JPH07118833A - Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および装置 - Google Patents
Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および装置Info
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- JPH07118833A JPH07118833A JP5264770A JP26477093A JPH07118833A JP H07118833 A JPH07118833 A JP H07118833A JP 5264770 A JP5264770 A JP 5264770A JP 26477093 A JP26477093 A JP 26477093A JP H07118833 A JPH07118833 A JP H07118833A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体デバイスに有害なパーティクルの発生
を低減し、デバイスの生産性が損なわれないようにした
Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および装置を提供するこ
とを目的としている。 【構成】 少なくとも２つのチャンバーを備えた成膜装
置を用いて、Ｔｉターゲットのスパッタリングを介して
ＴｉまたはＴｉＮ膜を成膜する方法において、各チャン
バー内のＴｉまたはＴｉＮの成膜を１乃至複数回毎に入
れ替えて行う。成膜をマグネトロンスパッタリング方式
で行う場合、カソードマグネットに、Ｔｉターゲット部
分に形成する磁場を変化する手段を付設し、Ｔｉまたは
ＴｉＮ膜に対応させて、カソードマグネットの磁場分布
を変化させる。
を低減し、デバイスの生産性が損なわれないようにした
Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および装置を提供するこ
とを目的としている。 【構成】 少なくとも２つのチャンバーを備えた成膜装
置を用いて、Ｔｉターゲットのスパッタリングを介して
ＴｉまたはＴｉＮ膜を成膜する方法において、各チャン
バー内のＴｉまたはＴｉＮの成膜を１乃至複数回毎に入
れ替えて行う。成膜をマグネトロンスパッタリング方式
で行う場合、カソードマグネットに、Ｔｉターゲット部
分に形成する磁場を変化する手段を付設し、Ｔｉまたは
ＴｉＮ膜に対応させて、カソードマグネットの磁場分布
を変化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板表面にＴｉ（チ
タン）とＴｉＮ（窒化チタン）の積層膜を連続して成膜
するのに好適な、Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および
装置に関する。
タン）とＴｉＮ（窒化チタン）の積層膜を連続して成膜
するのに好適な、Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスの製造において、
Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜が、デバイスの配線用に形成される
アルミニウム膜の下地バリア膜として形成されることが
知られている。
Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜が、デバイスの配線用に形成される
アルミニウム膜の下地バリア膜として形成されることが
知られている。
【０００３】前記Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の形成は、通常、
複数のチャンバーを備えたマルチチャンバー構造の処理
装置を用いて行なわれ、１つのチャンバー内でＴｉ薄膜
をスパッタリングにより形成した後、基板を別の１つの
チャンバーへ移送し、該チャンバー内でＴｉＮ薄膜をス
パッタリングにより形成している。スパッタリングは、
低温高速スパッタが可能なマグネトロンスパッタリング
方式が採用されることが多い。
複数のチャンバーを備えたマルチチャンバー構造の処理
装置を用いて行なわれ、１つのチャンバー内でＴｉ薄膜
をスパッタリングにより形成した後、基板を別の１つの
チャンバーへ移送し、該チャンバー内でＴｉＮ薄膜をス
パッタリングにより形成している。スパッタリングは、
低温高速スパッタが可能なマグネトロンスパッタリング
方式が採用されることが多い。
【０００４】Ｔｉの成膜とＴｉＮの成膜のチャンバーを
別のチャンバーとするのは、Ｔｉ膜およびＴｉＮ膜では
物理スパッタ（Ｔｉ）と反応性スパッタ（ＴｉＮ）の違
いがあり、１つのチャンバーで両者共に良好な膜厚分布
を得ることが難しい為である。
別のチャンバーとするのは、Ｔｉ膜およびＴｉＮ膜では
物理スパッタ（Ｔｉ）と反応性スパッタ（ＴｉＮ）の違
いがあり、１つのチャンバーで両者共に良好な膜厚分布
を得ることが難しい為である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、マルチ
チャンバー構造の処理装置を用いてＴｉ−ＴｉＮ積層膜
を形成する場合、ＴｉＮ膜を形成するのに使用されるチ
ャンバー内では、ＴｉＮ膜の形成を繰り返すに従ってパ
ーティクル（デバイスに有害な微細な塵埃）が増加する
問題点があった。ＴｉＮの成膜によって、チャンバー内
壁に堆積した内部応力の高いＴｉＮ膜が剥離し易い為
で、剥離したＴｉＮがパーティクル源となるものであ
る。
チャンバー構造の処理装置を用いてＴｉ−ＴｉＮ積層膜
を形成する場合、ＴｉＮ膜を形成するのに使用されるチ
ャンバー内では、ＴｉＮ膜の形成を繰り返すに従ってパ
ーティクル（デバイスに有害な微細な塵埃）が増加する
問題点があった。ＴｉＮの成膜によって、チャンバー内
壁に堆積した内部応力の高いＴｉＮ膜が剥離し易い為
で、剥離したＴｉＮがパーティクル源となるものであ
る。
【０００６】パーティクルによる弊害を除く為には、Ｔ
ｉＮの成膜を繰り返し行う過程で、定期的に（例えば１
００枚の基板処理毎に１回）Ｔｉスパッタによるクリー
ニングを行い、チャンバー内壁に付着したＴｉＮ膜をＴ
ｉで覆う方法があったが、前記クリーニング作業は、半
導体デバイスの製造を中断させるもので、生産性の低下
を招来していた。
ｉＮの成膜を繰り返し行う過程で、定期的に（例えば１
００枚の基板処理毎に１回）Ｔｉスパッタによるクリー
ニングを行い、チャンバー内壁に付着したＴｉＮ膜をＴ
ｉで覆う方法があったが、前記クリーニング作業は、半
導体デバイスの製造を中断させるもので、生産性の低下
を招来していた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は前記の如くの
問題点に鑑みてなされたもので、半導体デバイスに有害
なパーティクルの発生を低減し、デバイスの生産性が損
なわれないようにしたＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法お
よび製造を提供することを目的としている。
問題点に鑑みてなされたもので、半導体デバイスに有害
なパーティクルの発生を低減し、デバイスの生産性が損
なわれないようにしたＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法お
よび製造を提供することを目的としている。
【０００８】斯る目的のもとになされたこの発明は、Ｔ
ｉとＴｉＮの積層膜を基板表面に形成するために、少な
くとも２つのチャンバーを備えた成膜装置を用い、前記
少なくとも２つのチャンバー内で、Ｔｉターゲットのス
パッタリングを介してＴｉまたはＴｉＮ膜を成膜する方
法において、前記少なくとも２つのチャンバーの各チャ
ンバー内の、ＴｉまたはＴｉＮの成膜を１乃至複数回毎
に入れ替えることを特徴とするＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成
膜方法である。
ｉとＴｉＮの積層膜を基板表面に形成するために、少な
くとも２つのチャンバーを備えた成膜装置を用い、前記
少なくとも２つのチャンバー内で、Ｔｉターゲットのス
パッタリングを介してＴｉまたはＴｉＮ膜を成膜する方
法において、前記少なくとも２つのチャンバーの各チャ
ンバー内の、ＴｉまたはＴｉＮの成膜を１乃至複数回毎
に入れ替えることを特徴とするＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成
膜方法である。
【０００９】Ｔｉターゲットのスパッタリングは、各種
のスパッタリング方式を採用することができるが、マグ
ネトロンスパッタリング方式として、低温高速スパッタ
を行うようにすることができる。
のスパッタリング方式を採用することができるが、マグ
ネトロンスパッタリング方式として、低温高速スパッタ
を行うようにすることができる。
【００１０】又、マグネトロンスパッタリング方式で基
板表面にＴｉまたはＴｉＮ膜を成膜するに際し、Ｔｉま
たはＴｉＮ膜に対応させて、カソードマグネットの磁場
分布を変化させるようにして、ＴｉまたはＴｉＮ膜の膜
厚分布を向上するようにすることもできる。
板表面にＴｉまたはＴｉＮ膜を成膜するに際し、Ｔｉま
たはＴｉＮ膜に対応させて、カソードマグネットの磁場
分布を変化させるようにして、ＴｉまたはＴｉＮ膜の膜
厚分布を向上するようにすることもできる。
【００１１】前記の如くの成膜方法に好適な、この発明
の成膜装置は、ＴｉまたはＴｉＮ薄膜を基板表面に形成
するために、Ｔｉターゲットを備えた、マグネトロンス
パッタリング方式のＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜装置にお
いて、カソードマグネットに、Ｔｉターゲット部分に形
成する磁場を変化させるための、磁場変化手段を付設し
てあることを特徴とするＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜装置
である。
の成膜装置は、ＴｉまたはＴｉＮ薄膜を基板表面に形成
するために、Ｔｉターゲットを備えた、マグネトロンス
パッタリング方式のＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜装置にお
いて、カソードマグネットに、Ｔｉターゲット部分に形
成する磁場を変化させるための、磁場変化手段を付設し
てあることを特徴とするＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜装置
である。
【００１２】前記磁場変化手段は、カソードマグネット
の磁極に対する移動機構とすることができるが、他の機
構、例えば電磁石をカソードマグネット内に内蔵して励
磁電流を制御するようにした機構などで構成することも
できる。
の磁極に対する移動機構とすることができるが、他の機
構、例えば電磁石をカソードマグネット内に内蔵して励
磁電流を制御するようにした機構などで構成することも
できる。
【００１３】
【作用】この発明によれば、チャンバー内の、Ｔｉまた
はＴｉＮの成膜を１乃至複数回毎に入れ替えるので、パ
ーティクルの原因となるチャンバー内壁のＴｉＮ膜をデ
バイスの製造を中断することなく定期的にＴｉ膜で覆
い、剥離を防止する。
はＴｉＮの成膜を１乃至複数回毎に入れ替えるので、パ
ーティクルの原因となるチャンバー内壁のＴｉＮ膜をデ
バイスの製造を中断することなく定期的にＴｉ膜で覆
い、剥離を防止する。
【００１４】マグネトロンスパッタリング方式におい
て、カソードマグネットに付設した磁場変化の手段を介
して、磁場分布を変化させるようにすることによって、
ＴｉまたはＴｉＮ膜の膜厚分布を夫々向上することがで
きる。
て、カソードマグネットに付設した磁場変化の手段を介
して、磁場分布を変化させるようにすることによって、
ＴｉまたはＴｉＮ膜の膜厚分布を夫々向上することがで
きる。
【００１５】
【実施例】以下この発明を実施例に基づいて説明する。
【００１６】図１は、マグネトロンスパッタリング方式
を採用した実施例のカソードマグネット１の部分を示し
たものである。カソードマグネット１はターゲットホル
ダー２内に回転自在に設置されており、ターゲットホル
ダー２を貫通して外部に突出させた支軸３に固着したベ
ベルギヤ４と駆動モータ５の軸に固着したベベルギヤ６
を係合させて、駆動モータ５を介して、カソードマグネ
ット１が支軸３の回わりで回転するようにしてある。タ
ーゲットホルダー２の内部は、水、空気その他の冷媒７
が流通可能とされ、ターゲット（Ｔｉ）８の冷却ができ
るようにしてある。
を採用した実施例のカソードマグネット１の部分を示し
たものである。カソードマグネット１はターゲットホル
ダー２内に回転自在に設置されており、ターゲットホル
ダー２を貫通して外部に突出させた支軸３に固着したベ
ベルギヤ４と駆動モータ５の軸に固着したベベルギヤ６
を係合させて、駆動モータ５を介して、カソードマグネ
ット１が支軸３の回わりで回転するようにしてある。タ
ーゲットホルダー２の内部は、水、空気その他の冷媒７
が流通可能とされ、ターゲット（Ｔｉ）８の冷却ができ
るようにしてある。
【００１７】前記カソードマグネット１は図２のよう
に、ヨーク板９の一側縁部に沿って設けた磁極１０と中
央部に設けた磁極１１で構成し、ターゲット８に対して
磁界を作用させることができるもので、各磁極１０、１
１は実施例の場合、永久磁石（フェライト又は希土類磁
石等）を用い、磁極１０はＮ極を、磁極１１はＳ極をヨ
ーク板９から遠い方に位置させた。
に、ヨーク板９の一側縁部に沿って設けた磁極１０と中
央部に設けた磁極１１で構成し、ターゲット８に対して
磁界を作用させることができるもので、各磁極１０、１
１は実施例の場合、永久磁石（フェライト又は希土類磁
石等）を用い、磁極１０はＮ極を、磁極１１はＳ極をヨ
ーク板９から遠い方に位置させた。
【００１８】磁極１１はヨーク板９に摺動可能に添接し
た摺動板１２に取付けられ、支軸３の端部に構成したシ
リンダー１３のピストン１４を介して矢示１５の方向で
移動可能としてある。即ち、シリンダー１３に装着した
ピストン１４の両側の空間１３ａ、１３ｂと夫々連通す
る通路１５、１６が支軸３内に形成され、支軸３の側壁
に上下に開口した開口部１７、１８に対して、支軸３に
嵌装した外筒１９の内壁に上下に環状凹入部２０、２１
が形成してあり、導入管２２、２３から、環状凹入部２
０、２１および通路１５、１６を通して、シリンダー１
３の空間１３ａ、または１３ｂに加圧空気（油その他の
加圧流体でも良い）を導入し、ピストン１４の移動によ
り、磁極１１が移動できるようにしたものである、尚、
図１（ａ）中の符号２４はパッキング（Ｏリング）であ
る。
た摺動板１２に取付けられ、支軸３の端部に構成したシ
リンダー１３のピストン１４を介して矢示１５の方向で
移動可能としてある。即ち、シリンダー１３に装着した
ピストン１４の両側の空間１３ａ、１３ｂと夫々連通す
る通路１５、１６が支軸３内に形成され、支軸３の側壁
に上下に開口した開口部１７、１８に対して、支軸３に
嵌装した外筒１９の内壁に上下に環状凹入部２０、２１
が形成してあり、導入管２２、２３から、環状凹入部２
０、２１および通路１５、１６を通して、シリンダー１
３の空間１３ａ、または１３ｂに加圧空気（油その他の
加圧流体でも良い）を導入し、ピストン１４の移動によ
り、磁極１１が移動できるようにしたものである、尚、
図１（ａ）中の符号２４はパッキング（Ｏリング）であ
る。
【００１９】図１（ｂ）は、実施例で使用したマルチチ
ャンバー方式の成膜装置の構成を表わしたもので、搬送
ロボット２５を設置したメインチャンバー２６の周囲に
基板装入室２７および基板取出室２８並びにサブチャン
バー２９、３０、３１、３２、３３が、夫々仕切弁３４
を介して設置されている。各部屋には、夫々図示してい
ない排気装置が接続されて、真空排気できるようにして
ある。搬送ロボット２５は例えば矢示３５、３６の方向
および図の面に垂直の方向に自由度を有するアーム３７
を備えているもので、基板装入室２７から処理すべき基
板を、所定のシーケンスでサブチャンバー２９〜３３へ
移送し、サブチャンバー２９〜３３において成膜その他
の処理を終了した基板を基板取出室２８へ移送するよう
になっている。
ャンバー方式の成膜装置の構成を表わしたもので、搬送
ロボット２５を設置したメインチャンバー２６の周囲に
基板装入室２７および基板取出室２８並びにサブチャン
バー２９、３０、３１、３２、３３が、夫々仕切弁３４
を介して設置されている。各部屋には、夫々図示してい
ない排気装置が接続されて、真空排気できるようにして
ある。搬送ロボット２５は例えば矢示３５、３６の方向
および図の面に垂直の方向に自由度を有するアーム３７
を備えているもので、基板装入室２７から処理すべき基
板を、所定のシーケンスでサブチャンバー２９〜３３へ
移送し、サブチャンバー２９〜３３において成膜その他
の処理を終了した基板を基板取出室２８へ移送するよう
になっている。
【００２０】前記カソードマグネット１を備えたターゲ
ットホルダー２は、前記サブチャンバー２９〜３３のう
ち２つのサブチャンバー３０、３１へ夫々設置し、ター
ゲットホルダー２と対向して設置した基板ホルダー３８
上へ、搬送ロボット２５で移送される基板が載置される
ようにして、サブチャンバー３０、３１ではマグネトロ
ンスパッタリング方式によって、ＴｉまたはＴｉＮ膜の
成膜ができるようにした。Ｔｉ製の円板としたターゲッ
ト８の直径Ｄは３１４mm、ターゲット８と基板ホルダー
３８の距離Ｌは６０mmとした。また、カソードマグネッ
ト１の図２に示した寸法ａは２４８mm、寸法ｂは３５２
mmとし、磁極１１と磁極１０の距離ｌは３４mm〜４２mm
の範囲で摺動できるようにした。
ットホルダー２は、前記サブチャンバー２９〜３３のう
ち２つのサブチャンバー３０、３１へ夫々設置し、ター
ゲットホルダー２と対向して設置した基板ホルダー３８
上へ、搬送ロボット２５で移送される基板が載置される
ようにして、サブチャンバー３０、３１ではマグネトロ
ンスパッタリング方式によって、ＴｉまたはＴｉＮ膜の
成膜ができるようにした。Ｔｉ製の円板としたターゲッ
ト８の直径Ｄは３１４mm、ターゲット８と基板ホルダー
３８の距離Ｌは６０mmとした。また、カソードマグネッ
ト１の図２に示した寸法ａは２４８mm、寸法ｂは３５２
mmとし、磁極１１と磁極１０の距離ｌは３４mm〜４２mm
の範囲で摺動できるようにした。
【００２１】上記のように構成した成膜装置で、基板表
面にＴｉ−ＴｉＮ積層膜を成膜するに当っては、１００
回の成膜毎に、Ｔｉ膜の成膜を行うサブチャンバーとＴ
ｉＮ膜の成膜を行うサブチャンバーを入れ替えるように
した。即ち、サブチャンバー３０でＴｉ膜を成膜し、サ
ブチャンバー３１でＴｉＮ膜を成膜するシーケンスと、
サブチャンバー３１でＴｉ膜を成膜し、サブチャンバー
３０でＴｉ膜を成膜するシーケンスを１００回毎に繰り
返して行なった。
面にＴｉ−ＴｉＮ積層膜を成膜するに当っては、１００
回の成膜毎に、Ｔｉ膜の成膜を行うサブチャンバーとＴ
ｉＮ膜の成膜を行うサブチャンバーを入れ替えるように
した。即ち、サブチャンバー３０でＴｉ膜を成膜し、サ
ブチャンバー３１でＴｉＮ膜を成膜するシーケンスと、
サブチャンバー３１でＴｉ膜を成膜し、サブチャンバー
３０でＴｉ膜を成膜するシーケンスを１００回毎に繰り
返して行なった。
【００２２】このようにすることによって、サブチャン
バー３０、３１の内壁（内壁の膜付着を防止するための
シールドを含む）に付着したＴｉＮ膜は、定期的にＴｉ
Ｎで覆うことができ、内部応力が高いＴｉＮ膜の剥離を
防止し、有害なパーティクルの増加を阻止することがで
きた。具体的には、Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜上のパーティク
ル数を最大１０個／３００cm2 に制御することができ
た。
バー３０、３１の内壁（内壁の膜付着を防止するための
シールドを含む）に付着したＴｉＮ膜は、定期的にＴｉ
Ｎで覆うことができ、内部応力が高いＴｉＮ膜の剥離を
防止し、有害なパーティクルの増加を阻止することがで
きた。具体的には、Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜上のパーティク
ル数を最大１０個／３００cm2 に制御することができ
た。
【００２３】一つのマグネトロンスパッタリング方式の
成膜装置で、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜の成膜を行なった場合、
物理スパッタと反応性スパッタの相違により、両者共
に、良好な膜厚分布が得られないという問題点があっ
た。
成膜装置で、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜の成膜を行なった場合、
物理スパッタと反応性スパッタの相違により、両者共
に、良好な膜厚分布が得られないという問題点があっ
た。
【００２４】そこで、実施例では、Ｔｉ膜を成膜する際
には、カソードマグネット１を構成した磁極１１の位置
をシリンダー１３を介して調整して、磁極１０との距離
ｌを３４mmとする一方、ＴｉＮ膜を成膜する際には、前
記距離ｌを４２mmとして行なった。この結果Ｔｉおよび
ＴｉＮ膜ともに５％以下の膜厚分布とし、良好なＴｉ−
ＴｉＮ積層膜を成膜することができた。
には、カソードマグネット１を構成した磁極１１の位置
をシリンダー１３を介して調整して、磁極１０との距離
ｌを３４mmとする一方、ＴｉＮ膜を成膜する際には、前
記距離ｌを４２mmとして行なった。この結果Ｔｉおよび
ＴｉＮ膜ともに５％以下の膜厚分布とし、良好なＴｉ−
ＴｉＮ積層膜を成膜することができた。
【００２５】実施例の場合、前記距離ｌを３４mmとした
場合のＴｉ膜の膜厚分布は１〜１．５％、ＴｉＮ膜の膜
厚分布は７〜１０％であり、距離ｌを３４mmとした場合
のＴｉ膜の膜厚分布は１０〜１５％、ＴｉＮ膜の膜厚分
布は３〜４％であった。
場合のＴｉ膜の膜厚分布は１〜１．５％、ＴｉＮ膜の膜
厚分布は７〜１０％であり、距離ｌを３４mmとした場合
のＴｉ膜の膜厚分布は１０〜１５％、ＴｉＮ膜の膜厚分
布は３〜４％であった。
【００２６】尚、上記実施例ではカソードマグネット１
の磁場分布を変化させるために、磁極１１を移動させた
が、磁極１０を移動させるように構成することも可能
で、要するに、磁極１０、１１の相対位置を変化させれ
ば良いものである。また、磁極を永久磁石で構成した
が、電磁石を組合せて、電磁石の励磁電流を変化させ
て、磁場分布を変化させることも考えられる。
の磁場分布を変化させるために、磁極１１を移動させた
が、磁極１０を移動させるように構成することも可能
で、要するに、磁極１０、１１の相対位置を変化させれ
ば良いものである。また、磁極を永久磁石で構成した
が、電磁石を組合せて、電磁石の励磁電流を変化させ
て、磁場分布を変化させることも考えられる。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、Ｔｉ膜を成膜するチャンバーとＴｉＮ膜を成膜する
チャンバーを定期的に入れ替えるようにしたので、Ｔｉ
Ｎ膜のくり返し成膜の結果、生ずる有害なパーティクル
の増加を防止し、半導体デバイスの生産性を向上できる
効果がある。
ば、Ｔｉ膜を成膜するチャンバーとＴｉＮ膜を成膜する
チャンバーを定期的に入れ替えるようにしたので、Ｔｉ
Ｎ膜のくり返し成膜の結果、生ずる有害なパーティクル
の増加を防止し、半導体デバイスの生産性を向上できる
効果がある。
【００２８】また、マグネトロンスパッタリング方式を
採用し、Ｔｉ膜の成膜またはＴｉＮ膜の成膜に対応させ
て、カソードマグネットの磁場分布を変化させれば、夫
々の膜の膜厚分布を向上できる効果がある。
採用し、Ｔｉ膜の成膜またはＴｉＮ膜の成膜に対応させ
て、カソードマグネットの磁場分布を変化させれば、夫
々の膜の膜厚分布を向上できる効果がある。
【図１】この発明の実施例で使用した装置の図で、
（ａ）はマグネトロンスパッタリング装置を構成したタ
ーゲットホルダーとカソードマグネットの断面図、
（ｂ）はマルチチャンバー方式の成膜装置の構成図、
（ｃ）はターゲットホルダーと基板ホルダーの対向部の
図である。
（ａ）はマグネトロンスパッタリング装置を構成したタ
ーゲットホルダーとカソードマグネットの断面図、
（ｂ）はマルチチャンバー方式の成膜装置の構成図、
（ｃ）はターゲットホルダーと基板ホルダーの対向部の
図である。
【図２】同じく実施例のカソードマグネットの図で、
（ａ）は底面図、（ｂ）は断面図である。
（ａ）は底面図、（ｂ）は断面図である。
１ カソードマグネット ２ ターゲットホルダー ８ ターゲット ９ ヨーク板 １０、１１ 磁極 １２ 摺動板 １３ シリンダー １４ ピストン １９ 外筒 ２０、２１ 環状凹入部 ２５ 搬送ロボット ２６ メインチャンバー ２７ 基板装入室 ２８ 基板取出室 ２９、３０、３１、３２、３３ サブチャンバー ３４ 仕切弁 ３８ 基板ホルダー
Claims (5)
- 【請求項１】 ＴｉとＴｉＮの積層膜を基板表面に形成
するために、少なくとも２つのチャンバーを備えた成膜
装置を用い、前記少なくとも２つのチャンバー内で、Ｔ
ｉターゲットのスパッタリングを介してＴｉまたはＴｉ
Ｎ膜を成膜する方法において、前記少なくとも２つのチ
ャンバーを各チャンバー内の、ＴｉまたはＴｉＮの成膜
を１乃至複数回毎に入れ替えることを特徴とするＴｉ−
ＴｉＮ積層膜の成膜方法。 - 【請求項２】 Ｔｉターゲットのスパッタリングは、マ
グネトロンスパッタリング方式とする請求項１記載のＴ
ｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法。 - 【請求項３】 マグネトロンスパッタリング方式で基板
表面にＴｉまたはＴｉＮ膜を成膜するに際し、Ｔｉまた
はＴｉＮ膜に対応させて、カソードマグネットの磁場分
布を変化させる請求項２記載のＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成
膜方法。 - 【請求項４】 ＴｉまたはＴｉＮ薄膜を基板表面に形成
するために、Ｔｉターゲットを備えた、マグネトロンス
パッタリング方式のＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜装置にお
いて、カソードマグネットに、Ｔｉターゲット部分に形
成する磁場を変化させるための磁場変化手段を付設して
あることを特徴とするＴｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜装置。 - 【請求項５】 磁場変化手段は、カソードマグネットの
磁極に対する移動機構とした請求項４記載のＴｉ−Ｔｉ
Ｎ積層膜の成膜装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5264770A JP2627861B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および装置 |
| TW083106626A TW248573B (ja) | 1993-10-22 | 1994-07-20 | |
| KR1019940017853A KR0146410B1 (ko) | 1993-10-22 | 1994-07-23 | Ti-TiN 적층막의 성막방법 및 마그네트론 캐소드 |
| US08/305,837 US5514257A (en) | 1993-10-22 | 1994-09-14 | Method for forming Ti-tin laminates |
| US08/534,646 US5643427A (en) | 1993-10-22 | 1995-09-27 | Magnetron cathode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5264770A JP2627861B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07118833A true JPH07118833A (ja) | 1995-05-09 |
| JP2627861B2 JP2627861B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=17407950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5264770A Expired - Fee Related JP2627861B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | Ｔｉ−ＴｉＮ積層膜の成膜方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5514257A (ja) |
| JP (1) | JP2627861B2 (ja) |
| KR (1) | KR0146410B1 (ja) |
| TW (1) | TW248573B (ja) |
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| JP2001316812A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-16 | Ulvac Japan Ltd | 窒化アルミ膜成膜方法 |
| JP2004269952A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Showa Shinku:Kk | マグネトロンスパッタ装置及び方法 |
| CN108690962A (zh) * | 2017-04-06 | 2018-10-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 磁控溅射设备及磁控溅射沉积方法 |
| KR20220160099A (ko) * | 2020-04-24 | 2022-12-05 | 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디. | 반도체 가공 디바이스 및 이의 마그네트론 메커니즘 |
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| US6682288B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-01-27 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
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- 1994-07-20 TW TW083106626A patent/TW248573B/zh not_active IP Right Cessation
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- 1994-09-14 US US08/305,837 patent/US5514257A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
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| JP2627861B2 (ja) | 1997-07-09 |
| TW248573B (ja) | 1995-06-01 |
| US5514257A (en) | 1996-05-07 |
| KR0146410B1 (ko) | 1998-11-02 |
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