CN109378325A - 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，通过使得阵列基板中位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半的方式，使得阻隔层在应力作用下的延展性得到提升，使其不易因应力集中在阻隔层内而导致阻隔层出现断裂，进而避免了弯折区布线层的断裂，提高柔性显示面板的折弯性能。

Description

阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法

技术领域

本发明涉及柔性显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,简称AMOLED)是一种自发光显示器件，其自身具备的薄膜特性使其在柔性显示技术中得到广泛运用。

一般来说，为了使柔性显示面板具备弯曲功能，柔性显示面板可按照预设的布局被划分弯曲区和显示区，以分别实现其弯曲功能和显示功能。图1为现有的柔性显示面板中的阵列基板在弯曲区的结构示意图，如图1所示，阵列基板在弯折区包括有依次层叠设置柔性衬底基板110、阻隔层120和金属布线层140，其中，阻隔层120的背离柔性衬底基板110的一面上具有多个凸起结构130；金属步线层140中包括有至少两条金属线141，该金属线141随着凸起结构130爬坡延伸。在现有的这种方案中利用阻隔层120中凸起结构130的设置，拓展阵列基板的延展性，进而实现柔性显示面板的局部弯曲功能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，用于优化柔性显示面板的弯曲效果。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括：

柔性衬底基板，所述柔性衬底基板具有显示区和弯折区；

阻隔层，连续的铺设在所述柔性衬底基板上，其中位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半；

布线层，直接铺设在位于所述弯折区的阻隔层上方。

在其中一种可选的实施方式中，所述位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的四分之一，优选的所述阻隔层的厚度小于等于120nm。

在其中一种可选的实施方式中，位于所述弯折区上方的阻隔层包括多个带状凹陷，相邻的两个所述带状凹陷之间形成凸起结构；所述布线层包括若干个信号传输线，所述带状凹陷沿着信号传输线的延伸方向设置，所述信号传输线布设在所述凸起结构的顶部。

在其中一种可选的实施方式中，位于所述弯折区上方的阻隔层中带状凹陷部分的厚度小于30nm。

在其中一种可选的实施方式中，所述带状凹陷为穿透所述阻隔层的贯穿槽，且所述带状凹陷相对隔离设置。

在其中一种可选的实施方式中，位于显示区上方的阻隔层包括由柔性衬底基板表面向上依次叠置的第一阻隔层和第二阻隔层；所述第二阻隔层的材料与第一阻隔层的材料不同；

优选所述第一阻隔层的材料为氮化硅，所述第二阻隔层的材料为氧化硅；

优选位于弯折区上方的阻隔层的材料与所述第一阻隔层的材料相同。

又一方面，本发明提供了一种显示面板，所述显示面板包括如上任一项所述的阵列基板。

在其中一种可选的实施方式中，所述阵列基板包括显示区和弯折区，所述弯折区位于所述显示区的一侧短边的外部，优选所述弯折区弯折至所述显示区的背面。

在其中一种可选的实施方式中，所述阵列基板包括至少两个显示区和至少一个弯折区，所述弯折区位于相邻两个显示区之间。

最后一方面，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

提供一具有显示区和弯折区的柔性衬底基板；

在所述柔性衬底基板上连续铺设阻隔层；

在厚度上至少部分地去除位于所述弯折区上方的阻隔层，使位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半；

在位于所述弯折区的阻隔层上方铺设金属膜，并对所述金属膜进行图案化处理，以形成布线层。

在其中一种可选的实施方式中，所述布线层包括若干个信号传输线；

所述对所述金属膜进行图案化处理，以形成布线层之后，还包括：

对位于所述弯折区的相邻信号传输线之间的第二阻隔层进行刻蚀，以去除位于所述弯折区的相邻信号传输线之间的第二阻隔层。

在其中一种可选的实施方式中，所述阻隔层包括：依次层叠设置的第一阻隔层和第二阻隔层；其中所述第一阻隔层的材料与所述第二阻隔层的材料为不同材料；

在厚度上至少部分地去除位于所述弯折区上方的阻隔层，使位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半的步骤包括：

去除位于所述弯折区的第二阻隔层。

在其中一种可选的实施方式中，所述对所述金属膜进行图案化处理，以形成布线层，包括：

利用刻蚀工艺，对位于所述弯折区的金属膜和第一阻隔层进行刻蚀，以使所述金属膜中形成包括若干信号传输线的图案，且使被刻蚀后的第一阻隔层的厚度小于等于30纳米。

本发明提供的阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，通过使得阵列基板中位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半的方式，以使得阻隔层在应力作用下的延展性得到提升，使其不易因应力集中在阻隔层内而导致阻隔层出现断裂，进而避免了弯折区金属布线层的断裂，提高柔性显示面板的折弯性能。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1为现有的柔性显示面板中的阵列基板在弯曲区的结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构的侧视图；

图3为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构的侧视图；

图4为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构的俯视图；

图5为本实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图；

图6为本实施例二提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图7为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法的流程示意图；

图8为本发明实施例四提供的一种阵列基板的制造方法的流程示意图；

图9为本发明实施例四提供的另一种阵列基板的制造方法的流程示意图。

通过上述附图，已示出本公开明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开的概念。

附图标记：

110-柔性衬底基板； 120-阻隔层； 130-凸起结构

140-金属布线层； 141-金属线； A-显示区；

B-弯折区； 20-柔性衬底基板； 21-阻隔层；

22-布线层； 221-金属线； 23-凸起结构；

24-带状凹陷； 25-贯穿槽。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,简称AMOLED)是一种自发光显示器件，其自身具备的薄膜特性使其在柔性显示技术中得到广泛运用。一般来说，为了使柔性显示面板具备弯折功能，柔性显示面板可按照预设的布局被划分弯折区和显示区，以分别实现其弯折功能和显示功能。

如前所述的，图1为现有的柔性显示面板中的阵列基板在弯曲区的结构示意图，现有的柔性衬底基板110和金属布线层140之间的阻隔层120的厚度较大，当阵列基板的弯曲区发生弯曲时，一方面厚度较大的阻隔层120限制了弯折区的弯折角度，另一方面，弯折时产生的应力集中在阻隔层120，过厚的阻隔层120无法将应力进行有效分散，从而其自身容易发生断裂，进而导致金属布线层140的断裂，影响柔性显示面板的折弯性能。

针对该现象，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法，在阵列基板中，采用了位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半的结构，以使弯折区内的布线层与柔性衬底基板之间的膜层厚度得到明显降低，当阵列基板的弯折区发生弯折时，一方面有效增大了阵列基板的弯折角度，另一方面，也使得阻隔层在应力作用下的延展性得到提升，使其不易因应力集中在阻隔层内而导致阻隔层出现断裂，进而避免了弯折区布线层的断裂，提高柔性显示面板的折弯性能。

下面以具体地实施例对本发明的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面的这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本发明的实施例进行描述。

本发明实施例所述的柔性的显示面板可为应用于仅具备显示功能的显示器上，也可应用于提供操作交互功能的智能终端设备上，本发明实施例对其存在的形态也不进行任何限制。

为了解决现有技术中存在的由于布线层与柔性衬底基板之间的膜层厚度较大，弯曲时容易导致布线层的断裂的问题，图2为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构的侧视图；图3为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构的侧视图；图4为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构的俯视图。

如图2至图4所示，在该阵列基板中包括有依次设置的柔性衬底基板20、阻隔层21和布线层22；其中，柔性衬底基板20具有显示区和弯折区；阻隔层21连续的铺设在柔性衬底基板20上，其中位于弯折区上方的阻隔层21的厚度小于位于显示区上方阻隔层21厚度的一半；布线层22直接铺设在位于弯折区的阻隔层21上方。

本领域技术人员可以理解的是，阵列基板包括显示区A和弯折区B，其中的显示区A与显示面板的显示区相应，弯折区B与显示面板的弯折区相应。相应的，在本实施方式中，柔性衬底基板需要按照预设布局被划分为显示区和弯折区，在显示区可生长AMOLED中的有机发光层等用于显示发光的材料以及用于为有机发光层提供电功能的薄膜晶体管结构；而在弯折区则可布设金属线以为显示区内相应的膜层结构传递电信号。

其中，弯折区B可布设在显示区A的一侧，采用这样的布局的阵列基板可运用于具备弯折边缘的显示面板上，即显示面板的边缘对应阵列基板的弯折区B，而柔性显示面板的中心显示部分则对应的阵列基板的显示区A。当然，弯折区B还可与显示区A间隔设置，如显示区A布设在弯折区B的双侧，采用这样的布局的阵列基板可运用于具备双屏折叠功能的显示面板上甚至全屏蜷曲功能的显示面板上，即显示面板通过间隔设置的弯折区B以进行弯折，并使得显示面板整体发生弯折。需要说明的是，本发明实施例对显示区A和弯折区B的布局不进行限制，对其阵列基板所基于的显示面板的形态也不进行限制。

在本实施方式中，阻隔层21是连续的铺设在所述柔性衬底基板20上的，其中位于弯折区上方的阻隔层21的厚度小于位于显示区上方阻隔层21厚度的一半。一般来说，在现有的柔性衬底基板上的阻隔层21是由氧化硅制成的，其厚度一般为500-1000纳米(nm)，例如600nm左右；在本实施方式中，位于弯折区上方的阻隔层21的厚度小于位于显示区上方阻隔层21厚度的一半。而在该在阻隔层21背离柔性衬底基板20的一侧，将铺设有包括若干金属线221的布线层22。其中的各金属线221的延伸方向通常平行于呈现阵列排布的像素单元的行方向或列方向。

通过采用在阵列基板中位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半，以使弯折区内的布线层与柔性衬底基板之间的膜层厚度得到明显降低的结构，以使当阵列基板的弯折区发生弯折时，阻隔层在应力作用下的延展性得到提升，使其不易因应力集中在阻隔层内而导致阻隔层出现断裂，进而避免了弯折区金属布线层的断裂，提高柔性显示面板的折弯性能。

在本实施方式中，依照制造工艺的不同，阻隔层21具体采用氮化硅、非晶硅或氧化硅中的一种或多种。

优选的，所述位于弯折区上方的阻隔层21的厚度小于位于显示区上方阻隔层21厚度的四分之一，更优地所述阻隔层21的厚度小于等于120nm，例如为50-100nm。通过使得进一步降低位于弯折区上方的阻隔层21的厚度，从而能够有效增加弯折区能够获得的最大弯折角度，进一步提高其弯折性能，与现有的结构相比本申请能够实现弯折区的大角度甚至180度的弯折。

优选的，位于显示区上方的阻隔层包括由柔性衬底基板表面向上依次叠置的第一阻隔层和第二阻隔层；其中所述第一阻隔层的材料与所述第二阻隔层的材料为不同材料，优选所述第二阻隔层材料与第一阻隔层材料不同；在弯折区上方的阻隔层可以是通过刻蚀形成的，利用第一阻挡层和第二阻挡层的材料不同，两者的谱图中的峰值也不同；在刻蚀处理过程中，通过监控谱图中材料峰值的变化，能够快速、准确的控制刻蚀终止节点，进而可以合理控制位于弯折区上方的阻挡层的厚度。例如，可采用氮化硅作为第一阻隔层，采用氧化硅作为第二阻隔层；优选的，第一阻隔层的厚度为50-100纳米，而第二阻隔层的厚度可不小于300纳米，以保证显示区不会收到外界元素侵蚀。

此外，将位于显示区上方的阻隔层制作为复合结构层，特别是其中一层采用氮化硅层，能够有效保护显示区内的发光器件或发光材料层，以避免受到水汽或氧气的侵蚀。当然，在其他实施方式中，该阻隔层并不局限于两层结构，其还可以为氧化硅-氮化硅-氧化硅的三层结构。

需要说明的是，本实施方式中柔性衬底基板可以是单一层结构，也可以是复合层结构，在单一层结构时，可以采用聚酰亚胺，在复合层结构时可以采用聚酰亚胺-阻隔层-聚酰亚胺的结构，其中阻隔层可以为氮化硅、非晶硅或氧化硅。

需要说明的是，本实施方式的布线层22中的各金属线221具体可采用具备通孔结构的线性结构，即在每一根金属线221上，沿金属线221的延伸方向均匀设置有相同尺寸的通孔结构，且通孔结构的孔的轴向与布线层22所在的平面垂直。通过采用这样的结构，从而进一步降低在弯折区发生弯折时，应力对布线层22中的各金属线221的影响，避免因应力集中在布线层22时所带来的金属线221的断裂。

可知的是，本实施例提供的金属线221具体可用于为显示面板的显示区提供电信号或数字信号的信号传输线。

在图2-图4所示结构的基础上，实施例二提供了另一种阵列基板。其中与实施例一类似的是，在该阵列基板中包括有依次设置的柔性衬底基板、阻隔层和布线层；其中，柔性衬底基板具有显示区和弯折区；阻隔层连续的铺设在柔性衬底基板上，其中位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半；布线层直接铺设在位于弯折区的阻隔层上方。

与实施例一不同的是，在本实施例二中，阵列基板中位于弯折区上方的阻隔层包括多个带状凹陷，相邻的两个所述带状凹陷之间形成凸起结构；所述布线层包括若干个信号传输线，所述带状凹陷沿着信号传输线的延伸方向设置，所述信号传输线布设在所述凸起结构的顶部，在该结构中带状凹陷隔离相邻的信号传输线。

在实施例二中，通过将位于弯折区上方的阻隔层设置为由多个带状凹陷和相邻的两个带状凹陷之间形成凸起结构所组成的不平整结构，从而使得在弯折区的阻隔层的平均厚度进一步降低。需要说明的是，该带状凹陷可以是在成型金属线的过程中同步形成的，也可以是在成型金属线后采用额外的工艺形成的。

具体来说，图5为本实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图，如图5所示，在该阵列基板中，阻隔层21中带状凹陷24的厚度小于30纳米(nm)。

在本实施方式中，将位于弯折区上方的阻隔层21设置为由多个带状凹陷24和相邻的两个带状凹陷24之间形成凸起结构23所组成的不平整结构，有利于优化这部分阻隔层21的延展性，有利于弯折应力的疏散。

具体来说，图6为本实施例二提供的另一种阵列基板的结构示意图，如图6所示，在该阵列基板中，所述带状凹陷24为穿透所述阻隔层21的贯穿槽25，带状凹陷24相对隔离设置，相应地凸起结构23相对隔离设置。与前述各实施方式不同的是，在图6所示结构中，阻隔层21具体采用相对隔离设置的凸起结构23，而相应的，布线层22上的各金属线221可分别设置在每一凸起结构23的顶部。在该实施方式下，相邻的带状凸起23之间的柔性衬底基板20将暴露出来，与阵列基板中的其他膜层结构接触。

在本实施方式中，每一凸起结构均为隔离设置的，因此，相对与前述各实施方式以及现有技术来说，一旦出现任一凸起结构在弯折线方向，出现断裂，即垂直与带状凸起的延伸方向出现断裂，该断裂不会传导至其他带状凸起中，进而降低断裂对其他金属线的损坏，避免阵列基板的整板损坏。

本实施例通过采用了不同结构的阻隔层的设置，从而进一步提高了阵列基板在弯折区的弯折性能，避免金属布线层的断裂。

本发明还提供了一种显示面板，该显示面板具体包括有前述任一实施方式所述的阵列基板。

其中，如前述实施例所述的，显示面板中的阵列基板包括显示区和弯折区，所述弯折区位于所述显示区的一侧短边的外部，优选所述弯折区弯折至所述显示区的背面，通过采用这样的设置方式，从而使得显示面板的弯折区沿所述短边弯折，且弯折线与该短边平行。在这种结构中，通过将弯折区弯折至所述显示区的背面，有利于实现全面屏的设置。

此外，显示面板包括至少两个显示区和至少一个弯折区，所述弯折区位于相邻两个显示区之间。通过采用这样的设置方式，从而使得显示面板的弯折区沿所述弯折区和显示区之间的分界线弯折，即弯折线与该分界线平行，进而使得弯折区两侧的显示区组成可180度弯折全屏显示区。

此外，本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，图7为本发明实施例三提供的阵列基板的制造方法的流程示意图。如图7所示，该方法包括：

步骤101、提供一具有显示区和弯折区的柔性衬底基板；

步骤102、在柔性衬底基板上连续铺设阻隔层；

步骤103、在厚度上至少部分地去除位于弯折区的阻隔层，使位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半；

步骤104、在位于弯折区的阻隔层上方铺设金属膜，并对金属膜进行图案化处理，以形成布线层。

其中，该布线层可包括若干个信号传输线，其中，各信号传输线垂直于显示区和弯折区的分界线设置。

通过采用去除位于弯折区的阻隔层的方式，从而使得位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半，以使弯折区内的布线层与柔性衬底基板之间的膜层厚度得到明显降低，如此设计，当阵列基板的弯折区发生弯折时，一方面有效增大了弯折半径，另一方面，也使得阻隔层在应力作用下的延展性得到提升，使其不易因应力集中在阻隔层内而导致阻隔层出现断裂，进而避免了弯折区布线层的断裂，提高柔性显示面板的折弯性能。

具体来说，针对于不同膜层构成的阵列基板，本发明提供了两种具体的阵列基板的制造方法：

为了解决现有技术中存在的由于弯折区内的布线层与柔性衬底基板之间的膜层厚度较大，弯折时容易导致金属线层的断裂的问题，图8为本发明实施例四提供的一种阵列基板的制造方法的流程示意图，如图8所示，该方法包括：

步骤201、提供一具有显示区和弯折区的柔性衬底基板；

步骤202、在柔性衬底基板上依次层叠设置的阻隔层、缓冲层和无机物层，其中，阻隔层与柔性衬底基板接触；

步骤203、去除位于弯折区的无机物层，并对位于显示区的无机物层进行图像化处理；

步骤204、去除位于弯折区内的缓冲层和部分厚度的阻隔层；

步骤205、在显示区的图像化处理后的无机物层上以及在弯折区的留下的阻隔层上形成金属膜；

步骤206、通过构图工艺在金属膜中形成包括金属线的图案。

具体来说，在实施例一提供的阵列基板的制造方法中，首先提供一具有显示区和弯折区的柔性衬底基板，其中柔性衬底基板可采用聚酰亚胺衬底，也可采用其他材质衬底，如聚碳酸酯等。

此外，柔性衬底基板需要按照预设布局被划分为显示区和弯折区，在显示区可生长AMOLED中的有机发光层等用于显示发光的材料，而在弯折区则可布设金属线以为显示区传递电信号。其中，弯折区可布设在显示区的一侧，采用这样的布局的阵列基板可运用于具备弯折边缘的显示面板上，即显示面板的边缘对应阵列基板的弯折区，而柔性显示面板的中心显示部分则对应的阵列基板的显示区。当然，弯折区B还可与显示区间隔设置，如显示区布设在弯折区的双侧，采用这样的布局的阵列基板可运用于具备双屏折叠功能的显示面板上甚至全屏蜷曲功能的显示面板上，即显示面板通过间隔设置的弯折区以进行弯折，并使得显示面板整体发生弯折。需要说明的是，本发明实施例对显示区和弯折区的布局不进行限制，对其阵列基板所基于的柔性显示面板的形态也不进行限制。

在柔性衬底基板上依次层叠设置有第二阻隔层、缓冲层和无机物层，其中，第二阻隔层与柔性衬底基板接触，即阻隔层位于底部与柔性衬底基板接触，无机物层位于顶部，远离柔性衬底基板。阻隔层可由氧化硅制成，其厚度一般为600纳米；无机物层包括栅极绝缘层、电容绝缘层和层间介电层,当然，随着产品形态的不同，无机物层的层级结构也会相应变化，本发明实施例对此不进行限制。

采用刻蚀工艺，去除位于弯折区的无机物层，并对位于显示区的无机物层进行图像化处理。具体来说，在步骤203中，需要对位于弯折区的无机物层和对位于显示区的无机物层进行处理，其中，对弯折区的无机物层进行刻蚀处理，以去除到弯折区内全部的无机物层；对显示区的无机物层进行图像化处理，以便于后续制作有机生长层。

在步骤203之后，为了进一步降低弯折区布线层与柔性衬底基板之间的膜层厚度，在步骤204中，采用了去除位于弯折区内的缓冲层和部分厚度的第二阻隔层的方式。具体来说，一般的第二阻隔层的厚度为600纳米，在本实施方式中，可通过刻蚀工艺，将弯折区内的缓冲层和部分厚度的第二阻隔层进行去除，以保留一定厚度的第二阻隔层，其中该保留的第二阻隔层的厚度需小于位于显示区的阻隔层的厚度的一半。优选的，保留的阻隔层的厚度需小于位于显示区的阻隔层的厚度的四分之一。优选的，阻隔层的保留厚度可小于120纳米。

在步骤204之后，还通过金属成膜工艺，在显示区的图像化处理后的无机物层上以及在弯折区的留下的第二阻隔层上形成金属膜。最后，通过构图工艺在金属膜中形成包括金属线的图案，从而完成包括金属线的图案如图2至图6所示的阵列基板。

特别说明的，如结构实施例所述的，为了进一步降低整板阵列基板的弯折区的金属线断裂风险，在通过构图工艺在金属膜中形成包括金属线的图案之后，还可包括对位于弯折区的相邻金属线之间的第二阻隔层进行刻蚀，以去除位于弯折区的相邻金属线之间的第二阻隔层，即第二阻隔层由相对隔离的若干带状凹陷和若干带状凸起构成。采用此步骤，使位于弯折区的第二阻隔层仅保留位于金属线下方的第二阻隔层，位于金属线之间的第二阻隔层被去除，使得弯折区留下的第二阻隔层相互间隔，不再为一整体，一旦出现任一带状凸起在弯折线方向，即垂直与带状凸起的延伸方向，出现断裂，该断裂不会传导至其他带状凸起中，进而降低断裂对其他金属线的损坏，避免阵列基板的整板损坏。

此外，需要说明的是，前述制造方法中的阻隔层可为由氧化硅层组成的单层结构，也可为由氮化硅层和氧化硅层组成的复合结构层，依据其结构组成的不同，其制造方法会有相应改进，如下提供了一种阻隔层由复合结构层组成时的阵列基板的制造方法，图9为本发明实施例四提供的另一种阵列基板的制造方法的流程示意图，如图9所示，该制造方法包括：

步骤301、提供一具有显示区和弯折区的柔性衬底基板；

步骤302、在柔性衬底基板上依次层叠设置的第一阻隔层、第二阻隔层、缓冲层和无机物层，其中，第一阻隔层与柔性衬底基板接触；

步骤303、去除位于弯折区的无机物层，并对位于显示区的无机物层进行图像化处理；

步骤304、去除位于弯折区内的缓冲层和第二阻隔层；

步骤305、在显示区图像化处理后的无机物层上以及在弯折区的第一阻隔层上形成金属膜；

步骤306、通过构图工艺在所述金属膜中形成包括金属线的图案。

具体来说，在该阵列基板的制造方法中，如前述方法不同的是，在所述柔性衬底基板上依次层叠设置有第一阻隔层、第二阻隔层、缓冲层和无机物层，其中，所述一阻隔层与所述柔性衬底基板接触，即第一阻隔层位于底层与柔性衬底基板接触，无机物层位于顶层，远离柔性衬底基板。

其中，可选的，所述第一阻隔层由非晶硅制成，更优的，所述第一阻隔层由氮化硅制成。在本实施方式中，优选的，在弯折区和显示区的所述柔性衬底基板上形成的第一阻隔层的厚度小于50纳米，而第二阻隔层在弯折区的厚度大于300纳米。

特别的，由于该设置有由非晶硅制成的或由氮化硅制成的第一阻隔层在步骤306的刻蚀过程中，当利用非晶硅特别是氮化硅材料时，由于刻蚀金属层和刻蚀第一阻隔层时存在一定的速率差，在完成金属刻蚀的同时还可完成对第一阻隔层的刻蚀，且可利用精准刻蚀技术，以对刻蚀腔内的硅元素进行检测，进而避免刻蚀到柔性衬底基板的有机层，也避免了刻蚀对刻蚀室的污染，刻蚀后的弯折区的第一阻隔层的厚度将小于等于30纳米。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

柔性衬底基板，所述柔性衬底基板具有显示区和弯折区；

阻隔层，连续的铺设在所述柔性衬底基板上，其中位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半；

布线层，直接铺设在位于所述弯折区的阻隔层上方。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的四分之一，优选的所述阻隔层的厚度小于等于120nm。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述弯折区上方的阻隔层包括多个带状凹陷，相邻的两个所述带状凹陷之间形成凸起结构；所述布线层包括若干个信号传输线，所述带状凹陷沿着信号传输线的延伸方向设置，所述信号传输线布设在所述凸起结构的顶部。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，位于所述弯折区上方的阻隔层中带状凹陷部分的厚度小于30nm。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述带状凹陷为穿透所述阻隔层的贯穿槽，且所述带状凹陷相对隔离设置。

6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，位于显示区上方的阻隔层包括由柔性衬底基板表面向上依次叠置的第一阻隔层和第二阻隔层；所述第二阻隔层的材料与第一阻隔层的材料不同；

优选所述第一阻隔层的材料为氮化硅，所述第二阻隔层的材料为氧化硅；

优选位于弯折区上方的阻隔层的材料与所述第一阻隔层的材料相同。

7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至6中任一项所述的阵列基板。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和弯折区，所述弯折区位于所述显示区的一侧短边的外部，优选所述弯折区弯折至所述显示区的背面。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括至少两个显示区和至少一个弯折区，所述弯折区位于相邻两个显示区之间。

10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一具有显示区和弯折区的柔性衬底基板；

在所述柔性衬底基板上连续铺设阻隔层；

在厚度上至少部分地去除位于所述弯折区上方的阻隔层，使位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半；

在位于所述弯折区的阻隔层上方铺设金属膜，并对所述金属膜进行图案化处理，以形成布线层。

11.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述布线层包括若干个信号传输线；

所述对所述金属膜进行图案化处理，以形成布线层之后，还包括：

对位于所述弯折区的相邻信号传输线之间的第二阻隔层进行刻蚀，以去除位于所述弯折区的相邻信号传输线之间的第二阻隔层。

12.根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阻隔层包括：依次层叠设置的第一阻隔层和第二阻隔层；其中所述第一阻隔层的材料与所述第二阻隔层的材料为不同材料；

在厚度上至少部分地去除位于所述弯折区上方的阻隔层，使位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半的步骤包括：

去除位于所述弯折区的第二阻隔层。

13.根据权利要求12所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述对所述金属膜进行图案化处理，以形成布线层，包括：

利用刻蚀工艺，对位于所述弯折区的金属膜和第一阻隔层进行刻蚀，以使所述金属膜中形成包括若干信号传输线的图案，且使被刻蚀后的第一阻隔层的厚度小于等于30纳米。