TWI573886B - A film preparation method for continuous film forming apparatus, a continuous film forming apparatus, and a carrier - Google Patents

Description

連續式成膜裝置之成膜準備方法及連續式成膜裝置以及載體

本發明係關於連續式成膜裝置之成膜準備方法及連續式成膜裝置以及載體。

以往，此種連續式成膜裝置，係被利用於例如在玻璃基板等之應處理的基板之單面(成膜面)上，將低分子材料膜或金屬膜以真空蒸鍍法依序進行層積(具體而言，係為電洞注入輸送層、發光層、電子注入輸送層、陰極等)，而製作有機電致發光元件。其係具備有連接真空泵的真空腔，於真空腔內，係排列設置有複數個蒸發源，並且設置有沿著各蒸發源所排列設置的方向來移送基板之基板移送手段。

當從蒸發源朝向基板之在基板的下面(成膜面)進行成膜的情況時，基板移送手段，係具備有：載體，係將基板的下面予以開放地保持、以及驅動手段，係將載體從與上游側之蒸發源相對向的位置起直到與下游側之蒸發源相對向的位置為止進行連續(或間歇)地驅動。 接著，藉由基板移送手段將基板從上游側朝向下游側進行移送，當通過與各蒸發源相對向的位置時，以蒸鍍源所蒸發的蒸發材料會被分別供給至基板的下面，藉由此而將各單層膜分別成膜而形成層積膜(例如，參照專利文獻1)。於此情況中，若是預先改變各蒸鍍源之蒸發材料種類，則會成為可將各種的膜以特定的膜厚進行層積。

在此，在藉由基板移送手段將複數片基板從 上游側朝向下游側以一定的速度依序進行移送並於各基板表面上形成層積膜來進行量產的情況中，當分別通過與各蒸發源相對向的位置時，若於各基板上所形成的薄膜之膜厚非為特定的範圍內者，則會導致層積膜之特性變化，如此一來係會導致製品良率降低。於基板上所分別形成的薄膜之膜厚，係以來自蒸鍍源之蒸發材料的供給量而決定，例如，當如同以電阻加熱方式使蒸發材料蒸發一般的情況時，係只要調整蒸發材料的加熱溫度，則可適當地控制對於基板之供給量。另外，當加熱蒸發材料而使其蒸發時，由於在加熱之初始時蒸發並不穩定，因此一般係設置能夠覆蓋蒸發源的閘門，在蒸發穩定之後，使閘門退避而開始對於基板之成膜。

另外，於如上述以往例一般的連續式成膜裝 置中，係存在有下述情況，即：以蒸發源所蒸發的蒸發材料，係不僅是附著、堆積在基板或閘門，而亦會附著、堆積在蒸發源的周圍或設置於真空腔內的防著板等之存在於真空腔內的零件之表面，而此附著、堆積之物係會對量產 造成不良影響。因此，不僅需將減少的蒸發材料進行定期性的再供給，亦需進行上述零件之定期性的更換(所謂維護)。且，在維護結束之後，於量產開始之前，先進行關於來自各蒸發源的膜厚分布或成膜速率是否成為特定範圍者一事之再確認(成膜準備)。

作為此種成膜準備方法，以往係進行：在閘門位於遮蔽位置的狀態下使蒸發源的加熱手段分別運作，準備複數個將基板作了設置的載體，藉由基板移送手段將各載體從上游側朝向下游側進行移送，此時，使各蒸發源的閘門適當移動至退避位置，對於一片基板供給來自一個蒸發源的蒸發材料來將單層膜進行成膜，而製作膜厚分布或成膜速率等之測定用試料。然而，於這樣的成膜準備方法中，係存在有下述問題，即：係需要與蒸發源之數目相對應的試料製作用之基板，而使成膜準備成本提高，除此之外，由於係將與蒸發源之數目相對應的複數片基板設置於載體來進行移送，因此成膜準備所需要的作業時間會增長。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本特開2008-231446號公報

本發明，係鑑於以上的觀點，而以提供一種能夠縮短成膜準備所需要的作業時間之低成本的連續式成膜裝置之成膜準備方法及連續式成膜裝置作為課題。

為了解決上述課題，本發明之連續式成膜裝置之成膜準備方法，係包含：於排列設置有複數個蒸發源的真空腔內，沿著各蒸發源所排列設置的方向來移送應處理的基板，於在基板上形成多層膜之前，先將從各蒸發源所供給的蒸發材料之單層膜成膜於基板上而製作測定用試料的工程，該連續式成膜裝置之成膜準備方法，其特徵為，係設為將基板設置於載體而從與上游側之蒸發源相對向的位置起直到與下游側之蒸發源相對向的位置為止連續或間歇地被移送者，作為載體，係使用具備有能夠分別選擇性地遮蔽基板的單面之特定範圍的複數個遮蔽手段者，當以載體將基板從上游側朝向下游側進行移送時，依序變更藉由各遮蔽手段所分別遮蔽的特定範圍而將從各蒸發源所供給的蒸發材料之單層膜分別成膜於單一之基板的面內。

藉由此，由於當在將基板設置於載體的狀態下而在從上游側移送至下游側的期間通過與各蒸發源相對向的位置時(或者之前)，只要驅動任何一個遮蔽手段，則可適當變更在基板面內之蒸發材料被供給的範圍，因此係於單一之基板面內改變成膜範圍，而可得到成膜有來自 複數個蒸發源所分別供給的蒸發材料之單層膜的測定用試料。其結果，相較於使用複數片之基板的上述以往例而可縮短成膜準備所需要的作業時間，並且，由於僅使用單一之基板，因此為低成本，尤其在如設置於真空腔內的蒸發源之數量為多一般的情況中係成為有利。

又，為了解決上述課題，本發明之連續式成 膜裝置，係具備有能夠形成真空環境的真空腔，於真空腔內，排列設置有複數個蒸發源，並且設置有沿著各蒸發源所排列設置的方向來移送應處理的基板之基板移送手段，該連續式成膜裝置，其特徵為，基板移送手段，係具備有：載體，係將與各蒸發源相對向的基板之單面予以開放地保持、以及驅動手段，係將載體從與上游側之蒸發源相對向的位置起直到與下游側之蒸發源相對向的位置為止進行連續或間歇地驅動，載體，係具備有能夠分別選擇性地遮蔽基板之單面的特定範圍之複數個遮蔽手段，且設置使遮蔽手段在遮蔽基板之單面的特定範圍之遮蔽位置與使該特定範圍面臨蒸發源之開放位置之間進行移動的移動手段。

若依據此，則可實現於單一之基板面內改變 成膜範圍而從複數個蒸發源供給蒸發材料來將單層膜分別成膜的構造，且可有助於成膜準備所需要的作業時間之縮短與低成本化。

於本發明中，前述遮蔽手段，係可採用下述 構造，即：以在其下面處所開設的複數個狹縫孔和將各狹 縫孔分別阻塞的遮蔽板所構成，且藉由前述移動手段而使遮蔽板在遮蔽位置與開放位置之間進行移動。另一方面，前述遮蔽手段，係可採用下述構造，即：具有複數個輥與覆蓋載體的下面並捲掛於各輥的單一之遮蔽板，於遮蔽板上形成將被設置於載體之基板的特定範圍露出之開口，且藉由前述移動手段而使前述開口的位置在基板面內偏移。

又，本發明之載體，係使用於在連續式成膜 裝置中將應處理的基板之單面開放而移送該基板者，該載體，其特徵為，具備有能夠選擇性地遮蔽基板之單面的特定範圍之遮蔽手段，且進一步具備被傳達有來自外部的動力而用以使遮蔽手段在遮蔽基板之單面的特定範圍之遮蔽位置與開放該特定範圍之開放位置之間進行移動的被驅動部，或者，進一步具備用以使遮蔽手段在遮蔽基板之單面的特定範圍之遮蔽位置與開放該特定範圍之開放位置之間進行移動的驅動部。

DM‧‧‧連續式成膜裝置

1₁‧‧‧真空腔

2₁、2₂、2₃‧‧‧蒸發源

34₁、34₂、34₃、300‧‧‧遮蔽板(遮蔽手段)

4‧‧‧移動手段

DR‧‧‧驅動輥(基板移送手段)

S‧‧‧基板

SC₁、SC₂、SC₃、SC₄、SC₅‧‧‧載體(基板移送手段)

[第1圖](a)係將本發明之實施形態的連續式成膜裝置之構造作展示的平面圖，(b)係其重要部位的放大剖面圖。(c)係沿著第1圖(b)中之c-c線的剖面圖。

[第2圖]係於本發明之成膜準備方法的實施中所使用之載體的斜視圖。

[第3圖]係對於使用第2圖所示之載體來進行成膜 的順序作說明的剖面圖。

[第4圖]係對於當進行使用有第2圖所示之載體的成膜時之遮蔽板的開閉作說明的剖面圖。

[第5圖](a)及(b)係對於使用在本發明之成膜準備方法的實施中所使用之變形例的載體來進行成膜的順序作說明的剖面圖。

[第6圖](a)~(c)係對於其他之變形例的載體作說明的圖。

[第7圖]係對於又另外一個變形例的載體作說明的圖。

以下，參照附圖，將應處理的基板設為玻璃 基板(以下，稱為「基板S」)，在將此基板S設置於載體SC₁的狀態下進行移送而於基板S單面(成膜面)以真空蒸鍍法將複數片薄膜進行成膜，以此情況為例來說明本發明之連續式成膜裝置之實施形態。於以下說明中，將後述之蒸發源側設為「下」，將從蒸發源朝向基板S的方向設為「上」，又，基板S，係設為在第1圖(a)及(b)中，從右側朝向左側進行移動者，且設為使用以此為基準來表示方向的用語者。

參照第1圖(a)~(c)，DM，係為本實施 形態之連續式成膜裝置(以下，稱為「成膜裝置DM」)，成膜裝置DM，係具備有區劃出成膜室1a之以 左右方向為長邊的第1真空腔1₁。於第1真空腔1₁之長邊方向的兩端，係經由閘閥GV而連接設置有分別區劃出準備室1b、1c的第2、第3之各真空腔1₂、1₃。又，於第2真空腔1₂，係經由閘閥GV而分別連接設置有分別區劃出裝載鎖定室1d、1e的第4、第5真空腔1₄、1₅，並且於第3真空腔1₃，係經由閘閥GV而分別連接設置有區劃出裝載鎖定室1f、1g的第6、第7之各真空腔1₆、1₇。於第1~第7之各真空腔1₁~1₇，係分別連接有周知的真空泵，而成為能夠從大氣壓真空抽氣成特定壓力並予以保持(能夠形成真空環境)。

於第2真空腔1₂中，將搬入至第5真空腔1₅ 的基板S設置於搬入至第4真空腔1₄的載體SC₁，而移送至第1真空腔1₁。接著，通過第1真空腔1₁者係被移送至第3之各真空腔1₃，基板S與載體SC₁係被個別地回收至第6、第7之各真空腔1₆、1₇。另外，在裝載鎖定室1d~1g之基板W與載體SC₁的搬入或搬出方法、或在準備室1b、1c之基板S與載體SC₁的設置方法或回收方法等，係由於可利用使用了真空移送機器人之周知的方法，因此在此係省略詳細的說明。

於第1真空腔1₁的下部處，係在同一線上的 位置於左右方向以特定間隔排列設置有複數個蒸發源2₁、2₂、2₃(於第1圖中，係例示3個的情況)。作為藉由蒸發源2₁、2₂、2₃所蒸發的蒸發材料，係因應於欲層積於基板S上之各薄膜的組成而適當選擇，又，作為蒸發源2₁、 2₂、2₃，係因應於蒸發材料種而使用周知之電阻加熱方式或電子槍方式。又，於蒸發源2₁、2₂、2₃處，係當將蒸發材料進行加熱而使其蒸發時，由於在加熱之初始時係存在有蒸發不穩定的情況，因此具備有覆蓋蒸發源而防止蒸發材料到達至基板S的閘門21。接著，於第1真空腔1₁的上部設置有沿著各蒸發源所排列設置的左右方向來移送基板S的基板移送手段3。

基板移送手段3，係具備有：載體SC₁、以及 作為驅動手段之驅動輥DR，該驅動輥DR係以彼此成對的方式分別等間隔地排列設置於第1真空腔1₁的上壁處。驅動輥DR，係構成為同步以相同之旋轉數進行旋轉驅動之周知者。又，載體SC₁，係如第1圖(c)所示般，具有於中央開設有與基板S之輪廓相對應的基板收納孔31a之載體主體31，於基板收納孔31a的下端內緣處，係形成有朝向其內方延伸的延伸片32，若從其上側落入於基板收納孔31a，則基板S的周緣會被延伸片32所支撐，而成為使其內方部分成為成膜面。又，於位在與左右方向正交的方向上之載體主體31的上端外緣處，係分別形成有朝向其外方延伸的凸緣部33，而成為藉由使凸緣部33的下面分別摩擦卡合於驅動輥DR而被移送至下游側。而，在成膜室1a內，使下面開放而被支撐於載體SC₁的基板S，係從與上游側(第1圖中之右側)之蒸發源2₁相對向的位置起直到與下游側之蒸發源2₃相對向的位置為止而連續或間歇地移動，當通過與各蒸發源2₁、 2₂、2₃相對向的位置時，以蒸發源2₁、2₂、2₃所蒸發的蒸發材料會被分別供給至基板S的下面來進行成膜。

另外，於上述成膜裝置DM中，係不僅將減 少的蒸發材料定期性地再供給至各蒸發源2₁、2₂、2₃，亦需要對設置於第1真空腔1₁的防著板(未圖示)等之零件進行定期性地更換。然後，在量產開始之前，先進行來自各蒸發源2₁、2₂、2₃的膜厚分布或成膜速率是否成為特定範圍者之再確認(成膜準備)，此成膜準備，係以量產時的條件將來自各蒸發源2₁、2₂、2₃之單層膜成膜於基板S上來製作測定用試料，並對此進行評估而進行，但是，有必要成為能夠縮短成膜準備所需要的作業時間而謀求低成本化。

於本實施形態中，係成為使用成膜準備用之載體SC₂並於單一之基板S面內改變成膜範圍，而將以各蒸發源蒸發源2₁、2₂、2₃所蒸發的蒸發材料之單層膜分別成膜。參照第2圖~第4圖，載體SC₂，係為具有與使用於量產的載體SC₁略為相同的形態者，但是，於其中央處凹陷設置有與基板S之輪廓相對應的基板收納部311。於基板收納部311的下面處，係於左右方向上以等間隔開設有在與左右方向正交的方向上延伸之複數個狹縫孔312。於載體主體31的下面處，係以分別阻塞各狹縫孔312的方式而設置有作為遮蔽手段之遮蔽板34₁、34₂、34₃。且，係設置有移動手段4，其係用以使遮蔽板34₁、34₂、34₃，在藉由遮蔽板34₁、34₂、34₃之各者而選擇性地阻塞 狹縫孔312並遮蔽基板S下面的特定範圍之遮蔽位置、與使特定範圍面臨蒸發源2₁、2₂、2₃之開放位置，此兩者之間個別地進行移動。

移動手段4，係具備有：旋轉軸41，係被固 定有位置在與左右方向正交的方向上之遮蔽板34₁、34₂、34₃的其中一邊、一對的軸承部42a、42b，係支撐旋轉軸41、從動側之離合器43，係設置於從其中一方的軸承部42a起朝向外方突出的旋轉軸41之前端、以及磁鐵44a、44b，係為了將遮蔽板34₁、34₂、34₃吸附保持在遮蔽位置或者開放位置而設置於載體主體的下面處。於此情況中，旋轉軸41和軸承部42a、42b以及從動側之離合器43，係構成用以接收來自外部的動力而使遮蔽板34₁、34₂、34₃驅動的被動部。移動手段4，係進一步具備有：被插設於透孔11的驅動軸45(參照第4圖)，該透孔11，係形成於第1真空腔1₁的內側壁處。透孔11(驅動軸45、乃至於後述之驅動側的離合器46所設置的位置)，係形成於上游側之蒸發源2₁、2₂、2₃的上游側、及各蒸發源2₁、2₂、2₃彼此之間(參照第3圖)。於驅動軸45之第1真空腔1₁內的其中一端處係設置有驅動側的離合器46，於其之另外一端，係被連結有馬達47的輸出軸(未圖示)。

馬達47，係被支撐板46a所支撐，於支撐板 46a與第1真空腔1₁的外側壁之間，係設置有包圍驅動軸45及透孔11的周圍來將第1真空腔1₁予以氣密保持並且 用以使驅動側之離合器46相對於從動側之離合器43而進行進退的蛇腹管48和驅動零件49。驅動零件49，例如，係可由貫穿支撐板46a地而設置的操作軸49a與氣缸49b所構成。之後，從驅動側之離合器46與從動側之離合器43相互分離而不會阻礙載體SC₂之移送的退避位置起，使驅動零件49作動而移動至驅動側之離合器46與從動側之離合器43為相互卡合的進入位置，若在此狀態下藉由馬達47將驅動軸45旋轉驅動，則遮蔽板34₁、34₂、34₃，係會抵抗磁鐵44a、44b之吸附力而搖動，而成為在遮蔽位置與開放位置之間移動自如。以下，參照第4圖，來對於製作測定用試料的本實施形態之成膜準備方法進行說明。

在對於各蒸發源2₁、2₂、2₃之蒸發材料的再 供給等之後，將第1~第7之各真空腔1₁~1₇從大氣壓真空抽氣成特定壓力。於第2真空腔1₂中，將搬入至第5真空腔1₅之作為測定用試料的基板S設置於搬入至第4真空腔1₄的載體SC₂，而移送至第1真空腔1₁。此時，所有的遮蔽板34₁、34₂、34₃，係被吸附保持在遮蔽側的磁鐵44a處。又，在以閘門21分別覆蓋蒸發源2₁、2₂、2₃的狀態下，預先開始蒸發材料的加熱。另外，作為基板S，係可利用使用於量產者，又，亦可使用僅於與狹縫孔312相對應之基板S的特定範圍處貼附有矽晶圓或玻璃基板者。

於第1真空腔1₁中，將驅動輥DR旋轉驅動 而開始載體SC₂的移送，若位於移送方向前頭的遮蔽板34₁之旋轉軸41到達與位於最上游側之移動手段4的驅動軸45相對應的位置，則暫時停止驅動輥DR之旋轉驅動。接著，藉由驅動零件49來移動至進入位置而將驅動側之離合器46與從動側之離合器43卡合，在此狀態下藉由馬達47使驅動軸45進行旋轉驅動，使遮蔽板34₁抵抗遮蔽側之磁鐵44a的吸附力而產生搖動來移動至開放位置，並吸附保持於開放側之磁鐵44b處。於此情況中，係成為僅基板S之第1特定範圍S1會經由狹縫孔312而面臨最上游側之蒸發源2₁。在此狀態下再開始朝向下游側之載體SC₂的移送，而僅使最上游側之蒸發源2₁的閘門21退避。藉由此，當通過與該蒸發源2₁相對向的位置時，僅對於基板S之下面的特定範圍S1供給以蒸鍍源2₁所蒸發的蒸發材料而成膜。

接著，通過最上游側之蒸發源2₁，若位於移 送方向前頭的遮蔽板34₁之旋轉軸41到達與在基板移動方向上而相鄰接的移動手段4之驅動軸45相對應的位置，則暫時停止驅動輥DR之旋轉驅動，以與上述相同的操作，使遮蔽板34₁抵抗開放側之磁鐵44b的吸附力而產生搖動來移動至遮蔽位置，並吸附保持於遮蔽側之磁鐵44a處。藉由此，被蒸鍍源2₁所成膜之第1特定範圍S1會再度被遮蔽。接著，再開始載體SC₂的移送，若相鄰接的遮蔽板34₂之旋轉軸41到達與上述相鄰接的移動手段4之驅動軸45相對應的位置，則以與上述相同的操作，使 遮蔽板34₂搖動而移動至開放位置，並吸附保持於開放側之磁鐵44b處，在此狀態下，僅使蒸發源2₂之閘門21退避，僅對於基板S的下面之第2特定範圍S2供給以蒸鍍源2₂所蒸發的蒸發材料而成膜。若進一步反覆進行此操作，僅對於基板S的下面之第3特定範圍S3供給以蒸鍍源2₃所蒸發的蒸發材料來進行成膜，則可形成成膜準備用之基板S。

若依據上述構成，則在將基板S設置於載體 SC₂的狀態下而於從上游側移送至下游側的期間中通過與各蒸發源2₁、2₂、2₃相對向的位置之前，只要適當驅動任何一個遮蔽手段34₁、34₂、34₃，則可適當變更在基板S面內之蒸發材料被供給的範圍，因此係可於單一之基板S面內供給來自複數個蒸發源之蒸發材料並將單層膜分別進行成膜。其結果，相較於使用複數片之基板S的上述以往例，係可縮短成膜準備所需要的作業時間，並且，由於僅使用單一之基板，因此為低成本，尤其在如設置於真空腔1₁內的蒸發源之數量為多一般的情況中係成為有利。

以上，雖針對本發明之實施形態作說明，但 本發明並不限定於上述者。於上述實施形態中，作為載體SC₁、SC₂，雖以開設有基板收納孔31a或狹縫孔312者為例作說明，但並不限定於此，亦可構成為：使用黏著膠帶來將基板貼附於載體下面。又，雖以移動手段4為具備有複數片遮蔽板34₁、34₂、34₃的情況為例作說明，但並不限定於此，只要是當將基板S朝向下游側進行移送時能夠 適當改變被成膜的範圍者，則可廣泛地適用於本發明。

又，例如，如第5圖(a)及第5圖(b)所 示般，載體SC₃，係分別設置於載體主體31的兩凸緣部33之上左端及上右端側，且具備有：以軸承401所軸承的輥402、403、和覆蓋載體主體31的下面而捲掛於兩輥402、403的遮蔽板300，於遮蔽板300處，係形成有使被設置於載體SC₃的基板S之特定範圍露出的開口301。於此情況中，移送方向前側的輥402之旋轉軸，係被突出於外方，於其之前端處係被設置有從動側之離合器404，此等之零件係構成用以接收來自外部的動力而使遮蔽板300驅動的被動部。之後，藉由與上述實施形態相同的移動手段4，在將基板S設置於載體SC₃的狀態下而於從上游側移送至下游側的期間通過與各蒸發源2₁、2₂、2₃相對向的位置之前，只要適當變更開口301，則可適當變更在基板S面內之蒸發材料被供給的範圍，也就是說，成為使作為遮蔽手段之遮蔽板300，在遮蔽基板S之單面的特定範圍之遮蔽位置、與使該特定範圍面臨蒸發源2₁、2₂、2₃之開放位置，此兩者之間進行移動。於此情況中，係能夠以一次之移動手段4的操作而變更於基板S面內之蒸發材料被供給的特定範圍，而為有利。

於上述內容中，雖以將被動部設於載體SC₂、 SC₃來接收來自外部的動力而使遮蔽板34₁、34₂、34₃、300驅動者為例作說明，但並不限定於此。如同針對與第5圖所示之實施形態相同的構件或要素而使用相同的符號 來表示的第6圖中所示一般，亦可於載體SC₄自體直接設置使遮蔽板300之開口301移動的驅動部。於該變形例之載體SC₄中，輥402、403之旋轉軸402a、403a係以立設於凸緣部33處的一對之支撐構件410a、410b而分別被軸承，且於從其中一方之支撐構件410a起朝向外方突出的旋轉軸402a、403a之前端部分處，固定有將帶狀之彈性材420a捲繞成線圈狀而成的板片螺旋彈簧420。藉由此，藉由伴隨著載體SC₄之朝向下游側的移動來以板片螺旋彈簧420之還原的力量而使輥402、403旋轉，而可使遮蔽板300之開口301移動，而適當變更在基板S面內蒸發材料被供給的範圍。

此外，於上述實施形態中，雖以於每一個狹 縫孔312處均設置有遮蔽板34₁、34₂、34₃者為例作例示，但如同針對與第2圖~第4圖所示之實施形態相同的構件或要素而使用相同符號來表示的第7圖一般，於其他變形例之載體SC₅中，係省略位於移送方向前頭的遮蔽板34₁，而構成為：若將相鄰接的遮蔽板34₂移動至開放位置，則位於移送方向前頭的狹縫孔312會被遮蔽，進而，若將相鄰接的遮蔽板34₃移動至開放位置，則中央的狹縫孔312會被遮蔽。又，於該載體SC₅中，係將移動遮蔽板34₂、34₃的驅動部430直接設置於載體SC₄。作為驅動部430，係可使用馬達等之周知的致動器。於此情況中，對於驅動部430之供電，例如，係可適用周知之非接觸供電方法，或者經由設置於第1真空腔1₁的各驅動輥DR和在 各驅動輥DR上轉動的載體主體31之凸緣部33來進行。另一方面，作為驅動部430，係可採用附帶電池者，而省略用以供電的機構。又，可構成為：設置凸輪等之機構而成為可使遮蔽板34₁、34₂、34₃在遮蔽位置與開放位置之間個別地進行移動，只要使用周知的微開關或感測器來控制遮蔽板34₁、34₂、34₃的開閉之時機即可。另外，上述之作為驅動部的致動器，係當然亦可使用於載體SC₄。

進而，於上述實施形態中，雖以使用電阻加熱方式或電子槍方式者作為成膜裝置DM之蒸發源2₁、2₂、2₃並藉由真空蒸鍍法進行成膜者為例作說明，但只要能夠對於被移送的基板進行成膜者，則並無特別限定，例如，可使用濺鍍陰極作為蒸發源，進而，亦可由用以藉由CVD法進行成膜的氣體導入手段而構成。

1₁‧‧‧真空腔

1a‧‧‧成膜室

2₁、2₂、2₃‧‧‧蒸發源

21‧‧‧閘門

31‧‧‧載體主體

32‧‧‧延伸片

33‧‧‧凸緣部

34₁、34₂、34₃‧‧‧遮蔽板(遮蔽手段)

41‧‧‧旋轉軸

43‧‧‧離合器

44a、44b‧‧‧磁鐵

46‧‧‧離合器

311‧‧‧基板收納部

312‧‧‧狹縫孔

S‧‧‧基板

S1、S2、S3‧‧‧特定範圍

SC₂‧‧‧載體(基板移送手段)

Claims (6)

1. 一種連續式成膜裝置之成膜準備方法，其係包含：於排列設置有複數個蒸發源的真空腔內，沿著各蒸發源所排列設置的方向來移送應處理的基板，於在基板上形成多層膜之前，先將從各蒸發源所供給的蒸發材料之單層膜成膜於基板上而製作測定用試料的工程，其特徵為，係設為將基板設置於載體，而從與上游側之蒸發源相對向的位置起，直到與下游側之蒸發源相對向的位置為止，來連續或間歇地被移送，作為載體，係使用具備有複數個遮蔽手段者，該些複數個遮蔽手段，係能夠分別選擇性地遮蔽基板的單面之特定範圍，當以載體將基板從上游側朝向下游側進行移送時，依序變更藉由各遮蔽手段所分別遮蔽的特定範圍，而將從各蒸發源所供給的蒸發材料之單層膜分別成膜於單一之基板的面內。
2. 一種連續式成膜裝置，其係具備有能夠形成真空環境的真空腔，於真空腔內，排列設置有複數個蒸發源，並且設置有沿著各蒸發源所排列設置的方向來移送應處理的基板之基板移送手段，其特徵為，基板移送手段，係具備有：載體，係將與各蒸發源相對向的基板之單面予以開放地保持、以及驅動手段，係將載體從與上游側之蒸發源相對向的位置起直到與下游側之蒸發源相對向的位置為止進行連續或間歇地驅動者，於該基板移送手段中，載體，係具備有能夠選擇性地遮蔽基板之單面的特定 範圍之遮蔽手段，且設置使遮蔽手段在遮蔽基板之單面的特定範圍之遮蔽位置與使該特定範圍面臨蒸發源之開放位置之間進行移動的移動手段。
3. 如申請專利範圍第2項所記載之連續式成膜裝置，其中，前述遮蔽手段，係以在其下面處所開設的複數個狹縫孔和將各狹縫孔分別阻塞的遮蔽板所構成，且構成為：藉由前述移動手段而使遮蔽板在遮蔽位置與開放位置之間進行移動。
4. 如申請專利範圍第2項所記載之連續式成膜裝置，其中，前述遮蔽手段，係具有複數個輥與覆蓋載體的下面並捲掛於各輥的單一之遮蔽板，於遮蔽板上形成將被設置於載體之基板的特定範圍露出之開口，且構成為：藉由前述移動手段而使前述開口的位置在基板面內偏移。
5. 一種載體，其係使用於在連續式成膜裝置中將應處理的基板之單面開放而移送該基板者，其特徵為，具備有能夠選擇性地遮蔽基板之單面的特定範圍之遮蔽手段，且進一步具備被傳達有來自外部的動力而用以使遮蔽手段在遮蔽基板之單面的特定範圍之遮蔽位置與開放該特定範圍之開放位置之間進行移動的被驅動部。
6. 一種載體，其係使用於在連續式成膜裝置中將應處理的基板之單面開放而移送該基板者，其特徵為，具備有能夠選擇性地遮蔽基板之單面的特定範圍之遮蔽手段，且進一步具備用以使遮蔽手段在遮蔽基板之單面的特定範圍之遮蔽位置與開放該特定範圍之開放位置之間 進行移動的驅動部。