TWI702137B - 光固化成形用承盤及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明課題是於光固化成形中可抑制脫模層自光固化成形用承盤剝離。本發明之光固化成形用承盤為光固化成形中用以容納具流動性之光硬化性材料的光固化成形用承盤。光固化成形用承盤具有：承盤本體，其具曝光面；及第1層，其覆蓋前述承盤本體之前述曝光面相反側的面，且具與前述光硬化性材料之接觸面。前述第1層由包含含氟硬化性樹脂的組成物之硬化物構成，該含氟硬化性樹脂具直接或間接鍵結於矽之第1反應性基。於前述第1層與前述第1層之基底層的界面及其附近，存在源自構成前述基底層之材料的官能基與前述第1反應性基反應或相互作用後之殘基。

Description

光固化成形用承盤及其製造方法

本發明有關於一種光固化成形中用以容納光硬化性材料之光固化成形用承盤。

以3D列印機為始之三維光固化成形技術中，由可使用少量光硬化性材料來成形之觀點來看，例如，懸吊方式之光固化成形正受到矚目。

圖3係用以說明一般懸吊方式之三維光固化成形之圖案化方法步驟的截面模式圖。如圖3所示，懸吊方式之光固化成形中，首先，將平台104之圖案形成面104a浸漬於容納在光固化成形用承盤101內的光硬化性材料(圖案化材料)102。藉此，於圖案形成面104a與配置於光固化成形用承盤101之承盤本體101c內底面的脫模層101d之間形成光硬化性材料102之液膜102a(步驟(i))。承盤本體101c之底部101b(具體而言，外側之底面)具有與配置於光固化成形用承盤101下方之光源105對向的曝光面101a。自光源105朝圖案形成面104a所射出之光L透射承盤本體101c之底部101b及脫模層101d被液膜102a吸收。藉此，液膜102a光硬化而形成二維圖案102b(步驟(ii))。步驟(ii)之後使圖案形成面104a上升，進一步於圖案102b與脫模層101d之間形成圖案化材料之液膜102a(步驟(iii))。並且，自光源105對液膜102a照射光L，使液膜102a硬化而形成其他圖案102b。藉此，於二維圖案102b積層其他圖案102b(步驟(iv))而形成三維圖案。此外，若重複數次步驟(iii)與步驟(iv)，將形成具各種厚度之三維圖案。

如此，懸吊方式之光固化成形中，因自承盤之內底面使光硬化圖案剝離並與平台一同上升，故於承盤之內底面形成脫模層。由可將光硬化圖案取出又不損及光硬化圖案之觀點來看，對脫模層要求具某程度之彈性，且要求對源自光源之光具有透光性。因此，一般於脫模層使用矽酮橡膠。又，亦檢討了於承盤底部配置可撓性之彈性分離層(例如專利文獻1)。

專利文獻2中已提案有一種於光固化成形用承盤中設置至少具有樹脂層之脫模層，該樹脂層包含具透氧性之樹脂。此時，為供給氧至樹脂層中，設有將樹脂層暴露於大氣中之供氧窗。藉自供氧窗供給氧，阻礙脫模層與光硬化性材料界面附近之硬化反應，藉此，提高對所得之光硬化圖案之脫模層的剝離性。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2008-137392號公報 專利文獻2：日本專利特開2017-159621號公報

發明概要 發明欲解決之課題 於使用具脫模層之承盤的情況下，因光硬化圖案於黏著在脫模層之狀態下形成，故需以一定程度之力量自脫模層剝離。懸吊方式之光固化成形中，於每次重複光硬化圖案之剝離時剝離應力施加於脫模層，有脫模層白化等劣化的情形。若脫模層劣化則脫模性下降，而不易剝離光硬化圖案，而須對脫模層施加更大之剝離應力。脫模層因以矽酮橡膠等脫模性高之材料形成，故脫模層於承盤內底面側表面之脫模性亦高。因此，當剝離光硬化圖案之際若對脫模層施加大之剝離應力，則脫模層將自承盤剝離。 用以解決課題之手段

本發明一態樣為一種光固化成形用承盤，其用以容納光固化成形中具流動性之光硬化性材料，具有：承盤本體，其具曝光面；及第1層，其覆蓋前述承盤本體之前述曝光面相反側的面，且具與前述光硬化性材料之接觸面；前述第1層由包含含氟硬化性樹脂的組成物之硬化物構成，該含氟硬化性樹脂具直接或間接鍵結於矽之第1反應性基；於前述第1層與前述第1層之基底層的界面及其附近，存在源自構成前述基底層之材料的官能基與前述第1反應性基反應或相互作用後之殘基。

本發明另一態樣為一種光固化成形用承盤之製造方法，係製造光固化成形中用以容納具流動性之光硬化性材料之光固化成形用承盤，該方法包含以下步驟：準備承盤本體之步驟，該承盤本體具曝光面；以覆蓋前述承盤本體之前述曝光面相反側的面的方式塗布硬化性樹脂組成物而形成塗膜之步驟，該硬化性樹脂組成物包含具直接或間接鍵結於矽之第1反應性基的含氟硬化性樹脂；及使前述塗膜硬化，形成具與前述光硬化性材料之接觸面的第1層，並且使源自構成前述第1層基底層之材料的官能基與前述第1反應性基反應或相互作用，而使前述第1層密著於前述基底層的步驟。 發明效果

可抑制光固化成形中脫模層自光固化成形用承盤剝離。

用以實施發明之形態 [光固化成形用承盤] 本發明一態樣之光固化成形用承盤為光固化成形中容納具流動性之光硬化性材料者。如此之光固化成形用承盤一般亦稱作樹脂槽。前述態樣之光固化成形用承盤具有：具曝光面之承盤本體、及覆蓋承盤本體之曝光面相反側的面且具與光硬化性材料接觸面的第1層。第1層由包含含氟硬化性樹脂的組成物之硬化物構成，該含氟硬化性樹脂具直接或間接鍵結於矽之第1反應性基。第1層與第1層之基底層的界面及其附近存在有下述殘基：源自構成基底層之材料的官能基與第1反應性基反應或相互作用後之殘基。再者，殘基即所謂源自構成基底層之材料的官能基與第1反應性基反應或相互作用後結果形成之結構或鍵結。

習知之光固化成形用承盤中，與光硬化性材料接觸之脫模層以矽酮橡膠等具高脫模性之材料形成。脫模層之兩面均具有高脫模性，故對脫模層基底層之密著性易變低。於承盤設置脫模層的情況下，若重複光硬化與光硬化圖案之剝離，則光硬化圖案不易自脫模層剝離，而須對脫模層施加大之剝離應力。又，有光硬化性材料滲透至脫模層內部的情形。此時，已滲透之光硬化性材料亦光硬化而與形成於脫模層上之光硬化圖案成為一體化的狀態。若脫模層內部已滲透之光硬化性材料硬化，脫模層將白化，而損及透光性。又，若已滲透之光硬化性材料於與光硬化圖案一體化之狀態下硬化，當將光硬化圖案自脫模層剝離之際將對脫模層施加特別大之剝離應力。若對脫模層重複施加大之剝離應力，脫模層將自基底層剝離。脫模層之剝離光硬化圖案的剝離面及脫模層自基底層剝離之剝離面均非平滑，照射至光硬化性材料之光容易漫射這點亦為白化之因。若產生脫模層之剝離或白化，將不易持續光固化成形。再者，以往，亦有使用未與光固化成形用承盤之內底面接著之狀態的薄膜狀脫模層的情況。此時，當剝離光硬化圖案之際薄膜狀脫模層將容易產生撓曲，於脫模層產生皺紋，而不易確保光固化成形的精度。特別是，若光固化成形承盤尺寸變大，將容易形成薄膜狀脫模層之皺紋。

依據本發明前述實施形態，以包含具第1反應性基之含氟硬化性樹脂的組成物之硬化物來形成相當於脫模層的第1層。於第1層與第1層之基底層的界面及其附近，存在已鍵結於矽之第1反應性基與源自構成基底層材料之官能基反應或相互作用後之殘基。因第1層與基底層呈以分子程度反應或相互作用之狀態，故可確保第1層與基底層間之高密著性。因此，於第1層與光硬化性材料之接觸面可確保脫模性，並可確保對基底層之高密著性。又，因第1層以包含含氟硬化性樹脂的組成物之硬化物構成，故光硬化性材料對第1層之滲透可獲抑制，可確保高脫模性。藉此，即使重複光硬化與光硬化圖案之剝離，仍可抑制第1層自基底層剝離。藉由抑制光硬化性材料對第1層之滲透，亦可顯著抑制白化等第1層之劣化。又，因第1層與基底層間可確保高密著性，故亦可抑制第1層撓曲產生皺紋，而可高精度光固化成形。

再者，市售之接著劑中亦有含氟接著劑或矽酮系接著劑等。但，接著劑係用以接著2個以上之被著體而使用。因此，即使使用接著劑可確保高接著性或密著性，但一般可預想得知不易確保完全相反特性之脫模性。

前述態樣之光固化成形用承盤藉由例如取代圖3之承盤101使用，而可以如圖3所示之步驟形成三維光固化成形物。

第1層與光硬化性材料之接觸面於光固化成形用承盤中容納有光硬化性材料時，將成為與光硬化性材料接觸的區域。 所謂承盤本體之曝光面指承盤本體表面中與光源對向之表面上自光源照射之光(光硬化性材料)可直接照射的區域。以懸吊方式而言，即自承盤本體底面側照射光。因此，承盤本體之曝光面通常是承盤本體之外底面上自光源照射之光可照射到的區域。

第1層之基底層亦可為承盤本體。又，亦可於承盤本體與第1層之間配置第2層，將第2層作為第1層之基底層。

所謂源自構成基底層材料之官能基意指於至少在基底層上形成第1層之階段中，構成基底層之材料所具有的官能基，包含可與第1反應性基反應或相互作用之基或原子。前述官能基可為例如存在於已完成之光固化成形用承盤的基底層中者、或亦可為未殘留者。例如，已完成之光固化成形用承盤的基底層為以硬化性材料之硬化物形成的情況，第1層可形成於半硬化狀態或已完全硬化狀態之基底層上。如此狀態之基底層中，構成基底層之材料(半硬化狀態之硬化性材料或硬化性材料之硬化物等)具有前述官能基即可。

再者，本發明中，光固化成形用承盤之構成要素(承盤本體、第1層、基底層等)曝曬於自光源照射之光的區域中，需能穿透所照射之光。光固化成形用承盤至少於光曝曬之區域中，例如，對自光源照射之光的光線穿透率以80%以上為佳，以90%以上更佳。再者，自光源照射之光可使用例如，紫外光至可見光區域的光。

圖1係本發明一實施形態之光固化成形用承盤的概略縱截面圖。圖2係本發明其他實施形態之光固化成形用承盤的概略縱截面圖。 圖1中，光固化成形用承盤1具有：承盤本體1c及第1層1d，該承盤本體1c於底部1b具曝光面1a，該第1層1d覆蓋承盤本體1c之曝光面1a相反側的面。此時，第1層1d之基底層為承盤本體1c。

圖2中，光固化成形用承盤11具有承盤本體11c、第1層11d及第2層11e，該承盤本體11c於底部11b具曝光面11a，該第1層11d覆蓋承盤本體11c之曝光面相反側的面，該第2層11e設於承盤本體11c與第1層11d之間。此時，第1層11d之基底層為第2層11e。

以下，更詳細說明光固化成形用承盤之構成要素。 光固化成形用承盤具有容納光硬化性材料之承盤本體、及配置於承盤本體內側(即，容納光硬化性材料之側)表面之第1層。亦可於承盤本體與第1層之間設置第2層。

(第1層) 第1層配置於承盤本體曝光面相反側之面，即用以覆蓋容納光硬化性材料側之面。第1層具有與光硬化性材料之接觸面。為容易剝離光硬化圖案，第1層只要至少配置於曝光區域內即可。由光更均勻地照射至光硬化性材料，且容易剝離光硬化圖案之觀點來看，如圖1或圖2所示，第1層以配置成覆蓋承盤本體內底面整體之狀態為佳。

第1層由包含含氟硬化性樹脂的組成物之硬化物構成，該含氟硬化性樹脂具鍵結於矽之第1反應性基。第1反應性基可直接鍵結於矽，亦可間接鍵結。所謂間接鍵結係指第1反應性基介著連接基鍵結於矽。第1反應性基可視基底層具有之官能基種類選擇。第1反應性基可舉例如：烷氧基、羥基、乙烯基、(甲基)丙烯醯氧基、環氧基、胺基、脲基、異氰酸酯基、巰基等。烷氧基以甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等C _1-6烷氧基(其中，以C _1-4烷氧基)為佳。環氧基包含環氧丙氧基、環氧環烷基等。含氟硬化性樹脂可具有一種第1反應性基，亦可具有二種以上之第1反應性基。又，含氟硬化性樹脂可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。使用二種以上之含氟硬化性樹脂的情況，第1反應性基之種類可相同亦可相異。再者，將丙烯醯氧基及甲基丙烯醯氧基合稱為(甲基)丙烯醯氧基。

連接基只要可連接矽與反應性基即可，可舉2價之烴基、對應二烷基胺之2價基等為例。2價之烴基可舉直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、伸芳基、芳烴二伸烷基等為例。伸烷基可舉亞甲基、伸乙基、伸丙基、三亞甲基、伸丁基等C _1-6伸烷基(C _1-4伸烷基等)為例。伸芳基可舉伸苯基、甲伸苯基、伸萘基基等C _6-14伸芳基等為例。芳烴二伸烷基可舉二甲苯基等C _6-10芳烴二C _1-4伸烷基等為例。但，連接基並未受該等所限定。

其中，第1反應性基鍵結於矽之基，以矽醇基(Si-OH)、烷氧基矽基(Si-OR)、乙烯矽基(Si-CH=CH ₂)等為佳。R為對應烷氧基之烷基。烷氧基-OR可舉前述例示之烷氧基為例。

光固化成形用承盤中，藉由第1反應性基與基底層之官能基的反應或相互作用形成的殘基存在於第1層與基底層之界面及其附近。藉由存在如此之殘基，可確保第1層與基底層間之密著性，抑制第1層剝離。第1反應性基與基底層之官能基(或後述第2反應性基)的反應，可舉例如：(a)環氧基與胺基、羥基或羧基之反應、(b)胺基與氯原子、氯化醯基、環氧基、異氰酸酯基、羥基、胺基、磺酸基、或羧基之反應、(c)乙烯基之接枝化反應、(d)(甲基)丙烯醯氧基與具聚合性不飽和碳碳鍵之官能基的聚合反應、(e)異氰酸酯基與胺基、羥基、或羧基之反應；巰基與具醯胺或碳碳雙鍵之官能基的反應等。又，第1反應性基與基底層之官能基的反應，亦可利用第1反應性基與第2反應性基之縮合反應、或第1反應性基與第2反應性基之加成反應形成殘基。如此反應亦可舉(f)利用作為第1反應性基之烷氧基或羥基的縮合反應、(g)利用作為第1反應性基之乙烯基的加成反應等為例。反應(f)方面，於含氟硬化性樹脂具矽醇基或烷氧基矽基的情況，可利用矽醇基彼此或烷氧基矽基彼此之縮合反應，使其與基底層之官能基反應。又，反應(g)方面，含氟硬化性樹脂具乙烯矽基的情況，可利用乙烯矽基與氫矽基之加成反應，使其與基底層之官能基反應。利用第1反應性基與基底層之官能基的加成反應的情況，可更加提高第1層與基底層之密著性。又，加成反應的情況，第1層硬化後，因第1層表面不易成為殘留有第1反應性基的狀態，故更容易確保利用第1層之高脫模性。

含氟硬化性樹脂包含矽、直接或間接鍵結於矽之第1反應性基及氟，只要具光硬化性的話，並未特別限制其骨架。由不損及光硬化圖案而容易取出之觀點來看，構成第1層之硬化物以具橡膠彈性為佳。其中，亦以由含氟矽酮橡膠構成第1層為佳。含氟矽酮橡膠以包含氟化伸烷基單元為佳。由一面抑制光硬化性材料對第1層之滲透，一面確保適度之橡膠彈性的觀點來看，含氟矽酮橡膠之氟化伸烷基單元，以至少包含過氟化伸烷基單元為佳。含氟矽酮橡膠之過氟化伸烷基單元亦可包含四氟乙烯類單元，但由容易確保適度橡膠彈性之觀點來看，以至少包含六氟丙烯單元為佳。氟化伸烷基單元於含氟矽酮橡膠中可包含氟化伸烷基單元之重複結構，亦可包含氟化環氧烷單元之重複結構，亦可包含該等兩者。

含氟硬化性樹脂可使用市售品，亦可使用藉由眾所皆知的合成方法或組合該等方法合成者。含氟矽酮橡膠可使用例如以下之組成物：藉由混合具氟化伸烷基單元或氟化環氧烷單元之重複結構與兩末端之乙烯矽基的化合物、具氟化伸烷基單元或氟化環氧烷單元之重複結構與兩末端之氫矽基的化合物、氫矽基化反應催化劑、稀釋劑(溶劑)等而得者。氫矽基化反應催化劑，可使用例如；鉑系催化劑(例如，鉑族金屬(亦包含被碳或氧化鋁等載體所支撐者)、包含鉑族金屬之錯合物等)，但並未受該等所限定。如此之含氟矽酮橡膠的製法，可參照例如，日本專利特開2008-115277號公報之含氟彈性體組成物的調製方法。具氟化伸烷基單元或氟化環氧烷單元之重複結構與兩末端之乙烯矽基或氫矽基的化合物，可使用市售品，亦可使用眾所皆知的合成法合成者。乙烯矽基或氫矽基例如，可使用偶合劑等導入具氟化伸烷基單元或氟化環氧烷單元之重複結構主鏈的末端，但並未限定為該情況。

由確保第1層之橡膠彈性的觀點來看，形成第1層之硬化物於23℃下之蕭氏A硬度(shore A hardness)為例如，80以下，以60以下為佳，以55以下或50以下更佳。由容易滑順地剝離光硬化圖案之觀點來看，硬化物於23℃下之蕭氏A硬度以1以上為佳。

本說明書中，硬化物之蕭氏A硬度可依據JIS K6253：2012，使用市售之硬度計(A型硬度計)，以下述條件測定。其他條件依據JIS K6253：2012。 試驗溫度：23℃ 加壓板及壓針：JIS K6253：2012記載之A型加壓板及壓針 載重：1kg 試驗片(硬化物)之尺寸：縱30mm×橫40mm×厚度4mm以上(具體為4mm) 測定位置：試驗片一端至壓針前端的距離5mm 測定時間：使加壓板接觸試驗片5秒後測定 測定處數：5處

第1層視需要可包含摻合於脫模層之眾所皆知的成分。

第1層厚度為例如1μm以上，亦可為10μm以上或20μm以上。第1層厚度以30μm以上為佳，以40μm以上更佳。第1層厚度為例如3cm以下，亦可為1cm以下、1000μm以下或100μm以下。第1層厚度於該範圍內的情況，可一面抑制光硬化性材料之滲透，一面容易得到適度彈性之第1層，容易剝離光硬化圖案。藉此，即使重複光硬化性材料之光硬化與自第1層剝離光硬化圖案，仍容易確保第1層之脫模性。基底層為承盤本體的情況，第1層厚度以設為10μm以上為佳。基底層為第2層的情況，第1層厚度以30μm以上或40μm以上為佳，亦可設為1mm以下或100μm以下。 該等之下限值與上限值可任意組合。

第1層厚度亦可為1μm以上(或10μm以上)3cm以下、1μm以上(或10μm以上)1cm以下、1μm以上(或10μm以上)1000μm以下、1μm以上(或10μm以上)100μm以下、20μm以上(或30μm以上)3cm以下、20μm以上(或30μm以上)1cm以下、20μm以上(或30μm以上)1000μm以下、20μm以上(或30μm以上)100μm以下、40μm以上3cm以下(或1cm以下)、或40μm以上1000μm以下(或100μm以下)。

第1層厚度可由與第1層厚度方向平行之截面照片求得。截面照片中，藉由測定第1層任意多數處(例如5處)之厚度後平均化，可得第1層厚度。

專利文獻2中，賦予構成脫模層之樹脂層透氧性，樹脂層設有露出於大氣中之供氧窗。專利文獻2中，藉由自供氧窗供給之氧阻礙脫模層與光硬化性材料界面附近的硬化反應，而容易將光硬化圖案自脫模層剝離。相對於此，本發明前述態樣之光固化成形用承盤藉於第1層使用特定材料，可抑制光硬化性材料滲透至第1層，於第1層與光硬化性材料之接觸面可確保優異之脫模性。藉此，前述態樣之光固化成形用承盤中不需於第1層(及第2層兩者)設置如前述之供氧窗。

再者，所謂供氧窗為用以供給氧至第1層及/或第2層而露出於大氣中之部分。換言之，供氧窗於光固化成形用承盤容納光硬化性材料後，需為不與光硬化性材料接觸且露出於大氣中的狀態。因此，以本發明前述態樣之光固化成形用承盤而言，於進行光固化成形期間，容納光硬化性材料後，以做成第1層(及第2層兩者)不會露出於大氣中之狀態為佳。由如此觀點來看，以第1層(及第2層)均形成為覆蓋承盤本體內底面為佳。而承盤本體內側之側面與第1層接觸部分的高度、與第1層厚度之差，以偏小為佳，該差以例如1mm以下或100μm以下為佳。再者，基底層為第2層的情況，以承盤本體內側之側面與第1層及第2層各層接觸部分的高度之合計，與第1層及第2層厚度之合計的差於前述範圍為佳。

由容易得到高脫模性之觀點來看，以第1層中與光硬化性材料之接觸面對光硬化性材料的接觸角高為佳。一般而言，如此之第1層對水之接觸角亦高，故本說明書中使用對水之接觸角取代對光硬化性材料之接觸角，來表示其脫模性。第1層與光硬化性材料之接觸面對水的接觸角以例如，大於90°為佳，以95°以上更佳，亦可為100°以上。

(第2層) 設置第2層的情況下，第2層成為第1層之基底層。第2層位於第1層與承盤本體之間，宜至少形成於光透射之區域以使照射於光硬化性材料之光能可更均勻。基於相同觀點，如圖2所示，更佳為配置成第2層覆蓋承盤本體之內底面整體，並配置第1層覆蓋該第2層之與承盤本體相反側的表面整體之狀態。

第2層包含樹脂。於至少形成有第1層之階段下，第2層係以具與第1層之第1反應性基反應或相互作用之官能基的材料來構成。於至少形成有第1層之階段下，藉使如此之官能基存在於第2層，可提升第1層與第2層間之密著性。又，藉由抑制光硬化性材料滲透至第1層，可提高第1層與光硬化性材料之接觸面的脫模性，故即使重複光硬化圖案之形成與剝離，仍可抑制第1層及第2層自承盤本體剝離。

官能基只要可與第1反應性基反應或相互作用即可，可視第1反應性基之種類適當選擇。官能基以包含可與第1反應性基反應之反應性基(第2反應性基)為佳，其中，亦以包含已鍵結於矽之第2反應性基為佳。此時，藉由第1反應性基與第2反應性基之反應，可更加提高第1層與第2層之密著性。於至少形成第1層之階段下，構成第2層之材料所含的前述官能基及第2反應性基的各種類可相同亦可相異。已鍵結於矽之第2反應性基中，第2反應性基可直接鍵結於矽，亦可介著連接基間接鍵結。連接基可舉第1層中例示者為例，但並未限定為該等。

視第1反應性基之種類，第2反應性基可舉前述反應(a)~(e)中例示之反應性基為例。若舉反應(a)為例說明，第1反應性基為環氧基的情況下，第2反應性基為胺基、羥基或羧基等。反應(b)~(e)亦以反應(a)的情況為依據可舉第2反應性基為例。反應(f)中，於利用矽醇基彼此之縮合反應的情況下，可舉矽醇基所含之羥基作為第2反應性基為例。反應(f)中，利用烷氧基矽基彼此之縮合反應的情況下，可舉烷氧基矽基所含之烷氧基作為第2反應性基為例。烷氧基例如，可自第1層例示者中選擇。反應(g)中，可舉氫矽基所含之氫原子作為第2反應性基為例。

承盤本體與第2層之界面及其附近，視需要亦可存在承盤本體具有之官能基與源自構成第2層材料之官能基(亦包含前述官能基或第2反應性基)反應或相互作用後的殘基。藉由形成如此之殘基，於形成第2層之情況下，亦容易確保承盤本體與第2層及第1層之高密著性。

構成第2層之樹脂，於形成有第1層之階段下，第2層可具有前述官能基或第2反應性基，可舉熱塑性樹脂及/或硬化性樹脂為例。硬化性樹脂可為光硬化性樹脂，亦可為熱硬化性樹脂。再者，硬化性樹脂可於已完成之光固化成形用承盤之第2層中變更為硬化性樹脂的硬化物。

形成第2層之樹脂可例示如橡膠狀聚合物、氟樹脂、苯乙烯樹脂、烯烴樹脂等。第2樹脂可為單獨聚合物，亦可為共聚物。由不損及光硬化性圖案且容易取出之觀點來看，以第1層與第2層均具橡膠彈性為佳。由如此之觀點來看，第2層以橡膠狀聚合物形成為佳。因第2層需具透光性，故橡膠狀聚合物以例如矽酮橡膠、腈橡膠等為佳。由容易導入第2反應性基之觀點來看，第2層以矽酮橡膠形成為佳。又，若以矽酮橡膠形成第2層，因亦提高與由含氟矽酮橡膠形成之第1層的親和性，故於提高兩層間之密著性上有利。

由確保第2層之橡膠彈性的觀點來看，形成第2層之材料(硬化物等)於23℃下的蕭氏A硬度為例如90以下，亦可為60以下或50以下。硬化物於23℃下之蕭氏A硬度的下限雖未特別限制，但為例如1以上。

形成第2層之情況下，由容易確保透光性之觀點來看，第1層與第2層之合計厚度為例如5cm以下，亦可為3cm以下或1cm以下。

第1層厚度相對於基底層(第2層)厚度之比為例如0.001~1，亦可為0.001~0.1、0.001~0.05或0.01~0.05。厚度比於如此範圍的情況下，藉由第2層適度之柔軟性及/或彈性等可容易自第1層剝離光硬化圖案。又，因可於第2層使用矽酮橡膠等較便宜之材料，故可確保第1層與第2層間之高密著性，亦可抑制成本。 再者，第2層厚度可依據第1層厚度之情況來測定。

如上述，依據本發明之前述態樣，第1層與第2層即使未設置供氧窗仍可確保高脫模性。 視需要，第2層亦可含有添加劑。

(承盤本體) 承盤本體之形狀只要可容納光硬化性材料即可，並未特別限制。承盤本體具有例如，具方形或圓形等形狀之底部，與自底部邊緣朝高度方向延伸之側壁。承盤本體具有例如皿或盤等形狀。

以不阻擋自光源朝向平台之圖案形成面照射至光硬化性材料的光為原則，承盤本體底部之曝光面及其附近之區域(以位於平台圖案形成面下方之區域為佳)可透射源自光源的光。承盤本體底部之邊緣部或側壁等不需特別可透射源自光源的光，但亦可將承盤本體整體做成可透射源自光源的光(例如透明)。

承盤本體以例如，樹脂等有機材料、玻璃等無機材料等構成。承盤本體受光照射之區域以樹脂及/或玻璃構成。構成承盤本體之樹脂為可透射照射之光的樹脂，可舉聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、橡膠狀聚合物(矽酮橡膠、丙烯酸橡膠等)等為例。承盤本體可含有一種該等材料，亦可含有二種以上。視需要，承盤本體亦可含有眾所皆知的添加劑。

第1層之基底層為承盤本體的情況，於至少形成第1層之階段中，承盤本體以如具有與第1層之第1反應性基反應或相互作用之官能基的材料構成。於至少形成第1層之階段中，藉使如此之官能基存在於承盤本體之至少第1層側的表面，可提升第1層與作為基底層之承盤本體間的密著性。又，藉由抑制光硬化性材料滲透至第1層，可提高第1層與光硬化性材料之接觸面的脫模性，故即使重複光硬化圖案之形成與剝離，仍可抑制第1層自承盤本體剝離。

官能基只要可與第1反應性基反應或相互作用即可，可視第1反應性基之種類適當選擇。官能基亦可包含與第1反應性基反應之反應性基(第3反應性基)，例如，已鍵結於矽之第3反應性基。第3反應性基可參照關於第2反應性基的記載。

為了不於第1層及第2層形成供氧窗，承盤本體以未形成有使第1層及/或第2層露出於大氣中之孔(或開口部)為佳。

本發明前述態樣之光固化成形用承盤例如，可取代圖3之光固化成形用承盤101使用，並可依照已述之順序進行光固化成形。 圖3中舉面曝光方式之情況為例(步驟(ii)及(iv))，但曝光方式並未特別限制，亦可為點曝光、或面曝光。光源可使用光硬化所使用之眾所皆知的光源。點曝光方式的情況下，可舉繪圖機式、電磁雷射(或電磁掃描器)方式、SLA(光固化成形)方式等為例。面曝光方式的情況下，使用投影機作為光源是為簡便。投影機可例示如LCD(透射型液晶)方式、LCoS(反射型液晶)方式、及DLP(登錄商標Digital Light Processing)方式等。曝光波長可視光硬化性材料成分之種類等適當選擇。

[光硬化性材料] 容納於光固化成形用承盤之光硬化性材料只要為具光固化成形中使用之流動性的光硬化性材料即可，不用特別限制即可使用。光硬化性材料包含例如光硬化性單體、光硬化性前驅物(光硬化性寡聚物、光硬化性預聚物等)，更有包含光聚合起始劑的情況。光硬化性材料通常於室溫(例如20~35℃)下為液狀。

光硬化性單體使用藉由光照射產生之自由基或陽離子等作用而可硬化或聚合的單體。自由基聚合光硬化性單體以具複數個聚合性之官能基的多官能性單體為佳。光硬化性單體中聚合性官能基之個數為例如2~8個。聚合性官能基可例示如乙烯基、烯丙基等具聚合性碳-碳不飽和鍵之基、環氧基等。

更具體而言，光硬化性單體可舉丙烯酸系單體等自由基聚合性單體、環氧系單體、乙烯系單體、二烯系單體等陽離子聚合性單體等為例。光硬化性單體可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。

丙烯酸系單體使用例如多元醇之(甲基)丙烯酸酯。多元醇可為例如脂肪族多元醇，亦可具有芳香環或脂肪族環。再者，本說明書中將丙烯酸酯(acrylic ester)及甲基丙烯酸酯(methacrylic ester)統稱作(甲基)丙烯酸酯((meth)acrylic ester)或(甲基)丙烯酸酯 ((meth)acrylate))。

乙烯系單體可例示如多元醇聚(乙烯醚)等乙烯醚、苯乙烯等芳香族乙烯單體、乙烯烷氧基矽烷等。構成多元醇聚(乙烯醚)之多元醇可例示如丙烯酸系單體中例示的多元醇。 二烯系單體可舉異戊二烯、丁二烯等為例。

環氧系單體可舉分子內具2個以上環氧基之化合物為例。環氧系單體亦可為例如包含環氧環己烷環或2,3-環氧丙氧基。

光硬化性前驅物可例示如前述例示之光聚合性單體的寡聚物、胺甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物、苯二甲酸二烯丙酯預聚物等。該等藉由光聚合可更高分子量化。苯二甲酸二烯丙酯預聚物為複數個苯二甲酸二烯丙酯單元相連之寡聚物或聚合物。苯二甲酸二烯丙酯預聚物可包含一種苯二甲酸二烯丙酯單元，亦可包含二種以上之苯二甲酸二烯丙酯單元。所謂二種以上之苯二甲酸二烯丙酯單元可舉烯丙氧基羰基之取代位置相異之複數個苯二甲酸二烯丙酯單元為例。再者，亦可使用包含鄰苯二甲酸二烯丙酯單元之鍵結鏈的鄰型苯二甲酸二烯丙酯預聚物、包含間苯二甲酸二烯丙酯單元之鍵結鏈的異型苯二甲酸二烯丙酯預聚物等。

光硬化性前驅物之重量平均分子量為例如5,000~150,000，亦可為10,000~150,000或30,000~150,000。 本說明書中，平均分子量為藉由膠透層析測定之聚苯乙烯基準的平均分子量。

使用包含具非芳香族性骨架(例如脂肪族骨架及/或脂環族骨架)之硬化性樹脂的光硬化性材料的情況，容易滲透至以往矽酮橡膠製等之脫模層。因此，重複形成光硬化圖案與自脫模層之剝離中，脫模層之白化等劣化將變得顯著，脫模性受損。若於如此狀態下剝離光硬化圖案，將對脫模層施加大之剝離應力，脫模層將自光固化成形用承盤剝離。相對於此，依據本發明之前述態樣，即使於使用包含具非芳香族性骨架之硬化性樹脂的光硬化性材料的情況，仍可抑制滲透至第1層，故可抑制第1層之劣化，可抑制自第1層之基底層的剝離。

光聚合起始劑藉由光作用而活性化，使光硬化性單體及/或前驅物開始聚合。光聚合起始劑例如藉由光作用產生自由基以外，並藉由光作用生成酸(或陽離子)者。光聚合起始劑可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。光聚合起始劑為光硬化性單體型態，例如可適當選擇為自由基聚合性、或陽離子聚合性等。自由基聚合起始劑(自由基光聚合起始劑)可舉烷基苯酮系光聚合起始劑、醯基膦氧化物系光聚合起始劑等為例。

光硬化性材料亦可更包含其他眾所皆知的硬化性樹脂等。 又，光硬化性材料可包含眾所皆知的添加劑。

[光固化成形用承盤之製造方法] 前述態樣之光固化成形用承盤可藉由以下製造方法製造，該製造方法包含：準備承盤本體之步驟、形成作為第1層原料之硬化性樹脂組成物之塗膜的步驟、及使塗膜硬化而形成第1層並使之密著於基底層的步驟。於配置第2層的情況，製造方法於塗膜形成步驟前更包含形成第2層之步驟。以下較具體說明各步驟。

(承盤本體之準備步驟) 承盤本體可使用市售，亦可藉由成形構成承盤本體之材料來製造。如此可準備承盤本體。承盤本體之材料可使用前述樹脂及/或玻璃等。於承盤本體為第1層之基底層的情況，當成形承盤本體之際，以使用具可與第1反應性基反應或相互作用之官能基，並且可於成形後之承盤本體的至少表面(特別是內側表面)及其附近殘留官能基之材料為佳。

承盤本體形成為至少底部之曝光面及其附近區域可透射源自光源之光。又，以不需於承盤本體形成如形成供氧窗之孔(或開口部)來準備為佳。

(第2層形成步驟) 第2層形成為覆蓋承盤本體曝光面相反側之面(即，承盤本體之內底面)。於承盤本體之內底面中，第2層形成於至少位於曝光面上之部分即可，亦可如圖2例示般形成為覆蓋內底面整體。又，亦可形成第2層可覆蓋承盤本體之內底面整體，並且覆蓋承盤本體內側壁之一部分。

第2層至少藉由塗布包含樹脂的塗布劑來形成。塗布劑之塗布可於塗布塗布劑後視需要進行乾燥。乾燥可於大氣壓下進行，亦可於減壓下進行。乾燥視需要亦可於加熱下進行。

例如，使用熱塑性樹脂作為樹脂的情況，藉將包含熱塑性樹脂、稀釋其之溶劑及視需要之添加劑等的塗布劑，於承盤本體內底面之至少一部分塗布並乾燥，可形成第2層。

使用硬化性樹脂作為樹脂的情況，藉由使用包含硬化性樹脂、硬化劑、硬化促進劑、硬化催化劑及/或聚合起始劑等及視需要之添加劑等的硬化性樹脂組成物作為塗布劑，並使利用塗布形成之塗膜硬化，可形成第2層。視需要，硬化亦可於加熱下及/或光照射下進行。 硬化性樹脂組成物可為一液硬化型及二液硬化型之任一者。

使用硬化性樹脂組成物之情況下，當形成第1層之際，亦可調節硬化狀態以使第2層成為具有與第1反應性基反應之官能基的狀態。例如，當供於後續塗膜形成步驟之際，亦可調節第2層之硬化狀態為例如半硬化狀態或完全硬化狀態。視需要，硬化性樹脂組成物亦可包含稀釋用之溶劑。溶劑可視硬化性樹脂組成物構成成分之種類等選擇。於使用硬化性樹脂組成物的情況下，亦可視需要於適當之階段下進行乾燥。

乾燥及硬化之溫度及時間可視構成第2層之樹脂種類、所期之硬化狀態、及/或溶劑種類等決定。

當形成第2層之際，亦可使承盤本體具有之官能基與源自構成第2層材料之官能基反應或相互作用。例如，於硬化、乾燥及/或加熱塗布材之際，各官能基間之反應或相互作用進行，形成殘基。藉由形成如此殘基，可提高承盤本體與第2層(及第1層)之密著性。

(塗膜形成步驟) 本步驟中，於基底層上塗布成為第1層原料之硬化性樹脂組成物而形成塗膜。塗膜形成為覆蓋承盤本體曝光面相反側之面(即，承盤本體之內底面)。於承盤本體內底面中，塗膜形成於至少位於曝光面上之部分即可，亦可如圖1或圖2例示般形成為覆蓋內底面整體。又，亦可形成塗膜以覆蓋承盤本體之內底面整體，並且覆蓋承盤本體內側壁之一部分。塗膜可直接形成於承盤本體之預定處，亦可介著第2層形成。

硬化性樹脂組成物包含具已鍵結於矽之第1反應性基的含氟硬化性樹脂，並且於室溫(例如20~35℃)下為液狀即可。視硬化性樹脂之種類，硬化性樹脂組成物可包含硬化劑、硬化促進劑、硬化催化劑、及/或聚合起始劑等。視需要，硬化性樹脂組成物亦可包含添加劑等脫模層使用之眾所皆知的成分等。

硬化性樹脂組成物在25℃下之黏度為例如0.1mPa･s以上且10Pa･s以下，以0.1mPa･s以上且1Pa･s以下為佳，以0.1mPa･s以上且500mPa･s以下更佳。黏度於如此範圍內之情況，將容易形成較均勻之第1層，且容易確保高脫模性。

硬化性樹脂組成物之黏度可使用例如E型黏度計(東機產業公司製，TVE-25)，以下述條件測定。 溫度(循環水之溫度)：25℃ 轉子：錐板(錐角度1°34ˊ) 試樣量：1.0mL 剪切速率：3.83×轉子旋轉數/s 旋轉速度：100rpm

於塗膜形成前藉由使用溶劑稀釋，亦可調節硬化性樹脂組成物之黏度。此時，供塗膜形成使用之硬化性樹脂組成物的黏度以稀釋前述範圍內為佳。溶劑可視硬化性樹脂組成物構成成分之種類等選擇。藉由使用溶劑稀釋，將容易形成較均勻之第1層，容易確保高脫模性。 硬化性樹脂組成物可為一液硬化型及二液硬化型之任一者。

溶劑可較佳地使用具揮發性者，以利於後續密著步驟中去除。溶劑通常使用有機溶劑，但藉由構成成分種類及/或密著步驟溫度等，亦可使用水、或水與有機溶劑之混合物。有機溶劑可舉烴、醇、醚、酯、酮、醯胺、腈、碸等為例。溶劑亦可使用含氟溶劑等含鹵素之溶劑。含鹵素之溶劑通常為有機溶劑，可舉前述例示之有機溶劑中導入有氟原子等鹵素原子者等為例。鹵素原子含有氟原子、氯、碘、及/或溴原子。由與含氟硬化性樹脂之親和性高的觀點觀點來看，以含氟溶劑為佳，亦可為包含氟原子與其他鹵素原子(例如氯原子等)之含鹵素之溶劑。溶劑可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。

形成塗膜後，視需要亦可進行乾燥。乾燥可於大氣壓下進行，亦可於減壓下進行。視需要，乾燥亦可於加熱下進行。

(密著步驟) 本步驟中，使塗膜形成步驟中形成之塗膜(具體而言，塗膜包含之硬化性樹脂組成物)硬化，形成第1層，並且使源自構成基底層材料之官能基與第1反應性基反應或相互作用，使第1層密著於基底層。官能基與第1反應性基之反應或相互作用通常於硬化反應進行之際一起產生，但並未限定於該情況。例如，視需要，亦可更加進行加熱及/或光照射等，以使硬化反應後官能基與第1反應性基之反應或相互作用進行。藉由官能基與第1反應性基反應或相互作用，於基底層與第1層之界面及其附近形成殘基。藉此，可提高第1層與基底層之密著性。

於硬化反應等之間，第1反應性基與基底層之官能基、硬化性樹脂組成物中包含之反應成分等反應。藉此，第1層與光硬化性材料之接觸面中游離之第1反應性基的殘留量降低，確保高脫模性。其中，於使用具烷氧基矽基、矽醇基、及/或乙烯矽基(特別是乙烯矽基)等之含氟硬化性樹脂的情況，已鍵結於矽之第1反應性基於第1層與光硬化性材料之接觸面上有助於確保高脫模性。

硬化性樹脂組成物之硬化，視需要，亦可於加熱下及/或光照射下進行。硬化之溫度及時間可視硬化性樹脂組成物之組成及/或溶劑種類等決定即可。 視需要亦可於本步驟之適當階段進行乾燥。乾燥可於大氣壓下進行，亦可於減壓下進行。乾燥視需要亦可於加熱下進行。

[實施例] 以下，依據實施例及比較例具體說明本發明，但本發明並未受以下實施例所限定。

實施例1~5 於作為承盤本體之丙烯酸樹脂製的托盤(內側之縱16cm×橫16cm×深度4cm)內注入兩末端具氫矽基之矽酮加成型硬化橡膠(Dow Corning Toray(股)製，Sylgard184)，於室溫(25℃)下靜置24小時使其硬化，形成厚度4mm之第2層。再者，以前述順序測定矽酮加成型硬化橡膠之硬化物的蕭氏A硬度為50。

將含氟矽酮加成型硬化橡膠塗布於第2層上，暫時靜置後以80℃加熱1晩使其硬化形成如表1所示厚度的第1層。如此，形成具第1層及作為其基底層之第2層的光固化成形用承盤。再者，以前述順序測定前述含氟矽酮加成型硬化橡膠之硬化物(厚度4mm) 的蕭氏A硬度為31。

再者，以以下順序調製前述含氟矽酮加成型硬化橡膠。 藉由混合將鉑催化劑溶解於溶劑(氫氟醚C ₄F ₉OCH ₃)之溶液(鉑濃度0.5質量%)，與具六氟環氧丙烷單元之重複結構且兩末端具有乙烯矽基之化合物，調製A液。鉑催化劑使用鉑-二乙烯四甲基二矽氧烷錯合物。

藉以溶劑(氫氟醚C ₄F ₉OCH ₃)稀釋具氟化伸烷基單元之重複結構且兩末端具有氫矽基之化合物，調製B液。

藉由混合所得之B液與前述A液，調製含氟矽酮加成型硬化橡膠(彈性體組成物)。

比較例1 與實施例1同樣地於承盤本體內形成第2層。將該未形成第1層而具有該第2層之承盤作為光固化成形用承盤使用。該等以外則進行與實施例1相同的操作。

比較例2 與實施例1同樣地於承盤本體內形成第2層。藉將包含聚四氟乙烯類(PTFE)之氟系塗布劑(住礦潤滑劑(股)製，Sumilon 2250噴霧不含PFOA)塗布於第2層上後使其乾燥，形成厚度20μm之第1層。該等以外則進行與實施例1相同的操作。

>評價> 使用實施例及比較例所得之光固化成形用承盤，以以下順序評價與試樣接觸之層(實施例及比較例2中為第1層、比較例1中為第2層)的脫模性及對與試樣接觸之層之基底層的密著性。

(1)脫模性 相對於二新戊四醇六丙烯酸酯100質量份，添加醯基膦氧化物系光聚合起始劑(BASF公司製，Irgacure819)3質量份，並以80℃加熱，藉此得到均勻之液狀材料(光硬化性材料)。將光硬化性材料容納於光固化成形用承盤後藉由光固化成形製作外徑18mm之圓柱狀試樣。光固化成形使用SLA方式之3D列印機(XYZ PRINTING公司製，Novel1.0A)，以每1層之照射時間10秒及z軸(高度方向)間距100μm的條件進行。

脫模性指標則以目視觀察試樣製作後與試樣接觸之層的狀態或白化程度，以下述基準評價。 A：呈透明，完全未發現白化。 B：與試樣接觸處僅些微變白。 C：與試樣接觸處顯著地變白。 D：將第 1層之硬化物自第1層剝離之際，第1層自第2層剝離，無法三維固化成形。

(2)密著性 於與實施例或比較例2相同製作之光固化成形用承盤的第1層，刻上1格2mm×2mm尺寸之刻痕(橫切)。將切成約75mm長度之寬25mm的透明壓敏黏帶長度方向之中心附近貼附於刻痕部分之中心附近。此時，以手指壓緊、磨擦膠帶至第1層之刻痕部分，使膠帶中心附近之至少長度20mm的部分為平整。於附著膠帶後之5分鐘內剝離。此時，於貼附膠帶之切割部分求出剝離後部分的比率(%)，以下述基準評價密著性。剝離部分之比率越少，顯示密著性越高。 A：剝離部分之比率為0%。 B：剝離部分之比率超過0%為50%以下。 C：剝離部分之比率超過50%。 於表1顯示實施例及比較例之評價結果。

[表1]

比較例1中圓柱狀試樣之高度為10cm時，於與試樣接觸之層發現白化，高度為15cm時，發現顯著之白化。比較例2中脫模性之評價方面，於將第1層之硬化物自第1層剝離之際，第1層將自第2層剝離，無法繼續進行固化成形。又，比較例2中密著性試驗方面，第1層全部剝離(剝離部分之比率為100%)。

相對於此，實施例中相較於比較例，脫模性及密著性大幅提升。實施例1~4中即使形成高度20cm之圓柱狀試樣，仍未發現與試樣接觸之第1層白化。實施例5中於形成高度15cm之圓柱狀試樣後，與第1層表面之試樣接觸的部分僅些微變白。又，實施例中完全未發現第1層之剝離，可確保高密著性。如此結果可視為藉由基底層材料之氫矽基與第1層材料之乙烯矽基的加成反應，而大幅提升第1層與基底層之密著性。 產業上之可利用性

本發明前述態樣之光固化成形用承盤於光固化成形中，容易自配置於承盤內底面之第1層剝離硬化物，即使重複使用仍可抑制第1層自基底層剝離。因此，可作為用以容納使用3D列印機等之三維光固化成形裝置所使用之光硬化性材料的承盤(或樹脂槽)。

1,11,101:光固化成形用承盤 1a,11a,101a:曝光面 1b,11b,101b:承盤本體之底部 1c,11c,101c:承盤本體 1d,11d:第1層 101d:脫模層 11e:第2層 102:光硬化性材料 102a:液膜 102b:二維圖案 104:平台 104a:圖案形成面 105:光源 L:光

圖1係本發明一實施形態之光固化成形用承盤的概略縱截面圖。 圖2係本發明其他實施形態之光固化成形用承盤的概略縱截面圖。 圖3係用以說明一般懸吊方式之光固化成形圖案化方法之步驟的截面模式圖。

11: 光固化成形用承盤 11a: 曝光面 11b: 承盤本體之底部 11c: 承盤本體 11d: 第1層 11e: 第2層

Claims (14)

1. 一種光固化成形用承盤，用以容納光固化成形中具流動性之光硬化性材料，具有：承盤本體，其具曝光面；及第1層，其覆蓋前述承盤本體之前述曝光面相反側的面，且具與前述光硬化性材料之接觸面；其中前述第1層由包含含氟硬化性樹脂的組成物之硬化物構成，該含氟硬化性樹脂具直接或間接鍵結於矽之第1反應性基；於前述第1層與前述第1層之基底層的界面及其附近，存在源自構成前述基底層之材料的官能基與前述第1反應性基反應或相互作用後之殘基；且前述官能基包含直接或間接鍵結於矽之第2反應性基；前述殘基係藉由前述第1反應性基與前述第2反應性基之加成反應形成。
2. 一種光固化成形用承盤，其用以容納光固化成形中具流動性之光硬化性材料，具有：承盤本體，其具曝光面；及第1層，其覆蓋前述承盤本體之前述曝光面相反側的面，且具與前述光硬化性材料之接觸面；其中前述第1層由包含含氟硬化性樹脂的組成物之硬化物構成，該含氟硬化性樹脂具直接或間接鍵結於矽之第1反應性基； 於前述第1層與前述第1層之基底層的界面及其附近，存在源自構成前述基底層之材料的官能基與前述第1反應性基反應或相互作用後之殘基；前述第1層由含氟矽酮橡膠構成；且前述基底層包含矽酮橡膠。
3. 如請求項2之光固化成形用承盤，其中前述官能基包含直接或間接鍵結於矽之第2反應性基。
4. 如請求項3之光固化成形用承盤，其中前述殘基係藉由前述第1反應性基與前述第2反應性基之加成反應形成。
5. 如請求項1至4中任一項之光固化成形用承盤，其中前述基底層為前述承盤本體、或為配置於前述承盤本體與前述第1層間且包含樹脂的第2層。
6. 如請求項5之光固化成形用承盤，其中前述基底層為前述第2層，前述第1層厚度相對於前述第2層厚度之比為0.001~1。
7. 如請求項1至4中任1項之光固化成形用承盤，其中前述第1層厚度為1μm以上且1000μm以下。
8. 如請求項1至4中任1項之光固化成形用承盤，其中前述硬化物於23℃下之蕭氏A硬度為60以下。
9. 一種光固化成形用承盤之製造方法，係製造如請求項1至8中任1項之光固化成形用承盤，該方法包含以下步驟： 準備承盤本體之步驟，該承盤本體具曝光面；以覆蓋前述承盤本體之前述曝光面相反側的面的方式塗布硬化性樹脂組成物而形成塗膜之步驟，該硬化性樹脂組成物包含具直接或間接鍵結於矽之第1反應性基的含氟硬化性樹脂；及使前述塗膜硬化，形成具與前述光硬化性材料之接觸面的第1層，並且使源自構成前述第1層基底層之材料的官能基與前述第1反應性基反應或相互作用，而使前述第1層密著於前述基底層的步驟。
10. 請求項9之光固化成形用承盤之製造方法，其在前述塗膜形成步驟之前，更包含以覆蓋前述承盤本體之前述曝光面相反側的面的方式形成包含樹脂之第2層的步驟；且係以前述第2層作為前述基底層來形成前述第1層。
11. 如請求項10之光固化成形用承盤之製造方法，其中前述硬化性樹脂組成物於25℃下具有0.1mPa．s以上且10Pa．s以下之黏度。
12. 如請求項11之光固化成形用承盤之製造方法，其在前述塗膜形成步驟之前，使用溶劑進行稀釋，藉此調節前述硬化性樹脂組成物之黏度。
13. 如請求項12之光固化成形用承盤之製造方法，其中前述溶劑包含含氟溶劑。
14. 一種光固化成形用承盤之製造方法，係製造在光固化成形中用以容納具流動性之光硬化性材料之 光固化成形用承盤，該方法包含以下步驟：準備承盤本體之步驟，該承盤本體具曝光面；以覆蓋前述承盤本體之前述曝光面相反側的面的方式塗布硬化性樹脂組成物而形成塗膜之步驟，該硬化性樹脂組成物包含具直接或間接鍵結於矽之第1反應性基的含氟硬化性樹脂，且該硬化性樹脂組成物於25℃下具有0.1mPa．s以上且10Pa．s以下之黏度；及使前述塗膜硬化，形成具與前述光硬化性材料之接觸面的第1層，並且使源自構成前述第1層基底層之材料的官能基與前述第1反應性基反應或相互作用，而使前述第1層密著於前述基底層的步驟；並且，該方法在前述塗膜形成步驟之前，更包含以覆蓋前述承盤本體之前述曝光面相反側的面的方式形成包含樹脂之第2層的步驟；前述第1層係以前述第2層作為前述基底層來形成，在前述塗膜形成步驟之前，使用包含含氟溶劑的溶劑進行稀釋，藉此調節前述硬化性樹脂組成物之黏度。

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