TWI725199B - 樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

提供一種可製得具有優良的難燃性、與導體 層之剝離強度及耐回焊性之絕緣層的樹脂組成物；使用其之樹脂薄片、線路基板、半導體晶片封裝(Semiconductor chip package)，及半導體裝置。

一種樹脂組成物，其為含有(a)具有 (i)可氫化之丁二烯結構單位以及(ii)由聯伸苯基型酚結構單位及萘酚芳烷基結構單位所成之群所選出之1種以上的結構單位之化合物、(b)1分子中，具有2個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂，及(c)無機填充材料之樹脂組成物，其中，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(c)無機填充材料為30質量%以上。

Description

樹脂組成物
本發明為有關樹脂組成物之發明。及有關使用樹脂組成物之樹脂薄片、線路基板、半導體晶片封裝，及半導體裝置之發明。
近年來，由於智慧型手機、平板電腦裝置等小型的高機能電子機器之需求日漸增加，伴隨於此，對於該些小型電子機器所使用的絕緣材料(絕緣層)則有更高機能化之需求。
該些絕緣層，已知為使樹脂組成物硬化而形成者(例如專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕特開2015-82535號公報
近年來，電氣電子業界中，多尋求一種即使 不含溴及氯時，也具有優良難燃性之材料，也尋求一種上述電子機器所使用的即使不含溴及氯時，也具有優良難燃性的絕緣層。又，也尋求一種具有優良剝離強度，及耐回焊性的絕緣層。
本發明為解決上述問題所提出者，而提供一種可製得具有優良的難燃性、對銅箔等導體層剝離強度及耐回焊性之絕緣層的樹脂組成物；使用其之樹脂薄片、線路基板及半導體晶片封裝，及半導體裝置。
本發明者發現，一種含有(a)具有(i)可氫化之丁二烯結構單位以及(ii)由聯伸苯基型酚結構單位及萘酚芳烷基結構單位所成之群所選出之1種以上的結構單位之化合物、(b)1分子中，具有2個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂，及(c)無機填充材料之樹脂組成物，且相對於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(c)成份含量為30質量%以上之樹脂組成物，即可製得一具有優良的難燃性、與導體層之剝離強度及耐回焊性之絕緣層，因而完成本發明。
即，本發明包含以下之內容。
〔1〕一種含有(a)具有(i)可氫化之丁二烯結構單位以及(ii)由聯伸苯基型酚結構單位及萘酚芳烷基結構單位所成之群所選出之1種以上的結構單位之化合物、 (b)1分子中，具有2個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂，及(c)無機填充材料之樹脂組成物，其中，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(c)無機填充材料為30質量%以上者。
〔2〕如〔1〕記載之樹脂組成物，其中，(b)成份為由：1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及氟原子之環氧樹脂；雙酚A型環氧樹脂；雙酚F型環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的聯苯結構之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的縮合環之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的二甲苯結構之環氧樹脂；1分子中具有1個以上的縮水甘油胺基、1個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及二環戊二烯基結構之環氧樹脂；及1分子中具有2個以上的氧化縮水甘油苯結構之環氧樹脂；所成之群所選出之1個以上。
〔3〕如〔1〕或〔2〕記載之樹脂組成物，其中，(b)成份為由：1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及氟原子之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的聯苯結構之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的縮合環之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的二甲苯結構之環氧樹脂； 及1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及二環戊二烯基結構之環氧樹脂；所成之群所選出之1個以上。
〔4〕如〔1〕~〔3〕中任一項所記載的樹脂組成物，(a)成份之數平均分子量為1000~20000。
〔5〕如〔1〕~〔4〕中任一項所記載的樹脂組成物，其於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(a)成份含量為3質量%~40質量%。
〔6〕如〔1〕~〔5〕中任一項所記載的樹脂組成物，其於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(b)成份含量為2質量%~30質量%。
〔7〕如〔1〕~〔6〕中任一項所記載的樹脂組成物，其中，(b)成份之環氧當量為200以上。
〔8〕如〔1〕~〔7〕中任一項所記載的樹脂組成物，其尚含有(d)苯氧基樹脂。
〔9〕如〔8〕所記載的樹脂組成物，其中，(d)成份為含有雙酚AF結構之苯氧基樹脂。
〔10〕如〔8〕或〔9〕所記載的樹脂組成物於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(d)成份含量為1質量%~20質量%。
〔11〕如〔1〕~〔10〕中任一項所記載的樹脂組成物，其尚含有(e)硬化劑。
〔12〕如〔1〕~〔11〕中任一項所記載的樹脂組成物，其尚含有(g)難燃劑。
〔13〕如〔12〕所記載的樹脂組成物，其於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(g)成份含量為1質量%~20質量%。
〔14〕一種樹脂薄片，其特徵為，具有：支撐體，與設置於該支撐體上的含有〔1〕~〔13〕中任一項所記載的樹脂組成物之樹脂組成物層。
〔15〕如〔14〕所記載的樹脂薄片，其為半導體晶片封裝之絕緣層用樹脂薄片。
〔16〕一種線路基板，其特徵為，含有由〔1〕~〔13〕中任一項所記載的樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。
〔17〕一種半導體晶片封裝，其特徵為，於〔16〕所記載的線路基板上，搭載半導體晶片者。
〔18〕一種半導體晶片封裝，其特徵為，含有由〔1〕~〔13〕中任一項所記載的樹脂組成物，或〔14〕或〔15〕所記載的樹脂薄片所密封的半導體晶片。
依本發明之內容，可提供一種可製得具有優良的難燃性、與導體層之剝離強度及耐回焊性之絕緣層的樹脂組成物；使用其之樹脂薄片、線路基板、半導體晶片封裝，及半導體裝置。
1‧‧‧線路基板
10‧‧‧附有配線層之基材
11‧‧‧基材(芯基板)
12‧‧‧第1金屬層
13‧‧‧第2金屬層
14‧‧‧配線層(埋入型配線層)
20‧‧‧樹脂薄片
21‧‧‧樹脂組成物層
21’‧‧‧絕緣層
22‧‧‧支撐體
31‧‧‧通孔
40‧‧‧導體層
41‧‧‧蝕刻薄片層
42‧‧‧電解蝕刻層
61‧‧‧埋孔(Filled via)
100‧‧‧半導體晶片封裝
110‧‧‧半導體晶片
120‧‧‧密封層
130‧‧‧再配線形成層(絕緣層)
140‧‧‧導體層(再配線層)
150‧‧‧抗蝕光阻層
160‧‧‧凸點
〔圖1〕圖1為，本發明之線路基板的製造方法中，步驟(3)為於絕緣層上形成通孔(via hole)、形成導體層而使配線層形成層間連接的步驟時之例示的概略斷面圖。
〔圖2〕圖2為，本發明之線路基板的製造方法中，步驟(3)為研磨或研削絕緣層、使配線層露出而使配線層形成層間連接的步驟時之例示的概略斷面圖。
〔圖3〕圖3為，本發明之半導體晶片封裝(Fan-out 型WLP)之例示的概略斷面圖。
〔實施發明之形態〕
以下，本發明之樹脂組成物、樹脂薄片、線路基板、半導體晶片封裝，及半導體裝置作詳細說明。
〔樹脂組成物〕
本發明之樹脂組成物為，一種樹脂組成物，其為含有(a)具有(i)可氫化之丁二烯結構單位以及(ii)由聯伸苯基型酚結構單位及萘酚芳烷基結構單位所成之群所選出之1種以上的結構單位之化合物、(b)1分子中，具有2個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂，及(c)無機填充材料之樹脂組成物，其中，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(c)無機填充材料為30質量%以上。
本發明們，經過深入研究結果，發現含有1個以上芳香環的環氧樹脂時，可提高樹脂組成物硬化後的絕緣層之耐熱性、難燃性。又，含有(b)成份之樹脂組成物，可提高(a)成份對樹脂組成物之相溶性。推測經含有(b)成份而提高(a)成份之相溶性，再含有特定量的(c)成份時，可以抑制樹脂組成物硬化後的絕緣層與導體層間之界面所產生的(a)成份之分離‧析出等，而可提高剝離強度及耐回焊性。
樹脂組成物，必要時，可再含有(d)苯氧基樹脂、(e)硬化劑、(f)硬化促進劑，及(g)難燃劑。以下，將對樹脂組成物所含的各成份作詳細的說明。
<(a)具有(i)可氫化之丁二烯結構單位以及(ii)由聯伸苯基型酚結構單位及萘酚芳烷基結構單位所成之群所選出之1種以上的結構單位之化合物>
樹脂組成物含有：(a)具有(i)可氫化之丁二烯結構單位以及(ii)由聯伸苯基型酚結構單位及萘酚芳烷基結構單位所成之群所選出之1種以上的結構單位之化合物。含有(a)成份時，可使薄膜製膜性更為優良。(a)成份可為含有(i)結構單位與(ii)結構單位之共聚物、含有(i)結構單位與(ii)結構單位之嵌段共聚物、含有(i)結構單位與(ii)結構單位之無規共聚物、含有(i)結構單位與(ii)結構單位之接枝共聚物等，(a)成份，又以(i)結構單位的兩末端具有(ii)結構單位者 為佳。該結構單位係指，由化合物去除1個或2個氫原子而得之結構之意。
(a)成份之數平均分子量(Mn)，就提高與其他成份之相溶性及提高硬化物之物性等觀點，較佳為1000~20000，更佳為2000~15000，更較佳為2500~10000。數平均分子量(Mn)為使用GPC(凝膠滲透色層分析儀)所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子量。
(a)成份，以具有可與後述(b)成份進行反應之官能基為佳。又，可與(b)成份進行反應之官能基，亦包含經由加熱而進行反應之官能基。
較佳之一實施形態中，可與(b)成份進行反應之官能基，為由羧基、酸酐基、異氰酸酯基及胺基甲酸酯基所成之群所選出之1種以上的官能基。其中，該官能基以酸酐基、異氰酸酯基為佳。
(a)成份所含(i)結構單位及(ii)結構單位之含有比例((i)結構單位/(ii)結構單位)，就提高與其他成份之相溶性及提高硬化物之物性等觀點，較佳為0.2~10，更佳為0.4~8，更較佳為0.8~5。
(i)丁二烯結構單位為，由1,3-丁二烯單體所衍生之結構單位，該丁二烯結構單位可部份或全部被氫化。又，丁二烯結構單位亦可具有取代基。
丁二烯結構單位，例如，含有氫化聚丁二烯骨架之結構單位、含有羥基之丁二烯結構單位、含有羧基之丁二烯結構單位、含有酸酐基之丁二烯結構單位、含有 環氧基之丁二烯結構單位、含有異氰酸酯基之丁二烯結構單位，及含有胺基甲酸酯基之丁二烯結構單位等，又以含有羥基之丁二烯結構單位為佳。
(ii)成份，為由聯伸苯基型酚結構單位及萘酚芳烷基結構單位所成之群所選出之1種以上的結構單位。(ii)成份，又以單獨使用聯伸苯基型酚結構單位，或萘酚芳烷基結構單位為佳。
聯伸苯基型酚結構單位，為具有聯伸苯基與酚類基之結構單位，其可為聯伸苯基與酚類基直接結合者亦可、介由伸甲基等2價連結基予以結合者亦可。酚類基為，由羥基苯衍生之2價之基，羥基苯為包含酚、兒茶酚，及氫醌之概念。
聯伸苯基型酚結構單位之具體構造，為下述式(1)所表示之結構單位。
Figure 106120390-A0202-12-0009-1
 (式(1)中，m1及n2各自獨立表示0或1，p1表示1或2)。
m1及n1各自獨立表示0或1，又以各別表示1為佳。p1表示1或2，又以表示1為佳。
萘酚芳烷基結構單位，為具有萘酚類基與伸芳烷基之結構單位，萘酚類基，可與伸芳烷基之伸烷基部 位結合亦可、與伸芳烷基之伸芳基部位結合亦可、介由伸甲基等2價之基結合亦可。伸芳烷基，可列舉如，伸苄基等。萘酚類基為，由羥基萘所產生之2價之基，羥基萘為包含萘酚及二羥基萘之概念。
萘酚芳烷基結構單位之具體構造，例如，下述式(2)所表示之結構單位。
Figure 106120390-A0202-12-0010-2
 (式(2)中，m2及n2各自獨立表示0或1，p2表示1或2)。
m2及n2各自獨立表示0或1，以各自表示1為佳。p2表示1或2，以表示1為佳。式(2)中之「(OH)p2」可鍵結於萘縮合環中之任一部位。
(a)成份，可具有(i)結構單位及(ii)結構單位以外的其他結構單位。其他結構單位，並未有特別之限制，一般以可與(i)結構單位及(ii)結構單位共聚之任意單體所衍生之結構單位為佳。該些單體，可列舉如，例如，二烯丙基胺、二甲基烯丙基胺、甲氧基羰化烯丙基胺、甲基羰化烯丙基胺、尿素化烯丙基胺、異佛爾酮二氰酸酯、4氯酸酐等。
(a)成份之合成方法並未有特別之限定，其 可依公知的合成方法進行。較佳的一實施形態中，(a)成份為由作為(i)結構單位之原料的丁二烯樹脂與二異氰酸酯化合物進行反應之後，剩餘的異氰酸酯基與(ii)結構單位之原料進行反應而可製得。
作為(i)結構單位之原料的丁二烯樹脂，以於25℃下為液狀或玻璃轉移溫度為25℃以下之丁二烯樹脂為佳，以由含有氫化聚丁二烯骨架之樹脂(例如含有氫化聚丁二烯骨架之環氧樹脂)、含有羥基之丁二烯樹脂、含有羧基之丁二烯樹脂、含有酸酐基之丁二烯樹脂、含有環氧基之丁二烯樹脂、含有異氰酸酯基之丁二烯樹脂及含有胺基甲酸酯基之丁二烯樹脂所成之群所選出之1種以上的樹脂為較佳。丁二烯樹脂中之丁二烯構造可包含於主鏈終獲包含於側鏈中皆可。丁二烯構造可部份或全部被氫化。其中，「含有氫化聚丁二烯骨架之樹脂」係指，聚丁二烯骨架中至少一部份被氫化之樹脂之意，並無須全部聚丁二烯骨架被氫化之樹脂。
丁二烯樹脂之數平均分子量(Mn)，較佳為1,000~100,000，更佳為5,000~50,000、特佳為7,500~30,000、最佳為10,000~15,000。其中，樹脂之數平均分子量(Mn)，為使用GPC(凝膠滲透色層分析儀)所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子量。
丁二烯樹脂具有官能基時，官能基當量較佳為100~10000，更佳為200~5000。又，官能基當量係指，含有1克當量的官能基之樹脂的克數。例如，環氧基 當量，可依JIS K7236而測定。羥基當量可依JIS K1557-1所測定之羥基價除以KOH之分子量而可算出。
丁二烯樹脂之具體例，可列舉如，Cray Valley公司製之「Ricon 657」(含環氧基之聚丁二烯)、「Ricon 130MA8」、「Ricon 130MA13」、「Ricon 130MA20」、「Ricon 131MA5」、「Ricon 131MA10」、「Ricon 131MA17」、「Ricon 131MA20」、「Ricon 184MA6」(含酸酐基之聚丁二烯)、日本曹達公司製之「JP-100」、「JP-200」(環氧化聚丁二烯)、「GQ-1000」(導入羥基、羧基之聚丁二烯)、「G-1000」、「G-2000」、「G-3000」(兩末端羥基聚丁二烯)、「GI-1000」、「GI-2000」、「GI-3000」(兩末端羥基氫化聚丁二烯)、Daicel公司製之「PB3600」、「PB4700」(聚丁二烯骨架環氧樹脂)、「EpoFriend A1005」、「EpoFriend A1010」、「EpoFriend A1020」(苯乙烯與丁二烯與苯乙烯嵌段共聚物之環氧化物)、長瀨化學科技公司製之「FCA-061L」(氫化聚丁二烯骨架環氧樹脂)、「R-45EPT」(聚丁二烯骨架環氧樹脂)，等。
作為(ii)結構單位之原料的聯伸苯基型酚樹脂，可列舉如，明和化成公司製之「MEH-7851SS」、「MEH-7851M」等之MEH-7851系列、日本化藥公司製之KAYAHARD GPH系列等。
作為(ii)結構單位之原料的萘酚芳烷基樹 脂，可列舉如，新日鐵住金化學公司製之「SN-475」、「SN-485」、「SN-495V」等。
聯伸苯基型酚樹脂及萘酚芳烷基樹脂之數平均分子量(Mn)，較佳為360~10000，更佳為380~5000，更較佳為400~3000。其中，樹脂之數平均分子量(Mn)為使用GPC(凝膠滲透色層分析儀)所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子量。
聯伸苯基型酚樹脂及萘酚芳烷基樹脂之羥基當量，較佳為100~1000，更佳為200~500。羥基當量可依JIS K1557-1所測定之羥基價除以KOH之分子量而算出。
樹脂組成物中的(a)成份之含量，就提高耐回焊性之觀點，於於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，較佳為40質量%以下，更佳為35質量%以下，更較佳為30質量%以下、最佳為25質量%以下。又，下限較佳為3質量%以上，更佳為5質量%以上，更較佳為10質量%以上、最佳為15質量%以上。
<(b)1分子中，具有2個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂>
樹脂組成物含有(b)1分子中，具有2個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂。芳香環為包含多環芳香族及芳香族雜環之概念。樹脂組成物中含有(b)成份時，可提高與(a)成份之相溶性，其結果即可製得導體層具有優良剝離強度及耐回焊性之樹脂組成物。
(b)成份可為1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的芳香環，且溫度20℃時為液狀之環氧樹脂，及1分子中具有3個以上的環氧基及1個以上的芳香環，且溫度20℃時為固體狀之環氧樹脂中之任一者為佳。其中，就製膜後樹脂薄片之樹脂組成物層的表面摺痕性(摺痕性較輕微時，於後述層合步驟中為較佳)，及就提高耐熱性之觀點，以固體狀之環氧樹脂為佳。
(b)成份之具體例，可列舉如，雙酚AF型環氧樹脂等的1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及氟原子之環氧樹脂；雙酚F型環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的聯苯構造之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的縮合環之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的二甲苯構造之環氧樹脂；1分子中具有1個以上的縮水甘油胺基、1個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及二環戊二烯基構造之環氧樹脂；及1分子中具有2個以上的氧化縮水甘油苯構造之環氧樹脂；所成之群所選出之1個以上者為佳；以1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及氟原子之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的聯苯構造之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的縮合環之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的二甲苯構造之環氧樹脂；及1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及二環戊二烯基構 造之環氧樹脂；所成之群所選出之1個以上者為較佳；以1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及氟原子之環氧樹脂；及1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的聯苯構造之環氧樹脂；所成之群所選出之1個以上者為更佳。
(b)成份之具體例，可列舉如，DIC公司製之「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」、「HP4032H」(萘型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「828US」、「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER806」、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、「630」、「630LSD」(縮水甘油胺型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製之「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、長瀨化學科技公司製之「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、Daicel公司製之「Celloxide 2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製之「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-縮水甘油環己烷)、「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」(甲酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、「HP-7200」、「HP-7200L」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「HP-7200HHH」(二環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(伸萘醚型環氧 樹脂)、日本化藥公司製之「EPPN-502H」(三酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製之「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(聯二甲酚型環氧樹脂)、「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、大阪氣體化學公司製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學公司製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)、「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)、「157S70」(雙酚-酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「YX4000HK」(聯二甲酚型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、大阪氣體化學公司製之「PG-100」、「CG-500」、三菱化學公司製之「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「jER1031S」(四苯基乙烷型環氧樹脂)、三菱化學公司製之「YX7700」(二甲苯構造含有環氧樹脂)等。該些可單獨使用1種亦可，將2種以上組合使用亦可。
(b)成份之含量，就提高耐回焊性之觀點，於樹脂組成物中之不揮發成份設定為100質量%時，較佳為2質量%以上，更佳為3質量%以上，更較佳為5質量%以 上。只要可達到本發明之效果時，其上限並未有特別之限定，較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下，更較佳為20質量%以下。
(b)成份之環氧當量，較佳為200以上，更佳為300以上，更較佳為400以上。上限並未有特別之限定，較佳為3000以下，更佳為2000以下，更較佳為1000以下。於該範圍內時，可使硬化物之交聯密度極佳，且可製得表面粗度更小的絕緣層。又，環氧當量可依JIS K7236而測定，其為含有1當量之環氧基時該樹脂之質量。
(b)成份之重量平均分子量，較佳為100~5000，更佳為250~3000，更較佳為400~1500。其中，(b)成份之重量平均分子量，為依凝膠滲透色層分析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量，其可依與後述(d)成份之重量平均分子量為相同之方法進行測定。
本發明之樹脂組成物，因含有(b)成份，故可提高(a)成份對樹脂組成物之相溶性。因此，本發明之樹脂組成物可顯示出優良的薄膜製膜性之特性。薄膜製膜性之評估，可依後述<薄膜製膜性之評估>所記載的方法而測定。
<(c)無機填充材料>
樹脂組成物含有(c)無機填充材料。無機填充材料之材料並未有特別之限定，例如，二氧化矽、氧化鋁、玻 璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、水鋁石、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯，及磷酸鎢酸鋯等。該些之中，又以二氧化矽為特佳。又，二氧化矽又以球形二氧化矽為佳。無機填充材料可單獨使用1種，或將2種以上組合使用皆可。
無機填充材料之平均粒徑，就可製得高線路埋入性、低表面粗度之絕緣層的觀點，較佳為5μm以下，更佳為2.5μm以下，更較佳為2.2μm以下，更佳為2μm以下。該平均粒徑之下限，並未有特別之限定，較佳為0.01μm以上，更佳為0.05μm以上，更較佳為0.1μm以上。具有該些平均粒徑之無機填充材料的市售品，例如，Admatechs公司製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」、電氣化學工業公司製「UFP-30」、德山公司製「Silfile NSS-3N」、「Silfile NSS-4N」、「Silfile NSS-5N」、Admatechs公司製「SC2500SQ」、「SO-C6」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」等。
無機填充材料之平均粒徑，可使用基於米氏(Mie)散射理論為基礎之雷射繞射‧散射法而測定。具體而言為，使用雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置，將無機填充材料依體積基準作成粒度分佈，以該中位數之直徑 作為平均粒徑而測定。測定樣品，以使用超音波將無機填充材料分散於水中者為較佳。雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置，可使用堀場製作所公司製「LA-500」等。
無機填充材料，就提高耐濕性及分散性之觀點，以使用由胺基矽烷系耦合劑、環氧矽烷系耦合劑、氫硫基矽烷系耦合劑、矽烷系耦合劑、烷氧基矽烷化合物、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系耦合劑等選出的1種以上之表面處理劑進行處理者為佳。表面處理劑之市售品，例如，信越化學工業公司製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM803」(3-氫硫基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷耦合劑)等。
使用表面處理劑進行表面處理之程度，可以每一無機填充材料的單位表面積的碳量作為評估標準。每一無機填充材料的單位表面積的碳量，就提高無機填充材料之分散性的觀點，以0.02mg/m2以上為佳、以0.1mg/m2以上為較佳、以0.2mg/m2以上為更佳。又，就防止樹脂塗料之熔融黏度或薄片形態下的熔融黏度上昇之觀點，以1mg/m2以下為佳、以0.8mg/m2以下為較佳、以0.5mg /m2以下為更佳。
每一無機填充材料的單位表面積之碳量，為將表面處理後的無機填充材料經使用溶劑(例如，甲基乙基酮(MEK))進行洗淨處理後予以測定。具體而言，為使用作為溶劑的充份量之MEK作為表面處理劑進行表面處理後的無機填充材料，再使用25℃、5分鐘超音波洗淨。去除上澄液、將固形成份乾燥之後，使用碳分析儀測定每一無機填充材料的單位表面積之碳量。碳分析儀可使用堀場製作所公司製「EMIA-320V」等。
樹脂組成物中的無機填充材料之含量，就可得到優良耐回焊性且低熱膨張率的絕緣層之觀點，為30質量%以上，較佳為35質量%以上，更佳為40質量%以上。其上限，就絕緣層之機械強度，特別是伸長度之觀點，較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下，更較佳為85質量%以下，最佳為80質量%以下。
<(d)苯氧基樹脂>
本發明之樹脂組成物可含有(d)苯氧基樹脂。
(d)成份之聚苯乙烯換算的重量平均分子量以8,000~70,000之範圍為佳、以10,000~60,000之範圍為較佳、20,000~60,000之範圍為更佳。(d)成份之聚苯乙烯換算的重量平均分子量，可使用凝膠滲透色層分析(GPC)法予以測定。具體而言，(d)成份之聚苯乙烯換算的重量平均分子量，為使用島津製作所公司製LC-9A /RID-6A作為測定裝置、使用昭和電工公司製Shodex K-800P/K-804L/K-804L作為管柱、使用氯仿等作為移動相，於管柱溫度為40℃下進行測定，使用標準聚苯乙烯之檢量線而可算出。
苯氧基樹脂，例如，具有由雙酚AF構造、雙酚A構造、雙酚F構造、雙酚S構造、雙酚苯乙酮構造、酚醛清漆構造、聯苯構造、茀構造、二環戊二烯構造、降莰烯構造、萘構造、蒽構造、金剛烷構造、萜烯構造，及三甲基環己烷構造、聯二甲酚構造，及雙酚茀構造所成之群所選出之1種以上的構造之苯氧基樹脂等，又以具有由雙酚AF構造、聯二甲酚構造，及雙酚茀構造所成之群所選出之1種以上的構造之苯氧基樹脂為佳，以含有雙酚AF構造之苯氧基樹脂為較佳。苯氧基樹脂之末端，可為酚性羥基、環氧基等任一官能基。苯氧基樹脂可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。
苯氧基樹脂之具體例，可列舉如，三菱化學公司製之「1256」及「4250」(任一者皆為含有雙酚A構造之苯氧基樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架之苯氧基樹脂)，及「YX6954」(含有雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂)等，其他，又如新日鐵住金化學公司製之「FX280」及「FX293」、三菱化學公司製之「YX6954BH30」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」、「YL7891BH30」及「YL7482」等。
樹脂組成物含有(d)成份時，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(d)成份之含量較佳為1質量%~20質量%，更佳為3質量%~18質量%，更較佳為5質量%~15質量%。
<(e)硬化劑>
樹脂組成物可含有(e)硬化劑。硬化劑，只要具有可使(b)成份等樹脂硬化之機能時，並未有特別之限定，例如，酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯併噁
Figure 106120390-A0202-12-0022-8
系硬化劑、氰酸酯系硬化劑，及碳二醯亞胺系硬化劑等。硬化劑可單獨使用1種，或將2種以上合併使用皆可。(e)成份，以由酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑所選出之1種以上者為佳，以由酚系硬化劑，及活性酯系硬化劑所選出之1種以上者為較佳。
酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，就耐熱性及耐水性之觀點，以具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑，或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑為佳。又，就與導體層之密著性的觀點，以含氮酚系硬化劑為佳，以含有三
Figure 106120390-A0202-12-0022-11
骨架之酚系硬化劑為較佳。其中，就可高度滿足耐熱性、耐水性，及與導體層之密著性的觀點，以含有三
Figure 106120390-A0202-12-0022-12
骨架之酚-酚醛清漆硬化劑為佳。
酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例，可列舉如，明和化成公司製之「MEH-7700」、「MEH- 7810」、「MEH-7851」、日本化藥公司製之「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金化學公司製之「SN-170」、「SN-180」、「SN-190」、「SN-475」、「SN-485」、「SN-495V」、「SN-375」、「SN-395」、DIC公司製之「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」、「HPC-9500」、「KA-1160」、「KA-1163」、「KA-1165」、群榮化學公司製之「GDP-6115L」、「GDP-6115H」等。
就可製得與導體層具有優良密著性之絕緣層的觀點，亦可使用活性酯系硬化劑。活性酯系硬化劑，並未有特別之限制，一般以1分子中具有2個以上的酚酯類、硫代酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物的酯類等高反應活性的酯基之化合物為較佳使用者。該活性酯系硬化劑，以羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物經縮合反應而製得者為佳。特別是就提高耐熱性之觀點，以由羧酸化合物與羥基化合物而得之活性酯系硬化劑為佳，以由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物而得之活性酯系硬化劑為較佳。羧酸化合物，例如安息香酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、依康酸、苯二甲酸、異苯二甲酸、對苯二甲酸、苯均四酸等。酚化合物或萘酚化合物，例如，氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘 酚、1,5羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三醇、二環戊二烯型二酚化合物、酚-酚醛清漆等。其中，「二環戊二烯型二酚化合物」係指，二環戊二烯1分子與2分子酚縮合而得之二酚化合物之意。
具體而言，以含有二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、含有萘構造之活性酯化合物、含有酚-酚醛清漆之乙醯基化物之活性酯化合物、含有酚-酚醛清漆之苯甲醯基化物之活性酯化合物為佳，其中，又以含有萘構造之活性酯化合物、含有二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物為較佳。「二環戊二烯型二酚構造」表示，伸苯基-二環伸戊基-伸苯基所形成的2價之結構單位之意。
活性酯系硬化劑之市售品，例如，含有二環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物，可列舉如：「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L-65TM」(DIC公司製)、含有萘構造之活性酯化合物，可列舉如：「EXB9416-70BK」(DIC公司製)、含有酚-酚醛清漆的乙醯基化物之活性酯化合物，可列舉如：「DC808」(三菱化學公司製)、含有酚-酚醛清漆的苯甲醯基化物之活性酯化合物，可列舉如：「YLH1026」(三菱化學公司製)、含有酚-酚醛清漆的乙醯基化物之活性酯系硬化劑，可列舉如：「DC808」(三菱化學公司製)、含有酚-酚醛清漆的苯甲醯基化物之活性酯系硬化 劑，可列舉如：「YLH1026」(三菱化學公司製)、「YLH1030」(三菱化學公司製)、「YLH1048」(三菱化學公司製)等。
苯併噁
Figure 106120390-A0202-12-0025-14
系硬化劑之具體例，可列舉如，昭和高分子公司製之「HFB2006M」、四國化成工業公司製之「P-d」、「F-a」等。
氰酸酯系硬化劑，例如，雙酚A二氰酸酯、聚酚氰酸酯、寡(3-伸甲基-1,5-伸苯基氰酸酯)、4,4’-伸甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚，及雙(4-氰酸酯苯基)醚等的2官能氰酸酯樹脂、酚-酚醛清漆及甲酚-酚醛清漆等所衍生的多官能氰酸酯樹脂、該些氰酸酯樹脂經部份三
Figure 106120390-A0202-12-0025-16
化而得之預聚物等。氰酸酯系硬化劑之具體例，可列舉如，LonzaJapan公司製之「PT30」及「PT60」(任一者皆為酚-酚醛清漆型多官能氰酸酯之樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(雙酚A二氰酸酯的一部份或全部經三
Figure 106120390-A0202-12-0025-17
化而形成三聚物之預聚物)等。
碳二醯亞胺系硬化劑之具體例，可列舉如，日清紡化學公司製之「V-03」、「V-07」等。
樹脂組成物含有(e)成份時，樹脂組成物中的硬化劑含量並未有特別之限定，一般於樹脂組成物的不 揮發成份設定為100質量%時，較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下，更較佳為5質量%以下。又，下限雖未有特別之限制，又以1質量%以上為佳。
<(f)硬化促進劑>
樹脂組成物可含有(f)硬化促進劑。硬化促進劑，例如，磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，又以磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為佳，以胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為較佳。硬化促進劑，可單獨使用1種，或將2種以上組合使用。
磷系硬化促進劑，例如，三苯基次膦(phosphine)、硼化鏻化合物、四苯基鏻四苯基硼鹽、n-丁基鏻四苯基硼鹽、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫代氰酸鹽、四苯基鏻硫代氰酸鹽、丁基三苯基鏻硫代氰酸鹽等，又以三苯基次膦、四丁基鏻癸酸鹽為佳。
胺系硬化促進劑，例如，三乙基胺、三丁基胺等之三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6-參(二甲基胺基甲基)酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯等，又以4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯為佳。
咪唑系硬化促進劑，例如，2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基- 4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鹽偏苯三酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鹽偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三
Figure 106120390-A0202-12-0027-23
、2,4-二胺基-6-〔2’-十一烷基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三
Figure 106120390-A0202-12-0027-24
、2,4-二胺基-6-〔2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三
Figure 106120390-A0202-12-0027-20
、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三
Figure 106120390-A0202-12-0027-22
三聚異氰酸加成物、2-苯基咪唑三聚異氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯〔1,2-a〕苯併咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鹽氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物等，又以2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑為佳。
咪唑系硬化促進劑，可使用市售品，例如，三菱化學公司製之「P200-H50」等。
胍系硬化促進劑，例如，二氰二醯胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環〔4.4.0〕癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環〔4.4.0〕癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙 胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等，又以二氰二醯胺、1,5,7-三氮雜雙環〔4.4.0〕癸-5-烯為佳。
金屬系硬化促進劑，例如，鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等金屬的有機金屬錯合物或有機金屬鹽等。有機金屬錯合物之具體例，可列舉如，鈷(II)乙醯基乙酸鹽、鈷(III)乙醯基乙酸鹽等有機鈷錯合物、銅(II)乙醯基乙酸鹽等有機銅錯合物、鋅(II)乙醯基乙酸鹽等有機鋅錯合物、鐵(III)乙醯基乙酸鹽等的有機鐵錯合物、鎳(II)乙醯基乙酸鹽等的有機鎳錯合物、錳(II)乙醯基乙酸鹽等有機錳錯合物等。有機金屬鹽，例如，辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。
樹脂組成物含有(f)成份時，樹脂組成物中的硬化促進劑之含量並未有特別之限定，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，以0.01質量%~3質量%為佳、以0.03質量%~2質量%為較佳、以0.05質量%~1質量%為更佳。
<(g)難燃劑>
樹脂組成物可含有(g)難燃劑。難燃劑，例如，有機磷系難燃劑、含有機系氮之磷化合物、氮化合物、聚矽氧系難燃劑、金屬氫氧化物等。難燃劑可單獨使用1種，或將2種以上合併使用皆可。
難燃劑，可使用市售品，例如，三光公司製之「HCA-HQ」、大八化學工業公司製之「PX-200」等。
樹脂組成物含有難燃劑時，難燃劑之含量並未有特別之限定，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，較佳為1質量%~20質量%，更佳為1.5質量%~15質量%、又以2質量%~10質量%為特佳。
<(h)任意之添加劑>
樹脂組成物，再於必要時，可再含有其他的添加劑，該其他添加劑，例如，有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等有機金屬化合物，及，黏合劑、増黏劑、消泡劑、均染劑、密著性賦予劑，及著色劑等的樹脂添加劑等。
本發明之樹脂組成物，於製造印刷配線板及半導體封裝時，可製得具有優良難燃性，且對銅箔等具有優良剝離強度及耐回焊性之絕緣層。因此，本發明之樹脂組成物，適合被使用作為形成半導體晶片封裝的絕緣層時的樹脂組成物(半導體晶片封裝之絕緣層用樹脂組成物)、形成線路基板(包含印刷配線板)之絕緣層時的樹脂組成物(線路基板之絕緣層用樹脂組成物)，更適合使用於前述絕緣層上經由蝕刻而形成導體層的形成層間絕緣層用之樹脂組成物(經由蝕刻而形成導體層的線路基板之層間絕緣層用樹脂組成物)。
又，亦適合使用作為密封半導體晶片用的樹脂組成物 (半導體晶片密封用樹脂組成物)、於半導體晶片形成配線用的樹脂組成物(半導體晶片配線形成用樹脂組成物)。
〔樹脂薄片〕
本發明之樹脂薄片，為含有支撐體，與該支撐體連接之樹脂組成物層所得者，該樹脂組成物層為由本發明之樹脂組成物所形成。
樹脂組成物層之厚度，就薄型化之觀點，較佳為100μm以下，更佳為80μm以下，更較佳為60μm以下，特佳為50μm以下。樹脂組成物層之厚度下限，並未有特別之限定，通常可為1μm以上、5μm以上、10μm以上等。
支撐體，例如，由塑膠材料所形成之薄膜、金屬箔、離型紙等，又以由塑膠材料所形成之薄膜、金屬箔為佳。
支撐體使用由塑膠材料所形成之薄膜時，塑膠材料，例如，聚乙烯對苯二甲酸酯(以下，亦簡稱為「PET」)、聚乙烯萘酯(以下，亦簡稱為「PEN」)等的聚酯、聚碳酸酯(以下，亦簡稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的丙烯酸酯、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚硫醚(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，又以聚乙烯對苯二甲酸酯、聚乙烯萘酯為佳，又以廉價之聚乙烯對苯二甲酸酯為特佳。
支撐體使用金屬箔時，金屬箔例如，銅箔、鋁箔等，又以銅箔為佳。銅箔，可使用由銅之單金屬所形成之箔亦可，或使用銅與其他金屬(例如，錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)等之合金所形成之箔亦可。
支撐體上，於與樹脂組成物層連接之面，亦可施以消光處理、電暈處理等。
又，支撐體中，於與樹脂組成物層連接之面，可使用具有離型層的附有離型層之支撐體。附有離型層之支撐體的離型層上所使用的離型劑，例如，由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂，及聚矽氧樹脂所成之群所選出之1種以上的離型劑等。附有離型層之支撐體，可使用市售品，例如，以醇酸樹脂系離型劑為主成份之具有離型層的PET薄膜之琳德公司製之「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、東麗公司製之「Lumirror T6AM」等。
支撐體之厚度，並未有特別之限定，一般以5μm~75μm之範圍為佳、以10μm~60μm之範圍為較佳。又，使用附有離型層之支撐體時，以附有離型層之支撐體全體的厚度於上述範圍者為佳。
樹脂薄片，例如，可將樹脂組成物溶解於有機溶劑而製得樹脂塗料，將該樹脂塗料使用狹縫塗佈機等塗佈於支撐體上，再經乾燥處理而形成樹脂組成物層之方式而可製得。
有機溶劑，例如，丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等之酮類，乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖 劑(cellosolve)乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類，溶纖劑(cellosolve)及丁基卡必醇等卡必醇類，甲苯及二甲苯等之芳香族烴類，二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯啶酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可單獨使用1種亦可、將2種以上組合使用亦可。
乾燥，可使用加熱、熱風吹拂等公知方法予以實施。乾燥條件並未有特別之限定，一般為將樹脂組成物層中的有機溶劑之含量降至10質量%以下，較佳為降至5質量%以下之方式進行乾燥。但亦因樹脂塗料中的有機溶劑之沸點而有所差異，但使用例如含有30質量%~60質量%之有機溶劑的樹脂塗料時，經進行50℃~150℃、3分鐘~10分鐘乾燥結果，即可形成樹脂組成物層。
樹脂薄片中，未與樹脂組成物層的支撐體連接之面(即，與支撐體為相反側之面)，可配合支撐體再層合保護薄膜。保護薄膜之厚度，並未有特別之限定，例如，可為1μm~40μm。經層合保護薄膜時，可防止雜質等附著於樹脂組成物層之表面，或防止刮碰傷等。樹脂薄片，可捲取為筒狀方式保存。樹脂薄片具有保護薄膜時，可將保護薄膜剝離後使用。
本發明之樹脂薄片，亦可使用含浸有本發明之樹脂組成物的薄片狀纖維基材所形成之預浸體。
預浸體所使用的薄片狀纖維基材並未有特別之限定，其可使用玻璃纖維布、醯胺不織布、液晶聚合物 不織布等預浸體用基材等常用之基材。就薄型化之觀點，薄片狀纖維基材之厚度，較佳為900μm以下，更佳為800μm以下，更較佳為700μm以下，特佳為600μm以下。特別是本發明可埋入深度抑制至更小之觀點，以30μm以下為佳、以20μm以下為較佳、以10μm以下為更佳。薄片狀纖維基材之厚度下限並未有特別之限定，通常為1μm以上、1.5μm以上、2μm以上等。
預浸體，可使用熱熔膠法、溶劑法等公知方法而可製得。
預浸體之厚度，可為與上述樹脂薄片中之樹脂組成物層為相同之範圍。
本發明之樹脂薄片中之樹脂組成物層(或樹脂組成物)的最低熔融黏度，就樹脂組成物層即使在薄層也可維持其厚度之安定性之觀點，以500poise以上為佳、以1000poise以上為較佳、以1500poise以上為更佳。最低熔融黏度之上限，就可得到良好的零件埋入性之觀點，較佳為10000poise以下，更佳為8000poise以下，更較佳為6500poise以下，或為5000poise以下，或4000poise以下。
樹脂組成物層的最低熔融黏度係指，樹脂組成物層的樹脂於熔融時，樹脂組成物層所呈現的最低黏度之意。詳細而言，於依一定昇溫速度將樹脂組成物層加熱，使樹脂呈熔融狀態時，於初期階段時熔融黏度將因溫度上昇而降低，隨後，超過某一程度時，伴隨溫度上昇其熔融黏度亦為上昇。最低熔融黏度係指，該最小點的熔融 黏度之意。樹脂組成物層的最低熔融黏度，可依動態黏彈性法而可測定，例如，可依後述<最低熔融黏度之測定>所記載的方法測定。
使用本發明之樹脂薄片中的樹脂組成物層(或樹脂組成物)所形成的絕緣層，顯示出與導體層具有極優良的剝離強度(銅箔剝離強度)之特性。剝離強度，較佳為0.4kgf/cm以上，更佳為0.5kgf/cm以上，更較佳為0.6kgf/cm以上。又，剝離強度的上限值並未有特別之限定，一般為1.2kgf/cm以下，1kgf/cm以下等。銅箔剝離強度之評估，可依後述<銅箔之密著強度(銅箔剝離強度)之測定及耐回焊性之評估>所記載的方法測定。
使用本發明之樹脂薄片中之樹脂組成物層(或樹脂組成物)所形成的絕緣層，顯示出優良的耐回焊性之特性。使用本發明之樹脂薄片中之樹脂組成物層(或樹脂組成物)所形成的絕緣層，以經過3次以上的可重現波峰溫度260℃的焊接回焊溫度之回焊裝置，而完全無異常者為佳。耐回焊性之評估，可依後述<銅箔之密著強度(銅箔剝離強度)之測定及耐回焊性之評估>所記載的方法測定。
使用本發明之樹脂薄片中之樹脂組成物層(或樹脂組成物)所形成之絕緣層，顯示出優良的難燃性之特性。難燃性，於UL耐焰性試驗規格(UL-94)評估為「V1」、「V0」或較其為更優良者為佳。難燃性之評估，可依後述<難燃性之評估>所記載的方法測定。
本發明之樹脂薄片，適合使用於製造半導體晶片封裝時，形成絕緣層(半導體晶片封裝之絕緣用樹脂薄片)者。
例如，本發明之樹脂薄片，適合使用於形成線路基板之絕緣層(線路基板之絕緣層用樹脂薄片)，更適合使用於絕緣層上經由蝕刻而形成導體層的層間絕緣層(經由蝕刻而形成導體層的線路基板之層間絕緣層)。使用該基板的封裝例，可列舉如，FC-CSP、MIS-BGA封裝、ETS-BGA封裝等。
又，本發明之樹脂薄片，適合使用於密封半導體晶片(半導體晶片密封用樹脂薄片)，或於半導體晶片上形成配線(半導體晶片配線形成用樹脂薄片)者，例如，適合使用於Fan-out型WLP(Wafer Level Package)、Fan-in型WLP、Fan-out型PLP(Panel Level Package)、Fan-in型PLP等。又，亦適合使用將半導體晶片連接於基板後所使用的MUF(Molding Under Filling)材料等。
本發明之樹脂薄片，對於要求高度絕緣信賴性的其他廣範用途，例如，亦適合使用於印刷配線板等線路基板形成絕緣層等用途。
〔線路基板〕
本發明之線路基板，為含有本發明之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。
本發明之線路基板之製造方法，如圖1及圖2所示例示 般，為包含 (1)準備基材，與具有設置於該基材的至少一側之面的配線層之附有配線層之基材的步驟、 (2)將本發明之樹脂薄片，以使配線層埋入樹脂組成物層之方式，層合於附有配線層之基材上，經熱硬化而形成絕緣層的步驟、 (3)將配線層進行層間連接的步驟。
又，線路基板之製造方法，亦可包含(4)去除基材的步驟。
步驟(3)，只要可使配線層進行層間連接時，並未有特別之限定，其以使用於絕緣層形成通孔(via hole)，而形成導體層之步驟，及將絕緣層研磨或研削，使配線層露出之步驟之至少1個步驟為佳。
<步驟(1)>
步驟(1)為，準備基材，與具有設置於該基材的至少一側之面的配線層之附有配線層之基材的步驟。如圖1(A)及圖2(A)所示例示般，附有配線層之基材10，於基材11的兩面分別具有作為基材11的一部份之第1金屬層12、第2金屬層13，於與第2金屬層13的基材11之側面為相反側之面上具有配線層14。詳細而言，為於基材上層合乾薄膜(感光性光阻薄膜)，使用光遮罩依特定條件進行曝光、顯影而形成圖型乾薄膜。將顯影的圖型乾薄膜作為蝕刻遮罩，使用電解蝕刻法形成配線層之後，將圖型乾薄膜 剝離。又，圖1及圖2中，為形成具有第1金屬層12、第2金屬層13之態樣，但亦可不具有第1金屬層12、第2金屬層13。
基材，例如，玻璃環氧基板、金屬基板(不銹鋼或冷軋鋼板(SPCC)等)、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等基板，於基板表面亦可形成銅箔等金屬層。又，如圖1(A)、圖2(A)所示般，基材之表面亦可形成可剝離的第1金屬層12及第2金屬層13(例如，三井金屬公司製之附載體銅箔之極薄銅箔、商品名「Micro Thin」)等金屬層。
乾薄膜，只要為由光阻劑組成物所形成之感光性乾薄膜時，並未有特別之限定，例如，可使用酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂等乾薄膜。乾薄膜亦可使用市售品。
基材與乾薄膜之層合條件，可與後述步驟(2)之將樹脂薄片埋入配線層進行層合時的條件為相同之條件，其較佳之範圍亦為相同。
乾薄膜層合於基材上之後，可使用欲於乾薄膜上形成特定圖型的光遮罩，依特定之條件進行曝光、顯影。
配線層之線路(線路寬)/空間(線路間之寬度)比，並未有特別之限制，一般較佳為20/20μm以下(即間距為40μm以下)，更佳為10/10μm以下，更較佳為5/5μm以下，最佳為1/1μm以下，特佳為0.5/0.5μm以下。間距，於配線層全體中並無須相同。配線層 之最小間距，可為40μm以下，36μm以下，或30μm以下皆可。
形成乾薄膜之圖型後，形成配線層，再將乾薄膜剝離。其中，配線層之形成，可使用形成特定圖型的乾薄膜作為蝕刻遮罩，並依蝕刻法予以實施。
配線層所使用的導體材料並未有特別之限定。較佳的實施形態為，配線層為含有由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所成之群所選出之1種以上的金屬。配線層，可為單金屬層亦可、合金層亦可，合金層，例如，由上述之群所選出之2種以上金屬的合金(例如，鎳‧鉻合金、銅‧鎳合金及銅‧鈦合金)所形成者等。其中，就形成配線層時之廣泛性、費用、圖型形成(Patterning)之容易性等觀點，以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或鎳‧鉻合金、銅‧鎳合金、銅‧鈦合金之合金層為佳，以鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或鎳‧鉻合金之合金層為較佳，以銅之單金屬層為更佳。
配線層之厚度，雖依所期待的配線板之設計而有所不同，但較佳為3μm~35μm，更佳為5μm~30μm，更較佳為10~20μm，或15μm。步驟(3)中，於採用將絕緣層研磨或研削、使配線層露出而對配線層進行層間連接之步驟時，層間連接之配線，與未連接之配線的厚度以相異者為佳。配線層之厚度，可依重附近行前述圖型形成步驟之方式而調整。各配線層之間，最厚的配線層(導電性 支柱)之厚度，雖依所期待的配線板之設計而有所不同，但較佳為100μm以下、2μm以上。又，連接層間的配線亦可為凸型者。
配線層形成後，將乾薄膜剝離。乾薄膜之剝離，例如，可使用氫氧化鈉溶液等鹼性的剝離液實施剝離。必要時，亦可先使用蝕刻等將不需要的配線圖型去除，再形成所期待的配線圖型。所形成的配線層之間距，係如前所述內容。
<步驟(2)>
步驟(2)為，將本發明之樹脂薄片，以使配線層埋入樹脂組成物層之方式，層合於附有配線層之基材上，經熱硬化而形成絕緣層的步驟。如圖1(B)之例示般，為將依前述步驟(1)所得之附有配線層之基材的配線層14，以埋入樹脂薄片20的樹脂組成物層21之方式層合，再將樹脂薄片20之樹脂組成物層21進行熱硬化而形成絕緣層(圖1(C)或圖2(B)之符號21’)。樹脂薄片20為依樹脂組成物層21，與支撐體22之順序層合者。
配線層與樹脂薄片之層合，為去除樹脂薄片之保護薄膜後，例如，由支撐體側將樹脂薄片加熱壓接於配線層。將樹脂薄片加熱壓接於配線層之構件(以下，亦稱為「加熱壓接構件」)，例如，加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬滾筒(SUS滾筒)等。又，加熱壓接構件以不對樹脂薄片直接加壓，而使樹脂薄片充分追隨配線層的 表面凹凸之方式，介由耐熱橡膠等彈性材料進行加壓為佳。
配線層與樹脂薄片之層合，可於去除樹脂薄片之保護薄膜後，使用真空層合法實施。真空層合法中，加熱壓接之溫度，較佳為60℃~160℃，更佳為80℃~140℃之範圍，加熱壓接之壓力，較佳為0.098MPa~1.77MPa，更佳為0.29MPa~1.47MPa之範圍，加熱壓接之時間，較佳為20秒鐘~400秒鐘，更佳為30秒鐘~300秒鐘之範圍。層合，較佳以於壓力13hPa以下之減壓條件下實施。
層合之後，可於常壓下(大氣壓下)，例如，將加熱壓接構件由支撐體側進行加壓之方式，對層合的樹脂薄片進行平滑化處理。平滑化處理時之加壓條件，可依與上述層合的加熱壓接條件為相同之條件下進行。又，層合(處理)與平滑化處理，可使用上述市售的真空層合器連續地進行。
將樹脂組成物層，以埋入配線層之方式層合於附有配線層之基材上之後，將樹脂組成物層進行熱硬化而形成絕緣層。例如，樹脂組成物層之熱硬化條件，雖依樹脂組成物之種類等而有所差異，但硬化溫度一般為120℃~240℃之範圍、硬化時間為5分鐘~120分鐘之範圍。將樹脂組成物層熱硬化之前，亦可將樹脂組成物層於較硬化溫度為更低之溫度下進行預加熱。
樹脂薄片之支撐體，可於樹脂薄片層合於附 有配線層之基材上，經熱硬化後予以剝離亦可，如圖2(B)之例示般，可於樹脂薄片層合於附有配線層之基材上之前，將支撐體剝離亦可。又，亦可於後述粗化處理步驟之前，將支撐體剝離亦可。
<步驟(3)>
步驟(3)為將配線層進行層間連接之步驟。詳細而言，為於絕緣層上形成通孔(via hole)，經形成導體層而使配線層形成層間連接的步驟(圖1(C)、(D))。或對絕緣層進行研磨或研削，使配線層露出而對配線層進行層間連接之步驟(圖2(C))。
於使用絕緣層上形成通孔，經形成導體層而使配線層形成層間連接的步驟時，通孔的形成並未有特別之限定，可列舉如，雷射照射、蝕刻、機械式鑽孔等，一般又以雷射照射進行者為佳。該雷射照射中，可使用光源為碳酸氣體雷射、YAG雷射、準分子雷射等的任意適合的雷射加工機進行。詳細而言，如圖1(C)之例示般，步驟(3)為，由支撐體22之面側進行雷射照射，而貫穿支撐體22、絕緣層21’，使配線層14露出，而形成通孔31。
雷射照射之條件並未有特別之限定，雷射照射可配合所選擇的手段，依通常方法任意地使用較佳的步驟予以實施。
通孔形狀，即由延伸方式觀察時，其開口輪廓之形狀並未有特別之限定，一般為圓形(略圓形)。
通孔形成後，可進行去除通孔內的殘渣之步驟，即進行所謂的無殘渣步驟。於後述之使用蝕刻步驟形成導體層時，對通孔可進行例如濕式的無殘渣處理，於使用濺鍍步驟形成導體層時，例如可使用電漿處理步驟等進行乾式無殘渣處理步驟。又，進行無殘渣步驟時，可同時進行粗化處理步驟。
形成導體層前，可對通孔及絕緣層進行粗化處理。粗化處理可使用通常進行的公知之順序、條件等。乾式的粗化處理例，例如，電漿處理等，濕式的粗化處理例，例如，可使用依使用膨潤液的膨潤處理、使用氧化劑的粗化處理及使用中和液的中和處理之順序進行之方法。
通孔形成後，如圖1(D)之例示所示般，為形成導體層40。構成導體層的導體材料並未有特別之限定，導體層可使用蝕刻、濺鍍、蒸鍍等以往公知的任意較佳的方法形成，又以使用蝕刻形成者為佳。較佳的一實施形態，例如，使用半加成法(Semi-additive Process)、全加成法(Full-additive Process)等以往公知的技術，對絕緣層表面進行蝕刻，而可形成具有所期待的配線圖型之導體層。又，樹脂薄片中之支撐體為金屬箔時，可使用扣除法(subtractive Process)等以往公知之技術，形成具有所期待的配線圖型之導體層。導體層，可為單層構造亦可、由相異種類之金屬或合金所形成之單金屬層或合金層，以2層以上層合而得之多層構造亦可。
詳細而言，於絕緣層之表面，經由無電解蝕 刻而形成蝕刻薄片層41。其次，於所形成的蝕刻薄片層上，對應於所期待之配線圖型進行蝕刻，而使部份薄片層露出而形成遮罩圖型。於露出之蝕刻薄片層上，經由電解蝕刻而形成電解蝕刻層42。此時，亦可於形成電解蝕刻層42的同時，通孔31經由電解蝕刻而埋入，而形成埋孔(Filled via)61。形成電解蝕刻層42之後，將遮罩圖型去除。隨後，將不要的蝕刻薄片層經由蝕刻等而去除，而形成具有所期待的配線圖型之導體層40。又，形成導體層時，形成遮罩圖型用之乾薄膜，為與上述乾薄膜為相同之內容。
導體層，不僅可為線狀之配線，也包含例如搭載有外部端子的電極墊(Land)等。又，導體層亦可僅由電極墊所構成者。
又，導體層，可於形成蝕刻薄片層後，不使用遮罩圖型而形成電解蝕刻層及埋孔(Filled via)，隨後，再以蝕刻方式進行圖型形成(Patterning)而形成者。
使用將絕緣層研磨或研削，使配線層露出而將配線層進行層間連接之步驟時，絕緣層的研磨方法或研削方法，只要可使配線層露出、使研磨或研削面形成水平時，並未有特別之限定，其可適當使用以往公知之研磨方法或研削方法，例如，使用化學機械研磨裝置之化學機械研磨方法、使用研磨棒等機械研磨方法、使用研磨石迴轉進行平面研削方法等。其可與絕緣層形成通孔，而形成導 體層使配線層形成層間連接的步驟相同般，進行去除殘渣除去步驟、粗化處理等步驟亦可、形成導體層亦可。又，如圖2(C)之例示所示般，並不需使全部配線層14露出，亦可僅使部份配線層14露出。
<步驟(4)>
線路基板之製造方法，除步驟(1)~(3)以外，亦可包含步驟(4)。步驟(4)為，如圖1(E)、圖2(D)之例示所示，將基材去除，而形成本發明之線路基板1之步驟。基材之去除方法並未有特別之限定。較佳的一實施形態為，由第1及第2金屬層之界面，將基材由線路基板剝離，第2金屬層可使用例如氯化銅水溶液等予以蝕刻去除。必要時，可將導體層由被保護薄膜保護之狀態下，將基材剝離。
〔半導體晶片封裝〕
本發明之半導體晶片封裝之第1態樣為，於上述本發明之線路基板上，搭載半導體晶片的半導體晶片封裝。可於上述本發明之線路基板，以連接半導體晶片之方式，製得半導體晶片封裝。
只要可使半導體晶片的端子電極與線路基板的線路配線進行導體連接時，其連接條件並未有特別之限定，其可使用半導體晶片之覆晶(flip chip)實裝中所使用的公知條件。又，半導體晶片與線路基板間，可介由絕 緣性接著劑進行連接。
較佳的一實施形態為，將半導體晶片壓接於線路基板。壓接條件，例如，壓接溫度可為120℃~240℃之範圍(較佳為130℃~200℃之範圍，更佳為140℃~180℃之範圍)，壓接時間可為1秒鐘~60秒鐘之範圍(較佳為5秒鐘~30秒鐘)。
又，其他的較佳的一實施形態，為將半導體晶片以回焊於線路基板方式連接。回焊條件，例如，可於120℃~300℃之範圍。
將半導體晶片連接於線路基板後，例如，亦將半導體晶片使用模具底部填充材料(Mold Underfill)進行填充，而製得半導體晶片封裝。使用模具底部填充材料進行填充之方法，可使用公知方法予以實施。本發明之樹脂組成物或樹脂薄片，亦可作為模具底部填充材料使用。
本發明之半導體晶片封裝的第2態樣，例如，如圖3之例示般，半導體晶片封裝(Fan-out型WLP)100，密封層120為使用由本發明之樹脂組成物或樹脂薄片所製造的半導體晶片封裝。半導體晶片封裝100為，具備有半導體晶片110、包覆半導體晶片110周圍而形成的密封層120、與包覆半導體晶片110的密封層側為相反側之面的再配線形成層(絕緣層)130、導體層(再配線層)140、抗蝕光阻層150，及凸點160。該半導體晶片封裝之製造方法，為包含： (A)使基材層合預固定薄膜之步驟、(B)將半導體晶片預固定於預固定薄膜上之步驟、(C)將本發明之樹脂薄片之樹脂組成物層，層合於半導體晶片上，或將本發明之樹脂組成物塗佈於半導體晶片上，進行熱硬化而形成密封層之步驟、(D)將基材及預固定薄膜由半導體晶片剝離之步驟、(E)於半導體晶片之基材及將預固定薄膜剝離後之面，形成再配線形成層(絕緣層)之步驟、(F)於再配線形成層(絕緣層)上，形成導體層(再配線層)之步驟，及(G)於導體層上形成抗蝕光阻層之步驟。又，半導體晶片封裝之製造方法，又包含(H)將複數的半導體晶片封裝分別切割為各個半導體晶片封裝，使其個片化之步驟。
<步驟(A)>
步驟(A)為，於基材上層合預固定薄膜之步驟。基材與預固定薄膜之層合條件，與線路基板之製造方法中，步驟(2)中之配線層與樹脂薄片之層合條件相同，較佳之範圍也為相同。
基材所使用的材料並未有特別之限定。基材，例如可使用矽晶圓；玻璃晶圓；玻璃基板；銅、鈦、不銹鋼、冷軋鋼板(SPCC)等金屬基板；玻璃纖維滲入 環氧樹脂等再經熱硬化處理之基板(例如FR-4基板)；雙馬來醯亞胺三
Figure 106120390-A0202-12-0047-25
樹脂(BT樹脂)所形成之基板等。
預固定薄膜，於後述步驟(D)中，除可由半導體晶片剝離以外，只要可對半導體晶片進行預固定之材料時，並未有特別之限定。預固定薄膜可使用市售品。市售品，可列舉如，日東電工公司製之Revalpha等。
<步驟(B)>
步驟(B)為將半導體晶片預固定於預固定薄膜上之步驟。半導體晶片之預固定，可使用覆晶接合器、黏晶機(Die Bonder)等公知裝置進行。半導體晶片之配置佈局及配置數，可配合預固定薄膜之形狀、大小、目的之半導體封裝生產數等做適當之設定，例如，可以複數行，且複數列之矩陣狀整列進行預固定。
<步驟(C)>
步驟(C)為，將發明之樹脂薄片的樹脂組成物層，層合於半導體晶片上，或將本發明之樹脂組成物塗佈於半導體晶片上，經熱硬化而形成密封層之步驟。步驟(C)，以將本發明之樹脂薄片的樹脂組成物層，層合於半導體晶片上，經熱硬化而形成密封層者為佳。
半導體晶片與樹脂薄片之層合，可於去除樹脂薄片之保護薄膜後，例如，由支撐體側將樹脂薄片加熱壓接於半導體晶片之方式進行。將樹脂薄片加熱壓接於半 導體晶片之構件(以下，亦稱為「加熱壓接構件」)，例如，經加熱之金屬板(SUS鏡板等)或金屬滾筒(SUS滾筒)等。又，加熱壓接構件以不對樹脂薄片直接加壓，而使樹脂薄片充分追隨半導體晶片的表面凹凸之方式，介由耐熱橡膠等彈性材料進行加壓為佳。
又，半導體晶片與樹脂薄片之層合，可於去除樹脂薄片之保護薄膜後，使用真空層合法實施。真空層合法中之層合條件，為與線路基板之製造方法中之步驟(2)的配線層與樹脂薄片之層合條件相同，其較佳之範圍亦為相同。
樹脂薄片之支撐體，可於半導體晶片上層合樹脂薄片、經熱硬化後再予剝離亦可，或於樹脂薄片層合於半導體晶片上之前，將支撐體剝離亦可。
樹脂組成物之塗佈條件，與本發明之樹脂薄片中，形成樹脂組成物層時的塗佈條件為相同，其較佳之範圍亦為相同。
<步驟(D)>
步驟(D)為，將基材及預固定薄膜由半導體晶片剝離之步驟。剝離方法，可配合預固定薄膜之材質等做適當之變更，例如，將預固定薄膜加熱、發泡(或膨張)後予以剝離之方法，及由基材側照射紫外線，降低預固定薄膜之黏著力後予以剝離之方法等。
將預固定薄膜加熱、發泡(或膨張)後予以 剝離之方法中，加熱條件通常為100℃~250℃、1秒鐘~90秒鐘或5分鐘~15分鐘。又，由基材側照射紫外線，降低預固定薄膜之黏著力的方法中，紫外線之照射量，通常為10mJ/cm2~1000mJ/cm2。
<步驟(E)>
步驟(E)為，於剝離半導體晶片之基材及預固定薄膜之面，形成再配線形成層(絕緣層)之步驟。
形成再配線形成層(絕緣層)之材料，只要為形成再配線形成層(絕緣層)時具有絕緣性時，並未有特別之限定，就製造半導體晶片封裝容易度之觀點，以感光性樹脂、熱硬化性樹脂為佳。熱硬化性樹脂，可使用與形成本發明之樹脂薄片時所使用的樹脂組成物為相同組成之樹脂組成物。
形成再配線形成層(絕緣層)後，就使半導體晶片與後述導體層形成層間連接之觀點，可於再配線形成層(絕緣層)上形成通孔。
形成通孔時，形成再配線形成層(絕緣層)之材料為感光性樹脂時，首先，可將活性能量線介由遮罩圖形照射再配線形成層(絕緣層)之表面，使照射部的再配線層形成光硬化。
活性能量線，例如，紫外線、可見光線、電子線、X線等，特別是以紫外線為佳。紫外線之照射量、照射時間，可配合感光性樹脂作適當變更。曝光方法，可 使用使遮罩圖型密著於再配線形成層(絕緣層)後進行曝光之接觸曝光法，與不使遮罩圖型密著再配線形成層(絕緣層)，而使用平行光線進行曝光之非接觸曝光法中之任一方法。
其次，將再配線形成層(絕緣層)顯影，而去除未曝光部後，即形成通孔。顯影，可使用濕式顯影、乾式顯影之任一者皆為恰當。濕式顯影所使用的顯影液可使用公知顯影液。
顯影方式，例如，浸漬(dip)方式、攪拌(paddle)方式、噴霧方式、刷動方式、刮刷(Scrapping)方式等，就解析性之觀點，以攪拌方式為佳。
形成再配線形成層(絕緣層)之材料為熱硬化性樹脂時，通孔之形成並未有特別之限定，可列舉如，雷射照射、蝕刻、機械式鑽孔等，又以使用雷射照射進行者為佳。雷射照射，可使用光源為碳酸氣體雷射、UV-YAG雷射、準分子雷射等的任意較佳的雷射加工機進行。
雷射照射之條件並未有特別之限定，雷射照射可配合所選擇之手段，並依常法的任意較佳的步驟予以實施。
通孔形狀，即由延伸方向觀察時，其開口輪廓之形狀並未有特別之限定，一般為圓形(略圓形)。通孔之長徑(再配線形成層(絕緣層)表面開口的直徑)，較佳為50μm以下，更佳為30μm以下，更較佳為20μm以 下。下限並未有特別之限定，較佳為10μm以上，更佳為15μm以上，更較佳為20μm以上。
<步驟(F)>
步驟(F)為，於再配線形成層(絕緣層)上形成導體層(再配線層)之步驟。再配線形成層(絕緣層)上形成導體層之方法，與線路基板之製造方法中，步驟(3)的於絕緣層上形成通孔後形成導體層方法為相同，較佳之範圍亦為相同。又，亦可經由重複進行步驟(E)及步驟(F)之方式，而將導體層(再配線層)及再配線形成層(絕緣層)形成交互堆積(堆疊)層。
<步驟(G)>
步驟(G)為，於導體層上形成抗蝕光阻層之步驟。
形成抗蝕光阻層之材料，只要於抗蝕光阻層形成時具有絕緣性時，並未有特別之限定，就製造半導體晶片封裝之容易度的觀點，以感光性樹脂、熱硬化性樹脂為佳。熱硬化性樹脂，可使用與形成本發明之樹脂薄片的樹脂組成物為相同組成的樹脂組成物。
又，步驟(G)中，必要時，可進行形成凸點之凸點加工。凸點加工，可使用焊接球、焊接蝕刻等公知方法進行。又，凸點加工中，通孔之形成可依與步驟(E)相同方法進行。
<步驟(H)>
半導體晶片封裝之製造方法，於步驟(A)~(G)以外，可含有步驟(H)。步驟(H)，為將複數的半導體晶片封裝切割為各個半導體晶片封裝，形成個片化之步驟。
將半導體晶片封裝切割為各個半導體晶片封裝之方法並未有特別之限定，其可使用公知之方法進行。
本發明之半導體晶片封裝的第3態樣，例如，如圖3之例示般，為於半導體晶片封裝(Fan-out型WLP)中，再配線形成層(絕緣層)130、抗蝕光阻層150為使用本發明之樹脂組成物或樹脂薄片所製得之半導體晶片封裝。
〔半導體裝置〕
本發明之半導體晶片封裝經實裝所得之半導體裝置，可列舉如，可供應電氣製品(例如，電腦、攜帶電話、智慧型手機、平板電腦型裝置、穿戴式裝置、數位相機、醫療機器，及電視等)及搭乘物(例如，自動二輪車、汽車、電車、船舶及航空機等)等之各種半導體裝置。
〔實施例〕
以下，本發明將以實施例作更具體的說明，但本發明並不受該些實施例所限定。又，以下記載中，表示「量」之「份」及「%」，於無另外標示時，分別表示 「質量份」及「質量%」之意。
<與銅箔之密著強度(銅箔剝離強度)之測定及耐回焊性之評估>
(1)層合板之底層處理
將玻璃布基材環氧樹脂兩面鋪銅層合板之銅箔予以蝕刻後的基板(Panasonic公司製「R1515A」、基板厚度0.2mm)於190℃之溫度條件，投入190℃之烘箱後，進行30分鐘之加熱乾燥。
(2)樹脂薄片之層合
將由實施例及比較例所製得之樹脂薄片剝離保護薄膜後所露出之樹脂組成物層，使用批次式真空加壓層合器(Nikko-Materials公司製、2步驟堆疊層合器「CVP700」)，以使樹脂組成物層連接基板之方式層合於基板兩面。層合方法為，於進行30秒鐘減壓，使氣壓達13hPa以下之後，於110℃、壓力0.74MPa下進行30秒鐘壓接之方式予以實施。
(3)銅箔之層合
於樹脂薄片層合後，將支撐體之離型PET剝離，將超低粗度電解銅箔(三井金屬礦業公司製「TQ-M4-VSP」、厚度12μm)之層合面配置於樹脂組成物層上，使用批次式真空加壓層合器(Nikko-Materials公司製、2步驟堆疊 層合器「CVP700」)，以連接銅箔與樹脂組成物層之方式，層合於基板兩面。層合方法為，於進行30秒鐘減壓，使氣壓達13hPa以下之後，於110℃、壓力0.74MPa下進行30秒鐘壓接之方式予以實施。其次，將層合後之樹脂組成物層，於大氣壓下、100℃、壓力0.5MPa下進行60秒鐘熱壓著，使其平滑化。
(4)樹脂組成物層之熱硬化
於超低粗度電解銅箔層合後，於100℃之溫度條件下，投入100℃之烘箱30分鐘後，其次於190℃之溫度條件下，移至190℃之烘箱後，進行90分鐘熱硬化形成絕緣層，而製得基板。
(5)與銅箔(導體層)之密著強度(銅箔剝離強度)之測定
將上述(4)所製得之基板切斷為150mm×30mm之小片。於小片的銅箔部份上，切入寬10mm、長度100mm之部份，將銅箔之一端剝離，以夾具(D-S-E公司製、Autocom型試驗機AC-50C-SL)夾住，使用英斯特萬能試驗機，測定於室溫中以50mm/分鐘之速度由垂直方向拉伸剝取35mm時之荷重，作為銅箔剝離強度。測定為使用3小片進行，並以其平均值表示。
(6)耐回焊性之評估
將上述(4)所製得之基板切斷為100mm×50mm之小片。隨後，使用可重現波峰溫度260℃之焊接回焊溫度的回焊裝置(日本Antom公司製「HAS-6116」)進行3次(回焊溫度外觀為依IPC/JEDEC J-STD-020C為基準)。評估為使用3小片進行，以目視觀察發現銅箔的一部份形成剝離等異常狀態者評估為「×」，全部小片皆未出現異常者則評估為「○」。
<難燃性之評估>
(1)層合板之底層處理
將玻璃布基材環氧樹脂兩面鋪銅層合板之銅箔予以蝕刻後的基板(Panasonic公司製「R1515A」、基板厚度0.2mm)，於190℃之溫度條件，投入190℃之烘箱後，進行30分鐘加熱乾燥。
(2)樹脂薄片之層合
將由實施例及比較例所製得之樹脂薄片剝離保護薄膜後所露出之樹脂組成物層，使用批次式真空加壓層合器(Nikko-Materials公司製、2步驟堆疊層合器「CVP700」)，以將樹脂組成物層連接於基板之方式，層合於基板兩面。層合方法為，於進行30秒鐘減壓，使氣壓達13hPa以下之後，於110℃、壓力0.74MPa下進行30秒鐘壓接之方式予以實施。其次將層合後之樹脂組成物層，於大氣壓下、100℃、壓力0.5MPa下進行60秒鐘熱壓著， 使其平滑化。
(3)樹脂組成物層之熱硬化
樹脂薄片層合後，將支撐體的離型PET剝離，於100℃之溫度條件，投入100℃之烘箱30分鐘，其次於190℃之溫度條件，移至190℃之烘箱後，進行90分鐘熱硬化形成絕緣層，而製得基板。
(4)難燃性之評估
使用上述(3)所製得之基板，切斷為UL難燃性試驗用之12.7mm×127mm之尺寸，使用沙紙(# 1200後，使用# 2800)研磨其端面，製得基材厚度0.2mm、單側層合絕緣層40μm的燃燒性試驗用試片。隨後，依UL耐焰性試驗規格(UL-94)，評估V0、V1。又，經10秒鐘接觸火焰後未出現燃燒殘留之樣品時，評估為「×」。
<樹脂組成物層之最低熔融黏度之測定>
於依實施例及比較例所製得之樹脂薄片的離型PET(支撐體)，僅剝離樹脂組成物層，使用模具壓縮後製得測定用片(直徑18mm、1.2~1.3g)。隨後，使用動態黏彈性測定裝置(U-B-M公司製「Rheosol-G3000」)，使用直徑18mm之平行板，對該試料樹脂組成物層1g，以5℃/分鐘之昇溫速度由起始溫度60℃至200℃為止進行昇溫，以測定溫度間隔2.5℃、振動數1Hz、應力1deg之測定 條件下，測定其動態黏彈性率，算出其最低熔融黏度(poise)。
<薄膜製膜性之評估>
準備一作為支撐體的經醇酸樹脂系離型劑(琳德公司製「AL-5」)離型處理的PET薄膜(東麗公司製「Lumirror R80」、厚度38μm、軟化點130℃、「離型PET」)。將所製得之樹脂塗料以乾燥後的樹脂組成物層之厚度為40μm之方式塗佈於於該離型面上，於80~120℃(平均100℃)進行5分鐘乾燥後，以目視方式觀察樹脂組成物層是否形成均勻的製膜，樹脂組成物層可形成均勻製膜者評估為「○」、樹脂組成物層未能均勻製膜者評估為「×」。
<合成例1>
(具有丁二烯構造及聯伸苯基型酚構造之樹脂的合成)
於反應容器中，將2官能性羥基末端聚丁二烯(日本曹達公司製G-3000、數平均分子量=3000、羥基當量=1800g/eq.)70g，與二乙二醇二甲基醚(東京化成工業公司製)40g、二丁基錫月桂酸酯0.005g混合，使其均勻溶解。於形成均勻狀態時，昇溫至50℃，再於攪拌中，添加異佛爾酮二異氰酸酯(Evonik-Degussa-Japan公司製IPDI、異氰酸酯基當量=113g/eq.)8g後，進行約3小時之反應。其次，將此反應物冷卻至室溫後，於其中加入聯 伸苯基型酚樹脂(明和化成公司製MEH-7851SS、羥基當量=203g/eq.)22g，與二乙二醇二甲基醚(東京化成工業公司製)60g，於攪拌中昇溫至80℃，並進行約4小時之反應。使用FT-IR確認2250cm-1之NCO波峰是否消失。將NCO波峰消失之時點視為反應之終點，將反應物降溫至室溫後，使用100網孔的濾布過濾，製得具有丁二烯構造及聯伸苯基型酚構造之樹脂(以下，亦稱為「樹脂1」)(不揮發成份50質量%)。樹脂1之數平均分子量為5200。
<合成例2>
(具有丁二烯構造及聯伸苯基型酚構造之樹脂的合成)
於反應容器中，將2官能性羥基末端聚丁二烯(日本曹達公司製G-2000、數平均分子量=2000、羥基當量=1200g/eq.)59g，與二乙二醇二甲基醚(東京化成工業公司製)40g、二丁基錫月桂酸酯0.005g混合，使其均勻溶解。於形成均勻狀態時，昇溫至50℃，再於攪拌中，添加異佛爾酮二異氰酸酯(Evonik-Degussa-Japan公司製IPDI、異氰酸酯基當量=113g/eq.)12g後，進行約3小時之反應。其次，將此反應物冷卻至室溫後，於其中加入聯伸苯基型酚樹脂(明和化成公司製、MEH-7851M、羥基當量=210g/eq.)29g，與二乙二醇二甲基醚(東京化成工業公司製)60g，於攪拌中昇溫至80℃，並進行約4小時之反應。使用FT-IR確認2250cm-1之NCO波峰是否消 失。將NCO波峰消失之時點視為反應之終點，將反應物降溫至室溫後，使用100網孔的濾布過濾，製得具有丁二烯構造及聯伸苯基型酚構造之樹脂(以下，亦稱為「樹脂2」)(不揮發成份50質量%)。樹脂2之數平均分子量為4100。
<合成例3>
(具有氫化丁二烯構造及萘酚芳烷基構造之樹脂的合成)
於反應容器中，將2官能性羥基末端氫化聚丁二烯(日本曹達公司製、GI-1000、數平均分子量=1500、羥基當量=830g/eq.)47g，與二乙二醇二甲基醚(東京化成工業公司製)40g、二丁基錫月桂酸酯0.005g混合，使其均勻溶解。於形成均勻狀態時，昇溫至50℃，再於攪拌中，添加異佛爾酮二異氰酸酯(Evonik-Degussa-Japan公司製IPDI、異氰酸酯基當量=113g/eq.)15g後，進行約3小時之反應。其次，將此反應物冷卻至室溫後，於其中添加萘酚芳烷基樹脂(新日鐵住金化學公司製SN-485、羥基當量=215g/eq.)38g，與二乙二醇二甲基醚(東京化成工業公司製)60g，於攪拌中昇溫至80℃，並進行約4小時之反應。使用FT-IR確認2250cm-1之NCO波峰是否消失。將NCO波峰消失之時點視為反應之終點，將反應物降溫至室溫後，使用100網孔的濾布過濾，製得具有丁二烯構造及萘酚芳烷基構造之樹脂(以下，亦稱為「樹脂3」)(不揮發成份50質量%)。樹脂3之數平均分子量為 3100。
<合成例4>
(具有聯二甲酚構造及雙酚AF構造之苯氧基樹脂的合成)
於反應容器中，將聯二甲酚型環氧樹脂(三菱化學公司製YX4000、環氧當量185)190g、雙酚AF(東京化成工業公司製、分子量336)168g、環己酮200g置入，進行攪拌使其溶解。其次，滴入四甲基銨氯化物溶液0.5g，於氮雰圍下，進行180℃、5小時之反應。反應結束後、使用濾布進行過濾，經溶劑稀釋後製得苯氧基樹脂(固形成份30質量%之MEK與環己酮之1：1溶液)(以下，具有聯二甲酚構造及雙酚茀構造之苯氧基樹脂亦稱為「樹脂A」)。樹脂A之環氧當量為11200、重量平均分子量為33000。又，樹脂A，具有以下之結構單位。
Figure 106120390-A0202-12-0060-3
<實施例1>
將雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學公司製「YL7760」、 環氧當量238)5份、苯氧基樹脂(三菱化學公司製「YX7553BH30」、固形成份30質量%之環己酮：MEK為1：1溶液)10份、環己酮1.5份、甲基乙基酮(MEK)1.5份於攪拌中進行加熱溶解。將加熱溶解後之成份冷卻至室溫，於其中，混合樹脂1 10份、硬化促進劑(四國化成工業公司製「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)0.5份，及難燃劑(三光公司製「HCA-HQ-HST」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-菲-10-氧化物、平均粒徑1.5μm)2份，及經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理後之球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每一單位表面積之碳量0.38mg/m2)15份，使用高速迴轉混練機均勻分散，以匣式(cartridge)過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，而製得樹脂塗料1。
準備一作為支撐體之經醇酸樹脂系離型劑(琳德公司製「AL-5」)離型處理的PET薄膜(東麗公司製「Lumirror R80」、厚度38μm、軟化點130℃、「離型PET」)。使用樹脂塗料1，以乾燥後的樹脂組成物層之厚度為40μm之方式將樹脂塗料1均勻地塗佈於該離型面上，於80~120℃(平均100℃)乾燥5分鐘後，將保護薄膜之聚丙烯薄膜(王子f-tex公司製「Alphand MA-411」、厚度15μm)的粗面，以連接樹脂組成物層之方式貼合，而製得樹脂薄片1。
<實施例2>
將聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC3000L」、環氧當量272)3份、環己酮2.5份、MEK2.5份於攪拌中進行加熱溶解。將加熱溶解後之成份冷卻至室溫，於其中，混合樹脂1 15份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)0.5份，及經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C4」、平均粒徑1μm、每一單位表面積之碳量0.31mg/m2)35份，使用高速迴轉混練機均勻分散，以匣式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，而製得樹脂塗料2。
於製造樹脂薄片1之過程中，將樹脂塗料1變更為樹脂塗料2。除以上事項以外，其他皆依與實施例1相同方法製得樹脂薄片2。
<實施例3>
將雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學公司製「YL7760」、環氧當量238)4份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC3100」、環氧當量258)1份、樹脂A 12份、環己酮1份、甲基乙基酮(MEK)1份於攪拌中進行加熱溶解。將加熱溶解後之成份冷卻至室溫，於其中，混合樹脂2 20份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「1B2PZ- 10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)0.5份，及經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每一單位表面積之碳量0.38mg/m2)10份，使用高速迴轉混練機均勻分散，以匣式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，而製得樹脂塗料3。
於製造樹脂薄片1之過程中，將樹脂塗料1變更為樹脂塗料3。除以上事項以外，其他皆依與實施例1相同方法製得樹脂薄片3。
<實施例4>
將雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學公司製「YL7760」、環氧當量238)2份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC3000L」、環氧當量272)2份、樹脂A 12份、環己酮1.5份、甲基乙基酮(MEK)1.5份於攪拌中進行加熱溶解。將加熱溶解後之成份冷卻至室溫，於其中，混合樹脂3 10份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)0.5份，及難燃劑(三光公司製「HCA-HQ-HST」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-菲-10-氧化物、平均粒徑1.5μm)1份，及經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每一單 位表面積之碳量0.38mg/m2)20份，使用高速迴轉混練機均勻分散，以匣式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，而製得樹脂塗料4。
於製造樹脂薄片1之過程中，將樹脂塗料1變更為樹脂塗料4。除以上事項以外，其他皆依與實施例1相同方法製得樹脂薄片4。
<實施例5>
將二甲苯構造含有環氧樹脂(三菱化學公司製「YX7700」、環氧當量270)3份、環己酮2.5份、MEK2.5份於攪拌中進行加熱溶解。將加熱溶解後之成份冷卻至室溫，於其中，混合樹脂1 15份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)0.5份，及，經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C4」、平均粒徑1μm、每一單位表面積之碳量0.31mg/m2)35份，使用高速迴轉混練機均勻分散，以匣式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，而製得樹脂塗料5。
於製造樹脂薄片1之過程中，將樹脂塗料1變更為樹脂塗料5。除以上事項以外，其他皆依與實施例1相同方法製得樹脂薄片5。
<實施例6>
將二環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製「HP-7200」、環氧當量258)4份、難燃劑(大八化學工業公司製「PX-200」)2份、環己酮2.5份、MEK2.5份於攪拌中進行加熱溶解。將加熱溶解後之成份冷卻至室溫，於其中，混合樹脂1 15份、活性酯硬化劑(DIC公司製「EXB-8000L-65TM」、固形成份65質量%之MEK/甲苯溶液、活性酯當量220)2份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)0.5份，及，經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C4」、平均粒徑1μm、每一單位表面積之碳量0.31mg/m2)35份，使用高速迴轉混練機均勻分散，以匣式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，而製得樹脂塗料6。
於製造樹脂薄片1之過程中，將樹脂塗料1變更為樹脂塗料6。除以上事項以外，其他皆依與實施例1相同方法製得樹脂薄片6。
<實施例7>
將萘型環氧樹脂(DIC公司製「HP4032SS」、環氧當量142)3份、樹脂A 12份、環己酮1.5份、甲基乙基酮(MEK)1.5份於攪拌中進行加熱溶解。將加熱溶解後之成份冷卻至室溫，於其中，混合樹脂3 10份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基 咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)0.5份，及難燃劑(三光公司製「HCA-HQ-HST」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-菲-10-氧化物、平均粒徑1.5μm)2份，及經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每一單位表面積之碳量0.38mg/m2)20份，使用高速迴轉混練機均勻分散，以匣式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，而製得樹脂塗料7。
於製造樹脂薄片1之過程中，將樹脂塗料1變更為樹脂塗料7。除以上事項以外，其他皆依與實施例1相同方法製得樹脂薄片7。
<比較例1>
將雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學公司製「YL7760」、環氧當量238)5份、苯氧基樹脂(三菱化學公司製「YX7553BH30」、固形成份30質量%之環己酮：MEK為1：1溶液)10份、環己酮1.5份、甲基乙基酮(MEK)1.5份於攪拌中進行加熱溶解。將加熱溶解後之成份冷卻至室溫，於其中，混合2官能性羥基末端聚丁二烯(日本曹達公司製G-3000、數平均分子量=3000、羥基當量=1800g/eq.)4份、聯伸苯基型酚樹脂(明和化成公司製MEH-7851M溶液(羥基當量=210g/eq.)、不揮發成份60質量%之MEK溶液)2份，及難燃劑(三光公司製「HCA-HQ- HST」、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-菲-10-氧化物、平均粒徑1.5μm)2份，及經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每一單位表面積之碳量0.38mg/m2)15份，欲使用高速迴轉混練機分散以製造樹脂塗料8，但仍可見分離物，而無法進行過濾。
依樹脂薄片1之製造方法，將樹脂塗料1變更為樹脂塗料8而嘗試製作樹脂薄片8，但無法形成均勻的塗膜(薄膜製膜性)，而無法製得樹脂薄片8。因此，無法進行樹脂組成物層之最低熔融黏度、銅箔剝離強度、耐回焊性，及難燃性之評估。
<比較例2>
將樹脂1 20份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)0.5份，及，經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C4」、平均粒徑1μm、每一單位表面積之碳量0.31mg/m2)35份混合，使用高速迴轉混練機均勻分散，以匣式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，而製得樹脂塗料9。
於製造樹脂薄片1之過程中，將樹脂塗料1變更為樹脂塗料9。除以上事項以外，其他皆依與實施例1相 同方法製得樹脂薄片9。
<比較例3>
將雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學公司製「YL7760」、環氧當量238)3份、苯氧基樹脂(三菱化學公司製「YX7553BH30」、固形成份30質量%之環己酮：MEK為1：1溶液)10份、苯氧基樹脂(三菱化學公司製「1256B40」、固形成份40質量%之MEK溶液)5份、環己酮1份、甲基乙基酮(MEK)1份於攪拌中進行加熱溶解。將加熱溶解後之成份冷卻至室溫，於其中，混合樹脂1 20份、硬化促進劑(四國化成工業公司製、「1B2PZ-10M」、1-苄基-2-苯基咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)0.5份，及經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每一單位表面積之碳量0.38mg/m2)5份，使用高速迴轉混練機均勻分散，以匣式過濾器(ROKITECHNO公司製「SHP050」)過濾，而製得樹脂塗料10。
於製造樹脂薄片1之過程中，將樹脂塗料1變更為樹脂塗料10。除以上事項以外，其他皆依與實施例1相同方法製得樹脂薄片10。
下述表中之簡稱等係如以下所示。
樹脂1：合成例1合成之具有丁二烯構造與聯伸苯基型酚構造之樹脂
樹脂2：合成例2合成之具有丁二烯構造與聯伸苯基型酚構造之樹脂
樹脂3：合成例3合成之具有氫化丁二烯構造與萘酚芳烷基構造之樹脂
YL7760：雙酚AF型環氧樹脂(三菱化學公司製、環氧當量238)
NC3000L：聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製、環氧當量272)
NC3100：聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製、環氧當量258)
YX7700：二甲苯構造含有環氧樹脂(三菱化學公司製、環氧當量270)
HP-7200：二環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製、環氧當量258)
HP4032SS：萘型環氧樹脂(DIC公司製、環氧當量142)
SO-C2：經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C2」、平均粒徑0.5μm、每一單位表面積之碳量0.38mg/m2)
SO-C4：經胺基矽烷系耦合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)表面處理的球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SO-C4」、平均粒徑1μm、每一單位表面積之碳量0.31mg/m2)
YX7553BH30：苯氧基樹脂(三菱化學公司製、固形成份30質量%之環己酮：MEK為1：1溶液)
1256B40：苯氧基樹脂(三菱化學公司製、固形成份40質量%之MEK溶液)
樹脂A：合成例4合成之具有聯二甲酚構造及雙酚茀構造之苯氧基樹脂
1B2PZ-10M：硬化促進劑(四國化成工業公司製、1-苄基-2-苯基咪唑、固形成份10質量%之MEK溶液)
HCA-HQ-HST：難燃劑(三光公司製、10-(2,5-二羥基苯基)-10-氫-9-氧雜-10-菲-10-氧化物、平均粒徑1.5μm)
PX-200：難燃劑(大八化學工業公司製)
G-3000：2官能性羥基末端聚丁二烯(日本曹達公司製、數平均分子量=3000、羥基當量=1800g/eq.)
MEH-7851M：聯伸苯基型酚樹脂(明和化成公司製、羥基當量=210g/eq.)
(a)成份之含量：表示樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(a)成份之含量(質量%)。
(b)成份之含量：表示樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(b)成份之含量(質量%)。
(c)成份之含量：表示樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(c)成份之含量(質量%)。

Claims (18)

  1. 一種樹脂組成物，其為含有(a)具有(i)可氫化之丁二烯結構單位以及(ii)由聯伸苯基型酚結構單位及萘酚芳烷基結構單位所成之群所選出之1種以上的結構單位之化合物、(b)1分子中，具有2個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂，及(c)無機填充材料的樹脂組成物，其特徵為，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(c)無機填充材料為30質量%以上。
  2. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(b)成份為由1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及氟原子之環氧樹脂；雙酚A型環氧樹脂；雙酚F型環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的聯苯構造之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的縮合環之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的二甲苯構造之環氧樹脂；1分子中具有1個以上的縮水甘油胺基、1個以上的環氧基及1個以上的芳香環之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及二環戊二烯基構造之環氧樹脂；及1分子中具有2個以上的氧化縮水甘油苯構造之環氧樹脂； 所成之群所選出之1個以上者。
  3. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(b)成份為由1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及氟原子之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的聯苯構造之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的縮合環之環氧樹脂；1分子中具有2個以上的環氧基及1個以上的二甲苯構造之環氧樹脂；及1分子中具有2個以上的環氧基、1個以上的芳香環及二環戊二烯基構造之環氧樹脂；所成之群所選出之1個以上者。
  4. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(a)成份之數平均分子量為1000~20000。
  5. 如請求項1之樹脂組成物，其中，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(a)成份含量為3質量%~40質量%。
  6. 如請求項1之樹脂組成物，其中，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(b)成份含量為2質量%~30質量%。
  7. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(b)成份之環氧當 量為200以上。
  8. 如請求項1之樹脂組成物，其尚含有(d)苯氧基樹脂。
  9. 如請求項8之樹脂組成物，其中，(d)成份為含有雙酚AF結構之苯氧基樹脂。
  10. 如請求項8之樹脂組成物，其中，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(d)成份含量為1質量%~20質量%。
  11. 如請求項1之樹脂組成物，其尚含有(e)硬化劑。
  12. 如請求項1之樹脂組成物，其尚含有(g)難燃劑。
  13. 如請求項12之樹脂組成物，其中，於樹脂組成物的不揮發成份設定為100質量%時，(g)成份含量為1質量%~20質量%。
  14. 一種樹脂薄片，其特徵為，具有支撐體，與設置於該支撐體上的含有如請求項1~13中任一項之樹脂組成物的樹脂組成物層。
  15. 如請求項14之樹脂薄片，其為半導體晶片封裝之絕緣層用樹脂薄片。
  16. 一種線路基板，其特徵為，含有由如請求項1~13中任一項之樹脂組成物的硬化物所形成之絕緣層。
  17. 一種半導體晶片封裝，其特徵為，於如請求項16之線路基板上，搭載半導體晶片而得者。
  18. 一種半導體晶片封裝，其特徵為，含有由如請求項1~13中任一項之樹脂組成物或由如請求項14或15之樹脂薄片所密封的半導體晶片者。
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