TWI695408B - 荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之一形態的荷電粒子束描繪裝置，其特徵係具備：面積密度運算部，其係運算利用預先從外部輸入之考慮補正近接效應所引起的尺寸變動的補正部分的劑量調變量來加權之圖案的面積密度；覆蓋補正照射量係數運算部，其係使用利用從外部輸入之劑量調變量來加權之圖案的面積密度，運算補正覆蓋效應所引起的尺寸變動之覆蓋補正照射量係數；照射量運算部，其係利用覆蓋補正照射量係數及劑量調變量來運算荷電粒子束的照射量；及描繪部，其係利用照射量的荷電粒子束來對試料描繪圖案。

Description

荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法
本發明是有關荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法，例如有關補正從描繪裝置所照射的荷電粒子束的照射量的手法。
擔負半導體裝置的微細化的進展之微影(Lithography)技術是在半導體製造製程之中唯一生成圖案之極重要的製程。近年來，隨著LSI(Large Scale Integration)的高集成化，被半導體裝置要求的電路線寬是年年微細化。為了對該等的半導體裝置形成所望的電路圖案，需要高精度的原畫圖案(亦稱為標線或遮罩)。在此，電子線(EB：Electron beam；電子束)描繪技術是具有本質佳的解像性，被使用在高精度的原畫圖案的生產。
圖16是用以說明可變成形型電子線描繪裝置的動作的概念圖。
可變成形型電子線描繪裝置是如以下般動作。在第1開口部410是形成有用以將電子線330成形之矩形的開口411。並且，在第2開口部420是形成有用以將通過第1 開口部410的開口411之電子線330成形成所望的矩形形狀之可變成形開口421。自荷電粒子來源430照射，通過第1開口部410的開口411的電子線330是藉由偏向器來偏向，通過第2開口部420的可變成形開口421的一部分來照射至被搭載於平台上的試料340，該平台是可連續性地移動於預定的一方向(例如X方向)。亦即，可通過第1開口部410的開口411及第2開口部420的可變成形開口421的雙方之矩形形狀會被描繪於試料340的描繪領域，該試料340是被搭載於可連續性移動於X方向的平台上。將使通過第1開口部410的開口411及第2開口部420的可變成形開口421的雙方，作成任意形狀的方式稱為可變成形方式(VSB(Variable Shaped Beam)方式)。(例如，參照日本特許公開公報2012-69667號)。
在電子射束描繪中，藉由調整電子射束的劑量來解決遮罩製程或未知的機構所引起的尺寸變動。近來，在對描繪裝置之資料輸入前的階段，藉由使用者或補正工具等來進行附加性地控制劑量的劑量調變量會按每個圖形圖案來設定。藉由如此的技術，可使在描繪裝置外部計算的近接效應或在比近接效應更小的範圍影響尺寸的現象等的補正部分預先含在如此的劑量調變量中。因此，只要補正預先含在劑量調變量中的近接效應等，便可在描繪裝置內按照如此的劑量調變量來設定照射量。然而，在電子射束描繪中，除了如此的近接效應補正以外，更針對覆蓋效應或負載效應等現象也進行補正計算(例如參照日本特開2012- 069667號公報)。以往，在描繪裝置中，在裝置內部進行近接效應補正計算，使用如此的結果來進行覆蓋效應補正或負載效應補正的計算。為此，若在從裝置外部輸入的劑量調變量中也含近接效應補正部分，則會有難以在描繪裝置內進行覆蓋效應補正或負載效應補正的計算之問題。相對於此，有關覆蓋效應補正量或負載效應補正量也是在描繪裝置外部進行計算之後輸入描繪裝置的情形原理上也許可能。但，如此的情況，會產生需要按每個全配置來準備同一晶片的圖案資料等，造成被輸入至描繪裝置的資料量會變膨大。
本發明是在於提供一種從裝置外部輸入含近接效應補正部分的劑量調變量時，有關覆蓋效應或負載效應等的現象也可進行補正計算之荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法。
本發明之一形態的荷電粒子束描繪裝置，其特徵係具備：面積密度運算部，其係運算利用預先從外部輸入之考慮補正近接效應所引起的尺寸變動的補正部分的劑量調變量來加權之圖案的面積密度；覆蓋補正照射量係數運算部，其係使用利用從外部輸入之劑量調變量來加權之圖案的面積密度，運算補正覆蓋效應所引起的尺寸變動之覆蓋補正照射量係數； 照射量運算部，其係利用覆蓋補正照射量係數及劑量調變量來運算荷電粒子束的照射量；及描繪部，其係利用照射量的荷電粒子束來對試料描繪圖案。
本發明的其他一形態的荷電粒子束描繪裝置，其特徵係具備：尺寸變動量運算部，其係利用描繪領域被假想分割成複數的網目領域之每個網目領域的圖案的面積密度來運算負載效應所引起的尺寸變動量；近接效應補正照射量係數運算部，其係利用圖案的面積密度來運算補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數；負載效應補正照射量係數取得部，其係利用補正負載效應所引起的尺寸變動之負載效應補正照射量係數，及補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數，以及負載效應所引起的尺寸變動量之相關關係來取得對應於被運算之負載效應所引起的尺寸變動量及被運算之近接效應補正照射量係數的負載效應補正照射量係數；照射量運算部，其係利用取得的負載效應補正照射量係數，及預先從外部輸入之考慮補正近接效應所引起的尺寸變動的補正部分之劑量調變量來運算荷電粒子束的照射量；及描繪部，其係利用照射量的荷電粒子束來對試料描繪圖案， 負載效應補正照射量係數係將依據一邊維持近接效應的補正，一邊補正負載效應所引起的尺寸變動量的第1基準照射量與利用和該第1基準照射量成組的第1近接效應補正係數而取得的第1近接效應補正照射量係數的第1乘積除以在不考慮負載效應所引起的尺寸變動量之下補正近接效應所引起的尺寸變動量之第2基準照射量與利用和該第2基準照射量成組的第2近接效應補正係數而取得的第2近接效應補正照射量係數的第2乘積之值來定義。
本發明的其他一形態的荷電粒子束描繪裝置，其特徵係具備：尺寸變動量運算部，其係利用描繪領域被假想分割成複數的網目領域之每個網目領域的圖案的面積密度來運算負載效應所引起的尺寸變動量；負載效應補正照射量係數取得部，其係利用補正負載效應所引起的尺寸變動之負載效應補正照射量係數，及補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數，以及負載效應所引起的尺寸變動量之相關關係來取得對應於被運算之負載效應所引起的尺寸變動量及被運算之近接效應補正照射量係數的負載效應補正照射量係數；照射量運算部，其係利用取得的負載效應補正照射量係數，及預先從外部輸入之考慮補正近接效應所引起的尺寸變動的補正部分之劑量調變量來運算荷電粒子束的照射量；及描繪部，其係利用照射量的荷電粒子束來對試料描繪 圖案，負載效應補正照射量係數係將依據以使用負載效應所引起的尺寸變動量除以成為顯示圖案尺寸與荷電粒子束的照射量的關係的係數之依存於近接效應密度的概率之值的項作為自然對數的底使用之作為納皮爾數e的指數的值來定義。
本發明之一形態的荷電粒子束描繪方法，其特徵為：運算利用預先從外部輸入之考慮補正近接效應所引起的尺寸變動的補正部分的劑量調變量來加權之圖案的面積密度，使用利用從外部輸入之劑量調變量來加權之圖案的面積密度，運算補正覆蓋效應所引起的尺寸變動之覆蓋補正照射量係數，利用覆蓋補正照射量係數及劑量調變量來運算荷電粒子束的照射量，利用照射量的荷電粒子束來對試料描繪圖案。
本發明的其他一形態的荷電粒子束描繪方法，其特徵為：利用描繪領域被假想分割成複數的網目領域之每個網目領域的圖案的面積密度來運算負載效應所引起的尺寸變動量，利用圖案的面積密度來運算補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數，利用補正負載效應所引起的尺寸變動之負載效應補正 照射量係數，及補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數，以及負載效應所引起的尺寸變動量之相關關係來取得對應於被運算之負載效應所引起的尺寸變動量及被運算之近接效應補正照射量係數的負載效應補正照射量係數，利用取得的負載效應補正照射量係數，及預先從外部輸入之考慮補正近接效應所引起的尺寸變動的補正部分之劑量調變量來運算荷電粒子束的照射量，利用照射量的荷電粒子束來對試料描繪圖案，負載效應補正照射量係數係將依據一邊維持近接效應的補正，一邊補正負載效應所引起的尺寸變動量的第1基準照射量與利用和第1基準照射量成組的第1近接效應補正係數而取得的第1近接效應補正照射量係數的第1乘積除以在不考慮負載效應所引起的尺寸變動量之下補正近接效應所引起的尺寸變動量之第2基準照射量與利用和第2基準照射量成組的第2近接效應補正係數而取得的第2近接效應補正照射量係數的第2乘積之值來定義。
10‧‧‧面積密度運算部
12‧‧‧加權面積密度運算部
14‧‧‧覆蓋補正照射量係數運算部
20‧‧‧尺寸變動量運算部
22‧‧‧取得部
28‧‧‧近接效應補正照射量係數運算部
30‧‧‧負載效應補正照射量係數運算部
32‧‧‧表作成部
34‧‧‧負載效應補正照射量係數取得部
36‧‧‧判定部
38‧‧‧負載效應補正照射量係數運算部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧發射資料生成部
113‧‧‧照射量運算部
114‧‧‧描繪控制部
120‧‧‧控制電路
130‧‧‧前處理計算機
132‧‧‧記憶體
140、142、146‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子射束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧第1開口部
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧偏向器
206‧‧‧第2開口部
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧主偏向器
209‧‧‧副偏向器
330‧‧‧電子線
340‧‧‧試料
410‧‧‧第1開口部
411‧‧‧開口
420‧‧‧第2開口部
421‧‧‧可變成形開口
430‧‧‧荷電粒子來源
圖1是表示實施形態1的描繪裝置的構成的概念圖。
圖2是表示按實施形態1的每個圖形定義劑量調變量的圖案佈局的一例圖。
圖3是表示實施形態1的描繪方法的要部工程的流程圖。
圖4是表示實施形態2的描繪裝置的構成的概念圖。
圖5是表示實施形態2的描繪方法的要部工程的流程圖。
圖6是表示實施形態3的描繪裝置的構成的概念圖。
圖7是表示實施形態3的描繪方法的要部工程的流程圖。
圖8是表示實施形態4的描繪裝置的構成的概念圖。
圖9是表示實施形態4的描繪方法的要部工程的流程圖。
圖10是表示實施形態4的負載效應補正(LEC(Loading Effect Correction))表的一例圖。
圖11是表示實施形態5的描繪裝置的構成的概念圖。
圖12是表示實施形態5的描繪方法的要部工程的流程圖。
圖13是表示實施形態5的LEC表的一例圖。
圖14是表示實施形態6的描繪裝置的構成的概念圖。
圖15是表示實施形態6的描繪方法的要部工程的流程圖。
圖16是用以說明可變成形型電子線描繪裝置的動作的概念圖。
以下，在實施形態中，說明有關使用電子射束的構成，作為荷電粒子束的一例。但，荷電粒子束是不限於電子射束，即使使用離子射束等的荷電粒子的射束也無妨。並且，說明有關可變成形型(VSB方式)的描繪裝置，作為荷電粒子束裝置的一例。
並且，在實施形態中，說明有關從裝置外部輸入含近接效應補正部分的劑量調變量時，針對覆蓋效應或負載效應等的現象也可進行補正計算的裝置及方法。
實施形態1.
圖1是實施形態1的描繪裝置的構成的概念圖。在圖1中，描繪裝置100是具備描繪部150及控制部160。描繪裝置100是荷電粒子束描繪裝置的一例。特別是可變成形型的描繪裝置的一例。描繪部150是具備電子鏡筒102及描繪室103。在電子鏡筒102內是配置有電子槍201，照明透鏡202，第1開口部203，投影透鏡204，偏向器205，第2開口部206，對物透鏡207，主偏向器208及副偏向器209。在描繪室103內是配置有XY平台105。在XY平台105上是配置有描繪時成為描繪對象基板的遮罩等的試料101。試料101是包含製造半導體裝置時的曝光用遮罩。並且，試料101是包含被塗佈阻劑尚未被任何描繪的空白光罩(mask blanks)。
控制部160是具有：控制計算機110，控制電路120，前處理計算機130，記憶體132，及磁碟裝置等的記 憶裝置140，142。控制計算機110，控制電路120，前處理計算機130，記憶體132，及記憶裝置140，142是經由未圖示的匯流排來互相連接。
在前處理計算機130內配置有加權面積密度運算部12，及覆蓋補正照射量係數運算部14。加權面積密度運算部12，及覆蓋補正照射量係數運算部14等的機能是可以電路等的硬體所構成，或以實行該等的機能的程式等的軟體所構成。或，亦可藉由硬體與軟體的組合所構成。被輸出入於加權面積密度運算部12及覆蓋補正照射量係數運算部14的資訊及運算中的資訊是隨時被儲存於記憶體132。
在控制計算機110內配置有發射資料生成部112，照射量運算部113，及描繪控制部114。發射資料生成部112，照射量運算部113，及描繪控制部114等的機能是可以電路等的硬體所構成，或以實行該等的機能的程式等的軟體所構成。或，亦可藉由硬體與軟體的組合所構成。被輸出入於發射資料生成部112，照射量運算部113，及描繪控制部114的資訊及運算中的資訊是隨時被儲存於記憶體132。
在此，於圖1中記載說明實施形態1上所必要的構成。對於描繪裝置100而言，通常即使具備必要的其他構成也無妨。例如，在位置偏向用是使用主偏向器208及副偏向器209的主副2段的多段偏向器，但亦可為藉由1段的偏向器或3段以上的多段偏向器來進行位置偏向的情 況。並且，即使在描繪裝置100連接滑鼠或鍵盤等的輸入裝置，監視器裝置，及外部介面電路等也無妨。
描繪裝置100是一般在其內部進行含近接效應補正的劑量補正計算，但即使使用在描繪裝置內被計算的劑量也會有補正殘差等的情況。為此，使用者是在往描繪裝置輸入之前的階段，按每個圖形圖案設定劑量調變量。而且，實施形態1是在以往將在描繪裝置100內進行的近接效應補正計算輸入至描繪裝置之前的階段實施，按每個圖形圖案設定劑量調變量DM(Dose Modulation)。換言之，劑量調變量DM是在朝描繪裝置輸入之前的階段，預先含有近接效應補正部分(考慮)。如此的劑量調變量DM的計算及設定是在朝描繪裝置100之資料輸入前的階段進行。劑量調變量是藉由使用者或未圖示的補正工具等來設定。劑量調變量DM是例如定義於0%~200%等為適。但，並非限於此，即使例如定義為1.0~3.0等的值也適合作為劑量調變率。
被設定的劑量調變量(率)DM資料是從外部輸入至描繪裝置100，儲存於記憶裝置142。並且，在記憶裝置140中，描繪資料會從外部輸入儲存。在描繪資料中，定義有圖形種資料，配置座標，及圖形大小等的圖形資訊，以及使各圖形圖案與劑量調變量DM對應的指標資訊。
圖2是表示按實施形態1的每個圖形定義劑量調變量的圖案佈局的一例圖。圖2的例子是在被各周邊佈局所包圍的領域中，於中央部配置有陣列圖案13。在陣列圖案 的圖面左側的位置配置有劑量調變量141%的縱長的矩形圖案11a。在陣列圖案的圖面下側的位置配置有劑量調變量139%的橫長的矩形圖案11b。在陣列圖案的圖面右側的位置配置有劑量調變量135%的縱長的矩形圖案11c。在陣列圖案的圖面上側的位置配置有劑量調變量148%的橫長的矩形圖案11d。進行將近接效應補正或將近接效應補正及對於比近接效應更影響範圍小的現象的補正輸入至描繪裝置之前的階段時，如圖2所示般，有關構成被陣列配置的陣列圖案12的各圖形圖案也是按每個圖形圖案來變化劑量調變量。
圖3是實施形態1的描繪方法的要部工程的流程圖。在實施形態1中，利用考慮近接效應補正部分的劑量調變量DM，在描繪裝置100內部，進行補正覆蓋的照射量計算。
在加權面積密度運算工程(S102)中，加權面積密度運算部12是利用預先從外部輸入之考慮補正近接效應所引起的尺寸變動的補正部分之劑量調變量DM來運算被加權的圖案的面積密度ρ(DM：x)。加權面積密度運算部12是面積密度運算部的一例。具體而言，例如以下般運算。加權面積密度運算部12是首先以預定的大小來將描繪領域假想分割成網目狀的複數的網目領域。網目大小是例如設定成覆蓋效應的影響半徑的1/10程度，作為全域大小為適。例如，設定成100~500μm程度為適。
而且，加權面積密度運算部12是從記憶裝置140輸 入描繪資料，按每個網目領域來分別運算被配置於網目領域內的各圖形圖案的面積密度ρ(x)。而且，加權面積密度運算部12是從記憶裝置142來輸入對應於該圖形圖案的劑量調變量DM(x)，按每個圖形圖案，對該圖形圖案的面積密度ρ(x)乘以劑量調變量DM而進行加權。而且，加權面積密度運算部12是按每個網目領域，累積加算被加權於內部所配置的每個圖形圖案之面積密度ρ(x)DM(x)，運算網目領域單位的加權面積密度ρ(DM：x)。加權面積密度ρ(DM：x)是可在解開以下的式(1)之下求取。位置x不單是表示2次元的其中的x方向，設為顯示向量者。以下，同樣。
Figure 107144562-A0101-12-0013-1
或，加權面積密度運算部12是按每個網目領域，分別運算配置於網目領域內的圖形圖案的面積。而且，加權面積密度運算部12是從記憶裝置142輸入對應於該圖形圖案的劑量調變量DM，按每個圖形圖案，對該圖形圖案的面積乘以劑量調變量DM而進行加權。而且，加權面積密度運算部12亦可按每個網目領域，累積加算按配置於內部的每個圖形圖案而被加權的面積，運算以網目領域面積除累積加算值的加權面積密度ρ(DM：x)。
在覆蓋效應補正照射量係數(亦稱覆蓋效應補正照射量，以下同樣)運算工程(S104)中，覆蓋補正照射量係數運算部14是使用利用從外部輸入的劑量調變量DM而被加 權的圖案的面積密度ρ(DM：x)來運算補正覆蓋效應所引起的尺寸變動之覆蓋補正照射量係數Df(x)。覆蓋補正照射量係數Df(x)是可利用近接效應補正係數(後方散亂係數)η，覆蓋補正係數θ，分布函數gf(x)，面積密度ρ(DM：x)來解開以下的式(2)之下求取。
Figure 107144562-A0101-12-0014-2
如以上般計算的覆蓋補正照射量係數Df(x)是被輸出至控制計算器110內。
在照射量運算工程(S200)中，照射量運算部113是利用覆蓋補正照射量係數Df(x)及劑量調變量DM(x)來運算電子射束200的照射量D(x)。照射量D(x)是可利用覆蓋補正照射量係數Df(x)，劑量調變量DM(x)及基準照射量DB(x)來解開以下的式(3)之下求取。
(3)D(x)=D B (x)．D f (x)．DM(x)
在劑量調變量DM(x)中已考慮近接效應補正部分，所以如此的照射量D(x)是成為補正近接效應所引起的尺寸變動及覆蓋效應所引起的尺寸變動的雙方之照射量。
作為描繪工程(S202)，描繪部150是利用照射量D(x)的電子射束200在試料101描繪圖案。具體而言，如以下般動作。首先，發射資料生成部112是從記憶裝置140讀出描繪資料，進行複數段的資料變換處理，生成裝置固有的發射資料。為了在描繪裝置100描繪圖形圖案，而需要 將被定義於描繪資料的各圖形圖案分割成可以1次的射束的發射來照射的大小。於是，發射資料生成部112為了實際描繪，而將各圖形圖案分割成可以1次的射束的發射來照射的大小而生成發射圖形。而且，按每個發射圖形來生成發射資料。在發射資料中，例如定義有圖形種類，圖形大小，及照射位置等的圖形資料。
而且，描繪控制部114是對控制電路120輸出控制訊號，而使能夠進行描繪處理。控制電路120是輸入發射資料及各照射量D(x)的資料，由描繪控制部114按照控制訊號來控制描繪部150，描繪部150是利用電子射束200來將該圖形圖案描繪於試料100。具體而言是如以下般動作。
從電子槍201(放出部)放出的電子射束200是藉由照明透鏡202來照明持有矩形的孔之第1開口部203全體。在此，將電子射束200首先形成矩形。然後，通過第1開口部203的第1開口部像的電子射束200是藉由投影透鏡204來投影於第2開口部206上。如此的第2開口部206上的第1開口部像是藉由偏向器205來偏向控制，可使射束形狀及尺寸變化(可變成形)。而且，通過第2開口部206的第2開口部像的電子射束200是藉由對物透鏡207來對焦，藉由主偏向器208及副偏向器209來偏向，照射至被配置在連續性地移動的XY平台105之試料101的所望的位置。在圖1中顯示使用主副2段的多段偏向於位置偏向的情況。如此的情況是只要在主偏向器208在將條紋 領域更假想分割後的子域(SF(Sub Field))的基準位置一邊追隨平台移動一邊使該發射的電子射束200偏向，且在副偏向器209使施加於SF內的各照射位置的該發射的射束偏向即可。並且，照射量D(x)的控制是只要藉由電子射束200的照射時間來控制即可。
如以上般，若根據實施形態1，則在從裝置外部輸入含近接效應補正部分的劑量調變量時，有關覆蓋效應也可進行補正計算。因此，可補正近接效應所引起的尺寸變動及覆蓋效應所引起的尺寸變動的雙方。
實施形態2.
在實施形態1是說明有關不求取近接效應補正照射量係數Dp(x)，而求取覆蓋補正照射量係數Df(x)的手法。在實施形態2是說明有關求取近接效應補正照射量係數Dp(x)之後求取覆蓋補正照射量係數Df(x)的手法。
圖4是表示實施形態2的描繪裝置的構成的概念圖。在圖4中，除了在前處理計算機130內更追加近接效應補正照射量係數運算部16及照射量密度運算部18的點，及取代加權面積密度運算部12而配置面積密度運算部10的點以外是與圖1同樣。
面積密度運算部10，覆蓋補正照射量係數運算部14，近接效應補正照射量係數運算部16，及照射量密度運算部18等的機能是可以電路等的硬體所構成，或以實行該等的機能的程式等的軟體所構成。或，亦可藉由硬體 與軟體的組合來構成。被輸出入於面積密度運算部10，覆蓋補正照射量係數運算部14，近接效應補正照射量係數運算部16，及照射量密度運算部18的資訊及運算中的資訊是隨時被儲存於記憶體132。
圖5是表示實施形態2的描繪方法的要部工程的流程圖。在實施形態2中，與實施形態1同樣，利用考慮近接效應補正部分的劑量調變量DM，在描繪裝置100內部進行補正覆蓋的照射量計算。
在面積密度運算工程(S103)中，面積密度運算部10是運算圖案的面積密度ρ(x)。在此的面積密度ρ(x)是使用在用以求取覆蓋補正照射量係數Df(x)的近接效應補正照射量係數Dp(x)的運算。因此，以覆蓋用近接效應網目的大小來運算面積密度ρ(x)。面積密度運算部10是以預定的大小來將描繪領域假想分割成網目(mesh)狀的複數的網目領域。網目大小是分割成比全域大小更小，比使用在原本的近接效應補正計算的網目大小更大的大小為適。例如，比近接效應的影響半徑的1/10更大數倍程度的值為適。例如，5~10μm程度為適。藉此，相較於在近接效應的影響半徑的1/10程度的網目大小的每個網目領域進行詳細的近接效應補正運算，可減低運算次數。進而可高速運算。其他的面積密度ρ(x)的計算手法是與實施形態1的加權面積密度運算工程(S102)同樣。
在近接效應補正照射量係數運算工程(S110)中，近接效應補正照射量係數運算部16是利用面積密度ρ(x)來運 算補正近接效應所引起的尺寸變動之覆蓋計算用的近接效應補正照射量係數Dp(x)。近接效應補正照射量係數Dp(x)是可利用近接效應補正係數(後方散亂係數)η，分布函數gp(x)及面積密度ρ(x)來解開以下的式(4)之下求取。
Figure 107144562-A0101-12-0018-3
在照射量密度運算工程(S112)中，照射量密度運算部18是利用面積密度ρ(x)及覆蓋計算用的近接效應補正照射量係數Dp(x)來運算照射量密度ρ+(x)。照射量密度ρ+(x)是可在解開以下的式(5)之下求取。
(5)ρ +(x)=D p (x)．ρ(x)
在覆蓋補正照射量係數運算工程(S114)中，覆蓋補正照射量係數運算部14是利用圖案的面積密度ρ(x)來運算補正覆蓋效應所引起的尺寸變動的覆蓋補正照射量係數Df(x)。覆蓋補正照射量係數Df(x)是可利用近接效應補正係數(後方散亂係數)η，覆蓋補正係數θ，分布函數gf(x)及照射量密度ρ+(x)來解開以下的式(6)之下求取。
Figure 107144562-A0101-12-0018-4
如以上般被計算的覆蓋補正照射量係數Df(x)是被輸入至控制計算器110內。
在照射量運算工程(S200)中，照射量運算部113是利用覆蓋補正照射量係數Df(x)及劑量調變量DM(x)來運算 電子射束200的照射量D(x)。照射量D(x)是可利用覆蓋補正照射量係數Df(x)，劑量調變量DM(x)及基準照射量DB(x)來以上述的式(3)所運算。
在劑量調變量DM(x)中，因為近接效應補正部分已經被考慮，所以如此的照射量D(x)是成為補正近接效應所引起的尺寸變動及覆蓋效應所引起的尺寸變動的雙方之照射量。
以下，描繪工程(S202)是與實施形態1同樣。其他未特別說明的內容是與實施形態1同樣。
如以上般，若根據實施形態2，則在從裝置外部輸入含近接效應補正部分的劑量調變量時，有關覆蓋效應也可進行補正計算。因此，可補正近接效應所引起的尺寸變動及覆蓋效應所引起的尺寸變動的雙方。
實施形態3.
在實施形態1，2是說明有關覆蓋補正，但在實施形態3是說明有關負載效應補正。
圖6是表示實施形態3的描繪裝置的構成的概念圖。在圖6中，除了在前處理計算機130內更追加面積密度運算部10，尺寸變動量運算部20，取得部22，近接效應補正照射量係數運算部25，及負載效應補正照射量係數運算部30的點，近接效應補正照射量係數運算部25具有近接效應補正照射量係數運算部26，28的點，無前處理計算機130內的加權面積密度運算部12及覆蓋補正照射量 係數運算部14的點，及追加磁碟裝置等的記憶裝置144的點以外是與圖1同樣。
面積密度運算部10，尺寸變動量運算部20，取得部22，近接效應補正照射量係數運算部26，28，及負載效應補正照射量係數運算部30等的機能是可以電路等的硬體所構成，或以實行該等的機能的程式等的軟體所構成。或，亦可藉由硬體與軟體的組合所構成。被輸出入於面積密度運算部10，加權面積密度運算部12，取得部22，近接效應補正照射量係數運算部26，28，及負載效應補正照射量係數運算部30的資訊及運算中的資訊是隨時被儲存於記憶體132。
在記憶裝置144中，表示近接效應補正係數η與圖案尺寸CD(Critical Dimension)的相關之η-CD的相關資料，及表示基準照射量DB與圖案尺寸CD的相關之DB-CD的相關資料會從外部輸入，儲存。
圖7是表示實施形態3的描繪方法的要部工程的流程圖。在實施形態3中，利用近接效應補正部分被考慮的劑量調變量DM，在描繪裝置100內部，進行負載效應被補正的照射量計算。
在面積密度運算工程(S101)中，面積密度運算部10是運算圖案的面積密度ρ(x)。具體而言，例如以下般運算。面積密度運算部10是首先以預定的大小來將描繪領域假想分割成網目狀的複數的網目領域。網目大小是作為全域大小，例如設定成覆蓋效應的影響半徑的1/10程度 為適。例如，設定成100~500μm程度為適。
而且，面積密度運算部10是從記憶裝置140輸入描繪資料，而按每個網目領域，運算被配置於網目領域內的圖形圖案的面積密度ρ(x)。
作為尺寸變動量運算工程(S120)，尺寸變動量運算部20是利用描繪領域被假想分割成複數的網目領域的每個網目領域的圖案的面積密度ρ(x)來運算負載效應所引起的尺寸變動量△CD(x)。尺寸變動量△CD(x)是可在解開以下的式(7)之下求取。
(7)△CD=γʃρ(x')g L (x-x')dx'+P(x)
在此，負載效應補正係數γ是以在面積密度100%的尺寸變動量來定義。並且，gL(x)是表示負載效應的分布函數。P(x)是表示位置依存的尺寸變動量。位置依存的尺寸變動量P(x)是只要使用被儲存於未圖示的記憶裝置等的資料即可。
作為取得工程(S122)，取得部22是從記憶裝置144讀出η-CD的相關資料及DB-CD的相關資料，取得適於一邊維持近接效應補正，一邊也補正負載效應所引起的尺寸變動量△CD(x)之近接效應補正係數(後方散亂係數)η’與基準照射量DB’的組合。只要從η-CD的相關資料及DB-CD的相關資料取得適於在所望的CD中加算(或差分)尺寸變動量△CD(x)後的CD之η’與DB’的組合即可。不考慮負載效應的近接效應補正係數η及基準照射量DB未預先被設 定時，該等以外更取得η與DB的組合。
作為近接效應補正照射量係數(亦稱近接效應補正照射量，以下同樣)運算工程(S124)，近接效應補正照射量係數運算部26是利用被取得的近接效應補正係數η’及面積密度ρ(x)來一邊補正負載效應所引起的尺寸變動，一邊運算用以補正近接效應的近接效應補正照射係數Dp’(x)。近接效應補正照射係數Dp’(x)是可在解開以下的式(8)之下求取。
Figure 107144562-A0101-12-0022-5
在此，gp(x)是表示近接效應的分布函數(後方散亂影響函數)。在此是將成為描繪對象的晶片的晶片領域假想分割成網目狀的複數的網目領域，而按每個網目領域運算。網目領域的大小是例如近接效應的影響半徑的1/10程度為適。例如1μm程度為適。
作為近接效應補正照射量係數運算工程(S126)，近接效應補正照射量係數運算部28是利用不考慮負載效應的近接效應補正係數η與基準照射量DB的組合之中的近接效應補正係數η及面積密度ρ(x)來運算用以在不考慮算負載效應之下補正近接效應的近接效應補正照射係數Dp(x)。近接效應補正照射係數Dp(x)是可在解開以下的式(9)之下求取。
Figure 107144562-A0101-12-0022-6
如此的運算也按每個網目領域運算。網目領域的大小是例如近接效應的影響半徑的1/10程度為適。例如，1μm程度為適。
作為負載效應補正照射量係數(亦稱負載效應補正照射量，以下同樣)運算工程(S128)，負載效應補正照射量係數運算部30是利用考慮負載效應補正的近接效應補正照射係數Dp’(x)及不考慮負載效應的近接效應補正照射係數Dp(x)來運算負載效應補正照射量係數DL(x)。負載效應補正照射量係數DL(x)是利用不考慮負載效應的近接效應補正係數η與基準照射量DB的組合之中的基準照射量DB，及考慮負載效應的近接效應補正係數η’與基準照射量DB’的組合之中的基準照射量DB’，以及考慮負載效應補正的近接效應補正照射係數Dp’(x)與不考慮負載效應的近接效應補正照射係數Dp(x)，在解開以下的式(10)之下求取。
Figure 107144562-A0101-12-0023-7
在照射量運算工程(S201)中，照射量運算部113是利用負載效應補正照射量係數DL(x)及劑量調變量DM(x)來運算電子射束200的照射量D(x)。照射量D(x)是可利用負載效應補正照射量係數DL(x)，劑量調變量DM(x)及基準照射量DB(x)來解開以下的式(11)之下求取。
(11)D(x)=D B (x)．D L (x)．DM(x)
在劑量調變量DM(x)中，因為近接效應補正部分已經 被考慮，所以如此的照射量D(x)是成為補正近接效應所引起的尺寸變動及負載效應所引起的尺寸變動的雙方之照射量。
以下，描繪工程(S202)是與實施形態1同樣。其他未特別說明的內容是與實施形態1同樣。
如以上般，若根據實施形態3，則在從裝置外部輸入含近接效應補正部分的劑量調變量時，有關負載效應也可進行補正計算。因此，可補正近接效應所引起的尺寸變動及負載效應所引起的尺寸變動的雙方。
實施形態4.
在實施形態4中，利用負載效應補正表(LEC表)來說明有關進行負載效應補正的構成。
圖8是表示實施形態4的描繪裝置的構成的概念圖。在圖8中，除了在前處理計算機130內更追加表作成部32及負載效應補正照射量係數取得部34的點，無前處理計算機130內的近接效應補正照射量係數運算部26的點，以及追加磁碟裝置等的記憶裝置146的點以外是與圖6同樣。
面積密度運算部10，尺寸變動量運算部20，取得部22，近接效應補正照射量係數運算部28，負載效應補正照射量係數運算部30，表作成部32，及負載效應補正照射量係數取得部34等的機能是可以電路等的硬體所構成，或以實行該等的機能的程式等的軟體所構成。或，亦 可藉由硬體與軟體的組合所構成。被輸出於面積密度運算部10，尺寸變動量運算部20，取得部22，近接效應補正照射量係數運算部28，負載效應補正照射量係數運算部30，表作成部32，及負載效應補正照射量係數取得部34的資訊及運算中的資訊是隨時被儲存於記憶體132。
圖9是表示實施形態4的描繪方法的要部工程的流程圖。在實施形態4中，利用近接效應補正部分被考慮的劑量調變量DM，在描繪裝置100內部，進行負載效應被補正的照射量計算。
實施面積密度運算工程(S101)及尺寸變動量運算工程(S120)以及取得工程(S122)。各工程的處理內容是與實施形態3同樣。
負載效應補正照射量係數運算工程(S123)是負載效應補正照射量係數運算部30會利用考慮負載效應補正的近接效應補正照射係數Dp (1)’(x)及不考慮負載效應的近接效應補正照射係數Dp (1)(x)來運算負載效應補正照射量係數DL(x)。負載效應補正照射量係數DL(x)是可在解開以下的式(12)之下求取。
Figure 107144562-A0101-12-0025-8
另外，考慮負載效應補正的近接效應補正照射係數Dp (1)’(x)是以以下的式(13)所定義。
Figure 107144562-A0101-12-0026-9
另外，不考慮負載效應補正的近接效應補正照射係數Dp (1)(x)是用以下的式(14)來定義。
Figure 107144562-A0101-12-0026-10
如式(12)所示般，負載效應補正照射量係數DL(x)是將依據一邊維持近接效應的補正，一邊補正負載效應所引起的尺寸變動量的基準照射量DB’(第1基準照射量)與利用和基準照射量DB’成組的近接效應補正係數η’(第1近接效應補正係數)所取得的近接效應補正照射係數Dp (1)’(x)(第1近接效應補正照射量係數)的乘積(第1乘積)除以在不考慮負載效應所引起的尺寸變動量之下補正近接效應所引起的尺寸變動量的基準照射量DB(第2基準照射量)與利用和基準照射量DB成組的近接效應補正係數η(第2近接效應補正係數)而取得的近接效應補正照射係數Dp (1)(x)(第2近接效應補正照射量係數)的乘積(第2乘積)之值來定義。
在式(13)及式(14)中是在使面積密度ρ(x)形成可變之下，使近接效應補正照射係數Dp (1)’(x)及近接效應補正照射係數Dp (1)(x)形成可變。而且，在形成可變的近接效應補正照射係數Dp (1)’(x)及近接效應補正照射係數 Dp (1)(x)，分別運算負載效應補正照射量係數DL(x)。在此，面積密度ρ(x)不是可任意地變成多數的值，而是利用在尺寸變動量運算工程(S120)中運算尺寸變動量△CD(x)時使用的值為適。藉此，對於對應於實際的圖案之面積密度ρ(x)可運算負載效應補正照射量係數DL(x)及近接效應補正照射係數Dp (1)(x)。
在式(13)中，利用考慮負載效應補正的近接效應補正係數η’。在式(14)中，利用不考慮負載效應補正的近接效應補正係數η。
在此，於式(13)及式(14)中，gp(x)是表示近接效應的分布函數(後方散亂影響函數)。
在表作成工程(S125)中，表作成部32是作成相關表(LEC表)，其係使負載效應補正照射量係數DL(x)及不考慮負載效應補正的近接效應補正照射係數Dp(x)以及尺寸變動量△CD(x)相關。
圖10是表示實施形態4的LEC表的一例圖。在圖10中，例如，按可變的每個面積密度ρ(x)，將對應的負載效應補正照射量係數DL(x)及不考慮負載效應補正的近接效應補正照射係數Dp(x)以及尺寸變動量△CD(x)定義在LEC表中。被作成的LEC表是被儲存於記憶裝置146。
作為近接效應補正照射量係數運算工程(S126)，近接效應補正照射量係數運算部28是利用圖案的面積密度ρ(x)來運算補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數Dp(x)。具體而言，利用不考慮負載效應的 近接效應補正係數η與基準照射量DB的組合之中的近接效應補正係數η及面積密度ρ(x)來運算用以在不考慮負載效應之下補正近接效應的近接效應補正照射係數Dp(x)。近接效應補正照射係數Dp(x)是可在解開以下的式(15)之下求取。
Figure 107144562-A0101-12-0028-11
在此是將成為描繪對象的晶片的晶片領域假想分割成網目狀的複數的網目領域，按每個網目領域運算。網目領域的大小是例如近接效應的影響半徑的1/10程度為適。例如，1μm程度為適。
作為負載效應補正照射量係數取得工程(S129)，負載效應補正照射量係數取得部34是利用補正負載效應所引起的尺寸變動之負載效應補正照射量係數，及補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數，以及負載效應所引起的尺寸變動量之相關關係來取得對應於被運算之負載效應所引起的尺寸變動量△CD(x)及被運算之近接效應補正照射量係數Dp(x)的負載效應補正照射量係數DL(x)。具體而言，參照被記憶於記憶裝置146的LEC表來取得對應於被運算之尺寸變動量△CD(x)及被運算之近接效應補正照射量係數Dp(x)之負載效應補正照射量係數DL(x)。
在照射量運算工程(S201)中，照射量運算部113是利用負載效應補正照射量係數DL(x)及劑量調變量DM(x)來 運算電子射束200的照射量D(x)。照射量D(x)是可在解開上述的式(11)之下求取。
在劑量調變量DM(x)中，因為近接效應補正部分已經被考慮，所以如此的照射量D(x)是成為補正近接效應所引起的尺寸變動及負載效應所引起的尺寸變動的雙方之照射量。
以下，描繪工程(S202)是與實施形態1(實施形態3)同樣。其他未特別說明的內容是與實施形態1(實施形態3)同樣。
如以上般，若根據實施形態4，則在從裝置外部輸入含近接效應補正部分的劑量調變量時，有關負載效應也可進行補正計算。因此，可補正近接效應所引起的尺寸變動及負載效應所引起的尺寸變動的雙方。
實施形態5.
在實施形態5是說明有關以和實施形態4不同的手法來作成LEC表的構成。
圖11是表示實施形態5的描繪裝置的構成的概念圖。在圖11中，除了無前處理計算機130內的取得部22的點，及取代磁碟裝置等的記憶裝置144而追加磁碟裝置等的記憶裝置148的點以外是與圖8同樣。
面積密度運算部10，尺寸變動量運算部20，近接效應補正照射量係數運算部28，負載效應補正照射量係數運算部30，表作成部32，及負載效應補正照射量係數取 得部34等的機能是可以電路等的硬體所構成，或以實行該等的機能的程式等的軟體所構成。或，藉由硬體與軟體的組合所構成。被輸入至面積密度運算部10，尺寸變動量運算部20，負載效應補正照射量係數運算部30，表作成部32，及負載效應補正照射量係數取得部34的資訊及運算中的資訊是隨時被儲存於記憶體132。
在記憶裝置148中儲存有概率(likelihood)DL(U)資料(有時也稱為「裕度」，以下同樣)。概率DL(U)資料是成為依存於近接效應密度U(x)的值。首先，按每個近接效應密度U，藉由實驗來取得圖案尺寸CD與照射量D的相關資料。在此，近接效應密度U(x)是以在近接效應用的網目領域內的圖案面積密度ρ(x)將分布函數g(x)重疊積分於近接效應的影響範圍以上的範圍的值來定義。分布函數g(x)是例如使用高斯函數為佳。近接效應用的網目領域的網目大小是近接效應的影響半徑的1/10程度為適。例如1μm程度為適。概率DL(U)是依存於近接效應密度U(x)，例如以每個近接效應密度U(x)的CD-D(U)的圖表的傾斜度(比例係數)所定義。如此，概率DL(U)是顯示圖案尺寸CD與照射量D(U)的關係。例如，針對近接效應密度U(x)=0(0%)，0.5(50%)，1(100%)的各情況，藉由實驗來求取以電子射束所描繪的圖案的尺寸CD及電子射束的照射量D(U)。而且，只要以多項式來配適在實驗所求得的複數的概率DL(Ui)之下取得概率DL(U)即可。
圖12是表示實施形態5的描繪方法的要部工程的流 程圖。在實施形態5中，利用近接效應補正部分被考慮的劑量調變量DM，在描繪裝置100內部，進行負載效應被補正的照射量計算。
實施面積密度運算工程(S101)及尺寸變動量運算工程(S120)。各工程的處理內容是與實施形態3同樣。
表作成工程(S121)是表作成部32會作成相關表(LEC表)，其使補正負載效應所引起的尺寸變動的負載效應補正照射量係數DL(x)，及不考慮負載效應補正的近接效應補正照射係數Dp(x)，以及負載效應所引起的尺寸變動量△CD(x)相關。
首先，負載效應補正照射量係數運算部30是利用尺寸變動量△CD(x)及概率DL(U)來運算負載效應補正照射量係數DL(x)。負載效應補正照射量係數DL(x)是可藉由解開以下的式(16)來求取。
Figure 107144562-A0101-12-0031-12
在式(16)中，負載效應補正照射量係數DL(x)是依據以使用負載效應所引起的尺寸變動量△CD(x)除以成為顯示圖案尺寸CD與電子射束的照射量D的關係的係數之依存於近接效應密度U(x)的概率DL(U)之值的項作為自然對數的底使用之作為納皮爾數e的指數的值來定義。
並且，近接效應密度U(x)是如上述般利用圖案面積密度ρ(x)及分布函數g(x)來以以下的式(17)所定義。
(17)U(x)=ʃg p (x-x')ρ(x')dx'
另外，U(x)與上述LEC表的Dp(x)的連結是利用式(14)來進行。
負載效應補正照射量係數運算部30是使面積密度ρ(x)可變，按每個可變的面積密度ρ(x)來運算負載效應補正照射量係數DL(x)。
圖13是表示實施形態5的LEC表的一例圖。在圖13中，例如，按每個可變的面積密度ρ(x)，將對應的負載效應補正照射量係數DL(x)及尺寸變動量△CD(x)以及近接效應補正照射係數Dp(x)定義於LEC表。被作成的LEC表是儲存於記憶裝置146。在此，面積密度ρ(x)不是可任意地變成多數的值，而是利用在尺寸變動量運算工程(S120)中運算尺寸變動量△CD(x)時使用的值為適。藉此，對於對應於實際的圖案之面積密度ρ(x)可運算負載效應補正照射量係數DL(x)。
作為近接效應補正照射量係數運算工程(S126)，近接效應補正照射量係數運算部28是利用圖案的面積密度ρ(x)來運算補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數Dp(x)。具體而言，利用不考慮負載效應的近接效應補正係數η及面積密度ρ(x)來運算用以在不考慮負載效應之下補正近接效應的近接效應補正照射係數Dp(x)。近接效應補正照射係數Dp(x)是可在解開上述式(9)之下求取。
在此是將成為描繪對象的晶片的晶片領域假想分割成網目狀的複數的網目領域，按每個網目領域運算。網目領域的大小是例如近接效應的影響半徑的1/10程度為適。例如，1μm程度為適。
作為負載效應補正照射量係數取得工程(S130)，負載效應補正照射量係數取得部34是利用補正負載效應所引起的尺寸變動之負載效應補正照射量係數，及補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數，以及負載效應所引起的尺寸變動量之相關關係來取得對應於被運算之負載效應所引起的尺寸變動量△CD(x)及被運算之近接效應補正照射量係數Dp(x)的負載效應補正照射量係數DL(x)。具體而言，參照被記憶於記憶裝置146的LEC表來取得對應於被運算之尺寸變動量△CD(x)及被運算之近接效應補正照射量係數Dp(x)之負載效應補正照射量係數DL(x)。
在照射量運算工程(S201)中，照射量運算部113是利用負載效應補正照射量係數DL(x)及劑量調變量DM(x)來運算電子射束200的照射量D(x)。照射量D(x)是可在解開上述式(11)之下求取。
在劑量調變量DM(x)中，因為已經考慮近接效應補正部分，所以如此的照射量D(x)是成為補正近接效應所引起的尺寸變動及負載效應所引起的尺寸變動的雙方之照射量。
以下，描繪工程(S202)是與實施形態1(實施形態3)同 樣。其他，未特別說明的內容是與實施形態1(實施形態3)同樣。
如以上般，若根據實施形態5，則在從裝置外部輸入含近接效應補正部分的劑量調變量時，有關負載效應也可進行補正計算。因此，可補正近接效應所引起的尺寸變動與負載效應所引起的尺寸變動的雙方。
實施形態6.
以概率DL(Dose Laitude)的提升為目的，利用劑量調變量DM來進行改變大小及近接效應補正時，可能有概率DL難作為近接效應密度U的函數定義的情況。換言之，有時概率DL會依存於改變大小量或DM量。於是，在實施形態6中，說明有關局部性地設定概率DL來利用於負載效應補正的構成。
圖14是表示實施形態6的描繪裝置的構成的概念圖。在圖14中，除了在前處理計算機130內追加判定部36及負載效應補正照射量係數運算部38的點以外是與圖11同樣。但，在儲存於記憶裝置140的描繪資料中所被定義的複數的圖形圖案之中，至少在1個圖形圖案的圖案資料中定義有不依存於近接效應密度U的局部性的概率DL’作為屬性資訊。
面積密度運算部10，尺寸變動量運算部20，負載效應補正照射量係數運算部30，表作成部32，負載效應補正照射量係數取得部34，判定部36，及負載效應補正照 射量係數運算部38等的機能是可以電路等的硬體所構成，或以實行該等的機能的程式等的軟體所構成。或，亦可藉由硬體與軟體的組合所構成。被輸出入於面積密度運算部10，尺寸變動量運算部20，負載效應補正照射量係數運算部30，表作成部32，負載效應補正照射量係數取得部34，判定部36，及負載效應補正照射量係數運算部38的資訊及運算中的資訊是隨時被儲存於記憶體132。
圖15是表示實施形態6的描繪方法的要部工程的流程圖。在實施形態6中，利用考慮近接效應補正部分的劑量調變量DM，在描繪裝置100內部，進行補正負載效應的照射量計算。
實施面積密度運算工程(S101)、尺寸變動量運算工程(S120)及表作成工程(S121)。各工程的處理內容是與實施形態5(實施形態3)同樣。
作為判定工程(S127)，判定部36是判定是否在成為計算對象的圖形圖案中定義有局部性的概率DL’作為屬性資訊。當定義有局部性的概率DL’時，前進至負載效應補正照射量係數運算工程(S132)。當局部性的概率DL’未被定義時，前進至負載效應補正照射量係數取得工程(S130)。
當局部性的概率DL’未被定義時，實施負載效應補正照射量係數取得工程(S130)。負載效應補正照射量係數取得工程(S130)的內容是與實施形態5同樣。
在負載效應補正照射量係數運算工程(S132)中，當局 部的概率DL’被定義時，負載效應補正照射量係數運算部38是利用局部的概率DL’來運算負載效應補正照射量係數DL(x)。在此的負載效應補正照射量係數DL(x)是可藉由解開以下的式(18)來求取。
Figure 107144562-A0101-12-0036-13
在照射量運算工程(S201)中，照射量運算部113是利用負載效應補正照射量係數DL(x)及劑量調變量DM(x)來運算電子射束200的照射量D(x)。照射量D(x)是可在解開上述的式(11)之下求取。
在劑量調變量DM(x)中，因為近接效應補正部分已經被考慮，所以如此的照射量D(x)是成為補正近接效應所引起的尺寸變動及負載效應所引起的尺寸變動的雙方之照射量。
以下，描繪工程(S202)是與實施形態1(實施形態3)同樣。其他，未特別說明的內容是與實施形態1(實施形態3)同樣。
如以上般，若根據實施形態6，則在從裝置外部來輸入含近接效應補正部分的劑量調變量時，有關負載效應也可進行補正計算。因此，可補正近接效應所引起的尺寸變動及負載效應所引起的尺寸變動的雙方。並且，局部性地設定概率DL’可局部性地利用不依存於近接效應密度U的概率DL’來補正負載效應所引起的尺寸變動。
以上，一面參照具體例，一面說明有關實施形態。 但，本發明是不限於該等的具體例。
並且，裝置構成或控制手法等，有關與本發明的說明無直接必要的部分等是省略記載，但可適當選擇必要的裝置構成或控制手法。例如，有關控制描繪裝置100的控制部構成雖省略記載，但當然是適當選擇必要的控制部構成使用。
其他，具備本發明的要素，該當業者可適當設計變更的所有荷電粒子束描繪裝置及方法是包含在本發明的範圍。
以上說明了本發明的幾個實施形態，但該等的實施形態是舉例提示者，非意圖限定發明的範圍。該等新穎的實施形態是可在其他各種的形態下被實施，可在不脫離發明的要旨的範圍內進行各種的省略、置換、變更。該等實施形態或其變形是為發明的範圍或要旨所包含，且為申請專利範圍記載的發明及其均等的範圍所包含。
12‧‧‧加權面積密度運算部
14‧‧‧覆蓋補正照射量係數運算部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧發射資料生成部
113‧‧‧照射量運算部
114‧‧‧描繪控制部
120‧‧‧控制電路
130‧‧‧前處理計算機
132‧‧‧記憶體
140、142‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子射束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧第1開口部
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧偏向器
206‧‧‧第2開口部
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧主偏向器
209‧‧‧副偏向器

Claims (2)

  1. 一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵係具備：尺寸變動量運算部，其係利用描繪領域被假想分割成複數的網目領域之每個網目領域的圖案的面積密度來運算負載效應所引起的尺寸變動量；近接效應補正照射量係數運算部，其係利用前述圖案的面積密度來運算補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數；負載效應補正照射量係數取得部，其係利用補正負載效應所引起的尺寸變動之負載效應補正照射量係數，及補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數，以及負載效應所引起的尺寸變動量之相關關係來取得對應於被運算之負載效應所引起的尺寸變動量及被運算之近接效應補正照射量係數的負載效應補正照射量係數；照射量運算部，其係利用取得的負載效應補正照射量係數，及預先從外部輸入之考慮補正近接效應所引起的尺寸變動的補正部分之劑量調變量來運算荷電粒子束的照射量；及描繪部，其係利用前述照射量的荷電粒子束來對試料描繪圖案，前述負載效應補正照射量係數係依據以使用負載效應所引起的尺寸變動量除以成為顯示圖案尺寸與荷電粒子束的照射量的關係的係數之依存於近接效應密度的概率之值的項作為自然對數的底使用之作為納皮爾數e的指數的值 來定義。
  2. 一種荷電粒子束描繪方法，其特徵係：利用描繪領域被假想分割成複數的網目領域之每個網目領域的圖案的面積密度來運算負載效應所引起的尺寸變動量；利用前述圖案的面積密度來運算補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數；利用補正負載效應所引起的尺寸變動之負載效應補正照射量係數，及補正近接效應所引起的尺寸變動之近接效應補正照射量係數，以及負載效應所引起的尺寸變動量之相關關係來取得對應於被運算之負載效應所引起的尺寸變動量及被運算之近接效應補正照射量係數的負載效應補正照射量係數；利用取得的負載效應補正照射量係數，及預先從外部輸入之考慮補正近接效應所引起的尺寸變動的補正部分之劑量調變量來運算荷電粒子束的照射量；及利用前述照射量的荷電粒子束來對試料描繪圖案，前述負載效應補正照射量係數係依據以使用負載效應所引起的尺寸變動量除以成為顯示圖案尺寸與荷電粒子束的照射量的關係的係數之依存於近接效應密度的概率之值的項作為自然對數的底使用之作為納皮爾數e的指數的值來定義。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9262578B2 (en) * 2014-04-25 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit manufacturing
JP6349944B2 (ja) * 2014-05-13 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
JP6523767B2 (ja) * 2015-04-21 2019-06-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6493049B2 (ja) * 2015-07-16 2019-04-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
US9997329B2 (en) 2015-11-26 2018-06-12 Nuflare Technology, Inc. Evaluation method, correction method, recording medium and electron beam lithography system
JP6640684B2 (ja) * 2015-11-26 2020-02-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 評価方法、補正方法、プログラム、及び電子線描画装置
JP7024616B2 (ja) * 2018-06-08 2022-02-24 株式会社ニューフレアテクノロジー データ処理方法、データ処理装置、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP7031516B2 (ja) * 2018-07-06 2022-03-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 照射量補正量の取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置
US11556058B2 (en) * 2018-10-31 2023-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Proximity effect correction in electron beam lithography
JP7167842B2 (ja) * 2019-05-08 2022-11-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP7129676B1 (ja) 2021-06-25 2022-09-02 日本コントロールシステム株式会社 電子ビーム描画装置、生産装置、電子ビーム描画方法、生産方法、プログラム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070011453A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Nokia Corporation Establishment of a trusted relationship between unknown communication parties
JP2010019066A (ja) * 2008-06-13 2010-01-28 Mitsubishi Heavy Industries Mechatronics Systems Ltd 内型枠及び該内型枠を備えたトンネル掘削機
US20110068281A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam drawing apparatus and proximity effect correction method thereof
CN102023489A (zh) * 2009-08-26 2011-04-20 D2S公司 用带电粒子束光刻来使用曲线字符打碎并形成图案的方法
TW201144974A (en) * 2010-06-01 2011-12-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Mother board

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3321234B2 (ja) * 1993-03-12 2002-09-03 株式会社東芝 電子ビーム描画方法及び描画装置
US6562523B1 (en) * 1996-10-31 2003-05-13 Canyon Materials, Inc. Direct write all-glass photomask blanks
US6610989B1 (en) * 1999-05-31 2003-08-26 Fujitsu Limited Proximity effect correction method for charged particle beam exposure
JP3394237B2 (ja) * 2000-08-10 2003-04-07 株式会社日立製作所 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
JP3952736B2 (ja) * 2001-10-25 2007-08-01 ソニー株式会社 露光方法
JP4189232B2 (ja) * 2002-02-08 2008-12-03 株式会社東芝 パターン形成方法および描画方法
JP3930411B2 (ja) * 2002-09-30 2007-06-13 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置及び描画方法
TWI298430B (en) * 2004-03-31 2008-07-01 Hoya Corp Electron-beam plotting method, method of manufacturing lithographic mask, and electron-beam plotting device
JP4476975B2 (ja) * 2005-10-25 2010-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
US7619230B2 (en) * 2005-10-26 2009-11-17 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam writing method and apparatus and readable storage medium
JP5063071B2 (ja) * 2006-02-14 2012-10-31 株式会社ニューフレアテクノロジー パタン作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4773224B2 (ja) * 2006-02-14 2011-09-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム
JP4976071B2 (ja) * 2006-02-21 2012-07-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4814651B2 (ja) * 2006-02-22 2011-11-16 富士通セミコンダクター株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及びそれに用いられるプログラム
JP4745089B2 (ja) * 2006-03-08 2011-08-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法、描画データ作成方法及びプログラム
US7638247B2 (en) * 2006-06-22 2009-12-29 Pdf Solutions, Inc. Method for electron beam proximity effect correction
JP2008071928A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Nuflare Technology Inc 描画パターンのリサイズ方法及び荷電粒子ビーム描画方法
JP4945380B2 (ja) * 2007-09-05 2012-06-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US8062813B2 (en) * 2008-09-01 2011-11-22 D2S, Inc. Method for design and manufacture of a reticle using a two-dimensional dosage map and charged particle beam lithography
US20130070222A1 (en) * 2011-09-19 2013-03-21 D2S, Inc. Method and System for Optimization of an Image on a Substrate to be Manufactured Using Optical Lithography
JP5199896B2 (ja) * 2009-01-06 2013-05-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画方法及び描画装置
JP5570774B2 (ja) * 2009-08-04 2014-08-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および方法
KR101388358B1 (ko) * 2009-12-22 2014-04-22 가부시끼 가이샤 구보다 작업차
KR101244525B1 (ko) * 2010-04-20 2013-03-18 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법
JP5525936B2 (ja) * 2010-06-30 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5547567B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法
JP2012019066A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画方法及び装置
JP2012069667A (ja) 2010-09-22 2012-04-05 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5636238B2 (ja) * 2010-09-22 2014-12-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5662756B2 (ja) * 2010-10-08 2015-02-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US8703389B2 (en) * 2011-06-25 2014-04-22 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
JP5797454B2 (ja) * 2011-05-20 2015-10-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5767033B2 (ja) * 2011-06-13 2015-08-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP5826566B2 (ja) * 2011-09-01 2015-12-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5871558B2 (ja) * 2011-10-20 2016-03-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5871557B2 (ja) * 2011-10-20 2016-03-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6076708B2 (ja) 2012-11-21 2017-02-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量チェック方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070011453A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Nokia Corporation Establishment of a trusted relationship between unknown communication parties
JP2010019066A (ja) * 2008-06-13 2010-01-28 Mitsubishi Heavy Industries Mechatronics Systems Ltd 内型枠及び該内型枠を備えたトンネル掘削機
CN102023489A (zh) * 2009-08-26 2011-04-20 D2S公司 用带电粒子束光刻来使用曲线字符打碎并形成图案的方法
US20110068281A1 (en) * 2009-09-18 2011-03-24 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam drawing apparatus and proximity effect correction method thereof
TW201144974A (en) * 2010-06-01 2011-12-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Mother board

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