JP2018002886A - 樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】難燃性、導体層とのピール強度及びリフロー耐性に優れる絶縁層が得られる樹脂組成物；それを用いた樹脂シート、回路基板、半導体チップパッケージ、及び半導体装置の提供。【解決手段】（ａ）（ｉ）水素添加されていてもよいブタジエン構造単位、並びに（ｉｉ）ビフェニレン型フェノール構造単位及びナフトールアラルキル構造単位からなる群から選択される１種以上の構造単位を有する化合物、（ｂ）１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂、並びに（ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、（ｃ）無機充填材が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％以上である、樹脂組成物。【選択図】なし

Description

本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、半導体チップパッケージ、及び半導体装置に関する。

近年、スマートフォン、タブレットデバイスといった小型の高機能電子機器の需要が増大しており、それに伴い、これら小型の電子機器に用いられる絶縁材料（絶縁層）も更なる高機能化が求められている。

このような絶縁層は、樹脂組成物を硬化して形成されるもの等が知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２０１５−８２５３５号公報

近年、電気電子業界では、臭素及び塩素を含まなくても難燃性に優れる材料が求められており、上記電子機器に用いる絶縁層も臭素及び塩素を含まなくても難燃性に優れることが求められる。また、絶縁層は、ピール強度、及びリフロー耐性が優れることも求められている。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、難燃性、銅箔等の導体層とのピール強度及びリフロー耐性に優れる絶縁層が得られる樹脂組成物；それを用いた樹脂シート、回路基板及び半導体チップパッケージ、及び半導体装置を提供することにある。

本発明者らは、（ａ）（ｉ）水素添加されていてもよいブタジエン構造単位、並びに（ｉｉ）ビフェニレン型フェノール構造単位及びナフトールアラルキル構造単位からなる群から選択される１種以上の構造単位を有する化合物、（ｂ）１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂、並びに（ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、（ｃ）成分の含有量を樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％以上とすることで、難燃性、導体層とのピール強度及びリフロー耐性に優れる絶縁層が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］ （ａ）（ｉ）水素添加されていてもよいブタジエン構造単位、並びに（ｉｉ）ビフェニレン型フェノール構造単位及びナフトールアラルキル構造単位からなる群から選択される１種以上の構造単位を有する化合物、
（ｂ）１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂、並びに
（ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、
（ｃ）無機充填材が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％以上である、樹脂組成物。
［２］ （ｂ）成分が、１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びフッ素原子を有するエポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のビフェニル構造を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の縮合環を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のキシレン構造を有するエポキシ樹脂；１分子中に、１以上のグリシジルアミノ基、１以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びジシクロペンタジエニル構造を有するエポキシ樹脂；及び１分子中に、２以上のグリシジルオキシベンゼン構造を有するエポキシ樹脂；からなる群から選択される１以上である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］ （ｂ）成分が、１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びフッ素原子を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のビフェニル構造を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の縮合環を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のキシレン構造を有するエポキシ樹脂；及び１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びジシクロペンタジエニル構造を有するエポキシ樹脂；からなる群から選択される１以上である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］ （ａ）成分の数平均分子量が、１０００〜２００００である、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］ （ａ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３質量％〜４０質量％である、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］ （ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、２質量％〜３０質量％である、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］ （ｂ）成分のエポキシ等量が、２００以上である、［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］ さらに、（ｄ）フェノキシ樹脂を含む、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］ （ｄ）成分が、ビスフェノールＡＦ構造を含むフェノキシ樹脂である、［８］に記載の樹脂組成物。
［１０］ （ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％〜２０質量％である、［８］又は［９］に記載の樹脂組成物。
［１１］ さらに（ｅ）硬化剤を含む、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］ さらに、（ｇ）難燃剤を含む、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］ （ｇ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％〜２０質量％である、［１２］に記載の樹脂組成物。
［１４］ 支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１５］ 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、［１４］に記載の樹脂シート。
［１６］ ［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
［１７］ ［１６］に記載の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージ。
［１８］ ［１］〜［１３］のいずれかに記載の樹脂組成物、または［１４］又は［１５］に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。

本発明によれば、難燃性、導体層とのピール強度及びリフロー耐性に優れる絶縁層が得られる樹脂組成物；それを用いた樹脂シート、回路基板、半導体チップパッケージ、及び半導体装置を提供することができる。

図１は、本発明の回路基板の製造方法において、工程（３）が絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である場合の一例を示した概略断面図である。 図２は、本発明の回路基板の製造方法において、工程（３）が絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である場合の一例を示した概略断面図である。 図３は、本発明の半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）の一例を示した概略断面図である。

以下、本発明の樹脂組成物、樹脂シート、回路基板、半導体チップパッケージ、及び半導体装置について詳細に説明する。

［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（ａ）（ｉ）水素添加されていてもよいブタジエン構造単位、並びに（ｉｉ）ビフェニレン型フェノール構造単位及びナフトールアラルキル構造単位からなる群から選択される１種以上の構造単位を有する化合物、（ｂ）１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂、並びに（ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、（ｃ）無機充填材が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％以上である。

本発明者らは、鋭意研究の結果、芳香環を１以上有するエポキシ樹脂を含有させることにより、樹脂組成物を硬化させた絶縁層の耐熱性、難燃性が向上することを見出した。また、（ｂ）成分を樹脂組成物に含有させることで、（ａ）成分の樹脂組成物に対する相溶性が向上することを見出した。（ｂ）成分を含有させて（ａ）成分の相溶性を高め、さらに所定量の（ｃ）成分を含有させることで、樹脂組成物を硬化させた絶縁層と導体層との間の界面で（ａ）成分の分離等・析出が抑制されることからピール強度及びリフロー耐性が向上すると考えられる。

樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（ｄ）フェノキシ樹脂、（ｅ）硬化剤、（ｆ）硬化促進剤、および（ｇ）難燃剤を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。

＜（ａ）（ｉ）水素添加されていてもよいブタジエン構造単位、並びに（ｉｉ）ビフェニレン型フェノール構造単位及びナフトールアラルキル構造単位からなる群から選択される１種以上の構造単位を有する化合物＞
樹脂組成物は、（ａ）（ｉ）水素添加されていてもよいブタジエン構造単位、並びに（ｉｉ）ビフェニレン型フェノール構造単位及びナフトールアラルキル構造単位からなる群から選択される１種以上の構造単位を有する化合物を含む。（ａ）成分を含むことで、フィルム製膜性に優れるようになる。（ａ）成分は、（ｉ）構造単位と（ｉｉ）構造単位とを含む共重合体であり、（ｉ）構造単位と（ｉｉ）構造単位とを含むブロック共重合体、（ｉ）構造単位と（ｉｉ）構造単位とを含むランダム共重合体、（ｉ）構造単位と（ｉｉ）構造単位とを含むグラフト共重合体等であってもよく、（ａ）成分としては、（ｉ）構造単位の両末端に（ｉｉ）構造単位を有することが好ましい。

（ａ）成分の数平均分子量（Ｍｎ）は、他成分との相溶性と硬化物の物性を高める観点から、好ましくは１０００〜２００００、より好ましくは２０００〜１５０００、さらに好ましくは２５００〜１００００である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。

（ａ）成分としては、後述する（ｂ）成分と反応し得る官能基を有することが好ましい。なお、（ｂ）成分と反応し得る官能基としては、加熱によって現れる官能基も含めるものとする。

好適な一実施形態において、（ｂ）成分と反応し得る官能基は、カルボキシ基、酸無水物基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、酸無水物基、イソシアネート基が好ましい。

（ａ）成分に含まれる（ｉ）構成単位及び（ｉｉ）構成単位の含有比率（（ｉ）構成単位／（ｉｉ）構成単位）は、他成分との相溶性と硬化物の物性を高める観点から、好ましくは０．２〜１０、より好ましくは０．４〜８、さらに好ましくは０．８〜５である。

（ｉ）ブタジエン構造単位は、１，３−ブタジエン単量体に由来する構造単位であり、ブタジエン構造単位は一部または全てが水素添加されていてもよい。また、ブタジエン構造単位は置換基を有していてもよい。

ブタジエン構造単位としては、例えば、水素化ポリブタジエン骨格を含有する構造単位、ヒドロキシ基を含有するブタジエン構造単位、カルボキシ基を含有するブタジエン構造単位、酸無水物基を含有するブタジエン構造単位、エポキシ基を含有するブタジエン構造単位、イソシアネート基を含有するブタジエン構造単位、及びウレタン基を含有するブタジエン構造単位等が挙げられ、ヒドロキシ基を含有するブタジエン構造単位が好ましい。

（ｉｉ）成分は、ビフェニレン型フェノール構造単位及びナフトールアラルキル構造単位からなる群から選択される１種以上の構造単位である。（ｉｉ）成分としては、ビフェニレン型フェノール構造単位、又はナフトールアラルキル構造単位を単独で用いることが好ましい。

ビフェニレン型フェノール構造単位は、ビフェニレン基とフェノール類基とを有する構造単位であり、ビフェニレン基とフェノール類基とは直接結合していてもよく、メチレン基等の２価の連結基を介して結合していてもよい。フェノール類基とは、ヒドロキシベンゼン由来の２価の基であり、ヒドロキシベンゼンは、フェノール、カテコール、及びヒドロキノンを含む概念である。

ビフェニレン型フェノール構造単位の具体的な構造は、下記式（１）に表される構造単位である。

（式（１）中、ｍ１及びｎ２はそれぞれ独立に０又は１を表し、ｐ１は１又は２を表す。）

ｍ１及びｎ１はそれぞれ独立に０又は１を表し、それぞれ１を表すことが好ましい。ｐ１は１又は２を表し、１を表すことが好ましい。

ナフトールアラルキル構造単位は、ナフトール類基とアラルキレン基とを有する構造単位であり、ナフトール類基は、アラルキレン基のアルキレン部位と結合していてもよく、アラルキレン基のアリーレン部位と結合していてもよく、メチレン基等の２価の基を介して結合していてもよい。アラルキレン基としては、ベンジレン基などが挙げられる。ナフトール類基とは、ヒドロキシナフタレン由来の２価の基であり、ヒドロキシナフタレンは、ナフトール及びジヒドロキシナフタレンを含む概念である。

ナフトールアラルキル構造単位の具体的な構造は、下記式（２）に表される構造単位である。

（式（２）中、ｍ２及びｎ２はそれぞれ独立に０又は１を表し、ｐ２は１又は２を表す。）

ｍ２及びｎ２はそれぞれ独立に０又は１を表し、それぞれ１を表すことが好ましい。ｐ２は１又は２を表し、１を表すことが好ましい。式（２）中の「（ＯＨ）_ｐ２」はナフタレン縮合環のいずれの部位に結合していてもよい。

（ａ）成分は、（ｉ）構成単位及び（ｉｉ）構成単位以外のその他の構造単位を有していてもよい。その他の構造単位としては、特に制限されないが、（ｉ）構成単位及び（ｉｉ）構成単位と共重合可能な任意の単量体由来の構造単位であることが好ましい。このような単量体としては、例えば、ジアリルアミン、ジメチルアリルアミン、メトキシカルボニル化アリルアミン、メチルカルボニル化アリルアミン、尿素化アリルアミン、イソホロンジシアネート、４塩基酸無水物等が挙げられる。

（ａ）成分の合成方法は特に限定されず、公知の合成方法にて行うことができる。好適な一実施形態として、（ａ）成分は、（ｉ）構成単位の原料となるブタジエン樹脂とジイソシアネート化合物とを反応させた後に、残存するイソシアネート基と（ｉｉ）構成単位の原料とを反応させることで得られる。

（ｉ）構成単位の原料となるブタジエン樹脂としては、２５℃で液状またはガラス転移温度が２５℃以下のブタジエン樹脂が好ましく、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂（例えば水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂）、ヒドロキシ基含有ブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ブタジエン樹脂、酸無水物基含有ブタジエン樹脂、エポキシ基含有ブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ブタジエン樹脂及びウレタン基含有ブタジエン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましい。ブタジエン樹脂におけるブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ブタジエン構造は一部または全てが水素添加されていてもよい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。

ブタジエン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００〜１００，０００、より好ましくは５,０００〜５０，０００、より好ましくは７,５００〜３０，０００、さらに好ましくは１０，０００〜１５，０００である。である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。

ブタジエン樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１００〜１００００、より好ましくは２００〜５０００である。なお、官能基当量とは、１グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。水酸基当量はＪＩＳ Ｋ１５５７−１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。

ブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ ６５７」（エポキシ基含有ポリブタジエン）、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＪＰ−１００」、「ＪＰ−２００」（エポキシ化ポリブタジエン）、「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ダイセル社製の「ＰＢ３６００」、「ＰＢ４７００」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「エポフレンドＡ１００５」、「エポフレンドＡ１０１０」、「エポフレンドＡ１０２０」（スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化物）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「Ｒ−４５ＥＰＴ」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、等が挙げられる。

（ｉｉ）構成単位の原料となるビフェニレン型フェノール樹脂としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７８５１ＳＳ」、「ＭＥＨ−７８５１Ｍ」等のＭＥＨ−７８５１シリーズ、日本化薬社製のＫＡＹＡＨＡＲＤ ＧＰＨシリーズ等が挙げられる。

（ｉｉ）構成単位の原料となるナフトールアラルキル樹脂としては、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ−４７５」、「ＳＮ−４８５」、「ＳＮ−４９５Ｖ」等が挙げられる。

ビフェニレン型フェノール樹脂及びナフトールアラルキル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは３６０〜１００００、より好ましくは３８０〜５０００、さらに好ましくは４００〜３０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。

ビフェニレン型フェノール樹脂及びナフトールアラルキル樹脂の水酸基当量は、好ましくは１００〜１０００、より好ましくは２００〜５００である。水酸基当量はＪＩＳ Ｋ１５５７−１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。

樹脂組成物中の（ａ）成分の含有量は、リフロー耐性を向上させる観点から、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３５質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下、さらにより好ましくは２５質量％以下である。また、下限は、好ましくは３質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは１０質量％以上、さらにより好ましくは１５質量％以上である。

＜（ｂ）１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（ｂ）１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂を含む。芳香環とは、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む概念である。（ｂ）成分を樹脂組成物中に含有させることで（ａ）成分の相溶性が向上し、その結果、導体層のピール強度及びリフロー耐性に優れた樹脂組成物が得られる。

（ｂ）成分は、１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂、及び１分子中に、３以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂のいずれかであることが好ましい。中でも、製膜した樹脂シートの樹脂組成物層の表面タック性（タック性が軽いことが後述する積層する工程において好ましい。）、及び耐熱性を向上させる観点から、固体状のエポキシ樹脂であることが好ましい。

（ｂ）成分の具体例としては、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂等の１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びフッ素原子を含むエポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のビフェニル構造を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の縮合環を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のキシレン構造を有するエポキシ樹脂；１分子中に、１以上のグリシジルアミノ基、１以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びジシクロペンタジエニル構造を有するエポキシ樹脂；及び１分子中に、２以上のグリシジルオキシベンゼン構造を有するエポキシ樹脂；からなる群から選択される１以上であることが好ましく、１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びフッ素原子を含むエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のビフェニル構造を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の縮合環を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のキシレン構造を有するエポキシ樹脂；及び１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びジシクロペンタジエニル構造を有するエポキシ樹脂；からなる群から選択される１以上であることがより好ましく、１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びフッ素原子を含むエポキシ樹脂；及び１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のビフェニル構造を有するエポキシ樹脂；からなる群から選択される１以上であることがさらに好ましい。

（ｂ）成分の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」、「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０６」、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、新日鐵化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」、「ＨＰ−７２００Ｌ」、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＨＰ−７２００ＨＨＨ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ７７００」（キシレン構造含有エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（ｂ）成分の含有量は、リフロー耐性を向上させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは２質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。上限は本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。

（ｂ）成分のエポキシ当量は、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、さらに好ましくは４００以上である。上限は特に限定されないが、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下、さらに好ましくは１０００以下である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。

（ｂ）成分の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、（ｂ）成分の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量であり、後述する（ｄ）成分の重量平均分子量と同様の方法にて測定することができる。

本発明の樹脂組成物は、（ｂ）成分を含むことから（ａ）成分の樹脂組成物に対する相溶性が向上する。このため、本発明の樹脂組成物は、フィルム製膜性に優れるという特性を示す。フィルム製膜性の評価は、後述する＜フィルムの製膜性の評価＞に記載の方法に従って測定することができる。

＜（ｃ）無機充填材＞
樹脂組成物は（ｃ）無機充填材を含む。無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

無機充填材の平均粒径は、回路埋め込み性を向上させ、表面粗度の低い絶縁層を得る観点から、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下、さらに好ましくは２．２μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、アドマテックス社製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、電気化学工業社製「ＵＦＰ−３０」、トクヤマ社製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」、アドマテックス社製「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ６」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」等が挙げられる。

無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。

無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。

表面処理剤による表面処理の程度は、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ^２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ^２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ^２以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度やシート形態での溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ^２以下が好ましく、０.８ｍｇ／ｍ^２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ^２以下が更に好ましい。

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。

樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、リフロー耐性に優れ熱膨張率が低い絶縁層を得る観点から、３０質量％以上であり、好ましくは３５質量％以上、より好ましくは４０質量％以上である。上限は、絶縁層の機械強度、特に伸びの観点から、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８５質量％以下、よりさらに好ましくは８０質量％以下である。

＜（ｄ）フェノキシ樹脂＞
本発明の樹脂組成物は、（ｄ）フェノキシ樹脂を含み得る。

（ｄ）成分のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。（ｄ）成分のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、（ｄ）成分のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工社製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡＦ構造、ビスフェノールＡ構造、ビスフェノールＦ構造、ビスフェノールＳ構造、ビスフェノールアセトフェノン構造、ノボラック構造、ビフェニル構造、フルオレン構造、ジシクロペンタジエン構造、ノルボルネン構造、ナフタレン構造、アントラセン構造、アダマンタン構造、テルペン構造、及びトリメチルシクロヘキサン構造、ビキシレノール構造、及びビスフェノールフルオレン構造からなる群から選択される１種以上の構造を有するフェノキシ樹脂が挙げられ、ビスフェノールＡＦ構造、ビキシレノール構造、及びビスフェノールフルオレン構造からなる群から選択される１種以上の構造を有するフェノキシ樹脂であることが好ましく、ビスフェノールＡＦ構造を含むフェノキシ樹脂であることがより好ましい。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ構造含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン構造含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学社製の「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７８９１ＢＨ３０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。

樹脂組成物が（ｄ）成分を含有する場合、（ｄ）成分の含有量は、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％〜２０質量％、より好ましくは３質量％〜１８質量％、さらに好ましくは５質量％〜１５質量％である。

＜（ｅ）硬化剤＞
樹脂組成物は（ｅ）硬化剤を含み得る。硬化剤としては、（ｂ）成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（ｅ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選択される１種以上であることがより好ましい

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金社製の「ＳＮ−１７０」、「ＳＮ−１８０」、「ＳＮ−１９０」、「ＳＮ−４７５」、「ＳＮ−４８５」、「ＳＮ−４９５Ｖ」、「ＳＮ−３７５」、「ＳＮ−３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」等が挙げられる。

導体層との密着性に優れる絶縁層を得る観点から、活性エステル系硬化剤も好ましい。活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。

具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学社製）等が挙げられる。

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。

樹脂組成物が（ｅ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の硬化剤の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。また、下限は特に制限はないが１質量％以上が好ましい。

＜（ｆ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、（ｆ）硬化促進剤を含み得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。

樹脂組成物が（ｆ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．０１質量％〜３質量％が好ましく、０．０３質量％〜２質量％がより好ましく、０．０５質量％〜１質量％がさらに好ましい。

＜（ｇ）難燃剤＞
樹脂組成物は、（ｇ）難燃剤を含み得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。

難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」、大八化学工業社製の「ＰＸ−２００」等が挙げられる。

樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％〜２０質量％、より好ましくは１．５質量％〜１５質量％、さらに好ましくは２質量％〜１０質量％がさらに好ましい。

＜（ｈ）任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。

本発明の樹脂組成物は、プリント配線板及び半導体パッケージの製造に際して、難燃性、銅箔等とのピール強度及びリフロー耐性に優れる絶縁層をもたらすことができる。したがって本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物）、回路基板（プリント配線板を含む）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用樹脂組成物）として好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するための樹脂組成物（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物）としてさらに好適に使用することができる。
また、半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用樹脂組成物）、半導体チップに配線を形成するための樹脂組成物（半導体チップ配線形成用樹脂組成物）としても好適に使用することができる。

［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含んでなり、樹脂組成物層が本発明の樹脂組成物からなる。

樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。

支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製「ルミラーＴ６ＡＭ」等が挙げられる。

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。

樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。

樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。

本発明の樹脂シートの代わりに、シート状繊維基材に本発明の樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグを用いてもよい。

プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは９００μｍ以下であり、より好ましくは８００μｍ以下、さらに好ましくは７００μｍ以下、さらにより好ましくは６００μｍ以下である。特に本発明はめっきもぐり深さを小さく抑えることができるため、３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましい。シート状繊維基材の厚さの下限は特に限定されないが、通常、１μｍ以上、１．５μｍ以上、２μｍ以上等とし得る。

プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。

プリプレグの厚さは、上述の樹脂シートにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。

本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層（又は樹脂組成物）の最低溶融粘度は、樹脂組成物層が薄くとも厚みを安定して維持するという観点から、５００ｐｏｉｓｅ以上が好ましく、１０００ｐｏｉｓｅ以上がより好ましく、１５００ｐｏｉｓｅ以上がさらに好ましい。最低溶融粘度の上限は、良好な部品埋め込み性を得る観点から、好ましくは１００００ｐｏｉｓｅ以下、より好ましくは８０００ｐｏｉｓｅ以下、さらに好ましくは６５００ｐｏｉｓｅ以下、５０００ｐｏｉｓｅ以下、又は４０００ｐｏｉｓｅ以下である。

樹脂組成物層の最低溶融粘度とは、樹脂組成物層の樹脂が溶融した際に樹脂組成物層が呈する最低の粘度をいう。詳細には、一定の昇温速度で樹脂組成物層を加熱して樹脂を溶融させると、初期の段階は溶融粘度が温度上昇とともに低下し、その後、ある程度を超えると温度上昇とともに溶融粘度が上昇する。最低溶融粘度とは、斯かる極小点の溶融粘度をいう。樹脂組成物層の最低溶融粘度は、動的粘弾性法により測定することができ、例えば、後述する＜最低溶融粘度の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層（又は樹脂組成物）を用いて形成された絶縁層は、導体層とのピール強度（銅箔ピール強度）に優れるという特性を示す。ピール強度としては、好ましくは０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上である。一方、ピール強度の上限値は特に限定されないが、１．２ｋｇｆ／ｃｍ以下、１ｋｇｆ／ｃｍ以下等とし得る。銅箔ピール強度の評価は、後述する＜銅箔との密着強度（銅箔ピール強度）の測定及びリフロー耐性の評価＞に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層（又は樹脂組成物）を用いて形成された絶縁層は、リフロー耐性に優れるという特性を示す。本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層（又は樹脂組成物）を用いて形成された絶縁層を、ピーク温度２６０℃の半田リフロー温度を再現するリフロー装置に３回以上通しても、全く異常がないことが好ましい。リフロー耐性の評価は、後述する＜銅箔との密着強度（銅箔ピール強度）の測定及びリフロー耐性の評価＞に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層（又は樹脂組成物）を用いて形成された絶縁層は、難燃性に優れるという特性を示す。難燃性は、ＵＬ耐炎性試験規格（ＵＬ−９４）にて「Ｖ１」、「Ｖ０」又はそれより優れることが好ましい。難燃性の評価は、後述する＜難燃性の評価＞に記載の方法に従って測定することができる。

本発明の樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁用樹脂シート）に好適に使用することができる。
例えば、本発明の樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用）にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージが挙げられる。
また本発明の樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）、または半導体チップに配線を形成するため（半導体チップ配線形成用樹脂シート）に好適に使用することができ、例えばＦａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰ等に好適に使用することができる。また、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｕｎｄｅｒ Ｆｉｌｌｉｎｇ）材料等にも好適に使用することができる。
本発明の樹脂シートはまた、高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途、例えば、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。

［回路基板］
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、図１及び図２に一例を示すように、
（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程を含む。また、回路基板の製造方法は、（４）基材を除去する工程、を含んでいてもよい。

工程（３）は、配線層を層間接続することができれば特に限定されないが、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程であることが好ましい。

＜工程（１）＞
工程（１）は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。図１（Ａ）及び図２（Ａ）に一例を示すように、配線層付き基材１０は、基材１１の両面に基材１１の一部である第１金属層１２、第２金属層１３をそれぞれ有し、第２金属層１３の基材１１側の面とは反対側の面に配線層１４を有する。詳細は、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層し、フォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。なお、図１及び図２では、第１金属層１２、第２金属層１３を有する態様となっているが、第１金属層１２、第２金属層１３は有していなくてもよい。

基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられ、基板表面に銅箔等の金属層が形成されていてもよい。また、図１（Ａ）、図２（Ａ）に示すように、表面に剥離可能な第１金属層１２及び第２金属層１３（例えば、三井金属社製のキャリア銅箔付極薄銅箔、商品名「Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ」）等の金属層が形成されていてもよい。

ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムである限り特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等のドライフィルムを用いることができる。ドライフィルムは市販品を用いてもよい。

基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する工程（２）の樹脂シートを配線層に埋め込まれるように積層させる際の条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。

ドライフィルムを基材上に積層後、ドライフィルムに対して所望のパターンを形成するためにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行う。

配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、配線層の全体にわたって同一である必要はない。配線層の最小ピッチは、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。

ドライフィルムのパターンを形成後、配線層を形成し、ドライフィルムを剥離する。ここで、配線層の形成は、所望のパターンを形成したドライフィルムをめっきマスクとして使用し、めっき法により実施することができる。

配線層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。配線層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成されたものが挙げられる。中でも、配線層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。

配線層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０〜２０μｍ、又は１５μｍである。工程（３）において絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合は、層間接続する配線と、接続しない配線の厚みは異なっていることが好ましい。配線層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。各配線層のうち、最も厚みがある配線層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは１００μｍ以下２μｍ以上である。また層間接続する配線は凸型となっていてもよい。

配線層を形成後、ドライフィルムを剥離する。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去して、所望の配線パターンを形成することもできる。形成する配線層のピッチについては、先述のとおりである。

＜工程（２）＞
工程（２）は、本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。図１（Ｂ）に一例を示すように、前述の工程（１）で得られた配線層付き基材の配線層１４が、樹脂シート２０の樹脂組成物層２１に埋め込まれるように積層させ、樹脂シート２０の樹脂組成物層２１を熱硬化させ絶縁層（図１（Ｃ）又は図２（Ｂ）の符号２１’）を形成する。樹脂シート２０は、樹脂組成物層２１と、支持体２２との順で積層されてなる。

配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを配線層に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを配線層に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、配線層の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。

積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。

樹脂組成物層を、配線層が埋め込まれるように配線層付き基材上に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲とすることができる。樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。

樹脂シートの支持体は、配線層付き基材上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、図２（Ｂ）に一例を示すように、配線層付き基材上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。また、後述する粗化処理工程の前に、支持体を剥離してもよい。

＜工程（３）＞
工程（３）は、配線層を層間接続する工程である。詳細は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である（図１（Ｃ）、（Ｄ）参照）。または絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である（図２（Ｃ）参照）。

絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程を採用する場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。詳細は、図１（Ｃ）に一例を示すように、工程（３）は、支持体２２の面側からレーザー照射を行って、支持体２２、絶縁層２１’を貫通して配線層１４を露出させるビアホール３１を形成する。

レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。

ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。

ビアホール形成後、ビアホール内のスミア除去工程である、いわゆるデスミア工程を行なってもよい。後述する導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、例えば湿式のデスミア処理を行ってもよく、導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、例えばプラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。また、デスミア工程は粗化処理工程を兼ねていてもよい。

導体層を形成する前に、ビアホール及び絶縁層に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理は通常行われる公知の手順、条件を採用することができる。乾式の粗化処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。

ビアホールを形成後、図１（Ｄ）に一例を示すように、導体層４０を形成する。導体層を構成する導体材料は特に限定されず、導体層は、めっき、スパッタ、蒸着等従来公知の任意好適な方法により形成することができ、めっきにより形成することが好ましい。好適な一実施形態は、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法等の従来公知の技術により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。

詳細は、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層４１を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層４２を形成する。その際、電解めっき層４２の形成とともに、ビアホール３１を電解めっきにより埋め込んでフィルドビア６１を形成してもよい。電解めっき層４２を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層４０を形成することができる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。

導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。

また、導体層は、めっきシード層形成後、マスクパターンを用いずに電解めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことにより形成してもよい。

絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合、絶縁層の研磨方法又は研削方法としては、配線層を露出させることができ、研磨又は研削面が水平であれば特に限定されず、従来公知の研磨方法又は研削方法を適用することができ、例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法等が挙げられる。絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程と同様に、スミア除去工程、粗化処理を行う工程を行ってもよく、導体層を形成してもよい。また、図２（Ｃ）に一例を示すように、全ての配線層１４を露出させる必要はなく、配線層１４の一部を露出させてもよい。

＜工程（４）＞
回路基板の製造方法は、工程（１）〜（３）以外に工程（４）を含んでいてもよい。工程（４）は、図１（Ｅ）、図２（Ｄ）に一例を示すように基材を除去し、本発明の回路基板１を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で回路基板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。

［半導体チップパッケージ］
本発明の半導体チップパッケージの第１の態様は、上記本発明の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージである。上記本発明の回路基板に、半導体チップを接合することにより半導体チップパッケージを製造することができる。

半導体チップの端子電極が回路基板の回路配線と導体接続する限り、接合条件は特に限定されず、半導体チップのフリップチップ実装において使用される公知の条件を使用してよい。また、半導体チップと回路基板間に絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。

好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板に圧着する。圧着条件としては、例えば、圧着温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）とすることができる。

また、他の好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板にリフローして接合する。リフロー条件としては、例えば、１２０℃〜３００℃の範囲とすることができる。

半導体チップを回路基板に接合した後、例えば、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填することで半導体チップパッケージを得ることも可能である。モールドアンダーフィル材で充填する方法は公知の方法で実施することができる。本発明の樹脂組成物または樹脂シートはモールドアンダーフィル材としても使用することができる。

本発明の半導体チップパッケージの第２の態様は、例えば、図３に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）１００は、封止層１２０を、本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。半導体チップパッケージ１００は、半導体チップ１１０、半導体チップ１１０の周囲を覆うように形成された封止層１２０、半導体チップ１１０の封止層に覆われている側とは反対側の面に再配線形成層（絶縁層）１３０、導体層（再配線層）１４０、ソルダーレジスト層１５０、及びバンプ１６０を備える。このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程、及び
（Ｇ）導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程、を含む。また、半導体チップパッケージの製造方法は、（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含み得る。

＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムの積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。

基材に使用する材料は特に限定されない。基材としては、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板（例えばＦＲ−４基板）；ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）からなる基板などが挙げられる。

仮固定フィルムは、後述する工程（Ｄ）において半導体チップから剥離することができるとともに、半導体チップを仮固定することができれば材料は特に限定されない。仮固定フィルムは市販品を用いることができる。市販品としては、日東電工社製のリヴァアルファ等が挙げられる。

＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の公知の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて仮固定することができる。

＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程である。工程（Ｃ）では、本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層し、熱硬化させて封止層を形成することが好ましい。

半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを半導体チップに加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを半導体チップに加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、半導体チップの表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。

また、半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してもよい。真空ラミネート法における積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。

樹脂シートの支持体は、半導体チップ上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、半導体チップ上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。

樹脂組成物の塗布条件としては、本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層を形成する際の塗布条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。

＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離する方法は、仮固定フィルムの材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法、及び基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法等が挙げられる。

仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ^２〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２である。

＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程である。

再配線形成層（絶縁層）を形成する材料は、再配線形成層（絶縁層）形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。

再配線形成層（絶縁層）を形成後、半導体チップと後述する導体層を層間接続するために、再配線形成層（絶縁層）にビアホールを形成してもよい。

ビアホールを形成するにあたって、再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が感光性樹脂である場合、まず、再配線形成層（絶縁層）の表面にマスクパターンを通して活性エネルギー線を照射し、照射部の最配線層を光硬化させる。

活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量、照射時間は、感光性樹脂に応じて適宜変更することができる。露光方法としては、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させて露光する接触露光法と、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法のいずれを用いてもよい。

次に、再配線形成層（絶縁層）を現像し、未露光部を除去することで、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれも好適である。ウェット現像で用いる現像液は公知の現像液を用いることができる。

現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。

再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が熱硬化性樹脂である場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。レーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。

レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。

ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径（再配線形成層（絶縁層）表面の開口の直径）は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上である。

＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）は、再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程である。再配線形成層（絶縁層）上に導体層を形成する方法は、回路基板の製造方法における工程（３）の絶縁層にビアホールを形成した後の導体層を形成する方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。なお、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、導体層（再配線層）及び再配線形成層（絶縁層）を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。

＜工程（Ｇ）＞
工程（Ｇ）は、導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。

ソルダーレジスト層を形成する材料は、ソルダーレジスト層形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。

また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなど公知の方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は工程（Ｅ）と同様に行うことができる。

＜工程（Ｈ）＞
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。

半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。

本発明の半導体チップパッケージの第３の態様は、例えば、図３に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）における再配線形成層（絶縁層）１３０、ソルダーレジスト層１５０を本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。

［半導体装置］
本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。

＜銅箔との密着強度（銅箔ピール強度）の測定及びリフロー耐性の評価＞
（１）積層板の下地処理
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板の銅箔をエッチアウトした基板（パナソニック社製「Ｒ１５１５Ａ」、基板厚み０．２ｍｍ）を１９０℃の温度条件で、１９０℃のオーブンに投入後３０分間、加熱乾燥した。

（２）樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した樹脂シートから保護フィルムを剥離して露出した樹脂組成物層を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層が基板と接合するように、基板両面に積層した。積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１１０℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。

（３）銅箔のラミネート
樹脂シートの積層後、支持体である離型ＰＥＴフィルムを剥離し、超低粗度電解銅箔（三井金属鉱業社製「ＴＱ−Ｍ４−ＶＳＰ」、厚さ１２μｍ）のラミネート面を樹脂組成物層上に配置し、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、銅箔と樹脂組成物層が接合するように、基板両面に積層した。積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１１０℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、積層された樹脂組成物層を、大気圧下、１００℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間熱プレスして平滑化した。

（４）樹脂組成物層の熱硬化
超低粗度電解銅箔の積層後、１００℃の温度条件で、１００℃のオーブンに投入後３０分間、次いで１９０℃の温度条件で、１９０℃のオーブンに移し替えた後９０分間、熱硬化して絶縁層を形成し、基板を作製した。

（５）銅箔（導体層）との密着強度（銅箔ピール強度）の測定
上記（４）で作製した基板を１５０ｍｍ×３０ｍｍの小片に切断した。小片の銅箔部分に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、銅箔の一端を剥がしてつかみ具（ティー・エス・イー社製、オートコム型試験機 ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ）で掴み、インストロン万能試験機を用いて、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重を測定し、銅箔ピール強度とした。測定は３つの小片で行い、その平均値を示した。

（６）リフロー耐性の評価
上記（４）で作製した基板を１００ｍｍ×５０ｍｍの小片に切断した。その後、ピーク温度２６０℃の半田リフロー温度を再現するリフロー装置（日本アントム社製「ＨＡＳ−６１１６」）に３回通した（リフロー温度プロファイルはＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ−ＳＴＤ−０２０Ｃに準拠）。評価は３つの小片で行い、目視観察により銅箔の一部にでも剥離等異常があるものを×、全ての小片で全く異常のないもの○と評価した。

＜難燃性の評価＞
（１）積層板の下地処理
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板の銅箔をエッチアウトした基板（パナソニック社製「Ｒ１５１５Ａ」、基板厚み０．２ｍｍ）を１９０℃の温度条件で、１９０℃のオーブンに投入後３０分間、加熱乾燥した。

（２）樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した樹脂シートから保護フィルムを剥離して露出した樹脂組成物層を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）を用いて、樹脂組成物層が基板と接合するように、基板両面に積層した。積層は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１１０℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、積層された樹脂シートを、大気圧下、１００℃、圧力０．５ＭＰａにて６０秒間熱プレスして平滑化した。

（３）樹脂組成物層の熱硬化
樹脂シートの積層後、支持体である離型ＰＥＴフィルムを剥離し、１００℃の温度条件で、１００℃のオーブンに投入後３０分間、次いで１９０℃の温度条件で、１９０℃のオーブンに移し替えた後９０分間、熱硬化して絶縁層を形成し、基板を作製した。

（４）難燃性の評価
上記（３）で作製した基板を使用して、ＵＬ難燃性の試験用に１２．７ｍｍ×１２７ｍｍのサイズに切断し、端面をサンドペーパー（＃１２００その後、＃２８００）にて研磨し、基材厚み０．２ｍｍ、片側に絶縁層４０μｍが積層された燃焼性試験用テストピースを作製した。その後、ＵＬ耐炎性試験規格（ＵＬ−９４）に従って、Ｖ０、Ｖ１の評価を行った。なお、１０秒間接炎後の燃え残りサンプルがない場合は「×」と示した。

＜樹脂組成物層の最低溶融粘度の測定＞
実施例及び比較例で作製した樹脂シートの離型ＰＥＴフィルム（支持体）から樹脂組成物層のみを剥離し、金型で圧縮することにより測定用ペレット（直径１８ｍｍ、１．２〜１．３ｇ）を作製した。その後、動的粘弾性測定装置（ユー・ビー・エム社製「Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ３０００」）を用い、試料樹脂組成物層１ｇについて、直径１８ｍｍのパラレルプレートを使用して、開始温度６０℃から２００℃まで昇温速度５℃／分にて昇温し、測定温度間隔２．５℃、振動数１Ｈｚ、ひずみ１ｄｅｇの測定条件にて動的粘弾性率を測定し、最低溶融粘度（ｐｏｉｓｅ）を算出した。

＜フィルムの製膜性の評価＞
支持体として、アルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、「離型ＰＥＴ」）を用意した。その離型面上に、作製した樹脂ワニスを乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるように塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させた後、樹脂組成物層が均一に製膜できているかを目視にて観察し、樹脂組成物層が均一に製膜できているものを「○」、樹脂組成物層が均一に製膜できていないものを「×」とした。

＜合成例１＞
（ブタジエン構造及びビフェニレン型フェノール構造を有する樹脂の合成）
反応容器に２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（日本曹達社製Ｇ−３０００、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）７０ｇと、ジエチレングリコールジメチルエーテル（東京化成工業社製）４０ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、イソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製ＩＰＤＩ、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにビフェニレン型フェノール樹脂（明和化成社製ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、水酸基当量＝２０３ｇ／ｅｑ．）２２ｇと、ジエチレングリコールジメチルエーテル（東京化成工業社製）６０ｇを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ^−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びビフェニレン型フェノール構造を有する樹脂（以下、「樹脂１」ということがある）（不揮発分５０質量％）を得た。樹脂１の数平均分子量は５２００であった。

＜合成例２＞
（ブタジエン構造及びビフェニレン型フェノール構造を有する樹脂の合成）
反応容器に２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（日本曹達社製Ｇ−２０００、数平均分子量＝２０００、ヒドロキシ基当量＝１２００ｇ／ｅｑ．）５９ｇと、ジエチレングリコールジメチルエーテル（東京化成工業社製）４０ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、イソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製ＩＰＤＩ、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）１２ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにビフェニレン型フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１Ｍ、水酸基当量＝２１０ｇ／ｅｑ．）２９ｇと、ジエチレングリコールジメチルエーテル（東京化成工業社製）６０ｇを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ^−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びビフェニレン型フェノール構造を有する樹脂（以下、「樹脂２」ということがある）（不揮発分５０質量％）を得た。樹脂２の数平均分子量は４１００であった。

＜合成例３＞
（水添ブタジエン構造及びナフトールアラルキル構造を有する樹脂の合成）
反応容器に２官能性ヒドロキシ基末端水添ポリブタジエン（日本曹達社製、ＧＩ−１０００、数平均分子量＝１５００、ヒドロキシ基当量＝８３０ｇ／ｅｑ．）４７ｇと、ジエチレングリコールジメチルエーテル（東京化成工業社製）４０ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、イソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製ＩＰＤＩ、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）１５ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにナフトールアラルキル樹脂（新日鉄住金化学社製ＳＮ−４８５、水酸基当量＝２１５ｇ／ｅｑ．）３８ｇと、ジエチレングリコールジメチルエーテル（東京化成工業社製）６０ｇを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ^−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びナフトールアラルキル構造を有する樹脂（以下、「樹脂３」ということがある）（不揮発分５０質量％）を得た。樹脂３の数平均分子量は３１００であった。

＜合成例４＞
（ビキシレノール構造及びビスフェノールＡＦ構造を有するフェノキシ樹脂の合成）
反応容器に、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学社製ＹＸ４０００、エポキシ当量１８５）１９０ｇ、ビスフェノールＡＦ（東京化成工業社製、分子量３３６）１６８ｇ、シクロヘキサノン２００ｇを入れ、攪拌して溶解させた。次いで、テトラメチルアンモニウムクロライド溶液０．５ｇを滴下し、窒素雰囲気下、１８０℃５時間にて反応させた。反応終了後、濾布を用いて濾過して、溶剤により希釈することでフェノキシ樹脂（固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）を得た（以下、ビキシレノール構造及びビスフェノールフルオレン構造を有するフェノキシ樹脂を「樹脂Ａ」ということがある）。樹脂Ａのエポキシ当量は１１２００、重量平均分子量は３３０００であった。なお、樹脂Ａは、以下の構造単位を有していた。

＜実施例１＞
ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＬ７７６０」、エポキシ当量２３８）５部、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：ＭＥＫの１：１溶液）１０部、シクロヘキサノン１．５部、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）１．５部、を撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、樹脂１を１０部、硬化促進剤（四国化成工業社製「１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、及び難燃剤（三光社製「ＨＣＡ−ＨＱ−ＨＳＴ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１．５μｍ）２部、及びアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３８ｍｇ／ｍ^２）１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ社製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス１を作製した。

支持体として、アルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、「離型ＰＥＴ」）を用意した。その離型面上に、樹脂ワニス１を乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるように樹脂ワニス１を均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させた後、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム（王子エフテックス社製「アルファンＭＡ−４１１」、厚み１５μｍ）の粗面を樹脂組成物層と接合するように貼り合わせ、樹脂シート１を作製した。

＜実施例２＞
ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２７２）３部、シクロヘキサノン２．５部、ＭＥＫ２．５部、を撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、樹脂１を１５部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、及び、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ４」、平均粒径１μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３１ｍｇ／ｍ^２）３５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ社製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス２を作製した。

樹脂シート１の作製において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス２に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂シート２を作製した。

＜実施例３＞
ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＬ７７６０」、エポキシ当量２３８）４部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３１００」、エポキシ当量２５８）１部、樹脂Ａを１２部、シクロヘキサノン１部、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）１部、を撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、樹脂２を２０部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、及びアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３８ｍｇ／ｍ^２）１０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ社製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス３を作製した。

樹脂シート１の作製において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス３に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂シート３を作製した。

＜実施例４＞
ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＬ７７６０」、エポキシ当量２３８）２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量２７２）２部、樹脂Ａを１２部、シクロヘキサノン１．５部、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）１．５部、を撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、樹脂３を１０部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、及び難燃剤（三光社製「ＨＣＡ−ＨＱ−ＨＳＴ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１．５μｍ）１部、及びアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３８ｍｇ／ｍ^２）２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ社製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス４を作製した。

樹脂シート１の作製において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス４に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂シート４を作製した。

＜実施例５＞
キシレン構造含有エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７７００」、エポキシ当量２７０）３部、シクロヘキサノン２．５部、ＭＥＫ２．５部、を撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、樹脂１を１５部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、及び、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ４」、平均粒径１μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３１ｍｇ／ｍ^２）３５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ社製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス５を作製した。

樹脂シート１の作製において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス５に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂シート５を作製した。

＜実施例６＞
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ−７２００」、エポキシ当量２５８）４部、難燃剤（大八化学工業社製「ＰＸ−２００」）２部、シクロヘキサノン２．５部、ＭＥＫ２．５部、を撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、樹脂１を１５部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」、固形分６５質量％のＭＥＫ／トルエン溶液、活性エステル当量２２０）２部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、及び、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ４」、平均粒径１μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３１ｍｇ／ｍ^２）３５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ社製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス６を作製した。

樹脂シート１の作製において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス６に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂シート６を作製した。

＜実施例７＞
ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量１４２）３部、樹脂Ａを１２部、シクロヘキサノン１．５部、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）１．５部、を撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、樹脂３を１０部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、及び難燃剤（三光社製「ＨＣＡ−ＨＱ−ＨＳＴ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１．５μｍ）２部、及びアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３８ｍｇ／ｍ^２）２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ社製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス７を作製した。

樹脂シート１の作製において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス７に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂シート７を作製した。

＜比較例１＞
ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＬ７７６０」、エポキシ当量２３８）５部、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：ＭＥＫの１：１溶液）１０部、シクロヘキサノン１．５部、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）１．５部、を撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（日本曹達社製Ｇ−３０００、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）４部、ビフェニレン型フェノール樹脂（明和化成社製ＭＥＨ−７８５１Ｍ溶液（水酸基当量＝２１０ｇ／ｅｑ．）、不揮発分６０質量％のＭＥＫ溶液）２部、及び難燃剤（三光社製「ＨＣＡ−ＨＱ−ＨＳＴ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１．５μｍ）２部、及びアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３８ｍｇ／ｍ^２）１５部を混合し、高速回転ミキサーで分散し樹脂ワニス８を作製したが、分離物が見られ、濾過することができなかった。

樹脂シート１の作製のように、樹脂ワニス１を樹脂ワニス８に変えて樹脂シート８の作製を試みたが、均一な塗膜を形成する（フィルム製膜性）ことができず、樹脂シート８を作製することができなかった。このため、樹脂組成物層の最低溶融粘度、銅箔ピール強度、リフロー耐性、及び難燃性の評価を行うことができなかった。

＜比較例２＞
樹脂１を２０部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、及び、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ４」、平均粒径１μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３１ｍｇ／ｍ^２）３５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ社製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス９を作製した。

樹脂シート１の作製において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス９に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂シート９を作製した。

＜比較例３＞
ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＬ７７６０」、エポキシ当量２３８）３部、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：ＭＥＫの１：１溶液）１０部、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「１２５６Ｂ４０」、固形分４０質量％のＭＥＫ溶液）５部、シクロヘキサノン１部、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）１部、を撹拌しながら加熱溶解させた。加熱溶解させたものを室温まで冷却し、そこへ、樹脂１を２０部、硬化促進剤（四国化成工業社製、「１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）０．５部、及びアミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３８ｍｇ／ｍ^２）５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、カートリッジフィルター（ＲＯＫＩＴＥＣＨＮＯ社製「ＳＨＰ０５０」）で濾過して、樹脂ワニス１０を作製した。

樹脂シート１の作製において、樹脂ワニス１を樹脂ワニス１０に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして樹脂シート１０を作製した。

下記表中の略語等は以下のとおりである。
樹脂１：合成例１で合成した、ブタジエン構造とビフェニレン型フェノール構造とを有する樹脂
樹脂２：合成例２で合成した、ブタジエン構造とビフェニレン型フェノール構造とを有する樹脂
樹脂３：合成例３で合成した、水添ブタジエン構造とナフトールアラルキル構造とを有する樹脂
ＹＬ７７６０：ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂（三菱化学社製、エポキシ当量２３８）
ＮＣ３０００Ｌ：ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、エポキシ当量２７２）
ＮＣ３１００：ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、エポキシ当量２５８）
ＹＸ７７００：キシレン構造含有エポキシ樹脂（三菱化学社製、エポキシ当量２７０）
ＨＰ−７２００：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、エポキシ当量２５８）
ＨＰ４０３２ＳＳ：ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、エポキシ当量１４２）
ＳＯ−Ｃ２：アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３８ｍｇ／ｍ^２）
ＳＯ−Ｃ４：アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球状シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ−Ｃ４」、平均粒径１μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３１ｍｇ／ｍ^２）
ＹＸ７５５３ＢＨ３０：フェノキシ樹脂（三菱化学社製、固形分３０質量％のシクロヘキサノン：ＭＥＫの１：１溶液）
１２５６Ｂ４０：フェノキシ樹脂（三菱化学社製、固形分４０質量％のＭＥＫ溶液）
樹脂Ａ：合成例４で合成した、ビキシレノール構造及びビスフェノールフルオレン構造を有するフェノキシ樹脂
１Ｂ２ＰＺ−１０Ｍ：硬化促進剤（四国化成工業社製、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、固形分１０質量％のＭＥＫ溶液）
ＨＣＡ−ＨＱ−ＨＳＴ：難燃剤（三光社製、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１．５μｍ）
ＰＸ−２００：難燃剤（大八化学工業社製）
Ｇ−３０００：２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（日本曹達社製、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）
ＭＥＨ−７８５１Ｍ：ビフェニレン型フェノール樹脂（明和化成社製、水酸基当量＝２１０ｇ／ｅｑ．）
（ａ）成分の含有量：樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合の（ａ）成分の含有量（質量％）を表す。
（ｂ）成分の含有量：樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合の（ｂ）成分の含有量（質量％）を表す。
（ｃ）成分の含有量：樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合の（ｃ）成分の含有量（質量％）を表す。

１ 回路基板
１０ 配線層付き基材
１１ 基材（コア基板）
１２ 第１金属層
１３ 第２金属層
１４ 配線層（埋め込み型配線層）
２０ 樹脂シート
２１ 樹脂組成物層
２１’ 絶縁層
２２ 支持体
３１ ビアホール
４０ 導体層
４１ めっきシード層
４２ 電解めっき層
６１ フィルドビア
１００ 半導体チップパッケージ
１１０ 半導体チップ
１２０ 封止層
１３０ 再配線形成層（絶縁層）
１４０ 導体層（再配線層）
１５０ ソルダーレジスト層
１６０ バンプ

Claims (18)

1. （ａ）（ｉ）水素添加されていてもよいブタジエン構造単位、並びに（ｉｉ）ビフェニレン型フェノール構造単位及びナフトールアラルキル構造単位からなる群から選択される１種以上の構造単位を有する化合物、
   （ｂ）１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂、並びに
   （ｃ）無機充填材を含む樹脂組成物であって、
   （ｃ）無機充填材が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％以上である、樹脂組成物。
2. （ｂ）成分が、１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びフッ素原子を有するエポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のビフェニル構造を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の縮合環を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のキシレン構造を有するエポキシ樹脂；１分子中に、１以上のグリシジルアミノ基、１以上のエポキシ基及び１以上の芳香環を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びジシクロペンタジエニル構造を有するエポキシ樹脂；及び１分子中に、２以上のグリシジルオキシベンゼン構造を有するエポキシ樹脂；からなる群から選択される１以上である、請求項１に記載の樹脂組成物。
3. （ｂ）成分が、１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びフッ素原子を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のビフェニル構造を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上の縮合環を有するエポキシ樹脂；１分子中に、２以上のエポキシ基及び１以上のキシレン構造を有するエポキシ樹脂；及び１分子中に、２以上のエポキシ基、１以上の芳香環及びジシクロペンタジエニル構造を有するエポキシ樹脂；からなる群から選択される１以上である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
4. （ａ）成分の数平均分子量が、１０００〜２００００である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
5. （ａ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３質量％〜４０質量％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
6. （ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、２質量％〜３０質量％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
7. （ｂ）成分のエポキシ等量が、２００以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
8. さらに、（ｄ）フェノキシ樹脂を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
9. （ｄ）成分が、ビスフェノールＡＦ構造を含むフェノキシ樹脂である、請求項８に記載の樹脂組成物。
10. （ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％〜２０質量％である、請求項８又は９に記載の樹脂組成物。
11. さらに（ｅ）硬化剤を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
12. さらに、（ｇ）難燃剤を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
13. （ｇ）成分の含有量が、樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％〜２０質量％である、請求項１２に記載の樹脂組成物。
14. 支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
15. 半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、請求項１４に記載の樹脂シート。
16. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
17. 請求項１６に記載の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージ。
18. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の樹脂組成物、または請求項１４又は１５に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。

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