TW202336846A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置(1)，具備：保持基板使其旋轉的基板旋轉部(20)、外側罩杯(51)、內側罩杯(52)、環狀排管(64)、及排氣通路(62)。外側罩杯(51)，環狀覆蓋保持於基板旋轉部(20)的基板的周圍。內側罩杯(52)，配置於外側罩杯(51)的內側，並配置於保持於基板旋轉部(20)的基板的下方。環狀排管(64)，形成於外側罩杯(51)與內側罩杯(52)之間，將供應至基板的處理液向外部排出。排氣通路(62)，形成於內側罩杯(52)的內側。內側罩杯(52)，具有連通以內側罩杯(52)與外側罩杯(51)形成的受液空間(60)與排氣通路(62)之間的排氣孔(61)。排氣孔(61)，從內側罩杯(52)的外面(52c)至內面(52d)朝向斜下方向形成。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
揭示的實施形態係有關於基板處理裝置及基板處理方法。
從前，已知將半導體晶圓(以下，也稱為晶圓。)等的基板的周緣部以處理液進行蝕刻的技術(專利文獻1參照)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2016-54170號公報
[發明所欲解決的問題]
本揭示提供能夠抑制因在基板周圍滯留的處理液的噴霧等汙染基板狀況的技術。 [解決問題的手段]
本揭示的一態樣的基板處理裝置，具備基板旋轉部、外側罩杯、內側罩杯、環狀排管、及排氣通路。基板旋轉部保持基板使其旋轉。外側罩杯環狀覆蓋保持於前述基板旋轉部的前述基板的周圍。內側罩杯配置於前述外側罩杯的內側，並配置於保持於前述基板旋轉部的前述基板的下方。環狀排管形成於前述外側罩杯與前述內側罩杯之間，將供應至前述基板的處理液向外部排出。排氣通路形成於前述內側罩杯的內側。前述內側罩杯，具有連通以前述內側罩杯與前述外側罩杯形成的受液空間與前述排氣通路之間的排氣孔。前述排氣孔，從前述內側罩杯的外面至內面朝向斜下方向形成。 [發明的效果]
根據本揭示，能夠抑制因在基板周圍滯留的處理液的噴霧等汙染基板的情況。
以下，參照附圖詳細說明本案揭示的基板處理裝置及基板處理方法的實施形態。此外，以下所示的各實施形態並非用來限定本揭示。又，須留意圖式為示意圖，各要素的尺寸關係、各要素的比例等有與現實不同的情形。再來，在圖式相互間也有包含相互的尺寸的關係及比例不同的部分的情形。
又，在以下各實施形態中於相同部位附加相同符號並省略重複的說明。又，以下參照的各圖式中，為了容易理解說明，有規定相互垂直的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，表示將Z軸正方向設為鉛直向上方向的垂直座標系的情形。
從前，已知將半導體晶圓(以下，也稱為晶圓。)等的基板的周緣部以處理液進行蝕刻的技術。該周緣部的蝕刻處理中，藉由使基板高速旋轉，因為能夠加速從基板表面的內側流向外側的旋轉流，能夠抑制蝕刻液的液滴飛散至比周緣部還內側。
另一方面，上述先前技術中，因為從罩杯內到罩杯之外形成的流路的壓損較大，若一使基板高速旋轉，難以將因旋轉流而流動變快的罩杯內的氣體圓滑地排出至罩杯外。因此，因在基板周圍滯留的處理液的噴霧等，基板會有被汙染之虞。
因此，期待能夠解決上述課題，能夠抑制因在基板周圍滯留的處理液的噴霧等汙染晶圓情況的技術。
＜基板處理裝置的全體構造＞ 首先，參照圖1及圖2說明關於實施形態的基板處理裝置1的構造。圖1及圖2為表示實施形態的基板處理裝置1的構造的示意圖。
如圖1及圖2所示，實施形態的基板處理裝置1具備處理容器10、基板旋轉部20、上面供應部30、下面供應部40、回收部50、及加熱機構70。
處理容器10收容基板旋轉部20、上面供應部30、下面供應部40、回收部50及加熱機構70。
基板旋轉部20將晶圓W以可旋轉保持。具體上，如圖2所示，基板旋轉部20具備真空吸盤21、軸部22、及驅動部23。真空吸盤21將晶圓W藉由真空吸引吸附保持。真空吸盤21，比晶圓W還小徑，將晶圓W的下面中央部吸附保持。
軸部22在前端部將真空吸盤21水平支持。驅動部23連接至軸部22的基端部。驅動部23使軸部22繞鉛直軸旋轉，並使軸部22及支持於該軸部22的真空吸盤21升降。
如圖1所示，上面供應部30，藉由對晶圓W的上面周緣部供應處理液，將晶圓W的上面周緣部蝕刻。藉此，能夠除去形成於例如晶圓W的上面周緣部的膜、或將晶圓W的上面周緣部洗淨。
此外，晶圓W的上面周緣部，是在晶圓W的上面，距離端面例如寬度1~5mm左右的環狀的區域。
上面供應部30具備噴嘴臂31、噴嘴32、及移動機構33。噴嘴臂31，在水平方向(這裡是Y軸方向)延伸，在前端部支持噴嘴32。
噴嘴32，在比晶圓W還上方以吐出口向下的狀態可配置，對晶圓W的上面吐出藥液及沖洗液等處理液。作為藥液，例如，可使用氫氟酸(HF)、稀氫氟酸(DHF)、氟硝酸等。此外，氟硝酸是氫氟酸(HF)與硝酸(HNO 3)的混合液。又，作為沖洗液，能夠使用例如DIW(脫離子水)。
移動機構33連接至噴嘴臂31的基端部。移動機構33使噴嘴臂31沿著例如水平方向(這裡是X軸方向)移動。藉此，移動機構33，能夠使噴嘴32在晶圓W的周緣部上方的處理位置、與比該處理位置還外側的待機位置之間移動。
下面供應部40，藉由對晶圓W的下面周緣部供應處理液，將晶圓W的下面周緣部蝕刻。藉此，能夠除去形成於例如晶圓W的下面周緣部的膜、或將晶圓W的下面周緣部洗淨。
此外，晶圓W的下面周緣部，是在晶圓W的下面，距離端面例如寬度1~5mm左右的環狀的區域。
如圖2所示，下面供應部40具備下面噴嘴41、配管42、閥43、流量調整器44、及處理液供給源45。下面噴嘴41，配置於晶圓W下方，朝向晶圓W的下面周緣部將處理液向上吐出。
配管42連接下面噴嘴41與處理液供給源45。閥43設於配管42的中途部，將配管42進行開關。流量調整器44設於配管42的中途部，調整在配管42流動的處理液的流量。處理液供給源45是儲留例如處理液的槽。
此外，下面供應部40具備使下面噴嘴41在水平方向移動的移動機構也可以。此時，下面供應部40，能夠使下面噴嘴41在晶圓W的下方的處理位置與晶圓W的外方的待機位置之間移動。
回收部50，以包圍晶圓W的外方的方式設置，將從晶圓W飛散的處理液的液滴回收。實施形態中，因為將從晶圓W飛散的液滴無遺漏地接收，故在回收部50設置外側罩杯51及內側罩杯52。外側罩杯51為罩杯的一例。
外側罩杯51，環狀覆蓋保持於基板旋轉部20的晶圓W的周圍。外側罩杯51，例如以包圍晶圓W的側方的方式設置，並以包圍比晶圓W還外側的上方的方式設置。
內側罩杯52，配置於外側罩杯51的內側，並配置於保持於基板旋轉部20的晶圓W的下方。內側罩杯52，例如配置於加熱機構70的外方。
外側罩杯51及內側罩杯52例如以PTFE(聚四氟乙烯)及PFA(全氟烷氧基烷烴)等氟樹脂等的耐藥性高的構件形成。
又，基板處理裝置1，藉由使用泵80(圖3參照)，從回收部50吸引晶圓W周圍的氣體，有效率地回收從晶圓W的周圍飛散的液滴。關於該氣體的吸引機構的詳細將於後述。
加熱機構70配置於晶圓W的下方且基板旋轉部20的外方。具體上，加熱機構70配置於基板旋轉部20與內側罩杯52之間。
加熱機構70，藉由對保持於基板旋轉部20的晶圓W的下面，供應加熱後的流體，將晶圓W的下面周緣部加熱。具體上，如圖1所示，加熱機構70，具備在晶圓W的周方向並列配置的複數吐出口71，從該等複數吐出口71對晶圓W的下面供應加熱後的流體。
又，實施形態的基板處理裝置1具備控制裝置11。控制裝置11例如是電腦，具備控制部12及記憶部13。
記憶部13，例如，由RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等的半導體記憶體元件、或硬碟、光碟等記憶裝置實現，記憶控制在基板處理裝置1中執行的各種處理的程式。
控制部12，包含具有CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、輸出入端子等的微電腦及各種電路。控制部12藉由將記憶於記憶部13中的程式讀出並執行，控制基板處理裝置1的動作。
此外，相關的程式為記錄於由電腦可讀取的記憶媒體中者，從該記憶媒體安裝至控制裝置11的記憶部13也可以。作為由電腦可讀取的記憶媒體，例如有硬碟(HD)、可撓性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
＜實施形態＞ 接著，參照圖3~圖10，邊說明關於實施形態的基板處理裝置1的詳細構造及動作。圖3為表示實施形態的回收部50的構造的剖面圖，具體上有圖1所示的A-A線的箭視剖面圖。
如圖3所示，回收部50具備外側罩杯51、內側罩杯52、受液空間60、排氣孔61、排氣通路62、排氣口63、及環狀排管64。又，在排氣口63連接泵80。
接著，基板處理裝置1，藉由使該泵80動作，將以外側罩杯51及內側罩杯52構成的受液空間60，經由排氣孔61、排氣通路62及排氣口63排氣。藉此，基板處理裝置1，能夠將晶圓W的周圍經由以外側罩杯51及內側罩杯52構成的受液空間60排氣。
外側罩杯51，以包圍比晶圓W還外側的側方及比晶圓W還外側的上方的方式設置。外側罩杯51具有罩杯基部53、上側環狀構件54、及O形環57。
罩杯基部53在回收部50的最外周包圍基板旋轉部20的全周。罩杯基部53，略鉛直立起至與內側罩杯52的上端部同程度的高度。
上側環狀構件54，以包圍晶圓W的外側上方的方式設置。上側環狀構件54，以從罩杯基部53的上端部越內側(亦即越接近晶圓W)越高的方式傾斜。
O形環57，設於上側環狀構件54與罩杯基部53之間，將該上側環狀構件54與罩杯基部53之間密閉。此外，本揭示中，上側環狀構件54與罩杯基部53之間，藉由O形環以外的構件密閉也可以。
又，上側環狀構件54具有第1構件55、及第2構件56。第1構件55，以可脫附安裝於罩杯基部53的上端部，將晶圓W的外周環狀包圍。第1構件55的內面55a具有親水性，沿著後述內側罩杯52的傾斜部52a傾斜。亦即，第1構件55的內面55a為親水面。
此外，本揭示中，「表面具有親水性」是指附著於該表面的處理液的接觸角為90°以下；「表面具有疏水性」是指附著於該表面的處理液的接觸角為90°以上。
第2構件56，至少以可脫附安裝於第1構件55的內周端，表面56a為疏水性。亦即，第2構件56的表面56a為疏水面。又，第2構件56具有支持部56b、及返回部56c。
支持部56b為支持於第1構件55的部位，例如，支持於第1構件55的上端部。返回部56c，從支持部56b的內周端以預定的寬度(例如3(mm)左右)向下方屈曲，往接近晶圓W的周緣部的方向延伸。
返回部56c的下端部，相對於晶圓W所在的位置的高度設於高預定的高度(例如2(mm)左右)的位置。又，返回部56c的下端部，相對於晶圓W的周緣部在水平方向正設於預定的距離(例如5(mm)左右)的外周側。
如此，藉由在晶圓W的周緣部與返回部56c的下端部之間設置預定的大小的間隙，能夠連繫晶圓W的上面露出的空間、與以外側罩杯51及內側罩杯52構成的受液空間60。
其中，實施形態中，位於晶圓W的側方，從晶圓W飛散的處理液直接碰觸的第2構件56的表面56a具有疏水性。藉此，能夠抑制附著於第2構件56的處理液的液滴集中變大。因此，根據實施形態，因為新從晶圓W飛散的處理液會衝撞該大的液滴，能夠抑制處理液反彈回晶圓W。
再來，實施形態中，直接接受從晶圓W飛散的處理液的第1構件55及第2構件56，以能從鄰接的其他構件的任一者脫附的方式構成。
藉此，在基板處理裝置1中晶圓W的表面狀態及處理液的種類有各種變更的情形也一樣，因為相對於變更的各種參數將第1構件55及第2構件56的表面狀態最適化，能夠抑制處理液反彈回晶圓W。
因此，根據實施形態，無論晶圓W的表面狀態及處理液的種類，能夠抑制從外側罩杯51的處理液的彈回。
又，實施形態中，傾斜面即第1構件55的內面55a可以是親水性。藉此，能夠抑制從晶圓W飛散，附著於第1構件55的內面55a的處理液殘留於該內面55a。
因此，根據實施形態，因為能夠抑制殘留於內面55a的處理液逆流回晶圓W，能夠抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，實施形態中，罩杯基部53的內面53a可以是疏水性。藉此，能夠使到達罩杯基部53的內面53a的處理液，圓滑地流至位於內面53a的下方的環狀排管64。
又，實施形態中，在外側罩杯51中最接近晶圓W的第2構件56，可以具有返回部56c。藉此，因為在晶圓W的周緣部與外側罩杯51之間形成預定的大小的間隙，能夠將晶圓W的周圍經由受液空間60圓滑地排氣。
再來，實施形態中，因為第2構件56具有返回部56c，能夠縮小接近晶圓W的周緣部的第1構件55及第2構件56的面積。藉此，能夠縮小附著於第1構件55及第2構件56的處理液之量。
因此，根據實施形態，因為能夠抑制殘留於第1構件55的內面55a及第2構件56的表面56a處理液逆流回晶圓W，能夠抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
圖4為表示實施形態的第2構件56的構造的斜視圖。如圖4所示，實施形態的第2構件56的返回部56c，沿著晶圓W的周緣部設為環狀。
接著，實施形態的返回部56c，具有使從噴嘴32供應並飛散的處理液向第1構件55流通的開口部56d。
藉此，能夠抑制從噴嘴32供應並飛散的處理液直接碰觸返回部56c。因此，根據實施形態，能夠抑制從返回部56c的處理液的彈回。
該開口部56d，例如可以從第2構件56的噴嘴32的附近，至從噴嘴32供應並飛散的處理液不會直接碰觸的位置形成。藉此，能夠抑制從返回部56c的處理液的彈回，並能夠抑制從第1構件55的內面55a的處理液的逆流。
因此，根據實施形態，能夠更加抑制從晶圓W飛散的處理液所致的晶圓W的汙染。
圖5為表示實施形態的第1構件55的構造的斜視圖。如圖5所示，在實施形態的第1構件55的內面55a，設置複數溝55b。該溝55b，沿著供應至旋轉的晶圓W的處理液飛散至外側的流動的方向形成。
藉此，能夠使用晶圓W的旋轉流將附著於第1構件55的內面55a的處理液圓滑地引導至環狀排管64。
再來，藉由在內面55a設置複數溝55b，能夠抑制附著於內面55a的處理液的液滴集中變大。因此，根據實施形態，因為新從晶圓W飛散的處理液會衝撞該大的液滴，能夠抑制處理液反彈回晶圓W。
回到圖3說明。內側罩杯52，在外側罩杯51的內側，沿著該外側罩杯51的內面(罩杯基部53的內面53a及第1構件55的內面55a)設置。
亦即，內側罩杯52具有沿著傾斜面的第1構件55的內面55a設置的傾斜部52a、沿著鉛直面的罩杯基部53的內面53a設置的鉛直部52b。
傾斜部52a，從晶圓W的周緣部附近朝向外側漸漸下降。鉛直部52b，從傾斜部52a的外周端朝向下方在略鉛直方向延伸。
受液空間60，形成於外側罩杯51與內側罩杯52之間。排氣孔61，以貫通內側罩杯52的方式形成。排氣通路62，形成於內側罩杯52的內側。
排氣通路62，例如形成於內側罩杯52、與位於該內側罩杯52的內側及下側的壁部58之間。該排氣通路62與受液空間60之間，藉由排氣孔61連繫。
排氣口63連接至排氣通路62。排氣口63，例如設於壁部58的預定位置。此外，排氣口63在壁部58設於1位置也可以、設於複數位置也可以。此外，關於比排氣口63還下游側的排氣導管100(圖10參照)的詳細將於後述。
環狀排管64，形成於外側罩杯51與內側罩杯52之間(例如外側罩杯51的下端部與內側罩杯52的下端部之間)。環狀排管64，將供應至晶圓W的處理液向外部排出。關於該環狀排管64的詳細將於後述。
其中，實施形態中，排氣孔61，從內側罩杯52的外面52c至內面52d朝向斜下方向形成。藉此，因為能夠使從受液空間60向排氣通路62的氣流平穩，能夠將晶圓W的周圍有效排氣。
因此，根據實施形態，能夠抑制因在晶圓W的周圍滯留的處理液的噴霧等汙染晶圓W。
又，實施形態中，排氣孔61可以配置於內側罩杯52的鉛直部52b。藉此，能夠抑制順著內側罩杯52的外面52c落下的處理液，流入排氣孔61而非環狀排管64。
因此，根據實施形態，能夠良好分離順著內側罩杯52落下的處理液。
圖6為表示實施形態的環狀排管64的構造的剖面圖、圖7為表示實施形態的環狀排管64的構造的平面圖。如圖7所示，環狀排管64在平面視為環狀(例如圓環狀)。
又，在環狀排管64中的預定位置的底面設有排液口64a。該排液口64a經由排液路90連接至排出部DR。
又，實施形態中，如圖6等所示，在下面供應部40設置洗淨液噴嘴46。該洗淨液噴嘴46，設於下面噴嘴41的附近，在下方向吐出洗淨液CL。
從洗淨液噴嘴46吐出的洗淨液CL，經由在內側罩杯52內形成的溝部47，對環狀排管64的洗淨液供應部64b供應。實施形態的洗淨液CL例如是DIW等。
又，如圖7所示，因為洗淨液噴嘴46設於與排液口64a對向的位置，洗淨液供應部64b設於與排液口64a對向的位置。
其中，實施形態中，在環狀排管64中排液口64a設於最低的位置，且洗淨液供應部64b設於最高的位置。接著，環狀排管64，以從洗淨液供應部64b向排液口64a漸漸變低的方式形成。
藉此，從洗淨液噴嘴46供應至洗淨液供應部64b的洗淨液CL，如圖7所示，流經環狀排管64的全體從排液口64a排出。亦即，實施形態中，藉由從設於與排液口64a對向的位置的洗淨液噴嘴46，向洗淨液供應部64b供應洗淨液CL，能夠將環狀排管64全體良好地洗淨。
接著，實施形態中，藉由使洗淨液噴嘴46動作將環狀排管64洗淨，能夠降低在受液空間60內滯留的處理液的噴霧的量。因此，根據實施形態，能夠抑制因在受液空間60內滯留的噴霧逆流，汙染晶圓W。
圖8為表示實施形態的環狀排管64的洗淨處理的一例的時序圖表。如圖8所示，基板處理裝置1(圖1參照)中，對1片晶圓W進行各種處理。
例如，控制部12(圖1參照)首先實施將結束各種處理的晶圓W從處理容器10(圖1參照)搬出，並將下個晶圓W搬入處理容器10的搬送處理(步驟S101)。
接著，控制部12，對搬入處理容器10的晶圓W的周緣部，實施各種液處理(步驟S102)。接著，控制部12，對實施各種液處理的晶圓W實施沖洗處理(步驟S103)。該沖洗處理，例如，藉由對晶圓W從噴嘴32及下面噴嘴41供應DIW實施。
接著，控制部12，對實施沖洗處理的晶圓W實施乾燥處理(步驟S104)。該乾燥處理，例如，藉由將晶圓W高速旋轉實施。
最後，控制部12，將結束上述各處理的晶圓W從處理容器10搬出，並實施將下個晶圓W搬入處理容器10的搬送處理(步驟S105)。
其中，圖8之例中，控制部12，與晶圓W的搬送處理(步驟S101、S105)並行，實施環狀排管64的洗淨處理(步驟S111)。
如此，藉由與晶圓W的搬送處理並行實施環狀排管64的洗淨處理，即便在排管洗淨處理中滯留於受液空間60內的處理液的噴霧之量暫時增大，也能夠抑制晶圓W被汙染。
圖9為表示實施形態的環狀排管64的洗淨處理的別的一例的時序圖表。圖9之例中，控制部12，與晶圓W的沖洗處理(步驟S103)並行，實施環狀排管64的洗淨處理(步驟S121)。該圖9之例中，例如，噴嘴32從下面噴嘴41及洗淨液噴嘴46同時將DIW吐出。
如此，藉由與晶圓W的沖洗處理並行實施環狀排管64的洗淨處理，因為不需要使晶圓W的各種處理待機至排管洗淨處理結束，能夠縮短晶圓W的全體的處理時間。
圖10為表示實施形態的排氣導管100的構造的斜視圖。此外，圖10中，關於基板旋轉部20、回收部50、加熱機構70及排氣導管100以外的部位省略圖示。
如圖10所示，排氣導管100連接至回收部50的排氣口63(圖3參照)，將排氣通路62內的排氣排出至泵80(圖3參照)。排氣導管100，從上游側依序具有下降部101、水平部102、及上升部103。
圓筒狀的下降部101為連接至回收部50的排氣口63，朝向下方延伸的部位。箱狀的水平部102為連接至下降部101的下游側，在水平方向且從回收部50遠離的方向延伸的部位。
圓筒狀的上升部103為連接至水平部102的下游側，向上方延伸的部位。又，上升部103延伸至比回收部50還上方。此外，排氣導管100，在平面視中，因為水平部102的下游側延伸至比回收部50還外側，即便上升部103延伸至比回收部50還上方，也不會與回收部50干涉。
如同至此的說明，實施形態的排氣導管100，連接至回收部50的下側，並可以延伸至比回收部50還上方。藉此，能夠抑制到達排氣通路62的液滴，從排氣口63經由排氣導管100排出至外部。
亦即，實施形態中，能夠將到達排氣通路62的液滴在排氣導管100良好地分離。
又，實施形態中，在水平部102的底面，可以連接連繫至排出部DR的排液路104。藉此，因為能夠將到達水平部102的液滴排出至排出部DR，能夠將到達水平部102的液滴在排氣導管100更良好地分離。
又，實施形態中，排氣導管100的水平部102可以是箱狀。藉此，藉由在箱狀的水平部102連繫直線狀的配管下降部101及上升部103，能夠構成排氣導管100。因此，根據實施形態，能夠降低排氣導管100的製造成本。
又，實施形態中，在箱狀的水平部102中，可以在與下降部101連接的部位的下側設置傾斜部102a。藉此，在與下降部101連接的部位，能夠抑制排氣的方向從下方向變化成水平方向時產生的渦流的產生。
因此，根據實施形態，因為能夠更降低在排氣導管100的壓損，能夠更降低從晶圓W的周圍連繫至泵80的排氣路全體的流路阻抗。
又，實施形態中，在箱狀的水平部102中，在與上升部103連接的部位的下側設置傾斜部102b即可。藉此，在與上升部103連接的部位，能夠抑制排氣的方向從水平方向變化成上方向時產生的渦流的產生。
因此，根據實施形態，因為能夠更降低在排氣導管100的壓損，能夠更降低從晶圓W的周圍連繫至泵80的排氣路全體的流路阻抗。
此外，實施形態中，上升部103的內徑，與下降部101的內徑略等也可以、比下降部101的內徑大也可以。實施形態中，藉由使上升部103的內徑比下降部101的內徑還大，能夠再降低在排氣導管100的壓損。
又，實施形態中，箱狀的水平部102的內部尺寸，比圓筒狀的下降部101及上升部103的內徑還大較佳。藉此，能夠將下降部101及上升部103無問題地連接至水平部102。
另一方面，水平部102的內部尺寸過大於下降部101及上升部103的內徑時，在下降部101與水平部102的連接部及水平部102與上升部103的連接部中，流路的剖面積急劇地擴大縮小所致的渦流常會產生。因此，實施形態中，水平部102的剖面積，是下降部101及上升部103的剖面積的2倍以下即可。
＜變形例1＞ 接著，參照圖11~圖17，邊說明關於實施形態的基板處理裝置1的各種變形例。圖11為表示實施形態的變形例1的上側環狀構件54的構造的剖面圖。
如圖11所示，變形例1的上側環狀構件54，其第2構件56的構造與上述實施形態不同。具體上，變形例1中，第2構件56中的返回部56c的前端部會再朝向外側屈曲。
藉此，變形例1中，能夠使附著於返回部56c的前端部的處理液的液滴從晶圓W遠離。因此，根據變形例1，能夠抑制因在返回部56c的前端部附著的液滴汙染晶圓W。
又，變形例1中，返回部56c的前端部，從下方覆蓋第1構件55的內周端也可以。藉此，因為是親水面的內面55a與疏水面的表面56a的邊界，能夠抑制處理液的液滴飛散至液滴容易集中的第1構件55的內周端。
因此，根據變形例1，能夠抑制因在第1構件55的內周端附著的液滴汙染晶圓W。
＜變形例2＞ 圖12為表示實施形態的變形例2的上側環狀構件54的構造的剖面圖。如圖12所示，變形例2的上側環狀構件54，其第1構件55的構造與上述實施形態不同。
具體上，變形例2中，第1構件55的內面55a包含水平部55a1及傾斜部55a2。水平部55a1為從第2構件56的內面略水平延伸的面。
傾斜部55a2從水平部55a1的最外周以越外側越低的方式傾斜。此外，變形例2中的傾斜部55a2的傾斜角略等於實施形態的內面55a的傾斜角。
藉此，變形例2中，能夠使附著於第1構件55的內面55a的處理液的液滴從晶圓W遠離。因此，根據變形例2，能夠抑制因在內面55a附著的液滴汙染晶圓W。
＜變形例3＞ 圖13為表示實施形態的變形例3的上側環狀構件54的構造的剖面圖。如圖13所示，變形例3的上側環狀構件54，其第1構件55的構造與上述變形例2不同。
變形例3的水平部55a1比變形例2的水平部還更在外周側延伸。又，變形例3的傾斜部55a2的傾斜角比變形例2的傾斜部55a2的傾斜角還大。
藉此，變形例3中，能夠更使附著於第1構件55的內面55a的處理液的液滴從晶圓W遠離。因此，根據變形例3，能夠更抑制因在內面55a附著的液滴汙染晶圓W。
＜變形例4＞ 圖14為表示實施形態的變形例4的回收部50的構造的剖面圖。如圖14所示，變形例4的回收部50，其上側環狀構件54的構造與上述實施形態不同。
具體上，變形例4中，第2構件56的返回部56c的突出長度比實施形態還短。例如，變形例4中，向返回部56c(圖3參照)的下方的突出長度為3(mm)左右。
藉此，變形例4中，因為能夠抑制在返回部56c的裏側形成過剩的受液空間60，能夠減少在該剩餘的受液空間60產生的渦流的大小。因此，根據變形例4，能夠使從晶圓W向排氣孔61的氣流平穩。
＜變形例5＞ 圖15為表示實施形態的變形例5的回收部50的構造的剖面圖。如圖15所示，變形例5的回收部50，其上側環狀構件54的構造與上述實施形態不同。
具體上，變形例5中，第2構件56的返回部56c未在下方突出，第1構件55的內面55a直接從返回部56c的下端部向外方延伸。
藉此，變形例5中，因為能夠更抑制在返回部56c的裏側形成過剩的受液空間60，能夠更減少在該剩餘的受液空間60產生的渦流的大小。因此，根據變形例5，能夠更使從晶圓W向排氣孔61的氣流平穩。
＜變形例6＞ 圖16為表示實施形態的變形例6的回收部50的構造的剖面圖。至此說明的實施形態及各種變形例中，雖示出關於連繫受液空間60與排氣通路62之間的排氣孔61設於內側罩杯52之例，但本揭示不限於該例。
例如，如圖16所示，排氣孔61設於外側罩杯51也可以。該排氣孔61具有上升部61a、屈曲部61b、及下降部61c。上升部61a，從受液空間60的最外周的上端，將罩杯基部53與上側環狀構件54之間向上方延伸。
屈曲部61b，從上升部61a的下游側的端部，將罩杯基部53與上側環狀構件54之間向下方屈曲。下降部61c，從屈曲部61b的下游側的端部，將罩杯基部53的內部向下方延伸。又，下降部61c的下游側連接至排氣通路62。
排氣孔61即便是這種構造，因為第1構件55及第2構件56都是能從其他構件脫附的構造，藉此在晶圓W的表面狀態及處理液的種類變更成各式各樣的情形，也能夠將第1構件55及第2構件56的表面狀態最適化。
因此，根據變形例6，無論晶圓W的表面狀態及處理液的種類，都能夠抑制從外側罩杯51的處理液的彈回。
又，變形例6中，因為上升部61a設於排氣孔61的上游側，都能夠抑制處理液的液滴進入排氣孔61。因此，根據實施形態，能夠將到達排氣孔61的液滴在上升部61a良好地分離。
＜變形例7＞ 圖17為表示實施形態的變形例7的回收部50的構造的剖面圖。至此說明的實施形態及各種變形例中，雖示出關於外側罩杯51的上側環狀構件54可脫附的構造之例，但本揭示不限於該例。
例如，如圖17所示，外側罩杯51一體構成也可以。該外側罩杯51具有基部51a、上側環狀部51b、及返回部51c。
基部51a在回收部50的最外周包圍基板旋轉部20的全周。基部51a，鉛直立起至與內側罩杯52的上端部同程度的高度。
上側環狀部51b以包圍晶圓W的外側的上方的方式設置。上側環狀部51b，以從基部51a的上端部越內側(亦即越接近晶圓W)越高的方式傾斜。
返回部51c，從上側環狀部51b的內周端以預定的寬度(例如3(mm)左右)屈曲，在接近晶圓W的周緣部的方向延伸。
即便外側罩杯51是這種構造，因為排氣孔61從內側罩杯52的外面52c至內面52d向斜下方向形成，能夠使從受液空間60向排氣通路62的氣流平穩。
因此，根據變形例7，因為能夠將晶圓W的周圍有效地排氣，能夠抑制因在晶圓W的周圍滯留的處理液的噴霧等汙染晶圓W。
又，變形例7中，與上述實施形態一樣，排氣孔61配置於內側罩杯52的鉛直部52b即可。藉此，能夠抑制順著內側罩杯52的外面52c落下的處理液，流入排氣孔61而非環狀排管64。
因此，根據變形例7，能夠良好分離順著內側罩杯52落下的處理液。
＜變形例8＞ 圖18為表示實施形態的變形例8的回收部50的構造的剖面圖。至此說明的實施形態及各種變形例中，雖示出關於在外側罩杯51設置返回部56c或返回部51c之例，但本揭示不限於該例。
例如，如圖18所示，在一體構成的外側罩杯51中，該外側罩杯51以基部51a及上側環狀部51b構成也可以。
又，變形例8中，外側罩杯51的內面51d，具有從最接近晶圓W的位置(例如外側罩杯51的內周端)朝向外側水平延伸的水平部51d1。
藉此，因為能夠使從晶圓W向外側的晶圓W的旋轉流沿著水平部51d1，能夠將附著於該水平部51d1的處理液，使用晶圓W的旋轉流圓滑地誘導至環狀排管64。
因此，根據變形例8，因為能夠抑制殘留於水平部51d1的處理液逆流回晶圓W，能夠抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
圖19及圖20為表示實施形態的變形例8的遮罩59的構造的斜視圖。此外，圖19為從內側看噴嘴32時的斜視圖、圖20為從上方看噴嘴32時的斜視圖。又，圖19及圖20示出關於噴嘴32位於晶圓W的周緣部上方的處理位置的情形。
如圖19及圖20所示，變形例8中，噴嘴32具有遮罩59。遮罩59配置於噴嘴32的周圍。遮罩59具有側壁部59a、59b、59c、上壁部59d、及突出部59e。
側壁部59a、59b、59c分別接近噴嘴32的側部配置，在鉛直方向延伸。側壁部59a從基板旋轉部20的中心看時配置於噴嘴32的內側。側壁部59b從基板旋轉部20的中心看時配置於噴嘴32的外側。側壁部59c設於連繫側壁部59a與側壁部59b的位置。
上壁部59d接近噴嘴32的上方配置，在水平方向延伸。上壁部59d在噴嘴32的上方，配置於連繫側壁部59a與側壁部59b的位置。突出部59e配置於側壁部59b的外側，在水平方向延伸。亦即，突出部59e從側壁部59b的外側的面在外側水平方向突出。
又，變形例8中，外側罩杯51的上側環狀部51b具有開口部51e、51f。開口部51e，使從噴嘴32供應並飛散的處理液向受液空間60(圖18參照)流通。
藉此，能夠抑制從噴嘴32供應並飛散的處理液直接碰觸外側罩杯51的內周端。因此，根據變形例8，能夠抑制從外側罩杯51的內周端的處理液的彈回。
該開口部51e，例如可以從外側罩杯51的內周端的噴嘴32的附近，至從噴嘴32供應並飛散的處理液不會直接碰觸的位置形成。藉此，能夠抑制從外側罩杯51的內周端的處理液的彈回，並能夠抑制從外側罩杯51的內面51d(圖18參照)的處理液的逆流。
因此，根據變形例8，能夠更加抑制從晶圓W飛散的處理液所致的晶圓W的汙染。
開口部51f，為了使噴嘴32能夠在處理位置與待機位置之間移動而形成。亦即，噴嘴32位於待機位置的情形，噴嘴32被收容於開口部51f。另一方面，噴嘴32位於處理位置的情形，噴嘴32位於比開口部51f還內側。
其中，變形例8中，如圖19所示，噴嘴32位於處理位置的情形，藉由側壁部59b堵塞開口部51f的至少一部分即可。藉此，噴嘴32位於處理位置的情形，因為能夠縮小開口部51f的開口面積，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例8中，在晶圓W的液處理中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例8，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，變形例8中，如圖20所示，噴嘴32位於處理位置的情形，可以藉由突出部59e堵塞開口部51f的至少一部分。藉此，噴嘴32位於處理位置的情形，因為能夠縮小開口部51f的開口面積，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例8中，在晶圓W的液處理中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例8，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，變形例8中，如圖20所示，可以在突出部59e與側壁部59b之間設置狹縫59f。藉此，能夠在形成於突出部59e的下方的空間，形成來自狹縫59f的下方流。
因此，根據變形例8，因為能夠抑制形成於突出部59e的下方的空間淤塞，能夠抑制因在該空間滯留的處理液的噴霧汙染晶圓W。
＜變形例9＞ 圖21及圖22為表示實施形態的變形例9的遮罩59的構造的斜視圖。此外，圖21為從內側看噴嘴32時的斜視圖、圖22為從上方看噴嘴32時的斜視圖。又，圖21及圖22示出關於噴嘴32位於晶圓W的周緣部上方的處理位置的情形。
如圖21及圖22所示，變形例9中，與上述變形例8比較，側壁部59a及側壁部59c的面積變小。在該情形中也與上述變形例8一樣，噴嘴32位於處理位置的情形，因為藉由側壁部59b堵塞開口部51f的至少一部分，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例9中，在晶圓W的液處理中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例9，能夠抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，變形例9中，與上述變形例8一樣，噴嘴32位於處理位置的情形，可以藉由突出部59e堵塞開口部51f的至少一部分。藉此，噴嘴32位於處理位置的情形，因為能夠縮小開口部51f的開口面積，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例9中，在晶圓W的液處理中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例9，能夠抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，變形例9中，與上述變形例8一樣，可以在突出部59e與側壁部59b之間設置狹縫59f。藉此，能夠在形成於突出部59e的下方的空間，形成來自狹縫59f的下方流。
因此，根據變形例9，因為能夠抑制形成於突出部59e的下方的空間淤塞，能夠抑制因在該空間滯留的處理液的噴霧汙染晶圓W。
＜變形例10＞ 圖23及圖24為表示實施形態的變形例10的遮罩59的構造的斜視圖。此外，圖23為從內側看噴嘴32時的斜視圖、圖24為從上方看噴嘴32時的斜視圖。又，圖23及圖24示出關於噴嘴32位於晶圓W的周緣部上方的處理位置的情形。
如圖23及圖24所示，變形例10中，側壁部59a及側壁部59b的構造與上述變形例8不同。具體上，變形例10中，噴嘴32並非位於處理位置而是位於待機位置時，藉由側壁部59a堵塞開口部51f的至少一部分。
藉此，噴嘴32位於待機位置的情形，因為能夠縮小開口部51f的開口面積，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例10中，在噴嘴32的待機中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例10，能夠抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，變形例10中，與上述變形例8一樣，噴嘴32位於處理位置的情形，可以藉由突出部59e堵塞開口部51f的至少一部分。藉此，噴嘴32位於處理位置的情形，因為能夠縮小開口部51f的開口面積，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例10中，在晶圓W的液處理中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例10，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，變形例10中，與上述變形例8一樣，可以在突出部59e與側壁部59b之間設置狹縫59f。藉此，能夠在形成於突出部59e的下方的空間，形成來自狹縫59f的下方流。
因此，根據變形例10，因為能夠抑制形成於突出部59e的下方的空間淤塞，能夠抑制因在該空間滯留的處理液的噴霧汙染晶圓W。
＜變形例11＞ 圖25及圖26為表示實施形態的變形例11的遮罩59的構造的斜視圖。此外，圖25為從內側看噴嘴32時的斜視圖、圖26為從上方看噴嘴32時的斜視圖。又，圖25及圖26示出關於噴嘴32位於晶圓W的周緣部上方的處理位置的情形。
如圖25及圖26所示，變形例11中，側壁部59a及側壁部59b的構造與上述變形例8及變形例10不同。具體上，變形例11中，因為側壁部59a及側壁部59b的面積小，以側壁部59a、59b無法堵塞開口部51f的全體。
根據此，噴嘴32位於處理位置或待機位置的情形也一樣，因為能夠使開口部51f的開口面積縮小至某種程度，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例11中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速至某種程度，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例11，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，變形例11中，與上述變形例8一樣，噴嘴32位於處理位置的情形，可以藉由突出部59e堵塞開口部51f的至少一部分。藉此，噴嘴32位於處理位置的情形，因為能夠縮小開口部51f的開口面積，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例11中，在晶圓W的液處理中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例11，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，變形例11中，與上述變形例8一樣，可以在突出部59e與側壁部59b之間設置狹縫59f。藉此，能夠在形成於突出部59e的下方的空間，形成來自狹縫59f的下方流。
因此，根據變形例11，因為能夠抑制形成於突出部59e的下方的空間淤塞，能夠抑制因在該空間滯留的處理液的噴霧汙染晶圓W。
＜變形例12＞ 圖27為表示實施形態的變形例12的遮罩59的構造的斜視圖。又，圖27為從上方看噴嘴32時的斜視圖，示出關於噴嘴32位於晶圓W的周緣部上方的處理位置的情形。
如圖27所示，變形例12中，未在遮罩59設置狹縫59f的點與上述變形例11不同。在該情形中，也因為藉由在遮罩59設置側壁部59a、59b，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例12中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速至某種程度，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例12，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，變形例12中，與上述變形例11一樣，噴嘴32位於處理位置的情形，可以藉由突出部59e堵塞開口部51f的至少一部分。藉此，噴嘴32位於處理位置的情形，因為能夠縮小開口部51f的開口面積，能夠縮小晶圓W與外側罩杯51之間的間隙面積。
亦即，變形例12中，在晶圓W的液處理中，於晶圓W與外側罩杯51之間的間隙，因為能夠加速晶圓W的旋轉流的流速，能夠抑制殘留於內面51d的處理液及在受液空間60滯留的處理液的噴霧逆流至晶圓W。因此，根據變形例12，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
實施形態的基板處理裝置1，具備基板旋轉部20、外側罩杯51、內側罩杯52、環狀排管64、及排氣通路62。基板旋轉部20保持基板(晶圓W)使其旋轉。外側罩杯51，環狀覆蓋保持於基板旋轉部20的基板(晶圓W)的周圍。內側罩杯52，配置於外側罩杯51的內側，並配置於保持於基板旋轉部20的基板(晶圓W)的下方。環狀排管64，形成於外側罩杯51與內側罩杯52之間，將供應至基板(晶圓W)的處理液向外部排出。排氣通路62，形成於內側罩杯52的內側。內側罩杯52，具有連通以內側罩杯52與外側罩杯51形成的受液空間60與排氣通路62之間的排氣孔61。排氣孔61，從內側罩杯52的外面52c至內面52d朝向斜下方向形成。藉此，能夠抑制因在晶圓W的周圍滯留的處理液的噴霧等汙染晶圓W。
又，實施形態的基板處理裝置1中，內側罩杯52，具有隨著朝向外側逐漸下降的傾斜部52a、從傾斜部52a的外周端朝向環狀排管64在鉛直方向延伸的鉛直部52b。又，排氣孔61配置於鉛直部52b。藉此，能夠良好分離順著內側罩杯52落下的處理液。
又，實施形態的基板處理裝置1中，外側罩杯51，具有內面沿著內側罩杯52的傾斜部52a傾斜的上側環狀構件54。又，上側環狀構件54的內面，在平面視時，具有在內周端具有預定寬度的疏水面(表面55c)、及位於疏水面(表面55c)的外側的親水面(內面55a)。藉此，能夠更加抑制從上側環狀構件54的內面逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，實施形態的基板處理裝置1，更具備能在水平方向移動，對保持在基板旋轉部20的基板(晶圓W)供應處理液的處理液噴嘴(噴嘴32)。又，外側罩杯51，用來使處理液噴嘴(噴嘴32)能在基板(晶圓W)的周緣部上方的處理位置、與比處理位置還外側的待機位置之間移動而形成的開口部51f。又，處理液噴嘴(噴嘴32)，具有堵塞開口部51f的至少一部分的遮罩59。藉此，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，實施形態的基板處理裝置1中，遮罩59具有側壁部59a、59b、59c及上壁部59d。側壁部59a、59b、59c接近處理液噴嘴(噴嘴32)的側部配置。上壁部59d於處理液噴嘴(噴嘴32)的上方配置。藉此，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，實施形態的基板處理裝置1中，側壁部59b，從基板旋轉部20的中心看配置於處理液噴嘴(噴嘴32)的外側，處理液噴嘴(噴嘴32)位於處理位置時，堵塞開口部51f的至少一部分。藉此，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，實施形態的基板處理裝置1中，側壁部59a，從基板旋轉部20的中心看配置於處理液噴嘴(噴嘴32)的內側，處理液噴嘴(噴嘴32)位於待機位置時，堵塞開口部51f的至少一部分。藉此，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又。實施形態的基板處理裝置1中，外側罩杯51的內面51d，具有從最接近基板(晶圓W)的位置朝向外側水平延伸的水平部51d1。藉此，能夠更加抑制逆流的處理液所致的晶圓W的汙染。
又，實施形態的基板處理裝置1，更具備對環狀排管64供應洗淨液CL的洗淨液噴嘴46。又，環狀排管64，在對向於設置洗淨液噴嘴46的位置的底面具有排液口64a。藉此，能夠將環狀排管64全體良好地洗淨。
又，實施形態的基板處理裝置1中，環狀排管64，具有傾斜使得排液口64a成為最低。藉此，能夠將環狀排管64全體良好地洗淨。
又，實施形態的基板處理裝置1，更具備控制各部的控制部12。又，控制部12，將之前的基板(晶圓W)以處理液進行處理後，將下個基板(晶圓W)以處理液進行處理前，從洗淨液噴嘴46對環狀排管64供應洗淨液CL。如此，即便在排管洗淨處理中滯留於受液空間60內的處理液的噴霧之量暫時增大，也能夠抑制晶圓W被汙染。
又，實施形態的基板處理裝置1，更具備控制各部的控制部12。又，控制部12，在與從噴嘴32對基板(晶圓W)供應沖洗液的處理相同的時點，從洗淨液噴嘴46對環狀排管64供應洗淨液CL。藉此，能夠縮短晶圓W的全體的處理時間。
又，實施形態的基板處理方法，包含：在上述基板處理裝置1中，對環狀排管64供應洗淨液CL的工程(步驟S111)。該供應洗淨液CL的工程(步驟S111)，將之前的基板(晶圓W)以處理液進行處理後，將下個基板(晶圓W)以處理液進行處理前，從洗淨液噴嘴46對環狀排管64供應洗淨液CL。如此，即便在排管洗淨處理中滯留於受液空間60內的處理液的噴霧之量暫時增大，也能夠抑制晶圓W被汙染。
又，實施形態的基板處理方法，包含在上述基板處理裝置1中，對環狀排管64供應洗淨液CL的工程(步驟S121)。該供應洗淨液CL的工程(步驟S121)，在與從噴嘴32對基板(晶圓W)供應沖洗液的工程(步驟S103)相同的時點，從洗淨液噴嘴46對環狀排管64供應洗淨液CL。藉此，能夠縮短晶圓W的全體的處理時間。
以上雖就本揭示的各實施形態進行說明，但本發明並不限於上述各實施形態，只要不脫離本發明要旨的範圍可以進行各種變更。
應考慮到這次揭示的各實施形態在全部的點都是例示並非用來限制者。實際上，上述各實施形態可以以多種形態具現。又，上述各實施形態，在不脫離申請專利範圍及其要旨的情況下，以各種形態省略、置換、變更也可以。
W:晶圓(基板的一例) 1:基板處理裝置 12:控制部 20:基板旋轉部 32:噴嘴 46:洗淨液噴嘴 50:回收部 51:外側罩杯 51d:內面 51d1:水平部 51f:開口部 52:內側罩杯 52a:傾斜部 52b:鉛直部 52c:外面 52d:內面 53:罩杯基部 53a:內面 54:上側環狀構件 55:第1構件 55a:內面(親水面的一例) 56:第2構件 56a:表面(疏水面的一例) 56b:支持部 56c:返回部 59:遮罩 59a,59b,59c:側壁部 59d:上壁部 59e:突出部 60:受液空間 61:排氣孔 62:排氣通路 63:排氣口 64:環狀排管 64a:排液口 64b:洗淨液供應部 CL:洗淨液
[圖1]圖1為表示實施形態的基板處理裝置的構造的示意圖。 [圖2]圖2為表示實施形態的基板處理裝置的構造的示意圖。 [圖3]圖3為表示實施形態的回收部的構造的剖面圖。 [圖4]圖4為表示實施形態的第2構件的構造的斜視圖。 [圖5]圖5為表示實施形態的第1構件的構造的斜視圖。 [圖6]圖6為表示實施形態的環狀排管的構造的剖面圖。 [圖7]圖7為表示實施形態的環狀排管的構造的平面圖。 [圖8]圖8為表示實施形態的環狀排管的洗淨處理的一例的時序圖表。 [圖9]圖9為表示實施形態的環狀排管的洗淨處理的別的一例的時序圖表。 [圖10]圖10為表示實施形態的排氣導管的構造的斜視圖。 [圖11]圖11為表示實施形態的變形例1的上側環狀構件的構造的剖面圖。 [圖12]圖12為表示實施形態的變形例2的上側環狀構件的構造的剖面圖。 [圖13]圖13為表示實施形態的變形例3的上側環狀構件的構造的剖面圖。 [圖14]圖14為表示實施形態的變形例4的回收部的構造的剖面圖。 [圖15]圖15為表示實施形態的變形例5的回收部的構造的剖面圖。 [圖16]圖16為表示實施形態的變形例6的回收部的構造的剖面圖。 [圖17]圖17為表示實施形態的變形例7的回收部的構造的剖面圖。 [圖18]圖18為表示實施形態的變形例8的回收部的構造的剖面圖。 [圖19]圖19為表示實施形態的變形例8的遮罩的構造的斜視圖。 [圖20]圖20為表示實施形態的變形例8的遮罩的構造的別的斜視圖。 [圖21]圖21為表示實施形態的變形例9的遮罩的構造的斜視圖。 [圖22]圖22為表示實施形態的變形例9的遮罩的構造的別的斜視圖。 [圖23]圖23為表示實施形態的變形例10的遮罩的構造的斜視圖。 [圖24]圖24為表示實施形態的變形例10的遮罩的構造的別的斜視圖。 [圖25]圖25為表示實施形態的變形例11的遮罩的構造的斜視圖。 [圖26]圖26為表示實施形態的變形例11的遮罩的構造的別的斜視圖。 [圖27]圖27為表示實施形態的變形例12的遮罩的構造的斜視圖。
W:晶圓(基板的一例)
1:基板處理裝置
50:回收部
51:外側罩杯
52:內側罩杯
52a:傾斜部
52b:鉛直部
52c:外面
52d:內面
53:罩杯基部
53a:內面
54:上側環狀構件
55:第1構件
55a:內面(親水面的一例)
56:第2構件
56a:表面(疏水面的一例)
56b:支持部
56c:返回部
57:O形環
58:壁部
60:受液空間
61:排氣孔
62:排氣通路
63:排氣口
64:環狀排管
70:加熱機構
80:泵

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，具備：保持基板使其旋轉的基板旋轉部； 環狀覆蓋保持於前述基板旋轉部的前述基板的周圍的外側罩杯； 配置於前述外側罩杯的內側，並配置於保持於前述基板旋轉部的前述基板的下方的內側罩杯； 形成於前述外側罩杯與前述內側罩杯之間，將供應至前述基板的處理液向外部排出的環狀排管； 形成於前述內側罩杯的內側的排氣通路； 其中， 前述內側罩杯，具有連通以前述內側罩杯與前述外側罩杯形成的受液空間與前述排氣通路之間的排氣孔； 前述排氣孔，從前述內側罩杯的外面至內面朝向斜下方向形成。
  2. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述內側罩杯，具有隨著朝向外側逐漸下降的傾斜部、從前述傾斜部的外周端朝向前述環狀排管在鉛直方向延伸的鉛直部； 前述排氣孔配置於前述鉛直部。
  3. 如請求項2記載的基板處理裝置，其中，前述外側罩杯，具有內面沿著前述內側罩杯的前述傾斜部傾斜的上側環狀構件； 前述上側環狀構件的內面，在平面視時，具有在內周端具有預定寬度的疏水面、及位於前述疏水面的外側的親水面。
  4. 如請求項1至3中任一項記載的基板處理裝置，更具備：能在水平方向移動，對保持在前述基板旋轉部的前述基板供應處理液的處理液噴嘴； 前述外側罩杯，具有用來使前述處理液噴嘴能在前述基板的周緣部上方的處理位置、與比前述處理位置還外側的待機位置之間移動而形成的開口部； 前述處理液噴嘴，具有堵塞前述開口部的至少一部分的遮罩。
  5. 如請求項4記載的基板處理裝置，其中，前述遮罩具有側壁部及上壁部； 前述側壁部，接近前述處理液噴嘴的側部配置； 前述上壁部配置於前述處理液噴嘴的上方。
  6. 如請求項5記載的基板處理裝置，其中，前述側壁部，從前述基板旋轉部的中心看配置於前述處理液噴嘴的外側，前述處理液噴嘴位於前述處理位置時，堵塞前述開口部的至少一部分。
  7. 如請求項5記載的基板處理裝置，其中，前述側壁部，從前述基板旋轉部的中心看配置於前述處理液噴嘴的內側，前述處理液噴嘴位於前述待機位置時，堵塞前述開口部的至少一部分。
  8. 如請求項1至3中任一項記載的基板處理裝置，其中，前述外側罩杯的內面，具有從最接近前述基板的位置朝向外側水平延伸的水平部。
  9. 如請求項1至3中任一項記載的基板處理裝置，更具備：對前述環狀排管供應洗淨液的洗淨液噴嘴； 前述環狀排管，在對向於設置前述洗淨液噴嘴的位置的底面具有排液口。
  10. 如請求項9記載的基板處理裝置，其中，前述環狀排管，具有傾斜使得前述排液口成為最低。
  11. 如請求項9記載的基板處理裝置，更具備：控制各部的控制部； 前述控制部， 將之前的前述基板以處理液進行處理後，將下個前述基板以處理液進行處理前，從前述洗淨液噴嘴對前述環狀排管供應洗淨液。
  12. 如請求項9記載的基板處理裝置，更具備：控制各部的控制部； 前述控制部， 在與從噴嘴對前述基板供應沖洗液的處理相同的時點，從前述洗淨液噴嘴對前述環狀排管供應洗淨液。
  13. 一種基板處理方法，係在具備：保持基板使其旋轉的基板旋轉部；環狀覆蓋保持於前述基板旋轉部的前述基板的周圍的外側罩杯；配置於前述外側罩杯的內側，並配置於保持於前述基板旋轉部的前述基板的下方的內側罩杯；形成於前述外側罩杯與前述內側罩杯之間，將供應至前述基板的處理液向外部排出的環狀排管；形成於前述內側罩杯的內側的排氣通路；對前述環狀排管供應洗淨液的洗淨液噴嘴；其中，前述內側罩杯，具有連通以前述內側罩杯與前述外側罩杯形成的受液空間與前述排氣通路之間的排氣孔；前述排氣孔，從前述內側罩杯的外面至內面朝向斜下方向形成的基板處理裝置中，包含： 將之前的前述基板以處理液進行處理後，將下個前述基板以處理液進行處理前，從前述洗淨液噴嘴對前述環狀排管供應洗淨液的工程。
  14. 一種基板處理方法，係在具備：保持基板使其旋轉的基板旋轉部；環狀覆蓋保持於前述基板旋轉部的前述基板的周圍的外側罩杯；配置於前述外側罩杯的內側，並配置於保持於前述基板旋轉部的前述基板的下方的內側罩杯；形成於前述外側罩杯與前述內側罩杯之間，將供應至前述基板的處理液向外部排出的環狀排管；形成於前述內側罩杯的內側的排氣通路；對前述環狀排管供應洗淨液的洗淨液噴嘴；其中，前述內側罩杯，具有連通以前述內側罩杯與前述外側罩杯形成的受液空間與前述排氣通路之間的排氣孔；前述排氣孔，從前述內側罩杯的外面至內面朝向斜下方向形成的基板處理裝置中，包含： 在與從噴嘴對前述基板供應沖洗液的工程相同的時點，從前述洗淨液噴嘴對前述環狀排管供應洗淨液的工程。
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