CN118160073A - 基片处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明的一个方式的基片处理装置(1)包括基片旋转部(20)和杯状体。基片旋转部(20)保持基片并使其旋转。杯状体呈环状地覆盖被保持在基片旋转部(20)的基片的周围。另外，杯状体具有杯状体基部(53)、第一部件(55)和第二部件(56)。杯状体基部(53)包围基片旋转部(20)的整周。第一部件(55)可拆装地安装于杯状体基部(53)的上端部，呈环状地包围基片的外周。第二部件(56)至少可拆装地安装于第一部件(55)的内周端，表面(56a)为疏水性的。

Description

基片处理装置

技术领域

本发明的实施方式涉及一种基片处理装置。

背景技术

一直以来，已知有一边使半导体晶片(以下，也称为晶片)等基片旋转一边进行液处理的技术(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-207320号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种无论基片的表面状态、处理液的种类如何，都能够抑制处理液从杯状体回弹的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理装置包括基片旋转部和杯状体。基片旋转部保持基片并使其旋转。杯状体呈环状地覆盖被保持在上述基片旋转部的上述基片的周围。另外，上述杯状体具有杯状体基部、第一部件和第二部件。杯状体基部包围上述基片旋转部的整周。第一部件可拆装地安装于上述杯状体基部的上端部，呈环状地包围上述基片的外周。第二部件可拆装地安装于至少上述第一部件的内周端，表面为疏水性的。

发明效果

根据本发明，无论基片的表面状态、处理液的种类如何，都能够抑制处理液从杯状体回弹。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理装置的结构的示意图。

图2是表示实施方式的基片处理装置的结构的示意图。

图3是表示实施方式的回收部的结构的剖面图。

图4是表示实施方式的第二部件的结构的立体图。

图5是表示实施方式的第一部件的结构的立体图。

图6是表示实施方式的环状排液部的结构的剖面图。

图7是表示实施方式的环状排液部的结构的俯视图。

图8是表示实施方式的环状排液部的清洗处理的一个例子的时序图。

图9是表示实施方式的环状排液部的清洗处理的另一个例子的时序图。

图10是表示实施方式的排气管道的结构的立体图。

图11是表示实施方式的变形例1的上侧环状部件的结构的剖面图。

图12是表示实施方式的变形例2的上侧环状部件的结构的剖面图。

图13是表示实施方式的变形例3的上侧环状部件的结构的剖面图。

图14是表示实施方式的变形例4的回收部的结构的剖面图。

图15是表示实施方式的变形例5的回收部的结构的剖面图。

图16是表示实施方式的变形例6的回收部的结构的剖面图。

图17是表示实施方式的变形例7的回收部的结构的剖面图。

图18是表示实施方式的变形例8的回收部的结构的剖面图。

图19是表示实施方式的变形例8的覆盖件的结构的立体图。

图20是表示实施方式的变形例8的覆盖件的结构的另一立体图。

图21是表示实施方式的变形例9的覆盖件的结构的立体图。

图22是表示实施方式的变形例9的覆盖件的结构的另一立体图。

图23是表示实施方式的变形例10的覆盖件的结构的立体图。

图24是表示实施方式的变形例10的覆盖件的结构的另一立体图。

图25是表示实施方式的变形例11的覆盖件的结构的立体图。

图26是表示实施方式的变形例11的覆盖件的结构的另一立体图。

图27是表示实施方式的变形例12的覆盖件的结构的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明本申请所公开的基片处理装置的实施方式。此外，本发明并不由以下所示的各实施方式限定。另外，需要注意，附图是示意性的，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等有时与现实不同。而且，在附图彼此之间，有时也包含彼此的尺寸的关系、比率不同的部分。

另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，并省略重复的说明。另外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时表示规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并将Z轴正方向设为铅垂向上方向的直角坐标系。

一直以来，已知有一边使半导体晶片(以下，也称为晶片)等基片旋转一边进行液处理的技术。在该液体处理中，利用以包围旋转的基片的方式配置的杯状体，能够回收从基片飞散的处理液。

另一方面，在上述的现有技术中，在抑制处理液从杯状体回弹这一点上存在进一步改善的余地。特别是，在采用特定的基片的表面状态或特定的处理液的情况下，能够抑制处理液的回弹，但在基片的表面状态、处理液的种类被变更为各种各样的情况下，难以抑制处理液从杯状体回弹。

因此，人们期待一种能够解决上述的技术问题，无论基片的表面状态、处理液的种类如何，都抑制处理液从杯状体回弹的技术。

<基片处理装置的整体结构>

首先，参照图1和图2，对实施方式的基片处理装置1的结构进行说明。图1和图2是表示实施方式的基片处理装置1的结构的示意图。

如图1和图2所示，实施方式的基片处理装置1包括处理容器10、基片旋转部20、上表面供给部30、下表面供给部40、回收部50和加热机构70。

处理容器10收纳基片旋转部20、上表面供给部30、下表面供给部40、回收部50和加热机构70。

基片旋转部20以晶片W可旋转的方式保持晶片W。具体而言，如图2所示，基片旋转部20包括真空吸盘21、轴部22和驱动部23。真空吸盘21通过抽真空来吸附保持晶片W。真空吸盘21的直径小于晶片W的直径，吸附保持晶片W的下表面中央部。

轴部22在前端部水平地支承真空吸盘21。驱动部23与轴部22的根端部连接。驱动部23使轴部22绕铅垂轴旋转，并且使轴部22和支承于该轴部22的真空吸盘21升降。

如图1所示，上表面供给部30通过对晶片W的上表面周缘部供给处理液，来对晶片W的上表面周缘部进行蚀刻。由此，例如能够去除形成于晶片W的上表面周缘部的膜，或者清洗晶片W的上表面周缘部。

另外，晶片W的上表面周缘部是指在晶片W的上表面从端面起例如宽度1～5mm程度的环状的区域。

上表面供给部30包括喷嘴臂31、喷嘴32和移动机构33。喷嘴臂31在水平方向(此处，为Y轴方向)上延伸，在前端部支承喷嘴32。

喷嘴32在晶片W的上方以释放口朝下的状态配置，向晶片W的上表面释放药液、冲洗液等处理液。作为药液，例如能够使用氢氟酸(HF)、稀氢氟酸(DHF)、氟硝酸等。另外，氟硝酸是指氢氟酸(HF)与硝酸(HNO₃)的混合液。另外，作为冲洗液，例如能够使用DIW(去离子水)。

移动机构33与喷嘴臂31的根端部连接。移动机构33使喷嘴臂31例如沿水平方向(此处，为X轴方向)移动。由此，移动机构33能够使喷嘴32在晶片W的周缘部上方的处理位置与比该处理位置靠外侧的待机位置之间移动。

下表面供给部40通过对晶片W的下表面周缘部供给处理液，对晶片W的下表面周缘部进行蚀刻。由此，例如能够去除形成于晶片W的下表面周缘部的膜，或者清洗晶片W的下表面周缘部。

另外，晶片W的下表面周缘部是指在晶片W的下表面从端面起例如宽度1～5mm程度的环状的区域。

如图2所示，下表面供给部40包括下表面喷嘴41、配管42、阀43、流量调节器44和处理液供给源45。下表面喷嘴41配置于晶片W的下方，朝向晶片W的下表面周缘部向上释放处理液。

配管42将下表面喷嘴41与处理液供给源45连接。阀43设置于配管42的中途部，对配管42进行开闭。流量调节器44设置在配管42的中途部，调节在配管42中流动的处理液的流量。处理液供给源45例如是贮存处理液的罐。

另外，下表面供给部40也可以包括使下表面喷嘴41在水平方向上移动的移动机构。在该情况下，下表面供给部40能够使下表面喷嘴41在晶片W的下方的处理位置与晶片W的外侧的待机位置之间移动。

回收部50以包围晶片W的外侧的方式配置，对从晶片W飞散的处理液的液滴进行回收。在实施方式中，为了不遗漏地承接从晶片W飞散的液滴，在回收部50设置外侧杯状体51和内侧杯状体52。外侧杯状体51是杯状体的一个例子。

外侧杯状体51呈环状地覆盖被保持在基片旋转部20的晶片W的周围。外侧杯状体51例如以包围晶片W的侧方设置，并且以包围比晶片W靠外侧的上方的方式设置。

内侧杯状体52配置在外侧杯状体51的内侧，并且配置在被保持在基片旋转部20的晶片W的下方。内侧杯状体52例如配置在加热机构70的外侧。

外侧杯状体51和内侧杯状体52例如由PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(全氟烷氧基烷烃)等氟树脂等的耐药品性高的材料形成。

另外，基片处理装置1使用泵80(参照图3)从回收部50吸引晶片W周围的气体，由此高效地回收从晶片W的周围飞散的液滴。关于该气体的吸引机构的详情，在后文说明。

加热机构70配置在晶片W的下方且基片旋转部20的外侧。具体而言，加热机构70配置在基片旋转部20与内侧杯状体52之间。

加热机构70通过对被保持在基片旋转部20的晶片W的下表面供给已加热的流体，来对晶片W的下表面周缘部进行加热。具体而言，如图1所示，加热机构70包括在晶片W的周向上排列地配置的多个释放口71，从这些多个释放口71对晶片W的下表面供给已加热的流体。

另外，实施方式的基片处理装置1包括控制装置11。控制装置11例如是计算机，包括控制部12和存储部13。

存储部13例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储器件、或者硬盘、光盘等存储装置实现，存储对在基片处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。

控制部12包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。控制部12通过读出并执行存储于存储部13的程序来控制基片处理装置1的工作。

另外，该程序也可以记录在计算机可读取的存储介质中，从该存储介质被安装到控制装置11的存储部13。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

＜实施方式＞

接着，参照图3～图10，对实施方式的基片处理装置1的详细结构和工作进行说明。图3是表示实施方式的回收部50的结构的剖面图，具体而言，是图1所示的A-A线的向视剖面图。

如图3所示，回收部50包括外侧杯状体51、内侧杯状体52、承液空间60、排气孔61、排气通路62、排气口63和环状排液部64。另外，排气口63与泵80连接。

而且，基片处理装置1通过使该泵80工作，以经由排气孔61、排气通路62和排气口63对由外侧杯状体51和内侧杯状体52构成的承液空间60进行排气。由此，基片处理装置1能够对晶片W的周围经由由外侧杯状体51和内侧杯状体52构成的承液空间60进行排气。

外侧杯状体51以包围比晶片W靠外侧的侧方和比晶片W靠外侧的上方的方式设置。外侧杯状体51具有杯状体基部53、上侧环状部件54和O形环57。

杯状体基部53在回收部50的最外周包围基片旋转部20的整周。杯状体基部53大致铅垂地立起至与内侧杯状体52的上端部相同程度的高度。

上侧环状部件54以包围晶片W的外侧的上方的方式设置。上侧环状部件54从杯状体基部53的上端部起，以越靠内侧(即越靠近晶片W)而越变高的方式倾斜。

O形环57设置在上侧环状部件54与杯状体基部53之间，将该上侧环状部件54与杯状体基部53之间密闭。此外，在本发明中，上侧环状部件54与杯状体基部53之间也可以由O形环以外的部件密闭。

另外，上侧环状部件54具有第一部件55和第二部件56。第一部件55可拆装地安装于杯状体基部53的上端部，呈环状地包围晶片W的外周。第一部件55的内表面55a具有亲水性，沿着后述的内侧杯状体52的倾斜部52a倾斜。即，第一部件55的内表面55a为亲水面。

另外，在本发明中，“表面具有亲水性”是指附着于该表面的处理液的接触角为90°以下，“表面具有疏水性”是指附着于该表面的处理液的接触角为90°以上。

第二部件56可拆装地安装于至少第一部件55的内周端，表面56a为疏水性的。即，第二部件56的表面56a是疏水面。另外，第二部件56具有支承部56b和返回部56c。

支承部56b是被第一部件55支承的部位，例如被支承于第一部件55的上端部。返回部56c从支承部56b的内周端以给定宽度(例如，3(mm)程度)向下方弯曲，在靠近晶片W的周缘部的方向上延伸。

返回部56c的下端部设置在相对于晶片W所处的高度高出给定高度(例如2(mm)程度)的位置。另外，返回部56c的下端部设置在相对于晶片W的周缘部在水平方向上隔开规定的距离(例如5(mm)程度)的外周侧。

像这样，通过在晶片W的周缘部与返回部56c的下端部之间设置给定大小的间隙，能够将晶片W的上表面露出的空间与由外侧杯状体51和内侧杯状体52构成的承液空间60相连。

此处，在实施方式中，位于晶片W的侧方且供从晶片W飞散的处理液直接碰撞的第二部件56的表面56a具有疏水性。由此，能够抑制附着于第二部件56的处理液的液滴聚集而变大的情况。因此，依照实施方式，能够抑制由于从晶片W新飞散的处理液撞击到该大的液滴，而处理液回弹到晶片W的情况。

进而，在实施方式中，直接接收从晶片W飞散的处理液的第一部件55和第二部件56构成为均可从相邻的其他部件拆装。

由此，即使在基片处理装置1中晶片W的表面状态、处理液的种类被变更为各种各样的情况下，通过针对变更后的各种参数使第一部件55和第二部件56的表面状态最优，也能够抑制处理液向晶片W回弹。

因此，依照实施方式，无论晶片W的表面状态、处理液的种类如何，都能够抑制处理液从外侧杯状体51回弹。

另外，在实施方式中，作为倾斜面的第一部件55的内表面55a可以为亲水性。由此，能够抑制从晶片W飞散并附着于第一部件55的内表面55a的处理液残留于该内表面55a。

因此，依照实施方式，能够抑制残留于内表面55a的处理液逆流到晶片W，因此能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式中，杯状体基部53的内表面53a可以为疏水性的。由此，能够使到达杯状体基部53的内表面53a的处理液顺畅地流到位于内表面53a的下方的环状排液部64。

另外，在实施方式中，可以在外侧杯状体51中最靠近晶片W的第二部件56具有返回部56c。由此，能够在晶片W的周缘部与外侧杯状体51之间形成给定大小的间隙，因此能够对晶片W的周围经由承液空间60顺畅地进行排气。

进而，在实施方式中，由于第二部件56具有返回部56c，因此能够减小靠近晶片W的周缘部的第一部件55和第二部件56的面积。由此，能够减少附着于第一部件55和第二部件56的处理液的量。

因此，依照实施方式，能够抑制残留于第一部件55的内表面55a和第二部件56的表面56a的处理液逆流到晶片W，因此能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

图4是表示实施方式的第二部件56的结构的立体图。如图4所示，实施方式的第二部件56的返回部56c沿着晶片W的周缘部呈环状地设置。

而且，实施方式的返回部56c具有使从喷嘴32供给的飞散的处理液向第一部件55流通的开口部56d。

由此，能够抑制从喷嘴32供给的飞散的处理液直接碰撞到返回部56c。因此，依照实施方式，能够抑制处理液从返回部56c回弹。

该开口部56d例如可以从第二部件56中的喷嘴32的附近形成至从喷嘴32供给的飞散的处理液不直接碰撞的位置。由此，能够抑制处理液从返回部56c回弹，并且能够抑制处理液从第一部件55的内表面55a逆流。

因此，依照实施方式，能够进一步抑制由从晶片W飞散的处理液引起的晶片W的污染。

图5是表示实施方式的第一部件55的结构的立体图。如图5所示，在实施方式的第一部件55的内表面55a设置有多个槽55b。该槽55b沿着被供给至旋转的晶片W的处理液向外侧飞散的流动的方向形成。

由此，能够使用晶片W的螺旋流将附着于第一部件55的内表面55a的处理液顺畅地引导至环状排液部64。

而且，通过在内表面55a设置多个槽55b，能够抑制附着于内表面55a的处理液的液滴聚集而变大的情况。因此，依照实施方式，能够抑制由于从晶片W新飞散的处理液撞击到该大的液滴，而处理液回弹到晶片W的情况。

返回图3的说明。内侧杯状体52沿着外侧杯状体51的内表面(杯状体基部53的内表面53a和第一部件55的内表面55a)设置在该外侧杯状体51的内侧。

即，内侧杯状体52具有沿着作为倾斜面的第一部件55的内表面55a设置的倾斜部52a、和沿着作为铅垂面的杯状体基部53的内表面53a设置的铅垂部52b。

倾斜部52a随着从晶片W的周缘部附近去往外侧而逐渐下降。铅垂部52b从倾斜部52a的外周端向下方在大致铅垂方向上延伸。

承液空间60形成在外侧杯状体51与内侧杯状体52之间。排气孔61以贯通内侧杯状体52的方式形成。排气通路62形成在内侧杯状体52的内侧。

排气通路62例如形成在内侧杯状体52与位于该内侧杯状体52的内侧和下侧的壁部58之间。该排气通路62与承液空间60之间通过排气孔61相连。

排气口63与排气通路62连接。排气口63例如设置在壁部58的规定的位置。此外，排气口63在壁部58可以设置一处，也可以设置多处。另外，关于比排气口63靠下游侧的排气管道100(参照图10)的详情，在后文说明。

环状排液部64形成于外侧杯状体51与内侧杯状体52之间(例如，外侧杯状体51的下端部与内侧杯状体52的下端部之间)。环状排液部64将被供给至晶片W的处理液向外部排出。关于该环状排液部64的详情，在后文说明。

此处，在实施方式中，排气孔61从内侧杯状体52的外表面52c向斜下方形成至内表面52d。由此，能够使从承液空间60去往排气通路62的气体的流动流畅，因此能够高效地对晶片W的周围进行排气。

因此，依照实施方式，能够抑制晶片W被滞留在晶片W的周围的处理液的雾等污染。

另外，在实施方式中，排气孔61也可以配置在内侧杯状体52的铅垂部52b。由此，能够抑制沿着内侧杯状体52的外表面52c下落的处理液不流到环状排液部64而流到排气孔61的情况。

因此，依照实施方式，能够将沿着内侧杯状体52下落的处理液良好地分离。

图6是表示实施方式的环状排液部64的结构的剖面图，图7是表示实施方式的环状排液部64的结构的俯视图。如图7所示，环状排液部64在俯视时为环状(例如圆环状)。

另外，在环状排液部64的给定位置的底面，设置有排液口64a。该排液口64a经由排液管路90与排液部DR连接。

另外，在实施方式中，如图6等所示，在下表面供给部40设置有清洗液喷嘴46。该清洗液喷嘴46设置在下表面喷嘴41的附近，向下方向释放清洗液CL。

从清洗液喷嘴46释放的清洗液CL，经由形成于内侧杯状体52内的槽部47被供给至环状排液部64的清洗液供给部64b。实施方式的清洗液CL例如是DIW等。

另外，如图7所示，清洗液喷嘴46设置在与排液口64a相对的位置，因此清洗液供给部64b设置在与排液口64a相对的位置。

此处，在实施方式中，在环状排液部64中，排液口64a设置于最低的位置，并且清洗液供给部64b设置于最高的位置。而且，环状排液部64形成为随着从清洗液供给部64b去往排液口64a而逐渐降低。

由此，从清洗液喷嘴46被供给至清洗液供给部64b的清洗液CL，如图7所示，在整个环状排液部64中流动而从排液口64a被排出。即，在实施方式中，从设置在与排液口64a相对的位置的清洗液喷嘴46向清洗液供给部64b供给清洗液CL，由此能够良好地清洗整个环状排液部64。

而且，在实施方式中，通过使清洗液喷嘴46工作来清洗环状排液部64，能够减少滞留在承液空间60内的处理液的雾的量。因此，依照实施方式，能够抑制滞留在承液空间60内的雾倒流而晶片W被污染的情况。

图8是表示实施方式的环状排液部64的清洗处理的一个例子的时序图。如图8所示，在基片处理装置1(参照图1)中，对一个晶片W进行各种处理。

例如，控制部12(参照图1)首先实施将完成了各种处理的晶片W从处理容器10(参照图1)送出，并且将下一个晶片W送入处理容器10的输送处理(步骤S101)。

接着，控制部12对送入到处理容器10的晶片W的周缘部实施各种液处理(步骤S102)。然后，控制部12对实施了各种液处理的晶片W实施冲洗处理(步骤S103)。该冲洗处理例如通过从喷嘴32和下表面喷嘴41对晶片W供给DIW来实施。

接着，控制部12对实施了冲洗处理的晶片W实施干燥处理(步骤S104)。该干燥处理例如通过使晶片W高速地旋转来实施。

最后，控制部12实施将完成了上述各处理的晶片W从处理容器10送出，并且将下一个晶片W送入处理容器10的输送处理(步骤S105)。

此处，在图8的例子中，控制部12将环状排液部64的清洗处理与晶片W的输送处理(步骤S101、S105)并行地实施(步骤S111)。

这样，通过与晶片W的输送处理并行地实施环状排液部64的清洗处理，即使排液部清洗处理中滞留在承液空间60内的处理液的雾的量暂时增大，也能够抑制晶片W被污染。

图9是表示实施方式的环状排液部64的清洗处理的另一个例子的时序图。在图9的例子中，控制部12将环状排液部64的清洗处理与晶片W的冲洗处理(步骤S103)并行地实施(步骤S121)。在该图9的例子中，例如，从喷嘴32、下表面喷嘴41和清洗液喷嘴46同时释放DIW。

这样，通过与晶片W的冲洗处理并行地实施环状排液部64的清洗处理，不需要在排液部清洗处理结束之前使晶片W的各种处理待机，因此能够缩短晶片W的整体的处理时间。

图10是表示实施方式的排气管道100的结构的立体图。另外，在图10中，省略了基片旋转部20、回收部50、加热机构70和排气管道100以外的部位的图示。

如图10所示，排气管道100与回收部50的排气口63(参照图3)连接，将排气通路62内的排气排出到泵80(参照图3)。排气管道100从上游侧起依次具有下降部101、水平部102和上升部103。

圆筒状的下降部101是与回收部50的排气口63连接，向下方延伸的部位。箱状的水平部102是与下降部101的下游侧连接，在水平方向且向远离回收部50的方向上延伸的部位。

圆筒状的上升部103是与水平部102的下游侧连接，向上方延伸的部位。另外，上升部103延伸至比回收部50靠上方的位置。此外，在俯视观察时，排气管道100的水平部102的下游侧延伸至比回收部50靠外侧的位置，因此即使上升部103延伸至比回收部50靠上方的位置，也不会与回收部50发生干扰。

如至此所说明的那样，实施方式的排气管道100可以与回收部50的下侧连接，并且延伸至比回收部50靠上方的位置。由此，能够抑制到达排气通路62的液滴从排气口63经由排气管道100被排出外部的情况。

即，在实施方式中，能够利用排气管道100将到达排气通路62的液滴良好地分离。

另外，在实施方式中，可以在水平部102的底面连接有与排液部DR相连的排液管路104。由此，能够将到达水平部102的液滴排出到排液部DR，因此能够利用排气管道100将到达水平部102的液滴进一步良好地分离。

另外，在实施方式中，排气管道100的水平部102可以为箱状。由此，能够通过在箱状的水平部102连接作为直线状的配管的下降部101和上升部103来构成排气管道100。因此，依照实施方式，能够降低排气管道100的制造成本。

另外，在实施方式中，在箱状的水平部102中，可以在与下降部101连接的部位的下侧设置倾斜部102a。由此，在与下降部101连接的部位，能够抑制排气的朝向从朝下方向变化为水平方向时产生的涡流之发生。

因此，依照实施方式，能够进一步降低排气管道100中的压力损失，因此能够进一步降低从晶片W的周围连接至泵80的整个排气路径的流路阻力。

另外，在实施方式中，在箱状的水平部102中，可以在与上升部103连接的部位的下侧设置倾斜部102b。由此，在与上升部103连接的部位，能够抑制排气的朝向从水平方向变化为朝上方向时产生的涡流之发生。

因此，依照实施方式，能够进一步降低排气管道100中的压力损失，因此能够进一步降低从晶片W的周围连接至泵80的整个排气路径的流路阻力。

另外，在实施方式中，上升部103的内径可以与下降部101的内径大致相等，也可以比下降部101的内径大。在实施方式中，通过使上升部103的内径大于下降部101的内径，能够进一步降低排气管道100中的压力损失。

另外，在实施方式中，箱状的水平部102的内部尺寸可以比圆筒状的下降部101和上升部103的内径大。由此，能够将下降部101和上升部103无问题地连接到水平部102。

另一方面，在水平部102的内部尺寸与下降部101和上升部103的内径相比过大的情况下，在下降部101与水平部102的连接部以及水平部102与上升部103的连接部，由于流路的截面积急剧扩大缩小而产生较多的涡流。因此，在实施方式中，水平部102的截面积优选为下降部101和上升部103的截面积的2倍以下。

＜变形例1＞

接下来，参照图11～图17，对实施方式的基片处理装置1的各种变形例进行说明。图11是表示实施方式的变形例1的上侧环状部件54的结构的剖面图。

如图11所示，变形例1的上侧环状部件54的第二部件56的结构与上述的实施方式不同。具体而言，在变形例1中，第二部件56中的返回部56c的前端部还向外侧弯曲。

由此，在变形例1中，能够使附着在返回部56c的前端部的处理液的液滴远离晶片W。因此，依照变形例1，能够抑制晶片W被附着在返回部56c的前端部的液滴污染。

另外，在变形例1中，返回部56c的前端部也可以从下方覆盖第一部件55的内周端。由此，由于是作为亲水面的内表面55a与作为疏水面的表面56a的边界，因此能够抑制处理液的液滴飞散到液滴容易聚集的第一部件55的内周端。

因此，依照变形例1，能够抑制晶片W被附着在第一部件55的内周端的液滴污染。

＜变形例2＞

图12是表示实施方式的变形例2的上侧环状部件54的结构的剖面图。如图12所示，变形例2的上侧环状部件54的第一部件55的结构与上述的实施方式不同。

具体而言，在变形例2中，第一部件55的内表面55a包括水平部55a1和倾斜部55a2。水平部55a1是从第二部件56的内表面大致水平地延伸的面。

倾斜部55a2从水平部55a1的最外周以越向外侧越低的方式倾斜。此外，变形例2中的倾斜部55a2的倾斜角与实施方式中的内表面55a的倾斜角大致相等。

由此，在变形例2中，能够使附着在第一部件55的内表面55a的处理液的液滴远离晶片W。因此，依照变形例2，能够抑制晶片W被附着在内表面55a的液滴污染。

＜变形例3＞

图13是表示实施方式的变形例3的上侧环状部件54的结构的剖面图。如图13所示，变形例3的上侧环状部件54的第一部件55的结构与上述的变形例2不同。

变形例3的水平部55a1比变形例2的水平部更向外周侧延伸。另外，变形例3中的倾斜部55a2的倾斜角大于变形例2中的倾斜部55a2的倾斜角。

由此，在变形例3中，能够使附着在第一部件55的内表面55a的处理液的液滴进一步远离晶片W。因此，依照变形例3，能够进一步抑制晶片W被附着在内表面55a的液滴污染。

＜变形例4＞

图14是表示实施方式的变形例4的回收部50的结构的剖面图。如图14所示，变形例4的回收部50的上侧环状部件54的结构与上述的实施方式不同。

具体而言，在变形例4中，第二部件56的返回部56c的突出长度比实施方式短。例如，在变形例4中，返回部56c(参照图3)向下方的突出长度为3(mm)程度。

由此，在变形例4中，能够抑制在返回部56c的背面侧形成多余的承液空间60，因此能够减小在该剩余的承液空间60产生的涡流的大小。因此，依照变形例4，能够使从晶片W去往排气孔61的气体的流动流畅。

＜变形例5＞

图15是表示实施方式的变形例5的回收部50的结构的剖面图。如图15所示，变形例5的回收部50的上侧环状部件54的结构与上述的实施方式不同。

具体而言，在变形例5中，第二部件56的返回部56c不向下方突出，第一部件55的内表面55a从返回部56c的下端部直接向外侧延伸。

由此，在变形例5中，能够进一步抑制在返回部56c的背面侧形成多余的承液空间60，因此能够进一步减小在该剩余的承液空间60产生的涡流的大小。因此，依照变形例5，能够使从晶片W去往排气孔61的气体的流动更加流畅。

＜变形例6＞

图16是表示实施方式的变形例6的回收部50的结构的剖面图。在至此已说明的实施方式和各种变形例中，给出了将承液空间60与排气通路62之间连接的排气孔61设置在内侧杯状体52的例子，但本发明并不限于该例子。

例如，如图16所示，也可以将排气孔61设置在外侧杯状体51。该排气孔61具有上升部61a、弯曲部61b和下降部61c。上升部61a从承液空间60中的最外周的上端向上方延伸至杯状体基部53与上侧环状部件54之间。

弯曲部61b从上升部61a的下游侧的端部在杯状体基部53与上侧环状部件54之间向下方弯曲。下降部61c从弯曲部61b中的下游侧的端部朝向下方延伸至杯状体基部53的内部。另外，下降部61c的下游侧与排气通路62连接。

即使排气孔61为这样的结构，通过使第一部件55和第二部件56均构成为能够从其他部件拆装，在晶片W的表面状态、处理液的种类被变更为各种各样的情况下，也能够使第一部件55和第二部件56的表面状态最优。

因此，依照变形例6，无论晶片W的表面状态、处理液的种类如何，都能够抑制处理液从外侧杯状体51回弹。

另外，在变形例6中，由于在排气孔61的上游侧设置有上升部61a，因此能够抑制处理液的液滴进入排气孔61。因此，依照实施方式，能够利用上升部61a将到达排气孔61的液滴良好地分离。

＜变形例7＞

图17是表示实施方式的变形例7的回收部50的结构的剖面图。在至此已说明的实施方式和各种变形例中，给出了外侧杯状体51的上侧环状部件54可拆装地构成的例子，但本发明并不限于该例子。

例如，如图17所示，外侧杯状体51也可以一体地构成。该外侧杯状体51具有基部51a、上侧环状部51b和返回部51c。

基部51a在回收部50的最外周包围基片旋转部20的整周。基部51a铅垂地立起至与内侧杯状体52的上端部相同程度的高度。

上侧环状部51b以包围晶片W的外侧的上方的方式设置。上侧环状部51b从基部51a的上端部以越靠内侧(即越靠近晶片W)越变高的方式倾斜。

返回部51c从上侧环状部51b的内周端以给定宽度(例如，3(mm)程度)弯曲，向靠近晶片W的周缘部的方向延伸。

即使外侧杯状体51为这样的结构，通过使排气孔61从内侧杯状体52的外表面52c向斜下方形成至内表面52d，也能够使从承液空间60去往排气通路62的气体的流动流畅。

因此，依照变形例7，能够高效地对晶片W的周围进行排气，因此能够抑制晶片W被滞留在晶片W的周围的处理液的雾等污染。

另外，在变形例7中，与上述的实施方式同样地，排气孔61也可以配置在内侧杯状体52的铅垂部52b。由此，能够抑制沿着内侧杯状体52的外表面52c下落的处理液不流到环状排液部64而流到排气孔61的情况。

因此，依照变形例7，能够将沿着内侧杯状体52下落的处理液良好地分离。

＜变形例8＞

图18是表示实施方式的变形例8的回收部50的结构的剖面图。在至此已说明的实施方式和各种变形例中，给出了在外侧杯状体51设置返回部56c或者返回部51c的例子，但本发明并不限于该例子。

例如，如图18所示，在一体地构成的外侧杯状体51中，该外侧杯状体51也可以由基部51a和上侧环状部51b构成。

另外，在变形例8中，外侧杯状体51的内表面51d具有从最靠近晶片W的部位(例如，外侧杯状体51的内周端)向外侧水平地延伸的水平部51d1。

由此，能够使从晶片W去往外侧的晶片W的螺旋流沿着水平部51d1，因此能够使用晶片W的螺旋流将附着于该水平部51d1的处理液顺畅地引导至环状排液部64。

因此，依照变形例8，能够抑制残留于水平部51d1的处理液逆流到晶片W，因此能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

图19和图20是表示实施方式的变形例8的覆盖件59的结构的立体图。此外，图19是从内侧观察喷嘴32时的立体图，图20是从上方观察喷嘴32时的立体图。另外，图19和图20表示了喷嘴32位于晶片W的周缘部上方的处理位置的情况。

如图19和图20所示，在变形例8中，喷嘴32具有覆盖件59。覆盖件59配置在喷嘴32的周围。覆盖件59具有侧壁部59a、59b、59c、上壁部59d和突出部59e。

侧壁部59a、59b、59c分别靠近喷嘴32的侧部地配置，并在铅垂方向上延伸。侧壁部59a在从基片旋转部20的中心观察时配置在喷嘴32的内侧。侧壁部59b在从基片旋转部20的中心观察时配置在喷嘴32的外侧。侧壁部59c设置在将侧壁部59a与侧壁部59b相连的位置。

上壁部59d靠近喷嘴32的上方地配置，并在水平方向上延伸。上壁部59d在喷嘴32的上方配置将侧壁部59a与侧壁部59b相连的位置。突出部59e配置在侧壁部59b的外侧，并在水平方向上延伸。即，突出部59e从侧壁部59b的外侧的面向外侧在水平方向上突出。

另外，在变形例8中，外侧杯状体51的上侧环状部51b具有开口部51e、51f。开口部51e使从喷嘴32供给的飞散的处理液向承液空间60(参照图18)流通。

由此，能够抑制从喷嘴32供给的飞散的处理液直接碰撞到外侧杯状体51的内周端。因此，依照变形例8，能够抑制处理液从外侧杯状体51的内周端回弹。

该开口部51e例如可以从外侧杯状体51的内周端处的喷嘴32的附近形成至从喷嘴32供给的飞散的处理液不直接碰撞的位置。由此，能够抑制处理液从外侧杯状体51的内周端回弹，并且能够抑制处理液从外侧杯状体51的内表面51d(参照图18)逆流。

因此，依照变形例8，能够进一步抑制由从晶片W飞散的处理液引起的晶片W的污染。

开口部51f是为了使喷嘴32能够在处理位置与待机位置之间移动而形成的。即，在喷嘴32处于待机位置的情况下，喷嘴32被收纳在开口部51f。另一方面，在喷嘴32处于处理位置的情况下，喷嘴32位于比开口部51f靠内侧的位置。

此处，在变形例8中，如图19所示，在喷嘴32处于处理位置的情况下，可以利用侧壁部59b封闭开口部51f的至少一部分。由此，在喷嘴32处于处理位置的情况下，能够减小开口部51f的开口面积，因此能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例8中，在晶片W的液处理中，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例8，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在变形例8中，如图20所示，在喷嘴32处于处理位置的情况下，可以利用突出部59e封闭开口部51f的至少一部分。由此，在喷嘴32处于处理位置的情况下，能够减小开口部51f的开口面积，因此能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例8中，在晶片W的液处理中，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例8，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在变形例8中，如图20所示，也可以在突出部59e与侧壁部59b之间设置隙缝59f。由此，能够在形成于突出部59e的下方的空间，形成来自隙缝59f的下方流。

因此，依照变形例8，能够抑制(处理液在)形成于突出部59e的下方的空间停滞，因此能够抑制晶片W被滞留于该空间的处理液的雾污染。

＜变形例9＞

图21和图22是表示实施方式的变形例9的覆盖件59的结构的立体图。此外，图21是从内侧观察喷嘴32时的立体图，图22是从上方观察喷嘴32时的立体图。另外，图21和图22表示了喷嘴32处于晶片W的周缘部上方的处理位置的情况。

如图21和图22所示，在变形例9中，与上述的变形例8相比，侧壁部59a和侧壁部59c的面积变小。在该情况下，也与上述的变形例8同样地，在喷嘴32处于处理位置的情况下，开口部51f的至少一部分被侧壁部59b封闭，从而能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例9中，在晶片W的液处理中，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例9，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在变形例9中，与上述的变形例8同样地，在喷嘴32处于处理位置的情况下，可以利用突出部59e封闭开口部51f的至少一部分。由此，在喷嘴32处于处理位置的情况下，能够减小开口部51f的开口面积，因此能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例9中，在晶片W的液处理中，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例9，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在变形例9中，与上述的变形例8同样地，也可以在突出部59e与侧壁部59b之间设置隙缝59f。由此，能够在形成于突出部59e的下方的空间，形成来自隙缝59f的下方流。

因此，依照变形例9，能够抑制(处理液在)形成于突出部59e的下方的空间停滞，因此能够抑制晶片W被滞留于该空间的处理液的雾污染。

＜变形例10＞

图23和图24是表示实施方式的变形例10的覆盖件59的结构的立体图。此外，图23是从内侧观察喷嘴32时的立体图，图24是从上方观察喷嘴32时的立体图。另外，图23和图24表示了喷嘴32处于晶片W的周缘部上方的处理位置的情况。

如图23和图24所示，在变形例10中，侧壁部59a和侧壁部59b的结构与上述的变形例8不同。具体而言，在变形例10中，在喷嘴32不处于处理位置而处于待机位置的情况下，开口部51f的至少一部分被侧壁部59a封闭。

由此，在喷嘴32处于待机位置的情况下，能够减小开口部51f的开口面积，因此能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例10中，在喷嘴32待机时，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例10，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在变形例10中，与上述的变形例8同样地，在喷嘴32处于处理位置的情况下，可以利用突出部59e封闭开口部51f的至少一部分。由此，在喷嘴32处于处理位置的情况下，能够减小开口部51f的开口面积，因此能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例10中，在晶片W的液处理中，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例10，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在变形例10中，与上述的变形例8同样地，也可以在突出部59e与侧壁部59b之间设置隙缝59f。由此，能够在形成于突出部59e的下方的空间，形成来自隙缝59f的下方流。

因此，依照变形例10，能够抑制(处理液在)形成于突出部59e的下方的空间停滞，因此能够抑制晶片W被滞留于该空间的处理液的雾污染。

＜变形例11＞

图25和图26是表示实施方式的变形例11的覆盖件59的结构的立体图。此外，图25是从内侧观察喷嘴32时的立体图，图26是从上方观察喷嘴32时的立体图。另外，图25和图26表示了喷嘴32处于晶片W的周缘部上方的处理位置的情况。

如图25和图26所示，在变形例11中，侧壁部59a和侧壁部59b的结构与上述的变形例8和变形例10不同。具体而言，在变形例11中，由于侧壁部59a和侧壁部59b的面积较小，因此利用侧壁部59a、59b无法封闭整个开口部51f。

由此，在喷嘴32处于处理位置或待机位置的情况下，能够在一定程度上减小开口部51f的开口面积，因此能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例11中，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够在一定程度上加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例11，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在变形例11中，与上述的变形例8同样地，在喷嘴32处于处理位置的情况下，可以利用突出部59e封闭开口部51f的至少一部分。由此，在喷嘴32处于处理位置的情况下，能够减小开口部51f的开口面积，因此能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例11中，在晶片W的液处理中，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例11，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在变形例11中，与上述的变形例8同样地，也可以在突出部59e与侧壁部59b之间设置隙缝59f。由此，能够在形成于突出部59e的下方的空间，形成来自隙缝59f的下方流。

因此，依照变形例11，能够抑制(处理液在)形成于突出部59e的下方的空间停滞，因此能够抑制晶片W被滞留于该空间的处理液的雾污染。

＜变形例12＞

图27是表示实施方式的变形例12的覆盖件59的结构的立体图。另外，图27是从上方观察喷嘴32时的立体图，表示了喷嘴32处于晶片W的周缘部上方的处理位置的情况。

如图27所示，在变形例12中，在覆盖件59没有设置隙缝59f这一点与上述的变形例11不同。由此，通过在覆盖件59设置侧壁部59a、59b，能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例12中，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够在一定程度上加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例12，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在变形例12中，与上述的变形例11同样地，在喷嘴32处于处理位置的情况下，可以利用突出部59e封闭开口部51f的至少一部分。由此，在喷嘴32处于处理位置的情况下，能够减小开口部51f的开口面积，因此能够减小晶片W与外侧杯状体51之间的间隙面积。

即，在变形例12中，在晶片W的液处理中，在晶片W与外侧杯状体51之间的间隙中，能够加快晶片W的螺旋流的流速，因此能够抑制残留于内表面51d的处理液、滞留于承液空间60的处理液的雾逆流到晶片W。因此，依照变形例12，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

实施方式的基片处理装置1包括基片旋转部20和杯状体(外侧杯状体51)。基片旋转部20保持基片(晶片W)并使其旋转。杯状体(外侧杯状体51)呈环状地覆盖被基片旋转部20保持的基片(晶片W)的周围。另外，杯状体(外侧杯状体51)具有杯状体基部53、第一部件55和第二部件56。杯状体基部53包围基片旋转部20的整周。第一部件55可拆装地安装于杯状体基部53的上端部，呈环状地包围基片(晶片W)的外周。第二部件56可拆装地安装于至少第一部件55的内周端，且表面56a为疏水性的。由此，无论晶片W的表面状态、处理液的种类如何，都能够抑制处理液从外侧杯状体51回弹。

另外，实施方式的基片处理装置1还包括能够在水平方向上移动，能够对被保持在基片旋转部20的基片(晶片W)供给处理液的处理液喷嘴(喷嘴32)。另外，杯状体(外侧杯状体51)具有为了使处理液喷嘴(喷嘴32)能够在基片(晶片W)的周缘部上方的处理位置与比处理位置靠外侧的待机位置之间移动而形成的开口部51f。另外，处理液喷嘴(喷嘴32)具有封闭开口部51f的至少一部分的覆盖件59。由此，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，覆盖件59具有侧壁部59a、59b、59c和上壁部59d。侧壁部59a、59b、59c靠近处理液喷嘴(喷嘴32)的侧部地配置。上壁部59d配置在处理液喷嘴(喷嘴32)的上方。由此，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，侧壁部59b在从基片旋转部20的中心观察时配置在处理液喷嘴(喷嘴32)的外侧，在处理液喷嘴(喷嘴32)处于处理位置的情况下，封闭开口部51f的至少一部分。由此，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，侧壁部59a在从基片旋转部20的中心观察时配置在处理液喷嘴(喷嘴32)的内侧，在处理液喷嘴(喷嘴32)位于待机位置的情况下，封闭开口部51f的至少一部分。由此，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，杯状体(外侧杯状体51)的内表面51d具有从最靠近基片(晶片W)的部位向外侧水平地延伸的水平部51d1。由此，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，第一部件55的内表面55a为亲水性的，杯状体基部53的内表面53a为疏水性的。由此，能够抑制残留于内表面55a的处理液逆流到晶片W，因此能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，第二部件56具有：被支承在第一部件55的支承部56b；和返回部56c，其从支承部56b的内周端弯曲，并在靠近基片(晶片W)的周缘部的方向上延伸。由此，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，返回部56c从第一部件55的内周端向内侧以在水平方向上具有给定宽度的方式弯曲。由此，能够抑制由逆流的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，返回部56c的前端部还向外侧弯曲。由此，能够抑制晶片W被附着在返回部56c的前端部的液滴污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，返回部56c的前端部从下方覆盖第一部件55的内周端。由此，能够抑制晶片W被附着在第一部件55的内周端的液滴污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，在返回部56c的一部分设置有使从喷嘴32供给的飞散的处理液向第一部件55流通的开口部56d。由此，能够进一步抑制由从晶片W飞散的处理液引起的晶片W的污染。

另外，在实施方式的基片处理装置1中，第一部件55的内表面55a具有沿着被供给至旋转的基片(晶片W)的处理液向外侧飞散的流动的方向形成的槽55b。由此，能够使用晶片W的螺旋流将附着于第一部件55的内表面55a的处理液顺畅地引导至环状排液部64。

以上，对本发明的各实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的各实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。

本次公开的各实施方式在所有方面都均例示而不应该认为是限制性的。实际上，上述的各实施方式能够以多种方式实现。另外，上述的各实施方式在不脱离发明范围及其主旨的情况下能够以各种方式进行省略、替换、变更。

附图标记说明

W 晶片(基片的一个例子)

1 基片处理装置

12 控制部

20 基片旋转部

32 喷嘴

46 清洗液喷嘴

50 回收部

51 外侧杯状体

51d 内表面

51d1水平部

51f 开口部

52 内侧杯状体

52a 倾斜部

52b 铅垂部

52c 外表面

52d 内表面

53 杯状体基部

53a 内表面

54 上侧环状部件

55 第一部件

55a 内表面(亲水面的一个例子)

56 第二部件

56a 表面(疏水面的一个例子)

56b 支承部

56c 返回部

59 覆盖件

59a、59b、59c侧壁部

59d 上壁部

59e 突出部

60 承液空间

61 排气孔

62 排气通路

63 排气口

64 环状排液部

64a 排液口

64b 清洗液供给部

CL 清洗液。

Claims (13)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

保持基片并使其旋转的基片旋转部；和

杯状体，其呈环状地覆盖被保持在所述基片旋转部的所述基片的周围；

所述杯状体包括：

包围所述基片旋转部的整周的杯状体基部；

第一部件，其可拆装地安装于所述杯状体基部的上端部，呈环状地包围所述基片的外周；和

第二部件，其可拆装地安装于至少所述第一部件的内周端，表面为疏水性的。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一部件的内表面为亲水性的，

所述杯状体基部的内表面为疏水性的。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括处理液喷嘴，所述处理液喷嘴能够沿水平方向移动，能够对被保持在所述基片旋转部的所述基片供给处理液，

所述杯状体具有为了使所述处理液喷嘴能够在所述基片的周缘部上方的处理位置与比所述处理位置靠外侧的待机位置之间移动而形成的开口部，

所述处理液喷嘴具有封闭所述开口部的至少一部分的覆盖件。

4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：

所述覆盖件具有侧壁部和上壁部，

所述侧壁部靠近所述处理液喷嘴的侧部地配置，

所述上壁部配置在所述处理液喷嘴的上方。

5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：

所述侧壁部在从所述基片旋转部的中心观察时配置在所述处理液喷嘴的外侧，在所述处理液喷嘴处于所述处理位置的情况下，封闭所述开口部的至少一部分。

6.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：

所述侧壁部在从所述基片旋转部的中心观察时配置在所述处理液喷嘴的内侧，在所述处理液喷嘴处于所述待机位置的情况下，封闭所述开口部的至少一部分。

7.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述杯状体的内表面具有从最靠近所述基片的部位向外侧水平地延伸的水平部。

8.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第二部件包括：

被支承在所述第一部件的支承部；和

返回部，其从所述支承部的内周端弯曲，并在靠近所述基片的周缘部的方向上延伸。

9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

所述返回部从所述第一部件的内周端向内侧以在水平方向上具有给定宽度的方式弯曲。

10.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

所述返回部的前端部还向外侧弯曲。

11.如权利要求10所述的基片处理装置，其特征在于：

所述返回部的前端部从下方覆盖所述第一部件的内周端。

12.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述返回部的一部分设置有使从喷嘴供给的飞散的处理液向所述第一部件流通的开口部。

13.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一部件的内表面具有沿着被供给至旋转的所述基片的处理液向外侧飞散的流动的方向形成的槽。