TWI657592B - 氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法及氮化物半導體紫外線發光元件 - Google Patents

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Abstract

氮化物半導體紫外線發光元件(1)，具備藍寶石基板(10)，及被形成於基板(10)的主面(101)上的元件構造部(20)。基板(10)，於主面(101)起至第1距離為止的第1部分(110)，與主面(101)平行的剖面的剖面積，隨著離開主面(101)而連續增加，於主面(101)的相反側起至第2距離為止的第2部分(120)，與主面(101)平行的剖面的剖面積，隨著離開主面(101)的相反側而連續增加。第1距離及第2距離之和，為基板(10)的厚度以下。

Description

氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法及氮化物半導體紫外線發光元件
本發明係關於在藍寶石基板的主面上形成AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層而構成之射出發光中心波長為365nm以下的光(紫外線)的氮化物半導體紫外線發光元件及其製造方法。
於藍寶石基板的主面上形成AlGaN系半導體層構成的發光二極體(LED,Light Emitting Diode)或雷射二極體(LD,Laser Diode)等氮化物半導體紫外線發光元件，為了提高光的取出效率等目的有設置透鏡的。
例如在非專利文獻1，提出了對於藍寶石基板之主面(被形成藉由通電而射出光的元件構造部的面)之相反側的背面接合半球狀的透鏡之氮化物半導體紫外線發光元件。
此外，例如在專利文獻1，提出了以表面形狀為球面之玻璃材料密封了藍寶石基板的背面及側面之發光元件。又，在專利文獻1提出的發光元件所使用的玻璃材料，以TeO2為主成分，對紫外線或藍光具有耐性，但也 是折射率比藍寶石更大的材料。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2007-150232號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1] Masatsugu Ichikawa,etal., “High-output-power deep ultraviolet light-emitting diode assembly using direct bonding”, Applied Physics Express 9, 072101 (2016)
非專利文獻1提案的氮化物半導體紫外線發光元件，有必要接合基板與透鏡，但是不允許把元件構造部射出的光的進行造成影響之層，或是會因元件構造部射出的光(特別是紫外線)而劣化之層設於基板與透鏡之間。因此，在非專利文獻1提出的氮化物半導體紫外線發光元件，有必要藉由ADB(原子擴散接合，Atomic Diffusion Bonding)或SAB(表面活化接合，Surface Activated Bonding)等特殊接合方法接合基板與透鏡。但是，ADB及SAB，不僅要準備超高真空以上的真空度之特殊環境，還要形成在該環境下僅僅接觸就接合的特殊表面型態，特殊的裝置及高度的技術為必要且不可欠缺，所以無法容易地實施。
此外，在專利文獻1提出的發光元件所使用的玻璃材料的折射率約為2.0，藍寶石的折射率約為1.8，空氣的折射率約為1.0。如在專利文獻1提出的發光元件那樣，使用折射率比藍寶石還要大的玻璃材料形成透鏡的話，藉由透鏡及空氣的折射率差變大在由透鏡把光取出到空氣中時之界面反射會變大，會有妨礙光的取出效率的改善之問題。亦即，即使特地設置透鏡謀求光的取出效率的改善，也會因為由透鏡把光取出至空氣中時之界面反射而抵銷其效果。
在此，本發明提供可以容易製造而可有效果地改善光的取出效率之氮化物半導體紫外線發光元件及其製造方法。
為達成前述目的，本發明提供一種氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其特徵為具備對備有藍寶石基板以及具有被層積於該基板的主面上之複數AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層同時藉著通電射出發光中心波長為365nm以下的光的元件構造部之晶片，研削加工前述基板的基板加工步驟；前述基板加工步驟，至少是研削加工前述主面之4個角，與前述主面的相反側之面也就是背面之4個角之各個的步驟。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，可以不使用接合基板與透鏡之高度的技術(參照非專利文獻1)，而藉由研削加工基板之簡單的技術得到具有透鏡的氮化物半導體紫外線發光元件。進而，根據此氮化物半導體紫外線發光元件的製造方法的話，如在專利文獻1提出的發光元件那樣，不是把折射率比藍寶石還要大的玻璃材料作為透鏡使用，而是把藍寶石基板作為透鏡使用，所以可抑制把光取出到空氣中時之界面反射。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，前述研削加工步驟，是至少把前述主面之4個角，與前述背面之4個角之各個研削加工為凸狀的曲面的步驟為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，除了可以使由元件構造部射出而到達基板主面側的側周面之光的入射角更大，同時還可以使由元件構造部射出而到達基板背面側的側周面的光的入射角更小，所以可由主面的相反側取出更多的光。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，前述研削加工步驟，是以在前述背面側留下與前述主面平行的面的方式，研削加工前述基板的步驟為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法的話，可以藉由可量產的等方性研削加工來製造氮化物半導體紫外線發光元件。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，前述基板加工步驟，是以使從對前述主面垂直的方向所見之平面俯視之前述基板成為圓形狀、長圓形狀、或者4個角成為圓的四角形狀的方式，研削加工前述基板的步驟為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法的話，可以得到可減低基板側邊之光的損失(主面側側邊之光的透過、背面側側邊之光的全反射)之氮化物半導體紫外線發光元件。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，前述基板加工步驟，係具備：對前述晶片形成覆蓋前述元件構造部的表面的保護材之第1步驟、研削加工被形成前述保護材的前述晶片之前述基板的第2步驟、以及在前述第2步驟之後除去前述保護材的第3步驟為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法的話，可以藉由保護材保護元件構造部同時研削加工基板。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，於前述第2步驟，在具有附著磨粒的凹狀的曲面之容器內，使1個以上之前述晶片轉動而衝突於前述凹狀的曲面為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法的話，可以對凹狀的曲面僅衝突晶片之角而研削，所以可效率佳地把基板的側面加工為球面。進而，藉由轉動晶片，可以等方性地研削加工晶片。此外，根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，可以在容器內放入複數晶片同時進行研削加工，所以可量產氮化物半導體紫外線發光元件。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，於進行前述第2步驟之前，正方形之前述基板的主面之一邊長度為L，前述元件構造部的外接圓直徑為R時， 　　前述基板的厚度D以滿足 為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法的話，可以防止元件構造部的研削，同時把基板的側面研削為球面。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，於前述第3步驟，使前述保護材溶解於溶媒並除去為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法的話，可以不對元件構造部施加大的應力而除去保護材。亦即，可以防止元件構造部20的破損。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，進而具備至少藉由前述基板加工步驟研削加工前述基板的前述背面之4個角而露出表面之面的一部分或全部，形成最表面為非晶質氟樹脂同時形成使由前述元件構造部射出的光透過的透過材之透過材形成步驟為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法的話，可以得到可抑制基板的背面側的側周圍之光的反射之氮化物半導體紫外線發光元件。
進而，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，前述基板加工步驟，係以與前述主面平行且為平坦之前述背面的一部分保留的方式研削加工前述背面的4個角，前述透過材形成步驟，包含至少對前述背面形成防反射層的步驟，及於前述防反射層的表面形成前述非晶質氟樹脂的步驟為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法的話，可以得到至少可以有效果地取出到達背面的光之氮化物半導體紫外線發光元件。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，進而具備藉由前述基板加工步驟研削加工前述基板前述主面之4個角而露出表面之面的至少一部分，形成反射由前述元件構造部射出的光的反射材之反射材形成步驟為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法的話，可以得到可以促進基板的主面側的側周面之光的反射之氮化物半導體紫外線發光元件。
此外，本發明提供一種氮化物半導體紫外線發光元件，特徵為具備藍寶石基板、及具有被層積於前述基板的主面上之複數AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層同時藉著通電射出發光中心波長為365nm以下的光的元件構造部，前述基板，於前述主面起至第1距離為止的第1部分，與前述主面平行的剖面的剖面積，隨著離開前述主面而連續增加，於前述主面的相反側起至第2距離為止的第2部分，與前述主面平行的剖面的剖面積，隨著離開前述主面的相反側而連續增加，前述第1距離及前述第2距離之和，為前述基板厚度以下。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件，可以不使用接合基板與透鏡之高度的技術(參照非專利文獻1)，而藉由基板的加工之簡單的技術得到。進而，根據此氮化物半導體紫外線發光元件的話，如在專利文獻1提出的發光元件那樣，不是把折射率比藍寶石還要大的玻璃材料作為透鏡使用，而是把藍寶石基板作為透鏡使用，所以可抑制把光取出到空氣中時之界面反射。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件，前述第1部分，由前述主面離開的方向上僅離開單位距離的場合之與前述主面平行的剖面的剖面積之單位增加量，隨著離開前述主面而連續減少，前述第2部分，由前述主面的相反側離開的方向上僅離開單位距離的場合之與前述主面平行的剖面的剖面積之單位增加量，隨著離開前述主面的相反側而連續減少為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件的話，基板的第1部分及第2部分之側周面成為凸狀的曲面，除了可以使由元件構造部射出而到達基板的第1部分的側周面之光的入射角更大，同時還可以使由元件構造部射出而到達基板的第2部分的側周面的光的入射角更小，所以可由主面的相反側取出更多的光。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件，於前述基板之前述主面的相反側，有與前述主面平行的面為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件的話，可以藉由可量產的等方性研削加工來製造氮化物半導體紫外線發光元件。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件，從對前述主面垂直的方向所見之平面俯視，前述基板為圓形狀、長圓形狀、或者4個角成為圓的四角形狀為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件的話，可以得到可減低基板側邊之光的損失(第1部分的側邊之光的透過、第2部分的側邊之光的全反射)。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件，至少於前述基板之前述第2部分的側周面的一部分或全部，形成最表面為非晶質氟樹脂同時形成使由前述元件構造部射出的光透過的透過材為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件的話，可以抑制基板的第2部分之側周面之光的反射。
進而，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件，於前述基板之前述主面的相反側，有與前述主面平行且為平坦的面之背面，前述透過材被形成於前述背面之一部分或全部，前述透過材，包含至少對前述背面形成的防反射層為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件的話，至少可以有效果地取出到達背面的光。
此外，於前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件，前述基板之前述第1部分的側周面之至少一部分，被形成反射由前述元件構造部射出的光的反射材為較佳。
根據此氮化物半導體紫外線發光元件的話，可以促進基板的第1部分之側周面之光的反射。
根據前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，藉由抑制把光取出至空氣中時的界面反射有效果地改善了光的取出效率之氮化物半導體紫外線發光元件，可以藉由研削加工基板之簡單的技術而容易的製造。
此外，根據前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件，藉由抑制把光取出至空氣中時的界面反射，可以有效果地改善光的取出效率。進而，前述特徵之氮化物半導體紫外線發光元件，僅藉著加工基板就可以容易地製造。
以下，在說明本發明的實施型態時，例示具備藍寶石基板與具有被層積於該基板的主面上的複數AlGaN系半導體層的元件構造部而藉由通電射出發光中心波長為365nm以下的光(紫外線)的發光二極體之氮化物半導體紫外線發光元件及其製造方法。此處，構成AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層的各層之材料之AlGaN系半導體，以一般式Al xGa 1-xN(x為AlN的莫耳分率，0≦x≦1)所表示的3元或者2元系的化合物半導體為基本，其能帶間隙能量為GaN(x=0)的能帶間隙能量(約3.4eV)以上的3族氮化物半導體，只要滿足有關該能帶間隙能量的條件，可以含有微量的銦等。
但是，相關於本發明的氮化物半導體紫外線發光元件及其製造方法，主要係關於基板的形狀或基板的加工方法，因此元件構造部的構造可以是任意的，並不限定於以下例示的氮化物半導體紫外線發光元件之元件構造部的構造。
＜氮化物半導體紫外線發光元件之構造例＞ 　　首先，參照圖式說明關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的構造之一例。圖1係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的構造之一例之平面圖。圖2係顯示圖1的A-A剖面之剖面圖。圖3係使圖1的p電極及n電極露出之平面圖。又，在圖2所示的剖面圖，為了圖示的方便，模式顯示基板、半導體層以及電極的厚度(圖中的上下方向的長度)，不一定與實際的尺寸比一致。特別是把半導體層的厚度比實際更擴大而顯示。
如圖1～圖3所示，相關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件1，具備基板10，及被形成於基板10的主面101上的元件構造部20。此氮化物半導體紫外線發光元件1，對實裝用的基台朝向元件構造部20側(圖2之圖中上側)被實裝(被覆晶實裝)，光的取出方向為基板10側(圖2之圖中下側)。又，圖2所示的L1～L3，是由元件構造部20射出的光的一部分光線。此外，元件構造部20，是對發光有貢獻的部分，換句話說，是大部分通電的電流流過的部分，是被破壞的話，會招致發光障礙的部分。
基板10，以藍寶石構成，主面101及背面102為平坦，連接於主面101的側周面111及連接於背面102的側周面121分別為凸狀曲面的形狀。換句話說，基板10，為球體的上下成為平坦的剖面(主面101及背面102)的形狀。
具體而言，基板10，具有由主面101起至第1距離為止的第1部分110，與由主面的相反側(亦即背面102)起至第2距離為止的第2部分120，在第1部分110，與主面101平行的剖面的剖面積，隨著離開主面101而連續增加，在第2部分120，與主面101平行的剖面的剖面積，隨著離開主面101的相反側而連續增加。特別是基板10，於第1部分110，由主面101離開的方向上僅離開單位距離的場合之前述剖面積之單位增加量(亦即剖面積的微分值)，隨著離開主面101而連續減少，於第2部分120，由主面101的相反側(亦即背面102)離開的方向上僅離開單位距離的場合之前述剖面積之單位增加量，隨著離開主面101的相反側而連續減少。又，第1距離相當於第1部分110的厚度，第2距離相當於第2部分的厚度，所以這些之和當然為基板10的厚度以下。此外，基板10，為第1距離及第2距離之和，與基板的厚度相等的場合之例。
元件構造部20，具備AlGaN系半導體層21、p電極22、n電極23、p電鍍電極24、n電鍍電極25、與絕緣膜26。在此，參照圖式說明AlGaN半導體層21的構造之一例。圖4係顯示AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層的構造之一例之剖面圖。
如圖4所示，AlGaN系半導體層21，係由基板10側起依序層積：下底層211、n型AlGaN所構成的n型包覆層212、活性層213、p型AlGaN所構成的電子阻擋層214、p型AlGaN所構成的p型包覆層215、p型GaN所構成的p型接觸層216之構造。
下底層211以AlN構成，係對基板10的主面101形成的。又，下底層211，亦可為在AlN的上面層積了AlGaN的構造。此外，活性層213，具備使以AlGaN或GaN構成之井層以n型AlGaN構成之障壁層挾住之單一或多重量子井構造。
於AlGaN半導體層21，於發光區域31被形成前述各層211～216，最上面為p型接觸層216，但包圍發光區域31的周邊區域32未被形成活性層213以上之各層213～216，露出n型包覆層212。接著，發光區域31之p型接觸層216的上面被形成p電極22，周邊區域32之n型包覆層212的上面被形成n電極23。以由p電極22供給正電孔同時由n電極23供給電子的方式通電的話，供給的正電孔及電子分別到達發光區域31的活性層213，於該活性層213正電孔及電子再結合而發光。
構成AlGaN系半導體層21的各層211～216，係利用有機金屬化合物氣相成長(MOVPE)法或分子束磊晶成長(MBE)法等周知的磊晶成長法形成，於n型之層作為供體不純物例如添加矽(Si)，於p型之層作為受體不純物例如添加鎂(Mg)。進而，於基板10的主面101上層積各層211～216之後，藉由反應性離子蝕刻等習知的蝕刻手段選擇性蝕刻一部分區域(相當於周邊區域32的區域)而使該區域的n型包覆層212露出，分別形成發光區域31及周邊區域32。
p電極22，例如以Ni/Au構成，如前所述被形成於發光區域31的p型接觸層216的上面。n電極23，例如以Ti/Al/Ti/Au構成，如前所述被形成於周邊區域32的n型包覆層212的上面。此外，n電極23，以包圍發光區域31的方式形成。
p電極22及n電極23，不僅對AlGaN系半導體層21供給電力，也使在發光區域31的活性層213產生的光往基板10側反射。特別是以包圍發光區域31的方式形成的n電極23，藉著使不通過基板10而要由周邊區域32往外部露出的光反射至基板10側，可以有效果地增大通過基板10的光的量。
p電鍍電極24及n電鍍電極25之各個，例如把以電解電鍍形成的銅的本體部，以用無電解電鍍形成的最表面為金(Au)的一層以上的金屬層來包覆而構成。此外，p電鍍電極24及n電鍍電極25之各個，相互隔離開同時上面被平坦化整理為相同高度。進而，p電鍍電極24的一部分接觸於p電極22，n電鍍電極25的一部分接觸於n電極23。
p電鍍電極24及n電鍍電極25，係為了不僅與實裝用的基台接觸對AlGaN系半導體層21供給電力，還要把氮化物半導體發光元件1產生的熱傳達至實裝用的基台以進行散熱而設的。特別是p電鍍電極24，設於電流集中的發光區域31的全部，所以可有效地進行散熱。
絕緣膜26，係以覆蓋例如以SiO 2或Al 2O 3等構成，除了與p電鍍電極24之接觸部分外的p電極22的上面及側面，除了與n電鍍電極25之接觸部分外的n電極23的上面及側面，未被形成p電極22及n電極23而露出的AlGaN系半導體層21的發光區域31及周邊區域32之上面以及發光區域31之側面的方式被形成。絕緣膜26，係為了防止於基板10之主面101上方被廣範圍地形成的n電極23及p電解電極24接觸，保護AlGaN系半導體層21的發光區域31之側面而設的。
如圖2所示，相關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件1，由元件構造部20射出而射入基板10的光，進行於基板10的內部到達側周面111,121或背面102。此時，到達第1部分110的側周面111的光L1，入射角很大所以大部分全反射，全反射的光的大部分由第2部分120的背面102或側周面121往空氣中射出。另一方面，到達第2部分120的背面102或側周面121的光L2,L3，因為入射角小所以大部分不全反射而直接往空氣中射出。如此，在氮化物半導體紫外線發光元件1，可以由光的取出方向亦即主面101的相反側取出多量的光。
進而，在此氮化物半導體紫外線發光元件1，如在專利文獻1提出的發光元件那樣，不是把折射率比藍寶石還要大的玻璃材料作為透鏡使用，而是把藍寶石基板10作為透鏡使用，所以可抑制把光取出到空氣中時之界面反射。亦即，可以有效果地改善光的取出效率。
此外，相關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件1，如非專利文獻1那樣可以不使用接合基板與透鏡之高度的技術，而使用加工基板10的簡單的技術得到。又，針對基板10的加工方法，由後述之＜氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法例＞進行說明。
又，在圖1及圖3，針對n電極23的外側之輪廓線為正方形狀的場合例示說明，但n電極23的形狀及大小可以為任意的。例如，n電極23為圓形狀亦可，設於周邊區域32的全面(到達基板10的端部亦可，由端部起稍微後退亦可)亦可。此外，在圖1，針對p電鍍電極24為圓形狀，p電鍍電極24的直徑比n電極23的外側之輪廓線(正方形狀的輪廓線)之內接圓的直徑還要大的場合例示說明，但p電鍍電極24的形狀及大小可以為任意的。
此外，在圖2，針對基板10的第1部分110的側周面111及第2部分120的側周面121為凸狀曲面的場合例示說明，但不是凸狀而是凹狀的曲面亦可，不是曲面而是平面亦可。即使基板10為這些形狀，與基板的側面為垂直於主面的平面的場合相比，可以使由元件構造部20射出而到達基板10的第1部分110的側周面111之光的入射角增大大，同時還可以使由元件構造部20射出而到達基板10的第2部分120的側周面121的光的入射角縮小，所以可由主面101的相反側取出更多的光。但是，使基板10的第1部分110及第2部分120之側周面111,121為凸狀的曲面的話，可以使由元件構造部20射出而到達基板10的第1部分110的側周面111之光的入射角更大，同時可以使由元件構造部20射出而到達基板10的第2部分120的側周面121的光的入射角更小，所以可由主面101的相反側取出更多的光。
＜氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法例＞ 　　一般而言，如圖1及圖2所示那樣的晶片狀的氮化物半導體紫外線發光元件1，係把平板狀的基板主面上排列複數個元件構造部的方式形成的晶圓，切斷為各個元件構造部而得到。但是，具備圖2所示的晶片狀的氮化物半導體紫外線發光元件1之基板10，第1部分110的側周面111及第2部分120的側周面121為凸狀曲面的形狀，所以必須要有把基板10加工為這樣的形狀的步驟。在此，以下以把基板10的第1部分110的側周面111及第2部分120的側周面121加工為凸狀曲面的步驟為中心，參照圖式說明相關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件1的製造方法。
圖5係切斷晶圓而得的晶片的構造之一例之平面圖，係顯示與圖1同樣的平面之圖。圖6係顯示加工基板前的晶片的構造之一例之剖面圖，係顯示與圖2同樣的剖面之圖。在相關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件1的製造方法，如圖6所示，設置覆蓋基板10之元件構造部20的表面的保護材50。又，在圖6，針對元件構造部20的表面與其附近以保護材50覆蓋的場合加以例示，但以保護材50覆蓋彼此更廣範圍(例如基板10的主面101側的全面)亦可。接著，如以下說明的，研削加工此晶片40後藉由除去保護材50，得到具有圖2所示的形狀的基板10之氮化物半導體紫外線發光元件1。
作為保護材50，例如可以使用動物膠或樹脂材料(例如環氧樹脂、丙烯酸)等。動物膠，可以溶解於水系溶媒(純水、熱水等)而除去，樹脂材料可溶解於三氯乙烯或丙酮等有機溶媒而除去。
圖7係顯示研削加工圖6的晶片之研削加工裝置之一例之立體圖。如圖7所示，研削加工裝置60，具備鑽石等構成的磨粒附著於內側的圓筒狀的側壁部61、內接於側壁部61的圓形狀的底部62、以及使底部62旋轉的旋轉軸63。又，作為此研削加工裝置60，例如，亦可使用在日本特開2008-168358號公報或特開2006-35334號公報所提出的研削加工裝置。
以研削加工裝置60的側壁部61及底部62包圍的空間內放入前述晶片40，遮蔽該空間而防止晶片40飛出之用的蓋部(未圖示)，設置於側壁部61的開口的端部(圖中上側)之後使底部62旋轉的話，晶片40轉動同時衝突於側壁部61而被研削。此時，側壁部61的內側為凹狀的曲面，所以晶片40的角因衝突而被研削。進而，晶片40轉動的緣故，晶片40為等向性地(isotropical)被研削。
如前所述等向性地研削晶片40的話，基板10的側面被研削為球面。但是，基板10的厚度過大的話，不是基板10的側面而是主面101優先被研削掉，元件構造部20也被研削。在此，使基板10的厚度在下列式(1)右邊所示的上限值以下為較佳。
於下列式(1)，D為基板厚度，L為正方形的基板10的主面101之一邊長度，R為元件構造部20的外接圓直徑，均為研削加工前之值(參照圖5及圖6)。此外，下列式(1)的條件，式在基板10的側面被研削為球面的時間點(亦即球的半徑成為L/2的時間點)，在主面101上殘留半徑為R/2以上的未研削區域(亦即，元件構造部20未被研削)之條件。又，於例示在圖5及圖6的晶片40，直徑R的元件構造部20的外接圓，為包含各個電極23～26的大小，比最外側的電極25的外接圓更大(例如至少確保電擊25的厚度份之邊際)。
[數式1]
另一方面，基板10的厚度過度小的話，基板10的側面會被加工為球面，但由元件構造部20射出的光不會充分到達基板10的側面，而有研削加工基板10所得到的效果變得不充分的場合。在此，以使基板10的厚度為由元件構造部20射出的光充分地到達基板10的側面之厚度為較佳。例如，如本案申請人的國際申請案之國際公開第2015/111134號所揭示的那樣，以使基板10的厚度為0.45×L以上的話，由元件構造部20射出的光可充分地到達基板10的側面，所以較佳。
圖8係顯示圖6的晶片藉由圖7之研削加工裝置被研削加工的經過之立體圖，顯示以(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)之順序進行研削加工的模樣。如圖8所示，晶片40，藉由根據研削加工裝置60的研削加工，使角部被等向性地研削。具體而言，基板10之主面101及背面102(參照圖6)之各個的4個角起依序讓角部被研削，最終如圖8(f)所示所有的角部都被研削而成為球面。
接著，藉著使研削加工後的晶片40具有的保護材50溶解於溶媒，得到如圖2所示那樣的氮化物半導體紫外線發光元件1。如此，使保護材50溶解於溶媒而除去的話，對於元件構造部20不會施加較大的應力就可以除去保護材50。亦即，可以防止元件構造部20的破損。
藉由以上所述的研削加工方法研削加工基板10的話，可以防止元件構造部20的破損同時可以一次研削加工複數個晶片40。亦即，可以量產氮化物半導體紫外線發光元件1。
又，圖7所示的研削加工裝置60僅為一例，使用其他研削加工裝置進行晶片40的研削加工亦可。例如，圖7所示的研削加工裝置60，係容器的一部分之底部62以鉛直方向為軸進行旋轉使晶片40轉動者，但亦可使用容器之至少一部分是以具有水平方向成分的方向為軸進行旋轉使晶片40轉動的研削加工裝置。但是，使用在附著磨粒的具有凹狀曲面的容器內使晶片40轉動，使晶片40可以衝突於該曲面的研削裝置的話，可以得到與前述研削加工裝置60的場合同樣的效果，所以較佳。
此外，使用數控(Numerical Control)車床等把基板10的側面研削加工為球面亦可。但是，在這樣的研削加工方法，與使用圖7所是的研削加工裝置60的場合不同，難以一次進行複數個晶片40的研削加工。
＜變形例＞ 　　[1] 使用圖7所示那樣的研削加工裝置60加工基板10的側面為球狀的場合，藉由研削加工於基板10的第2部份120的側周面121被形成細微的凹凸而使到達該側周面121的光容易被反射，因此使得光的取出效率會降低。在此，為了防止此情況，對於研削加工後的晶片40，進行基板10的第2部份120的側周面121的研磨加工亦可。例如，使用滾筒研磨機等習知的球體研磨裝置，研磨研削加工後的晶片40的表面亦可。
此外，替代研磨加工晶片40，而藉由把基板10的第2部份120的側周面121的凹部以某種膜覆蓋埋住，抑制到達該側周面121的光的反射而防止光的取出效率降低亦可。參照圖式說明此場合之氮化物半導體紫外線發光元件的構造。圖9係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的第1變形例之剖面圖，是顯示相當於圖2的剖面之圖。
如圖9所示，於氮化物半導體紫外線發光元件1A具備的基板10的第2部份120的側周面121及背面102，被形成透過材70。透過材70，以透過元件構造部20射出的光同時難以因該光而劣化(具有耐受性)的材料來構成為較佳。進而，透過材70，由抑制基板10之第2部份120的側周面121及背面102之光的反射的觀點來看，以具有比構成基板10的藍寶石還要小而比空氣還要大的折射率之材料來構成為較佳。具體而言，例如以非晶質氟樹脂構成透過材70為較佳。
此外，不限於基板10的第2部份的側周面121及背面102，以透過材70覆蓋其他部份亦可。例如，使實裝於基台的1或者複數個氮化物半導體紫外線發光元件全體以透過材70密封(埋入)亦可。在此場合，藉由使p電鍍電極24及n電鍍電極25之至少一方的表面(實裝用基台之不與電極接觸的部分的表面，亦即圖9之除了上面的側面)以透過材70覆蓋，可以防止短路。特別是以非結合性的非晶質氟樹脂構成透過材70的話，可以適宜地防止金屬園子的遷移，所以較佳。
非結合性之非晶質氟樹脂，有著對構成金屬或基板10的藍寶石等的結合力較弱的缺點。但是，把氮化物半導體紫外線發光元件1A實裝於基台之後，使透過材70氮化物半導體紫外線發光元件1A與基台之間隙而以透過材70覆蓋p電鍍電極24及n電鍍電極25之至少一方的表面的話，透過材70變得難以剝離。此外，在基板10的第1部分110的側周面111及第2部分120的側周面121形成多數凹凸的話，藉由錨定效果使該側周面111,121與透過材70之結合力變大，所以透過材70變得難以剝離。
作為非晶質的氟樹脂，例如，可列舉將結晶性聚合物的氟樹脂共聚合化而形成聚合物混合體使之非晶質化之物、或全氟間二氧雜環戊烯共聚合體(杜邦(股)製的商品名Teflon AF(登錄商標))或全氟丁烯基乙烯基醚之環化聚合體(旭硝子(股)製的商品名cytop(登錄商標))等。進而，作為非結合性的非晶質氟樹脂，可以舉出聚合體或構成共聚合體的構造單位具有含氟脂肪族環構造、末端官能基為CF 3等之全氟烷基之非晶質氟樹脂。全氟烷基，不具有對金屬等呈結合性的末端官能基。又，結合性的非晶質氟樹脂，即使構成聚合體或共聚合體之構造單位、同樣具有含氟脂肪族環構造，作為末端官能基，在對金屬等具有可以結合的反應性官能基之點上，則與非結合性的非晶質氟樹脂相異。該反應性官能基，作為一例，係羧基(COOH)或酯基(COOR)。但是，R係表示烷基。
此外，作為具有含氟脂肪族環構造的構造單位，以基於環狀含氟單量體的單位(以下，稱「單位A」)，或者，利用二烯系含氟單量體的環化聚合形成的單位(以下，稱「單位B」)為佳。又，非晶質氟樹脂的組成及構造，由於並非本申請發明的本旨，有關該單位A及單位B的詳細說明省略，但因關於該單位A及單位B，在國際公開公報第2014/178288號的段落[0031]～[0062]被詳細說明，請參照。
作為非結合性的非晶質氟樹脂之市售品之一例，可列舉CYTOP(旭硝子(股)公司製)等。又，末端官能基為CF 3之CYTOP，係以下的化學式1所示的上述單位B的聚合體。
[化學式1]
又，如前所述，不僅基板10的第2部分120的側周面121及背面102，p電鍍電極24及n電鍍電極25之至少一方也以透過材70覆蓋的場合，以不同的材料構成覆蓋各個電極的透過材70亦可。例如，覆蓋p電鍍電極24及n電鍍電極25之至少一方的透過材70，由抑制金屬原子的遷移的觀點來看，以非結合性的非晶質氟樹脂構成，覆蓋基板10的第2部分120的側周面121及背面102的透過材70，以不是非結合性的非晶質氟樹脂構成亦可。
此外，透過材70，最表面為非晶質氟樹脂的話，可以抑制與空氣之界面的光的反射，所以在非晶質氟樹脂與基板10(特別是第2部分120的側周面121)之間，具有使由元件構造部20射出的光透過之其他材料之層亦可。例如，透過材70，在非晶質氟樹脂與基板10之間，具有SiO 2或HfO 2等無機材料之層亦可，具有複數這些層亦可。具體而言，例如透過材70亦可具有被形成於基板10的表面之HfO 2之層，以及進而被形成於其表面之SiO 2之層。
特別是透過材70，在非晶質氟樹脂與基板10之間，具備單層或多層之防反射層亦可。1個防反射層的厚度為λ/4n，n為防反射層的折射率，λ為由元件構造部20射出的光的波長。例如，1個防反射層，以SiO 2或HfO 2構成。藉著設這樣的防反射層，可以進而改善光的取出效率。又，為了根據防反射層得到防反射效果，以設計規格的厚度形成防反射層是很重要的，對於與主面101平行而平坦的面之背面102，可以容易地設置如設計規格的厚度之防反射層。因此，至少對基板10的背面102形成防反射層為較佳。此外，如前所述於非晶質氟樹脂與基板10之間設SiO 2或HfO 2等層的場合，首先，藉由濺鍍等習知的成膜方法對基板10形成SiO 2或HfO 2等層，其後，進行非晶質氟樹脂之層的形成，或是根據非晶質氟樹脂之密封即可。此外，對基板10的背面102形成防反射層的場合，考慮到由元件構造部20射出的光會有某個程度的擴開(亦即，到達背面102的光的入射角會增大某個程度)，形成可以反射該入射角的光之厚度的防反射層亦可。具體而言，亦可形成配合於由元件構造部20射出而對背面102不是垂直入射(亦即，入射角0°)之光，例如比0°更大而比臨界角更小的特定入射角的光而設計的厚度之防反射層。又，藍寶石的折射率為1.8，非晶質氟樹脂的折射率為1.35的場合之臨界角為48.6°，藉著形成這樣的防反射層，可以有效果地取出入射角比臨界角還小的光，同時可以不需要背面102的過度研削。
此外，在圖9，例示了在基板10的背面102也設置透過材70的氮化物半導體紫外線發光元件1A，但於背面102不設透過材70亦可。此外，於基板10的第2部分120的側周面121，沒有起因於如前所述的研削加工之凹凸的場合，藉由把具有比藍寶石更小而比空氣更大的折射率的非晶質氟樹脂形成於最表面的透過材70設置在側周面121，可以抑制與空氣之界面之光的反射。
[2] 使用圖7所示那樣的研削加工裝置60研削加工基板10的側面的場合，藉著在基板10的第1部份110的側周面111被形成細微的凹凸而使光難以被反射，因此光的取出效率會降低。在此，為了防止此情況，亦可對於研削加工後的晶片40，進行基板10的第1部份110的側周面111的研磨加工。例如，使用滾筒研磨機等習知的球體研磨裝置，研磨研削加工後的晶片40的表面亦可。
此外，替代研磨加工晶片40，而藉由把基板10的第1部份110的側周面111之表面的凹凸以某種膜覆蓋埋住，抑制元件構造部20射出的光的散射而防止光的取出效率降低亦可。參照圖式說明此場合之氮化物半導體紫外線發光元件的構造。圖10係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的第2變形例之剖面圖，是顯示相當於圖2的剖面之圖。
如圖10所示，於氮化物半導體紫外線發光元件1B具備的基板10的第1部份110的側周面111，被形成反射材80。反射材80，以反射元件構造部20射出的光的材料來構成，例如以包含Al,Ni,Rh之至少1種的材料來構成為佳。
此外，於基板10的第1部分110的側周面111，沒有起因於如前所述的研削加工之凹凸的場合，藉由在第1部分110的側周面111設反射材80，可以促進第1部分110的側周面111之反射。
[3] 在前述之實施型態，例示基板10的主面101及背面102為平坦之氮化物半導體紫外線發光元件1(參照圖2)，但沒有平坦的背面102，主面101的相反側為曲面亦可。參照圖式說明此場合之氮化物半導體紫外線發光元件的構造。圖11係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的第3變形例之剖面圖，是顯示相當於圖2的剖面之圖。
如圖11所示，氮化物半導體紫外線發光元件1C具備的基板10C，第2部份120C的側周面121C成為半球狀。又，具有這樣的形狀的基板10C的氮化物半導體紫外線發光元件1C，例如可藉由使用數控車床研削加工晶片40(參照圖6)而得。
如圖11所示的氮化物半導體紫外線發光元件1C那樣，第2部分120C的側周面121C為半球狀的話，可以使由元件構造部20射出而到達第2部分120C的側周面121C的光的入射角極為縮小。但是，為了把基板10加工為這樣的形狀，有必要殘留被形成元件構造部20的主面101同時研削加工背面的全部，在等向性的研削加工要實現是有困難的，並不適合量產。此外，如前述實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件1(參照圖2)那樣，即使於基板10殘留平坦的背面102，由元件構造部20射出而到達背面102的光的入射角也充分地變小，所以即使殘留平坦的背面102，其所導致的光的取出效率的降低也是很小的。進而，平坦的背面102被殘留的話，真空吸取背面102成為可能，操作會變得容易。
[4] 由防止光偏向基板10內之特定一方向的觀點來看，基板10及發光區域31，從對基板10的主面101垂直的方向所見的平面俯視(以下簡稱平面俯視)中心為一致之2回對稱以上的旋轉對稱的形狀是較佳的。此外，由對活性層213有效率地供給電力的觀點來看，發光區域31由平面俯視從旋轉對稱的中心往複數方向放射狀突出的形狀為較佳。
圖1～圖4所示的氮化物半導體紫外線發光元件1之基板10的主面101及發光區域31(p電極22形成的區域)是滿足前述條件的形狀，發光區域31為2回對稱，但設置具有更高次的旋轉對稱性的發光區域亦可。參照圖式說明此場合之氮化物半導體紫外線發光元件的構造。圖12係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的第4變形例的構造之平面圖，是顯示相當於圖3的平面之圖。
圖12所示的氮化物半導體紫外線發光元件之發光區域(被形成p電極22D的區域)，係平面俯視由旋轉對稱中心起對8個方向放射狀地圖出的菊花形狀，為8回對稱的形狀。不限於如圖12所示那樣的8回對稱的形狀，藉著使發光區域為高次的旋轉對稱(例如4回對稱以上)的形狀，可以使通過基板10的光變得均勻。
[5] 在前述之＜氮化物半導體紫外線發光元件之構造例＞及＜氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法例＞，舉基板10的側周面111,121的全部為曲面(球面)的場合為例進行說明，但基板10之側周面111,121的一部分留下平面亦可。例如，基板10亦可為在圖8(b)～(e)之分別的狀態下結束晶片40的研削加工而得的形狀。此外，研削加工前的晶片一可不是立方體狀，研削加工前的晶片的主面不是正方形狀亦可。
但是，為了使通過基板的光收斂而有效果地改善光的取出效率，如圖8(b)～(f)所示那樣，至少基板的主面101及背面102之各個之4個角必須要被研削。於此場合，首先，比起如圖8(b)及(c)所示那樣平面俯視基板為四角形狀，如圖8(d)～(f)所示那樣平面俯視基板為圓形狀(或長圓形狀)或者四個角為圓四角形狀者，更能減低基板的側邊之光的損失(第1部分110的側邊之光的透過，第2部分120的側邊之光的全反射)，所以較佳。其次，比起如圖8(b)～(e)所示那樣基板的側面留下平面的形狀，如圖8(f)所示那樣未留下該平面的形狀者，更能減低基板的側面之光的損失(第1部分110的側面之光的透過，第2部分120的側面之光的全反射)，所以較佳。
[6] 在前述實施型態，針對p電鍍電極24為膜狀的場合進行例示(參照圖1及圖2等)，但是例如以金(Au)構成的多數凸塊(bump，突起)來構成此p電鍍電極24亦可。在此場合，元件構造部20的最表面表面積變大，於製作圖6所示的晶片40的場合可以提高接著力。
[7] 前述實施型態及變形例可以分別任意組合而實施。又，於組合前述[1]及[2]的場合，以透過材70密封氮化物半導體紫外線發光元件全體的場合，首先於基板10的第1部分110的側周面111形成反射材80，其後以透過材70密封氮化物半導體紫外線發光元件1B(參照圖10)即可。 [產業上利用可能性]
本發明可以利用於在藍寶石基板的主面上形成AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層而構成之射出發光中心波長為365nm以下的光(紫外線)的氮化物半導體紫外線發光元件及其製造方法。
1、1A～1C：氮化物半導體紫外線發光元件 10、10C：基板 101：主面 102：背面 110：第1部分 111：側周面 120、120C：第2部分 121、121C：側周面 20：元件構造部 21、21D：AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層 211：下底層 212：n型包覆層(n型AlGaN) 213：活性層 214：電子阻止層(p型AlGaN) 215：p型包覆層(p型AlGaN) 216：p型接觸層(p型GaN) 22、22D：p電極 23、23D：n電極 24：p電鍍電極 25：n電鍍電極 26：絕緣膜 31：發光區域 32：周邊區域 40：晶片 50：保護材 60：研削加工裝置 61：側壁部 62：底部 63：旋轉軸 70：透過材 80：反射材 L1～L3：光線
圖1係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的構造之一例之平面圖。 　　圖2係顯示圖1的A-A剖面之剖面圖。 　　圖3係使圖1的p電極及n電極露出之平面圖。 　　圖4係顯示AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層的構造之一例之剖面圖。 　　圖5係切斷晶圓而得的晶片的構造之一例之平面圖。 　　圖6係顯示加工基板前的晶片的構造之一例之剖面圖。 　　圖7係顯示研削加工圖6的晶片之研削加工裝置之一例之立體圖。 　　圖8係顯示圖6的晶片藉由圖7之研削加工裝置被研削加工的經過之立體圖。 　　圖9係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的第1變形例之剖面圖。 　　圖10係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的第2變形例之剖面圖。 　　圖11係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的第3變形例之剖面圖。 　　圖12係顯示關於本發明的實施型態之氮化物半導體紫外線發光元件的第4變形例之平面圖。

Claims (16)

  1. 一種氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其特徵為具備對備有藍寶石基板以及具有被層積於該基板的主面上之複數AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層同時藉著通電射出發光中心波長為365nm以下的光的元件構造部之晶片，研削加工前述基板的基板加工步驟；由實施前述基板加工步驟前之垂直於前述基板的前述主面之方向來看的平面俯視的形狀為四角形，前述基板加工步驟，至少是研削加工前述主面之4個角，與前述主面的相反側之面也就是背面之4個角之各個的步驟，同時也是以在前述背面側留下與前述主面平行的面的方式，研削加工前述基板的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其中前述研削加工步驟，是至少把前述主面之4個角，與前述背面之4個角之各個研削加工為凸狀的曲面的步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其中前述基板加工步驟，是以使從對前述主面垂直的方向所見之平面俯視之前述基板成為圓形狀、長圓形狀、或者4個角成為圓的四角形狀的方式，研削加工前述基板的步驟。
  4. 如申請專利範圍第1~3項之任1項之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其中前述基板加工步驟，係具備：對前述晶片形成覆蓋前述元件構造部的表面的保護材之第1步驟、研削加工被形成前述保護材的前述晶片之前述基板的第2步驟、以及在前述第2步驟之後除去前述保護材的第3步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其中於前述第2步驟，在具有附著磨粒的凹狀的曲面之容器內，使1個以上之前述晶片轉動而衝突於前述凹狀的曲面。
  6. 如申請專利範圍第5項之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其中於進行前述第2步驟之前，正方形之前述基板的主面之一邊長度為L，前述元件構造部的外接圓直徑為R時，前述基板的厚度D滿足D2×。
  7. 如申請專利範圍第4項之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其中在前述第3步驟，使前述保護材溶解於溶媒並除去。
  8. 如申請專利範圍第1~3項之任1項之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其中進而具備藉由前述基板加工步驟研削加工前述基板的至少前述背面之4個角而露出表面之面的一部分或全部，形成最表面為非晶質氟樹脂同時形成使由前述元件構造部射出的光透過的透過材之透過材形成步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其中前述基板加工步驟，係以與前述主面平行且為平坦之前述背面的一部分保留的方式研削加工前述背面的4個角，前述透過材形成步驟，包含至少對前述背面形成防反射層的步驟，及於前述防反射層的表面形成前述非晶質氟樹脂的步驟。
  10. 如申請專利範圍第1~3項之任1項之氮化物半導體紫外線發光元件之製造方法，其中進而具備藉由前述基板加工步驟研削加工前述基板前述主面之4個角而露出表面之面的至少一部分，形成反射由前述元件構造部射出的光的反射材之反射材形成步驟。
  11. 一種氮化物半導體紫外線發光元件，其特徵為具備藍寶石基板、及具有被層積於前述基板的主面上之複數AlGaN(氮化鋁鎵)系半導體層同時藉著通電射出發光中心波長為365nm以下的光的元件構造部；前述基板，於前述主面起至第1距離為止的第1部分以及由前述主面的相反側起至第2距離為止的第2部分，與前述主面平行的剖面之剖面形狀為圓形、長圓形或者4個角為圓弧的四角形，該剖面形狀的中心，同軸地存在於與前述主面垂直的方向上，於前述第1部分，前述剖面形狀的面積及外周圓弧部分的曲率半徑，隨著離開前述主面而連續增加，於前述第2部分，前述剖面形狀的面積及外周圓弧部分的曲率半徑，隨著離開前述主面的相反側而連續增加，前述第1部分及前述第2部分之前述剖面形狀的前述外周圓弧部分的曲率半徑連續增加的部分為球面，前述第1距離及前述第2距離之和，為前述基板厚度以下，於前述基板之前述主面的相反側，有與前述主面平行的面。
  12. 如申請專利範圍第11項之氮化物半導體紫外線發光元件，其中前述第1部分，由前述主面離開的方向上僅離開單位距離的場合之前述剖面形狀的面積之單位增加量，隨著離開前述主面而連續減少，前述第2部分，由前述主面的相反側離開的方向上僅離開單位距離的場合之前述剖面形狀的面積之單位增加量，隨著離開前述主面的相反側而連續減少。
  13. 如申請專利範圍第11項之氮化物半導體紫外線發光元件，其中在對前述主面從垂直方向觀看的平面視，前述基板，是圓形狀、長圓形狀、或者4個角為圓的四角形狀。
  14. 如申請專利範圍第11~13項之任1項之氮化物半導體紫外線發光元件，其中至少於前述基板之前述第2部分的側周面的一部分或全部，形成最表面為非晶質氟樹脂同時形成使由前述元件構造部射出的光透過的透過材。
  15. 如申請專利範圍第14項之氮化物半導體紫外線發光元件，其中於前述基板之前述主面的相反側，有與前述主面平行且為平坦的面之背面，前述透過材被形成於前述背面之一部分或全部，前述透過材，包含至少對前述背面形成的防反射層。
  16. 如申請專利範圍第11~13項之任1項之氮化物半導體紫外線發光元件，其中前述基板之前述第1部分的側周面之至少一部分，被形成反射由前述元件構造部射出的光的反射材。
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