KR0146410B1 - Ti-TiN 적층막의 성막방법 및 마그네트론 캐소드 - Google Patents

Abstract

반도체 디바이스에 유해한 입자의 발생을 저감하고, 디바이스의 생산성이 손상되지 않도록한 Ti-TiN적층막의 성막방법 및 마그네트론 캐소드를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

자석을 이동할 수 있는 마그네트론 캐소드를 갖는 적어도 2개의 챔버를 구비한 멀티챔버시스템을 사용하여 Ti 타기트의 스퍼터링에 의한 Ti 또는 TiN막을 성막하는 방법에 있어서, 각 챔버내의 Ti 또는 TiN의 성막을 1내지 복수회마다 교체하며 시행한다.

Description

Ti-TiN 적층막의 성막방법 및 마그네트론 캐소드

제1도는 본 발명의 실시예에서 사용한 장치의 도면으로,

(a)는 마그네트론 캐소드의 단면도.

(b)는 멀티 챔버시스템의 구성도.

(c)는 타기트 홀더와 기판홀더의 대향관계를 나타내는 도면.

제2도는 동 실시예의 자석조립체의 도면으로,

(a)는 저면도.

(b)는 단면도이다.

[산업상의 이용분야]

본 발명은 기판표면에 Ti(티탄)과 Tin(질화티탄)의 적층막을 연속하여 성막하는데 알맞는 Ti-TiN 적층막의 성막방법 및 마그네트론 캐소드에 관한 것이다.

[종래의 기술]

종래, 반도체 디바이스 제조에 있어서, Ti-TiN적층막이 디바이스의 배선용 알루미늄막의 밑바탕 배리어막으로 형성되는 것이 알려져 있다.

근년, 반도체 디바이스의 집적도 향상으로 Ti 막 및 TiN막의 막두께의 분포의 균일성의 향상이 요구되고 있다. 동시에 TiN 성막처리로 내벽등에 부착한 TiN막의 벗겨짐에 의하여 입자가 발생하여 반도체 디바이스의 수율을 저하시킨다라는 문제가 발생하여 왔다.

상기 Ti-TiN 적층막의 형성은 통상, Ti 타기트를 사용하여 Ti 박막을 마그네트론 스퍼터링에 의하여 형성한 후, 동일 챔버내에 아르곤 가스와 질소가스의 혼합가스를 도입하여 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의하여 TiN 박막을 형성한다.

그러나, 동일의 마그네트론 캐소드를 사용하여 양자모두 양호한 막두께 분포를 달성하는 것이 어렵다.

따라서, Ti의 성막처리와 TiN의 성막처리를 각각 양호한 막두께 분포가 달성할 수 있는 마그네트론 캐소드를 갖는 별도의 챔버내에서 행할 필요가 있다.

Ti-TiN 적층막을 형성하는 경우, Ti성막처리용 챔버와 TiN 성막처리용 챔버를 구비하는 멀티챔버시스템이 적합하다.

[발명이 해결하려고 하는 과제]

이 멀티챔버시스템을 사용하여 Ti-TiN 적층막을 형성하는 경우는 기판이 로봇에 의하여 Ti성막처리용 챔버에 반송되고 마그네트론 스퍼터링에 의하여 Ti막이 형성되고 그 후 그 기판을 TiN 성막처리용 챔버에 로봇에 의해 반송되어 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의하여 Ti막의 위에 TiN막이 형성된다. 그러나, TiN성막처리용 챔버내에서는 TiN막의 형성을 반복함에 따라 입자(디바이스에 유해한 미세한 먼지)가 증가한다.

TiN막의 내부응력이 높기 때문에, TiN의 성막처리를 반복함으로써 챔버의 내벽에 퇴적되어 온 TiN막의 두께가 증가하여 박리하여 쉬운상태로 되기 때문이다. 내벽에 부착한 TiN이 입자원으로 된다.

입자발생을 방지하기 위하여는 TiN의 성막을 반복하여 행하는 과정에서 정기적으로(예를 들면 100매의 기판처리마다 1회) Ti 스퍼터링에 의하여, 챔버내벽에 부착한 TiN 막을 Ti로 덮는 방법이 있었다. 이 방법에 의하면, 벗겨지기 쉬운 TiN막을 Ti피막에 의하여 고정화할 수 있다. 그러나, 이 방법에서는 연속하여 Ti막과 TiN막을 제조하는 것이 중단되므로 생산성의 저하를 초래하고 있다.

[과제를 해결하기 위한 수단]

본발명은 상기의 문제점에 비추어 이루어진 것으로 반도체 디바이스에 유해한 입자의 발생을 저감하고 더욱더 Ti막 및 TiN막의 양호한 막두께 분포를 달성하도록 한 Ti-TiN적층막의 성막방법 및 그 방법에 최적한 마그네트론 캐소드를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

이와 같은 목적하에 이루어진 이 발명은 Ti 타기트, 2개의 평행직선에 의하여 양단이 잘라내어진 원형의 대자석(帶磁石)과 그 대자석의 자극과 반대자극이고 그 원형의 대자석중에 배치된 사다리꼴 자석을 갖는 마그네트론 캐소드를 구비한 적어도 2개의 마그네트론 스퍼터링 처리용 챔버를 갖는 멀티챔버시스템을 사용하여 상기의 적어도 2개의 챔버 중 그 하나의 챔버내에서 마그네트론 스퍼터링에 의하여 Ti 성막처리를 행하고, 다른편의 챔버내에서 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의하여 TiN 성막처리를 행하고,

(1) 기판은 Ti 성막처리후에 TiN 성막처리가 행해지고,

(2) TiN성막처리가 행해지고 있는 챔버의 내벽에 부착한 TiN막이 박리할 정도의 막두께에 도달하기 전에 각각의 챔버내에서의 처리를 교체하고,

(3) 그 교체에 있어서, 막두께 분포가 균일하게 도달되도록 사다리꼴 자석의 위치를 이동하는 것을 특징으로 하는 Ti-TiN 적층막의 성막방법이다.

TiN 성막처리가 행해지고 있는 챔버의 내벽에 부착한 TiN막의 막두께가 30㎛에 도달하기 전에 각각의 챔버내에서의 처리를 교체한다.

기판의 Ti-TiN적층막의 성막처리가 300매에 도달하기 전에 각각의 챔버내에서 처리를 교체한다.

기판의 Ti-TiN적층막의 성막처리가 100매에 도달하였을 때에 각각의 챔버내에서 처리를 교체한다.

사다리꼴 자석의 밑변이 원형대자석의 2개의 평행직선에 의하여 양단이 잘라내어져서 생긴 2개의 현의 부분중 띠의 폭이 넓은 부분과 대항하고, 그 밑변의 중점이 원형대자석의 평행직선부의 중앙을 관통하는 대상축상에 있도록 사다리꼴 자석이 배치되고, 그 대상축에 따라 사다리꼴 자석이 이동한다.

Ti막 및 TiN막의 막두께 분포가 각각 5% 이하로 되도록 사다리꼴 자석이 이동한다. 사다리꼴 자석의 밑변과 원형대자석의 폭의 넓은 현의 부분과의 거리가 34㎜∼42㎜의 범위내에서, 사다리꼴 자석이 이동한다.

사다리꼴 자석의 밑변과 원형대자석의 폭의 넓은 현의 부분과의 거리를 Ti 성막처리동안 34㎜로 하고, TiN성막처리동안은 42㎜로 한다.

또, 상기 성막방법에 바람직한 발명은 타기트와, 그 타기트를 유지하는 홀더와, 그 홀더내의 요크판상에 2개의 평행직선에 의하여 양단을 잘라내어진 원형의 대자석과 그 대자석의 자극과 접동판상에 반대의 자극의 사다리꼴 자석을 갖는 자석조립체와, 여기에서는 사다리꼴 자석은 원형대자석 내부에 있고, 사다리꼴 자석의 밑변이 원형 대자석의 2개의 평행직선에 의하여 양단이 잘라내어져서 생긴 2개의 현의 부분 중 띠의 폭이 넓은 부분과 대향하고 그 밑변의 중점이 원형대자석의 평행직선부의 중앙을 관통하는 대상축상에 있도록 배치되고 그 자석조립체를 회전시키기 위하여 회전운동을 전달하는 지지축과, 여기에 있어서 지지축중에 실린더가 형성하여 있고, 그 양단에 유체를 유출입하기 위한 통로가 연결되어 있고, 그 실린더내에는 피스톤이 있고 그 피스톤은 접동판이 연결하여 있고, 그 지지축을 회전시키기 위한 회전기구를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론 캐소드이다. 원형대자석의 평행직선부의 중앙을 관통하는 대상축에 따라 사다리꼴 자석이 이동할 수 있도록 피스톤이 움직인다.

사다리꼴 자석의 밑변과 원형대자석의 폭이 넓은 현의 부분과의 거리가 34㎜∼42㎜의 범위내에서 사다리꼴 자석이 이동한다.

사다리꼴 자석의 밑변과 원형대자석의 폭의 넓은 현의 부분과의 거리를 Ti 성막처리 동안은 34㎜로 하고, TiN성막처리동안 42㎜로 한다.

[작용]

본 발명에 의하면, 하나의 챔버내에서의 Ti 또는 TiN의 성막을 1내지 복수회마다 교체하므로, 입자의 원인으로 되는 챔버내벽의 TiN 막을 Ti 막과 TiN막의 연속제조를 중단하는 일 없이 정기적으로 Ti막으로 피복하여 박리를 방지한다.

마그네트론 스퍼터링 방식에 있어서, 마그네트론 캐소드의 자석이 이동함으로써, 자장 분포를 변화시켜, Ti 및 TiN막의 막두께 분포의 균일성을 각각 향상할 수 있다.

[실시예]

이하 본 발명을 실시여에 의거하여 설명한다.

제1도는 본 발명의 마그네트론 캐소드에 관한 바람직한 실시예를 도시한 것이다. 마그네트론 캐소드용의 자석조립체(1)는 타기트홀더(2)내에 설치되어 있다. 자석조립체(1)의 요크판(9)의 이면에 지지축(3)이 결합하고 있다. 이 지지축(3)은 타기트홀더(2)를 관통하여 외부에 돌출하고 있다. 그 선단에 베벨기어(4)와 구동모우터(5)의 축의 선단에 있는 베벨기어(6)를 맞물리게 한다. 구동모우터(5)의 축이 회전함으로서, 지지축(3)에 의하여 자석조립체(1)가 회전한다. 타기트홀더(2)의 내부는 티탄(Ti)제 타기트(8)을 냉각하기 위하여 냉각수(7)가 유통하고 있다.

상기 마그네트론 캐소드용 자석조립체(1)는 제2도와 같이 요크판(9), N극의 영구자석(10)과 S극의 영구자석(11)으로 구성하고 있다. 자석(10)은 2개의 평행직선에 의하여 양단이 잘라내어진 원형의 대자석이다. 더욱더, 이들 2개의 평행직선은 원형자석(10)의 중심점(0)으로부터 등간격으로 떨어져 있다. 잘라내어 생긴 2개의 현의 부분의 띠의 폭은 다르다.

현(Y)의 띠의 폭은 현(X)의 띠의 폭보다도 넓다. 따라서, 이 원형대자석(10)은 직선(A-A)을 대칭축으로서 선대상(線對象)의 형상으로 되어 있다. 자석(11)은 사다리꼴의 자석이다. 이 사다리꼴 자석(11)의 4개의 각은 둥그스름한 모양을 띠고 있다. 사다리꼴 자석(11)은 원형대자석(10)중에 놓여져 있다. 그리고 그 배치 관계는 사다리꼴자석(11)의 밑변(Z)이 원형대자석(10)의 현(Y)과 대향하고, 그 밑변(Z)의 중점(P)이 원형대자석(10)의 선대상의 대상축(A-A)상에 있다. 다만, 사다리꼴 자석(11)은 원형자석(10)의 중심점(0)에 포개지지 않는다. 사다리꼴 자석(11)이 중심점(0)에 포개지면, 입자의 발생원인으로 된다. 왜냐하면 타기트(8)의 중심부근에서 마그네트론 플라즈마가 발생하지 않게 되고, 이 때문에 그 중심부근에서는 스퍼터에칭되지 않는다. 그리고 스퍼터에칭되지 않는 영역상에 스퍼터된 타기트의 입자(원자)가 부착하여 막이 퇴적하게 된다. 그 영역상에서의 퇴적막이 벗겨짐으로서 입자가 발생하기 때문이다. 본 실시예에서는 중심점(0)에 포개지지 않고 사다리꼴 자석(11)의 밑변(Z)과 원형대자석(10)의 현(Y)의 거리 34㎜인 곳에 사다리꼴자석(11)이 배치되어 있다. 더욱더, 자석(10, 11)에는 페라이트 또는 희토류자석을 사용하여도 무관하다. 사다리꼴자석(11)은 요크판(9)상에서 이동할 수 있도록 접동판(12)이 장착되어 있다. 접동판(12)은 요크판(9)의 오목부분(40)에 놓여져 있다. 그 오목부분(40)속에서 접동판(12)이 움직인다.

오목부분(40)의 좌우양극단에 접동판(12)이 이동하더라도 타기트홀더(2)의 냉각수가 흐르는 공간과 실릴더(13)는 접동판(12)에 의하여 격리되어 있다.

접동판(12)은 오목부분(40)과 실린더(13)를 연결하는 공간(42)을 통하여 피스톤(14)과 연결되어 있다. 피스톤(14)이 지지축(3)의 끝부에 형성된 실린더(13)내에서 화살표(41)방향으로 움직임으로써 접동판(12)를 통하여 사다리꼴자석(11)이, 중심축(A-A)에 따라서(화살표 15의 방향)이동한다. 실린더(13)의 공간을 피스톤(14)으로 분할함으로써 형성되는 공간(13a,13b)은 지지축(3)내에 형성되어 통로(16,16')와 각각 연통한다. 통로(16, 16')의 지지축(3)의 측벽상의 개구부(17, 18)와 같은 높이의 곳에 외통(19)의 내벽상에 환상오목부(20, 21)가 형성되어 있다. 도입관(22) 또는 도입관(23)에 가압공기(기름기타의 가압유체라도 좋다)을 도입하는 것으로 환상오목부(20, 21) 및 통로(15, 16)를 통하여 실린더(13)의 공간(13a), 또는 공간(13b)내로 도입된다. 공간(13a)의 압력차에 의하여 피스톤(14)이 이동한다. 가압공기의 압력을 조정하는 것으로 사다리꼴 자석(11)의 이동거리가 조절될 수 있도록 한 것이다. 다만 입자의 발생을 방지하기 위하여 원형대자석(10)의 중심점(0)상을 사다리꼴 자석(11)이 이동할 수 있더라도 중심점(0)상에 설정하지 않는다. 또한, 24는 패킹(0링)이다.

제1b도는 실시예에서 사용한 멀티챔버시스템을 표시한 것이다. 반송로봇(25)을 설치한 메인챔버(26)의 주위에 기판장입실(27) 및 기판인출실(28) 또 처리 챔버(29, 30, 31, 32, 33)가 각각 게이트 밸브(34)를 사이에 두고 설치되어 있다. 각 챔버에는 각각 도시하지 않는 배기장치가 접속되어 각각의 챔버내를 따로 진공배기할 수 있다. 반송로봇(25)은 예를 들면 화살표(35, 36)의 방향 및 도면에 수직 방향으로 자유도를 갖는 아암(37)을 구비하고 있다. 그 반송로봇(25)에 의하여 기판장입실(27)로부터 처리하여야 할 기판을 처리챔버(29∼33)로 이송하고 처리챔버(29∼33)에 있어서, 성막 기타의 처리를 종료한 기판을 기판인출실(28)로 이송한다. 멀티챔버 시스템에 적합한 반송로봇 및 그 반송방법은 미국특허공보 제 5,288,379호에 개시되어 있다.

상기 자석조립체(1)를 구비한 마그네트론 캐소드는 처리챔버(29∼33)중 2개의 처리챔버(30, 31)에 설치하고 있다. 타기트 홀더(2)와 대향하여 설치한 기판홀더(38)상에 반송로봇(25)으로 이송되는 기판이 놓여지게 된다. 처리챔버(30, 31)에서는 도시하지 않았지만 아르곤 가스 및 아르곤가스와 질소가스의 혼합가스를 도입하는 관이 접속되어 있으므로 Ti막 성막용의 마그네트론 스퍼터링방식, TiN막 성막용의 반응성 마그네트론 스퍼터링 방식의 어느 것으로도 할 수 있게 하였다.

Ti제의 원판형 타기트(8)의 직경(D)은 314㎜, 타기트(8)와 기판홀더(38)의 거리(L)는 60㎜로 하였다. 또 자석조립체(1)의 제2도에 도시한 치수(a)는 248㎜, 치수(b)는 352㎜로 하고, 사다리꼴 자석(11)과 원형대자석(10)의 거리(1)은 34㎜∼42㎜의 범위로 이동할 수 있도록 하였다.

상기와 같은 멀티챔버 시스템에서는 기판표면에 Ti-TiN적층막을 성막함에 있어서는 Ti성막처리를 행하고 있는 처리챔버로 100매의 기판을 처리할 때마다 지금까지 Ti성막처리를 행하고 있던 처리챔버에서는 TiN 성막처리를 행하고 반대로 TiN 성막처리를 행하고 있던 처리챔버에서는 Ti성막처리를 행하도록 하였다.

처리챔버(30)로 Ti막을 성막하고, 처리챔버(31)로 TiN막을 성막하는 시퀀스와, 처리챔버(31)로 Ti막을 성막하고 처리챔버(30)로 Ti막을 성막하는 시퀀스를 100회의 TiN 성막처리를 기준으로 반복실시하였다.

이와같이 함으로써, 처리챔버(30, 31)의 내벽(내벽의 막부착을 방지하기 위한 실드를 포함함)에 부착한 TiN막은 정기적으로 Ti로 피복할 수가 있고, 내부응력이 높은 TiN막의 박리를 방지한다. 그 결과, 입자의 증가를 저지할 수 있다. 구체적으로는 Ti-TiN 적층막상의 입자수를 최대 10개/300㎠로 할 수 있었다. 처리챔버의 내벽에 퇴적한 TiN막이 30㎛로 되면, TiN막의 박리가 현저하게 된다. Ti-TiN 적층막의 성막처리로 6인치 웨이퍼상에 입자의 수는 50개 이상으로 된다. 반도체 디바이스의 품질관리의 관점에서 기판상의 입자의 수는 최고 50개/6인치 웨이퍼까지 허용할 수 있다. 따라서 내벽상의 TiN막의 막두께가 30㎛도달하기 전에 하나의 처리챔버 TiN 성막처리에서 Ti성막처리, 다른편의 처리챔버에서 Ti 성막처리로부터 TiN 성막처리로 바꾸도록 하여도 좋다. 또 300매의 기판에 TiN 성막 처리하면 내벽상의 TiN막의 막두께가 30㎛에 도달한다. 따라서 TiN 성막처리가 300매의 기판에 도달하기 전에 하나의 처리챔버로 TiN 성막처리에서 Ti성막처리, 다른쪽의 처리챔버에서 Ti성막처리로부터 TiN성막처리로 바꾸도록 하여도 좋다.

같은 마그네트론 캐소드를 사용하여 Ti막과 TiN막의 성막을 행한 경우 양쪽의 막 모두 양호한 막두께 분포를 얻을 수 없다라는 문제점이 있었다.

여기서, 실시예에서는 자석조립체(1)를 구성한 사다리꼴 자석(11)의 위치를 가압공기를 조정하여 피스톤(14)에 의해 조정하는 것으로 하였다. Ti막을 성막하는 경우에는 사다리꼴 자석(11)과 원형대자석(10)와의 거리(1)를 34㎜로 하는 한편, TiN막을 성막할 때에는 거리(1)를 42㎜로 하였다. 그 결과 Ti 및 TiN 모두 5% 이하의 막두께 분포를 달성할 수 있었다. 아르곤가스(프로세스가스)의 압력을 4m Torr로 하고, Ti타기트(8)의 인가전력을 5kwatt로 하여 거리(1)를 34㎜로 Ti성막처리를 한 경우의 Ti막의 막두께분포는 1∼1.5%, 거리(1)를 42㎜로한 경우의 Ti막의 막두께 분포는 10∼15%였다. 프로세스가스를 아르곤가스와 질소가스의 혼합가스(유량비 아르곤가스:질소가스=15:85)로 하고, 그 혼합가스의 압력을 4.5mTorr로 하고, 그리고 Ti 타기트(8)의 인가전력을 6kwatt로 하여 거리(1)를 42㎜로 하였을 경우의 TiN막의 막두께 분포는 3∼4%였다.

더구나, 상기 실시예에서는 자석조립체(1)의 자장 분포를 변화시키기 위하여 사다리꼴자석(11)을 이동시켰지만, 원형대자석(10)을 이동시키는 것도 가능하다. 요컨데 원형대자석(10, 11)의 상대위치를 변화시키면 가능하다. 또 자석을 영구자석으로 구성하였지만 전자석을 조합시켜 전자석의 여자전류를 변화시켜 자장분포를 변화시키는 것도 고려된다.

[발명의 효과]

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면 자석의 위치가 바뀌어지는 마그네트론 캐소드를 구비한 2개의 챔버를 사용하여 하나의 챔버에서는 Ti막을 성막처리하는 한편, 다른 쪽의 챔버에서는 TiN막을 성막처리하는 것을 정기적으로 바꿔 넣도록 함으로써 입자의 증가를 방지하고 양호한 Ti막 및 TiN박의 막두께 분포가 달성된다. 그 결과 본 발명은 반도체 디바이스의 생산성 및 품질을 향상할 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

1. Ti타기트, 2개의 평행직선에 의하여 양단을 잘라내어지는 원형의 대자석과, 그 대자석의 자극과 반대의 자극이고 그 원형의 대자석속에 배치된 사다리꼴을 갖는 마그네트론 캐소드를 구비한 적어도 2개의 마그네트론 스퍼터링 처리용 챔버를 갖는 멀티챔버 시스템을 사용하여 상기의 적어도 2개의 챔버중 그 하나의 챔버내에서 마그네트론 스퍼터링에 의하여 Ti성막처리를 행하고, 다른편의 챔버내에서 반응성 마그네트론 스퍼터링에 의하여 TiN 성막처리가 행하고, (1) 기판은 Ti성막처리후 TiN 성막처리가 행해지고, (2) TiN성막처리가 행해지고 있는 챔버의 내벽에 부착한 TiN막이 박리할 정도의 막두께에 도달하기 전에 각각의 챔버내에서의 처리를 교체하고, (3) 그 교체에 있어서, 막두께 분포가 균일하게 되도록 사다리꼴 자석의 위치를 이동하는 것을 특징으로 하는 Ti-TiN적층막의 성막방법.
2. 제1항에 있어서, TiN성막처리가 행해지고 있는 챔버의 내벽에 부착한 TiN막의 막두께가 30㎛에 도달하기 전에 각각의 챔버내에서의 처리를 교체하는 것을 특징으로 하는 Ti-TiN적층막의 성막방법.
3. 제2항에 있어서, 기판의 Ti-TiN 적층막의 성막처리가 300매에 도달하기 전에 각각의 챔버내에서 처리를 교체하는 것을 특징으로 하는 Ti-TiN적층막의 성막방법.
4. 제3항에 있어서, 기판의 Ti-TiN 적층막의 성막처리가 100매에 도달하였을 때, 각각의 챔버내에서 처리를 교체하는 것을 특징으로 하는 Ti-TiN적층막의 성막방법.
5. 제1항에 있어서, 사다리꼴 자석의 밑변이 원형대자석의 2개의 평행직선에 의하여 양단을 잘라내어진 직선부분중 띠의 폭이 넓은 부분과 대향시키고, 그 밑변의 중점이 원형대자석의 선대상의 대상축상에 있도록 사다리꼴 자석을 배치하고, 그 대상축을 따라 사다리꼴 자석을 이동시키는 것을 특징으로 하는 Ti-TiN 적층막의 성막방법.
6. 제5항에 있어서, Ti 및 TiN막의 막두께 분포가 각각 5% 이하로 되도록 사다리꼴 자석이 이동하는 것을 특징으로 하는 Ti-TiN적층막의 성막방법.
7. 제6항에 있어서, 사다리꼴 자석의 밑변과 원형대자석의 폭의 넓은 현의 부분과의 거리가 34㎜∼42㎜의 범위내에서 사다리꼴자석이 이동하는 것을 특징으로 하는 Ti-TiN적층막의 성막방법.
8. 제7항에 있어서, 사다리꼴 자석의 밑변과 원형대자석의 폭의 넓은 현의 부분과의 거리를 Ti성막처리중에는 34㎜로 하고, TiN성막처리중에는 42㎜로 하는 것을 특징으로 하는 Ti-TiN적층막의 성막방법.
9. 타키트(8)와, 그 타기트를 유지하는 홀더(2)와, 그 홀더내의 요크판(9)상에 2개의 평행직선에 의하여 양단을 잘라내어진 원형의 대자석(10)과 접동판(12)상에 그 대자석의 자극과 반대의 자극의 사다리꼴 자석(11)을 갖는 자석조립체(1)와, 여기에서 사다리꼴 자석은 원형대자석내에 있고, 사다리꼴 자석의 밑변이 원형대자석의 2개의 평행직선에 의하여 양단이 잘라내어져서 생긴 2개의 현의 부분 중 띠의 폭이 넓은 부분과 대향하고 그 밑변의 중점이 원형대자석의 선대상의 대상축상에 있도록 배치되고, 그 자석 조립체를 회전시키기 위하여 회전운동을 전달하는 지지축(3)과, 여기에서 지지축상에 실린더(13)가 형성되어 있으며, 그 양단에 유체를 유출입하기 위한 통로(16, 16')가 연결되어 있고, 그 실린더내에는 피스톤(14)이 있고 그 피스톤은 접동판이 연결되어 있으며, 그 지지축을 회전시키기 위한 회전기구(5)를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 마그네트론 캐소드.
10. 제9항에 있어서, 원형대자석의 선대상의 대상축에 따라 사다리꼴 자석이 이동할 수 있도록 피스톤이 움직이는 것을 특징으로 하는 마그네트론 캐소드.
11. 제10항에 있어서, 사다리꼴 자석의 밑변과 원형대자석의 폭이 넓은 현의 부분과의 사이 거리가 34㎜∼42㎜의 범위내에서 이동하는 사다리꼴 자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 캐소드.
12. 제11항에 있어서, 사다리꼴 자석의 밑변과 원형대자석의 폭이 넓은 현의 부분과의 거리는 Ti 성막처리중에는 34㎜이며, TiN성막처리중에는 42㎜인 것을 특징으로 하는 마그네트론 캐소드.