TWI702596B - 磁強計之製造方法及磁強計集合體 - Google Patents

磁強計之製造方法及磁強計集合體 Download PDF

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Abstract

提供一種磁強計之製造方法等，其與使用磁場中熱處理之情況相比，可簡略化製造中必要之步驟。

本發明之磁強計之製造方法，係包含：軟磁性體層堆積步驟，將藉由磁控濺射而在基板10上構成感測磁場之感測部21之軟磁性體層101堆積；及感測部形成步驟，在藉由軟磁性體層101之磁控濺射所使用之磁場而賦予單軸磁各向異性之部分，形成感測磁場之感測部21。

Description

磁強計之製造方法及磁強計集合體
本發明係關於一種磁強計之製造方法及磁強計集合體。
公報上所記載之傳統技術，係利用磁阻抗効果之磁檢測元件，在非磁性基板上形成高透磁率磁性膜之構成，前述高透磁率磁性膜，沿著磁場檢測方向之複數直線部分以所定間隔平行並排，依序摺疊連結，形成電直列連接之蜿蜒狀圖型，且磁化容易軸方向對於磁場檢測方向係賦予膜面內之垂直方向磁異方性，從該高透磁率磁性膜之兩端部施加高周波電流藉由外部磁場使前述兩端部間所產生之阻抗之變化轉換為電訊號輸出所得磁檢測元件存在(參照專利文獻1)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平8-330644號公報
然而，使用磁阻抗効果之磁強計，係將在橫方向上賦予一軸異方性之短冊狀之軟磁性體作為感測部使用。並且，軟磁性體之一軸異方性，係在形成感測部後，藉由磁場中熱處理等而賦予。
本發明，係提供一種磁強計之製造方法等，其與使用磁場中熱處理之情況相比，可簡略化製造中必要之步驟。
本發明所適用之磁強計之製造方法，係包含：軟磁性體層堆積步驟，藉由磁控濺射，在基板上將構成感測磁場之感測部之軟磁性體層堆積；及感測部形成步驟，在藉由使用於軟磁性體層之使用磁控濺射之磁場賦予單軸磁各向異性之部分，形成感測磁場之感測部。
如此之磁強計之製造方法之感測部形成步驟中，特徵可係具有縱方向及橫方向之感測部之橫方向係朝向單軸磁各向異性之方向形成感測部。
此外，磁控濺射，特徵可係在與基板之表面對向之面內，使用將形成磁場之磁石迴轉之陰極進行。
進一步，如此之磁強計之製造方法中，特徵可係對於基板進行前述軟磁性體層堆積步驟、及前述感測部形成步驟；前述基板係設置有硬磁性體所構成之薄膜磁石，且該薄膜磁石在與前述感測部之單軸磁各向異性之方向相交之方向形成磁場。
根據其他觀點，本發明所適用之磁強計集合體，係感測磁場之感測部，可具備反映構成感測部之軟磁性體層的形成所使用之磁控濺射 中所形成之磁場位置，個別所配置之複數之磁強計。
如此之磁強計集合體中複數之磁強計之個別感測部，特徵可係具有縱方向與橫方向，橫方向朝向磁控濺射中所形成之磁場之方向。
進一步，個別之複數之磁強計，特徵可係具備硬磁性體所構成之薄膜磁石，且該薄膜磁石在與感測部之單軸磁各向異性之方向相交之方向形成磁場。
藉由本發明，可提供一種磁強計之製造方法等，其與使用磁場中熱處理之情況相比，可簡略化製造中必要之步驟。
1~6‧‧‧磁強計
10‧‧‧基板
20‧‧‧磁強計本體
21‧‧‧感測部
22‧‧‧連接部
23‧‧‧端子部
31‧‧‧連接導電體部
32‧‧‧端子導電體部
40‧‧‧薄膜磁石
50；50a；50b‧‧‧軛
101；107‧‧‧軟磁性體層
101′‧‧‧磁性體層
101a‧‧‧下層軟磁性體層
101b‧‧‧反磁場抑制層
101c‧‧‧上層軟磁性體層
102‧‧‧導電體層
103‧‧‧密著層
104‧‧‧控制層
105‧‧‧硬磁性體層
106‧‧‧絕緣層
201；202；203‧‧‧抗蝕圖型
300‧‧‧磁控濺射裝置
310‧‧‧隔壁
320‧‧‧磁控管陰極
321‧‧‧陰極外殼
322‧‧‧靶
323‧‧‧背板
330‧‧‧磁路
331；332‧‧‧磁石
333‧‧‧軛
340‧‧‧真空室
350‧‧‧基板支架
360‧‧‧高頻電源
【圖1】說明第1實施形態所適用之磁強計之一例之圖。(a)係平面圖，(b)係(a)之IB-IB線之剖面圖。
【圖2】說明磁強計之製造方法之一例之圖。(a)~(c)，係表示磁強計之製造方法中之步驟。
【圖3】說明磁控濺射裝置之概要之剖面圖。
【圖4】表示磁控濺射裝置中磁路之構成及基板上所形成之磁強計的配置(磁強計集合體)之圖。(a)係從靶側所見磁路之構成，(b)係表示基板上所形成之磁強計的配置(磁強計集合體)。
【圖5】表示磁控濺射裝置中磁路之變形例1、及基板上所形成之磁強計 的配置(磁強計集合體)之圖。(a)係從靶側所見變形例1之磁路之構成，(b)係表示基板上所形成之磁強計的配置(磁強計集合體)。
【圖6】表示磁控濺射裝置中磁路之變形例2之構成、及基板上所形成之磁強計的配置(磁強計集合體)之圖。(a)係從靶側所見變形例2之磁路之構成，(b)係表示基板10上所形成之磁強計的配置(磁強計集合體)。
【圖7】說明第2實施形態所適用之磁強計之一例之圖。(a)係平面圖，(b)係(a)之VIIB-VIIB線之剖面圖。
【圖8】說明第3實施形態所適用之磁強計之一例之圖。(a)係平面圖，(b)係(a)之VIIIB-VIIIB線之剖面圖。
【圖9】說明第4實施形態所適用之磁強計之一例之圖。(a)係平面圖，(b)係(a)之IXB-IXB線之剖面圖。
【圖10】說明第4實施形態所適用之磁強計之製造方法之一例之圖。(a)~(g)，係表示磁強計之製造方法中之步驟。
【圖11】說明第5實施形態所適用之磁強計之一例之圖。(a)係平面圖，(b)係(a)之XIB-XIB線之剖面圖。
【圖12】說明第6實施形態所適用之磁強計之一例之圖。(a)係平面圖，(b)係(a)之XIIB-XIIB線之剖面圖。
本說明書所說明之磁強計，亦可謂使用磁阻抗効果元件者。
以下，參照所附之圖式，詳細說明本發明之實施形態。
[第1實施形態]
(磁強計1之構成)
首先，說明第1實施形態所適用之磁強計1之構成。
圖1，係說明第1實施形態所適用之磁強計1之一例之圖。圖1(a)，係平面圖，圖1(b)，係圖1(a)之IB-IB線之剖面圖。
如圖1(a)、(b)所示，磁強計1，係具備基板10及磁強計本體20，該磁強計本體20係由基板10上所設置之軟磁性體(後述之軟磁性體層101)所構成。
如圖1(a)所示，磁強計本體20，係具備：複數之感測部21，感測磁場(外部磁場)之變化；連接部22，將複數之感測部21直列(蜿蜒)連接；端子部23，連接向感測部21供給電流之電線。又，本說明書中，構成感測部21之軟磁性體層101係表記在()內。其他情形亦相同。
在此，軟磁性體雖然容易因外部磁場而磁化，但若將外部磁場移除則會快速地回復至無磁化或小磁化之原來的狀態，可謂保磁力小之材料。軟磁性體，例如，可使用添加高熔點金屬Nb、Ta、W等至Co為主成分之合金(以下，表記為構成感測部21之Co合金)所成之非晶態金屬。構成感測部21之Co合金，可列舉如：CoNbZr、CoFeTa、CoWZr等。又，本說明書中，合金之組成比，並無特別限定。以下相同。
基板10，係非磁性體所成基板，例如，使用玻璃、藍寶石等之氧化物基板、或矽等之半導體基板。在此，基板10，係以玻璃說明。又，基板10，作為一例係直徑約95mm之圓盤狀，厚度約0.5mm。並且，複數之磁強計1係一起在基板10上製造，之後分割(切出)個別之磁強計1。圖1，係切出的1個磁強計1。
又，基板10係導電體時，只要在基板10上設置電絕緣層即可。
接著，說明磁強計本體20。
感測部21，係由後述之軟磁性體層101所構成，係設置為縱方向流通電流之短冊狀部材。並且，複數之感測部21(在此係4個)，係配置(配列)為縱方向平行。又，感測部21亦可係1個。
並且，連接部22，係由軟磁性體層101所構成，設置在隣接之感測部21之端部間。並且，連接部22，係將複數之感測部21直列(蜿蜒)連接。在此，由於感測部21係4個，故連接部22為3個。感測部21係2個時，連接部22為1個即可。又，感測部21係1個時，亦可不具備連接部22。連接部22之寬，只要與感測部21相同即可。
進一步，端子部23，係由軟磁性體層101所構成，個別設置在連接部22未連接之感測部21之端部(2個)。端子部23，係具備：從感測部21延伸出之部分、及與供給電流之電線連接之部分(焊墊)。又，連接電線之部分，只要係可與電線連接之大小即可。
如圖1(a)、(b)所示，感測部21、連接部22及端子部23，係由相同之軟磁性體層101加工而形成，故為連續者。
磁強計1，係在與感測部21之縱方向相交之橫方向(寬方向)，賦予磁化容易軸朝向之單軸磁各向異性。
使用時，係使磁束從外部至感測部21之縱方向透過，例如施加電流在線圈流動所產生之偏置磁場。並且，在施加偏置磁場之狀態下，使高周波電流從2個端子部23向感測部21流動，測量端子部23間之抵抗值(阻抗)。端子部23間之抵抗值(阻抗)，係感測沿著外部磁場之感測部21之縱方向的方向之成分。因此，由端子部23間之抵抗值(阻抗)之測量，可測定外部磁場或外 部磁場之變化。
又，偏置磁場，係設定為對於外部磁場之變化，端子部23間之抵抗值(阻抗)變化較大之狀態。亦即，施加偏置磁場，對於外部磁場之阻抗變化較為陡急時使用，可捕捉到微弱的外部磁場變化。
感測部21，例如係橫方向之寬為數10μm、縱方向之長為約1mm、厚度為0.5μm~5μm。並且，平行配置(配列)之2個感測部21之間隔，係50~100μm。因此，磁強計1之平面形狀，係數mm角。
又，根據所計測之外部磁場之值或所使用之軟磁性體材料等，亦可設定為其他值。
(磁強計1之製造方法)
接著，說明磁強計1之製造方法。複數之磁強計1為一起製造。在此，注目在1個磁強計1進行說明。以下所說明之製造方法，係使用剝離法。又，亦可使用蝕刻法。
圖2，係說明磁強計1之製造方法之一例之圖。圖2(a)~(c)，係表示磁強計1之製造方法中之步驟。又，圖2(a)~(c)，係代表性的步驟，根據圖2(a)~(c)之順序進行。圖2(a)~(c)，係對應圖1(b)之剖面圖。
圖2(a)，係抗蝕圖型形成步驟，係在基板10上形成用以將下一圖2(b)所堆積之軟磁性體層101剝離之抗蝕圖型201。
在此，將基板10洗淨後，藉由習知的光刻，在基板10之一側之面(以下，表記為表面。)上，形成磁強計本體20形成部分為開口部的抗蝕圖型201。
又，抗蝕圖型201，係磁強計本體20之感測部21配置在後述之磁控管方式之濺射裝置300(磁控濺射裝置300)所使用之磁場內，並且，感 測部21之橫方向(寬方向)朝向磁場之方向而形成。
在此，係指橫方向(寬方向)朝向磁場之方向，磁場之方向與橫方向所成角度未達45°。又，磁場之方向與橫方向所成之角度，越小越好。
圖2(b)，係軟磁性體層堆積步驟，形成有抗蝕圖型201之基板10之表面上堆積軟磁性體之層(軟磁性體層101)。
在此，軟磁性體層101，係藉由磁控濺射裝置300，使用軟磁性體所構成之靶(後述之圖3所示靶)，在基板10上堆積。又，軟磁性體，係構成前述感測部21之Co合金。
又，藉由磁控濺射裝置300將軟磁性體層101等堆積，亦表記為藉由磁控濺射將軟磁性體層101等堆積。
圖2(c)，係軟磁性體層剝離步驟，基板10上所堆積之軟磁性體層101，藉由剝離而加工包含感測部21、連接部22及端子部23之磁強計本體20。
在此，藉由去除抗蝕圖型201，從而去除抗蝕圖型201上所堆積之軟磁性體層101。藉此，在抗蝕圖型201之開口部殘留軟磁性體層101。從而，形成磁強計本體20。
又，此軟磁性體層剝離步驟，係感測部形成步驟之一例。使用蝕刻法之情形，藉由蝕刻形成感測部21之步驟為感測部形成步驟。
在此，磁強計本體20之感測部21係在磁控濺射裝置300之磁場內，並且，感測部21之橫方向(寬方向)，係設定為朝向磁控濺射裝置300之磁場方向。因此，軟磁性體層101，在成膜(堆積)中，係賦予感測部21之橫方向(寬方向)磁化容易軸所朝向之單軸磁各向異性。亦即，單軸磁各向異 性，藉由磁控濺射裝置300之磁場而被誘導賦予。因此，此單軸磁各向異性，亦表記為誘導磁異方性。藉此，形成磁強計1後，不須進行磁場中熱處理。
又，磁場中熱處理，係例如在3kG(0.3T)之迴轉磁場中進行400℃之熱處理，及隨後在3kG(0.3T)之静磁場中進行400℃之熱處理。
亦即，第1實施形態所適用之磁強計1之製造方法，不須在400℃等高溫之磁場中熱處理。
(磁控濺射裝置300)
在此，說明圖2(b)中使用磁控濺射裝置300之軟磁性體層101的形成。首先，說明磁控濺射裝置300。
圖3，係說明磁控濺射裝置300之概要之剖面圖。在此之磁控濺射裝置300，係以圖3之O-O線作為迴轉軸而呈圓筒狀。
磁控濺射裝置300，係具備隔壁310及磁控管陰極320。隔壁310及磁控管陰極320，介由聚四氟乙烯等之絕緣部材311，構成密閉空間之真空室340。
真空室340內，具備支持基板10之基板支架350。
隔壁310係接地(GND)。基板支架350，介由隔壁310接地(GND)而發揮陽極之機能。亦即，接地之基板支架350與磁控管陰極320之間，連接有高頻電源360。又，取代高頻電源360，亦可與直流電源連接，在基板支架350與磁控管陰極320之間，施加直流(DC)。
又，雖圖3中未圖示，惟磁控濺射裝置300，係具備：真空泵，將上述其他真空室340內減壓；氣體供給機構，將真空室340內濺射所使用之氣體，例如Ar等導入；及壓力調整機構，使真空室340內之壓力維持在預定值。此外，為了冷卻磁控管陰極320，亦可具備冷卻機構，向磁控管陰極 320供給冷卻液。並且，亦可具備為了加熱基板10之加熱機構，例如紅外線燈，或相反地為了冷卻基板10，而具備向基板支架350供給冷卻液之冷卻機構。
磁控管陰極320，係具備：陰極外殼321、基板10上所形成之薄膜材料之靶322、支持靶322之背板323、以及、在靶322側產生透過背板323之磁場之磁路330。
靶322，係由構成前述感測部21之Co合金所構成。
背板323，係由高導電率之無氧銅等所構成。並且，表面介由導電性之接著劑等固定靶322。
陰極外殼321，係由不鏽鋼等所構成。陰極外殼321與附有靶322之背板323固定，並在背板323未附有靶322之側，設置磁路330。
靶322之大小(直徑)，係設定為基板10上預定之區域(範囲)形成膜(堆積)。在此，靶322之直徑，較基板10之直徑為大。
磁路330，係具備：在背板323側露出N極之磁石(磁鐵)331與露出S極之磁石332；及設置在與磁石331、332之背板323側為相反側，將由磁石332之N極而來之磁束誘導至磁石331之S極之軛333。磁石331、332，一般係使用永久磁石。
在此，如後述圖4所示，磁石331、332，係設置為在背板323側露出N極之磁石331在外側，露出S極之磁石332在內側之同心圓狀。
藉此，從磁石331之N極朝向磁石332之S極之磁力線(箭頭表示)，會貫穿背板323及靶322，在真空室340內產生。並且，此磁力線之一部分，到達基板支架350所維持之基板10，從而在基板10之表面平行方向通 過。亦即，基板10中，磁力線通過之部分，會產生與表面呈平行方向之磁場。
亦即，藉由基板10所產生之與表面呈平行方向之磁場，伴隨基板10上堆積(形成)之軟磁性體層101的堆積而賦予單軸磁各向異性。
又，磁控濺射裝置300，藉由靶322表面之磁力線，由高頻電源360放電而產生之電子會集中(圍繞)至靶322附近。藉此，增加電子與氣體之碰撞概率而促進氣體之電離，從而提升膜之堆積速度(成膜速度)。又，藉由磁力線使電子集中之靶322表面，成為電離氣體之離子碰撞而浸蝕(沖蝕)之範圍。
基板支架350，係由不鏽鋼等所構成。並且，基板支架350，藉由支持基板10之機構(未圖示)，從而支持基板10。
如前述，磁控濺射裝置300係圓筒狀。並且，靶322亦為圓形(圓盤狀)。並且，基板10亦為圓形(圓盤狀)，呈現與靶322對向而支持基板支架350(參照後述之圖4)。
如以上說明，圖3所示磁控濺射裝置300，可謂每一張基板10，係形成(堆積)有膜之枚葉式濺射裝置。
此外，圖3所示磁控濺射裝置300，雖係將基板10之表面(靶322之表面)水平(圖3之紙面中左右方向)配置之構成，但亦可係垂直(圖3之紙面中上下方向)配置之構成。
圖4，係表示磁控濺射裝置300中磁路330之構成及基板10所形成之磁強計1之配置(磁強計集合體)之圖。圖4(a)，係表示從靶322側所見磁路330之構成，圖4(b)，係表示在基板10所形成之磁強計1之配置(磁強計 集合體)。
如圖4(a)所示，靶322係圓形。並且，通過靶322所見磁路330，係設置有同心圓狀之磁石331之N極及磁石332之S極。並且，透過靶322，形成從磁石331之N極朝向磁石332之S極之磁力線(箭頭)。
並且，如圖4(b)所示，基板10，係設置為與靶322對向之圓板狀。又，圖4(b)，係配合表示對向之磁路330之磁石331、332之位置。並且，磁強計1，在基板10上之磁力線通過之部分(磁場)，係配置(配列)為軟磁性體層101所形成之感測部21之橫方向(寬方向)朝向磁力線之通過方向。例如，磁強計1，係在磁路330中磁石331之N極所成圓及磁石332之S極所成圓之內側，感測部21之橫方向(寬方向)沿著圓徑方向配置(配列)。
在此，係記載磁路330中磁石331之N極所成圓與磁石332之S極所成圓之間為1個磁強計1。此情形，係為了說明磁強計1之感測部21，與磁石331之N極與磁石332之S極所生磁場之關係。磁強計1，係磁強計本體20中感測部21之橫方向沿著磁場方向配置。並且，複數之磁強計1，係沿著圓周方向配置。
又，磁強計1之平面形狀，係如前述之數mm角。因此，實際上，磁石331之N極與磁石332之S極所形成之磁場之方向，係配置有複數之磁強計1。此外，圓周方向亦相同。
又，基板10之中心部及外周部，不容易受到磁路330所生磁場之影響。亦即，藉由磁路330所生磁場，不容易賦予單軸磁各向異性至軟磁性體層101。基板10上設置磁強計1之區域，只要係預先賦予單軸磁各向異性之區域即可。又，磁石331之N極與磁石332之S極之間，磁場較強。因 此，磁石331之N極與磁石332之S極之間，配置磁強計1即可。又，藉由預先賦予單軸磁各向異性，配置磁強計1之區域亦可不位於磁石331之N極與磁石332之S極之間。因此，難以賦予單軸磁各向異性之基板10之中心部或外周部，不配置磁強計1即可。然而，基板10之中心部或外周部配置磁強計1時，基板10之中心部或外周部所配置之磁強計1，可藉由磁場中熱處理等，賦予單軸磁各向異性即可。
並且，基板10上形成複數之磁強計1之狀態，表記為磁強計集合體。磁強計1，係將形成有複數之磁強計1之基板10直接出貨。亦即，在出貨目的地將基板10進行分割(切斷)，成為個別之磁強計1。又，基板10亦可為一部分。
圖4(b)，係表示未從基板10切出個別之磁強計1之磁強計集合體。然而，磁強計集合體，亦可係基板10貼附黏著片材，藉由雷射等切斷手段從基板10切斷個別之磁強計1後，將黏著片材延伸呈易於取出磁強計1之狀態。磁強計1，即使係此狀態亦可出貨。亦即，在出貨目的地，再藉由黏著膠帶取出各別之磁強計1。又，基板10，亦可為一部分。
任一磁強計集合體中，磁強計1，係反映形成軟磁性體層101之磁控濺射裝置300之磁控管陰極320中磁路330之磁石331、332之配置之狀態下配置。
如以上說明，第1實施形態，軟磁性體層101的形成(堆積)係藉由使用磁控濺射裝置300，提升軟磁性體層101之堆積速度，從而短縮堆積(成膜)所需時間，並在軟磁性體層101之堆積同時賦予單軸磁各向異性。因此，磁強計1的製造中，不需要進行為了賦予單軸磁各向異之磁場中熱處 理步驟，可簡略化製造中必要之步驟。
(變形例1)
接著，說明磁控濺射裝置300中磁路330之變形例1。
圖5，係表示磁控濺射裝置300中磁路330之變形例1、及基板10上所形成之磁強計1之配置(磁強計集合體)之圖。圖5(a)，係從靶322側所見變形例1之磁路330之構成，圖5(b)，係表示基板10上所形成之磁強計1之配置(磁強計集合體)。
如圖5(a)所示，變形例1之磁路330中靶322之平面形狀係長方形。亦即，具備變形例1之磁路330之磁控濺射裝置300，其之真空室340並非圓筒狀，而係角柱狀。又，其他構成，係與如圖3所示磁控濺射裝置300相同。因此，省略相同部分之說明。
並且，通過靶322所見變形例1之磁路330，係磁石331之N極在長方形之靶322之內側沿著長方形之邊，且磁石332之S極在其之內側沿著長方形之邊配置(配列)者。
在此，如圖5(b)所示，基板10，係設置為與靶322對向之長方形。又，圖5(b)，係表示對向之磁路330之磁石331、332之位置對齊。並且，磁強計1，係在通過基板10上之磁力線之部分，磁力線之通過方向(磁場之方向)朝向軟磁性體層101所形成之感測部21之橫方向(寬方向)配置。亦即，磁強計1，在磁路330之磁石331之N極與磁石332之S極所生磁場之內側，係感測部21之橫方向(寬方向)沿著磁場方向設置。
在此，亦記載為磁路330中磁石331之N極與磁石332之S極之間為1個之磁強計1。此係為了說明磁強計1之感測部21、及磁石331之N極與 磁石332之S極之間所生磁場之關係。磁強計1，係配置為在磁強計本體20中感測部21之橫方向沿著磁場之方向上，設有磁石331、332之長方形之邊。
又，磁強計1之平面形狀，係如前述之數mm角。因此，磁石331之N極與磁石332之S極之間，配置有複數之磁強計1。此外，設有磁石331、332之長方形之邊所沿方向亦相同。
圖5(b)，係表示未從基板10切出個別之磁強計1之磁強計集合體。然而，磁強計集合體，亦可係基板10貼附黏著片材，藉由雷射等切斷手段從基板10切斷個別之磁強計1後，將黏著片材延伸呈易於取出磁強計1之狀態。磁強計1，即使係此狀態亦可出貨。亦即，在出貨目的地，再藉由黏著膠帶取出各別之磁強計1。又，基板10，亦可為一部分。
任一磁強計集合體中，磁強計1，係反映形成軟磁性體層101之磁控濺射裝置300之磁控管陰極320中磁路330之磁石331、332之配置之狀態下配置。
又，如圖5(b)所示，基板10，係對應靶322之平面形狀為長方形。然而，基板10，亦可如圖4(b)所示為圓形。複數之磁強計1，只要對應磁路330之磁石331之N極與磁石332之S極所生磁場配置即可。
又，圖5(a)，構成變形例1之磁路330之磁石331、332，雖係長方形，但亦可係正方形、多角形。並且，所製造之磁強計1之感測部21之橫方向係配置在磁石331、332所生磁場之方向即可。
(變形例2)
接著，說明磁控濺射裝置300中磁路330之變形例2。
圖6，係表示磁控濺射裝置300中磁路330之變形例2之構成、及基板10 上所形成之磁強計1之配置(磁強計集合體)之圖。圖6(a)，係從靶322側所見變形例2之磁路330之構成，圖6(b)，係表示基板10上所形成之磁強計1之配置(磁強計集合體)。
如圖6(a)所示，變形例2之磁路330，與圖4所示磁路330相同，靶322係圓盤狀，磁石331，係設置為包圍磁石332。然而，其構成係包含：磁石331之端點至靶322之中心C，距離α之部分、及較距離α短之距離β之部分(α>β)。並且，磁石331與磁石332之間之距離γ，係設定為大略相等。
又，具備變形例2之磁路330之磁控濺射裝置300之其他構成，與圖3所示之磁控濺射裝置300相同。因此，省略相同部分之說明。
並且，磁石331及磁石332，維持在此狀態，將靶322之中心C作為迴轉軸而迴轉。又，使具備磁石331：332之磁路330迴轉，靶322(背板323)不迴轉。亦即，磁路330，係在靶322(背板323)之裏面中，與靶322(背板323)之面呈平行之假想的面(包含磁石331之N極之端部與磁石332之S極之端部之面)內迴轉。在此，由於靶322與基板10，係平行配置，故磁路330係在與基板10之表面呈平行之面內迴轉。又，不一定必須係在與基板10平行之面內迴轉，只要在與基板10之表面對向之面內迴轉即可。
藉此，靶322上，中心C至距離α與距離α-γ之部分所成磁場、及距離β與距離β-γ之部分所生磁場會交互發生。藉此，與圖4(a)所示情形相比，補足電子之區域(面積)擴大。從而，靶322因離子碰況而浸蝕(沖蝕)之範圍擴大，提高靶322之使用効率。
此外，基板10上，藉由形成磁場之面積擴大，對於軟磁性體層101賦予單軸磁各向異性之面積亦擴大。亦即，可形成磁強計1之區域擴 大。因此，如圖6(b)所示，磁強計1，在磁路330中磁石331、332所生磁力線通過之部分中，磁力線之通過方向(磁場之方向)朝向軟磁性體層101所形成之感測部21之橫方向(寬方向)配置。例如，磁強計1，配至於磁路330中磁石331、332所生磁場之內側，亦即，從中心C至磁石331之N極為止之最大距離作為半徑之圓，與從中心C至磁石332之S極為止之最小距離為半徑之圓之間。藉此，與圖4(b)所示情形相比，可在基板10上製造之磁強計1之數量增加。又，圖6(b)，係表示對向之磁路330之磁石331、332之位置對齊。
在此，記載中心C至磁石331之N極為止之最大距離為半徑之圓，與中心C至磁石332之S極為止之最小距離為半徑之圓之間之直徑方向上為3個磁強計1。此係為了說明磁強計1之感測部21、及磁石331之N極與磁石332之S極之所生磁場之關係。磁強計1，係配置為在磁強計本體20中感測部21之橫方向沿著磁場之方向上，沿著圓周配置。
又，磁強計1之平面形狀，係如前述之數mm角。因此，磁石331之N極與磁石332之S極所生磁場之方向(直徑方向)，係配置有複數之磁強計1。此外，圓周方向中亦相同。
圖6(b)，係表示未從基板10切出個別之磁強計1之磁強計集合體。然而，磁強計集合體，亦可係基板10貼附黏著片材，藉由雷射等切斷手段從基板10切斷個別之磁強計1後，將黏著片材延伸呈易於取出磁強計1之狀態。磁強計1，即使係此狀態亦可出貨。亦即，在出貨目的地，再藉由黏著膠帶取出各別之磁強計1。又，基板10，亦可為一部分。
任一者之磁強計集合體中，個別之磁強計1，係配置為反映 形成軟磁性體層101之磁控濺射裝置300之磁控管陰極320中磁路330之磁石331、332之配置之狀態。
又，構成磁路330之磁石331、332之配置及形狀，亦可係圖6所示以外之配置及形狀。只要係設定為基板10上所形成之軟磁性體層101之單軸磁各向異性所得面積較廣即可。
[第2實施形態]
第2實施形態所適用之磁強計2，其連接部22、端子部23係由電導性之材料所構成。以下，主要說明與第1實施形態相異之部分，相同之部分附有相同符號省略說明。
(磁強計2)
圖7，係說明第2實施形態所適用之磁強計2之一例之圖。圖7(a)係平面圖，圖7(b)，係圖7(a)之VIIB-VIIB線之剖面圖。
如圖7(a)所示，磁強計本體20，係具備：感測部21、將複數之感測部21直列(蜿蜒)連接之連接導電體部31、及與供給感測部21電流之電線連接之端子導電體部32。
連接導電體部31及端子導電體部32，只要係導電性優異之導電體即可，例如可使用Cu、Au、Al等。
藉由使用連接導電體部31，圖1之磁強計1中磁強計本體20之連接部22不產生磁阻抗効果，僅以感測部21之磁阻抗効果檢測出磁場。藉此，僅抽出檢測出磁場之方向之磁阻抗効果，可提升檢測感度。
又，藉由將端子導電體部32作為導電體，可易於與供給感測部21電流之電線連接。
連接導電體部31及端子導電體部32，例如，可使用金屬掩膜，藉由濺射法或真空蒸著法而形成。亦即，連接導電體部31及端子導電體部32，在圖2(c)之後，通過在連接導電體部31及端子導電體部32之區域成為開口之金屬掩膜，堆積導電體層102即可。
此外，連接導電體部31及端子導電體部32，亦可藉由使用光刻膠之剝離法形成。亦即，連接導電體部31及端子導電體部32，可藉由在圖2(c)之後，在形成連接導電體部31及端子導電體部32之區域成為開口之抗蝕圖型形成後，堆積導電體層102，去除抗蝕圖型而形成。
又，任一情形，連接導電體部31與軟磁性體層101之連接部22重合設置亦可，不設置連接部22而與感測部21連接亦可。端子導電體部32亦相同。
此外，端子導電體部32之厚度較連接導電體部31為厚之情形等，連接導電體部31與端子導電體部32在不同之步驟形成亦可。
[第3實施形態]
第3實施形態所適用之磁強計3，感測部21，係由設置為包夾反磁場抑制層之二軟磁性體層所構成。以下，主要說明與第1實施形態相異之部分，相同之部分附有相同符號省略說明。
(磁強計3)
圖8，係說明第3實施形態所適用之磁強計3之一例之圖。圖8(a)係平面圖，圖8(b)，係圖8(a)之VIIIB-VIIIB線之剖面圖。
如圖8(b)所示，磁強計3，磁性體層101′，係具備：下層(基板10)側之下層軟磁性體層101a、反磁場抑制層101b、及上層(與基板10相反) 側之上層軟磁性體層101c。亦即，下層軟磁性體層101a與上層軟磁性體層101c，係設置為包夾反磁場抑制層101b。下層軟磁性體層101a與上層軟磁性體層101c，與第1實施形態中軟磁性體相同，係使用Co為主成分之合金(構成感測部21之Co合金)添加高熔點金屬Nb、Ta、W等之非晶合金。構成感測部21之Co合金，可列舉如，CoNbZr、CoFeTa、CoWZr等。
反磁場抑制層101b，係使用Ru或Ru合金。
在此，Ru或Ru合金之反磁場抑制層101b之膜厚係在0.4nm~1.0nm或1.6nm~2.6nm之範圍，下層軟磁性體層101a與上層軟磁性體層101c係反強磁性結合(AFC)構造。亦即，反磁場被抑制，提升感測部21之感度。
此磁強計3，圖2(b)所示之軟磁性體層堆積步驟中，取代軟磁性體層101之堆積，只要係將下層軟磁性體層101a、反磁場抑制層101b、上層軟磁性體層101c依序連續堆積即可。此等之堆積，與第1實施形態相同，係使用磁控濺射裝置300進行。由於其他步驟相同，故省略說明。
藉此，將下層軟磁性體層101a、上層軟磁性體層101c堆積時，會賦予單軸磁各向異性。因此，不需進行藉由磁場中加熱賦予單軸磁各向異性之步驟。從而，磁強計3之製造中，不須賦予單軸磁各向異性之磁場中熱處理步驟，可簡略化製造中必要之步驟。
此外，與第2實施形態相同，設置連接導電體部31、端子導電體部32即可。
[第4實施形態]
(磁強計4之構成)
第1實施形態至第3實施形態所適用之磁強計1、2、3，係從外部施加偏置磁場。
第4實施形態所適用之磁強計4，施加偏置磁場之硬磁性體所構成之薄膜磁石(後述之圖9之薄膜磁石40)係內藏於其中。在此之硬磁性體，係藉由外部磁場磁化時，即使去除外部磁場仍可保持磁化狀態，可謂保磁力大之材料。
圖9，係說明第4實施形態所適用之磁強計4之一例之圖。
圖9(a)係平面圖，圖9(b)，係圖9(a)之IXB-IXB線之剖面圖。
如圖9(b)所示，第4實施形態所適用之磁強計4，係具備：硬磁性體(硬磁性體層105)所構成之薄膜磁石40、設置為與薄膜磁石40對向，感測軟磁性體(軟磁性體層101)所構成之磁場(外部磁場)之磁強計本體20。磁強計本體20，如第2實施形態所適用之磁強計2之說明，具備：感測部21、連接導電體部31及端子導電體部32。又，磁強計本體20，亦可與第1實施形態所適用之磁強計1相同。
進一步，磁強計4，係具備控制層104，控制薄膜磁石40之磁異方性可在面內方向被發現。控制層104，相對於薄膜磁石40，係設置在與感測部21所設置側為相反側上。
磁強計本體20，與第2實施形態所適用之磁強計2相同，故省略說明。
如圖9(b)所示，磁強計4，係具備：軛50a，使薄膜磁石40之N極與S極所生之磁束，透過感測部21之縱方向，將磁束從薄膜磁石40之N極誘導至感測部21之縱方向之一方之端部；軛50b，將磁束從感測部21之縱方向之另一 端部誘導至薄膜磁石40之S極。軛50a、50b(未區隔時，表記為軛50)，係由磁束容易透過之軟磁性體所構成。在此，軛50，係由構成感測部21之軟磁性體層101所構成。藉此，薄膜磁石40，可對於感測部21施加偏置磁場。
接著，藉由圖9(b)，詳細說明磁強計4之剖面構造。磁強計4，係在非磁性之基板10上，依序配置(積層)密著層103、控制層104、薄膜磁石40(硬磁性體層105)、絕緣層106及磁強計本體20之構成。密著層103、控制層104、薄膜磁石40(硬磁性體層105)及絕緣層106，至少兩者對向之側面係加工為露出。又，露出之至少二側面，露出之構成薄膜磁石40之硬磁性體層105之二側面，設定為N極及S極。並且，軛50a、50b，個別係設置為接觸露出之薄膜磁石40之N極、S極，將產生之磁束誘導為縱方向透過感測部21。又，軛50a、50b，亦可不設置為與露出之薄膜磁石40之N極及S極接觸，即使有空隙(間隙)亦可。又，軛50a、50b與露出之薄膜磁石40之N極及S極接觸可抑制磁束洩漏。
又，如圖9(a)所示，軛50(軛50a、50b)，從基板10之上側所見形狀，係越接近感測部21越狹窄之構成。此係為了將薄膜磁石40所發生之磁束，集中於感測部21(提高磁束密度)。亦即，薄膜磁石40之N極及S極之幅，係較設置複數之感測部21之部分之幅為廣，對於感測部21偏置磁場越強。因此，與軛50(軛50a、50b)之感測部21對向部分之幅，只可設定為較設置複數之感測部21之部分之幅為廣即可。又，與軛50(軛50a、50b)之感測部21對向之部分之幅亦可不狹小。
在此，軛50(軛50a、50b)與感測部21之縱方向之端部之間隔，只要係例如1μm~100μm即可。
密著層103，可提升對於控制層104之基板10之密著性。密著層103，可使用含有Cr或Ni之合金。含有Cr或Ni之合金，可列舉如，CrTi、CrTa、NiTa等。密著層103之厚度，例如係5nm~50nm。又，控制層104對於基板10之密著性沒有問題時，亦可不設置密著層103。
控制層104，係控制為硬磁性體層105所構成之薄膜磁石40之磁異方性在膜之面內方向被發現之層。控制層104，可使用Cr、Mo或W或含有其等之合金(以下，表記為構成控制層104之含有Cr等合金)。構成控制層104之含有Cr等合金，可列舉例如：CrTi、CrMo、CrV、CrW等。控制層104之厚度，係例如5nm~100nm。
構成薄膜磁石40之硬磁性體(硬磁性體層105)，可使用Co作為主成分，含有Cr或Pt中任一者或兩者之合金(以下，表記為構成薄膜磁石40之Co合金)。構成薄膜磁石40之Co合金，可列舉如：CoCrPt、CoCrTa、CoNiCr、CoCrPtB等。又，亦可含有Fe。構成薄膜磁石40之硬磁性體(硬磁性體層105)之厚度，係例如50nm~500nm。
構成控制層104之含有Cr等合金，係具有bcc(body-centered cubic(體心立方格子))構造。因此，構成薄膜磁石40之硬磁性體(硬磁性體層105)，可係在bcc構造之含有Cr等合金所構成之控制層104上，具結晶易於成長之hcp(hexagonal close-packed(六方最密堆積))構造。藉由在bcc構造上使hcp構造之硬磁性體層105結晶成長，hcp構造之c軸容易配向為朝向面內。因此，藉由硬磁性體層105所構成之薄膜磁石40可易於在面內方向具有磁異方性。又，硬磁性體層105係多結晶，各結晶在面內方向具有磁異方性。因此，此磁異方性亦稱為結晶磁異方性。
又，為了促進構成控制層104之含有Cr等之合金及構成薄膜磁石40之Co合金之結晶成長，亦可對於基板10加熱至100℃~600℃。藉由此加熱，使構成控制層104之含有Cr等合金結晶成長，具有hcp構造之硬磁性體層105在面內具有磁化容易軸而容易結晶配向。亦即，容易賦予硬磁性體層105之面內磁異方性。
絕緣層106，係由非磁性之絕緣體所構成，使薄膜磁石40與磁強計本體20之間電絕緣。構成絕緣層106之絕緣物，可列舉如：SiO2、Al2O3等之氧化物，抑或，Si2N4、AlN等之氮化物等。絕緣層106之厚度，係例如100nm~500nm。
軛50(軛50a、50b)，可由高透磁率之軟磁性體所構成。在此，軛50，係由構成磁強計本體20之感測部21之軟磁性體層101所構成。
藉由設置軛50，薄膜磁石40所產生之磁束可介由軛50對於感測部21發揮偏置磁場之作用。藉由軛50，可減少由薄膜磁石40所生磁束的洩漏，可有效率地對於感測部21施予偏置磁場。藉由此薄膜磁石40，可不須以線圈等從外部施加偏置磁場。因此，可實現磁強計4之省電力化及小型化。
又，薄膜磁石40與感測部21相同，亦可為複數之薄膜磁石片，並使薄膜磁石片對應各感測部21設置。亦即，亦可係薄膜磁石片上介由絕緣層106使感測部21積層之構成。藉此，可縮小薄膜磁石40內部所產生之反磁場，提升薄膜磁石40之磁束產生効率。
(磁強計4之製造方法)
接著說明磁強計4之製造方法之一例。
圖10，係說明第4實施形態所適用之磁強計4之製造方法之一例之圖。 圖10(a)~(g)，係表示磁強計4之製造方法中之步驟。又，圖10(a)~(g)係代表性步驟，由圖10(a)~(g)依序進行。圖10(a)~(g)係對應圖9(b)之剖面圖。
基板10，如前述，係非磁性材料所成基板，例如玻璃、藍寶石等之氧化物基板，抑或，矽等之半導體基板。基板10，亦可使用研磨機等，例如設置曲率半徑Ra為0.1nm~100nm之筋狀之溝或筋狀之凹凸。又，此筋狀之溝或筋狀之凹凸之筋之方向，亦可設置在由硬磁性體層105所構成之薄膜磁石40之N極與S極交會之方向上。從而，將磁強計4配置為如圖4(a)、(b)或圖6(a)、(b)所示磁強計1之情形時，可使筋狀之溝或筋狀之凹凸形成為同心圓狀。
藉此，硬磁性體層105中結晶成長會朝向溝之方向促進。因此，由硬磁性體層105所構成之薄膜磁石40之磁化容易軸可易於朝向溝方向(薄膜磁石40之N極與S極之交會方向)。亦即，可使薄膜磁石40之著磁更容易。
以下說明之製造方法，主要係使用剝離法。又，亦可使用蝕刻法。
首先，將基板10洗淨後，如圖10(a)所示，在基板10之表面上，藉由習知的光刻形成抗蝕圖型202，使其作為形成薄膜磁石40部分之開口。在此，圖10(c)中所使用之磁控濺射裝置300(參照圖3)之磁場朝向，係將磁強計4之朝向設定為磁強計本體20之感測部21之橫方向。
接著，如圖10(b)所示，形成有抗蝕圖型202之基板10之表面上，係依序將構成密著層103、控制層104及薄膜磁石40之硬磁性體層105成膜(堆積)。例如使用濺射法，依序將成為密著層103之含有Cr或Ni合金之層 (膜)、成為控制層104之含有Cr等合金之層(膜)、及、成為硬磁性體層105之Co合金之層(膜)連續成膜(堆積)。如前述，控制層104及硬磁性體層105的形成，為了促進結晶成長，例如可將基板10加熱至100~600℃。
又，密著層103之成膜，可進行基板10之加熱，亦可不進行。為了去除基板10所吸附之水分等，在密著層103成膜之前，亦可將基板10加熱。
接著，將成為絕緣層106之SiO2、Al2O3等之氧化物，抑或，Si2N4、AlN等之氮化物等之層(膜)成膜(堆積)。絕緣層106之成膜，可藉由等離子CVD、反應性濺射法等進行。
並且，如圖10(c)所示，去除抗蝕圖型202，且去除密著層103、控制層104、硬磁性體層105及絕緣層106之抗蝕圖型202上所堆積之部分(剝離)。藉此，基板10上，形成密著層103、控制層104、硬磁性體層105及絕緣層106。此硬磁性體層105成為薄膜磁石40。
接著，如圖10(d)所示，基板10上，形成抗蝕圖型203，作為形成磁強計本體20之感測部21之部分及形成軛50(軛50a、50b)部分之開口。
並且，如圖10(e)所示，在形成有抗蝕圖型203之基板10上，將成為構成感測部21及軛50之軟磁性體層101之Co合金之膜成膜(堆積)。在此，係使用圖3所示之磁控濺射裝置300。
如圖10(f)所示，藉由去除抗蝕圖型203，從而去除堆積在軟磁性體層101之抗蝕圖型203上之部分。薄膜磁石40(硬磁性體層105)上介由絕緣層106積層之軟磁性體層101，成為磁強計本體20之感測部21。並且，一部分接觸薄膜磁石40之N極或S極，另一部分與感測部21對向延伸之軟磁 性體層101，成為軛50(軛50a、50b)。亦即，磁強計本體20之感測部21與軛50，係藉由1次之軟磁性體層101之成膜而形成。
接著，如圖10(g)所示，藉由導電體層102，形成將感測部21蜿蜒連接之連接導電體部31及端子導電體部32。
之後，將構成薄膜磁石40之硬磁性體層105著磁。硬磁性體層105之著磁，係在靜磁場中或脈衝狀之磁場中，施予(施加)較硬磁性體層105之保磁力為大之磁場，直到硬磁性體層105之磁化飽和為止。藉此，著磁之硬磁性體層105成為薄膜磁石40，由薄膜磁石40所生之磁束經過軛50向磁強計本體20之感測部21供給偏置磁場。
藉此，製造磁強計4。
又，不具備控制層104時，必須在硬磁性體層105成膜後，加熱至800℃以上使結晶成長，賦予面內磁異方性。然而，第4實施形態所適用之磁強計4，係藉由控制層104促進結晶成長，故不需要藉由800℃以上之加熱使結晶成長。
進一步，藉由使用磁控濺射裝置300形成(堆積)軟磁性體層101，可提升軟磁性體層101之堆積速度，從而縮短堆積(成膜)所需時間，且在軟磁性體層101堆積同時賦予單軸磁各向異性。因此，在磁強計4的製造中，不需為了賦予單軸磁各向異性而在磁場中熱處理之步驟，可簡略化製造中必要之步驟。
[第5實施形態]
第5實施形態所適用之磁強計5，係使第4實施形態所說明之磁強計4之磁強計本體20之感測部21，如第3實施形態相同，係由包夾反磁場抑制層之 二軟磁性體層所構成。以下，主要說明與第4實施形態所適用之磁強計4相異之部分，相同之部分附有相同符號省略說明。
(磁強計5)
圖11，係說明第5實施形態所適用之磁強計5之一例之圖。圖11(a)係平面圖，圖11(b)，係圖11(a)之XIB-XIB線之剖面圖。
如圖11(b)所示，磁強計5，與圖8所示磁強計3相同，構成磁強計本體20中感測部21之磁性體層101′，係具備：下層軟磁性體層101a、反磁場抑制層101b、及上層軟磁性體層101c。
又，軛50(軛50a、50b)，係由軟磁性體層107所構成。
磁強計5，係變更圖10所示磁強計4之製造方法而製造。亦即，圖10(e)中，取代軟磁性體層101，係將下層軟磁性體層101a、反磁場抑制層101b及上層軟磁性體層101c所構成之磁性體層101′堆積。又，此時，抗蝕圖型203，只為感測部21之開口。
並且，圖10(f)之後，形成軛50(軛50a、50b)成為開口之抗蝕圖型，堆積軟磁性體層107。並且，只要藉由去除(剝離)抗蝕圖型及抗蝕圖型上之軟磁性體層107，形成(軛50a、50b)即可。
[第6實施形態]
第6實施形態所適用之磁強計6，其磁強計本體20之感測部21與第5實施形態之磁強計5相同，係由設置為包夾反磁場抑制層之二軟磁性體層所構成。進一步，軛50，亦係由設置為包夾反磁場抑制層之二軟磁性體層所構成。以下，主要說明與第5實施形態之磁強計5相異之部分，相同之部分附有相同符號省略說明。
(磁強計6)
圖12，係說明第6實施形態所適用之磁強計6之一例之圖。圖12(a)係平面圖，圖12(b)，係圖12(a)之XIIB-XIIB線之剖面圖。
第6之實施形態所適用之磁強計6，其軛50(軛50a、50b)相異。
如圖12(b)所示，磁強計6，其軛50(軛50a、50b)，係與第5實施形態所適用之磁強計5之磁強計本體20之感測部21相同之磁性體層101′所構成。亦即，軛50(軛50a、50b)，係具備：下層軟磁性體層101a、反磁場抑制層101b及上層軟磁性體層101c。
藉此，磁強計6之製造方法，取代圖10(e)所示軟磁性體層101之堆積，只要將構成磁性體層101′之下層軟磁性體層101a、反磁場抑制層101b及上層軟磁性體層101c依序成膜(堆積)即可。
雖然以上說明了第1實施形態至第6實施形態，但只要在不脫離本發明之範圍內亦可進行各種變形。
10‧‧‧基板
21‧‧‧感測部
101‧‧‧軟磁性體層
201‧‧‧抗蝕圖型

Claims (7)

  1. 一種磁強計之製造方法，其特徵係包含：軟磁性體層堆積步驟，將藉由磁控濺射而在基板上構成感測磁場之感測部之軟磁性體層堆積；及感測部形成步驟，在前述軟磁性體層之前述磁控濺射所使用之磁場內，且藉由前述磁控濺射所使用之磁場而賦予單軸磁各向異性之部分，形成感測磁場之感測部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之磁強計之製造方法，其中，前述感測部形成步驟中，具有縱方向及橫方向之前述感測部之該橫方向係朝向前述單軸磁各向異性方向而形成該感測部。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之磁強計之製造方法，其中，前述磁控濺射，係藉由在與前述基板表面對向之面內，使用將形成磁場之磁石迴轉之陰極而進行。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之磁強計之製造方法，其中，係對於基板進行前述軟磁性體層堆積步驟、及前述感測部形成步驟；前述基板係設置有硬磁性體所構成之薄膜磁石，且該薄膜磁石在與前述感測部之單軸磁各向異性之方向相交之方向形成磁場。
  5. 一種磁強計集合體，其特徵係具備複數之磁強計，個別配置為感測磁場之感測部，反映構成該感測部之形成軟磁性體層所使用之磁控濺射中所形成之磁場之位置。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之磁強計集合體，其中，複數之前述磁強計之個別前述感測部，係具有縱方向及橫方向，該橫方向係朝向前述磁控濺射中所形成之磁場之方向。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所記載之磁強計集合體，其中，個別複數之前述磁強計，係具備硬磁性體所構成之薄膜磁石，且該薄膜磁石在與前述感測部之單軸磁各向異性之方向相交之方向形成磁場。
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