CN110385642B - 多孔性聚氨酯研磨垫及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的实例涉及使用于半导体的化学机械平坦化(chemical mechanical planarization，CMP)工序的多孔性聚氨酯研磨垫及其制备方法，根据实例，可调节包含于上述多孔性聚氨酯研磨垫的多个气孔的大小及分布，由此可以提供具有适当的耐电压及优秀的研磨性能(研磨率)等物性提高的多孔性聚氨酯研磨垫。

Description

多孔性聚氨酯研磨垫及其制备方法
技术领域
本发明的实例涉及使用于半导体的化学机械平坦化(chemical mechanicalplanarization，CMP)工序的多孔性聚氨酯研磨垫及其制备方法。
背景技术
半导体制备工序中，化学机械平坦化(CMP)工序为在将晶片(wafer)附着于头部，并使其与形成在压板(platen)上的研磨垫的表面相接触的状态下，通过供给浆料来使晶片表面进行化学反应，并使压板和头部进行相对运动来机械地对晶片表面的凹凸部分进行平坦化的工序。
研磨垫为在这种化学机械平坦化工序中起到重要作用的必需材料，通常由聚氨酯类树脂形成，在表面具有担当浆料的大流动的凹槽(groove)和提供微细的流动的气孔。
研磨垫内的气孔可利用具有孔隙的固相发泡剂、填充有挥发性液体的液相发泡剂、惰性气体、纤维质等形成，或者可通过化学反应产生气体来形成。
首先，作为固相发泡剂，主要使用经过热膨胀而尺寸得到调节的微胶囊(热膨胀的微胶囊)。上述热膨胀的微胶囊作为已经膨胀的微气球的结构体，具有均匀的尺寸粒径，从而可均匀地调节气孔的粒径大小。但是上述热膨胀的微胶囊具有在100℃以上的高温反应条件下发生形状变形而难以调节气孔的缺点。
另一方面，利用惰性气体或挥发性液相发泡剂形成气孔的技术具有不存在对化学机械平坦化(CMP)工序产生影响的排出物质的优点。然而，需要控制难以控制的气相(gasphase)，因此难以实现气孔的粒径及密度的精确调节，尤其难以制备50μm以下的均匀的气孔。并且，不改变研磨垫用聚氨酯基质的组成的状态下，难以调节气孔的粒径及密度。
因此，如以往在利用一种发泡剂实现气孔的情况下，能够实现适合于所设计的气孔的大小和分布的气孔，但是气孔的设计自由度低，并且在调节气孔分布方面存在局限。
另一方面，韩国公开专利第2016-0027075号公开了使用惰性气体和气孔诱导聚合物的低密度抛光垫的制备方法及低密度抛光垫。但是，上述公开专利在调节气孔的大小及分布方面存在局限，并对研磨垫的研磨率以及耐电压完全没有公开。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：韩国公开专利第2016-0027075号
发明内容
因此，本发明的实例的目的在于提供通过调节气孔的大小及分布来提高耐电压以及研磨率等性能的多孔性聚氨酯研磨垫及其制备方法。
为了实现上述目的，一实例提供多孔性聚氨酯研磨垫，包含氨基甲酸酯类树脂、固化剂以及多个气孔，上述多个气孔的面积加权平均气孔直径(area-weighted averagepore diameter；AWAPD)为10μm至40μm，上述多孔性聚氨酯研磨垫的厚度为1.5mm至2.5mm，比重为0.7g/cm3至0.9g/cm3，25℃温度下的表面硬度为50邵氏D至65邵氏D，拉伸强度为15N/mm2至25N/mm2，延伸率为80％至250％，以研磨垫的总面积为基准的总气孔面积为30％至60％，耐电压为14kV至23kV。
为了实现上述另一目的，一实例提供多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法，包括：步骤(1)，向模具内注入包含氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及用于形成多个气孔的物质的混合物来进行成型；以及步骤(2)，使上述混合物固化，上述多个气孔的面积加权平均气孔直径(AWAPD)为10μm至40μm，上述多孔性聚氨酯研磨垫的厚度为1.5mm至2.5mm，比重为0.7g/cm3至0.9g/cm3，25℃温度下的表面硬度为50邵氏D至65邵氏D，拉伸强度为15N/mm2至25N/mm2，延伸率为80％至250％，以研磨垫的总面积为基准的总气孔面积为30％至60％，耐电压为14kV至23kV。
根据实例，可以调节多孔性聚氨酯研磨垫中所包含的多个气孔的大小及分布，由此可以提供具有适当的耐电压及优秀的研磨性能(研磨率)等物性提高的多孔性聚氨酯研磨垫。尤其，粒径大小相对较大的多个气孔均匀地配置于整个研磨垫，在上述较大的多个气孔之间配置较小的多个气孔，由此上述多孔性聚氨酯研磨垫具有基于多个气孔的空间和聚氨酯基质均匀分布的结构。因此，上述多孔性聚氨酯研磨垫几乎没有气孔多的部分和气孔几乎没有的部分。由此，上述研磨垫可以防止晶片等研磨对象中发生的刮痕等。
附图说明
图1为实施例1的研磨垫的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图2为实施例2的研磨垫的扫描电子显微镜照片。
图3为比较例1的研磨垫的扫描电子显微镜照片。
图4为实施例1、实施例2以及比较例1各个的研磨垫的气孔直径分布图。
图5至图7为实施例1、实施例2以及比较例1各个的研磨垫的以面积为基准的多个气孔的直径分布度。
具体实施方式
术语说明
除非另有说明或定义，否则在本说明书中所使用的全部技术术语及科学术语具有本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义。
除非另有说明，否则所有百分比、份数和比等以重量为基准。
在本说明书中，表示诸如所使用的成分、分子量等特性、反应条件等的量的全部数字在所有事例中应理解为以用术语“约”进行修饰的。
在本说明书中，当任意部分“包含”任意结构要素时，意味着在没有特别相反的记载的情况下，不是排除另一结构要素，而是还可包括其他结构要素。
在本说明书中，术语“多个”是指大于一个。
在本说明书中，术语“多孔性聚氨酯研磨垫”及“研磨垫”具有相同的含义。
以下通过实例详细说明本发明。只要未变更本发明的主旨，实例就能够以多种形态进行变形。
多孔性聚氨酯研磨垫
一实例提供一种多孔性聚氨酯研磨垫，包含氨基甲酸酯类树脂、固化剂以及多个气孔，上述多个气孔的面积加权平均气孔直径(area-weighted average pore diameter；AWAPD)为10μm至40μm，上述多孔性聚氨酯研磨垫的厚度为1.5mm至2.5mm，比重为0.7g/cm3至0.9g/cm3，25℃温度下的表面硬度为50邵氏D至65邵氏D，拉伸强度为15N/mm2至25N/mm2，延伸率为80％至250％，以研磨垫的总面积为基准的总气孔面积为30％至60％，耐电压为14kV至23kV。
多个气孔
根据实例的多孔性聚氨酯研磨垫中所包含的多个气孔以分散方式存在于氨基甲酸酯类树脂内。
另一方面，上述多个气孔的面积加权平均气孔直径(AWAPD)为10μm至40μm。上述面积加权平均气孔直径是通过以下式1计算的值。
式1
Figure BDA0002033700370000041
具体地，上述面积加权平均气孔直径可以为10μm至30μm。更具体地，上述面积加权平均气孔直径可以为12μm至25μm。更加具体地，上述面积加权平均气孔直径可以为14μm至22μm，但并不限定于此。
一实例中，上述面积加权平均气孔直径设定为X时，以上述多孔性聚氨酯研磨垫的截面积为基准的上述多个气孔的直径分布中，以上述多个气孔的截面积之和100％为基准，直径小于X－5μm的第一气孔的截面积之和可以为5％至45％。具体地，上述直径小于X－5μm的第一气孔的截面积之和可以为10％至40％。更具体地，直径小于X－5μm的第一气孔的截面积之和可以为20％至30％，但并不限定于此。
并且，直径大于X+5μm的第二气孔的截面积之和可以为10％至45％。具体地，上述直径大于X+5μm的第二气孔的截面积之和可以为10％至40％。更具体地，直径大于X+5μm的第二气孔的截面积之和可以为20％至30％，但并不限定于此。
并且，以上述多个气孔的截面积之和100％为基准，直径大于X+10μm的多个气孔的截面积之和可以为3％至35％。具体地，上述直径大于X+10μm的多个气孔的截面积之和可以为5％至20％。更具体地，上述直径大于X+10μm的多个气孔的截面积之和可以为5％至15％，但并不限定于此。
并且，直径大于X+20μm的多个气孔的截面积之和可以为1％至15％。具体地，上述直径大于X+20μm的多个气孔的截面积之和可以为1％至10％，但并不限定于此。
并且，上述多孔性聚氨酯研磨垫的气孔分布可具有分布比例最高的第一峰值直径。
参照图5及图6，以上述多孔性聚氨酯研磨垫中所包含的多个气孔的截面积之和100％为基准的上述多个气孔的直径分布中，最大峰值的气孔直径可以为50μm以下，具体地可以为40μm以下，更具体地可以为15μm至40μm。更加具体地，可以为25μm至35μm或者26μm至33μm，但并不限定于此。
一实例中，当上述最大峰值的直径设定为Y时，在以上述多孔性聚氨酯研磨垫的截面积为基准的上述多个气孔的直径分布中，以上述多个气孔的截面积之和100％为基准，直径为Y－5μm以下的气孔的截面积之和可以为20％至40％。更具体地，直径为Y－5μm以下的多个气孔的截面积之和可以为30％至35％，但并不限定于此。
并且，直径为Y－10μm以下的多个气孔的截面积之和可以为5％至30％。具体地，上述直径为Y－10μm以下的多个气孔的截面积之和可以为10％至20％。更具体地，上述直径为Y－10μm以下的多个气孔的截面积之和可以为11％至18％，但并不限定于此。
像这样，根据实例的多孔性聚氨酯研磨垫均匀地包含直径较小的气孔和直径较大的气孔，因此可以具有适当的耐电压和提高的研磨性能。
另一方面，上述多个气孔可由两种以上的固相发泡剂的混合物形成，具体地，可由三种以上的固相发泡剂的混合物形成，更具体地，可由四种以上的固相发泡剂的混合物形成，但并不限定于此。上述固相发泡剂的混合物可以为具有互不相同的平均粒径的两种以上、三种以上或者四种以上的固相发泡剂的混合物。
另一方面，上述多个气孔可以由一种以上的固相发泡剂及一种以上的惰性气体形成。具体地，上述一种以上的固相发泡剂可以为两种以上、三种以上或者四种以上的固相发泡剂，上述一种以上的惰性气体可以为两种以上、三种以上或者四种以上的惰性气体。
上述惰性气体只要是不参与氨基甲酸酯类树脂与固化剂之间的反应的气体，其种类就不受限制。例如，上述惰性气体可以为选自由氮气(N2)、氩气(Ar)、以及氦(He)组成的组中的一种以上。具体地，上述惰性气体可以为氮气(N2)或者氩气(Ar)。
上述固相发泡剂可以为热膨胀(尺寸得到调节)的微胶囊。上述热膨胀(尺寸得到调节)的微胶囊可以是对热膨胀性微胶囊进行加热膨胀而成的。上述热膨胀性微胶囊可包含：包含热塑性树脂的外皮；以及封入于上述外皮内部的发泡剂。上述热塑性树脂可以为选自包含偏二氯乙烯类共聚物、丙烯腈类共聚物、甲基丙烯腈类共聚物以及丙烯酸类共聚物的组中的一种以上。进而，封入于上述内部的发泡剂可以为选自包含碳数为1个至7个的碳化氢的组中的一种以上。具体地，封入于上述内部的发泡剂可选自包含：乙烷(ethane)、乙烯(ethylene)、丙烷(propane)、丙烯(propene)、正丁烷(n-butane)、异丁烷(isobutene)、丁烯(butene)、异丁烯(isobutene)、正戊烷(n-pentane)、异戊烷(isopentane)、新戊烷(neopentane)、正己烷(n-hexane)、庚烷(heptane)、石油醚(petroleum ether)等低分子量碳化氢；三氯氟甲烷(trichlorofluoromethane，CCl3F)、二氯二氟甲烷(dichlorodifluoromethane，CCl2F2)、氯三氟甲烷(chlorotrifluoromethane，CClF3)、四氟乙烯(tetrafluoroethylene，CClF2-CClF2)等氯氟碳化氢；以及四甲基硅烷(tetramethylsilane)、三甲基乙基硅烷(trimethylethylsilane)、三甲基异丙基硅烷(trimethylisopropylsilane)、三甲基-n-丙基硅烷(trimethyl-n-propylsilane)等四烷基硅烷的组中。
并且，上述固相发泡剂为热膨胀的微胶囊，可以为具有5μm至200μm的平均粒径的微气球结构体。具体地，上述固相发泡剂的平均粒径可以为10μm至50μm。更具体地，上述固相发泡剂的平均粒径可以为15μm至45μm。并且，上述热膨胀的微胶囊可以是对热膨胀性微胶囊进行加热膨胀而成的。
氨基甲酸酯类树脂
上述多孔性聚氨酯研磨垫包含氨基甲酸酯类树脂，具体地包含聚氨酯树脂。上述聚氨酯树脂可从具有异氰酸酯末端基的氨基甲酸酯类预聚物衍生。这种情况下，上述聚氨酯树脂包括构成上述预聚物的单体单元。
预聚物(prepolymer)通常是指制备一种最终成型品时，为了易于成型而将聚合度停止在中间步骤的具有较低分子量的高分子。预聚物可由本身或与其他聚合性化合物进行反应后进行成型，例如，可将二异氰酸酯化合物与多元醇进行反应来制备预聚物。
例如，上述氨基甲酸酯类预聚物的制备中所使用的二异氰酸酯化合物可以为选自包含甲苯二异氰酸酯(toluene diisocyanate、TDI)、萘-1，5-二异氰酸酯(naphthalene-1，5-diisocyanate)、对苯二异氰酸酯(p-phenylenediisocyanate)、联甲苯胺二异氰酸酯(tolidinediisocyanate)、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯(4，4'-diphenyl methanediisocyanate)、六亚甲基二异氰酸酯(hexamethylenediisocyanate)、二环己基甲烷二异氰酸酯(dicyclohexylmethanediisocyanate)以及异佛尔酮二异氰酸酯(isoporonediisocyanate)的组中的一种以上异氰酸酯，但并不限定于此。
例如，上述氨基甲酸酯类预聚物的制备中所使用的多元醇可以为选自包含聚醚类多元醇(polyether polyol)、聚酯类多元醇(polyester polyol)、聚碳酸酯类多元醇(polycarbonate polyol)以及丙烯酸类多元醇(acryl polyol)的组中的一种以上多元醇，但并不限定于此。上述多元醇的重均分子量(Mw)可以为300g/mol至3000g/mol。
上述氨基甲酸酯类树脂的重均分子量可以为500g/mol至3000g/mol。具体地，上述氨基甲酸酯类树脂的重均分子量可以为600g/mol至2000g/mol，或者700g/mol至1500g/mol。
固化剂
上述固化剂可以包含胺化合物、醇化合物或者它们的混合物。具体地，上述固化剂可包含选自芳香族胺、脂肪族胺、芳香醇以及脂肪醇组成的组中的一种以上的化合物。
例如，上述固化剂可以为选自由4，4’-亚甲基双(2-氯苯胺)(MOCA)、二乙基甲苯二胺(diethyltoluenediamine)、二氨基二苯基甲烷(diaminodiphenyl methane)、二氨基二苯砜(diaminodiphenylsulphone)、间亚二甲苯基二胺(m-xylylene diamine)、异佛尔酮二胺(isophoronediamine)、乙二胺(ethylenediamine)、二亚乙基三胺(diethylenetriamine)、三亚乙基四胺(triethylenetetramine)、聚亚丙基二胺(polypropylenediamine)、聚丙烯三胺(polypropylenetriamine)、乙二醇(ethyleneglycol)、二乙二醇(diethyleneglycol)、二丙二醇(dipropyleneglycol)、丁二醇(butanediol)、己二醇(hexanediol)、甘油(glycerine)、三羟甲基丙烷(trimethylolpropane)以及双(4-氨基-3-氯苯基)甲烷(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane)组成的组中的一种以上。
反应速度调节剂
需要时，上述多孔性聚氨酯研磨垫还可包含反应速度调节剂，上述反应速度调节剂可以为选自由三级胺类化合物以及有机金属类化合物组成的组中的一种以上。具体地，上述反应速度调节剂可以为反应促进剂或者反应迟延剂。更具体地，上述反应速度调节剂可以为反应促进剂。
例如，上述反应速度调节剂可以为选自由三亚乙基二胺(triethylene diamine，TEDA)、二甲基乙醇胺(dimethyl ethanol amine，DMEA)、四甲基丁烷二胺(tetramethylbutane diamine，TMBDA)、2-甲基-三亚乙基二胺(2-methyl-triethylene diamine)、二甲基环己胺(dimethyl cyclohexyl amine，DMCHA)、三乙胺(triethyl amine，TEA)、三异丙醇胺(triisopropanol amine，TIPA)、1，4-二叠氮双环(2.2.2)辛烷(1，4-diazabicyclo(2，2，2)octane)、双(2-甲基氨基乙基)醚(bis(2-methylaminoethyl)ether)、三甲基氨基乙基乙醇胺(trimethylaminoethylethanol amine)、N，N，N，N，N”-五甲基二亚乙基三胺(N，N，N，N，N”-pentamethyldiethylene triamine)、二甲基氨基乙胺(dimethylaminoethyl amine)、二甲基氨基丙胺(dimethylaminopropyl amine)、苄基二甲胺(benzyldimethyl amine)、N-乙基吗啉(N-ethylmorpholine)、N，N-二甲基氨基乙基吗啉(N，N-dimethylaminoethylmorpholine)、N，N-二甲基环己胺(N，N-dimethylcyclohexyl amine)、2-甲基-2-氮杂降冰片烷(2-methyl-2-azanorbornane)、二月桂酸二丁基锡(dibutyltindilaurate)、辛酸亚锡(stannous octoate)、二乙酸二丁基锡(dibutyltin diacetate)、二乙酸二辛基锡(diocthyltin diacetate)、马来酸二丁基锡(dibutyltin maleate)、二-2-乙基己酸二丁基锡(dibutyltin di-2-ethylhexanoate)以及二硫醇二丁基锡(dibutyltindimercaptide)组成的组中的一种以上。具体地，上述反应速度调节剂可以为选自由苄基二甲胺、N，N-二甲基环己胺以及三乙胺组成的组中的一种以上。
硅类表面活性剂
需要时，上述多孔性聚氨酯研磨垫还可包含硅类表面活性剂。上述硅类表面活性剂可以起到防止所形成的多个气孔的重叠及合并的作用。作为上述表面活性剂，适合使用硅类非离子性表面活性剂，但除此之外，还可根据所需的研磨垫的物性而选择多种类型。
作为上述硅类非离子性表面活性剂，可以单独使用具有羟基的硅类非离子性表面活性剂，或者与不具有羟基的硅类非离子性表面活性剂一同使用。
上述具有羟基的硅类非离子性表面活性剂与含有异氰酸酯基的化合物以及活泼氢化合物的相容性优秀，只要是广泛使用于聚氨酯技术领域，就不做特意限制。上述具有羟基的硅类非离子性表面活性剂的市售物质的例包括道康宁(Dow Corning)公司的DOWCORNING 193(乙二醇硅共聚物，液相，25℃温度下的比重：1.07，20℃温度下的粘性：465mm2/s，闪点：92℃)(以下，DC-193)等。
上述不具有羟基的硅类非离子性表面活性剂的市售物质的例包括道康宁公司的DOW CORNING 190(乙二醇硅共聚物，加德纳色度：2，25℃温度下的比重：1.037，25℃温度下的粘性：2000mm2/s，闪点：63℃以上，逆溶解度(Inverse solubility Point)(1.0％水溶液)：36℃)(以下，称为DC-190)等。
多孔性聚氨酯研磨垫的物性
根据实例的多孔性聚氨酯研磨垫的每单位面积(mm2)的气孔的数量可以为500个以上。具体地，多孔性聚氨酯研磨垫的每单位面积(mm2)的气孔的数量可以为150个以上，更具体地，可以为200个以上，但并不限定于此。另一方面，上述多孔性聚氨酯研磨垫的每单位面积(mm2)的气孔的数量可以为1500个以下。因此，上述多孔性聚氨酯研磨垫的每单位面积(mm2)的气孔的数量可以为500个至1500个，具体地可以为700个至1500个，更具体地可以为800个至1450个，但并不限定于此。
并且，根据实例的多孔性聚氨酯研磨垫的作为研磨垫的基本物性，例如比重、表面硬度、拉伸强度、延伸率以及耐电压等优秀。
上述多孔性聚氨酯研磨垫的比重及硬度等物理性质可通过与异氰酸酯与多元醇的反应而聚合的氨基甲酸酯类预聚物的分子结构来调节。
关于比重，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的比重可以为0.6g/cm3至0.9g/cm3。具体地，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的比重可以为0.7g/cm3至0.9g/cm3。更具体地，比重可以为0.7g/cm3至0.85g/cm3，但并不限定于此。
关于表面硬度，上述多孔性聚氨酯类研磨垫在25℃温度下的硬度可以为30邵氏(Shore)D至80邵氏D。更具体地，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的硬度可以为40邵氏D至70邵氏D。更加具体地，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的表面硬度可以为50邵氏D至65邵氏D，但并不限定于此。
关于延伸率，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的延伸率可以为30％至300％。更具体地，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的延伸率可以为50％至250％。更加具体地，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的延伸率可以为80％至250％，但并不限定于此。
关于耐电压，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的耐电压可以为14kV以上。具体地，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的耐电压可以为14kV至23kV。更具体地，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的耐电压可以为14kV至22kV。
关于总气孔面积，以研磨垫的总面积为基准，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的总气孔面积可以为30％至60％。具体地，以研磨垫的总面积为基准，多孔性聚氨酯类研磨垫的总气孔面积可以为30％至50％。更具体地，以研磨垫的总面积为基准，多孔性聚氨酯类研磨垫的总气孔面积可以为40％至50％，但并不限定于此。
关于厚度，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的厚度可以为1mm至5mm。具体地，上述多孔性聚氨酯类研磨垫的厚度可以为1mm至3mm、1mm至2.5mm、1.5mm至5mm、1.5mm至3mm、1.5mm至2.5mm、1.8mm至5mm、1.8mm至3mm或者1.8mm至2.5mm。多孔性聚氨酯类研磨垫的厚度属于上述范围内时，可以充分发挥作为研磨垫的基本物性。
上述多孔性聚氨酯类研磨垫的表面可以具有用于机械研磨的凹槽(groove)。上述凹槽可具有用于机械研磨的适当的深度、宽度及间距，对此不做特意限制。
根据实例的多孔性聚氨酯研磨垫可同时具有所记载的研磨垫的物性。例如，根据实例的多孔性聚氨酯研磨垫的厚度为1.5mm至2.5mm，比重为0.7g/cm3至0.9g/cm3，25℃温度下的表面硬度为50邵氏D至65邵氏D，拉伸强度为15N/mm2至25N/mm2，延伸率为80％至250％，以研磨垫的总面积为基准的总气孔面积为30％至60％，耐电压为14kV至23kV，但并不限定于此。
即，根据实例的多孔性聚氨酯研磨垫具有适当的大小分布的多个气孔，上述多个气孔均匀地配置于整个研磨垫，从而具有如上所述的平均气孔直径、比重、表面硬度、拉伸强度、延伸率以及耐电压特征。即，较大的多个气孔均匀地配置，在上述较大的多个气孔之间配置较小的多个气孔，由此上述研磨垫整体上具有基于多个气孔的空间和聚氨酯基质均匀分布的结构。因此，上述研磨垫几乎没有气孔多的部分和气孔几乎没有的部分。由此，上述研磨垫可以防止晶片等研磨对象中发生的刮痕。
多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法
根据一实例提供多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法，包括：(1)向模具内注入包含氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及用于形成多个气孔的物质的混合物来进行成型的步骤；以及(2)使上述混合物固化的步骤，上述多个气孔的面积加权平均气孔直径(AWAPD)为10μm至40μm，上述多孔性聚氨酯研磨垫的厚度为1.5mm至2.5mm，比重为0.7g/cm3至0.9g/cm3，25℃温度下的表面硬度为50邵氏D至65邵氏D，拉伸强度为15N/mm2至25N/mm2，延伸率为80％至250％，以研磨垫的总面积为基准的总气孔面积为30％至60％，耐电压为14kV至23kV。
关于多个气孔的记载与多孔性聚氨酯研磨垫中的记载相同。
具体地，上述用于形成多个气孔的物质可以为两种以上的固相发泡剂的混合物，或者一种以上的固相发泡剂及一种以上的惰性气体。上述固相发泡剂的混合物可以为具有互不相同的平均粒径的两种以上的固相发泡剂的混合物。
关于固相发泡剂以及惰性气体的记载与多孔性聚氨酯研磨垫中的记载相同。
以下，对多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法进行详细说明。
原料的投入
作为原料，准备氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及如上所述的用于形成多个气孔的物质。关于氨基甲酸酯类预聚物以及固化剂的记载与多孔性聚氨酯研磨垫中的记载相同。
另一方面，上述用于形成多个气孔的物质为两种以上的固相发泡剂混合物的情况下，相对于100重量份的上述氨基甲酸酯类预聚物，包含上述氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及用于形成多个气孔的物质的混合物可包含0.5重量份至10重量份的上述固相发泡剂混合物。更具体地，相对于100重量份的上述氨基甲酸酯类预聚物，上述原料混合物可包含1重量份至7重量份的上述固相发泡剂混合物。更加具体地，相对于100重量份的上述氨基甲酸酯类预聚物，上述原料混合物可包含3重量份至6重量份的上述固相发泡剂混合物，但并不限定于此。
另一方面，上述用于形成多个气孔的物质为一种以上的固相发泡剂及一种以上的惰性气体的情况下，在上述氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及固相发泡剂混合并反应的过程中投入上述惰性气体，来形成研磨垫的多个气孔。
以上述氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及固相发泡剂的总体积为基准，可投入20体积百分比至35体积百分比的上述惰性气体，具体地，可投入20体积百分比至30体积百分比的上述惰性气体。
需要时，上述混合物还可包含反应速度调节剂，关于反应速度调节剂的记载与多孔性聚氨酯研磨垫中的记载相同。
以100重量份的氨基甲酸酯类预聚物为基准，可使用0.1重量份至2重量份的量的上述反应速度调节剂。具体地，以100重量份的氨基甲酸酯类预聚物为基准，可使用0.2重量份至1.8重量份、0.2重量份至1.7重量份、0.2重量份至1.6重量份或者0.2重量份至1.5重量份量的上述反应速度调节剂。包含上述范围内的含量的反应速度调节剂的情况下，可以适当调节混合物(氨基甲酸酯类预聚物、固化剂、固相发泡剂(的混合物)，反应速度调节剂以及硅表面活性剂的混合物)的反应速度(混合物固相化的时间)，从而可以制备具有所需大小的气孔的研磨垫。
需要时，上述混合物还可包含表面活性剂。关于表面活性剂的记载与多孔性聚氨酯研磨垫中的记载相同。
以上述100重量份的氨基甲酸酯类预聚物为基准，可包含0.2重量份至2重量份的量的上述表面活性剂。具体地，以上述100重量份的氨基甲酸酯类预聚物为基准，可包含0.2重量份至1.9重量份、0.2重量份至1.8重量份、0.2重量份至1.7重量份、0.2重量份至1.6重量份或者0.2重量份至1.5重量份的量的上述表面活性剂。包含上述范围内的含量的表面活性剂的情况下，在模具内惰性气体导致的气孔可被稳定地形成并维持。
作为一例，氨基甲酸酯类预聚物、固化剂、用于形成多个气孔的物质、反应速度调节剂以及表面活性剂实质上可以几乎同时投入混合过程。
作为另一例，氨基甲酸酯类预聚物、固相发泡剂(的混合物)以及表面活性剂可以预先混合，之后投入固化剂、反应速度调节剂以及惰性气体。
上述混合中，混合氨基甲酸酯类预聚物和固化剂来开始反应，使得用于形成多个气孔的物质均匀地分散于原料内。此时，反应速度调节剂可以从反应初期开始参与氨基甲酸酯类预聚物与固化剂的反应来调节反应的速度。具体地，上述混合可以以1000rpm至10000rpm或者4000rpm至7000rpm的速度执行。速度属于上述范围时，有利于用于形成多个气孔的物质均匀地分散于原料内。
以各个分子内的反应性基(reactive group)的摩尔数为基准，可以混合1：0.8至1.2的摩尔当量比，或者1：0.9至1.1的摩尔当量比的上述氨基甲酸酯类预聚物以及固化剂。其中“以各个分子内的反应性基的摩尔数为基准”是指，例如以氨基甲酸酯类预聚物的异氰酸酯基的摩尔数和固化剂的反应性基(胺基、醇基等)的摩尔数为基准。因此，可通过调节投入速度，使得上述氨基甲酸酯类预聚物及固化剂在每单位时间投入满足前述的例示的摩尔当量比的量，从而在混合过程中以规定的速度投入。
反应及气孔形成
上述氨基甲酸酯类预聚物及固化剂在混合后进行反应而形成固相的聚氨酯，从而制备成薄片等。具体地，上述氨基甲酸酯类预聚物的异氰酸酯末端基可与上述固化剂的胺基、醇基等进行反应。此时，惰性体积以及固相发泡剂(的混合物)不参加氨基甲酸酯类预聚物和固化剂的反应但均匀分散于原料内，从而形成多个气孔。
并且，包含上述反应速度调节剂的情况下，可以促进或延迟氨基甲酸酯类预聚物与固化剂之间的反应，由此调节气孔的粒径。例如，上述反应速度调节剂为用于延迟反应的反应迟延剂的情况下，细微地分散于上述原料内的惰性气体相互合并的时间变长，由此可以增大气孔的平均粒径。相反，上述反应速度调节剂为用于促进反应的反应促进剂的情况下，细微地分散于上述原料内的惰性气体相互合并的时间变短，由此可以减少气孔的平均粒径。
成型
上述成型是利用模具(mold)执行。具体地，将在混合头部等中充分搅拌的原料(包含氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及用于形成多个气孔的物质)排出至模具，使其填充模具的内部。
使上述原料固化而获取固相化的饼形态的成型体。具体地，氨基甲酸酯类预聚物与固化剂之间的反应在模具内完成，可以获取以模具的形状实现固相化的饼形态的成型体。
之后，对获取的成型体进行适当的切割或切削，可加工成用于制备研磨垫的薄片。作为一例，在高度达最终制备的研磨垫的厚度的5倍至50倍的模具后进行成型后，以相同厚度间距对成型体进行切割来一次性制备多个研磨垫用薄片。在此情况下，为了确保充分的固相化时间，可使用反应迟延剂作为反应速度调节剂，由此即使将模具的高度设置成最终制备的研磨垫的厚度的5倍至50倍后成型，也可制备薄片。然而，切割后的薄片根据模具内的成型位置而可具有不同粒径的气孔。即，在模具的下部成型的薄片的情况下具有微细的粒径的气孔，但在模具的上部成型的薄片与在下部成型的薄片相比可具有更大的粒径的气孔。
因此，优选地，为了使各个薄片具有均匀的粒径的气孔，可以使用通过一次成型就能制备出一张薄片的模具。为此，上述模具的高度可能跟最终制备的多孔性研磨垫的厚度差不多。例如，上述成型可以利用高度达到最终制备的多孔性研磨垫的厚度的1倍至3倍的模具来执行。更具体地，上述模具的高度可以达到最终制备的研磨垫的厚度的1.1倍至2.5倍或1.2倍至2倍。此时，为了形成更加均匀的粒径的气孔，可以使用反应促进剂作为反应速度调节剂。
之后，可以对从上述模具获取的成型体的上端及下端分别进行切削。例如，对上述成型体的上端及下端分别切削成型体总厚度的1/3以下，1/22至3/10或者1/12至1/4。
作为具体的一例，利用高度达到最终制备的多孔性研磨垫的厚度的1.2倍至2倍的模具执行上述成型，并在上述成型之后还可包括对从上述模具获取的成型体的上端及下端分别切削总厚度的1/12至1/4的工序。
上述制备方法在上述表面切削之后，还可包括在表面加工凹槽的工序、与下层部的粘结工序、检查工序、包装工序等。这些工序可以通过常规的研磨垫制备方法的方式执行。
根据一实例的多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法可通过调节研磨垫的气孔的大小及分布，调节研磨垫的耐电压、研磨性能(研磨率)。
并且，本发明提供利用如上所述的方法制备的多孔性聚氨酯研磨垫。具体地，上述多孔性聚氨酯研磨垫可以具有多孔性聚氨酯研磨垫中记载的全部特性。
实施例
以下，说明本发明的具体实施例。然而，以下记载的实施例仅仅用于具体例示或说明本发明，并不用于限制本发明。
实施例1：多孔性聚氨酯研磨垫的制备
1-1：装置的构成
在设置有氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及反应速度调节剂注入线的浇铸设备中，向预聚物箱填充了包含9.1重量百分比的NCO的PUGL-550D(SKC公司产品，重均分子量：1200g/mol)，向固化剂箱填充了双(4-氨基-3-氯苯基)甲烷(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane，石原公司(Ishihara)产品)，作为反应速度调节剂准备了反应促进剂(制备公司：Airproduct，产品名：A1，三级胺类化合物)。并且，相对于100重量份的上述氨基甲酸酯类预聚物，预先混合3重量份的第一固相发泡剂(制备公司：阿克苏诺贝尔(Akzonobel)，产品名：Expancel 461DET 20d40，平均粒径：20μm)、2重量份的第二固相发泡剂(制备公司：阿克苏诺贝尔，产品名：Expancel 461DET 40d60，平均粒径：40μm)、0.5重量份的第三固相发泡剂(制备公司：阿克苏诺贝尔，产品名：Expancel 920DE 40d30，平均粒径：40μm)后投入到预聚物箱。
1-2：薄片的制备
通过各个投入线，以规定速度向搅拌头部投入氨基甲酸酯类预聚物、固化剂、上述第一至第三固相发泡剂的混合物以及反应速度调节剂并进行搅拌。此时，将氨基甲酸酯类预聚物的NCO基的摩尔当量和固化剂的反应性基的摩尔当量调节为1:1，将合计投入量维持10kg/分钟的速度。并且，相对于100重量份的氨基甲酸酯类预聚物，投入了1重量份的反应速度调节剂。
向模具(横向1000mm，纵向1000mm，高度3mm)投入搅拌的原料，使其固相化来获取薄片。之后，利用磨削机对薄片的表面进行磨削，并利用尖头(tip)形成凹槽(groove)，经过这种过程制备成平均厚度为2mm的多孔性聚氨酯研磨垫。
实施例2：多孔性聚氨酯研磨垫的制备
1-1：装置的构成
在设置有氨基甲酸酯类预聚物、固化剂、反应速度调节剂及惰性气体注入线的浇铸设备中，向预聚物箱填充了包含9.1重量百分比的NCO的PUGL-550D(SKC公司产品)，向固化剂箱填充了双(4-氨基-3-氯苯基)甲烷(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane，石原公司(Ishihara)产品)，作为惰性气体准备了氮气(N2)，作为反应速度调节剂准备了反应促进剂(制备公司：空气产品公司(Airproduct)，产品名：A1，三级胺类化合物)。并且，相对于100重量份的上述氨基甲酸酯类预聚物，预先混合2重量份的第一固相发泡剂(制备公司：阿克苏诺贝尔(Akzonobel)，产品名：Expancel 461DET 20d40，平均粒径：20μm)以及1重量份的硅类表面活性剂(制备公司：赢创(Evonik)公司，产品名：B8462)后投入到预聚物箱。
1-2：薄片的制备
通过各个投入线，以规定速度向搅拌头部投入氨基甲酸酯类预聚物、固化剂、第一固相发泡剂、反应速度调节剂、硅类表面活性剂以及惰性气体(N2)并进行搅拌。此时，将氨基甲酸酯类预聚物的NCO基的摩尔当量和固化剂的反应性基的摩尔当量调节为1:1，将合计投入量维持10kg/分钟的速度。并且，相对于氨基甲酸酯类预聚物、固化剂、第一固相发泡剂、反应速度调节剂以及硅类表面活性剂的合计体积，以规定速度投入了25％的体积的惰性气体。
向模具(横向1000mm，纵向1000mm，高度3mm)投入搅拌的原料，使其固相化来获取薄片。之后，利用磨削机对薄片的表面进行磨削，并利用尖头(tip)形成凹槽(groove)，经过这种过程制备成平均厚度为2mm的多孔性聚氨酯研磨垫。
比较例1：多孔性聚氨酯研磨垫的制备
1-1：装置的构成
在设置有氨基甲酸酯类预聚物、固化剂、反应速度调节剂、硅类表面活性剂及惰性气体注入线的浇铸设备中，向预聚物箱填充了包含9.1重量百分比的未反应NCO的PUGL-550D(SKC公司产品)，向固化剂箱填充了双(4-氨基-3-氯苯基)甲烷(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane，石原公司(Ishihara)产品)，作为惰性气体准备了氮气(N2)，作为反应速度调节剂准备了反应促进剂(制备公司：Airproduct，产品名：A1，三级胺类化合物)。并且，相对于100重量份的上述氨基甲酸酯类预聚物，预先混合1重量份的硅类表面活性剂(制备公司：赢创(Evonik)公司，产品名：B8462)后投入到预聚物箱。
1-2：薄片的制备
通过各个投入线，以规定速度向搅拌头部投入氨基甲酸酯类预聚物、固化剂、硅类表面活性剂以及惰性气体(N2)并进行搅拌。此时，将氨基甲酸酯类预聚物的NCO基的摩尔当量和固化剂的反应性基的摩尔当量调节为1:1，将合计投入量维持10kg/分钟的速度。并且，相对于氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及硅类表面活性剂的合计体积，以规定速度投入了35％的体积的惰性气体。
向模具(横向1000mm，纵向1000mm，高度3mm)投入搅拌的原料，使其固相化来获取薄片。之后，利用磨削机对薄片的表面进行磨削，并利用尖头(tip)形成凹槽(groove)，经过这种过程制备成平均厚度为2mm的多孔性聚氨酯研磨垫。
试验例
研磨垫的物性测定
针对根据上述实施例及比较例制备的多孔性聚氨酯研磨垫，按照如下条件及步骤分别测定了各个物性，并记载于下面表1、图1至图7。
(1)比重
将研磨垫切割成4cm×8.5cm的正方形(厚度：2mm)后，在23±2℃的温度、50±5％的湿度环境下静置16个小时。利用比重计测定了研磨垫的比重。
(2)硬度
1)测定了邵氏D硬度，将研磨垫切割成2cm×2cm(厚度：约2mm)的大小后，在25℃、30℃、50℃以及70℃的温度、50±5％的湿度环境下静置16个小时。之后利用硬度计(D型硬度计)测定了研磨垫的硬度。
(3)拉伸强度
利用万能试验机(UTM)以50mm/分钟的速度进行测试，获取断裂之前的最高强度值。
(4)延伸率
利用与上述拉伸强度测定方式相同的方式进行测试，测定断裂之前的最大变形量后，以百分比(％)示出相对于最初长度的最大变形量的比例。
(5)平均气孔直径、气孔直径分布度、气孔的面积比例及气孔数量
将研磨垫切割成2cm×2cm正方形(厚度：2mm)后，利用扫描电子显微镜(SEM)观察了100倍的图像面积。从利用图像分析软件获取的图像测定了多个气孔中全部的直径，并计算了平均气孔直径、气孔直径分布度、气孔的面积比例。并且，从获取的图像确认了每单位面积(1mm2)的气孔数量。
实施例1的研磨垫的SEM照片如图1，实施例2的研磨垫的SEM照片如图2，比较例1的研磨垫的SEM照片如图3所示。所算出的气孔直径分布图如图4所示。以实施例1、实施例2以及比较例1的研磨垫的面积为基准的多个气孔的直径分布图如图5至图7所示。
(6)耐电压(breakdown voltage)
利用SMEM Instruments公司的SM-100BDV(型号)、100kV耐电压检测器(BrakeDown Voltage Tester)(装置名)，测定了10检测点(point)的耐电压，并求出平均值。
具体地，上述10检测点，针对作为对象的2cm×2cm的正方形(厚度：2mm)的研磨垫，以横向4mm及纵向4mm的间距选定检测点，并进行测试。
(7)氧化硅(SiOx)的研磨率
利用CMP研磨设备，设置了通过TEOS-等离子体CVD法制备的形成有氧化硅膜且直径为300mm的硅晶片后，在附着上述多孔性聚氨酯研磨垫的平台(surface plate)上将硅晶片的氧化硅膜朝下的方式放置。之后，将研磨负荷调节为1.4psi，使平台以121rpm旋转的状态下向研磨垫以190ml/分钟的速度投入烧成氧化硅浆料，并使平台以115rpm旋转60秒钟，由此研磨氧化硅膜。研磨后，从搬运器取下硅晶片，放入旋转式脱水机(spin dryer)，利用去离子水(DIW)清洗后利用空气干燥15秒钟。利用光干涉式厚度测定装置测定了干燥的硅晶片的研磨前后的膜的厚度变化。以实施例2的研磨垫的研磨率100％为基准，测定了实施例1及比较例1的研磨垫的研磨率。
表1
Figure BDA0002033700370000211
Figure BDA0002033700370000221
如表1所示，实施例1及2的研磨垫与比较例1的研磨垫相比，平均气孔大小较小，相对于相同面积的气孔数量较多，可知耐电压及氧化硅的研磨率较高。并且，实施例1及2的研磨垫与比较例1的研磨垫相比，具有适当的耐电压。

Claims (16)

1.一种多孔性聚氨酯研磨垫，包含氨基甲酸酯类树脂、固化剂以及多个气孔，其特征在于，
上述多个气孔的面积加权平均气孔直径为10μm至40μm，
上述多孔性聚氨酯研磨垫的厚度为1.5mm至2.5mm，比重为0.7g/cm3至0.9g/cm3，25℃温度下的表面硬度为50邵氏D至65邵氏D，拉伸强度为15N/mm2至25N/mm2，延伸率为80％至250％，以研磨垫的总面积为基准的总气孔面积为30％至60％，耐电压为14kV至23kV；
其中，在上述多孔性聚氨酯研磨垫中，
当将上述面积加权平均气孔直径设定为X时，
在以上述多孔性聚氨酯研磨垫的截面积为基准的上述多个气孔的直径分布中，
以上述多个气孔的截面积之和100％为基准，
直径小于X－5μm的第一气孔的截面积之和为5％至45％，
直径大于X+5μm的第二气孔的截面积之和为10％至45％。
2.根据权利要求1所述的多孔性聚氨酯研磨垫，其特征在于，
在上述多孔性聚氨酯研磨垫中，
当将上述面积加权平均气孔直径设定为X时，
在以上述多孔性聚氨酯研磨垫的截面积为基准的上述多个气孔的直径分布中，
以上述多个气孔的截面积之和100％为基准，
直径大于X+10μm的多个气孔的截面积之和为5％至20％。
3.根据权利要求1所述的多孔性聚氨酯研磨垫，其特征在于，上述多孔性聚氨酯研磨垫还包含反应速度调节剂。
4.根据权利要求3所述的多孔性聚氨酯研磨垫，其特征在于，上述反应速度调节剂包含选自由三亚乙基二胺、二甲基乙醇胺、四甲基丁烷二胺、2-甲基-三亚乙基二胺、二甲基环己胺、三乙胺、三异丙醇胺、1，4-二叠氮双环(2.2.2)辛烷、双(2-甲基氨基乙基)醚、三甲基氨基乙基乙醇胺、N，N，N，N，N”-五甲基二亚乙基三胺、二甲基氨基乙胺、二甲基氨基丙胺、苄基二甲胺、N-乙基吗啉、N，N-二甲基氨基乙基吗啉、N，N-二甲基环己胺、2-甲基-2-氮杂降冰片烷、二月桂酸二丁基锡、辛酸亚锡、二乙酸二丁基锡、二乙酸二辛基锡、马来酸二丁基锡、二-2-乙基己酸二丁基锡以及二硫醇二丁基锡组成的组中的一种以上。
5.根据权利要求1所述的多孔性聚氨酯研磨垫，其特征在于，上述固化剂包含胺化合物、醇化合物或它们的混合物。
6.根据权利要求1所述的多孔性聚氨酯研磨垫，其特征在于，上述多孔性聚氨酯研磨垫的每单位面积的气孔的数量为500个以上，所述单位面积的单位为mm2。
7.根据权利要求1所述的多孔性聚氨酯研磨垫，其特征在于，上述多个气孔由两种以上的固相发泡剂的混合物形成或者由一种以上的固相发泡剂及一种以上的惰性气体形成。
8.根据权利要求7所述的多孔性聚氨酯研磨垫，其特征在于，上述固相发泡剂的混合物为具有互不相同的平均粒径的两种以上的固相发泡剂的混合物。
9.根据权利要求1所述的多孔性聚氨酯研磨垫，其特征在于，在上述多个气孔中，以上述多孔性聚氨酯研磨垫的截面积为基准的上述多个气孔的直径分布中，最大峰值的气孔直径为15μm至40μm，当将上述最大峰值的直径设定为Y时，以多个气孔的截面积之和100％为基准，直径为Y-5μm以下的气孔的截面积之和为20％至40％。
10.一种多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法，包括：步骤(1)，向模具内注入包含氨基甲酸酯类预聚物、固化剂以及用于形成多个气孔的物质的混合物来进行成型；以及步骤(2)，使上述混合物固化，其特征在于，
上述多个气孔的面积加权平均气孔直径为10μm至40μm，
上述多孔性聚氨酯研磨垫的厚度为1.5mm至2.5mm，比重为0.7g/cm3至0.9g/cm3，25℃温度下的表面硬度为50邵氏D至65邵氏D，拉伸强度为15N/mm2至25N/mm2，延伸率为80％至250％，以研磨垫的总面积为基准的总气孔面积为30％至60％，耐电压为14kV至23kV；
其中，当将上述面积加权平均气孔直径设定为X时，
在以上述多孔性聚氨酯研磨垫的截面积为基准的上述多个气孔的直径分布中，
以上述多个气孔的截面积之和100％为基准，
直径小于X－5μm的第一气孔的截面积之和为5％至45％，
直径大于X+5μm的第二气孔的截面积之和为10％至45％。
11.根据权利要求10所述的多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法，其特征在于，上述用于形成多个气孔的物质为两种以上的固相发泡剂的混合物或者一种以上的固相发泡剂及一种以上的惰性气体。
12.根据权利要求11所述的多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法，其特征在于，上述固相发泡剂的混合物为具有互不相同的平均粒径的两种以上的固相发泡剂的混合物。
13.根据权利要求10所述的多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法，其特征在于，
上述混合物还包含反应速度调节剂，
上述反应速度调节剂为选自由三级胺类化合物以及有机金属类化合物组成的组中的一种以上。
14.根据权利要求13所述的多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法，其特征在于，上述反应速度调节剂包含选自由三亚乙基二胺、二甲基乙醇胺、四甲基丁烷二胺、2-甲基-三亚乙基二胺、二甲基环己胺、三乙胺、三异丙醇胺、1，4-二叠氮双环(2.2.2)辛烷、双(2-甲基氨基乙基)醚、三甲基氨基乙基乙醇胺、N，N，N，N，N”-五甲基二亚乙基三胺、二甲基氨基乙胺、二甲基氨基丙胺、苄基二甲胺、N-乙基吗啉、N，N-二甲基氨基乙基吗啉、N，N-二甲基环己胺、2-甲基-2-氮杂降冰片烷、二月桂酸二丁基锡、辛酸亚锡、二乙酸二丁基锡、二乙酸二辛基锡、马来酸二丁基锡、二-2-乙基己酸二丁基锡以及二硫醇二丁基锡组成的组中的一种以上。
15.根据权利要求10所述的多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法，其特征在于，
当将上述面积加权平均气孔直径设定为X时，
在以上述多孔性聚氨酯研磨垫的截面积为基准的上述多个气孔的直径分布中，
以上述多个气孔的截面积之和100％为基准，直径大于X+10μm的多个气孔的截面积之和为5％至20％。
16.根据权利要求10所述的多孔性聚氨酯研磨垫的制备方法，其特征在于，在上述多个气孔中，在以上述多孔性聚氨酯研磨垫的截面积为基准的上述多个气孔的直径分布中，最大峰值的气孔直径为15μm至40μm，当将上述最大峰值的直径设定为Y时，以多个气孔的截面积之和100％为基准，直径为Y－5μm以下的气孔的截面积之和为20％至40％。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101853021B1 (ko) * 2017-01-12 2018-04-30 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
KR102298112B1 (ko) * 2019-11-20 2021-09-03 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드용 조성물, 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
TWI741753B (zh) 2019-10-29 2021-10-01 南韓商Ｓｋｃ索密思股份有限公司 研磨墊、製造該研磨墊之方法及使用該研磨墊以製造半導體裝置之方法
KR102298111B1 (ko) * 2019-11-15 2021-09-03 에스케이씨솔믹스 주식회사 재생 폴리올을 포함하는 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
JPWO2022045018A1 (zh) * 2020-08-26 2022-03-03
CN114310656B (zh) * 2020-09-29 2024-03-08 Sk恩普士有限公司 抛光垫、抛光垫的制造方法及半导体器件的制造方法
KR102512675B1 (ko) * 2020-12-30 2023-03-21 에스케이엔펄스 주식회사 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR102502516B1 (ko) * 2021-03-12 2023-02-23 에스케이엔펄스 주식회사 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR102625874B1 (ko) * 2021-05-28 2024-01-16 에스케이엔펄스 주식회사 연마패드 및 이의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101835087B1 (ko) * 2017-05-29 2018-03-06 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7066801B2 (en) * 2003-02-21 2006-06-27 Dow Global Technologies, Inc. Method of manufacturing a fixed abrasive material
US7435364B2 (en) * 2005-04-11 2008-10-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for forming a porous polishing pad
KR100949560B1 (ko) 2005-05-17 2010-03-25 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
US8052507B2 (en) 2007-11-20 2011-11-08 Praxair Technology, Inc. Damping polyurethane CMP pads with microfillers
US20100035529A1 (en) * 2008-08-05 2010-02-11 Mary Jo Kulp Chemical mechanical polishing pad
US8697239B2 (en) * 2009-07-24 2014-04-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multi-functional polishing pad
JP6146042B2 (ja) * 2013-02-18 2017-06-14 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物複合基板およびその製造方法、積層ｉｉｉ族窒化物複合基板、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
US20150038066A1 (en) 2013-07-31 2015-02-05 Nexplanar Corporation Low density polishing pad
US9102034B2 (en) * 2013-08-30 2015-08-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of chemical mechanical polishing a substrate
US20150059254A1 (en) * 2013-09-04 2015-03-05 Dow Global Technologies Llc Polyurethane polishing pad
JP6315246B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-25 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
JP2017185563A (ja) * 2016-04-01 2017-10-12 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
KR101853021B1 (ko) * 2017-01-12 2018-04-30 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
JP6360586B1 (ja) * 2017-04-13 2018-07-18 三菱電線工業株式会社 Ｃｍｐ装置のウエハ保持用の弾性膜
KR101835090B1 (ko) * 2017-05-29 2018-03-06 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법
KR101949905B1 (ko) * 2017-08-23 2019-02-19 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법
CN115106930B (zh) * 2017-09-11 2024-07-12 Sk恩普士有限公司 多孔聚氨酯抛光垫及其制备方法
KR102054309B1 (ko) * 2018-04-17 2019-12-10 에스케이씨 주식회사 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101835087B1 (ko) * 2017-05-29 2018-03-06 에스케이씨 주식회사 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
耐高电压聚氨酯弹性体材料的制备与性能研究;富露祥等;《辽宁化工》;20130614;第333-335页 *

Also Published As

Publication number Publication date
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US20190321937A1 (en) 2019-10-24
KR20190122439A (ko) 2019-10-30
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