TWI661276B - 曝光裝置、基板處理裝置、基板的曝光方法以及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

一種曝光裝置，係具備：處理室，係收容基板且具有開口；透光性之窗構件，係安裝於處理室之開口；光源部，係通過窗構件對處理室內之基板照射真空紫外線；以及氣流形成部，用以形成沿著窗構件之一表面的惰性氣體之流動。在該曝光裝置中係能藉由光源部對已收容於處理室內的基板通過已安裝於處理室之開口的透光性之窗構件照射真空紫外線。另外，藉由氣流形成部來形成沿著窗構件之一表面的惰性氣體之流動。

Description

曝光裝置、基板處理裝置、基板的曝光方法以及基板處理方法

本發明係關於一種對基板進行曝光處理的曝光裝置、基板處理裝置、基板的曝光方法以及基板處理方法。

近年來，為了使形成於基板的圖案(pattern)微細化，已持續開發有一種利用嵌段共聚物(block copolymer)之定向自組裝(DSA：Directed Self Assembly)的光微影(photolithography)技術。在此種的光微影技術中，係在對塗布有嵌段共聚物的基板施予加熱處理之後，使基板之一表面予以曝光，藉此使嵌段共聚物改質。在該處理中，要求正確地調整基板之曝光量。

在專利文獻1中係已記載有一種對基板上之包含定向自組裝材料的膜(DSA膜)進行曝光處理的曝光裝置。曝光裝置係具有能夠射出剖面帶狀之真空紫外線的光射出部，且以基板橫越來自光射出部的真空紫外線之路徑的方式來構成能夠從光射出部之前方位置朝向後方位置移動。在曝 光處理前，藉由照明度感測器來預先檢測真空紫外線之照明度，且基於所檢測出的照明度來算出基板之移動速度，以便能照射所期望之曝光量的真空紫外線。在曝光處理時，藉由基板以所算出的移動速度來移動，藉此能使所期望之曝光量的真空紫外線照射於基板上的DSA膜。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本特開2016-183990號公報。

當長時間使用曝光裝置時，照射於基板的真空紫外線之照明度會降低。在此情況下，曝光處理之精度會降低。另外，由於曝光處理所需的時間會長期化，而使曝光處理之效率降低。

本發明之目的係在於提供一種能夠維持曝光處理之精度及效率的曝光裝置、基板處理裝置、曝光方法及基板處理方法。

(1)本發明之一態樣的曝光裝置，係具備：處理室，係收容基板且具有開口；透光性之窗構件，係安裝於處理室之開口；光源部，係通過窗構件對處理室內之基板照射真空紫外線；以及氣流形成部，用以形成沿著窗構件之一表面的惰性氣體之流動。

在該曝光裝置中係能藉由光源部對已收容於處理室內 的基板通過已安裝於處理室之開口的透光性之窗構件照射真空紫外線。另外，能藉由氣流形成部而形成沿著窗構件之一表面的惰性氣體之流動。

依據該構成，即便是在真空紫外線長時間照射於窗構件的情況下，產生於窗構件的熱仍能藉由惰性氣體之流動而散發。另外，惰性氣體係幾乎不吸收照射於基板的真空紫外線。因此，不需降低基板之曝光效率就能防止窗構件之溫度上升。藉此，能防止穿透窗構件並照射於基板的真空紫外線之照明度降低。另外，能防止因窗構件之溫度上升所致的昇華物之生成。結果，能維持曝光處理之精度及效率。

(2)窗構件之一表面亦可面向處理室之內部空間；氣流形成部亦可在處理室內形成沿著窗構件之一表面的惰性氣體之流動。在此情況下，由於能防止與處理室之內部空間相接觸的窗構件之表面的溫度上升，所以能防止昇華物在處理室內生成。藉此，能防止因昇華物之附著所致的窗構件之穿透率的降低，並且能防止處理室內的汙染。

(3)氣流形成部亦可包含：噴出部，係對處理室內以沿著窗構件之一表面的方式噴出惰性氣體；以及排氣部，用以排出處理室內之惰性氣體。在此情況下，藉由排氣部來排出從噴出部所噴出的惰性氣體，而能更容易在處理室內形成惰性氣體之流動。另外，由於包含來自窗構件之熱的惰性氣體能排出至處理室之外部，所以能有效率地防止窗構件之溫度上升。

(4)噴出部亦可包含：噴出管，係具有與窗構件之一表面平行地延伸且噴出惰性氣體的噴出口。在此情況下，能容易形成沿著窗構件之一表面之整體的惰性氣體之流動。

(5)噴出部亦可更包含：保持構件，係以包圍噴出管之外周的方式所設置；保持構件亦可具有與窗構件之一表面平行地延伸的第一縫隙，且使從噴出管之噴出口所噴出的惰性氣體通過保持構件之第一縫隙並沿著窗構件之一表面而噴出。在此情況下，能不妨礙惰性氣體之流動而輕易地保持與窗構件之一表面平行地延伸的噴出管。

(6)噴出管亦可具有：作為噴出口的複數個噴出孔，係與窗構件之一表面平行地排列且噴出惰性氣體。在此情況下，噴出管係能從複數個噴出孔噴出與窗構件之一表面平行地延伸的剖面帶狀之惰性氣體。

(7)噴出管亦可具有：作為噴出口的第二縫隙，係與窗構件之一表面平行地延伸且噴出惰性氣體。在此情況下，噴出管係能噴出與窗構件之一表面平行地延伸的剖面帶狀之惰性氣體。

(8)噴出部和排氣部亦可以隔著與窗構件之一表面相接觸的空間且相互地對向的方式所配置。在此情況下，在從噴出部所噴出的惰性氣體沿著窗構件之一表面通過窗構件之整體之後，能藉由排氣部所排出。藉此，能容易且效率佳地形成沿著窗構件之一表面之整體的惰性氣體之流動。

(9)噴出部亦可包含：第一噴出部及第二噴出部，係以隔著與窗構件之一表面相接觸的空間且相互地對向的方式 所配置；排氣部，亦可以不重疊於第一噴出部及第二噴出部的方式所配置。依據該構成，即便是在大型窗構件的情況下，仍能藉由相互對向的第一噴出部及第二噴出部來形成沿著窗構件之一表面之整體的惰性氣體之流動。因此，能輕易地維持具有更大之尺寸的基板之曝光處理之精度及效率。

(10)氣流形成部亦可形成沿著窗構件之一表面的惰性氣體之層流。在此情況下，能藉由沿著窗構件之一表面的惰性氣體之層流來散發產生於窗構件的熱。

(11)光源部亦可以射出具有面狀之剖面的真空紫外線的方式所構成。在該情況下，能通過窗構件廣範圍地射出真空紫外線。因此，能在短時間內結束基板之曝光處理。另外，由於能藉由惰性氣體之流動來散發從窗構件之整體產生的熱，所以即便是在對窗構件之廣範圍照射真空紫外線的情況下，仍能防止窗構件之溫度上升。藉此，能一邊維持曝光處理之精度一邊改善效率。

(12)藉由光源部所為的真空紫外線之射出面積亦可比基板之面積更大。在此情況下，由於能進行基板之全面曝光，所以能在更短時間內結束基板之曝光。藉此，能進一步改善曝光處理之效率。

(13)本發明之另一態樣的基板處理裝置，係具備：塗布處理部，係藉由對基板塗布處理液而在基板形成膜；熱處理部，係對經由塗布處理部而形成有膜的基板施以熱處理；本發明之一態樣的曝光裝置，係對經由熱處理部所熱 處理後的基板施以曝光；以及顯影處理部，係藉由對經由曝光裝置所曝光後的基板供給溶劑而使基板的膜顯影。

在該基板處理裝置中係藉由塗布處理部來對基板塗布處理液，藉此能在基板形成膜。藉由熱處理部對經由塗布處理部而形成有膜的基板施以熱處理。藉由上述之曝光裝置來對經由熱處理部所熱處理後的基板施以曝光。藉由顯影處理部對經由曝光裝置所曝光後的基板供給溶劑，藉此來使基板的膜顯影。

在曝光裝置中係能藉由惰性氣體之流動來散發產生於窗構件的熱。因此，不需降低基板之曝光效率就能防止窗構件之溫度上升。藉此，能防止穿透窗構件並照射於基板的真空紫外線之照明度降低。另外，能防止因窗構件之溫度上升所致的昇華物之生成。結果，能維持曝光處理之精度及效率。

(14)處理液亦可包含定向自組裝材料。在此情況下，藉由熱處理塗布有包含定向自組裝材料之處理液的基板，就能在基板之一表面上發生微相分離(microphase separation)。另外，能使藉由微相分離而形成有二種類之聚合物的圖案的基板予以曝光及顯影。藉此，能去除二種類的聚合物中之一方，並形成微細化的圖案。

(15)本發明之更另一態樣的基板的曝光方法，係包含：藉由光源部對已收容於處理室內的基板通過已安裝於處理室之開口的透光性之窗構件照射真空紫外線的步驟； 以及藉由氣流形成部來形成沿著窗構件之一表面的惰性氣體之流動的步驟。

依據該曝光方法，能藉由惰性氣體之流動來散發產生於窗構件的熱。因此，不需降低基板之曝光效率就能防止窗構件之溫度上升。藉此，能防止穿透窗構件並照射於基板的真空紫外線之照明度降低。另外，能防止因窗構件之溫度上升所致的昇華物之生成。結果，能維持曝光處理之精度及效率。

(16)本發明之更另一態樣的基板處理方法，係包含：藉由塗布處理部對基板之被處理面塗布處理液，藉此在基板形成膜的步驟；藉由熱處理部對經由塗布處理部而形成有膜的基板施以熱處理的步驟；本發明之更另一態樣的曝光方法，係藉由曝光裝置對經由熱處理部所熱處理後的基板施以曝光；以及藉由顯影處理部對經由曝光裝置所曝光後的基板之被處理面供給溶劑，而使基板的膜顯影的步驟。

依據該基板處理方法，能藉由真空紫外線來曝光膜之形成後且顯影前的基板。在曝光方法中係能藉由惰性氣體之流動來散發產生於窗構件的熱。因此，不需降低基板之曝光效率就能防止窗構件之溫度上升。藉此，能防止穿透窗構件並照射於基板的真空紫外線之照明度降低。另外，能防止因窗構件之溫度上升所致的昇華物之生成。結果，能維持曝光處理之精度及效率。

依據本發明，能維持曝光處理之精度及效率。

1‧‧‧閉塞控制部

2‧‧‧升降控制部

3‧‧‧排氣控制部

4‧‧‧供氣控制部

5‧‧‧濃度取得部

6‧‧‧濃度比較部

7‧‧‧氣流控制部

8‧‧‧照明度取得部

9‧‧‧曝光量算出部

10‧‧‧曝光量比較部

11‧‧‧投光控制部

100‧‧‧曝光裝置

110‧‧‧控制部

120‧‧‧處理室

121‧‧‧上部開口

122‧‧‧搬運開口

123、141a‧‧‧開口部

130‧‧‧閉塞部

131‧‧‧擋門

131a、154‧‧‧密封構件

132、152‧‧‧連結構件

133、153‧‧‧驅動裝置

133a、133b、153a、153b‧‧‧位置感測器

140‧‧‧遞送部

141‧‧‧支撐板

142‧‧‧支撐銷

150‧‧‧升降部

151‧‧‧載置板

151a‧‧‧貫通孔

160‧‧‧投光部

161‧‧‧外殼

161a‧‧‧下部開口

162‧‧‧透光板

162a、162b、162c、162d‧‧‧側邊

163‧‧‧光源部

163a‧‧‧光源元件

164‧‧‧電源裝置

170‧‧‧置換部

171p、172p、173p‧‧‧配管

171v、172v、173v‧‧‧閥

173‧‧‧吸引裝置

173a、173b‧‧‧歧管

180‧‧‧計測部

181‧‧‧氧濃度計

182‧‧‧臭氧濃度計

183‧‧‧照度計

190‧‧‧氣流形成部

191‧‧‧噴出部

191A‧‧‧第一噴出部

191B‧‧‧第二噴出部

191a‧‧‧噴出管

191b‧‧‧供給管

191c、192c‧‧‧保持構件

191h‧‧‧噴出孔

191s、192s、191t‧‧‧縫隙

192‧‧‧排氣部

192A‧‧‧第一排氣部

192B‧‧‧第二排氣部

192a‧‧‧排氣管

192b‧‧‧回收管

193‧‧‧惰性氣體供給源

194‧‧‧排氣設備

200‧‧‧基板處理裝置

210‧‧‧控制裝置

220‧‧‧搬運裝置

230‧‧‧熱處理裝置

240‧‧‧塗布裝置

250‧‧‧顯影裝置

L1‧‧‧基底層

L2‧‧‧導引圖案

L3‧‧‧DSA膜

p1、p2、p3‧‧‧連接埠

V1、V2‧‧‧內部空間

Q1、Q2‧‧‧圖案

W‧‧‧基板

圖1係顯示本發明之實施形態的曝光裝置之構成的示意剖視圖。

圖2係從載置板之下方的位置觀察圖1的曝光裝置之內部的情況之示意仰視圖。

圖3係圖2的曝光裝置之A-A線剖視圖。

圖4係圖2的曝光裝置之B-B線剖視圖。

圖5係顯示圖2至圖4的噴出部之構成的立體圖。

圖6中的(a)及(b)係顯示圖5的噴出部及噴出管之構成的側視圖。

圖7中的(a)至(d)係圖6中的(b)的噴出部之C-C線剖視圖。

圖8顯示圖1的控制部之構成的功能方塊圖。

圖9係用以說明曝光裝置之動作的示意圖。

圖10係用以說明曝光裝置之動作的示意圖。

圖11係用以說明曝光裝置之動作的示意圖。

圖12係用以說明曝光裝置之動作的示意圖。

圖13係顯示藉由圖8之控制部所進行的曝光處理之一例的流程圖。

圖14係顯示藉由圖8之控制部所進行的曝光處理之一例的流程圖。

圖15係顯示具備有圖1之曝光裝置的基板處理裝置之整體構成的示意方塊圖。

圖16中的(a)至(d)係顯示藉由圖15之基板處理裝置所為的基板之處理之一例的示意圖。

圖17係顯示其他的實施形態中的噴出管之構成的側視圖。

圖18係顯示噴出部及排氣部之配置之另一例的示意仰視圖。

圖19係顯示噴出部及排氣部之配置之更另一例的示意仰視圖。

(1)曝光裝置之構成

以下，使用圖式就本發明之實施形態的曝光裝置、基板處理裝置、曝光方法及基板處理方法加以說明。再者，在以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或是有機EL(Electro Luminescence；電致發光)顯示裝置等的FPD(Flat Panel Display；平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板或太陽能電池用基板等。

圖1係顯示本發明之實施形態的曝光裝置之構成的示意剖視圖。如圖1所示，曝光裝置100係包含控制部110、處理室120、閉塞部130、遞送部140、升降部150、投光部160、置換部170、計測部180及氣流形成部190。控制部110係從計測部180取得計測值，並且控制閉塞部130、升降部150、投光部160、置換部170及氣流形成部190之動作。關於控制部110的功能係容後述。

處理室120係具有上部開口121及內部空間V1。在處 理室120之側面係形成有用以在處理室120的內部與外部之間搬運處理對象之基板W的搬運開口122。再者，在本實施形態中，在處理對象之基板W係形成有包含定向自組裝材料的膜(以下，稱為DSA膜)。另外，在處理室120之底面係形成有可供後面所述的升降部150之連結構件152通過的開口部123。藉由後面所述的投光部160之外殼161配置於處理室120之上部，就能閉塞處理室120之上部開口121。

閉塞部130係包含擋門(shutter)131、棒形狀之連結構件132及驅動裝置133。連結構件132係連結擋門131和驅動裝置133。驅動裝置133，例如是步進馬達(stepping motor)。驅動裝置133係在擋門131開放搬運開口122的開放位置、與擋門131閉塞搬運開口122的閉塞位置之間使擋門131移動。

在擋門131係安裝有密封構件131a。在擋門131位於閉塞位置的狀態中，係能藉由密封構件131a密接於包圍處理室120中之搬運開口122的部分來密閉處理室120之內部。再者，為了防止密封構件131a與處理室120之摩擦，驅動裝置133係在使擋門131在開放位置與閉塞位置之間移動時，以離開處理室120的狀態下使擋門131朝向上下方向移動。

在驅動裝置133係安裝有分別檢測擋門131之上限位置及下限位置的位置感測器133a、133b。位置感測器133a、133b係將檢測結果提供給控制部110。在本實施形態中， 驅動裝置133及後面所述的驅動裝置153係設置於處理室120之外部。因此，即便是在因驅動裝置133、153之驅動而發生塵埃的情況下，仍能防止塵埃直接侵入處理室120內部。

遞送部140係包含例如圓板形狀之支撐板141及複數個(本例中為三個)支撐銷142。支撐板141係以水平姿勢配置於處理室120內部。在支撐板141之中央部係形成有可供後面所述的升降部150之連結構件152通過的開口部141a。複數個支撐銷142係以包圍開口部141a的方式從支撐板141之上表面朝向上方延伸。在複數個支撐銷142之上端部，能載置處理對象之基板W。

升降部150係包含平板形狀之載置板151、棒形狀之連結構件152及驅動裝置153。載置板151係在處理室120內部以水平姿勢配置於遞送部140的支撐板141之上方。在載置板151係形成有分別與支撐板141之複數個支撐銷142對應的複數個貫通孔151a。

連結構件152係以通過處理室120之開口部123及支撐板141之開口部141a並上下延伸的方式所配置，驅動裝置153係配置於處理室120之下方。連結構件152係連結載置板151和驅動裝置153。在連結構件152的外周面與開口部123的內周面之間係配置有連結構件152能夠朝向上下方向滑動的密封構件154。

驅動裝置153，例如是步進馬達，用以使載置板151在比複數個支撐銷142之上端部更上方的處理位置、與比 複數個支撐銷142之上端部更下方的待機位置之間朝向上下方向移動。在載置板151處於待機位置的狀態下，複數個支撐銷142能分別插通於複數個貫通孔151a。於驅動裝置153中係安裝有分別檢測載置板151之上限位置及下限位置的位置感測器153a、153b。位置感測器153a、153b係將檢測結果提供給控制部110。

投光部160係包含具有下部開口161a及內部空間V2的外殼161、透光板162、面狀之光源部163及電源裝置164。在本實施形態中，透光板162為石英玻璃板。作為透光板162之材料，亦可使用穿透後面所述之真空紫外線的其他材料。如上所述，外殼161係以閉塞處理室120之上部開口121的方式配置於處理室120之上部。透光板162係以閉塞外殼161之下部開口161a的方式安裝於外殼161。處理室120的內部空間V1和外殼161的內部空間V2係被隔成為可藉由透光板162進行光學存取。

光源部163及電源裝置164係收容於外殼161內部。在本實施形態中，係藉由以預定之間隔水平地排列複數個棒形狀之光源元件163a而構成光源部163，該複數個棒形狀之光源元件163a係射出波長約120nm以上約230nm以下之真空紫外線。各個光源元件163a，既可為例如氙準分子燈(xenon excimer lamp)，亦可為其他的準分子燈或重氫燈(deuterium lamp)。光源部163係通過透光板162對處理室120內部射出具有大致均一之光量分布的真空紫外線。光源部163中的真空紫外線之射出面的面積係比基板W之 被處理面的面積更大。電源裝置164係對光源部163供給電力。

氣流形成部190係包含以隔著投光部160的透光板162之下方之空間且相對向的方式所配置的噴出部191及排氣部192。噴出部191係藉由沿著透光板162之下表面噴出惰性氣體，來形成沿著透光板162之下表面的惰性氣體之層流。排氣部192係將藉由噴出部191所噴出的惰性氣體從處理室120排出。在本實施形態中係使用氮氣作為惰性氣體。關於氣流形成部190之構成的詳細內容係容後述。

置換部170係包含配管171p、172p、173p、閥171v、172v及吸引裝置173。配管171p、172p係連接於處理室120的供氣口與惰性氣體供給源之間。在本實施形態中，惰性氣體，例如是氮氣。在配管171p、172p係夾插有閥171v、172v。再者，可供配管171p、172p連接的惰性氣體供給源，既可為後面所述之圖4的惰性氣體供給源193，亦可為其他的惰性氣體供給源。

通過配管171p並從支撐板141之側方朝向處理室120內部供給惰性氣體。通過配管172p並從支撐板141之下方對處理室120內部供給惰性氣體。惰性氣體之流量係藉由閥171v、172v所調整。在本實施形態中係使用氮氣作為惰性氣體。

配管173p係分歧為歧管173a和歧管173b。歧管173a係連接於處理室120之排氣口，歧管173b之端部係配置於處理室120與擋門131之間。在配管173p係夾插有吸引裝 置173。在歧管173b係夾插有閥173v。吸引裝置173，例如是噴射器(ejector)。配管173p係連接於排氣設備。再者，可供配管173p所連接的排氣設備，既可為後面所述之圖4的排氣設備194，亦可為其他的排氣設備。

吸引裝置173係通過歧管173a及配管173p來排出處理室120內部的氛圍。另外，吸引裝置173係將處理室120與擋門131之間的氛圍與藉由擋門131之移動所產生的塵埃等一起通過歧管173b及配管173p來排出。藉由吸引裝置173所排出的氣體係藉由排氣設備而無害化。

計測部180係包含氧濃度計181、臭氧濃度計182及照度計183。氧濃度計181、臭氧濃度計182及照度計183係分別通過已設置於處理室120的連接埠p1、p2、p3來連接於控制部110。氧濃度計181，例如是賈法尼(Galvanic)電池式氧氣感測器或氧化鋯(zirconia)式氧氣感測器，用以計測處理室120內部的氧濃度。

臭氧濃度計182係計測處理室120內部的臭氧濃度。照度計183係包含光電二極體(photo diode)等的受光元件，且計測來自光源部163照射於受光元件之受光面的真空紫外線之照明度。在此，所謂照明度係指照射於受光面之每一單位面積的真空紫外線之功率(power)。照明度之單位，例如是以「W/m²」來表示。

(2)曝光裝置之概略動作

在曝光裝置100中係藉由通過透光板162並從光源部163對基板W照射真空紫外線來進行曝光處理。然而，在 處理室120內部之氧濃度較高的情況下，藉由氧分子吸收真空紫外線並分離成氧原子，並且所分離出的氧原子與其他的氧分子再鍵結來產生臭氧。在此情況下，到達基板W的真空紫外線會衰減。真空紫外線之衰減係比波長比約230nm更長的紫外線之衰減還大。

於是，在曝光處理中，處理室120內部的氛圍會藉由置換部170而置換成惰性氣體。藉此，處理室120內部的氧濃度會降低。在藉由氧濃度計181所計測的氧濃度已減低至預先決定的濃度為止的情況下，從光源部163對基板W照射真空紫外線。在此，預先決定的濃度，較佳為不會依藉由光源部163所射出的真空紫外線而產生臭氧的氧濃度(例如1%)。

在照射於基板W的真空紫外線之曝光量已到達預先決定的設定曝光量的情況下，停止真空紫外線之照射，且結束曝光處理。在此，所謂曝光量係指在曝光處理時照射於基板W之被處理面之每一單位面積的真空紫外線之能量。曝光量之單位，例如是以「J/m²」來表示。因此，真空紫外線之曝光量係能藉由照度計183所計測的真空紫外線之照明度的累計所取得。

在上述之曝光處理中，當真空紫外線長時間照射於透光板162時，透光板162之溫度就會上升。在此情況下，穿透透光板162並照射於基板W的真空紫外線之照明度會降低。為了防止此情形，在曝光裝置100係設置有用以抑制透光板162之溫度上升的氣流形成部190。以下，說明 氣流形成部190之構成。

圖2係從載置板151之下方的位置觀察圖1的曝光裝置100之內部的情況之示意仰視圖。圖3係圖2的曝光裝置100之A-A線剖視圖。圖4係圖2的曝光裝置之B-B線剖視圖。在圖2至圖4中，為了容易理解曝光裝置100之內部構成，係省略一部分的構成要素之圖示。如圖2所示，透光板162係具有大致矩形狀。將透光板162之互為平行的一組側邊分別稱為側邊162a、162b。

如圖2至圖4所示，氣流形成部190之噴出部191係在透光板162的側邊162a之下方且外方設置成水平。同樣地，如圖2及圖4所示，氣流形成部190之排氣部192係在透光板162的側邊162b之下方且外方設置成水平。在本實施形態中，噴出部191係與透光板162之側邊162a平行地延伸，排氣部192係與透光板162之側邊162b平行地延伸。藉此，噴出部191和排氣部192係隔著透光板162之下方的空間相對向。

圖5係顯示圖2至圖4的噴出部191之構成的立體圖。圖6中的(a)及(b)係顯示圖5的噴出管191a及噴出部191之構成的側視圖。圖7中的(a)至(d)係圖6中的(b)的噴出部191之C-C線剖視圖。如圖5所示，噴出部191係包含噴出管191a、複數個(本例中為三個)供給管191b及保持構件191c。

如圖5及圖6中的(a)所示，噴出管191a係具有朝向一方向延伸的圓筒形狀。噴出管191a之兩端係呈閉塞狀態。 另外，在噴出管191a之外周面係形成有與噴出管191a之軸向平行且以預定之間隔所排列的複數個噴出孔191h。能通過複數個噴出孔191h來連通噴出管191a之內部和外部。

如圖6中的(b)所示，複數個供給管191b係連接於噴出管191a與惰性氣體供給源193之間。具體而言，複數個供給管191b之一端以預定之間隔排列的方式貫通保持構件191c並安裝於噴出管191a之外周面。噴出管191a之內部和各個供給管191b之內部係連通。複數個供給管191b之另一端係安裝於惰性氣體供給源193。在各個供給管191b係夾插有閥191v。

如圖5及圖6中的(b)所示，保持構件191c係指具有朝向一方向延伸的剖面大致多角形狀的筒構件。在保持構件191c係形成有朝向一方向延伸的縫隙(slit)191s。保持構件191c之兩端係呈開放狀態。在保持構件191c內部保持有噴出管191a。保持構件191c係以縫隙191s轉向處理室120之內方的方式安裝於圖1的處理室120內部。能通過縫隙191s來連通保持構件191c之內部和外部。

在本實施形態中係通過保持構件191c之縫隙191s使惰性氣體沿著透光板162之下表面噴出。因此，噴出管191a亦可在複數個噴出孔191h已轉向任何一個方向的狀態下藉由保持構件191c所保持。在圖7中的(a)之例中係在複數個噴出孔191h轉向水平的狀態下所配置。在圖7中的(b)之例中係在複數個噴出孔191h轉向斜上方45度的狀態下所配置。在圖7中的(c)之例中係在複數個噴出孔191h轉向 斜上方25度的狀態下所配置。在圖7中的(d)之例中係在複數個噴出孔191h轉向斜下方10度的狀態下所配置。

在本實施形態中，圖4之排氣部192係包含排氣管192a、複數個(本例中為三個)回收管192b及保持構件192c。排氣管192a及保持構件192c係分別具有與噴出管191a及保持構件191c同樣的構成。因此，在排氣管192a係形成有與噴出孔191h同樣之未圖示的複數個排氣孔。在保持構件192c係形成有與縫隙191s同樣的縫隙192s。各個回收管192b係除了不是連接於惰性氣體供給源193而是連接於排氣設備194以外，其餘具有與各個供給管191b同樣的構成。

再者，排氣部192，亦可具有與噴出部191不同的構成。例如亦可使用具有縫隙之單一的構件作為排氣口，或是亦可使用具有複數個排氣孔之單一的構件作為排氣口。

從惰性氣體供給源193所供給的惰性氣體係通過複數個供給管191b來導引至噴出管191a內部。更且，惰性氣體係通過噴出管191a之複數個噴出孔191h(圖3)及保持構件191c之縫隙191s來噴出。藉此，如圖4之箭頭所示，惰性氣體係在透光板162與基板W之間沿著透光板162之下表面朝向排氣部192之方向導引。藉此，形成有沿著透光板162之下表面的惰性氣體之流動。惰性氣體之流動係成為具有整體與透光板162之下表面相接觸的剖面帶狀之層流。

已通過透光板162之下方的惰性氣體係通過保持構件 192c之縫隙192s及排氣部192之複數個未圖示的排氣孔而流入排氣管192a內部。之後，惰性氣體係通過複數個回收管192b而回收至排氣設備194。在此情況下，由於包含來自透光板162之熱的惰性氣體能排出至處理室120之外部，所以能有效率地防止透光板162之溫度上升。

(3)控制部

圖8係顯示圖1的控制部110之構成的功能方塊圖。如圖8所示，控制部110係包含閉塞控制部1、升降控制部2、排氣控制部3、供氣控制部4、濃度取得部5、濃度比較部6、氣流控制部7、照明度取得部8、曝光量算出部9、曝光量比較部10及投光控制部11。

控制部110，例如是藉由CPU(Central Processing Unit；中央處理器(亦即中央運算處理裝置))及記憶體所構成。在控制部110之記憶體中係預先記憶有控制程式。藉由控制部110之CPU執行已記憶於記憶體中的控制程式，就能實現控制部110之各部的功能。

閉塞控制部1係基於圖1的位置感測器133a、133b之檢測結果，來控制驅動裝置133以使擋門131在閉塞位置與開放位置之間移動。升降控制部2係基於圖1的位置感測器153a、153b之檢測結果，來控制驅動裝置153以使載置板151在待機位置與處理位置之間移動。

排氣控制部3係控制吸引裝置173及閥173v以將圖1的處理室120內部之氛圍以及處理室120與擋門131之間的氛圍進行排氣。供氣控制部4係控制圖1的閥171v、172v 以對處理室120內部供給惰性氣體。

濃度取得部5係取得藉由圖1之氧濃度計181所計測到的氧濃度之值。濃度比較部6係比較藉由濃度取得部5所計測到的氧濃度、和預先決定的濃度。氣流控制部7係在藉由投光控制部11從光源部163往基板W照射真空紫外線的期間，控制氣流形成部190以便能從圖4之噴出部191噴出惰性氣體且藉由排氣部192排出惰性氣體。

照明度取得部8係取得藉由圖1之照度計183所計測到的真空紫外線之照明度的值。曝光量算出部9係基於藉由照明度取得部8所取得的真空紫外線之照明度、和從圖1之光源部163往基板W的真空紫外線之照射時間，來算出照射於基板W的真空紫外線之曝光量。曝光量比較部10係比較藉由曝光量算出部9所算出的曝光量和預先決定的設定曝光量。

投光控制部11係基於藉由濃度比較部6所為的比較結果來控制從圖1之電源裝置164往光源部163的電力之供給以使光源部163射出真空紫外線。另外，投光控制部11係將從電源裝置164往光源部163的電力之供給時間，作為從光源部163往基板W的真空紫外線之照射時間來提供給曝光量算出部9。更且，投光控制部11係基於藉由曝光量比較部10所為的比較結果來控制電源裝置164以使光源部163停止真空紫外線之射出。

(4)曝光處理

圖9至圖12係用以說明曝光裝置100之動作的示意 圖。在圖9至圖12中，為了容易理解處理室120內部及外殼161內部之構成，係省略一部分的構成要素之圖示，並且以一點鏈線來顯示處理室120及外殼161的輪廓。圖13及圖14係顯示藉由圖8之控制部110所進行的曝光處理之一例的流程圖。以下，一邊參照圖9至圖12一邊說明藉由控制部110所為的曝光處理。

如圖9所示，在曝光處理之初期狀態中，擋門131位於閉塞位置，載置板151位於待機位置。另外，處理室120內部的氧濃度係藉由氧濃度計181常態或定期地計測，且藉由濃度取得部5所取得。在該時間點，藉由氧濃度計181所計測的處理室120內部之氧濃度係等於大氣中的氧濃度。

首先，如圖10所示，閉塞控制部1係使擋門131移動至開放位置(步驟S1)。藉此，能通過搬運開口122將處理對象之基板W載置於複數個支撐銷142之上端部。在本例中係能藉由後面所述的圖15之搬運裝置220使基板W載置於複數個支撐銷142之上端部。

其次，升降控制部2係判定基板W是否已載置於複數個支撐銷142之上端部(步驟S2)。在基板W未被載置的情況下，升降控制部2就待機至基板W載置於複數個支撐銷142之上端部為止。在基板W已被載置的情況下，如圖11所示，升降控制部2係使擋門131移動至閉塞位置(步驟S3)。

接著，排氣控制部3係藉由圖1之吸引裝置173來排 出處理室120內部的氛圍(步驟S4)。另外，供氣控制部4係通過圖1之配管171p、172p使惰性氣體供給至處理室120內部(步驟S5)。步驟S4、S5之處理，無論是哪一個先開始皆可，也可同時開始。之後，如圖12所示，升降控制部2係使載置板151移動至處理位置(步驟S6)。藉此，基板W能從複數個支撐銷142遞送至載置板151，且鄰近於透光板162。

其次，濃度比較部6係判定處理室120內部的氧濃度是否已降低至預定濃度為止(步驟S7)。在氧濃度並未降低至預定濃度為止的情況下，濃度比較部6係待機至氧濃度降低至預定濃度為止。在氧濃度已降低至預定濃度為止的情況下，投光控制部11係藉由光源部163射出真空紫外線(步驟S8)。藉此，真空紫外線會從光源部163通過透光板162而照射於基板W，且曝光已形成於被處理面的DSA膜。

另外，氣流控制部7係藉由噴出部191使惰性氣體噴出，並且藉由排氣部192使惰性氣體排出(步驟S9)。更且，照明度取得部8係使照度計183開始真空紫外線之照明度的計測，且從照度計183取得所計測到的照明度(步驟S10)。步驟S8至S10之處理係大致同時開始。曝光量算出部9係藉由累計藉由照明度取得部8所取得的真空紫外線之照明度來算出照射於基板W的真空紫外線之曝光量(步驟S11)。

接著，曝光量比較部10係判定藉由曝光量算出部9所算出的曝光量是否已到達設定曝光量(步驟S12)。在曝光量並未到達設定曝光量的情況下，曝光量比較部10係待機至曝光量到達設定曝光量為止。

在曝光量已到達設定曝光量的情況下，投光控制部11係使來自光源部163的真空紫外線之射出停止(步驟S13)。另外，氣流控制部7係使藉由噴出部191所為的惰性氣體之噴出以及藉由排氣部192所為的惰性氣體之排出停止(步驟S14)。更且，照明度取得部8係使藉由照度計183所為的照明度之計測停止(步驟S15)。步驟S13至S15之處理係大致同時開始。

其次，如圖11所示，升降控制部2係使載置板151下降至待機位置(步驟S16)。藉此，基板W能從載置板151遞送至複數個支撐銷142。接著，排氣控制部3係使藉由吸引裝置173所為的處理室120內部之氛圍的排出停止(步驟S17)。另外，供氣控制部4係使從配管171p、172p往處理室120內部的惰性氣體之供給停止(步驟S18)。步驟S13至S18之處理，無論是哪一個先開始皆可，也可同時開始。

之後，如圖10所示，閉塞控制部1係使擋門131移動至開放位置(步驟S19)。藉此，能通過搬運開口122將曝光後的基板W從複數個支撐銷142上往處理室120之外部搬出。在本例中，能藉由後面所述的圖15之搬運裝置220使基板W從複數個支撐銷142上往處理室120之外部搬出。

其次，閉塞控制部1係判定基板W是否已從複數個支撐銷142上搬出(步驟S20)。在基板W未被搬出的情況下，閉塞控制部1係待機至基板W從複數個支撐銷142上搬出 為止。在基板W已被搬出的情況下，如圖9所示，閉塞控制部1係使擋門131移動至閉塞位置(步驟S21)，且結束曝光處理。藉由重複進行上述之動作，就能對複數個基板W依順序進行曝光處理。

在上述之曝光處理中，雖然藉由噴出部191所為的惰性氣體之噴出以及藉由排氣部192所為的惰性氣體之排出，係與從光源部163往基板W的真空紫外線之照射在同一期間進行，但本發明並未被限定於此。惰性氣體之噴出及惰性氣體之排出，既可比往基板W的真空紫外線之照射開始先進行，也可以之後進行。另外，惰性氣體之噴出的停止以及惰性氣體之排出的停止，既可比往基板W的真空紫外線之照射停止先進行，也可之後進行。

或是，藉由噴出部191所為的惰性氣體之噴出以及藉由排氣部192所為的惰性氣體之排出，亦可在擋門131位於閉塞位置時常態地進行。因此，步驟S9之處理，亦可與步驟S4或步驟S5之處理大致同時進行。另外，步驟S14之處理，亦可與步驟S17或步驟S18之處理大致同時進行。

(5)基板處理裝置

圖15係顯示具備有圖1之曝光裝置100的基板處理裝置之整體構成的示意方塊圖。在以下所說明的基板處理裝置200中係進行利用嵌段共聚物之定向自組裝(DSA)的處理。具體而言，在基板W之被處理面上塗布有包含定向自組裝材料的處理液。之後，藉由在定向自組裝材料所產生的微相分離而在基板W之被處理面上形成有二種類之聚合物的圖案。二種類之聚合物中的一方圖案能藉由溶劑所去除。

將包含定向自組裝材料的處理液稱為DSA液。另外，將經由微相分離而形成於基板W之被處理面上的二種類之聚合物的圖案中之一方予以去除的處理稱為顯影處理，將使用於顯影處理的溶劑稱為顯影液。

如圖15所示，基板處理裝置200係除了曝光裝置100以外，還具備控制裝置210、搬運裝置220、熱處理裝置230、塗布裝置240及顯影裝置250。控制裝置210，例如是包含CPU及記憶體、或微電腦(microcomputer)，用以控制搬運裝置220、熱處理裝置230、塗布裝置240及顯影裝置250之動作。另外，控制裝置210係將用以控制圖1之曝光裝置100的閉塞部130、升降部150、投光部160、置換部170及氣流形成部190之動作的指令提供給控制部110。

搬運裝置220係一邊保持處理對象之基板W一邊將該基板W在曝光裝置100、熱處理裝置230、塗布裝置240及顯影裝置250之間進行搬運。熱處理裝置230係在藉由塗布裝置240所為的塗布處理以及藉由顯影裝置250所為的顯影處理之前後進行基板W之熱處理。

塗布裝置240係藉由對基板W之被處理面供給DSA液，來進行膜之塗布處理。在本實施形態中，作為DSA液，得採用由二種類之聚合物所構成的嵌段共聚物。作為二種類之聚合物的組合，例如可列舉聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲 酯(polystyrene-polymethyl methacrylate：PS-PMMA)、聚苯乙烯-聚二甲基矽氧烷(polystyrene-polydimethylsiloxane：PS-PDMS)、聚苯乙烯-聚二茂鐵二甲基矽烷(polystyrene-poly(ferrocenyl dimethylsilane)：PS-PFS)、聚苯乙烯-聚環氧乙烷(polyethylene oxide)：PS-PEO)、聚苯乙烯-聚乙烯吡咯啶酮(polyvinylpyrrolidone)：PS-PVP)、聚苯乙烯-聚羥基苯乙烯(polyhydroxystyrene：PS-PHOST)、以及聚甲基丙烯酸甲酯-聚丙烯甲酸酯多面體聚矽氧烷(polymethyl methacrylate-polymethacrylate polyhedral oligomeric silsesquioxane：PMMA-PMAPOSS)等。

顯影裝置250係藉由對基板W之被處理面供給顯影液，來進行膜之顯影處理。作為顯影液之溶媒，例如可列舉甲苯(toluene)、庚烷(heptane)、丙酮(acetone)、丙二醇甲醚醋酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate：PGMEA)、丙二醇甲醚(propylene glycol monomethyl ether：PGME)、環己酮(cyclohexanone)、醋酸、四氫呋喃(tetrahydrofuran)、異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)或氫氧化四甲銨(tetramethylammonium hydroxide：TMAH)等。

圖16係顯示藉由圖15之基板處理裝置200所為的基板W之處理之一例的示意圖。在圖16中係以剖視圖來顯示每次進行處理時所變化的基板W之狀態。在本例中係作為基板W被搬入於基板處理裝置200之前的初期狀態，如圖16中的(a)所示，以覆蓋基板W之被處理面的方式形成有基底層L1，在基底層L1上形成有例如由光阻(photoresist) 所構成的導引圖案(guide pattern)L2。以下，使用圖15及圖16來說明基板處理裝置200之動作。

搬運裝置220係將處理對象之基板W依順序搬運至熱處理裝置230及塗布裝置240。在此情況下，在熱處理裝置230中，基板W之溫度被調整至已適於DSA膜之形成的溫度。另外，在塗布裝置240中，對基板W之被處理面供給DSA液，且進行塗布處理。藉此，如圖16中的(b)所示，在並未形成有導引圖案L2的基底層L1上之區域，形成有由二種類之聚合物所構成的DSA膜L3。

其次，搬運裝置220係將形成有DSA膜L3的基板W，依順序搬運至熱處理裝置230及曝光裝置100。在此情況下，在熱處理裝置230中，藉由進行基板W之加熱處理，就會在DSA膜L3發生微相分離。藉此，如圖16中的(c)所示，形成有由一方之聚合物所構成的圖案Q1以及由另一方之聚合物所構成的圖案Q2。在本例中，以沿著導引圖案L2的方式，配向地形成有線狀之圖案Q1及線狀之圖案Q2。

之後，在熱處理裝置230中，基板W被冷卻。另外，在曝光裝置100中，對微相分離後的DSA膜L3之整體照射用以使DSA膜L3改質的真空紫外線，且進行曝光處理。藉此，能切斷一方之聚合物與另一方之聚合物之間的鍵結，且分離出圖案Q1和圖案Q2。

接著，搬運裝置220係將藉由曝光裝置100所為的曝光處理後之基板W，依順序搬運至熱處理裝置230及顯影 裝置250。在此情況下，在熱處理裝置230中，基板W被冷卻。另外，在顯影裝置250中，對基板W上的DSA膜L3供給顯影液，且進行顯影處理。藉此，如圖16中的(d)所示，圖案Q1被去除，最終在基板W上殘留圖案Q2。最後，搬運裝置220係從顯影裝置250回收顯影處理後的基板W。

(6)功效

在本發明的曝光裝置100中係通過已安裝於處理室120之上部開口121的透光板162，藉由光源部163對已收容於處理室120內部的基板W照射真空紫外線。另外，藉由噴出部191及排氣部192使沿著透光板162之一表面的惰性氣體之流動形成作為層流。

依據該構成，即便是在真空紫外線長時間照射於透光板162的情況下，產生於透光板162的熱仍能藉由惰性氣體之流動而散發。另外，惰性氣體係幾乎不吸收照射於基板W的真空紫外線。因此，不需降低基板W之曝光效率就能防止透光板162之溫度上升。藉此，能防止穿透透光板162並照射於基板W的真空紫外線之照明度降低。

另外，由於能防止與處理室120之內部空間V1相接觸的透光板162之下表面的溫度上升，所以能防止在處理室120內生成昇華物。藉此，能防止藉由昇華物之附著所致的透光板162之穿透率的降低。結果，能維持曝光處理之精度及效率。另外，能防止因昇華物所致的處理室120內部之汙染。

(7)其他的實施形態

(a)在上述實施形態中，雖然在噴出管191a形成有沿著一方向所排列的複數個噴出孔191h，但本發明並未被限定於此。圖17係顯示其他的實施形態中的噴出管191a之構成的側視圖。如圖17所示，在其他的實施形態中，能在噴出管191a形成有沿著一方向延伸的縫隙191t來取代圖6中的(a)之複數個噴出孔191h。即便是在此情況下，仍能通過縫隙191t來連通噴出管191a之內部和外部。藉此，能從縫隙191t噴出剖面帶狀之惰性氣體。

(b)在上述實施形態中，雖然曝光裝置100係包含一個噴出部191及一個排氣部192，但本發明並未被限定於此。曝光裝置100亦可包含複數個噴出部191。另外，曝光裝置100亦可包含複數個排氣部192。

圖18係顯示噴出部及排氣部之配置之另一例的示意仰視圖。在圖18之例中，第一噴出部191A是在透光板162的側邊162a之下方且外方設置成水平，第二噴出部191B是在透光板162的側邊162b之下方且外方設置成水平。排氣部192係在與透光板162之側邊162a、162b正交的一對側邊162c、162d中之一方的側邊162c之下方且外方設置成水平。

依據該配置，藉由第一噴出部191A，就能沿著透光板162之下表面從側邊162a朝向面向側邊162b的方向噴出惰性氣體。另外，藉由第二噴出部191B，就能沿著透光板162之下表面從側邊162b朝向面向側邊162a的方向噴出惰性 氣體。所噴出的惰性氣體係以接近排氣部192的方式一邊轉彎一邊行進，且到達排氣部192。藉此，能依藉由第一噴出部191A及第二噴出部191B所噴出的惰性氣體而形成沿著透光板162之下表面的層流。

圖19係顯示噴出部及排氣部之配置之更另一例的示意仰視圖。圖19之例與圖18之例不同處係在於：第一排氣部192A在透光板162之一方的側邊162c之下方且外方設置成水平，且第二排氣部192B在透光板162之另一方的側邊162d之下方且外方設置成水平。

依據該配置，藉由第一噴出部191A所噴出的惰性氣體係以接近第一排氣部192A及第二排氣部192B的方式一邊轉彎一邊行進，且到達第一排氣部192A及第二排氣部192B。同樣地，藉由第二噴出部191B所噴出的惰性氣體係以接近第一排氣部192A及第二排氣部192B的方式一邊轉彎一邊行進，且到達第一排氣部192A及第二排氣部192B。藉此，能依藉由第一噴出部191A及第二噴出部191B所噴出的惰性氣體而形成沿著透光板162之下表面的層流。

在圖18及圖19之例中，即便透光板162為大型的情況下，仍能從透光板162之整體予以散熱，且抑制透光板162之溫度的上升。因此，能防止照射於具有更大之尺寸的基板W的真空紫外線之照明度降低。

(c)在上述實施形態中，雖然排氣部192係配置於隔著透光板162之下方的空間且與噴出部191相對向的位置， 但本發明並未被限定於此。排氣部192，亦可配置於其他的位置。另外，雖然氣流形成部190係包含排氣部192，但本發明並未被限定於此。因藉由噴出部191所噴出的惰性氣體能通過歧管173a、配管173p及吸引裝置173從處理室120排出，故而氣流形成部190亦可不包含排氣部192。

(d)在上述實施形態中，雖然是使用DSA液作為處理液，但本發明並未被限定於此。亦可使用與DSA液不同的其他處理液。

(e)在上述實施形態中，雖然真空紫外線之射出面係比基板W之被處理面更大，且進行基板W之全面曝光，但本發明並未被限定於此。真空紫外線之射出面，既可比基板W之被處理面更小，也可射出不具有面狀之剖面而是具有線狀之剖面的真空紫外線。在此情況下，藉由真空紫外線之射出面和基板W之被處理面相對地移動就能對基板W之被處理面的整體照射真空紫外線。

(f)在上述實施形態中，雖然是在曝光處理時對處理室120內部供給惰性氣體，但本發明並未被限定於此。在曝光處理時能夠充分地減低處理室120內部的氧濃度的情況下，亦可不對處理室120內部供給惰性氣體。

(8)請求項之各個構成要素與實施形態之各部的對應關係

以下，雖然是就請求項之各個構成要素與實施形態之各個構成要素的對應之例加以說明，但本發明並未被限定於下述之例。

在上述實施形態中，上部開口121為開口之例，基板W為基板之例，處理室120為處理室之例，透光板162為窗構件之例，光源部163為光源部之例，氣流形成部190為氣流形成部之例。曝光裝置100為曝光裝置之例，內部空間V1為內部空間之例，噴出部191為噴出部之例，排氣部192為排氣部之例，噴出管191a為噴出管之例，噴出孔191h或縫隙191t為噴出口之例。

保持構件191c為保持構件之例，縫隙191s、191t分別為第一縫隙及第二縫隙之例，噴出孔191h為噴出孔之例，第一噴出部191A及第二噴出部191B分別為第一噴出部及第二噴出部之例。塗佈裝置240為塗布處理部之例，熱處理裝置230為熱處理部之例，顯影裝置250為顯影處理部之例，基板處理裝置200為基板處理裝置之例。

作為請求項之各個構成要素，亦能使用具有請求項所記載之構成或功能的其他各種之構成要素。

Claims (16)

1. 一種曝光裝置，係具備：處理室，係收容基板且具有開口；透光性之窗構件，係安裝於前述處理室之前述開口；光源部，係通過前述窗構件對前述處理室內之前述基板照射真空紫外線；以及氣流形成部，用以在對前述基板的前述真空紫外線的照射中形成沿著前述窗構件之一表面的惰性氣體之流動。
2. 如請求項1所記載之曝光裝置，其中前述窗構件之前述一表面係面向前述處理室之內部空間；前述氣流形成部係在前述處理室內形成沿著前述窗構件之前述一表面的前述惰性氣體之流動。
3. 如請求項2所記載之曝光裝置，其中前述氣流形成部係包含：噴出部，係對前述處理室內以沿著前述窗構件之前述一表面的方式噴出前述惰性氣體；以及排氣部，用以排出前述處理室內之前述惰性氣體。
4. 如請求項3所記載之曝光裝置，其中前述噴出部係包含：噴出管，係具有與前述窗構件之前述一表面平行地延伸且噴出前述惰性氣體的噴出口。
5. 如請求項4所記載之曝光裝置，其中前述噴出部係更包含：保持構件，係以包圍前述噴出管之外周的方式所設置；前述保持構件係具有與前述窗構件之前述一表面平行地延伸的第一縫隙，且使從前述噴出管之前述噴出口所噴出的前述惰性氣體通過前述保持構件之前述第一縫隙並沿著前述窗構件之前述一表面而噴出。
6. 如請求項4或5所記載之曝光裝置，其中前述噴出管係具有：作為前述噴出口的複數個噴出孔，係與前述窗構件之前述一表面平行地排列且噴出前述惰性氣體。
7. 如請求項4或5所記載之曝光裝置，其中前述噴出管係具有：作為前述噴出口的第二縫隙，係與前述窗構件之前述一表面平行地延伸且噴出前述惰性氣體。
8. 如請求項3至5中任一項所記載之曝光裝置，其中前述噴出部和前述排氣部係以隔著與前述窗構件之前述一表面相接觸的空間且相互地對向的方式所配置。
9. 如請求項3至5中任一項所記載之曝光裝置，其中前述噴出部係包含：第一噴出部及第二噴出部，係以隔著與前述窗構件之前述一表面相接觸的空間且相互地對向的方式所配置；前述排氣部係以不重疊於前述第一噴出部及前述第二噴出部的方式所配置。
10. 如請求項1至5中任一項所記載之曝光裝置，其中前述氣流形成部係形成沿著前述窗構件之前述一表面的前述惰性氣體之層流。
11. 如請求項1至5中任一項所記載之曝光裝置，其中前述光源部係以射出具有面狀之剖面的前述真空紫外線的方式所構成。
12. 如請求項11所記載之曝光裝置，其中藉由前述光源部所為的前述真空紫外線之射出面積係比前述基板之面積更大。
13. 一種基板處理裝置，係具備：塗布處理部，係藉由對基板塗布處理液而在前述基板形成膜；熱處理部，係對經由前述塗布處理部而形成有前述膜的前述基板施以熱處理；請求項1至5中任一項所記載之曝光裝置，係對經由前述熱處理部所熱處理後的前述基板施以曝光；以及顯影處理部，係藉由對經由前述曝光裝置所曝光後的前述基板供給溶劑而使前述基板的前述膜顯影。
14. 如請求項13所記載之基板處理裝置，其中前述處理液係包含定向自組裝材料。
15. 一種曝光方法，係包含：藉由光源部對已收容於處理室內的基板通過已安裝於前述處理室之開口的透光性之窗構件照射真空紫外線的步驟；以及在對前述基板的前述真空紫外線的照射中，藉由氣流形成部來形成沿著前述窗構件之一表面的惰性氣體之流動的步驟。
16. 一種基板處理方法，係包含：藉由塗布處理部對基板之被處理面塗布處理液，藉此在前述基板形成膜的步驟；藉由熱處理部對經由前述塗布處理部而形成有前述膜的前述基板施以熱處理的步驟；請求項15所記載之曝光方法，係藉由曝光裝置對經由前述熱處理部所熱處理後的前述基板施以曝光；以及藉由顯影處理部對經由前述曝光裝置所曝光後的前述基板之前述被處理面供給溶劑而使前述基板的前述膜顯影的步驟。