TWI681065B - 薄膜形成裝置 - Google Patents

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Abstract

以低成本來提供一種量產性為高之薄膜形成裝置。
在成膜室(11)之內部,配置由旋轉台所成之旋轉裝置(21),並在對位場所(16)上,進行成膜對象物(5a、5b)之對位,之後,在被設置於旋轉裝置(21)處之基板支持器(34a、34b)上,配置被進行了與遮罩(4a、4b)間之對位的成膜對象物(5a、5b),並使旋轉裝置(21)旋轉,而使該些移動至成膜場所(15)上。接著,一面放出成膜材料之微粒子,一面使成膜源(22)移動,而在成膜場所(15)上之成膜對象物(5a、5b)處形成薄膜。此時,係能夠在對位場所(16)上配置未成膜之成膜對象物(5a、5b)並進行對位。故而,在本薄膜形成裝置(10)中,成膜源(22)和在對位中所需要之裝置,係僅需要1台即可。

Description

薄膜形成裝置
本發明,係有關於薄膜形成裝置之技術領域,特別是有關於以良好效率來形成薄膜之薄膜形成裝置。
當在玻璃基板等之大型的成膜對象物上形成成膜材料之薄膜時,係廣泛利用有下述之技術:亦即是,將成膜對象物配置在真空室內,並一面從成膜源而將成膜材料之蒸氣等的微粒子放出,一面使其移動至與成膜對象物相對向之位置處,而使微粒子附著於成膜對象物之表面上。
圖6之元件符號110,係為該技術之薄膜形成裝置,並在搬送室112之周圍,配置有2台的成膜室111a、111b和複數台的真空室113,各室111a、111b、113,係被與搬送室112作連接。
在2台的成膜室111a、111b之內部,係分別 被配置有基板支持器121,在基板支持器121之上方,係被配置有攝像機等之攝像裝置135,於下方,係被配置有成膜源122。
成膜源122,係被安裝於成膜源移動裝置131處,若是成膜源移動裝置131動作,則成膜源122,係在基板支持器121之下方位置處而於水平方向上被作往返移動。
在搬送室112之內部,係被配置有由基板搬送機器人所成之基板移動裝置125。圖6(b)之元件符號105a,係代表藉由基板移動裝置125而被搬入至成膜室111a之內部並被配置在基板支持器121上的成膜對象物。
在此成膜對象物105a被搬入至成膜室111a內時,於被配置在基板支持器121上之前,係於成膜室111a之內部而被配置在對位裝置(未圖示)處,並在此狀態下,藉由攝像裝置135來對於成膜對象物105a之對位記號和基板支持器121之對位記號進行攝像,攝像結果,係被輸出至控制裝置136處,成膜對象物105a和基板支持器121之間的位置誤差係被檢測出來,成膜對象物105a,係藉由控制裝置136,而以使位置誤差縮小的方式來移動,並在位置誤差縮小了的狀態下,被配置在基板支持器121上。
在基板支持器121上,係被設置有貫通孔,被配置在基板支持器121上之成膜對象物105a的表面,係露出於貫通孔之底面。
在成膜源122之表面中的與成膜對象物105a相對面的部份處,係被設置有複數個的放出孔123,若是一面從放出孔123而放出成膜材料之微粒子,一面藉由成膜源移動裝置131來使成膜源122移動,則微粒子係到達成膜對象物105a之露出於貫通孔底面處的表面上並附著,薄膜係成長。
在圖6(b)中,當在其中一方之成膜室111a的內部而正於成膜對象物105a之表面上形成薄膜的期間中,於另外一方之成膜室111b的內部,被載置於基板移動裝置125上之成膜對象物105b係被搬入。
如此這般,在圖6(a)、(b)之薄膜形成裝置110中,當在其中一方之成膜室111a的內部而正於成膜對象物105a之表面上形成薄膜的期間中,由於係能夠對於另外一方之成膜室111b的內部而搬入未成膜之成膜對象物105b,並進行成膜對象物105b之對位,因此,對於成膜對象物105a、105b之成膜工程係並不會被中斷。
然而,在此薄膜形成裝置110中,雖然係以2台的成膜室111a、111b來共有1台的基板移動裝置125,但是,在2台的成膜室111a、111b之內部,係分別被配置有成膜源122和成膜源移動裝置131,而並不會成為低成本。
在圖7(a)之薄膜形成裝置210中,係於搬送室212之周圍,連接有1台的成膜室211和複數之真空室214,在該1台的成膜室211之內部,係被配置有2台 的基板支持器221a、221b。
成膜源移動裝置231,係涵蓋其中一方之基板支持器221a的下方位置和另外一方之基板支持器221b的下方位置地而被作配置,1台的成膜源222若是藉由成膜源移動裝置231而被作移動,則係能夠一面與2台之基板支持器221a、221b之其中一者相對面一面作移動。
故而,如同該圖(b)中所示一般,在其中一方之基板支持器221a上配置成膜對象物205a,並在該成膜對象物205a之下方位置處,一面從放出孔223而放出成膜材料之微粒子,一面使成膜源222與成膜對象物205a相對面而移動,在使薄膜成長的期間中,係能夠於被配置在搬送室212內之基板移動裝置225上載置未成膜之成膜對象物205b,並搬入至成膜室211內,而進行與另外一方之基板支持器221b之間的對位。
然而,在此薄膜形成裝置210中,雖然能夠將成膜源222設為1台,但是,在各基板支持器221a、221b上,係需要分別配置攝像裝置235和對位移動裝置,而對於更低成本之薄膜形成裝置有所需求。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2012-174609號公報
[專利文獻2]日本專利4510609號
本發明,係為了解決上述先前技術之問題而創作者,其目的,係在於提供一種低成本之薄膜形成裝置。
為了解決上述課題,本發明,係為一種薄膜形成裝置,其特徵為,係具備有:成膜室;和旋轉裝置,係被配置在前述成膜室內,並被設置有配置遮罩和成膜對象物的複數之基板支持器,並在前述成膜室內旋轉;和主攝像裝置,係對於被配置在位置於對位場所處之前述基板支持器上的前述遮罩和與前述遮罩相對面的前述成膜對象物進行攝像;和控制裝置,係根據前述主攝像裝置之攝像結果,而求取出前述遮罩和前述成膜對象物之間之第1位置誤差,並以使前述第1位置誤差縮小的方式,來使前述成膜對象物移動,而在作了對位的狀態下將前述成膜對象物配置於前述遮罩處;和成膜源,係被配置在前述成膜室之內部,並放出成膜材料之微粒子;和成膜源移動裝置,係使前述成膜源在前述成膜室之內部移動,並使其通過與成膜場所相對面之場所,藉由前述旋轉裝置之旋轉,被作了對位的前述遮罩和前述成膜對象物,係從前述對位場所而被移動至前述成膜場所處,前述成膜源係一面放出前述微粒子一面通過與前述成膜場所相對面之場所,前述微粒 子,係通過前述基板支持器之貫通孔和前述遮罩之窗部並到達前述成膜對象物,而形成薄膜。
本發明,係為一種薄膜形成裝置,其中,係設置有對於位置在前述成膜場所處之前述遮罩和前述成膜對象物進行攝像的輔助攝像裝置,根據前述輔助攝像裝置所攝像的結果,來求取出前述成膜對象物和前述遮罩之間之第2位置誤差。
本發明,係為一種薄膜形成裝置,其中,係具備有將前述遮罩和被配置在前述遮罩上之前述成膜對象物固定於前述旋轉裝置處的保持裝置。
本發明,係為一種薄膜形成裝置,其中,前述第2位置誤差係被與第2基準值作比較,當前述第2位置誤差為較前述第2基準值更大的情況時,前述成膜對象物,係並不被形成前述薄膜地而藉由前述旋轉裝置之旋轉來與前述遮罩一同地回到前述對位場所處。
本發明,係為一種薄膜形成裝置,其特徵為,係具備有:成膜室;和旋轉裝置,係被配置在前述成膜室內,並被設置有配置成膜對象物的複數之基板支持器,並在前述成膜室內旋轉;和主攝像裝置,係對於被配置在位置於對位場所處之前述基板支持器和與前述基板支持器相對面的前述成膜對象物進行攝像;和控制裝置,係根據前述主攝像裝置之攝像結果,而求取出前述基板支持器和前述成膜對象物之間之第1位置誤差,並以使前述第1位置誤差縮小的方式,來使前述成膜對象物移動,而在作了對位的狀 態下將前述成膜對象物配置於前述基板支持器處;和成膜源,係被配置在前述成膜室之內部,並放出成膜材料之微粒子;和成膜源移動裝置,係使前述成膜源在前述成膜室之內部移動,並使其通過與成膜場所相對面之場所,藉由前述旋轉裝置之旋轉,被作了對位的前述基板支持器和前述成膜對象物,係從前述對位場所而被移動至前述成膜場所處,前述成膜源係一面放出前述微粒子一面通過與前述成膜場所相對面之場所,前述微粒子,係通過前述基板支持器之貫通孔並到達前述成膜對象物,而形成薄膜。
本發明,係為一種薄膜形成裝置,其中,係設置有對於位置在前述成膜場所處之前述基板支持器和前述成膜對象物進行攝像的輔助攝像裝置,根據前述輔助攝像裝置所攝像的結果,來求取出前述成膜對象物和前述遮罩之間之第2位置誤差。
本發明,係為一種薄膜形成裝置,其中,係具備有將前述基板支持器和被配置在前述基板支持器上之前述成膜對象物固定於前述旋轉裝置處的保持裝置。
本發明,係為一種薄膜形成裝置,其中,前述第2位置誤差係被與第2基準值作比較,當前述第2位置誤差為較前述第2基準值更大的情況時,前述成膜對象物,係並不被形成前述薄膜地而藉由前述旋轉裝置之旋轉來回到前述對位場所處。
本發明,係為一種薄膜形成裝置,其中,前述基板支持器係被設置有2台,以前述旋轉裝置之旋轉中心作為中 心,2台的前述基板支持器係相互被設置在相反側處。
若依據本發明,則係能夠並不將成膜源和在對位中所需要之裝置作複數設置地而一面在成膜對象物之表面上形成薄膜一面進行其他之成膜對象物的對位。
藉由保持裝置,旋轉移動中之位置誤差的發生係被防止,並且,在發生了的情況時,係藉由輔助攝像裝置而在成膜前便被檢測出來,並能夠再度進行對位,因此,係成為不會出現起因於旋轉移動所發生的位置誤差。
4a、4b‧‧‧遮罩
5a、5b‧‧‧成膜對象物
10‧‧‧薄膜形成裝置
15‧‧‧成膜場所
16‧‧‧對位場所
21‧‧‧旋轉裝置(旋轉台)
22‧‧‧成膜源
25‧‧‧基板搬入搬出裝置
27‧‧‧基板移動裝置
31‧‧‧成膜源移動裝置
33‧‧‧旋轉中心
34a、34b‧‧‧基板支持器
35‧‧‧主攝像裝置
36‧‧‧主控制裝置
45‧‧‧輔助攝像裝置
46‧‧‧輔助控制裝置
48‧‧‧驅動裝置
[圖1]係為本發明之薄膜形成裝置的內部平面圖。
[圖2](a1)係為圖1之A-A線截斷剖面圖,(a2)係為用以使用A-A線截斷剖面圖來對於配置了成膜對象物的狀態作說明之圖,(b1)係為圖1之B-B線截斷剖面圖,(b2)係為用以使用B-B線截斷剖面圖來對於配置了成膜對象物的狀態作說明之圖。
[圖3](a)~(c)係為用以對於成膜工程作說明之平面圖(1)。
[圖4](d)~(f)係為用以對於成膜工程作說明之平面圖(2)。
[圖5](g)~(i)係為用以對於成膜工程作說明之 平面圖(3)。
[圖6](a)、(b)係為先前技術之薄膜形成裝置(1)。
[圖7](a)、(b)係為先前技術之薄膜形成裝置(2)。
對於本發明之薄膜形成裝置作說明。
參考圖1,本發明之薄膜形成裝置10,係具備有搬送室12。
在搬送室12之周圍,係被配置有形成薄膜之成膜室11、和進行薄膜形成之前置處理和後續處理之真空室14、和進行成膜對象物之搬入搬出的搬入搬出室13,各室11、13、14,係被與搬送室12作連接。
在各室11~14處,係被設置有真空排氣裝置,並構成為分別被作真空排氣。圖1之元件符號18,係為被連接於成膜室11處之真空排氣裝置,元件符號19,係為被連接於搬送室12處之真空排氣裝置。各室11~14係被作真空排氣,並設為被形成有真空氛圍者。各室11~14,係藉由可開閉之真空閥而被作區隔,但是,於此係省略開閉之說明。
在搬送室12之內部,係被設置有基板搬入搬出裝置25。基板搬入搬出裝置25,係具備有腕38和手39,並構成為若是藉由旋轉軸37之旋轉而使腕38伸縮則 手39係會在水平面內移動。
在成膜室11處而被形成薄膜之成膜對象物,係被載置於手39上,並成為在各室11、13、14和搬送室12之間移動,被配置在搬入搬出室13中之成膜對象物,係被載置於手39上並被從搬入搬出室13取出,再通過搬送室12,而被搬入至成膜室11或其他之真空室14中。
在成膜室11之內部,係被水平地設置有圓板狀之旋轉裝置21。
於此,圖2(a1)係為圖1之A-A線截斷剖面圖,圖2(b1)係為圖1之B-B線截斷剖面圖。圖2(a1)之元件符號32,係代表使其中一端被垂直地安裝於旋轉裝置21處的旋轉軸。
在成膜室11之外部,係被設置有馬達等之驅動裝置48,旋轉軸32之另外一端,係被與驅動裝置48作連接,若是驅動裝置48動作,則旋轉軸32係成為於旋轉軸32之中心軸線周圍旋轉。
而,若是旋轉軸32於其之中心軸線周圍旋轉,則旋轉裝置21係以身為旋轉軸32所被作安裝的部份之中心之旋轉中心33作為中心,而在同一平面內旋轉。於此,係在水平面內旋轉。
在旋轉裝置21之兩面中的其中一面側(於此,係為成膜室11之底面側)處,係被配置有成膜源移動裝置31。旋轉裝置21,係以會被二分為位置在成膜源移動裝置31之正上方處的部份和並不位置在成膜源移動 裝置31之正上方處的部份的方式,而被作配置,並構成為當以旋轉中心33作為中心而作了180度的旋轉時,位置在成膜源移動裝置31之正上方處的部份會移動至並不位置在正上方處的場所而並不位置在成膜源移動裝置31之正上方處的部份會移動至位置在正上方處之場所。
在旋轉裝置21之另外一面側(於此係為頂板側)的位置於成膜源移動裝置31之正上方處的部份之上方,係被配置有輔助攝像裝置45,在並不位置於成膜源移動裝置31之正上方處的部份之上方,係被配置有主攝像裝置35和基板移動裝置27。
主攝像裝置35和輔助攝像裝置45,係分別被與配置在成膜室11之外部的主控制裝置36與輔助控制裝置46作連接,代表主攝像裝置35所攝像了的攝像結果之訊號和代表輔助攝像裝置45所攝像了的攝像結果之訊號,係分別被輸出至主控制裝置36和輔助控制裝置46處。
在旋轉裝置21處,係被形成有複數之貫通孔49a、49b,並藉由各貫通孔49a、49b和各貫通孔49a、49b之邊緣部分,來構成複數之基板支持器34a、34b。在此旋轉裝置21處,係以旋轉中心33作為中心,而在互為相反側的位置處各形成有1個的基板支持器34a、34b,在各基板支持器34a、34b處,係分別被配置有遮罩4a、4b。遮罩4a、4b,係為薄板狀之金屬板,並被載置於基板支持器34a、34b之貫通孔49a、49b的邊緣上。在遮罩 4a、4b處,係於特定之位置處被形成有窗部,於底面處,係位置有基板支持器34a、34b之貫通孔49a、49b。
當藉由旋轉裝置21之旋轉而基板支持器34a、34b進行旋轉移動時,作為基板支持器34a、34b與遮罩4a、4b之能夠在成膜室11的內部而靜止之場所,若是將成為接近搬送室12之場所,作為對位場所16,並以旋轉中心33作為中心,而將與對位場所16相反側的場所,作為成膜場所15,則成膜源移動裝置31和輔助攝像裝置45,係被配置在能夠與成膜場所15相對面之場所處,主攝像裝置35和基板移動裝置27,係被配置在能夠與對位場所16相對面之場所處。
被從搬送室12而搬入至成膜室11之內部的成膜對象物,係首先被配置在基板移動裝置27處。
圖3(a)之元件符號5a,係代表被配置在基板移動裝置27處的成膜對象物。
在成膜對象物5a和遮罩4a、4b處,係分別被設置有對位記號,藉由主攝像裝置35,基板移動裝置27上之成膜對象物5a的對位記號和遮罩4a的對位記號係被作攝像,若是代表攝像結果之訊號被輸出至主控制裝置36處,則係藉由主控制裝置36,來基於攝像結果中之對位記號的相對性之位置關係,而求取出第1位置誤差,該第1位置誤差,係為位置在基板移動裝置27上之成膜對象物5a與遮罩4a之間之相對性的位置、和理想性之相對性的位置,此兩者間之對位場所16上的誤差。
基板移動裝置27,係藉由主控制裝置36而被作控制。
在主控制裝置36中,係記憶有第1、第2基準值,藉由主控制裝置36,第1位置誤差係被與第1基準值作比較,當第1位置誤差為較第1基準值更大的情況時,係使成膜對象物5a與遮罩4a作相對性的移動並使位置誤差縮小,且藉由主攝像裝置35之攝像,而再度求取出第1位置誤差。
如此這般,主控制裝置36,係進行反覆進行「藉由主攝像裝置35之攝像來求取出第1位置誤差」和「將第1位置誤差與第1基準值作比較」以及「當第1位置誤差為較第1基準值更大的情況時,使成膜對象物5a和遮罩4a作相對性的移動並使位置誤差縮小」之操作的對位工程,當第1位置誤差成為了第1基準值以下時,將成膜對象物5a和遮罩4a視為成為被作了對位的狀態者,並使成膜對象物5a降下而將成膜對象物5a配置在遮罩4a上。
在基板支持器34a、34b處,係被設置有保持裝置47a、47b,對位場所16上之遮罩4a、4b,和在相對於遮罩4a、4b而作了對位的狀態下來配置在遮罩4a、4b上之成膜對象物5a、5b,係藉由保持裝置47a、47b而被作夾鉗,並藉由保持裝置47a、47b而被固定在基板支持器34a、34b處。將該狀態在圖2(a2)、圖2(b2)、圖3(b)中作展示。
基板支持器34a、34b,由於係被固定在旋轉裝置21處,因此,被固定在基板支持器34a、34b處之成膜對象物5a、5b,係成為被固定在旋轉裝置21處。
於此,保持裝置47a、47b,係為將在遮罩4a、4b上而以作了對位的狀態來作配置的成膜對象物5a、5b與遮罩4a、4b一同地來按壓並保持於旋轉裝置21上的裝置,保持裝置47a、47b,係可為藉由彈簧來作按壓固定的裝置,或者是亦可為藉由黏著薄片來將遮罩4a、4b和成膜對象物5a、5b接著並固定在旋轉裝置21上之裝置。
又,保持裝置47a、47b,係亦可構成為預先將旋轉裝置21藉由會被磁石所吸引之磁性材料來形成,並將保持裝置47a、47b所具有的磁石配置在被配置於遮罩4a、4b處之成膜對象物5a、5b上,再藉由在磁石與旋轉裝置21之間而使吸引力產生,來將遮罩4a、4b和被配置在遮罩4a、4b上之成膜對象物5a、5b固定於旋轉裝置21處。
接著,若是使旋轉裝置21以旋轉中心33作為中心而旋轉,則複數(於此係為2台)的基板支持器34a、34b,係與基板支持器34a、34b上之遮罩4a、4b一同地而如同圖3(c)中所示一般地以相同之旋轉中心33作為中心而朝同方向作同角度之旋轉。
若是旋轉裝置21作180度之旋轉,則如同圖4(d)中所示一般,位置在對位場所16處之基板支持器 34a,係移動至成膜場所15處,之前為位置在成膜場所15處之基板支持器34b,係移動至對位場所16處。
此時,遮罩4a和被配置在該遮罩4a上之成膜對象物5a由於係一同旋轉,因此就算是將旋轉裝置21之旋轉速度增大,在遮罩4a和被配置於該遮罩4a上之成膜對象物5a之間也不會產生位置偏移,並維持於被作了對位的狀態。
成膜源移動裝置31,係涵蓋與成膜場所15相對面之場所以及成膜場所15之兩側的場所地而被作配置,成膜源22,係藉由成膜源移動裝置31,而構成為能夠通過與成膜場所15相對面的場所。
在成膜源22之表面中的能夠與成膜場所15相對面之位置處,係被設置有放出孔23,成膜材料之微粒子係被從放出孔23而放出。
成膜材料之微粒子,係可在成膜源22之內部而被產生,亦可構成為使藉由其他裝置所產生的微粒子移動至成膜源22處並從成膜源22之放出孔23而放出。
位置在成膜場所15上的遮罩4a之單面,係於基板支持器34a之貫通孔49a的底面下而露出。
當旋轉裝置21在作了180度之旋轉後而作了靜止時,在成膜場所15處而靜止了的遮罩4a之對位記號和該遮罩4a上的成膜對象物5a之對位記號,係藉由輔助攝像裝置45而被攝像,攝像結果係被輸出至輔助控制裝置46處。
輔助控制裝置46,係根據位置於成膜場所15處之遮罩4a和成膜對象物5a之間的相對性之位置關係,來求取出身為成膜場所15上之位置誤差的第2位置誤差,並將第2位置誤差與第2基準值作比較,再將比較結果輸出至主控制裝置36處。
主控制裝置36,當第2位置誤差係為第2基準值以下的情況時,係使成膜源22一面放出微粒子一面開始由成膜源移動裝置31所致之移動。
當被與第1位置誤差作比較之第1基準值和被與第2位置誤差作比較之第2基準值乃身為相同之值的情況時,若是第2位置誤差為較第2基準值更大,則起因於旋轉裝置21之高速旋轉和急遽停止,被作了旋轉的遮罩4a與成膜對象物5a之間之相對位置係會改變,位置誤差係成為變大。
若是第2位置誤差為較第2基準值更大,則主控制裝置36,係並不開始成膜源22之移動地而使旋轉裝置21旋轉,並使位置於成膜場所15處之遮罩4a和成膜對象物5a回到對位場所16處。
之後,解除由保持裝置47a所致之保持,並將成膜對象物5a設為能夠相對於遮罩4a或旋轉裝置21而移動的狀態,接著,主控制裝置36係使基板移動裝置27動作,並使成膜對象物5a從遮罩4a而分離,再進行上述之對位工程,並於第1位置誤差成為了第1基準值以下時,視為成膜對象物5a和遮罩4a為被作了對位的狀態, 再使成膜對象物5a降下並配置在遮罩4a上,而使旋轉裝置21旋轉,來從對位場所16而移動至成膜場所15處。
之後,藉由輔助攝像裝置46來對於位置在成膜場所15處之成膜對象物5a和遮罩4a作攝像,並求取出第2位置誤差,且與第2基準值作比較,當較第2基準值更大的情況時,係並不進行成膜工程地,而使成膜對象物5a和遮罩4a回到對位場所16處,當成為第2基準值以下的情況時,係開始成膜工程。
如此這般,不論是在再度進行了對位的情況時,或者是在並未進行的情況時,被從對位場所16而旋轉移動至了成膜場所15處之遮罩4a和成膜對象物5a之間的位置誤差,均係作為第2位置誤差而被檢測出來,並被與第2基準值作比較。
圖4(e),係為對於一面放出微粒子一面開始了移動的成膜源22之與成膜對象物5a對面前的狀態作展示。
成膜源22,若是一面從放出孔23而放出成膜材料之微粒子一面到達與成膜場所15相對面之場所,則被放出的微粒子,係到達成膜場所15。
在成膜場所15處,於基板支持器34a之貫通孔49a處,係露出有遮罩4a之表面,到達了成膜場所15處之微粒子,係通過基板支持器34a之貫通孔49a和遮罩4a之窗部,微粒子係到達成膜對象物5a中之露出於窗部處的表面上並附著,成膜材料之薄膜係成長。
成膜對象物5a,係為相對於遮罩4a而作了對位的狀態,並在相對於遮罩4a之位置誤差被作了縮小的狀態下而被形成薄膜,因此,成膜源22係一面與成膜場所15相對面一面通過與成膜場所15相對面的場所,微粒子,係無所遺漏地而到達遮罩4a之露出部分,薄膜,係被正確地形成於成膜對象物5a上之應被形成薄膜的位置處。
在直到成膜源22通過與成膜場所15相對面之場所為止的期間中,藉由基板搬入搬出裝置25,在成膜室11之內部係被搬入有未成膜之成膜對象物5b,並被配置在基板移動裝置27上,當正在位置於成膜場所15處之成膜對象物5a上而形成薄膜時,於對位場所16處,係藉由主攝像裝置35來對於未成膜之成膜對象物5b的對位記號和位置在對位場所16處之遮罩4b的對位記號作攝像,並藉由主控制裝置36來檢測出第1位置誤差,且進行對位工程,在成膜源22通過與成膜場所15相對面的場所之前,對位場所16之遮罩4b和成膜對象物5b之間的位置誤差係被縮小。
接著,在維持於被作了對位的狀態下,成膜對象物5b,係被配置在位置於對位場所16處之遮罩4b上,並藉由保持裝置47b而被固定在旋轉裝置21處,被作了對位的成膜對象物5b和遮罩4b,係被固定在旋轉裝置21處。
圖4(f),係對於下述之狀態作展示:亦即 是,在對位場所16處,成膜對象物5b係被配置在位置於對位場所16處之遮罩4b上,並為藉由保持裝置47b而被作了固定的狀態,在成膜場所15處,成膜源22係通過了與成膜場所15相對面之場所。
另外,成膜源22,係並不會有與對位場所16相對面的情況,成膜源22所放出的微粒子,係並不會到達位置於對位場所16之基板支持器34b處。故而,於被配置在基板移動裝置27或對位場所16上的成膜對象物5b處,薄膜係並不會成長。
若是成膜源22通過與成膜場所15相對面之場所,則在位置於成膜場所15上之成膜對象物5a處,係被形成特定膜厚之薄膜。接著,如同圖5(g)中所示一般,使旋轉裝置21旋轉,並如同圖5(h)中所示一般,將遮罩4b和對於遮罩4b而作了對位的未成膜之成膜對象物5b作固定並使該些旋轉移動至成膜場所15處,並且將被形成了薄膜的成膜對象物5a與遮罩4a一同地移動至對位場所16處,並解除保持裝置47a,再藉由基板移動裝置27而使被形成了薄膜的成膜對象物5a與遮罩4a相分離,之後,藉由基板搬入搬出裝置25來使成膜對象物5a移動至搬送室12處,之後從搬送室12之內部而搬出。
於圖5(i)中,對於搬出後之狀態作展示。被搬出的成膜對象物5a,係被搬入至其他的真空室14內。與成膜對象物5a相分離了的遮罩4a,係並不會被搬出,而殘留於基板支持器34a上。
如同以上所說明一般,當未成膜之成膜對象物5a、5b從對位場所16上而旋轉移動至成膜場所15上時,係預先使成膜源22位置在與成膜場所15相對面之場所以外的場所處,在成膜對象物5a、5b於成膜場所15上而靜止之後,若是使成膜源22一面放出微粒子一面開始移動,則係在成膜場所15上的成膜對象物5a、5b之遮罩4a、4b的窗部所位置之部分處被形成薄膜。
當正在成膜場所15處而於成膜對象物5a(或者是5b)上形成薄膜時,於對位場所16處,係能夠將未成膜之成膜對象物5b(或者是5a)配置在基板移動裝置27上,並進行相對於遮罩4b(或者是4a)之對位。
另外,係能夠以在旋轉裝置21旋轉時從成膜源22所放出之微粒子不會到達進行旋轉之成膜對象物5a、5b之表面上或者是以不會使微粒子到達旋轉裝置21之位置於成膜場所15的部份以外之部分處的方式,來設置將微粒子作遮蔽之防附著板。
又,在上述例中,雖係進行了在對位場所16上之遮罩4a、4b和成膜對象物5a、5b之間的對位,但是,係可並不將遮罩4a、4b配置在基板支持器34a、34b上地而將成膜對象物5a、5b配置在基板支持器34a、34b上並進行成膜工程,於此情況,係預先在基板支持器34a、34b上形成對位記號,並在對位工程中,代替使用遮罩之對位記號,而使用基板支持器34a、34b之對位記號,來藉由主攝像裝置35和主控制裝置36而求取出基板 支持器34a、34b和與基板支持器34a、34b相對面之成膜對象物5a、5b之間的第1位置誤差,並進行成膜對象物5a、5b和基板支持器34a、34b之間的對位工程,而當第1位置誤差成為了第1基準值以下時,將成膜對象物5a、5b配置在基板支持器34a、34b上,再藉由保持裝置47a、47b來將成膜對象物5a、5b固定在基板支持器34a、34b上,而使旋轉裝置21旋轉並使該些從對位場所16來旋轉移動至成膜場所15處,再使該些於成膜場所15處而靜止,並藉由輔助攝像裝置45來對於成膜對象物5a、5b之對位記號和基板支持器34a、34b之對位記號作攝像,而求取出第2位置誤差,並與第2基準值作比較,當第2位置誤差係為第2基準值以下的情況時,開始成膜工程,當第2位置誤差為較第2基準值更大的情況時,係能夠使成膜對象物5a、5b從成膜場所15而回到對位場所16處,並再度進行對位工程。
又,在上述各例中,雖係構成為相對於位置在對位場所16處之遮罩4a、4b或者是旋轉裝置21而使乘載於基板移動裝置27上之成膜對象物5a、5b移動,並使第1位置誤差縮小,但是,係亦可在將成膜對象物5a、5b載置於基板搬入搬出裝置25上的狀態下,使基板搬入搬出裝置25移動並使與位置在對位場所16處之遮罩4a、4b或者是旋轉裝置21之間的第1位置誤差縮小,之後,將成膜對象物5a、5b配置在對位場所16上之遮罩4a、4b上或者是基板支持器34a、34b上。
如同以上所說明一般,當在成膜場所15處進行成膜,並在對位場所16處進行對位的情況時,係在對位場所16處配置主攝像裝置35,並對於成膜對象物5a、5b和遮罩4a、4b之對位記號作攝像,並且根據此結果來藉由主控制裝置36而進行對位作業,再進而藉由輔助攝像裝置45來對於進行旋轉而被移動至成膜場所15處之成膜對象物5a、5b和遮罩4a、4b或者是旋轉裝置21之間的第2位置誤差作確認,當第2位置誤差為較第2基準值而更大的情況時,係能夠重新進行對位。
又,當第1位置誤差為大的情況時,藉由以主控制裝置36來進行例如使旋轉裝置21之旋轉速度變慢等的調整,係能夠將在旋轉時所發生的成膜對象物5a、5b和遮罩4a、4b間之相對位置的變化縮小。
又,當成膜對象物5a、5b之第2位置誤差為大的情況時,亦同樣的,可藉由開始成膜工程,並在使接著而進行了對位之成膜對象物5a、5b移動至成膜場所15處時,將旋轉速度減慢,而使從對位場所16來旋轉移動至成膜場所15處之成膜對象物5a、5b和遮罩4a、4b間之相對位置的變化縮小。
另外,在成膜場所15處,係為了將第2位置誤差縮小,而成為無法對於成膜對象物5a、5b和遮罩4a、4b間或者是成膜對象物5a、5b和旋轉裝置21間之相對位置作變更。
另外,在上述實施例中,雖係除了主控制裝 置36以外,而更進而設置了輔助控制裝置46,但是,係亦可構成為將主控制裝置36之動作和輔助控制裝置46之動作藉由一台的控制裝置來進行,又,係亦可將主控制裝置36和輔助控制裝置46視為一台的控制裝置。
上述成膜材料,雖係為有機化合物,但是,成膜源22,係亦可構成為放出無機化合物之粒子。
另外,在上述例中,雖係構成為:第1、第2位置誤差係為正數,當第1位置誤差為第1基準值以下時,視為進行了對位者,但是,係亦可構成為當第1位置誤差為較第1基準值而更小時,視為進行了對位者。
又,在上述例中,雖係設為在第2位置誤差為第2基準值以下時,而開始了成膜工程,但是,係亦可構成為當第2位置誤差為未滿第2基準值時,來開始成膜工程。
又,雖係將第1基準值和第2基準值設為相同之數值,但是,當能夠容許起因於旋轉所發生的微少之位置誤差的情況時,係亦可將第2基準值設為較第1基準值而更大。
又,本發明,係亦包含並不具有輔助攝像裝置的發明。
4a、4b‧‧‧遮罩
10‧‧‧薄膜形成裝置
11‧‧‧成膜室
12‧‧‧搬送室
13‧‧‧搬入搬出室
14‧‧‧真空室
15‧‧‧成膜場所
16‧‧‧對位場所
18、19‧‧‧真空排氣裝置
21‧‧‧旋轉裝置(旋轉台)
22‧‧‧成膜源
23‧‧‧放出孔
25‧‧‧基板搬入搬出裝置
27‧‧‧基板移動裝置
31‧‧‧成膜源移動裝置
32‧‧‧旋轉軸
33‧‧‧旋轉中心
34a、34b‧‧‧基板支持器
35‧‧‧主攝像裝置
36‧‧‧主控制裝置
37‧‧‧旋轉軸
38‧‧‧腕
39‧‧‧手
45‧‧‧輔助攝像裝置
46‧‧‧輔助控制裝置
47a、47b‧‧‧保持裝置
49a、49b‧‧‧貫通孔

Claims (9)

  1. 一種薄膜形成裝置,其特徵為,係具備有:成膜室;和旋轉裝置,係被配置在前述成膜室內,並被設置有配置遮罩和成膜對象物的複數之基板支持器,並在前述成膜室內旋轉;和主攝像裝置,係對於被配置在位置於對位場所處之前述基板支持器上的前述遮罩和與前述遮罩相對面的前述成膜對象物進行攝像;和控制裝置,係根據前述主攝像裝置之攝像結果,而求取出前述遮罩和前述成膜對象物之間之第1位置誤差,並以使前述第1位置誤差縮小的方式,來使前述成膜對象物移動,而在作了對位的狀態下將前述成膜對象物配置於前述遮罩處;和成膜源,係被配置在前述成膜室之內部,並放出成膜材料之微粒子;和成膜源移動裝置,係使前述成膜源在前述成膜室之內部移動,並使其通過與成膜場所相對面之場所,藉由前述旋轉裝置之旋轉,被作了對位的前述遮罩和前述成膜對象物,係從前述對位場所被移動至前述成膜場所處,前述成膜源係一面放出前述微粒子一面通過與前述成膜場所相對面之場所,前述微粒子,係通過前述基板支持器之貫通孔和前述遮罩之窗部並到達前述成膜對象物,而形成薄膜, 係設置有對於位置在前述成膜場所處之前述遮罩和前述成膜對象物進行攝像的輔助攝像裝置,根據前述輔助攝像裝置所攝像的結果,來求取出前述成膜對象物和前述遮罩之間之第2位置誤差。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之薄膜形成裝置,其中,係具備有將前述遮罩和被配置在前述遮罩上之前述成膜對象物固定於前述旋轉裝置處的保持裝置。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之薄膜形成裝置,其中,前述第2位置誤差係被與第2基準值作比較,當前述第2位置誤差為較前述第2基準值更大的情況時,前述成膜對象物,係並不被形成前述薄膜地而藉由前述旋轉裝置之旋轉來與前述遮罩一同地回到前述對位場所處。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之薄膜形成裝置,其中,前述第2位置誤差係被與第2基準值作比較,當前述第2位置誤差為較前述第2基準值更大的情況時,前述成膜對象物,係並不被形成前述薄膜地而藉由前述旋轉裝置之旋轉來與前述遮罩一同地回到前述對位場所處。
  5. 一種薄膜形成裝置,其特徵為,係具備有:成膜室;和旋轉裝置,係被配置在前述成膜室內,並被設置有配置成膜對象物的複數之基板支持器,並在前述成膜室內旋轉;和主攝像裝置,係對於位置於對位場所處之前述基板支持器和與前述基板支持器相對面的成膜對象物進行攝像; 和控制裝置,係根據前述主攝像裝置之攝像結果,而求取出前述基板支持器和前述成膜對象物之間之第1位置誤差,並以使前述第1位置誤差縮小的方式,來使前述成膜對象物移動,而在作了對位的狀態下將前述成膜對象物配置於前述基板支持器處;和成膜源,係被配置在前述成膜室之內部,並放出成膜材料之微粒子;和成膜源移動裝置,係使前述成膜源在前述成膜室之內部移動,並使其通過與成膜場所相對面之場所,藉由前述旋轉裝置之旋轉,被作了對位的前述基板支持器和前述成膜對象物,係從前述對位場所被移動至前述成膜場所處,前述成膜源係一面放出前述微粒子一面通過與前述成膜場所相對面之場所,前述微粒子,係通過前述基板支持器之貫通孔並到達前述成膜對象物,而形成薄膜,係設置有對於位置在前述成膜場所處之前述基板支持器和前述成膜對象物進行攝像的輔助攝像裝置,根據前述輔助攝像裝置所攝像的結果,來求取出前述成膜對象物和前述遮罩之間之第2位置誤差。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之薄膜形成裝置,其中,係具備有將前述基板支持器和被配置在前述基板支持器上之前述成膜對象物固定於前述旋轉裝置處的保持裝置。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載之薄膜形成裝置,其中,前述第2位置誤差係被與第2基準值作比較,當前述第2位置誤差為較前述第2基準值更大的情況時,前述成膜對象物,係並不被形成前述薄膜地而藉由前述旋轉裝置之旋轉來回到前述對位場所處。
  8. 如申請專利範圍第6項所記載之薄膜形成裝置,其中,前述第2位置誤差係被與第2基準值作比較,當前述第2位置誤差為較前述第2基準值更大的情況時,前述成膜對象物,係並不被形成前述薄膜地而藉由前述旋轉裝置之旋轉來回到前述對位場所處。
  9. 如申請專利範圍第1~8項中之任一項所記載之薄膜形成裝置,其中,前述基板支持器係被設置有2台,以前述旋轉裝置之旋轉中心作為中心,2台的前述基板支持器係相互被設置在相反側處。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6662841B2 (ja) * 2017-12-21 2020-03-11 株式会社アルバック 蒸着装置
JP7292948B2 (ja) * 2019-04-24 2023-06-19 キヤノン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030116088A1 (en) * 2001-12-26 2003-06-26 Yi Chang Deposition apparatus for organic light-emitting devices
CN101084326A (zh) * 2004-10-22 2007-12-05 阿德文泰克全球有限公司 基片到掩膜对准和紧固系统
JP2010209459A (ja) * 2009-02-13 2010-09-24 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び成膜装置並びに有機elデバイス製造方法及び成膜方法
JP2013171811A (ja) * 2012-02-23 2013-09-02 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置
TW201412625A (zh) * 2012-09-28 2014-04-01 Hitachi High Tech Corp 蒸鍍裝置及蒸鍍方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4701815B2 (ja) * 2005-04-26 2011-06-15 株式会社アルバック 成膜装置
WO2006134818A1 (ja) * 2005-06-15 2006-12-21 Ulvac, Inc. 成膜装置、薄膜の製造装置、及び成膜方法
JP2013151760A (ja) * 2013-04-25 2013-08-08 Hitachi High-Technologies Corp シャドウマスク交換方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030116088A1 (en) * 2001-12-26 2003-06-26 Yi Chang Deposition apparatus for organic light-emitting devices
CN101084326A (zh) * 2004-10-22 2007-12-05 阿德文泰克全球有限公司 基片到掩膜对准和紧固系统
JP2010209459A (ja) * 2009-02-13 2010-09-24 Hitachi High-Technologies Corp 有機elデバイス製造装置及び成膜装置並びに有機elデバイス製造方法及び成膜方法
JP2013171811A (ja) * 2012-02-23 2013-09-02 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置
TW201412625A (zh) * 2012-09-28 2014-04-01 Hitachi High Tech Corp 蒸鍍裝置及蒸鍍方法

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