TWI689475B - 從玻璃移除金屬沉積物的方法 - Google Patents
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Abstract
一種從玻璃物件移除金屬沉積物的方法，玻璃物件可例如為玻璃基板，例如玻璃片，該方法包括將玻璃物件暴露至弱酸溶液一段時間以有效地移除金屬沉積物。
Description
本發明係關於一種處理玻璃物件之方法，這些玻璃物件可例如為玻璃基板，例如適合用於顯示應用中之玻璃片，且更詳細而言本發明係關於一種用於處理玻璃物件以從玻璃物件移除金屬沉積物之方法。
適合用於顯示應用中之玻璃基板，可例如為在玻璃顯示面板中之基板或用於顯示面板之保護玻璃片。這些玻璃基板必須非常乾淨且沒有缺陷，因為對於這些顯示器而言即使只是在屏幕上的小缺陷，一般觀看者的視覺敏銳度也能察覺得出來。此外，這些應用中所使用之玻璃片的汙染物，會阻礙材料的沉積及/或作用，而沉積在玻璃片上的這些材料是正常運作顯示元件所需要的。例如，汙染物會阻礙薄膜電晶體之沉積，這些薄膜電晶體是沉積在用於製造顯示裝置的一個或多個玻璃基板上。
玻璃基板之污染物可能是，例如有機物或金屬物。由於沒有單一的清潔材料能夠移除所有的這些污染物，因此需要調整製程以使用不同的清潔劑來移除不同的污染物。即便如此，對於玻璃片製造成本的限制仍有需求，因此要求使用不會顯著增加製程成本且可從玻璃片移除污染物的有效方法。
本發明已發現弱酸可用於處理玻璃物件，例如玻璃基板，可例如含有金屬沉積物在表面上之玻璃片，且已證明即使弱酸在非常低之濃度下仍可有效地處理玻璃物件。再者，在某些具體例中，使用來自工業用水系統之次氯酸以提供作為氯化水之現成來源有利的，因為：1）上述來源是豐富且不貴，以及2）上述來源不受限於需要更多活性酸(例如硫酸或鹽酸)之特殊處理。次氯酸被廣泛地使用作為漂白劑及除臭劑，以及用於消毒及防止細菌在水中生長。例如，次氯酸可用於工業應用中，在熱交換系統中防止細菌在作為冷卻流體之水中生長。次氯酸可很容易地產生，例如藉由在水中添加亞氯酸鈉以產生次氯酸。
因此，本發明之一個態樣是描述一種以弱酸從玻璃物件移除金屬沉積物之方法。該方法包含將玻璃物件暴露至濃度介於0.5至1.0 ppm之弱酸水溶液一段時間，以有效地從玻璃物件之表面移除金屬沉積物。弱酸之解離常數Ka
可介於約2.95 x 10-8
至約7.5 x 10-3
範圍間。例如，弱酸可選自於由次氯酸、硼酸及磷酸所組成之群組。金屬沉積物可包含鐵、鈣、鋇、鋅、鈷、錳、鍶及上述組合或合金之至少其中一者。在各種特定具體例中，金屬沉積物包含鐵，以及弱酸包含次氯酸。
本發明之另一個態樣是揭露一種從玻璃片移除金屬沉積物之方法。該方法包含將玻璃片之至少一個主表面之整體暴露於濃度介於0.5至1.0 ppm之次氯酸水溶液一段時間，以有效地從至少一主表面移除金屬沉積物。金屬沉積物可包括鐵、鈣、鋇、鋅、鈷、錳、鍶及上述組合或合金之至少其中一者。
應清楚瞭解的是，雖然本發明大部分係關於在玻璃片製程中所製造之玻璃基板(例如，玻璃片)，但是在本文中所描述之具體例亦可應用至其他的玻璃物件。因此，本發明並不限制在玻璃片、玻璃板或其他玻璃基板，本發明亦可用於從一般玻璃物件移除金屬沉積物，且無論是任何形狀之玻璃。
可以理解，上述之一般性描述以及以下之詳細描述皆為呈現本發明之具體例，以及旨在提供一個用於理解如本發明所描述或所請求之具體例之性質及特徵的概述或框架。所附圖式提供對各具體例的進一步地理解，這些圖式將併入及構成說明書之一部分。圖式舉例說明了本發明之各種具體例，且結合實施方式來說明本發明之原理及操作。
現將參照所附圖式中所呈現的本發明之示例性具體例，以更完整地描述設備以及方法。只要有可能，在所有圖式中使用相同元件符號來表示相同或相似之部件。然而，本案之揭示能以許多不同的形式來體現，而不應將其解釋為本案只限於本文所述具體例。
可以理解的是，所揭示之各種具體例可涉及與特定具體例有關所描述之具體特徵、元件或步驟。亦可以理解的是，雖然具體之特徵、元件或方法之描述與特定具體例有關，但具體之特徵、元件或方法可以在各種未例示出之組合或變更中互換或結合各種替代具體例。
在本文中範圍可表示為從「約」一個具體數值及/或至「約」另一個具體數值。當表示如此範圍的時候，另一具體例包括從一個具體數值及/或至另一個具體數值。類似地，當使用先行詞「約」表示數值為近似值時，應理解，具體數值形成另一個具體例。還應理解，每個範圍之端點與另一個端點有關還是與另一個端點相互獨立，都是有意義的。
本文所使用之方向用語－例如上、下、右、左、前、後、頂、底，僅是參照繪製之圖式而言，並非旨在用來暗示絕對方向。
除非另有明確地表述，否則不意旨將本文所述之任何方法解釋為需要以具體之順序以及藉由任何設備及特定方向來執行這些步驟。因此，方法請求項實際上未記載這些步驟需遵守一定的順序，或任何設備請求項實際上未記載各別構件之順序或方向，或者在申請專利範圍或說明書中沒有另外具體表述將這些步驟限制於具體之順序，或沒有記載設備之各個構件之具體順序或方向，因而在任何方面都不意旨在推斷一定之順序或方向。這適用於解讀的任何可能未表述之基礎，包括：關於步驟配置、操作流程、構件順序或構件方向之邏輯事項；從語法組織或標點得出之一般含意；以及在說明書中所描述之具體例之數量或類型。
除非上下文明確地另作規定，本文中所使用之單數形式之「一」以及「該」包括複數個指代形式。因此，除非上下文明確地另作規定，例如，所提到之「一」構件包括具有兩個或多個這類構件之態樣。
第1圖中所繪示為示例玻璃製造設備10。在一些實施例中，玻璃製造設備10能包含玻璃熔融爐12，該玻璃熔融爐12能包括熔融槽14。除了熔融槽14，玻璃熔融爐12可選擇地包括一個或多個附加構件，如加熱元件（例如，燃燒器或電極），經配置以批次加熱以及批次轉換成熔融玻璃。在進一步之實施例中，玻璃熔融爐12可包括熱處理裝置（例如，絕緣構件），經配置以減少熔融槽周遭之熱損失。在進一步之實施例中，玻璃熔融爐12可包括電子裝置及/或機電裝置，經配置以促進批次材料熔融成玻璃熔體。更進一步，玻璃熔融爐12可包括支撐結構（例如，支撐底盤，支撐件等）或其他構件。
玻璃熔融槽14通常由耐火材料所組成，例如耐火陶瓷材料。在一些實施例中，玻璃熔融槽14可由耐火陶瓷磚所構成，例如包含氧化鋁或氧化鋯之耐火陶瓷磚。
在某些實施例中，玻璃熔融爐可以併入作為玻璃製造設備之構件，經配置以製造玻璃帶。在一些實施例中，本發明之玻璃熔融爐可以併入作為玻璃製造設備之構件，該玻璃製造設備包含槽抽拉設備（slot draw apparatus）、浮浴設備、下拉設備（例如，融合設備）、上拉設備、壓輥設備、管抽拉設備（tube drawing apparatus）或任何其他之玻璃製造設備。透過舉例而非限制之方式，第1圖示意性舉例說明玻璃熔融爐12作為融合下拉之玻璃製造設備10之構件，該融合下拉之玻璃製造設備10用於融合下拉出玻璃帶，再對玻璃帶進行後續處理以成玻璃片。
玻璃製造設備10（例如，融合下拉設備10）可選擇地包括上游玻璃製造設備16，該上游玻璃製造設備16設置在相對於玻璃熔融槽14之上游。在一些實施例中，上游玻璃製造設備16之一部分或整體可以併入作為玻璃熔融爐12之一部分。
如所舉例說明之實施例所示，上游玻璃製造設備16能包括儲存容器18、批次輸送裝置20以及連接至批次輸送裝置的馬達22。儲存容器18可經配置以儲存一定數量之批次材料24，並如箭頭26所指示能將一定數量之批次材料24給料至玻璃熔融爐12之熔融槽14中。在一些實施例中，批次輸送裝置20可以透過馬達22來供電，使得所配置之批次輸送裝置20可從儲存容器18輸送一預定量之批次材料24至熔融槽14。在進一步之實施例中，馬達22能根據從熔融槽14所感測到下游之熔融玻璃之水平，在控制之速率下供電給批次輸送裝置20，以引入批次材料24。之後，熔融槽14內之批次材料24能經加熱後形成熔融玻璃28。
玻璃製造設備10也可以選擇地包括下游玻璃製造設備30，該下游玻璃製造設備30設置在相對於玻璃熔融爐12之下游。在一些實施例中，一部分之下游玻璃製造設備30可併入作為玻璃熔融爐12之一部分。例如，下列所討論之第一連接導管32或下游玻璃製造設備30之其他部分，可併入作為玻璃熔融爐12之一部分。下游玻璃製造設備之元件包括可由貴金屬所構成之第一連接導管32。合適之貴金屬包括鉑族金屬，其係選自由鉑、銥、銠、鋨、釕及鈀或由上述之合金所組成之金屬群組。例如，玻璃製造設備之下游構件可由鉑-銠合金所構成，鉑-銠合金包括70至90 ％（重量百分比）的鉑以及10至30 ％（重量百分比）的銠。然而，其他合適之金屬包括鉬、鈀、錸、鉭、鈦、鎢以及上述之合金。
下游玻璃製造設備30包括第一調節槽（即第一處理槽），例如澄清槽34。澄清槽34位於熔融槽14的下游，並經由上述提及之第一連接導管32與熔融槽14耦接。在一些實施例中，熔融玻璃28可從熔融槽14經過第一連接導管32重力給料至澄清槽34。例如，重力可驅動熔融玻璃28從熔融槽14通過第一連接導管32之內部通路至澄清槽34。然而，應當理解，其他調節槽可設置於熔融槽14的下游，例如設置於熔融槽14與澄清槽34之間。在一些具體例中，可在熔融槽與澄清槽之間採用冷卻槽（未繪示出），其中熔融玻璃在進入澄清槽之前，冷卻槽可將來自於熔融槽之熔融玻璃冷卻至一溫度低於熔融玻璃在熔融槽內之溫度。
在澄清槽34內，可透過各種技術將氣泡從熔融玻璃28移除。例如，批次材料24可包括多價化合物（即澄清劑），諸如氧化錫，當加熱時批次材料可進行化學還原反應，並釋放出氧氣。其他合適之澄清劑包括但不限於砷、銻、鐵以及鈰。將澄清槽34加熱至高於熔融槽溫度，藉以加熱澄清劑。透過溫度引起澄清劑之化學還原反應所產生的氧氣氣泡，上升通過澄清槽內之熔融玻璃，其中在熔融爐中所產生之熔體中的氣體，能合併至澄清劑所產生之氧氣氣泡。在澄清槽中，經過放大之氣泡可以上升至熔融玻璃之自由表面，並隨後排出。
下游玻璃製造設備30可進一步包括第二調節槽，例如用以混合熔融玻璃之混合槽36，該混合槽36可位於澄清槽34下游。玻璃熔體的混合槽36能用於提供一個均質的玻璃熔體組成物，從而減少或消除可另外存在於離開澄清槽之澄清熔融玻璃內的非均質性。如圖所示，澄清槽34可經由第二連接導管38與熔融玻璃之混合槽36耦接。在一些實施例中，熔融玻璃28可從澄清槽34經由第二連接導管38重力給料至混合槽36。例如，重力可驅動熔融玻璃28從澄清槽34通過第二連接導管38之內部通路至混合槽36。應當注意，雖然混合槽36繪示在澄清槽34的下游，混合槽36亦可設置於澄清槽34的上游。在一些具體例中，下游玻璃製造設備30可包括多個混合槽，例如澄清槽34上游之混合槽以及澄清槽34下游之混合槽。這些多個混合槽可以是相同的設計，或者可以是不同於彼此的設計。
下游玻璃製造設備30可進一步包括另一種調節槽，例如可位於混合槽36下游之輸送槽40。輸送槽40可以調節熔融玻璃28以給料至下游成型裝置中。例如，輸送槽40可以作為一個累加器及/或流量控制器，以經由出口導管44調節及提供一致流量的熔融玻璃28至成型體42。如圖所示，混合槽36可以經由第三連接導管46與輸送槽40耦接。在一些實施例中，熔融玻璃28可從混合槽36經由第三連接導管46重力給料至輸送槽40。例如，重力可驅動熔融玻璃28從混合槽36通過第三連接導管46之內部通道至輸送槽40。
下游玻璃製造設備30可進一步包括成型設備48，該成型設備48包含上述提及之成型體42，而成型體42包括入口導管50。出口導管44能經設置以將熔融玻璃28從輸送槽40輸送至成型設備48的入口導管50。在融合成型製程中，成型體42可包括凹槽（trough）52，凹槽52設置於成型體以及匯聚成型表面54之上表面中，該匯聚成型表面54為沿著成型體之底部邊緣（根）56匯聚。經過輸送槽40、出口導管44以及入口導管50輸送至成型體凹槽的熔融玻璃，溢出凹槽壁並沿著匯聚成型表面54往下移動作為熔融玻璃之分離流。熔融玻璃之分離流在根下連接並沿著根產生單一玻璃帶58，藉由對玻璃帶施加張力，例如藉由重力以及拉引軋輥（未繪示出），從根56拉引出單一玻璃帶58，以在玻璃冷卻以及黏度增加的時候控制玻璃帶的尺寸，使得玻璃帶58經過黏性-彈性轉換且具有可給予玻璃帶58穩定尺寸特性的機械性能。玻璃帶隨後可透過玻璃分離設備（未繪示出）分離成個別的玻璃基板59。
應當理解，生產適於銷售和分銷給設備製造商之玻璃基板，在產品可以從製造商處出貨之前需要額外之處理。因此，第2圖係繪示設置於玻璃製造設備10下游之示例性加工線（finishing line）60。加工線60可包括各種不同的站台，配置這些站台以處理一個或多個玻璃基板59，這些站台包括一個或多個之切割站台62、斜切站台（beveling station）64、洗滌站台（washing station）66、檢測站台68以及封裝站台70。
在示例之加工線60的第一步驟中，玻璃基板59能被切割成預定尺寸。例如，將上述設備10所生產之較大的玻璃帶58切割成具有預定尺寸之玻璃基板。在各種具體例中，玻璃帶可為連續玻璃帶，該連續玻璃帶在實質垂直於玻璃帶之長度尺寸方向上（例如，垂直於拉引方向）被切割。玻璃基板59可包括在約0.05至約0.7毫米範圍間之厚度，例如在約0.1毫米至約3毫米範圍間、在約0.3毫米至約1毫米範圍間、在約0.5毫米至約0.7毫米範圍間，並且包括它們之間的所有範圍以及子範圍。在許多拉引玻璃帶之操作中，由於玻璃帶從黏性狀態冷卻到彈性狀態的時候，玻璃帶橫向收縮（width-wise shrinkage），使得玻璃帶的邊緣部分增厚，此增厚的邊緣部分稱為珠（bead）。然而，典型的應用，例如用於併入至各種顯示裝置中的顯示面板之製造，需要將這些珠移除。此外，從玻璃帶切割下來之母玻璃基板可進一步切割成幾個更小的玻璃基板。因此，玻璃基板59可在切割站台62處進行處理，切割站台62可執行切割操作以移除存在於玻璃基板上的任何邊緣部分珠，以及可選擇地將玻璃基板切割成預定之尺寸。
一旦玻璃基板59已經過修整而移除這些珠及/或切割成預定之尺寸，玻璃基板的邊緣可在斜切站台64處進行斜切。玻璃基板的任何一個或多個邊緣可進行斜切。在各種具體例中，矩形基板的所有四個邊緣可單獨地（一次一個）或者同時進行斜切。切割處理可移除玻璃基板上的損壞邊緣面。例如，機械刻劃及斷裂處理通常涉及玻璃基板之主要表面與刻劃工具的接觸。該接觸需要以足夠的力量將刻劃工具按壓至玻璃基板中，以產生至少部分延伸通過玻璃基板厚度的開口裂紋。玻璃基板之至少一部分厚度亦因為與刻劃工具之強制接觸而損壞。這種損壞會提供後續產生不樂見之斷裂所需的初始裂痕（initial flaw）。使用各種雷射刻劃及/或切割技術，可對玻璃基板產生較少的邊緣表面損壞，但即使在對邊緣表面不具任何損壞所完成的完美切割之情況下，切割處理仍然會留下邊緣表面與玻璃基板主要表面接觸的尖銳邊緣。在處理玻璃基板期間，這些尖銳邊緣容易損壞。因此，處理玻璃基板以沿著玻璃基板邊緣產生斜面，可減少對玻璃基板處理的損壞趨勢。斜切可以經由研磨及/或拋光玻璃基板邊緣來執行。在研磨製程期間，可以施加水至玻璃基板之邊緣表面、玻璃基板之主表面及/或用於斜切邊緣之砂輪，以助於從玻璃基板沖掉微粒，以防止玻璃微粒黏附至玻璃基板，以及用以冷卻玻璃基板及砂輪之接觸表面。
當研磨及/或拋光玻璃基板時，從玻璃基板邊緣移除玻璃會產生玻璃微粒，該玻璃微粒可黏附至玻璃基板之主表面。如果不將微粒移除，微粒會干擾下游製程，例如在生產顯示面板時微粒會干擾薄膜沉積。因此，玻璃基板可在洗滌站台66處進一步地進行處理，可從主要表面洗滌微粒，以及視需要從邊緣表面洗滌微粒。在洗滌步驟期間，玻璃基板可暴露於一種或多種洗滌劑溶液及/或清洗溶液。玻璃基板經過清洗後，可進行乾燥，可在檢測站台68處進行檢測，接著可在封裝站台70處進行封裝以出貨。
已經發現，在某些情況下，玻璃基板的一個或兩個主表面可能被金屬沉積物（例如，污斑（staining））汙染，其中玻璃表面的微小區域包括薄的金屬沉積物，例如但不限於鐵、鈣、鋇、鋅、鈷、錳、鍶。儘管對於這樣的沉積機制不甚瞭解，但這樣的沉積機制被認為是，當玻璃仍然處於明顯溫度下（例如在約100℃至約600℃範圍間），在拉引製程期間可能出現這些金屬沉積物。例如，由於玻璃冷凝物從拉引機械結構滴至玻璃基板上，因而出現這樣的金屬沉積。
第3圖顯示在20X放大倍率下之示例鐵沉積物的影像。在第3圖中特定鐵沉積物具有大約460微米的總長度，其具有約150微米長度之環形中央區域，以及在垂直方向及水平方向的圖像拖尾（streaking）。在一些製程中，藉由將玻璃基板暴露於相對強無機酸（例如氫氟酸(HF)及/或鹽酸）下能移除金屬沉積物。然而，使用這些強酸是昂貴的，無論是酸本身的成本、特殊處理需求的成本以及有害廢棄物之廢液處理需要的成本。再者，這樣的酸可能導致玻璃表面的不必要蝕刻。
因此，本案發明人已發現將玻璃基板暴露至具有酸濃度介於約0.5 ppm至約1.0 ppm範圍間之弱酸溶液，足以移除偶發的金屬沉積物，且弱酸溶液不貴，不需要特殊處理，且在本文描述之條件下不會產生可辨識的蝕刻。如本文中所定義，弱酸為包含酸解離常數Ka
介於1.8×10−16
至55.5範圍間的酸，或對數常數ρKa
介於15.74至-1.74範圍間的酸，其中ρKa
= -log Ka
。合適的弱酸溶液包括次氯酸（Ka
= 2.95 x 10-8
, ρKa
= 7.53）、硼酸（Ka
= 5.8 x 10-10
, ρKa
= 9.24）以及磷酸（Ka
= 7.5 x 10-3
, ρKa
= 2.125）或上述組合，但不以此為限。因此，在各種具體例中，可使用具有Ka
值介於約2.95 x 10-8
至約7.5 x 10-3
範圍間之弱酸，其包括它們之間的所有範圍以及子範圍。在特定具體例中，可使用次氯酸。
根據第4圖中所示之具體例，將玻璃基板72暴露至弱酸溶液74，其中玻璃基板72意味著從母玻璃基板59切割下來的玻璃基板，然而在進一步具體例中，玻璃基板可為從玻璃帶58切割下來之母玻璃基板，具有或不具有珠之移除。例如藉由從一個或多個噴嘴76噴出弱酸溶液以將玻璃基板暴露至弱酸溶液，所配置之一個或多個噴嘴76用以弄濕玻璃基板之一個或兩個主表面78、80。例如，在本文中描述之各種具體例中，弱酸應完全弄濕一個或兩個主表面78、80。更詳細而言，根據下列的化學反應，以次氯酸處理玻璃表面能用以移除鐵沉積物。 Fe + 2HClO → FeCl2
+ H2
+O2
(1) 2HClO → 2HCl+O2
(2) Fe+2HCl → FeCl2
+H2
, (3) 其中FeCl2
是水溶性的且容易在下游之洗滌步驟中將其移除。
暴露至弱酸可在玻璃基板成型製程之後的任何時間發生，但一些具體例中，酸暴露是在斜切站台64處進行斜切製程期間執行。然而，在各種其他的具體例中，暴露至弱酸可在斜切製程之後但在洗滌站台66處進行洗滌製程之前發生。在一些具體例中，如第5圖中所示，一個或兩個主表面78、80可藉由來自一個或多個噴嘴76之酸的細水珠（drizzle）82（即低壓力流）暴露至弱酸。玻璃基板72可設置在相對於水平方向為等於或大於0度以及等於或小於90度之角度α處，其中0度為水平方向以及90度為垂直方向。在一些實施例中，可在介於約每分鐘7公升至約每分鐘9公升範圍間的速率下施加弱酸，例如每分鐘8.3+/-公升。已經發現，在上述之濃度以及輸送速率下，經過介於約20秒至約60秒範圍間之暴露時間足以將金屬沉積物移除，例如介於約20秒至約30秒範圍間、介於約20秒至約25秒範圍間，以及包括它們之間的所有範圍以及子範圍。
顯見本案發明的益處是可特意地製作出上述任何具體例中所採用的弱酸以具體用於移除玻璃基板之金屬污斑。然而，顯而易見的是，某些弱酸（例如次氯酸）已可從製造設備中其他的來源獲得。舉例而言，由於次氯酸抑制細菌生長的能力，已將次氯酸作為添加劑，例如添加於空調冷卻元件（如熱交換器）用之冷卻水中。此外，在製造設備中的其他系統可採用作為次氯酸供給的次氯酸－處理水。次氯酸可以從由其他製程回收且經適當過濾的水回收再利用，其可作為如本文描述之用於處理玻璃基板之次氯酸。因此，不需要顯著的額外成本即可獲得合適之次氯酸溶液的現成供給。
第6圖是圖示在玻璃製造設備中經過約6個月的一段時間約每天在玻璃基板上出現鐵沉積的圖。從圖左邊至垂直方向上之虛線84之期間，代表在這段期間內僅藉由鹼性洗滌劑（例如Parker 225x）洗滌之期間。垂直軸代表每天檢測到的缺陷（金屬污斑）數量。線84代表在斜切站台64處開始藉由次氯酸進行洗滌。該數據呈現一旦開始次氯酸洗滌時，沉積的鐵就會急遽減少。
從本案揭示顯而易見的是，以弱酸溶液（例如次氯酸）之處理可在任何合適的玻璃物件上執行，玻璃物件包括玻璃基板、由玻璃基板製成之玻璃物件（例如，顯示面板）以及任何其他能從金屬污斑之移除受益之玻璃物件。
本技術領域中具有通常知識者顯而易見的是，在不偏離本發明的精神和範圍的情況下，可對本文所描述之具體例進行各種修改和變化。因此，本發明旨在涵蓋本文所述的這些具體例的修改和變化形式，只要這些修改和變化形式落在所附請求項及其等同內容的範圍之內。
10‧‧‧玻璃製造設備/融合下拉設備12‧‧‧玻璃熔融爐14‧‧‧熔融槽16‧‧‧上游玻璃製造設備18‧‧‧儲存容器20‧‧‧批次輸送裝置22‧‧‧馬達24‧‧‧批次材料26‧‧‧箭頭28‧‧‧熔融玻璃30‧‧‧下游玻璃製造設備32‧‧‧第一連接導管34‧‧‧澄清槽36‧‧‧混合槽38‧‧‧第二連接導管40‧‧‧輸送槽42‧‧‧成型體44‧‧‧出口導管46‧‧‧第三連接導管48‧‧‧成型設備50‧‧‧入口導管52‧‧‧凹槽54‧‧‧匯聚成型表面56‧‧‧根58‧‧‧玻璃帶59‧‧‧玻璃基板60‧‧‧加工線62‧‧‧切割站台64‧‧‧斜切站台66‧‧‧洗滌站台68‧‧‧檢測站台70‧‧‧封裝站台72‧‧‧玻璃基板74‧‧‧弱酸溶液76‧‧‧噴嘴78‧‧‧主表面80‧‧‧主表面82‧‧‧細水珠84‧‧‧線α‧‧‧角度
第1圖是示例性玻璃製造設備之示意圖。
第2圖是位於第1圖之設備下游之玻璃基板加工製程之方塊圖。
第3圖是在藉由第1圖之設備所製造之玻璃基板上之金屬沉積物之顯微鏡視圖。
第4圖是以次氯酸處理玻璃基板之處理設備之具體例。
第5圖是以次氯酸處理玻璃基板之處理設備之另一具體例。
第6圖是圖示經過約6個月之一段時間，玻璃基板上每天出現鐵沉積物之數量，並呈現當次氯酸洗滌開始的時候鐵沉積物大幅減少之圖。
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72‧‧‧玻璃基板
74‧‧‧弱酸溶液
76‧‧‧噴嘴
78‧‧‧主表面
80‧‧‧主表面
Claims (10)
- 一種從玻璃物件移除金屬沉積物之方法，該方法包含以下步驟：將該玻璃物件暴露至一濃度介於0.5至1.0ppm之一弱酸之一水溶液持續在從20秒至60秒之一範圍中的一時間，以從該玻璃物件之一表面移除一金屬沉積物。
- 如請求項1所述之方法，其中該弱酸之一解離常數Ka係介於約2.95 x 10-8至約7.5 x 10-3範圍間。
- 如請求項1所述之方法，其中該弱酸係選自由次氯酸、硼酸及磷酸或上述組合所組成之群組。
- 如請求項1所述之方法，其中該金屬沉積物包含鐵、鈣、鋇、鋅、鈷、錳、鍶及上述組合或合金之至少其中一者。
- 如請求項4所述之方法，其中該金屬沉積物包含鐵。
- 如請求項1至5中任一項所述之方法，其中該弱酸包含次氯酸。
- 一種從玻璃片移除金屬沉積物之方法，該方法包含以下步驟：將該玻璃片暴露至一濃度介於0.5至1.0ppm之 含有次氯酸之一水溶液持續在從20秒至60秒之一範圍中的一時間，以從該玻璃基板之一表面移除金屬沉積物。
- 如請求項7所述之方法，其中該金屬沉積物包含鐵、鈣、鋇、鋅、鈷、錳、鍶及上述組合或合金之至少其中一者。
- 如請求項7所述之方法，其中該暴露步驟包含將該玻璃片的至少一主表面之整體暴露至次氯酸。
- 如請求項7所述之方法，進一步包含在將該玻璃片暴露至次氯酸的步驟期間，研磨該玻璃片的邊緣。
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