TWI661069B - 濺鍍靶之製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種濺鍍靶,係由In、Zn、O構成,其特徵在於:Zn與In之原子比滿足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.30,該靶濺鍍面之體電阻率的標準偏差在0.1mΩ.cm以下。提供一種燒結體之翹曲少,藉由用以降低翹曲之研磨來抑制體電阻率之面內變動的氧化銦-氧化鋅系氧化物(IZO)燒結體靶之製造方法。
Description
本發明係關於一種氧化銦-氧化鋅系(IZO)濺鍍靶及其製造方法,尤其是關於一種靶之濺鍍面內的體電阻率(bulk resistivity)差小,適於形成膜之濺鍍靶及其製造方法。
由幾種金屬複合氧化物構成之透明導電膜,由於具有高導電性與可見光透射性,因此被使用於液晶顯示裝置、薄膜電發光顯示裝置、有機EL、放射性檢測裝置、終端機器之透明輸入板(tablet)、窗玻璃之抗結露用發熱膜、抗靜電膜或太陽光集熱器用選擇透過膜、觸控面板之電極等涉及多方面的用途。由此種金屬複合氧化物構成之透明導電膜中,最普及的是被稱為ITO之由氧化銦-氧化錫構成之透明導電膜。
另一方面,以蝕刻速度大於ITO膜之銦及鋅的複合氧化物(稱為「IZO」)作為主成分之透明導電膜的需求正逐漸增加。當製造IZO膜時,雖會使用燒結體濺鍍靶,但此IZO燒結體會有於燒結過程產生翹曲之問題。產生翹曲之靶,為了調整產品形狀,會需要將其兩面研磨成平面,但會因研磨處理而使得靶面內之體電阻率大幅變動,而有當濺鍍時產生異常放電等之問題。
接著,說明關於IZO燒結體濺鍍之先前技術。於專利文獻1揭示有:混合氧化銦與氧化鋅,藉由冷壓及靜水壓冷壓縮將其成形後,於 氧環境中或大氣中,以1300~1500℃進行加熱燒結。又,於專利文獻2揭示有:在混合In2O3與ZnO粉末之前,僅對ZnO粉末進行煅燒。
於專利文獻3記載有:使氧化銦粉末與氧化鋅粉末為特定之性狀。又,於專利文獻4記載有:當燒結IZO時,至到達1200℃為止,使氧濃度在21%容量以上,於1200~1450℃,於氧濃度未達21%容量之環境進行燒結。專利文獻5記載有:藉由將原料粉末粉碎成微細,而控制靶之結晶粒徑。
然而,於此等以往之製造步驟下,伴隨因燒結時之加熱所導致的熱膨脹、熱收縮,於所製作之燒結體會產生翹曲。當翹曲大之燒結體加工成靶形狀時,靶濺鍍面之電阻率的差會變大。此種靶面內之電阻率的變動會有下述問題:於濺鍍時會引起飛弧(arcing)(異常放電)等,使產品之製造產率降低。尤其隨著近年來之濺鍍靶的大面積化,如上述之問題變得顯著。
專利文獻1:日本特開2001-131736號公報
專利文獻2:日本特開平9-111444號公報
專利文獻3:日本特開2007-8780號公報
專利文獻4:日本特開2007-8772號公報
專利文獻5:國際公開第2001/038599號
本發明係為了解決上述課題而完成者,課題在於提供一種當濺鍍時可抑制產生飛弧(異常放電)且濺鍍面內之體電阻率差小的濺鍍靶 及其製造方法。尤其課題在於提供一種即使為大面積,體電阻率之面內之差亦小的濺鍍靶。
本發明人為了解決上述之課題而經潛心研究的結果發現,IZO之收縮開始或開始後暫時保持溫度,使燒結體內之溫度分佈小,藉此,可大幅地抑制燒結體之翹曲量。結果得到下述見解:即使為了調整成靶形狀,而進行將其兩面研磨成平面等,亦可得到面內之體電阻率差小的濺鍍靶。
根據此種見解,本案提供以下之發明。
1)一種濺鍍靶,係由In、Zn、O構成,其特徵在於:Zn與In之原子比滿足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.30,該靶濺鍍面之體電阻率的標準偏差在1.0mΩ.cm以下。
2)如上述1)記載之濺鍍靶,其體電阻率為1.0~10mΩ.cm。
3)如上述1)或2)記載之濺鍍靶,其相對密度在98%以上。
4)如上述1)至3)中任一項記載之濺鍍靶,其濺鍍面之面積為60000mm2~400000mm2。
5)一種IZO燒結體,係由In、Zn、O構成,其特徵在於:Zn與In之原子比滿足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.30,翹曲量在2.0mm以內。
6)一種濺鍍靶之製造方法,該濺鍍靶係由IZO燒結體構成,該IZO燒結體係將原料粉末經加壓成形而得之成形體燒結而製造,其特徵在於:自室溫升溫至燒結溫度之步驟中,由下述步驟構成:使中途保持溫度為600~800℃,保持1~10小時之步驟;自該中途保持溫度以0.2~2.0℃/min升溫至燒結溫度之步驟;使燒結溫度為1350~1500℃,使燒結保持時間為1 ~100小時進行燒結之步驟。
7)如上述6)記載之濺鍍靶之製造方法,其中,使燒結溫度為1380~1420℃。
8)如上述6)或7)記載之濺鍍靶之製造方法,其中,使燒結保持時間為5~30小時進行燒結。
9)如上述6)至8)中任一項記載之濺鍍靶之製造方法,其中,以1.0~5.0℃/min進行降溫。
10)如上述6)至9)中任一項記載之濺鍍靶之製造方法,其中,自中途保持溫度以0.5~1.5℃/min升溫至燒結溫度。
本發明發現:於氧化銦-氧化鋅系氧化物(IZO)燒結體之製造方法中,與以往不同之製造條件,亦即燒結條件中,以特定之溫度保持有助於降低翹曲,可製作濺鍍面內之體電阻率差小的靶,結果具有下述優異之效果:飛弧等發生少,可進行良好之濺鍍,可提升形成之膜的特性。本發明尤其於大面積之IZO濺鍍靶有效。
圖1係顯示本發明之濺鍍靶(方形)其體電阻率的測量部位之圖。
圖2係顯示本發明之濺鍍靶(圓盤形)其體電阻率的測量部位之圖。
圖3係顯示本發明之濺鍍靶其翹曲量的測量之示意圖。
本發明之濺鍍靶的成分組成係由銦(In)、鋅(Zn)、氧(O)構成,Zn與In之原子比滿足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.30的條件。本發明之 靶,主要是由銦與鋅之複合氧化物構成,但亦可含有氧化銦或氧化鋅之單獨的氧化物。又,於不損害本發明之特性的範圍,亦可含有其他元素。上述Zn之原子比從使用靶所形成之膜的導電性等之觀點來決定,若超過此範圍,則無法得到想要之特性。
本發明之特徵在於:前述濺鍍靶之濺鍍面的體電阻率之標準偏差在1.0mΩ.cm以下。於燒結體之翹曲大的情形時,由於靶濺鍍面之體電阻率的變動會變大,因此會有妨礙所形成之膜特性(尤其是膜電阻)的均一性之問題。於本發明,藉由調整燒結條件而顯著降低燒結體之翹曲,藉此,可使濺鍍面內之體電阻率的標準偏差降低至1.0mΩ.cm以下。另,所謂濺鍍面,意指研磨燒結體,加工成濺鍍靶後,於濺鍍裝置受到濺鍍之面。
本發明之體電阻率較佳在1.0mΩ.cm以上,10mΩ.cm以下。於體電阻率高之情形時,有時會使濺鍍放電不穩定。本發明之體電阻率,係藉由四點探針法,於靶濺鍍面以等間隔測量16點以上(於方形靶之情形)或9點以上(於圓盤形靶之情形),算出其平均值及標準偏差。例如,如圖1、2所示,對距離靶端20mm以上內側之部分以50mm~60mm之等間隔測量15mm見方的部位3次,使其平均為該部位之體電阻率。惟,於靶之面積小的情形時,藉由縮短測量間隔,以確保測量點數在9點以上或16點以上。另,當測量靶之體電阻率時,亦可視需要進行研磨。
通常,燒結體之面積變得越大,翹曲量亦會變得越大。本發明之特徵在於即使為大面積之燒結體,亦可將其翹曲量抑制在2.0mm以內。本發明於下述方面尤其優異:靶濺鍍面之面積即使高達60000mm2~ 400000mm2,亦可將濺鍍面內之電阻率差抑制在上述範圍。此處,對於翹曲之測量,使用雷射式位移感測器,將該雷射作為探針,配合燒結體之大小,如圖2所示,以雷射掃瞄燒結體之任一面,且同時測量其高度。然後,將面內之最大高度與最小高度的差異作為最大翹曲量。
又,本發明之濺鍍靶其特徵在於:相對密度高達98%以上。高密度靶可減少濺鍍時之顆粒(particle)等,可形成具備良好特性之膜。相對密度係以(以阿基米得法測得之燒結體的實際密度)/(自氧化物之組成算得之理論密度)×100=相對密度(%)表示者。此處,自氧化物之組成算得之理論密度,係指自構成原料之元素算出之理論上的密度,例如以氧化銦(In2O3)粉、氧化鋅(ZnO)粉作為原料,當使氧化銦:氧化鋅之重量比為90wt%:10wt%之情形時,以自氧化物之組成算得之理論密度=(氧化銦之理論密度×90+氧化鋅之理論密度×10)/100(g/cm3)的形式算出。
本發明之氧化銦-氧化鋅系氧化物(IZO)燒結體靶,可經過以下之原料之混合、粉碎、成型、燒結的各製程來製作。
(原料之混合、粉碎、造粒、成型之條件)
準備氧化銦(In2O3)粉、氧化鋅(ZnO)粉作為原料粉。原料粉較佳使用比表面積約5m2/g者。
具體而言,氧化銦粉使用體密度:0.5~0.7g/cm3,中值粒徑(D50):1.0~2.1μm,比表面積:4.0~5.7m2/g,氧化鋅粉使用體密度:0.2~0.6g/cm3,中值粒徑(D50):1.0~2.5μm,比表面積:3.0~6.0m2/g。
接著,將各原料粉秤量成想要之組成比後,進行混合粉碎。粉碎方法根據所要求之粒度、被粉碎物質而有各式各樣的方法,較適合為 珠磨機(beads mill)等濕式介質攪拌粉碎機。其係將水中分散有粉體之漿料與硬度高之材料即二氧化鋯、氧化鋁等粉碎介質一起強制地進行攪拌,而能以高效率地獲得粉碎粉。然而,由於此時粉碎介質亦會磨損,因此粉碎介質本身會以雜質之形態混入於粉碎粉,故長時間處理並不佳。
若以粉碎前後之比表面積之差定義粉碎量,則於濕式介質攪拌粉碎機,粉碎量大致與對粉體之輸入能量成比例。因此,當進行粉碎時,管理濕式介質攪拌粉碎機之累積電量是重要的。使粉碎前後之比表面積之差(△BET)為0.5~3.0m2/g,使粉碎後之中值粒徑(D50)在1.0μm以下。
接著,進行經微粉碎之漿料的造粒。此係為了藉由造粒來提升粉體之流動性,藉此於下個步驟之加壓成型時,將粉體均勻地填充於模具,而得到均質的成形體。造粒有各種方式,而得到適於加壓成型之造粒粉的方法之一,具有使用噴霧式乾燥裝置(spray dryer)之方法。其係使粉體形成為漿料,以液滴之形態使之分散於熱風中,瞬間使之乾燥的方法,可連續地得到10~500μm之球狀造粒粉。
於利用噴霧乾燥器進行之乾燥,熱風之入口溫度及出口溫度的管理是重要的。若入口與出口之溫度差大,則雖然每單位時間之乾燥量會增加,生產性提高,但當入口溫度過高之情形時,有時粉體及添加之黏合劑會因熱而變質,而無法獲得理想之特性。又,當出口溫度過低之情形時,則有時造粒粉會無法充分獲得乾燥。
又,可藉由在漿料中添加聚乙烯醇(PVA)等黏合劑,使其含有於造粒粉中,來提高成形體強度。PVA之添加量,係相對於原料粉,添加50~250cc/kg之含有PVA 6wt.%的水溶液。並且,亦可藉由亦添加適 於黏合劑的塑化劑,來調節加壓成型時之造粒粉的壓碎強度。又,亦有下述方法:將少量的水添加於所得到之造粒粉,使之濕潤,藉此提高成形體強度。
接著,進行加壓成型。將造粒粉填充於模具,保持400~1000kgf/cm2之壓力1~3分鐘,進行成形。若壓力未達400kgf/cm2,則無法得到足夠之強度與密度的成形體,又,若壓力在1000kgf/cm2以上,則有時當從模具取出成形體時,成形體本身會因從壓力中獲得解放導致之變形而損壞,於生產上並不佳。
(燒結步驟)
使用電爐,於氧環境中對成形體進行燒結,獲得燒結體。升溫至燒結溫度1350~1500℃。於升溫中途,為了縮小燒結體內之溫度分佈而導入保持步驟。關於中途保持溫度,為了於反應開始前之溫度帶縮小燒結體內的溫度分佈,可以600~800℃之溫度導入。若未達600℃,則溫度會過低而無法看到效果,當高於900℃之情形時,由於反應已經進行了某程度,因此無法得到減少翹曲之效果。使中途保持時間為1~10小時,較佳為4~6小時。若保持時間過短,則無法充分抑制反應進行,另一方面,若保持時間過長則因生產性會降低,故並不佳。
然後,自中途保持溫度以0.2~2.0℃/min升溫至燒結溫度。自中途保持溫度至燒結溫度之升溫速度若小於0.2℃/min,則有時會在成為規定溫度前耗費不必要之時間以及密度會無法提升,升溫速度若大於2.0℃/min,則於燒結體內之溫度分佈會無法變小,而產生不均勻或燒結體發生裂縫。較佳為0.5~1.5℃/min。
使燒結溫度為1350~1500℃,保持1~100小時左右,然後,於爐中冷卻或以降溫速度1.0~5.0℃/min進行降溫。燒結溫度若低於1350℃,則無法得到高密度之燒結體。又,於1500℃以上之燒結溫度亦會有下述成本之問題:因氧化鋅之揮發,而導致燒結密度下降或產生組成偏差,且爐加熱器壽命會減少,因此宜使上限為1500℃。較佳為1380~1420℃。又,燒結溫度之保持時間若短於1小時,則無法充分進行燒結,燒結體之密度會變得不夠高,或燒結體會發生翹曲。即使保持時間超過100小時,亦會產生耗費不必要之能量與時間的浪費,於生產上並不佳。較佳為5~30小時。
[實施例]
接著,說明本發明之實施例。於實施例、比較例中,對氧化銦-氧化鋅系氧化物(IZO)燒結體之原料粉末經加壓成形之成形體進行製作的步驟,係以記載於前述段落0020~0026之條件來實施,並且燒結步驟,係於記載在段落0027~段落0029之條件的範圍適當設定來實施。各燒結體之組成如表1所示。
實施例等中之飛弧測試,使用新柯隆公司製造之磁控濺鍍裝置(型號:BSC7011),以DC功率密度:2.3W/cm2,氣壓:0.6Pa,氣體流量300sccm之條件,於氬環境中,連續35小時進行濺鍍,調查飛弧之產生狀態。飛弧之檢測係使用Landmark Technology公司製之微弧監測(MAM genesis),測量飛弧(微弧)產生次數(次)。飛弧判定基準係計數檢測電壓100V以上、釋出能量(發生電弧放電時之濺鍍電壓×濺鍍電流×發生時間)在20mJ以下之飛弧,只要10次以下為○,當超過10次之情形時則為╳。
(實施例1)
於實施例1,使最高燒結溫度為1400℃,燒結保持時間為10小時,中途保持溫度為800℃。結果,燒結體之密度為98.41%,最大翹曲值為1.39mm。又,為了使燒結體成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果靶之體電阻率為2.43mΩ.cm,其標準偏差為0.78mΩ.cm。於實施例1,以上述方式得到了下述良好之結果:燒結體之翹曲量少,靶之體電阻率的變動小。又,對以此方式製作之靶進行濺鍍,結果幾乎不見飛弧之發生。將以上之結果示於表1。
(實施例2-15)
於實施例2-15,分別改變燒結體之組成、最高燒結溫度、燒結保持時間、中途保持溫度、中途保持時間、自中途保持溫度至燒結保持溫度之升溫速度、燒結體之面積的各條件。結果,如表1所示,每個燒結體之密度皆在98%以上,最大翹曲值皆在2.0mm以內。又,為了使燒結體成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果每個靶之體電阻率皆為1.0~10.0mΩ.cm,其標準偏差皆在1.0mΩ.cm以內。於實施例2-15,以上述方式得到了下述良好之結果:燒結體之翹曲量少,靶之體電阻率的變動小。又,對此等之靶進行濺鍍,結果幾乎不見飛弧之發生。
(比較例1)
於比較例1,使最高燒結溫度為1400℃,使燒結保持時間為10小時,沒有進行中途保持。結果,燒結體之最大翹曲值為2.30mm。又,為了使燒結體形成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果靶之體電阻率的標準偏差為1.40mΩ.cm。於比較例1,以上述方式得到了下述之結果:燒結體之翹曲量大,靶之體電阻率的變動大。又,對以此方式製作之靶進行濺鍍,結果飛弧之產生多。
(比較例2)
於比較例2,使最高燒結溫度為1400℃,使燒結保持時間為10小時,並使中途保持溫度低至500℃。結果,燒結體之最大翹曲值為2.06mm。又,為了使燒結體形成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果靶之體電阻率的標準偏差為1.18mΩ.cm。於比較例2,以上述方式得到了下述之結果:燒結體之翹曲量大,靶之體電阻率的變動大。又,對以此方式製作之靶進行濺鍍,結果飛弧之產生多。
(比較例3)
於比較例3,使最高燒結溫度為1400℃,使燒結保持時間為10小時, 並使中途保持溫度高達900℃。結果,燒結體之最大翹曲值為2.14mm。又,為了使燒結體形成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果靶之體電阻率的標準偏差為1.24mΩ.cm。於比較例3,以上述方式得到了下述之結果:燒結體之翹曲量大,靶之體電阻率的變動大。又,對以此方式製作之靶進行濺鍍,結果飛弧之產生多。
(比較例4)
於比較例4,使最高燒結溫度為1400℃,使燒結保持時間為10小時,並使中途保持溫度高達1100℃。結果,燒結體之最大翹曲值為2.11mm。又,為了使燒結體形成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果靶之體電阻率的標準偏差為1.11mΩ.cm。於比較例4,以上述方式得到了下述之結果:燒結體之翹曲量大,靶之體電阻率的變動大。又,對以此方式製作之靶進行濺鍍,結果飛弧之產生多。
(比較例5)
於比較例5,使最高燒結溫度為1400℃,使燒結保持時間為10小時,並使中途保持溫度為800℃,使自中途保持溫度至最高燒結溫度之升溫速度快至5℃/min。結果,燒結體之最大翹曲值為2.23mm。又,為了使燒結體形成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果靶之體電阻率的標準偏差為1.26mΩ.cm。於比較例5,以上述方式得到了下述之結果:燒結體之翹曲量大,靶之體電阻率的變動大。又,對以此方式製作之靶進行濺鍍,結果飛弧之產生多。
(比較例6)
於比較例6,使最高燒結溫度為1400℃,使燒結保持時間為10小時,使中途保持溫度為800℃,並使中途保持時間縮短至1小時。結果,燒結體之最大翹曲值為2.31mm。又,為了使燒結體形成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果靶之體電阻率的標準偏差為1.31mΩ.cm。於比較例6,以 上述方式得到了下述之結果:燒結體之翹曲量大,靶之體電阻率的變動大。又,對以此方式製作之靶進行濺鍍,結果飛弧之產生多。
(比較例7)
於比較例7,使中途保持溫度為800℃。使最高燒結溫度高達1600℃。結果,燒結體之最大翹曲量為2.33mm,相對密度為97.5%。又,為了使燒結體形成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果靶之體電阻率的標準偏差為1.42mΩ.cm。於比較例7,以上述方式得到了下述之結果:燒結體之翹曲量大,靶之體電阻率的變動大。又,對以此方式製作之靶進行濺鍍,結果飛弧之產生多。
(比較例8)
於比較例8,使中途保持溫度為800℃,使最高燒結溫度高達1500℃。結果,燒結體之最大翹曲量為2.37mm。又,為了使燒結體形成為靶形狀,而將其兩面研磨成平面,結果靶之體電阻率的標準偏差為1.53mΩ.cm。於比較例8,以上述方式得到了下述之結果:燒結體之翹曲量大,靶之體電阻率的變動大。又,對以此方式製作之靶進行濺鍍,結果飛弧之產生多。
[產業上之可利用性]
如上述,本發明具有下述優異之效果:藉由與以往不同之燒結條件,可產率佳地製作翹曲小的燒結體,藉此,可顯著提升生產性。又,本發明具有下述優異之效果:藉由減少燒結體之翹曲,而可使加工該燒結體後得到之靶其濺鍍面之體電阻率的變動小,可形成特性均一之膜。本發明之濺鍍靶對於被使用於液晶顯示裝置、薄膜電發光顯示裝置、有機EL等之透明導電膜的形成有用。
Claims (11)
- 一種濺鍍靶之製造方法,該濺鍍靶係由IZO燒結體構成,該IZO燒結體係將原料粉末經加壓成形而得之成形體燒結而製造,其特徵在於:自室溫升溫至燒結溫度之步驟中,由下述步驟構成:使中途保持溫度為600~800℃(惟,不包括800℃),保持4~5小時之步驟;自該中途保持溫度以0.2~2.0℃/min升溫至燒結溫度之步驟;使燒結溫度為1350~1500℃,使燒結保持時間為1~100小時進行燒結之步驟,得到之濺鍍靶由In、Zn、O構成,Zn與In之原子比滿足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.30,該靶之濺鍍面之面積為60000mm2以上400000mm2以下,濺鍍面之體電阻率的標準偏差在1.0mΩ.cm以下,相對密度在98%以上。
- 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶之製造方法,其中,使燒結溫度為1380~1420℃。
- 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶之製造方法,其中,使燒結保持時間為5~30小時進行燒結。
- 如申請專利範圍第2項之濃鍍靶之製造方法,其中,使燒結保持時間為5~30小時進行燒結。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之濺鍍靶之製造方法,其中,以1.0~5.0℃/min進行降溫。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之濺鍍靶之製造方法,其中,自中途保持溫度以0.5~1.5℃/min升溫至燒結溫度。
- 如申請專利範圍第5項之濺鍍靶之製造方法,其中,自中途保持溫度以0.5~1.5℃/min升溫至燒結溫度。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之濺鍍靶之製造方法,其中,剛燒結後之翹曲量在2.0mm以內。
- 如申請專利範圍第5項之濺鍍靶之製造方法,其中,剛燒結後之翹曲量在2.0mm以內。
- 如申請專利範圍第6項之濺鍍靶之製造方法,其中,剛燒結後之翹曲量在2.0mm以內。
- 如申請專利範圍第7項之濺鍍靶之製造方法,其中,剛燒結後之翹曲量在2.0mm以內。
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CN113956022A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-01-21 | 郑州大学 | 一种锌掺杂氧化铟粉体、溅射靶材及其制备方法 |
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CN116041047B (zh) * | 2022-12-15 | 2024-05-17 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种溅镀用izo掺杂靶材及其制备方法 |
CN117247273B (zh) * | 2023-11-17 | 2024-02-23 | 江苏迪纳科精细材料股份有限公司 | 高迁移率的x-izo磁控溅射靶材的制备方法与装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010024087A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物焼結体の製造方法、酸化物焼結体、スパッタリングタ−ゲット、酸化物薄膜、薄膜トランジスタの製造方法及び半導体装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3734540B2 (ja) | 1995-10-13 | 2006-01-11 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法 |
WO2000068456A1 (fr) * | 1999-05-10 | 2000-11-16 | Japan Energy Corporation | Cible de pulverisation cathodique et procede de production de celle-ci |
JP3628566B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2005-03-16 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN1195886C (zh) * | 1999-11-25 | 2005-04-06 | 出光兴产株式会社 | 溅射靶、透明导电氧化物和制备该溅射靶的方法 |
KR100744017B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2007-07-30 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟 및 고저항 투명도전막의 제조방법 |
JPWO2004105054A1 (ja) * | 2003-05-20 | 2006-07-20 | 出光興産株式会社 | 非晶質透明導電膜、及びその原料スパッタリングターゲット、及び非晶質透明電極基板、及びその製造方法、及び液晶ディスプレイ用カラーフィルタ |
KR20060043427A (ko) * | 2004-03-05 | 2006-05-15 | 토소가부시키가이샤 | 원통형 스퍼터링 타겟, 세라믹 소결체와 그 제조방법 |
JP5156181B2 (ja) | 2005-06-30 | 2013-03-06 | 出光興産株式会社 | 酸化インジウム・酸化亜鉛焼結体の製造方法 |
JP4758697B2 (ja) | 2005-07-01 | 2011-08-31 | 出光興産株式会社 | Izoスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4762062B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2011-08-31 | 出光興産株式会社 | 焼結体、膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5288142B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2013-09-11 | 出光興産株式会社 | 酸化物薄膜用スパッタリングターゲットおよびその製造法 |
CN102191465A (zh) * | 2010-03-18 | 2011-09-21 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种铟掺杂氧化锌靶材及透明导电膜的制备方法 |
US20140102892A1 (en) * | 2011-05-10 | 2014-04-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | In2o3-zno sputtering target |
JP2014043598A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Ulvac Japan Ltd | InZnO系スパッタリングターゲットの製造方法 |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010024087A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物焼結体の製造方法、酸化物焼結体、スパッタリングタ−ゲット、酸化物薄膜、薄膜トランジスタの製造方法及び半導体装置 |
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