JP3498255B2 - 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
枚葉式減圧ｃｖｄ装置Info
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- JP3498255B2 JP3498255B2 JP17709096A JP17709096A JP3498255B2 JP 3498255 B2 JP3498255 B2 JP 3498255B2 JP 17709096 A JP17709096 A JP 17709096A JP 17709096 A JP17709096 A JP 17709096A JP 3498255 B2 JP3498255 B2 JP 3498255B2
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- Japan
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- nozzle
- ejection member
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ表面に薄膜
を形成する枚葉式減圧ＣＶＤ装置に係り、特に反応ガス
を噴出させるノズルの改良に関する。
を形成する枚葉式減圧ＣＶＤ装置に係り、特に反応ガス
を噴出させるノズルの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、減圧状態に制御された反応室内に
ウエハをセットし、このウエハの側方に配置されたスリ
ット状のノズルから反応ガスをウエハの表面とほぼ平行
に噴出させてウエハ表面に薄膜を形成する枚葉式減圧Ｃ
ＶＤ装置がある。このようにウエハ表面に沿ってほぼ平
行にその一側から他側へ反応ガスを流して薄膜を形成す
る方式の枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、比較的均一な厚さの
薄膜を形成することができる。
ウエハをセットし、このウエハの側方に配置されたスリ
ット状のノズルから反応ガスをウエハの表面とほぼ平行
に噴出させてウエハ表面に薄膜を形成する枚葉式減圧Ｃ
ＶＤ装置がある。このようにウエハ表面に沿ってほぼ平
行にその一側から他側へ反応ガスを流して薄膜を形成す
る方式の枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、比較的均一な厚さの
薄膜を形成することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら年々、よ
り高い膜厚分布の均一性が求められ、さらに、生産性を
高めるため、薄膜の成長速度の向上が望まれている。膜
厚分布と成長速度の両方を満足させるためには、ウエハ
表面に対する反応ガスの流れが微妙に影響する。
り高い膜厚分布の均一性が求められ、さらに、生産性を
高めるため、薄膜の成長速度の向上が望まれている。膜
厚分布と成長速度の両方を満足させるためには、ウエハ
表面に対する反応ガスの流れが微妙に影響する。
【０００４】本発明は、より高い成長速度で、かつ均一
な厚さの薄膜を容易に得ることのできる枚葉式減圧ＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的としている。
な厚さの薄膜を容易に得ることのできる枚葉式減圧ＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明による枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、所定の減圧状
態に制御された反応室内にウエハをセットし、前記反応
室内であってかつウエハの側方かつ上方に配置されたス
リット状のノズルから反応ガスを前記ウエハの表面にほ
ぼ沿うように噴出させてウエハ表面に薄膜を形成する枚
葉式減圧ＣＶＤ装置において、前記ノズルのウエハに対
する対向角度を調整可能にしたものである。この装置に
よれば、ウエハ表面に対する反応ガスの流れを最適状態
に定めて膜厚分布と成長速度が共に優れた薄膜形成を行
わせることができる。
の本発明による枚葉式減圧ＣＶＤ装置は、所定の減圧状
態に制御された反応室内にウエハをセットし、前記反応
室内であってかつウエハの側方かつ上方に配置されたス
リット状のノズルから反応ガスを前記ウエハの表面にほ
ぼ沿うように噴出させてウエハ表面に薄膜を形成する枚
葉式減圧ＣＶＤ装置において、前記ノズルのウエハに対
する対向角度を調整可能にしたものである。この装置に
よれば、ウエハ表面に対する反応ガスの流れを最適状態
に定めて膜厚分布と成長速度が共に優れた薄膜形成を行
わせることができる。
【０００６】なお、前記ノズルは、その先端にウエハの
表面と平行な平面に沿って伸びるように設けられた丸棒
状のガス噴出部材と、このガス噴出部材の両端部を除い
て該ガス噴出部材の長手方向に伸び反応ガスを周面から
層状に噴出するように形成されたスリット状のガス噴出
口とからなり、前記ガス噴出部材がその軸心回りに回転
可能に取り付けられたものであることが望ましい。
表面と平行な平面に沿って伸びるように設けられた丸棒
状のガス噴出部材と、このガス噴出部材の両端部を除い
て該ガス噴出部材の長手方向に伸び反応ガスを周面から
層状に噴出するように形成されたスリット状のガス噴出
口とからなり、前記ガス噴出部材がその軸心回りに回転
可能に取り付けられたものであることが望ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき図
１ないし図４を参照して説明する。図１において、１は
ケーシングで、上下に石英製の透明な窓板２、３が気密
に取り付けられ、反応室Ｒを形成している。反応室Ｒ内
にはカーボン製のリング状のサセプタ４が設置され、そ
の上にウエハ５が載置されるようになっている。サセプ
タ４は、下方の窓板３を貫通して反応室Ｒ内に伸びる回
転軸６の上端に複数のアーム７によって支持されてい
る。サセプタ４及びウエハ５は、窓板２、３の外側に設
けられた赤外線ランプのような加熱装置８、９により、
上下から加熱されるようになっている。反応室Ｒの図１
において左端寄りにはノズル１０が設けられ、右端寄り
には排気口１１が設けられている。
１ないし図４を参照して説明する。図１において、１は
ケーシングで、上下に石英製の透明な窓板２、３が気密
に取り付けられ、反応室Ｒを形成している。反応室Ｒ内
にはカーボン製のリング状のサセプタ４が設置され、そ
の上にウエハ５が載置されるようになっている。サセプ
タ４は、下方の窓板３を貫通して反応室Ｒ内に伸びる回
転軸６の上端に複数のアーム７によって支持されてい
る。サセプタ４及びウエハ５は、窓板２、３の外側に設
けられた赤外線ランプのような加熱装置８、９により、
上下から加熱されるようになっている。反応室Ｒの図１
において左端寄りにはノズル１０が設けられ、右端寄り
には排気口１１が設けられている。
【０００８】ノズル１０は、ウエハ５の図１において左
方かつ上方に配置され、図２（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、円柱状の導入部１０１と、その上端に取り付けられ
た平板状のノズル本体１０２とを有し、ノズル本体１０
２はウエハ５の表面（上面）と平行に配置されている。
導入部１０１には反応ガスの導入路１０３が設けられ、
ノズル本体１０２にはそれぞれ導入路１０３に接続され
た複数の流路１０４が幅方向（図２（ｂ）において上下
方向）に適宜な間隔を置いて設けられている。
方かつ上方に配置され、図２（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、円柱状の導入部１０１と、その上端に取り付けられ
た平板状のノズル本体１０２とを有し、ノズル本体１０
２はウエハ５の表面（上面）と平行に配置されている。
導入部１０１には反応ガスの導入路１０３が設けられ、
ノズル本体１０２にはそれぞれ導入路１０３に接続され
た複数の流路１０４が幅方向（図２（ｂ）において上下
方向）に適宜な間隔を置いて設けられている。
【０００９】ノズル本体１０２の先端には、この先端に
沿って伸びる丸棒状のガス噴出部材１０５が取り付けら
れている。このガス噴出部材１０５は、その軸心回りに
回転可能に取り付けられており、ノズル本体１０２の先
端の両サイドに設けられた締め付けネジ１０６、１０６
（図３参照）により所望の角度位置に固定されるように
なっている。
沿って伸びる丸棒状のガス噴出部材１０５が取り付けら
れている。このガス噴出部材１０５は、その軸心回りに
回転可能に取り付けられており、ノズル本体１０２の先
端の両サイドに設けられた締め付けネジ１０６、１０６
（図３参照）により所望の角度位置に固定されるように
なっている。
【００１０】ガス噴出部材１０５の両端部を除く中央部
分には、図２（ｂ）及び図３に示すように、複数の流路
１０４に接続される溝１０７が設けられている。さら
に、このガス噴出部材１０５には、溝１０７からガス噴
出部材１０５の溝１０７とは反対側の外周面に開口する
スリット状のガス噴出口１０８が設けられている。この
ガス噴出口１０８は、図１に示されているウエハ５の表
面と平行となるように形成されている。
分には、図２（ｂ）及び図３に示すように、複数の流路
１０４に接続される溝１０７が設けられている。さら
に、このガス噴出部材１０５には、溝１０７からガス噴
出部材１０５の溝１０７とは反対側の外周面に開口する
スリット状のガス噴出口１０８が設けられている。この
ガス噴出口１０８は、図１に示されているウエハ５の表
面と平行となるように形成されている。
【００１１】次いで本装置の作用について説明する。回
転軸６によりサセプタ４及びウエハ５を回転させつつ、
これらを加熱装置８、９により所定の温度に加熱し、ノ
ズル１０のガス噴出口１０８から反応ガスＧを噴出さ
せ、ウエハ５の表面に薄膜を形成する。このときノズル
１０のガス噴出口１０８から噴出される反応ガスＧのウ
エハ５の表面に対する対向角度θによって膜厚分布及び
成長速度は大きく変化する。
転軸６によりサセプタ４及びウエハ５を回転させつつ、
これらを加熱装置８、９により所定の温度に加熱し、ノ
ズル１０のガス噴出口１０８から反応ガスＧを噴出さ
せ、ウエハ５の表面に薄膜を形成する。このときノズル
１０のガス噴出口１０８から噴出される反応ガスＧのウ
エハ５の表面に対する対向角度θによって膜厚分布及び
成長速度は大きく変化する。
【００１２】図４は、対向角度θと膜厚分布及び成長速
度との関係の一例を示すものであり、同図（Ａ）（Ｂ）
（Ｃ）（Ｄ）はそれぞれ異なる対向角度θを示し、同図
（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）はそれぞれの対向角度θにお
ける膜厚分布及び成長速度を示している。すなわち図４
（Ａ）に示すように、対向角度θを零として平行に噴出
させたときには、同図（ａ）に示すように、膜厚分布は
ほぼ均一であるが、成長速度は低い。同図（Ｂ）に示す
ように、対向角度θを大きくして、ノズル１０の厚さ方
向の中心をウエハ５の手前側に向けると、同図（ｂ）に
示すように、成長速度は高くなるが、膜厚分布が悪くな
る。また、同図（Ｃ）に示すように、ノズル１０をウエ
ハ５の遠方側に向けると、同図（ｃ）に示すように、膜
厚分布と成長速度が共に悪化する。これらに対しノズル
１０を、同図（Ｄ）に示すように、ウエハ５の中央に向
けると、同図（ｄ）に示すように、膜厚分布と成長速度
が共に良くなる。
度との関係の一例を示すものであり、同図（Ａ）（Ｂ）
（Ｃ）（Ｄ）はそれぞれ異なる対向角度θを示し、同図
（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）はそれぞれの対向角度θにお
ける膜厚分布及び成長速度を示している。すなわち図４
（Ａ）に示すように、対向角度θを零として平行に噴出
させたときには、同図（ａ）に示すように、膜厚分布は
ほぼ均一であるが、成長速度は低い。同図（Ｂ）に示す
ように、対向角度θを大きくして、ノズル１０の厚さ方
向の中心をウエハ５の手前側に向けると、同図（ｂ）に
示すように、成長速度は高くなるが、膜厚分布が悪くな
る。また、同図（Ｃ）に示すように、ノズル１０をウエ
ハ５の遠方側に向けると、同図（ｃ）に示すように、膜
厚分布と成長速度が共に悪化する。これらに対しノズル
１０を、同図（Ｄ）に示すように、ウエハ５の中央に向
けると、同図（ｄ）に示すように、膜厚分布と成長速度
が共に良くなる。
【００１３】そこで、本装置は、締め付けネジ１０６を
緩めてガス噴出部材１０５を回転させ、ガス噴出口１０
８が、例えば図４（Ｄ）に示すような最も良好な膜厚分
布及び成長速度が得られる対向角度θとなるように設定
することにより、膜厚分布及び成長速度の向上を図るこ
とができる。なお、この角度調整は、反応室外から可能
にすることが好ましいことは言うまでもない。
緩めてガス噴出部材１０５を回転させ、ガス噴出口１０
８が、例えば図４（Ｄ）に示すような最も良好な膜厚分
布及び成長速度が得られる対向角度θとなるように設定
することにより、膜厚分布及び成長速度の向上を図るこ
とができる。なお、この角度調整は、反応室外から可能
にすることが好ましいことは言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように本発明の枚葉式減圧Ｃ
ＶＤ装置によれば、より高い成長速度で、かつ均一な厚
さの薄膜を得ることができる。
ＶＤ装置によれば、より高い成長速度で、かつ均一な厚
さの薄膜を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す概要断面図。
【図２】図１に示すノズルの拡大図で、（ａ）は側面
図、（ｂ）は（ａ）のＡーＡ線断面図。
図、（ｂ）は（ａ）のＡーＡ線断面図。
【図３】図２（ｂ）のＢーＢ線断面図。
【図４】ウエハ表面に対するノズルの対向角度と膜厚分
布及び成長速度とを示す図であり、（Ａ）〜（Ｄ）は対
向角度を、（ａ）〜（ｄ）は膜厚分布及び成長速度を示
す図。
布及び成長速度とを示す図であり、（Ａ）〜（Ｄ）は対
向角度を、（ａ）〜（ｄ）は膜厚分布及び成長速度を示
す図。
Ｒ 反応室
Ｇ 反応ガス
２、３ 窓板
４ サセプタ
５ ウエハ
６ 回転軸
７ アーム
８、９ 加熱装置
１０ ノズル
１１ 排気口
１０２ ノズル本体
１０５ ガス噴出部材
１０７ 溝
１０８ ガス噴出口
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−166744（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−347254（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−79771（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−92317（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−193015（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/205
C23C 16/455
C30B 35/00
Claims (2)
- 【請求項１】 所定の減圧状態に制御された反応室内に
ウエハをセットし、前記反応室内であってかつウエハの
側方かつ上方に配置されたスリット状のノズルから反応
ガスを前記ウエハの表面にほぼ沿うように噴出させてウ
エハ表面に薄膜を形成する枚葉式減圧ＣＶＤ装置におい
て、前記ノズルのウエハに対する対向角度が調整可能に
構成されていることを特徴とする枚葉式減圧ＣＶＤ装
置。 - 【請求項２】 前記ノズルは、その先端にウエハの表面
と平行な平面に沿って伸びるように設けられた丸棒状の
ガス噴出部材と、このガス噴出部材の両端部を除いて該
ガス噴出部材の長手方向に伸び反応ガスを周面から層状
に噴出するように形成されたスリット状のガス噴出口と
からなり、前記ガス噴出部材がその軸心回りに回転可能
に取り付けられていることを特徴とする請求項１記載の
枚葉式減圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17709096A JP3498255B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17709096A JP3498255B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104064A JPH104064A (ja) | 1998-01-06 |
| JP3498255B2 true JP3498255B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=16024962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17709096A Expired - Fee Related JP3498255B2 (ja) | 1996-06-17 | 1996-06-17 | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3498255B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100519963B1 (ko) * | 1998-04-08 | 2005-12-20 | 삼성전자주식회사 | 엘씨디 패널 건조용 에어 나이프 장치 및 에어 나이프 장치조정 방법 |
| JP3516654B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2004-04-05 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| KR101110633B1 (ko) | 2009-08-05 | 2012-03-13 | (주)솔라세라믹 | 불소 함유 산화주석 박막 제조장치 |
| JP2013151720A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Ulvac Japan Ltd | 真空成膜装置 |
| JP6170340B2 (ja) * | 2013-05-21 | 2017-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給ヘッド、ガス供給機構及び基板処理装置 |
| KR101694750B1 (ko) * | 2014-05-12 | 2017-01-10 | (주)솔라세라믹 | 스프레이 열 분해용 노즐 및 이를 포함하는 박막 형성 장치 |
| JP6845058B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2021-03-17 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179771A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-23 | Applied Material Japan Kk | 気相成長装置 |
| JP3224238B2 (ja) * | 1991-04-16 | 2001-10-29 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置 |
| JPH05166744A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Nippon Steel Corp | 熱処理炉 |
| EP0967632A1 (en) * | 1993-07-30 | 1999-12-29 | Applied Materials, Inc. | Gas inlets for wafer processing chamber |
| JP2947018B2 (ja) * | 1993-09-27 | 1999-09-13 | 凸版印刷株式会社 | パターン露光方法及び露光装置 |
-
1996
- 1996-06-17 JP JP17709096A patent/JP3498255B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH104064A (ja) | 1998-01-06 |
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| KR101700273B1 (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
| JPH0565590B2 (ja) | ||
| JP2002151416A (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| JPH10144610A (ja) | 半導体製造装置 |
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|---|---|---|---|
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