JP2005213570A - 真空蒸着機 - Google Patents

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Abstract

【課題】 大型基板においても、蒸着材料の蒸気の均一な流れを形成し、蒸気分布を制御して、蒸着を均一化できる真空蒸着機を提供する。
【解決手段】 蒸発室19a、19b側から混合室22側へ流入する蒸着材料16a、16bの蒸気量を、ガラス基板12の板幅方向Lにおいて均一に制御する複数のスプールシャッタ21と、ガラス基板12の下面側に、ガラス基板12の被蒸着面に平行に配置され、混合室22において混合された蒸着材料16a、16bの蒸気の面内分布及び流れを、蒸着室25b内において整える多孔板シャッタ23とを、真空蒸着機に設けることで、ガラス基板12の板幅方向Lの蒸着の均一化を図る。
【選択図】 図3

Description

本発明は、基板等の被蒸着体に蒸着材料を蒸着させて、薄膜を形成する真空蒸着機に関する。
真空蒸着機は、真空容器内に蒸着材料と被蒸着体を配置し、真空容器内を減圧した状態で、蒸着材料を加熱、溶融して蒸発又は昇華により気化させ、気化された蒸着材料を被蒸着体の表面に堆積させて薄膜を形成するものである。上記真空蒸着機では、蒸着材料の加熱方法としては、蒸着材料を入れたるつぼを外部ヒータにより加熱する外熱るつぼ法等が用いられている。近年では、真空蒸着機を用いることで、金属の蒸着による金属薄膜の形成に限らず、有機物の蒸着による有機薄膜や複数の有機物を用いた共蒸着による高分子薄膜の形成が行われており、例えば、フラットパネルディスプレイ(以下、FPDと略す。)の有機エレクトロルミネセンス素子(以下、有機EL素子と略す。)の形成等に用いられている。
特開平10−152777号公報
近年、FPDの普及に伴い、FPD基板の大型化が進んでいる。FPD基板が大型になるにしたがい、気化された蒸着材料の均一な濃度分布、流れを形成することが難しくなり、FPD基板上での均一な蒸着が難しく、むらが出やすいという問題が起こっている。例えば、有機系の蒸着材料に対しては、制御の容易さから、上記外熱るつぼ法を用いるものが多く、蒸着材料の温度制御や蒸着材料と基板との間に設けたシャッタの開閉量の制御等により、蒸着材料からの蒸気量を制御している。しかしながら、上記方法では、全体の蒸気量は制御することはできても、大型のFPD基板の幅方向に対する蒸気量は制御することは難しく、蒸着による均一な薄膜を得ることが難しくなってきている。
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、大型基板においても、蒸着材料の蒸気分布を制御すると共に、均一な流れを形成して、蒸着による均一な薄膜を得ることができる真空蒸着機を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明に係る真空蒸着機は、
真空容器内に設けられ、基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の下面側に設けられ、少なくとも、前記基板の搬送方向に垂直な方向である板幅方向の被蒸着領域の長さを有する蒸着室と、
前記真空容器の下方側に設けられ、複数の蒸着材料を気化又は昇華させて、前記複数の蒸着材料の蒸気を発生させる複数の蒸発室と、
少なくとも、前記基板の前記板幅方向の被蒸着領域の長さを有すると共に、前記基板の前記板幅方向における前記蒸発室からの前記蒸着材料の蒸気量を制御する複数の蒸気量制御手段と、
前記複数の蒸気量制御手段が面し、前記蒸着材料の蒸気が混合される混合室と、
前記蒸発室から前記蒸着室までの真空容器の壁面を加熱する加熱手段とを有し、
前記蒸気量制御手段は、
前記基板の前記板幅方向に、複数の入口孔及びそれに対応する複数の出口孔を備えたブロックと、
前記ブロック内に回転可能に嵌合され、前記基板の前記板幅方向に複数配設された円柱形状のシャッタシャフトと、
各々の前記シャッタシャフトに設けられ、前記1つの入口孔とそれに対応する前記1つの出口孔とを連通する連通孔とを有することを特徴とする。
つまり、上記蒸気量制御手段は、蒸発室側から流入する蒸着材料の蒸気量が、基板の板幅方向において均一になるように、各シャッタシャフトを独立して回転させて、板幅方向の蒸気量を独立して調整する。
上記課題を解決する本発明に係る真空蒸着機は、
真空容器内に設けられ、基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の下面側に設けられ、少なくとも、前記基板の搬送方向に垂直な方向である板幅方向の被蒸着領域の長さを有する蒸着室と、
前記真空容器の下方側に設けられ、複数の蒸着材料を気化又は昇華させて、前記複数の蒸着材料の蒸気を発生させる複数の蒸発室と、
前記蒸着材料の蒸気が混合される混合室と、
少なくとも、前記基板の前記板幅方向の被蒸着領域の長さを有すると共に、前記基板の下面側に、前記基板の被蒸着面に平行に配置され、前記蒸着室における前記蒸着材料の蒸気の分布及び流れを整える蒸気整流手段と、
前記蒸発室から前記蒸着室までの真空容器の壁面を加熱する加熱手段とを有し、
前記蒸気整流手段は、
複数の第1の貫通孔を備えた固定板と、
前記固定板の平面上を、前記基板の前記板幅方向に可動に配置されると共に、前記複数の第1の貫通孔の開口面積を制御する開口面積制御手段を備えた複数の可動板とを有することを特徴とする。
つまり、上記蒸気整流手段は、基板の下面側となる蒸着室において、蒸着室内の蒸着材料の蒸気の面内分布及び面内の流れが均一になるように、各可動板を独立して移動させ、蒸着材料の蒸気の分布、流れを独立して制御する。
上記課題を解決する本発明に係る真空蒸着機は、
真空容器内に設けられ、基板を搬送する搬送手段と、
前記基板の下面側に設けられ、少なくとも、前記基板の搬送方向に垂直な方向である板幅方向の被蒸着領域の長さを有する蒸着室と、
前記真空容器の下方側に設けられ、複数の蒸着材料を気化又は昇華させて、前記複数の蒸着材料の蒸気を発生させる複数の蒸発室と、
少なくとも、前記基板の前記板幅方向の被蒸着領域の長さを有すると共に、前記基板の前記板幅方向における前記蒸発室からの前記蒸着材料の蒸気量を制御する複数の蒸気量制御手段と、
前記複数の蒸気量制御手段が面し、前記蒸着材料の蒸気が混合される混合室と、
少なくとも、前記基板の前記板幅方向の被蒸着領域の長さを有すると共に、前記蒸気量制御手段の上方側である前記基板の下面側に、前記基板の被蒸着面に平行に配置され、前記蒸着室における前記蒸着材料の蒸気の分布及び流れを整える蒸気整流手段と、
前記蒸発室から前記蒸着室までの真空容器の壁面を加熱する加熱手段とを有し、
前記蒸気量制御手段は、
前記基板の前記板幅方向に、複数の入口孔及びそれに対応する複数の出口孔を備えたブロックと、
前記ブロック内に回転可能に嵌合され、前記基板の前記板幅方向に複数配設された円柱形状のシャッタシャフトと、
各々の前記シャッタシャフトに設けられ、前記1つの入口孔とそれに対応する前記1つの出口孔とを連通する連通孔とを有し、
前記蒸気整流手段は、
複数の第1の貫通孔を備えた固定板と、
前記固定板の平面上を、前記基板の前記板幅方向に可動に配置されると共に、前記複数の第1の貫通孔の開口面積を制御する開口面積制御手段を備えた複数の可動板とを有することを特徴とする。
上記課題を解決する本発明に係る真空蒸着機は、
上記真空蒸着機において、
前記蒸気量制御手段は、
前記シャッタシャフトの内部又は外部に、前記シャッタシャフトを回転させる回転手段を有することを特徴とする。
回転手段としては、例えば、シャッタシャフトの内部や外部に、歯車やノブ等の突設部分を設け、この突設部を回転軸等の回転運動により回転させることで、シャッタシャフト自体を回転させる。
上記課題を解決する本発明に係る真空蒸着機は、
上記真空蒸着機において、
前記蒸気整流手段は、
前記開口面積制御手段を複数の第2の貫通孔とし、
前記第1の貫通孔及び前記第2の貫通孔を所定間隔で配置すると共に、前記第1の貫通孔及び前記第2の貫通孔の開口幅が、前記可動板の移動方向に垂直な方向において同一であることを特徴とする。
上記貫通孔の開口幅が、可動板の移動方向に垂直な方向において同一なものとしては、矩形状の貫通孔が該当する。
上記課題を解決する本発明に係る真空蒸着機は、
前記蒸気整流手段は、
前記開口面積制御手段を複数の第2の貫通孔とし、
前記第1の貫通孔及び前記第2の貫通孔を所定間隔で配置すると共に、前記第1の貫通孔及び前記第2の貫通孔の開口幅が、前記可動板の移動方向に垂直な方向において異なることを特徴とする。
上記貫通孔の開口幅が、可動板の移動方向に垂直な方向において異なるものとしては、円形、楕円形等の貫通孔が該当する。
上記課題を解決する本発明に係る真空蒸着機は、
上記真空蒸着機において、
前記蒸気整流手段は、
前記開口面積制御手段を、所定間隔で配置した複数のスリットとしたことを特徴とする真空蒸着機。
上記課題を解決する本発明に係る真空蒸着機は、
上記真空蒸着機において、
前記蒸気整流手段は、
前記所定間隔を、前記蒸着室内における前記蒸着材料の蒸気の分布が均一になるような間隔としたことを特徴とする。
例えば、蒸気整流手段の下方側(蒸発室側)での蒸着材料の蒸気の分布が、基板の板幅方向において均一であれば、均等な間隔で貫通孔を配置すればよいし、分布に偏りがある場合には、その偏り具合により、貫通孔を配置する間隔を変更すればよい。
本発明によれば、ガラス基板の板幅方向に、蒸着材料の蒸気量を制御したり、その流れを整流したりする手段を有するので、板幅方向の蒸着分布の制御が可能となり、蒸着の均一化を行うことができる。
又、本発明によれば、複数の蒸着材料の蒸気量を各々独立して制御するので、共蒸着において所望の混合比率を得ることができると共に、ガラス基板の板幅方向における混合比率も均一なものとすることができ、蒸着面全面に均一な所望の組成比率の蒸着薄膜を得ることができる。
本発明は、真空蒸着機に、蒸発室側から基板側へ流入する蒸着材料の蒸気量を、基板の板幅方向において均一に制御する蒸気量制御手段(スプールシャッタ)と、基板の下面側に、基板の被蒸着面に平行に配置され、蒸着室内の蒸着材料の蒸気の面内分布及び流れを整える蒸気整流手段(多孔板シャッタ)とを設けることで、基板の板幅方向の蒸着材料の蒸気の分布、流れを制御して、蒸着の均一化を図るものである。
図1は、本発明に係る真空蒸着機を複数用いたインライン成膜装置の概略の平面図である。
以下、実施形態の一例として、FPDにおける有機EL素子の形成を例にとって説明を行うが、本発明に係る真空蒸着機は、これに限定されるものでなく、他の基板における他の薄膜の形成も行うことができるものである。又、本発明は、大型の基板に好適なものである。
図1に示すインライン成膜装置は、FPDにおける有機EL素子の形成をインラインで行うために構成されたものであり、処理室毎にゲートドア1を設けて、各々の処理室において異なる真空条件下で、各々目的にあったプロセスを実行できるように構成されている。
具体的には、FPDとなるガラス基板が、図1中の左側から、図示しない搬送ローラにより搬送され、ゲートドア1を通って、マスク装着室2へ搬送される。マスク装着室2では、有機EL素子のパターンを形成するために用いるマスクが、マスクストッカ2aから搬送されて、ガラス基板に装着されると共に、図示しない真空ポンプを用いて、大気から真空への減圧が行われる。
所定の真空度へ達した後、マスクが装着されたガラス基板は、順次、成膜室3a、3b、3cへ搬送される。これらの成膜室3a、3b、3cにおいて、後述する本発明に係る真空蒸着機が用いられており、図1のインライン成膜装置では、有機EL素子の発光層を形成するために、3つの成膜室3a、3b、3cを直列に接続した構成である。なお、成膜室の数、構成は、形成する薄膜の積層数やその目的に応じて、その順序や数、成膜される薄膜自体を適切に組み合わせて構成する。
成膜室3a、3b、3cにおいて成膜を行った後、ガラス基板はマスク脱着室4へ搬送される。マスク脱着室4では、成膜室3a、3b、3cにて用いたマスクを脱離すると共に、次の処理室(Alスパッタ室6)で用いる新たなマスクを、マスクストッカ4aから搬送して装着する。なお、マスク脱着室4で脱離されたマスクは、マスククリーニング室5において、O2プラズマ等を用いてクリーニングされ、その後、マスクストッカ5aに搬送される。
新たなマスクが装着されたガラス基板はAlスパッタ室6へ搬送され、Alスパッタ室6において、有機EL素子の発光層への配線となる金属薄膜が形成される。その後、マスク除去室7へ搬送され、ここで、マスクが脱離され、脱離されたマスクはマスクストッカ7aへ、ガラス基板は封止室8へ搬送される。封止室8では、封止材供給室8aから供給された封止材を用いて、成膜により形成された有機EL素子の封止を行う。封止を行った後、ガラス基板は封止室8から搬送される。
図2は、図1における成膜室3a、3b、3cの構成の一実施例を示す概略図であり、各々の成膜室3a、3b、3cが、本発明に係る真空蒸着機により構成されたものである。なお、成膜室3a、3cは、各々1つの蒸着材料を用いた真空蒸着機であり、成膜室3bは、2つの蒸着材料を用いた共蒸着のための真空蒸着機である。又、図3に、成膜室3bの内部構成を図示した。
図2に示すように、搬送機11(搬送手段)は、ガラス基板12が搬送される方向に、駆動ローラ11aとフリーローラ11bを、複数組み合わせて構成したものであり、図示しない上部チャンバ(真空容器)内に設けられたものである。成膜室3a、3b、3cにて成膜処理を行う際には、成膜される薄膜の膜厚が、ガラス基板12の搬送方向に沿って均一になるように、搬送機11が一定の所定速度でガラス基板12を移動させている。なお、駆動ローラ11a、フリーローラ11bは、ガラス基板12の成膜部分に接触しないように、ガラス基板12の両端の位置に配置されて、ガラス基板12を支持している。
ガラス基板12の薄膜の搬送方向の膜厚の厚さ及び均一性は、搬送機11による移動速度を調整することで、所望の条件に調整することが可能であるが、ガラス基板12が大型になるにしたがい、ガラス基板12の搬送方向に垂直な方向(以降、板幅方向Lと呼ぶ。板幅方向Lについては、図3を参照。)の膜厚、つまり、板幅方向Lのガラス基板12の蒸着薄膜の均一性が、従来の真空蒸着機では問題となっていた。本発明は、板幅方向Lの蒸着薄膜の均一性を改善するため、後述する図4乃至図8の蒸気量制御手段や蒸気整流手段等を用いて、図2、図3の構成とすることで、本発明に係る真空蒸着機を構成している。
成膜室3aは、図2に示すように、蒸発室18から蒸着室25aまでの壁面が複数のヒータ13(加熱手段)により加熱されたチャンバ14a(真空容器)を有している。チャンバ14aは、所謂、ホットウォールチャンバと呼ばれるものであり、気化された蒸着材料15がガラス基板12に到達する途中の過程で、壁面等に蒸着しないような構成になっており、図示しない複数の温度センサを用いて、蒸着材料15が蒸着しない温度に制御されている。このようなホットウォールチャンバを用いた場合、蒸着材料の蒸気の利用効率が向上すると共に、成膜速度も向上する。ガラス基板12の下面側に設けられたチャンバ14aの蒸着室25aは、ガラス基板12の板幅方向Lの方向に長いものであり、少なくとも、ガラス基板12の板幅方向Lの被蒸着領域の長さを有する。
又、図2に示すように、チャンバ14aの下方側から、蒸着材料15を有し、蒸着材料15を気化又は昇華させて、蒸着材料15の蒸気を発生させる蒸発室18(所謂、るつぼの部分)と、蒸発室18からガラス基板12側への蒸着材料15の蒸気量を、ガラス基板12の板幅方向Lにおいて、均一な分布に制御するスプールシャッタ21(蒸気量制御手段)と、複数の貫通孔を有する固定板及び可動板から構成され、蒸着室25a内での蒸着材料15の蒸気の面内分布及び流れを整えて、均一に調整する多孔板シャッタ23(蒸気整流手段)と、上記貫通孔より小さい貫通孔を複数有し、蒸着材料15の蒸気の面内分布及び流れを更に整える多孔整流板24とが、ガラス基板12側へ向かって順に配置されている。
蒸着材料15の蒸気は、スプールシャッタ21、多孔板シャッタ23、そして、多孔整流板24を経て、均一な分布とされた後、蒸着室25aにおいてガラス基板12への蒸着が行われる。これらの構成部材も、蒸着室25aと同様に、ガラス基板12の板幅方向Lに、少なくともガラス基板12の被蒸着領域の板幅方向の長さと同等の長さを有する。但し、本発明の場合、後述のスプールシャッタ21、多孔板シャッタ23が板幅方向Lの蒸着の均一性を制御する機能を有するので、蒸着室18の板幅方向Lの長さは、必ずしも同等の長さでなくてもよい。
本実施例において、チャンバ14aとチャンバ14cは同じ構成であり、成膜する薄膜によってチャンバ14cでの蒸着材料17を、チャンバ14aでの蒸着材料15と異なるものを用いる。これらのチャンバ14a、14b、14cは、各々独立して、図示しない真空ポンプにより、真空度が適切に制御されており、例えば、クライオポンプ等を用いて高真空度を達成している。
成膜室3bは、図2、図3に示すように、蒸発室19a、19bから蒸着室25bまでの壁面が複数のヒータ13(加熱手段)により加熱されたチャンバ14bを有し、チャンバ14bの内部に、共蒸着を行うための蒸発室19a、19bを2つ有するものである。具体的には、チャンバ14bの内部には、蒸着材料16aを有する蒸発室19aと、蒸着材料16bを有する蒸発室19bと、蒸発室19a、19bから混合室22側への蒸着材料16a、16bの蒸気量を、ガラス基板12の板幅方向Lにおいて、均一な分布に制御する2つのスプールシャッタ21と、2つのスプールシャッタ21が面し、蒸着材料16a、16bの蒸気が混合される混合室22と、複数の貫通孔を有する固定板及び可動板から構成され、蒸着室25b内での蒸着材料16a、16bの混合気の面内分布及び流れを整えて、均一に調整する多孔板シャッタ23と、上記貫通孔より小さい貫通孔を複数有し、蒸着材料16a、16bの混合気の面内分布及び流れを更に整える多孔整流板24とが、チャンバ14bの下方側からガラス基板12側へ順に配置されている。
蒸発室19a、19bからの蒸着材料16a、16bの蒸気は、2つのスプールシャッタ21を経て、混合室22で適切な混合比率の混合気とされ、多孔板シャッタ23、そして、多孔整流板24を経て、均一な分布とされた後、蒸着室25bにおいてガラス基板12への蒸着が行われる。この成膜室3bでは、異なる蒸着材料16a、16bを用いて、所望する組成比率を有する薄膜の成膜を行っている。
有機EL素子の発光層の成膜を行う場合、一方の蒸着材料にホスト材を用い、他方の蒸着材料にドープ材を用い、ホスト材に混合されるドープ材の比率を、スプールシャッタ21にて適切に制御することによって、所望の性質を有する発光層を形成することが可能となる。例えば、蒸発室19a、19bを各々独立して温度制御できるように構成した場合、蒸気温度が異なる蒸着材料16a、16bを用いて、各々異なる温度に蒸発室19a、19bを制御して、蒸着材料16a、16bの蒸気を発生させ、これらを混合室22において、所望の混合比率にて混合するようにする。このとき、混合比率が大きく異なる場合には、各々のスプールシャッタ21による蒸気量の制御範囲を最初から異なるように構成することにより、理想的な組成比率を有する薄膜を容易に形成することが可能になる。なお、本実施例では、蒸着材料を2つ用いる場合の成膜室の構成を示したが、蒸着材料を更に増やしたい場合は、蒸発室、スプールシャッタを更に増やせばよい。この場合でも、混合室への蒸気量の制御を行うスプールシャッタ21を用いることで、板幅方向Lの流入量のむらもなく、所望の混合比率で、ドープ材をホスト材に混合することができる。
スプールシャッタ21は、ガラス基板12の板幅方向Lにおける均一な蒸気量(濃度分布)の供給を行うものであり、同等の機能を得られれば、蒸気が通過する流路の配置、方向は特に限定しない。例えば、図3においては、スプールシャッタ21の流路の構成が、図2のものと異なるものを図示しており、この場合、スプールシャッタ21内部で流路の向きを変更して、蒸気が混合室22側へ流入する構成である。スプールシャッタ21は、蒸着材料の蒸気量を、ガラス基板の板幅方向Lにおいて均一に供給するため、板幅方向Lの方向に複数の流路を設け、これらの流路を通過する蒸気量を、各々独立して制御可能な構成とした。このような構成のスプールシャッタ21の構造及び動作を、図4を用いて詳細に説明する。又、図5は、スプールシャッタ21の他の実施例を示すものである。
図4(a)は、本発明に係る真空蒸着機を構成するスプールシャッタの斜視図であり、図4(b)、(c)は、図4(a)のA−A線矢視断面図であり、スプールシャッタの動作状況を示すものである。
図4に示すように、スプールシャッタ21Aは、少なくとも、ガラス基板12の板幅方向Lの被蒸着領域の長さを有する直方体のシャッタブロック31と、シャッタブロック31の内部の長手方向に設けられた円柱状の空間部分と、この円柱状の空間部分に回転可能に嵌合された円柱状の複数のシャッタシャフト32とを有する。つまり、換言すれば、分割された複数の円柱(シャッタシャフト32)を、ブロック31の内部の円筒状の空間部分に板幅方向Lの方向に縦列に組み合せたものである。シャッタブロック31には、対向する位置に入口孔33と出口孔34が形成されており、これらの複数の入口孔33、出口孔34は、板幅方向Lの方向に形成されている。又、シャッタシャフト32内部には、対応する位置の入口孔33、出口孔34と連通するように、連通孔35が形成されており、所定の位置に配置された場合、図4(b)に示すように、対応する位置の入口孔33、出口孔34と連通孔35とが連通して、最大の蒸気量を流すことが可能となる。
蒸気量を調整したい場合には、図4(c)に示すように、シャッタシャフト32自体を回転させることで、入口孔33、出口孔34に対する連通孔35の相対位置を調整して、連通孔35の開口面積を減少させて、蒸気量を調整する。このとき、シャッタシャフト32の回転は、シャッタシャフト32の内部に形成した空間部36の突設部37に、駆動軸38に貫通された円盤状のキー39の切欠部40を嵌合して行う(回転手段)。これを用いることで、空間部36でのキー39の挿入深さの位置により、回転位置を変更したいシャッタシャフト32を、各々独立して調整することができ、適切な回転位置に各々のシャッタシャフトを調整することで、板幅方向Lに対して均一な蒸気量の供給が可能となる。なお、シャッタシャフト32の連通孔35は、シャッタシャフト32の内部に円柱状の空間部36を有するため、この空間部36を迂回するように、流路が形成されている。又、シャッタシャフト32の調整は、上記キー39を用いて手動で行ってもよいし、モータ等の駆動手段により駆動軸38の回転制御及び挿入位置制御を行って、自動制御で行ってもよい。
なお、スプールシャッタ21Aによる蒸気量の制御は、主に、連通孔35の開口面積を変化させることで行っているが、実際にスプールシャッタ21Aを通過する蒸気量は、他の物理要素、例えば、蒸発室16a、16bの圧力と混合室22の圧力との差圧にも影響される。しかしながら、本発明に係る真空蒸着機には、図示していない真空計が各室(蒸発室、混合室、蒸着室等)に設けられており、蒸発室16a、16bと混合室22との差圧が考慮されて、連通孔35の開口面積が決定される。これは後述するスプールシャッタ21Bでも同様である。更に、後述の多孔板シャッタ23の場合にも、混合室22と蒸着室25bとの差圧が考慮されて、貫通孔の開口面積が決定される。
図5(a)は、本発明に係る真空蒸着機を構成するスプールシャッタの他の実施例の斜視図であり、図5(b)、(c)は、図5(a)のB−B線矢視断面図であり、スプールシャッタの動作状況を示すものである。
図5に示すように、スプールシャッタ21Bは、少なくとも、ガラス基板12の板幅方向Lの被蒸着領域の長さを有する直方体のシャッタブロック41と、シャッタブロック41の内部の長手方向に設けられた円柱状の空間部分と、この円柱状の空間部分に嵌合された円柱状の複数のシャッタシャフト42とを有する。シャッタブロック41には、対向する位置に入口孔43と出口孔44が形成されており、シャッタシャフトに形成された連通孔45が、所定の位置に配置された場合、図5(b)に示すように、入口孔43、連通孔45、出口孔44が完全に連通して、最大の蒸気量を流すことが可能となる。蒸気量を調整したい場合には、図5(c)に示すように、シャッタシャフト42を回転させることで、入口孔43、出口孔44に対する連通孔45の相対位置を調整して、連通孔45の開口面積を減少させて、蒸気量を調整する。
シャッタシャフト42の回転は、シャッタシャフト32の円柱外面に設けたノブ47を用いて行い、このノブ47は、シャッタブロック41に形成した孔46により、外部からの調整ができるように構成されている(回転手段)。他のシャッタシャフト42の回転位置の調整を行う場合には、他のシャッタシャフト42のノブ47により行い、各々のシャッタシャフト42の回転位置を、独立して調整することが可能となる。本実施例に場合、ノブ47を用いて、回転位置の調整を行うので、シャッタシャフト42の連通孔45は、直線の流路でよく、実施例2のシャッタシャフト32の連通孔35と比較して、容易に作製することができる。
多孔板シャッタ23は、更に小さな貫通孔を多数有する多孔整流板24と共に、ガラス基板12の下面側に、ガラス基板12の被蒸着面に対して平行に配置されており、多孔整流板24と共に、蒸着室内、更に言及すれば、蒸着室内に露出されたガラス基板12の被蒸着領域の全面において、蒸着材料の蒸気量の面内分布及び面内の流れを均一に整えて、ガラス基板12上に均一な蒸着薄膜を形成するものである。上記多孔板シャッタ23の構造及び動作を、図6、図7を用いて説明する。又、図8は、多孔板シャッタ23の他の実施例を示すものである。
図6(a)、(b)に示すように、本発明に係る多孔板シャッタ23は、少なくとも、ガラス基板12の板幅方向Lの被蒸着領域の長さを有する固定多孔板61と、柄部62a、62b、62cを用いることで、固定多孔板61の平面上を水平移動可能な可動多孔板63a、63b、63c(開口面積制御手段)を複数有する(図6中では3つ)。換言すれば、可動多孔板63a、63b、63cは、固定多孔板61上の同一平面を、互いに異なる領域において、板幅方向Lの方向に水平移動可能なように配置されている。
固定多孔板61には、円形状又は楕円形状の複数の貫通孔64(第1の貫通孔)が設けられており、これらの貫通孔64に対応する位置に、同じく円形状又は楕円形状の貫通孔65a、65b、65c(第2の貫通孔)が、可動多孔板63a、63b、63cに設けられている。例えば、貫通孔64と貫通孔65a、65b、65cを同一形状、同一サイズ、同一間隔とした場合には、所定の位置においては、貫通孔65a、65b、65cが貫通孔64を塞ぐことなく、蒸気が通過する最大の開口面積を得ることができ、その所定の位置から移動させることで、貫通孔65a、65b、65cが貫通孔64の一部を塞いで、開口面積を調整した状態とすることができる(図6(c)参照)。
又、上記多孔板シャッタ23では、固定多孔板61の平面上に、複数の可動多孔板63a、63b、63cを配置したので、各々の可動多孔板63a、63b、63cを独立して移動させることで、可動多孔板63a、63b、63cの貫通孔65a、65b、65cを通過する蒸気量を、各々の可動多孔板63a、63b、63cで独立して制御することができる。図6に示した多孔板シャッタ23では、ガラス基板12の板幅方向Lに対して、中央部の位置に該当する可動多孔板63bと、周辺部の位置に該当する可動多孔板63a、63cを有するので、特に薄膜の膜厚差が大きくなり易いガラス基板12の中央部と周辺部における蒸気量を均等になるように整流することで、板幅方向Lにおける薄膜の膜厚が均一になるようにしている。なお、可動多孔板63a、63b、63cの支持のし易さを考慮すると、固定多孔板61上に可動多孔板63a、63b、63cを配置したほうがよいが、必ずしもこの配置に限定しなくてもよい。又、貫通孔64、65a、65b、65cの数、大きさ、配置位置は、必要とする蒸気量により決定する。
図7(a)、(b)は、可動多孔板63a、63b、63cの貫通孔65a、65b、65cが等間隔で配置された場合において、各々の可動多孔板63a、63b、63cの貫通孔65a、65b、65cの位置関係を示す図である。
図7(a)に示すように、貫通孔65a、65b、65cが同じ間隔W1で配置された場合、可動多孔板63a、63b、63cを所定の位置に配置したときは、可動多孔板63a、63b、63cの隣り合う貫通孔65a、65b、65c同士の間隔も、同じ間隔W1となる。そして、図7(b)に示すように、可動多孔板63a、63b、63cを移動した場合には、可動多孔板63a、63b、63cの隣り合う貫通孔65a、65b、65c同士の間隔のみが、間隔W2、W3と変化する。このとき、可動多孔板63a、63b、63cの位置に応じて、図示しない固定多孔板の貫通孔64が塞がれて、開口面積が変化し、通過する蒸気量も変化することとなる。
図7(c)、(d)は、可動多孔板66a、66b、66cの貫通孔67a、67b、67cが不等間隔で配置された場合において、各々の可動多孔板66a、66b、66cの貫通孔67a、67b、67cの位置関係を示す図である。
図7(c)に示すように、貫通孔67a同士が同じ間隔W4で、貫通孔67b同士が同じ間隔W6で、貫通孔67c同士が同じ間隔W8で配置された場合、可動多孔板66a、66b、66cを所定の位置に配置したとき、可動多孔板66a、66b、66cの隣り合う貫通孔67a、67b、67c同士の間隔、具体的には、貫通孔67aと貫通孔67bの間隔は間隔W5であり、貫通孔67bと貫通孔67cの間隔は間隔W7である。そして、図7(b)に示すように、可動多孔板66a、66b、66cを移動した場合には、可動多孔板66a、66b、66cの隣り合う貫通孔67a、67b、67c同士の間隔のみが、間隔W9、W10と変化する。このとき、可動多孔板66a、66b、66cの位置に応じて、図示しない固定多孔板の貫通孔64が塞がれて、開口面積が変化し、通過する蒸気量も変化することとなる。蒸気量が供給過剰になり易い部分、逆に、蒸気量が供給不足になり易い部分がある場合、図7(c)、(d)に示したように、貫通孔の密度を粗又は密にする、つまり、貫通孔の間隔を大きく又は小さくすることで、蒸気量の分布を制御するようにしてもよい。
図6、図7に示した多孔板シャッタ23では、貫通孔の形状として円形状又は楕円形状ものを用いたが、様々な貫通孔の形状、更には、様々な貫通孔の組み合わせを用いて、多孔板シャッタ23を構成してもよく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、どのような組み合わせでもよい。図8に、そのいくつかを例示して説明を行う。
図8(a)は、多孔板シャッタの他の一例を示すものである。固定多孔板61は前述のものと同等のものであり、円形状の貫通孔64を複数有する。固定多孔板61上に移動可能に配置される可動多孔板71a(開口面積制御手段)は櫛型形状であり、所定間隔で配置されたU字型のスリット72aを複数有し、可動多孔板71aを移動させることで、貫通孔64の開口面積を変化させて、通過する蒸気量を調整する。
又、図8(b)も、多孔板シャッタの他の一例を示すものであり、固定多孔板73及び固定多孔板73上に移動可能に配置される可動多孔板75a(開口面積制御手段)は、共に同一のサイズ、同一の矩形形状の貫通孔74、76aを複数有する構成である。可動多孔板75aを移動させることで、貫通孔74の開口面積を変化させて、通過する蒸気量を調整する。本実施例の多孔板シャッタの場合、固定多孔板73、可動多孔板75aは、共に同一のサイズ、同一の矩形状の貫通孔74、76aを有し、貫通孔の開口幅が可動多孔板の移動方向に垂直な方向において同一であるので、可動多孔板75aを移動した場合には、その移動量に線形に比例して開口面積を変化させることになり、その変化に応じて通過する蒸気量も線形に変化する。逆に、図6、図7に示したて円形状又は楕円形状の貫通孔を用いた多孔板シャッタ23の場合には、貫通孔の開口幅が可動多孔板の移動方向に垂直な方向において異なるので、可動多孔板63a等の移動にともない、その移動量に非線形に開口面積を変化させることになり、その変化に応じて通過する蒸気量も非線形に変化する。
又、図8(c)も、多孔板シャッタの他の一例を示すものである。本実施例の固定多孔板73は、実施例8と同じく矩形形状の貫通孔74を複数有する構成であるが、固定多孔板73上に移動可能に配置される可動多孔板79a(開口面積制御手段)では、特殊な形状の貫通孔80aを複数有する構成である。この貫通孔80aは、大きさの異なる2つの矩形形状の貫通孔を台形形状の貫通孔で一体としたものであり、例えれば、羽子板形状とでも呼べる形状である。本実施例の多孔板シャッタの場合、固定多孔板73が矩形状の貫通孔74を、可動多孔板75aが羽子板形状の貫通孔80aを有するので、可動多孔板79aを移動した場合、移動方向に対して垂直方向の貫通孔80aの幅が大きい場所では、可動多孔板79aの移動に伴い線形に大きく、その開口面積を変化させることができ、移動方向に対して垂直方向の貫通孔80aの幅が小さい場所では、可動多孔板79aの移動に伴い線形に小さく、その開口面積を変化させることができる。つまり、移動量に対して、変化量を大きくしたい部分は貫通孔の幅を大きくし、変化量を小さくしたい部分は貫通孔の幅を小さくすることで、所望の開口面積の変化特性を有するものにでき、その開口面積の変化に伴って、通過する蒸気量も変化することとなる。
このように、貫通孔の形状、貫通孔の組み合わせ等により、所望の変化特性、所望の制御範囲の蒸気量を制御することが可能となる。
本発明に係る真空蒸着機を用いたインライン成膜装置の概略の平面図である。 本発明に係る真空蒸着機を複数配置した構成の一例を示す概略図である。 本発明に係る真空蒸着機の内部構成の一例を示す概略図である。 本発明に係る真空蒸着機を構成するスプールシャッタの一例を示す図である。 本発明に係る真空蒸着機を構成するスプールシャッタの他の一例を示す図である。 本発明に係る真空蒸着機を構成する多孔板シャッタの一例を示す図である。 本発明に係る真空蒸着機を構成する多孔板シャッタの調整方法を説明する図である。 本発明に係る真空蒸着機を構成する多孔板シャッタの他の構成例を示す図である。
符号の説明
3a、3b、3c 真空蒸着機
11 搬送機
12 ガラス基板
13 ヒータ
14a、14b、14c チャンバ
15、16a、16b、17 蒸着材料
18、19a、19b、20 蒸発室
21、21A、21B スプールシャッタ
22 混合室
23 多孔板シャッタ
24 多孔整流板
25a、25b、25c 蒸着室
31、41 シャッタブロック
32、42 シャッタシャフト
33、43 入口孔
34、44 出口孔
35、45 連通孔
61、73 固定多孔板
63a、63b、63c、71a、75a、79a 可動多孔板
64、74 貫通孔
65a、65b、65c、76a、80a 貫通孔
72a スリット

Claims (8)

  1. 真空容器内に設けられ、基板を搬送する搬送手段と、
    前記基板の下面側に設けられ、少なくとも、前記基板の搬送方向に垂直な方向である板幅方向の被蒸着領域の長さを有する蒸着室と、
    前記真空容器の下方側に設けられ、複数の蒸着材料を気化又は昇華させて、前記複数の蒸着材料の蒸気を発生させる複数の蒸発室と、
    少なくとも、前記基板の前記板幅方向の被蒸着領域の長さを有すると共に、前記基板の前記板幅方向における前記蒸発室からの前記蒸着材料の蒸気量を制御する複数の蒸気量制御手段と、
    前記複数の蒸気量制御手段が面し、前記蒸着材料の蒸気が混合される混合室と、
    前記蒸発室から前記蒸着室までの真空容器の壁面を加熱する加熱手段とを有し、
    前記蒸気量制御手段は、
    前記基板の前記板幅方向に、複数の入口孔及びそれに対応する複数の出口孔を備えたブロックと、
    前記ブロック内に回転可能に嵌合され、前記基板の前記板幅方向に複数配設された円柱形状のシャッタシャフトと、
    各々の前記シャッタシャフトに設けられ、前記1つの入口孔とそれに対応する前記1つの出口孔とを連通する連通孔とを有することを特徴とする真空蒸着機。
  2. 真空容器内に設けられ、基板を搬送する搬送手段と、
    前記基板の下面側に設けられ、少なくとも、前記基板の搬送方向に垂直な方向である板幅方向の被蒸着領域の長さを有する蒸着室と、
    前記真空容器の下方側に設けられ、複数の蒸着材料を気化又は昇華させて、前記複数の蒸着材料の蒸気を発生させる複数の蒸発室と、
    前記蒸着材料の蒸気が混合される混合室と、
    少なくとも、前記基板の前記板幅方向の被蒸着領域の長さを有すると共に、前記基板の下面側に、前記基板の被蒸着面に平行に配置され、前記蒸着室における前記蒸着材料の蒸気の分布及び流れを整える蒸気整流手段と、
    前記蒸発室から前記蒸着室までの真空容器の壁面を加熱する加熱手段とを有し、
    前記蒸気整流手段は、
    複数の第1の貫通孔を備えた固定板と、
    前記固定板の平面上を、前記基板の前記板幅方向に可動に配置されると共に、前記複数の第1の貫通孔の開口面積を制御する開口面積制御手段を備えた複数の可動板とを有することを特徴とする真空蒸着機。
  3. 真空容器内に設けられ、基板を搬送する搬送手段と、
    前記基板の下面側に設けられ、少なくとも、前記基板の搬送方向に垂直な方向である板幅方向の被蒸着領域の長さを有する蒸着室と、
    前記真空容器の下方側に設けられ、複数の蒸着材料を気化又は昇華させて、前記複数の蒸着材料の蒸気を発生させる複数の蒸発室と、
    少なくとも、前記基板の前記板幅方向の被蒸着領域の長さを有すると共に、前記基板の前記板幅方向における前記蒸発室からの前記蒸着材料の蒸気量を制御する複数の蒸気量制御手段と、
    前記複数の蒸気量制御手段が面し、前記蒸着材料の蒸気が混合される混合室と、
    少なくとも、前記基板の前記板幅方向の被蒸着領域の長さを有すると共に、前記蒸気量制御手段の上方側である前記基板の下面側に、前記基板の被蒸着面に平行に配置され、前記蒸着室における前記蒸着材料の蒸気の分布及び流れを整える蒸気整流手段と、
    前記蒸発室から前記蒸着室までの真空容器の壁面を加熱する加熱手段とを有し、
    前記蒸気量制御手段は、
    前記基板の前記板幅方向に、複数の入口孔及びそれに対応する複数の出口孔を備えたブロックと、
    前記ブロック内に回転可能に嵌合され、前記基板の前記板幅方向に複数配設された円柱形状のシャッタシャフトと、
    各々の前記シャッタシャフトに設けられ、前記1つの入口孔とそれに対応する前記1つの出口孔とを連通する連通孔とを有し、
    前記蒸気整流手段は、
    複数の第1の貫通孔を備えた固定板と、
    前記固定板の平面上を、前記基板の前記板幅方向に可動に配置されると共に、前記複数の第1の貫通孔の開口面積を制御する開口面積制御手段を備えた複数の可動板とを有することを特徴とする真空蒸着機。
  4. 請求項1又は請求項2記載の真空蒸着機において、
    前記蒸気量制御手段は、
    前記シャッタシャフトの内部又は外部に、前記シャッタシャフトを回転させる回転手段を有することを特徴とする真空蒸着機。
  5. 請求項2又は請求項3記載の真空蒸着機において、
    前記蒸気整流手段は、
    前記開口面積制御手段を複数の第2の貫通孔とし、
    前記第1の貫通孔及び前記第2の貫通孔を所定間隔で配置すると共に、前記第1の貫通孔及び前記第2の貫通孔の開口幅が、前記可動板の移動方向に垂直な方向において同一であることを特徴とする真空蒸着機。
  6. 請求項2又は請求項3記載の真空蒸着機において、
    前記蒸気整流手段は、
    前記開口面積制御手段を複数の第2の貫通孔とし、
    前記第1の貫通孔及び前記第2の貫通孔を所定間隔で配置すると共に、前記第1の貫通孔及び前記第2の貫通孔の開口幅が、前記可動板の移動方向に垂直な方向において異なることを特徴とする真空蒸着機。
  7. 請求項2又は請求項3記載の真空蒸着機において、
    前記蒸気整流手段は、
    前記開口面積制御手段を、所定間隔で配置した複数のスリットとしたことを特徴とする真空蒸着機。
  8. 請求項2乃至請求項6のいずれかに記載の真空蒸着機において、
    前記蒸気整流手段は、
    前記所定間隔を、前記蒸着室内における前記蒸着材料の蒸気の分布が均一になるような間隔としたことを特徴とする真空蒸着機。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006219760A (ja) * 2005-02-07 2006-08-24 Semes Co Ltd 基板処理装置
JP2006225759A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置
JP2006249541A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Hitachi Zosen Corp 蒸着装置
WO2010047235A1 (ja) * 2008-10-22 2010-04-29 国立大学法人東北大学 マグネトロンスパッタ装置
JP2011094222A (ja) * 2009-11-02 2011-05-12 Tokki Corp 蒸着装置における蒸発源及び蒸着装置
JP2012158832A (ja) * 2011-01-12 2012-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置および製造装置
WO2013118397A1 (ja) * 2012-02-08 2013-08-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2014109072A (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 Samsung Display Co Ltd 蒸着源、これを含む蒸着装置および蒸着方法
US20170062202A1 (en) * 2015-08-27 2017-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Image processing apparatus with improved slide printout based on layout data
US9722212B2 (en) 2011-02-14 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device, light-emitting device, and manufacturing method and manufacturing apparatus thereof

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070231490A1 (en) * 2006-03-29 2007-10-04 Eastman Kodak Company Uniformly vaporizing metals and organic materials
EP1947210A1 (fr) 2007-01-16 2008-07-23 ARCELOR France Procede de revetement d'un substrat, installation de mise en oeuvre du procede et dispositif d'alimentation en metal d'une telle installation
DE102009029236B4 (de) * 2009-09-07 2023-02-16 Robert Bosch Gmbh Verdampfer, Anordnung von Verdampfern sowie Beschichtungsanlage
KR101620639B1 (ko) 2009-09-29 2016-05-13 주식회사 포스코 합금 코팅장치
JP5775579B2 (ja) * 2011-07-07 2015-09-09 パナソニック株式会社 真空蒸着装置
CN103305798B (zh) * 2013-05-21 2015-08-26 上海和辉光电有限公司 蒸镀装置及利用该蒸镀装置进行的蒸镀工艺
TWI582251B (zh) 2014-10-31 2017-05-11 財團法人工業技術研究院 蒸鍍系統以及蒸鍍方法
WO2020251696A1 (en) 2019-06-10 2020-12-17 Applied Materials, Inc. Processing system for forming layers

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3901773B2 (ja) * 1996-11-26 2007-04-04 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4576326B2 (ja) * 2005-01-21 2010-11-04 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置
JP2006225759A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着装置
US7918940B2 (en) 2005-02-07 2011-04-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
JP2006219760A (ja) * 2005-02-07 2006-08-24 Semes Co Ltd 基板処理装置
JP4563325B2 (ja) * 2005-02-07 2010-10-13 セメス株式会社 基板処理装置
JP2006249541A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Hitachi Zosen Corp 蒸着装置
JP4535908B2 (ja) * 2005-03-14 2010-09-01 日立造船株式会社 蒸着装置
JP2010100880A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Tohoku Univ マグネトロンスパッタ装置
WO2010047235A1 (ja) * 2008-10-22 2010-04-29 国立大学法人東北大学 マグネトロンスパッタ装置
JP2011094222A (ja) * 2009-11-02 2011-05-12 Tokki Corp 蒸着装置における蒸発源及び蒸着装置
JP2012158832A (ja) * 2011-01-12 2012-08-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置および製造装置
JP2016199810A (ja) * 2011-01-12 2016-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置及び製造装置
US9722212B2 (en) 2011-02-14 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device, light-emitting device, and manufacturing method and manufacturing apparatus thereof
WO2013118397A1 (ja) * 2012-02-08 2013-08-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2014109072A (ja) * 2012-12-03 2014-06-12 Samsung Display Co Ltd 蒸着源、これを含む蒸着装置および蒸着方法
US20170062202A1 (en) * 2015-08-27 2017-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Image processing apparatus with improved slide printout based on layout data
US9953829B2 (en) * 2015-08-27 2018-04-24 Toshiba Memory Corporation Image processing apparatus with improved slide printout based on layout data

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