TWI689089B - 陣列基板、顯示面板及陣列基板的製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 199
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 163
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 260
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N oxosilicon;silicon Chemical compound [Si].[Si]=O RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本公開提供了一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的製造方法，通過使得陣列基板中位於彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於顯示區上方阻隔層厚度的一半的方式，使得阻隔層在應力作用下的延展性得到提升，使其不易因應力集中在阻隔層內而導致阻隔層出現斷裂，進而避免了彎折區布線層的斷裂，提高柔性顯示面板的彎折性能。
Description
本公開涉及柔性顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的製造方法。
主動矩陣有機發光二極管（Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，簡稱AMOLED）是一種自發光顯示器件，其自身具備的薄膜特性使其在柔性顯示技術中得到廣泛運用。
一般來說，爲了使柔性顯示面板具備彎折功能，柔性顯示面板可按照預設的布局被劃分彎折區與顯示區，以分別實現其彎折功能與顯示功能。圖1爲現有的柔性顯示面板中的陣列基板在彎折區的結構示意圖，如圖1所示，陣列基板在彎折區包括有依次層疊設置的柔性基底基板110、阻隔層120以及金屬布線層140，其中，阻隔層120的背離柔性基底基板110的一面上具有多個凸起結構130；金屬布線層140中包括有至少兩條金屬線141，該金屬線141隨著凸起結構130爬坡延伸。在現有的這種方案中利用阻隔層120中凸起結構130的設置，拓展陣列基板的延展性，進而實現柔性顯示面板的局部彎折功能。
本公開的目的在於提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的製造方法，用於優化柔性顯示面板的彎折效果。
爲了實現上述目的，本公開提供如下技術方案：
一方面，本公開實施例提供了一種陣列基板，包括：
柔性基底基板，所述柔性基底基板具有顯示區與彎折區；
阻隔層，連續的鋪設在所述柔性基底基板上，其中位於彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於顯示區上方阻隔層的厚度的一半；
布線層，直接鋪設在位於所述彎折區的阻隔層上方。
在其中一種可選的實施方式中，所述位於彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於顯示區上方阻隔層的厚度的四分之一。其中，在一種實施方式中，所述阻隔層的厚度小於或等於120nm。
在其中一種可選的實施方式中，位於所述彎折區上方的阻隔層包括多個帶狀凹陷，相鄰的兩個所述帶狀凹陷之間形成凸起結構；所述布線層包括若干個信號傳輸線，所述帶狀凹陷沿著所述信號傳輸線的延伸方向設置，所述信號傳輸線布設在所述凸起結構的頂部。
在其中一種可選的實施方式中，位於所述彎折區上方的阻隔層中的帶狀凹陷部分的厚度小於30nm。
在其中一種可選的實施方式中，所述帶狀凹陷爲穿透所述阻隔層的貫穿槽，且所述帶狀凹陷相對隔離設置。
在其中一種可選的實施方式中，位於所述顯示區上方的阻隔層包括由柔性基底基板表面向上依次疊置的第一阻隔層以及第二阻隔層；所述第二阻隔層的材料與所述第一阻隔層的材料不同。
其中，在一種實施方式中，所述第一阻隔層的材料爲氮化矽，所述第二阻隔層的材料爲氧化矽。
其中，在一種實施方式中，位於彎折區上方的阻隔層的材料與所述第一阻隔層的材料相同。
在其中一種可選的實施方式中，位於所述顯示區上方的阻隔層是氧化矽-氮化矽-氧化矽的三層結構。
又一方面，本公開實施例提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括如上任一項所述的陣列基板。
在其中一種可選的實施方式中，所述陣列基板包括顯示區以及彎折區，所述彎折區位於所述顯示區的一側短邊的外部。其中，在一種實施方式中，所述彎折區彎折至所述顯示區的背面。
在其中一種可選的實施方式中，所述陣列基板包括至少兩個顯示區以及至少一個彎折區，所述彎折區位於相鄰兩個顯示區之間。
最後一方面，本公開實施例提供了一種陣列基板的製造方法，包括：
提供一具有顯示區以及彎折區的柔性基底基板；
在所述柔性基底基板上連續鋪設阻隔層；
在厚度上至少部分地去除位於所述彎折區上方的阻隔層，使位於所述彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於所述顯示區上方的阻隔層的厚度的一半；
在位於所述彎折區的阻隔層上方鋪設金屬膜，並對所述金屬膜進行圖案化處理，以形成布線層。
在其中一種可選的實施方式中，所述布線層包括若干個信號傳輸線；
所述對所述金屬膜進行圖案化處理，以形成布線層之後，還包括：
對位於所述彎折區的相鄰信號傳輸線之間的阻隔層進行刻蝕，以去除位於所述彎折區的相鄰信號傳輸線之間的所述阻隔層。
在其中一種可選的實施方式中，所述阻隔層包括：依次層疊設置的第一阻隔層以及第二阻隔層；其中所述第一阻隔層的材料與所述第二阻隔層的材料爲不同材料；
在厚度上至少部分地去除位於所述彎折區上方的阻隔層，使位於所述彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於所述顯示區上方阻隔層厚度的一半的步驟包括：
去除位於所述彎折區的第二阻隔層。
在其中一種可選的實施方式中，所述對所述金屬膜進行圖案化處理，以形成布線層，包括：
利用刻蝕製程，對位於所述彎折區的金屬膜以及第一阻隔層進行刻蝕，以使所述金屬膜中形成包括若干信號傳輸線的圖案，且使被刻蝕後的第一阻隔層的厚度小於或等於30奈米。
本公開提供的陣列基板、顯示面板及陣列基板的製造方法，通過使得陣列基板中位於彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於顯示區上方阻隔層厚度的一半的方式，使得阻隔層在應力作用下的延展性得到提升，使其不易因應力集中在阻隔層內而導致阻隔層出現斷裂，進而避免了彎折區金屬布線層的斷裂，提高柔性顯示面板的彎折性能。
這裏將詳細地對示例性實施例進行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時，除非另有表示，不同附圖中的相同數字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式並不代表與本公開相一致的所有實施方式。相反，它們僅是與如所附申請專利範圍中所詳述的、本公開的一些方面相一致的裝置以及方法的例子。
如前所述的，圖1爲現有的柔性顯示面板中的陣列基板在彎折區的結構示意圖，現有的柔性基底基板110與金屬布線層140之間的阻隔層120的厚度較大，當陣列基板的彎折區發生彎折時，一方面厚度較大的阻隔層120限制了彎折區的彎折角度，另一方面，彎折時産生的應力集中在阻隔層120，過厚的阻隔層120無法將應力進行有效分散，從而其自身容易發生斷裂，進而導致金屬布線層140的斷裂，影響柔性顯示面板的彎折性能。
針對該現象，本公開實施例提供了一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的製造方法，在陣列基板中，採用了位於彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於顯示區上方阻隔層厚度的一半的結構，以使彎折區內的布線層與柔性基底基板之間的膜層厚度得到明顯降低，當陣列基板的彎折區發生彎折時，一方面有效增大了陣列基板的彎折角度，另一方面，也使得阻隔層在應力作用下的延展性得到提升，使其不易因應力集中在阻隔層內而導致阻隔層出現斷裂，進而避免了彎折區布線層的斷裂，提高柔性顯示面板的彎折性能。
下面以具體地實施例對本公開的技術方案以及本申請的技術方案如何解决上述技術問題進行詳細說明。下面的這幾個具體的實施例可以相互結合，對於相同或相似的概念或過程可能在某些實施例中不再贅述。下面將結合附圖，對本公開的實施例進行描述。
本公開實施例所述的柔性的顯示面板可應用於僅具備顯示功能的顯示器上，也可應用於提供操作交互功能的智能終端設備上，本公開實施例對其存在的形態不進行任何限制。
爲了解决現有技術中存在的由於布線層與柔性基底基板之間的膜層厚度較大，彎折時容易導致布線層斷裂的問題，本公開實施例提供了一種陣列基板。圖2爲本公開實施例一提供的一種陣列基板的結構的一側視圖；圖3爲本公開實施例一提供的一種陣列基板的結構的另一側視圖；圖4爲本公開實施例一提供的一種陣列基板的結構的俯視圖。
如圖2至圖4所示，在該陣列基板中包括有依次設置的柔性基底基板20、阻隔層21以及布線層22；其中，柔性基底基板20具有顯示區以及彎折區；阻隔層21連續的鋪設在柔性基底基板20上，其中位於彎折區上方的阻隔層21的厚度小於位於顯示區上方阻隔層21厚度的一半；布線層22直接鋪設在位於彎折區的阻隔層21上方。
本領域技術人員可以理解的是，陣列基板包括顯示區A以及彎折區B，其中的顯示區A與顯示面板的顯示區相應，彎折區B與顯示面板的彎折區相應。相應的，在本公開一些實施方式中，柔性基底基板需要按照預設布局被劃分爲顯示區以及彎折區，在顯示區可生長AMOLED中的有機發光層等用於顯示發光的材料以及用於爲有機發光層提供電功能的薄膜晶體管結構；而在彎折區則可布設金屬線以爲顯示區內相應的膜層結構傳遞電信號。
其中，彎折區B可布設在顯示區A的一側，採用這樣的布局的陣列基板可運用於具備彎折邊緣的顯示面板上，即顯示面板的邊緣對應陣列基板的彎折區B，而柔性顯示面板的中心顯示部分則對應陣列基板的顯示區A。當然，彎折區B還可與顯示區A間隔設置，如顯示區A布設在彎折區B的雙側，採用這樣的布局的陣列基板可運用於具備雙屏折疊功能的顯示面板上甚至全屏蜷曲功能的顯示面板上，即顯示面板通過間隔設置的彎折區B以進行彎折，並使得顯示面板整體發生彎折。需要說明的是，本公開實施例對顯示區A以及彎折區B的布局不進行限制，對其陣列基板所基於的顯示面板的形態也不進行限制。
在一種實施方式中，阻隔層21是連續的鋪設在所述柔性基底基板20上的，其中位於彎折區上方的阻隔層21的厚度小於位於顯示區上方阻隔層21厚度的一半。一般來說，在現有的柔性基底基板上的阻隔層21是由氧化矽製成的，其厚度一般爲500-1000奈米（nm），例如600nm左右；在本公開一些實施方式中，位於彎折區上方的阻隔層21的厚度小於位於顯示區上方阻隔層21厚度的一半。而在該阻隔層21背離柔性基底基板20的一側，將鋪設有包括若干金屬線221的布線層22。其中的各金屬線221的延伸方向通常平行於呈現陣列排布的像素單元的行方向或列方向。
通過採用在陣列基板中位於彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於顯示區上方阻隔層厚度的一半，以使彎折區內的布線層與柔性基底基板之間的膜層厚度得到明顯降低的結構，當陣列基板的彎折區發生彎折時，阻隔層在應力作用下的延展性得到提升，使其不易因應力集中在阻隔層內而導致阻隔層出現斷裂，進而避免了彎折區金屬布線層的斷裂，提高柔性顯示面板的彎折性能。
在本公開一些實施方式中，依照製造製程的不同，阻隔層21具體採用氮化矽、非晶矽或氧化矽中的一種或多種。
在一種實施方式中，所述位於彎折區上方的阻隔層21的厚度小於位於顯示區上方阻隔層21厚度的四分之一，在一示例中，所述阻隔層21的厚度小於或等於120nm，例如爲50-100nm。通過進一步降低位於彎折區上方的阻隔層21的厚度，能夠有效增加彎折區能夠獲得的最大彎折角度，進一步提高其彎折性能，與現有的結構相比本公開能夠實現彎折區的大角度彎折，甚至實現彎折區180度的彎折。
在一種實施方式中，位於顯示區上方的阻隔層包括由柔性基底基板表面向上依次疊置的第一阻隔層以及第二阻隔層；其中所述第一阻隔層的材料與所述第二阻隔層的材料爲不同材料；在彎折區上方的阻隔層可以是通過刻蝕形成的。第一阻隔層與第二阻隔層的材料不同，兩者的譜圖中的峰值也不同；在刻蝕處理過程中，通過監控譜圖中材料峰值的變化，能夠快速、準確的控制刻蝕終止節點，進而可以合理控制位於彎折區上方的阻隔層的厚度。例如，可採用氮化矽作爲第一阻隔層，採用氧化矽作爲第二阻隔層；在一種實施方式中，第一阻隔層的厚度爲50-100奈米，而第二阻隔層的厚度可不小於300奈米，以保證顯示區不會受到外界元素侵蝕。
此外，將位於顯示區上方的阻隔層製作爲複合結構層，特別是其中一層採用氮化矽層，能夠有效保護顯示區內的發光器件或發光材料層，以避免受到水汽或氧氣的侵蝕。當然，在其他實施方式中，該阻隔層並不局限於兩層結構，其還可以爲氧化矽-氮化矽-氧化矽的三層結構。
需要說明的是，本公開實施方式中柔性基底基板可以是單一層結構，也可以是複合層結構，在單一層結構時，可以採用聚醯亞胺，在複合層結構時可以採用聚醯亞胺-阻隔層-聚醯亞胺的結構，其中阻隔層可以爲氮化矽、非晶矽或氧化矽。
需要說明的是，本公開實施方式的布線層22中的各金屬線221具體可採用具備通孔結構的線性結構，即在每一根金屬線221上，沿金屬線221的延伸方向均勻設置有相同尺寸的通孔結構，且通孔結構的孔的軸向與布線層22所在的平面垂直。通過採用這樣的結構，進一步降低在彎折區發生彎折時，應力對布線層22中的各金屬線221的影響，避免因應力集中在布線層22時所帶來的金屬線221的斷裂。
可知的是，本實施例提供的金屬線221具體爲可用於爲顯示面板的顯示區提供電信號或數字信號的信號傳輸線。
在圖2-圖4所示結構的基礎上，實施例二提供了另一種陣列基板。
與實施例一不同的是，在本實施例二中，陣列基板中位於彎折區上方的阻隔層包括多個帶狀凹陷，相鄰的兩個所述帶狀凹陷之間形成凸起結構；所述布線層包括若干個信號傳輸線，所述帶狀凹陷沿著信號傳輸線的延伸方向設置，所述信號傳輸線布設在所述凸起結構的頂部，在該結構中帶狀凹陷隔離相鄰的信號傳輸線。
在實施例二中，通過將位於彎折區上方的阻隔層設置爲由多個帶狀凹陷與相鄰的兩個帶狀凹陷之間形成的凸起結構所組成的不平整結構，使得在彎折區的阻隔層的平均厚度進一步降低。需要說明的是，該帶狀凹陷可以是在成型金屬線的過程中同步形成的，也可以是在成型金屬線後採用額外的製程形成的。
具體來說，圖5爲本公開實施例二提供的一種陣列基板的結構示意圖，如圖5所示，在該陣列基板中，阻隔層21中帶狀凹陷24的厚度小於30奈米（nm）。
在一種實施方式中，將位於彎折區上方的阻隔層21設置爲由多個帶狀凹陷24與相鄰的兩個帶狀凹陷24之間形成的凸起結構23所組成的不平整結構，有利於優化這部分阻隔層21的延展性，有利於彎折應力的疏散。
具體來說，圖6爲本公開實施例二提供的另一種陣列基板的結構示意圖，如圖6所示，在該陣列基板中，所述帶狀凹陷24爲穿透所述阻隔層21的貫穿槽25，帶狀凹陷24相對隔離設置，相應地凸起結構23相對隔離設置。與前述各實施方式不同的是，在圖6所示結構中，阻隔層21具體採用相對隔離設置的凸起結構23，而相應的，布線層22上的各金屬線221可分別設置在每一凸起結構23的頂部。在該實施方式下，相鄰的帶狀凸起結構23之間的柔性基底基板20將暴露出來，與陣列基板中的其他膜層結構接觸。
在一種實施方式中，每一凸起結構均爲隔離設置的，因此，相對於前述各實施方式以及現有技術來說，一旦出現任一凸起結構在彎折線方向，出現斷裂，即在垂直於帶狀凸起的延伸方向出現斷裂，該斷裂不會傳導至其他帶狀凸起中，進而降低斷裂對其他金屬線的損壞，避免陣列基板的整板損壞。
本實施例通過採用了不同結構的阻隔層的設置，進一步提高了陣列基板在彎折區的彎折性能，避免金屬布線層的斷裂。
本公開還提供了一種顯示面板，該顯示面板具體包括有前述任一實施方式所述的陣列基板。
其中，如前述實施例所述的，顯示面板中的陣列基板包括顯示區以及彎折區，所述彎折區位於所述顯示區的一側短邊的外部，在一種實施方式中，所述彎折區彎折至所述顯示區的背面，通過採用這樣的設置方式，使得顯示面板的彎折區沿所述短邊彎折，且彎折線與該短邊平行。在這種結構中，通過將彎折區彎折至所述顯示區的背面，有利於實現全面屏的設置。
此外，顯示面板包括至少兩個顯示區以及至少一個彎折區，所述彎折區位於相鄰兩個顯示區之間。通過採用這樣的設置方式，使得顯示面板的彎折區沿所述彎折區與顯示區之間的分界線彎折，即彎折線與該分界線平行，進而使得彎折區兩側的顯示區組成可180度彎折的全屏顯示區。
此外，本公開還提供了一種陣列基板的製造方法，圖7爲本公開實施例三提供的一種陣列基板的製造方法的流程示意圖。如圖7所示，該方法包括：
步驟101、提供一具有顯示區以及彎折區的柔性基底基板；
步驟102、在柔性基底基板上連續鋪設阻隔層；
步驟103、在厚度上至少部分地去除位於彎折區的阻隔層，使位於彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於顯示區上方阻隔層厚度的一半；
步驟104、在位於彎折區的阻隔層上方鋪設金屬膜，並對金屬膜進行圖案化處理，以形成布線層。
其中，該布線層可包括若干個信號傳輸線，其中，各信號傳輸線垂直於顯示區與彎折區的分界線設置。
通過採用去除位於彎折區的阻隔層的方式，使得位於彎折區上方的阻隔層的厚度小於位於顯示區上方阻隔層厚度的一半，以使彎折區內的布線層與柔性基底基板之間的膜層厚度得到明顯降低，如此設計，當陣列基板的彎折區發生彎折時，一方面有效增大了彎折半徑，另一方面，也使得阻隔層在應力作用下的延展性得到提升，使其不易因應力集中在阻隔層內而導致阻隔層出現斷裂，進而避免了彎折區布線層的斷裂，提高柔性顯示面板的彎折性能。
具體來說，針對於不同膜層構成的陣列基板，本公開提供了兩種具體的陣列基板的製造方法：
爲了解决現有技術中存在的由於彎折區內的布線層與柔性基底基板之間的膜層厚度較大，彎折時容易導致金屬線層的斷裂的問題，本公開提供了一種陣列基板的製造方法。圖8爲本公開實施例四提供的一種陣列基板的製造方法的流程示意圖，如圖8所示，該方法包括：
步驟201、提供一具有顯示區以及彎折區的柔性基底基板；
步驟202、在柔性基底基板上依次層疊設置阻隔層、緩衝層以及無機物層，其中，阻隔層與柔性基底基板接觸；
步驟203、去除位於彎折區的無機物層，並對位於顯示區的無機物層進行圖像化處理；
步驟204、去除位於彎折區內的緩衝層以及部分厚度的阻隔層；
步驟205、在顯示區的圖像化處理後的無機物層上以及在彎折區的留下的阻隔層上形成金屬膜；
步驟206、通過構圖製程在金屬膜中形成包括金屬線的圖案。
具體來說，在實施例四提供的陣列基板的製造方法中，首先提供一具有顯示區以及彎折區的柔性基底基板，其中柔性基底基板可採用聚醯亞胺基底，也可採用其他材質基底，如聚碳酸酯等。
此外，柔性基底基板需要按照預設布局被劃分爲顯示區以及彎折區，在顯示區可生長AMOLED中的有機發光層等用於顯示發光的材料，而在彎折區則可布設金屬線以爲顯示區傳遞電信號。其中，彎折區可布設在顯示區的一側，採用這樣的布局的陣列基板可運用於具備彎折邊緣的顯示面板上，即顯示面板的邊緣對應陣列基板的彎折區，而柔性顯示面板的中心顯示部分則對應陣列基板的顯示區。當然，彎折區B還可與顯示區間隔設置，如顯示區布設在彎折區的雙側，採用這樣的布局的陣列基板可運用於具備雙屏折疊功能的顯示面板上甚至全屏蜷曲功能的顯示面板上，即顯示面板通過間隔設置的彎折區以進行彎折，並使得顯示面板整體發生彎折。需要說明的是，本公開實施例對顯示區與彎折區的布局不進行限制，對其陣列基板所基於的柔性顯示面板的形態也不進行限制。
在柔性基底基板上依次層疊設置有第二阻隔層、緩衝層以及無機物層，其中，第二阻隔層與柔性基底基板接觸，即阻隔層位於這三者的底部並與柔性基底基板接觸，無機物層位於這三者的頂部，遠離柔性基底基板。阻隔層可由氧化矽製成，其厚度一般爲600奈米；無機物層包括栅極絕緣層、電容絕緣層以及層間介電層，當然，隨著産品形態的不同，無機物層的層級結構也會相應變化，本公開實施例對此不進行限制。
採用刻蝕製程，去除位於彎折區的無機物層，並對位於顯示區的無機物層進行圖像化處理。具體來說，在步驟203中，需要對位於彎折區的無機物層以及對位於顯示區的無機物層進行處理，其中，對彎折區的無機物層進行刻蝕處理，以去除掉彎折區內全部的無機物層；對顯示區的無機物層進行圖像化處理，以便於後續製作有機生長層。
在步驟203之後，爲了進一步降低彎折區布線層與柔性基底基板之間的膜層厚度，在步驟204中，採用了去除位於彎折區內的緩衝層以及部分厚度的阻隔層的方式。具體來說，一般的阻隔層的厚度爲600奈米，在一種實施方式中，可通過刻蝕製程，將彎折區內的緩衝層以及部分厚度的阻隔層進行去除，以保留一定厚度的阻隔層，其中該保留的阻隔層的厚度需小於位於顯示區的阻隔層的厚度的一半。在一種實施方式中，保留的阻隔層的厚度需小於位於顯示區的阻隔層的厚度的四分之一。在一示例中，阻隔層的保留厚度可小於120奈米。
在步驟204之後，還通過金屬成膜製程，在顯示區的圖像化處理後的無機物層上以及在彎折區的留下的阻隔層上形成金屬膜。最後，通過構圖製程在金屬膜中形成包括金屬線的圖案，從而完成包括金屬線的圖案如圖2至圖6所示的陣列基板。
特別說明的，如結構實施例所述的，爲了進一步降低整板陣列基板的彎折區的金屬線斷裂風險，在通過構圖製程在金屬膜中形成包括金屬線的圖案之後，還可包括對位於彎折區的相鄰金屬線之間的阻隔層進行刻蝕，以去除位於彎折區的相鄰金屬線之間的阻隔層，即阻隔層由相對隔離的若干帶狀凹陷以及若干帶狀凸起構成。採用此步驟，使位於彎折區的阻隔層僅保留位於金屬線下方的阻隔層，位於金屬線之間的阻隔層被去除，使得彎折區留下的阻隔層相互間隔，不再爲一整體，一旦出現任一帶狀凸起在彎折線方向，即垂直於帶狀凸起的延伸方向出現斷裂，該斷裂不會傳導至其他帶狀凸起中，進而降低斷裂對其他金屬線的損壞，避免陣列基板的整板損壞。
此外，需要說明的是，前述製造方法中的阻隔層可爲由氧化矽層組成的單層結構，也可爲由氮化矽層以及氧化矽層組成的複合結構層，依據其結構組成的不同，其製造方法會有相應改進，如下提供了一種阻隔層由複合結構層組成時的陣列基板的製造方法，圖9爲本公開實施例四提供的另一種陣列基板的製造方法的流程示意圖，如圖9所示，該製造方法包括：
步驟301、提供一具有顯示區以及彎折區的柔性基底基板；
步驟302、在柔性基底基板上依次層疊設置第一阻隔層、第二阻隔層、緩衝層以及無機物層，其中，第一阻隔層與柔性基底基板接觸；
步驟303、去除位於彎折區的無機物層，並對位於顯示區的無機物層進行圖像化處理；
步驟304、去除位於彎折區內的緩衝層以及第二阻隔層；
步驟305、在顯示區圖像化處理後的無機物層上以及在彎折區的第一阻隔層上形成金屬膜；
步驟306、通過構圖製程在所述金屬膜中形成包括金屬線的圖案。
具體來說，在該陣列基板的製造方法中，如前述方法不同的是，在所述柔性基底基板上依次層疊設置有第一阻隔層、第二阻隔層、緩衝層以及無機物層，其中，所述一阻隔層與所述柔性基底基板接觸，即第一阻隔層位於這四者的底層並與柔性基底基板接觸，無機物層位於這四者的頂層，遠離柔性基底基板。
其中，可選的，所述第一阻隔層由非晶矽製成，在一示例中，所述第一阻隔層由氮化矽製成。在一種實施方式中，在所述柔性基底基板上的彎折區以及顯示區形成的第一阻隔層的厚度小於50奈米，而第二阻隔層在彎折區的厚度大於300奈米。
特別的，由非晶矽製成的或由氮化矽製成的第一阻隔層在步驟306的刻蝕過程中，當利用非晶矽特別是氮化矽材料時，由於刻蝕金屬層以及刻蝕第一阻隔層時存在一定的速率差，在完成金屬刻蝕的同時還可完成對第一阻隔層的刻蝕，且可利用精准刻蝕技術，以對刻蝕腔內的矽元素進行檢測，進而避免刻蝕到柔性基底基板的有機層，也避免了刻蝕對刻蝕室的污染，刻蝕後的彎折區的第一阻隔層的厚度將小於或等於30奈米。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本公開的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本公開進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本公開各實施例技術方案的範圍。
110：柔性基底基板
120：阻隔層
130：凸起結構
140：金屬布線層
141：金屬線
A：顯示區
B：彎折區
20：柔性基底基板
21：阻隔層
22：布線層
221：金屬線
23：凸起結構
24：帶狀凹陷
25：貫穿槽
101、102、103、104、201、202、203、204、205、206、301、302、303、304、305、306：步驟
此處的附圖被併入說明書中並構成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，並與說明書一起用於解釋本公開的原理。
圖1爲現有的柔性顯示面板中的陣列基板在彎折區的結構示意圖；
圖2爲本公開實施例一提供的一種陣列基板的結構的一側視圖；
圖3爲本公開實施例一提供的一種陣列基板的結構的另一側視圖；
圖4爲本公開實施例一提供的一種陣列基板的結構的俯視圖；
圖5爲本公開實施例二提供的一種陣列基板的結構示意圖；
圖6爲本公開實施例二提供的另一種陣列基板的結構示意圖；
圖7爲本公開實施例三提供的一種陣列基板的製造方法的流程示意圖；
圖8爲本公開實施例四提供的一種陣列基板的製造方法的流程示意圖；
圖9爲本公開實施例四提供的另一種陣列基板的製造方法的流程示意圖。
通過上述附圖，已示出本公開明確的實施例，後文中將有更詳細的描述。這些附圖以及文字描述並不是爲了通過任何方式限制本公開構思的範圍，而是通過參考特定實施例爲本領域技術人員說明本公開的概念。
20：柔性基底基板
21：阻隔層
22：布線層
221：金屬線
Claims (7)
- 一種陣列基板，包括：柔性基底基板，所述柔性基底基板具有顯示區以及彎折區；阻隔層，連續的鋪設在所述柔性基底基板上，其中位於所述彎折區上方的所述阻隔層的厚度小於位於所述顯示區上方的所述阻隔層的厚度的一半；以及布線層，直接鋪設在位於所述彎折區的阻隔層上方，其中位於所述彎折區上方的所述阻隔層包括多個帶狀凹陷，相鄰的兩個所述帶狀凹陷之間形成凸起結構；所述布線層包括若干個信號傳輸線，所述帶狀凹陷沿著所述信號傳輸線的延伸方向設置，所述信號傳輸線布設在所述凸起結構的頂部，其中所述帶狀凹陷為穿透所述阻隔層的貫穿槽，且所述帶狀凹陷相對隔離設置。
- 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板，其中位於所述彎折區上方的所述阻隔層的厚度小於位於所述顯示區上方的所述阻隔層的厚度的四分之一。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的陣列基板，其中位於所述顯示區上方的所述阻隔層包括由所述柔性基底基板的表面向上依次疊置的第一阻隔層以及第二阻隔層；所述第二阻隔層的材料與所述第一阻隔層的材料不同。
- 如申請專利範圍第3項所述的陣列基板，其中，所述第一阻隔層的材料為氮化矽，所述第二阻隔層的材料為氧化矽。
- 一種顯示面板，包括申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的陣列基板。
- 一種陣列基板的製造方法，包括：提供具有顯示區以及彎折區的柔性基底基板；在所述柔性基底基板上連續鋪設阻隔層；在厚度上至少部分地去除位於所述彎折區上方的所述阻隔層，使位於所述彎折區上方的所述阻隔層的厚度小於位於所述顯示區上方的所述阻隔層的厚度的一半；以及在位於所述彎折區的所述阻隔層上方鋪設金屬膜，並對所述金屬膜進行圖案化處理，以形成布線層，其中所述布線層包括若干個信號傳輸線；對所述金屬膜進行圖案化處理以形成布線層之後，還包括：對位於所述彎折區的相鄰信號傳輸線之間的所述阻隔層進行刻蝕，以去除位於所述彎折區的相鄰信號傳輸線之間的所述阻隔層。
- 如申請專利範圍第6項所述的陣列基板的製造方法，其中所述阻隔層包括：依次層疊設置的第一阻隔層以及第二阻隔層；其中所述第一阻隔層的材料與所述第二阻隔層的材料為不同材料；在厚度上至少部分地去除位於所述彎折區上方的所述阻隔層，使位於所述彎折區上方的所述阻隔層的厚度小於位於所述顯示區上方的所述阻隔層的厚度的一半的步驟包括： 去除位於所述彎折區的所述第二阻隔層。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811075874.8 | 2018-09-14 | ||
| CN201811075874.8A CN109378325B (zh) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202011590A TW202011590A (zh) | 2020-03-16 |
| TWI689089B true TWI689089B (zh) | 2020-03-21 |
Family
ID=65404803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108103951A TWI689089B (zh) | 2018-09-14 | 2019-01-31 | 陣列基板、顯示面板及陣列基板的製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11189683B2 (zh) |
| CN (1) | CN109378325B (zh) |
| TW (1) | TWI689089B (zh) |
| WO (1) | WO2020052193A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109378325B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-06-16 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
| CN109637369A (zh) | 2019-01-08 | 2019-04-16 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
| CN110444116B (zh) | 2019-07-16 | 2021-07-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性基板及其制备方法 |
| CN110379937B (zh) * | 2019-07-25 | 2021-12-14 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
| CN111146342A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-05-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性衬底基板、显示面板及显示装置 |
| CN111627330B (zh) * | 2020-05-11 | 2022-04-01 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组、电子设备以及显示屏组件 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449695A (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-22 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
| CN107425016A (zh) * | 2016-05-23 | 2017-12-01 | 株式会社日本显示器 | 有机el显示装置及液晶显示装置 |
| US9893094B2 (en) * | 2001-08-10 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TW201807461A (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 背光系統及其製造方法 |
| US9954110B2 (en) * | 2011-05-13 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| US20180138215A1 (en) * | 2001-11-13 | 2018-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| CN108054188A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
| TW201820603A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-06-01 | 樂金顯示科技股份有限公司 | 一種顯示裝置 |
| JP2018125541A (ja) * | 2001-12-28 | 2018-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| CN108461648A (zh) * | 2018-03-07 | 2018-08-28 | 云谷（固安）科技有限公司 | 薄膜封装体及显示面板 |
| CN108511493A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-09-07 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140097940A (ko) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 실리콘 산화물과 실리콘 질화물을 포함하는 배리어층을 구비한 ｔｆｔ기판, 상기 ｔｆｔ 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 상기 tft 기판의 제조 방법 |
| US9472507B2 (en) * | 2013-06-17 | 2016-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Array substrate and organic light-emitting display including the same |
| CN108022942B (zh) | 2016-10-31 | 2020-06-30 | 上海和辉光电有限公司 | 一种阵列基板和有机发光显示面板 |
| CN108400138B (zh) * | 2016-12-28 | 2020-11-03 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板、显示装置和柔性显示面板的制作方法 |
| CN106653820B (zh) * | 2017-03-08 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板及制作方法、柔性显示装置 |
| CN108336099B (zh) * | 2018-03-28 | 2021-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN109378325B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-06-16 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
-
2018
- 2018-09-14 CN CN201811075874.8A patent/CN109378325B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-30 WO PCT/CN2019/074027 patent/WO2020052193A1/zh active Application Filing
- 2019-01-31 TW TW108103951A patent/TWI689089B/zh active
-
2020
- 2020-05-28 US US16/885,738 patent/US11189683B2/en active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9893094B2 (en) * | 2001-08-10 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US20180138215A1 (en) * | 2001-11-13 | 2018-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| JP2018125541A (ja) * | 2001-12-28 | 2018-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9954110B2 (en) * | 2011-05-13 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
| CN106449695A (zh) * | 2015-08-06 | 2017-02-22 | 三星显示有限公司 | 柔性显示装置 |
| CN107425016A (zh) * | 2016-05-23 | 2017-12-01 | 株式会社日本显示器 | 有机el显示装置及液晶显示装置 |
| TW201807461A (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 背光系統及其製造方法 |
| TW201820603A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-06-01 | 樂金顯示科技股份有限公司 | 一種顯示裝置 |
| CN108054188A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-05-18 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置 |
| CN108461648A (zh) * | 2018-03-07 | 2018-08-28 | 云谷（固安）科技有限公司 | 薄膜封装体及显示面板 |
| CN108511493A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-09-07 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202011590A (zh) | 2020-03-16 |
| CN109378325B (zh) | 2020-06-16 |
| US11189683B2 (en) | 2021-11-30 |
| US20200295115A1 (en) | 2020-09-17 |
| WO2020052193A1 (zh) | 2020-03-19 |
| CN109378325A (zh) | 2019-02-22 |
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