TWI662999B

TWI662999B - Substrate liquid processing device

Info

Publication number: TWI662999B
Application number: TW104126987A
Authority: TW
Inventors: 天野嘉文; 伊藤優樹; 岡本英一郎
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2014-09-02
Filing date: 2015-08-19
Publication date: 2019-06-21
Also published as: US20160064256A1; KR102407530B1; KR20160027911A; US9536761B2; TW201618863A; JP6392035B2; JP2016054170A

Abstract

降低杯體內之氣體流路之流路阻抗。

基板液處理裝置具備有接收被供給之處理液且進行回收的杯體(50)。在杯體內，具有面對杯體之上部之開口(50A)的環狀之第1排氣空間(530)，和面對杯體之排氣口(52)並且與上述第1排氣空間鄰接之環狀的第2排氣空間(540)。第1排氣空間和第2排氣空間在圓周方向之整個圓周上連續性或斷續性地連通，劃界上述第2排氣空間之內周端的內周壁(580)具有構成該內周壁之上側部分之第1壁部分(581)，和構成該內周壁之下側部分並且較上述第1壁部分位在半徑方向內側之第2壁部分(582)。

Description

基板液處理裝置

本發明係關於基板液處理裝置之排氣技術。

在半導體裝置之製造中，對半導體晶圓等之基板施予濕蝕刻處理、藥液洗淨處理等之各種液處理。進行如此之液處理之單片式之基板處理單元，具有將基板保持水平姿勢而繞垂直軸線旋轉之旋轉吸盤，和對旋轉之基板供給處理液之噴嘴，和接收於被供給至基板之後從基板飛散之處理液而進行回收的杯體。

在杯體之中央上端設置較基板之直徑稍微大的直徑之上部開口，再者，在杯體之底部設置有排氣口。當從排氣口吸引杯體之內部空間時，位於基板之上方之空間的氣體(通常為淨化空氣)從上部開口被吸入內部空間，被排氣至排氣口。在杯體設置有用以引導杯體內之氣體之流動的壁體(例如，參照專利文獻1)。藉由氣體在杯體內以適當之方向及流速流動，防止從基板飛散之處理液再附著於基板，再者從氣體除去處理液之霧氣。

以即使降低從排氣口而來的吸引力而吸引杯體之內部空間，亦可以進行良好的排氣之情形為佳。在專利文獻1之壁體之構造中，該點仍有改善之空間。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2014-86639號公報

本發明係以即使從排氣口而來的低吸引力，亦可以進行良好的排氣為目的。

若藉由本發明之一實施形態時，提供一種基板液處理裝置，其具有：保持部，其係將基板保持水平；驅動部，其係使上述保持部繞垂直軸線旋轉；噴嘴，其係對藉由上述保持部被保持且旋轉之基板供給處理液；及杯體，其係接收被供給至上述基板之處理液而進行回收，上述杯體在上部具有開口，並且具有用以吸引該杯體之內部的排氣口，上述杯體具有面對上述開口之環狀的第1排氣空間，和面對上述排氣口並且與上述第1排氣空間鄰接之環狀的第2排氣空間，上述第1排氣空間和上述第2排氣空間在圓周方向之整個圓周上連續性或斷續性地連通，上述第1排氣空間在其底部具有接收被供給至基板之處理液之環狀的貯液部，設置有隔離上述第1排氣空間和第2排氣空間，並且將被供給至基板之處理液朝向上述貯液部導引之環狀的導引壁，設置有隔離上述第1排氣空間和第2排氣空間，並且防止被接收到上述貯液部之處理液流入上述第2排氣空間之環狀的隔離壁。

該基板液處理裝置係劃界上述第2排氣空間之內周端的內周壁具有構成該內周壁之上側部分之第1壁部分，和構成該內周壁之下側部分並且較上述第1壁部分位在半徑方向內側之第2壁部分。

若藉由本發明時，藉由降低杯體內之氣體流路之流路抵抗，即使從排氣口而來之低吸引力亦可以進行良好的排氣。

31‧‧‧保持部(真空吸盤)

33‧‧‧驅動部(馬達)

41、42‧‧‧噴嘴

50‧‧‧杯體

52‧‧‧排氣口

80‧‧‧加熱部

532‧‧‧貯液部

550‧‧‧導引壁

560‧‧‧隔離壁

562‧‧‧連通口

580‧‧‧內周壁

581‧‧‧第1壁部分

582‧‧‧第2壁部分

583‧‧‧中間壁部分(傾斜壁部分)

圖1為表示與本實施形態有關之基板處理系統之概略構成的圖示。

圖2為表示圖1所示之處理單元之概略構成之圖示。

圖3為藉由在不包含排氣口之通過保持部之中心軸之垂直平面切斷處理單元而取得之處理單元之重要部分剖面圖。

圖4為藉由在通過排氣口之中心軸及保持部之中心軸之垂直平面切斷處理單元而取得之處理單元之重要部分剖面圖。

圖5為與用以說明回收杯之變形例之圖3相同之剖面圖。

圖6為與用以說明回收杯之其他變形例之圖3相同之剖面圖。

以下，參照附件圖面針對本發明之一實施形態進行說明。

圖1為表示與本實施形態有關之基板處理系統之概略構成的圖示。在下述中，為了使位置關係明確，規定互相正交之X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正方向設為垂直向上方向。

如圖1所示般，基板處理系統1具備搬入搬出站2，和處理站3。搬入搬出站2和處理站3係被鄰接設置。

搬入搬出站2具備載體載置部11，和搬運部12。載體載置部11載置在水平狀態下收容複數晶圓W之複數載體C。

搬運部12係與載體載置部11鄰接設置，在內部具備基板搬運裝置13，和收授部14。基板搬運裝置13具備保持晶圓W之基板保持機構。再者，基板搬運裝置13可進行朝水平方向及垂直方向移動及垂直軸為中心之旋轉，使用基板保持機構而在載體C和收授部14之間進行晶圓W之搬運。

處理站3設置成與搬運部12鄰接。處理站3具備搬運部15和複數處理單元16。複數處理單元16係排列設置在搬運部15之兩側。

搬運部15在內部具備基板搬運裝置17。基板搬運裝置17具備保持晶圓W之基板保持機構。再者，基板搬運裝置17可進行朝水平方向及垂直方向移動及垂直軸為中心之旋轉，使用基板保持機構而在收授部14和處理單元16之間進行晶圓W之搬運。

處理單元16係對藉由基板搬運裝置17而被搬運之晶圓W進行特定基板處理。

再者，基板處理系統1具備控制裝置4。控制裝置4為例如電腦，具備控制部18和記憶部19。在記憶部19儲存控制在基板處理系統1中被實行之各種之處理的程式。控制部18係藉由讀出被記憶於記憶部19之程式並實行，來控制基板處理系統1之動作。

並且，如此之程式，即使為被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體，即是從其記憶媒體被安裝於控制裝置4之記憶部19者亦可。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

在如上述般構成之基板處理系統1中，首先搬入搬出站2之基板搬運裝置13從被載置在載體載置部 11之載體C取出晶圓W，將所取出之晶圓W載置在收授部14。被載置在收授部14之晶圓W藉由處理站3之基板搬運裝置17從收授部14被取出，而搬入至處理單元16。

被搬入至處理單元16之晶圓W藉由處理單元16被處理之後，藉由基板搬運裝置17從處理單元16被搬出，而被載置在收授部14。而且，被載置在收授部14之處理完的晶圓W藉由基板搬運裝置13返回至載體載置部11之載體C。

接著，針對處理單元16之概略構成參照圖2進行說明。圖2為表示處理單元16之概略構成之圖示。

如圖2所示般，處理單元16具備腔室20、基板保持機構30、處理流體供給部40和回收杯50。

腔室20收容基板保持機構30和處理流體供給部40和回收杯50。在腔室20之頂棚部設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21在腔室20內形成下向流。

基板保持機構30具備保持部31、支柱部32和驅動部33。保持部31係將晶圓W保持水平。支柱部32為在垂直方向延伸之構件，基端部藉由驅動部33可旋轉地被支撐，在前端部水平地支撐保持部31。驅動部33係使支柱部32繞垂直軸旋轉。如此之基板保持機構30係藉由使用驅動部33使支柱部32旋轉而使被支撐於支柱部32之保持部31旋轉，依此使被保持於保持部31之晶圓W旋轉。

處理流體供給部40係對晶圓W供給處理流體。處理流體供給部40被連接於處理流體供給源70。

回收杯50係被配置成包圍保持部31，藉由保持部31之旋轉補捉從晶圓W飛散之處理液。在回收杯50之底部形成有排液口51，藉由回收杯50被捕捉之處理液從如此之排液口51被排出至處理單元16之外部。再者，在回收杯50之底部形成將從FFU21被供給之氣體排出至處理單元16之外部的排氣口52。

接著，針對處理單元16之回收杯(以下，單稱為「杯體」)50、基板保持機構30及該些周邊零件，參照圖3及圖4詳細說明。圖3係藉由在不含排氣口52之通過保持部31之中心軸Ax之平面切斷處理單元16所取得之處理單元16之重要部分剖面圖，圖4係藉由在通過排氣口52之中心軸及保持部31之中心軸Ax之垂直平面切斷處理單元16所取得之處理單元16之重要剖面圖。圖3及圖4所示之構件大多被形成為相對於中心軸Ax大致旋轉對稱。

基板保持機構30之保持部31係作為真空吸盤而被形成，藉由真空吸附晶圓W之背面(不形成有裝置之面)之中央部，在水平姿勢下保持晶圓W。驅動部33由電動馬達所構成，支柱部32係由電動馬達(驅動部33)之旋轉軸所構成。即是，在圖示之實施形態中，真空吸盤(保持部31)與電動馬達(驅動部33)之旋轉軸(支柱部32)直接連接。在圖3及圖4中，符號34為電動馬達之凸緣。

在圖2中概略性表示的處理流體供給部40係在圖3及圖4中，具有對晶圓W之表面供給處理液之第1噴嘴41，和對晶圓W之背面周緣部供給處理液之第2噴嘴42。該些噴嘴41、42從各自之從處理流體供給機構71、72供給處理所需之處理液(藥液、沖洗液等)。第1噴嘴41係被保持在例如旋轉臂(無圖示)之前端，於對晶圓W供給處理液之時，位於晶圓W之中心部之上方，除此之外位於晶圓W之外方。

在保持部31之周圍，設置有朝向晶圓W吐出調溫氣體而對晶圓W進行加熱之加熱部80。加熱部80具有包圍保持部31之圓環板狀之本體81，在本體81內埋設有電阻加熱器等之加熱器82。在本體81內形成有氣體通路83。氮氣等之惰性氣體從氣體供給機構84經在圖中以一點鏈線表示之配管而被供給至氣體通路83。氣體通路83具有各種部分83a(在圓周方向延伸且接近於加熱器82之凹凸部分)、83b(在徑向延伸且互相連接部分83a的部分)、83c(與部分83b之兩端部連接之部分)。惰性氣體被供給至氣體通路83之部分83a，一面通過部分83a和部分83b一面藉由加熱器82之熱被加熱，到達至部分83c，從在圓周方向隔著間隔而設置複數個的吐出口85a、85b朝向晶圓W吐出。

圓盤狀之本體81係藉由被固定在杯體50底壁570的支撐體86而被支撐。在圓盤狀之本體81之半徑方向內側端部和支柱部32之上端之半徑方向外側端部之間形成有曲徑軸封87。藉由該曲徑軸封87，從吐出口85a、85b吐出之調溫氣體不會從不旋轉之本體81和旋轉之支柱部32之間的間隙洩漏。

杯體50包圍基板保持機構30及加熱部80。杯體50係在其上端中央部具有圓形之上部開口50A，且該圓形之上部開口具有較晶圓W之直徑稍微大的直徑。如圖4所示般，在杯體50之底部設置有也圖2中在概略表示的排氣口52。在本實施形態中，排氣口52雖然僅設置一個，但是即使設置兩個以上亦可。

杯體50及加熱部80係可以藉由無圖示之升降機構一體性地從圖3及圖4所示之上升位置下降而位於下降位置。當杯體50及加熱部80位於下降位置之時，基板保持機構30之保持部31之上面位於較杯體50之上端更上方，可以在進入腔室20(參照圖2)內之基板搬運裝置17(參照圖1)和保持部31之間，進行晶圓W之收授。於晶圓W被進行處理之時，杯體50及加熱部80位於上升位置。

杯體50具有面對上部開口之環狀的第1排氣空間530，和與第1排氣空間鄰接之環狀的第2排氣空間540。在第2排氣空間540之某特定之圓周方向位置，如圖4所示般設置有排氣口52，在其他圓周方向位置如圖3所示般不設置有排氣口52。

除了設置有排氣口52之外，第1排氣空間530及第2排氣空間540之剖面形狀即使在任何圓周方向位置，也成為圖3所示般。但是，在第1排氣空間530及第2排氣空間540內也設置有輔助性零件(杯體洗淨用噴嘴及附屬在此的配管、支撐體等)，在設置有如此之零件之處，剖面形狀與其他處有些不同。在排氣口52之附近，隨著排氣口52之連接，第2排氣空間540之剖面形狀變形。

第1排氣空間530和第2排氣空間540係藉由環狀之導引壁550及環狀之隔離壁560而被分離。在圖3及圖4所示之實施形態中，導引壁550之下端和隔離壁560之上端被連結，形成一體化之區隔壁。隔離壁560係在圓周方向隔著間隔而斷續性地形成複數連通路562。通過連通路562，可以使氣體從第1排氣空間530流至第2排氣空間540。

將導引壁550之下端(隔離壁560之上端)降低至較圖示位置下方，亦可以在導引壁550形成連通路562。

在第1排氣空間530之下端部形成U字剖面之環狀之貯液部532。如圖3概略表示般，在貯液部532之某特定之圓周方向位置，設置有在圖2也概略性表示的排液口51。在貯液部532之底面係以朝向設置有排液口51之位置變低之方式傾斜，掉落貯液部532之處理液流入至排液口51。

杯體50具有面對第1排氣空間530之導引面501、551。導引面501係藉由杯體50之外周壁之一部分而形成。導引面501係以隨著往半徑方向外側變低之方式，朝斜下方傾斜，接住從旋轉之晶圓W飛散之處理液，且導引至貯液部532。導引面551係藉由導引壁550之上面而被形成，將從晶圓W飛散之處理液中掉落至導引面551上之處理液導引至貯液體532。

隔離壁560係當作用以防止掉落至貯液部532之處理液在流入排液口51之前流入至第2排氣空間540之堰堤而發揮作用。

第2排氣空間540係藉由上述導引壁550及隔離壁560，和底壁570，和環狀之內周壁580而被包圍。即是，第2排氣空間540之上端藉由導引壁550被劃界，第2排氣空間540之外周端係藉由隔離壁560而被劃界，第2排氣空間540之下端係藉由底壁570而被劃界，而且第2排氣空間540之內周端係藉由內周壁580而被劃界。

上述第2噴嘴42係藉由從隔離壁560朝向半徑方向內側突出之支撐體564而被支撐在第2排氣空間540內。第2噴嘴42之前端吐出口係通過形成在導引壁550之貫通孔而位於導引面551之上方。

內周壁580係具有構成內周壁580之上側部分的在垂直方向延伸之第1壁部分581，和構成內周壁580之下側部分的在垂直方向延伸之第2壁部分582。內周壁580在第1壁部分581和第2壁部分582之間又具有朝傾斜方向延伸之傾斜壁部分583，和在水平方向延伸之水平壁部分584。即是，內周壁580具有當作中間壁部分之傾斜壁部分583，其係被形成為越朝向下方向，表面之從旋轉中心起算之位置越從第1壁部分581接近第2壁部分582。中間壁部分並非如圖3及圖4所示之傾斜壁部分583般被限定成平面者。中間壁部分例如即使彎曲成朝向第2排氣空間540而成為凸狀亦可，即使彎曲成朝向第2排氣空間540而成為凹狀亦可。

第1壁部分581具有相當於半徑R1之圓筒面的外周表面。第2壁部分582具有相當於較R1小的半徑R2之圓筒面的外周表面。第1壁部分581在半徑方向上，位於接近於加熱部80之外周緣的位置上。第2壁部分582位於加熱部80之下方。即是，第2排氣空間540突出至加熱部80之下方。第2壁部分582在半徑方向上接近於支撐加熱部80之支撐體86，並且也接近於馬達(驅動部)33之凸緣34。在本實施形態中，雖然在第1壁部分581之內側配置加熱部80，但是並不限定於此，即使配置有背面處理用之噴嘴或配管等亦可。再者，並不限定於上述般之背面處理部，即使構成保持部之構件，例如真空用之吸氣配管等被配置在第1壁部分581之內側亦可。

如圖4所示般，在設置有排氣口52之部位，第2排氣空間540之下側部分被擴大。依此，排氣口52可以連接大口徑的排氣管52A。在圖4所示之實施形態中，第2排氣空間540較貯液部532被擴大至半徑方向外側之位置。並且，在圖4中，擴大排氣口52之直徑，並且即使使排氣口52之內側端(圖中右端)之位置往半徑方向內側移動亦可。即是，在圖4中，雖然排氣口52之內側端之位置與第1壁部分581之位置幾乎相同，但是即使例如位於第1壁部分581和第2壁部分582之中間位置亦可。

接著，針對晶圓W旋轉時之杯體50內之流體之流動進行說明。表示流體之流動的箭號雖然僅在圖4中標示，但是在圖3中流體之流動也相同。

當從排氣口52吸引第2排氣空間540之內部時，在杯體50之內部空間(即是，第1排氣空間530及第2排氣空間540)內產生隨著接近排氣口52而變低之傾向的壓力梯度。隨著該壓力梯度，氣體在杯體50之內部空間朝向排氣口52流動。

首先，位於晶圓W上方之氣體(在此為從FFU21吐出之潔淨氣體)通過劃界杯體50之上部開口50A之外周壁502之內周緣和晶圓W之外周緣之間的間隙而流入第1排氣空間530內(參照圖4之箭號G1)。流入第1排氣空間530之氣體通過連通路562而流入第2排氣空間540。

此時，當處理液從噴嘴41、42被供給至晶圓W之表面及背面中之至少一方時，處理液藉由離心力從晶圓飛散，被導引至導引面501或導引面551而掉落至貯液部532。當處理液之一部分衝突至晶圓W之表背面時、衝突至導引面501、551時等成為微少液滴，乘著氣體之流動G1而流動。乘著氣體之流動G1而流動的微少液滴的大部分，當氣體之流動G2進入連通路562時急速轉向而從氣體之流動G2脫離，掉落至貯液部532。不從氣體之流動G2脫離之液滴與氣體一起從排氣口52被排出。

流入第2排氣空間540之氣體朝向排氣口52流動。此時，在圖4所示之排氣口52之附近流入第2排氣空間540之氣體以原樣流入排氣口52。另外，在從排氣口52離開之位置，流入第2排氣空間540之氣體係在第2排氣空間540內朝圓周方向流動之後，流入排氣口52。

除了在為了提高流速等之目的下縮小流路之場所外，以盡可能地降低杯體內之流路阻抗為佳。在為了提高流速等之目的下縮小流路之場所可舉出例如在第1排氣空間530之圖4中以箭號G1所示之氣體流之通過路徑等。例如，當晶圓W之外周緣附近的氣體流速低時，從晶圓W飛散之處理液之微少液滴再附著於晶圓W有污染晶圓W之可能性。

對此，在第2排氣空間540內朝圓周方向流動之氣體並非如氣體G1般之與防止晶圓W的污染有關。因此，相對於第2排氣空間540內之圓周方向之氣體之流動的阻抗係越低越佳。

考慮上述點，在本實施形態中，藉由使構成劃界杯體50之第2排氣空間540之內周壁580之下側部分的第2壁部分582，位於較第1壁部分581更靠半徑方向內側，擴大第2排氣空間540之剖面積。並且，在本實施形態中，藉由在第1壁部分581和第2壁部分582之間設置傾斜壁部分583，比起不設置傾斜壁部分583之時，擴大第2排氣空間540之剖面積(即是，僅有在圖3中以一點鏈線包圍之三角形之區域585之部分的剖面積擴大)。依此，因相對於在第2排氣空間540內之氣體之圓周方向之流動的阻抗減少，故被施加至排氣口52之負壓之容許範圍(負壓之絕對值之容許下限值)變大。即是，即使在來自排氣口之吸引力低且負壓之絕對值比較低之時，杯體50內之氣體之流動也難以產生問題。再者，例如可以提高能在工場排氣系統之吸引能力低之半導體製造工場設置基板處理系統1之可能性。

再者，在本實施形態中，連結導引壁550之下端和隔離壁560之上端成為一體化而形成區隔壁，藉由該區隔壁區隔第1排氣空間530和第2排氣空間540。連通第1排氣空間530和第2排氣空間540之連通路562藉由除去隔離壁560之上端部之一部分而形成。因此，可以使第2排氣空間540之剖面積更大。例如，可想像如圖5所示般，使導引壁550’之下端部位於較隔離壁560’更靠半徑方向外側，並且使導引壁550’之下端位於較隔離壁560’之上端更下側，將導引壁550’下端部和隔離壁560’上端部之間的間隙(該間隙朝圓周方向連續性地在整個圓周延伸)，當作連通第1排氣空間530’和第2排氣空間540’之連通路562’使用之構成(該構成相當於當作先前技術文獻所引用的專利文獻1之構成)。如此一來，僅使隔離壁560’往半徑方向內側移動之部分，減少第2排氣空間540之剖面積。因此，從第2排氣空間540’之剖面積增大之觀點來看，導引壁550及隔離壁560構成如圖3及圖4所示般為佳。但是，即使採用圖5所示之構成亦可。

在第2排氣空間540內，除第2噴嘴42外，例如為了從該表面除去能夠附著於面對第2排氣空間540之壁面的處理液或處理液來源的固形物，也有配置朝向壁面吐出純水等之洗淨液之噴嘴43(及對此供給液之配管等)之情形(參照圖6)。在設置如此之噴嘴之情形也以盡可能地縮小用以將噴嘴固定在杯體50之支撐體在第2排氣空間540內所佔之容積為佳。於設置有如此之支撐體之時，例如圖6所示般，以從隔離壁560突出至半徑方向內側之懸臂之支撐體565，或是從底壁570延伸至上方之支撐體571般者為佳。例如，以設置跨設於隔離壁560和內周壁580之間的在水平方向延伸之支撐體590(在圖6中以一點鏈線表示)般之形態為不理想。尤其，以避開如此支撐體590在圓周方向延伸之構成為佳。

Claims

一種基板液處理裝置，具備：保持部，其係將基板保持水平；驅動部，其係使上述保持部繞垂直軸線旋轉；噴嘴，其係對藉由上述保持部被保持且旋轉之基板供給處理液；及杯體，其係接收被供給至上述基板之處理液而進行回收，上述杯體在上部具有開口，並且具有用以吸引該杯體之內部的排氣口，上述杯體具有面對上述開口之環狀的第1排氣空間，和面對上述排氣口並且與上述第1排氣空間鄰接之環狀的第2排氣空間，上述第1排氣空間和上述第2排氣空間在圓周方向之整個圓周上連續性或斷續性地連通，上述第1排氣空間在其底部具有接收被供給至基板之處理液之環狀的貯液部，設置有隔離上述第1排氣空間和第2排氣空間，並且將被供給至基板之處理液朝向上述貯液部導引之環狀的導引壁，設置有隔離上述第1排氣空間和第2排氣空間，並且防止被接收到上述貯液部之處理液流入上述第2排氣空間之環狀的隔離壁，上述杯體具有劃界上述第2排氣空間之內周端的內周壁，上述內周壁具有構成該內周壁之上側部分之第1壁部分，和構成該內周壁之下側部分並且較上述第1壁部分位在半徑方向內側之第2壁部分。
如請求項1之基板液處理裝置，其中上述內周壁又具有中間壁部分，其係被設置在上述第1壁部分和上述第2壁部分之間，且被形成為越朝下方向，表面之位置越從上述第1壁部分接近上述第2壁部分。
如請求項2之基板液處理裝置，其中上述中間壁部分為具有傾斜面的傾斜部分。
如請求項1至3中之任一項之基板液處理裝置，其中設置有上述排氣口之部分的上述第2排氣空間之外周端，較無設置有上述排氣口之部分的上述第2排氣空間之外周端位於更外側。
如請求項1至3中之任一項之基板液處理裝置，其中上述排氣口之內周端位於較上述第1壁部分更靠半徑方向內側。
如請求項1至3中之任一項之基板液處理裝置，其中又具背面處理部，其係包圍上述保持部之周圍，並且位於藉由上述保持部所保持之基板之下方而對基板之背面進行處理，上述第1壁部分位於上述背面處理部之半徑方向外側，上述第2壁部分位於上述背面處理部之下方。
如請求項6之基板液處理裝置，其中上述背面處理部為對上述基板之背面進行加熱處理的加熱部。
如請求項1至3中之任一項所記載之基板液處理裝置，其中構成上述保持部之構件被配置至上述內周壁之高度，上述第1壁部分位於構成上述保持部之構件之半徑方向外側，上述第2壁部分位於構成上述保持部之構件之下方。
如請求項1至3中之任一項所記載之基板液處理裝置，其中上述內周壁之上述第1壁部分及上述第2壁部分在垂直方向延伸。
如請求項1至3中之任一項所記載之基板液處理裝置，其中上述導引壁之下端和上述隔離壁之上端連結，在上述隔離壁或上述導引壁，以在圓周方向的整個圓周上斷續性之方式形成有連通上述第1排氣空間和上述第2排氣空間之連通路。