TWI665947B - 配線板之製造方法 - Google Patents

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TWI665947B
TWI665947B TW107108773A TW107108773A TWI665947B TW I665947 B TWI665947 B TW I665947B TW 107108773 A TW107108773 A TW 107108773A TW 107108773 A TW107108773 A TW 107108773A TW I665947 B TWI665947 B TW I665947B
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中村利美
Toshimi Nakamura
松浦宜範
Yoshinori Matsuura
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日商三井金屬鑛業股份有限公司
Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
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Abstract

提供一種配線板之製造方法,係包含:(a)依序具備支撐體、剝離層及多層配線板之複合層積體之準備製程;(b)將複合層積體載置在載物台上,並使複合層積體的一面密貼在載物台之製程;與(c)一邊使複合層積體的一面密貼在載物台,一邊以支撐體或多層配線板形成曲率半徑200~5000mm的凸曲面之方式將支撐體或多層配線板從剝離層剝離之製程。根據本發明之方法,在無核心配線板等配線板之製造,可以防止支撐體破裂、或多層配線板龜裂或斷線等缺陷發生,作成安定的剝離。

Description

配線板之製造方法
本發明係有關配線板之製造方法。
在無核心堆積法之類的無核心配線板之製造,係進行從具備支撐體/剝離層/多層配線板之複合層積體將支撐體剝離並取出多層配線板之作業。從前,支撐體剝離之主流手法係將支撐體或多層配線板的端部抓持而機械地剝離。
可是,作為最近的趨勢,一方面更多具有剛性的支撐體,但多層配線板變得更薄型。然而,於這樣的狀況欲進行支撐體剝離時,會出現或支撐體破裂、或在多層配線板發生龜裂或斷線等不良情況之問題。
作為在無核心配線板之製造之支撐體剝離手法而有種種的方法被提出。例如,在專利文獻1(日本專利特開2015-005644號公報)提出,將刃物插入剝離層邊界面,且邊使邊界面壓縮空氣進入邊使刃物移動而剝離支撐體之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-005644號公報
然而,專利文獻1之手法,該使用刃物之手法係容易使配線層受到損傷。例如,發生刃物滑動而使配線層受到損傷。此外,抑或發生在刃物插入或移動時於剝離層邊界面無法耐受局部應力而使配線層受到損傷。
本發明人等,這次,得到藉由邊將複合層積體(包含支撐體、剝離層及多層配線板)密貼在載物台、邊以形成指定凸曲面之方式將支撐體或多層配線板從剝離層剝離,而防止支撐體破裂、或多層配線板龜裂或斷線等缺陷之發生,可以作成安定的剝離之見解。
從而,本發明之目的在於,在無核心配線板等配線板之製造,可以防止支撐體破裂、或多層配線板龜裂或斷線等缺陷發生,作成安定的剝離。
根據本發明之一態樣,可提供一配線板之製造方法,包含:(a)依序具備支撐體、剝離層及多層配線板之複合層積體之準備製程;   (b)將前述複合層積體載置在載物台上,並使前述複合層積體的一面密貼在前述載物台之製程;與   (c)一邊使前述複合層積體的一面密貼在前述載物台,一邊以前述支撐體或前述多層配線板形成曲率半徑200~5000mm的凸曲面之方式將前述支撐體或前述多層配線板從前述剝離層剝離之製程。
配線板之製造方法   根據本發明之配線板之製造方法,係包含:(a)複合層積體之準備、(b)複合層積體往載物台上之載置、(c)支撐體或多層配線板之剝離。從而,本發明之配線板之製造方法,也可以稱為支撐體或多層配線板之剝離方法、或者支撐體及多層配線板之分離方法。以下,邊參照圖1~3,邊說明各個製程(a)~(c)。
(a)複合層積體之準備   首先,如圖1(iii)所示,準備依序具備支撐體12、剝離層14及多層配線板25之複合層積體26。此類之複合層積體26在無核心堆積法等多層配線板之製造方法,係相當於剝離支撐體之前之中間製品。又,作為支撐體12之例,可列舉玻璃板、金屬板、陶瓷板、樹脂板等。作為剝離層14之例,可列舉有機剝離層、無機剝離層、碳剝離層、剝離性黏著層等。複合層積體26,係如圖1(iii)所示,最好是藉由在附載體銅箔等層積薄板10上形成相當於多層配線板25之堆積層而進行。以下敘述使用附載體銅箔等層積薄板10的複合層積體26之最佳製造方法。
預先,最好是在複合層積體26端部(特別是剝離層14的邊界面)留入切痕。藉此,於製程(c)的剝離開始階段使複合層積體26不易受到損傷。
亦可在與複合層積體26的支撐體12相反側設置第2支撐體(未圖示)。藉由這作法,在剝離支撐體12時,複合層積體26因為利用第2支撐體而被補強,所以並不需要局部地大大彎曲。亦即,剝離時的彎曲被有效地防止或抑制,結果,可以提升多層配線層之接續可信賴性。最好是第2支撐體透過帶來比剝離層14更高的剝離強度之第2剝離層(未圖示)而被層積在與複合層積體26的支撐體12相反側。藉由第2剝離層帶來比起剝離層14更高的剝離強度,在剝離支撐體12時,可以有效果地進行於第2支撐體與多層配線板25之間(亦即第2剝離層)不使之分離,而於支撐體12與多層配線板25之間(亦即剝離層14)選擇性分離。第2剝離層之構成並未特別限定,可以是被稱作黏著劑層、黏著剝離層、剝離層等之類的公知的層。
(b)複合層積體往載物台上之載置   其次,如圖1(iv)所示,將複合層積體26載置在載物台30上,使複合層積體26的一面密貼在載物台30。密貼在載物台30之面,可以是複合層積體26的支撐體12側,抑或複合層積體26的多層配線板25側。載物台30的形狀並未特別限定,典型上為具有平面之形狀。亦即,載物台30,最好是載置複合層積體26的面為平面。載物台30的材質並未特別限定,可以是金屬、陶瓷、樹脂等,作為最好的陶瓷材料之例,可列舉氧化鋁、氧化鋯、碳化矽等。作為最好的金屬材料之例,可列舉不鏽鋼、鋁、鈦合金等。也可以在載物台30的表面,設置供在與複合層積體26接觸時緩和衝擊或應力用之緩衝薄片。作為緩衝薄片之例可列舉樹脂薄片,特佳者可列舉橡膠薄片、發泡鐵弗龍(登錄商標)薄片、聚氨基甲酸酯薄片。
在製程(b)之載物台30與複合層積體26之密貼強度,最好是比起支撐體12與多層配線板25之剝離強度更大。例如,在製程(b)之載物台30與複合層積體26之密貼強度,為剝離層14的剝離強度之5~250倍佳,較佳為25~150倍、更佳是50~100倍。在如上述的密貼強度時,則容易實現沒有困難的順利剝離。
使複合層積體26密貼在載物台30之手法並未特別限定,可以是單純的接著(例如使用接著劑或黏貼膠帶之接著),抑或真空吸附。最好是真空吸附,在容易進行之後的複合層積體26釋放之點最佳。例如,在圖1所示之構成,在載物台30設置抽吸孔30a,藉由將該抽吸孔30a接續在真空泵或真空抽氣器(未圖示),而可以形成透過抽吸孔30a之真空吸附。如上述,在進行真空吸附之場合,真空吸附時的吸附壓力,係得以將載物台30與複合層積體26之密貼強度、在比起支撐體12與多層配線板25的剝離強度更高之範圍內斟酌設定。吸附壓力,相對於大氣壓典型上為-20~-95KPa,最好是被設定於-40~-90KPa左右。在這樣的壓力範圍時,在複合層積體26不會殘留局部的吸附痕跡,而且,可以進行安定的剝離動作。
(c)支撐體或多層配線板之剝離   最後,如圖2及3所示,一邊使複合層積體26的一面密貼在載物台30,一邊以支撐體12或多層配線板25形成曲率半徑200~5000mm的凸曲面之方式將支撐體12或多層配線板25從剝離層14剝離。以此作法,藉由邊將複合層積體26密貼在載物台30、邊以形成指定凸曲面之方式將支撐體12或多層配線板25從剝離層14剝離,而防止支撐體12破裂、或多層配線板25龜裂或斷線等缺陷之發生,可以作成安定的剝離。亦即,從前,支撐體之剝離手法之主流係將支撐體或多層配線板的端部抓持而機械地剝離,但這類的手法其曲率半徑過小,致使應力集中,容易在支撐體或多層配線板發生損傷。同樣的問題,也適用於專利文獻1記載之類之將刃物插入剝離層邊界面之手法。這點,在本發明,藉由以形成曲率半徑200mm以上的凸曲面之方式剝離支撐體12或多層配線板25,可以迴避起因於小曲率半徑造成的應力集中及損傷的發生。而且,藉由將上述凸曲面的曲率半徑作成5000mm以下、且邊將複合層積體26的一面密貼在載物台30邊進行上述剝離,可以極為簡單地且極有效率地進行剝離,進一步提升生產性。換言之,能以高的生產率且高的生產性製造多層配線板25。
剝離時的支撐體12或多層配線板25所形成之凸曲面的曲率半徑係200~5000mm,以300~3500mm為佳、350~3000mm較佳、600~1900mm特佳、以1000~1800mm最佳。曲率半徑在上述範圍內時可以更有效果地實現上述之本發明之效果。
在製程(c),最好是使複合層積體26之與載物台30相反側的面接觸圓筒狀頭部。在本態樣,圓筒狀頭部,可以是如圖3所示的圓筒狀頭部50使剖面呈圓形之完全的圓筒形狀,抑或如圖2所示的圓筒狀頭部40使剖面呈圓弧或扇形之不完全或部分的圓筒形狀。此外,圓筒狀頭部亦可包含由橢圓而來的形狀。此外,於不損害本發明的效果之範圍,亦可在圓筒狀頭部的表面,實施部分地溝加工或空孔加工、孔加工。圓筒狀頭部的材質並未特別限定,可以是金屬、陶瓷、樹脂等,作為最好之例,可列舉不鏽鋼、鋁、鈦合金等。也可以在圓筒狀頭部的表面,設置供在與複合層積體26接觸時緩和衝擊或應力用之緩衝薄片。作為緩衝薄片之例可列舉矽橡膠薄片。
最好是如圖2所示,1)使複合層積體26之與載物台30相反側的面之端部、密貼在圓筒狀頭部40,其後,2)藉由使圓筒狀頭部40旋轉以增加複合層積體26與圓筒狀頭部40之密貼領域,而從剝離層14將支撐體12或多層配線板25剝離。該場合,藉由使圓筒狀頭部40預先具有曲率半徑200~5000mm,可以利用往圓筒狀頭部40的密貼而對支撐體12或多層配線板25容易賦予曲率半徑200~5000mm之凸曲面。在此態樣,最好是在圓筒狀頭部40設置著抽吸孔40a,該抽吸孔40a接續在真空泵或真空抽氣器。亦即,製程(c)最好是包含真空吸附。藉由這作法,可以更有效果地進行支撐體12或多層配線板25之往圓筒狀頭部40密貼,及由此形成的上述凸曲面的實現。在此態樣,圓筒狀頭部40,為了促進上述密貼,也可設置吸盤、吸附墊片等吸附構件。在該吸附動作,最好是真空吸附,而在這時被設定的吸附壓力為-20~-95KPa佳,為-40~-90KPa左右更佳。在這樣的壓力範圍時,在複合層積體26不會殘留局部的吸附痕跡,而且,可以進行安定的剝離動作。
或者,最好是如圖3所示,1)在複合層積體26端部之支撐體12與多層配線板25之間插入輥子52,其後,2)使圓筒狀頭部50及輥子52邊同步邊旋轉,藉此從剝離層14將支撐體12或多層配線板25剝離。該場合,藉由控制輥子52及圓筒狀頭部50的各徑長、及輥子52及圓筒狀頭部50之位置關係,而可以對支撐體12或多層配線板25容易賦予曲率半徑200~5000mm之凸曲面。在此態樣,一方面使輥子52的插入促進剝離,但可以因為利用圓筒狀頭部50的來自上方的限制(往下方的輕輕壓下)來阻止被剝離的支撐體12或多層配線板25被輥子52抬起而彎曲過度(因此使曲率半徑變得太小)。
在上述之任何態樣,製程(c)之剝離速度為0.01~2.0m/sec佳、0.05~1.0m/sec較佳、為0.1~0.5m/sec更佳。藉由設定在上述範圍內,可以順利且有效率地剝離支撐體及多層配線板。剝離速度,亦可以使從剝離開始時直到剝離結束為止之間改變之方式控制。
在製程(c)之載物台30與複合層積體26之密貼強度,係比起支撐體12與多層配線板25之剝離強度更大。例如,在製程(c)之載物台30與複合層積體26之密貼強度,為剝離層14的剝離強度之5~250倍佳,較佳為25~150倍、更佳是50~100倍。在如上述的密貼強度時,則容易實現沒有困難的順利剝離。
在製程(c)使複合層積體26密貼在載物台30之手法係與製程(b)採用之手法相同即可。從而,在製程(b)已說明之真空吸附等手法也可直接適用於製程(c)。
製程(c)中,也可以在剝離層14的邊界面邊加上壓縮空氣,邊進行輔助剝離。利用這樣,使支撐體12或多層配線板25之剝離變得容易。
製程(c)亦可於液體中進行。例如,剝離層14為黏著層(特別是可溶性黏著層)之場合,藉由於可以溶解黏著層的液體中進行剝離,使支撐體12或多層配線板25之剝離變得容易。
(d)其他   又,於上述之態樣,係著眼於支撐體12或多層配線板25之從剝離層14剝離加以說明,而本發明之製程(c),亦可同樣地適用在第2支撐體(未圖示)或多層配線板25之從第2剝離層(未圖示)剝離。
此外,支撐體12及/或第2支撐體之至少一邊最好是自多層配線板25的端部延伸出。藉由這作法,優點在於在剝離支撐體12或第2支撐體時,可以使往圓筒狀頭部40端部的吸附、或往支撐體12與多層配線板25之間之輥子52的插入變得容易,容易進行剝離。
複合層積體之製造方法   邊參照圖1邊在以下說明本發明的製程(a)之複合層積體之最佳製造方法。複合層積體26之製造方法,係包含(1)層積薄片10之準備、(2)第1配線層18之形成、(3)複合層積體26之形成之各製程。
(1)層積薄片之準備   如圖1(i)所示,準備供形成多層配線板用之成為基底之層積薄片10。層積薄片10,係依序具備支撐體12、剝離層14及金屬層16。層積薄片10,也可以是所謂的附載體銅箔之形態。
支撐體12的材料並未特別限定,可以是玻璃、陶瓷、樹脂、及金屬之任一種。此外,支撐體12的形態也未特別限定,可以是薄片、薄膜、板、及箔之任一種。此外,支撐體12也可以是層積該等薄片、薄膜、板、及箔等之物。例如,支撐體12可以是玻璃板、陶瓷板、金屬板等具有剛性之得以作為支撐體之功能者,亦或金屬箔或樹脂薄膜等不具有剛性的形態。作為支撐體12之最佳例,可列舉金屬片、玻璃片’、陶瓷板(板片)、金屬片及預浸材之層積體、被塗布接著劑之金屬片、樹脂片(特別是硬質樹脂片)。作為支撐體12之金屬最佳例,可列舉銅、鈦、鎳、不鏽鋼、鋁等。作為陶瓷最佳例,可列舉氧化鋁、氧化鋯、氮化矽、氮化鋁(精細陶瓷)等。作為樹脂最佳例,可列舉環氧樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、尼龍樹脂、液晶聚合物、PEEK樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、PTFE樹脂、ETFE樹脂等。更好是,從搭載電子元件時之防止伴隨加熱的無核心支撐體翹曲之觀點而言,熱膨脹係數(CTE)為未滿25ppm/K(為1.0~23ppm/K佳、1.0~15ppm/K較佳、為1.0~10ppm/K更佳)之材料,作為此類之材料之例,可列舉上述之類的各種樹脂(特別是聚醯亞胺樹脂、液晶聚合物等低熱膨脹樹脂)、由上述之類的各種樹脂與玻璃纖維形成之預浸材、玻璃及陶瓷等。此外,由操作處理性或確保晶片組裝時的平坦性之觀點而言,支撐體12之維克氏硬度(Vickers hardness)為500~3000HV佳、550~2500HV較佳、為600~2000HV更佳。
作為滿足該等特性之材料,支撐體12是由樹脂薄膜、玻璃或陶瓷構成者佳,由玻璃或陶瓷構成更佳,由玻璃構成特佳。例如玻璃片。用玻璃作為支撐體12之場合,由於量輕、熱膨脹係數低、絕緣性高、剛直且表面平坦,所以優點是可以將金屬層16的表面作成極度平滑等。此外,支撐體12為玻璃之場合,優點係在電子元件搭載時具有有利的表面平坦性(共面性)之點,在印刷配線板製造製程之除沾污或各種電鍍製程具有耐藥品性之點等。作為構成支撐體12之玻璃之最佳例,可列舉石英玻璃、硼矽酸鹽玻璃、無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、矽酸鋁玻璃、及該等之組合,為無鹼玻璃特佳。無鹼玻璃,係以二氧化矽、氧化鋁、氧化硼、及氧化鈣或氧化鋇等鹼土類金屬氧化物作為主成分,進而含有硼酸之、實質地不含有鹼金屬之玻璃。該無鹼玻璃之優點,由於在0℃起到350℃之寬廣溫度帶域之熱膨脹係數在3~5ppm/K的範圍、低且安定,所以在搭載半導體晶片作成電子元件時,可以最小限度化玻璃翹曲。
支撐體12之厚度為100~2000μm佳,300~1800μm較佳、為400~1100μm更佳。厚度在這樣的範圍內時,可以邊確保對操作處理不會造成妨礙的適切的強度,邊實現印刷配線板的薄型化、及減低搭載電子零件時發生翹曲。
支撐體12的剝離層14側(於存在之場合為密貼金屬層側)的表面,係以具有遵照日本工業標準JIS B 0601-2001被測定之、算術平均粗糙度Ra之0.1~70nm為佳,較佳為0.5~60nm,更佳為1.0~50nm,特佳為1.5~40nm,最佳是2.0~30nm。以此方式算數平均粗糙度愈小,愈能在金屬層16之與剝離層14相反側的表面(金屬層16的外側表面)帶來期望的較低算數平均粗糙度Ra,藉此,而在使用層積片10製造的印刷配線板,成為適於形成線寬間距比(L/S比)達13μm以下/13μm以下(例如12μm/12μm~1μm/1μm)程度為止高度被微細化之配線圖案的形成。
根據要求,層積片10,也可以在支撐體12的剝離層14側的表面具有密貼金屬層及/或剝離輔助層,且最好是依序具有密貼金屬層及剝離輔助層。
根據要求設置之密貼金屬層,由確保與支撐體12的密貼性之點而言,最好是從Ti、Cr及Ni構成的群選擇出之至少1種金屬所構成之層,亦可以是純金屬,亦或合金。構成密貼金屬層之金屬,也可以包含起因於原料成分或成膜製程等之不可避不純物。此外,雖未特別限制,但在密貼金屬層成膜後被暴露在大氣之場合,起因於此而混入的氧的存在是被容許的。密貼金屬層最好是利用濺鍍等氣相法被形成之層。密貼金屬層,使用金屬靶之利用磁控管濺鍍法形成之層者在可以提升膜厚分布均一性之點是特佳。密貼金屬層之厚度為5~500nm佳,10~300nm較佳,18~200nm更佳,為20~150nm特佳。
根據要求設置之剝離輔助層,由將與剝離層14之剝離強度控制在要求的數值之點而言,最好是由銅構成之層。構成剝離輔助層之銅,也可以包含起因於原料成分或成膜製程等之不可避不純物。剝離輔助層最好是利用濺鍍等氣相法被形成之層。剝離輔助層,使用銅靶之利用磁控管濺鍍法形成之層者在可以提升膜厚分布均一性之點是特佳。剝離輔助層之厚度為5~500nm佳,10~400nm較佳,15~300nm更佳,為20~200nm特佳。
剝離層14,只要可以作成支撐體12的剝離之層,材質並未特別限定。例如,剝離層14,可以由被採用作為附載體銅箔的剝離層之公知的材料構成。剝離層14,也可以是有機剝離層或無幾剝離層之任一種。作為被用於有機剝離層之有機成分之例,可列舉含有氮有機化合物、含有硫磺有機化合物、羧酸等。作為含有氮有機化合物之例,可列舉三唑化合物、咪唑化合物等。另一方面,作為被用於無機剝離層之無機成分之例,可列舉Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P、Zn之至少一種類以上之金屬氧化物、金屬與非金屬之混合物、碳層等。於該等之中,特別是剝離層14為主要含碳形成層者由剝離容易性或膜形成性之點等而言佳,較佳為主要由碳或碳化氫形成之層,更佳是由硬質碳膜之非晶碳、或碳-氮混合物形成。剝離層14之厚度係以1~20nm佳,為1~10nm更佳。
由極力減低剝離剝離層14時往第1配線層18之應力集中、將剝離製程容易化之點而言,剝離層14之剝離強度為1~30gf/cm佳,較佳是3~20gf/cm,更佳是4~15gf/cm。剝離層14之剝離強度係以下作法而被測定。首先,在支撐體12上形成剝離層14,在其上形成作為金屬層16形成銅層之層積片,在其上形成厚度18μm的電鍍銅層,形成銅箔層積板。之後,遵照日本工業標準JIS C 6481-1996,測定在剝離與金屬層16成為一體的電鍍銅層時之剝離強度(gf/cm)。
剝離層14之剝離強度,可以利用剝離層14厚度之控制、剝離層14組成之選擇等,而加以控制。
金屬層16係由金屬構成之層,最好是包含下述之可以往第1配線層18給電之給電層16a。金屬層16或給電層16a,以如何的方法被製造出的皆可,例如,可以是利用無電鍍銅法及電解鍍銅法等之濕式成膜法、濺鍍及真空蒸鍍等之物理氣相成膜法、化學氣相成膜、或該等之組合而形成之銅箔。構成給電層16a之最佳的金屬為銅,因此之故,最好的給電層16a能是極薄銅層。特佳的給電層16a,從容易對應於因極薄化造成之精細節距化之觀點而言,係利用濺鍍法或/及真空蒸鍍等氣相法被形成之銅層,最好是利用濺鍍法被製造出的銅層。此外,極薄銅層,最好是無粗化的銅層,但印刷電路板製造時對配線圖案形成只要不帶來障礙因預備的粗化或軟蝕刻處理或洗淨處理、氧化還原處理造成二次的粗化發生者也可以。構成金屬層16的給電層16a(例如極薄銅層)的厚度並未特別限定,而為了對應上述之類的精細節距化,以50~3000nm為佳,70~2500nm較佳,80~2000nm更佳,90~1500nm特佳,再特佳是120~1000nm,最佳是150~500nm。這樣的範圍內的厚度的給電層16a(例如極薄銅層)係在利用濺鍍法被製造出的成膜厚度的面內均一性、在片狀或捲筒狀下的生產性之觀點上佳。
金屬層16之與剝離層14相反側的表面(金屬層16的外側表面),係以具有遵照日本工業標準JIS B 0601-2001被測定之、算術平均粗糙度Ra之1.0~100nm為佳,較佳為2.0~40nm,更佳為3.0~35nm,特佳為4.0~30nm,最佳是5.0~15nm。以此方式算數平均粗糙度愈小,在用層積片10被製造之印刷配線板,成為適於形成線寬間距比(L/S比)達13μm以下/13μm以下(例如12μm/12μm~1μm/1μm)程度為止高度被微細化之配線圖案的形成。又,這樣的平滑的表面之場合,在算術平均粗糙度Ra之測定,最好是採用利用非接觸式表面粗糙度測定法。
金屬層16最好是具有2層以上之層構成。例如,如圖1所示,金屬層16係具有上述的給電層16a之外,也可在給電層16a的剝離層14側的面具有反射防止層16b。亦即,金屬層16也可以是包含給電層16a及反射防止層16b。反射防止層16b最好是由Cr、W、Ta、Ti、Ni及Mo構成的群選擇出之至少1種金屬所構成。反射防止層16b,最好至少給電層16a側的表面為金屬粒子的集合體。反射防止層16b,可以是由全體為金屬粒子的集合體構成之層構造,抑或包含由金屬粒子的集合體形成之層與在其下部非粒子狀之層之複數層構造。構成反射防止層16b的給電層16a側表面之金屬粒子集合體,起因於其金屬質的材質及粒狀形態而呈理想的暗色,該暗色在與由銅構成的配線層之間帶來理想的視覺對比,結果,使影像檢查(例如自動光學檢查(AOI))之視覺辨識性提升。
反射防止層16b係由Cr、W、Ta、Ti、Ni及Mo選擇出的至少1種金屬所構成,是由Ta、Ti、Ni及Mo選擇出之至少1種金屬佳,是由Ti、Ni及Mo選擇出之至少1種金屬更佳,由Ti構成最佳。該等金屬可以是純金屬,抑或合金。總之,該等金屬本質上未被氧化(本質上並非金屬氧化物)因為呈現會提升與銅的視覺上對比之理想的暗色而佳,具體而言,反射防止側16b的氧含有量為0~15原子%佳、較佳是0~13原子%、為1~10原子%更佳。總之,上述金屬,係具有對於銅沖洗蝕刻液不會溶解之性質,結果,可以對於銅沖洗蝕刻液呈優良的耐藥品性。反射防止層16b之厚度為1~500nm佳,10~300nm較佳,20~200nm更佳,為30~150nm特佳。
(2)第1配線層之形成   如圖1(ii)所示,在金屬層16的表面形成第1配線層18。典型上,第1配線層18的形成,係依照公知的手法,經由光阻劑層的形成、電鍍銅的形成、光阻劑層的剝離、及根據要求的銅沖洗蝕刻來進行。例如,如以下。首先,在金屬層16的表面以指定的圖案形成光阻劑層。光阻劑最好是感光性薄膜,例如感光性乾式薄膜。光阻劑層,係利用曝光及顯像而賦予指定的配線圖案即可。在金屬層16的露出表面(亦即於光阻劑層未被遮罩之部分)形成電鍍銅層。電鍍銅係利用公知的手法進行即可,並未特別限定。其次,將光阻劑層剝離。結果,電鍍銅層殘留成配線圖案狀而形成第1配線層18,且未形成配線圖案的部分的金屬層16會露出來。
金屬層16為不僅給電層16a而且包含反射防止層16b之場合,也可以利用沖洗蝕刻去除相當於金屬層16的給電層16a之部分而使反射防止層16b露出來。藉由這作法,使後述的第1配線層18的影像檢查變得容易。該沖洗蝕刻液,係使用硫酸/過氧化氫混合液、或包含過硫酸鈉及過硫酸鉀之至少任1種之液,在邊迴避電鍍銅層的過渡蝕刻、邊可確實地蝕刻露出來的金屬層16之點佳。此外,包含反射防止層16b之場合,不形成配線圖案的部分的反射防止層16b並不因沖洗蝕刻液被溶解而會殘留,且在表面露出來。此時,得以構成反射防止層16b之從Cr、W、Ta、Ti、Ni及Mo選擇出之至少1種金屬,由於具有對於銅沖洗蝕刻液不會溶解之性質,所以能對於銅沖洗蝕刻液呈優良的耐藥品性。亦即,反射防止層16b,存在之場合,最好是不會因銅沖洗蝕刻液被去除,並為了根據要求被進行的後續的影像檢查製程而以露出狀態被殘留下來。
因應必要,亦可在上述沖洗蝕刻後,直接於露出反射防止層16b之狀態下,進行影像檢查附配線層無核心支撐體(具體上為第1配線層18)之製程。影像檢查,典型上,係藉由使用光學式自動外觀檢查裝置(AOI)由光源照射指定光後,取得配線圖案的二值化影像,嘗試該二值化影像與設計資料影像之圖案匹配,評價兩者間之一致/不一致而進行。此時,反射防止層16b的表面是由金屬粒子的集合體構成之場合,起因於其金屬質的材質及粒狀形態而呈理想的暗色,該暗色在與第1配線層18之間帶來理想的視覺對比,故而,使影像檢查(例如自動影像檢查(AOI))之視覺辨識性提升。
(3)複合層積體之形成   如圖1(iii)所示,在層積片10的第1配線層18被形成的面交互地形成絕緣層20及配線層22,得到第1配線層18以埋入配線層之形式被組入之、多層配線板25或複合層積體26。配線層22係1層以上,也可以仿效第1配線層18之表現,而稱作第n配線層22(n為2以上之整數)。絕緣層20係1層以上即可。亦即,本發明之多層配線板25係具有至少2層配線層(亦即,至少第1配線層18及第2配線層22)而且至少1層絕緣層20。由第1配線層18、第n配線層22及絕緣層20構成之逐次層積構造一般上被稱作堆積層或堆積配線層。在本發明之製造方法,採用一般上在印刷配線板被採用之公知的堆積配線層構成即可,並未特別限定。但是,於追隨本發明之圓筒狀頭部40之形式下剝離堆積配線層之場合,由防止堆積配線層損傷之點而言,絕緣層20,最好是由含有樹脂的絕緣層構成。
此外,也可以在堆積配線層的最表面之配線層上,因應必要,而形成阻焊劑層及/或表面金屬處理層(例如,OSP(Organic Solderbility Preservative;有機保焊劑)處理層、鍍金層、鍍鎳-金層等)。 [實施例]
進而藉由以下之例具體說明本發明。
例1~5 (1)多層層積體之製作   作為支撐體(載體)而準備厚度1.1mm的鈉玻璃板。在該鈉玻璃板,依序利用濺鍍形成密貼金屬層(厚度100nm的鈦層)、剝離輔助層(厚度100nm的銅層)、剝離層(厚度3nm的非晶碳層)及極薄銅層(厚度300nm的銅層),得到附載體銅箔。對得到的附載體銅箔的極薄銅層利用堆積法形成包含2層構成的配線層之多層配線板(由絕緣層/配線層形成的複合層1層的合計厚度:0.03mm、剝離層上的配線層的幅寬10μm),得到尺寸510mm×400mm之複合層積體。
(2)支撐體或多層配線板之剝離   準備表1所示的種種曲率半徑的圓筒狀頭部。在圖4顯示圓筒狀頭部之一例。圖4所示之圓筒狀頭部40’(材質:不鏽鋼SUS304),係包含指定曲率的圓筒狀板,在其一面側具備吸盤42(材質:丙烯腈-丁二烯橡膠)及間隔件44(材質:丙烯腈-丁二烯橡膠)。吸盤42內具有抽吸孔,使該抽吸孔接續在真空泵。另一方面,如圖1及圖2所示,準備平板載物台30(材質:不鏽鋼SUS304)。該平板載物台30也具有抽吸孔,該抽吸孔也接續在真空泵。如圖1所示方式在平板載物台30、於支撐體12與平板載物台30面對面之方向載置在上述(1)製作出的複合層積體26。藉由使真空泵動作並透過抽吸孔30a而真空吸附,使複合層積體26在平板載物台30密貼,而且同樣地形成真空抽吸吸盤42的抽吸孔狀態。邊使複合層積體26在平板載物台30密貼,邊使圓筒狀頭部40’接觸到多層配線板25的端部並透過細盤42的抽吸孔真空吸附多層配線板25。藉由於此狀態下使圓筒狀頭部40’旋轉,增加複合層積體26與圓筒狀頭部40’之密貼領域,邊使圓筒狀頭部40’將多層配線板25真空吸附、邊以剝離速度0.2m/sec進行剝離。由於此時的支撐體12與極薄銅層之剝離強度為5gf/cm,所以將平板載物台30及圓筒狀頭部40’的真空吸附壓調整成該平板載物台30與複合層積體26之密貼強度及圓筒狀頭部40’與複合層積體26之密貼強度為上述剝離強度的50~100倍。這樣一來,將支撐體12或多層配線板25以形成表1所示的曲率半徑的凸曲面之方式剝離。
(3)評價   觀察剝離後的支撐體12與剝離後的多層配線板25並依照以下的基準予以評價。結果如表1所示。
<評價1:支撐體破裂>   ・評價A:未發生支撐體破裂   ・評價B:在支撐體端部發生破裂   ・評價C:自支撐體中央部起發生破裂(不可)。
<評價2:多層配線板龜裂>   ・評價AA:龜裂發生率為0%   ・評價A:龜裂發生率為超過0%、未滿5%   ・評價B:龜裂發生率為超過5%、未滿10%   ・評價C:龜裂發生率為10%以上(不可)
<綜合評價>   ・評價AA:所有評價為A以上,並且,至少1個評價為AA   ・評價A:所有評價為A者   ・評價B:所有評價為B以上,並且,未符合評價AA及A者   ・評價C:至少1個評價為C者(不可)
例6(比較)   不使用圓筒狀頭部,並用手抓持多層配線板的端部而予以剝離以外,與例1~5同樣作法,進行配線板之製造及評價。結果如表1所示。
例7(比較)   取代圓筒狀頭部而使用平板狀頭部以外,與例1~5同樣作法,進行配線板之製造及評價。結果如表1所示。
10‧‧‧層積薄板
12‧‧‧支撐體
14‧‧‧剝離層
16‧‧‧金屬層
16a‧‧‧給電層
16b‧‧‧反射防止層
18‧‧‧第1配線層
20‧‧‧絕緣層
22‧‧‧配線層
25‧‧‧多層配線板
26‧‧‧複合層積體
30‧‧‧載物台
30a‧‧‧抽吸孔
40‧‧‧圓筒狀頭部
40’‧‧‧圓筒狀頭部
40a‧‧‧抽吸孔
50‧‧‧圓筒狀頭部
52‧‧‧輥子
圖1係圖示在本發明之方法之製程(a)及(b)。   圖2係圖示在本發明之方法之製程(c)之一態樣。   圖3係圖示在本發明之方法之製程(c)之一態樣。   圖4係圖示於實施例使用之圓筒狀頭部之一例。

Claims (5)

  1. 一種配線板之製造方法,其特徵係包含:(a)依序具備支撐體、剝離層及多層配線板之複合層積體之準備製程;(b)將前述複合層積體載置在載物台上,並使前述複合層積體的一面密貼在前述載物台之製程;與(c)使前述複合層積體的一面密貼在前述載物台,同時以前述支撐體或前述多層配線板形成曲率半徑200~5000mm的凸曲面之方式將前述支撐體或前述多層配線板從前述剝離層剝離之製程。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之配線板之製造方法,其中前述製程(c)係包含使前述複合層積體之與前述載物台相反側之面接觸圓筒狀頭部。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之配線板之製造方法,其中前述製程(c)係包含將前述複合層積體之與前述載物台相反側的面之端部密貼在前述圓筒狀頭部,之後,藉由使前述圓筒狀頭部旋轉以增加前述複合層積體與前述圓筒狀頭部之密貼領域,而從前述剝離層將前述支撐體或前述多層配線板剝離。
  4. 如申請專利範圍第2項記載之配線板之製造方法,其中前述製程(c)係包含在前述複合層積體端部的前述支撐體與前述多層配線板之間插入輥子,之後,使前述圓筒狀頭部及前述輥子邊同步邊旋轉,藉此從前述剝離層將前述支撐體或前述多層配線板剝離。
  5. 如申請專利範圍第1~4項任一項記載之配線板之製造方法,其中前述製程(c)之剝離速度係0.01~2.0m/sec。
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