CN105874098A - 连续式成膜装置的成膜准备方法和连续式成膜装置以及搬运器 - Google Patents

连续式成膜装置的成膜准备方法和连续式成膜装置以及搬运器 Download PDF

Info

Publication number
CN105874098A
CN105874098A CN201480067225.7A CN201480067225A CN105874098A CN 105874098 A CN105874098 A CN 105874098A CN 201480067225 A CN201480067225 A CN 201480067225A CN 105874098 A CN105874098 A CN 105874098A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
carrier
evaporation source
prescribed limit
evaporation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480067225.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105874098B (zh
Inventor
深尾万里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of CN105874098A publication Critical patent/CN105874098A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105874098B publication Critical patent/CN105874098B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种可缩短成膜准备所需的作业时间的低成本的连续式成膜装置的成膜制备方法，其在排列设置多个蒸发源(21、22、23)的真空室(11)内，沿各蒸发源排列设置的方向传送基板(S)，在基板上形成多层膜之前，在基板上形成由各蒸发源提供的蒸发材料的单层膜，制备测量用试样。基板安装在搬运器(SC1)上，从与上游侧的蒸发源相对的位置开始连续或间断地传送到与下游侧的蒸发源相对的位置，使用包括可有选择地分别遮挡基板的一面的规定范围的多个遮挡装置(341、342、343)的装置作为搬运器，在通过搬运器从上游侧向下游侧传送基板时，依次改变各遮挡装置各自遮挡的规定范围，在单个基板的面内分别形成各蒸发源蒸发的蒸发材料的单层膜。

Description

连续式成膜装置的成膜准备方法和连续式成膜装置以及搬运器
技术领域
本发明涉及一种连续式成膜装置的成膜准备方法和连续式成膜装置以及搬运器。
背景技术
以往，这种连续式成膜装置例如用于以真空蒸镀法在玻璃基板等的待处理基板的一面(成膜面)上形成低分子材料膜或金属膜并依次层叠(具体是空穴注入传输层、发光层、电子注入传输层、阴极等)制成有机电致发光器件。该装置包括连接了真空泵的真空室，在真空室内并列设置有多个蒸发源，并且设置有沿各蒸发源并列设置的方向传送基板的基板传送装置。
当从蒸发源向着基板在基板的下表面(成膜面)上成膜时，基板传送装置包括暴露基板的下表面并保持基板的搬运器；以及从与上游侧的蒸发源相对的位置开始到与下游侧的蒸发源相对的位置为止连续(或间断)地驱动搬运器的驱动装置。而且，通过基板传送装置从上游侧向下游侧传送基板，经过与各蒸发源相对的位置时，通过将蒸发源蒸发的蒸发材料分别提供到基板的下表面来分别形成各单膜层，从而形成层叠膜(例如参照专利文献1)。该情况下，预先改变各蒸镀源的蒸发材料种类，可以按照规定的膜厚度层叠各种膜。
此处，当用基板传送装置以固定的速度将多个基板依次从上游侧向下游侧传送，并在各基板表面形成层叠膜进行批量生产时，在分别经过与各蒸发源相对的位置时如果在各基板上形成的薄膜的厚度不在规定范围内，则层叠膜的特性将发生变化，因此成品率下降。蒸镀源发出的蒸发材料的供给量决定基板上分别形成的薄膜的厚度，例如，通过电阻加热方式使蒸发材料蒸发时，如果调整蒸发材料的加热温度的话，可适当控制提供给基板的供给量。此外，加热并使蒸发材料蒸发时，由于在加热开始时蒸发不稳定，所以通常设置可覆盖蒸发源的挡板，在蒸发稳定后，收回挡板开始对基板成膜。
然而，在如上述现有例那样的连续式成膜装置中，蒸发源蒸发的蒸发材料除基板和挡板外，还附着堆积在蒸发源的周围或真空室内设置的防护板等位于真空室内的部件的表面上，该附着堆积的物质会对批量生产造成不利影响。因此，除减少的蒸发材料要进行定期补给外，上述部件也要进行定期更换(所谓的维护)。而且，进行维护后，在开始批量生产前，要再次确认各蒸发源处的薄膜厚度分布和成膜率是否在规定范围内(成膜准备)。
作为这种成膜准备方法，以往是在挡板位于遮挡位置的状态下使蒸发源的加热装置分别启动，预备多个安装了基板的搬运器，通过基板传送装置从上游侧向下游侧传送各搬运器，此时，使各蒸发源的挡板移动到适当的回收位置，对一个基板提供一个蒸发源发出的蒸发材料形成单层膜，制备用于测量薄膜厚度分布和成膜率等的测量用试样。然而，在这种成膜制备方法中，需要数目与蒸发源个数相同的用于制备试样的基板，不但成膜准备成本升高，而且由于需要将与蒸发源的个数对应的多个基板安装到搬运器上并传送，所以存在成膜准备所需的作业时间增加的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:专利公开2008－231446号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
鉴于以上内容，本发明的课题是提供一种可缩短成膜准备所需的作业时间的低成本的连续式成膜装置的成膜准备方法和连续式成膜装置。
解决技术问题的手段
为解决上述课题，本发明的连续式成膜装置的成膜准备方法包含：在排列设置多个蒸发源的真空室内，沿各蒸发源排列设置的方向传送待处理基板，在基板上形成多层膜之前，在基板上形成由各蒸发源提供的蒸发材料的单层膜并制备测量用试样的工序，所述成膜准备方法的特征在于：基板安装在搬运器上，从与上游侧的蒸发源相对的位置开始连续或间断地传送到与下游侧的蒸发源相对的位置，使用包括可有选择地分别遮挡基板的一面的规定范围的多个遮挡装置的装置作为搬运器，在以搬运器从上游侧向下游侧传送基板时，依次改变各遮挡装置各自遮挡的规定范围，在单个基板的面内分别形成由各蒸发源提供的蒸发材料的单层膜。
由此，在基板以安装在搬运器上的状态从上游侧向下游侧传送期间，当经过与各蒸发源相对的位置时(或之前)，如果适当驱动任意的遮挡装置的话，则可适当改变基板面内接收到蒸发材料的范围，从而改变单个基板面内的成膜范围，得到由多个蒸发源分别提供的蒸发材料所形成的单层膜的测量用试样。其结果是与使用多个基板的上述以往例相比可缩短成膜准备所需的作业时间，且由于只使用单个基板，所以成本低，尤其有利于真空室内设置的蒸发源的个数多的情况。
再有，为解决上述课题，本发明的连续式成膜装置，其包括可形成真空气氛的真空室，真空室内排列设置有多个蒸发源，并且设置有基板传送装置，其沿各蒸发源排列的方向传送待处理基板，所述连续式成膜装置，其特征在于：基板传送装置包括：搬运器，其暴露于各蒸发源相对的基板的一面并保持基板；驱动装置，其从与上游侧的蒸发源相对的位置开始到与下游侧的蒸发源相对的位置为止连续或间断地驱动搬运器；在基板传送装置中，搬运器包括可有选择地分别遮挡基板的一面的规定范围的多个遮挡装置，且设置有移动装置，其在遮挡基板的一面的规定范围的遮挡位置和该规定范围面向蒸发源的暴露位置之间移动遮挡基板。
由此，可实现改变单个基板面内的成膜范围并由多个蒸发源提供蒸发材料分别形成单层膜的结构，可有助于缩短成膜准备所需的作业时间以及降低成本。
在本发明中，所述遮挡装置由开设在其下表面上的多个孔隙以及分别挡住各孔隙的挡板构成，可采取通过所述移动装置使挡板在遮盖位置和暴露位置之间移动的结构。另一方面，所述遮挡装置具有多个辊以及盖住搬运器的下表面并卷绕在各辊上的单个挡板，在挡板上设置有露出安装在搬运器上的基板的规定范围的开口，可采取通过所述移动装置使所述开口的位置在基板面内移动的结构。
再有，本发明的用于在连续式成膜装置中暴露待处理基板的一面并传送该基板的搬运器，其包括可有选择地遮盖基板的一面的规定范围的遮挡装置，此外，或是还具有用于传输来自外部的动力，在遮盖基板的一面的规定范围的遮盖位置和暴露该规定范围的暴露位置之间移动遮挡装置的从动部，或是还具有用于在遮盖基板的一面的规定范围的遮盖位置和暴露该规定范围的暴露位置之间移动遮挡装置的驱动部。
附图说明
图1(a)是示出本发明实施方式的连续式成膜装置的结构的俯视图，(b)是示出其主要部分的放大剖面图。(c)是示出沿图1(b)中c-c线的剖面图。
图2是实施本发明的成膜准备方法的过程中使用的搬运器的立体图。
图3是说明用图2所示的搬运器进行成膜的顺序的剖面图。
图4是说明用图2所示的搬运器进行成膜时挡板的开合情况的剖面图。
图5(a)和(b)是说明用实施本发明的成膜准备方法的过程中使用的变形例涉及的搬运器进行成膜的顺序的剖面图。
图6(a)～(c)是说明其他变形例涉及的搬运器的图。
图7是进一步说明其他变形例涉及的搬运器的图。
具体实施方式
以下参照附图以将玻璃基板(以下称为“基板S”)作为待处理基板，在该基板S安装到搬运器SC1的状态下移动该基板S，以真空蒸镀法在基板S的一面(成膜面)上形成多个薄膜的情况为例，说明本发明的连续式成膜装置的实施方式。下文中，以下文所述的蒸发源侧为“下”，以从蒸发源向基板S的方向为“上”，再有，基板S在图1(a)和(b)中从右侧向左侧移动，以此为基准来使用表示方向的术语。
参照图1(a)～(c)，DM是本实施方式的连续式成膜装置(以下称为“成膜装置DM”)，成膜装置DM包括划分成膜室1a的、长边在左右方向上的第一真空室11。第一真空室11的长边方向两端经阀门GV连接有分别划分准备室1b、1c的第二、第三真空室12，13。再有，第二真空室12经阀门GV与分别划分加载室1d、1e的第四、第五真空室14、15分别连接，并且，第三真空室13经阀门GV与分别划分加载室1f、1g的第六、第七真空室16、17分别连接。第一～第七的各真空室11～17上分别连接有公知的真空泵，可从大气压抽真空到规定压力并保持该规定压力(可形成真空气氛)。
在第二真空室12中，将送入第五真空室15内的基板S安装在送入第四真空室14内的搬运器SC1上，传送到第一真空室11内。之后，穿过第一真空室11的装置传送到第三真空室13内，在第六、第七的各真空室16、17内分别回收基板S和搬运器SC1。此外，由于基板W和搬运器SC1在加载室1d～1g中的送入或送出方法与基板S和搬运器SC 1在准备室1b、1c中的安装方法和回收方法等可使用机械臂真空传送的公知方法，故此处省略详细说明。
在第一真空室11的下部，排列有位于同一直线上且左右方向距离规定间隔的多个蒸发源21、22、23(图1中例示出三个的情况)。蒸发源21、22、23蒸发的蒸发材料可根据层叠在基板S上的各薄膜的组成而适当选择，再有，蒸发源21、22、23可根据蒸发材料的种类使用公知的电阻加热方式或电子枪方式的装置。再有，在蒸发源21、22、23中，在加热蒸发材料使其蒸发时，由于刚开始加热存在蒸发不稳定的情况，所以包括了覆盖蒸发源防止蒸发材料到达基板S的挡片21。并且，在第一真空室11的上部设置沿排列有各蒸发源的左右方向传送基板S的基板传送装置3。
基板传送装置3包括搬运器SC1以及距离相等间隔而排列设置在第一真空室11的上壁的作为驱动装置的成对的驱动辊DR。驱动辊DR是公知结构的以相同转数同步旋转驱动的装置。再有，搬运器SC1如图1(c)所示，具有中央处开设了与基板S的轮廓相对应的基板收纳孔31a的搬运器本体31，基板收纳孔31a的下端内边缘形成有向其内部方向延伸的延伸片32，一旦基板S从基板收纳孔31a的上侧落入基板收纳孔31a中，则延伸片32支撑住基板S的周边，基板S的内部部分为成膜面。再有，位于与左右方向正交的方向上的搬运器本体31的上端外边缘处分别形成有向搬运器本体31的外部方向延伸的法兰部33，法兰部33的下表面通过分别与驱动辊DR摩擦啮合而向下游侧传送。而且，在成膜室1a内，下表面暴露并由搬运器SC1支撑的基板S从与上游侧(图1中为右侧)的蒸发源21相对的位置连续或间断地向与下游侧的蒸发源23相对的位置移动，在经过与各蒸发源21、22、23相对的位置时，蒸发源21、22、23蒸发的蒸发材料分别提供到基板S的下表面并进行成膜。
然而，在上述成膜装置DM中，不仅需要定期向各蒸发源21、22、23补给减少的蒸发材料，还需要定期更换设置在第一真空室11上的防护板(未图示)等部件。之后，在开始批量生产前，再次确认来自各蒸发源21、22、23的薄膜厚度分布和成膜率是否在规定范围内(成膜准备)，虽然该成膜准备是以批量生产时的条件在基板S上形成来自各蒸发源21、22、23的单层膜并制作测量用试样，对该测量用试样进行评价，但其需要能缩短成膜准备所需的作业时间并降低成本。
在本实施方式中，使用成膜准备用的搬运器SC2改变单个基板S面内的成膜范围分别形成各蒸发源21、22、23蒸发的蒸发材料的单侧膜。参照图2～图4，搬运器SC2与用于批量生产的搬运器SC1具有大致相同的形态，但在搬运器SC2的中央处设置有凹入的与基板S的轮廓对应的基板收纳部311。在基板收纳部311的下表面上，在左右方向上距离相等间隔开设有在与左右方向正交的方向上延伸的多个孔隙312。在搬运器本体31的下表面上，设置有分别挡住各孔隙312的挡板341、342、343作为遮挡装置。而且，设置移动装置4，以便通过各个挡板341、342、343而有选择地挡住孔隙312，在从遮盖基板S下表面的规定范围的遮盖位置到规定范围面向蒸发源21、22、23的暴露位置之间分别移动挡板341、342、343。
移动装置4包括固定位于与左右方向正交的方向上的挡板341、342、343的一边的转轴41；支撑转轴41的一对轴承部42a、42b；在从一侧的轴承部42a向外凸起的转轴41的端部处设置有从动侧的离合器43；以及为吸附挡板341，342，343将之保持在遮盖位置或暴露位置而设置在搬运器主体的下表面的磁铁44a、44b。此时，转轴41、轴承部42a、42b以及从动侧的离合器43构成用于接收来自外部的动力并驱动挡板341、342、343的从动部。移动装置4还具有插设在第一真空室11的内侧壁上形成的透孔11中的驱动轴45(参照图4)。透孔11(是驱动轴45以及下文所述的驱动侧的离合器46的设置位置)形成在上游侧的蒸发源21、22、23的上游侧，且位于各蒸发源21、22、23彼此之间(参照图3)。在驱动轴45位于第一真空室11内的一端上设置有驱动侧的离合器46，其另一端与发动机47的输出轴(未图示)连接。
发动机47由支持板46a支撑，位于支持板46a和第一真空室11的外侧壁之间，围绕驱动轴45和透孔11的周围保持第一真空室11的气密性，并设置有用于使驱动侧的离合器46相对从动侧的离合器43前进或后退的波纹管48和驱动部件49。驱动部件49例如可由贯穿支持板46a设置的操作轴49a和气缸49b构成。而且，通过操作驱动部件49，使驱动侧的离合器46与从动侧的离合器43分开，从不妨碍传送搬运器SC2的回收位置移动到驱动侧的离合器46和从动侧的离合器43啮合的进入位置，在该状态下一旦发动机47驱动并旋转驱动轴45，则挡板341、342、343抵挡磁铁44a、44b的吸附力并摇动，在遮盖位置和暴露位置之间自由移动。以下参照图4说明制作测量用试样的本实施方式的成膜准备方法。
在向各蒸发源21、22、23进行了蒸发材料的补给等后，将第一～第七的各真空室11～17从大气压抽真空到规定压力。在第二真空室12中，送入第五真空室15的作为测量用试样的基板S安装到送入第四真空室14内的搬运器SC2上，传送到第一真空室11。此时，遮盖侧的磁铁44a吸附并保持所有的挡板341、342、343。再有，在挡片21分别覆盖蒸发源21、22、23的状态下开始加热蒸发材料。此外，可使用批量生产中使用的产品作为基板S，再有，也可使用只在与孔隙312对应的基板S的规定范围内粘贴有硅晶片或玻璃基板的产品。
在第一真空室11内，对驱动辊DR进行旋转驱动开始传送搬运器SC2，一旦位于传送方向最前头的挡板341的转轴41到达与位于最上游侧的移动装置4的驱动轴45对应的位置，则暂时停止驱动辊DR的旋转驱动。并且，通过驱动部件49而移动进入位置使驱动侧的离合器46与从动侧的离合器43啮合，在该状态下通过发动机47对驱动轴45进行旋转驱动，对抗遮盖侧的磁铁44a的吸附力而摇动挡板341并移动到暴露位置，吸附并保持在暴露侧的磁铁44b处。此时，只有基板S的第一规定范围S1隔着孔隙312面向最上游的蒸发源21。在该状态下再次开始向下游侧传送搬运器SC2，只使最上游的蒸发源21的挡片21回收。由此，在经过与该蒸发源21相对的位置时，蒸发源21蒸发的蒸发材料只提供到基板S下表面的规定范围S1内进行成膜。
接着，一旦位于传送方向最前头的挡板341的转轴41到达与基板传送方向上相邻的移动装置4的驱动轴45对应的位置，则暂时停止驱动辊DR的旋转驱动，以与上述相同的操作对抗暴露侧的磁铁44b的吸附力而摇动挡板341并移动到遮盖位置，吸附并保持在遮盖侧的磁铁44a处。由此，再次遮盖由蒸发源21形成了薄膜的第一规定范围S1。并且，再次开始搬运器SC2的传送，一旦相邻的挡板342的转轴41到达与上述相邻的移动装置4的驱动轴45对应的位置，则以与上述相同的操作使挡板342摇动并移动到暴露位置，吸附并保持在暴露侧的磁铁44b处，在该状态下，只使蒸发源22的挡片21回收，蒸发源22蒸发的蒸发材料只提供到基板S下表面的第二规定范围S2内进行成膜。进而重复该操作，一旦蒸发源23蒸发的蒸发材料只提供到基板S下表面的第三规定范围S3内进行成膜，则形成成膜准备用的基板。
根据以上所述，如果在基板S以安装在搬运器SC2上的状态从上游侧传送到下游侧的过程中，在经过与各蒸发源21、22、23相对的位置之前，适当驱动任意的遮挡装置341、342、343的话，则可在基板S面内适当改变提供蒸发材料的范围，因此，可向单个基板S的面内，提供来自多个蒸发源的蒸发材料分别形成单层膜。其结果是与使用多张基板S的上述以往例相比，可缩短成膜准备所需的作业时间，并且由于只使用单个基板，所以成本低，特别是有利于真空室11内设置的蒸发源个数多的情况。
以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不仅限于上述内容。在上述实施方式中，以开设有基板收纳孔31a和孔隙312的装置作为搬运器SC1、SC2为例进行了说明，但并不仅限于此，也可用胶带将基板粘贴在搬运器下表面上。再有，以移动装置4包括多块挡板341、342、343的情况为例进行了说明，但并不仅限于此，只要是在向下游侧运送基板S时能适当改变成膜范围的装置，就可广泛应用于本发明。
再有，例如图5(a)和图5(b)所示，搬运器SC3包括分别设置在搬运器本体31的两法兰部33的左上端和右上端侧，由轴承401枢转支撑的辊402、403；以及盖住搬运器本体31的下表面并卷绕在两辊402、403上的挡板300，挡板300上形成有露出安装在搬运器SC3上的基板S的规定范围的开口301。此时，传送方向前侧的辊402的转轴向外突出，其前端上设置从动侧的离合器404，这些部件构成接收来自外部的动力用于驱动挡板300的从动部。并且，如果通过与上述实施方式相同的移动装置4，在基板S以安装在搬运器SC3上的状态从上游侧传送到下游侧的过程中，在经过与各蒸发源21、22、23相对的位置之前，适当改变开口301的话，则可在基板S面内适当改变提供蒸发材料的范围，也就是说在遮盖基板S的一面的规定范围的遮盖位置和该规定范围面向蒸发源21、22、23的暴露位置之间，移动挡板300作为遮挡装置。此时，通过操作一次移动装置4就可改变向基板S面内提供蒸发材料的规定范围，是有益的。
在上述内容中，以在搬运器SC2、SC3上设置从动部接收来自外部的动力并驱动挡板341、342、343、300为例进行了说明，但并不仅限于此。也可如图6所示，在搬运器SC4本身上直接设置移动挡板300的开口301的驱动部，图6中对与图5所示的实施方式相同的部件或要素使用相同附图标记显示。在该变形例涉及的搬运器SC4中，辊402、403的转轴402a、403a分别由垂直架设在法兰部33上的一对支持部件410a、410b枢转支撑，从一侧的支持部件410a向外突出的转轴402a、403a的前端部上固定有将带状的弹性材料420a盘成线圈状制成的螺旋弹簧420。由此，随着搬运器SC4向下游侧移动，由于螺旋弹簧420要恢复原状的回复力使辊402、403旋转，挡板300的开口301移动，可在基板S面内适当改变提供蒸发材料的范围。
再有，在上述实施方式中，以对各孔隙312设置挡板341、342、343为例进行了说明，但也可如图7所示，在涉及其他变形例的搬运器SC5上，省略位于传送方向最前头的挡板341，一旦相邻的挡板342移动到暴露位置，则遮盖传送方向最前头的孔隙312，进而，一旦相邻的挡板343移动到暴露位置，则遮盖中央的孔隙312，图7中对与图2～4所示的实施方式相同的部件或要素使用相同附图标记显示。再有，在该搬运器SC5中，移动挡板342、343的驱动部430直接设置在搬运器SC4上。使用发动机等公知的驱动器作为驱动部430。此时可使用公知的非接触电力馈送方法或经设置在第一真空室11内的各驱动辊DR和转动各驱动辊DR的搬运器本体31的法兰部33给驱动部430供电。另一方面，可使用带电池的装置作为驱动部430，省略用于供电的机构。再有，既可以设置凸轮等机构在遮盖位置和暴露位置之间分别移动挡板341、342、343，也可以使用公知的微型开关和传感器控制挡板341、342、343的开合时机。此外，当然也可在搬运器SC4上采用上述作为驱动部的驱动器。
进而，在上述实施方式中，以使用电阻加热方式和电子枪方式的装置作为成膜装置DM的蒸发源21、22、23，通过真空蒸镀法进行成膜为例进行了说明，但并无特殊限定，只要是能对传送的基板进行成膜的装置即可，例如也可使用溅射阴极作为蒸发源，进而，也可由使用CVD法成膜的气体导入装置构成。
附图标记说明
DM…连续式成膜装置、11…真空室、21、22、23…蒸发源、341、342、343、300…挡板(遮挡装置)、4…移动装置、DR…驱动辊(基板传送装置)、S…基板、SC1、SC2、SC3、SC4、SC5…搬运器(基板传送装置)。

Claims (6)

1.一种连续式成膜装置的成膜准备方法，其包含：在排列设置多个蒸发源的真空室内，沿各蒸发源排列设置的方向传送待处理基板，在基板上形成多层膜之前，在基板上形成由各蒸发源提供的蒸发材料的单层膜并制备测量用试样的工序，所述成膜准备方法的特征在于：
基板安装在搬运器上，从与上游侧的蒸发源相对的位置开始连续或间断地传送到与下游侧的蒸发源相对的位置，使用包括可有选择地分别遮挡基板的一面的规定范围的多个遮挡装置的装置作为搬运器，在通过搬运器从上游侧向下游侧传送基板时，依次改变各遮挡装置各自遮挡的规定范围，在单个基板的面内分别形成由各蒸发源提供的蒸发材料的单层膜。
2.一种连续式成膜装置，其包括可形成真空气氛的真空室，真空室内排列设置有多个蒸发源，并且设置有基板传送装置，其沿各蒸发源排列的方向传送待处理基板，所述连续式成膜装置，其特征在于：
基板传送装置包括：搬运器，其暴露于各蒸发源相对的基板的一面并保持基板；驱动装置，其从与上游侧的蒸发源相对的位置开始到与下游侧的蒸发源相对的位置为止连续或间断地驱动搬运器；
在基板传送装置中，搬运器包括可有选择地分别遮挡基板的一面的规定范围的遮挡装置，且设置有移动装置，其在遮挡基板的一面的规定范围的遮挡位置和该规定范围面向蒸发源的暴露位置之间移动遮挡基板。
3.根据权利要求2所述的连续式成膜装置，其特征在于：所述遮挡装置由开设在其下表面上的多个孔隙以及分别挡住各孔隙的挡板构成，通过所述移动装置使挡板在遮盖位置和暴露位置之间移动。
4.根据权利要求2所述的连续式成膜装置，其特征在于：所述遮挡装置具有多个辊以及盖住搬运器的下表面并卷绕在各辊上的单个挡板，在挡板上设置有露出安装在搬运器上的基板的规定范围的开口，通过所述移动装置使所述开口的位置在基板面内移动。
5.一种搬运器，其是用于在连续式成膜装置中暴露待处理基板的一面并传送该基板的搬运器，其包括：有选择地遮盖基板的一面的规定范围的遮挡装置，还具有用于传输来自外部的动力，在遮盖基板的一面的规定范围的遮盖位置和暴露该规定范围的暴露位置之间移动遮挡装置的从动部。
6.一种搬运器，其是用于在连续式成膜装置中暴露待处理基板的一面并传送该基板的搬运器，其包括：有选择地遮盖基板的一面的规定范围的遮挡装置，还具有用于在遮盖基板的一面的规定范围的遮盖位置和暴露该规定范围的暴露位置之间移动遮挡装置的驱动部。
CN201480067225.7A 2013-12-12 2014-11-26 连续式成膜装置的成膜准备方法和连续式成膜装置以及搬运器 Active CN105874098B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-257388 2013-12-12
JP2013257388 2013-12-12
PCT/JP2014/005919 WO2015087505A1 (ja) 2013-12-12 2014-11-26 インライン式成膜装置の成膜準備方法及びインライン式成膜装置並びにキャリア

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105874098A true CN105874098A (zh) 2016-08-17
CN105874098B CN105874098B (zh) 2018-06-29

Family

ID=53370836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480067225.7A Active CN105874098B (zh) 2013-12-12 2014-11-26 连续式成膜装置的成膜准备方法和连续式成膜装置以及搬运器

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6179908B2 (zh)
KR (1) KR20160098347A (zh)
CN (1) CN105874098B (zh)
TW (1) TWI573886B (zh)
WO (1) WO2015087505A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109609922A (zh) * 2019-01-02 2019-04-12 京东方科技集团股份有限公司 薄膜制备装置、方法及系统
CN111621762A (zh) * 2019-02-27 2020-09-04 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法以及电子器件制造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7239549B2 (ja) * 2020-12-10 2023-03-14 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
JP7216064B2 (ja) * 2020-12-10 2023-01-31 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
CN115537753A (zh) * 2021-06-29 2022-12-30 鑫天虹(厦门)科技有限公司 开合式遮蔽构件及具有开合式遮蔽构件的薄膜沉积机台

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09143721A (ja) * 1995-11-17 1997-06-03 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 多層膜用シャッターを有する連続真空蒸着装置
DE102010052761A1 (de) * 2010-11-30 2012-05-31 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI320059B (en) * 2006-07-05 2010-02-01 Evaporation equipment and convey device thereof
JP2008231446A (ja) 2007-03-16 2008-10-02 Seiko Epson Corp インライン式蒸着装置および成膜方法
WO2011136075A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 株式会社アルバック 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法
KR101938365B1 (ko) * 2012-07-31 2019-04-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착량 측정 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09143721A (ja) * 1995-11-17 1997-06-03 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 多層膜用シャッターを有する連続真空蒸着装置
DE102010052761A1 (de) * 2010-11-30 2012-05-31 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109609922A (zh) * 2019-01-02 2019-04-12 京东方科技集团股份有限公司 薄膜制备装置、方法及系统
CN109609922B (zh) * 2019-01-02 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 薄膜制备装置、方法及系统
CN111621762A (zh) * 2019-02-27 2020-09-04 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法以及电子器件制造方法
CN111621762B (zh) * 2019-02-27 2023-06-02 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法以及电子器件制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI573886B (zh) 2017-03-11
JPWO2015087505A1 (ja) 2017-03-16
TW201534745A (zh) 2015-09-16
JP6179908B2 (ja) 2017-08-16
WO2015087505A1 (ja) 2015-06-18
CN105874098B (zh) 2018-06-29
KR20160098347A (ko) 2016-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105874098A (zh) 连续式成膜装置的成膜准备方法和连续式成膜装置以及搬运器
JP4475967B2 (ja) 真空蒸着機
US8043432B2 (en) Atomic layer deposition systems and methods
EP2489759B1 (en) System for utilization improvement of process chambers and method of operating thereof
JP5911958B2 (ja) 長方形基板に層を堆積させるためのマスク構造体、装置および方法
CN104658946A (zh) 集群批处理式基板处理系统
WO2013132794A1 (ja) 蒸着装置
JP2005213570A (ja) 真空蒸着機
EP2518178B1 (en) Tooling carrier for inline coating machine, method of operating thereof and process of coating a substrate
JP4761056B2 (ja) クラスター型真空成膜装置
JP2008224922A5 (zh)
WO2016059789A1 (ja) フレキシブル基板上への気相成長法による成膜方法
JP2004111386A5 (ja) 製造装置および有機化合物を含む層の作製方法
US20050241585A1 (en) System for vaporizing materials onto a substrate surface
WO2003104520A1 (ja) 有機薄膜の形成方法
JP5733507B2 (ja) 成膜方法
JP5768962B2 (ja) 原子層堆積法成膜装置における成膜処理ドラム
CN113853449B (zh) 用于在基板上形成膜的方法及系统
EP2868769A1 (en) Film formation device
US20150059646A1 (en) Vapor-deposition device for coating two-dimensional substrates
JP2006037200A (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP4440625B2 (ja) 真空蒸着装置
WO2023287550A1 (en) Sensor assembly and methods of vapor monitoring in process chambers
KR20160023998A (ko) 기상 증착 장치 및 기판 처리 방법
WO2019053402A1 (en) HIGH SPEED MANUFACTURE OF MULTILAYER ELECTROCHEMICAL DEVICE

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant