007-027215호 공보
그러나, 특허문헌 1에는 다이싱 블레이드를 이용한 다이싱을 행한 경우에, 상기 문헌에 기재된 다이싱 시트(즉, 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프)를 사용함으로써 절삭 부스러기의 발생을 억제할 수 있는 것이 개시되어 있지만, 필름상 접착제를 구비한 반도체 칩의 픽업 적성에 대해서는 개시되어 있지 않다.
이에, 본 발명은 다이싱 블레이드를 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 있어서, 절삭 부스러기의 발생량을 저감할 수 있고, 필름상 접착제를 구비한 반도체 칩의 픽업 불량의 발생을 억제할 수 있는 다이싱 다이 본딩 시트, 그리고 이를 사용한 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 기재 상에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 상에 필름상 접착제를 구비하여 이루어지며, 상기 점착제층의 두께가 20㎛∼50㎛이고, 상기 점착제층의 파단 신도가 5∼50％인 다이싱 다이 본딩 시트를 제공한다.
본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서는, 상기 점착제층이 비에너지선 경화성인 것이 바람직하다.
본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서는, 상기 점착제층의 상기 필름상 접착제에 대한 점착력이 35∼300mN/25㎜인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법으로서, 상기 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서의 상기 필름상 접착제의 상기 점착제층이 형성되어 있는 측과는 반대측 표면에 반도체 웨이퍼가 형성되어 이루어지는 중간 구조체를 형성하는 공정과, 다이싱 블레이드를 이용하여, 상기 중간 구조체에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 상기 점착제층에 도달하되 상기 기재에는 도달하지 않는 절입을 형성함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여 반도체 칩을 형성하는 공정을 갖는 반도체 칩의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 반도체 칩의 제조 방법에 의해, 상기 반도체 칩을 형성하는 공정을 행한 후, 상기 절입을 형성 후의 다이싱 다이 본딩 시트에 대해, 그 기재 측으로부터 힘을 가함과 함께, 상기 반도체 칩을 절단 후의 상기 필름상 접착제와 함께 상기 점착제층으로부터 분리하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 다이싱 블레이드를 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 있어서, 절삭 부스러기의 발생량을 저감할 수 있고, 필름상 접착제를 구비한 반도체 칩의 픽업 불량의 발생을 억제할 수 있는 다이싱 다이 본딩 시트, 그리고 이를 사용한 반도체 칩의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 반도체 칩의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 6은 다이싱 공정에 있어서, 다이싱 블레이드를 이용하여, 중간 구조체에 절입을 형성하고 있는 상태의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 종래의 제조 방법에 의해 얻어진 반도체 칩의 일례를 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 8은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
＜＜다이싱 다이 본딩 시트＞＞
본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트는 기재 상에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 상에 필름상 접착제를 구비하여 이루어지며, 상기 점착제층의 두께가 20㎛∼50㎛이고, 상기 점착제층의 파단 신도가 5∼50％인 것이다.
본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트는 반도체 웨이퍼의 다이싱 블레이드를 이용한 다이싱(즉, 블레이드 다이싱)과, 그에 이어서, 절단 후의 필름상 접착제를 구비한 반도체 칩(본 명세서에 있어서는 「필름상 접착제 부착 반도체 칩」이라고 칭하는 경우가 있다)의 픽업을 행할 때 사용하는 것으로서 바람직하다.
다이싱 블레이드를 이용한 다이싱에서는, 다이싱 블레이드를 회전시켜 반도체 웨이퍼를 절입한다. 이 때, 다이싱 블레이드에 의해, 반도체 웨이퍼와 다이싱 다이 본딩 시트의 적어도 일부를 절삭하기 때문에, 절삭 부스러기가 발생한다. 이 절삭 부스러기는, 반도체 웨이퍼 및 다이싱 다이 본딩 시트 중 어느 하나의 층으로부터 발생한 것이며, 분체상, 섬유상 등의 부유물이거나 상술한 어느 하나의 층으로부터 완전히 떨어지지는 않고, 수염상이 되어 잔존해 있는 것이다. 이 절삭 부스러기의 발생량이 많으면, 그 일부가 반도체 칩이나, 절단이 완료된 필름상 접착제에 부착해 잔존하기 쉽다. 그리고, 이와 같이 절삭 부스러기가 잔존하면, 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 정상적으로 픽업할 수 없는 경우가 있어, 픽업 불량의 원인이 된다. 또한, 만일 픽업할 수 있었다고 해도, 절삭 부스러기가 잔존한 채로 제작된 반도체 장치는, 정상적으로 기능하지 않게 될 수 있다.
이에 비해, 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트는 점착제층의 두께 및 파단 신도가 상기 범위 내인 점에서, 다이싱 블레이드를 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 있어서, 절삭 부스러기의 발생량을 저감할 수 있다. 그리고, 이에 의해, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 픽업 불량의 발생을 억제할 수 있다.
이하, 우선, 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트를 구성하는 각층에 대해 설명한다.
＜기재＞
상기 기재의 구성 재료는, 각종 수지인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들면, 폴리에틸렌(저밀도 폴리에틸렌(LDPE로 약기하는 경우가 있다), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE로 약기하는 경우가 있다), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE로 약기하는 경우가 있다) 등), 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 스티렌·에틸렌부틸렌·스티렌 블록 공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리우레탄, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리이미드, 에틸렌초산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 불소 수지, 이들 중 어느 하나의 수지의 수첨가물, 변성물, 가교물 또는 공중합체 등을 들 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하며, 예를 들면, 「(메타)아크릴레이트」란 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 포함하는 개념이며, 「(메타)아크릴로일기」란 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」의 양쪽을 포함하는 개념이다.
기재를 구성하는 수지는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
기재는 1층(즉, 단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 기재가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 된다. 즉, 모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다. 그리고, 복수층이 서로 상이한 경우, 이들 복수층의 조합은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한 특별히 한정되지 않는다. 여기서, 복수층이 서로 상이하다란, 각층의 재질 및 두께가 적어도 한쪽이 서로 상이한 경우를 의미한다.
한편, 본 명세서에 있어서는, 기재의 경우에 한정되지 않으며, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하며, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란 「각층의 구성 재료 및 두께가 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.
기재의 두께는, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 50㎛∼300㎛인 것이 바람직하고, 60㎛∼100㎛인 것이 보다 바람직하다.
여기서, 「기재의 두께」란 기재 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다. 또한, 기재의 두께의 측정 방법으로는, 예를 들면, 임의의 5개소에 있어서, 접촉식 두께계를 이용하여 두께를 측정하고, 측정값의 평균을 산출하는 방법 등을 들 수 있다.
기재는 그 위에 형성되는 점착제층 등의 다른 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리, 엠보싱 가공 처리 등에 의한 요철화 처리나, 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리 등이 표면에 실시된 것이어도 된다.
또한, 기재는 표면이 프라이머 처리가 실시된 것이어도 된다.
또한, 기재는 대전 방지 코트층, 다이싱 다이 본딩 시트를 중합하여 보존할 때, 기재가 다른 시트에 접착하는 것이나, 기재가 흡착 테이블에 접착하는 것을 방지하는 층 등을 갖는 것이어도 된다.
＜점착제층＞
상기 점착제층은 이하에 나타내는 두께 및 파단 신도의 조건을 만족하는 것이며, 비에너지선 경화성인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 「비에너지선 경화성」이란 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다. 이와는 반대로 에너지선을 조사하는 것에 의해 경화하는 성질을 「에너지선 경화성」이라고 칭한다.
본 발명에 있어서, 「에너지선」이란 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하며, 그 예로서, 자외선, 전자선 등을 들 수 있다.
자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 H 램프 또는 크세논 램프 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.
점착제층은 1층(즉, 단층)만이어도 되고, 2층 이상의 복수층이어도 되며, 복수층인 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.
점착제층의 두께는 20㎛∼50㎛이며, 20㎛∼45㎛인 것이 바람직하고, 20㎛∼40㎛인 것이 보다 바람직하고, 20㎛∼35㎛인 것이 특히 바람직하다. 점착제층의 두께가 상기 하한값 이상인 점에서, 피착체(즉, 필름상 접착제)에 대해 보다 높은 점착력이 얻어진다. 한편, 점착제층의 두께가 상기 상한값 이하인 점에서, 후술하는 분리 공정에 있어서 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 보다 용이하게 분리하여 픽업할 수 있고, 또한, 다이싱 블레이드를 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 있어서, 절삭 부스러기의 발생량을 보다 저감할 수 있다. 또한 점착제층의 두께가 과잉이 되는 것을 피할 수 있고, 다이싱 다이 본딩 시트의 제조 비용을 저감할 수 있음과 함께, 점착제층을 안정하게 형성할 수 있어, 다이싱 다이 본딩 시트의 제조를 보다 안정화할 수 있다.
여기서, 「점착제층의 두께」란 점착제층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 점착제층의 두께란 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다. 또한, 점착제층의 두께의 측정 방법으로는, 예를 들면, 임의의 5개소에 있어서, 접촉식 두께계를 이용하여 두께를 측정하고, 측정값의 평균을 산출하는 방법 등을 들 수 있다.
점착제층의 파단 신도는 5∼50％이며, 6∼46％인 것이 바람직하고, 7∼44％인 것이 보다 바람직하고, 8∼42％인 것이 특히 바람직하다. 점착제층의 파단 신도가 상기 하한값 이상인 점에서, 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 점착제층으로부터 분리하여 픽업할 때까지의 과정에서, 점착제층을 연신했을(즉, 익스팬드했을) 때, 점착제층의 목적 외 개소에서의 균열이 고도로 억제되고, 다이싱 다이 본딩 시트는 보다 우수한 특성을 갖는 것이 된다. 한편, 점착제층의 파단 신도가 상기 상한값 이하인 점에서, 다이싱 블레이드를 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 있어서, 절삭 부스러기의 발생량을 저감할 수 있고, 다이싱 후의 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 용이하게 점착제층으로부터 분리하여 픽업할 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「점착제층의 파단 신도」란 특별히 언급이 없는 한, 점착제층이 경화성인 경우에는 「경화 전의 점착제층의 파단 신도」를 의미한다. 또한, 상기 파단 신도는 특별히 언급이 없는 한, 상온의 점착제층의 파단 신도를 의미한다. 그리고, 본 명세서에 있어서, 「상온」이란 특별히 냉각하거나, 가열하지 않은 온도, 즉 평상의 온도를 의미하며, 예를 들면, 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 점착제층의 파단 신도는 폭 10㎜, 두께 0.03㎜의 점착제층을, 고정 개소 사이의 거리가 10㎜가 되도록 2개소에서 고정하고, 인장 속도를 1000㎜/min로 하여, 이 고정 개소 사이에 있어서 점착제층을 인장하고, 점착제층이 파단했을 때의 점착제층의 신장을 측정함으로써 구할 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「파단 신도가 X％이다(식 중, X는 정수이다)」란 상술한 측정 방법에 있어서, 점착제층을 인장하여, 점착제층이 그 인장 방향에 있어서 원래의 길이(즉, 인장하지 않았을 때의 길이)의 X％의 길이만큼 늘어났을 때, 즉, 점착제층의 인장 방향에 있어서의 전체의 길이가 인장하기 전의 길이의 [1＋X/100]배가 되었을 때, 점착제층이 파단하는 것을 의미한다.
점착제층의 파단 신도는 예를 들면, 점착제층의 함유 성분의 종류 및 양 등을 조절함으로써, 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 함유 성분인, 후술하는 점착성 수지에 있어서의 구성 단위의 종류 및 그 함유 비율 등을 조절함으로써, 점착제층의 파단 신도를 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 점착제층의 점착성 수지나 가교제의 함유량을 조절함으로써, 점착제층의 파단 신도를 용이하게 조절할 수 있다. 단, 이들 조절 방법은 일례에 불과하다.
본 발명에 있어서, 점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한 특별히 한정되지 않지만, 35∼300mN/25㎜인 것이 바람직하고, 45∼100mN/25㎜인 것이 보다 바람직하다.
상기 점착력이 35mN/25㎜ 이상인 점에서, 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서 점착제층 및 필름상 접착제의 적층 구조를 보다 안정하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 점착력이 45mN/25㎜ 이상인 점에서, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 반도체 칩에 가해지는 힘에 의해 반도체 칩이 비산하는, 이른바 칩 비산이 보다 억제된다.
한편, 상기 점착력이 300mN/25㎜ 이하인 점에서, 점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력이 적당히 작아지고, 후술하는 바와 같이, 에너지선 조사 등에 의한 점착제층의 경화를 행하지 않아도, 다이싱 후의 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 용이하게 점착제층으로부터 분리하여 픽업할 수 있다. 또한 이 때, 필름상 접착제에 점착제층의 일부가 부착해 남은 채, 필름상 접착제 부착 반도체 칩이 픽업되는 것이 억제된다. 또한, 상기 점착력이 100mN/25㎜ 이하인 점에서, 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 밀어올려 점착제층으로부터 분리하여 픽업할 때, 적은 밀어올림량으로 용이하게 픽업할 수 있고, 예를 들면, 반도체 칩에 균열이나 결함이 생기는, 이른바 치핑이 보다 억제된다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력」이란 특별히 언급이 없는 한, 점착제층이 경화성인 경우에는 「경화 전의 점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력」을 의미한다. 또한, 상기 점착력은 특별히 언급이 없는 한, 상온의 점착제층의 점착력을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 점착력(mN/25㎜)은 이하의 방법으로 측정할 수 있다. 즉, 폭이 25㎜이며 길이가 임의의 상기 다이싱 다이 본딩 시트를 제작한다.
이어서, 상온(예를 들면, 23℃) 하에서, 필름상 접착제에 의해, 이 다이싱 다이 본딩 시트를 고정용 기재에 첩부한다. 여기서 「고정용 기재」란 다이싱 다이 본딩 시트의 필름상 접착제를 강고하게 고정할 수 있는 것이면 되며, 그 형상은 시트상이어도 되고, 그 밖의 형상이어도 되며, 예를 들면, 필름상 접착제(다시 말하면, 다이싱 다이 본딩 시트)의 고정면으로서 점착면을 갖는 점착성 기재를 들 수 있다.
이어서, 상온(예를 들면, 23℃) 하에 있어서, 필름상 접착제로부터 기재 및 점착제층의 적층물을, 필름상 접착제 및 점착제층의 서로 접촉하고 있던 면끼리가 180°의 각도를 이루도록 박리 속도 300㎜/min로 박리하는 이른바 180°박리를 실시한다. 이 때의 박리력을 측정하여, 그 측정값을 상기 점착력(mN/25㎜)으로 한다.
측정에 제공하는 다이싱 다이 본딩 시트의 길이는, 박리력을 안정하게 측정할 수 있는 범위이면, 특별히 한정되지 않는다.
점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력은, 예를 들면, 점착제층의 함유 성분의 종류 및 양, 점착제층의 두께 등을 조절함으로써, 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 함유 성분인, 후술하는 점착성 수지에 있어서의 구성 단위의 종류 및 그 함유 비율 등을 조절함으로써, 상기 점착력을 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 점착제층의 점착성 수지나 가교제의 함유량을 조절함으로써, 상기 점착력을 용이하게 조절할 수 있다. 단, 이들 조절 방법은 일례에 불과하다.
본 발명에 있어서, 점착제층의 탄성률은 특별히 한정되지 않지만, 30∼140MPa인 것이 바람직하고, 35∼130MPa인 것이 보다 바람직하고, 40∼120MPa인 것이 특히 바람직하다. 점착제층의 탄성률이 상기 하한값 이상인 점에서, 점착제층이 과도하게 유연하지 않기 때문에, 필름상 접착제에 대한 추종성이 과잉되는 것이 억제되고, 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 점착제층으로부터 분리하여 픽업할 때, 보다 용이하게 픽업할 수 있는 경향이 있다. 또한, 점착제층의 탄성률이 상기 상한값 이하인 점에서, 점착제층이 과도하게 견고하지 않기 때문에, 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 밀어올려 점착제층으로부터 분리하여 픽업할 때, 점착제층이 용이하게 변형되어 보다 용이하게 픽업할 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「점착제층의 탄성률」이란 상술한 「점착제층의 파단 신도」의 경우와 마찬가지로, 특별히 언급이 없는 한, 점착제층이 경화성인 경우에는 「경화 전의 점착제층의 탄성률」을 의미한다. 또한, 상기 탄성률은 특별히 언급이 없는 한, 상온의 점착제층의 탄성률을 의미한다.
본 발명에 있어서, 점착제층의 탄성률은 상술한 점착제층의 파단 신도의 측정시, 동시에 측정할 수 있다.
점착제층의 탄성률은 예를 들면, 점착제층의 함유 성분의 종류 및 양 등을 조절함으로써, 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 함유 성분인, 후술하는 점착성 수지에 있어서의 구성 단위의 종류 및 그 함유 비율 등을 조절함으로써, 점착제층의 탄성률을 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 점착제층의 점착성 수지나 가교제의 함유량을 조절함으로써, 점착제층의 탄성률을 용이하게 조절할 수 있다. 단, 이들 조절 방법은 일례에 불과하다.
상기 점착제층은 점착제를 함유하는 점착제 조성물로부터 형성할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 형성 대상면에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 점착제층을 형성할 수 있다. 점착제층의 보다 구체적인 형성 방법은, 다른 층의 형성 방법과 함께, 이후에 상세히 설명한다. 점착제 조성물 중의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 점착제층의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다.
점착제 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되며, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커튼 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 마이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.
점착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 점착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다.
[점착제 조성물]
상기 점착제 조성물은 비에너지선 경화성인 것이 바람직하다.
비에너지선 경화성 점착제 조성물로는, 예를 들면, 아크릴계 수지(즉, (메타)아크릴로일기를 갖는 수지), 우레탄계 수지(즉, 우레탄 결합을 갖는 수지), 고무계 수지(즉, 고무 구조를 갖는 수지), 실리콘계 수지(즉, 실록산 결합을 갖는 수지), 에폭시계 수지(즉, 에폭시기를 갖는 수지), 폴리비닐에테르, 또는 폴리카보네이트 등의 점착성 수지(이하, 「점착성 수지(i)」라고 칭한다)를 함유하는 것을 들 수 있다.
(점착성 수지(i))
상기 점착성 수지(i)는 아크릴계 수지인 것이 바람직하다.
점착성 수지(i)에 있어서의 상기 아크릴계 수지로서는, 예를 들면, 적어도 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
상기 아크릴계 수지가 갖는 구성 단위는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들면, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기의 탄소수가 1∼20인 것을 들 수 있고, 상기 알킬기는 직쇄상 또는 분기쇄상인 것이 바람직하다.
(메타)아크릴산알킬에스테르로서, 보다 구체적으로는, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴이라고도 한다), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸이라고도 한다), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸이라고도 한다), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴이라고도 한다), (메타)아크릴산노나데실, (메타)아크릴산이코실 등을 들 수 있다.
점착제층의 점착력이 향상하는 점에서는, 상기 아크릴계 중합체는, 상기 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 점착제층의 점착력이 보다 향상하는 점에서, 상기 알킬기의 탄소수는, 4∼12인 것이 바람직하고, 4∼8인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메타)아크릴산알킬에스테르는, 아크릴산알킬에스테르인 것이 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체는, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다.
상기 관능기 함유 모노머로는, 예를 들면, 상기 관능기가 후술하는 가교제와 반응함으로써 가교의 기점이 되거나, 상기 관능기가 불포화기 함유 화합물 중의 불포화기와 반응함으로써, 아크릴계 중합체의 측쇄에 불포화기의 도입을 가능하게 하는 것을 들 수 있다.
관능기 함유 모노머 중의 상기 관능기로는, 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다.
즉, 관능기 함유 모노머로는, 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다.
상기 수산기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 비(메타)아크릴계 불포화 알코올(즉, (메타)아크릴로일 골격을 가지지 않는 불포화 알코올) 등을 들 수 있다.
상기 카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산(즉, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노카르복실산); 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산(즉, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 디카르복실산); 상기 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴산카르복시알킬에스테르 등을 들 수 있다.
관능기 함유 모노머는, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체를 구성하는 관능기 함유 모노머는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 아크릴계 중합체에 있어서, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유량은 구성 단위의 전체량에 대해, 1∼35질량％인 것이 바람직하고, 3∼32질량％인 것이 보다 바람직하고, 5∼30질량％인 것이 특히 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체는, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 및 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 다른 모노머 유래의 구성 단위를 갖고 있어도 된다.
상기 다른 모노머는, (메타)아크릴산알킬에스테르 등과 공중합 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다.
상기 다른 모노머로는, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등을 들 수 있다.
상기 아크릴계 중합체를 구성하는 상기 다른 모노머는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
상기 아크릴계 중합체 이외의 점착성 수지(i)도, 상기 아크릴계 중합체와 마찬가지로, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다.
점착제 조성물이 함유하는 점착성 수지(i)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한, 점착성 수지(i)의 함유량의 비율(즉, 점착제층의 점착성 수지(i)의 함유량)은 40∼95질량％인 것이 바람직하고, 50∼95질량％인 것이 보다 바람직하고, 60∼90질량％인 것이 특히 바람직하다. 점착성 수지(i)의 함유량의 상기 비율이 이러한 범위인 점에서, 점착제층의 점착성이 보다 양호해진다.
(가교제(ii))
점착제 조성물은 가교제(ii)를 함유하는 것이 바람직하다.
가교제(ii)는, 예를 들면, 상기 관능기와 반응하여, 점착성 수지(i)끼리를 가교하는 것이다.
가교제(ii)로는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제(즉, 이소시아네이트기를 갖는 가교제); 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제(즉, 글리시딜기를 갖는 가교제); 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제(즉, 아지리디닐기를 갖는 가교제); 알루미늄킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제(즉, 금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제); 이소시아누레이트계 가교제(즉, 이소시아눌산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.
점착제의 응집력을 향상시켜 점착제층의 점착력을 향상시키는 점 및 입수가 용이하다는 등의 점에서, 가교제(ii)는 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다.
점착제 조성물이 함유하는 가교제(ii)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물이 가교제(ii)를 함유하는 경우, 점착제 조성물에 있어서, 가교제(ii)의 함유량은 점착성 수지(i)의 함유량을 100질량부로 했을 때, 5∼100질량부인 것이 바람직하고, 10∼80질량부인 것이 보다 바람직하고, 15∼60질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(ii)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상인 점에서, 가교제(ii)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 가교제(ii)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하인 점에서, 점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력의 조절이 보다 용이해진다.
(그 밖의 첨가제)
점착제 조성물은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
상기 그 밖의 첨가제로는, 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(즉, 가소제), 충전재(즉, 필러), 방청제, 착색제(즉, 안료 또는 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제, 가교 촉진제(즉, 촉매) 등의 공지의 첨가제를 들 수 있다.
여기서, 「반응 지연제」란 예를 들면, 점착제 조성물 중에 혼입해 있는 촉매의 작용에 의해, 보존 중의 점착제 조성물에 있어서, 목적으로 하지 않는 가교 반응이 진행하는 것을 억제하는 것이다. 반응 지연제로는 예를 들면, 촉매에 대한 킬레이트에 의해 킬레이트 착체를 형성하는 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 1분자 중에 카르보닐기(-C(=O)-)를 2개 이상 갖는 것을 들 수 있다.
점착제 조성물이 함유하는 그 밖의 첨가제는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물에 있어서, 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.
(용매)
점착제 조성물은 용매를 함유하고 있어도 된다. 점착제 조성물은 용매를 함유하고 있음으로써, 도공 대상면으로의 도공 적성이 향상된다.
상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 상기 유기 용매로는, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 아세톤 등의 케톤; 초산에틸 등의 카르복실산에스테르; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르; 시클로헥산, n-헥산 등의 지방족 탄화수소; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소; 1-프로판올, 2-프로판올 등의 알코올 등을 들 수 있다.
상기 용매로는 예를 들면, 점착성 수지(i)의 제조시 사용한 것을 점착성 수지(i)로부터 제거하지 않고, 그대로 점착제 조성물에 있어서 사용해도 되고, 점착성 수지(i)의 제조시 사용한 것과 동일 또는 상이한 종류의 용매를 점착제 조성물의 제조시 별도 첨가해도 된다.
점착제 조성물이 함유하는 용매는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
점착제 조성물에 있어서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 적절히 조절하면 된다.
[점착제 조성물의 제조 방법]
점착제 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.
각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않으며, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다.
용매를 사용하는 경우에는 용매를 용매 이외의 어느 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다.
배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.
각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 및 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않으며, 적절히 조절하면 되지만, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.
＜필름상 접착제＞
상기 필름상 접착제는 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한 특별히 한정되지 않으며, 공지의 것을 적절히 사용할 수 있다.
상기 필름상 접착제는 경화성을 갖는 것이며, 열경화성을 갖는 것이 바람직하고, 감압 접착성을 갖는 것이 바람직하다. 열경화성 및 감압 접착성을 함께 갖는 필름상 접착제는 미경화 상태에서는 각종 피착체에 가볍게 압착함으로써 첩부할 수 있다. 또한, 필름상 접착제는 가열하여 연화시킴으로써 각종 피착체에 첩부할 수 있는 것이어도 된다. 필름상 접착제는 경화에 의해 최종적으로는 내충격성이 높은 경화물이 되고, 이 경화물은 심한 고온·고습도 조건 하에 있어서도 충분한 접착 특성을 유지할 수 있다.
필름상 접착제는 1층(즉, 단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 필름상 접착제가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 된다. 즉, 모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다. 그리고, 복수층이 서로 상이한 경우, 이들 복수층의 조합은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다. 여기서, 복수층이 서로 상이하다란, 각층의 재질 및 두께의 적어도 한쪽이 서로 상이한 것을 의미한다.
상기 필름상 접착제의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 1㎛∼50㎛인 것이 바람직하고, 3㎛∼40㎛인 것이 보다 바람직하다. 필름상 접착제의 두께가 상기 하한값 이상인 점에서, 피착체(즉, 반도체 칩)에 대해서 보다 높은 접착력이 얻어진다. 한편, 필름상 접착제의 두께가 상기 상한값 이하인 점에서, 후술하는 분할 공정에 있어서 필름상 접착제를 보다 용이하게 절단할 수 있고, 또한, 다이싱 블레이드를 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 있어서, 절삭 부스러기의 발생량을 보다 저감할 수 있다.
여기서, 「필름상 접착제의 두께」란 필름상 접착제 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 필름상 접착제의 두께란 필름상 접착제를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다. 또한, 필름상 접착제의 두께 측정 방법으로는, 예를 들면, 임의의 5개소에 있어서, 접촉식 두께계를 이용하여, 두께를 측정하고, 측정값의 평균을 산출하는 방법 등을 들 수 있다.
바람직한 필름상 접착제로는, 예를 들면, 중합체 성분(a) 및 에폭시계 열경화성 수지(b)를 함유하는 것을 들 수 있다. 에폭시계 열경화성 수지(b)로는, 예를 들면, 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)로 이루어지는 것을 들 수 있다.
또한, 필름상 접착제로는, 그 각종 물성을 개량하기 위해서, 중합체 성분(a) 및 에폭시계 열경화성 수지(b) 이외에, 필요에 따라, 이들에 해당하지 않는 다른 성분을 추가로 함유하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로 바람직한 것으로는, 예를 들면, 경화 촉진제(c), 충전재(d), 커플링제(e), 가교제(f), 에너지선 경화성 수지(g), 광중합 개시제(h), 범용 첨가제(i) 등을 들 수 있다. 범용 첨가제(i)는, 공지의 것이어도 되며, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 착색제(즉, 염료 또는 안료), 게터링제 등을 들 수 있다.
[접착제 조성물]
필름상 접착제는 그 구성 재료를 함유하는 접착제 조성물로부터 형성할 수 있다. 예를 들면, 필름상 접착제의 형성 대상면에 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 필름상 접착제를 형성할 수 있다. 필름상 접착제의 보다 구체적인 형성 방법은, 다른 층의 형성 방법과 함께, 이후에 상세히 설명한다. 접착제 조성물 중의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 필름상 접착제의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다.
접착제 조성물의 도공은 상술한 점착제 조성물의 도공의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.
접착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 접착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다.
바람직한 접착제 조성물로는, 예를 들면, 상술한 중합체 성분(a), 에폭시계 열경화성 수지(b) 및 필요에 따라 상기 다른 성분 및 용매를 함유하는 것을 들 수 있다.
접착제 조성물이 함유하는 상기 용매로는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(즉, 2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(즉, 아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.
접착제 조성물이 함유하는 용매는, 접착제 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.
접착제 조성물이 함유하는 상기 용매로는, 예를 들면, 중합체 성분(a) 등의 각 성분의 제조시 사용한 것을 각 성분으로부터 제거하지 않고, 그대로 접착제 조성물에 있어서 사용해도 되고, 중합체 성분(a) 등의 각 성분의 제조시 사용한 것과 동일 또는 상이한 종류의 용매를 접착제 조성물의 제조시 별도 첨가해도 된다.
접착제 조성물 및 필름상 접착제가 함유하는 중합체 성분(a) 등의 각 성분은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.
접착제 조성물 및 필름상 접착제에 있어서의, 중합체 성분(a) 등의 각 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않으며, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.
[접착제 조성물의 제조 방법]
접착제 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어지고, 배합 성분이 상이한 점 이외에는 상술한 점착제 조성물의 제조 방법과 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트에 대해, 도면을 인용하면서, 보다 상세히 설명한다. 또한, 이하의 설명에서 사용하는 도면은, 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해서, 편의상, 주요부인 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성 요소의 치수 비율 등이 실제와 동일한 것으로 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(101)는, 기재(11) 상에 점착제층(12)을 구비하고, 점착제층(12) 상에 필름상 접착제(13)를 구비하여 이루어진 것이다. 또한, 다이싱 다이 본딩 시트(101)는, 추가로 필름상 접착제(13) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다.
다이싱 다이 본딩 시트(101)에 있어서는, 기재(11)의 한쪽 표면(이하, 「제1 면(11a)」이라고 칭하는 경우가 있다)에 점착제층(12)이 적층되고, 점착제층(12)의 기재(11)가 형성되어 있는 측과는 반대측 표면(이하, 「제1 면(12a)」이라고 칭하는 경우가 있다)의 전면에 필름상 접착제(13)가 적층되고 필름상 접착제(13)의 점착제층(12)이 형성되어 있는 측과는 반대측 표면(이하, 「제1 면(13a)」이라고 칭하는 경우가 있다)의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(14)이 적층되고, 필름상 접착제(13)의 제1 면(13a) 중, 지그용 접착제층(14)이 적층되어 있지 않은 면과, 지그용 접착제층(14)의 필름상 접착제(13)와 접촉하고 있지 않은 표면(즉, 제1 면(14a) 및 측면(14c))에, 박리 필름(15)이 적층되어 있다. 여기서, 지그용 접착제층(14)의 제1 면(14a)이란 지그용 접착제층(14)의 필름상 접착제(13)와 접촉하고 있는 측과는 반대측 표면이며, 지그용 접착제층(14)의 제1 면(14a) 및 측면(14c)의 경계를 명확히 구별할 수 없는 경우도 있다.
점착제층(12)은 상술한 바와 같이 두께가 20㎛∼50㎛이며, 파단 신도가 5∼50％이다.
지그용 접착제층(14)은 예를 들면, 접착제 성분을 함유하는 단층 구조인 것이어도 되고, 심재가 되는 시트의 양면에 접착제 성분을 함유하는 층이 적층된 복수층 구조인 것이어도 된다.
도 1에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(101)는, 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 필름상 접착제(13)의 제1 면(13a)이, 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 회로가 형성되어 있는 면(본 명세서에 있어서는 「회로 형성면」으로 약기하는 경우가 있다)과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는 「이면」으로 약기하는 경우가 있다)에 첩부되고, 또한, 지그용 접착제층(14)의 제1 면(14a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
도 2는 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 2 이후의 도면에 있어서, 도 1에 나타내는 것과 동일한 구성 요소에는 도 1의 경우와 동일한 부호를 부여하며, 그 상세한 설명은 생략한다.
여기에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(102)는, 지그용 접착제층(14)을 구비하지 않은 점 이외에는 도 1에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(101)와 동일한 것이다.
즉, 다이싱 다이 본딩 시트(102)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a)에 점착제층(12)이 적층되고, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 전면에 필름상 접착제(13)가 적층되고, 필름상 접착제(13)의 제1 면(13a)의 전면에 박리 필름(15)이 적층되어 있다.
도 2에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(102)는, 박리 필름(15)이 제거된 상태로 필름상 접착제(13)의 제1 면(13a) 중, 중앙측의 일부의 영역이 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면에 첩부되고, 또한, 필름상 접착제(13)의 제1 면(13a) 중, 주연부 근방의 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
도 3은 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트의 또 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
여기에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(103)는, 필름상 접착제의 형상이 상이한 점 이외에는 도 1에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(101)와 동일한 것이다.
즉, 다이싱 다이 본딩 시트(103)는, 기재(11) 상에 점착제층(12)을 구비하고, 점착제층(12) 상에 필름상 접착제(23)를 구비하여 이루어진 것이다. 또한, 다이싱 다이 본딩 시트(103)는, 필름상 접착제(23) 상에 박리 필름(15)을 추가로 구비하고 있다.
다이싱 다이 본딩 시트(103)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a)에 점착제층(12)이 적층되고, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 일부, 즉, 중앙측의 영역에 필름상 접착제(23)가 적층되어 있다. 그리고, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 필름상 접착제(23)가 적층되어 있지 않은 면과, 필름상 접착제(23)의 점착제층(12)과 접촉하고 있지 않은 표면(즉, 제1 면(23a) 및 측면(23c))에, 박리 필름(15)이 적층되어 있다. 또한, 필름상 접착제(23)의 제1 면(23a) 및 측면(23c)의 경계를 명확히 구별할 수 없는 경우도 있다.
다이싱 다이 본딩 시트(103)를 필름상 접착제(23) 측의 상방으로부터 내려다보아 평면으로 보았을 때, 필름상 접착제(23)는 점착제층(12)보다 표면적이 작고, 예를 들면, 원 형상 등의 형상을 갖는다.
도 3에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(103)는, 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 필름상 접착제(23)의 제1 면(23a)이, 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면에 첩부되고, 또한, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 필름상 접착제(23)가 적층되어 있지 않은 면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
또한, 도 3에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(103)에 있어서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 필름상 접착제(23)가 적층되어 있지 않은 면에, 도 1에 나타내는 것과 마찬가지로 지그용 접착제층이 적층되어 있어도 된다(도시 생략). 이러한 지그용 접착제층을 구비한 다이싱 다이 본딩 시트(103)는, 도 1에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트(101)와 마찬가지로, 지그용 접착제층의 제1 면이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다.
본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트는 도 1∼도 3에 나타내는 것에 한정되지 않으며, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1∼도 3에 나타내는 것에 있어서 일부의 구성이 변경, 삭제 또는 추가된 것이어도 된다.
＜＜다이싱 다이 본딩 시트의 제조 방법＞＞
상기 다이싱 다이 본딩 시트는 상술한 각층을 대응하는 위치 관계가 되도록 순차 적층함으로써 제조할 수 있다. 각층의 형성 방법은, 앞서 설명한 바와 같다.
예를 들면, 기재 상에 상술한 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 기재 상에 점착제층을 적층할 수 있다.
한편, 예를 들면, 기재 상에 적층이 완료된 점착제층 상에, 추가로 필름상 접착제를 적층하는 경우에는 점착제층 상에 상술한 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 필름상 접착제를 직접 형성하는 것이 가능하다. 이와 같이, 어느 하나의 조성물을 사용하여, 연속하는 2층의 적층 구조를 형성하는 경우에는 상기 조성물로부터 형성된 층 상에, 추가로 조성물을 도공하여 새롭게 층을 형성하는 것이 가능하다. 단, 이들 2층 중 후에 적층하는 층은 다른 박리 필름 상에 상기 조성물을 사용하여 미리 형성해 두고, 이 형성 완료된 층의 상기 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측 노출면을 이미 형성 완료된 나머지 층의 노출면과 첩합함으로써, 연속하는 2층의 적층 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 박리 필름은 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라 제거하면 된다.
즉, 기재 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 기재 상에 점착제층을 적층해 두고, 별도로, 박리 필름 상에 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 필름상 접착제를 형성해 두고, 이 필름상 접착제의 노출면을 기재 상에 적층 완료된 점착제층의 노출면과 첩합하여, 필름상 접착제를 점착제층 상에 적층함으로써, 상기 다이싱 다이 본딩 시트가 얻어진다.
또한, 기재 상에 점착제층을 적층하는 경우에는 상술한 바와 같이, 기재 상에 점착제 조성물을 도공하는 방법 대신에, 박리 필름 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 점착제층을 형성해 두고, 이 점착제층의 노출면을 기재의 한쪽 표면과 첩합함으로써 적층해도 된다.
어느 방법에 있어서도, 박리 필름은 목적으로 하는 적층 구조를 형성 후의 임의의 타이밍으로 제거하면 된다.
이와 같이, 다이싱 다이 본딩 시트를 구성하는 기재 이외의 층은 어느 것이어도, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 목적으로 하는 층의 표면에 첩합하는 방법으로 적층할 수 있기 때문에, 필요에 따라 이러한 공정을 채용하는 층을 적절히 선택하여, 다이싱 다이 본딩 시트를 제조하면 된다.
또한, 다이싱 다이 본딩 시트는 통상, 그 필름상 접착제가 형성되어 있는 측의 최표층(예를 들면, 필름상 접착제)의 표면에 박리 필름이 첩합된 상태로 보관된다. 따라서, 이 박리 필름(바람직하게는, 그 박리 처리면) 상에, 접착제 조성물 등의 최표층을 구성하는 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 최표층을 구성하는 층을 형성해 두고, 이 층의 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측 노출면 상에 나머지의 각층을 상술한 어느 하나의 방법으로 적층하여, 박리 필름을 제거하지 않고 첩합한 상태 그대로 하여도, 다이싱 다이 본딩 시트가 얻어진다.
＜＜반도체 칩의 제조 방법＞＞
본 발명의 반도체 칩의 제조 방법은, 상술한 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법으로서, 상기 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서의 상기 필름상 접착제의 상기 점착제층이 형성되어 있는 측과는 반대측 표면(즉, 상기 제1 면)에, 반도체 웨이퍼가 형성되어 이루어지는 중간 구조체를 형성하는 공정(이하, 「중간 구조체 형성 공정」으로 약기하는 경우가 있다)과 다이싱 블레이드를 이용하여, 상기 중간 구조체에 있어서 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 상기 점착제층에 도달하되 상기 기재에는 도달하지 않는 절입을 형성함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여 반도체 칩을 형성하는 공정(이하, 「다이싱 공정」으로 약기하는 경우가 있다)을 갖는다.
본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트를 사용함으로써, 상기 다이싱 공정에 있어서는, 다이싱 블레이드를 이용한 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 있어서, 절삭 부스러기의 발생량을 종래보다 큰 폭으로 저감할 수 있다. 여기서, 「절삭 부스러기」란 앞서 설명한 것이다.
이하, 도 4를 참조하면서, 상기 반도체 칩의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 4는 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
여기서는, 도 1에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 경우의 제조 방법에 대해 설명한다.
＜중간 구조체 형성 공정＞
상기 중간 구조체 형성 공정에 있어서는, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 다이 본딩 시트(101)에 있어서의 필름상 접착제(13)의 제1 면(13a)에, 반도체 웨이퍼(9')가 형성되어 이루어지는 중간 구조체(201)를 형성한다.
중간 구조체(201) 중의 반도체 웨이퍼(9')의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 10㎛∼100㎛인 것이 바람직하고, 30㎛∼90㎛인 것이 보다 바람직하다.
＜다이싱 공정＞
이어서, 상기 다이싱 공정에 있어서는, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 블레이드를 이용하여, 중간 구조체(201)에 있어서, 반도체 웨이퍼(9')의 표면(즉, 회로 형성면)(9a')으로부터 점착제층(12)에 도달하되 기재(11)에는 도달하지 않는 절입(10)을 형성함으로써, 반도체 웨이퍼(9')를 분할하여 반도체 칩(9)을 형성한다.
반도체 칩(9)의 두께는, 상술한 반도체 웨이퍼(9')의 두께와 동일하다.
도 5는 절입(10)이 형성된 다이싱 다이 본딩 시트(101)와 함께, 얻어진 반도체 칩(9)을 모식적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 본 공정에 있어서는, 점착제층(12)의 두께(T1), 점착제층(12)의 제1 면(12a)으로부터의 절입(10)의 깊이(T2)가, T1＞T2의 관계를 만족하도록, 절입(10)을 형성한다. 또한, 점착제층(12)에 있어서의 절입 부위의 저면(120a)이 평면이 아닌 경우에는 상기 저면(120a)의 기재(11)에 가장 가까운 부위(즉, 점착제층(12)에 있어서 절입(10)의 깊이가 가장 깊은 부위)를, T2를 산출할 때의 한쪽의 기준으로 하면 된다.
이와 같이, 절입(10)을 기재(11)의 제1 면(11a)에는 도달시키지 않고, 점착제층(12) 중에 그치도록 형성함으로써, 절삭 부스러기의 발생량을 저감할 수 있고, 필름상 접착제 부착 반도체 칩(9)의 픽업 불량의 발생을 억제할 수 있다.
다이싱 공정에 있어서, 절삭 부스러기의 발생량을 저감할 수 있는 것은, 예를 들면, 필름상 접착제 부착 반도체 칩(9)의 픽업 후에, 점착제층 및 기재에 대해 SEM을 이용하여 관찰했을 때, 다이싱 라인 상에 잔존해 있는 절삭 부스러기가 적어진 것으로 확인할 수 있다.
점착제층(12)의 두께(T1)에 대한 점착제층(12)에 있어서 절입(10)의 깊이(T2)의 비율(T2/T1)은, 0보다 크고 1 미만이며, 0.1∼0.9인 것이 바람직하고, 0.2∼0.8인 것이 보다 바람직하고, 0.3∼0.7인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 상기 하한값 이상인 점에서, 점착제층의 절입(10)의 형성 부위에 있어서 점착제층의 돌출 부위의 크기, 즉 돌출량을 저감할 수 있다. 이 점착제층의 돌출량을 저감함으로써, 필름상 접착제 부착 반도체 칩(9)의 픽업 불량의 발생을 더 고도하게 억제할 수 있다. 한편, 상기 비율이 상기 상한값 이하인 점에서, 절삭 부스러기의 발생량을 보다 저감할 수 있다.
도 6은 다이싱 공정에 있어서, 다이싱 블레이드를 이용하여, 중간 구조체(201)에 절입(10)을 형성하고 있는 상태의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 여기서는 다이싱 블레이드(8)의 직경 방향에 있어서의 선단부(8a)가, 점착제층(12) 중에 위치하고, 기재(11)에는 도달해 있지 않은 상태를 나타내고 있다. 또한, 도 6에서는 다이싱 다이 본딩 시트에 관한 구성만 단면 표시하고 있다. 또한, 절입(10)으로서, 다이싱 블레이드(8)와 점착제층(12)의 사이에 공극부가 존재하고 있는 상태를 나타내고 있지만, 점착제층(12)이 다이싱 블레이드(8) 측에는 돌출하여 잔존하고, 상기와 같이, 돌출 부위가 존재하여, 상기 공극부가 더 좁아지거나 또는 존재하지 않는 경우도 있다.
본 발명에 있어서, 다이싱 블레이드(8)의 폭(W)은, 20㎛∼50㎛인 것이 바람직하고, 30㎛∼35㎛인 것이 보다 바람직하다. 이러한 폭(W)의 다이싱 블레이드(8)를 이용함으로써, 본 발명의 보다 우수한 효과가 얻어진다. 또한, 폭(W)의 다이싱 블레이드를 이용하여, 반도체 웨이퍼를 분할하여 반도체 칩을 형성했을 경우, 인접하는 반도체 칩 사이의 거리(즉, 커프 폭)는, 통상 W와 동일하거나, 또는 W의 근사값이 된다.
본 발명에 있어서, 다이싱 블레이드(8)의 선단부(8a)의 근방 영역에서, 다이싱 블레이드(8)의 직경 방향 외측을 향하여(즉, 선단부(8a)를 향하여) 폭(W)이 좁아지는 영역의 상기 직경 방향의 길이(L)는, 점착제층(12)의 두께(T1) 미만(L＜T1)인 것이 바람직하고, 예를 들면, 50㎛ 미만인 것이 바람직하고, 45㎛ 미만인 것이 보다 바람직하고, 40㎛ 미만인 것이 더욱 바람직하고, 35㎛ 미만인 것이 특히 바람직하다. 이러한 상기 길이(L)의 다이싱 블레이드(8)를 사용함으로써, 본 발명의 보다 우수한 효과가 얻어진다.
한편, 상기 길이(L)의 하한값은 0㎛보다 크면 특별히 한정되지 않지만, 통상은 10㎛인 것이 바람직하고, 15㎛인 것이 보다 바람직하다. 상기 길이(L)는 후술하는 각도 θ를 사용하여, L=(W×tanθ)/2로 나타낸다.
본 발명에 있어서는, 다이싱 블레이드(8)의 선단부(8a)가, 절입의 형성 대상면과 이루는 각도(본 명세서에 있어서는, 이러한 각도를 「다이싱 블레이드의 선단 각도」라고 칭하는 경우가 있다) θ가 0°보다 크고, 또한 90°미만인 것을 사용할 수 있다. 이러한 다이싱 블레이드(8)에 있어서, θ는, 예를 들면, 0°보다 크고 또한 80°이하여도 되지만, 0°보다 크고 또한 70°이하인 것이 바람직하다. 이러한 선단 각도 θ의 다이싱 블레이드(8)를 이용함으로써, 본 발명의 보다 우수한 효과가 얻어진다.
또한, 여기서는 다이싱 블레이드로서, 상술한 선단 각도 θ가 0°보다 크고, 또한 90°미만인 것을 이용한 경우에 대해 설명했지만, 상기 다이싱 공정에서 이용하는 다이싱 블레이드는, 이러한 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 6에 나타내는 다이싱 블레이드(8)에 있어서, 그 선단 각도 θ가 0°인 것, 즉, 다이싱 블레이드(8)의 선단부(8a)의 근방 영역에서, 다이싱 블레이드(8)의 직경 방향 외측을 향하여(즉, 선단부(8a)를 향하여) 폭(W)이 좁아지는 영역이 존재하지 않는 다이싱 블레이드를 상기 다이싱 공정에서 이용해도 된다.
한편, 도 7에 나타내는 바와 같이, 종래의 제조 방법에 의해, 중간 구조체(201)에 있어서, T1=T2의 관계를 만족하도록, 즉, 반도체 웨이퍼(9')의 표면(9a')으로부터 점착제층(12)을 관통하여 기재(11)까지 도달하는 절입(10)을 형성했을 경우에는 상술한 본 발명의 효과는 얻어지지 않는다. 또한, 도 7 중, T3(T3＞0)은 기재(11)의 제1 면(11a)으로부터의 절입(10)의 깊이를 의미한다. 또한, 부호 110a가 부여된 부위는 기재(11)의 절입 부위에 있어서의 저면을 나타낸다.
다이싱 공정에 있어서는, 다이싱 블레이드의 회전 속도는 10000∼60000rpm인 것이 바람직하고, 20000∼50000rpm인 것이 보다 바람직하다.
또한, 다이싱 블레이드의 이동 속도는 20∼80㎜/sec인 것이 바람직하고, 40∼60㎜/sec인 것이 보다 바람직하다.
또한, 다이싱 블레이드의 작동 시에는, 다이싱을 행하고 있는 개소에 대해, 예를 들면, 0.5∼1.5L/min 정도의 양으로 절삭수를 유입하는 것이 바람직하다.
＜＜반도체 장치의 제조 방법＞＞
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상술한 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법에 의해 상기 반도체 칩을 형성하는 공정(즉, 다이싱 공정)을 행한 후, 상기 절입을 형성 후의 다이싱 다이 본딩 시트에 대해, 그 기재 측으로부터 힘을 가함과 함께, 상기 반도체 칩을 절단 후의 상기 필름상 접착제와 함께 상기 점착제층으로부터 분리하는 공정(이하, 「분리 공정」으로 약기하는 경우가 있다)을 갖는다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 상술한 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법을 이용함으로써, 상기 다이싱 공정에 있어서 절삭 부스러기의 발생량이 큰 폭으로 저감되고 있다.
이에 의해, 상기 분리 공정에 있어서, 필름상 접착제를 구비한 반도체 칩(즉, 필름상 접착제 부착 반도체 칩)의 픽업 불량의 발생이 억제된다.
이하, 도 8을 참조하면서, 상기 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 8은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는, 도 1에 나타내는 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 경우의 제조 방법에 대해 설명한다. 또한, 도 8에서는, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩에 관한 구성만 단면 표시하고 있다.
＜분리 공정＞
상기 분리 공정에 있어서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 절입(10)을 형성 후의 다이싱 다이 본딩 시트(101)에 대해, 그 기재(11) 측으로부터 힘을 가함과 함께, 반도체 칩(9)을 절단 후의 필름상 접착제(13)와 함께 점착제층(12)으로부터 분리한다(즉, 픽업한다).
여기서는, 반도체 장치의 제조 장치에 있어서의 밀어올림부(도시 생략)로부터 돌기(즉, 핀)(70)를 돌출시켜, 돌기(70)의 선단부가 다이싱 다이 본딩 시트(101)를 그 기재(11) 측으로부터 밀어올림으로써, 절입(10) 및 반도체 칩(9)이 형성된 중간 구조체(201)에 대해, 돌기(70)의 돌출 방향에 힘을 가하는 예를 나타내고 있다. 이 때, 돌기(70)의 돌출량(즉, 밀어올림량), 돌출 속도(즉, 밀어올림 속도), 돌출 상태의 유지 시간(즉, 들어 올리는 대기 시간) 등의 밀어올림 조건을 적절히 조절할 수 있다. 돌기(70)의 수는 특별히 한정되지 않으며, 적절히 선택하면 된다.
상기 분리 공정에 있어서, 다이싱 다이 본딩 시트(101)를 밀어올리는 방법은 공지의 방법이어도 되며, 예를 들면, 상술한 바와 같은 돌기에 의해 밀어올리는 방법 이외에, 다이싱 다이 본딩 시트(101)를 따라 슬라이더를 이동시킴으로써 이 다이싱 다이 본딩 시트(101)를 밀어올리는 방법을 들 수 있다.
또한, 여기서는, 반도체 장치의 제조 장치의 인상부(71)에 의해, 반도체 칩(9)을 인상하는 것에 의해, 필름상 접착제(13)와 함께 반도체 칩(9)을, 점착제층(12)으로부터 박리시키는 예를 나타내고 있다. 여기서는, 반도체 칩(9)의 인상 방향을 화살표(I)로 나타내고 있다.
반도체 칩(9)을 인상하는 방법은, 공지의 방법이어도 되며, 예를 들면, 진공 콜릿에 의해 반도체 칩(9)의 표면을 흡착하여 인상하는 방법 등을 들 수 있다.
분리 공정에 있어서는, 본 발명의 다이싱 다이 본딩 시트(101)를 사용하여, 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법을 이용함으로써, 필름상 접착제 부착 반도체 칩(9)의 픽업 불량의 발생이 억제된다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 앞서 설명한 것처럼, 분리 공정에서 점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력이 특정값 이하인 다이싱 다이 본딩 시트를 사용함으로써, 에너지선 조사 등에 의한 점착제층의 경화를 행하지 않아도, 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 용이하게 점착제층으로부터 분리하여 픽업할 수 있다. 그리고, 점착제층의 경화를 실시하지 않고, 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 픽업할 수 있기 때문에, 반도체 장치의 제조 공정을 간략화할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 필름상 접착제와 함께 분리된(즉, 픽업된) 반도체 칩(즉, 필름상 접착제 부착 반도체 칩)을 사용하고, 이후는 종래법과 동일한 방법으로, 즉, 상기 반도체 칩을 기판의 회로면에 필름상 접착제에 의해 다이 본딩하는 공정을 거쳐 반도체 장치를 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 칩을 기판의 회로면에 필름상 접착제에 의해 다이 본딩하고, 필요에 따라 이 반도체 칩에 추가로 반도체 칩을 1개 이상 적층하고, 와이어 본딩을 행한 후, 전체를 수지에 의해 봉지함으로써, 반도체 패키지로 한다. 그리고, 이 반도체 패키지를 사용하여 목적으로 하는 반도체 장치를 제작하면 된다.
실시예
이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예로 한정되는 것은 전혀 아니다.
또한, 이하에 있어서, 시간의 단위 「msec」는 「밀리초」를 의미한다.
[실시예 1]
＜다이싱 다이 본딩 시트의 제조＞
기재 상에 비에너지선 경화성 점착제층을 구비하여 이루어지는 다이싱 시트(기재의 두께 80㎛, 점착제층의 두께 30㎛)의 상기 점착제층에, 필름상 접착제(린텍사 제조 「ADWILL LE61-25*」, 두께 25㎛)를 상온 하에서 첩부했다. 이상에 의해, 상기 기재 상에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 상에 필름상 접착제를 구비하여 이루어지는 다이싱 다이 본딩 시트를 얻었다.
또한, 여기서 사용한 다이싱 시트의 점착제층은 점착성 수지로서 아크릴산2-에틸헥실(이하, 「2EHA」로 약기한다)(60질량부), 메타크릴산메틸(이하, 「MMA」로 약기한다)(30질량부) 및 아크릴산2-히드록시에틸(이하, 「HEA」로 약기한다)(10질량부)을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 450000, 유리 전이 온도 -31℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(18.85질량부)를 함유하는 것이다.
하기 방법으로 측정한 이 점착제층의 파단 신도 및 탄성률, 그리고 필름상 접착제에 대한 점착력을 표 1에 나타낸다.
(점착제층의 파단 신도 및 탄성률의 측정)
점착제층을 길이가 30㎜, 폭이 10㎜, 두께가 0.03㎜가 되도록 잘라서 시험편으로 했다.
이어서, 이 시험편을 측정 장치(시마즈 제작소사 제조 「Autograph」)에 설치했다. 이 때, 시험편의 길이 방향의 양단으로부터 10㎜의 길이의 부분까지를 척으로 집고, 시험편의 측정 대상부의 길이가 10㎜가 되도록 했다.
이어서, 온도 23℃, 상대 습도 50％의 환경 하에서, 인장 속도 1000㎜/min로, 시험편을 그 길이 방향으로 인장하여, 점착제층의 파단 신도 및 탄성률을 측정했다.
(점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력의 측정)
다이싱 다이 본딩 시트를 폭이 25㎜, 길이가 200㎜가 되도록 잘라서 시험편으로 했다.
이어서, 상온(23℃) 하에 있어서, 이 시험편을 필름상 접착제에 의해 점착 시트의 점착면에 첩부했다.
이어서, 상온(23℃) 하에 있어서, 필름상 접착제로부터 기재 및 점착제층의 적층물을, 필름상 접착제 및 점착제층의 서로 접촉하고 있던 면끼리가 180°의 각도를 이루도록 박리 속도 300㎜/min로 박리하여 180°박리를 행하고, 이 때의 박리력을 측정하여, 점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력(mN/25㎜)으로 했다.
＜반도체 칩의 제조 및 평가＞
(중간 구조체 형성 공정)
드라이 폴리쉬 마무리를 실시한 12인치 실리콘 웨이퍼(두께 75㎛)의 연마면에, 풀오토멀티웨이퍼마운터(린텍사 제조 「ADWILL RAD-2700」)를 이용하고, 상기에서 얻어진 다이싱 다이 본딩 시트를 그 필름상 접착제에 의해 첩부하여, 중간 구조체를 얻었다.
(다이싱 공정)
이어서, 얻어진 중간 구조체를 그 점착제층의 노출면에 의해 다이싱용 링 프레임에 첩부하여 고정했다.
이어서, 다이싱 장치(디스코사 제조 「DFD6361」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 중간 구조체에 있어서 절입을 형성했다. 그 때의 조건은 이하와 같다. 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터, 필름상 접착제를 관통하여, 점착제층의 필름상 접착제를 구비하고 있는 측의 표면으로부터 20㎛의 깊이까지, 다이싱 블레이드를 이용하고 절삭하여, 절입을 형성했다. 즉, 상기 절입은 상기 중간 구조체에 있어서, 기재에는 도달하지 않도록 형성하고, 점착제층의 두께(T1)에 대한 점착제층에 있어서의 절입의 깊이(T2)의 비율(T2/T1)을 0.67로 했다. 다이싱 블레이드로는, 상기 폭(W)이 30㎛∼35㎛, 상기 선단부의 각도 θ가 30°, 상기 직경 방향의 길이(L)가 9㎛∼10㎛인 것을 이용하고, 이 다이싱 블레이드의 회전 속도를 40000rpm, 이동 속도를 50㎜/sec로 했다. 또한, 다이싱을 행하고 있는 개소에 대해, 1L/min의 양으로 절삭수를 유입하면서 다이싱을 행했다.
이상에 의해, 실리콘 웨이퍼의 표면을 상방으로부터 내려다 보았을 때, 직교하는 2방향에 8㎜ 간격으로, 즉, 실리콘 칩이 8㎜×8㎜의 크기가 되도록 다이싱을 행했다.
(반도체 칩의 픽업 적성의 평가)
이어서, 절입을 형성하고, 실리콘 칩을 형성한 후의 중간 구조체를 픽업·다이 본딩 장치(캐논머시너리사 제조 「BESTEM-D02」)에 설치했다. 그리고, 상온 하에서, 밀어올림 속도를 20㎜/sec, 유지 시간을 300msec로 하고, 밀어올림량을 특정의 값으로 설정하여, 5핀 밀어올림 방식에 의해, 절입을 형성 후의 다이싱 다이 본딩 시트에 대해, 그 기재 측으로부터 힘을 가하여, 절입 및 실리콘 칩을 형성 후의 중간 구조체를 밀어올림과 함께, 반도체 칩을 분리하는 부위의 크기가 8㎜×8㎜인 콜릿을 이용하여, 얻어진 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 분리(즉, 픽업)를 시도했다. 이 중간 구조체의 밀어올림과 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 분리를, 밀어올림량을 변화시켜 계속 행하고, 30회 연속하여, 이상 없이 행할 수 있었던 경우의 밀어올림량의 최소값을 구하여, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 픽업 적성의 평가의 지표로 했다. 또한, 주사형 전자 현미경(SEM, KEYENCE사 제조 「VE-9800」)을 이용하여, 픽업 후의 기재 및 점착제층의 표면을 관찰하고, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
＜다이싱 다이 본딩 시트의 제조, 반도체 칩의 제조 및 평가＞
[실시예 2]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하고, 또한 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 탄성률, 그리고 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 1에 나타낸다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(85질량부) 및 HEA(15질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 700000, 유리 전이 온도 -63℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(28.28질량부)을 함유하는 점착제층.
[실시예 3]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하고, 또한 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 탄성률, 그리고 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 1에 나타낸다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(80질량부) 및 HEA(20질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 850000, 유리 전이 온도 -61℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(37.70질량부)을 함유하는 점착제층.
[실시예 4]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하고, 또한 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 탄성률, 그리고 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 1에 나타낸다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(60질량부), MMA(30질량부) 및 HEA(10질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 450000, 유리 전이 온도 -31℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(56.55질량부)을 함유하는 점착제층.
[실시예 5]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하고, 또한 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 탄성률, 그리고 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 1에 나타낸다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(60질량부), MMA(30질량부) 및 아크릴산4-히드록시부틸(이하, 「4HBA」로 약기한다)(10질량부)을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 300000, 유리 전이 온도 -30℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(15.19질량부)을 함유하는 점착제층.
[비교예 1]
＜다이싱 다이 본딩 시트의 제조＞
실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱 다이 본딩 시트를 제조했다.
＜반도체 칩의 제조 및 평가＞
(중간 구조체 형성 공정)
실시예 1과 동일한 방법으로 중간 구조체를 얻었다.
(다이싱 공정)
이어서, 얻어진 중간 구조체를 그 점착제층의 노출면에 의해 다이싱용 링 프레임에 첩부하여 고정했다.
이어서, 다이싱 장치(디스코사 제조 「DFD6361」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 중간 구조체에 있어서 절입을 형성했다. 그 때의 조건은 이하와 같다. 실리콘 웨이퍼의 표면으로부터, 필름상 접착제 및 점착제층을 관통하여, 기재의 점착제층을 구비하고 있는 측의 표면으로부터 20㎛의 깊이까지, 다이싱 블레이드를 이용해 절삭하여, 절입을 형성했다. 즉, 상기 절입은 상기 중간 구조체에 있어서, 점착제층의 두께 방향의 전역에 걸쳐 형성하고, 점착제층의 두께(T1)에 대한 점착제층에 있어서의 절입의 깊이(T2)의 비율(T2/T1)을 1로 함과 함께, 또한, 기재에도 절입을 형성하고, 기재에 있어서의 절입의 깊이(T3)를 20㎛로 했다. 다이싱 블레이드, 그리고 다이싱 블레이드의 회전 속도 및 이동 속도는 실시예 1의 경우와 동일하게 했다.
이상에 의해, 실리콘 웨이퍼의 표면을 상방으로부터 내려다 보았을 때, 직교하는 2방향에 8㎜ 간격으로, 즉, 실리콘 칩이 8㎜×8㎜의 크기가 되도록 다이싱을 행했다.
(반도체 칩의 픽업 적성의 평가)
실시예 1과 동일한 방법으로, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 분리(즉, 픽업)를 시도하고, 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[비교예 2]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하고, 또한 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 탄성률, 그리고 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 2에 나타낸다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(70질량부), MMA(20질량부) 및 HEA(10질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 510000, 유리 전이 온도 -44℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(18.85질량부)을 함유하는 점착제층.
[비교예 3]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하고, 또한 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 탄성률, 그리고 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 2에 나타낸다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(90질량부) 및 HEA(10질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 700000, 유리 전이 온도 -66℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(18.85질량부)을 함유하는 점착제층.
[비교예 4]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하고, 또한 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 탄성률, 그리고 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 2에 나타낸다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(85질량부) 및 HEA(15질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 700000, 유리 전이 온도 -63℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(28.28질량부)을 함유하는 점착제층.
[비교예 5]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하고, 또한 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 2에 나타낸다. 또한, 점착제층의 탄성률은 측정할 수 없었다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(80질량부) 및 HEA(20질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 850000, 유리 전이 온도 -61℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(113.10질량부)을 함유하는 점착제층.
[비교예 6]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트의 제조를 시도했지만, 점착제층에 필름상 접착제를 첩부할 수 없어서, 다이싱 다이 본딩 시트를 제조할 수 없었다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(80질량부) 및 HEA(20질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 850000, 유리 전이 온도 -61℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(188.50질량부)을 함유하는 점착제층.
[비교예 7]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하고, 또한 상기 밀어올림량의 최소값을 구하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 3에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 탄성률, 그리고 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 3에 나타낸다.
(점착제층)
점착성 수지로서 2EHA(60질량부), MMA(30질량부) 및 HEA(10질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 450000, 유리 전이 온도 -31℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(94.25질량부)을 함유하는 점착제층.
[비교예 8]
점착제층으로서 이하에 나타내는 것(두께 30㎛)을 구비한 다이싱 시트를 사용한 점 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로, 다이싱 다이 본딩 시트 및 반도체 칩을 제조하여, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양을 확인했다. 결과를 표 3에 나타낸다. 또한, 점착제층의 파단 신도 및 필름상 접착제에 대한 점착력을 함께 표 3에 나타낸다. 또한, 본 비교예에서는, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 점착제층으로부터의 분리(즉, 픽업)를 행할 수 없었고, 상기 밀어올림량의 최소값을 구할 수 없었다. 또한, 점착제층의 탄성률을 측정할 수 없었다.
(점착제층)
점착성 수지로서 아크릴산라우릴(이하, 「LA」로 약기한다)(80질량부) 및 HEA(20질량부)를 공중합하여 이루어지는 아크릴계 중합체(중량 평균 분자량 720000, 유리 전이 온도 -27℃)(100질량부)와 가교제로서 트리메틸올프로판의 톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(도요잉크사 제조 「BHS8515」)(137.70질량부)을 함유하는 점착제층.
실시예 1∼5에서는, 점착제층의 두께가 20㎛∼50㎛의 범위 내에 있고, 점착제층의 파단 신도가 8.7％∼40.2％의 범위 내에 있는 다이싱 다이 본딩 시트를 사용하여, 다이싱 공정에 있어서의 중간 구조체로 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 점착제층에는 도달하되 기재에는 도달하지 않는 절입을 형성했다. 그 결과, 상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 상기 밀어올림량의 최소값은 200㎛ 이하가 되고, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 픽업 적성은 양호했다. 특히, 점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력이 보다 작은 실시예 2∼4에서는, 상기 밀어올림량의 최소값이 보다 작고, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 픽업 적성이 매우 우수했다. 또한, 실시예 1∼5에서는, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기가 적고, 특히 실시예 2∼4에서는 매우 적어졌다.
이와 같이, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양은, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 픽업 적성과 상관 관계가 있었다.
또한, 실시예 1∼5에서는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 반도체 칩이 비산하는, 이른바 칩 비산도 볼 수 없었다.
이에 비해, 비교예 1에서는, 다이싱 공정에 있어서의 중간 구조체로 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 기재까지 도달하는 절입을 형성한 결과, 점착제층이 실시예 1과 동일함에도 불구하고, 상기 밀어올림량의 최소값은 300㎛가 되어, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 픽업 적성이 열악했다.
또한, 비교예 2∼3에서는, 점착제층의 파단 신도가 너무 커서, 그에 수반하여, 상기 밀어올림량의 최소값이 크고, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 픽업 적성이 열악했다.
또한, 비교예 4에서는, 점착제층의 파단 신도가 너무 커서, 그에 수반하여, 후술하는 바와 같이, 다이싱 라인 상에 잔존해 있는 절삭 부스러기가 많고, 상기 밀어올림량의 최소값도 큰 편이었다.
또한, 비교예 5 및 7에서는, 점착제층의 파단 신도가 너무 작아서, 점착제층의 목적 외의 개소에서의 균열이 나타나고, 점착제층의 특성이 열악했다. 본 비교예의 다이싱 다이 본딩 시트는 실용에 적합하지 않은 것이었다.
또한, 비교예 6에서는, 점착제층의 가교제의 함유량이 너무 많아서, 점착제층의 조성에 문제가 있었기 때문에, 상술한 바와 같이, 점착제층에 필름상 접착제를 첩부할 수 없어서, 다이싱 다이 본딩 시트를 제조할 수 없었다.
또한, 비교예 8에서는, 점착제층 중의 점착성 수지의 종류가 부적절하며, 점착제층의 파단 신도가 너무 크고, 점착제층의 필름상 접착제에 대한 점착력이 너무 커서, 상술한 바와 같이, 필름상 접착제 부착 반도체 칩을 픽업할 수 없었다.
비교예 1∼4 및 8에서는 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기가 많고, 비교예 1∼4에서는 상기 밀어올림량의 최소값이 250㎛ 이상이며, 비교예 8에서는 측정 불능인 것에 비해, 비교예 5 및 7에서는 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기가 적고, 상기 밀어올림량의 최소값이 75㎛로 작았다. 이와 같이, 이들 비교예에서도, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기의 양은, 필름상 접착제 부착 반도체 칩의 픽업 적성과 상관 관계가 있었다.
또한, 비교예 1∼5 및 7에 있어서, 픽업에 실패한 필름상 접착제 부착 반도체 칩과, 그에 대응한 위치의 점착제층 및 기재에 대해, SEM을 이용하여 관찰한 결과, 다이싱 라인 상의 절삭 부스러기가 필름상 접착제에 밀착되어 있고, 다이싱 라인 상에 잔존해 있는 절삭 부스러기가, 픽업 불량의 하나의 원인이 되고 있는 것이 확인되었다. 또한, 비교예 1, 3 및 8에서는, 다이싱 라인 상에 잔존해 있는 절삭 부스러기가 매우 많았다.
또한, 비교예 5 및 7에서는, 칩 비산이 나타났지만, 비교예 1∼4 및 8에서는, 칩 비산이 나타나지 않았다.
본 발명은 반도체 장치의 제조에 이용 가능하다.
101, 102, 103…다이싱 다이 본딩 시트, 11…기재, 11a…기재의 제1 면, 12…점착제층, 12a…점착제층의 제1 면, 13, 23…필름상 접착제, 13a, 23a…필름상 접착제의 제1 면, 201…중간 구조체, 8…다이싱 블레이드, 9…반도체 칩, 9'…반도체 웨이퍼, 9a'…반도체 웨이퍼의 표면, 10…절입, T1…점착제층의 두께

Claims (5)

  1. 기재 상에 점착제층을 구비하고, 상기 점착제층 상에 필름상 접착제를 구비하여 이루어지며,
    상기 점착제층의 두께가 20㎛∼50㎛이고,
    이하의 측정 방법으로 측정되는 상기 점착제층의 파단 신도가 5∼50％인 다이싱 다이 본딩 시트:
    (측정 방법)
    폭 10㎜, 두께 0.03㎜의 점착제층을 고정 개소 사이의 거리가 10㎜가 되도록 2개소에서 고정하고, 인장 속도를 1000㎜/min로 하여, 상기 고정 개소 사이에 있어서 점착제층을 인장하고, 당해 점착제층이 파단했을 때의 신장률을 파단 신도로 한다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층이 비에너지선 경화성인 다이싱 다이 본딩 시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 점착제층의 상기 필름상 접착제에 대한 점착력이 35∼300mN/25㎜인 다이싱 다이 본딩 시트.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항의 다이싱 다이 본딩 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법으로서,
    상기 다이싱 다이 본딩 시트에 있어서 상기 필름상 접착제의 상기 점착제층이 형성되어 있는 측과는 반대측 표면에, 반도체 웨이퍼가 형성되어 이루어지는 중간 구조체를 형성하는 공정과,
    다이싱 블레이드를 이용하여, 상기 중간 구조체에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 상기 점착제층에 도달하되 상기 기재에는 도달하지 않는 절입을 형성함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여 반도체 칩을 형성하는 공정을 갖는 반도체 칩의 제조 방법.
  5. 제 4 항의 반도체 칩의 제조 방법에 의해, 상기 반도체 칩을 형성하는 공정을 행한 후,
    상기 절입을 형성 후의 다이싱 다이 본딩 시트에 대해, 그 기재 측으로부터 힘을 가함과 함께, 상기 반도체 칩을 절단 후의 상기 필름상 접착제와 함께 상기 점착제층으로부터 분리하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법.
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