TWI694103B - 多孔性聚胺甲酸酯拋光墊及其製造方法 - Google Patents

多孔性聚胺甲酸酯拋光墊及其製造方法 Download PDF

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Abstract

實施例係有關於用於半導體的一化學機械平坦化(CMP)方法之一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，及其製備方法。依據實施例，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊中所含之複數個孔洞的尺寸及分佈可被調整。因此，可提供具有諸如一適當量之耐受電壓、優異拋光性能(即，拋光率)等的增強物理性質之一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊。

Description

多孔性聚胺甲酸酯拋光墊及其製造方法
技術領域 實施例係有關於用在半導體化學機械平坦化(CMP)方法之一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，及一其製備方法。
背景技藝 一用於製備半導體之方法中的化學機械平坦化(CMP)方法係指將一晶圓固定於一頭部且與安裝於一平台上之一拋光墊的平面接觸，然後於平台及頭部相對移動時，使晶圓藉由提供一漿料作化學處理，藉此將晶圓表面上之不規則性機械式平坦化之一步驟。
一拋光墊係於此一CMP方法中扮演一重要角色之一重要元件。一般，一拋光墊係由一聚胺甲酸酯系樹脂組成，且於其表面上具有供一漿液大量流動之凹槽，及用於支持其細微流動之孔洞。
一拋光墊中之孔洞係藉由使用一具有孔隙之固相發泡劑、一以一揮發性液體、一惰性氣體、一纖維等填充之液相發泡劑，或藉由以一化學反應產生一氣體而形成。
首先，作為固相發泡劑，係使用微膠囊(即，經熱膨脹之微膠囊)，其尺寸已藉由一熱膨脹作調整。因為呈已膨脹微氣球之一結構的經熱膨脹之微膠囊具有一均一顆粒直徑，孔洞的直徑可被均一地控制。但是，經熱膨脹之微膠囊具有難以控制將被形成之孔洞的一問題，因為微膠囊的形狀於100℃或更高之一高溫的反應條件下改變。
同時，使用一惰性氣體或一揮發性液相發水泡劑形成孔洞的技術具有會影響CMP方法之任何材料不被排出之優點。但是，其難以精確控制孔洞的尺寸及墊材的密度，因為其必然會涉及一氣相，此係不方便受控制。其特別唪以產生50µm或更小之均一孔洞。此外，具有在不改變一拋光墊之聚胺甲酸酯基材的組成下，特別難以控制孔洞的尺寸及墊材的密度之一問題。
因此，雖然當微孔洞如於傳統方法般使用單一發泡劑實施時，孔洞可以與設計時之尺寸及分佈相符而形成，但設計孔洞之自由度低，且於控制孔洞分佈係具限制。
同時，韓國早期公開專利公開案第2016-0027075號案揭露使用一惰性氣體及一孔洞誘發聚合物之一用於製造低密度拋光墊之方法，及一低密度拋光墊。但是，此公開案未教示調整孔洞的尺寸及分佈與拋光墊之拋光率及崩潰電壓。 習知技藝文獻 專利文獻 (專利文獻1)韓國早期公開專利公開案第2016-0027075號案
發明揭露 技術問題 因此，實施例之一目的係提供一種具有尺寸及分佈係受控制的孔洞之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，藉此，其崩潰電壓及拋光率增強，及一種其製備方法。 問題解決方式
為了達成上述目的，一實施例提供一種多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，其包含胺甲酸酯系樹脂、一固化劑，複數個孔洞， 其中，此等複數個孔洞具有10µm至40µm之一面積加權平均孔洞直徑(AWAPD)，且 此多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有1.5mm至2.5mm之一厚度，0.7g/cm3 至0.9g/cm3 之一比重，50肖氏(shore)D至65肖氏D之於25℃的一表面硬度，15N/mm2 至25N/mm2 之一抗拉強度，80%至250%之一伸長率，以拋光墊總面積為基準為30%至60%之一總孔洞面積，及14kV至23kV之一崩潰電壓。
為達成上述目的，一實施例提供一種用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法，其包含 (1)將包含胺甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一用於形成複數個孔洞之材料的一混合物注射至一模具內並，且將其模製；及 (2)將此混合物固化， 其中，此等複數個孔洞具有10µm至40µm之一面積加權平均孔洞直徑(AWAPD)，且 此多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有1.5mm至2.5mm之一厚度，0.7g/cm3 至0.9g/cm3 之一比重，50肖氏D至65肖氏D之於25℃的一表面硬度，15N/mm2 至25N/mm2 之一抗拉強度，80%至250%之一伸長率，以拋光墊總面積為基準為30%至60%之一總孔洞面積，及14kV至23kV之一崩潰電壓。 發明之有利功效
依據實施例，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊中所含有之複數個孔洞的尺寸及分佈可被調整。因此，可提供具有諸如一適當量之耐受電壓、優異拋光性能(即，拋光率)等的增強物理性質之一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊。特別地，此多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有均勻配置於整個拋光墊上之一相對較大的孔洞直徑之孔洞，及配置於此等大孔洞間之小孔洞。此多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有藉由孔洞及一聚胺甲酸酯基材形成之孔隙空間係均勻分佈之一結構。因此，此多孔性聚胺甲酸酯拋光墊幾乎不具有一具有許多孔洞之區域，及一幾乎不具有孔洞之區域。因此，此拋光墊可避免會於諸如一晶圓之將被拋光之一物件上產生的刮痕等。
用以實行本發明之詳細說明 術語說明 除非作其它陳述或定義，此處使用之所有技術性及科學性術語具有與熟習與本發明相關之技藝者普遍瞭解相同之含意。
除非作其它陳述，所有百分率、份數，及比例係按重量。
此處使用之與組份、諸如分子量之物理性質、反應條件等的量有關之所有數值範圍在任何情況下需瞭解係藉由術語“約”作修飾。
於本說明書中，當一零件稱為“包含”一元件時，需瞭解其亦可包含其它元件，並非排除其它元件，除非特別作其它陳述。
術語“複數個”於此處使用時係指多於一個。
於本說明書中，術語“多孔性聚胺甲酸酯拋光墊”及“拋光墊”係可互換使用。
以下，本發明藉由下列實施例作詳細解釋。實施例可被修飾成各種型式，只要本發明之要旨不被改變。 多孔性聚胺甲酸酯拋光墊
一實施例提供一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，其包含胺甲酸酯系樹脂、一固化劑，及複數個孔洞，其中，此等複數個孔洞具有10µm至40µm之一面積加權平均孔洞直徑(AWAPD)，且此多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有1.5mm至2.5mm之一厚度，0.7g/cm3 至0.9g/cm3 之一比重，50肖氏D至65肖氏D之於25℃的一表面硬度，15N/mm2 至25N/mm2 之一抗拉強度，80%至250%之一伸長率，以拋光墊總面積為基準為30%至60%之一總孔洞面積，及14kV至23kV之一崩潰電壓。 複數個孔洞
依據實施例之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊中所含之複數個孔洞係以分散於聚胺甲酸酯樹脂中而存在。
同時，複數個孔洞具有10µm至40µm之面積加權平均孔洞直徑(AWAPD)。AWAPD係依據以下方程式1算得之一數值。 [方程式1] 面積加權平均孔洞直徑(AWAPD)=∑孔洞直徑×具有此孔洞直徑之孔洞的面積比例(%)/100
特別地，AWAPD可為10µm至30µm。更特別地，AWAPD可為12µm至25µm。更特別地，AWAPD可為14µm至22µm。但，其不限於此等。
於一實施例，當AWAPD係X，於以複數個多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之截面積為基準之複數個孔洞之直徑分佈中，具有少於X-5µm之一直徑的第一孔洞之截面積總和，以100%之複數個孔洞截面積總和為基準，可為5%至45%。特別地，具有少於X-5µm之一直徑的第一孔洞之截面積總和可為10%至40%。更特別地，具有少於X-5µm之一直徑的第一孔洞之截面積總和可為20%至30%。但其不限於此等。
此外，具有大於X+5µm之一直徑的第二孔洞之截面積總和可為10%至45%。特別地，具有大於X+5µm之一直徑的第二孔洞之截面積總和可為10%至40%。更特別地，具有大於X+5µm之一直徑的第二孔洞之截面積總和可為20%至30%。但其不限於此等。
此外，具有大於X+10µm之一直徑的複數個孔洞之截面積總和可為3%至35%。特別地，具有大於X+10µm之一直徑的複數個孔洞之截面積總和可為5%至20%。更特別地，具有大於X+10µm之一直徑的複數個孔洞之截面積總和可為5%至15%。但其不限於此等。
此外，具有大於X+20µm之一直徑的複數個孔洞之截面積總和可為1%至15%。特別地，具有大於X+20µm之一直徑的複數個孔洞之截面積總和可為1%至10%。但其不限於此。
此外，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之孔洞分佈可具有一第一峰值直徑，其具有最高分佈比率。
參考圖5及6，於以多孔性聚胺甲酸酯拋光墊中所含之孔洞的截面積總和為100%為基準之孔洞直徑分佈中，最大峰值之孔洞直徑可為50µm或更少，特別地係40µm或更少，更特別地係15µm至40µm，更特別地係25µm至35µm或26µm至33µm。但其不限於此等。
於一實施例，當具最大峰值之直徑係Y，以複數個孔洞之截面積總和為100%為基準，以複數個多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之截面積為基準之於複數個孔洞之直徑分佈中具有Y–5µm或更少之一直徑的孔洞之截面積總和可為20%至40%。更特別地，具有Y–5µm或更少之一直徑的孔洞之截面積總和可為30%至35%。但其不限於此等。
此外，具有Y–10µm或更少之一直徑的孔洞之截面積總和可為5%至30%。特別地，具有Y–10µm或更少之一直徑的孔洞之截面積總和可為10%至20%。更特別地，具有Y–10µm或更少之一直徑的孔洞之截面積總和可為11%至18%。但其不限於此等。
如上所述，因為依據實施例之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊均勻地含有小直徑月孔洞及大直徑之孔洞，其可具有適當崩潰電壓及增強之拋光性能。
同時，複數個孔洞可自至少二種固相發泡劑之一混合物衍生。特別地，其等可自少三種固相發泡劑之一混合物衍生。更特別地，其等可自少四種固相發泡劑之一混合物衍生。但其係不限於此等。固相發泡劑之混合物可為具有不同平均顆粒直徑分佈之至少二種、至少三種，或至少四種固相發泡劑之一混合物。
同時，複數個孔洞可自至少一種固相發泡劑及至少一種惰性氣體衍生。特別地，此至少一種固相發泡劑可為至少二種、至少三種，或至少四種固相發泡劑。此至少一種惰性氣體可為至少二種、至少三種，或至少四種惰性氣體。
惰性氣體的種類不受特別限制，只要其係不參與胺甲酸酯系樹脂與一固化劑之間的反應之一氣體。例如，惰性氣體可為選自由氮氣(N2 )、氬氣(Ar)，及氦氣(He)所組成群組之至少一者。特別地，惰性氣體可為氮氣(N2 )或氬氣(Ar)。
固相發泡劑可為經熱膨脹(即，經尺寸控制)之微膠囊。經熱膨脹(即，經尺寸控制)之微膠囊可藉由將可熱膨脹之微膠囊熱膨脹而獲得。可熱膨脹之微膠囊可包含一包含一熱塑性樹脂之殼，及包封於此殼內部之一發泡劑。熱塑性樹脂可為選自由二氯亞乙烯系共聚物、丙烯腈系共聚物、一甲基丙腈系共聚物，及一丙烯系共聚物所組成之至少一者。再者，包封於內部之發泡劑可為選自由具有1至7個碳原子之烴所組成群組之至少一者。特別地，包封於內部之發泡劑可選自由一低分子量之烴，諸如，乙烷、乙烯、丙烷、丙烯、正丁烷、異丁烷、丁烯、異丁烯、正戊烷、異戊烷、新戊烷、正己烷、庚烷、石油醚等；一氯氟烴，諸如，三氯氟甲烷(CCl3 F)、二氯二氟甲烷(CCl2 F2 )、氯三氟甲烷(CClF3 )、四氟乙烯(CClF2 -CClF2 )等；及一四烷基矽烷，諸如，四甲基矽烷、三甲基乙基矽烷、三甲基異丙基矽烷、三甲基正丙基矽烷等所組成之群組。
此外，固相發泡劑係經熱膨脹之微膠囊，且具有一微氣球結構，其具有5µm至200µm之一平均顆粒直徑。特別地，固相發泡劑可具有10µm至50µm之一平均顆粒直徑。更特別地，固相發泡劑可具有15µm至45µm之一平均顆粒直徑。此外，經熱膨脹之微膠囊可藉由將可熱膨脹之微膠囊熱膨脹而獲得。 胺甲酸酯系樹脂
多孔性聚胺甲酸酯拋光墊包含胺甲酸酯系樹脂，特別是一聚胺甲酸酯樹脂。聚胺甲酸酯樹脂可自一具有一異氰酸酯末端基之胺甲酸酯系預聚物衍生。於此情況，聚胺甲酸酯樹脂包含構成預聚物之單體單元。
一預聚物一般係指一具有一相對較低分子量之聚合物，其中，為了於其製造方法中方便模製一產物而係將聚合度調整至一中間程度。一預聚物可藉其本身或於與另一可聚合化合物反應後而模具。例如，一預聚物可藉由使一異氰酸酯化合物與一多元醇反應而製備。
例如，可用於製備胺甲酸酯系預聚物之異氰酸酯化合物可為選自由甲苯二異氰酸酯(TDI)、萘-1,5-二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、己二異氰酸酯、二環己基甲烷二異氰酸酯，及異佛爾酮二異氰酸酯所組成群組之至少一異氰酸酯。但其不限於此等。
例如，可用於製備胺甲酸酯系預聚物之多元醇可為選自由一聚醚多元醇、一聚酯多元醇、一聚碳酸酯多元醇，及一丙烯多元醇所組成群組之至少一多元醇。但其不限於此等。多元醇可具有300克/莫耳至3,000克/莫耳之一重量平均分子量(Mw)。
胺甲酸酯系樹脂可具有500克/莫耳至3,000克/莫耳之一重量平均分子量。特別地，胺甲酸酯系樹脂可具有600克/莫耳至2,000克/莫耳或700克/莫耳至1,500克/莫耳之一重量平均分子量(Mw)。 固化劑
固化劑可包含胺化合物、醇化合物，或其等之組合。特別地，固化劑可包含選自由一芳香族胺、一脂族胺、一芳香族醇，及一脂族醇所組成群組之至少一化合物。
例如，固化劑可為選自由4,4'-伸甲基雙(2-氯苯胺)(MOCA)、二乙基甲苯二胺、二胺基二苯基甲烷、二胺基二苯基碸、間二甲苯二胺、異佛爾酮二胺、乙二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、聚丙二胺、聚伸丙基三胺、乙二醇、二乙二醇、二丙二醇、丁二醇、己二醇、三醇、三羥甲基丙烷，及雙(4-胺基-3-氯苯基)甲烷所組成群組之至少一者。 反應速率控制劑
若要的話，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可進一步包含一反應速率控制劑。反應速率控制劑可為選自由三級胺系化合物及一有機金屬化合物所組成群組之至少一者。特別地，反應速率控制劑可為一反應促進劑或一反應阻滯劑。更特別地，反應速率控制劑可為一反應促進劑。
例如，反應速率控制劑可包含選自由三伸乙基二胺(TEDA)、二甲基乙醇胺(DMEA)、四甲基丁二胺(TMBDA)、2-甲基-三伸乙基二胺、二甲基環己胺(DMCHA)、三乙胺(TEA)、三異丙醇胺(TIPA)、1,4-二氮雜二環(2,2,2)辛烷、雙(2-甲基胺基乙基)醚、三甲基胺基乙基乙醇胺、N,N,N,N,N''-五甲基二伸乙基三胺、二甲基胺基乙胺、二甲基胺基丙胺、苯甲基二甲胺、N-乙基𠰌啉、N,N-二甲基胺基乙基𠰌啉、N,N-二甲基環己胺、2-甲基-2-氮雜降莰烷、二月桂酸二丁基錫、辛酸亞錫、二乙酸二丁基錫、二乙酸二辛基錫、馬來酸二丁基錫、二-2-乙基己酸二丁基錫，及二硫醇二丁基錫所組成群組之至少一者。特別地，反應速率控制劑可為選自由苯甲基二甲胺、N,N-二甲基環己胺，及三乙胺所組成群組之至少一者。 聚矽氧系界面活性劑
若要的話，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可進一步包含一聚矽氧矽界面活性劑。聚矽氧系界面活性劑可用以避免將被形成之孔洞重疊及彼此聚結。界面活性劑較佳係一聚矽氧系非離子性界面活性劑。但其它界面活性劑可依拋光墊所需之物理性質而作不同選擇。
作為聚矽氧系非離子性界面活性劑，具有一羥基基團之一聚矽氧系非離子性界面活性劑可單獨或與不具有羥基基團之一聚矽氧系非離子性界面活性劑組合使用。
具有一羥基基團之聚矽氧系非離子性界面活性劑不受特別限制，只要其係廣泛用於聚胺甲酸酯技術產業，因為其與一含異氰酸酯之化合物及一活性氫化合物的相容性優異。可購得之具有一羥基基團之聚矽氧系非離子性界面活性劑的例子包括DOW CORNING 193(呈液相之一聚矽氧二醇共聚物，其具有於25°C為1.07之一比重，於20°C為465mm2 /s之一黏度，及92°C之一閃點)(以下稱為DC-193)，其係由Dow Corning製造。
可購得之不具有羥基基團之聚矽氧系非離子性界面活性劑的例子包括DOW CORNING 190(一聚矽氧二醇共聚物，具有2之一Gardner色值，於25°C為1.037之一比重，於25°C為2,000mm2 /s之一黏度，及63°C或更高之一閃點，及36°C之一反溶點(1.0%水溶液)(其下稱為DC-190)，其係由Dow Corning製造。 多孔性聚胺甲酸酯拋光墊的物理性質
依據實施例之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有其每單位面積(mm2 )為500或更多之一孔洞數。特別地，依據實施例之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有其每單位面積(mm2 )為150或更多，更特別係200或更多之一孔洞數。但其不限於此等。同時，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有其每單位面積(mm2 )為1,500或更少之孔洞數。因此，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有其每單位面積(mm2 )為500至1,500，特別係700至1,500，更特別係800至1,450之一孔洞數。但其不限於此等。
此外，依據實施例之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊於一拋光墊之諸如比重、表面硬度、抗拉強度、伸長率，及崩潰電壓的基本物理性質係優異。
多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之諸如比重及硬度之物理性質經由以一異氰酸酯與一多元醇間之反應而聚合之胺甲酸酯系樹脂的分子結構而控制。
有關於比重，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有0.6g/cm3 至0.9g/cm3 之一比重。特別地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有0.7g/cm3 至0.9g/cm3 之一比重。更特別地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有0.7g/cm3 至0.85g/cm3 之一比重。但其不限於此等。
有關於表面硬度，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有於25°C為30肖氏(Shore)D至80肖氏D之一硬度。更特別地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有40肖氏D至70肖氏D之一硬度。更特別地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有50肖氏D至65肖氏D之一硬度。但其不限於此等。
有關於伸長率，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有30%至300%之一伸長率。更特別地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有50%至250%之一伸長率。更特別地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有80%至250%之一伸長率。但其不限於此等。
有關於耐受電壓，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有14kV或更多之一崩潰電壓。特別地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有14kV至23kV之一崩潰電壓。更特別地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有14kV至22kV之一崩潰電壓。
有關於總孔洞面積，以拋光墊總面積為基準，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有30%至60%之一總孔洞面積。特別地，以拋光墊總面積為基準，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有30%至50%之一總孔洞面積。特別地，以拋光墊總面積為基準，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有40%至50%之一總孔洞面積。
有關於厚度，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有1mm至5mm之一厚度。特多地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有1mm至3mm，1mm至2.5mm，1.5mm至5mm，1.5mm至3mm，1.5mm至2.5mm，1.8mm至5mm，1.8mm至3mm，或1.8mm至2.5mm之一厚度。若多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之厚度係於上述範圍內，拋光墊之基本物理性質可充分展現。
多孔性聚胺甲酸酯拋光墊於其表面上可具有溝槽，以供機械拋光。溝槽可具有用於機械拋光合意之一深度、一寬度及一間隔，其不受特別限制。
依據實施例之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可同時具有如上所述之拋光墊物理性質。例如，依據實施例之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有1.5mm至2.5mm之一厚度，0.7g/cm3 至0.9g/cm3 之一比重，於25℃為50肖氏D至65肖氏D之一表面硬度，15N/mm2 至25N/mm2 之一抗拉強度，80%至250%之一伸長率，以拋光墊總面積為基準為30%至60%之一總孔洞面積，及14kV至23kV之一崩潰電壓。但其不限於此等。
即，依據實施例之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有一適當尺寸分佈之孔洞，且孔洞係均勻分佈於整個拋光墊，以提供如上所述之平均孔洞直徑、比重、表面硬度、抗拉強度、伸長率，及崩潰電壓特徵。即，拋光墊具有均勻配置之具一相對較大孔洞直徑之孔洞，及配置於大孔洞間之小孔洞。因此，拋光墊具有其中藉由藉由孔洞及一聚胺甲酸酯基質形成之孔隙空間係均勻分佈之一結構。因此，拋光墊幾乎不具有一具有許多孔洞之區域，及一幾乎不具有孔洞之區域。因此，拋光墊可避免會於諸如一晶圓之將被拋光之一物件上產生之刮痕等。 製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法
依據一實施例，提供一種用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法，其包含(1)將包含胺甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一用於形成複數個孔洞之材料的一混合物注射至一模具內並且將其模製；及(2)將混合物固化，其中，複數個孔洞具有10µm至40µm之一面積加權平均孔洞直徑(AWAPD)，且此多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有1.5mm至2.5mm之一厚度，0.7g/cm3 至0.9g/cm3 之一比重，50肖氏(shore)D至65肖氏D之於25℃的一表面硬度，15N/mm2 至25N/mm2 之一抗拉強度，80%至250%之一伸長率，以拋光墊總面積為基準為30%至60%之一總孔洞面積，及14kV至23kV之一崩潰電壓。
複數個孔洞係如上於多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之段落中所述般。
特別地，用於形成複數個孔洞之材料可為至少二種固相發泡劑之一混合物。另外，其可為至少一種固相發泡劑及至少一種惰性氣體。固相發泡劑之混合物可為具有不同平均顆粒直徑分佈之至少二種固相發泡劑的一混合物。
固相發泡劑及惰性氣體係如上於多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之段落中所述般。
以下，用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法將作詳細說明。 原料供應
胺甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一用於形成複數個孔洞之材料係以原料製備。胺甲酸酯系預聚物及固化劑係如上於多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之段落中所述般。
同時，於其中用於形成複數個孔洞之材料係至少二種固相發泡劑的一混合物之情況，包含胺甲酸酯系預聚物、固化劑，及用於形成複數個孔洞之材料的混合物可包含每100重量份之胺甲酸酯系預聚物為0.5至10重量份之固相發泡劑混合物。更特別地，此原料混合物可包含每100重量份之胺甲酸酯系預聚物為1重量份至7重量份之固相發泡劑混合物。更特別地，此原料混合物可包含每100重量份之胺甲酸酯系預聚物為3重量份至6重量份之固相發泡劑混合物。
另一方面，於其中用於形成複數個孔洞之材料係至少一種固相發泡劑及至少一種惰性氣體之情況，惰性氣體可於胺甲酸酯系預聚物、固化劑，及固相發泡劑混合及反應期間添加，藉此於拋光墊中形成孔洞。
以胺甲酸酯系預聚物、固化劑，及固相發泡劑之總體積為基準，惰性氣體可以20體積%至35體積%，特別是20體積%至30體積%的一量添加。
若要的話，混合物可進一步包含一反應速率控制劑。反應速率控制劑係如上於多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之段落中所述般。
以100重量份之胺甲酸酯系預聚物為基準，反應速率控制劑可以0.1重量份至2重量份之一量使用。特別地，以100重量份之胺甲酸酯系預聚物為基準，反應速率控制劑可以0.2重量份至1.8重量份，0.2重量份至1.7重量份，0.2重量份至1.6重量份，或0.2重量份至1.5重量份之一量使用。若反應速率控制劑係以上述範圍內之一量使用，混合物(即，胺甲酸酯系預聚物、固化劑、固相發泡劑(的混合物)、反應速率控制劑，及一聚矽氧界面活性劑)的反應速率(即，固化時間)係受適當控制，使得具有具一合意尺寸的孔洞之一拋光墊可被製造。
若要的話，混合物可進一步包含一界面活性劑。界面活性劑係如上於多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之段落中所述般。
以100重量份之胺甲酸酯系預聚物為基準，界面活性劑可以0.2重量份至2重量份之一量使用。特別地，以100重量份之胺甲酸酯系預聚物為基準，界面活性劑可以0.2重量份至1.9重量份，0.2重量份至1.8重量份，0.2重量份至1.7重量份，0.2重量份至1.6重量份，或0.2重量份至1.5重量份之一量使用。若界面活性劑的量係於上述範圍內，自惰性氣體衍生之孔洞可於模具中穩定地形成及維持。
作為一例子，胺甲酸酯系預聚物、固化劑、用於形成複數個孔洞之材料、反應速率控制劑，及界面活性劑可實質上同時被放入混合方法中。
作為另一例子，胺甲酸酯系預聚物、固相發泡劑及界面活性劑的(混合物)可事先混合，且固化劑、反應速率控制劑，及惰性氣體可於其後引入。
混合係藉由使其等混合及將用於形成複數個孔洞之材料於原料中均勻分散，而起始胺甲酸酯系預聚物與固化劑的反應。於此情況，反應速率控制劑會從反應開始時干預胺甲酸酯系預聚物與固化劑間之反應，藉此控制反應速率。特別地，混合可以1,000rpm至10,000rpm或4,000rpm至7,000rpm的一速度進行。於上述速度範圍內，可使用於形成複數個孔洞之材料更有利地均勻分散於原料中。
以每一分子內之反應性基團的莫耳數為基準，胺甲酸酯系預聚物及固化劑可以1:0.8至1:1.2之一莫耳當量比例，或1:0.9至1:1.1之一莫耳當量比例混合。此處，“每一分子內之反應性基團的莫耳數”係指，例如，胺甲酸酯系預聚物中之異氰酸酯基團的莫耳數，及固化劑中之反應性基團(例如，胺基團、醇基團等)的莫耳數。因此，胺甲酸酯系預聚物及固化劑係藉由控制供料速率於混合方法期間以一固定速率供料，使得胺甲酸酯系預聚物及固化劑係以滿足如上例示之莫耳當量比例之每單位時間的量供料。 反應及孔洞形成
胺甲酸酯系預聚物與固化劑係於將其等混合時彼此反應，形成一固體聚胺甲酸酯，然後，將其形成一片材等。特別地，於胺甲酸酯系預聚物中之異氰酸酯末端基能與固化劑中之胺基團、醇基團等反應。於此情況，惰性氣體及固相發泡劑(之混合物)均匀分散於原料中，於未參與胺甲酸酯系預聚物與固化劑間之反應而形成孔洞。
此外，若使用，反應速率控制劑係藉由促進或阻滯胺甲酸酯系預聚物與固化劑間的反應而調整孔洞尺寸。例如，若反應速率控制劑係用於延遲反應之一反應阻滯劑，細緻地分散於原料中之惰性氣體彼此混合的時間延長，使得孔洞的平均直徑可被增加。另一方面，若反應速率控制劑係用於加速反應之一反應促進劑，細緻地分散於原料中之惰性氣體彼此混合的時間縮短，使得孔洞的平均直徑可被減少。 模製
模製係使用一模具進行。特別地，於一混合頭等之中充分攪拌之原料(其包含胺甲酸酯系預聚物、固化劑，及用於形成複數個孔洞之材料)可注射至一模具內，以填充其內部。
混合物被固化產生呈一固化餅型式之一模製體。特別地，胺甲酸酯系預聚物與固化劑間之反應係於模具完成，使得呈順應模具形狀之一固化餅形式的一模製體可被獲得。
其後，因而獲得之模製體可適當地切片或切割成一片材，以供製造一拋光墊。作為一例子，一模製體係於具有最後製得拋光墊的厚度5至50倍的一高度之一模具中製備，然後，以相同厚度切片，於一次製造複數個用於拋光墊之片材。於此情況，一反應阻滯劑可作為一反應速率控制劑，以便確保一足夠固化時間。因此，模具的高度可為最終將被製得之拋光墊的厚度的約5至約50倍，以製備用於拋光墊之片材。但是，經切片之片材可具有具不同直徑之孔洞，此等直徑係依模具內部之模製位置而定。即，於模具較低位置模製之一片材具有具細微直徑之孔洞，而於模具較上位置模製之一片材具有具比位於較低位置形成之片材的孔洞更大的直徑之孔洞。
因此，較佳係使用能藉由一次模製製造一個片材的一模具，以便使每一具有具均一直徑的孔洞。為此，模具的高度不會與最終製得之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊的厚度明顯不同。例如，模製可使用有最終製得之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊的厚度1至3倍之一高度的一模具進行。更特別地，模具具有最終製得之拋光墊的厚度1.1至2.5倍，或1.2至2倍的一高度。於此情況，一反應促進劑可作為反應速率控制劑，以形成具有更均一直徑的孔洞。
其後，自模具獲得之模製體的頂端及底端可被個別切掉。例如，模製體之頂端及底端每一者可切掉模製體總厚度的1/3或更少，1/22至3/10，或1/12至1/4。
作為一特別例子，模製係使用具有最後製得之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊的厚度1.2至2倍的一高度之一模具進行，然後可進行切掉於模製時自模具獲得之模製體的頂端及底端之每一者之模製體總厚度的1/12至1/4之一另外步驟。
上述切割步驟之後，上述製備方法可進一步包含於模製體上表面機械加工形成溝槽、與下零件結合、檢測、封裝等步驟。此等步驟可以傳統上用於製備拋光墊之方式進行。
依據一實施例之用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法可藉由調整因而製得之拋光墊中孔洞的尺寸及分佈，控制拋光墊之崩潰電壓及拋光性能(或拋光率)。
此外，本發明提供依據上述方法製得之一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊。特別地，多孔性聚胺甲酸酯拋光墊可具有如上於多孔性聚胺甲酸酯拋光墊中所述之所有特徵。 範例
以下將提供本發明之特別範例。但是，此等範例係闡述說明本發明，且本發明之範圍並不限於此等範例。 範例1：製備一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊 1-1：裝置建構
於裝設用於胺甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一反應速率控制劑之供料管線的一鑄製機器中，具有9.1重量%之一未反應NCO含量的PUGL-550D(由SKC製造，具有1,200克/莫耳之一重量平均分子量)被加注至預聚物槽，且雙(4-胺基-3-氯苯基)甲烷(由Ishihara製造)被加注至固化劑槽。準備作為一反應速率控制劑之一反應促進劑(由Air Products供應且品牌名為A1之三級胺化合物)。此外，以100重量份之胺甲酸酯系預聚物為基準，3重量份之一第一固相發泡劑(製造商：AkzoNobel，產品名：Expancel 461 DET 20 d40，平均顆粒直徑：20μm)，2重量份之一第二固相發泡劑(製造商：AkzoNobel，產品名：Expancel 461 DE 40 d60，平均顆粒直徑：40μm)，及0.5重量份之一第三固相發泡劑(製造商：AkzoNobel，產品名：Expancel 920 DE 40 d30，平均顆粒直徑：40μm)事先混合且加注至預聚物槽。 1-2：製備一片材
胺甲酸酯系預聚物、固化劑、第一至第三固相發泡劑之混合物，及反應速率控制劑於以固定速率經由個別供料管線供應至混合頭時攪拌。於此情況，胺甲酸酯系預聚物中之NCO基團對固化劑中之反應性基團莫耳當量比例調整為1:1，且總供料量維持於10公斤/分鐘之一速率。以100重量份之胺甲酸酯系預聚物為基準，反應速率控制劑係以1重量份之量供應。
經混合之原料注射至一模具(具有1,000mm之一寬度，1,000mm之一長度，及3mm之一高度)內，並且固化獲得一片材。其後，此片材之表面使用一研磨器研磨，然後，使用一尖針形成溝槽，藉此，製備具有2mm之一平均厚度的一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊。 範例2 製備一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊 1-1：建構裝置
於裝設用於胺甲酸酯系預聚物、一固化劑、一反應速率控制劑，及一惰性氣體之供料管線的一鑄製機器中，具有9.1重量%之一未反應NCO含量的PUGL-550D(SKC)被加注至預聚物槽，且雙(4-胺基-3-氯苯基)甲烷(Ishihara)被加注至固化劑槽。準備作為一惰性氣體之氮(N2 )及作為一反應速率控制劑之一反應促進劑(由Air Products供應且品牌名為A1之三級胺化合物)。此外，以100重量份之胺甲酸酯系預聚物為基準，2重量份之一第一固相發泡劑(製造商：AkzoNobel，產品名：Expancel 461 DET 20 d40，平均顆粒直徑：20μm)及1重量份之一聚矽氧界面活性劑(製造商：Evonik，產品名：B8462)事先混合，然後加注至預聚物槽。 1-2：製備一片材
胺甲酸酯系預聚物、固化劑、第一固相發泡劑、反應速率控制劑、聚矽氧界面活性劑，及惰性氣體(N2 )於以固定速率經由個別供料管線供應至混合頭時攪拌。於此情況，胺甲酸酯系預聚物中之NCO基團對固化劑中之反應性基團莫耳當量比例調整為1:1，且總供料量維持於10公斤/分鐘之一速率。此外，以胺甲酸酯系預聚物、第一固相發泡劑、反應速率控制劑，及聚矽氧界面活性劑之總體積為基準，惰性氣體係以25%之一體積持續供應。
經混合之原料注射至一模具(具有1,000mm之一寬度，1,000mm之一長度，及3mm之一高度)內，並且固化獲得一片材。其後，此片材之表面使用一研磨器研磨，然後，使用一尖針形成溝槽，藉此，製備具有2mm之一平均厚度的一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊。 比較例1 製備一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊 1-1：建構裝置
於裝設用於胺甲酸酯系預聚物、一固化劑、一反應速率控制劑、一聚矽氧界面活性劑，及一惰性氣體之供料管線的一鑄製機器中，具有9.1重量%之一未反應NCO含量的PUGL-550D(SKC)被加注至預聚物槽，且雙(4-胺基-3-氯苯基)甲烷(Ishihara)被加注至固化劑槽。準備作為一惰性氣體之氮(N2 )及作為一反應速率控制劑之一反應促進劑(由Air Products供應且品牌名為A1之三級胺化合物)。此外，以100重量份之胺甲酸酯系預聚物為基準，1重量份之一聚矽氧界面活性劑(由Evonik製造，品牌名為B8462)事先混合，然後加注至預聚物槽。 1-2：製備一片材
胺甲酸酯系預聚物、固化劑、聚矽氧界面活性劑，及惰性氣體(N2 )於以固定速率經由個別供料管線供應至混合頭時攪拌。於此情況，胺甲酸酯系預聚物中之NCO基團對固化劑中之反應性基團莫耳當量比例調整為1:1，且總供料量維持於10公斤/分鐘之一速率。此外，以胺甲酸酯系預聚物、固化劑，及聚矽氧界面活性劑之總體積為基準，惰性氣體係以35%之一體積持續供應。
經混合之原料注射至一模具(具有1,000mm之一寬度，1,000mm之一長度，及3mm之一高度)內，並且固化獲得一片材。其後，此片材之表面使用一研磨器研磨，然後，使用一尖針形成溝槽，藉此，製備具有2mm之一平均厚度的一多孔性聚胺甲酸酯拋光墊。 測試例
於範例及比較例製備之拋光墊的性質依據下列條件及程序測量。結果顯示於以下之表1中及圖1至7。 (1)比重
拋光墊切成4cm×8.5cm(厚度：2mm)的一矩形，然後使其於23±2℃之一溫度及50±5%之一濕度的條件下靜置16小時。拋光墊之比重使用一比重計測量。 (2)硬度
測量肖氏D硬度。拋光墊切成2cm×2cm(厚度：約2mm)之尺寸，然後使其於個別為25℃、30℃、50℃，及70℃之一溫度及50±5%之一濕度的條件下靜置16小時。其後，拋光墊之硬度使用一硬度計(D-型硬度計)測量。 (3)抗拉強度
破裂前即時之極限強度係於拋光墊使用一通用測試機(UTM)以50mm/分鐘之一速率測試時測量。 (4)伸長率
使用與用於抗拉強度之相同測量方法。測量破裂前即時之最大變形量，且此最大變形量對起始長度之比例以百分率(%)表示。 (5)平均孔洞直徑、孔洞直徑分佈、孔洞面積比例，及孔洞數
拋光墊切成2cm×2cm(厚度：2mm)之一方形，且影像區域係以一掃瞄式電子顯微鏡(SEM)以100倍放大率觀察。一影像係使用一影像分析軟體觀察，且全部孔洞的尺寸自此影像測量，由此計算平均孔洞尺寸、孔洞尺寸分佈，及孔洞面積比例。此外，每單位面積(1mm2 )之孔洞數自獲得之影像測量。
範例1及2之拋光墊及比較例1之拋光墊的SEM相片係個別顯示於圖1至3。因而算得之孔洞直徑分佈係顯示於圖4。圖5至7係個別顯示以拋光墊面積為基準，範例1及2與比較例1之拋光墊每一者的孔洞直徑分佈圖。 (6)崩潰電壓
10個點之崩潰電壓係使用SMEM Instruments之SM-100BDV(型號名稱)及100kV崩潰電壓測試機(儀器名稱)測量，且計算其平均值。
特別地，上述10個點係以2cm×2cm(厚度：2mm)之一矩形的拋光墊上之4mm寬度及4mm長度之一隔的點作選擇。 (7)氧化矽(SiOx )之拋光率
具有300mm之一直徑及藉由一TEOS-電漿CVD方法形成之一氧化矽膜的一矽晶圓係固定於安裝於一CMP拋光機中之一平台上的多孔性聚胺甲酸酯拋光墊上，同時矽晶圓之氧化矽膜面向下。其後，氧化矽膜於1.4psi之一拋光荷重下拋光，同時矽晶圓係以121rpm之一速度旋轉，平台係以115rpm之一速度旋轉60秒，且一經煅燒之氧化矽漿料係以190毫升/分鐘之一速率供應於拋光墊上。拋光完成時，矽晶圓自載體脫離，安裝於一旋轉乾燥器，以經純化之水(DIW)清洗，然後以空氣乾燥15秒。經乾燥之矽晶圓的膜厚度於拋光前後使用一光譜反射計型厚度測量儀器測量，且拋光率係自其計算。範例1及比較例1之拋光墊的拋光率係以範例2之拋光率為100%作為基準而計算。 [表1]
Figure 108113750-A0304-0001
如表1中所示，範例1及2之拋光墊具有比比較例1之拋光墊更小之平均孔洞尺寸及更大之每單位面積孔洞數。因此，其等具有高崩潰電壓及氧化矽拋光率。此外，與比較例1之拋光墊相比，範例1及2之拋光墊具有適當崩潰電壓。
圖式單要說明 圖1係範例1之拋光墊的一SEM相片。
圖2係範例2之拋光墊的一SEM相片。
圖3係比較例1之拋光墊的一SEM相片。
圖4係顯示範例1及2與比較例1之拋光墊之每一者的孔洞直徑分佈的一圖。
圖5至7個別係顯示以面積為基準之範例1及2與比較例1之拋光墊的每一者之孔洞直徑分佈的圖。

Claims (16)

  1. 一種多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，其包含胺甲酸酯系樹脂、一固化劑，及複數個孔洞，其中，該等複數個孔洞具有10μm至40μm之一面積加權平均孔洞直徑(AWAPD)，且該多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有1.5mm至2.5mm之一厚度，0.7g/cm3至0.9g/cm3之一比重，50肖氏(shore)D至65肖氏D之於25℃的一表面硬度，15N/mm2至25N/mm2之一抗拉強度，80%至250%之一伸長率，以該拋光墊之總面積為基準為30%至60%之一總孔洞面積，及14kV至23kV之一崩潰電壓，且其中，於以該拋光墊之截面積為基準之該等多數個孔洞之孔洞尺寸分佈中，最大峰值之孔洞直徑係15μm至40μm，且當該最大峰值之該直徑係Y，以100%之該等複數個孔洞之截面積總和為基準，具有Y-5μm或更少之一直徑的孔洞之截面積總和係20%至40%。
  2. 如請求項1之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，其中，當該AWAPD係X，於以該多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之截面積為基準之該等複數個孔洞之直徑分佈中，以100%之該等複數個孔洞之截面積總和為基準，具有少於X-5μm之一直徑的第一孔洞之截面積總和係5%至45%，且有大於X+5μm之一直徑的第二孔洞之截面積總和係10%至45%。
  3. 如請求項1之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊， 其中，當該AWAPD係X，於以該拋光墊之截面積為基準之該等複數個孔洞之孔洞尺寸分佈中，以100%之該等複數個孔洞之截面積總和為基準，具有大於X+10μm之一直徑的孔洞之截面積總和係5%至20%。
  4. 如請求項1之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，其進一步包含一反應速率控制劑。
  5. 如請求項4之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，其中，該反應速率控制劑包含選自由三伸乙基二胺(TEDA)、二甲基乙醇胺(DMEA)、四甲基丁二胺(TMBDA)、2-甲基-三伸乙基二胺、二甲基環己胺(DMCHA)、三乙胺(TEA)、三異丙醇胺(TIPA)、1,4-二氮雜二環(2,2,2)辛烷、雙(2-甲基胺基乙基)醚、三甲基胺基乙基乙醇胺、N,N,N,N,N"-五甲基二伸乙基三胺、二甲基胺基乙胺、二甲基胺基丙胺、苯甲基二甲胺、N-乙基
    Figure 108113750-A0305-02-0033-4
    啉、N,N-二甲基胺基乙基
    Figure 108113750-A0305-02-0033-5
    啉、N,N-二甲基環己胺、2-甲基-2-氮雜降莰烷、二月桂酸二丁基錫、辛酸亞錫、二乙酸二丁基錫、二乙酸二辛基錫、馬來酸二丁基錫、二-2-乙基己酸二丁基錫，及二硫醇二丁基錫所組成群組之至少一者。
  6. 如請求項1之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，其中，該固化劑包含胺化合物、醇化合物，或其等之組合。
  7. 如請求項1之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，其具有其每單位面積(mm2)500或更多之一孔洞數。
  8. 如請求項1之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊， 其中，該等複數個孔洞係自至少二種固相發泡劑之一混合物或自至少一種固相發泡劑及至少一種惰性氣體而衍生。
  9. 如請求項8之多孔性聚胺甲酸酯拋光墊，其中，該等固相發泡劑之混合物係具有不同平均顆粒直徑分佈之至少二種固相發泡劑之一混合物。
  10. 一種用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法，其包含：(1)將包含胺甲酸酯系預聚物、一固化劑，及一用於形成複數個孔洞之材料的一混合物注射至一模具內並且將其模製；及(2)將該混合物固化，其中，該等複數個孔洞具有10μm至40μm之一面積加權平均孔洞直徑(AWAPD)，且該多孔性聚胺甲酸酯拋光墊具有1.5mm至2.5mm之一厚度，0.7g/cm3至0.9g/cm3之一比重，50肖氏D至65肖氏D之於25℃的一表面硬度，15N/mm2至25N/mm2之一抗拉強度，80%至250%之一伸長率，以該拋光墊總面積為基準為30%至60%之一總孔洞面積，及14kV至23kV之一崩潰電壓，且其中，於以該拋光墊之截面積為基準之該等多數個孔洞之孔洞尺寸分佈中，最大峰值之孔洞直徑係15μm至40μm，且當該最大峰值之該直徑係Y，以100%之該等複數個孔洞之截面積總和為基準，具有Y-5μm或更少之一直徑的孔洞之截面積總和係20%至40%。
  11. 如請求項10之用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法，其中，用於形成該等複數個孔洞之該材料係至少二種固相發泡劑之一混合物，或至少一種固相發泡劑及至少一種惰性氣體。
  12. 如請求項11之用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法，其中，該等固相發泡劑之該混合物係具有不同平均顆粒直徑分佈之至少二種固相發泡劑之一混合物。
  13. 如請求項10之用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法，其中，該混合物進一步包含一反應速率控制劑，且該反應速率控制劑係選自由三級胺系化合物及一有機金屬化合物所組成群組之至少一者。
  14. 如請求項13之用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法，其中，該反應速率控制劑可包含選自由三伸乙基二胺(TEDA)、二甲基乙醇胺(DMEA)、四甲基丁二胺(TMBDA)、2-甲基-三伸乙基二胺、二甲基環己胺(DMCHA)、三乙胺(TEA)、三異丙醇胺(TIPA)、1,4-二氮雜二環(2,2,2)辛烷、雙(2-甲基胺基乙基)醚、三甲基胺基乙基乙醇胺、N,N,N,N,N"-五甲基二伸乙基三胺、二甲基胺基乙胺、二甲基胺基丙胺、苯甲基二甲胺、N-乙基
    Figure 108113750-A0305-02-0035-2
    啉、N,N-二甲基胺基乙基
    Figure 108113750-A0305-02-0035-1
    啉、N,N-二甲基環己胺、2-甲基-2-氮雜降莰烷、二月桂酸二丁基錫、辛酸亞錫、二乙酸二丁基錫、二乙酸二辛基錫、馬來酸二丁基錫、二-2- 乙基己酸二丁基錫，及二硫醇二丁基錫所組成群組之至少一者。
  15. 如請求項10之用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法，其中，當該AWAPD係X，於以該拋光墊之截面積為基準之該等複數個孔洞之直徑分佈中，以100%之該等複數個孔洞之截面積總和為基準，具有少於X-5μm之一直徑的第一孔洞之截面積總和係5%至45%，且有大於X+5μm之一直徑的第二孔洞之截面積總和係10%至45%。
  16. 如請求項10之用於製備多孔性聚胺甲酸酯拋光墊之方法，其中，當該AWAPD係X，於以該拋光墊之截面積為基準之該等複數個孔洞之孔洞尺寸分佈中，以100%之該等複數個孔洞之截面積總和為基準，具有大於X+10μm之一直徑的孔洞之截面積總和係5%至20%。
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