JP2016086116A - 基板液処理装置 - Google Patents
基板液処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016086116A JP2016086116A JP2014219315A JP2014219315A JP2016086116A JP 2016086116 A JP2016086116 A JP 2016086116A JP 2014219315 A JP2014219315 A JP 2014219315A JP 2014219315 A JP2014219315 A JP 2014219315A JP 2016086116 A JP2016086116 A JP 2016086116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- nozzle
- processing
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 153
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 289
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 16
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 54
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
- B05B1/28—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with integral means for shielding the discharged liquid or other fluent material, e.g. to limit area of spray; with integral means for catching drips or collecting surplus liquid or other fluent material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【解決手段】基板液処理装置は、基板(W)を水平に保持する基板保持部(31)と、基板保持部により保持された基板上に設定された着液目標位置に向けて、この着液目標位置から水平方向に予め定められた距離だけ離れた吐出位置に位置する吐出口から、横方向に処理液を吐出するノズル(41,410)と、ノズルの下方に設けられ、ノズルの吐出口から下方またはし斜め下方に落下する処理液を受け止める液受け部(42)と、を備えている。
【選択図】図2
Description
を備えたことを特徴とする基板液処理装置が提供される。
以下に、図2に概略的に示した固定供給部41及び液受け部42の第1実施形態について、図3〜図5を参照して説明する。この第1実施形態の液受け部42は、固定供給部41からのダミーディスペンスのため、固定供給部41から微小流量で吐出される処理液を、チャンバ20内に配置された固定供給部41の下方にある処理ユニット16の構成部材、例えば回収カップ50の上面に垂れ落ちることを防止するために設けられている。なお、「ダミーディスペンス」とはノズル及びノズルに接続された供給ライン内に存在する処理に不適切な組成の処理液または長期滞留した処理液をノズル及び供給ライン内から廃棄する等の目的で、処理対象基板(ウエハ)とは異なる場所に向けてノズルから処理液を吐出する操作を意味する。
次に、図6及び図7を参照して、図2に概略的に示した固定供給部41及び液受け部42の第2実施形態について説明する。ノズル410からウエハW中心部に向けて処理液が吐出されている状態から、処理液供給ライン432の開閉弁433が閉じられた直後に、液勢が衰えて下方または斜め下方に落下している処理液が、ウエハWの外方にある処理ユニット16の構成部材(例えば回転カップ体502)に着液することにより不具合(液滴飛散によるパーティクル発生等)が生じる。これを防止するために、液受け部42が設けられている。第2実施形態において、第1実施形態と同一または実質的に同一な部材に対しては、同一符号を付して重複説明は省略する。
31 基板保持部
410 ノズル
42 液受け部
413 第1案内壁
420 液受け部材
423 第2案内壁
441 上側液受け部材
442 下側液受け部材
G 隙間
50 回収カップ
502 回転カップ体
Claims (13)
- 基板を水平に保持する基板保持部と、
基板保持部により保持された基板上に前記基板の外側に設けられた吐出口から、横方向に処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルの下方に設けられ、前記ノズルの吐出口から下方または斜め下方に落下する処理液を受け止める液受け部と、
を備えたことを特徴とする基板液処理装置。 - 前記液受け部は、平面視で、基板の周縁よりも基板の半径方向外側の位置で処理液を受け止めるように設けられる、請求項1記載の基板液処理装置。
- 基板に供給された後の処理液を回収するために基板の周囲に配置された回収カップをさらに備え、
前記液受け部は前記回収カップの上方に設けられている、請求項2記載の基板液処理装置。 - 前記液受け部は、液受け部材と、前記ノズルの吐出口の開口端から下方に延びる第1案内壁と、前記第1案内壁に対面する第2案内壁と、を有し、
前記第1案内壁と前記第2案内壁との間に隙間が形成され、この隙間を通って処理液が前記液受け部材に導かれる、請求項1から3のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。 - 処理液の第2案内壁に対する接触角は、処理液の前記第1案内壁に対する接触角よりも大きい、請求項4記載の基板液処理装置。
- 前記第1案内壁の表面は、前記ノズルの開口端と同一平面上に位置している、請求項5記載の基板液処理装置。
- 前記隙間の大きさは、前記ノズルの吐出口から吐出される液滴の大きさよりも小さい、請求項5記載の基板液処理装置。
- 前記第2案内壁が前記液受け部材と一体的に形成されている、請求項4から7のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 前記液受け部材の上方が蓋により覆われている、請求項4から8のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 前記蓋は、前記ノズルを予め定められた位置に保持するための保持部材の一部分により形成されている、請求項9記載の基板液処理装置。
- 前記液受け部は、上側液受け部材と、その下方にある下側液受け部材とを含む、請求項1から3のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。
- 前記上側液受け部材の下面の前端部は、前記着液目標位置からの水平方向距離が大きくなるに従って低くなるように傾斜しており、前記上側液受け部材の前端縁の前記着液目標位置からの水平方向距離は、前記下側液受け部材の前端縁の前記着液目標位置からの水平方向距離よりも小さい、請求項11記載の基板液処理装置。
- 基板に供給された後の処理液を回収するために基板の周囲に配置された回収カップをさらに備え、前記回収カップが、鉛直軸線周りに回転するリング状の回転カップ体を有しており、前記上側液受け部材の前端縁の前記着液目標位置からの水平方向距離は、前記回転カップ体の上面の内周縁の前記着液目標位置からの水平方向距離以下である、請求項12記載の基板液処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014219315A JP6370678B2 (ja) | 2014-10-28 | 2014-10-28 | 基板液処理装置 |
US14/922,441 US9842751B2 (en) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | Substrate liquid processing apparatus |
KR1020150148637A KR102414891B1 (ko) | 2014-10-28 | 2015-10-26 | 기판 액 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014219315A JP6370678B2 (ja) | 2014-10-28 | 2014-10-28 | 基板液処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016086116A true JP2016086116A (ja) | 2016-05-19 |
JP2016086116A5 JP2016086116A5 (ja) | 2017-03-23 |
JP6370678B2 JP6370678B2 (ja) | 2018-08-08 |
Family
ID=55791214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014219315A Active JP6370678B2 (ja) | 2014-10-28 | 2014-10-28 | 基板液処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9842751B2 (ja) |
JP (1) | JP6370678B2 (ja) |
KR (1) | KR102414891B1 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03112930U (ja) * | 1990-03-01 | 1991-11-19 | ||
JP2001046918A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理液吐出ノズル、液処理装置および液処理方法 |
JP2001232269A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置 |
JP2005085813A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2009135129A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2011181808A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7153364B1 (en) * | 2000-10-23 | 2006-12-26 | Advance Micro Devices, Inc. | Re-circulation and reuse of dummy-dispensed resist |
JP5440441B2 (ja) * | 2010-08-12 | 2014-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP5667545B2 (ja) | 2011-10-24 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5693438B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
KR20140065655A (ko) | 2012-11-19 | 2014-05-30 | 주식회사 케이씨텍 | 분사노즐유닛 및 이를 구비한 기판 세정장치 |
JP6022430B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2016-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2014
- 2014-10-28 JP JP2014219315A patent/JP6370678B2/ja active Active
-
2015
- 2015-10-26 KR KR1020150148637A patent/KR102414891B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-26 US US14/922,441 patent/US9842751B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03112930U (ja) * | 1990-03-01 | 1991-11-19 | ||
JP2001046918A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理液吐出ノズル、液処理装置および液処理方法 |
JP2001232269A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置 |
JP2005085813A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置及び現像方法 |
JP2009135129A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2011181808A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160114345A1 (en) | 2016-04-28 |
KR102414891B1 (ko) | 2022-07-01 |
KR20160049985A (ko) | 2016-05-10 |
JP6370678B2 (ja) | 2018-08-08 |
US9842751B2 (en) | 2017-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11024518B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium | |
US9953852B2 (en) | Liquid processing aparatus | |
US9865483B2 (en) | Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and recording medium | |
US20170084470A1 (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method of processing chamber | |
JP6404189B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
US9536761B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
US10128136B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
JP2009277870A (ja) | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 | |
CN107527839B (zh) | 基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质 | |
JP6407829B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法 | |
CN108701605B (zh) | 基板处理方法及基板处理装置 | |
JP6416723B2 (ja) | 基板処理システム | |
JP2016048775A (ja) | 基板液処理装置 | |
JP2013058607A (ja) | 液処理装置、及び液処理装置の制御方法 | |
KR20160012076A (ko) | 현상 장치 | |
JP6961362B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US11935739B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP6370678B2 (ja) | 基板液処理装置 | |
JP6203667B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
JP6914050B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20230023792A1 (en) | Substrate processing method | |
US20240332041A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2019160890A (ja) | 基板処理装置、基板液処理方法およびノズル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170216 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180612 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180711 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6370678 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |