TW201912658A - 樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供一種可得到如下述般絕緣層的樹脂組成物，所述的絕緣層，其介電率為低、可抑制因HAST試驗所造成的對於導體層的密著性的降低、且玻璃轉移溫度為高。 　　本發明之樹脂組成物，其包含：(A)環氧樹脂、(B)碳二醯亞胺化合物以及(C)填充材，且(C)成分包含(C-1)氟系填充材，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，(C)成分之量為30質量%~80質量%。

Description

樹脂組成物
本發明為關於樹脂組成物、薄片狀層合材料、電路基板及半導體裝置。
作為電路基板之製造技術，已知有藉由將絕緣層與導體層交互重疊於內層基板的增層方式(build-up)之製造方法。一般而言絕緣層係以如下述般來形成：以包含樹脂組成物的樹脂清漆的塗膜之方式來得到樹脂組成物層，使該樹脂組成物層硬化而形成絕緣層。例如，專利文獻1中記載著一種樹脂組成物，其係包含環氧樹脂、硬化劑與氟樹脂填料之樹脂組成物，其特徵為，相對於前述樹脂組成物之固形分，該氟樹脂填料之含量為50質量%~85質量%。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-166347號公報
[發明所欲解決之課題]
用來形成絕緣層的樹脂組成物，就達成高絕緣性能之觀點而言，一般而言為含有多的熱硬化性樹脂。作為該熱硬化性樹脂，一般為使用環氧樹脂及其硬化劑。又，亦已知使用無機填充材來作為填充材，可降低樹脂組成物的硬化物的熱膨脹率。對此，本發明人認為應開發介電率為低的絕緣層，而研究使用氟系填充材來作為填充材。
然而，藉由包含氟系填充材的樹脂組成物的硬化物所形成的絕緣層，對形成於該絕緣層上的導電層的密著性，會因為超加速高溫高濕壽命試驗(HAST試驗)而容易降低。為了提高持續長期間的絕緣可靠性，希望抑制因如此般的HAST試驗所造成的密著性的降低。
又，就提升絕緣層的耐熱性之觀點而言，對於形成絕緣層的材料係要求著高的玻璃轉移溫度。但是，包含氟系填充材的樹脂組成物的硬化物，難以提高其玻璃轉移溫度。
本發明係有鑑於前述課題所提案之發明，本發明之目的為提供：一種可得到如下述般絕緣層的樹脂組成物，所述的絕緣層，其介電率為低、可抑制因HAST試驗所造成的對於導體層的密著性的降低、且玻璃轉移溫度為高；一種包含前述的樹脂組成物的薄片狀層合材料；包含由前述樹脂組成物的硬化物所成的絕緣層的電路基板及半導體裝置。 [解決課題之手段]
本發明人為了解決前述課題經深入研究之結果發現，藉由組合(A)環氧樹脂、(B)碳二醯亞胺化合物、以及包含指定量的(C-1)氟系填充材的(C)填充材，可解決前述課題，因而完成本發明。 　　即，本發明為包含下述之發明。
[1].一種樹脂組成物，其包含：(A)環氧樹脂、(B)碳二醯亞胺化合物以及(C)填充材，且 　　(C)成分包含(C-1)氟系填充材， 　　相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，(C)成分之量為30質量%~80質量%。 　　[2].如[1]記載之樹脂組成物，其中，(C-1)成分為氟系聚合物粒子。 　　[3].如[1]或[2]記載之樹脂組成物，其中，(C-1)成分為聚四氟乙烯粒子。 　　[4].如[1]~[3]中任一項記載之樹脂組成物，其中，相對於樹脂組成物中的樹脂成分100質量%，(B)成分之量為0.5質量%~15質量%。 　　[5].如[1]~[4]中任一項記載之樹脂組成物，其中，(C)成分包含(C-2)無機填充材， 　　相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，(C-2)成分之量為5質量%以上70質量%以下。 　　[6].如[1]~[5]中任一項記載之樹脂組成物，其中，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，(C-1)成分之量為5質量%以上80質量%以下。 　　[7].如[1]~[6]中任一項記載之樹脂組成物，其中，(A)成分係由雙酚A型環氧樹脂、聯二甲苯酚(bixylenol)型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、伸萘基醚(naphthylene ether)型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂及萘酚型環氧樹脂所成之群中所選出之1種以上的環氧樹脂。 　　[8].如[1]~[7]中任一項記載之樹脂組成物，其中，(C-1)成分之平均粒徑為0.05μm以上10μm以下。 　　[9].如[1]~[8]中任一項記載之樹脂組成物，其中，包含活性酯系硬化劑。 　　[10].如[1]~[9]中任一項記載之樹脂組成物，其係電路基板的絕緣層形成用。 　　[11].一種薄片狀層合材料，其包含[1]~[10]中任一項記載之樹脂組成物。 　　[12].一種包含絕緣層的電路基板，該絕緣層係由[1]~[10]中任一項記載之樹脂組成物的硬化物所成者。 　　[13].一種半導體裝置，其具備[12]記載之電路基板。 [發明的效果]
依據本發明，可提供：一種可得到如下述般絕緣層的樹脂組成物，所述的絕緣層，其介電率為低、可抑制因HAST試驗所造成的對於導體層的密著性的降低、且玻璃轉移溫度為高；一種包含前述的樹脂組成物的薄片狀層合材料；包含由前述樹脂組成物的硬化物所成的絕緣層的電路基板及半導體裝置。
[實施發明之最佳形態]
以下為表示實施形態及示例物，並對於本發明來進行詳細地說明。但，本發明並非被限定於以下所表示之實施形態及示例物中，可以在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍內任意地變更來實施。
以下之說明中，樹脂組成物中的各成分之量，如無特別說明係相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%的值。
以下之說明中，所謂的樹脂組成物的「樹脂成分」，係指樹脂組成物中所包含的不揮發成分之中去除(C)填充材後的成分。
以下之說明中，所謂的用語「介電率」，如無特別說明係表示比介電率。
[1.樹脂組成物的概要] 　　本發明之樹脂組成物係包含(A)環氧樹脂、(B)碳二醯亞胺化合物以及(C)填充材。(C)填充材係包含(C-1)氟系填充材。又，該樹脂組成物中，(C)填充材的量係有指定的範圍。
如此般的樹脂組成物的硬化物係可降低介電率，進而可提高玻璃轉移溫度。進而，該樹脂組成物的硬化物的層係可抑制對於導體層的密著性的降低。因此，藉由使用本發明之樹脂組成物，從而可得到本發明所期望之效果，即，所謂的「可實現介電率為低、可抑制因HAST試驗所造成的對於導體層的密著性的降低、且玻璃轉移溫度為高的絕緣層」。
[2.(A)環氧樹脂] 　　以作為(A)成分的環氧樹脂，可舉出例如聯二甲苯酚(bixylenol)型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三元酚型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、tert-丁基-兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯構造的環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、含有螺環的環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、三羥甲基型環氧樹脂、四苯乙烷型環氧樹脂。環氧樹脂係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
作為(A)環氧樹脂，就使絕緣層的平均線熱膨脹率降低之觀點而言，以芳香族系的環氧樹脂為較佳。於此，所謂的芳香族系的環氧樹脂係指其分子含有芳香族骨架的環氧樹脂。又，所謂的芳香族骨架係指一般被定義為芳香族的化學構造，且並非僅只苯環等的單環構造，也包含萘環等的多環芳香族構造及芳香族雜環構造。其中，就可明顯地得到本發明所期望之效果之觀點而言，(A)環氧樹脂係以由雙酚A型環氧樹脂、聯二甲苯酚型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂及萘酚型環氧樹脂所成之群中所選出之1種以上的環氧樹脂為較佳，以雙酚A型環氧樹脂、聯二甲苯酚型環氧樹脂及萘酚型環氧樹脂為特佳。
樹脂組成物中，作為(A)環氧樹脂，以包含於1分子中具有2個以上的環氧基的環氧樹脂為較佳。就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，相對於(A)環氧樹脂之不揮發成分100質量%，於1分子中具有2個以上的環氧基的環氧樹脂的比例係較佳為50質量%以上，又較佳為60質量%以上，特佳為70質量%以上。
環氧樹脂係可分類成在溫度20℃下液狀的環氧樹脂(以下有時稱為「液狀環氧樹脂」)、與在溫度20℃下固體狀的環氧樹脂(有時稱為「固體狀環氧樹脂」)。樹脂組成物係作為(A)環氧樹脂，可以僅只包含液狀環氧樹脂、也可以僅只包含固體狀環氧樹脂，但以包含液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之組合為較佳。作為(A)環氧樹脂，藉由組合液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂來使用，從而可使樹脂組成物層的可撓性提升、或可使樹脂組成物的硬化物的破斷強度提升。
作為液狀環氧樹脂，係以於1分子中具有2個以上的環氧基的液狀環氧樹脂為較佳，以於1分子中具有2個以上的環氧基的芳香族系的液狀環氧樹脂為又較佳。
作為液狀環氧樹脂，以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有酯骨架的脂環式環氧樹脂、環己烷型環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、及具有丁二烯構造的環氧樹脂為較佳，以縮水甘油胺型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂及萘型環氧樹脂為又較佳，以雙酚A型環氧樹脂為特佳。
作為液狀環氧樹脂的具體例，可舉出DIC公司製的「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「828US」、「jER828US」、「jER828EL」、「825」、「Epikote 828EL」(雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「jER807」、「1750」(雙酚F型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「jER152」(苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「630」、「630LSD」(縮水甘油胺型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製的「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的混合品)；Nagasechemtex公司製的「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)；DAICEL公司製的「CELOXIDE 2021P」(具有酯骨架的脂環式環氧樹脂)；DAICEL公司製的「PB-3600」(具有丁二烯構造的環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製的「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-縮水甘油環己烷型環氧樹脂)等。該等係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
作為固體狀環氧樹脂，係以於1分子中具有3個以上的環氧基的固體狀環氧樹脂為較佳，以於1分子中具有3個以上的環氧基的芳香族系的固體狀環氧樹脂為又較佳。
作為固體狀環氧樹脂，以聯二甲苯酚型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、三元酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯乙烷型環氧樹脂為較佳，以聯二甲苯酚型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂及萘酚型環氧樹脂為又較佳。
作為固體狀環氧樹脂的具體例，可舉出DIC公司製的「HP4032H」(萘型環氧樹脂)；DIC公司製的「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)；DIC公司製的「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)；DIC公司製的「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)；DIC公司製的「HP-7200」(雙環戊二烯型環氧樹脂)；DIC公司製的「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「EXA-7311」、「EXA-7311-G3」、「EXA-7311-G4」、「EXA-7311-G4S」、「HP6000」(伸萘基醚型環氧樹脂)；日本化藥公司製的「EPPN-502H」(三元酚型環氧樹脂)；日本化藥公司製的「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)；日本化藥公司製的「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯芳烷基型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製的「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)；新日鐵住金化學公司製的「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YX4000H」、「YX4000」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YX4000HK」(聯二甲苯酚型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YX8800」(蒽型環氧樹脂)；OSAKA Gas chemical公司製的「PG-100」、「CG-500」(雙酚AF型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「YL7800」(茀型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)；三菱化學公司製的「jER1031S」(四苯乙烷型環氧樹脂)。該等係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
作為(A)環氧樹脂，若組合液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂來使用之情形時，該等的質量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)係較佳為1：0.1~1：15，又較佳為1：0.5~1：10，特佳為1：1~1：8。藉由將液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂的質量比設為前述範圍，從而於以接著薄膜的形態來使用時可獲得較佳的黏著性。又，若以接著薄膜的形態來使用時，因可得到充分的可撓性，故可使操作性提升。進而，可有效地提高樹脂組成物的硬化物的破斷強度。
(A)環氧樹脂的環氧當量係較佳為50~5000，又較佳為50~3000，更佳為80~2000，特佳為110~1000。藉由(A)環氧樹脂的環氧當量為前述的範圍，從而使樹脂組成物的硬化物的交聯密度變得充分，故可得到表面粗度為較小的絕緣層。尚，環氧當量係包含1當量的環氧基之樹脂的質量，可根據JIS K7236來進行測定。
(A)環氧樹脂的重量平均分子量，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，較佳為100~5000，又較佳為250~3000，更佳為400~1500。環氧樹脂等的樹脂的重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量。
樹脂組成物中的(A)環氧樹脂的量，就可得到展現出良好的機械強度及絕緣可靠性的絕緣層之觀點而言，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為5質量%以上，又較佳為8質量%以上，特佳為10質量%以上，較佳為未滿70質量%，又較佳為69質量%以下，更佳為60質量%以下，特佳為50質量%以下。
[3.(B)碳二醯亞胺化合物] 　　作為(B)成分的碳二醯亞胺化合物係於1分子中具有1個以上的碳二醯亞胺基(-N=C=N-)的化合物。藉由將該(B)碳二醯亞胺化合物與(A)環氧樹脂及(C)填充材組合來使用，從而可得到介電率為低、可抑制因HAST試驗所造成的對於導體層的密著性的降低、且玻璃轉移溫度為高的絕緣層。作為(B)碳二醯亞胺化合物，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，係以於1分子中具有2個以上的碳二醯亞胺基的化合物為較佳。又，碳二醯亞胺化合物係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
其中，作為(B)碳二醯亞胺化合物係以含有下述式(1)所表示之構造單位者為較佳。
(式(1)中，X係表示伸烷基、伸環烷基或伸芳基，該等係可具有取代基。p係表示1~5的整數。若X多個存在之情形時，此等係可為相同或可以相異。又，＊係表示鍵結部)。
X所表示之伸烷基的碳原子數係較佳為1~20，又較佳為1~10，更佳為1~6，其中，較佳為1~4，特佳為1~3。該碳原子數中不包含取代基的碳原子數。作為該伸烷基的適合的例子，可舉出亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基。
X所表示之伸環烷基的碳原子數係較佳為3~20，又較佳為3~12，更佳為3~6。該碳原子數中不包含取代基的碳原子數。作為該伸環烷基的適合的例子，可舉出伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基。
X所表示之伸芳基係具有從芳香族烴去除2個芳香環上的氫原子的構造的基。該伸芳基的碳原子數係較佳為6~24，又較佳為6~18，更佳為6~14，特佳為6~10。該碳原子數中不包含取代基的碳原子數。作為該伸芳基的適合的例子，可舉出伸苯基、伸萘基、伸蒽基。
伸烷基、伸環烷基及伸芳基之中，作為X係以伸烷基及伸環烷基為較佳。藉由使用伸烷基或伸環烷基，從而可顯著地得到本發明所期望之效果。進而，一般可使絕緣層的破斷伸度(elongation at break)、表面粗度及剝離強度成為良好。
X所表示之伸烷基、伸環烷基及芳基係可具有取代基。作為取代基，可舉出例如鹵素原子、烷基、烷氧基、環烷基、環烷基氧基、芳基、芳氧基、醯基及醯氧基。
作為取代基的鹵素原子，可舉出例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。 　　作為取代基的烷基及烷氧基係可以是直鏈狀及支鏈狀之任意。又，作為取代基的烷基及烷氧基的碳原子數係較佳為1~20，又較佳為1~10，更佳為1~6，其中，較佳為1~4，特佳為1~3。 　　作為取代基的環烷基及環烷基氧基的碳原子數係較佳為3~20，又較佳為3~12，更佳為3~6。 　　作為取代基的芳基係具有從芳香族烴去除1個芳香環上的氫原子的構造的基。該芳基的碳原子數係較佳為6~24，又較佳為6~18，更佳為6~14，特佳為6~10。 　　作為取代基的芳氧基的碳原子數係較佳為6~24，又較佳為6~18，更佳為6~14，特佳為6~10。 　　作為取代基的醯基係指式(2)：-C(=O)-R1 所表示之基。該式(2)中，R1 係表示烷基或芳基。R1 所表示之烷基係可以是直鏈狀、支鏈狀之任意。又，R1 的碳原子數係較佳為1~20，又較佳為1~10，更佳為1~6，其中，較佳為1~4，特佳為1~3。R1 所表示之芳基的碳原子數係較佳為6~24，又較佳為6~18，更佳為6~14，特佳為6~10。 　　作為取代基的醯氧基係指式(3)：-O-C(=O)-R1 所表示之基。於此，R1 的意思係與式(2)中之R1 的意思為相同。
其中，作為X所表示之伸烷基、伸環烷基及芳基也可具有的取代基，以烷基、烷氧基、及醯氧基為較佳，以烷基為又較佳。
式(1)中，p係表示1~5的整數。其中，p係較佳為2以上，較佳為4以下，又較佳為3以下。若藉由p設為前述範圍，從而可顯著地得到本發明所期望之效果。又，一般可使絕緣層的破斷伸度、表面粗度及剝離強度成為良好。
式(1)中，若X多個存在之情形時，此等係可為相同或可以相異。於適合的一實施形態中，至少1個的X為伸烷基或伸環烷基、且該等係可具有取代基。
相對於(B)碳二醯亞胺化合物之分子全體的質量100質量%，式(1)所表示之構造單位的量係較佳為50質量%以上，又較佳為60質量%以上，更佳為70質量%以上，其中，較佳為80質量%以上，特佳為90質量%以上。又，(B)碳二醯亞胺化合物，除了末端構造外，實質上可由式(1)所表示之構造單位來形成。作為(B)碳二醯亞胺化合物的末端構造，可舉出例如烷基、環烷基及芳基，該等係可具有取代基。作為末端構造而被使用的烷基、環烷基、芳基，係可與式(1)中作為X所表示之基可具有的取代基的烷基、環烷基及芳基為相同。又，作為末端構造而被使用的基可具有的取代基，係可與式(1)中X所表示之基可具有的取代基相為相同。
就抑制將樹脂組成物硬化時的釋氣(outgas)的產生之觀點而言，(B)碳二醯亞胺化合物的重量平均分子量係較佳為500以上，又較佳為600以上，更佳為700以上，又更較佳為800以上，其中，較佳為900以上，特佳為1000以上。又，就得到良好的相溶性之觀點而言，(B)碳二醯亞胺化合物的重量平均分子量的上限係較佳為5000以下，又較佳為4500以下，更佳為4000以下，其中，較佳為3500以下，特佳為3000以下。(B)碳二醯亞胺化合物的重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法，能以聚苯乙烯換算的值來進行測定。
(B)碳二醯亞胺化合物係來自於其製法，而會有於分子中含有異氰酸酯基(-N=C=O)之情形。就得到展現出良好的保存穩定性的樹脂組成物之觀點、及實現展現出所期待的特性的絕緣層之觀點而言，(B)碳二醯亞胺化合物中的異氰酸酯基的量(也稱為「NCO含量」)係較佳為5質量%以下，又較佳為4質量%以下，更佳為3質量%以下，又更較佳為2質量%以下，其中，較佳為1質量%以下，特佳為0.5質量%以下。
(B)碳二醯亞胺化合物係可使用市售品。作為市售的碳二醯亞胺化合物，可舉出例如Nisshinbo chemical公司製的CARBODILITE(註冊商標)V-02B、V-03、V-04K、V-07及V-09；Rhein Chemie公司製的Stabaxol(註冊商標)P、P400、及Hycasyl510。
樹脂組成物中的(B)碳二醯亞胺化合物的量，相對於樹脂組成物中的樹脂成分100質量%，較佳為0.1質量%以上，又較佳為0.5質量%以上，特佳為0.7質量%以上。藉由(B)碳二醯亞胺化合物的量為前述範圍之下限值以上，從而可有效地抑制因HAST試驗所造成的絕緣層的密著性的降低，又，可有效地提高樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度。(B)碳二醯亞胺化合物的量的上限，就可顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，較佳為20質量%以下。其中，就提高樹脂組成物的硬化物對於延伸的耐性並加大破斷伸度之觀點而言，(B)碳二醯亞胺化合物的量的上限係又較佳為15質量%以下，特佳為10質量%以下。
[4.(C)填充材] 　　樹脂組成物係包含填充材來作為(C)成分。但，該(C)填充材中係至少包含(C-1)氟系填充材。因此，(C)填充材中係包含(C-1)氟系填充材，進而因應所需可包含(C-1)氟系填充材以外的任意的填充材。故樹脂組成物中作為(C)填充材，可僅只包含(C-1)氟系填充材，也可包含(C-1)氟系填充材與任意的填充材之組合。
(C)填充材的量，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，一般為30質量%以上，較佳為40質量%以上，又較佳為50質量%以上，一般為80質量%以下，較佳為75質量%以下，又較佳為70質量%以下。藉由包含(C-1)氟系填充材的(C)填充材的量為前述範圍，從而可降低樹脂組成物的硬化物的介電率。又，一般係藉由包含如此般的範圍的量的(C)填充材，從而可提高樹脂組成物的硬化物的絕緣性能。又，即使是大量地含有包含(C-1)氟系填充材的(C)填充材，該樹脂組成物的硬化物亦能夠抑制因HAST試驗所造成的絕緣層的密著性的降低。
對於(C-1)氟系填充材進行詳細地說明。所謂的用語「氟系」係指包含氟原子。又，所謂的用語「氟系填充材」，係指作為填充材所包含的材料，其係包含氟原子的化合物。填充材一般而言為粒子。因此，作為(C-1)氟系填充材一般而言係使用粒子，而作為該粒子所包含的材料，其係包含氟原子的化合物。
作為(C-1)氟系填充材的材料，可舉出例如氟系聚合物、氟系橡膠等。其中，就減低絕緣層的介電率之觀點而言，以氟系聚合物為較佳。因此，作為(C-1)氟系填充材係以氟系聚合物粒子為較佳。
作為氟系聚合物，可舉出例如聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基烷烴(PFA)、全氟乙烯丙烯共聚物(FEP)、乙烯・四氟乙烯共聚物(ETFE)、四氟乙烯-全氟二氧雜環戊烯共聚物(TFE/PDD)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、乙烯-氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)、聚氟乙烯(PVF)。該等係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
該等之中，特別是就減低絕緣層的介電率之觀點而言，作為氟系聚合物係以聚四氟乙烯為較佳。因此，作為(C-1)氟系填充材係以包含聚四氟乙烯之粒子的聚四氟乙烯粒子為較佳。
氟系聚合物的重量平均分子量，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，較佳為5000000以下，又較佳為4000000以下，特佳為3000000以下。
(C-1)氟系填充材之平均粒徑係較佳為0.05 μm以上，又較佳為0.08μm以上，特佳為0.10μm以上，較佳為10μm以下，又較佳為5μm以下，特佳為4μm以下。藉由(C-1)氟系填充材之平均粒徑為前述範圍，從而可顯著地得到本發明所期望之效果，進而一般係可使樹脂組成物中的(C-1)氟系填充材的分散性成為良好。
(C-1)氟系填充材等的粒子之平均粒徑係可藉由基於米氏(Mie)散射理論的雷射繞射・散射法來進行測定。具體而言，係可藉由雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置，依據體積基準來測定粒子的粒徑分布，並從其粒徑分布可得到作為均粒徑的平均粒徑。測定樣品係可較佳使用藉由超音波使粒子分散至水等的溶劑中者。作為雷射繞射散射式粒徑分布測定裝置係可使用堀場製作所公司製的「LA-500」等。
作為(C-1)氟系填充材的市售品，可舉出例如大金工業公司製的「LUBRON L-2」、「LUBRON L-5」、「LUBRON L-5F」；旭硝子公司製的「FluonPTFE L-170JE」、「FluonPTFEL-172JE」、「FluonPTFE L-173JE」；喜多村公司製的「KTL-500F」、「KTL-2N」、「KTL-1N」；Du Pont-Mitsui Fluorochemicals公司製的「TLP10F-1」等。
(C-1)氟系填充材係可經表面處理。例如(C-1)氟系填充材係可利用任意的表面處理劑來進行表面處理。作為表面處理劑，可舉出例如非離子性界面活性劑、兩性界面活性劑、陽離子界面活性劑、陰離子界面活性劑等的界面活性劑；無機微粒子等。就親和性之觀點而言，作為表面處理劑係以氟系的界面活性劑為較佳。又，作為前述氟系的界面活性劑可使用非粒子狀的適當的氟系聚合物。作為氟系的界面活性劑的具體例，可舉出AGC SEIMI chemical公司製的「SurflonS-243」(全氟烷基環氧乙烷加成物)；DIC公司製的「MegaFace F-251」、「MegaFace F-477」、「MegaFace F-553」、「MegaFace R-40」、「MegaFace R-43」、「MegaFace R-94」；Neos公司製的「FTX-218」、「Ftergent610FM」、「Ftergent730LM」。
樹脂組成物中的(C-1)氟系填充材的量，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為5質量%以上，又較佳為10質量%以上，特佳為20質量%以上，較佳為80質量%以下，又較佳為50質量%以下，特佳為40質量%以下。藉由(C-1)氟系填充材的量為前述範圍，從而可顯著地得到本發明所期望之效果，特別是可有效地減低樹脂組成物的硬化物的介電率。
又，樹脂組成物中的(C-1)氟系填充材的量，相對於(C)填充材的量100質量%，較佳為20質量%以上，又較佳為30質量%以上，特佳為35質量%以上，較佳為100質量%以下，又較佳為70質量%以下，特佳為50質量%以下。藉由(C-1)氟系填充材的量為前述範圍，從而可顯著地得到本發明所期望之效果，特別是可有效地減低樹脂組成物的硬化物的介電率。
若樹脂組成物包含與(C-1)氟系填充材組合的任意的填充材之情形時，作為任意的填充材係以(C-2)無機填充材為較佳。藉由使用(C-2)無機填充材，從而可降低樹脂組成物的硬化物的熱膨脹率，因而可有效地抑制絕緣層的翹曲。
作為(C-2)無機填充材的材料，可舉出例如二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、水鋁礦、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯、及磷酸鎢酸鋯。該等之中，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，以二氧化矽為特別適合。作為二氧化矽，可舉出例如無定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等。其中，以球形二氧化矽為較佳。(C-2)無機填充材係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
一般(C-2)無機填充材係以粒子的狀態被包含在樹脂組成物中。(C-2)無機填充材之平均粒徑，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，較佳為0.01μm以上，又較佳為0.05μm以上，特佳為0.1μm以上，較佳為5.0μm以下，又較佳為2.0μm以下，更佳為1.0μm以下。又，藉由(C-2)無機填充材之平均粒徑為前述範圍，從而一般而言係可使樹脂組成物層的電路埋置性提升、或可減低絕緣層的表面粗度。(C-2)無機填充材之平均粒徑係與(C-1)氟系填充材之平均粒徑為相同，可藉由基於米氏(Mie)散射理論之雷射繞射・散射法來進行測定。
(C-2)無機填充材的比表面積，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，較佳為1m2 /g以上，又較佳為2m2 /g以上，特佳為3m2 /g以上。上限並無特別的限制，較佳為60m2 /g以下、50m2 /g以下或40m2 /g以下。比表面積係根據BET法，藉由使用比表面積測定裝置(Mountech公司製Macsorb HM-1210)來使氮氣吸著在樣品表面，並使用BET多點法來算出比表面積而可得到。
作為(C-2)無機填充材的市售品，可舉出例如Nippon Steel-Sumikin Materials公司製「SP60-05」、「SP507-05」；Admatechs公司製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」；Denca公司製「UFP-30」；Tokuyama公司製「Shirufiru NSS-3N」、「Shirufiru NSS-4N」、「Shirufiru NSS-5N」；Admatechs公司製「SC2500SQ」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」等。
(C-2)無機填充材係可利用任意的表面處理劑來進行表面處理。作為表面處理劑，可舉出例如胺基矽烷系偶合劑、環氧基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、鈦酸酯系偶合劑等的偶合劑；烷氧基矽烷化合物；有機矽氮烷化合物等。藉由利用該等的表面處理劑來進行表面處理，從而可提高(C-2)無機填充材的耐濕性及分散性。
作為表面處理劑的市售品，可舉出例如信越化學工業公司製「KBM403」(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製「KBM-103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷偶合劑)等。又，表面處理劑係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
藉由表面處理劑之表面處理的程度，係可依據(C-2)無機填充材的平均每單位表面積的碳量來進行評估。(C-2)無機填充材的平均每單位表面積的碳量，就(C-2)無機填充材的分散性提升之觀點而言，較佳為0.02 mg/m2 以上，又較佳為0.1mg/m2 以上，特佳為0.2mg/m2 以上。另一方面，就抑制樹脂清漆的熔融黏度及在薄片形態下的熔融黏度的上昇之觀點而言，前述的碳量係較佳為1mg/m2 以下，又較佳為0.8mg/m2 以下，特佳為0.5mg/m2 以下。
(C-2)無機填充材的平均每單位表面積的碳量係可藉由溶劑(例如甲基乙基酮(以下有時簡稱「MEK」))將表面處理後的(C-2)無機填充材進行洗淨處理後來進行測定。具體而言係混合充分量的MEK、與利用表面處理劑來進行表面處理後的(C-2)無機填充材，並以25℃下進行超音波洗淨5分鐘。接下來，去除上澄液並使不揮發成分乾燥後，可使用碳分析計來測定(C-2)無機填充材的平均每單位表面積的碳量。作為碳分析計可使用堀場製作所公司製「EMIA-320V」。
樹脂組成物中的(C-2)無機填充材的量，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為5質量%以上，又較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上，較佳為70質量%以下，又較佳為50質量%以下，更佳為40質量%以下。藉由(C-2)無機填充材的量為前述範圍的下限值以上，從而可降低樹脂組成物的硬化物的熱膨脹率，因而可抑制絕緣層的翹曲。又，藉由(C-2)無機填充材的量為前述範圍的上限值以下，從而可使樹脂組成物的硬化物的機械性強度提升，特別是可提高對於延伸的耐性而可加大破斷伸度。
[5.(D)硬化劑] 　　除了上述之成分以外，樹脂組成物係可包含(D)硬化劑來作為任意的成分。作為(D)成分的硬化劑係一般具有與(A)環氧樹脂反應並使樹脂組成物硬化的機能。作為如此般的(D)硬化劑，可舉出例如活性酯系硬化劑、酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、苯并噁嗪系硬化劑、氰酸酯系硬化劑等。又，硬化劑係可單獨使用1種類、或可併用2種類以上。
作為活性酯系硬化劑，係可使用於1分子中具有1個以上的活性酯基的化合物。其中，作為活性酯系硬化劑係以苯酚酯類、苯硫酚酯類、N-羥胺酯類、雜環羥基化合物的酯類等的於1分子中具有2個以上的反應活性為高的酯基的化合物為較佳。該活性酯系硬化劑係以藉由羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物的縮合反應從而所得者為較佳。特別是就耐熱性提升之觀點而言，以由羧酸化合物與羥基化合物所得到的活性酯系硬化劑為較佳，以由羧酸化合物與苯酚化合物及/或萘酚化合物所得到的活性酯系硬化劑為又較佳。
作為羧酸化合物，可舉出例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、伊康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、焦蜜石酸等。
作為苯酚化合物或萘酚化合物，可舉出例如氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、還原酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、苯酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基苯甲酮、三羥基苯甲酮、四羥基苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、雙環戊二烯型二苯酚化合物、苯酚酚醛清漆等。於此，所謂的「雙環戊二烯型二苯酚化合物」係指雙環戊二烯1分子中縮合有苯酚2分子而得到的二苯酚化合物。
作為活性酯系硬化劑的較佳的具體例，可舉出包含雙環戊二烯型二苯酚構造的活性酯化合物、包含萘構造的活性酯化合物、包含苯酚酚醛清漆的乙醯化物的活性酯化合物、包含苯酚酚醛清漆的苯甲醯化物的活性酯化合物。其中，以包含萘構造的活性酯化合物、包含雙環戊二烯型二苯酚構造的活性酯化合物為又較佳。所謂的「雙環戊二烯型二苯酚構造」係指表示由伸苯基-二伸環戊基-伸苯基所成的2價的構造單位。
作為活性酯系硬化劑的市售品，可舉出例如作為包含雙環戊二烯型二苯酚構造的活性酯化合物之「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L-65TM」、「EXB-8150-65T」(DIC公司製)；作為包含萘構造的活性酯化合物之「EXB9416-70BK」(DIC公司製)；作為包含苯酚酚醛清漆的乙醯化物的活性酯化合物之「DC808」(三菱化學公司製)；作為包含苯酚酚醛清漆的苯甲醯化物的活性酯化合物之「YLH1026」(三菱化學公司製)；作為苯酚酚醛清漆的乙醯化物的活性酯系硬化劑之「DC808」(三菱化學公司製)；作為苯酚酚醛清漆的苯甲醯化物的活性酯系硬化劑之「YLH1026」(三菱化學公司製)、「YLH1030」(三菱化學公司製)、「YLH1048」(三菱化學公司製)等。
作為酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，就耐熱性及耐水性之觀點而言，以具有酚醛清漆構造者為較佳。又，就絕緣層與導體層的密著性之觀點而言，以含氮酚系硬化劑為較佳，以含有三嗪骨架的酚系硬化劑為又較佳。
作為酚系硬化劑及萘酚系硬化劑的具體例，可舉出例如明和化成公司製的「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」；日本化藥公司製的「NHN」、「CBN」、「GPH」；新日鐵住金化學公司製的「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN-495V」「SN375」；DIC公司製的「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」等。
作為苯并噁嗪系硬化劑的具體例，可舉出昭和高分子公司製的「HFB2006M」、四國化成工業公司製的「P-d」、「F-a」。
作為氰酸酯系硬化劑，可舉出例如雙酚A二氰酸酯、多元酚氰酸酯、寡(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、及雙(4-氰酸酯苯基)醚等的2官能氰酸酯樹脂；由苯酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等所衍生的多官能氰酸酯樹脂；該等氰酸酯樹脂被一部分三嗪化而所得的預聚合物等。作為氰酸酯系硬化劑的具體例，可舉出LONZA Japan公司製的「PT30」及「PT60」(苯酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)、「ULL-950S」(多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯的一部分或全部被三嗪化而成為三量體的預聚合物)等。
上述之中，作為(D)硬化劑係以活性酯系硬化劑為較佳。藉由使用活性酯系硬化劑，從而可顯著地得到本發明所期望之效果。特別是(B)碳二醯亞胺化合物具有抑制酯鍵的水解之作用，因而藉由組合(B)碳二醯亞胺化合物與活性酯系硬化劑來使用，從而可抑制樹脂組成物的硬化物在HAST試驗中的劣化，並可有效地抑制絕緣層對於導體層的密著性的降低。因此，樹脂組成物中所使用的(D)硬化劑係以包含活性酯系硬化劑為較佳。
若使用活性酯系硬化劑之情形時，相對於(D)硬化劑100質量%的活性酯系硬化劑的量係較佳為20質量%以上，又較佳為30質量%以上，更佳為35質量%以上，較佳為80質量%以下，又較佳為70質量%以下，更佳為60質量%以下。藉由活性酯系硬化劑的量為前述範圍，從而可有效地抑制因HAST試驗所造成的絕緣層對於導體層的密著性的降低。
若使用活性酯系硬化劑之情形時，相對於(B)碳二醯亞胺化合物100質量%的活性酯系硬化劑的量，就可有效地抑制因HAST試驗所造成的絕緣層對於導體層的密著性的降低之觀點而言，較佳為5質量%以上，又較佳為10質量%以上，更佳為15質量%以上。其中，就提高樹脂組成物的硬化物的對於延伸的耐性並加大破斷伸度之觀點而言，活性酯系硬化劑的量係較佳為20質量%以上，又較佳為30質量%以上，特佳為50質量%以上。上限並無限制，能夠設為例如2000質量%。
若使用(D)硬化劑之情形時，樹脂組成物中的(D)硬化劑的量，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為0.1質量%以上，又較佳為0.5質量%以上，更佳為1質量%以上，較佳為30質量%以下，又較佳為20質量%以下，更佳為10質量%以下。
若將(A)環氧樹脂的環氧基數設為1之情形時，(D)硬化劑的活性基數係較佳為0.05以上，又較佳為0.1以上，更佳為0.15以上，較佳為2以下，又較佳為1.5以下，更佳為1以下，特佳為0.8以下。於此，所謂的「(A)環氧樹脂的環氧基數」，係指將樹脂組成物中所存在的(A)環氧樹脂之不揮發成分的質量除以環氧當量的值的全部合計值。又，所謂的「(D)硬化劑的活性基數」，係指將樹脂組成物中所存在的(D)硬化劑之不揮發成分的質量除以活性基當量的值的全部合計值。將(A)環氧樹脂的環氧基數設為1時之(D)硬化劑的活性基數為前述範圍時，從而可顯著地得到本發明所期望之效果，進而通常樹脂組成物的硬化物的耐熱性為更加提升。
[6.(E)熱可塑性樹脂] 　　除了上述之成分以外，樹脂組成物係可包含(E)熱可塑性樹脂來作為任意的成分。以作為(E)成分的熱可塑性樹脂，可舉出例如苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚碸樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酯樹脂。其中，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，以苯氧基樹脂為較佳。熱可塑性樹脂係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
作為苯氧基樹脂，可舉出例如具有由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、芴骨架、雙環戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架、及三甲基環己烷骨架所成之群中所選出之1種以上的骨架的苯氧基樹脂。苯氧基樹脂的末端係可以是酚性羥基、環氧基等的任意的官能基。
作為苯氧基樹脂的具體例，可舉出三菱化學公司製的「1256」及「4250」(皆為含有雙酚A骨架的苯氧基樹脂)；三菱化學公司製的「YX8100」(含有雙酚S骨架的苯氧基樹脂)；三菱化學公司製的「YX6954」(含有雙酚苯乙酮骨架的苯氧基樹脂)；新日鐵住金化學公司製的「FX280」及「FX293」；三菱化學公司製的「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」、「YL7891BH30」及「YL7482」。
(E)熱可塑性樹脂的聚苯乙烯換算的重量平均分子量，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，較佳為8000以上，又較佳為10000以上，特佳為20000以上，較佳為70000以下，又較佳為60000以下，特佳為50000以下。(E)熱可塑性樹脂的聚苯乙烯換算的重量平均分子量係可藉由凝膠滲透層析(GPC)法來進行測定。
若使用(E)熱可塑性樹脂之情形時，樹脂組成物中的(E)熱可塑性樹脂的量，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為0.5質量%以上，又較佳為0.6質量%以上，更佳為0.7質量%以上，較佳為15質量%以下，又較佳為12質量%以下，更佳為10質量%以下。
[7.(F)硬化促進劑] 　　除了上述之成分以外，樹脂組成物係可包含(F)硬化促進劑來作為任意的成分。藉由使用(F)硬化促進劑，從而於使樹脂組成物硬化時可促進硬化。
作為(F)硬化促進劑，可舉出例如磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑、過氧化物系硬化促進劑。其中，以磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為較佳，以胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為又較佳，以胺系硬化促進劑為特佳。(F)硬化促進劑係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
作為磷系硬化促進劑，可舉出例如三苯基膦、硼酸鏻化合物、四苯基鏻四苯基硼酸鹽、n-丁基鏻四苯基硼酸鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸鹽、四苯基鏻硫氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫氰酸鹽。其中，以三苯基膦、四丁基鏻癸酸鹽為較佳。
作為胺系硬化促進劑，可舉出例如三乙基胺、三丁基胺等的三烷基胺、4-二甲基胺基砒啶、苄基二甲基胺、2,4,6,-參(二甲基胺基甲基)苯酚、1,8-二吖雙環(5,4,0)-十一烯。其中，以4-二甲基胺基砒啶、1,8-二吖雙環(5,4,0)-十一烯為較佳。
作為咪唑系硬化促進劑，可舉出例如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑偏苯三甲酸酯、1-氰乙基-2-苯基咪唑偏苯三甲酸酯、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪異氰脲酸加成物、2-苯基咪唑異氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等的咪唑化合物；及、咪唑化合物與環氧樹脂的加成物。其中，以2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑為較佳。
作為咪唑系硬化促進劑係可使用市售品，可舉出例如三菱化學公司製的「P200-H50」。
作為胍系硬化促進劑，可舉出例如二氰二胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍。其中，以二氰二胺、1,5,7-三吖雙環[4.4.0]癸-5-烯為較佳。
作為金屬系硬化促進劑，可舉出例如鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等的金屬之有機金屬錯合物或有機金屬鹽。作為有機金屬錯合物的具體例，可舉出乙醯基丙酮酸鈷(II)、乙醯基丙酮酸鈷(III)等的有機鈷錯合物、乙醯基丙酮酸銅(II)等的有機銅錯合物、乙醯基丙酮酸鋅(II)等的有機鋅錯合物、乙醯基丙酮酸鐵(III)等的有機鐵錯合物、乙醯基丙酮酸鎳(II)等的有機鎳錯合物、乙醯基丙酮酸錳(II)等的有機錳錯合物。作為有機金屬鹽，可舉出例如辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅。
作為過氧化物系硬化促進劑，可舉出例如環己酮過氧化物、過氧化苯甲酸叔丁基酯、甲基乙基酮過氧化物、過氧化二異丙苯、叔丁基過氧化異丙苯、二叔丁基過氧化物、過氧化氫二異丙苯、氫過氧化異丙苯、叔丁基過氧化氫。
作為過氧化物系硬化促進劑係可使用市售品，可舉出例如日油公司製的「PERCUMYL D」。
若使用(F)硬化促進劑之情形時，樹脂組成物中的(F)硬化促進劑的量，就顯著地得到本發明所期望之效果之觀點而言，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為0.01質量%以上，又較佳為0.03質量%以上，特佳為0.05質量%以上，較佳為3質量%以下，又較佳為2質量%以下，特佳為1質量%以下。
[8.(G)氟系聚合物或氟系寡聚物] 　　除了上述之成分以外，樹脂組成物係可包含非粒子狀的(G)氟系聚合物或氟系寡聚物來作為任意的成分。作為(G)成分的氟系聚合物及氟系寡聚物，可僅只使用氟系聚合物、或可僅只使用氟系寡聚物、也可組合氟系聚合物及氟系寡聚物來使用。該(G)成分係於樹脂組成物中可成為非粒子狀的成分，故一般與(A)環氧樹脂等的樹脂成分的相溶性為優異的。又，(G)成分係於其分子中包含氟原子，因而對於(C-1)氟系填充材具有高的親和性。因此，(G)成分係於(C-1)氟系填充材與樹脂成分之間的界面中發揮作為界面活性劑的功能，從而可提高(C-1)氟系填充材的分散性。又，如此般藉由(C-1)氟系填充材的分散性的提高，從而可減低粗化處理後的絕緣層的表面粗度。進而，藉由使用(G)成分，從而一般可降低樹脂組成物的硬化物的介電率。
作為氟系聚合物，可舉出例如共榮社化學公司製「LE-605」等。作為氟系寡聚物，可舉出例如DIC公司製MegaFace「F-556」、「F-558」、「F-561」、「F-563」、「F-569」、「DS-21」、「R-40」、「R-41」等。又，(G)成分係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
若使用(G)成分之情形時，樹脂組成物中的(G)成分的量，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為0.1質量%以上，又較佳為0.5質量%以上，特佳為1.0質量%以上，較佳為10質量%以下，又較佳為5質量%以下，特佳為3質量%以下。藉由(G)成分之量為前述範圍，從而可減低粗化處理後的絕緣層的表面粗度、或有效地降低樹脂組成物的硬化物的介電率。
[9.(H)偶合劑] 　　除了上述之成分以外，樹脂組成物係可包含(H)偶合劑來作為任意的成分。藉由使用(H)偶合劑，從而可提高(C-2)無機填充材的分散性，因而可減低粗化處理後的絕緣層的表面粗度。
作為(H)偶合劑，可舉出例如與作為(C-2)無機填充材的表面處理劑所舉例者為相同者。又，(H)偶合劑係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
若使用(H)偶合劑之情形時，樹脂組成物中的(H)偶合劑的量，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，較佳為0.1質量%以上，又較佳為0.2質量%以上，特佳為0.5質量%以上，較佳為5質量%以下，又較佳為3質量%以下，特佳為1質量%以下。藉由(H)偶合劑的量為前述範圍，從而可減低粗化處理後的絕緣層的表面粗度。
[10.(I)添加劑] 　　除了上述之成分以外，樹脂組成物係可進而包含添加劑來作為任意的成分。作為如此般的添加劑，可舉出例如有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等的有機金屬化合物；增黏劑；消泡劑；調平劑；密著性賦予劑；著色劑；耐燃劑等。又，添加劑係可單獨使用1種類、或可將2種類任意地組合來使用。
[11.樹脂組成物的製造方法] 　　樹脂組成物係可藉由例如視需要將調配成分與溶劑進行混合，並使用旋轉混合器等的攪拌裝置來攪拌的方法從而來製造。又，特別是若使用(G)成分之情形時，於(C-1)氟系填充材與(G)成分混合後，以將該混合的(C-1)氟系填充材及(G)成分與除此以外的成分來進行混合為較佳。據此，提高了(C-1)氟系填充材的分散性，因而可減低粗化處理後的絕緣層的表面粗度。
[12.樹脂組成物的特性] 　　上述之樹脂組成物的硬化物係可降低其介電率。因此，藉由該樹脂組成物的硬化物，從而可得到介電率為較低的絕緣層。例如若依實施例所記載之方法來使樹脂組成物硬化從而得到硬化物之情形時，該硬化物的介電率可成為較佳為3.00以下，又較佳為2.90以下，特佳為2.80以下。於此，硬化物的介電率係可依實施例所記載之方法來進行測定。
上述之樹脂組成物的硬化物係可提高其玻璃轉移溫度。因此，藉由樹脂組成物的硬化物，從而可得到耐熱性為優異的絕緣層。例如若依實施例所記載之方法來使樹脂組成物硬化從而得到硬化物之情形時，該硬化物的玻璃轉移溫度可成為較佳為145℃以上，又較佳為150℃以上，特佳為160℃以上。於此，硬化物的玻璃轉移溫度係可依實施例所記載之方法來進行測定。
若於上述之樹脂組成物的硬化物的層上形成導電層之情形時，可抑制硬化物的層與導電層的密著性的降低。更詳細而言係能夠抑制高溫高濕度環境中之前述密著性的降低。因此，依據上述之樹脂組成物的硬化物，能獲得可抑制因HAST試驗所造成的對於導體層的密著性降低的絕緣層。例如依實施例所記載之方法，若藉由樹脂組成物的硬化物從而形成絕緣層，並於該絕緣層上藉由鍍敷來形成導體層之情形時，可使依實施例所記載之條件下因HAST試驗所造成的剝離強度的降低率集中於指定的範圍內。具體而言，前述剝離強度的降低率可成為較佳為50%以下，又較佳為40%以下，特佳為30%以下。前述剝離強度的降低率係可依實施例所記載之方法來進行測定。
若於樹脂組成物的硬化物的層上形成導電層之情形時，一般可提高硬化物的層與導電層的密著性。因此，依據上述之樹脂組成物的硬化物，一般可得到對於導體層的密著性為較高的絕緣層。例如依實施例所記載之方法，若藉由樹脂組成物的硬化物從而形成絕緣層，並於該絕緣層上藉由鍍敷來形成導體層之情形時，可增加剝離強度。具體而言，前述剝離強度可成為較佳為0.2kgf/cm以上，又較佳為0.3kgf/cm以上，特佳為0.4kgf/cm以上。前述剝離強度係可依實施例所記載之方法來進行測定。
樹脂組成物的硬化物係一般對於延伸的耐性為優異，因而即便是拉伸也難以產生破斷。因此，依據上述之樹脂組成物的硬化物，一般可得到機械性強度為優異的絕緣層。例如依實施例所記載之方法若使樹脂組成物硬化從而得到硬化物薄膜之情形時，可將該硬化物薄膜的破斷伸度可成為較佳為0.5%以上，又較佳為0.7%以上，特佳為0.9%以上。前述破斷伸度係可依實施例所記載之方法來進行測定。
樹脂組成物的硬化物係於施予粗化處理之情形時，一般可減低粗化處理後的表面粗度。因此，依據上述之樹脂組成物的硬化物，一般可得到表面粗度為較小的絕緣層。例如依實施例所記載之方法，若藉由樹脂組成物的硬化物從而形成絕緣層，並對該絕緣層施予粗化處理之情形時，可使粗化處理後的絕緣層的表面粗度集中於指定的範圍內。具體而言，前述表面粗度若以算術平均粗糙度Ra時，較佳為300nm以下，又較佳為280nm以下，特佳為250nm以下。又，前述表面粗度若以十點平均粗糙度Rz時，較佳為5.0μm以下，又較佳為4.5μm以下，特佳為4.0 μm以下。
[13.樹脂組成物的用途] 　　本發明之樹脂組成物係可使用作為印刷電路基板等的電路基板的絕緣層形成用的樹脂組成物。前述絕緣層係包含用來於該絕緣層上形成導體層(包含再配線層)的絕緣層。因此，樹脂組成物係可使用作為用來形成導體層的絕緣層形成用的樹脂組成物。其中，樹脂組成物係以藉由增層方式之電路基板的製造中，使用作為用來形成絕緣層的增層絕緣層形成用的樹脂組成物為較佳。
特別是活用可得到介電率較低的絕緣層之類的優點，該樹脂組成物係可適合使用作為用來形成高頻電路基板的絕緣層的樹脂組成物(高頻電路基板的絕緣層形成用的樹脂組成物)。其中，該樹脂組成物係更可適合使用作為用來形成高頻電路基板的層間絕緣層的樹脂組成物(高頻電路基板的層間絕緣層形成用的樹脂組成物)。於此，所謂的「高頻電路基板」係指即便是高頻帶的電信號亦仍可運作的電路基板之意。又，所謂的「高頻帶」係指一般為1GHz以上的頻帶之意，上述之樹脂組成物係特別在28GHz~80GHz的頻帶中為有效。
又，介電率較低的絕緣層係可貢獻於電路基板的減低厚度，因而適合於薄的電路基板所要求的用途中。進而，介電率較低的絕緣層係因電路基板的阻抗控制為容易，故適合用來提高電路基板的設計自由度。就如此般的觀點而言，若舉出樹脂組成物的適合的用途時，可舉出例如行動機器中所使用的主機板、IC封裝基板、相機模組基板、指紋識別感測體用基板等的電路基板。若舉出具體例時，指紋識別感測體係依序具有電路基板中所包含的絕緣層、於前述絕緣層上所形成的多個電極、與絕緣被膜。該指紋識別感測體係利用指紋的凹部與凸部之不同的電容器(condenser)容量值來進行指紋的識別，所述的電容器容量值為藉由被放置在絕緣被膜上的手指和電極與絕緣被膜所形成。於如此般的指紋識別感測體時，若可使絕緣層變薄時，則能夠實現感測體本身的小型化。
又，本發明之樹脂組成物係可使用於接著薄膜、預浸體等的薄片狀層合材料、阻焊劑、底部填充材、晶粒結著材、半導體密封材、填孔樹脂、零件埋置樹脂等樹脂組成物所使用的廣範的用途中。
[14.薄片狀層合材料] 　　上述之樹脂組成物係以清漆狀態來進行塗佈並可使用於絕緣層的形成。但，就工業上而言，以包含該樹脂組成物的薄片狀層合材料的形態來使用為較佳。作為薄片狀層合材料的較佳的例子，可舉出接著薄膜、預浸體。
於一實施形態中，接著薄膜係包含支撐體、與設置於該支撐體上的樹脂組成物層。樹脂組成物層係利用上述之樹脂組成物所形成的層，故有時被稱為「接著層」。
樹脂組成物層的厚度，就薄型化之觀點而言，較佳為100μm以下，又較佳為80μm以下，更佳為60μm以下，其中，較佳為50μm以下。樹脂組成物層的厚度的下限並無特別限定，能夠設為例如1μm以上，5μm以上，10μm以上等。
作為支撐體，可舉出例如由塑膠材料所成的薄膜、金屬箔、脫模紙。作為支撐體，係以由塑膠材料所成的薄膜、金屬箔為較佳。
作為支撐體若使用由塑膠材料所成的薄膜之情形時，作為塑膠材料可舉出例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(以下有時稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二醇酯(以下有時稱為「PEN」)等的聚酯；聚碳酸酯(以下有時稱為「PC」)；聚甲基丙烯酸甲酯以下有時稱為「PMMA」)等的丙烯酸聚合物；環狀聚烯烴；三乙醯基纖維素(以下有時稱為「TAC」)；聚醚硫醚(以下有時稱為「PES」)；聚醚酮；聚醯亞胺。其中，以聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯為較佳，便宜且取得性為優異，因而以聚對苯二甲酸乙二醇酯為特佳。
作為支撐體若使用金屬箔之情形時，作為金屬箔可舉出例如銅箔、鋁箔等。其中，以銅箔為較佳。作為銅箔，可以使用由銅的單質金屬所成的箔、也可使用由銅與其他的金屬(例如錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)的合金所成的箔。
支撐體係可以對接合於樹脂組成物層的面，施予消光處理、電暈放電處理、抗靜電處理等的處理。
又，作為支撐體係可使用在與樹脂組成物層接合的面上具有脫模層之附帶脫模層的支撐體。作為可使用於附帶脫模層的支撐體的脫模層中的脫模劑，可舉出例如由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂、及聚矽氧樹脂所成之群中所選出之1種以上的脫模劑。作為脫模劑的市售品，可舉出例如醇酸樹脂系脫模劑之LINTEC公司製的「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」等。又，作為附帶脫模層的支撐體，可舉出例如Toray公司製的「Lumirror T60」；帝人公司製的「PUREX」；Unitika公司製的「Unipeel」等。
支撐體的厚度係以5μm~75μm的範圍為較佳，以10μm~60μm的範圍為又較佳。尚，若使用附帶脫模層的支撐體之情形時，以附帶脫模層的支撐體全體的厚度設為上述範圍為較佳。
接著薄膜係可例如下述般來進行製造：調製包含有機溶劑及樹脂組成物的樹脂清漆，使用模塗佈機等的塗佈裝置，將該樹脂清漆塗佈至支撐體上，進而藉由使其乾燥而形成樹脂組成物層。
作為有機溶劑，可舉出例如丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等的酮溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等的乙酸酯溶劑；溶纖劑及丁基卡必醇等的卡必醇溶劑；甲苯及二甲苯等的芳香族烴溶劑；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯啶酮等的醯胺系溶劑。有機溶劑係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。
乾燥係可藉由加熱、噴吹熱風等的周知的方法來實施。乾燥條件係樹脂組成物層中之有機溶劑的含量一般為10質量%以下，較佳為設定以成為5質量%以下。依樹脂清漆中之有機溶劑的沸點而有所不同，例如若使用包含30質量%~60質量%的有機溶劑的樹脂清漆之情形時，藉由以50℃~150℃下使其乾燥3分鐘~10分鐘，從而可形成樹脂組成物層。一般而言，樹脂組成物層係以作為將樹脂清漆的塗膜進行半硬化後的膜而得到。
接著薄膜係因應所需可包含除了支撐體及樹脂組成物層以外的任意的層。例如接著薄膜中不相接於樹脂組成物層的支撐體的面(即，與支撐體為相反側的面)上係可依據支撐體來設置保護薄膜。保護薄膜的厚度係例如為1μm~40μm。藉由保護薄膜，可防止對於樹脂組成物層的表面之灰塵等的附著或傷痕。若接著薄膜具有保護薄膜之情形時，一般接著薄膜係藉由將保護薄膜剝下而變成能夠使用。又，接著薄膜係能夠捲取成輥狀來做保存。
於一實施形態中，預浸體係可使樹脂組成物含浸在薄片狀纖維基材中從而形成。
預浸體中所使用的薄片狀纖維基材並無特別限定。作為薄片狀纖維基材，係可使用例如玻璃布、芳香族聚醯胺不織布、液晶聚合物不織布等的被使用作為預浸體用基材的任意的纖維基材。就薄型化之觀點而言，薄片狀纖維基材的厚度係較佳為900μm以下，又較佳為800μm以下，更佳為700μm以下，特佳為600μm以下。就將導體層的形成相關之鍍敷滲入深度抑制為較低之觀點而言，薄片狀纖維基材的厚度係以30μm以下為較佳，以20μm以下為又較佳，以10μm以下為特佳。薄片狀纖維基材的厚度的下限係一般為1μm以上，可以設為1.5μm以上或2μm以上。
預浸體係可藉由熱熔法、溶劑法等的方法來製造。 　　預浸體的厚度係能夠設為與上述之接著薄膜中之樹脂組成物層為相同的範圍。
[15.電路基板] 　　本發明之電路基板係包含利用上述之樹脂組成物的硬化物所形成的絕緣層。於一實施形態中，電路基板係具備內層基板、與設置於該內層基板的絕緣層。
所謂的「內層基板」係指成為電路基板的基材的構件。作為內層基板，可舉出例如包含玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等的芯基板者。又，一般內層基板係具備於芯基材的一面或兩面上直接或間接所形成的導體層。例如為了使作為電氣的電路發揮功能，該導體層亦可進行圖型加工。在芯基板的一面或兩面上形成導體層來作為電路的內層基板，有時被稱為「內層電路基板」。又，為了製造電路基板而必須進一步形成絕緣層及導體層之至少一方的中間製造物，亦包含於用語「內層基板」中。若電路基板嵌入零件之情形時，也可使用嵌入零件的內層基板。
內層基板的厚度係一般為50μm~4000μm，就電路基板的機械性強度的提升及厚度的減低之觀點而言，較佳為200μm~3200μm。
內層基板為了將該兩側的導體層相互地電氣連接，可以設置1個以上的從一邊的面至另一邊的面的貫穿孔。又，內層基板係可具備被動元件等的進一步的構成要素。
絕緣層係樹脂組成物的硬化物的層。利用該硬化物所形成的絕緣層，特別是可適合使用於藉由增層方式之電路基板用、高頻電路基板用、以及行動機器中所使用的主機板、IC封裝基板、相機模組基板、及指紋識別感測體用基板等的電路基板用的絕緣層。
電路基板係可僅只具有1層、或也可具有2層以上的絕緣層。若電路基板具有2層以上的絕緣層之情形時，能以導體層與絕緣層為交互層合的增層之方式來進行設置。
絕緣層的厚度係一般為20μm~200μm，就電特性的提升與電路基板的減低厚度之觀點而言，較佳為50μm~150μm。
絕緣層上係可設置用來將電路基板所具有的導體層彼此電連接的1個以上的通孔(via hole)。
前述絕緣層係藉由上述之樹脂組成物的硬化物所形成的層，因而可發揮上述之樹脂組成物的硬化物優異的特性。因此，電路基板的絕緣層係較佳為將絕緣層的介電率、玻璃轉移溫度、因HAST試驗所造成的絕緣層與導電層的剝離強度的降低率、絕緣層與導電層的剝離強度、破斷伸度、粗化處理後的表面粗度之類的特性，調整成與前述樹脂組成物的特性項目中所說明為相同的範圍。又，該等的特性係可依實施例所記載之方法來進行測定。
電路基板係例如使用接著薄膜，並藉由包含下述步驟(I)及步驟(II)的製造方法而可製造。 　　(I)以該接著薄膜的樹脂組成物層與內層基板相接合之方式，將接著薄膜層合至內層基板上之步驟。 　　(II)將樹脂組成物層進行熱硬化從而形成絕緣層之步驟。
內層基板與接著薄膜的層合係例如可藉由從支撐體側將接著薄膜加熱壓接至內層基板之加熱壓著步驟從而來進行。作為用來加熱壓著步驟的構件(也稱為「加熱壓著構件」)，可舉出例如經加熱的金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥)。尚，並非將加熱壓著構件直接按壓而壓製在接著薄膜的支撐體上，而是介隔著耐熱橡膠等的彈性材，以接著薄膜能充分地追隨內層基板的表面的凹凸之方式來進行壓製(pressing)為較佳。
內層基板與接著薄膜的層合係可例如藉由真空層合法從而來實施。真空層合法中，加熱壓著的溫度係較佳為60℃~160℃，又較佳為80℃~140℃。加熱壓著的壓力係較佳為0.098MPa~1.77MPa，又較佳為0.29MPa~ 1.47MPa。加熱壓著的時間係較佳為20秒鐘~400秒鐘，又較佳為30秒鐘~300秒鐘。層合係較佳為以在壓力26.7hPa以下的減壓條件下來實施。
層合係可藉由市售的真空貼合機來進行。作為市售的真空貼合機，可舉出例如名機製作所公司製的真空加壓式貼合機、Nikko・materials公司製的真空貼合機、分批式真空加壓貼合機等。
於層合之後，在常壓下(大氣壓下)例如藉由利用加熱壓著構件從支撐體側來進行壓製，從而可進行已層合的樹脂組成物層的平滑化處理。平滑化處理的壓製條件係可設為與上述層合之加熱壓著條件為相同的條件。平滑化處理係可藉由市售的貼合機來進行。尚，層合及平滑化處理係可使用上述之市售的真空貼合機來連續的進行。
支撐體係可於步驟(I)與步驟(II)之間去除、也可於步驟(II)之後去除。
步驟(II)中，將樹脂組成物層進行熱硬化從而形成絕緣層。樹脂組成物層的熱硬化的條件並無特別限定，可任意地採用於形成電路基板的絕緣層時所採用的條件。
樹脂組成物層的熱硬化條件係依例如樹脂組成物的種類而有所不同。樹脂組成物層的硬化溫度係一般為120℃~240℃的範圍(較佳為150℃~220℃的範圍，又較佳為170℃~200℃的範圍)。又，硬化時間係一般為5分鐘~120分鐘的範圍(較佳為10分鐘~100分鐘，又較佳為15分鐘~90分鐘)。
可於使樹脂組成物層進行熱硬化前，利用較硬化溫度為低的溫度來將樹脂組成物層進行預加熱。例如於使樹脂組成物層進行熱硬化之前，一般可藉以50℃以上未滿120℃(較佳為60℃以上110℃以下，又較佳為70℃以上100℃以下)的溫度來將樹脂組成物層預加熱一般為5分鐘以上(較佳為5分鐘~150分鐘，又較佳為15分鐘~120分鐘)。
電路基板的製造方法係進而可包含(III)在絕緣層開孔之步驟、(IV)對絕緣層施予粗化處理之步驟、及(V)形成導體層之步驟。該等的步驟(III)~步驟(V)係可依據電路基板的製造中所使用的適當方法來實施。尚，若將支撐體於步驟(II)之後去除之情形時，該支撐體的去除係可於步驟(II)與步驟(III)之間、步驟(III)與步驟(IV)之間、或步驟(IV)與步驟(V)之間之任一時點來實施。
步驟(III)係在絕緣層開孔之步驟。藉由開孔，從而可在絕緣層上形成通孔、貫穿孔(through hole)等的孔洞。步驟(III)係因應絕緣層的形成中使用的樹脂組成物的組成等，例如可採用鑽頭、雷射、等離子等的方法來實施。孔洞的尺寸及形狀係可因應電路基板的設計來做適當地決定。
步驟(IV)係對絕緣層施予粗化處理之步驟。粗化處理的程序及條件並無特別限定，可採用於形成電路基板的絕緣層時所使用的任意的程序及條件。例如依序實施藉由膨潤液之膨潤處理、藉由氧化劑之粗化處理、藉由中和液之中和處理，從而可將絕緣層進行粗化處理。
作為膨潤液，可舉出例如鹼溶液、界面活性劑溶液，較佳可舉出為鹼溶液。作為鹼溶液係以氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液為又較佳。作為市售的膨潤液，可舉出例如Atotech Japan公司製的「Swelling Dip Securiganth P」、「Swelling Dip Securiganth SBU」。又，膨潤液係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。藉由膨潤液之膨潤處理並無特別限定。膨潤處理係例如可藉由將絕緣層在30℃~90℃的膨潤液中浸漬1分鐘~20分鐘從而來進行。就將絕緣層的樹脂的膨潤抑制在適度的水平之觀點而言，以使絕緣層在40℃~80℃的膨潤液中浸漬5分鐘~15分鐘為較佳。
作為氧化劑，可舉出例如在氫氧化鈉的水溶液中溶解過錳酸鉀或過錳酸鈉而成的鹼性過錳酸溶液。又，氧化劑係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。藉由鹼性過錳酸溶液等的氧化劑之粗化處理，係以使絕緣層在加熱至60℃~80℃的氧化劑溶液中浸漬10分鐘~30分鐘來進行為較佳。又，鹼性過錳酸溶液中之過錳酸鹽的濃度係以5質量%~10質量%為較佳。作為市售的氧化劑，可舉出例如Atotech Japan公司製的「Concentrate Compact CP」、「Dosing solution Securiganth P」等的鹼性過錳酸溶液。
作為中和液係以酸性的水溶液為較佳。作為中和液的市售品，可舉出例如Atotech Japan公司製的「Reduction solution Securiganth P」。又，中和液係可單獨使用1種類、或可組合2種類以上來使用。藉由中和液之處理，係可使藉由氧化劑之粗化處理後的絕緣層的處理面，在30℃~80℃的中和液中浸漬5分鐘~30分鐘從而來進行。就作業性等的方面而言，以使藉由氧化劑之粗化處理後的絕緣層，在40℃~70℃的中和液中浸漬5分鐘~20分鐘的方法為較佳。
步驟(V)係形成導體層之步驟。導體層中所使用的材料係無特別限定。適合的實施形態中，導體層係包含由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所成之群中所選出之1種以上的金屬。導體層係可以是單質金屬層、也可以是合金層。作為合金層，可舉出例如由上述之群中所選出之2種以上的金屬的合金(例如鎳・鉻合金、銅・鎳合金及銅・鈦合金)所形成的層。其中，就導體層的形成的泛用性、成本、圖型化的容易性等的觀點而言，以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或者銅的單質金屬層；或鎳・鉻合金、銅・鎳合金、銅・鈦合金的合金層為較佳。進而以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或者銅的單質金屬層；或、鎳・鉻合金的合金層為又較佳，以銅的單質金屬層為更佳。
導體層係可以是具有單層構造、也可以是具有包含2層以上的由不同種類的金屬或合金所成的單質金屬層或合金層的多層構造。若導體層為多層構造之情形時，與絕緣層相接的層係以鉻、鋅或者鈦的單質金屬層、或鎳・鉻合金的合金層為較佳。
導體層的厚度係一般為3μm~200μm，較佳為10μm~100μm。
例如，利用被使用作為接著薄膜的支撐體的金屬箔，並將此者直接進行圖型化，而可形成導體層。又，導體層係例如可藉由鍍敷從而來形成。作為藉由鍍敷之形成方法，例如藉由半加成法、全加成法等的方法，從而對絕緣層的表面進行鍍敷，並形成具有所期望的配線圖型的導體層。其中，就製造的簡便性之觀點而言，以藉由半加成法從而來形成為較佳。
以下，說明藉由半加成法從而來形成導體層之例子。首先，在絕緣層的表面上，藉由無電解鍍敷從而形成鍍敷種晶層。接下來，在形成的鍍敷種晶層上，對應所期望的配線圖型，形成使鍍敷種晶層的一部分露出的遮罩圖型。在露出的鍍敷種晶層上，藉由電解鍍敷從而形成金屬層後，去除遮罩圖型。之後，可藉由蝕刻等來去除不需要的鍍敷種晶層，從而形成具有所期望的配線圖型的導體層。
導體層係例如可使用金屬箔來形成。若使用金屬箔來形成導體層之情形時，步驟(V)係於步驟(I)與步驟(II)之間來實施為較佳。例如於步驟(I)之後，去除支撐體並將金屬箔層合至露出的樹脂組成物層的表面上。樹脂組成物層與金屬箔的層合係可藉由真空層合法來實施。層合的條件係可與於步驟(I)中之內層基板與接著薄膜的層合條件為相同。接下來，實施步驟(II)來形成絕緣層。之後，利用絕緣層上的金屬箔，可藉由消去處理法、改良型半加成法等的方法，從而形成具有所期望的配線圖型的導體層。金屬箔係例如可藉由電解法、壓延法等的方法從而來製造。作為金屬箔的市售品，可舉出例如JX日鑛日石金屬公司製的HLP箔、JXUT-III箔、三井金屬鑛山公司製的3EC-III箔、TP-III箔等。
若電路基板為具有2層以上的絕緣層及導體層(增層)之情形時，藉由將上述之絕緣層的形成步驟及導體層的形成步驟進而重複實施1次以上，從而可製造具備能夠作為電路發揮功能的多層配線構造的電路基板。
其他的實施形態中，可使用預浸體來替代接著薄膜而製造電路基板。使用預浸體之製造方法係基本上與使用接著薄膜之情形為相同。
[16.半導體裝置] 　　半導體裝置係具備前述電路基板。該半導體裝置係可使用電路基板從而來製造。
作為半導體裝置，可舉出提供於電氣製品(例如電腦、行動電話、數位相機及電視機等)及交通工具(例如摩托車、汽車、電車、船舶及飛機等)等中的各種半導體裝置。
半導體裝置係例如可藉由將零件(半導體晶片)安裝在電路基板的導通部位從而來製造。所謂的「導通部位」係指「可傳送電路基板中之電信號的部位」、且其部位係可以在電路基板的表面、也可以在電路基板內所埋置的部位。又，半導體晶片係可任意地使用將半導體作為材料的電氣電路元件。
製造半導體裝置時的半導體晶片的安裝方法，可採用半導體晶片為可有效地發揮功能的任意方法。作為半導體晶片的安裝方法，可舉出例如導線接合安裝方法、倒裝晶片安裝方法、藉由無凸塊增層(BBUL)之安裝方法、藉由異向性導電薄膜(ACF)之安裝方法、藉由非導電性薄膜(NCF)之安裝方法。於此，所謂的「藉由無凸塊增層(BBUL)之安裝方法」係指「將半導體晶片直接地埋置在電路基板中，並使半導體晶片與電路基板的配線連接的安裝方法」之意。 [實施例]
以下，藉由實施例更具體地說明本發明，但本發明並非被限定於該等的實施例中。尚，以下之記載中，「份」及「%」若無特別說明，則分別意指「質量份」及「質量%」。
[實施例1] 　　一邊攪拌液狀雙酚A型環氧樹脂(環氧當量187、三菱化學公司製「jER828US」)20份、聯二甲苯酚型環氧樹脂(環氧當量190、三菱化學公司製「YX4000HK」)10份、聯苯芳烷基型環氧樹脂(環氧當量276、日本化藥公司製「NC3000」)30份、萘酚型環氧樹脂(環氧當量332、新日鐵住金化學公司製「ESN475V」)10份、及、苯氧基樹脂(不揮發成分30質量%的甲基乙基酮/環己酮=1/1溶液、三菱化學公司製「YL7553BH30」)20份，一邊使其加熱溶解在甲基乙基酮60份及環己酮20份中，從而得到樹脂溶液。
於該樹脂溶液中混合碳二醯亞胺化合物(不揮發成分50質量%的甲苯溶液、Nisshinbo chemical公司製「V-03」)11份、經N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學公司製「KBM573」)進行表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、比表面積5.9m2 /g)100份、聚四氟乙烯粒子(大金工業公司製「LUBRON L-2」、平均粒徑3μm)80份、活性酯系硬化劑(活性基當量223、不揮發成分65質量%的甲苯溶液、DIC公司製「HPC8000-65T」)10份、含有三嗪骨架的甲酚酚醛清漆型硬化劑(苯酚當量151、不揮發成分50質量%的2-甲氧基丙醇溶液、DIC公司製「LA3018-50P」)20份、硬化促進劑(4-二甲基胺基砒啶(DMAP)、不揮發成分5質量%的甲基乙基酮溶液)4份、及非粒子狀的氟系聚合物(共榮社化學公司製「LE-605」)4份，並利用高速旋轉混合器進行均勻地分散從而得到樹脂清漆。
作為支撐體，準備在表面上具有醇酸樹脂系的脫模層的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度38μm、LINTEC公司製「AL5」)。使用模塗佈機，將前述樹脂清漆均勻地塗佈至該支撐體上。將經塗佈的樹脂清漆，以80℃~120℃(平均100℃)下使其乾燥6分鐘來形成樹脂組成物層，從而得到具有支撐體及樹脂組成物層的接著薄膜。樹脂組成物層的厚度為50μm，樹脂組成物中的殘留溶劑量為約2質量%。
接下來，一邊貼合厚度15μm的聚丙烯薄膜至樹脂組成物層的表面上，一邊將接著薄膜捲取成輥狀。將捲取的接著薄膜分條成寬507mm，從而得到507mm× 336mm尺寸的薄片狀的接著薄膜。
[實施例2] 　　將聚四氟乙烯粒子(大金工業公司製「LUBRON L-2」)80份，變更成聚四氟乙烯粒子(喜多村公司製「KTL-500F」、平均粒徑0.3μm)80份。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[實施例3] 　　將經N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學公司製「KBM573」)進行表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C2」)100份及聚四氟乙烯粒子(大金工業公司製「LUBRON L-2」)80份，變更成聚四氟乙烯粒子(喜多村公司製「KTL-500F」、平均粒徑0.3μm)170份。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[實施例4] 　　將活性酯系硬化劑(不揮發成分65質量%的甲苯溶液、DIC公司製「HPC8000-65T」)的量從10份變更成15份。又，將碳二醯亞胺化合物(Nisshinbo chemical公司製「V-03」、不揮發成分50質量%的甲苯溶液)的量從11份變更成2份。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[實施例5] 　　預先混合聚四氟乙烯粒子(大金工業公司製「LUBRON L-2」)80份與氟系聚合物(共榮社化學公司製「LE-605」)4份後，混合至樹脂溶液中。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[實施例6] 　　將聯苯芳烷基型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC3000」) 30份，變更成伸萘基醚型環氧樹脂(環氧當量260、DIC公司製「HP6000」)27份。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[實施例7] 　　將聯苯芳烷基型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC3000」) 30份，變更成伸萘基醚型環氧樹脂(環氧當量260、DIC公司製「HP6000」)20份及萘型4官能環氧樹脂(環氧當量163、DIC公司製「HP4700」)5份。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[實施例8] 　　將含有三嗪骨架的甲酚酚醛清漆型硬化劑(DIC公司製「LA3018-50P」、不揮發成分50質量%的2-甲氧基丙醇溶液)20份，變更成萘酚型硬化劑(羥基當量215、新日鐵化學公司製「SN485」)5份及含有三嗪的苯酚酚醛清漆樹脂(羥基當量125、DIC公司製「LA7054」、不揮發成分60%的MEK溶液)10份。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[實施例9] 　　在樹脂清漆中，進而加入N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(信越化學公司製「KBM573」)2份。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[實施例10] 　　將活性酯系硬化劑(不揮發成分65質量%的甲苯溶液、DIC公司製「HPC8000-65T」)的量從10份變更成5份。又，將含有三嗪骨架的甲酚酚醛清漆型硬化劑(DIC公司製「LA3018-50P」、不揮發成分50質量%的2-甲氧基丙醇溶液)的量從20份變更成5份。進而，將碳二醯亞胺化合物(Nisshinbo chemical公司製「V-03」、不揮發成分50質量%的甲苯溶液)的量從11份變更成35份。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[比較例1] 　　將活性酯系硬化劑(不揮發成分65質量%的甲苯溶液、DIC公司製「HPC8000-65T」)的量從10份變更成20份。又，將碳二醯亞胺化合物(Nisshinbo chemical公司製「V-03」、不揮發成分50質量%的甲苯溶液)的量從11份變更成0份。除了以上之事項以外，採用與實施例1完全相同之方式來製造樹脂清漆及接著薄膜。
[介電率的測定] 　　準備在表面上施予脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(LINTEC公司製「PET501010」)。使用模塗佈機，以乾燥後的樹脂組成物層的厚度成為50μm之方式將實施例及比較例中所得到的樹脂清漆均勻地塗佈至該聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上。將經塗佈的樹脂清漆以80℃~110℃(平均95℃)、乾燥6分鐘，從而得到樹脂組成物層。之後，以200℃下將樹脂組成物層進行熱處理90分鐘來使其硬化，並藉由將支撐體剝離，從而得到利用樹脂組成物的硬化物所形成的硬化物薄膜。將硬化物薄膜切出長度80mm、寬2mm，從而得到評估樣品。
對於該評估樣品，藉由使用分析裝置(安捷倫科技(Agilent Technologies)公司製「HP8362B」)的空腔共振擾動法(cavity resonance perturbation method)，以測定周波數5.8GHz、測定溫度23℃下來測定樹脂組成物的硬化物的介電率。對於2個的試片進行測定，並算出其平均值。
[玻璃轉移溫度的測定] 　　將前述硬化物薄膜切出寬約5mm、長度約15mm，從而得到試片。對於該試片，使用熱機械分析裝置(Rigaku公司製「Thermo Plus TMA8310」)，以拉力負載法來進行熱機械分析。詳細而言係將試片裝於前述熱機械分析裝置後，以負載1g、昇溫速度5℃/分的測定條件下連續2次，並進行分析。又，於第2次的測定中來算出玻璃轉移溫度(Tg；℃)。
[剝離強度的測定] (1)內層基板的基底處理： 　　準備形成有內層電路的玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板(銅箔的厚度18μm、基板厚度0.8mm、松下電工公司製「R5715ES」)來作為內層基板。藉以蝕刻劑(MEC公司製「CZ8100」)，將該內層基板的兩面蝕刻1μm，從而進行內層基板的兩面的銅表面的粗化處理。
(2)接著薄膜的層合： 　　使用分批式真空加壓貼合機(Nikko・materials公司製的2階段增層貼合機「CVP700」)，以樹脂組成物層與內層基板相接之方式，將實施例及比較例所製造的接著薄膜層合至內層基板的兩面上。層合係減壓30秒鐘減壓並將氣壓設為13hPa以下後，藉由以100℃、壓力0.74MPa下使其壓著30秒鐘從而來實施。接下來，藉以100℃、壓力0.5 MPa下來進行熱壓製60秒鐘。
(3)樹脂組成物的硬化： 　　將被層合至內層基板的接著薄膜以100℃、30分鐘，進而以180℃、30分鐘的硬化條件下進行加熱，來使樹脂組成物層進行熱硬化從而形成絕緣層。之後，將作為支撐體的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜剝離。據此，可得到依序具有絕緣層、內層基板及絕緣層的樣品基板。
(4)粗化處理： 　　將前述樣品基板以60℃下，浸漬在膨潤液(Atotech Japan公司製「Swelling Dip・Securiganth P」、包含二乙二醇單丁基醚)中10分鐘。接下來，將樣品基板以80℃下，浸漬在粗化液(Atotech Japan公司製「Concentrate Compact P」KMnO4 ：60g/L、NaOH：40g/L的水溶液)中20分鐘。再接下來，將樣品基板以40℃下，浸漬在中和液(Atotech Japan公司製「Reduction solution・Securiganth P」)中5分鐘。之後，以80℃下將樣品基板乾燥30分鐘，從而得到粗化基板。依後述之方法來測定該粗化基板的絕緣層之表面的算術平均粗糙度(Ra值)及十點平均粗糙度(Rz值)。
(5)藉由半加成工法之鍍敷： 　　將粗化基板以40℃下，浸漬在包含PdCl2 的無電解鍍敷用溶液中5分鐘，接下來以25℃下，浸漬在無電解銅鍍敷液中20分鐘。之後，以150℃下對粗化基板進行加熱30分鐘的退火處理。在退火處理後的粗化基板上形成蝕刻阻劑，並進行藉由蝕刻之圖型形成。之後，進行硫酸銅電解鍍敷，以25μm的厚度在絕緣層的表面上來形成導體層。接下來，進行藉以180℃下加熱30分鐘的退火處理，從而得到在絕緣層上具有導體層的電路基板。
(6)鍍敷導體層的撕剝強度(剝離強度)的測定： 　　在電路基板的導體層上，以圍成寬10mm、長度100mm的矩形部分來切出切口。將該矩形部分的長度方向的一端剝下，並利用夾片器(TSE公司製的AUTO COM型試驗機「AC-50CSL」)夾住。又，在室溫中，以50mm/分的速度下，進行沿著對於電路基板的表面呈垂直方向的撕剝導體層的剝離試驗，測定撕下長度為35mm時的負載(kgf/cm)並將其作為剝離強度。
[HAST試驗後的剝離強度的測定] 　　使用高加速壽命試驗裝置(楠本化成公司製「PM422」)，將前述電路基板以曝露在溫度130℃、濕度85%RH的環境下100小時間，來進行作為HAST試驗的加速環境試驗。之後，藉由與前述[剝離強度的測定]之步驟(6)「鍍敷導體層的撕剝強度(剝離強度)的測定」相同的操作，從而測定將電路基板的導體層撕剝時的剝離強度。
由加速環境試驗前的剝離強度F0 、與加速環境試驗後的剝離強度F1 ，來計算出因加速環境試驗所造成的剝離強度的降低率「{(F0 -F1 )/F0 }×100(%)」。若降低率為30%以下者，則判定為「良」，大於30%者，則判定為「不良」。
[破斷伸度的評估] 　　對於前述硬化物薄膜，根據日本工業規格(JIS K7161)，以溫度25℃、濕度40%RH、拉伸速度50mm/分下，使用TENSILON萬能試驗機(A&D公司製)來進行拉伸試驗，從而測定樣品的破斷伸度。
[絕緣層表面的算術平均粗糙度(Ra)及十點平均粗糙度(Rz)的測定] 　　使用非接觸型表面粗度計(Veeco Instruments公司製「WYKO NT3300」)並以VSI接觸模式、50倍透鏡，將測定範圍設為121μm×92μm，由所得到的數值來求出粗化基板的絕緣層的表面的算術平均粗糙度Ra及十點平均粗糙度Rz。藉由求出隨機選出的10點的平均值來作為測定值。
[結果] 　　將上述之實施例及比較例的結果表示於下述之表中。下述之表中，各成分之量係表示不揮發成分的質量份。
[檢討] 　　如表1可得知般，實施例係皆可得到低的介電率。又，實施例中，與不使用(B)碳二醯亞胺化合物的比較例1相較之下，可提高玻璃轉移溫度Tg，又，可減小HAST試驗後的剝離強度的降低率。由該結果可確認，依據本發明能實現可得到如下述般絕緣層的樹脂組成物，所述的絕緣層，其介電率為低、可抑制因HAST試驗所造成的對於導體層的密著性的降低、且玻璃轉移溫度為高。
又，實施例1~10中，可得到與比較例1相同程度的破斷伸度及表面粗度。因此可得知，依據本發明所得到的絕緣層，該等的破斷伸度及表面粗度係具有相較於以往既有品為相同程度以上的優異特性。
與大量地使用(B)碳二醯亞胺化合物的實施例10相比之下，除此之外的實施例1~9係可加大破斷伸度。由該結果可確認，就可得到機械性強度為優異的絕緣層之觀點而言，(B)碳二醯亞胺化合物的量係存在著適當的範圍。
與實施例1相比之下，實施例5係可減低絕緣層的表面粗度。由該結果可得知，就提高(C-1)氟系填充材的分散性並得到表面粗度為較小的絕緣層之觀點而言，以將非粒子狀的(G)成分與(C-1)氟系填充材混合後，再與除此之外的成分進行混合為較佳。
與實施例1相比之下，實施例9係可減低絕緣層的表面粗度。由該結果可得知，就提高(C-2)無機填充材的分散性並得到表面粗度為較小的絕緣層之觀點而言，以使用(H)偶合劑為較佳。
又，前述實施例中，即便是未使用(D)成分~(H)成分，雖程度上會有所差別，但確認會總結與上述實施例為相同的結果。

Claims (13)

  1. 一種樹脂組成物，其特徵係包含：(A)環氧樹脂、(B)碳二醯亞胺化合物以及(C)填充材，且 　　(C)成分包含(C-1)氟系填充材， 　　相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，(C)成分之量為30質量%~80質量%。
  2. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C-1)成分為氟系聚合物粒子。
  3. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C-1)成分為聚四氟乙烯粒子。
  4. 如請求項1之樹脂組成物，其中，相對於樹脂組成物中的樹脂成分100質量%，(B)成分之量為0.5質量%~15質量%。
  5. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C)成分包含(C-2)無機填充材， 　　相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，(C-2)成分之量為5質量%以上70質量%以下。
  6. 如請求項1之樹脂組成物，其中，相對於樹脂組成物中的不揮發成分100質量%，(C-1)成分之量為5質量%以上80質量%以下。
  7. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(A)成分係由雙酚A型環氧樹脂、聯二甲苯酚型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、萘型4官能環氧樹脂及萘酚型環氧樹脂所成之群中所選出之1種以上的環氧樹脂。
  8. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(C-1)成分之平均粒徑為0.05μm以上10μm以下。
  9. 如請求項1之樹脂組成物，其中，包含活性酯系硬化劑。
  10. 如請求項1之樹脂組成物，其係電路基板的絕緣層形成用。
  11. 一種薄片狀層合材料，其特徵係包含請求項1~10中任一項之樹脂組成物。
  12. 一種包含絕緣層的電路基板，其特徵為該絕緣層係由請求項1~10中任一項之樹脂組成物的硬化物所成者。
  13. 一種半導體裝置，其特徵係具備請求項12之電路基板。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220054803A (ko) * 2019-08-28 2022-05-03 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 폴리이미드 수지 조성물, 폴리이미드 바니시 및 폴리이미드 필름
TWI730797B (zh) * 2020-06-03 2021-06-11 台燿科技股份有限公司 氟樹脂組成物、使用該氟樹脂組成物所製得之樹脂片、積層板及印刷電路板
KR20240052770A (ko) * 2021-09-09 2024-04-23 가부시끼가이샤 레조낙 밀봉용 수지 조성물, 전자 부품 장치 및 전자 부품 장치의 제조 방법
CN116496720A (zh) * 2021-11-04 2023-07-28 荣耀终端有限公司 绝缘胶、绝缘胶带及绝缘胶的制备方法
WO2023132317A1 (ja) * 2022-01-07 2023-07-13 太陽ホールディングス株式会社 硬化性樹脂組成物

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4814178B1 (zh) * 1969-01-28 1973-05-04
JP2004277727A (ja) * 2003-02-27 2004-10-07 Sanyo Chem Ind Ltd 硬化性樹脂組成物およびその硬化物
US7723722B2 (en) * 2007-03-23 2010-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, anthracene derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using anthracene derivative
JP6672616B2 (ja) * 2014-06-30 2020-03-25 味の素株式会社 樹脂組成物、接着フィルム、プリント配線板及び半導体装置
JP6754999B2 (ja) 2015-03-05 2020-09-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物、低誘電率樹脂シート、プリプレグ、金属箔張り積層板、高周波回路基板および多層配線基板
JP6668712B2 (ja) * 2015-12-01 2020-03-18 味の素株式会社 樹脂組成物
TWI737649B (zh) * 2015-12-25 2021-09-01 日商味之素股份有限公司 樹脂組成物
TWI781918B (zh) * 2016-02-02 2022-11-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 樹脂組成物、預浸體、覆金屬箔疊層板、樹脂片、印刷電路板及半導體裝置
JP2017179311A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 日立化成株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂シート及び積層板

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