TWI676583B - 教示夾具、基板處理裝置及教示方法 - Google Patents

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Abstract

根據本發明，提供一種可進行高品質之基板 處理的技術。
教示夾具，係具有：第1板體，決定相對 於保持基板之基板保持具之前後方向的基板載置位置；第2板體，被設置為正交於前述第1板體，並且往前後方向移動自如，並決定相對於前述基板保持具之左右方向的基板載置位置；及定位用之目標銷，被設置於前述第1板體。

Description

教示夾具、基板處理裝置及教示方法
本發明，係關於教示夾具、基板處理裝置及教示方法。
作為半導體裝置(元件)之製造工程的一工程，有將基板載置於基板保持具且收容於反應爐，進行成膜或退火等之各種基板處理的情形。在進行該些工程的基板處理裝置中，成為處理對象的基板，係藉由被預先設置於裝置內的基板移載裝置，在基板保持具與基板收容容器之間加以搬送。
像這樣的基板移載裝置所致之用以決定基板之基板保持具或基板收容容器中之搬送位置的作業(教示)，係以往取決於作業員的感覺而進行。亦即，以往的教示方法，係使用了所謂下述的手法：在決定例如基板保持具之搬送位置的情況下，作業員一邊目測確認基板與基板保持具的間隙(間距)，一邊操作基板移載裝置，使基板相對於基板保持具而搬送至預定的基板載置位置，從而決定搬送位置。因此，存在有所謂下述的問題：該作業，係因作業員的熟練度而產生偏差，在各裝置中無法以固定 的精度來進行教示作業，從而無法進行適當的基板處理(例如參閱專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第2898587號公報
本發明之目的，係提供一種可進行高品質之基板處理的技術。
根據本發明之一態樣，提供一種使用了教示夾具的技術，該教示夾具，係具有：第1板體，決定相對於保持基板之基板保持具之前後方向的基板載置位置；第2板體，被設置為正交於前述第1板體，並且往前後方向移動自如，並決定相對於前述基板保持具之左右方向的基板載置位置；及定位用之目標銷，被設置於前述第1板體。
根據本發明，可進行高品質之基板處理。
10‧‧‧教示夾具
12‧‧‧第1板體
12a‧‧‧前端部
13‧‧‧第2板體
13a-1，13a-2‧‧‧圓弧部
13b，13c，13d，13e‧‧‧縫隙
14‧‧‧第3板體
15a，15b‧‧‧卡合銷固
18‧‧‧目標銷
18a，18b，18c‧‧‧段差部
20‧‧‧反射防止構件
125a‧‧‧晶圓移載裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
217‧‧‧晶舟(基板保持具)
217a-1，217a-2，217a-3‧‧‧晶舟柱(基板保持柱)
240‧‧‧控制器
[圖1]本發明的實施形態中所適用之基板處理裝置的概略構成圖。
[圖2]本發明的實施形態中所適用之基板處理裝置的側面剖面圖。
[圖3]本發明的實施形態中所適用之基板處理裝置之控制器的概略構成圖，且為以方塊圖來表示控制器之控制系統的圖。
[圖4]表示本發明的實施形態中所適用之基板移載裝置的概略構成圖。
[圖5]說明本發明的實施形態中所適用之教示夾具之載置位置的示意圖。
[圖6](a)，係表示本發明的實施形態中所適用之教示夾具之外觀的平面圖。(b)，係表示圖6(b)所示之教示夾具之外觀的底視圖。
[圖7]表示在晶舟載置了本發明的實施形態中所適用之教示夾具之狀態的示意圖。
[圖8]以圖7的B-B中之剖面來表示了本發明的實施形態中所適用之教示夾具的縱剖面圖。
[圖9](a)，係表示本發明的實施形態中所適用之教示夾具之目標銷周邊的底面放大圖。(b)，係圖9 (a)所示之教示夾具之目標銷周邊的側面放大圖。
[圖10](a)，係說明在晶舟設置本發明的實施形態中所適用之教示夾具之動作的示意圖，且為進行X軸方向之定位之態樣的圖。(b)，係說明在晶舟設置本發明的實施形態中所適用之教示夾具之動作的示意圖，且為從圖9(a)所示之位置進行Y軸方向之定位之態樣的圖。 (c)，係說明在晶舟設置本發明的實施形態中所適用之教示夾具之動作的示意圖，且為從圖9(b)所示之位置進行R軸方向之定位之態樣的圖。
[圖11]說明使用了本發明的實施形態中所適用之教示夾具之檢測部之檢測動作的流程圖。
[圖12](a)，係說明使用了本發明的實施形態中所適用之教示夾具之R軸之檢測動作的示意圖。(b)，係說明使用了本發明的實施形態中所適用之教示夾具之Y軸之檢測動作的示意圖。(c)，係說明使用了本發明的實施形態中所適用之教示夾具之X軸之檢測動作的示意圖。 (d)，係說明使用了本發明的實施形態中所適用之教示夾具之Z軸之檢測動作的示意圖。
[圖13]表示了本發明的實施形態中所適用之基板處理工程的流程圖。
(1)基板處理裝置之構成
以下，基於圖面，其次說明本發明之一實施形態。
如圖1及2所示，收容作為由矽等所構成之基板的晶圓200一預定片數，並將晶圓盒(亦被稱為FOUP、POD。以下稱為晶盒)110使用來作為晶圓載體，該晶圓載體，係作為收容容器使用。基板處理裝置100，係具備有作為基板處理裝置本體使用的殼體111。另外，在圖1中，將後述的維修門104側定義為裝置前述，並將待機部126側定義為裝置後方，且即便在其他圖面中說明為相對於裝置之前後方向的情況下，係亦藉由同一定義來進行說明。
在殼體111之正面壁111a的正面前方部，係開設有被設成為可維修之作為開口部的正面維修口103，並分別設有開關該正面維修口103的正面維修門104。在殼體111的正面壁111a，係以連通殼體111之內外的方式，開設有晶盒搬入搬出口112，晶盒搬入搬出口112，係可藉由前遮擋板(front shutter)113來開關。在晶盒搬入搬出口112的正面前方側，係設置有作為搬入搬出部使用的裝載埠114，裝載埠114，係被構成可載置晶盒110而對而進行對位。晶盒110，係在裝載埠114上，藉由OHT(Overhead Hoist Transport)等之未圖示的工程內搬送裝置被搬入、搬出。
在殼體111內之前後方向的大致中央部中之上部，係設置有晶盒架(收容架)105。晶盒架105，係具備有：垂直立設之支撐部116；及複數段之載置部117，對於支撐部116，例如在上中下段的各位置中，可分別獨立地 往垂直方向移動而保持，晶盒架105，係被構成為在將複數個晶盒110分別載置於複數段之載置部117後的狀態下加以保持。亦即，晶盒架105，係將例如2個晶盒110朝同一方向而配置於一直線上，並於垂直方向複數段地收容複數個的晶盒110。
在框體111內的裝載埠114與晶盒架105之間，係設置有晶盒搬送裝置(收容容器搬送機構)118。晶盒搬送裝置118，係由晶盒升降機118a與晶盒搬送部118b而構成，該晶盒升降機118a，係作為可保持著晶盒110的狀態下而在垂直方向上升降的軸部，該晶盒搬送部118b，係作為載置晶盒110而在水平方向上搬送的搬送部，晶盒搬送裝置118，係被構成為藉由晶盒升降機118a與晶盒搬送部118b的連續動作，在與裝載埠114、晶盒架105、晶盒開啟器121之間搬送晶盒110。
在殼體111內之前後方向的大致中央部中之下部，係副殼體119被構築於後端。在副殼體119的正面壁119a，係例如在垂直方向，以排列成上下二段的方式，開設有用以對副殼體119內搬入搬出晶圓200的晶圓搬入搬出口120，在上下段之晶圓搬入搬出口120，係分別設置有一對晶盒開啟器121。晶盒開啟器121，係具備有：載置台122，載置晶盒110；及蓋裝卸機構123，裝卸作為密閉構件使用之晶盒110的蓋。晶盒開啟器121，係被構成為藉由蓋裝卸機構123來裝卸被載置於載置台122之晶盒110的蓋，藉此，開關晶盒110之晶圓出入口。
副殼體119，係構成與晶盒搬送裝置118或晶盒架105之設置空間流體地隔絕的移載室124。在移載室124的前側領域，係設置有晶圓移載機構(基板移載機構)125，晶圓移載機構125，係由晶圓移載裝置(基板移載裝置)125a與晶圓移載裝置升降機125b而構成，該晶圓移載裝置125a，係可使晶圓200在水平方向旋轉乃至直線運動，該晶圓移載裝置升降機125b，係用以使晶圓移載裝置125a升降。如圖1示意地表示，晶圓移載裝置升降機125b，係被設置於副殼體119的移載室124右側面。構成為藉由該些晶圓移載裝置升降機125b及晶圓移載裝置125a的連續動作，將作為晶圓移載裝置125b之基板保持體(基板移載機)的晶圓夾125c作為晶圓200之載置部，對於作為基板保持具的晶舟217裝填(裝載)及脫裝(卸載)晶圓200。
在移載室124的後側領域，係構成有收容晶舟217而使其待機的待機部126。待機部126的上方，係設置有作為處理室使用的處理爐202。處理爐202的下端部，係被構成為藉由爐口遮擋板147加以開關。並且，在欲藉由晶圓處理條件等來降低氧濃度等的情況下，亦可因應所需，以包圍處理爐202之正下方之待機部126的方式，設置未圖示的預備室(裝載鎖定室)，預先降低氧濃度，或進行被基板處理之晶圓的冷卻等。
如圖1示意地表示，在待機部126右側面，係設置有用以使晶舟217升降的晶舟升降機115。在作為被連 結於晶舟升降機115的升降台之連結具的臂128，係水平地安裝有作為蓋體的密封蓋219，密封蓋219，係被構成為垂直地支撐晶舟217，並可閉塞處理爐202的下端部。晶舟217，係具備有作為複數根基板保持柱的晶舟柱217a，且被構成為在使複數片(例如25~200片左右)晶圓200其中心一致而多段地排列於垂直方向的狀態下，分別保持於水平。本實施形態中之晶舟217，係如圖7所示，具備有：2根晶舟柱217a-1，217a-2，相互相向配置；及晶舟柱217a-3之3根晶舟柱，從該些晶舟柱217a-1，217a-2沿著晶舟之頂板及底板的周方向，被配置於已旋轉90度的位置。
如圖1示意地表示，在移載室124的晶圓移載裝置升降機125b側及與晶舟升降機115側相反側即左側面，係設置有由供給風扇及防塵過濾器所構成的潔淨單元134，該供給風扇，係供給經清淨化的氛圍或惰性氣體即潔淨空氣133。從潔淨單元134所吹出的潔淨空氣133，係被構成為在流通於晶圓移載裝置125a、待機部126即晶舟217後，藉由未圖示之管路吸入而排放至殼體111的外部，或循環至潔淨單元134之吸入側即供給側(左側面側)，並再度藉由潔淨單元134而吹出至移載室124內。
如圖3所示，控制部(控制手段)即控制器240，係被構成為具備有CPU(Central Processing Unit)240a、RAM(Random Access Memory)240b、記憶裝置240c、I/O埠240d的電腦。RAM240b、記憶裝置240c、I/O埠240d，係被構成為經由內部匯流排240e，可與CPU240a 進行資料交換。在控制器240，係連接有被構成為例如觸控面板等的輸出入裝置242。
記憶裝置240c，係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等而構成。在記憶裝置240c內，係可讀取地儲存有控制基板處理裝置之動作的控制程式，或記載了後述之基板處理之程序或條件等的製程配方等。製程配方，係以可使控制器240執行後述之基板處理工程中的各程序而獲得預定結果的方式所組合而成者，並且作為程式而發揮功能。以下，亦將該製程配方或控制程式等總括地簡稱為程式。在本說明書中，在使用程式這一術語的情況下，係存在有僅包含製程配方單一個的情形、僅包含控制程式單一個的情形、或包含該兩者的情形。RAM240b，係被構成為暫時性地保持藉由CPU240a所讀取到之程式或資料等的記憶體區域(工作區)。
I/O埠240d，係被連接於上述的晶盒搬送裝置118、晶圓移載機構125、後述的檢測部300、晶舟升降機115等。
CPU240a，係被構成為從記憶裝置240c讀出並執行控制程式，並且，因應來自輸出入裝置242之操作指令的輸入等，從記憶裝置240c讀出製程配方。CPU240a，係被構成為沿著所讀出之製程配方的內容，控制晶盒搬送裝置118所致之晶盒110的搬送動作、晶圓移載機構125所致之晶圓200的裝載及裝載動作、後述之檢測部300所致之晶圓200或教示夾具等的檢測、晶舟升降機115所致之晶舟 217的升降動作等。
控制器240，係可藉由將程式安裝至電腦的方式，構成被儲存於外部記憶裝置(例如，硬碟等的磁碟、CD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體等的半導體記憶體)244之上述的程式。記憶裝置240c或外部記憶裝置244，係被構成為電腦可讀取之記錄媒體。以下，亦將該些總括地簡稱為記錄媒體。在本說明書中，在使用記錄媒體這一術語的情況下，係存在有僅包含記憶裝置240c單一個的情形、僅包含外部記憶裝置244單一個的情形、或包含該兩者的情形。另外，對電腦提供程式，係亦可不使用外部記憶裝置244而使用網際網路或專用線路等的通信手段來進行。
其次，使用圖4，詳細地說明晶圓移載裝置125a的構成。
如圖4所示，晶圓移載裝置125a，係主要由下述者所構成：晶圓夾125c，載置並搬送晶圓200；檢測部300，檢測載置晶圓200的位置；及導引部302，導引晶圓夾125c與檢測部300。
導引部302，係被構成為作為晶圓移載裝置125a之台座且往水平方向旋轉自如，並在上面具有將晶圓夾125c沿一軸方向引導的例如2根導引軌302a。在本實施形態中，2根導引軌302a，係被形成為大致平行。
晶圓夾125c，係被裝設於固定晶圓夾125c之移動方向的固定部304，而固定部304沿著導引軌302a滑 動，晶圓夾125c便被移動。又，因導引部302往水平方向旋轉，故晶圓夾125c會被旋轉。晶圓夾125c，係具有例如U字形狀，於垂直方向水平地安裝有複數片(在本實施形態中，係5片)。
亦即，晶圓移載裝置125a之固定部304沿著導引軌302a在前後方向滑動，藉由導引部302之旋轉，晶圓夾125c往水平方向(後述之左右方向)旋轉，藉由晶圓移載裝置升降機125b，晶圓移載裝置125a往上下方向移動。
檢測部300，係作為例如雷射位移計等的測長單元使用。又，檢測部300，係被保護蓋301覆蓋，且被設置於固定部304之上面的晶圓夾125c附近。以在固定部304設置檢測部300的方式，可檢測與進行移載之晶圓200的固定距離、高度。又，可檢測後述之教示夾具10，基於圖7、圖8中記載的箭頭方向，亦即前後方向(X軸方向)、左右方向(Y軸方向)、上下方向(Z軸方向)、旋轉方向(R軸方向)的座標位置，計算出載置晶圓200的基板載置位置(位置資訊)。在此，在本發明中，係將圖7所示的X軸方向中之圖面下方向定義為前側(前方側)，將圖面上方向定義為後側(後方側)。相同地，將圖7所示的Y軸方向中之圖面左方向定義為左側，將圖面右方向定義為右側。以後，所謂相對於晶舟217之前後方向、左右方向，係指圖7所示的前後方向(在晶舟217搬入．搬出晶圓的方向亦稱為晶圓搬送方向)、左右方向。又，將圖8所示的Z軸方向中之圖面上方向定義為上側，將圖面下方向 定義為下側，以後，所謂相對於晶舟217之上下方向，係指圖8所示的上下方向。
檢測部300，係光學性地檢測教示夾具10的位置之感測器，將該檢測到之檢測資訊作為位置資訊而記憶於記憶裝置240c或外部記憶裝置244。又，來自輸出入裝置242之動作命令被輸入至控制器240，並且，在控制器240所獲得的狀態或編碼值被輸入並記憶於記憶裝置240c或外部記憶裝置244。該編碼值，係晶圓移載裝置125a及晶圓移載裝置升降機125b之驅動馬達產生的脈波數，藉此，可一面檢測晶圓移載裝置125a之移動距離(亦即，晶圓夾125c之移動距離)，一面進行動作控制。
記憶於記憶裝置240c或外部記憶裝置244的位置資訊及編碼值，係如後述般用以控制晶圓移載裝置125a及晶圓移載裝置升降機125b之動作的資料(參數)，在教示後所進行的基板處理工程(實際製程)中之晶圓200的搬送處理中，控制器240，係基於被記憶於記憶裝置240c或外部記憶裝置244的位置資訊及編碼值，使晶圓移載機構125(晶圓移載裝置125a、晶圓移載裝置升降機125b)動作。
為了獲得該位置資訊，而使用教示夾具10。
教示夾具10，係如圖5所示，在處理晶舟柱217a之最上方之縫槽(載置晶圓200之最上面)的晶舟溝與從下起第n個縫槽例如25片晶圓的情況下，係對從下起第2個縫槽的晶舟溝分別設置2個且取得位置資訊，或對各個晶舟溝逐次地設置1個且取得各個位置資訊。將教示夾具10設置於進行教示之際的設置位置即預定位置後，進行位置資訊的取得處理。
如圖6(a)所示，教示夾具10，係由下述者所構成：第1板體12；第2板體13，被設置為正交於第1板體12，並且往前後方向移動自如；及第3板體14，被設置為相對於第2板體13而大致平行地移動自如。
教示夾具10，係與晶舟217之接觸的部分藉由預定樹脂等之難以產生微粒的構件來作成。藉此，在教示操作之際，可抑制污染晶舟217或成為微粒之產生源的情形。
如圖7所示，第1板體12，係長板形狀，前端部12a被設置於作為保持部的晶舟柱217a中後方之晶舟柱217a-3的晶舟溝217b，該保持部，係在後方及左右之保持位置保持晶圓200。又，如圖6(b)所示，在第1板體12之背面側的大致中央，係設置有定位用之目標銷18，該定位用之目標銷18，係決定載置晶圓200的位置。
如圖6(b)、圖8、圖9(a)及圖9(b)所示，目標銷18，係外觀為圓柱形狀，且在前後方向的前面(在圖9(a)及圖9(b)中為右側)形成有段差部18a，18b，18c。段差部18a的前面，係曲面形狀，段差部18b，18c的前面，係平面形狀。另外，相對於段差部18a的前面，段差部18b的前面，係被形成於前後方向後方，段差部18c的前面，係被形成於比段差部18b之前面更往前後方 向後方。
第1板體12之目標銷18的後方，係設置有反射防止構件20。反射防止構件20，係以使從檢測部300所投光之雷射光R碰觸到晶舟柱217a等而不反射或不亂反射的方式，防止誤檢測。
第2板體13，係與第1板體12重疊之部分往前端部12a側突出的板形狀，且在前方的兩端部形成有圓弧部13a-1，13a-2。該圓弧部13a-1，13a-2，係如圖7所示，被形成為具有與假想圓C之圓周相同的曲率半徑。在此，假想圓C，係被形成為具有比晶舟溝217c，217d間距離A大的直徑，並在與晶圓200之載置位置的中心不同之部位具有中心。文，在第2板體13，係形成有被形成為與第1板體12大致平行的複數個(在本實施形態中，係4個)縫隙13b，13c，13d，13e。
縫隙13b，係被成於與第1板體12垂疊的部分。設置於第1板體12的卡合銷15a，係經由縫隙13b被卡合銷固15b卡合於第2板體13，藉此，第2板體13可沿著縫隙13b，相對於第1板體12，在X軸方向滑動。又，縫隙13c，係被形成於配置有第1板體12之目標銷18的位置，藉此，在第2板體13相對於第1板體12滑動之際，目標銷18不會妨礙第2板體之滑動，且可進行後述的教示工程。又，縫隙13d，13e，係以大致平行而相同長度的方式來形成，設置於後述之第3板體14的卡合銷15a，係經由縫隙13d，13e分別被卡合銷固15b卡合於第2板體13，藉此，第3板體14可沿著縫隙13d、13e，相對於第2板體13，在X軸方向滑動。
如圖7所示，圓弧部13a-1，13a-2，係分別接觸於左右的晶舟柱217a-1、217a-2，且第2板體13被載置於晶舟溝217c，217d。藉由圓弧部13a-1，13a-2被形成於具有大於晶舟溝217c，217d間之距離A的直徑之假想圓C上的方式，決定晶舟溝217c，217d間的垂直2等分位置，並決定Y軸方向的大致中心位置。
第3板體14，係長板形狀，且沿著上述的2個縫隙13d，13e，移動自如地卡合於第2板體13。亦即，第3板體14，係被構成為相對於第1板體12大致垂直地移動自如，相對於第2板體13大致水平地移動自如。又，第3板體14之長邊方向的長度，係亦可構成為比第2板體13之長邊方向的長度長。
(2)教示工程
其次，參閱圖10、圖11、圖12，說明關於使用上述之教示夾具10，進行半導體裝置之製造工程的一工程亦即作為後述之基板處理工程的準備工程之晶圓移載裝置125a之教示的工程。
如圖10(a)所示，教示夾具10，係首先，作為步驟S10，決定載置教示夾具10之晶舟217的晶舟溝217b，217c，217d，進行Z軸方向的定位。當載置教示夾具10的晶舟溝217b，217c，217d決定時，則作為步驟 S12，使教示夾具10在3根晶舟柱217a-1，217a-2，217a-3間旋轉且進行插入，並在後方之晶舟柱217a-3的晶舟溝217b內，將第1板體12之前端部12a抵壓至晶舟柱217a-3，進行X軸方向的定位。而且，如圖10(b)所示，作為步驟S14，在前方之2個晶舟柱217a-1，217a-2的晶舟溝217c，217d內，將第2板體13之左右的圓弧部13a-1，13a-2抵壓至左右的晶舟柱217a-1，217a-2，進行Y軸方向的定位(左右均等的位置取出)。而且，如圖10(c)所示，作為步驟S16，使第3板體14滑動而抵壓至前方的2個晶舟柱217a-1，217a-2，進行旋轉方向(R軸方向)的定位。
目標銷18，係被固定於第1板體12中與前端部12a隔開固定距離的位置，亦即在將晶圓200載置晶舟217後時之位於從晶舟柱217a-3至晶圓中心之距離的部位。藉此，可將第1板體12的前端部12a抵壓至晶舟溝217b之晶舟柱217a-3，決定X軸方向的中心位置。其次，將第2板體13的圓弧部13a-1、13a-2分別抵壓至晶舟溝217c，217d之晶舟柱217a-1，217a-2，決定Y軸方向的中心位置。其後，使第3板體14接觸於晶舟溝217c、217d之晶舟柱217a-1，217a-2，藉此，決定R軸方向。藉由以像這樣之順序來設置教示夾具10的方式，可在晶舟217之中心位置(晶圓200之中心位置)設置目標銷18，並在晶舟溝217b，217c，217d內，於X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、R軸方向進行定位於預定位置。亦即，不受限於作業員之目測，相對於晶舟柱217a之間隙被決定成預定間隔，並亦具有設置位置 的再現性，且亦不受限於晶舟柱217a間之距離等的機器差異所致之尺寸的偏差等而可加以使用。
而且，使用上述構成的教示夾具10，在基板處理裝置100中，係如上述般地進行教示操作，其後，進行晶圓200之搬送處理。首先，在教示操作中，作業員在處理晶舟柱217a之最上方之縫槽的晶舟溝與第n個縫槽例如25片晶圓的情況下，係對從下起第2個縫槽的晶舟溝分別設置2個教示夾具10，或對各個晶舟溝逐個地設置1個教示夾具10。而且，在將晶圓移載裝置125a固定於成為動作的基準位置之起始位置後的狀態下，以檢測部300檢測被插填於晶舟217之2個教示夾具10的位置，並將在該檢測處理所獲得的晶圓位置資訊記憶於記憶裝置240c或記憶裝置244。
其次，使用圖11及圖12，說明關於使用了教示夾具10之晶圓移載裝置125a的教示動作。
如圖11所示，在步驟S18中，設定0點，該0點，係設成為晶圓移載裝置125a(檢測部300)之R軸、X軸、Y軸及Z軸的起始位置。
其次，在步驟S20中，使晶圓移載裝置125a往X軸、Y軸及Z軸方向移動，從檢測部300照射雷射光R，檢測教示夾具10之目標銷18的位置。
其次，在步驟S22中，如圖12(a)所示，從檢測部300將雷射光R朝向教示夾具10之第1板體12之前方端部的前面部照射，根據反射光之有無，調整配置有晶圓 200之側面的R軸位置。針對檢測動作，基於晶圓200之半徑與晶舟217之深度的大小，假設(暫時檢測)大概的位置後，重複進行粗檢測與精檢測，並進行實際的檢測動作，該粗檢測，係因重視速度，使檢測部300移動而粗糙地進行位置檢測，該精檢測，係因重視精度，使檢測部300移動而精密地進行位置檢測。另外，亦可在第1板體12之邊緣設置檢測R軸方向之晶圓載置位置的檢測銷。
其次，在步驟S24中，如圖12(b)所示，將晶圓移載裝置125a朝Y軸方向旋轉，藉此，從檢測部300使雷射光R朝Y軸方向旋轉照射，根據反射光之有無，檢測目標銷18之左右兩端，並將其二等分位置(亦即，教示夾具10之中央)設成為Y軸方向的晶圓中心位置而加以檢測。針對檢測動作，基於目標銷18之左右兩端的大小，暫時檢測大概的位置後，重複進行粗檢測與精檢測，並進行實際的檢測動作。
其次，在步驟S26中，如圖12(c)所示，將晶圓移載裝置125a朝X軸方向移動，從檢測部300照射雷射光R，檢測部300基於來自目標銷18的反射光，檢測目標銷18(亦即，教示夾具10之中央)之X軸方向的位置(亦即，教示夾具10之中央與晶圓移載裝置125a的距離)。針對檢測動作，基於晶圓200之半徑與晶舟217之深度的大小，暫時檢測大概的位置後，重複進行粗檢測與精檢測，並進行實際的檢測動作。在本實施形態中，係藉由目標銷18具有複數個段差部的方式，可提高檢測精度，並藉由檢 測段差部18b的方式，作為X軸方向之晶圓中心位置而加以檢測。
其次，在步驟S28中，如圖12(d)所示，將晶圓移載裝置125a朝Z軸方向移動，從檢測部300照射雷射光R，檢測部300基於來自目標銷18的反射光，檢測目標銷18之Z軸方向的位置。針對檢測動作，基於目標銷18之上下方向的大小，假設(暫時檢測)大概的位置後，重複進行粗檢測與精檢測，並進行實際的檢測動作。
亦即，在處理被設置於最上方之縫槽的教示夾具10與例如25片晶圓的情況下，係藉由檢測被設置於從下起第2個縫槽之晶舟溝的教示夾具10之R軸與X軸與Y軸與Z軸的方式，檢測被載置於晶舟217之晶圓的中心位置。
如此一來，檢測部300，係具備有檢測R軸方向、Y軸方向及Z軸方向之位置和X軸方向之距離的機能。另外，預先測定檢測部300與晶圓夾125c之中心的位置關係，即便藉由在設置位置與晶圓夾125c之中心不同的檢測部300所獲得之位置資訊來進行動作控制，亦可在實際製程中正確地控制晶圓夾125c的位置。
藉由如以上般進行教示的方式，可將教示夾具10(亦即，實際製程中之晶圓200)插填於晶舟217的位置資訊，係被記憶於記憶裝置240c或外部記憶裝置244。另外，在本實施例中，係藉由晶圓移載裝置125a的5根晶圓夾125c，5片5片地搬送處理晶圓200，且在晶舟柱217a設置預定間隙而插填。在此，預定間隙，係只要為晶舟柱 217a與晶圓200不會接觸之程度的間隙即可，且可以事先設定為設置有該間隙的方式，設置目標銷18的位置。
又，以上的教示工程，係不僅在使基板處理裝置100最初運轉時而進行，且在預定次數之基板處理工程後所進行的維修後進行實施時亦有效。亦即，即便為晶舟217之尺寸因經時變化而產生變化的情況下，亦可教示適當的基板載置位置。
又，上述之實施例，雖係以在晶舟217側之晶圓200的搬送處理之教示為例而進行了說明，但本發明，係將教示夾具設成為可載置晶舟的形狀，藉此，不僅可應用於晶舟217中之教示，亦可相同地應用於關於對晶盒110之晶圓搬送處理的教示。但是，在關於對晶盒110之搬送處理的教示之際，係不進行R軸檢測。
(3)基板處理工程
其次，使用圖13，說明關於使用了上述的構成之基板處理裝置100的動作。
另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置100之各部的動作，係藉由控制器240加以控制。
當上述的教示工程(步驟S100)結束時，則如圖1及圖2所示，當晶盒110被供給至裝載埠114時，晶盒搬入搬出口112藉由前遮擋板113而開放，裝載埠114上之晶盒110，係藉由晶盒搬送裝置118，從晶盒搬入搬出口112被搬入至殼體111的內部(步驟S102)。所搬入之晶盒 110，係藉由晶盒搬送裝置118，被自動地搬送而收授至晶盒架105所指定的載置部117，並在暫時保管後，從晶盒架105被搬送至一方之晶盒開啟器121而移載於載置台122，或被直接搬送至晶盒開啟器121而移載至載置台122。此時，晶盒開啟器121之晶圓搬入搬出口120，係藉由蓋裝卸機構123進行關閉，在移載室124，係流通並充滿潔淨空氣133。例如，在移載室124中，係充滿作為潔淨空氣133的氮氣，藉此，氧濃度被設定成固定值(例如20ppm)以下，遠低於殼體111之內部(大氣氛圍)的氧濃度。
載置於載置台122的晶盒110，係其開口側端面被推壓至副殼體119的正面壁119a中之晶圓搬入搬出口120的開口緣邊部，並且，藉由蓋裝卸機構123將閉塞晶盒110的蓋拆下，開放晶盒110。
當晶盒110藉由晶盒開啟器121而開放時，則晶圓200，係藉由晶圓移載裝置125a的晶圓夾125c從晶盒110被排出，並裝填於晶舟217，該晶舟217，係待機於位在移載室124之後方的待機部126。在晶舟217收授了預定片數之晶圓200的晶圓移載裝置125a，係返回到晶盒110，並將其次的晶圓200裝填於晶舟217。
此時，在另一方(下段或上段)的晶盒開啟器121，係藉由晶盒搬送裝置118，從晶盒架105搬送並移載其他的晶盒110，同時進行晶盒開啟器121所致之晶盒110的開放作業。
當預先指定之片數的晶圓200被裝填(裝載) 於晶舟217時(步驟S104)，則藉由爐口遮擋板147而關閉之處理爐202的下端部會藉由爐口遮擋板147而開放。接著，保持晶圓200群的晶舟217，係藉由晶舟升降機115使密封蓋219上昇，藉此，被搬入(晶舟裝載)至處理爐202內(步驟S106)。
裝載後，係在處理爐202，對晶圓200實施任意的處理(基板處理)(步驟S108)。
處理後，係以上述之相反的程序，將晶舟217從處理爐202搬出(晶舟卸載)，並從晶舟217將晶圓200釋出(卸載)至晶盒(步驟S112)，晶圓200及晶盒110，係被搬出至殼體的外部(步驟S114)。其後，搬送收容了未處理之晶圓200的其他晶盒110，進行從步驟S102至步驟S114的處理。
(4)本實施形態之效果
根據本實施形態，可獲得以下所示之1或複數個效果。
(a)藉由在教示夾具設置圓弧部的方式，可輕易地進行Y軸方向之定位，並能以相同精度將目標銷配置於基板載置位置。
(b)由於是藉由檢測部來檢測教示夾具之設置位置，藉此，取得晶圓移載裝置之位置資訊而記憶於記憶裝置，因此，不取決於作業員的能力，能以固定之精度來進行晶圓移載裝置的教示作業。
(c)由於可使教示夾具的設置簡易，因此，能大幅地縮短教示時間。
(d)由於能縮短教示時間，因此，能提前實施實際製程，從而能使半導體製造裝置之運轉效率提升。
(e)由於教示之精度成為固定，因此，裝置間的機器差異變小，能以固定之精度來進行基板處理工程。
(f)由於可使教示精度成為固定，因此，即便為基板保持具因經時變化而變形的情況下，亦能設定適當的基板載置位置。
(g)藉由將教示夾具設成為可載置晶舟之形狀的方式，能以相同的方法來對晶舟及晶盒兩者進行教示。
在上述的實施形態中，係說明了關於對縱型基板處理裝置100之晶圓移載裝置215a進行教示的例子。本發明，係不限定於像這樣的態樣，亦可對被設置於例如單片型之基板處理裝置的晶圓移載裝置進行教示。
又，上述的實施例，雖係以同時地搬送5片晶圓200的晶圓移載裝置125a為例而進行了說明，但晶圓移載裝置125a所致之晶圓的搬送片數並不特別限定，可適當地進行設定。又，在本發明中，係可使用各種光學式感測器作為檢測部300，且例如亦可使用將教示夾具或晶圓檢測作為畫像而檢測其位置的感測器。而且，作為檢測部300，係除了光學式感測器以外，亦可使用例如從將超音波發射至對象物而其反射波返回之時間來檢測距離的超音波感測器，且只要為可檢測教示夾具或晶圓的位置者，則 不特別限定其方式。
而且，本發明，係不限於半導體製造裝置，亦可應用於移載如LCD裝置般之玻璃基板的裝置。

Claims (10)

  1. 一種教示夾具，係具有：第1板體，決定相對於保持基板之基板保持具之前後方向的基板載置位置；第2板體，被設置為正交於前述第1板體，並且往前後方向移動自如，並決定相對於前述基板保持具之左右方向的基板載置位置；定位用之目標銷，被設置於前述第1板體；及第3板體，被設置為相對於前述第2板體而平行地移動自如，並推抵於前述基板保持具之保持部，藉此，決定相對於前述基板保持具之旋轉方向的基板載置位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之教示夾具，其中，前述第2板體，係具有：圓弧部，接觸於前述基板保持具的保持部，使前述圓弧部接觸於前述基板保持具之保持部，決定左右方向的基板載置位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之教示夾具，其中，前述基板保持具之保持部，係設置有複數個，前述圓弧部，係被構成為具有比前述保持部間的最大距離大之直徑之假想圓的一部分。
  4. 如申請專利範圍第3項之教示夾具，其中，前述第2板體，係具有：複數個縫隙，被形成為與前述第1板體平行。
  5. 如申請專利範圍第1項之教示夾具，其中，前述第3板體，係被形成為比前述第2板體之長邊方向的長度長。
  6. 如申請專利範圍第1項之教示夾具，其中，前述目標銷，係在上下方向具有複數個段差部，前述複數個段差部的至少1個，係具有檢測前述基板之載置位置之平面形狀的前面。
  7. 如申請專利範圍第6項之教示夾具，其中，前述前面，係被設置於前後方向中與前述晶圓中心位置相同的位置。
  8. 如申請專利範圍第1項之教示夾具，其中，前述第1板體，係在前述目標銷的後方具有反射防止構件。
  9. 一種基板處理裝置，係具有：檢測部：使用教示夾具，檢測該教示夾具之前後方向、左右方向及上下方向的位置，該教示夾具，係具有第1板體、第2板體、定位用之目標銷及第3板體，該第1板體，係決定相對於保持基板之基板保持具之前後方向的基板載置位置，該第2板體，係被設置為正交於前述第1板體，並且往前後方向移動自如，並決定相對於前述基板保持具之左右方向的基板載置位置，該定位用之目標銷，係被設置於前述第1板體，該第3板體，被設置為相對於前述第2板體而平行地移動自如，並推抵於前述基板保持具之保持部，藉此，決定相對於前述基板保持具之旋轉方向的基板載置位置；及控制部，基於藉由檢測部所檢測到的位置資訊，對基板移載裝置進行教示。
  10. 一種教示方法，係使用教示夾具，檢測該教示夾具之前後方向、左右方向及上下方向的位置，並基於所檢測到的位置資訊，對基板移載裝置進行教示，該教示夾具，係具有第1板體、第2板體、定位用之目標銷及第3板體，該第1板體，係決定相對於保持基板之基板保持具之前後方向的基板載置位置，該第2板體，係被設置為正交於前述第1板體，並且往前後方向移動自如，並決定相對於前述基板保持具之左右方向的基板載置位置，該定位用之目標銷，係被設置於前述第1板體，該第3板體，被設置為相對於前述第2板體而平行地移動自如，並推抵於前述基板保持具之保持部，藉此，決定相對於前述基板保持具之旋轉方向的基板載置位置。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11370114B2 (en) 2019-12-09 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Autoteach enclosure system
JP7365924B2 (ja) * 2020-02-13 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 ティーチング方法
US11676845B2 (en) * 2020-06-30 2023-06-13 Brooks Automation Us, Llc Automated teach apparatus for robotic systems and method therefor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321701A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
TW200414399A (en) * 2002-11-15 2004-08-01 Tdk Corp Wafer processing apparatus having wafer mapping function
TW200539270A (en) * 2004-03-25 2005-12-01 Tokyo Electron Ltd Vertical heat treating apparatus and automatic teaching method for transfer mechanism
CN100444348C (zh) * 2005-11-21 2008-12-17 恩益禧电子股份有限公司 传授设备和传授方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3247495B2 (ja) 1993-06-25 2002-01-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板移載機の位置設定方法、及びボートの状態検出方法
JP2898587B2 (ja) 1995-10-05 1999-06-02 国際電気株式会社 半導体製造装置の移載機のティーチング方法
JP3869098B2 (ja) 1997-11-28 2007-01-17 大日本スクリーン製造株式会社 搬送装置、基板搬入搬出装置及び基板処理装置
JP3694808B2 (ja) 2001-04-13 2005-09-14 株式会社安川電機 ウェハ搬送用ロボットの教示方法および教示用プレート
US7033126B2 (en) * 2003-04-02 2006-04-25 Asm International N.V. Method and apparatus for loading a batch of wafers into a wafer boat
JP4079861B2 (ja) * 2003-09-22 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4439993B2 (ja) 2004-05-07 2010-03-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置
JP5004612B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008300414A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JP5284182B2 (ja) * 2008-07-23 2013-09-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US8847122B2 (en) * 2009-06-08 2014-09-30 Macronix International Co., Ltd. Method and apparatus for transferring substrate
WO2012040705A2 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 Rudolph Technologies, Inc. Support for semiconductor substrate
JP2014057047A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びガス供給装置
JP6000743B2 (ja) * 2012-08-10 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20230055404A (ko) * 2012-11-30 2023-04-25 가부시키가이샤 니콘 반송 시스템, 노광 장치, 반송 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조방법, 및 흡인 장치
CN104326209B (zh) * 2014-09-26 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 一种调节治具和显示基板传送装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321701A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
TW200414399A (en) * 2002-11-15 2004-08-01 Tdk Corp Wafer processing apparatus having wafer mapping function
TW200539270A (en) * 2004-03-25 2005-12-01 Tokyo Electron Ltd Vertical heat treating apparatus and automatic teaching method for transfer mechanism
CN100444348C (zh) * 2005-11-21 2008-12-17 恩益禧电子股份有限公司 传授设备和传授方法

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