TWI677430B - 樹脂薄片 - Google Patents

Abstract

本發明的課題為提供一種樹脂薄片(附樹脂之金屬箔)，其係即使為使用具有低粗糙度表面之金屬箔的情況，亦可抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低。

用以解決本發明課題的解決手段為提供一種樹脂薄片，其係藉由減色法(Subtractive method)或改質半添加法(Modified semi-additive method)用以形成電路之樹脂薄片，其特徵為包含具有第1及第2主面之金屬箔、與和金屬箔之第1主面接合之樹脂層，金屬箔之第1主面的算術平均粗糙度(Ra)為300nm以下，樹脂層之厚度為8μm~400μm，樹脂層係包含選自由(a)環氧樹脂、(b)活性酯系硬化劑及含有三嗪構造之酚系硬化劑所構成之群組中之1種以上的硬化劑。

Description

樹脂薄片

本發明係關於樹脂薄片。進而關於使用該樹脂薄片所獲得之層合板、半導體裝置。

作為印刷配線板之製造技術，已知有藉由交替重疊絕緣層與導體層(電路層)之增建(Buildup)方式的製造方法。在藉由增建方式之製造方法，絕緣層一般係使用包含樹脂層之樹脂薄片等，將樹脂層層合於電路基板，藉由使該樹脂層硬化來形成。例如專利文獻1中，揭示有包含金屬箔、與形成於該金屬箔上之樹脂層的樹脂薄片。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007-22091號公報

在藉由增建方式之製造方法，絕緣層之形成後，於該絕緣層上形成電路。使用形成樹脂層於金屬箔上之樹脂薄片時，利用該金屬箔，可依減色法或改質半添加法形成電路。此情況，在形成微細之電路，適合絕緣層與金屬箔的界面粗糙度為低。

然而，為了降低絕緣層與金屬箔的界面粗糙度，於具有低粗糙度表面之金屬箔上使用形成樹脂層而成之樹脂薄片時，有所得之絕緣層與電路的密著強度(剝離強度)降低的情況。特別是在藉由HAST(Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test)之高溫高濕環境下，本發明者們發現絕緣層與電路的密著強度有顯著降低的傾向。

本發明係提供一種樹脂薄片(附樹脂之金屬箔)，其係即使為使用具有低粗糙度表面之金屬箔的情況，亦可抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低作為課題。

本發明者們對於上述課題經努力研究的結果，發現藉由使用包含環氧樹脂及特定硬化劑之樹脂層，可解決上述課題，而終至完成本發明。

亦即，本發明係包含以下之內容。

[1]一種樹脂薄片，其係藉由減色法(Subtractive method)或改質半添加法(Modified semi-additive method)用以形成電路之樹脂薄片，其特徵為包含具有第1及第2主面之金屬箔、與和金屬箔之第1主面接合之樹脂層，金屬箔之第1主面的算術平均粗糙度(Ra)為300nm以下，樹脂層之厚度為8μm~400μm，樹脂層係包含選自由(a)環氧樹脂、(b)活性酯系硬化劑及含有三嗪構造之酚系硬化劑所構成之群組中之1種以上之硬化劑。

[2]如[1]之樹脂薄片，其中，樹脂層係進一步包含(c)無機填充材。

[3]如[2]之樹脂薄片，其中，(c)無機填充材為二氧化矽。

[4]如[2]或[3]之樹脂薄片，其中，將樹脂層中之不揮發成分定為100質量%時，樹脂層中之(c)無機填充材的含量為40質量%~85質量%。

[5]如[1]~[4]中任一項之樹脂薄片，其中，樹脂層係進一步包含(d)聚合物成分，(d)聚合物成分為選自由有機填充材及熱可塑性樹脂所構成之群組。

[6]如[5]之樹脂薄片，其中，(d)聚合物成分為包含選自由有機填充材、苯氧基樹脂及聚乙烯縮醛樹脂所構成之群組中之1種以上。

[7]如[5]或[6]之樹脂薄片，其中，將樹脂層中之不 揮發成分定為100質量%時，樹脂層中之(d)聚合物成分的含量為0.5質量%~10質量%。

[8]如[1]~[7]中任一項之樹脂薄片，其中，樹脂層係進一步包含(e)硬化促進劑。

[9]如[8]之樹脂薄片，其中，將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，樹脂層中之(e)硬化促進劑的含量為0.03質量%~4質量%。

[10]如[8]之樹脂薄片，其中，將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，樹脂層中之(e)硬化促進劑的含量為0.3質量%~3質量%。

[11]如[8]~[10]中任一項之樹脂薄片，其中，(e)硬化促進劑係包含選自由咪唑系硬化促進劑及胺系硬化促進劑所構成之群組中之1種以上。

[12]如[8]~[11]中任一項之樹脂薄片，其中，(e)硬化促進劑係包含選自由咪唑-環氧樹脂之加成物、及4-二甲基胺基吡啶所構成之群組中之1種以上。

[13]如[1]之樹脂薄片，其中，樹脂層係進一步包含(c)無機填充材、(d)聚合物成分及(e)硬化促進劑，(d)聚合物成分係選自由有機填充材及熱可塑性樹脂所構成之群組，將樹脂層中之不揮發成分定為100質量%時，(c)無機填充材的含量為40質量%~85質量%、(d)聚合物成分的含量為0.5質量%~10質量%， 將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，(e)硬化促進劑的含量為0.03質量%~4質量%。

[14]如[13]之樹脂薄片，其中，(c)無機填充材為二氧化矽，(d)聚合物成分係包含選自由有機填充材、苯氧基樹脂及聚乙烯縮醛樹脂所構成之群組中之1種以上，(e)硬化促進劑係包含選自由咪唑-環氧樹脂之加成物、及4-二甲基胺基吡啶所構成之群組中之1種以上。

[15]如[1]~[14]中任一項之樹脂薄片，其中，樹脂層之最低熔融黏度為8000~40000泊(Poise)。

[16]如[1]~[14]中任一項之樹脂薄片，其中，樹脂層之最低熔融黏度為300~12000泊。

[17]如[1]~[16]中任一項之樹脂薄片，其中，硬化樹脂層以形成絕緣層，藉由減色法或改質半添加法形成電路後之該絕緣層與電路的剝離強度為0.5kgf/cm以上，硬化樹脂層以形成絕緣層，藉由減色法或改質半添加法形成電路，進而於130℃、85%RH之條件下，經過100小時後之該絕緣層與電路的剝離強度為0.3kgf/cm以上。

[18]如[1]~[17]中任一項之樹脂薄片，其中，金屬箔之厚度為1μm~40μm。

[19]如[1]~[18]中任一項之樹脂薄片，其中，金屬箔之第1主面的算術平均粗糙度(Ra)為250nm以下。

[20]如[1]~[19]中任一項之樹脂薄片，其中，金屬箔之第2主面的算術平均粗糙度(Ra)為300nm以上。

[21]一種層合板，其特徵為於如[1]~[20]中任一項之樹脂薄片2片之間，以接合樹脂層與內層基板的方式，配置內層基板，藉由真空熱沖壓處理或真空積層處理進行一體成形而獲得。

[22]如[21]之層合板，其係包含藉由減色法或改質半添加法所形成之電路。

[23]如[22]之層合板，其係包含配線間距為50μm以下之電路。

[24]一種半導體裝置，其係使用如[21]~[23]中任一項之層合板而獲得。

根據本發明，可提供一種樹脂薄片(附樹脂之金屬箔)，其係即使為使用具有低粗糙度表面之金屬箔的情況，亦可抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低。

根據本發明之樹脂薄片，可實現具有微細電路之信賴性高之印刷配線板。

以下，將本發明符合該適合之實施形態進行詳細說明。

[樹脂薄片]

本發明之樹脂薄片，其係用於藉由減色法或改質半添加法以形成電路之樹脂薄片(附樹脂之金屬箔)。該樹脂薄片特徵為包含具有第1及第2主面之金屬箔、與和金屬箔之第1主面接合之樹脂層，金屬箔之第1主面的算術平均粗糙度(Ra)為300nm以下，樹脂層之厚度為8μm~400μm，樹脂層係包含選自由(a)環氧樹脂、(b)活性酯系硬化劑及含有三嗪構造之酚系硬化劑所構成之群組中之1種以上的硬化劑。

本發明之樹脂薄片係於印刷配線板的製造時，可藉由使樹脂層硬化，形成絕緣層。又，利用金屬箔，可藉由減色法或改質半添加法形成電路。藉由使用本發明之樹脂薄片，可形成微細之電路，同時可實現可抑制因HAST導致之在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低之信賴性高之印刷配線板。

<金屬箔>

金屬箔係具有第1及第2主面。在本發明之樹脂薄片，金屬箔之第1主面成為與樹脂層接合。

從可形成微細之電路的觀點來看，金屬箔之第1主面實質上並未進行粗化處理，算術平均粗糙度(Ra)為300nm以下。從可形成微細之電路的觀點來看，金屬箔之第1主面的Ra較佳為280nm以下，更佳為260nm以下，再更佳為250nm以下。如先前所述，使用於表面粗糙度低之金屬箔上形成樹脂層而成之樹脂薄片時， 有所得之絕緣層與電路的剝離強度降低的情況。特別是在藉由HAST之高溫高濕環境下，本發明者們發現絕緣層與電路的密著強度有顯著降低的傾向。對此，根據使用包含環氧樹脂與特定硬化劑之樹脂層的本發明之樹脂薄片，不會降低剝離強度，進而可使用具有低粗糙度表面之金屬箔。在本發明，金屬箔之第1主面的Ra，例如可為240nm以下、220nm以下、200nm以下、180nm以下、或160nm以下。金屬箔之第1主面之Ra的下限雖並未特別限定，但從使所得之絕緣層與電路的剝離強度穩定化的觀點來看，通常可成為1nm以上、5nm以上、10nm以上等。

金屬箔之第2主面之Ra雖並未特別限定，但從印刷配線板的製造時，使藉由雷射之鑽孔加工性提昇的觀點來看，較佳為300nm以上，更佳為320nm以上，再更佳為340nm以上、360nm以上、380nm以上、或400nm以上。金屬箔之第2主面之Ra的上限雖並未特別限定，但通常可成為1000nm以下、900nm以下、800nm以下等。

金屬箔表面之算術平均粗糙度(Ra)可使用非接觸型表面粗糙度計測定。作為非接觸型表面粗糙度計，例如可列舉威科儀器公司製之「WYKO NT3300」。

作為金屬箔之材料，例如可列舉銅、鋁等，較佳為銅。作為銅箔，可使用由銅之單金屬所構成之箔，亦可使用由銅與其他金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、 鋯、矽、鈦等)的合金所構成之箔。

金屬箔可為單層構造，亦可為由不同種類金屬或合金所構成之單金屬層或層合2層以上合金層之複層構造。金屬箔為複層構造時，與樹脂層接觸的層較佳為鎳、錫、鉻、鋅、鉬、鈷或鈦之單金屬層、或該等之合金層。

金屬箔之厚度雖並未特別限定，但從藉由減色法形成微細電路的觀點、藉由改質半添加法可圓滑形成電路的觀點來看，較佳為40μm以下，更佳為35μm以下，再更佳為30μm以下、28μm以下、26μm以下、24μm以下、22μm以下、或20μm以下。金屬箔之厚度的下限並未特別限定，因應使用於電路形成之方法、所期待印刷配線板的設計等決定即可。金屬箔之厚度的下限通常可成為1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上、10μm以上等。尚，金屬箔為複層構造時，以金屬箔整體的厚度為該範圍較佳。

只要能得到具有所期望表面粗糙度之金屬箔，金屬箔之製造方法並未特別限定。金屬箔例如可藉由電解法、軋製法等周知的方法製造。使用電解法製造金屬箔時，可藉由調控金屬箔製造時之筒式表面(Drum surface)的平滑性、電流密度、及鍍敷浴溫度等來使Ra值變化。

金屬箔可使用市售品。作為金屬箔之市售品，例如可列舉JX日礦日石金屬(股)製之HLP箔、三 井金屬礦山(股)製之TP-III箔等。

<樹脂層>

在本發明之樹脂薄片，樹脂層之厚度雖可因應所期望印刷配線板的設計決定，但從印刷配線板薄型化的觀點來看，為400μm以下，較佳為350μm以下，更佳為300μm以下，再更佳為250μm以下、200μm以下、180μm以下、160μm以下、140μm以下、120μm以下、100μm以下、80μm以下、60μm以下、或40μm以下。樹脂層之厚度的下限為8μm以上，較佳為10μm以上、15μm以上、或20μm以上。

在本發明之樹脂薄片，樹脂層係包含選自由(a)環氧樹脂、(b)活性酯系硬化劑及含有三嗪構造之酚系硬化劑所構成之群組中之1種以上的硬化劑。

-(a)環氧樹脂-

作為環氧樹脂，例如可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、tert-丁基-苯二酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蔥型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環 式環氧樹脂、含螺環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂等。環氧樹脂可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。

環氧樹脂以包含於1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂較佳。將環氧樹脂之不揮發成分定為100質量%時，以至少50質量%以上為於1分子中具有2個以上環氧基之環氧樹脂較佳。其中，較佳為包含於1分子中具有2個以上之環氧基，於溫度20℃為液狀之環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)、與於1分子中具有2個以上(較佳為3個以上)之環氧基，於溫度20℃為固體狀之環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)。作為環氧樹脂，藉由併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂，得到具有優異可撓性之樹脂層。又，亦提昇所得之絕緣層的斷裂強度。

作為液狀環氧樹脂，較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、具有酯骨架之脂環式環氧樹脂、及具有丁二烯構造之環氧樹脂，更佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、及萘型環氧樹脂。作為液狀環氧樹脂之具體例，可列舉DIC(股)製之「HP4032」、「HP4032H」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「828US」、「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER807」(雙酚F型環氧樹 脂)、「jER152」(酚酚醛型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、長瀨康泰斯(股)製之「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、(股)Daicel製之「Celloxide2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)、「PB-3600」(具有丁二烯構造之環氧樹脂)。此等可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。

作為固體狀環氧樹脂，較佳為萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、蔥型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，更佳為萘型4官能環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、及聯苯型環氧樹脂。作為固體狀環氧樹脂之具體例，可列舉DIC(股)製之「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」(甲酚酚醛型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚酚醛型環氧樹脂)、「HP7200」、「HP7200HH」(雙環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(伸萘基醚型環氧樹脂)、日本化藥(股)製之「EPPN-502H」(三酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學(股)製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、 「ESN485」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(Bixylenol型環氧樹脂)、「YX8800」(蔥型環氧樹脂)、大阪瓦斯化學(股)製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學(股)製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學(股)製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)、「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)等。

作為環氧樹脂，併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂時，該等之量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比較佳為1：0.1~1：6的範圍。藉由將液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的量比定於該範圍，而得到i)以樹脂薄片之形態使用時帶來適度之黏著性、ii)以樹脂薄片之形態使用時得到充分之可撓性，提昇操作性、以及iii)可得到具有充分斷裂強度之絕緣層等之效果。從上述i)~iii)之效果的觀點來看，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)以質量比更佳為1：0.3~1：5的範圍，再更佳為1：0.6~1：4的範圍。

樹脂層中之環氧樹脂的含量，從得到良好機械強度、顯示絕緣信賴性之絕緣層的觀點來看，較佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上，再更佳為10質量%以上。環氧樹脂的含量的上限，只要能發揮本發明的效果下，雖並未特別限定，但較佳為50質量%以下，更佳為 45質量%以下，再更佳為40質量%以下或35質量%以下。

尚，在本發明，樹脂層中之各成分的含量，除非另有說明，係將樹脂層中之不揮發成分定為100質量%時的值。

環氧樹脂的環氧當量較佳為50~5000，更佳為50~3000，再更佳為80~2000，又再更佳為110~1000。藉由成為此範圍，可提供硬化物之交聯密度變充分且表面粗糙度小之絕緣層。尚，環氧當量可依JIS K7236測定，係包含1當量環氧基之樹脂的質量。

環氧樹脂的重量平均分子量較佳為100~5000，更佳為250~3000，再更佳為400~1500。於此，環氧樹脂的重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。

-(b)活性酯系硬化劑及/或含有三嗪構造之酚系硬化劑-

(b)成分係選自由(b1)活性酯系硬化劑及(b2)含有三嗪構造之酚系硬化劑所構成之群組中之1種以上的硬化劑。本發明者們，發現在藉由減色法或改質半添加法用以形成電路之樹脂薄片(附樹脂之金屬箔)，作為環氧樹脂之硬化劑，藉由使用該特定之硬化劑，可抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路的剝離強度的降低。

(b1)活性酯系硬化劑係於1分子中具有1 個以上活性酯基之活性酯化合物。作為活性酯系硬化劑，較佳為於1分子中具有2個以上活性酯基之活性酯化合物，例如較佳為將酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等之反應活性高之酯基使用在1分子中具有2個以上活性酯化合物。活性酯系硬化劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。

從抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低的觀點、耐熱性的觀點來看，較佳為藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物、與羥基化合物及/或硫醇化合物的縮合反應所得之活性酯化合物。其中，更佳為使羧酸化合物、與選自酚化合物、萘酚化合物及硫醇化合物中之1種以上進行反應所得之活性酯化合物，再更佳為使羧酸化合物、與具有酚性羥基之芳香族化合物進行反應所得，且於1分子中具有2個以上之活性酯基的芳香族化合物，又再更佳為使於1分子中具有至少2個以上羧基之羧酸化合物、與具有酚性羥基之芳香族化合物進行反應所得之芳香族化合物，於1分子中具有2個以上之活性酯基的芳香族化合物。活性酯化合物可為直鏈狀亦可為分支狀。又，於1分子中具有至少2個以上之羧基之羧酸化合物若為包含脂肪族鏈之化合物，可提高與構成樹脂層之其他樹脂成分的相溶性，若為具有芳香環之化合物，可提高耐熱性。

作為羧酸化合物，例如可列舉碳原子數1~20(較佳為2~10，更佳為2~8)之脂肪族羧酸、碳原子數 7~20(較佳為7~10)之芳香族羧酸。作為脂肪族羧酸，例如可列舉乙酸、丙二酸、琥珀酸、馬來酸、衣康酸等。作為芳香族羧酸，例如可列舉苯甲酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、苯均四酸等。其中，從抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低的觀點、耐熱性的觀點來看，較佳為琥珀酸、馬來酸、衣康酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸，更佳為間苯二甲酸、對苯二甲酸。

作為硫代羧酸化合物，雖並未特別限制，但例如可列舉硫代乙酸、硫代苯甲酸等。

作為酚化合物，例如可列舉碳原子數6~40(較佳為6~30，更佳為6~23，再更佳為6~22)之酚化合物，作為適合之具體例，可列舉對苯二酚、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞(Phenolphthalein)、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、苯二酚、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、1,3,5-苯三酚(Phloroglucin)、苯三醇、雙環戊二烯型二酚等。作為酚化合物，又，可使用酚酚醛、甲酚酚醛、日本特開2013-40270號公報記載之具有酚性羥基之含磷原子的寡聚物。

作為萘酚化合物，例如可列舉碳原子數10~40(較佳為10~30，更佳為10~20)之萘酚化合物，作為適合之具體例，可列舉α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘等。作為萘酚化合物， 又，可使用萘酚酚醛。

其中，較佳為雙酚A、雙酚F、雙酚S、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、1,3,5-苯三酚、苯三醇、雙環戊二烯型二酚、酚酚醛、甲酚酚醛、萘酚酚醛、具有酚性羥基之含磷原子的寡聚物，更佳為苯二酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、1,3,5-苯三酚、苯三醇、雙環戊二烯型二酚、酚酚醛、甲酚酚醛、萘酚酚醛、具有酚性羥基之含磷原子的寡聚物，再更佳為1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、雙環戊二烯型二酚、酚酚醛、甲酚酚醛、萘酚酚醛、具有酚性羥基之含磷原子的寡聚物，又再更佳為1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、雙環戊二烯型二酚、酚酚醛、甲酚酚醛、萘酚酚醛、具有酚性羥基之含磷原子的寡聚物，還再更佳為1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、雙環戊二烯型二酚、具有酚性羥基之含磷原子的寡聚物，特佳為雙環戊二烯型二酚。

作為硫醇化合物，雖並未特別限制，但例如可列舉苯二硫醇、三嗪二硫醇等。

作為活性酯系硬化劑之適當具體例，可列舉包含雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、包含萘構造 之活性酯化合物、包含酚酚醛之乙醯化物之活性酯化合物、包含酚酚醛之苯甲醯基化物之活性酯化合物、使芳香族羧酸與具有酚性羥基之含磷原子的寡聚物進行反應所得之活性酯化合物，其中，更佳為包含雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、包含萘構造之活性酯化合物、使芳香族羧酸與具有酚性羥基之含磷原子的寡聚物進反應所得之活性酯化合物。尚，在本發明，所謂「雙環戊二烯型二酚構造」，係表示由伸苯基-雙環伸戊基-伸苯基所構成之2價構造單位。

作為活性酯系硬化劑，可使用日本特開2004-277460號公報、日本特開2013-40270號公報所揭示之活性酯化合物，又亦可使用市售之活性酯化合物。作為活性酯化合物之市售品，例如可列舉DIC(股)製之「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000L-65M」(包含雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物)、DIC(股)製之「9416-70BK」(包含萘構造之活性酯化合物)、三菱化學(股)製之「DC808」(包含酚酚醛之乙醯化物之活性酯化合物)、三菱化學(股)製之「YLH1026」(包含酚酚醛之苯甲醯基化物之活性酯化合物)、DIC(股)製之「EXB9050L-62M」(含有磷原子之活性酯化合物)。

(b2)含有三嗪構造之酚系硬化劑係於1分子中合併具有三嗪構造與酚性羥基的酚系硬化劑。含有三嗪構造之酚系硬化劑適合於1分子中包含較佳為2個以 上、3個以上、或4個以上之三嗪構造，適合於1分子中包含較佳為2個以上、3個以上、或4個以上之酚性羥基。含有三嗪構造之酚系硬化劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。

含有三嗪構造之酚系硬化劑，例如可使選自由酚化合物及萘酚化合物所構成之群組中之1種以上、與含有三嗪環之化合物、與甲醛進行反應而獲得。

酚化合物及萘酚化合物適合之例，係如對於(b1)活性酯系硬化劑所說明。其中，較佳為雙酚A、雙酚F、雙酚S、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯二酚、間苯二酚、對苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、1,3,5-苯三酚、苯三醇、雙環戊二烯型二酚、酚酚醛、甲酚酚醛、萘酚酚醛。

作為含有三嗪環之化合物，例如可列舉三聚氫胺、苯胍胺、乙醯胍胺等，較佳為三聚氫胺、苯胍胺。

從抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低的觀點、耐熱性的觀點來看，作為含有三嗪構造之酚系硬化劑，較佳為含有三嗪構造之酚酚醛型硬化劑、含有三嗪構造之甲酚酚醛型硬化劑、含有三嗪構造之萘酚酚醛型硬化劑，更佳為含有三嗪構造之酚酚醛型硬化劑、含有三嗪構造之甲酚酚醛型硬化劑。

作為含有三嗪構造之酚系硬化劑之市售品，例如可列舉DIC(股)製之「LA-3018」(含有三嗪構造之甲酚酚醛型硬化劑)、DIC(股)製之「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」(含有三嗪構造之酚酚醛型硬化劑)等。

從抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低的觀點來看，樹脂層中之(b)成分的含量較佳為1質量%以上，更佳為2質量%以上，再更佳為3質量%以上、4質量%以上、或5質量%以上。(b)成分的含量的上限雖並未特別限定，但較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下，再更佳為20質量%以下，又再更佳為18質量%以下、16質量%以下或15質量%。

又，將(a)成分之環氧基數定為1時，從得到機械強度良好之絕緣層的觀點來看，(b)成分的反應基數較佳為0.2~2，更佳為0.3~1.5，再更佳為0.35~1。於此，所謂「(a)成分之環氧基數」，係將相當於存在於樹脂層中之(a)成分之各環氧樹脂的固體含量質量除以環氧當量之值，對於全部之環氧樹脂進行合計之值。又，對於(b)成分所謂「反應基」係意指活性酯基及酚性羥基，所謂「(b)成分之反應基數」，係將相當於存在於樹脂層中之(b)成分之各硬化劑的固體含量質量除以反應基當量之值全部合計之值。

-(c)無機填充材-

樹脂層可進一步包含無機填充材。藉由包含無機填充材，可抑制所得之絕緣層之熱膨脹率在低。

無機填充材之材料雖並未特別限定，但例如可列舉二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽酸化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、薄水鋁石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯、及磷酸鎢酸鋯等，二氧化矽特別適合。作為二氧化矽，例如可列舉無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等。又作為二氧化矽，較佳為球形二氧化矽。無機填充材可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。作為市售之球狀熔融二氧化矽，可列舉(股)Admatechs製「SO-C2」、「SO-C1」、Unimin公司製「IMSIL A-8」、「IMSIL A-10」等。

無機填充材之平均粒徑較佳為4μm以下，更佳為3μm以下，再更佳為2.5μm以下，又再更佳為2μm以下，特佳為1μm以下、0.7μm以下、或0.5μm以下。無機填充材之平均粒徑的下限較佳為0.01μm以上，更佳為0.03μm以上，再更佳為0.05μm以上、0.07μm以上、或0.1μm以上。無機填充材的平均粒徑可根據米氏(Mie)散射理論由雷射繞射．散射法測定。具體而言，由雷射繞 射式粒度分布測定裝置，將無機填充材之粒度分布以體積基準作成，可藉由將該中位徑作為平均粒徑來測定。測定樣品較佳可使用將無機填充材藉由超音波使其分散於水中者。作為雷射繞射式粒度分布測定裝置，可使用(股)堀場製作所製「LA-500」、「LA-750」、「LA-950」等。

無機填充材從提高耐濕性及分散性的觀點來看，較佳為以胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等之1種以上的表面處理劑處理。作為表面處理劑之市售品，例如可列舉信越化學工業(股)製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業(股)製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)等。

藉由表面處理劑之表面處理的程度，可藉由相對於無機填充材之單位表面積的碳量來進行評價。相對於無機填充材之單位表面積的碳量，從提昇無機填充材之分散性的觀點來看，較佳為0.02mg/m²以上，更佳為0.1mg/m²以上，再更佳為0.2mg/m²以上。另外，從防止樹脂清漆之熔融黏度於薄片形態之熔融黏度的上昇的觀點來看，較佳為1mg/m²以下，更佳為0.8mg/m²以下，再更佳為0.5mg/m²以下。

相對於無機填充材之單位表面積的碳量，可將表面處理後之無機填充材藉由溶劑(例如甲基乙基酮(MEK))進行洗淨處理後來進行測定。具體而言，作為溶劑，除了將充分量之MEK以表面處理劑經表面處理之無機填充材之外，於25℃進行5分鐘超音波洗淨。去除上清液，乾燥固體含量後，可使用碳分析計測定相對於無機填充材之單位表面積的碳量。作為碳分析計，可使用(股)堀場製作所製「EMIA-320V」等。

從得到熱膨脹率低之絕緣層的觀點來看，樹脂層中之無機填充材的含量較佳為40質量%以上，更佳為45質量%以上，再更佳為50質量%以上、55質量%以上、或60質量%以上。無機填充材的含量的上限，從所得之絕緣層之機械強度的觀點來看，較佳為85質量%以下，更佳為80質量%以下。

-(d)聚合物成分-

樹脂層可進一步包含選自由(d1)有機填充材及(d2)熱可塑性樹脂所構成之群組中之聚合物成分。藉由包含組合(a)環氧樹脂及(b)特定硬化劑之聚合物成分，可進一步抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低。

作為(d1)有機填充材，可使用於印刷配線板之製造時所使用之任意有機填充材，例如可列舉橡膠粒子、聚醯胺微粒子、矽氧粒子等，較佳為橡膠粒子。

作為橡膠粒子，於顯示橡膠彈性之樹脂實施化學性交聯處理，若為不溶且不融於有機溶劑之樹脂的微粒子體則並未特別限定，例如可列舉丙烯腈丁二烯橡膠粒子、丁二烯橡膠粒子、丙烯酸橡膠粒子等。作為橡膠粒子之市售品，例如可列舉日本合成橡膠(股)製之「XER-91」、Aica工業(股)製之「STAPHYLOID AC3355」、「STAPHYLOID AC3816」、「STAPHYLOID AC3401N」、「STAPHYLOID AC3816N」、「STAPHYLOID AC3832」、「STAPHYLOID AC4030」、「STAPHYLOID AC3364」、「STAPHYLOID IM101」、吳羽化學工業(股)製之「ParaloidEXL2655」、「ParaloidEXL2602」等。

有機填充材之平均粒子徑較佳為0.005μm~1μm的範圍，更佳為0.2μm~0.6μm的範圍。有機填充材之平均粒子徑可使用動態光散射法測定。例如於適當之有機溶劑將有機填充材藉由超音波等使其均勻分散，使用濃厚系粒徑Analyzer(大塚電子(股)製「FPAR-1000」)，將有機填充材之粒度分布以質量基準作成，可藉由將該中位徑作為平均粒子徑來測定。

作為(d2)熱可塑性樹脂，例如可列舉苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚伸苯基醚樹脂、聚碳酸脂樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂。熱可塑性樹脂可1種單獨使 用、或亦可組合2種以上使用。

熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量較佳為8,000~70,000的範圍，更佳為10,000~60,000的範圍，再更佳為20,000~60,000的範圍。熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量係以凝膠滲透層析(GPC)法測定。具體而言，熱可塑性樹脂之聚苯乙烯換算的重量平均分子量，將(股)島津製作所製LC-9A/RID-6A作為測定裝置，將昭和電工(股)製Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱，使用氯仿等作為移動相，將管柱溫度在40℃測定，可使用標準聚苯乙烯之檢量線算出。

作為苯氧基樹脂，例如可列舉具有選自由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛骨架、聯苯骨架、茀骨架、雙環戊二烯骨架、降莰烯骨架、萘骨架、蔥骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架、及三甲基環己烷骨架所構成之群組中之1種以上骨架之苯氧基樹脂。苯氧基樹脂的末端可為酚性羥基、環氧基等之任一種官能基。苯氧基樹脂可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。作為苯氧基樹脂之具體例，可列舉三菱化學(股)製之「1256」及「4250」(皆為含有雙酚A骨架之苯氧基樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架之苯氧基樹脂)、及「YX6954」(含有雙酚苯乙酮骨架之苯氧基樹脂)，其他可列舉新日鐵住金化學(股)製之「FX280」及「FX293」、三菱化學(股)製之 「YL7553」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。

作為聚乙烯縮醛樹脂，例如可列舉聚乙烯甲縮醛樹脂、聚乙烯丁縮醛樹脂，較佳為聚乙烯丁縮醛樹脂。作為聚乙烯縮醛樹脂之具體例，例如可列舉電氣化學工業(股)製之「電化丁縮醛4000-2」、「電化丁縮醛5000-A」、「電化丁縮醛6000-C」、「電化丁縮醛6000-EP」、積水化學工業(股)製之S-LECBH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。

作為聚醯亞胺樹脂之具體例，例如可列舉新日本理化(股)製之「RIKACOATSN20」及「RIKACOATPN20」。作為聚醯亞胺樹脂之具體例，又可列舉使2官能性羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐進行反應所獲得之線狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報記載之聚醯亞胺)、含有聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺(日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等所記載之聚醯亞胺)等之改質聚醯亞胺。

作為聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例，可列舉東洋紡績(股)製之「VYLOMAXHR11NN」及「VYLOMAXHR16NN」。作為聚醯胺醯亞胺樹脂之具體例，又可列舉日立化成工業(股)製之「KS9100」、「KS9300」(含有聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺)等之改質聚醯胺醯亞胺。

作為聚醚碸樹脂之具體例，可列舉住友化學(股)製之「PES5003P」等。

作為聚碸樹脂之具體例，可列舉Solvay Advanced Polymers(股)製之聚碸「P1700」、「P3500」等。

其中，在(a)環氧樹脂及(b)特定之硬化劑的組合，從可進一步抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低的觀點來看，作為聚合物成分，較佳為有機填充材、苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛樹脂。據此在適合之一實施形態，(d)聚合物成分係包含選自由有機填充材、苯氧基樹脂及聚乙烯縮醛樹脂所構成之群組中之1種以上。

樹脂層中之聚合物成分的含量，從抑制針孔的發生的觀點、抑制絕緣層與電路的剝離強度的降低的觀點來看，較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上，再更佳為1.5質量%以上、或2質量%以上。聚合物成分的含量的上限較佳為10質量%以下，更佳為9質量%以下，再更佳為8質量%以下、7質量%以下、6質量%以下、或5質量%以下。

-(e)硬化促進劑-

樹脂層可進一步包含硬化促進劑。

作為硬化促進劑雖並未特別限定，但例如可列舉咪唑系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、磷系硬化促進 劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等。硬化促進劑可1種單獨使用、或亦可組合2種以上使用。

其中，在(a)環氧樹脂及(b)特定之硬化劑的組合，從可進一步抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低的觀點來看，硬化促進劑較佳為包含選自由咪唑系硬化促進劑及胺系硬化促進劑所構成之群組中之1種以上。

作為咪唑系硬化促進劑，例如可列舉2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三甲酸酯(trimellitate)、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三甲酸酯、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰脲酸加成物、2-苯基咪唑異氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂的加成物(亦稱為「咪唑-環 氧樹脂的加成物」)，較佳為咪唑-環氧樹脂的加成物。作為咪唑-環氧樹脂之加成物之具體例，可列舉三菱化學(股)製之「P200H50」。

作為胺系硬化促進劑，例如可列舉三乙基胺、三丁基胺等之三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6,-參(二甲基胺基甲基)酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯等，較佳為4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一碳烯。

作為磷系硬化促進劑，例如可列舉三苯基膦、鏻硼酸酯化合物、四苯基鏻四苯基硼酸酯、n-丁基鏻四苯基硼酸酯、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸酯、四苯基鏻硫氰酸酯、丁基三苯基鏻硫氰酸酯等，較佳為三苯基膦、四丁基鏻癸酸鹽。

作為胍系硬化促進劑，例如可列舉雙氰胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等，較佳為雙氰胺、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯。

作為金屬系硬化促進劑，例如可列舉鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等之金屬的有機金屬錯合物或有 機金屬鹽。作為有機金屬錯合物之具體例，可列舉鈷(II)乙醯丙酮酸鹽、鈷(III)乙醯丙酮酸鹽等之有機鈷錯合物、銅(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機銅錯合物、鋅(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機鋅錯合物、鐵(III)乙醯丙酮酸鹽等之有機鐵錯合物、鎳(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機鎳錯合物、錳(II)乙醯丙酮酸鹽等之有機錳錯合物等。作為有機金屬鹽之具體例，可列舉辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。

此等當中，在(a)環氧樹脂及(b)特定之硬化劑的組合，從可進一步抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低的觀點來看，作為硬化促進劑，較佳為咪唑-環氧樹脂之加成物、4-二甲基胺基吡啶。據此在適合之一實施形態，硬化促進劑係包含選自由咪唑-環氧樹脂的加成物、及4-二甲基胺基吡啶所構成之群組中之1種以上。

從可進一步抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低的觀點來看，將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，樹脂層中之硬化促進劑的含量較佳為0.03質量%以上，更佳為0.05質量%以上、0.1質量%以上、0.15質量%以上、或0.2質量%以上。印刷配線板的製造時，將樹脂薄片與內層基板藉由真空熱沖壓處理進行一體成形時，樹脂層中之硬化促進劑的含量以更高為適合，將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，較佳為0.3質量%以上、0.5質量%以上、0.6質量% 以上、0.8質量%以上、或1質量%以上。硬化促進劑的含量的上限較佳為4質量%以下，更佳為3.5質量以下、3質量%以下、或2.5質量%以下。尚，對於硬化促進劑的含量所謂「樹脂成分」，係指構成樹脂層之不揮發成分當中，去除無機填充材之成分。

尚，作為硬化促進劑使用金屬系硬化促進劑時，樹脂層中之金屬系硬化促進劑的含量較上述的範圍更低即可。例如將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，樹脂層中之金屬系硬化促進劑的含量，源自金屬系硬化促進劑之金屬的量較佳可為25ppm~1000ppm，更佳可為40ppm~500ppm。

在適合之實施形態，樹脂層除了(a)環氧樹脂及(b)特定之硬化劑，可進一步包含(c)無機填充材、(d)聚合物成分及(e)硬化促進劑，(d)聚合物成分係選自由有機填充材及熱可塑性樹脂所構成之群組，將樹脂層中之不揮發成分定為100質量%時，(c)無機填充劑的含量為40質量%~85質量%、(d)聚合物成分的含量為0.5質量%~10質量%，將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，(e)硬化促進劑的含量為0.03質量%~4質量%。

根據該實施形態，即使於使用具有低粗糙度表面之金屬箔時，可實現可更進一層抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低之樹脂薄片(附樹脂之金屬箔)。

該實施形態當中，(c)無機填充材為二氧化矽，(d)聚合物成分係包含選自由有機填充材、苯氧基樹脂及聚乙烯縮醛樹脂所構成之群組中之1種以上，(e)硬化促進劑係包含選自由咪唑-環氧樹脂的加成物、及4-二甲基胺基吡啶所構成之群組中之1種以上的實施形態，在抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低之性能上特別優異。

-(f)活性酯系硬化劑及含有三嗪構造之酚系硬化劑以外之硬化劑-

樹脂層可進一步包含(b)成分以外之硬化劑，亦即活性酯系硬化劑及含有三嗪構造之酚系硬化劑以外之硬化劑。

作為(b)成分以外之硬化劑，只要具有使環氧樹脂硬化之功能雖並未特別限定，但例如可列舉酚系硬化劑(排除含有三嗪構造之酚系硬化劑)、氰酸酯酯系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑、碳二醯亞胺系硬化劑、酸酐系硬化劑等。此等之硬化劑可1種單獨使用、或亦可組合2種以上使用。

作為酚系硬化劑(排除含有三嗪構造之酚系硬化劑)雖並未特別限定，但例如可列舉聯苯型硬化劑、萘型硬化劑、酚酚醛型硬化劑、伸萘基醚型硬化劑等。作為具體例，可列舉明和化成(股)製之「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」(聯苯型硬化劑)、日本 化藥(股)製之「NHN」、「CBN」、「GPH」(萘型硬化劑)、新日鐵住金化學(股)製之「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN375」、「SN395」(萘型硬化劑)、DIC(股)製之「TD-2090」(酚酚醛型硬化劑)、DIC(股)製之「EXB-6000」(伸萘基醚型硬化劑)等。

作為氰酸酯酯系硬化劑雖並未特別限定，但例如可列舉酚醛型(酚酚醛型、烷基酚酚醛型等)氰酸酯酯系硬化劑、雙環戊二烯型氰酸酯酯系硬化劑、雙酚型(雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等)氰酸酯酯系硬化劑、及此等經一部分三嗪化之預聚物等。作為具體例，可列舉從雙酚A二氰酸酯、聚酚氰酸酯(寡(3-伸甲基-1,5-伸苯基氰酸酯))、4,4’-伸甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、及雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂、酚酚醛及甲酚酚醛等所衍生之多官能氰酸酯樹脂、此等氰酸酯樹脂經一部分三嗪化之預聚物等。作為氰酸酯酯系硬化劑之具體例，可列舉Lonza Japan(股)製之「PT30」、「PT30S」及「PT60」(皆酚酚醛型多官能氰酸酯酯樹脂)、「BADcy」(雙酚A二氰酸酯)、「BA230」(成為雙酚A二氰酸酯之一部分或全部經三嗪 之三聚物的預聚物)等。

作為苯并噁嗪系硬化劑之具體例，可列舉昭和高分子(股)製之「HFB2006M」、四國化成工業(股)製之「P-d」、「F-a」。

作為碳二醯亞胺系硬化劑之具體例，可列舉日清紡化工(股)製之「V-03」、「V-07」等。

作為酸酐系硬化劑雖並未特別限定，但例如可列舉苯二甲酸酐、四氫苯二甲酸酐、六氫苯二甲酸酐、甲基四氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐、甲基納迪克酸(Nadic acid)酐、氫化甲基納迪克酸酐、三烷基四氫苯二甲酸酐、十二烯基無水琥珀酸、5-(2,5-二側氧四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、偏苯三酸酐、無水苯均四酸、二苯甲酮四羧酸二酐、聯苯四羧酸二酐、萘四羧酸二酐、氧二苯二甲酸二酐、3,3’-4,4’-二苯基碸四羧酸二酐、1,3,3a,4,5,9b-六氫-5-(四氫-2,5-二側氧-3-呋喃基)-萘并[1,2-C]呋喃-1,3-二酮、乙二醇雙(苯偏三酸酐鹽(Anhydrotrimellitate))、共聚合苯乙烯與馬來酸之苯乙烯．馬來酸樹脂等之聚合物型的酸酐等。作為酸酐系硬化劑之具體例，可列舉Cray Valley HSC公司製之「SMA EF30」等。

使用(b)成分以外之硬化劑時，樹脂層中之該硬化劑的含量較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上，再更佳為1.5質量%以上、或2質量%以上。該含量的上限較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下、 或10質量%以下。

-(g)阻燃劑-

樹脂層可進一步包含阻燃劑。作為阻燃劑，例如可列舉有機磷系阻燃劑、有機系氮含有磷化合物、氮化合物、矽氧系阻燃劑、金屬氫氧化物等。阻燃劑可1種單獨使用、或亦可組合2種以上使用。樹脂層中之阻燃劑的含量雖並未特別限定，但較佳為0.5質量%~10質量%，更佳為1質量%~9質量%。

-其他添加劑-

樹脂層如有必要可進一步包含其他成分。作為該其他成分，例如可列舉有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物、以及增黏劑、消泡劑、整平劑、密著性賦予劑、及著色劑等之樹脂添加劑等。

樹脂層之最低熔融黏度因應印刷配線板的製造時，一體成形樹脂薄片與內層基板之方法來決定即可。

將樹脂薄片與內層基板藉由真空熱沖壓處理進行一體成形時，樹脂層之最低熔融黏度，從抑制樹脂的污漬擴散的觀點來看，較佳為8000泊以上，更佳為8500泊以上、或9000泊以上。樹脂層之最低熔融黏度的上限，從達成良好之層合性(電路嵌入性)的觀點來看，較佳為40000泊以下，更佳為38000泊以下、36000泊以下、34000泊以下、或32000泊以下。

將樹脂薄片與內層基板藉由真空積層處理進行一體成形時，樹脂層之最低熔融黏度，從抑制樹脂的污漬擴散的觀點來看，較佳為300泊以上，更佳為500泊以上、700泊以上、900泊以上、或1000泊以上。樹脂層之最低熔融黏度的上限，從達成良好之層合性(電路嵌入性)的觀點來看，較佳為12000泊以下，更佳為10000泊以下，再更佳為8000泊以下、7000泊以下、6000泊以下、5000泊以下或4000泊以下。

尚，所謂樹脂層之「最低熔融黏度」，係指熔融樹脂層之樹脂時，樹脂層所呈現之最低黏度。詳細而言，係以一定之昇溫速度加熱樹脂層而使樹脂熔融時，初期階段係熔融黏度與溫度上昇一起下降，然後當超過某一溫度時，與溫度上昇一起，上昇熔融黏度。所謂「最低熔融黏度」，係指該極小點之熔融黏度。樹脂層之最低熔融黏度可藉由動態黏彈性法測定，例如可依後述之<樹脂層之最低熔融黏度的測定>所記載之方法測定。

樹脂層之最低熔融黏度，例如可藉由變更(e)成分的含量、後述之樹脂清漆的乾燥條件等來調整。

本發明之樹脂薄片可帶來絕緣層與電路的剝離強度高之印刷配線板。具體而言，硬化樹脂層以形成絕緣層，藉由減色法或改質半添加法形成電路後之絕緣層與電路的剝離強度(S1)較佳可成為0.5kgf/cm以上，更佳為0.52kgf/cm以上，再更佳為0.54kgf/cm以上、 0.56kgf/cm以上、0.58kgf/cm以上或0.6kgf/cm以上。該剝離強度(S1)的上限雖並未特別限定，但通常可成為1.2kgf/cm以下等。

本發明之樹脂薄片可抑制因HAST導致在高溫高濕環境下之絕緣層與電路之剝離強度的降低，可帶來信賴性高之印刷配線板。具體而言，硬化樹脂層以形成絕緣層，藉由減色法或改質半添加法形成電路，進而於130℃、85%RH的條件下，經過100小時後之絕緣層與電路的剝離強度(S2)較佳可成為0.3kgf/cm以上，更佳為0.32kgf/cm以上，再更佳為0.34kgf/cm以上、0.36kgf/cm以上、0.38kgf/cm以上或0.4kgf/cm以上。該剝離強度(S2)的上限雖並未特別限定，但通常可成為1.2kgf/cm以下等。

絕緣層與電路的剝離強度的測定可依JIS C6481進行，例如可依後述之<絕緣層與電路的剝離強度的測定>所記載之方法來測定。

在本發明之樹脂薄片，於未與樹脂層之金屬箔接合的面(即與金屬箔相反側的面)，可進一步層合保護薄膜。據此在一實施形態，本發明之樹脂薄片係包含具有第1及第2主面之金屬箔、與該和金屬箔之第1主面接合之樹脂層、與和該樹脂層接合之保護薄膜。作為保護薄膜，適合使用由塑膠材料所構成之薄膜。於此，作為塑膠材料，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等之聚酯、聚碳酸脂(PC)、聚甲基 丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯酸、聚苯乙烯、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚硫化物(PES)、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚伸苯基硫化物(PPS)、聚醯亞胺等。藉由層合保護薄膜，可防止對樹脂層之表面之垃圾等的附著或傷痕。樹脂薄片係可捲繞成輥狀保存，於印刷配線板的製造時，藉由剝離保護薄膜而變成可使用。

本發明之樹脂薄片可藉由與金屬箔之第1主面接合的方式來設置樹脂層而製得。

樹脂層可用周知之方法設置。例如，調製溶解樹脂組成物於溶劑之樹脂清漆，並將此樹脂清漆使用模具塗佈機等之塗佈裝置，塗佈於金屬箔之第1主面，可使樹脂清漆乾燥來設置樹脂層。

作為樹脂清漆的調製所使用之溶劑，例如可列舉丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等之酮類、溶纖劑、丁基卡必醇、丙二醇單甲基醚等之醚類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類、甲苯及二甲苯等之芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺及N-甲基吡咯烷酮等之醯胺系溶劑等。溶劑可1種單獨使用、或亦可組合2種以上使用。

樹脂清漆的乾燥藉由加熱、吹送熱風等之周知的乾燥方法來實施。樹脂層中大量殘留溶劑時，由於成為硬化後產生膨脹的原因，故樹脂層中之殘留溶劑量通常 以成為10質量%以下，較佳為5質量%以下，更佳為3質量%以下、2質量%以下、或1質量%以下的方式使其乾燥。雖因樹脂清漆中溶劑的沸點而有所不同，但例如使用包含30質量%~60質量%溶劑之樹脂清漆時，可藉由以50℃~150℃使其乾燥3分鐘~10分鐘，形成樹脂層。

設置保護薄膜時，保護薄膜較佳為以輥或沖壓壓著等積層處理於樹脂層。積層處理可使用市售之真空層壓機來實施。作為市售之真空層壓機，例如可列舉(股)名機製作所製之真空加壓式層壓機、Nichigo Morton(股)製之真空塗抹器等。

或者又，使用包含樹脂層之接著薄膜，可用與金屬箔之第1主面接合的方式來設置樹脂層。於該態樣，將包含支持體、與和該支持體接合之樹脂層的接著薄膜，以樹脂層為與金屬箔之第1主面接合的方式層合於金屬箔。藉此，即使於使用樹脂清漆的塗佈困難之薄型金屬箔的情況，亦可輕易設置樹脂層。支持體的材料與上述之保護薄膜相同即可，於該態樣，支持體可兼具上述之保護薄膜的功能。

接著薄膜，例如調製溶解樹脂組成物於溶劑之樹脂清漆，將此樹脂清漆使用模具塗佈機等塗佈於支持體上，可藉由使樹脂清漆乾燥形成樹脂層來調製。溶劑使用與上述相同者即可。

接著薄膜與金屬箔的層合，較佳為作業性良好，由於容易得到一樣的接觸狀態，以輥壓著或沖壓壓著 等，積層處理接著薄膜於金屬箔。其中，於減壓下進行積層之真空積層法更佳。積層處理可使用市售之真空層壓機來實施。市售之真空層壓機係如先前所述。

使用接著薄膜所製作之樹脂薄片係於製造刷配線板時，藉由去除源自接著薄膜之支持體而變成可使用。

[層合板]

可使用本發明之樹脂薄片來製造層合板。

在適當之實施形態，本發明之層合板係於本發明之樹脂薄片2片之間，以接合樹脂層與內層基板的方式，配置內層基板，藉由真空熱沖壓處理或真空積層處理進行一體成形而獲得。

在本發明，所謂「內層基板」，主要係指玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯基醚基板等之基板、或於該基板之單面或雙面形成經圖型加工之導體層(電路)的電路基板。又製造印刷配線板時，進而要形成絕緣層及/或導體層之中間製造物的內層電路基板亦包含於本發明之所謂「內層基板」。

以下，將藉由真空熱沖壓處理進行一體成形之實施形態稱為「第1實施形態」，將藉由真空積層處理進行一體成形之實施形態稱為「第2實施形態」。

-第1實施形態-

在第1實施形態，本發明之層合板適合使用真空熱沖壓裝置用以下的步驟製造。

首先，於本發明之樹脂薄片2片之間，以接合樹脂層與內層基板的方式，準備配置內層基板之層合構造，將該層合構造設定在真空熱沖壓裝置。

層合構造，較佳為將緩衝紙、不銹鋼板(SUS板)等之金屬板、脫膜薄膜等設定在透過真空熱沖壓裝置。層合構造，例如設定在依緩衝紙/金屬板/脫膜薄膜/層合構造(亦即樹脂薄片/內層基板/樹脂薄片)/脫膜薄膜/SUS板/緩衝紙的順序層合之真空熱沖壓裝置。於此記號「/」係意指以挾住此的方式表示之構成要素，彼此以互相接觸的方式配置(以下在層合構造的說明等相同)。

其次，以減壓條件下進行加熱壓著層合構造之真空熱沖壓處理。

真空熱沖壓處理可藉由經加熱之SUS板等之金屬板，將層合構造從其兩面側按壓，使用以往周知之真空熱沖壓裝置來實施。作為正在市售之真空熱沖壓裝置，例如可列舉(股)名機製作所製之「MNPC-V-750-5-200」、北川精機(股)製之「VH1-1603」等。

真空熱沖壓處理可僅實施1次，亦可重覆2次以上來實施。

在真空熱沖壓處理，壓著壓力(按壓力)較佳為5kgf/cm²~80kgf/cm²(0.49MPa~7.9MPa)，更佳為 10kgf/cm²~60kgf/cm²(0.98MPa~5.9MPa)。

在真空熱沖壓處理，雰圍之壓力，亦即，收納處理對象之層合構造的腔室內減壓時的壓力較佳為3×10^-2MPa以下，更佳為1×10^-2MPa以下。

在真空熱沖壓處理，加熱溫度(T)因樹脂層之組成而有所不同，但通常為150℃以上，較佳為160℃以上，更佳為170℃以上、或180℃以上。加熱溫度(T)的上限雖並未特別限定，但通常可成為240℃以下等。

真空熱沖壓處理從抑制裂紋或扭曲的觀點來看，較佳為邊階段性或連續性提昇溫度，及/或邊階段性或連續性降低溫度，來實施。該情況較佳為最高到達溫度能滿足上述所期望之溫度條件。

真空熱沖壓處理，例如從常溫至加熱溫度(T)以昇溫速度S₁昇溫，在加熱溫度(T)保持特定時間後，從加熱溫度(T)至常溫以降溫速度S₂進行降溫之加熱條件來實施即可。昇溫速度S₁及降溫速度S₂通常為0.5℃/分鐘~30℃/分鐘，較佳為1℃/分鐘~10℃/分鐘，更佳為2℃/分鐘~8℃/分鐘。保持在加熱溫度(T)的時間，只要能發揮本發明的效果雖並未特別限定，但通常為1分鐘~180分鐘，較佳為5分鐘~150分鐘，更佳為10分鐘~120分鐘。

藉由真空熱沖壓處理，樹脂層進行硬化而形成絕緣層。據此，所得之層合板具有金屬箔/絕緣層/內層基板/絕緣層/金屬箔之層構成。

-第2實施形態-

在第2實施形態，本發明之層合板適合藉由包含下述步驟(I)及(II)之方法製造。

(I)於本發明之樹脂薄片2片之間，以接合樹脂層與內層基板的方式，配置內層基板，進行真空積層處理之步驟

(II)熱硬化樹脂層形成絕緣層之步驟

在步驟(I)，於本發明之樹脂薄片2片之間，以接合樹脂層與內層基板的方式，配置內層基板，進行真空積層處理。

真空積層處理可藉由將來自金屬箔側之樹脂薄片加熱壓著於內層基板來進行。作為將樹脂薄片加熱壓著於內層基板之構件(以下亦可稱為「加熱壓著構件」)，例如可列舉經加熱之金屬板(SUS鑲板等)或金屬輥(SUS輥)等。尚，較佳並非將加熱壓著構件直接於樹脂薄片沖壓，而是以樹脂薄片充分貼合於內層基板之表面凹凸的方式，透過耐熱橡膠等之彈性材料來進行沖壓。

在真空積層處理，加熱溫度較佳為60℃~160℃，更佳為80℃~140℃的範圍，壓著壓力較佳為1kgf/cm²~18kgf/cm²(0.098MPa~1.77MPa)，更佳為3kgf/cm²~15kgf/cm²(0.29MPa~1.47MPa)的範圍，壓著時間較佳為20秒~400秒，更佳為30秒~300秒的範圍。真空積層處理較佳為以26.7hPa以下之減壓條件下實 施。

真空積層處理可使用市售之真空層壓機進行。市售之真空層壓機如先前所述。

於真空積層處理之後，常壓下(大氣壓下)，例如藉由將加熱壓著構件從金屬箔側進行沖壓，可進行經層合之樹脂薄片的平滑化處理。平滑化處理之加熱壓著條件可與上述真空積層處理之加熱壓著條件為相同的條件。平滑化處理可藉由市售之層壓機進行。尚，層合與平滑化處理可使用上述之市售真空層壓機連續性進行。

在步驟(II)，熱硬化樹脂層形成絕緣層。

熱硬化的條件並未特別限定，使用形成印刷配線板的絕緣層時通常所採用之條件即可。

例如，樹脂層之熱硬化條件雖因樹脂層之組成而有所不同，但硬化溫度可成為120℃~240℃的範圍(較佳為150℃~210℃的範圍，更佳為170℃~190℃的範圍)，硬化時間可成為5分鐘~90分鐘的範圍(較佳為10分鐘~75分鐘，更佳為15分鐘~60分鐘)。

使樹脂層熱硬化之前，可將樹脂層在比硬化溫度更低的溫度進行預備加熱。例如，在使樹脂層熱硬化之前，在50℃以上未達120℃(較佳為60℃以上且110℃以下，更佳為70℃以上且100℃以下)的溫度，預備加熱樹脂層5分鐘以上(較佳為5分鐘~150分鐘，更佳為15分鐘~120分鐘)即可。

由步驟(II)，硬化樹脂層形成絕緣層，而得 到具有金屬箔/絕緣層/內層基板/絕緣層/金屬箔之層構成的層合板。

無論第1實施形態及第2實施形態之外，可進一步實施(A)鑽孔之步驟、(B)進行去污跡處理之步驟、(C)藉由減色法或改質半添加法形成電路之步驟。據此，在一實施形態，本發明之層合板係包含藉由減色法或改質半添加法所形成之電路。

步驟(A)為鑽孔之步驟，可藉由形成通孔於絕緣層。步驟(A)因應使用在絕緣層的形成之樹脂層的組成等，例如以使用鑽孔、雷射、電漿等之周知步驟實施即可。

步驟(B)為進行去污跡(Desmear)處理之步驟。在步驟(A)所形成之通孔內部中，一般而言附著有源自絕緣層之樹脂殘渣(污跡)。該污跡由於成為層間之電氣連接不良的原因，故在步驟(B)實施去除污跡之處理(去污跡處理)。

去污跡處理的步驟、條件並未特別限定，可採用在印刷配線板的製造通常所使用之周知的步驟、條件。例如，可依藉由膨潤液之膨潤處理、藉由氧化劑溶液之氧化處理、藉由中和液之中和處理的順序來實施，以進行去污跡處理。作為膨潤液，例如可列舉Atotech Japan(股)製之「Swelling dip．Securiganth P」、「Swelling dip．Securiganth SBU」等。膨潤處理較佳為藉由將經形成通孔之層合板，於加熱至60℃~80℃之膨潤液浸漬5分 鐘~10分鐘來進行。作為氧化劑溶液，較佳為鹼性過錳酸水溶液，例如可列舉溶解過錳酸鉀或過錳酸鈉於氫氧化鈉之水溶液的溶液。藉由氧化劑溶液之氧化處理，較佳為藉由將膨潤處理後之層合板，於加熱至60℃~80℃之氧化劑溶液浸漬10分鐘~30分鐘來進行。作為鹼性過錳酸水溶液之市售品，例如可列舉Atotech Japan(股)製之「Concentrate Compact CP」、「Dosing Solution．Securiganth P」等。藉由中和液之中和處理，較佳為藉由將氧化處理後之層合板，於30℃~50℃之中和液浸漬3分鐘~10分鐘來進行。作為中和液，較佳為酸性之水溶液，作為市售品，例如可列舉Atotech Japan(股)製之「Reduction solution．Securiganth P」。

步驟(C)為藉由減色法或改質半添加法形成電路之步驟。

在步驟(C)，可利用源自本發明之樹脂薄片的金屬箔，藉由減色法或改質半添加法形成電路。

在減色法，係將金屬箔之不要部分(非電路形成部分)藉由蝕刻等選擇性去除，以形成電路。藉由減色法之電路形成依周知的步驟實施即可。例如藉由減色法之電路形成，可藉由i)~iv)的的方法來實施；i)設置抗蝕刻於層合板之金屬箔的表面(亦即第2主面)、ii)曝光、顯像抗蝕刻以形成配線圖型、iii)蝕刻露出之金屬箔部分加以去除、iv)去除抗蝕刻。

在改質半添加法，將金屬箔之非電路形成部 分藉由鍍敷抗蝕進行保護，藉由電解鍍敷於電路形成部分厚附著銅等之金屬後，去除鍍敷抗蝕，將電路形成部分以外之金屬箔以蝕刻去除，以形成電路。藉由改質半添加法之電路形成依周知的步驟實施即可。例如藉由改質半添加法之電路形成，可藉由i)~v)的的方法來實施；i)設置抗蝕刻於層合板之金屬箔的表面(亦即第2主面)、ii)曝光、顯像抗蝕刻以形成配線圖型、iii)透過鍍敷抗蝕進行電解鍍敷、iv)去除鍍敷抗蝕、v)蝕刻電路形成部分以外之金屬箔加以去除。尚，源自樹脂薄片之金屬箔較厚時，於上述i)之前，以金屬箔成為所期望厚度(通常為5μm以下、4μm以下、或3μm以下)的方式由蝕刻等薄化金屬箔全面即可。

尋求絕緣層與電路顯示充分的密著強度(剝離強度)，一般而言係藉由起因於絕緣層與電路的界面粗糙度的錨定效果而得到該密著性。然而，界面的凹凸較大時，於電路形成時以蝕刻去除金屬箔之不要部分(非電路形成部分)時，錨定部分之金屬箔難以去除，以可充分去除錨定部分之金屬箔的條件進行蝕刻時，配線圖型的溶解顯著化，變成電路之微細化的妨礙。此點根據本發明之樹脂薄片，不僅實現絕緣層與電路的良好剝離強度，而且可使用表面粗糙度低之金屬箔。因此，於使用本發明之樹脂薄片所得之層合板，金屬箔與絕緣層的界面粗糙度低，且無配線圖型的溶解，可將金屬箔之不要部分(非電路形成部分)藉由蝕刻輕易去除。

在本發明，可形成微細之電路。例如可高收率形成電路寬度(線；L)與電路間的寬度(空間；S)的比(L/S)為35μm/35μm以下(亦即配線間距70μm以下)的電路。進而可高收率形成L/S=30μm/30μm以下(配線間距60μm以下)、L/S=25μm/25μm以下(配線間距50μm以下)、或L/S=20μm/20μm以下(配線間距40μm以下)之微細電路。

本發明之層合板係因應其製造方法或構造(電路形成的有無、所使用之內層基板的種類等)，可使在各種用途。例如可作為印刷配線板的製造所用之覆金屬層合板或內層電路基板使用，亦可作為印刷配線板使用。

[半導體裝置]

使用由本發明之層合板所構成之印刷配線板、或者使用用本發明之層合板所製造之印刷配線板，可製造半導體裝置。

作為半導體裝置，可列舉供作電氣製品(例如電腦、手機、數位相機及電視等)及交通工具(例如摩托車、汽車、電車、船舶及航空機等)等之各種半導體裝置。

本發明之半導體裝置係於印刷配線板的導通處，可藉由實裝零件(半導體晶片)來製造。所謂「導通處」，係指在「印刷配線板傳遞電氣信號之處」，該場所可為表面，可為經嵌入之處都沒有關係。又，半導體晶片 若為將半導體作為材料之電氣電路元件則並未特別限定。

製造本發明之半導體裝置時之半導體晶片的實裝方法，若能對半導體晶片有效發揮功能，則並未特別限定，但具體而言，可列舉引線接合(Wire bonding)實裝方法、倒裝晶片實裝方法、藉由無凹凸增建層(BBUL)之實裝方法、藉由各向異性導電薄膜(ACF)之實裝方法、藉由非導電性薄膜(NCF)之實裝方法、等。於此，所謂藉由「無凹凸增建層(BBUL)之實裝方法」，係指將「半導體晶片直接嵌入印刷配線板的凹部分，使半導體晶片與印刷配線板上之配線連接的實裝方法」。

[實施例]

以下，雖將本發明由實施例具體說明，但本發明並非被限定於此等之實施例者。尚，在以下之記載，「份」及「%」除非另有說明，分別意指「質量份」及「質量%」。

<測定方法．評價方法>

首先針對各種測定方法．評價方法進行說明。

[測定．評價用基板的調製] (1)內層基板之表面預處理(substrate preparation)

將玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板(銅箔之厚度 18μm、基板的厚度0.4mm、255mm×340mm尺寸、Panasonic(股)製「R1515A」)的兩面在微蝕刻劑(MEC(股)製「CZ8100」)蝕刻1μm，以進行銅表面的粗化處理。

(2)層合板的製作

將下述製作例所製作之樹脂薄片切成250mm×335mm尺寸。其次，於該樹脂薄片2片之間，以接合樹脂層與內層基板的方式，配置內層基板，藉由真空熱沖壓處理(實施例1~3及比較例1~4)或真空積層處理(實施例4)進行一體成形，而得到具有金屬箔/絕緣層/內層基板/絕緣層/金屬箔之層構成的層合板。真空熱沖壓處理及真空積層處理係依以下的步驟實施。

(2A)真空熱沖壓處理

真空熱沖壓處理係使用真空熱沖壓裝置(北川精機(股)製「VH1-1603」)實施。詳細而言，係準備下述層合構造，將該層合構造在真空熱沖壓裝置進行真空熱沖壓處理。

層合構造：緩衝紙/SUS板/脫膜薄片/樹脂薄片(金屬箔/樹脂層)/內層基板/樹脂薄片(樹脂層/金屬箔)/脫膜薄片/SUS板/緩衝紙

作為緩衝紙，使用阿波製紙(股)製「AACP-9N」(厚度800μm)，作為脫膜薄膜，使用旭硝 子(股)製「Aflex 50N NT」(厚度50μm)。又，SUS板的厚度為1μm。

真空熱沖壓處理的條件係如以下所述。

溫度：在昇溫速度5℃/分鐘，從室溫(常溫)昇溫至表2記載之溫度T，在溫度T保持60分鐘，然後，在降溫速度5℃/分鐘，從溫度T降溫至室溫

壓力(按壓力)：以溫度成為約125℃的時間點將按壓力定為30kgf/cm²(2.9MPa)並將此保持至降溫結束時

雰圍的壓力：70mmHg~74mmHg(9.3×10^-3MPa~9.9×10^-3MPa)

(2B)真空積層處理

真空積層處理係使用批量式真空加壓層壓機(Nichigo Morton(股)製之2階段增建層壓機「CVP700」)實施。詳細而言，係以接合樹脂層與內層基板的方式，於內層基板的兩面將樹脂薄片進行真空積層處理。真空積層處理係減壓30秒而將氣壓降為13hPa以下後，在100℃、壓力0.74MPa藉由沖壓30秒來實施。其次，將經層合之樹脂薄片在大氣壓下、100℃、壓力0.5MPa沖壓60秒而平滑化。平滑化之後，將樹脂層以180℃、60分鐘的條件使其熱硬化而形成絕緣層。

(3)電路形成

利用層合板之金屬箔(銅箔)，藉由減色法(實施例 1~3及比較例1~4)或改質半添加法(實施例4)形成電路。

(3A)減色法 (3A-1)乾膜的顯像

將層合板表面以5%硫酸水溶液處理30秒。於所得之層合板的兩面，以乾膜與層合板接合的方式，將附PET薄膜之乾膜(Nichigo Morton(股)製「ALPHO NIT3025」、乾膜的厚度25μm)使用批量式真空加壓層壓機((股)名機製作所製「MVLP-500」)層合。層合係減壓30秒而將氣壓降為13hPa以下後，在70℃、壓力0.1MPa藉由沖壓20秒來進行。

然後，將形成配線圖型(詳細示於以下)之玻璃遮罩(光罩)，配置於乾膜之保護層即PET薄膜上，藉由UV燈在照射強度150mJ/cm²照射紫外光。UV照射後，將30℃之1%碳酸鈉水溶液在噴射壓0.15MPa噴霧處理30秒。然後，進行水洗，進行乾膜的顯像(圖型形成)。

玻璃遮罩之配線圖型：

下述i)至iv)之梳齒圖型各使用10個，下述v)之銅固體圖型使用具有5個之玻璃遮罩。尚，下述i)至iv)之梳齒圖型為微細電路形成能的評價用，下述v)之銅固體圖型為絕緣層與金屬箔(銅箔)的剝離強度測定用。

i)L/S=20μm/20μm，亦即配線間距40μm之梳齒圖型(配線長15mm、16線)

ii)L/S=25μm/25μm，亦即配線間距50μm之梳齒圖型(配線長15mm、16線)

iii)L/S=30μm/30μm，亦即配線間距60μm之梳齒圖型(配線長15mm、16線)

iv)L/S=35μm/35μm，亦即配線間距70μm之梳齒圖型(配線長15mm、16線)

v)寬度10mm、長度150mm之銅固體圖型

(3A-2)電路的形成

其次，使用氯化第二銅系蝕刻液(氯化第二銅：1×10³mol/m³、鹽酸：2.9×10³mol/m³)，在40℃進行水平噴霧處理，蝕刻銅箔，形成電路。然後，將50℃之3%氫氧化鈉溶液在噴射壓0.2MPa進行噴霧處理，剝離附PET之乾膜。

(3B)改質半添加法 (3B-1)銅箔之蝕刻

對層合板之銅箔，使用氯化第二銅系蝕刻液，全面蝕刻至銅箔之厚度成為約3μm。

(3B-2)乾膜的顯像

其次，與上述(3A-1)同樣進行，進行乾膜的顯像 (圖型形成)。

(3B-3)電解鍍敷

乾膜的顯像後，進行電解鍍銅，形成厚度約17μm之導體層(銅層)(與源自樹脂薄片之銅箔的合計厚度約20μm)。

(3B-4)電路的形成

其次，將50℃之3%氫氧化鈉溶液在噴射壓0.2MPa進行噴霧處理，剝離附PET薄膜之乾膜。在190℃加熱60分鐘進行退火處理後，使用閃光蝕刻用腐蝕劑(Etchant)(菱光化學(股)製「CPE-800D」)，在30℃進行水平噴霧處理，藉由去除不要之銅箔(源自樹脂薄片之銅箔)來形成電路。

<金屬箔表面之算術平均粗糙度(Ra)的測定>

對於下述製作例所使用之金屬箔，使用非接觸型表面粗糙度計(威科儀器公司製「WYKO NT3300」)，藉由VSIContact mode、50倍鏡片，由將測定範圍定為121μm×92μm所得之數值求得Ra值。對於各樣品，求得隨機選定10點之平均值。

<樹脂層之最低熔融黏度的測定>

對於下述製作例所製作之樹脂薄片的樹脂層，使用動 態黏彈性測定裝置((股)UBM製「Rheosol-G3000」)測定熔融黏度。對於試料樹脂組成物1g，使用直徑18mm之平行板，從開始溫度60℃至200℃以昇溫速度5℃/分鐘來昇溫，在測定溫度間隔2.5℃、振動數1Hz、扭曲1deg的測定條件測定動態黏彈性率，算出最低熔融黏度(泊)。

<絕緣層與電路的剝離強度的測定> (1)HAST前之剝離強度

剝離測定．評價用基板之銅固體圖型部分(寬度10mm、長度150mm)之一端，以夾具挾住，在室溫中以50mm/分鐘之速度，測定對垂直方向拉離35mm時之荷重(kgf/cm)。測定中使用拉伸試驗機((股)TSE製之Auto com型試驗機「AC-50C-SL」)。表2中表示針對銅固體圖型5個之平均值。

針對於HAST前顯示良好之剝離強度(0.5kgf/cm以上)之基板，進行HAST後之剝離強度的測定及微細電路形成能的評價。

(2)HAST後之剝離強度

將測定．評價用基板使用高度加速壽命試驗裝置(楠本化成(股)製「PM422」)，以130℃、85%RH的條件實施100小時之高度加速高溫高濕壽命試驗(HAST)。HAST後，以與上述(1)相同的方法測定剝離強度。表2 中顯示針對銅固體圖型5個之平均值。

<微細電路形成能的評價>

針對測定．評價用基板之上述i)至iv)之梳齒圖型，將電路剝離的有無在光學顯微鏡確認，同時將不要之銅箔之殘渣的有無藉由測定梳齒圖型之絕緣電阻來確認。而且針對梳齒圖型10個全部完全沒問題的情況判定為合格。微細電路形成能係藉由判定為合格之最小配線間距來評價。在該評價，判定為合格之最小配線間距越小，微細電路形成能越為優異。

<調製例1>樹脂清漆1的調製

將雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」、環氧當量約169、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)5份、Bixylenol型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)10份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC(股)製「HP7200HH」、環氧當量280)10份、及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YL7553BH30」、固體含量30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)20份，邊於溶劑石腦油25份攪拌邊使其加熱溶解。冷卻至室溫後，對其混合活性酯系硬化劑(DIC(股)製「HPC8000-65T」、活性基當量約223、不揮發成分65質量%之甲苯溶液)30份、胺系硬化促進劑(4-二甲基胺基吡啶(DMAP)、固體含量5質量%之MEK溶 液)3份、咪唑系硬化促進劑(三菱化學(股)製「P200H50」、咪唑-環氧樹脂的加成物、不揮發成分50質量%之丙二醇單甲基醚溶液)1.5份、阻燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-磷雜菲(Phosphaphenanthrene)-10-氧化物、平均粒徑2μm)2份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽((股)Admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、相對於每一單位表面積之碳量0.38mg/m²)120份，以高速回轉攪拌機均勻分散，調製樹脂清漆1。

<調製例2>樹脂清漆2的調製

將雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」、環氧當量約169、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)5份、Bixylenol型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)10份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000L」、環氧當量269)10份、及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YL7553BH30」、固體含量30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)15份，邊於溶劑石腦油30份攪拌邊使其加熱溶解。冷卻至室溫後，對其混合活性酯系硬化劑(DIC(股)製「HPC8000-65T」、活性基當量約223、不揮發成分65質量%之甲苯溶液)10份、含有三嗪構造之酚系硬化劑(羥基當量151、DIC(股)製「LA-3018」、固體 含量50%之2-甲氧基丙醇溶液)10份、胺系硬化促進劑(DMAP、固體含量5質量%之MEK溶液)2份、咪唑系硬化促進劑(三菱化學(股)製「P200H50」、咪唑-環氧樹脂的加成物、不揮發成分50質量%之丙二醇單甲基醚溶液)1.8份、阻燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、平均粒徑2μm)2份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽((股)Admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、相對於每一單位表面積之碳量0.38mg/m²)80份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之二氧化矽(Unimin公司製「IMSIL A-8」、平均粒徑2.2μm、相對於每一單位表面積之碳量0.29mg/m²)60份，以高速回轉攪拌機均勻分散，調製樹脂清漆2。

<調製例3>樹脂清漆3的調製

將雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」、環氧當量約169、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)3份、萘型環氧樹脂(DIC(股)製「HP4032SS」、環氧當量約144)5份、Bixylenol型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)10份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000L」、環氧當量269)10份，邊於溶劑石腦油15份攪拌邊使其加熱溶解。冷卻至室溫後，對其混合含有三嗪構造之酚系硬化劑(羥基當量125、DIC(股)製「LA- 7054」、固體含量60%之MEK溶液)12份、酚酚醛系硬化劑(羥基當量105、DIC(股)製「TD-2090」、固體含量60%之MEK溶液)10份、聚乙烯丁縮醛樹脂(玻璃轉移溫度105℃、積水化學工業(股)製「KS-1」、固體含量15%之乙醇：甲苯之1：1溶液)15份、胺系硬化促進劑(DMAP、固體含量5質量%之MEK溶液)1份、咪唑系硬化促進劑(三菱化學(股)製「P200H50」、咪唑-環氧樹脂的加成物、不揮發成分50質量%之丙二醇單甲基醚溶液)2份、阻燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、平均粒徑2μm)2份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之二氧化矽(Unimin公司製「IMSIL A-8」、平均粒子徑2.2μm、相對於每一單位表面積之碳量0.29mg/m²)90份，以高速回轉攪拌機均勻分散，調製樹脂清漆3。

<調製例4>(樹脂清漆4的調製)

將雙酚型環氧樹脂(新日鐵化學(股)製「ZX1059」、環氧當量約169、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)5份、萘型環氧樹脂(DIC(股)製「HP4032SS」、環氧當量約144)5份、Bixylenol型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)10份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥(股)製「NC3000L」、環氧當量269)10份、及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YL7553BH30」、固體含量30質量%之 環己酮：MEK之1：1溶液)10份，邊於溶劑石腦油15份攪拌邊使其加熱溶解。冷卻至室溫後，對其混合含有三嗪構造之酚系硬化劑(羥基當量125、DIC(股)製「LA-7054」、固體含量60%之MEK溶液)12份、萘系硬化劑(新日鐵住金化學(股)製「SN-485」、羥基當量215、固體含量60%之MEK溶液)10份、聚乙烯丁縮醛樹脂(玻璃轉移溫度105℃、積水化學工業(股)製「KS-1」、固體含量15%之乙醇：甲苯之1：1溶液)10份、咪唑系硬化促進劑(1-苄基-2-苯基咪唑(1B2PZ)、固體含量5%之MEK溶液)1.5份、阻燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、平均粒徑2μm)2份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽((股)Admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、相對於每一單位表面積之碳量0.38mg/m²)90份，以高速回轉攪拌機均勻分散，調製樹脂清漆4。

<調製例5>樹脂清漆5的調製

除了未使用含有三嗪構造之酚系硬化劑(羥基當量125、DIC(股)製「LA-7054」、固體含量60%之MEK溶液)這點、及將酚酚醛系硬化劑(羥基當量105、DIC(股)製「TD-2090」、固體含量60%之MEK溶液)的摻合量變更為22份這點之外，其他與調製例3同樣進行，調製樹脂清漆5。

<調製例6>樹脂清漆6的調製

將雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」、環氧當量約169、雙酚A型與雙酚F型之1：1混合品)6份、Bixylenol型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)10份、及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YL7553BH30」、固體含量30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)20份，邊於溶劑石腦油25份攪拌邊使其加熱溶解。冷卻至室溫後，對其混合酸酐系硬化劑(Cray Valley HSC公司製「SMA EF30」、酸價280mgKOH/g、固體含量60%之甲苯：MEK之1：1溶液)45份、胺系硬化促進劑(DMAP、固體含量5質量%之MEK溶液)2份、咪唑系硬化促進劑(三菱化學(股)製「P200H50」、咪唑-環氧樹脂的加成物、不揮發成分50質量%之丙二醇單甲基醚溶液)1.5份、阻燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、平均粒徑2μm)2份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽((股)Admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、相對於每一單位表面積之碳量0.38mg/m²)120份，以高速回轉攪拌機均勻分散，調製樹脂清漆6。

<調製例7>樹脂清漆7的調製

將雙酚型環氧樹脂(新日鐵住金化學(股)製「ZX1059」、環氧當量約169、雙酚A型與雙酚F型之 1：1混合品)3份、Bixylenol型環氧樹脂(三菱化學(股)製「YX4000HK」、環氧當量約185)7份、雙環戊二烯型環氧樹脂(DIC(股)製「HP7200HH」、環氧當量280)8份、及苯氧基樹脂(三菱化學(股)製「YL7553BH30」、固體含量30質量%之環己酮：MEK之1：1溶液)20份、氰酸酯酯系硬化劑(Lonza Japan(股)製「BADCy」、雙酚A二氰酸酯)7份，邊於溶劑石腦油15份攪拌邊使其加熱溶解。冷卻至室溫後，對其混合氰酸酯酯系硬化劑(Lonza Japan(股)製「PT30S」、酚酚醛型多官能氰酸酯酯樹脂、氰酸酯當量約133、不揮發分85質量%之MEK溶液)9份、胺系硬化促進劑(DMAP、固體含量5質量%之MEK溶液)0.6份、金屬系硬化促進劑((東京化成(股)製之環烷酸鋅(II)、鋅含量8%之礦油精(Mineral spirits)溶液)之3質量%環己酮溶液)4份、阻燃劑(三光(股)製「HCA-HQ」、平均粒徑2μm)2份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業(股)製「KBM573」)表面處理之球形二氧化矽((股)Admatechs製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、相對於每一單位表面積之碳量0.38mg/m²)90份，以高速回轉攪拌機均勻分散，調製樹脂清漆7。

將樹脂清漆1至7的組成示於表1。

<製作例1>樹脂薄片1的製作

作為金屬箔，準備銅箔(JX日礦日石金屬(股)製之HLP箔、厚度18μm)。以下，亦將該銅箔稱為「銅箔1」。銅箔1之第1主面的Ra為160nm，第2主面之Ra為390nm。於該銅箔1之第1主面，在模具塗佈機塗佈樹脂清漆1，在80℃~120℃(平均100℃)使其乾燥5分鐘，製得具有厚度40μm之樹脂層的樹脂薄片1。

<製作例2>樹脂薄片2的製作

除了使用樹脂清漆2取代樹脂清漆1之外，其他與調製例1同樣進行，製得樹脂薄片2。

<製作例3>樹脂薄片3的製作

除了使用樹脂清漆3取代樹脂清漆1之外，其他與調製例1同樣進行，製得樹脂薄片3。

<製作例4>樹脂薄片4的製作 (1)接著薄膜的製作

作為支持體，準備以醇酸樹脂系脫膜劑(Lintec(股)製「AL-5」)脫膜處理之PET薄膜(Toray(股)製「LumirrorT6AM」、厚度25μm)。於該支持體之脫膜面，在模具塗佈機塗佈樹脂清漆4，在模具塗佈機塗佈樹脂清漆1，在80℃~110℃(平均100℃)使其乾燥5分鐘，製得具有厚度40μm之樹脂層的接著薄膜。

(2)樹脂薄片的製作

作為金屬箔，準備銅箔(三井金屬礦山(股)製之TP-III箔、厚度11μm)。以下，亦將該銅箔稱為「銅箔2」。銅箔2之第1主面的Ra為290nm，第2主面之Ra為610nm。將該銅箔2於上述(1)所得之接著薄膜，以接著薄膜之樹脂層與銅箔2之第1主面接合的方式，在加熱輥(60℃)進行積層處理，製得樹脂薄片4。該樹脂薄片4係於測定．評價用基板的調製時，在剝離源自接著薄 膜之支持體即PET薄膜後使用。

<製作例5>樹脂薄片5的製作

除了使用樹脂清漆5取代樹脂清漆1之外，其他與調製例1同樣進行，製得樹脂薄片5。

<製作例6>樹脂薄片6的製作

除了使用樹脂清漆6取代樹脂清漆1之外，其他與調製例1同樣進行，製得樹脂薄片6。

<製作例7>樹脂薄片7的製作

除了使用銅箔3(三井金屬礦山(股)製之3EC-M3-VLP箔、厚度18μm)取代銅箔1之外，其他與調製例1同樣進行，製得樹脂薄片7。尚，銅箔3之第1主面的Ra為630nm，第2主面之Ra為410nm。

<製作例8>樹脂薄片8的製作

除了使用樹脂清漆7取代樹脂清漆1之外，其他與調製例1同樣進行，製得樹脂薄片8。

<實施例1>

使用樹脂薄片1，依上述〔測定．評價用基板的調製〕，調製測定．評價用基板，進行各評價。

<實施例2>

使用樹脂薄片2，依上述〔測定．評價用基板的調製〕，調製測定．評價用基板，進行各評價。

<實施例3>

使用樹脂薄片3，依上述〔測定．評價用基板的調製〕，調製測定．評價用基板，進行各評價。

<實施例4>

使用樹脂薄片4，依上述〔測定．評價用基板的調製〕，調製測定．評價用基板，進行各評價。

<比較例1>

使用樹脂薄片5，依上述〔測定．評價用基板的調製〕，調製測定．評價用基板，進行各評價。

<比較例2>

使用樹脂薄片6，依上述〔測定．評價用基板的調製〕，調製測定．評價用基板，進行各評價。

<比較例3>

使用樹脂薄片7，依上述〔測定．評價用基板的調製〕，調製測定．評價用基板，進行各評價。

<比較例4>

使用樹脂薄片8，依上述〔測定．評價用基板的調製〕，調製測定．評價用基板，進行各評價。

Claims (24)

1. 一種樹脂薄片，其係用於藉由減色法(Subtractive method)或改質半添加法(Modified semi-additive method)以形成電路之樹脂薄片，其特徵為包含具有第1及第2主面之金屬箔、與和金屬箔之第1主面接合之樹脂層，金屬箔之第1主面的算術平均粗糙度(Ra)為300nm以下，金屬箔之第2主面的算術平均粗糙度(Ra)為300nm以上，樹脂層之厚度為8μm~400μm，樹脂層係包含選自由(a)環氧樹脂、(b)活性酯系硬化劑及含有三嗪構造之酚系硬化劑所構成之群組中之1種以上之硬化劑。
2. 如請求項1之樹脂薄片，其中，樹脂層係進一步包含(c)無機填充材。
3. 如請求項2之樹脂薄片，其中，(c)無機填充材為二氧化矽。
4. 如請求項2之樹脂薄片，其中，將樹脂層中之不揮發成分定為100質量%時，樹脂層中之(c)無機填充材的含量為40質量%~85質量%。
5. 如請求項1之樹脂薄片，其中，樹脂層係進一步包含(d)聚合物成分，(d)聚合物成分為選自由有機填充材及熱可塑性樹脂所構成之群組。
6. 如請求項5之樹脂薄片，其中，(d)聚合物成分為包含選自由有機填充材、苯氧基樹脂及聚乙烯縮醛樹脂所構成之群組中之1種以上。
7. 如請求項5之樹脂薄片，其中，將樹脂層中之不揮發成分定為100質量%時，樹脂層中之(d)聚合物成分的含量為0.5質量%~10質量%。
8. 如請求項1之樹脂薄片，其中，樹脂層係進一步包含(e)硬化促進劑。
9. 如請求項8之樹脂薄片，其中，將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，樹脂層中之(e)硬化促進劑的含量為0.03質量%~4質量%。
10. 如請求項8之樹脂薄片，其中，將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，樹脂層中之(e)硬化促進劑的含量為0.3質量%~3質量%。
11. 如請求項8之樹脂薄片，其中，(e)硬化促進劑係包含選自由咪唑系硬化促進劑及胺系硬化促進劑所構成之群組中之1種以上。
12. 如請求項8之樹脂薄片，其中，(e)硬化促進劑係包含選自由咪唑-環氧樹脂之加成物、及4-二甲基胺基吡啶所構成之群組中之1種以上。
13. 如請求項1之樹脂薄片，其中，樹脂層係進一步包含(c)無機填充材、(d)聚合物成分及(e)硬化促進劑，(d)聚合物成分係選自由有機填充材及熱可塑性樹脂所構成之群組，將樹脂層中之不揮發成分定為100質量%時，(c)無機填充材的含量為40質量%~85質量%、(d)聚合物成分的含量為0.5質量%~10質量%，將樹脂層中之樹脂成分定為100質量%時，(e)硬化促進劑的含量為0.03質量%~4質量%。
14. 如請求項13之樹脂薄片，其中，(c)無機填充材為二氧化矽，(d)聚合物成分係包含選自由有機填充材、苯氧基樹脂及聚乙烯縮醛樹脂所構成之群組中之1種以上，(e)硬化促進劑係包含選自由咪唑-環氧樹脂之加成物、及4-二甲基胺基吡啶所構成之群組中之1種以上。
15. 如請求項1之樹脂薄片，其中，樹脂層之最低熔融黏度為8000~40000泊(Poise)。
16. 如請求項1之樹脂薄片，其中，樹脂層之最低熔融黏度為300~12000泊。
17. 如請求項1之樹脂薄片，其中，硬化樹脂層以形成絕緣層，藉由減色法或改質半添加法形成電路後之該絕緣層與電路的剝離強度為0.5kgf/cm以上，硬化樹脂層以形成絕緣層，藉由減色法或改質半添加法形成電路，進而於130℃、85%RH之條件下，經過100小時後之該絕緣層與電路的剝離強度為0.3kgf/cm以上。
18. 如請求項1之樹脂薄片，其中，金屬箔之厚度為1μm~40μm。
19. 如請求項1之樹脂薄片，其中，金屬箔之第1主面的算術平均粗糙度(Ra)為250nm以下。
20. 如請求項1之樹脂薄片，其中，金屬箔之厚度為10μm~40μm。
21. 一種層合板，其特徵為於如請求項1~20中任一項之樹脂薄片2片之間，以接合樹脂層與內層基板的方式，配置內層基板，藉由真空熱沖壓處理或真空積層處理進行一體成形而獲得。
22. 如請求項21之層合板，其係包含藉由減色法或改質半添加法所形成之電路。
23. 如請求項22之層合板，其係包含配線間距為50μm以下之電路。
24. 一種半導體裝置其係使用如請求項21之層合板而獲得。