TWI693614B - 堆疊型元件 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 36
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 22
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003962 NiZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
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- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
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- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
- H01F2017/0026—Multilayer LC-filter
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0066—Printed inductances with a magnetic layer
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F2017/0093—Common mode choke coil
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- H01F27/2804—Printed windings
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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Abstract
本發明提供一種堆疊型元件。堆疊型元件包含:堆疊體,其中堆疊多個薄片;多個雜訊濾波器部件,設置在堆疊體中且各自具有至少一個線圈圖案;以及多個外部電極,設置在堆疊體外部且分別連接到多個雜訊濾波器部件。多個雜訊濾波器部件中的至少一個的線圈圖案的數目不同於其餘雜訊濾波器部件的線圈圖案的數目。
Description
本發明涉及一種堆疊型元件,且更特定來說,涉及一種能夠消除共模雜訊的堆疊型元件。
常規差分傳訊使用兩條線來傳輸訊號。然而,近來,提出了能夠以相同速度傳輸訊號同時增加頻寬的使用三條線的差分傳訊。使用三條線的差分傳訊可應用於智慧型電話的照相機、LCD以及類似物。使用兩條線的現有差分傳訊被稱為D-PHY且使用三條線的差分傳訊被稱為C-PHY。因此,相較於D-PHY,C-PHY可減少訊號傳輸線的數目。舉例來說,為了在智慧型電話的LCD上實施4K圖像,常規D-PHY需要20條傳輸線,且如果使用C-PHY,那麼傳輸線可減少到九條。
在常規差分傳訊中,兩條傳輸線配對以傳輸一個訊號,且在理想情況下,應僅存在具有不同訊號相位的差分訊號。然而,取決於半導體晶片組(其為訊號源)或PCB(其為訊號傳輸線的主體)的狀態和連接器的狀態,難以在完美的兩個訊號之間保持異相。由於保持異相隨著系統變得更加複雜且傳輸線變得更長而
更加困難(尤其在智慧型電話中),所以產生了具有相同訊號相位的共模成份,且此訊號充當雜訊並影響週邊電路。尤其來說,此影響對雜訊具有敏感性的無線通訊靈敏度,且按敏感性順序,提供GPS、800兆赫2G/3G無線通訊、1.8吉赫頻帶、WiFi頻帶等。為了提高通訊品質,使用用於消除共模雜訊成份的共模雜訊濾波器,且所述共模雜訊濾波器可安裝在其中設置具有較大資料傳輸量的多媒體傳輸線的LCD、照相機、USB、外部顯示器或類似物上。
如上文所描述,隨著對高品質視訊和語音服務的需求增加,提出了新的C-PHY方案,且由於三條線成一個配對而不是現有的兩條線成一個配對傳輸訊號,所以訊號傳輸變得更加複雜。因此,不可能將可去除所產生的雜訊的濾波器應用於常規濾波器。也就是說,由於組件的封裝自身必須根據線的數目變化而改變,所以就外部形狀而言不可能應用現有濾波器,且濾波器的內部電路也必須改變以使可去除雜訊同時傳送正確的訊號。
在每一訊號的電壓位準異常、出現延遲或存在PCB的特性阻抗的差時引起共模雜訊,且情況的數目對應於各種原因而較大。舉例來說,如果在三個訊號中的一個中出現延遲,那麼在兩條訊號線之間出現共模雜訊,且如果同時在兩條訊號線中存在時間延遲或三條訊號線中存在延遲,那麼在所有三條訊號線中同時出現共模雜訊。
為了消除此共模雜訊成份,僅可應對兩條訊號線的常規濾
波器是不夠的。在使用多個元件時有可能消除此共模雜訊成份,但成本大大增加且難以獲得良好效果,例如安裝面積增大。
另一方面,在高速訊號線的情況下,管理電感器的直流電阻(direct current resistance;RDC)的大小也是重要的。但是,當連接多個元件時,所述值過高或應選擇具有較低DC電阻的元件但難以找出所述元件。在具有較低DC電阻的元件的情況下,雜訊去除效果通常是較差的。因此,滿足各種要求的雜訊去除部件變得必要,且作為此類C-PHY濾波器,本發明的發明人申請了韓國專利申請第10-2016-0180228號。在韓國專利申請第10-2016-0180228號中,在其中堆疊多個薄片的堆疊體中形成六個線圈圖案,且連接兩個線圈圖案以形成三個雜訊濾波器部件。
作為C-PHY濾波器,堆疊型元件較佳與安裝有堆疊型元件的電子裝置的阻抗匹配。如果堆疊型元件的阻抗與電子裝置的阻抗匹配,那麼可穩定地傳輸高速訊號。然而,如果不匹配,那麼訊號可能丟失且可能難以進行正常傳輸。因此,堆疊型元件被設計成匹配所安裝電子裝置的訊號輸入端子的阻抗。
然而,當其中連接兩個雜訊圖案以構成三個雜訊濾波器部件的堆疊型元件一經設計,就難以控制阻抗,且因此,難以將所述阻抗採用到具有不同阻抗特性的其它電子裝置。
因此,需要在不改變設計的情況下相對容易地調整其阻抗的堆疊型元件。
(現有技術文獻)
(專利文獻)
(專利文獻1)韓國專利第10-0876206號
(專利文獻2)韓國專利公開案第10-2017-0104366號
本發明提供一種消除在三條線中出現的共模雜訊的堆疊型元件。
本發明提供一種容易控制阻抗的堆疊型元件。
本發明概念的實施例提供一種堆疊型元件,包含:堆疊體,其中堆疊多個薄片;多個雜訊濾波器部件,設置在堆疊體中且各自具有至少一個線圈圖案;以及多個外部電極,設置在堆疊體外部且分別連接到多個雜訊濾波器部件,其中多個雜訊濾波器部件中的至少一個的線圈圖案的數目不同於其餘雜訊濾波器部件的線圈圖案的數目。
在實施例中,比所述多個雜訊濾波器部件的總數目更少的數目個的雜訊濾波器部件可具有至少一個阻抗調整線圈圖案。
在實施例中,阻抗調整線圈圖案可在薄片的堆疊方向上形成於線圈圖案的最外側上。
在實施例中,可根據阻抗調整線圈圖案的數目、轉數以及線寬中的至少一個來調整阻抗。
在實施例中,可根據阻抗調整線圈圖案與鄰近線圈圖案之間的間隔和阻抗調整線圈圖案與線圈圖案之間的連接關係中的至
少一個來調整阻抗。
在實施例中,關於多個線圈圖案中的至少一個,線圈圖案的轉數、線寬以及線圈圖案之間的間隔中的至少一個可以是不同的。
在實施例中,可根據線圈圖案的轉數、線寬以及線圈圖案之間的間隔中的至少一個來調整阻抗。
在實施例中,堆疊型元件可進一步包含在至少一個線圈圖案的中心處形成的磁芯。
在實施例中,堆疊型元件可進一步包含設置在堆疊體中的至少一個電容器和過電壓保護單元中的至少一個。
在實施例中,在其中形成雜訊濾波器部件的薄片可以是非磁性薄片,且在其中形成過電壓保護單元的薄片可以是磁性薄片。
在實施例中,堆疊型元件可進一步包含表面改性構件,所述表面改性構件形成於堆疊體的表面的至少一部分上且由不同於堆疊體的表面的材料製成。
在實施例中,外部電極可在堆疊體的最下部薄片和最上部薄片中的至少一個上延伸,且表面改性構件可設置於至少外部電極的延伸區域與堆疊體之間。
在實施例中,堆疊型元件可進一步包含浮接線圈圖案,所述浮接線圈圖案設置在堆疊體中且未連接到另一線圈圖案且未連接到外部電極。
100、111、113:薄片
101:第一薄片
102:第二薄片
103:第三薄片
104:第四薄片
105:第五薄片
106:第六薄片
107:第七薄片
108:第八薄片
109:第九薄片
110:第十薄片
112:第十二薄片
200:線圈圖案
210:第一線圈圖案
220:第二線圈圖案
230:第三線圈圖案
240:第四線圈圖案
250:第五線圈圖案
260:第六線圈圖案
270:第七線圈圖案
300、310、320、321、322、330、331、332、333、340、341、342、343、350、351、352、360、371、372、373、374、375、376:孔洞
300a、300b、300c:豎直連接佈線
400、480、481、482、483、484、485、486、490:牽拉電極
410:第一牽拉電極
420:第二牽拉電極
430:第三牽拉電極
440:第四牽拉電極
450:第五牽拉電極
460:第六牽拉電極
470:第七牽拉電極
500:內部電極
510:第一內部電極
520:第二內部電極
1000:堆疊體
2000:雜訊濾波器部件
2100:第一雜訊濾波器部件
2200:第二雜訊濾波器部件
2300:第三雜訊濾波器部件
3000:外部電極
3100:第一外部電極
3110:1-1外部電極
3120:1-2外部電極
3130:1-3外部電極
3200:第二外部電極
3210:2-1外部電極
3220:2-2外部電極
3230:2-3外部電極
3300、3310、3320:第三外部電極
4000:表面改性構件
5000:過電壓保護單元
A-A':線
X、Y、Z:方向
包含附圖以提供對本發明概念的進一步理解,且附圖併入本說明書中並構成本說明書的一部分。附圖示出本發明概念的示範性實施例,且與說明一起用來解釋本發明概念的原理。在附圖中:圖1是用於解釋根據本發明的第一實施例的堆疊型元件的視圖。
圖2是根據本發明的第一實施例的堆疊型元件的分解透視圖。
圖3是根據第一實施例的沿線A-A'截取的剖面圖。
圖4是堆疊體表面的示意圖。
圖5和圖6是根據本發明的第一實施例的修改的堆疊型元件的剖面圖。
圖7和圖8是根據本發明的第二實施例的堆疊型元件的剖面圖。
圖9和圖10是根據本發明的第三實施例的堆疊型元件的剖面圖。
圖11和圖12是根據本發明的第四實施例和第五實施例的堆疊型元件的剖面圖。
圖13和圖14是根據常規實例和本發明的第一實施例的堆疊型元件的阻抗特性的曲線圖。
圖15和圖16是根據本發明的第二實施例的堆疊型元件的阻
抗曲線圖。
圖17和圖18是根據本發明的第三實施例的堆疊型元件的阻抗曲線圖。
圖19到圖21是根據本發明的實施例的根據阻抗調整線圈圖案的轉數的阻抗曲線圖。
圖22到圖24是根據本發明的實施例的根據阻抗調整線圈圖案和鄰近線圈圖案之間的間隔的阻抗的曲線圖。
圖25到圖27是用於解釋根據本發明的第六實施例的堆疊型元件的視圖。
圖28和圖29是用於解釋根據本發明的第七實施例的堆疊型元件的視圖。
在下文中,將參考附圖詳細描述本發明的實施例。然而,本發明可以不同形式實施,且不應被理解為限於在本文中所闡述的實施例,且實際上,提供這些實施例是為了使本公開將是透徹並且完整的,並且這些實施例將把本發明的範圍完整地傳達給本領域中具有通常知識者。在附圖中,放大了厚度以清楚地示出各種層和區,且在附圖中相同附圖標號指代相同元件。
圖1是根據本發明的第一實施例的堆疊型元件的透視圖。圖2是根據本發明的第一實施例的堆疊型元件的分解透視圖。另外,圖3是根據第一實施例的沿線A-A'截取的剖面圖。圖4是堆
疊體表面的示意圖。
參考圖1到圖4,根據本發明的第一實施例的堆疊型元件可包含:堆疊體1000,其中堆疊多個薄片101到薄片110以及薄片100;至少三個或大於三個雜訊濾波器部件2000(雜訊濾波器部件2100、雜訊濾波器部件2200以及雜訊濾波器部件2300),包含在堆疊體1000中形成的多個線圈圖案200(線圈圖案210到線圈圖案270);以及外部電極3000(外部電極3100和外部電極3200),設置在堆疊體1000外部且連接到雜訊濾波器部件2000。另外,所述堆疊型元件可進一步包含表面改性構件4000,所述表面改性構件設置在堆疊體1000與外部電極3000之間的至少一部分處。此處,雜訊濾波器部件2000可以多個(例如三個)設置,且可在薄片100的堆疊方向上間隔預定距離。也就是說,關於根據本發明的實施例的堆疊型元件,至少三個雜訊濾波器部件2000可設置在堆疊體1000中,且雜訊濾波器部件2000可連接到外部電極3000且通過外部電極3000連接到訊號線。此外,雜訊濾波器部件2000中的至少一個可形成有不同於其餘雜訊濾波器部件的已連接線圈圖案200的數目。舉例來說,第一雜訊濾波器部件2100可藉由連接三個線圈圖案來形成,且第二雜訊濾波器部件2200和第三雜訊濾波器部件2300可藉由連接兩個線圈圖案來形成。作為具體實例,第一雜訊濾波器部件2100可藉由連接第一線圈圖案210、第四線圈圖案240以及第七線圈圖案270來形成,第二雜訊濾波器部件2200可藉由連接第二線圈圖案220和第五線圈圖案
250來形成,且第三雜訊濾波器部件2300可藉由連接第三線圈圖案230和第六線圈圖案260來形成。此時,由於任何一個線圈圖案(例如,第七線圈圖案270)進一步連接到第一雜訊濾波器部件2100,所以可控制堆疊型元件的阻抗。也就是說,第七線圈圖案270是用於控制堆疊型元件的阻抗的線圈圖案。但是,雜訊濾波器部件2000可藉由以各種形狀連接線圈圖案來形成。在本發明中,至少一個雜訊濾波器部件2000的線圈圖案200的連接數目不同於其餘雜訊濾波器部件2000的線圈圖案200的連接數目。也就是說,根據本發明,一個雜訊濾波器部件2000由至少一個線圈圖案200形成且形成多個雜訊濾波器部件2000,且關於比雜訊濾波器部件2000的總數目更少的數目個的雜訊濾波器部件2000,線圈圖案200的連接數目不同於其餘雜訊濾波器部件2000的線圈圖案200的連接數目。在這種情況下,如上文所描述,第七線圈圖案270(也就是阻抗調整線圈圖案)可設置在第六線圈圖案260的上部部分處,但可設置在第二線圈圖案220到第六線圈圖案260之間的任何位置處。特定來說,第七線圈圖案270可設置在鄰近於第三線圈圖案230的位置處。本發明的第一實施例將更詳細地描述如下。
1.堆疊體
堆疊體1000可具有實質上六面體形狀。也就是說,堆疊體1000在一個方向(例如,X方向)和另一方向(例如,Y方向)上具有預定長度和寬度,且可以在豎直方向(例如,Z方向)上
具有預定高度的實質上六面體形狀設置,所述一個方向與所述另一方向在水平方向上彼此正交。此處,X方向上的長度可等於或不同於Y方向上的寬度,且Y方向上的寬度可等於或不同於Z方向上的高度。舉例來說,長度和寬度可相同或不同,且對長度來說高度可以是不同的。長度、寬度以及高度的比可以是1到5:1:0.2到2。也就是說,基於寬度,長度可以是寬度的約1倍到5倍,且高度可以是寬度的約0.2倍到2倍。然而,X方向、Y方向以及Z方向上的大小可根據堆疊型元件所連接到的電子裝置的內部結構、堆疊型元件的形狀以及類似者來不同地改變。
堆疊體1000可藉由堆疊多個薄片100(薄片101到薄片110)來形成。也就是說,堆疊體1000可藉由堆疊具有X方向上的預定長度、Y方向上的預定寬度以及Z方向上的預定厚度的多個薄片100來形成。因此,可藉由薄片100的長度和寬度來確定堆疊體1000的長度和寬度,且可藉由經堆疊的薄片100的數目來確定堆疊體1000的高度。另一方面,多個薄片100可以是磁性薄片或非磁性薄片。也就是說,多個薄片100可以全部是磁性薄片或非磁性薄片。然而,多個薄片100可至少部分地是磁性薄片,且其餘部分可以是非磁性薄片。舉例來說,在其中實施雜訊濾波器部件2000的薄片(也就是第一薄片101到第八薄片108)可以是非磁性薄片,且第九薄片109和第十薄片110可以是磁性薄片。此處,非磁性薄片可具有2到10的相對電容率,且磁性薄片可具有2到1000的磁導率或2到100的相對電容率。另一方面,磁性
薄片可使用例如NiZnCu類或NiZn類磁性陶瓷形成。舉例來說,NiZnCu磁性薄片可藉由混合Fe2O3、ZnO、NiO以及CuO來形成,且Fe2O3、ZnO、NiO以及CuO可以例如5:2:2:1的比混合。另外,非磁性薄片可使用例如低溫共燒陶瓷(low temperature co-fired ceramics;LTCC)製成。LTCC材料可包含Al2O3、SiO2以及玻璃材料。
多個薄片100可以具有預定厚度的矩形板材形狀設置。舉例來說,其可以具有相同長度和寬度的正方形形式設置,且可以具有不同長度和寬度的矩形板材形狀設置。另外,多個薄片100可全部形成為具有相同厚度,且所述薄片中的至少一個可比其它薄片形成為更厚或更薄。另一方面,多個薄片100可形成為具有例如1微米到4000微米和3000微米或小於3000微米的厚度。也就是說,根據堆疊體1000的厚度,薄片100中的每一個的厚度可以是1微米到4000微米,例如1微米到300微米,且較佳是5微米到100微米。可根據薄片100中的每一個的厚度來調整鄰近線圈圖案200之間的間隔。也就是說,可根據薄片100的厚度來調整線圈圖案200之間的間隔。此時,可根據線圈圖案200之間的間隔(也就是薄片100中的每一個的厚度)來調整差分阻抗。也就是說,隨著線圈圖案200之間的間隔變得更小,也就是隨著薄片100中的每一個的厚度變得更薄,可降低差分阻抗。隨著線圈圖案200之間的間隔變得更寬,也就是隨著薄片100中的每一個的厚度變得更厚,可增大差分阻抗。然而,可根據堆疊型元件的
大小來調整薄片100的厚度和層的數目。也就是說,當應用於較薄或小型堆疊型元件時,薄片100可形成為具有較薄厚度,且當應用於較厚或大型堆疊型元件時,薄片100可形成為具有較大厚度。另外,當薄片100以相同數目堆疊時,堆疊型元件的大小較小以使隨著高度降低,厚度更薄。隨著堆疊型元件的大小變得更大,厚度可能較厚。當然,較薄薄片也可應用於大型堆疊型元件,且在這種情況下,經堆疊的薄片的數目增大。
另外,堆疊體1000可進一步包含設置在下部部分和上部部分中的至少一個上的覆蓋層(未繪示)。也就是說,堆疊體1000可包含設置在最下部層和最上部層中的每一個上的覆蓋層。此時,覆蓋層可僅設置在上部部分或下部部分處,或可設置在上部部分和下部部分兩者處。當然,在沒有單獨覆蓋層的情況下,最下部薄片(也就是第九薄片109)可充當下部部分覆蓋層,且最上部薄片(也就是第十薄片110)可充當上部部分覆蓋層。充當下部部分覆蓋層和上部部分覆蓋層的第九薄片109和第十薄片110可比其之間的薄片101到薄片108中的每一個更厚。此時,第九薄片109和第十薄片110(也就是覆蓋層)可藉由將與薄片101到薄片108具有相同厚度的多個薄片堆疊來形成。另外,第九薄片109和第十薄片110可形成為具有不同厚度,且例如第十薄片110可比第九薄片109更厚。本文中,第九薄片109和第十薄片110可由磁性薄片形成,且可藉由堆疊至少兩個磁性薄片來形成。另一方面,玻璃態層可形成於堆疊體1000的至少一個表面上。舉例來
說,玻璃態薄片可形成於第九薄片109的下部表面或第十薄片110的上部表面上。
2.雜訊濾波器部件
雜訊濾波器部件2000可包含:多個線圈圖案200(線圈圖案210到線圈圖案270),選擇性地形成於多個薄片100上;豎直連接佈線300a、豎直連接佈線300b以及豎直連接佈線300c,具有豎直地連接至少兩個線圈圖案200且填充有導電材料的孔洞300(孔洞310到孔洞360);以及牽拉(drawing)電極400(牽拉電極410到牽拉電極470),從線圈圖案200牽拉出以便暴露於薄片100的外部。也就是說,線圈圖案200(線圈圖案210到線圈圖案270)形成於多個薄片100的上部部分上,且在薄片100的堆疊方向上(也就是在豎直方向上)的至少兩個線圈圖案200藉由填充有導電材料的孔洞300(孔洞310到孔洞360)連接,也就是豎直連接佈線300a、豎直連接佈線300b以及豎直連接佈線300c。因此,在豎直方向上連接的兩個或三個線圈圖案200形成每一個雜訊濾波器部件2000,且三個雜訊濾波器部件2000(雜訊濾波器部件2100、雜訊濾波器部件2200以及雜訊濾波器部件2300)豎直地堆疊。也就是說,至少三個雜訊濾波器部件2000在薄片100的堆疊方向上形成。此處,雜訊濾波器部件2000包含去除共模雜訊的共模雜訊濾波器。另外,至少三個雜訊濾波器部件2000連接到堆疊體1000外部的外部電極3000。
第一線圈圖案210和第一牽拉電極410形成於第一薄片
101上。第二線圈圖案220、填充有導電材料的孔洞310以及第二牽拉電極420形成於設置在第一薄片101的上部側上的第二薄片102上。第三線圈圖案230、彼此間隔開的填充有多個導電材料的孔洞320(孔洞321和孔洞322)以及第三牽拉電極430形成於設置在第二薄片102的上部側上的第三薄片230上。第四線圈圖案240、彼此間隔開的填充有多個導電材料的孔洞330(孔洞331、孔洞332以及孔洞333)以及第四牽拉電極440形成於設置在第三薄片103的上部側上的第四薄片104上。第五線圈圖案250、彼此間隔開的填充有多個導電材料的孔洞340(孔洞341、孔洞342以及孔洞343)以及第五牽拉電極450形成於設置在第四薄片104的上部側上的第五薄片105上。第六線圈圖案260、彼此間隔開的填充有多個導電材料的孔洞350(孔洞351和孔洞352)以及第六牽拉電極460形成於設置在第五薄片105的上部側上的第六薄片106上。第七線圈圖案270、填充有導電材料的孔洞360以及第七牽拉電極470形成於設置在第六薄片106的上部側上的第七薄片107上。
第一線圈圖案200到第七線圈圖案200(第一線圈圖案210到第七線圈圖案270)中的每一個可藉由從第一薄片101到第七薄片107中的每一個的中心區域在一個方向上旋轉來以預定匝數形成。第一線圈圖案210可藉由從對應於第二薄片102的孔洞310的區域在一個方向上旋轉來形成,且第二線圈圖案220可藉由從與孔洞310間隔開預定間隔且對應於第三薄片103的孔洞321的
區域在一個方向上旋轉來形成。此外,第三線圈圖案230可藉由從與彼此間隔開的孔洞321和孔洞322間隔開預定間隔且對應於第四薄片104的孔洞331的區域在一個方向上旋轉來形成,且第四線圈圖案240可藉由從在對應於第二薄片102的孔洞310和第三薄片103的孔洞322的區域中形成的孔洞333在一個方向上旋轉來形成。接著,第五線圈圖案250可藉由從在對應於第四薄片104的孔洞332的區域中形成的孔洞342在一個方向上旋轉來形成,且第六線圈圖案260可藉由從在對應於第五薄片105的孔洞341的區域中形成的孔洞351在一個方向上旋轉來形成。另外,第七線圈圖案270可藉由從在對應於第六薄片106的孔洞352的區域中形成的孔洞360在一個方向上旋轉來形成。
另外,線圈圖案200可以預定轉數形成,且可以2到20的轉數形成。此時,線圈圖案200的轉數中的至少一個可以不同,且例如,第一線圈圖案210、第三線圈圖案230以及第五線圈圖案250以3到20的轉數形成,且第二線圈圖案220、第四線圈圖案240以及第六線圈圖案260可以2.5到18的轉數形成。也就是說,第一線圈圖案210、第三線圈圖案230以及第五線圈圖案250的轉數可等於或大於第二線圈圖案220、第四線圈圖案240以及第六線圈圖案260的轉數。第七線圈圖案270可由與奇數編號的線圈圖案210、線圈圖案230以及線圈圖案250相同的轉數形成,且可由與偶數編號的線圈圖案220、線圈圖案240以及線圈圖案260相同的轉數形成。然而,第七線圈圖案270可由不同於奇數編號的線
圈圖案210、線圈圖案230以及線圈圖案250以及偶數編號的線圈圖案220、線圈圖案240以及線圈圖案260的轉數形成。此處,可藉由調整阻抗調整線圈圖案(也就是第七線圈圖案270的轉數)來控制堆疊型元件的阻抗。堆疊型元件的阻抗的變化原因是由於與第一線圈圖案210到第六線圈圖案260平行安置的阻抗調整線圈圖案(也就是第七線圈圖案270)之間的失配。因此,隨著阻抗調整線圈圖案的轉數減少,阻抗增大。也就是說,隨著阻抗調整線圈圖案與其餘線圈圖案的失配區段變得更長,阻抗快速改變。換句話說,隨著阻抗調整線圈圖案的轉數減少,阻抗快速改變。此時,如果阻抗調整線圈圖案的轉數改變,那麼其具有介於當不存在阻抗調整線圈圖案時與當存在轉數等於其餘線圈圖案的阻抗線圈圖案時之間的中間阻抗特性。另外,可根據阻抗調整線圈圖案(也就是第七線圈圖案270)與鄰近於其下部側的線圈圖案(也就是第六線圈圖案260)之間的間隔來控制堆疊型元件的阻抗。舉例來說,相較於第一線圈圖案210到第七線圈圖案270之間的間隔相同(也就是第一薄片101到第七薄片107的厚度相同)的情況,當第六線圈圖案260與第七線圈圖案270之間的間隔較寬(也就是第七薄片107的厚度比第一薄片101到第六薄片106的厚度更厚)時,線圈圖案之間的耦合減小且阻抗增大。相反,如果第六線圈圖案260與第七線圈圖案270之間的間隔較窄,也就是說,第七薄片107比第一薄片101到第六薄片106更薄,那麼線圈圖案之間的耦合增大以使阻抗減小。
此外,線圈圖案200可具有預定線寬和間隔,且可以以逆時針方向和順時針方向中的至少一個朝外旋轉的螺旋形狀形成。此時,線圈圖案200的線寬可相同或不同,且間隔可相同或不同。也就是說,相同線圈圖案200的線間隔可根據線圈圖案200的轉數而不同。另外,線圈圖案200可形成有5微米到50微米的線寬。此時,可根據線圈圖案200的線寬和間隔來調整阻抗。也就是說,隨著線圈圖案200的線寬變得更窄,阻抗增大,且隨著線寬增大,阻抗減小。也就是說,隨著線圈圖案200的間隔變得更窄,阻抗減小,且隨著間隔變得更寬,阻抗增大。另一方面,線圈圖案200的旋轉方向可以不同。舉例來說,第一線圈圖案210、第二線圈圖案220以及第三線圈圖案230可順時針旋轉,且第四線圈圖案240、第五線圈圖案250、第六線圈圖案260以及第七線圈圖案270可逆時針旋轉。然而,所有線圈圖案200都可在相同的順時針或逆時針方向上旋轉,且線圈圖案200中的至少一個可在另一方向上旋轉。同時,線圈圖案200可以各種形狀形成,例如除螺旋形狀之外的直線和曲線形狀。也就是說,在本發明的雜訊濾波器部件2000中,多個導電圖案可豎直地連接。多個導電圖案中的至少一個可具有螺旋形狀,且至少另一所述導電圖案可具有除螺旋形狀以外的形狀。另外,儘管未在附圖中繪示,但磁芯結構可形成於至少一個線圈圖案200內部。也就是說,可在薄片100的中心部分填充磁性材料以形成磁芯,且可形成線圈圖案200以包圍磁芯。此時,填充有導電材料的孔洞300可形成於磁芯的外側上。
也就是說,填充有導電材料的孔洞300可形成於磁芯的外側上以使多個線圈圖案200包圍磁芯。
同時,線圈圖案200可連接到在薄片100的外側方向上牽拉的牽拉電極400(牽拉電極410到牽拉電極470)。連接到第一線圈圖案210的第一牽拉電極410形成為暴露於第一薄片101的一個長邊的預定區域。連接到第二線圈圖案220的第二牽拉電極420形成為暴露於第二薄片102的一個長邊,且與第一牽拉電極410間隔開形成。連接到第三線圈圖案230的第三牽拉電極430形成為暴露於第三薄片103的一個長邊,且與第一牽拉電極410和第二牽拉電極420間隔開形成。連接到第四線圈圖案240的第四牽拉電極440形成為暴露於第四薄片104的另一長邊,且形成為暴露於對應於第一牽拉電極410的區域。連接到第五線圈圖案250的第五牽拉電極450形成為暴露於第五薄片105的另一長邊,且與第四牽拉電極440間隔開並對應於第二牽拉電極420形成。連接到第六線圈圖案260的第六牽拉電極460形成為暴露於第六薄片106的另一長邊,且與第四牽拉電極440和第五牽拉電極450間隔開並對應於第三牽拉電極430形成。連接到第七線圈圖案270的第七牽拉電極470形成為暴露於第七薄片107的一個長邊且與第一牽拉電極410重疊形成。同時,牽拉電極400形成為具有大於線圈圖案200的寬度的寬度,且可形成為具有窄於或等於外部電極3000的寬度的寬度。由於牽拉電極400的寬度形成為比線圈圖案200的寬度更寬,所以與外部電極3000的接觸區域可增大,
且因此,此可減小牽拉電極400與外部電極3000之間的接觸電阻。
如圖2和圖3中所繪示,第一線圈圖案210、第四線圈圖案240以及第七線圈圖案270藉由豎直連接佈線300a連接以形成第一雜訊濾波器部件2100。也就是說,第七線圈圖案270藉由形成於第七薄片107上的填充有導電材料的孔洞360、形成於第六薄片106上的填充有導電材料的孔洞352以及形成於第五薄片105上的填充有導電材料的孔洞343連接到第四線圈圖案240。第四線圈圖案240藉由形成於第四薄片104上的填充有導電材料的孔洞333、形成於第三薄片103上的填充有導電材料的孔洞322以及形成於第二薄片102上的填充有導電材料的孔洞310連接到第一線圈圖案210。第二線圈圖案220和第五線圈圖案250藉由豎直連接佈線300b連接以形成第二雜訊濾波器部件2200。也就是說,第五線圈圖案250藉由形成於第五薄片105上的填充有導電材料的孔洞342、形成於第四薄片104上的填充有導電材料的孔洞332以及形成於第三薄片103上的填充有導電材料的孔洞321連接到第二線圈圖案220。接著,第三線圈圖案230和第六線圈圖案260藉由豎直連接佈線300c彼此連接以形成第三雜訊濾波器部件2300。也就是說,第六線圈圖案260藉由形成於第六薄片106上的填充有導電材料的孔洞351、形成於第五薄片105上的填充有導電材料的孔洞341以及形成於第四薄片104上的填充有導電材料的孔洞331連接到第三線圈圖案230。然而,彼此間隔開的線圈圖案的連接方法可不同地修改。
另外,連接到第一線圈圖案210的第一牽拉電極410連接到1-1外部電極3110,且連接到第四線圈圖案240的第四牽拉電極440連接到2-1外部電極3210。另外,連接到第二線圈圖案220的第二牽拉電極420連接到1-2外部電極3120,且連接到第五線圈圖案250的第五牽拉電極450連接到2-2外部電極3220。另外,連接到第三線圈圖案230的第三牽拉電極430連接到1-3外部電極3130,且連接到第六線圈圖案260的第六牽拉電極460連接到2-3外部電極3230。接著,連接到第七線圈圖案270的第七牽拉電極470連同第一牽拉電極410一起連接到1-1外部電極3110。因此,第一雜訊濾波器部件2100連接於1-1外部電極3110與2-1外部電極3210之間。第二雜訊濾波器部件2200連接於1-2外部電極3120與2-2外部電極3220之間。第三雜訊濾波器部件2300連接於1-3外部電極3130與2-3外部電極3230之間。
同時,構成第一雜訊濾波器部件2100、第二雜訊濾波器部件2200以及第三雜訊濾波器部件2300的線圈圖案200的轉數可彼此相同或不同。由於構成雜訊濾波器部件2000的線圈圖案200的轉數彼此不同,所以一個堆疊型元件可具有至少兩種阻抗特性。此外,形成於根據本發明的實施例的多個薄片100上的線圈圖案200和牽拉電極400可由例如金屬的導電材料形成。此處,線圈圖案200和牽拉電極400可藉由鍍敷製程、印刷製程、沉積製程或類似製程來形成。舉例來說,線圈圖案200和牽拉電極400可藉由鍍銅製程來形成,且連接到牽拉電極400的外部電極3000
的至少一部分可藉由鍍銅製程來形成。也就是說,牽拉電極400和接觸其的外部電極3000的至少一部分可由相同材料形成且藉由相同製程形成。
如上文所描述,關於本發明的堆疊型元件,多個雜訊濾波器部件2000當中的至少一個雜訊濾波器部件2000的線圈圖案200的連接數目可大於其餘雜訊濾波器部件2000的線圈圖案200的連接數目。舉例來說,第一雜訊濾波器部件2100可藉由連接三個線圈圖案210、線圈圖案240以及線圈圖案270來形成,且第二雜訊濾波器部件2200和第三雜訊濾波器部件2300可藉由連接兩個線圈圖案來形成。由於連接到第一雜訊濾波器部件2100的線圈圖案的連接數目大於第二雜訊濾波器部件2200和第三雜訊濾波器部件2300的線圈圖案的連接數目,所以可控制堆疊型元件的阻抗。也就是說,由於至少一個雜訊濾波器部件2100進一步包含阻抗調整線圈圖案,所以可相較於不含阻抗調整線圈圖案的結構而提高阻抗。然而,雜訊濾波器部件2000的線圈圖案200的連接數目可不同地改變。
3.外部電極
外部電極3000可設置在堆疊體1000的彼此面對的兩個側表面中的每一個上。也就是說,當薄片100的堆疊方向被稱為豎直方向(即,Z方向)時,外部電極3000可在堆疊體1000的豎直方向上形成於堆疊體1000的在相對水平方向(即,Y方向)上彼此面對的兩個側表面上。另外,可在兩個側表面上皆設置三個
外部電極3000。換句話說,針對三個雜訊濾波器部件2100、雜訊濾波器部件2200以及雜訊濾波器部件2300,兩個外部電極3000可分別形成於兩個側表面上。此時,形成於堆疊體1000的一個側表面上的外部電極3110、外部電極3120以及外部電極3130被稱為第一外部電極3100,且形成於另一側表面上的外部電極3210、外部電極3220以及外部電極3230被稱為第二外部電極3200。外部電極3000可連接到堆疊體1000內部的第一雜訊濾波器2100、第二雜訊濾波器2200以及第三雜訊濾波器2300,且可連接到堆疊體1000外部的一個端子和另一端子,例如訊號輸入端子和訊號輸出端子。
第一外部電極3100和第二外部電極3200可朝向堆疊體1000的上部部分表面和下部部分表面延伸。也就是說,第一外部電極3100和第二外部電極3200可朝向堆疊體1000的在Z方向上彼此面對的兩個表面(也就是上部部分表面和下部部分表面)延伸。因此,外部電極3000可從堆疊體1000的側表面延伸到上部部分表面和下部部分表面,且可以例如“”形狀形成。當然,外部電極3000可形成於堆疊體1000的側表面上和安裝本發明的堆疊型元件的側上,例如下部部分表面上,且可以例如“L”形狀形成。也就是說,外部電極3000可能未延伸到堆疊體1000的上部部分表面但可延伸到堆疊體1000的側表面和下部部分表面。
另一方面,外部電極3000可由至少一個層形成。外部電
極3000可由例如Ag的金屬層形成,且至少一個鍍層可形成於金屬層上。舉例來說,外部電極3000可藉由堆疊銅層、Ni鍍層以及Sn鍍層或Sn/Ag鍍層來形成。也就是說,外部電極3000可由多個層形成,且形成於堆疊體1000的表面上且連接到牽拉電極400的至少一個層可由與牽拉電極400相同的材料和相同的製程形成。舉例來說,如同線圈圖案200和牽拉電極400一樣,外部電極3000的與堆疊體1000的表面接觸的第一層可藉由鍍銅來形成。以此方式,外部電極3000的第一層由與線圈圖案200和牽拉電極400相同的材料和相同的方法形成,例如鍍銅,以使可提高外部電極3000與牽拉電極400之間的耦合力。另外,外部電極3000可藉由混合含有例如0.5%到20%的Bi2O3或SiO2作為主要組分的多組分玻璃粉與金屬粉末來形成。此時,玻璃粉與金屬粉末的混合物可以膏狀物形式製備且塗覆於堆疊體1000的彼此面對的兩個表面。由於外部電極3000中的玻璃粉以此方式包含,所以可提高外部電極3000與堆疊體1000的粘合力,且可提高牽拉電極400與外部電極3000之間的接觸回應。另外,在塗覆含有玻璃的導電膏之後,至少一個鍍層可形成於其上部部分上以形成外部電極3000。也就是說,形成含有玻璃的金屬層和其上部部分上的至少一個鍍層以使可形成外部電極3000。舉例來說,關於外部電極3000,在形成含有玻璃粉以及Ag和Cu中的至少一個的層之後,可藉由電解鍍敷或無電鍍敷依序形成Ni鍍層和Sn鍍層。此時,Sn鍍層可形成為具有等於或厚於Ni鍍層的厚度。另一方面,外部
電極3000可形成為具有2微米到100微米的厚度。Ni鍍層可形成為具有1微米到10微米的厚度。Sn鍍層或Sn/Ag鍍層可形成為具有2微米到10微米的厚度。
4.表面改性構件
表面改性構件4000可形成於堆疊體1000的表面的至少一部分上。也就是說,表面改性構件4000可形成於堆疊體1000的整個表面上或僅形成於接觸堆疊體1000的外部電極3000的區域上。換句話說,關於表面改性構件4000,形成於堆疊體1000的表面的一部分上的表面改性構件4000可形成於堆疊體1000與外部電極3000之間。此時,表面改性構件4000可與外部電極3000的延伸區域接觸形成。也就是說,表面改性構件4000可設置於延伸到堆疊體1000的上部部分表面和下部部分表面的外部電極3000的一個區域與堆疊體1000之間。表面改性構件4000可形成於其上至少一部分形成有玻璃態層的堆疊體1000的表面上,或其上至少一部分不形成有玻璃態層的堆疊體1000的表面上。此外,表面改性構件4000可以與形成於其上部部分上的外部電極3000相同或不同的大小設置。舉例來說,可形成延伸到堆疊體1000的上部部分表面和下部部分表面的外部電極3000的一部分的面積的50%到150%的面積。也就是說,表面改性構件4000可形成為具有比外部電極3000的延伸區域的大小更小或更大的大小,或可形成為具有相同大小。當然,表面改性構件4000也可形成於在堆疊體1000的側表面上形成的外部電極3000之間。此表面改性構件4000
可包含玻璃材料。舉例來說,表面改性構件4000可包含可在預定溫度(例如,950℃或低於950℃)下燒製的非硼矽酸鹽玻璃(SiO2-CaO-ZnO-MgO玻璃)。另外,表面改性構件4000可進一步包含磁性物質材料。也就是說,如果在其中形成表面改性構件4000的區域由磁性薄片構成,為了促進表面改性構件4000與磁性薄片的接合,那麼磁性材料可包含於表面改性構件4000中。此時,磁性物質材料包含例如NiZnCu類磁性粉末,且相對於100重量%的玻璃材料,可以例如1重量%到15重量%的量含有磁性物質材料。另一方面,表面改性構件4000的至少一部分可形成於堆疊體1000的表面上。此時,玻璃材料的至少一部分可均勻地分佈在堆疊體1000的表面上,如圖4(a)中所繪示。或如圖4(b)中所繪示,玻璃材料可至少部分地以不同大小不規則地分佈。當然,表面改性構件4000可在堆疊體1000的表面上連續形成以具有膜形。另外,如圖4(c)中所繪示,堆疊體1000的表面的至少一部分可設置有凹入部分。也就是說,可形成玻璃材料以形成凸出部分且可形成未形成玻璃材料的區域的至少一部分以形成凹入部分。此時,可從堆疊體1000的表面以預定深度形成玻璃材料,以使玻璃材料的至少一部分可形成為高於堆疊體1000的表面。也就是說,表面改性構件4000的至少一部分可與堆疊體1000的表面齊平,且所述表面改性構件的至少一部分可保持高於堆疊體1000的表面。由於表面改性構件4000藉由在形成外部電極3000之前在堆疊體1000的某一區域中分佈玻璃材料來形成,所以有可能使堆疊體1000的表
面改性,因而使表面的阻力均勻。因此,有可能控制外部電極的形狀,因而促進外部電極的形成。另一方面,為了在堆疊體1000的表面的預定區域中形成表面改性構件4000,可將含有玻璃材料的膏狀物印刷或塗覆於預定薄片的預定區域。舉例來說,可將玻璃膏塗覆於第八薄片108的下部表面和第九薄片109的上部表面的六個區域,且接著固化以形成表面改性構件4000。另外,可在將陶瓷生片切割成堆疊型元件的大小之前將玻璃膏塗覆於所述陶瓷生片的預定區域。也就是說,在將玻璃膏塗覆於陶瓷生片的多個區域之後,根據堆疊型元件單元的切割線切割生片(包含在其中形成玻璃膏的部分),且將此與在其中形成雜訊濾波器部件的薄片進行堆疊以製造堆疊型元件。此時,由於表面改性構件4000在堆疊體1000的邊緣處形成,所以可將在其中塗覆玻璃膏的區域周圍切割成堆疊型元件單元。
另一方面,表面改性構件4000可使用氧化物形成。也就是說,表面改性構件4000可使用玻璃態材料和氧化物中的至少一個形成,且可進一步包含磁性物質材料。此時,關於表面改性構件4000,處於結晶狀態或非晶狀態的氧化物可分散和分佈在堆疊體1000的表面上,且可使分佈在表面上的氧化物的至少一部分熔化。此時,在氧化物的情況下,其可如圖4(a)到圖4(c)中所繪示般形成。另外,即使在表面改性構件4000由氧化物形成時,氧化物也可以島狀物形狀彼此隔開分佈,且可在至少一個區域中以膜形式形成。此處,處於粒子狀態或熔融狀態的氧化物可例如使用
Bi2O3、BO2、B2O3、ZnO、Co3O4、SiO2、Al2O3、MnO、H2BO3、H2BO3、Ca(CO3)2、Ca(NO3)2以及CaCO3中的至少一個。
如上文所描述,根據本發明的實施例,多個線圈圖案200在其中堆疊多個薄片100的堆疊體1000中形成,且至少兩個線圈圖案200彼此連接以形成一個雜訊濾波器部件2000,且在堆疊體1000中實施至少三個此類雜訊濾波器部件2000。另外,多個雜訊濾波器部件2000連接到形成於堆疊體1000外部且設置於訊號線之間的多個外部電極3000。因此,有可能消除同時出現在三條訊號線中的共模雜訊和出現在兩條訊號線之間的共模雜訊,且因此,其可適用於C-PHY。
此外,多個雜訊濾波器部件2000當中的至少一個線圈圖案200的連接數目可大於其餘雜訊濾波器部件2000的線圈圖案200的連接數目。舉例來說,第一雜訊濾波器部件2100可藉由連接三個線圈圖案210、線圈圖案240以及線圈圖案270來形成,且第二雜訊濾波器部件2200和第三雜訊濾波器部件2300可藉由連接兩個線圈圖案來形成。由於連接到第一雜訊濾波器部件2100的線圈圖案的連接數目大於第二雜訊濾波器部件2200和第三雜訊濾波器部件2300的線圈圖案的連接數目,所以可控制堆疊型元件的阻抗。也就是說,由於至少一個雜訊濾波器部件2100進一步包含阻抗調整線圈圖案,所以可相較於不含阻抗調整線圈圖案的結構而提高阻抗。
另一方面,根據本發明,彼此間隔開的線圈圖案的連接方
法可不同地修改。將參考圖5到圖10來如下描述此連接方法的修改。此處,圖5和圖6是本發明的第一實施例的修改的剖面圖。圖7和圖8是本發明的第二實施例的剖面圖。圖9和圖10是本發明的第三實施例的剖面圖。此外,圖11和圖12是根據本發明的第四實施例和第五實施例的剖面圖。
如圖5中所繪示,第三線圈圖案230和第四線圈圖案240可藉由豎直連接佈線300a連接以形成第一雜訊濾波器部件2100。第二線圈圖案220、第五線圈圖案250以及第七線圈圖案270可藉由豎直連接佈線300b連接以形成第二雜訊濾波器部件2200。第一線圈圖案210和第六線圈圖案260可藉由豎直連接佈線300c連接以形成第三雜訊濾波器部件2300。此外,如圖6中所繪示,第三線圈圖案230和第四線圈圖案240可藉由豎直連接佈線300a連接以形成第一雜訊濾波器部件2100。第二線圈圖案220和第五線圈圖案250可藉由豎直連接佈線300b連接以形成第二雜訊濾波器部件2200。第一線圈圖案210、第六線圈圖案260以及第七線圈圖案270可藉由豎直連接佈線300c連接以形成第三雜訊濾波器部件2300。
在第二實施例中,兩個雜訊濾波器部件2000可連接到三個線圈圖案200,且一個雜訊濾波器部件2000可連接到兩個線圈圖案200。也就是說,兩個雜訊濾波器部件2000包含阻抗調整線圈圖案,以使可連接多個線圈圖案200。舉例來說,如圖7中所繪示,堆疊第一線圈圖案200到第八線圈圖案200(第一線圈圖案
210到第八線圈圖案280),且第二線圈圖案220、第五線圈圖案250以及第八線圈圖案280可藉由豎直連接佈線300a連接以形成第一雜訊濾波器部件2100。第三線圈圖案230和第六線圈圖案260可藉由豎直連接佈線300b連接以形成第二雜訊濾波器部件2200。第一線圈圖案210、第四線圈圖案240以及第七線圈圖案270可藉由豎直連接佈線300c連接以形成第三雜訊濾波器部件2300。此處,形成於最外層上的線圈圖案(也就是第一線圈圖案210和第八線圈圖案280)分別作為阻抗調整線圈圖案構成第一雜訊濾波器部件2100和第三雜訊濾波器部件2300。此外,如圖8中所繪示,堆疊第一線圈圖案200到第八線圈圖案200(第一線圈圖案210到第八線圈圖案280)。第一線圈圖案210、第四線圈圖案240以及第六線圈圖案260可藉由豎直連接佈線300a連接以形成第一雜訊濾波器部件2100。第二線圈圖案220和第七線圈圖案270可藉由豎直連接佈線300b連接以形成第二雜訊濾波器部件2200。第三線圈圖案230、第五線圈圖案250以及第八線圈圖案280可藉由豎直連接佈線300c連接以形成第三雜訊濾波器部件2300。此處,形成於最外層上的線圈圖案(也就是第一線圈圖案210和第八線圈圖案280)分別作為阻抗調整線圈圖案構成第一雜訊濾波器部件2100和第三雜訊濾波器部件2300。
在第三實施例中,一個雜訊濾波器部件2000可連接到四個線圈圖案200,且兩個雜訊濾波器部件2000可連接到兩個線圈圖案200。也就是說,一個雜訊濾波器部件2000包含兩個阻抗調
整線圈圖案,以使可連接多個線圈圖案200。舉例來說,如圖9中所繪示,堆疊第一線圈圖案200到第八線圈圖案200(第一線圈圖案210到第八線圈圖案280)。第二線圈圖案220和第六線圈圖案260可藉由豎直連接佈線300a連接以形成第一雜訊濾波器部件2100。第三線圈圖案230和第七線圈圖案270可藉由豎直連接佈線300b連接以形成第二雜訊濾波器部件2200。第一線圈圖案210、第四線圈圖案240、第五線圈圖案250以及第八線圈圖案280可藉由豎直連接佈線300c連接以形成第三雜訊濾波器部件2300。此處,形成於最外層上的線圈圖案(也就是第一線圈圖案210和第八線圈圖案280)作為阻抗調整線圈圖案構成第三雜訊濾波器部件2300。此外,如圖10中所繪示,堆疊第一線圈圖案200到第八線圈圖案200(第一線圈圖案210到第八線圈圖案280)。第一線圈圖案210、第四線圈圖案240、第五線圈圖案250以及第八線圈圖案280可藉由豎直連接佈線300a連接以形成第一雜訊濾波器部件2100。第二線圈圖案220和第六線圈圖案260可藉由豎直連接佈線300b連接以形成第二雜訊濾波器部件2200。第三線圈圖案230和第七線圈圖案270可藉由豎直連接佈線300c連接以形成第三雜訊濾波器部件2300。此處,形成於最外層上的線圈圖案(也就是第一線圈圖案210和第八線圈圖案280)作為阻抗調整線圈圖案構成第一雜訊濾波器部件2100。
同時,當形成第一雜訊濾波器部件2100、第二雜訊濾波器部件2200以及第三雜訊濾波器部件2300的下部側的線圈圖案之
間的間隔與上部側的線圈圖案之間的間隔相同時,可藉由調整下部側線圈圖案與上部側線圈圖案之間的間隔來調整阻抗。同時,當形成第一雜訊濾波器部件2100、第二雜訊濾波器部件2200以及第三雜訊濾波器部件2300的下部側的線圈圖案之間的間隔與上部側的線圈圖案之間的間隔相同時,可根據下部側線圈圖案與上部側線圈圖案之間的間隔來調整阻抗。此時,下部側線圈圖案210、線圈圖案220以及線圈圖案230與上部側線圈圖案240、線圈圖案250、線圈圖案260以及線圈圖案270之間的間隔可以是例如10微米到300微米,且可大於或小於其餘線圈圖案之間的間隔。舉例來說,如圖11中所繪示,下部側線圈圖案與上部側線圈圖案之間的間隔可大於其餘線圈圖案之間的間隔。此時,可藉由所插入薄片的數目和厚度中的至少一個來調整下部側線圈圖案與上部側線圈圖案之間的間隔。也就是說,當使用相同厚度的薄片時,一個薄片設置於線圈圖案之間,且多於兩個薄片105和薄片106可設置於第三線圈圖案230與第四線圈圖案240之間。藉由在下部部分線圈圖案與上部部分線圈圖案之間如此設置兩個或多於兩個薄片,可使通孔填充導體的接觸穩定化。另外,為了增加第三線圈圖案230與第四線圈圖案240之間的厚度,可在其間設置比其餘薄片更厚的薄片。隨著下部側線圈圖案與上部側線圈圖案之間的間隔變得更長,也就是說,隨著第三線圈圖案230與第四線圈圖案240之間的間隔變得更長,線圈圖案組(也就是下部側線圈圖案與上部側線圈圖案)之間的干擾變弱,且可實現更穩定的阻
抗。然而,如果第三線圈圖案230與第四線圈圖案240之間的間隔過遠,那麼填充有導電材料的孔洞(也就是豎直連接佈線的長度)可能變得較長,導致阻抗可能不穩定。因此,為了致能穩定的阻抗實施,線圈圖案組之間的間隔可以是10微米到300微米。
如上文所描述,在本發明的實施例中,至少一個雜訊濾波器部件與其它雜訊濾波器部件具有不同數目的線圈圖案。也就是說,相較於其它雜訊濾波器部件,至少一個雜訊濾波器部件包含至少一個阻抗調整線圈圖案。由於至少一個阻抗調整線圈圖案藉由豎直連接佈線連接到至少一個線圈圖案,所以相較於其餘雜訊濾波器部件,至少一個雜訊濾波器部件可藉由進一步包含至少一個線圈圖案來實施。但是,在本發明的實施例中,如圖12中所繪示,至少一個線圈圖案可以不藉由豎直連接佈線連接到另一線圈圖案,且可以不連接到外部電極。也就是說,可在本發明的堆疊體中設置處於浮接狀態的至少一個線圈圖案280。藉由以此方式設置浮接線圈圖案,有可能在燒製製程期間均勻地傳播熱。也就是說,由於浮接線圈圖案在未形成連接到外部電極的線圈圖案的位置處形成,例如浮接線圈圖案形成於最上部線圈圖案或最下部線圈圖案的外側上,所以當將熱施加於堆疊體以進行燒製製程時,熱可在堆疊體之上均勻地傳播。因此,可防止元件的翹曲,且可提高各種物理性質,例如實施均勻物理性質。
圖13是繪示根據現有技術的堆疊型元件的阻抗特性的曲線圖。圖14是繪示根據本發明的第一實施例的堆疊型元件的阻抗
特性的曲線圖。圖13繪示不含阻抗調整線圈圖案的常規堆疊型元件的阻抗特性。參考圖2和圖3,圖13是當所述常規堆疊型元件由第一線圈圖案210到第六線圈圖案260組成而不含第七線圈圖案270以使第一線圈圖案210和第四線圈圖案240連接以形成第一雜訊濾波器部件2100、第二線圈圖案220和第五線圈圖案250連接以形成第二雜訊濾波器部件2200且第三線圈圖案230和第六線圈圖案260連接以形成第三雜訊濾波器部件2300時的阻抗特性曲線圖。另一方面,圖14是參考圖2和圖3所描述的根據本發明的第一實施例的設置有一個阻抗調整線圈圖案的堆疊型元件的阻抗特性的曲線圖。如圖13中所繪示,關於不含阻抗調整線圈圖案的常規堆疊型元件,差分阻抗的變化較大。然而,如圖14中所繪示,關於根據本發明的實施例的具有阻抗調整線圈圖案的堆疊型元件,差分阻抗的變化小於常規實例中的差分阻抗的變化。也就是說,根據現有技術的堆疊型元件基於100歐姆的所需阻抗取決於訊號的移動時間而改變高達200歐姆。然而,根據本發明的實施例的堆疊型元件基於100歐姆取決於訊號的移動時間而改變達140歐姆。因此,根據本發明的堆疊型元件可均勻地調整對根據常規技術的堆疊型元件的所需阻抗。
圖15到圖18是根據本發明的第二實施例和第三實施例的阻抗特性的曲線圖。此處,圖15和圖16分別是參考圖7和圖8所描述的根據本發明的第二實施例的堆疊型元件的阻抗特性的曲線圖,且圖17和圖18分別是參考圖9和圖10所描述的根據本發
明的第三實施例的堆疊型元件的阻抗特性的曲線圖。也就是說,圖15和圖16是其中兩個雜訊濾波器部件具有阻抗調整線圈圖案的堆疊型元件的阻抗特性的曲線圖,且圖17和圖18是其中一個雜訊濾波器部件具有兩個阻抗調整線圈圖案的堆疊型元件的阻抗特性的曲線圖。
如圖15和圖16中所繪示,當有兩個雜訊濾波器部件具有一個阻抗調整線圈圖案時,相較於圖14中所繪示的一個雜訊濾波器部件具有一個阻抗調整線圈圖案的情況,阻抗的變化可進一步減小。也就是說,當有兩個雜訊濾波器部件具有一個阻抗調整線圈圖案時,阻抗差不多保持在100歐姆處,但如圖14中所繪示,當一個雜訊濾波器部件包含一個阻抗調整線圈圖案時,阻抗從100歐姆改變至140歐姆。另外,如圖15和圖16中所繪示,當調整阻抗調整線圈圖案的連接時,可精細地調整阻抗。
接著,如圖17和圖18中所繪示,如果一個雜訊濾波器部件具有兩個阻抗調整線圈圖案,那麼相較於圖14,有可能進一步減小阻抗的變化,且相較於圖15和圖16,有可能減小阻抗的變化。另外,如圖17和圖18中所繪示,當調整阻抗調整線圈圖案的連接時,可精細地調整阻抗。
如上文所描述,本發明的實施例可根據阻抗調整線圈圖案的數目、連接到阻抗調整線圈圖案的雜訊濾波器部件的數目、阻抗調整線圈圖案的連接關係以及類似者來實現各種阻抗特性。因此,可藉由改變阻抗調整線圈圖案來實現各種阻抗,且因此,可
以更小的設計變化實現可以各種阻抗安裝在各種電子裝置上的堆疊型元件。
同時,根據本發明的實施例的堆疊型元件可根據阻抗調整線圈圖案的轉數來調整阻抗。根據阻抗調整線圈圖案的轉數的阻抗特性繪示於圖19到圖21中。圖19是當阻抗調整線圈圖案和其餘線圈圖案由相同轉數形成時阻抗特性的曲線圖,且圖20和圖21是當阻抗調整線圈圖案的轉數小於其餘線圈圖案的轉數時阻抗特性的曲線圖。此處,阻抗調整線圈圖案的轉數為5、3以及2,且其餘線圈圖案的轉數為5。相較於如圖19中所繪示的阻抗調整線圈圖案的轉數等於其餘線圈圖案的轉數情況,隨著如圖20和圖21中所繪示的阻抗線圈圖案的轉數減少,阻抗可增大。換句話說,如果阻抗控制線圈圖案的轉數是3,那麼阻抗相較於轉數為5的情況而輕微改變,但當轉數是2時,阻抗極大地改變。堆疊型元件的阻抗改變的原因是由於平行安置的其餘線圈圖案與阻抗調整線圈圖案之間的失配。因此,隨著阻抗調整線圈圖案的轉數減少,阻抗增大。也就是說,隨著阻抗調整線圈圖案與其餘線圈圖案的阻抗失配區段變得更長,也就是說,隨著阻抗調整線圈圖案的轉數減少,阻抗快速改變。
另外,根據阻抗調整線圈圖案與鄰近線圈圖案之間的間隔,可調整堆疊型元件的阻抗。圖22到圖24繪示根據阻抗調整線圈圖案與鄰近線圈圖案之間的間隔的阻抗特性的曲線圖。圖22是當阻抗調整線圈圖案與其餘線圈圖案之間的間隔相同時的阻抗
特性的曲線圖。圖23是當阻抗調整線圈圖案與鄰近於其的線圈圖案之間的間隔窄於其餘線圈圖案之間的間隔的1/2時的阻抗特性曲線圖。圖24是當阻抗調整線圈圖案與鄰近線圈圖案之間的間隔比其餘線圈圖案之間的間隔寬兩倍時阻抗特性的曲線圖。相較於如圖22中所繪示般阻抗調整線圈圖案與其餘線圈圖案之間的間隔相同,當如圖23中所繪示的阻抗線圈圖案與鄰近線圈圖案之間的間隔較窄時,線圈圖案之間的耦合增大且阻抗減小。也就是說,阻抗的變化較小。然而,如圖24中所繪示,當阻抗調整線圈圖案與鄰近線圈圖案之間的間隔較寬時,線圈圖案之間的耦合減小,導致阻抗增大。也就是說,阻抗的變化較大。
如上文所描述,本發明的堆疊型元件可根據阻抗調整線圈圖案的轉數和阻抗調整線圈圖案與鄰近線圈圖案之間的間隔來不同地控制阻抗。因此,可藉由改變阻抗調整線圈圖案來實現各種阻抗,且因此,可以更小的設計變化實現可以各種阻抗安裝在各種電子裝置上的堆疊型元件。
圖25是根據本發明的第六實施例的堆疊型元件的分解透視圖,且圖26是電路圖。另外,圖27是根據本發明的第六實施例的修改的電路圖。在本發明的第六實施例中,包含至少一個內部電極的電容器形成於多個雜訊濾波器部件2000的至少一個區域之間。也就是說,在本發明的第六實施例中,至少一個電容器可設置在堆疊型元件中。如圖25和圖26中所繪示,可在一個雜訊濾波器部件2000中形成電容器。如圖27中所繪示,可在多個雜
訊濾波器部件2000中形成多個電容器。
參考圖25到圖27,根據本發明的第六實施例的堆疊型元件包含:堆疊體1000,其中堆疊多個薄片100;至少三個雜訊濾波器部件2000(雜訊濾波器部件2100、雜訊濾波器部件2200以及雜訊濾波器部件2300),設置在堆疊體1000中且各自包含多個線圈圖案200;外部電極3000(外部電極3100和外部電極3200),形成於堆疊體1000的彼此面對的兩個側表面上且連接到雜訊濾波器部件2000;以及至少一個內部電極500(內部電極510和內部電極520),設置在堆疊體1000中的預定區域中。此處,多個雜訊濾波器部件2000中的至少一個包含至少一個阻抗調整線圈圖案270。
也就是說,關於根據本發明的第六實施例的堆疊型元件,至少兩個內部電極510和內部電極520設置在堆疊體1000中以便部分地重疊,以使在其間形成至少一個電容器。舉例來說,兩個薄片111和薄片112設置於第七薄片107與第八薄片108之間,且預定形狀的內部電極510和內部電極520形成為在薄片111和薄片112中的每一個上至少部分地重疊,以使形成電容器。也就是說,電容器藉由第一內部電極510和第二內部電極520以及形成於其間的第十二薄片112來形成。此處,至少兩個內部電極510和內部電極520可連接到形成於堆疊體1000的彼此面對的兩個側表面上的第一外部電極3100和第二外部電極3200中的至少一個。舉例來說,第一內部電極510可連接到1-3外部電極3130且
第二內部電極520可連接到2-2外部電極3220。此時,外部電極3000中的至少一個可連接到接地端子,且例如1-3外部電極3130可連接到接地端子。另一方面,為了使第一內部電極510和第二內部電極520中的至少一個連接到接地端子,第三外部電極(未繪示)可形成於堆疊體1000外部。也就是說,第一內部電極510和第二內部電極520中的至少一個可在不連接到第一外部電極3100和第二外部電極3200的情況下連接到第三外部電極。此時,第三外部電極可形成於堆疊體1000的未在其中形成第一外部電極3100和第二外部電極3200的彼此面對的兩個表面上,且可連接到接地端子。因此,在這種情況下,第一內部電極510和第二內部電極520中的任一個可通過第三外部電極連接到接地端子。另一方面,電容器可形成於線圈圖案200之間。舉例來說,儘管未在附圖中繪示,但電容器可形成於第三線圈圖案230與第四線圈圖案240之間。為此,至少一個薄片進一步設置於分別在其中形成第三線圈圖案230和第四線圈圖案240的第三薄片130與第四薄片140之間,且至少一個內部電極可形成於至少一個薄片上以實現電容器。舉例來說,可於第三薄片130與第四薄片140之間設置其中形成內部電極500的薄片111和薄片112以形成電容器。另外,在其中形成一個內部電極的一個薄片可設置於線圈圖案200之間。此時,如果一個薄片進一步設置且一個內部電極形成,那麼電容器可形成於內部電極與其上部部分的線圈圖案以及內部電極與其下部部分的線圈圖案之間。也就是說,電容器可形成於在
其間具有內部電極和薄片的鄰近線圈圖案之間。當然,可在線圈圖案200之間的至少兩個區域中形成至少兩個內部電極500,以使可在堆疊體1000中形成至少兩個電容器。此時,用於形成電容器的內部電極500可以各種形狀形成。為了使線圈圖案200彼此連接,還應在在其中形成內部電極500的薄片中形成填充有導電材料的孔洞,且內部電極500可與填充有導電材料的孔洞間隔預定間隔而形成。因此,在堆疊體1000中形成至少一個電容器,且例如,如圖27中所繪示,可在每一雜訊濾波器中形成電容器。
如上文所描述,根據本發明的第六實施例,藉由調整線圈圖案200的轉數、電容器的內部電極500的區域以及線圈圖案200之間的間隔(也就是薄片102到薄片107的厚度),可調整電感和電容,以使可調整可被抑制的頻率的雜訊。舉例來說,當薄片102到薄片107的厚度減小時,可抑制低頻帶中的雜訊,且當厚度增大時,可抑制高頻帶中的雜訊。包含三個雜訊濾波器部件2000和一個或多個電容器的堆疊型元件(也就是共模雜訊濾波器)可抑制至少兩個頻帶的雜訊。因此,根據本發明的第六實施例的堆疊型元件可抑制兩個或大於兩個頻帶中的雜訊,且因此,其可用於例如採用各種頻率運行的智慧型手機的可攜式電子裝置中,因而提高電子裝置的品質。
同時,根據本發明的堆疊型元件可設置有在其中組合多個雜訊濾波器部件2000與用於防止電子裝置因ESD和類似物而過電壓的過電壓保護單元的結構。也就是說,可組合至少三個或大於
三個雜訊濾波器2000與過電壓保護單元以實現堆疊型元件。現將參考圖28和圖29描述根據本發明的第七實施例的堆疊型元件。圖28是根據本發明的第七實施例的堆疊型元件的透視圖,且圖29是分解透視圖。
參考圖28和圖29,根據本發明的第七實施例的堆疊型元件可包含:至少三個雜訊濾波器部件2000(雜訊濾波器部件2100、雜訊濾波器部件2200以及雜訊濾波器部件2300),各自包含多個線圈圖案200;第一外部電極3100和第二外部電極3200,形成於堆疊體1000的彼此面對的兩個側表面上且連接到至少三個雜訊濾波器部件2000;過電壓保護單元5000,設置在堆疊體1000中;以及第三外部電極3300,形成於堆疊體1000的彼此面對的兩個側表面上,與第一外部電極3100和第二外部電極3200間隔開,且連接到過電壓保護單元5000。此處,第三外部電極3300可形成於堆疊體1000的未在其中形成第一外部電極3100和第二外部電極3200的側表面上。舉例來說,第一外部電極3100和第二外部電極3200形成於在堆疊體1000的Y方向上彼此面對的兩個側表面上,且第三外部電極3300可形成於在堆疊體1000的X方向上面對的兩個側表面上。也就是說,關於根據本發明的另一實施例的堆疊型元件,包含多個線圈圖案200的至少三個雜訊濾波器部件2000連接到第一外部電極3100和第二外部電極3200,且過電壓保護單元5000設置於堆疊體1000內部,與雜訊濾波器部件(雜訊濾波器部件2000)間隔開以使所述過電壓保護單元連接到第三外部電
極3300。另一方面,儘管未在附圖中繪示,但在本發明的第六實施例中描述的包含至少一個內部電極的電容器也可應用於本發明的第七實施例。
過電壓保護單元5000藉由堆疊在其中選擇性地形成牽拉電極481到牽拉電極486以及牽拉電極490以及孔洞371到孔洞376的至少兩個薄片112和薄片113來配置。此處,薄片112和薄片113可設置於第一薄片101與第九薄片109之間,也就是第一薄片101與下部部分覆蓋層之間。當然,薄片112和薄片113可設置於第七薄片107與第八薄片108之間。薄片112和薄片113可以具有與構成雜訊濾波器部件2000的薄片100的厚度和形狀相同的厚度和形狀的矩形板材的形狀設置。另外,薄片112和薄片113可由非磁性薄片或磁性薄片製成。舉例來說,構成雜訊濾波器部件2000的薄片101到薄片108可由非磁性薄片製成,且用作下部部分覆蓋層和上部部分覆蓋層的第九薄片109和第十薄片110以及在其中配置過電壓保護單元5000的薄片112和薄片113可由磁性薄片製成。
多個牽拉電極480(牽拉電極481到牽拉電極486)形成於薄片113的上部表面上。多個牽拉電極480可在與連接到第一外部電極3100和第二外部電極3200的多個雜訊濾波器部件2000的牽拉電極410到牽拉電極470相同的位置處形成。因此,牽拉電極481可連接到1-1外部電極3110,牽拉電極482可連接到1-2外部電極3120,且牽拉電極483可連接到1-3外部電極3130。另
外,牽拉電極484可連接到2-1外部電極3210,牽拉電極485可連接到2-2外部電極3220,且牽拉電極486可連接到2-3外部電極3230。此外,多個孔洞371到孔洞376形成於薄片113上。多個孔洞371到孔洞376可分別形成於牽拉電極481到牽拉電極486的一端處。另外,多個孔洞371到孔洞376各自填充有過電壓保護材料。過電壓保護材料可由一材料形成,在所述材料中,選自Ru、Pt、Pd、Ag、Au、Ni、Cr、W以及Fe的至少一種導電材料與例如聚乙烯醇(polyvinyl alcohol;PVA)或聚乙烯醇縮丁醛(polyvinyl butyral;PVB)的有機材料混合。可藉由進一步混合例如ZnO的變阻器材料或例如Al2O3的絕緣陶瓷材料與所述混合材料來形成過電壓保護材料。當然,可使用除上文提及的材料以外的各種材料作為過電壓保護材料。舉例來說,過電壓保護材料可使用多孔絕緣材料和空隙中的至少一個。也就是說,可在孔洞中填充或塗布多孔絕緣材料,可在孔洞中形成空隙,且可在孔洞中填充或塗布多孔絕緣材料與導電材料的混合材料。另外,還可形成多孔絕緣材料、導電材料以及空隙,在孔洞中構成層。舉例來說,多孔絕緣層可形成於導電層之間,且空隙可形成於絕緣層之間。此時,空隙可藉由使絕緣層的多個孔隙彼此連接來形成。此處,可使用具有約50到50,000的電容率的鐵電陶瓷作為多孔絕緣材料。舉例來說,可使用例如MLCC、ZrO、ZnO、BaTiO3、Nd2O5、BaCO3、TiO2、Nd、Bi、Zn以及Al2O3的電介質材料粉末的混合物來形成絕緣陶瓷。此類多孔絕緣材料可形成有多孔結構,其中
各自具有約1奈米到5微米的大小的多個孔隙以30%到80%的孔隙度形成。此時,孔隙之間的最短距離可以是約1奈米到5微米。另外,用作過電壓保護材料的導電材料可使用導電陶瓷形成,且導電陶瓷可使用含有La、Ni、Co、Cu、Zn、Ru以及Bi中的至少一種的混合物。另一方面,多個孔洞361到孔洞366的內部可保持空位空間,且可使用空位空間作為過電壓保護構件。
薄片112設置在薄片113的下部側上,且牽拉電極490形成於薄片113的上部部分上。牽拉電極490可形成為從薄片112的一側暴露到與所述一側相對的另一側。也就是說,牽拉電極490形成以便暴露於與一側正交的側,形成於薄片113上的牽拉電極481到牽拉電極486藉由所述一側暴露。此牽拉電極490連接到形成於堆疊體1000的彼此面對的兩個側表面上的第三外部電極3300(第三外部電極3310和第三外部電極3320)。另外,牽拉電極490的預定區域連接到薄片113的孔洞371到孔洞376。為此,連接到孔洞371到孔洞376的一部分可形成為具有大於其它區域的寬度的寬度。
薄片(未繪示)可設置在薄片113上。未繪示的薄片設置以分隔雜訊濾波器部件2000和過電壓保護單元5000,且可形成為具有抑制所述雜訊濾波器部件與所述過電壓保護單元之間的干擾的厚度。未繪示的薄片可藉由堆疊具有與薄片112和薄片113相同厚度的多個薄片來形成。
根據本發明的第七實施例的其中組合多個雜訊濾波器部
件2000與過電壓保護單元5000的堆疊型元件連接到用於電子裝置和系統中的訊號輸入端子之間的第一外部電極3100和第二外部電極3200,且第三外部電極3300連接到接地端子。因此,可去除共模雜訊,且流入輸入/輸出端子的高電壓(例如靜電)可流動到接地端子。也就是說,當過電壓保護單元5000連接到輸入端子與輸出端子之間的接地端子且在堆疊型元件的兩端之間施加等於或高於非期望預定電壓的電壓時,過電壓保護材料的導電顆粒之間發生放電,以使將電流施加於接地端子,且堆疊型元件的兩端之間的電壓差減小。舉例來說,過電壓保護單元5000可以填充在孔洞371到孔洞376中的過電壓保護材料以預定比與導電材料和多孔絕緣材料混合的狀態存在。也就是說,當導電顆粒存在於絕緣材料之間且將低於預定電壓的電壓施加於牽拉電極481到牽拉電極486時,保持絕緣狀態,且當將高於預定電壓的電壓施加於牽拉電極481到牽拉電極486時,在導電顆粒之間產生放電以減小牽拉電極481到牽拉電極486之間的電壓差。此時,由於堆疊型元件的兩端未處於導通狀態,所以輸入訊號在不失真的情況下直接傳輸到輸入/輸出端子。也就是說,當靜電出現時,靜電穿過對應的堆疊型元件通過接地離開且因此堆疊型元件在那時保護電路,且由系統傳輸和接收的訊號保持原樣。
根據本發明,多個線圈圖案在其中堆疊多個薄片的堆疊體中形成,且至少兩個線圈圖案彼此連接以形成一個雜訊濾波器部件。至少三個此類雜訊濾波器部件可實施於堆疊體中。此外,關
於比堆疊體中的雜訊濾波器部件的數目更少的雜訊濾波器部件,例如三個或大於三個雜訊濾波器部件當中的兩個或小於兩個雜訊濾波器部件,線圈圖案的數目可大於其餘雜訊濾波器部件的線圈圖案的數目。舉例來說,三個雜訊濾波器部件設置在堆疊體中。兩個雜訊濾波器部件藉由在豎直方向上連接兩個線圈圖案來形成。一個雜訊濾波器部件可藉由在豎直方向上連接三個線圈圖案來形成。也就是說,多個雜訊濾波器部件中的至少一個雜訊濾波器部件可進一步包含阻抗調整線圈圖案。
相較於其它雜訊濾波器部件,至少一個雜訊濾波器部件包含阻抗調整線圈圖案以形成更多線圈圖案,因此可調整阻抗。此外,藉由調整阻抗調整線圈圖案的數目、轉數以及阻抗調整線圈圖案與其它鄰近線圈圖案之間的間隔,可精細地調整阻抗。多個雜訊濾波器部件藉由形成於堆疊體外部的多個外部電極設置在三條訊號線上。因此,有可能消除同時出現在三條訊號線中的共模雜訊和出現在兩條訊號線之間的共模雜訊,且因此,其可適用於C-PHY。
另外,在不改變多個線圈圖案的設計的情況下,可僅以阻抗調整線圈圖案的設計修改(例如,阻抗調整線圈圖案的數目、轉數、間隔以及類似物)來調整阻抗。因此,可以極少的設計變化來製造可與各種電子設備的各種阻抗相匹配的堆疊型元件。
本發明不限於上述實施例,而是可以各種形式實施。換句話說,提供上述實施例以使本發明的本公開完整,且提供上述實
施例以向本領域中具有通常知識者完整地公開本發明的範圍。本發明的範圍應根據所附申請專利範圍來理解。
100:薄片
101:第一薄片
102:第二薄片
103:第三薄片
104:第四薄片
105:第五薄片
106:第六薄片
107:第七薄片
108:第八薄片
109:第九薄片
110:第十薄片
200:線圈圖案
210:第一線圈圖案
220:第二線圈圖案
230:第三線圈圖案
240:第四線圈圖案
250:第五線圈圖案
260:第六線圈圖案
270:第七線圈圖案
310、321、322、331、332、333、341、342、343、351、352、360:孔洞
400:牽拉電極
410:第一牽拉電極
420:第二牽拉電極
430:第三牽拉電極
440:第四牽拉電極
450:第五牽拉電極
460:第六牽拉電極
470:第七牽拉電極
2000:雜訊濾波器部件
2100:第一雜訊濾波器部件
2200:第二雜訊濾波器部件
2300:第三雜訊濾波器部件
Claims (13)
- 一種堆疊型元件,包括:堆疊體,其中堆疊多個薄片;多個雜訊濾波器部件,設置在所述堆疊體中且各自具有至少一個線圈圖案;以及多個外部電極,設置在所述堆疊體外部且分別連接到所述多個雜訊濾波器部件,其中所述多個雜訊濾波器部件中的至少一個雜訊濾波器部件包括在豎直方向上連接的至少兩個線圈圖案,且具有不同於其餘雜訊濾波器部件的線圈圖案的數目。
- 如申請專利範圍第1項所述的堆疊型元件,其中比所述多個雜訊濾波器部件的總數目更少的數目個的雜訊濾波器部件具有至少一個阻抗調整線圈圖案。
- 如申請專利範圍第2項所述的堆疊型元件,其中所述阻抗調整線圈圖案在所述薄片的堆疊方向上形成於所述線圈圖案的最外側上。
- 如申請專利範圍第2項所述的堆疊型元件,其中根據阻抗調整線圈圖案的數目、轉數以及線寬中的至少一個來調整阻抗。
- 如申請專利範圍第4項所述的堆疊型元件,其中根據所述阻抗調整線圈圖案與鄰近線圈圖案之間的間隔和所述阻抗調整線圈圖案與線圈圖案之間的連接關係中的至少一個來調整阻抗。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的堆疊型元件,其中關於多個線圈圖案中的至少一個,線圈圖案的轉數、線寬以及線圈圖案之間的間隔中的至少一個是不同的。
- 如申請專利範圍第6項所述的堆疊型元件,其中根據所述線圈圖案的所述轉數、線寬以及所述線圈圖案之間的間隔中的至少一個來調整阻抗。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的堆疊型元件,進一步包括在至少一個線圈圖案的中心處形成的磁芯。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的堆疊型元件,進一步包括設置在所述堆疊體中的至少一個電容器和過電壓保護單元中的至少一個。
- 如申請專利範圍第9項所述的堆疊型元件,其中在其中形成所述雜訊濾波器部件的薄片是非磁性薄片,且在其中形成所述過電壓保護單元的薄片是磁性薄片。
- 如申請專利範圍第1項所述的堆疊型元件,進一步包括表面改性構件,所述表面改性構件形成於所述堆疊體的所述表面的至少一部分上且由不同於所述堆疊體的所述表面的材料製成。
- 如申請專利範圍第11項所述的堆疊型元件,其中所述外部電極在所述堆疊體的最下部薄片和最上部薄片中的至少一個上延伸,且所述表面改性構件設置於至少所述外部電極的延伸區域與所述堆疊體之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的堆疊型元件,進一步包括浮接線圈圖案,所述浮接線圈圖案設置在所述堆疊體中且未連接到另一線圈圖案且未連接到外部電極。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0067184 | 2018-06-12 | ||
KR1020180067184A KR102084066B1 (ko) | 2018-06-12 | 2018-06-12 | 적층형 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202001946A TW202001946A (zh) | 2020-01-01 |
TWI693614B true TWI693614B (zh) | 2020-05-11 |
Family
ID=68843431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108118012A TWI693614B (zh) | 2018-06-12 | 2019-05-24 | 堆疊型元件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12027303B2 (zh) |
KR (1) | KR102084066B1 (zh) |
CN (1) | CN110601671B (zh) |
TW (1) | TWI693614B (zh) |
WO (1) | WO2019240402A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020096074A (ja) * | 2018-12-12 | 2020-06-18 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品及び配線基板 |
KR102227327B1 (ko) * | 2020-02-10 | 2021-03-12 | 주식회사 모다이노칩 | 복합 소자 |
KR20230021980A (ko) | 2021-08-06 | 2023-02-14 | 주식회사 모다이노칩 | 복합 소자 |
KR20240001636A (ko) * | 2022-06-27 | 2024-01-03 | 주식회사 모다이노칩 | 전자 부품 |
KR20240062537A (ko) * | 2022-11-02 | 2024-05-09 | 주식회사 아모텍 | 적층형 공통 모드 필터 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08237060A (ja) | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Kyocera Corp | ノイズフィルタ |
JP4411818B2 (ja) | 2000-03-08 | 2010-02-10 | パナソニック株式会社 | ノイズフィルタおよびノイズフィルタを用いた電子機器 |
DE10228328A1 (de) | 2002-06-25 | 2004-01-22 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement mit einem Mehrlagensubstrat und Herstellungsverfahren |
JP4736526B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2011-07-27 | パナソニック株式会社 | コモンモードノイズフィルタ |
KR100845948B1 (ko) | 2007-04-11 | 2008-07-11 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 회로 보호 소자 및 그 제조 방법 |
KR100876206B1 (ko) | 2007-04-11 | 2008-12-31 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 회로 보호 소자 및 그 제조 방법 |
JP2011176165A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Panasonic Corp | コモンモードノイズフィルタ |
KR20130063363A (ko) | 2011-12-06 | 2013-06-14 | 삼성전기주식회사 | 커먼 모드 노이즈 필터 |
KR20130101849A (ko) | 2012-03-06 | 2013-09-16 | 삼성전기주식회사 | 박막형 공통 모드 필터 |
KR101554333B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2015-09-21 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 회로 보호 소자 |
JP6269574B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2018-01-31 | 株式会社村田製作所 | 複合電子部品 |
JP6565555B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-08-28 | Tdk株式会社 | 積層コモンモードフィルタ |
JP6630915B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2020-01-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層コイル部品 |
KR101735599B1 (ko) | 2015-11-11 | 2017-05-16 | 주식회사 모다이노칩 | 회로 보호 소자 |
KR20170104366A (ko) | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 주식회사 모다이노칩 | 회로 보호 소자 |
CN105846032B (zh) | 2016-03-24 | 2018-04-27 | 中国计量学院 | 一种低损耗交叉叠层式ltcc威尔金森功分器 |
JP2018067559A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | コモンモードノイズフィルタ |
-
2018
- 2018-06-12 KR KR1020180067184A patent/KR102084066B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-05-24 TW TW108118012A patent/TWI693614B/zh active
- 2019-05-24 WO PCT/KR2019/006286 patent/WO2019240402A1/ko active Application Filing
- 2019-05-24 US US16/973,031 patent/US12027303B2/en active Active
- 2019-06-11 CN CN201910500060.2A patent/CN110601671B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110601671B (zh) | 2023-11-07 |
KR20190140576A (ko) | 2019-12-20 |
CN110601671A (zh) | 2019-12-20 |
US20210272750A1 (en) | 2021-09-02 |
US12027303B2 (en) | 2024-07-02 |
WO2019240402A1 (ko) | 2019-12-19 |
TW202001946A (zh) | 2020-01-01 |
KR102084066B1 (ko) | 2020-03-04 |
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