JP7259255B2 - 磁気センサおよび磁気センサの製造方法 - Google Patents
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Description
薄膜磁石により感受素子に印加されるバイアス磁界の大きさは、薄膜磁石を構成する硬磁性体の残留磁化および硬磁性体の厚さに比例する。しかしながら、バイアス磁界を大きくしようとして薄膜磁石を構成する硬磁性体の厚さを単純に厚くすると、硬磁性体の残留磁化が低下してしまい、薄膜磁石により感受素子に印加されるバイアス磁界を大きくすることは難しくなる。
ここで、前記薄膜磁石の前記硬磁性体層は、Coに加えて、Cr、Ta、Pt、Ru、Ni、W、B、V、Cuから選択される少なくとも1つの金属を含む硬磁性体で構成されることを特徴とすることができる。
また、前記薄膜磁石の前記硬磁性体層は、CoCrTaまたはCoCrNiからなる硬磁性体で構成されることを特徴とすることができる。
さらに、前記薄膜磁石は、それぞれの前記硬磁性体層の厚さが150nm以下であることを特徴とすることができる。
さらにまた、前記薄膜磁石は、前記感受素子に対向する面が前記非磁性体層により構成されていることを特徴とすることができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1(a)~(b)は、本実施の形態が適用される磁気センサ1の一例を説明する図である。図1(a)は、平面図、図1(b)は、図1(a)におけるIB-IB線での断面図である。
図1(b)に示すように、本実施の形態が適用される磁気センサ1は、非磁性の基板10と、基板10上に設けられ硬磁性体(硬磁性体層103a、後述する図2参照)および非磁性体(非磁性体層103b、後述する図2参照)で構成された薄膜磁石20と、薄膜磁石20に対向して積層され、軟磁性体(軟磁性体層105)で構成されて磁場を感受する感受部30とを備える。なお、磁気センサ1の断面構造、特に薄膜磁石20の断面構造については、後に詳述する。
感受素子31は、例えば長手方向の長さが約1mm、短手方向の幅が数100μm、厚さ(軟磁性体層105の厚さ)が0.5μm~5μmである。隣接する感受素子31間の間隔は、50μm~150μmである。
なお、感受素子31の長さ及び幅、並列させる個数など上記した数値は一例であって、感受(計測)する磁界の値や用いる軟磁性体材料などによって変更してもよい。
密着層101は、基板10に対する制御層102の密着性を向上させるための層である。密着層101としては、Cr又はNiを含む合金を用いるのがよい。Cr又はNiを含む合金としては、CrTi、CrTa、NiTaなどが挙げられる。密着層101の厚さは、例えば5nm~50nmである。なお、基板10に対する制御層102の密着性に問題がなければ、密着層101を設けることを要しない。なお、本明細書においては、Cr又はNiを含む合金の組成比を示さない。以下同様である。
図2に示す例では、薄膜磁石20は、4層の硬磁性体層103aと、4層の非磁性体層103bとが交互に積層されて構成されている。二層以上の硬磁性体層103aと、非磁性体層103bとにより構成される薄膜磁石20全体の厚さは、例えば500nm~1500nmである。
さらに、図2に示すように、薄膜磁石20は、それぞれの硬磁性体層103aの厚さが、それぞれの非磁性体層103bの厚さと比べて厚い。
また、複数の硬磁性体層103aの厚さを足した総和は、それぞれの硬磁性体層103aの厚さにもよるが、例えば150nm以上5000nm以下の範囲である。
また、非磁性体層103bの厚さは、硬磁性体層103aの厚さよりも薄く、0.1nm以上5nm以下の範囲である。非磁性体層103bの厚さが5nmよりも厚い場合、非磁性体層103bを介して対向する硬磁性体層103a同士の相互作用が弱くなり、薄膜磁石20により感受素子31に印加される磁界の強さが低下するおそれがある。
なお、長手方向に交差する方向とは、長手方向に対して45°を超えた角度を有すればよい。
なお、薄膜磁石20のN極とS極とをまとめて両磁極と表記し、N極とS極とを区別しない場合は磁極と表記する。
具体的には、薄膜磁石20により感受素子31に印加される磁界の強さは、薄膜磁石20を構成する硬磁性体の残留磁化(Mr)と厚さ(T)との積(MrT)に比例する。しかしながら、薄膜磁石20を構成する硬磁性体の厚さ(T)を単純に厚くすると、硬磁性体の角型比(Mr/Ms)が低下する傾向がある(後述する図3(a)も参照)。ここで、硬磁性体の飽和磁化(Ms)は、硬磁性体の種類(材質)によって所定の値をとる。したがって、薄膜磁石20を構成する硬磁性体の材質が同じ場合、薄膜磁石20を構成する硬磁性体の厚さ(T)を単純に厚くすると、硬磁性体の残留磁化(Mr)が低下する。この結果、薄膜磁石20を構成する硬磁性体の厚さ(T)を厚くした場合であっても、MrTは大きくならず、薄膜磁石20により感受素子31に印加される磁界の強さを大きくすることは困難である。
この例において、「単層」の薄膜磁石20は、CoCrTa(原子数比Co:Cr:Ta=90:8:2)からなる一層の硬磁性体により構成されている。また、「多層」の薄膜磁石20は、厚さ50nmのCoCrTa(原子数比Co:Cr:Ta=90:8:2)からなる硬磁性体層103aと、厚さ1nmのCrからなる非磁性体層103bとを交互に積層し、且つ最上層の非磁性体層103bのみが厚さ1nmのRuからなる構造を有している。なお、図3(a)~(b)において「多層」のグラフに付している数字は、薄膜磁石20を構成する硬磁性体層103aの層数である。
これに対し、薄膜磁石20が二層以上の硬磁性体層103aを有する場合(多層)、硬磁性体層103aの層数が増加し硬磁性体の厚さ(硬磁性体層103aの厚さの総和)が厚くなった場合であっても、保磁力(Hc)の低下が抑制されている。
これに対し、薄膜磁石20が二層以上の硬磁性体層103aを有する場合(多層)、硬磁性体層103aの層数が増加し硬磁性体の厚さ(硬磁性体層103aの厚さの総和、T)が厚くなった場合であっても、角型比(Mr/Ms)の低下が抑制されている。
この結果、本実施の形態の磁気センサ1では、薄膜磁石20を構成する硬磁性体の残留磁化(Mr)と厚さ(T)との積(MrT)を大きくすることができ、薄膜磁石20により感受素子31に印加される磁界の強さを大きくすることが可能となる。また、本実施の形態の磁気センサ1では、薄膜磁石20の保磁力(Hc)の低下を抑制することで、外部磁界の影響によって薄膜磁石20の残留磁化(Mr)が低下することを抑制できる。
次に磁気センサ1の製造方法の一例を説明する。
図4(a)~(d)および図5(a)~(d)は、磁気センサ1の製造方法の一例を説明する図である。図4(a)~(d)および図5(a)~(d)は、磁気センサ1の製造方法における工程を示す。なお、図4(a)~(d)および図5(a)~(d)は、代表的な工程であって、他の工程を含んでいてもよい。そして、工程は、図4(a)~(d)、図5(a)~(d)の順に進む。図4(a)~(d)および図5(a)~(d)は、図1(a)のIB-IB線での断面図に対応する。
まず、Cr又はNiを含む合金である密着層101、Cr等を含む合金である制御層102を順に連続して成膜(堆積)する。この成膜は、スパッタリング法などにより行うことができる。それぞれの材料で形成された複数のターゲットに順に対面するように、基板10を移動させることで密着層101及び制御層102が基板10上に順に積層される。前述したように、制御層102の形成では、結晶成長を促進するために、基板10を例えば100℃~600℃に加熱するとよい。
硬磁性体層103aの酸化のおそれがない場合等では、非磁性体層103bを設けずに硬磁性体層103aが最上層になるようにしてもよい。
また、図4(a)~(d)の積層体を形成する工程の後に、密着層101、制御層102、硬磁性体層103a、非磁性体層103b及び絶縁層104を、平面形状が四角形(図1(a)に示した磁気センサ1の平面形状)になるように加工してもよい。
なお、図4(a)~(d)および図5(a)~(d)に示した製造方法は、これらの製造方法に比べ、工程が簡略化される。
Claims (7)
- Coを含む硬磁性体で構成される2層以上の硬磁性体層と、非磁性体で構成され厚さが当該硬磁性体層の厚さ以下であり0.1nm以上5nm以下の範囲である非磁性体層とが交互に積層され、面内方向に磁気異方性を有する薄膜磁石と、
軟磁性体で構成されるとともに、前記薄膜磁石に対向して配置され、長手方向と短手方向とを有し、当該長手方向が当該薄膜磁石の発生する磁界の方向を向くとともに、当該長手方向と交差する方向に一軸磁気異方性を有し、磁気インピーダンス効果により磁界を感受する感受素子と、
前記薄膜磁石に対し前記感受素子とは反対側に形成され、当該薄膜磁石の磁気異方性が膜の面内方向に発現しやすいように制御する制御層とを備え、
前記制御層は、Cr、Mo若しくはW又はそれらを含む合金で、bcc構造を有する、磁気センサ。 - 前記薄膜磁石の前記硬磁性体層は、Coに加えて、Cr、Ta、Pt、Ru、Ni、W、B、V、Cuから選択される少なくとも1つの金属を含む硬磁性体で構成されることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記薄膜磁石の前記硬磁性体層は、CoCrTaまたはCoCrNiからなる硬磁性体で構成されることを特徴とする請求項2に記載の磁気センサ。
- 前記薄膜磁石は、それぞれの前記硬磁性体層の厚さが150nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記薄膜磁石は、前記感受素子に対向する面が前記非磁性体層により構成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。
- 非磁性の基板上に、Coを含む硬磁性体からなる2層以上の硬磁性体層と、非磁性体からなる非磁性体層とを交互に積層して、磁気異方性が面内方向に制御された薄膜磁石を形成する薄膜磁石形成工程と、
前記薄膜磁石の発生する磁束が透過する方向と交差する方向に一軸磁気異方性を有する感受素子を備える感受部を形成する感受部形成工程と、
前記薄膜磁石形成工程の前に、前記基板上に、前記薄膜磁石の磁気異方性が膜の面内方向に発現しやすいように制御する制御層を形成する制御層形成工程と
を含み、
前記薄膜磁石形成工程は、前記制御層形成工程により形成された前記制御層上に前記硬磁性体層と前記非磁性体層とを積層して、前記基板上に前記薄膜磁石を形成し、
前記非磁性体層の厚さは0.1nm以上5nm以下の範囲であり、
前記制御層は、Cr、Mo若しくはW又はそれらを含む合金で、bcc構造を有する、
磁気センサの製造方法。 - 前記薄膜磁石形成工程は、前記非磁性体層が最上層となるように、前記硬磁性体層と当該非磁性体層とを交互に積層することを特徴とする請求項6に記載の磁気センサの製造方法。
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