TWI701237B - 有機分子，特別是用於有機光電器件的有機分子 - Google Patents

有機分子，特別是用於有機光電器件的有機分子 Download PDF

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Abstract

本發明涉及有機分子，特別是用於光電器件中的有機分子。根據本發明，所述有機分子包含：- 具有式I的結構的第一化學單元
Figure 106128787-A0202-11-0001-1
和- 在每次出現時相同或不同的、各自具有式II的結構的兩個第二化學單元
Figure 106128787-A0202-11-0001-2
其中所述第一化學單元經由單鍵結合至所述兩個第二 化學單元的各個上；其中T、V獨立地為式I的化學單元與第二化學單元之間的單鍵的連接位置、或為H；W、X、Y獨立地為式I的化學單元與第二化學單元之間的單鍵的連接位置、或選自由H、CN和CF3組成的組，其中恰好一個選自W、X和Y的基團為CN或CF3並且恰好兩個選自由T、V、W、X和Y組成的組的基團為第一化學單元與第二化學單元之間的單鍵的連接位置。

Description

有機分子，特別是用於有機光電器件的有機分子
本發明涉及純的有機分子，並且涉及其在有機發光二極體(OLED)中和在其它有機光電器件中的用途。
本發明要解決的問題是提供適用於光電器件中的分子。
該問題通過本發明來解決，本發明提供了新一類的有機分子。
根據本發明的有機分子是純的有機分子，即不具有任何金屬離子，由此區別於已知用於有機光電器件中的金屬配合物。
根據本發明的有機分子在藍色、天藍色或綠色光譜區中的發光是顯著的。根據本發明的有機分子的光致發光量子產率特別地為20%以上。根據本發明的分子特別地展現熱活性化延遲螢光(TADF)。根據本發明的分子在光電器件，例如有機發光二極體(OLED)中的使用導致較高的器 件效率。對應的OLED具有與使用已知的發射體材料的OLED相比更高的穩定性和相當的顏色。
這裡理解藍色光譜區是指從420nm至470nm的可見範圍。這裡理解天藍色光譜區是指從470nm至499nm的範圍。這裡理解綠色光譜區是指從500nm至599nm的範圍。這裡的發射最大值在各個範圍內。
所述有機分子包括：包括式I的結構或由式I的結構組成的第一化學單元：
Figure 106128787-A0202-12-0002-5
和-在每次出現時相同或不同的、各自包括式II的結構或由式II的結構組成的兩個第二化學單元D，
Figure 106128787-A0202-12-0002-6
在這些分子中，第一化學單元經由單鍵結合至兩個第二化學單元的各個上。
T為式I的化學單元與化學單元D之間的單鍵的連接位置、或為H。
V為式I的化學單元與化學單元D之間的單鍵的連接位置、或為H。
W為式I的化學單元與化學單元D之間的單鍵的連接位置、或選自由H、CN和CF3組成的組。
X為式I的化學單元與化學單元D之間的單鍵的連接位置、或選自由H、CN和CF3組成的組。
Y為式I的化學單元與化學單元D之間的單鍵的連接位置、或選自由H、CN和CF3組成的組。
#為各個化學單元D與式I的化學單元之間的單鍵的連接位置。
Z在每次出現時相同或不同，並且為直接鍵或選自由CR3R4、C=CR3R4、C=O、C=NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)和S(O)2組成的組。
R1在每次出現時相同或不同，並且為H；氘；具有1至5個碳原子的直鏈烷基，具有2至8個碳原子的直鏈烯基或炔基，具有3至10個碳原子的支鏈或環狀的烷基、烯基或炔基，其中一個或多個氫原子可以由氘替代；或具有5至15個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的芳香族環體系或雜芳族環體系。
Ra、R3和R4在每次出現時相同或不同，並且為H；氘；N(R5)2；OH；Si(R5)3；B(OR5)2；OSO2R5；CF3；CN；F；Br；I；具有1至40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有2至40個碳原子的直鏈烯基或炔基，或具有3至40個碳原子的支鏈或環狀的烷基、烯基、 炔基、烷氧基或硫代烷氧基，它們各自可以由一個或多個R5基團取代，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代，並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；或具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳香族環體系或雜芳族環體系，或具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳氧基或雜芳氧基；或具有10至40個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的二芳基氨基、二雜芳基氨基或芳基雜芳基氨基。
R5在每次出現時相同或不同，並且為H；氘；N(R6)2；OH；Si(R6)3；B(OR6)2；OSO2R6；CF3；CN；F；Br；I；具有1至40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有2至40個碳原子的直鏈烯基或炔基，或具有3至40個碳原子的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，它們各自可以由一個或多個R6基團取代，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6來替代，並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2替代；或具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的芳香族環體系或雜芳族環體系；或具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R6基 團取代的芳氧基或雜芳氧基；或具有10至40個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的二芳基氨基、二雜芳基氨基或芳基雜芳基氨基。
R6在每次出現時相同或不同，並且為H；氘；OH；CF3；CN；F；具有1至5個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有2至5個碳原子的直鏈烯基或炔基，或具有3至5個碳原子的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；或具有5至60個芳香族環原子的芳香族環體系或雜芳族環體系；或具有5至60個芳香族環原子的芳氧基或雜芳氧基；或具有10至40個芳香族環原子的二芳基氨基、二雜芳基氨基或芳基雜芳基氨基。
根據本發明，Ra、R3、R4或R5基團各自與一個或多個另外的Ra、R3、R4或R5基團可以形成單環或多環的、脂肪族、芳香族和/或苯並稠合的環體系。
根據本發明，恰好一個選自由W、X和Y的基團為CN或CF3並且恰好兩個選自由T、V、W、X和Y組成的組的基團為式I的化學單元與化學單元D之間的單鍵的連接位置。
在一個實施方案中，R1在每次出現時相同或不同，並且為H、甲基或苯基。
在一個實施方案中，W為CN。
在所述有機分子的進一步實施方案中，化學基團D在每次出現時相同或不同，並且包括式IIa的結構或由式IIa的結構組成：
Figure 106128787-A0202-12-0006-7
其中式I和II的定義適用於#和Ra。
在根據本發明的有機分子的進一步實施方案中，化學單元D在每次出現時相同或不同，並且包括式IIb的結構、式IIb-2的結構、式IIb-3的結構或式IIb-4的結構、或由式IIb的結構、式IIb-2的結構、式IIb-3的結構或式IIb-4組成：
Figure 106128787-A0202-12-0006-8
其中R5在每次出現時相同或不同，並且為N(R5)2；OH；Si(R5)3；B(OR5)2；OSO2R5；CF3；CN；F；Br；I；具有1至40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有2至40個碳原子的直鏈烯基或炔基，或具有3至40個碳原子的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，它們各自可以由一個或多個R5基團取代，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代，並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2替代； 或具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳香族環體系或雜芳族環體系；或具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳氧基或雜芳氧基；或具有10至40個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的二芳基氨基、二雜芳基氨基或芳基雜芳基氨基。對於其餘的，以上給出的定義是適用的。
在根據本發明的有機分子的進一步實施方案中，化學單元D在每次出現時相同或不同，並且包括式IIc的結構、式IIc-2的結構、式IIc-3的結構或式IIc-4的結構、或由式IIc的結構、式IIc-2的結構、式IIc-3的結構或式IIc-4的結構組成：
Figure 106128787-A0202-12-0007-10
其中以上給出的定義是適用的。
在根據本發明的有機分子的進一步實施方案中，Rb在每次出現時獨立地選自由以下組成的組：Me；iPr；tBu；CN；CF3；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的Ph；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的吡啶基；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的嘧啶基；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的咔唑基；可以分別被選 自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的三嗪基；和N(Ph)2。
以下為化學基團D的示例性實施方案：
Figure 106128787-A0202-12-0008-11
Figure 106128787-A0202-12-0009-12
Figure 106128787-A0202-12-0010-13
其中以上給出的定義適用於#、Z、Ra、R3、R4和R5。在一個實施方案中，R5基團在每次出現時相同或不同，並且選自由H、甲基、乙基、苯基和2,4,6-三甲苯基組成的組。在一個實施方案中，Ra在每次出現時相同或不同，並且選自由H、甲基(Me)、異丙基(CH(CH3)2)(iPr)、叔丁基(tBu)、苯基(Ph)、CN、CF3和二苯胺(NPh2)組成的組。
在一個實施方案中，根據本發明的有機分子具有式III的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0010-14
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IIIa的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0011-15
其中Rc在每次出現時獨立地選自由以下組成的組：Me；iPr；tBu；CN；CF3；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的Ph；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的吡啶基；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的嘧啶基；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的咔唑基；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的三嗪基；和N(Ph)2。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IIIb的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0012-16
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IIIc的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0012-18
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IIId的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0012-19
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IIIe的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0013-20
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IIIf的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0013-221
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IIIg的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0013-22
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IIIh的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0014-23
其中以上給出的定義是適用的。
在一個實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IV的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0014-24
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IVa的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0015-25
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IVb的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0015-26
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IVc的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0015-28
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IVd的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0016-29
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IVe的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0016-30
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IVf的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0017-31
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IVg的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0017-32
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式IVh的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0017-33
其中以上給出的定義是適用的。
在一個實施方案中，根據本發明的有機分子包括式V的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0018-34
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式Va的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0018-35
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式Vb的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0019-36
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式Vc的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0019-37
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式Vd的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0019-38
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式Ve的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0020-39
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式Vf的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0020-40
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式Vg的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0021-41
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式Vh的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0021-42
其中以上給出的定義是適用的。
在一個實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VI的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0021-222
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIa的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0022-44
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIb的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0022-46
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIc的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0023-47
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VId的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0023-48
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIe的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0023-49
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIf的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0024-50
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIg的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0024-51
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIh的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0025-52
其中以上給出的定義是適用的。
在一個實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VII的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0025-54
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIIa的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0026-55
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIIb的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0026-56
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIIc的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0027-57
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIId的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0027-58
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIIe的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0028-59
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIIf的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0028-60
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIIg的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0028-61
其中以上給出的定義是適用的。
在進一步實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIIh的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0029-62
其中以上給出的定義是適用的。
在一個實施方案中，根據本發明的有機分子包括式VIII的結構：
Figure 106128787-A0202-12-0029-63
其中以上給出的定義是適用的。
在一個實施方案中，Rc在每次出現時獨立地選自由以下組成的組：Me；iPr；tBu；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的Ph；和可以分別被選自Me、iPr、tBu和Ph的一種以上的基團取代的咔 唑基。
在本發明的上下文中，芳基包括6至60個芳香族環原子；雜芳基包括5至60個芳香族環原子，它們的至少之一是雜原子。該雜原子特別地為N、O和/或S。在本發明的特定實施方案的說明中，如果給出偏離提及的定義的其它定義，例如對於存在的芳香族環原子的數目或雜原子的數目，則這些是適用的。
理解芳基或雜芳基是指單一的芳香族環，即，苯；或單一的雜芳族環，例如吡啶、嘧啶或噻吩；或雜芳族多環，例如菲、喹啉、或咔唑。本發明的上下文中的稠合(增環(annelated))的芳香族多環或雜芳族多環由兩個以上的相互縮合的單一的芳香族環或雜芳族環組成。
特別地理解可以分別被上述基團取代且可以經由任意期望的位置結合至芳香族體系或雜芳族體系的烷基或雜芳基是指來源自以下的基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、
Figure 106128787-A0202-12-0030-220
、苝、熒蒽、苯並蒽、苯並菲、並四苯、並五苯、苯並芘、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩；吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩噁嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑(naphthimidazole)、菲並咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶並咪唑(pyridimidazole)、吡嗪並咪唑(pyrazinimidazole)、喹啉並咪唑(quinoxalinimidazole)、噁唑、苯並噁唑、萘 並噁唑(naphthoxazole)、蒽並噁唑(anthroxazole)、菲並噁唑(phenanthroxazole)、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、噠嗪、苯並噠嗪、嘧啶、苯並嘧啶、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯並咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、蝶啶、中氮茚和苯並噻二唑，或提及的基團的組合。
這裡理解環狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基是指單環狀、二環狀或多環狀的基團。
在本發明的上下文中，理解其中各個氫原子或CH2基團也可以由上述基團取代的C1-至C40-烷基是指例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、環戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、環己基、1-甲基環戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環庚基、1-甲基環己基、正辛基、2-乙基己基、環辛基、1-二環[2.2.2]辛基、2-二環[2.2.2]-辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1- 二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)環己-1-基、1-(正丁基)環己-1-基、1-(正己基)環己-1-基、1-(正辛基)環己-1-基和1-(正癸基)環己-1-基基團。理解烯基是指例如，乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、或環辛二烯基。理解炔基是指例如，乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。理解C1-至C40-烷氧基是指例如，甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。
本發明的一個實施方案涉及有機分子，其最低的激發單線態(S1)與在它下面的三線態(T1)之間的△E(S1-T1)值不大於5000cm-1，特別是不大於3000cm-1，或不大於1500cm-1，或1000cm-1，和/或其發射壽命不大於150μs，特別是不大於100μs，不大於50μs，或不大於10μs，和/或其具有半高寬的主發射帶小於0.55eV，特別是小於0.50eV，小於0.48eV，或小於0.45eV。
有機分子特別地展現在420nm與500nm之間，在430nm與480nm之間，特別是在450nm與470nm之間的發射最大值。
所述分子特別地具有藍色材料指數(BMI)、PLQY的係數(以%計)、和大於150，特別是大於200，大於250或大於 300的由根據本發明的分子發射的光的CIEy色座標。
在進一步方面中，本發明涉及這裡描述的種類的根據本發明的有機分子(具有可能的進一步轉換)的製備方法，其中將2,4,6-R1-取代的3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸或對應的2,4,6-R1-取代的3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸酯用作反應物。
Figure 106128787-A0202-12-0033-64
在以上方案中，在一個實施方案中，化學CN基團由CF3來替代。
在一個實施方案中，作為反應物的2,4,6-R1-取代的3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸或對應的2,4,6-R1-取代的3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸酯在鈀催化的交叉偶聯反應與溴二氟苄腈反應。依照本發明，通過實例的方式，這裡可以使用：4-溴-2,6-二氟苄腈、4-溴-2,5-二氟苄腈、4-溴-3,5-二氟苄腈、3-溴-2,6-二氟苄腈、3-溴-5,6-二氟苄腈和2-溴- 4,5-二氟苄腈。產物通過對應的胺的去質子化，接著的兩個氟基團的親核取代來獲得。在此情況下，氮雜環以親核芳香族取代的方式與反應物E1反應。典型的條件包括在質子惰性的極性溶劑，例如二甲亞碸(DMSO)或N,N-二甲基甲醯胺(DMF)中使用堿，例如磷酸三鉀或氫化鈉。
在進一步方面中，本發明涉及有機分子的用途，所述有機分子在有機光電器件中作為發光性發射體或作為主體材料，特別是其中所述有機光電器件選自由以下組成的組：‧有機發光二極體(OLED)，‧發光性電化學電池，‧OLED感測器，特別是與外部不是氣密密封的氣體感測器和蒸汽感測器，‧有機二極體，‧有機太陽能電池，‧有機電晶體，‧有機場效應電晶體，‧有機雷射器，和‧降頻轉換元件。
在進一步方面中，本發明涉及組合物，其包括以下或由以下組成：(a)至少一種根據本發明的有機分子，尤其作為發射體和/或主體的所述有機分子，和(b)至少一種、即一種或多種的除了根據本發明的有機分子以外的發射體和/或主體材料，和(c)任選的一種以上的染料和/或一種以上的有機溶劑。
在一個實施方案中，根據本發明的組合物由根據本發明的有機分子和一種以上的主體材料組成。主體材料特別地具有在能量上與根據本發明的有機分子的三線態(T1)和單線態(S1)能量水準相比更高的三線態(T1)和單線態(S1)能量水準。在一個實施方案中，根據本發明的組合物以及有機分子包括電子主導和空穴主導的主體材料。空穴主導的主體材料的最高佔有軌道(HOMO)和最低未占軌道(LUMO)特別地在能量上與電子主導的主體材料相比更高。空穴主導的主體材料的HOMO在能量上與根據本發明的有機分子的HOMO相比更低，而電子主導的主體材料的LUMO在能量上與根據本發明的有機分子的LUMO相比更高。為了避免發射體與主體材料之間的激基複合物(Exciplex)的形成，應該以各軌道間的能隙小的方式選擇材料。電子主導的主體材料的LUMO與根據本發明的有機分子的LUMO之間的差特別地小於0.5eV，優選地小於0.3eV，甚至更優選地小於0.2eV。空穴主導的主體材料的HOMO與根據本發明的有機分子的HOMO之間的差特別地小於0.5eV，優選地小於0.3eV，甚至更優選地小於0.2eV。
在進一步方面中，本發明涉及包括根據本發明的有機分子或根據本發明的組合物的有機光電器件。有機光電器件特別是採用選自由以下組成的組的器件的形式：有機發 光二極體(OLED)；發光性電化學電池；OLED感測器，特別是與外部不是氣密密封的氣體感測器和蒸汽感測器；有機二極體；有機太陽能電池；有機電晶體；有機場效應電晶體；有機雷射器和降頻轉換元件。
本發明的進一步實施方案是有機光電器件，其包括：-基板，-陽極，和-陰極，其中陽極或陰極被施加在基板上，和-至少一發光層，其施加在陽極和陰極之間，而且包含根據本發明的有機分子。
在一個實施方案中，光電器件為OLED。典型的OLED包括例如，以下層結構：
1.基板(Substrate)(載體材料)
2.陽極(Anode)
3.空穴注入層(Hole injection layer)(HIL)
4.空穴傳輸層(Hole transport layer)(HTL)
5.電子阻擋層(Electron blocking layer)(EBL)
6.發射層(Emitting layer)(EML)
7.空穴阻擋層(Hole blocking layer)(HBL)
8.電子傳輸層(Electron transport layer)(ETL)
9.電子注入層(Electron injection layer)(EIL)
10.陰極(Cathode)。
這裡的各層僅以任選方式存在。另外，這些層的兩種以上可以組合。並且對於各層來說，可以在器件中存在大 於一次。
在一個實施方案中，有機器件的至少一個電極是半透明(translucent)的。"半透明"這裡是指對可見光透明的層。這裡的半透明層可以是清晰(clear)和透明(see-through)的，即，透明的(transparent)，或至少部分光吸收和/或部分的光散射，以致例如，半透明層也可以具有漫反射(diffuse)或乳白色的外觀。更特別地，這裡稱為半透明的層是實質上非常透明的，以致特別地，光的吸收儘量低。
在進一步實施方案中，有機器件，特別是OLED包括反轉結構。反轉結構的特徵在於：陰極在基板上，並且其它層以相應地反轉的方式施加。
1.基板(載體材料)
2.陰極
3.電子注入層(EIL)
4.電子傳輸層(ETL)
5.空穴阻擋層(HBL)
6.發光層/發射層(EML)
7.電子阻擋層(EBL)
8.空穴傳輸層(HTL)
9.空穴注入層(HIL)
10.陽極。
這裡的各層僅以任選方式存在。另外，這些層的兩種以上可以組合。並且對於各層來說，可以在器件中存在大 於一次。
在一個實施方案中，在反轉的OLED中，典型的結構的陽極層，例如ITO(氧化銦錫)層連接為陰極。
在進一步實施方案中，有機器件，特別是OLED具有層疊結構(stacked structure)。這裡的各個OLED通常配置為一個在另一個的頂部上，並且不是一個在另一個旁邊。層疊結構可以確保混合光的產生。例如，該結構可以用於產生白光，所述白光通過形成整個可見光譜，典型地通過從藍色、綠色和紅色發射體發出的光的組合來生產。另外，在實際上相同的效率和等同的亮度(luminance)的情況下，可以實現與標準OLED相比明顯更長的壽命。對於層疊結構，任選地可以使用所謂的兩個OLED之間的電荷產生層(CGL)。這由n-摻雜層和p-摻雜層組成，n-摻雜層典型地施加更接近於陽極。
在一個實施方案-所謂的串聯OLED中，在陽極與陰極之間設置兩個以上的發射層。在一個實施方案中，三個發射層配置為一個在另一個頂部上，其中一個發射層發出紅光，一個發射層發出綠光並且一個發射層發出藍光，並且任選地存在施加在各個發射層之間的另外的電荷產生層、電荷阻擋層或電荷傳輸層。在進一步實施方案中，各個發射層以直接鄰接方式施加。在進一步實施方案中，在發射層之間在每種情況下存在一個電荷產生層。另外，在OLED中，可以直接組合鄰接的發射層和由電荷產生層分隔的發射層。
也可以在電極和有機層的頂部上配置封裝。例如，封裝可以採用玻璃蓋的形式或採用薄膜封裝的形式。
用於光電器件中的載體材料可以為例如玻璃、石英、塑膠、金屬、矽晶片或任意其它適當的固體，或柔軟、任選透明的材料。載體材料可以包括例如層、膜、片或層疊體形式的一種或多種材料。
用於光電器件中的陽極可以為例如透明的導電性金屬氧化物，例如ITO(氧化銦錫)、氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦、或氧化鋁鋅(AZO)、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12、或不同的透明的導電性氧化物的混合物。
使用的HIL材料可以為例如PEDOT：PSS(聚-3,4-乙撐二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸)、PEDOT(聚-3,4-乙撐二氧噻吩)、m-MTDATA(4,4',4"-三[苯基(間甲苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD(2,2',7,7'-四(N,N-二苯基氨基)-9,9-螺雙芴)、DNTPD(4,4'-雙[N-[4-{N,N-雙(3-甲基苯基)氨基}苯基]-N-苯基氨基]聯苯)、NPB(N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-聯苯)-4,4'-二胺)、NPNPB(N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二苯基氨基)苯基]苯)、MeO-TPD(N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)苯)、HAT-CN(1,4,5,8,9,11-六氮雜三亞苯基六腈)或螺-NPD(N,N'-二苯基-N,N'-雙(1-萘基)-9,9'-螺雙芴-2,7-二胺)。通過實例的方式，層厚度為10-80nm。另外，可以使用小分子(例如，銅酞菁(CuPc，例如厚度10nm))或金屬氧化物，通過實例的方式，為MoO3、V2O5。
使用的HTL材料可以為叔胺類、咔唑衍生物、聚苯乙烯磺酸摻雜的聚乙撐二氧噻吩、樟腦磺酸摻雜的聚苯胺、聚-TPD(聚(4-丁基苯基二苯胺)、[α]-NPD(聚(4-丁基苯基二苯胺))、TAPC(4,4'-環己二烯基雙[N,N-雙(4-甲基苯基)苯胺])、TCTA(三(4-咔唑-9-基苯基)胺)、2-TNATA(4,4',4"-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD、DNTPD、NPB、NPNPB、MeO-TPD、HAT-CN或TrisPcz(9,9'-二苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9'H-3,3'-二咔唑)。通過實例的方式，層厚度為10nm至100nm。
HTL可以包括在有機空穴傳導基體中具有無機或有機摻雜物的p摻雜層。使用的無機摻雜物可以為例如過渡金屬氧化物，例如氧化釩、氧化鉬或氧化鎢。使用的有機摻雜物可以為例如四氟四氰基喹啉二甲烷(F4-TCNQ)、五氟苯甲酸銅(Cu(I)pFBz)或過渡金屬配合物。通過實例的方式，層厚度為10nm至100nm。
使用的電子阻擋層材料可以為例如，mCP(1,3-雙(咔唑-9-基)苯)、TCTA、2-TNATA、mCBP(3,3-二(9H-咔唑-9-基)聯苯)、tris-Pcz(9,9'-二苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9'H-3,3'-二咔唑)、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-雙(三苯基甲矽烷基)-9H-咔唑)或DCB(N,N'-二咔唑基-1,4-二甲基苯)。通過實例的方式，層厚度為10nm至50nm。
發射層EML或發光層由以下組成或包括以下：發射體材料或包括至少兩種發射體材料和任選地一種或多種主體材料的混合物。適當的主體材料為例如，mCP、TCTA、 2-TNATA、mCBP、CBP(4,4'-雙(N-咔唑基)聯苯)、Sif87(二苯並[b,d]噻吩-2-基-三苯基矽烷)、Sif88(二苯並[b,d]噻吩-2-基)二苯基矽烷)、9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯並噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-雙(2-二苯並呋喃基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-雙(2-二苯並苯硫基)苯基]-9H-咔唑、T2T(2,4,6-三(聯苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三苯基-3-基)-1,3,5-三嗪)、TST(2,4,6-三(9,9'-螺雙芴-2-基)-1,3,5-三嗪)和/或DPEPO(雙[2-((氧)二苯基膦基)苯基]醚)。在一個實施方案中，EML包括：以重量計50%-80%、優選以重量計60%-75%的選自由以下組成的組的主體材料：CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑，9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑，9-[3-(二苯並噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑，9-[3,5-雙(2-二苯並呋喃基)苯基]-9H-咔唑和9-[3,5-雙(2-二苯並苯硫基)苯基]-9H-咔唑；以重量計10%-45%、優選以重量計15%-30%的T2T；和以重量計5%-40%、優選以重量計10%-30%的根據本發明的有機分子作為發射體。對於發出綠色或紅色的發射體材料或包括至少兩種發射體材料的混合物，標準基體材料是合適的，例如CBP。對於發出藍色的發射體材料或包括至少兩種發射體材料的混合物，可以使用UHG基體材料(超高能隙材料)(參見，例如，M.E.Thompson等，Chem.Mater.2004,16,4743)或其它所謂的寬間隙基體材料。通過實例的方式，層厚度為10nm至250nm。
空穴阻擋層HBL可以包括例如，BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉=浴銅靈(bathocuproin))、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-苯基苯酚)鋁(III)(BAlq)、NBphen(2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)、T2T、TSPO1(二苯基-4-三苯基甲矽烷基苯基氧化膦)或TCB/TCP(1,3,5-三(N-咔唑基)苯/1,3,5-三(咔唑基)-9-基)苯)。通過實例的方式，層厚度為10nm至50nm。
電子傳輸層ETL可以包括例如，基於AlQ3、TSPO1、BPyTP2(2,7-二(2,2'-二吡啶-5-基)三苯基)、NBPhen、Sif87、Sif88、BmPyPhB(1,3-雙[3,5-二(比啶-3-基)苯基]苯)或BTB(4,4'-雙[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1'-聯苯)的材料。通過實例的方式，層厚度為10nm至200nm。
用於薄的電子注入層EIL中的材料可以為例如，CsF,LiF,8-羥基喹啉鋰(Liq)、Li2O、BaF2、MgO或NaF。
用於陰極層中的材料可以為金屬或合金，例如Al、Al>AlF、Ag、Pt、Au、Mg、Ag：Mg。典型的層厚度為100nm至200nm。特別地，使用例如在形成薄的保護性氧化物層期間在空氣下穩定和/或自鈍化的一種或多種金屬。
適當的用於封裝的材料為例如，氧化鋁、氧化釩、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鉿、氧化鑭、氧化鉭。
在根據本發明的有機光電器件的一個實施方案中，根據本發明的有機分子用作發光層EML中的發射材料，其中其以純的層或以與一種或多種主體材料的組合使用。
本發明的一個實施方案涉及有機光電器件，其在1000cd/m2下的外部量子效率(EQE)為大於5%，特別地為大於8%，特別地為大於10%，或大於13%，或大於16%並且特別地為大於20%，和/或發射最大值在420nm與500nm之間，特別地在430nm與490nm之間，或在440nm與480nm之間和特別地在450nm與470nm之間的波長下，和/或其在500cd/m2下的LT80值為大於30h，特別地為大於70h，或為大於100h，或為大於150h並且特別地為大於200h。
在發射層EML中、在光學發光器件中的發光層的進一步實施方案中、特別是在OLED中的根據本發明的有機分子的質量比例在1%與80%之間。在根據本發明的有機光電器件的一個實施方案中，發光層施加至基板，優選地同時陽極和陰極施加至基板並且發光層施加至陽極與陰極之間。
在一個實施方案中，在陽極和陰極施加至基板，並且發光層施加至陽極與陰極之間的情況下，發光層可以具有唯一地100%濃度的根據本發明的有機分子。
在根據本發明的有機光電器件的一個實施方案中，空穴注入兼電子注入層已經施加至陽極與陰極之間，和空穴傳輸兼電子傳輸層施加至空穴注入兼電子注入層之間，並且發光層施加至空穴傳輸兼電子傳輸層之間。
在本發明的進一步實施方案中，有機光電器件具有：基板，陽極，陰極和至少一個空穴注入層和一個電子注入層，和至少一個空穴傳輸層和一個電子傳輸層，和至少一 個包括根據本發明的有機分子和一種或多種主體材料的發光層，在陽極和陰極施加至基板，並且空穴注入兼電子注入層施加至陽極與陰極之間，並且空穴傳輸兼電子傳輸層施加至空穴注入兼電子注入層之間，並且發光層施加至空穴傳輸兼電子傳輸層之間的情況下，它們的三線態(T1)和單線態(S1)能量水準在能量上與有機分子的三線態(T1)和單線態(S1)能量水準相比更高。
在進一步方面中，本發明涉及光電器件的製造方法。這使用根據本發明的有機分子來進行。
在一個實施方案中，該製造方法涵蓋通過真空蒸發方法或由溶液來處理根據本發明的有機分子。
本發明也包括根據本發明的光電器件的製造方法，其中光電器件的至少一層- 通過昇華方法來塗覆，- 通過OVPD(有機氣相沉積)法來塗覆，- 通過載體氣體昇華來塗覆，和/或- 由溶液或通過印刷方法來生產。
在生產本發明的光電器件時，使用已知的方法。通常，各層在連續的沉積過程步驟中各個施加至適當的基板。在氣相沉積中，可以採用通常使用的方法，例如熱蒸發、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)。對於活性基體OLED(AMOLED)顯示器，沉積對於作為基板的AMOLED背板起作用。
選擇性地，可以由在適當的溶劑中的溶液或分散液來施加各層。示例性的適當的塗布法是旋塗法、浸塗法和噴射列印法。各個層可以依照本發明分別地經由相同的塗布法或經由不同的塗布法來生產。
附圖示出：圖1 實施例1的發射光譜(PMMA中10%)。
圖2 實施例2的發射光譜(PMMA中10%)。
圖3 實施例3的發射光譜(PMMA中10%)。
圖4 實施例4的發射光譜(PMMA中10%)。
圖5 實施例5的發射光譜(PMMA中10%)。
圖6 實施例6的發射光譜(PMMA中10%)。
圖7 實施例7的發射光譜(PMMA中10%)。
圖8 實施例8的發射光譜(PMMA中10%)。
圖9 實施例9的發射光譜(PMMA中10%)。
圖10 實施例10的發射光譜(PMMA中10%)。
圖11 實施例11的發射光譜(PMMA中10%)。
圖12 實施例12的發射光譜(PMMA中10%)。
圖13 實施例13的發射光譜(PMMA中10%)。
圖14 實施例14的發射光譜(PMMA中10%)。
圖15 實施例15的發射光譜(PMMA中10%)。
圖16 實施例16的發射光譜(PMMA中10%)。
圖17 實施例17的發射光譜(PMMA中10%)。
圖18 實施例18的發射光譜(PMMA中10%)。
圖19 實施例20的發射光譜(PMMA中10%)。
圖20 實施例20的發射光譜(PMMA中10%)。
圖21 實施例21的發射光譜(PMMA中10%)。
圖22 實施例22的發射光譜(PMMA中10%)。
圖23 實施例23的發射光譜(PMMA中10%)。
圖24 實施例24的發射光譜(PMMA中10%)。
圖25 實施例25的發射光譜(PMMA中10%)。
圖26 實施例26的發射光譜(PMMA中10%)。
圖27 實施例27的發射光譜(PMMA中10%)。
圖28 實施例28的發射光譜(PMMA中10%)。
圖29 實施例29的發射光譜(PMMA中10%)。
圖30 實施例30的發射光譜(PMMA中10%)。
圖31 實施例31的發射光譜(PMMA中10%)。
圖32 實施例32的發射光譜(PMMA中10%)。
圖33 實施例33的發射光譜(PMMA中10%)。
圖34 實施例34的發射光譜(PMMA中10%)。
圖35 實施例35的發射光譜(PMMA中10%)。
圖36 實施例36的發射光譜(PMMA中10%)。
圖37 實施例37的發射光譜(PMMA中10%)。
圖38 實施例38的發射光譜(PMMA中10%)。
圖39 實施例39的發射光譜(PMMA中10%)。
圖40 實施例40的發射光譜(PMMA中10%)。
圖41 實施例41的發射光譜(PMMA中10%)。
圖42 實施例42的發射光譜(PMMA中10%)。
實施例
通用合成方案I
Figure 106128787-A0202-12-0047-65
通用合成方法GM1 ：
Figure 106128787-A0202-12-0047-66
將3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸(1.50當量)、4-溴-2,6-二氟苄腈(1.00當量)、Pd2(dba)3(0.02當量)、2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)(0.08當量)和磷酸三鉀(2.50當 量)在氮氣下在甲苯/水混合物(比例20：1)中在100℃下攪拌16h。接著，將反應混合物添加至飽和氯化鈉溶液並且用乙酸乙酯萃取兩次。將組合的有機相用飽和氯化鈉溶液清洗並且經過MgSO4乾燥，並且除去溶劑。將產物經由一些二氧化矽凝膠過濾，然後重結晶。獲得固體形式的產物。
也可以依照本發明使用對應的硼酸酯而不是硼酸。
通用合成方法GM2 ：
Figure 106128787-A0202-12-0048-67
Z2的合成與 GM1 中類似地通過3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸與3-溴-2,6-二氟苄腈的反應進行。
通用合成方法GM3 ：
Figure 106128787-A0202-12-0048-68
Z3的合成與 GM1 中類似地通過3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸與4-溴-3,5-二氟苄腈的反應進行。
通用合成方法GM4 ：
Figure 106128787-A0202-12-0049-69
Z4的合成與 GM1 中類似地通過3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸與4-溴-2,5-二氟苄腈的反應進行。
通用合成方法GM5 ：
Figure 106128787-A0202-12-0049-70
Z5的合成與 GM1 中類似地通過3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸與2-溴-4,5-二氟苄腈的反應進行。
通用合成方法 GM6 ：
Figure 106128787-A0202-12-0049-223
Z6的合成與 GM1 中類似地通過3,5-雙(三氟甲基)苯基硼酸與3-溴-5,6-二氟苄腈的反應進行。
通用合成方法GM7 ：
Figure 106128787-A0202-12-0050-72
Figure 106128787-A0305-02-0055-1
將Z1、Z2、Z3、Z4、Z5或Z6(各自1.00當量)、適當的供體分子D-H(2.00當量)和磷酸三鉀(4.00當量)在氮氣下懸浮在DMSO中，並且在110℃下攪拌(16h)。接著，將反應混合物添加至飽和氯化鈉溶液，並且用二氯甲烷萃取三次。將組合的有機相用飽和氯化鈉溶液洗滌兩次，並且經過硫酸鎂乾燥，然後除去溶劑。將粗產物通過從甲苯重結晶或經由快速層析(flash chromatography)來最後精製。獲得固體形式的產物。
具體地，D-H對應於3,6-取代咔唑(例如，3,6-二甲基咔唑、3,6-二苯基咔唑、3,6-二叔丁基咔唑)、2,7-取代咔唑(例如，2,7-二甲基咔唑、2,7-二苯基咔唑、2,7-二叔丁 基咔唑)、1,8-取代咔唑(例如，1,8-二甲基咔唑、1,8-二苯基咔唑、1,8-二叔丁基咔唑)、1-取代咔唑(例如，1-甲基咔唑、1-苯基咔唑、1-叔丁基咔唑)、2-取代咔唑(例如，2-甲基咔唑、2-苯基咔唑、2-叔丁基咔唑)或3-取代咔唑(例如，3-甲基咔唑、3-苯基咔唑、3-叔丁基咔唑)。
光物理測量
光學玻璃的預處理
在每次使用過後清洗所有玻璃(由石英玻璃製成的玻璃器皿和基板，直徑：1cm)：用二氯甲烷、丙酮、乙醇、去離子水沖洗三次，在5%的Hellmanex-溶液中浸漬24小時，用去離子水徹底漂洗。關於乾燥，用氮氣吹幹光學玻璃。
樣品準備：膜；旋塗法
儀器：Spin150,SPS euro。
樣品濃度對應於10mg/ml，在甲苯或氯苯中製成。
程式：1)400rpm下3s；2)在1000rpm和1000rpm/s下20s；3)在4000rpm和1000rpm/s下10s。在塗布之後，將膜在70℃和空氣下在LHG精確電熱板上乾燥1min。
光致發光光譜和TCSPC
利用Horiba Scientific的螢光光譜儀執行穩態發射光譜，該螢光光譜儀：型號：FluoroMax-4，配備有150W氙弧燈，激發單色器和發射單色器以及Hamamatsu R928光電 倍增管和還有“時間相關單光子計數”(TCSPC)選項。發射光譜和激發光譜通過標準修正曲線來修正。
發射衰減時間同樣用所述系統來進行測量，使用具有FM-2013附件和Horiba Yvon Jobin的TCSPC-Hub的TCSPC方法。激發源：
NanoLED 370(波長：371nm，脈衝持續時間：1.1 ns)
NanoLED 290(波長：294nm，脈衝持續時間：<1 ns)
SpectraLED 310(波長：314nm)
SpectraLED 355(波長：355nm)。
評估(指數擬合)利用資料站套裝軟體和DAS 6評估軟體來完成。擬合經由卡方方法給出。
Figure 106128787-A0305-02-0057-2
其中ei：通過擬合預測的參數，和oi：測量的參數。
量子效率的測定
光致發光量子產率(PLQY)借助Hamamatsu Photonics的絕對PL量子產率測量C9920-03G系統來測量。該體系由150W的氙氣放電燈、可自動調節的Czerny-Turner單色器(250-950nm)和具有高反射性的Spectralon塗層(Teflon-衍生物)的Ulbricht球構成，該球經由玻璃纖維電纜與具有1024×122圖元的BT(薄型背照式-)CCD晶片(尺寸為24×24μm)的PMA-12多通道檢測器連接。量子效率和CIE座標借助U6039-05軟體版本3.6.0來評價。
發射最大值以nm給出，量子產率Φ以%給出和CIE顏 色座標作為x,y-值給出。
根據以下方案來測定光致發光量子產率：
1)品質保證的進行：使用的參照物是已知濃度的乙醇中的蒽。
2)確定激發波長：首先，測定有機分子的吸收最大值並以此進行激發。
3)樣品分析的進行：
在氮氣氣氛下測定脫氣的溶液和膜的絕對量子產率。
根據下面的方程式在系統內部完成計算：
Figure 106128787-A0305-02-0058-3
其中光子數為n光子和強度為Int.。
來自氣相的有機電致發光器件的生產和表徵
使用根據本發明的有機分子，可以通過真空昇華方法的方式來生產OLED器件。如果層包括兩種以上的組分，則這些的比例以質量百分比給出。
作為尚未優化的OLED的這些可以以標準的方式表徵；出於該目的，記錄電致發光光譜、從通過光電二極體檢測到的光計算的作為亮度的函數的外部量子效率(以%測量)、和電流。OLED的壽命可以從電致發光光譜相對於時間的曲線來測定。給出的LT50值在這裡對應於在亮度已經下降為起始值的50%時的時間。類似地，LT70值對應於在亮度已經下降為起始值的70%時的時間。
從OLED的不同圖元的平均值計算給出的值。描繪的光譜各自示出圖元的測量系列。
HPLC-MS：
HPLC-MS光譜用連接至MS檢測器(Thermo LTQ XL)的AgilentHPLC系統(1100系列)來測量。對於HPLC，使用粒徑為3.5μm、長度為150mm且內徑為4.6mm的來自Agilent的Eclipse Plus C18色譜柱。不採用預柱，並且操作在室溫下用具有以下這些濃度的溶劑乙腈、水和四氫呋喃來完成：
溶劑A：H2O(90%) MeCN(10%)
溶劑B：H2O(10%) MeCN(90%)
溶劑C：THF(100%)
採用15μl的注入體積和具有以下這樣的梯度的10μg/ml的濃度：
樣品通過APCI(大氣壓力化學離子化)來離子化。
實施例1
Figure 106128787-A0202-12-0056-224
根據GM1(99%產率)和GM7(40%產率)來製備實施例1。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：643,(18.60min)
R f=0.68(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖1示出實施例1的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在461nm處。光致發光量子產率(PLQY)為84%並且半高寬為0.43eV。
實施例2
Figure 106128787-A0202-12-0056-79
根據GM1(99%產率)和GM7(47%產率)來製備實施例2。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：673,(20.05min)
R f=0.71(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖2示出實施例2的發射光譜(PMMA中10%)。發射最 大值在476nm處。光致發光量子產率(PLQY)為84%並且半高寬為0.44eV。發射衰減時間為63μs。
實施例3
Figure 106128787-A0202-12-0057-80
根據GM1(99%產率)和GM7(77%產率)來製備實施例3。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：702,(21.51min)
R f=0.83(環己烷/乙酸乙酯5：1)
圖3示出實施例3的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在486nm處。光致發光量子產率(PLQY)為74%並且半高寬為0.43eV。發射衰減時間為12μs。
實施例4
Figure 106128787-A0202-12-0057-81
根據GM1(99%產率)和GM7(89%產率)來製備實施例 4。
R f=0.84(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖4示出實施例4的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在478nm處。光致發光量子產率(PLQY)為78%並且半高寬為0.43eV。發射衰減時間為14μs。
實施例5
Figure 106128787-A0202-12-0058-82
根據GM2(52%產率)和GM7(70%產率)來製備實施例5。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：765,(14.45min)
R f=0.13(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖5示出實施例5的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在483nm處。光致發光量子產率(PLQY)為68%並且半高寬為0.46eV。發射衰減時間為34μs。
實施例6
Figure 106128787-A0202-12-0059-83
根據GM2(52%產率)和GM7(69%產率)來製備實施例6。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：1304,(31.17min)
R f=0.69(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖6示出實施例6的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在528nm處。光致發光量子產率(PLQY)為45%並且半高寬為0.46eV。發射衰減時間為3μs。
實施例7
Figure 106128787-A0202-12-0059-84
根據GM2(52%產率)和GM7(74%產率)來製備實施例7。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：980,(22.38min)
R f=0.56(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖7示出實施例7的發射光譜(PMMA中10%)。發射最 大值在516nm處。光致發光量子產率(PLQY)為44%並且半高寬為0.49eV。發射衰減時間為3μs。
實施例8
Figure 106128787-A0202-12-0060-85
根據GM2(52%產率)和GM7(38%產率)來製備實施例8。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：702,(19.55min)
R f=0.70(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖8示出實施例8的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在442nm處。光致發光量子產率(PLQY)為71%並且半高寬為0.44eV。
實施例9
Figure 106128787-A0202-12-0060-86
根據GM1(99%產率)和GM7(47%產率)來製備實施例9。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：593,(10.67min)
圖9示出實施例9的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在492nm處。光致發光量子產率(PLQY)為84%並且半高寬為0.41eV。發射衰減時間為7μs。
實施例10
Figure 106128787-A0202-12-0061-87
根據GM1(99%產率)和GM7(74%產率)來製備實施例10。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：797,(21.35min)
R f=0.48(環己烷/乙酸乙酯5：1)
圖10示出實施例10的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在481nm處。光致發光量子產率(PLQY)為80%並且半高寬為0.45eV。發射衰減時間為41μs。
實施例11
Figure 106128787-A0202-12-0062-88
根據GM1(99%產率)和GM7(81%產率)來製備實施例11。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：975,(25.15min)
R f=0.65(環己烷/乙酸乙酯5：1)
圖11示出實施例11的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在496nm處。光致發光量子產率(PLQY)為59%並且半高寬為0.50eV。發射衰減時間為22μs。
實施例12
Figure 106128787-A0202-12-0062-90
根據GM1(99%產率)和GM7(16%產率)來製備實施例12。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：673,(19.01min)
R f=0.67(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖12示出實施例12的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在476nm處。光致發光量子產率(PLQY)為76%並且半高寬為0.46eV。
實施例13
Figure 106128787-A0202-12-0063-91
根據GM5(94%產率)和GM7(53%產率)來製備實施例13。
R f=0.2(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
1H-NMR(500MHz,CDCl3)：d=8.28(s,1H),8.18(s,1H),8.07(s,1H),8.00(s,1H),7.29-7.31(m,4H),7.04(dd,4H),6.75(td,4H),3.85(s,6H),3.87(s,6H)ppm。
圖13示出實施例13的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在502nm處。光致發光量子產率(PLQY)為75%並且半高寬為0.49eV。
實施例14
Figure 106128787-A0202-12-0064-92
根據GM5(94%產率)和GM7(71%產率)來製備實施例14。
R f=0.7(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
1H-NMR(500MHz,CDCl3)：d=8.41(d,1H),8.26(s,2H),8.12(d,2H),7.72(q,2H),7.61(dd,1H),7.56(dd,1H),7.40(t,1H),7.27-7.34(m,1H),7.14-7.22(m,9H),7.01-7.16(m,4H),6.92-6.97(m,12H),6.85(td,1H),6.60(dd,1H),6.55(td,1H)ppm。
圖14示出實施例14的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在527nm處。光致發光量子產率(PLQY)為49%並且半高寬為0.50eV。發射衰減時間為9μs。
實施例15
Figure 106128787-A0202-12-0064-93
根據GM4(88%產率)和GM7(79%產率)來製備實施例 15。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：645,(18.61min)
R f=0.55(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖15示出實施例15的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在450nm處。光致發光量子產率(PLQY)為78%並且半高寬為0.42eV。
實施例16
Figure 106128787-A0202-12-0065-95
根據GM4(88%產率)和GM7(99%產率)來製備實施例16。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：702,(21.47min)
R f=0.74(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖16示出實施例16的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在471nm處。光致發光量子產率(PLQY)為92%並且半高寬為0.41eV。
實施例17
Figure 106128787-A0202-12-0066-96
根據GM4(88%產率)和GM7(99%產率)來製備實施例17。
1H-NMR(500MHz,CDCl3)：d=8.26(s,1H,Ar-H),8.19(d,2H,Ar-H),8.02(d,2H,Ar-H),7.87(s,1H,Ar-H),7.56(dd,2H,Ar-H),7.45(bs,1H,Ar-H),7.38-7.35(m,4H,Ar-H),7.22-7.21(m,2H,Ar-H),6.98(d,2H,Ar-H),1.43(s,18H,CH3),1.41(s,18H,CH3)ppm。
圖17示出實施例17的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在466nm處。光致發光量子產率(PLQY)為94%並且半高寬為0.41eV。
實施例18
Figure 106128787-A0202-12-0066-97
根據GM4(88%產率)和GM7(90%產率)來製備實施例18。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：765,(16.18min)
R f=0.38(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖18示出實施例18的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在513nm處。光致發光量子產率(PLQY)為52%並且半高寬為0.45eV。發射衰減時間為34μs。
實施例19
Figure 106128787-A0202-12-0067-99
根據GM3(71%產率)和GM7(31%產率)來製備實施例19。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：702,(20.85min)
R f=0.86(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖19示出實施例20的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在463nm處。光致發光量子產率(PLQY)為72%並且半高寬為0.45eV。
實施例20
Figure 106128787-A0202-12-0068-100
根據GM3(71%產率)和GM7(54%產率)來製備實施例20。
MS(HPLC-MS)，m/z(保留時間)：765,(15.05min)
R f=0.36(環己烷/乙酸乙酯5：1)。
圖20示出實施例20的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在500nm處。光致發光量子產率(PLQY)為61%並且半高寬為0.47eV。發射衰減時間為11μs。
實施例21
Figure 106128787-A0202-12-0068-101
根據GM5(94%產率)和GM7(31%產率)來製備實施例21。
圖21示出實施例21的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在468nm處。光致發光量子產率(PLQY)為92%並且半高寬為0.46eV。
實施例22
Figure 106128787-A0202-12-0069-102
根據GM5(94%產率)和GM7(68%產率)來製備實施例22。
圖22示出實施例22的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在470nm處。光致發光量子產率(PLQY)為84%並且半高寬為0.47eV。
實施例23
Figure 106128787-A0202-12-0069-103
根據GM1(99%產率)和GM7(81%產率)來製備實施例23。
圖23示出實施例23的發射光譜(PMMA中10%)。發射 最大值在470nm處。光致發光量子產率(PLQY)為47%並且半高寬為0.50eV。發射衰減時間為3μs。
實施例24
Figure 106128787-A0202-12-0070-104
根據GM2(52%產率)和GM7(66%產率)來製備實施例24。
圖24示出實施例24的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在475nm處。光致發光量子產率(PLQY)為62%並且半高寬為0.51eV。
實施例25
Figure 106128787-A0202-12-0070-106
根據GM1(99%產率)和GM7(64%產率)來製備實施例25。
圖25示出實施例25的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在473nm處。光致發光量子產率(PLQY)為84%並且 半高寬為0.45eV。
實施例26
Figure 106128787-A0202-12-0071-107
根據GM1(99%產率)和GM7來製備實施例26。
圖26示出實施例26的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在473nm處。光致發光量子產率(PLQY)為87%並且半高寬為0.43eV。發射衰減時間為31μs。
實施例27
Figure 106128787-A0202-12-0071-108
根據GM1(99%產率)和GM7(66%產率)來製備實施例27。
圖27示出實施例27的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在473nm處。光致發光量子產率(PLQY)為82%並且 半高寬為0.43eV。發射衰減時間為79μs。
實施例28
Figure 106128787-A0202-12-0072-109
根據GM1(99%產率)和GM7(53%產率)來製備實施例28。
圖28示出實施例28的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在473nm處。光致發光量子產率(PLQY)為61%並且半高寬為0.52eV。
實施例29
Figure 106128787-A0202-12-0072-110
根據GM1(99%產率)和GM7(65%產率)來製備實施例29。
圖29示出實施例29的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在489nm處。光致發光量子產率(PLQY)為73%並且半高寬為0.47eV。發射衰減時間為10μs。
實施例30
Figure 106128787-A0202-12-0073-112
根據GM4(88%產率)和GM7(38%產率)來製備實施例30。
圖30示出實施例30的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在464nm處。光致發光量子產率(PLQY)為86%並且半高寬為0.43eV。
實施例31
Figure 106128787-A0202-12-0073-113
根據GM1(99%產率)和GM7來製備實施例31。
圖31示出實施例31的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在492nm處。光致發光量子產率(PLQY)為78%並且半高寬為0.46eV。發射衰減時間為9μs。
實施例32
Figure 106128787-A0202-12-0074-114
根據GM1(99%產率)和GM7(92%產率)來製備實施例32。
圖32示出實施例32的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在476nm處。光致發光量子產率(PLQY)為72%並且半高寬為0.44eV。
實施例33
Figure 106128787-A0202-12-0074-115
根據GM1(99%產率)和GM7(78%產率)來製備實施例33。
圖33示出實施例33的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在465nm處。光致發光量子產率(PLQY)為93%並且半高寬為0.44eV。
實施例34
Figure 106128787-A0202-12-0075-116
根據GM1(99%產率)和GM7(92%產率)來製備實施例34。
圖34示出實施例34的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在467nm處。光致發光量子產率(PLQY)為83%並且半高寬為0.43eV。
實施例35
Figure 106128787-A0202-12-0075-117
根據GM1(99%產率)和GM7(54%產率)來製備實施例35。
圖35示出實施例35的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在501nm處。光致發光量子產率(PLQY)為62%並且半高寬為0.47eV。發射衰減時間為4μs。
實施例36
Figure 106128787-A0202-12-0076-119
根據GM1(99%產率)和GM7(84%產率)來製備實施例36。
圖36示出實施例36的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在466nm處。光致發光量子產率(PLQY)為76%並且半高寬為0.43eV。
實施例37
Figure 106128787-A0202-12-0076-120
根據GM1(99%產率)和GM7(43%產率)來製備實施例37。
圖37示出實施例37的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在509nm處。光致發光量子產率(PLQY)為59%並且半高寬為0.44eV。發射衰減時間為3μs。
實施例38
Figure 106128787-A0202-12-0077-121
根據GM1(99%產率)和GM7(3%產率)來製備實施例38。
圖38示出實施例38的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在521nm處。光致發光量子產率(PLQY)為72%並且半高寬為0.45eV。發射衰減時間為37μs。
實施例39
Figure 106128787-A0202-12-0077-122
根據GM1(99%產率)和GM7(14%產率)來製備實施例39。
圖39示出實施例39的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在463nm處。光致發光量子產率(PLQY)為60%並且 半高寬為0.43eV。
實施例40
Figure 106128787-A0202-12-0078-125
根據GM1(99%產率)和GM7(38%產率)來製備實施例40。
圖40示出實施例40的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在504nm處。光致發光量子產率(PLQY)為57%並且半高寬為0.47eV。發射衰減時間為4μs。
實施例41
Figure 106128787-A0202-12-0078-126
根據GM1(99%產率)和GM7(74%產率)來製備實施例41。
圖41示出實施例41的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在462nm處。光致發光量子產率(PLQY)為78%並且半高寬為0.44eV.
實施例42
Figure 106128787-A0305-02-0083-4
根據GM1(99%產率)和GM7(75%產率)來製備實施例42。
圖42示出實施例42的發射光譜(PMMA中10%)。發射最大值在455nm處。光致發光量子產率(PLQY)為77%並且半高寬為0.44eV。
實施例D1
在具有以下結構(發光層中根據本發明的分子的比例以質量百分比給出)的OLED器件("器件D1")中測試實施例4：
Figure 106128787-A0305-02-0084-5
發射最大值在480nm處；在6V下，測定CIEx為0.19並且測定CIEy為0.36。
實施例D2
在具有以下結構(發光層中根據本發明的分子的比例以質量百分比給出)的OLED器件("器件D2")中測試實施例9：
Figure 106128787-A0305-02-0085-6
發射最大值在486nm處；在6V下，測定CIEx為0.21並且測定CIEy為0.39。
實施例D3
在具有以下結構(發光層中根據本發明的分子和兩種主體分子的比例分別地以質量百分比給出)的OLED器件D3中測試實施例9：
Figure 106128787-A0305-02-0086-7
發射最大值在493nm處；在6V下，測定CIEx為0.22並且測定CIEy為0.46。在1000cd/m2下的EQE為23.6±0.4%並且在500cd/m2下的LT80為416H。
實施例D4
在具有以下結構(發光層中根據本發明的分子和兩種主體分子的比例分別地以質量百分比給出)的OLED器件D4中測試實施例9：
Figure 106128787-A0305-02-0087-8
發射最大值在487nm處；在6V下，測定CIEx為0.21並且測定CIEy為0.42。在1000cd/m2下的EQE為15.1±0.6%並且在500cd/m2下的LT80為1017H。
實施例D5
在具有以下結構(發光層中根據本發明的分子和兩種主體分子的比例分別地以質量百分比給出)的OLED器件D5中測試實施例31：
Figure 106128787-A0305-02-0088-9
最大值在485nm處；在6V下，測定CIEx為0.21並且測定CIEy為0.41。在1000cd/m2下的EQE為16.1±0.5%並且在500cd/m2下的LT80為260H。
實施例D6
除了將實施例4由實施例35來替代以外，在具有與OLED器件D1相同的結構的OLED器件D6中測試實施例35。發射最大值在504nm處；在6V下，測定CIEx為0.27並且測定CIEy為0.48。在1000cd/m2下的EQE為9.5±0.3%並且在500cd/m2下的LT80為162H。
實施例D7
在具有以下結構(發光層中根據本發明的分子和兩種主體分子的比例分別地以質量百分比給出)的OLED器件D7 中測試實施例1：
Figure 106128787-A0305-02-0089-10
發射最大值在460nm處；在6V下，測定CIEx為0.16並且測定CIEy為0.19。在1000cd/m2下的EQE為8.0±0.4%。
實施例D8
除了將實施例1由實施例27替代以外，在具有與OLED器件D1相同的結構的OLED器件D8中測試實施例27。發射最大值在473nm處；在6V下，測定CIEx為0.18並且測定CIEy為0.29。在1000cd/m2下的EQE為10.6±0.4%。
進一步說明性的OLED器件包括以下結構：
Figure 106128787-A0305-02-0090-11
根據本發明的有機分子的進一步實例：
Figure 106128787-A0202-12-0087-139
Figure 106128787-A0202-12-0088-140
Figure 106128787-A0202-12-0089-141
Figure 106128787-A0202-12-0090-142
Figure 106128787-A0202-12-0091-143
Figure 106128787-A0202-12-0092-144
Figure 106128787-A0202-12-0093-145
Figure 106128787-A0202-12-0094-146
Figure 106128787-A0202-12-0095-147
Figure 106128787-A0202-12-0096-148
Figure 106128787-A0202-12-0097-149
Figure 106128787-A0202-12-0098-150
Figure 106128787-A0202-12-0099-151
Figure 106128787-A0202-12-0100-152
Figure 106128787-A0202-12-0101-153
Figure 106128787-A0202-12-0102-154
Figure 106128787-A0202-12-0103-155
Figure 106128787-A0202-12-0104-156
Figure 106128787-A0202-12-0105-157
Figure 106128787-A0202-12-0106-158
Figure 106128787-A0202-12-0107-159
Figure 106128787-A0202-12-0108-160
Figure 106128787-A0202-12-0109-161
Figure 106128787-A0202-12-0110-162
Figure 106128787-A0202-12-0111-163
Figure 106128787-A0202-12-0112-164
Figure 106128787-A0202-12-0113-165
Figure 106128787-A0202-12-0114-166
Figure 106128787-A0202-12-0115-167
Figure 106128787-A0202-12-0116-168
Figure 106128787-A0202-12-0117-169
Figure 106128787-A0202-12-0118-170
Figure 106128787-A0202-12-0119-171

Claims (13)

  1. 一種有機分子，其包括- 第一化學單元，所述第一化學單元包括式I的結構或由式I的結構組成
    Figure 106128787-A0305-02-0124-12
     和- 兩個第二化學單元，所述兩個第二化學單元在每次出現時是相同或不同的、各自包括式II的結構或由式II的結構組成
    Figure 106128787-A0305-02-0124-13
     其中所述第一化學單元經由單鍵結合至所述兩個第二化學單元的各個上；其中T為所述第一化學單元與所述第二化學單元之間的單鍵的連接位置、或為H；V為所述第一化學單元與所述第二化學單元之間的單 鍵的連接位置、或為H；W為所述第一化學單元與所述第二化學單元之間的單鍵的連接位置、或選自由H、CN和CF3組成的組；X為所述第一化學單元與所述第二化學單元之間的單鍵的連接位置、或選自由H、CN和CF3組成的組；Y為所述第一化學單元與所述第二化學單元之間的單鍵的連接位置、或選自由H、CN和CF3組成的組；#表示所述第二化學單元與所述第一化學單元之間的單鍵的連接位置；Z在每次出現時相同或不同，並且為直接鍵或選自由CR3R4、C=CR3R4、C=O、C=NR3、NR3、O、SiR3R4、S、S(O)和S(O)2組成的組；R1在每次出現時相同或不同，並且選自由以下組成的組：- H、氘；- 具有1至5個碳原子的直鏈烷基，具有2至8個碳原子的直鏈烯基或炔基，具有3至10個碳原子的支鏈或環狀的烷基、烯基或炔基，其中一個或多個氫原子可以由氘來替代；和- 具有5至15個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的芳香族環體系或雜芳族環體系；Ra、R3和R4在每次出現時相同或不同，並且選自由以下組成的組：- H、氘、N(R5)2、OH、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、 CF3、CN、F、Br、I；- 具有1至40個碳原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有2至40個碳原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的直鏈烯基或炔基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有3至40個碳原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳香族環體系或雜芳族環體系；- 具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳氧基或雜芳氧基；和 - 具有10至40個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的二芳基氨基、二雜芳基氨基或芳基雜芳基氨基；R5在每次出現時相同或不同，並且選自由以下組成的組：- H、氘、N(R6)2、OH、Si(R6)3、B(OR6)2、OSO2R6、CF3、CN、F、Br、I；- 具有1至40個碳原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有2至40個碳原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的直鏈烯基或炔基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有3至40個碳原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S 或CONR6來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的芳香族環體系或雜芳族環體系；- 具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的芳氧基或雜芳氧基；和- 具有10至40個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R6基團取代的二芳基氨基、二雜芳基氨基或芳基雜芳基氨基；R6在每次出現時相同或不同，並且選自由以下組成的組：- H、氘、OH、CF3、CN、F；- 具有1至5個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有2至5個碳原子的直鏈烯基或炔基，其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有3至5個碳原子的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有5至60個芳香族環原子的芳香族環體系或雜芳族環體系；- 具有5至60個芳香族環原子的芳氧基或雜芳氧基；和 - 具有10至40個芳香族環原子的二芳基氨基、二雜芳基氨基或芳基雜芳基氨基；其中Ra、R3、R4或R5基團各自與一個或多個另外的Ra、R3、R4或R5基團可以形成單環或多環的、脂肪族、芳香族和/或苯並稠合的環體系；其中恰好一個選自由W、X和Y組成的組的基團為CN或CF3並且恰好兩個選自由T、V、W、X和Y組成的組的基團為所述第一化學單元與所述第二化學單元之間的單鍵的連接位置。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的有機分子，其中R1在每次出現時相同或不同，並且為H、甲基或苯基。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項所述的有機分子，其中W為CN。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的有機分子，其中所述第二化學單元在每次出現時相同或不同，並且包括式IIa的結構或由這樣的結構組成：
    Figure 106128787-A0305-02-0129-14
     其中申請專利範圍第1項中給出的定義適用於#和Ra。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的有機分子，其中所述第二化學單元各自包括式IIb的結構或由這樣的結構組成：
    Figure 106128787-A0305-02-0130-15
     其中Rb在每次出現時相同或不同，並且選自由以下組成的組：- N(R5)2、OH、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I；- 具有1至40個碳原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有2至40個碳原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的直鏈烯基或炔基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代並且其中一個或多個氫 原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有3至40個碳原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳香族環體系或雜芳族環體系；- 具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳氧基或雜芳氧基；和- 具有10至40個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的二芳基氨基、二雜芳基氨基或芳基雜芳基氨基；並且申請專利範圍第1項中給出的定義適用於#和R5。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的有機分子，其中所述第二化學單元各自具有式IIc的結構或由這樣的結構組成：
    Figure 106128787-A0305-02-0131-16
     其中Rb在每次出現時相同或不同，並且選自由以下組成的 組：- N(R5)2、OH、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I；- 具有1至40個碳原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有2至40個碳原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的直鏈烯基或炔基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有3至40個碳原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基，其中一個或多個不相鄰的CH2基團可以由R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5來替代並且其中一個或多個氫原子可以由氘、CN、CF3或NO2來替代；- 具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳香族環體系或雜芳族環體系； - 具有5至60個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的芳氧基或雜芳氧基；和- 具有10至40個芳香族環原子且可以分別被一個或多個R5基團取代的二芳基氨基、二雜芳基氨基或芳基雜芳基氨基；並且對於其餘的，申請專利範圍第1項中給出的定義是適用的。
  7. 根據申請專利範圍第5或6項所述的有機分子，其中Rb在每次出現時相同或不同，並且為Me；iPr；tBu；CN；CF3；或可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的Ph；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的吡啶基；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的嘧啶基；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的三嗪基；可以分別被選自Me、iPr、tBu、CN、CF3和Ph的一種以上的基團取代的咔唑基；或N(Ph)2。
  8. 一種根據申請專利範圍第1至7項中任一項所述的有機 分子的用途，所述有機分子在有機光電器件中作為發光性發射體和/或作為主體材料和/或作為電子傳輸材料和/或作為空穴注入材料和/或作為空穴阻擋材料。
  9. 根據申請專利範圍第8項所述的用途，其中所述有機光電器件選自由以下組成的組：‧有機發光二極體(OLED)，‧發光性電化學電池，‧OLED感測器，‧有機電晶體，‧有機雷射器，和‧降頻轉換元件。
  10. 一種組合物，其包括以下或由以下組成：(a)至少一種根據申請專利範圍第1至7項中任一項所述的有機分子，和(b)一種以上的除了根據申請專利範圍第1至7項中任一項所述的分子以外的發射體和/或主體材料，(c)任選的一種以上的染料和/或一種以上的溶劑。
  11. 一種有機光電器件，其包括根據申請專利範圍第1至7項中任一項所述的有機分子或根據申請專利範圍第10項所述的組合物；其中該有機光電器件採用選自由以下組成的組的器件的形式：有機發光二極體(OLED)，發光性電化 學電池，OLED感測器，有機電晶體，有機雷射器和降頻轉換元件。
  12. 根據申請專利範圍第11項所述的有機光電器件，其包括：- 基板，- 陽極，和- 陰極，其中所述陽極或陰極被施加在所述基板上，和- 至少一發光層，其施加在所述陽極和所述陰極之間，而且包含根據申請專利範圍第1至7項中任一項所述的有機分子或根據申請專利範圍第10項所述的組合物。
  13. 一種光電器件的製造方法，其中使用根據申請專利範圍第1至7項中任一項所述的有機分子，其中該方法包括通過真空蒸發方法或由溶液來處理所述有機分子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018047948A1 (ja) 2016-09-09 2018-03-15 東洋紡株式会社 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物
WO2018077492A1 (de) * 2016-10-25 2018-05-03 Cynora Gmbh Organische moleküle, insbesondere zur verwendung in organischen optoelektronischen vorrichtungen
EP3398945B1 (en) * 2017-05-04 2022-11-02 Samsung Display Co., Ltd. Pyrimidinyl derivatives and their use in optoelectronic devices
DE102017109593B4 (de) * 2017-05-04 2018-12-13 Cynora Gmbh Organische Moleküle, insbesondere zur Verwendung in optoelektronischen Vorrichtungen
KR102328889B1 (ko) * 2017-06-22 2021-11-18 시노라 게엠베하 유기 분자, 특히 광전자 장치에 사용하기 위한 유기 분자
CN110914255B (zh) * 2017-06-28 2023-03-31 三星显示有限公司 有机分子，特别是用于光电装置的有机分子
DE102017114345B4 (de) * 2017-06-28 2019-01-17 Cynora Gmbh Organische Moleküle, insbesondere zur Verwendung in organischen optoelektronischen Vorrichtungen
JP7165943B2 (ja) * 2017-11-01 2022-11-07 東洋紡株式会社 π電子共役単位とカルバゾール基を有する化合物
US11834437B2 (en) 2018-03-02 2023-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic molecules for optoelectronic devices
EP3781559A1 (en) * 2018-04-17 2021-02-24 cynora GmbH Organic molecules for optoelectronic devices
KR20200001005A (ko) * 2018-06-26 2020-01-06 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
EP3975279B1 (en) * 2018-10-15 2024-03-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device emitting blue light
JP7456125B2 (ja) 2019-11-11 2024-03-27 東洋紡株式会社 パーフルオロアルキル基を有する含窒素複素環化合物及びその利用
KR20230035234A (ko) * 2020-05-29 2023-03-13 가부시키가이샤 큐럭스 유기 발광 소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011256143A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Fujifilm Corp 特定構造のカルバゾール系化合物、並びにそれを用いた電荷輸送材料及び有機電界発光素子

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5624270B2 (ja) * 2007-09-18 2014-11-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
US10276637B2 (en) 2011-05-13 2019-04-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic EL multi-color light-emitting device
EP2976329B1 (de) 2013-03-22 2018-06-27 Merck Patent GmbH Materialien für elektronische vorrichtungen
KR20160030094A (ko) * 2013-05-09 2016-03-16 닛토덴코 가부시키가이샤 발광 소자용 발광 화합물
JP6225271B2 (ja) 2013-10-30 2017-11-01 日東電工株式会社 発光デバイス用発光化合物
US20170244049A1 (en) * 2014-05-14 2017-08-24 President And Fellows Of Harvard College Organic light-emitting diode materials
WO2016138077A1 (en) * 2015-02-24 2016-09-01 Nitto Denko Corporation Gas sensor element
CN106966955A (zh) 2017-04-21 2017-07-21 瑞声光电科技(常州)有限公司 联苯化合物及发光器件

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011256143A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Fujifilm Corp 特定構造のカルバゾール系化合物、並びにそれを用いた電荷輸送材料及び有機電界発光素子

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