JP2021021657A - 磁界測定装置および磁気センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】感受素子に印加するバイアス磁界を低減する。【解決手段】磁界測定装置は、軟磁性体で構成され、長手方向と短手方向とを有し、長手方向と交差する方向に一軸磁気異方性を有し、磁気インピーダンス効果により磁界を感受する感受素子を有する磁気センサ1と、感受素子に、所定の大きさのパルス電圧を印加する電圧印加部3と、パルス電圧が印加されることで生じる感受素子の電圧変化を測定する電圧測定部5と、電圧印加部3により印加されるパルス電圧の大きさに応じて、電圧測定部5による測定結果から感受素子に印加される磁界を算出する磁界算出部7とを備える。【選択図】図1
Description
本発明は、磁界測定装置および磁気センサに関する。
公報記載の従来技術として、非磁性基板上に形成された硬磁性体膜からなる薄膜磁石と、前記薄膜磁石の上を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に形成された一軸異方性を付与された一個または複数個の長方形状の軟磁性体膜からなる感磁部とを備えた磁気インピーダンス効果素子が存在する(特許文献1参照)。
また、公報記載の従来技術として、磁性体を有する磁気検出素子と、磁性体にパルス電圧を印加する回路とを備え、パルス電圧の印加により生じた磁性体の磁束変化を検出し外部磁界の大きさを求める磁界検出方法が存在する(特許文献2参照)。
また、公報記載の従来技術として、磁性体を有する磁気検出素子と、磁性体にパルス電圧を印加する回路とを備え、パルス電圧の印加により生じた磁性体の磁束変化を検出し外部磁界の大きさを求める磁界検出方法が存在する(特許文献2参照)。
ところで、磁気インピーダンス効果により磁界を感受する感受素子を用いた磁界測定装置では、感受素子にパルス電圧を印加し、感受素子に生じた電圧変化に基づいて、磁界を測定する場合がある。この場合、感受素子に生じる電圧の変化量が磁界の変化量に対して直線的に変化するように、感受素子にバイアス磁界を印加する場合がある。
本発明は、感受素子に印加するバイアス磁界を低減することを目的とする。
本発明は、感受素子に印加するバイアス磁界を低減することを目的とする。
本発明が適用される磁界測定装置は、軟磁性体で構成され、長手方向と短手方向とを有し、当該長手方向と交差する方向に一軸磁気異方性を有し、磁気インピーダンス効果により磁界を感受する感受素子を有する磁気センサと、前記感受素子に、所定の大きさのパルス電圧を印加する電圧印加部と、前記パルス電圧が印加されることで生じる前記感受素子の電圧変化を測定する電圧測定部と、前記電圧印加部により印加される前記パルス電圧の大きさに応じて、前記電圧測定部による測定結果から前記感受素子に印加される磁界を算出する磁界算出部とを備える。
ここで、前記磁気センサは、硬磁性体で構成され前記感受素子の前記長手方向にバイアス磁界を印加する薄膜磁石をさらに備え、前記バイアス磁界は、2Oe以下であることを特徴とすることができる。
また、前記感受素子の前記長手方向にバイアス磁界を印加する薄膜磁石を備えないことを特徴とすることができる。
さらに、前記磁気センサは、前記短手方向に間隙を介して配置され、つづら折り状に直列接続される複数の前記感受素子を備えることを特徴とすることができる。
さらにまた、前記磁気センサは、それぞれの前記感受素子の前記短手方向の幅が、隣接する当該感受素子同士の幅と比較して小さいことを特徴とすることができる。
また、他の観点から捉えると、本発明が適用される磁気センサは、非磁性の基板と、前記基板上に積層される軟磁性体からなり、長手方向と短手方向とを有し、当該長手方向と交差する方向に一軸磁気異方性を有し、磁気インピーダンス効果により磁界を感受する感受素子を有する感受部とを備え、前記感受部は、パルス電圧が印加された場合に前記感受素子に生じる電圧変化が、当該パルス電圧の大きさによって異なることを特徴とする。
ここで、前記磁気センサは、硬磁性体で構成され前記感受素子の前記長手方向にバイアス磁界を印加する薄膜磁石をさらに備え、前記バイアス磁界は、2Oe以下であることを特徴とすることができる。
また、前記感受素子の前記長手方向にバイアス磁界を印加する薄膜磁石を備えないことを特徴とすることができる。
さらに、前記磁気センサは、前記短手方向に間隙を介して配置され、つづら折り状に直列接続される複数の前記感受素子を備えることを特徴とすることができる。
さらにまた、前記磁気センサは、それぞれの前記感受素子の前記短手方向の幅が、隣接する当該感受素子同士の幅と比較して小さいことを特徴とすることができる。
また、他の観点から捉えると、本発明が適用される磁気センサは、非磁性の基板と、前記基板上に積層される軟磁性体からなり、長手方向と短手方向とを有し、当該長手方向と交差する方向に一軸磁気異方性を有し、磁気インピーダンス効果により磁界を感受する感受素子を有する感受部とを備え、前記感受部は、パルス電圧が印加された場合に前記感受素子に生じる電圧変化が、当該パルス電圧の大きさによって異なることを特徴とする。
本発明によれば、感受素子に印加するバイアス磁界を低減することが可能となる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
(磁界測定装置500の構成)
図1は、本実施の形態が適用される磁界測定装置500を説明する図である。磁界測定装置500は、所謂磁気インピーダンス効果を用いた磁気センサ1と、磁気センサ1に対してパルス電圧を印加する電圧印加部3と、磁気センサ1に生じた電圧変化を測定する電圧測定部5と、電圧測定部5による電圧変化の測定結果に基づいて磁気センサ1で感受される磁界の変化を算出する磁界算出部7とを備えている。なお、図1には、磁界測定装置500の構成に加えて、電圧印加部3に印加されるパルス電圧、電圧測定部5により測定される磁気センサ1の電圧変化の波形、および電圧測定部5により変換され磁界算出部7へ出力される電圧のピーク値をホールドした波形を例示している。
(磁界測定装置500の構成)
図1は、本実施の形態が適用される磁界測定装置500を説明する図である。磁界測定装置500は、所謂磁気インピーダンス効果を用いた磁気センサ1と、磁気センサ1に対してパルス電圧を印加する電圧印加部3と、磁気センサ1に生じた電圧変化を測定する電圧測定部5と、電圧測定部5による電圧変化の測定結果に基づいて磁気センサ1で感受される磁界の変化を算出する磁界算出部7とを備えている。なお、図1には、磁界測定装置500の構成に加えて、電圧印加部3に印加されるパルス電圧、電圧測定部5により測定される磁気センサ1の電圧変化の波形、および電圧測定部5により変換され磁界算出部7へ出力される電圧のピーク値をホールドした波形を例示している。
電圧印加部3は、例えば電源およびパルスジェネレータ等を有する回路により構成され、磁気センサ1に並列に接続される。そして、電圧印加部3は、予め定めた波形(振幅、パルス幅、周期)のパルス電圧を生成し、磁気センサ1の後述する端子部33(図2(a)参照)の一方に印加する。
電圧印加部3により印加するパルス電圧の大きさ(振幅)は、例えば1V〜20Vとすることができる。また、電圧印加部3により印加するパルス電圧のパルス幅は、例えば10ns〜100nsとすることができる。さらに、電圧印加部3により印加するパルス電圧の繰り返し周期は、例えば、1MHz〜50MHzとすることができる。なお、電圧印加部3により印加するパルス電圧の各条件は、磁界測定装置500の回路構成、磁気センサ1の後述する感受素子31(図2(a)参照)の形状、測定したい磁界の大きさ等によって設定される。
電圧印加部3により印加するパルス電圧の大きさ(振幅)は、例えば1V〜20Vとすることができる。また、電圧印加部3により印加するパルス電圧のパルス幅は、例えば10ns〜100nsとすることができる。さらに、電圧印加部3により印加するパルス電圧の繰り返し周期は、例えば、1MHz〜50MHzとすることができる。なお、電圧印加部3により印加するパルス電圧の各条件は、磁界測定装置500の回路構成、磁気センサ1の後述する感受素子31(図2(a)参照)の形状、測定したい磁界の大きさ等によって設定される。
電圧測定部5は、電圧印加部3によりパルス電圧が印加された際に磁気センサ1から出力される電圧変化を測定する。付言すると、電圧印加部3によりパルス電圧が印加されると、磁気センサ1の感受素子31には、所定のパルス電流が流れ、磁界に応じて電圧変化が生じる。電圧測定部5は、この電圧変化を測定する。この例では、電圧測定部5は、パルス電圧が印加された際に磁気センサ1から出力されるオーバーシュート電圧のピーク値を測定する。電圧測定部5は、例えば、磁気センサ1から出力される電圧を直流変換するピークホールド回路により構成される。そして、電圧測定部5は、測定した電圧変化に関する信号を磁界算出部7へ出力する。
磁界算出部7は、電圧測定部5により測定された磁気センサ1の電圧変化に基づいて、磁気センサ1で感受される磁界を算出する。詳細については後述するが、磁界算出部7は、電圧印加部3により磁気センサ1に印加される電圧の大きさに対応させて、磁気センサ1の電圧変化と、磁気センサ1で感受される外部磁界との関係を記憶している。そして、磁界算出部7は、この関係を利用して、電圧測定部5により測定された磁気センサ1の電圧変化から、磁気センサ1で感受される磁界を算出する。
(磁気センサ1の構成)
図2(a)〜(b)は、本実施の形態が適用される磁気センサ1の一例を説明する図である。図2(a)は、平面図、図2(b)は、図2(a)におけるIIB−IIB線での断面図である。
図2(b)に示すように、本実施の形態が適用される磁気センサ1は、非磁性の基板10上に設けられた硬磁性体(硬磁性体層103)で構成された薄膜磁石20と、薄膜磁石20に対向して積層され、軟磁性体(軟磁性体層105)で構成され磁場を感受する感受部30とを備える。なお、磁気センサ1の断面構造については、後に詳述する。
図2(a)〜(b)は、本実施の形態が適用される磁気センサ1の一例を説明する図である。図2(a)は、平面図、図2(b)は、図2(a)におけるIIB−IIB線での断面図である。
図2(b)に示すように、本実施の形態が適用される磁気センサ1は、非磁性の基板10上に設けられた硬磁性体(硬磁性体層103)で構成された薄膜磁石20と、薄膜磁石20に対向して積層され、軟磁性体(軟磁性体層105)で構成され磁場を感受する感受部30とを備える。なお、磁気センサ1の断面構造については、後に詳述する。
ここで、硬磁性体とは、外部磁界によって磁化されると、外部磁界を取り除いても磁化された状態が保持される、いわゆる保磁力の大きい材料である。一方、軟磁性体とは、外部磁界によって容易に磁化されるが、外部磁界を取り除くと速やかに磁化がないか又は磁化が小さい状態に戻る、いわゆる保磁力の小さい材料である。
なお、本明細書においては、磁気センサ1を構成する要素(薄膜磁石20など)を二桁の数字で表し、要素に加工される層(硬磁性体層103など)を100番台の数字で表す。そして、要素の数字に対して、要素に加工される層の番号を( )内に表記する。例えば薄膜磁石20の場合、薄膜磁石20(硬磁性体層103)と表記する。図においては、20(103)と表記する。他の場合も同様である。
図2(a)により、磁気センサ1の平面構造を説明する。磁気センサ1は、一例として四角形の平面形状を有する。ここでは、磁気センサ1の最上部に形成された感受部30及びヨーク40を説明する。感受部30は、平面形状が長手方向と短手方向とを有する短冊状である複数の感受素子31と、隣接する感受素子31をつづら折りに直列接続する接続部32と、電線が接続される端子部33とを備える。ここでは、12個の感受素子31が、長手方向が並列するように配置されている。感受素子31が、磁気インピーダンス効果素子である。
感受素子31は、例えば、長手方向の長さが1mm〜2mm、短手方向の幅が50μm〜150μm、厚さ(軟磁性体層105の厚さ)が0.5μm〜5μmである。また、隣接する感受素子31同士の間隔は、50μm〜150μmである。なお、感受素子31の短手方向の幅は、隣接する感受素子31同士の間隔と比較して小さいことが好ましい。
感受素子31は、例えば、長手方向の長さが1mm〜2mm、短手方向の幅が50μm〜150μm、厚さ(軟磁性体層105の厚さ)が0.5μm〜5μmである。また、隣接する感受素子31同士の間隔は、50μm〜150μmである。なお、感受素子31の短手方向の幅は、隣接する感受素子31同士の間隔と比較して小さいことが好ましい。
接続部32は、隣接する感受素子31の端部間に設けられ、隣接する感受素子31をつづら折りに直列接続する。図2(a)に示す磁気センサ1では、12個の感受素子31が並列に配置されているため、接続部32は11個ある。接続部32の数は、感受素子31の数によって異なる。例えば、感受素子31が4個であれば、接続部32は3個である。また、感受素子31が1個であれば、接続部32を備えない。なお、接続部32の幅は、電圧印加部3により感受部30に印加するパルス電圧大きさ等によって設定すればよい。例えば、接続部32の幅は、感受素子31と同じであってもよい。
端子部33は、接続部32で接続されていない感受素子31の端部(2個)にそれぞれ設けられている。端子部33は、電線を接続しうる大きさであればよい。なお、本実施の形態の感受部30は、感受素子31が12個であるため、2個の端子部33は、図2(a)において右側に設けられている。感受素子31の数が奇数の場合には、2個の端子部33を左右に分けて設ければよい。
そして、感受部30の感受素子31、接続部32及び端子部33は、1層の軟磁性体層105で一体に構成されている。軟磁性体層105は、導電性であるので、一方の端子部33から他方の端子部33に電流が流れる。
なお、感受部30において感受素子31等の大きさ(長さ、幅、面積、厚さ等)、感受素子31の数、感受素子31同士の間隔等は、電圧印加部3(図1参照)により印加されるパルス電圧の大きさ(振幅)、磁気センサ1により感受したい磁界の大きさ、感受部30に用いる軟磁性体材料の種類等によって設定される。
なお、感受部30において感受素子31等の大きさ(長さ、幅、面積、厚さ等)、感受素子31の数、感受素子31同士の間隔等は、電圧印加部3(図1参照)により印加されるパルス電圧の大きさ(振幅)、磁気センサ1により感受したい磁界の大きさ、感受部30に用いる軟磁性体材料の種類等によって設定される。
さらに、磁気センサ1は、感受素子31の長手方向の端部に対向して設けられたヨーク40を備える。ここでは、感受素子31の長手方向の両端部に対向してそれぞれが設けられた2個のヨーク40a、40bを備える。なお、ヨーク40a、40bをそれぞれ区別しない場合は、ヨーク40と表記する。ヨーク40は、感受素子31の長手方向の端部に磁力線を誘導する。このため、ヨーク40は、磁力線が透過しやすい軟磁性体(軟磁性体層105)で構成されている。つまり、感受部30及びヨーク40は、一層の軟磁性体層105により形成されている。なお、感受素子31の長手方向に磁力線が十分透過する場合には、ヨーク40を備えなくてもよい。
以上のことから、磁気センサ1の大きさは、平面形状において数mm角である。なお、磁気センサ1の大きさは、他の値であってもよい。
次に、図2(b)により、磁気センサ1の断面構造を説明する。磁気センサ1は、非磁性の基板10上に、密着層101、制御層102、硬磁性体層103(薄膜磁石20)、誘電体層104、軟磁性体層105(感受部30及びヨーク40)が、この順に積層されて構成されている。
基板10は、非磁性体からなる基板であって、例えばガラス、サファイアといった酸化物基板やシリコン等の半導体基板、あるいは、アルミニウム、ステンレススティール、ニッケルリンメッキを施した金属等の金属基板が挙げられる。
密着層101は、基板10に対する制御層102の密着性を向上させるための層である。密着層101としては、Cr又はNiを含む合金を用いるのがよい。Cr又はNiを含む合金としては、CrTi、CrTa、NiTa等が挙げられる。密着層101の厚さは、例えば5nm〜50nmである。なお、基板10に対する制御層102の密着性に問題がなければ、密着層101を設けることを要しない。なお、本明細書においては、Cr又はNiを含む合金の組成比を示さない。以下同様である。
密着層101は、基板10に対する制御層102の密着性を向上させるための層である。密着層101としては、Cr又はNiを含む合金を用いるのがよい。Cr又はNiを含む合金としては、CrTi、CrTa、NiTa等が挙げられる。密着層101の厚さは、例えば5nm〜50nmである。なお、基板10に対する制御層102の密着性に問題がなければ、密着層101を設けることを要しない。なお、本明細書においては、Cr又はNiを含む合金の組成比を示さない。以下同様である。
制御層102は、硬磁性体層103で構成される薄膜磁石20の磁気異方性が膜の面内方向に発現しやすいように制御する層である。制御層102としては、Cr、Mo若しくはW又はそれらを含む合金(以下では、制御層102を構成するCr等を含む合金と表記する。)を用いるのがよい。制御層102を構成するCr等を含む合金としては、CrTi、CrMo、CrV、CrW等が挙げられる。制御層102の厚さは、例えば10nm〜300nmである。
薄膜磁石20を構成する硬磁性体層103は、Coを主成分とし、Cr又はPtのいずれか一方又は両方を含む合金(以下では、薄膜磁石20を構成するCo合金と表記する。)を用いることがよい。薄膜磁石20を構成するCo合金としては、CoCrPt、CoCrTa、CoNiCr、CoCrPtB等が挙げられる。なお、Feが含まれていてもよい。硬磁性体層103の厚さは、例えば1μm〜3μmである。
制御層102を構成するCr等を含む合金は、bcc(body-centered cubic(体心立方格子))構造を有する。よって、薄膜磁石20を構成する硬磁性体(硬磁性体層103)は、bcc構造のCr等を含む合金で構成された制御層102上において結晶成長しやすいhcp(hexagonal close-packed(六方最密充填))構造であるとよい。bcc構造上にhcp構造の硬磁性体層103を結晶成長させると、hcp構造のc軸が面内に向くように配向しやすい。よって、硬磁性体層103によって構成される薄膜磁石20が面内方向に磁気異方性を有するようになりやすい。なお、硬磁性体層103は結晶方位の異なる集合からなる多結晶であり、各結晶が面内方向に磁気異方性を有する。この磁気異方性は結晶磁気異方性に由来するものである。
なお、制御層102を構成するCr等を含む合金及び薄膜磁石20を構成するCo合金の結晶成長を促進するために、基板10を100℃〜600℃に加熱するとよい。この加熱により、制御層102を構成するCr等を含む合金が結晶成長しやすくなり、hcp構造を持つ硬磁性体層103が面内に磁化容易軸を持つように結晶配向されやすくなる。つまり、硬磁性体層103の面内に磁気異方性が付与されやすくなる。
誘電体層104は、非磁性の誘電体で構成され、薄膜磁石20と感受部30との間を電気的に絶縁する。誘電体層104を構成する誘電体としては、SiO2、Al2O3、TiO2等の酸化物、又は、Si3N4、AlN等の窒化物等が挙げられる。また、誘電体層104の厚さは、例えば0.1μm〜30μmである。
感受部30における感受素子31は、長手方向に交差する方向、例えば直交する短手方向に一軸磁気異方性が付与されている。なお、長手方向に交差する方向とは、長手方向に対して45°を超えた角度を有すればよい。
感受素子31を構成する軟磁性体層105としては、Coを主成分とした合金に高融点金属Nb、Ta、W等を添加したアモルファス合金(以下では、感受素子31を構成するCo合金と表記する。)を用いるのがよい。感受素子31を構成するCo合金としては、CoNbZr、CoFeTa、CoWZr等が挙げられる。感受素子31を構成する軟磁性体層105の厚さは、例えば、それぞれ0.2μm〜2μmである。
感受素子31を構成する軟磁性体層105としては、Coを主成分とした合金に高融点金属Nb、Ta、W等を添加したアモルファス合金(以下では、感受素子31を構成するCo合金と表記する。)を用いるのがよい。感受素子31を構成するCo合金としては、CoNbZr、CoFeTa、CoWZr等が挙げられる。感受素子31を構成する軟磁性体層105の厚さは、例えば、それぞれ0.2μm〜2μmである。
密着層101、制御層102、硬磁性体層103、及び誘電体層104は、平面形状が四角形(図2参照)になるように加工されている。そして、露出した側面のうち、対向する二つの側面において、薄膜磁石20がN極(図2(b)における(N))及びS極(図2(b)における(S))となっている。なお、薄膜磁石20のN極とS極とを結ぶ線が、感受部30における感受素子31の長手方向に向くようになっている。ここで、長手方向に向くとは、N極とS極とを結ぶ線と長手方向とがなす角度が45°未満であることをいう。なお、N極とS極とを結ぶ線と長手方向とがなす角度は、小さいほどよい。
磁気センサ1において、薄膜磁石20のN極から出た磁力線は、一旦磁気センサ1の外部に出る。そして、一部の磁力線が、ヨーク40aを介して感受素子31を透過し、ヨーク40bを介して再び外部に出る。そして、感受素子31を透過した磁力線が感受素子31を透過しない磁力線とともに薄膜磁石20のS極に戻る。つまり、薄膜磁石20は、感受素子31の長手方向に磁界を印加する。
なお、薄膜磁石20のN極とS極とをまとめて両磁極と表記し、N極とS極とを区別しない場合は磁極と表記する。
なお、薄膜磁石20のN極とS極とをまとめて両磁極と表記し、N極とS極とを区別しない場合は磁極と表記する。
なお、図2(a)に示すように、ヨーク40(ヨーク40a、40b)は、基板10の表面側から見た形状が、感受部30に近づくにつれて狭くなっていくように構成されている。これは、感受部30に磁界を集中させる(磁力線を集める)ためである。つまり、感受部30における磁界を強くして感度のさらなる向上を図っている。なお、ヨーク40(ヨーク40a、40b)の感受部30に対向する部分の幅を狭くしなくてもよい。
ここで、ヨーク40(ヨーク40a、40b)と感受部30との間隔は、例えば1μm〜100μmであればよい。
(磁気センサ1の特性)
続いて、磁気センサ1の特性について説明する。
図3および図4は、磁界測定装置500において、磁気センサ1の感受素子31の長手方向に印加された磁界と、電圧印加部3によりパルス電圧が印加された際に磁気センサ1に生じる電圧変化との関係を説明する図である。図3および図4は、磁気センサ1に対して電圧印加部3によりパルス電圧を印加し、磁気センサ1から出力される電圧Vの変化を電圧測定部5により測定することにより得られる。図3および図4において、横軸が磁界H(Oe)、縦軸が電圧V(V)である。この例では、電圧Vとして、パルス電圧が印加された際に磁気センサ1から出力されるオーバーシュート電圧のピーク値(図1も参照)を用いている。
続いて、磁気センサ1の特性について説明する。
図3および図4は、磁界測定装置500において、磁気センサ1の感受素子31の長手方向に印加された磁界と、電圧印加部3によりパルス電圧が印加された際に磁気センサ1に生じる電圧変化との関係を説明する図である。図3および図4は、磁気センサ1に対して電圧印加部3によりパルス電圧を印加し、磁気センサ1から出力される電圧Vの変化を電圧測定部5により測定することにより得られる。図3および図4において、横軸が磁界H(Oe)、縦軸が電圧V(V)である。この例では、電圧Vとして、パルス電圧が印加された際に磁気センサ1から出力されるオーバーシュート電圧のピーク値(図1も参照)を用いている。
図3は、電圧印加部3が印加するパルス電圧の大きさを異ならせた場合の、磁界Hと磁気センサ1の電圧Vとの関係を示している。図3においては、パルス電圧の違いによる特徴を比較しやすくするため、磁界Hが0Oeのときの電圧Vを0Vにずらしている。また、図4は、磁気センサ1の感受素子31の短手方向の幅を異ならせた場合の、磁界Hと磁気センサ1の電圧Vとの関係を示している。図4においては、感受素子31の短手方向の幅の違いによる特徴を比較しやすくするため、磁界Hが0Oeのときの電圧Vを0Vにずらしている。
なお、図3では、磁界Hのプラス方向およびマイナス方向の変化に対する電圧Vの変化を示している。一方、図4では、磁界Hのプラス方向の変化に対する電圧Vの変化を示しており、磁界Hのマイナス方向の変化に対する電圧Vの変化については省略している。
なお、図3では、磁界Hのプラス方向およびマイナス方向の変化に対する電圧Vの変化を示している。一方、図4では、磁界Hのプラス方向の変化に対する電圧Vの変化を示しており、磁界Hのマイナス方向の変化に対する電圧Vの変化については省略している。
図3および図4おいて、電圧印加部3が印加するパルス電圧のパルス幅は60ns、繰り返し周期は2MHzとなっている。また、図3では、電圧印加部3が印加するパルス電圧の大きさを5V、7V、10Vと変化させている。一方、図4では、電圧印加部3が印加するパルス電圧の大きさは、10Vである。
また、図3および図4に特性を示す磁気センサ1は、感受部30およびヨーク40が、厚さ1.5μmのCo85Nb12Zr3からなる軟磁性体層105により構成されている。図3に特性を示す磁気センサ1は、それぞれの感受素子31の短手方向の幅が150μm、長手方向の長さが2mm、隣接する感受素子31同士の間隔は、75μmである。一方、図4では、それぞれの感受素子31の短手方向の幅を50μm、100μm、150μmと変化させている。
図3に示すように、磁気センサ1の電圧Vは、磁界Hが0の場合(H=0)を境界としてプラス方向またはマイナス方向に磁界Hの絶対値が大きくなるに従い、増加、減少と変化している。また、磁界Hの変化量に対する電圧Vの変化量(すなわち、グラフの傾き)は、磁界Hの大きさによって異なっている。
したがって、印加する磁界Hの変化量ΔHに対して電圧Vの変化量ΔVが急峻な部分(すなわち、ΔV/ΔH)が大きい部分を用いれば、磁界Hの微弱な変化を電圧Vの変化量ΔVとして取り出すことができる。図3では、磁界Hの変化量ΔHに対する電圧Vの変化量ΔV(ΔV/ΔH)が最も大きくなる磁界Hを、磁界Hbとして示している。磁気センサ1では、磁界Hbの近傍における磁界Hの変化量ΔHが高精度に測定できる。磁界Hbは、バイアス磁界と呼ばれることがあり、本実施の形態の磁気センサ1では、このバイアス磁界Hbが薄膜磁石20によって感受素子31の長手方向に印加されている。また、以下の説明では、磁気センサ1の電圧Vが極大値をとる磁界Hを、異方性磁界Hkと表記する場合がある。
ここで、本実施の形態の磁気センサ1では、図3に示すように、磁界Hの変化に対する電圧Vの変化が、電圧印加部3が印加するパルス電圧の大きさによって異なる。具体的には、図3に示すように、電圧印加部3が印加するパルス電圧が大きいほど、異方性磁界Hkが小さくなり、これに伴ってバイアス磁界Hbが小さくなる傾向がある。さらに、電圧印加部3が印加するパルス電圧が大きいほど、異方性磁界Hkにおける電圧Vの極大値が大きくなる傾向がある。
付言すると、本実施の形態の磁気センサ1では、電圧印加部3が印加するパルス電圧が大きいほど、バイアス磁界Hbの近傍における電圧Vの変化量ΔVが急峻となる。これにより、磁気センサ1の感度が向上する。
付言すると、本実施の形態の磁気センサ1では、電圧印加部3が印加するパルス電圧が大きいほど、バイアス磁界Hbの近傍における電圧Vの変化量ΔVが急峻となる。これにより、磁気センサ1の感度が向上する。
また、本実施の形態の磁気センサ1では、磁界Hの変化に対する電圧Vの変化が、感受素子31の短手方向の幅によって異なる。具体的には、図4に示すように、感受素子31の短手方向の幅が小さいほど、異方性磁界Hkが小さくなり、これに伴ってバイアス磁界Hbが小さくなる傾向がある。さらに、感受素子31の短手方向の幅が小さいほど、異方性磁界Hkにおける電圧Vの極大値が小さくなる傾向がある。
このように、本実施の形態では、電圧印加部3により磁気センサ1に印加するパルス電圧の大きさ、または磁気センサ1における感受素子31の短手方向の幅を調整することにより、異方性磁界Hkやバイアス磁界Hbを調整することができる。これにより、磁気センサ1の感度を所望の範囲に調整しやすくなる。
付言すると、本実施の形態では、電圧印加部3により磁気センサ1に印加するパルス電圧を大きくするとともに、感受素子31の短手方向の幅を小さくすることで、異方性磁界Hkおよびバイアス磁界Hbを小さく調整することができる。これにより、感受素子31にバイアス磁界Hbを印加するために用いる薄膜磁石20を小型化したり、薄膜磁石20として用いる材料の自由度を向上させたりすることができる。特に、バイアス磁界Hbが0に近い場合には、磁気センサ1の構成から薄膜磁石20を省略することが可能になる。
本実施の形態では、パルス電圧または感受素子31の短手方向の幅を調整してバイアス磁界Hbを小さくする観点から、バイアス磁界Hbは、2Oe以下であることが好ましく、1Oe以下であることがより好ましい。
本実施の形態では、パルス電圧または感受素子31の短手方向の幅を調整してバイアス磁界Hbを小さくする観点から、バイアス磁界Hbは、2Oe以下であることが好ましく、1Oe以下であることがより好ましい。
また、他の観点からすると、本実施の形態の磁気センサ1では、隣接する感受素子31同士の間隔と比較してそれぞれの感受素子31の短手方向の幅が小さいことが好ましい。これにより、隣接する感受素子31同士の間隔と比較してそれぞれの感受素子31の短手方向の幅が大きい場合と比べて、上述したように異方性磁界Hkやバイアス磁界Hbを小さく調整することができるのに加え、それぞれの感受素子31に磁束が集まりやすくなる。これにより、磁気センサ1の感度が向上する。
(磁界測定装置500による磁界の測定方法)
続いて、上述した図1等も参照して、磁気センサ1の感受部30で感受される磁界Hを磁界測定装置500により測定する測定方法の一例について説明する。
本実施の形態の磁界測定装置500では、磁界算出部7が、電圧印加部3により磁気センサ1に印加されるパルス電圧の大きさに応じた、磁気センサ1の電圧Vと、磁気センサ1で感受される磁界Hとの相関関係を予め記憶している。
続いて、上述した図1等も参照して、磁気センサ1の感受部30で感受される磁界Hを磁界測定装置500により測定する測定方法の一例について説明する。
本実施の形態の磁界測定装置500では、磁界算出部7が、電圧印加部3により磁気センサ1に印加されるパルス電圧の大きさに応じた、磁気センサ1の電圧Vと、磁気センサ1で感受される磁界Hとの相関関係を予め記憶している。
磁界測定装置500により磁界Hを測定する場合、電圧印加部3が、予め定めた波形のパルス電圧を磁気センサ1に供給する。これにより、磁気センサ1の感受素子31には、パルス電流が流れる。そして、磁気センサ1には、感受素子31に印加される磁界Hに応じた電圧変化が生じる。
次いで、電圧測定部5が、磁気センサ1に生じた電圧変化(電圧V)を測定し、測定結果を磁界算出部7に出力する。
次いで、磁界算出部7が、電圧測定部5から取得した電圧Vに変化が生じた場合、その変化量(ΔV)に基づいて、磁気センサ1の感受部30で感受された磁界Hの変化量(ΔH)を算出する。
すなわち、図3および図4に示したように、磁界Hが変化すると、磁気センサ1から出力される電圧Vが変化する。また、磁界Hの変化に対する電圧Vの変化は、電圧印加部3により印加されるパルス電圧の大きさによって異なる。
すなわち、図3および図4に示したように、磁界Hが変化すると、磁気センサ1から出力される電圧Vが変化する。また、磁界Hの変化に対する電圧Vの変化は、電圧印加部3により印加されるパルス電圧の大きさによって異なる。
磁界算出部7は、電圧印加部3により印加されるパルス電圧の大きさに対応する磁界Hと電圧Vとの相関関係を予め記憶することで、パルス電圧の大きさおよび電圧測定部5にて測定される電圧Vの変化量ΔVから、感受部30で感受された磁界Hの変化量ΔHを算出することができる。
なお、磁界Hと電圧Vとの相関関係は、例えば、磁界測定装置500の磁気センサ1を磁界発生装置内にセットし、磁気センサ1に対し所定のパルス電圧を印加して、磁界Hと磁気センサ1から出力される電圧Vとの関係を測定することで得られる。
なお、磁界Hと電圧Vとの相関関係は、例えば、磁界測定装置500の磁気センサ1を磁界発生装置内にセットし、磁気センサ1に対し所定のパルス電圧を印加して、磁界Hと磁気センサ1から出力される電圧Vとの関係を測定することで得られる。
(磁気センサ1の製造方法)
次に、磁気センサ1の製造方法の一例を説明する。
図5(a)〜(e)は、磁気センサ1の製造方法の一例を説明する図である。図5(a)〜(e)は、磁気センサ1の製造方法における工程を示す。図5(a)〜(e)は、代表的な工程であって、他の工程を含んでもよい。そして、工程は、図5(a)〜(e)の順に進む。図5(a)〜(e)は、図2(b)に示した磁気センサ1の断面図に対応する。
次に、磁気センサ1の製造方法の一例を説明する。
図5(a)〜(e)は、磁気センサ1の製造方法の一例を説明する図である。図5(a)〜(e)は、磁気センサ1の製造方法における工程を示す。図5(a)〜(e)は、代表的な工程であって、他の工程を含んでもよい。そして、工程は、図5(a)〜(e)の順に進む。図5(a)〜(e)は、図2(b)に示した磁気センサ1の断面図に対応する。
基板10は、上述したように、非磁性材料からなる基板であって、例えばガラス、サファイアといった酸化物基板やシリコン等の半導体基板、あるいは、アルミニウム、ステンレススティール、ニッケルリンメッキなどを施した金属等の金属基板である。基板10には、研磨機などを用いて、例えば曲率半径Raが0.1nm〜100nmの筋状の溝又は筋状の凹凸が設けられていてもよい。なお、この筋状の溝又は筋状の凹凸の筋の方向は、硬磁性体層103によって構成される薄膜磁石20のN極とS極とを結ぶ方向に設けられているとよい。このようにすることで、硬磁性体層103における結晶成長が、溝の方向へ促進される。よって、硬磁性体層103により構成される薄膜磁石20の磁化容易軸がより溝方向(薄膜磁石20のN極とS極とを結ぶ方向)に向きやすい。つまり、薄膜磁石20の着磁をより容易にする。
ここでは、基板10は、一例として直径約95mm、厚さ約0.5mmのガラスとして説明する。磁気センサ1の平面形状が数mm角である場合、基板10上には、複数の磁気センサ1が一括して製造され、後に個々の磁気センサ1に分割(切断)される。図5(a)〜(e)では、中央に表記する一個の磁気センサ1に着目するが、左右に隣接する磁気センサ1の一部を合わせて示す。なお、隣接する磁気センサ1間の境界を一点鎖線で示す。
図5(a)に示すように、基板10を洗浄した後、基板10の一方の面(以下、表面と表記する。)上に、密着層101、制御層102、硬磁性体層103及び誘電体層104を順に成膜(堆積)して、積層体を形成する。
まず、Cr又はNiを含む合金である密着層101、Cr等を含む合金である制御層102、及び、薄膜磁石20を構成するCo合金である硬磁性体層103を順に連続して成膜(堆積)する。この成膜は、スパッタリング法などにより行える。それぞれの材料で形成された複数のターゲットに順に対面するように、基板10を移動させることで密着層101、制御層102及び硬磁性体層103が基板10上に順に積層される。前述したように、制御層102及び硬磁性体層103の形成では、結晶成長を促進するために、基板10を例えば100℃〜600℃に加熱するとよい。
なお、密着層101の成膜では、基板10の加熱を行ってもよく、行わなくてもよい。基板10の表面に吸着している水分などを除去するために、密着層101を成膜する前に、基板10を加熱してもよい。
次に、SiO2、Al2O3、TiO2等の酸化物、又は、Si3N4、AlN等の窒化物等である誘電体層104を成膜(堆積)する。誘電体層104の成膜は、プラズマCVD法、反応性スパッタリング法などにより行える。
そして、図5(b)に示すように、感受部30が形成される部分及びヨーク40(ヨーク40a、40b)が形成される部分を開口とするフォトレジストによるパターン(レジストパターン)111を、公知のフォトリソグラフィ技術により形成する。
そして、図5(c)に示すように、感受素子31を構成するCo合金である軟磁性体層105を成膜(堆積)する。軟磁性体層105の成膜は、例えばスパッタリング法を用いて行える。
図5(d)に示すように、レジストパターン111を除去するとともに、レジストパターン111上の軟磁性体層105を除去(リフトオフ)する。これにより、軟磁性体層105による感受部30及びヨーク40(ヨーク40a、40b)が形成される。つまり、感受部30とヨーク40とが、1回の軟磁性体層105の成膜で形成される。
この後、軟磁性体層105には、感受部30の感受素子31(図2(a)参照)の幅方向に一軸磁気異方性を付与する。この軟磁性体層105への一軸磁気異方性の付与は、例えば3kG(0.3T)の回転磁場中における400℃での熱処理(回転磁場中熱処理)と、それに引き続く3kG(0.3T)の静磁場中における400℃での熱処理(静磁場中熱処理)とで行える。この時、ヨーク40を構成する軟磁性体層105にも同様の一軸磁気異方性が付与される。しかし、ヨーク40は、磁気回路としての役割を果たせばよく、一軸磁気異方性が付与されなくてもよい。
次に、薄膜磁石20を構成する硬磁性体層103を着磁する。硬磁性体層103に対する着磁は、静磁場中又はパルス状の磁場中において、硬磁性体層103の保磁力より大きい磁界を、硬磁性体層103の磁化が飽和するまで印加することで行える。
この後、図5(e)に示すように、基板10上に形成された複数の磁気センサ1を個々の磁気センサ1に分割(切断)する。つまり、図2(a)の平面図に示したように、平面形状が四角形になるように、基板10、密着層101、制御層102、硬磁性体層103、誘電体層104及び軟磁性体層105を切断する。すると、分割(切断)された硬磁性体層103の側面に薄膜磁石20の磁極(N極及びS極)が露出する。こうして、着磁された硬磁性体層103は、薄膜磁石20になる。この分割(切断)は、ダイシング法やレーザカッティング法などにより行える。
なお、図5(e)の複数の磁気センサ1を個々の磁気センサ1に分割する工程の前に、基板10上において隣接する磁気センサ1の間の密着層101、制御層102、硬磁性体層103、誘電体層104及び軟磁性体層105を、平面形状が四角形(図2(a)に示した磁気センサ1の平面形状)になるようにエッチング除去してもよい。そして、露出した基板10を分割(切断)してもよい。
また、図5(a)の積層体を形成する工程の後に、密着層101、制御層102、硬磁性体層103、誘電体層104を、平面形状が四角形(図2(a)に示した磁気センサ1の平面形状)になるように加工してもよい。
なお、図5(a)〜(e)に示した製造方法は、これらの製造方法に比べ、工程が簡略化される。
また、図5(a)の積層体を形成する工程の後に、密着層101、制御層102、硬磁性体層103、誘電体層104を、平面形状が四角形(図2(a)に示した磁気センサ1の平面形状)になるように加工してもよい。
なお、図5(a)〜(e)に示した製造方法は、これらの製造方法に比べ、工程が簡略化される。
このようにして、磁気センサ1が製造される。なお、軟磁性体層105への一軸磁気異方性の付与及び/又は薄膜磁石20の着磁は、図5(e)の磁気センサ1を個々の磁気センサ1に分割する工程の後に、磁気センサ1毎又は複数の磁気センサ1に対して行ってもよい。
なお、制御層102を備えない場合には、硬磁性体層103を成膜後、800℃以上に加熱して結晶成長させることで、面内に磁気異方性を付与することが必要となる。しかし、第1の実施の形態が適用される磁気センサ1のように、制御層102を備える場合には、制御層102により結晶成長が促進されるため、800℃以上のような高温による結晶成長を要しない。
また、感受素子31への一軸磁気異方性の付与は、上記の回転磁場中熱処理及び静磁場中熱処理で行う代わりに、感受素子31を構成するCo合金である軟磁性体層105の堆積時にマグネトロンスパッタリング法を用いて行ってもよい。マグネトロンスパッタリング法では、磁石(マグネット)を用いて磁界を形成し、放電によって発生した電子をターゲットの表面に閉じ込める。これにより、電子とガスとの衝突確率を増加させてガスの電離を促進し、膜の堆積速度を向上させる。このマグネトロンスパッタリング法に用いられる磁石(マグネット)が形成する磁界により、軟磁性体層105の堆積と同時に、軟磁性体層105に一軸磁気異方性が付与される。このようにすることで、回転磁場中熱処理及び静磁場中熱処理で行う一軸磁気異方性を付与する工程が省略できる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は本実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨に反しない限りにおいては様々な変形や組み合わせを行っても構わない。
例えば、本実施の形態では、感受素子31の長手方向にバイアス磁界を印加する薄膜磁石20を、非磁性の基板10と感受部30との間に設けたが、これに限定されるものではない。例えば、感受素子31の長手方向にバイアス磁界を印加する要素を磁気センサ1とは別体として設けてもよい。また、例えば、磁気センサ1の構成や電圧印加部3により印加されるパルス電圧の大きさ等の関係によってバイアス磁界が0に近い場合には、感受素子31の長手方向にバイアス磁界を印加する要素を設けなくてもよい。
1…磁気センサ、3…電圧印加部、5…電圧測定部、7…磁界算出部、10…基板、20…薄膜磁石、30…感受部、31…感受素子、32…接続部、33…端子部、40、40a、40b…ヨーク、101…密着層、102…制御層、103…硬磁性体層、104…誘電体層、105…軟磁性体層、500…磁界測定装置
Claims (6)
- 軟磁性体で構成され、長手方向と短手方向とを有し、当該長手方向と交差する方向に一軸磁気異方性を有し、磁気インピーダンス効果により磁界を感受する感受素子を有する磁気センサと、
前記感受素子に、所定の大きさのパルス電圧を印加する電圧印加部と、
前記パルス電圧が印加されることで生じる前記感受素子の電圧変化を測定する電圧測定部と、
前記電圧印加部により印加される前記パルス電圧の大きさに応じて、前記電圧測定部による測定結果から前記感受素子に印加される磁界を算出する磁界算出部と
を備える磁界測定装置。 - 前記磁気センサは、硬磁性体で構成され前記感受素子の前記長手方向にバイアス磁界を印加する薄膜磁石をさらに備え、
前記バイアス磁界は、2Oe以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁界測定装置。 - 前記感受素子の前記長手方向にバイアス磁界を印加する薄膜磁石を備えないことを特徴とする請求項1に記載の磁界測定装置。
- 前記磁気センサは、前記短手方向に間隙を介して配置され、つづら折り状に直列接続される複数の前記感受素子を備えることを特徴とする請求項1に記載の磁界測定装置。
- 前記磁気センサは、それぞれの前記感受素子の前記短手方向の幅が、隣接する当該感受素子同士の幅と比較して小さいことを特徴とする請求項4に記載の磁界測定装置。
- 非磁性の基板と、
前記基板上に積層される軟磁性体からなり、長手方向と短手方向とを有し、当該長手方向と交差する方向に一軸磁気異方性を有し、磁気インピーダンス効果により磁界を感受する感受素子を有する感受部とを備え、
前記感受部は、パルス電圧が印加された場合に前記感受素子に生じる電圧変化が、当該パルス電圧の大きさによって異なることを特徴とする磁気センサ。
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