TWI656831B - 電磁遮罩及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種電磁遮罩，由連續彎折而成的多個框體組成，用於焊接至PCB板上防止電子元件之間輻射電磁能量干擾，所述每一框體配合對應一電子元件，所述每一框體包括絕緣基層以及包覆所述絕緣基層第一表面的金屬層，所述絕緣基層具有與所述第一表面相對的第二表面，所述絕緣基層上開設有貫穿其第一表面、第二表面的若干通孔，所述金屬層靠近所述第一表面的一側表面上凸伸形成若干凸塊，所述凸塊與所述通孔一一對應且配合設置，所述凸塊穿設於所述通孔中，且所述凸塊的外表面超出所述絕緣基層的第二表面。本發明還提供一種所述電磁遮罩的製造方法。

Description

電磁遮罩及其製造方法

本發明涉及一種防干擾設備，特別涉及一種防止電磁干擾的電磁遮罩及其製造方法。

習知的電子設備工作時，因為工作電壓、電流的間歇或者連續性變化往往會導致其內部電子元件產生一定頻率的電磁輻射能量，從而輻射到其周圍的環境中，從而對其相鄰的電子元件形成干擾、甚至導致該相鄰的電子元件無法正常工作。

因此，對於電子設備來說，其內部通常設置有電磁遮罩元件以防止相鄰電子元件之間電磁干擾。常見地，電磁遮罩元件為金屬盒子狀，其通常覆蓋在PCB上將需要遮罩的輻射源(也就是電子元件)，例如晶片、電感等包覆，從而防止輻射源向外輻射一定能量的電磁波而干擾到與其相鄰的電子元件的正常運作。一般地，這些常見的金屬盒子狀的電磁遮罩元件，是通過賤鍍、蒸鍍的方式在輻射源表面形成一層超薄的金屬。然而，所述金屬盒子一般只能對應包覆單一的輻射源，而且所述金屬盒子較占空間。對於如今集成度越來越高的電子設備而言，其內部電元件之間的佈局空間越來越小，而金屬盒子較為佔用空間而不能迎合該類高集成度的電子設備的發展所需。進一步地，所述金屬盒子所述制程方式不但較複雜而且成本較高。

有鑑於此，本發明提供一種制程簡單、成本低廉、而且同時可以對多個電子元件進行電磁遮罩的電磁遮罩及其製造方法。

一種電磁遮罩，由連續彎折而成的多個框體組成，用於焊接至PCB板上防止電子元件之間輻射電磁能量干擾，所述每一框體配合對應一電子元件，所述每一框體包括絕緣基層以及包覆所述絕緣基層第一表面的金屬層，所述絕緣基層具有與所述第一表面相對的第二表面，所述絕緣基層上開設有貫穿其第一表面、第二表面的若干通孔，所述金屬層靠近所述第一表面的一側表面上凸伸形成若干凸塊，所述凸塊與所述通孔一一對應且配合設置，所述凸塊穿設於所述通孔中，且所述凸塊的外表面超出所述絕緣基層的第二表面。

所述電子元件相應地收容於所述每一框體中，所述每一電子元件產生的電磁輻射能量通過所述電磁遮罩的每一框體進行遮罩，從而防止了所述電子元件產生的電磁輻射能量輻射至周緣相鄰的電子元件或者電子元件200而對其造成干擾。進一步地，所述電子元件產生的熱量進一步可以傳遞至所述凸塊，最終經過所述凸塊傳遞至面積更大的金屬層而散發至外界，從而增加了所述電子元件的散熱性能。

本發明所述電磁遮罩的製造方法，包括如下步驟：提供一絕緣基層，並在絕緣基層的第一表面上形成第一金屬層；通過雷射器燒結所述絕緣基層而形成貫穿其第一表面和第二表面的若干通孔；通過電鍍的方式在所述通孔中形成若干凸塊，並使得所述凸塊的厚度大於所述絕緣基層的厚度而超出所述絕緣基層的第二表面； 對所述凸塊表面進行電極處理，以防止所述凸塊表面被氧化，如此得到半成型的電磁遮罩；通過模具配合使用熱成型方式壓合所述半成型電磁遮罩從而形成所述電磁遮罩，所述電磁遮罩由連續彎折而成的多個框體組成；將所述電磁遮罩焊接於PCB板上。

本發明所述電磁遮罩的製造方法中，所述絕緣基層和金屬層使用材料簡單，而且所述電磁遮罩直接通過熱壓成型的方式形成多個框體，從而使得所述電磁遮罩制程簡單、成本低廉。進一步地，熱壓成型所述框體的形狀依據所述電子設備的輪廓而定，熱壓成型所述框體的數量依據所述電子元件的數量而定。如此，所述電磁遮罩可依據具體需求覆蓋一個或者多個電子元件，所述框體更進一步的滿足了高度集成的電子設備內部對排布較為緊密的各個電子元件同時實現遮罩，節省了電子設備空間，為電子設備進一步輕薄化提供了可能。

100‧‧‧電磁遮罩

110‧‧‧框體

100a‧‧‧半成品電磁遮罩

200‧‧‧電子元件

300‧‧‧PCB板

10‧‧‧絕緣基層

101‧‧‧第一表面

102‧‧‧第二表面

103‧‧‧通孔

11‧‧‧底壁

12‧‧‧側壁

13‧‧‧連接部

20‧‧‧金屬層

21‧‧‧凸塊

圖1所示本發明實施例所述電磁遮罩的剖視圖。

圖2係圖1所示電磁遮罩的局部放大圖。

圖3所示係圖1所述電磁遮罩與電子元件進行配合的剖視圖。

圖4-9所示係本發明所述電磁遮罩的製造流程示意圖。

如圖1所示，本發明實施例所述電磁遮罩100由一連續彎折而成的多個框體110組成。

同時參附圖2-3所示，所述框體110依據其包覆的電子元件200的具體輪廓設置，所述框體110的數量依據所述電子元件200的數量進行設置。

在本發明實施例中，所述框體110的數量為三個，所述每一框體110的橫截面呈矩形，所述每一框體110包括絕緣基層10以及包覆所述絕緣基層10的金屬層20。

所述絕緣基層10為一厚度均勻的薄型基材，其可由Pet、Pen、Pi等材料製成。所述絕緣基層10具有第一表面101及與所述第一表面101相對的第二表面102。在本發明實施例中，所述絕緣基層10的厚度H1為2-25um。

所述絕緣基層10上均勻開設有貫穿其第一表面101、第二表面102的若干通孔103。所述通孔103可以為圓形、矩形、菱形等形狀。

在本發明實施例中，所述通孔103呈圓形，所述通孔103的直徑D1為25-75um，所述相鄰的二通孔103外周緣之間的間距D2大於等於25um。

進一步地，所述絕緣基層10包括底壁11、自所述底壁11兩端同向延伸而成的側壁12、以及連接相鄰的二框體110的連接部13。所述連接部13連接所述相鄰二框體110的側壁12。所述底壁11、側壁12共同圍設而成容置電子元件200的收容空間。

在本發明實施例中，所述底壁11與所述連接部13均呈相互平行的水平板體，所述側壁12與所述底壁11垂直設置。所述連接部13上至少開設有一個所述通孔103。可以理解地，在其他實施例中所述底壁11及所述連接部的形狀依據電子元件200的形狀設定，所述側壁12與所述底壁11之間的角度依據所述電子元件200的輪廓設置。

所述金屬層20由銅製成。所述金屬層20覆蓋於所述絕緣基層10的第一表面101上。所述金屬層20靠近所述絕緣基層10一側表面上凸伸形若干凸塊21。所述凸塊21與所述通孔103對應設置，而且所述凸塊21與所述通孔 103配合，從而所述凸塊21穿設於所述通孔103中，且所述凸塊21的表面超出所述絕緣基層10的第二表面102。進一步地，依據具體需求，所述每一凸塊21表面可進一步經過電極處理而防止氧化。

在本發明實施例中，所述金屬層20的厚度H2為6-70um，所述凸塊21的厚度H3為15-40um。進一步地，所述凸塊21的厚度H3大於所述絕緣基層10的厚度H1至少5um。

請繼續參附圖3所示，所述電磁遮罩100設置於一PCB板300上分別與多個電子元件200進行配合。所述電磁遮罩100通過位於所述連接部13上的凸塊21而與所述PCB板300進行焊接，所述電子元件200相應地收容於所述每一框體110中，所述每一電子元件200產生的電磁輻射能量通過所述電磁遮罩100的每一框體110進行遮罩，從而防止了所述電子元件200產生的電磁輻射能量輻射至周緣相鄰的電子元件或者電子元件200而對其造成干擾。

進一步地，所述每一框體110與所述電子元件200之間可以填充導熱材料。所述電子元件200產生的熱量進一步可以通過導熱材料傳遞至所述凸塊21，最終經過所述凸塊21傳遞至面積更大的金屬層20而散發至外界，從而增加了所述電子元件200的散熱性能，提高了電子元件200的穩定性。

如圖4-9所示，本發明提供一種所述電磁遮罩100的製造方法，包括如下步驟：

步驟一：如圖4所示，提供一絕緣基層10，並在絕緣基層10的第一表面101上形成第一金屬層20；本發明實施例中，所述金屬層20通過銅箔蝕刻形成，所述絕緣基層10的材料為Pet、Pen、Pi等，所述絕緣基層10的厚度H1為2-25um，所述金屬層20的厚度H2為6-70um。

步驟二：如圖5所示，通過雷射器燒結所述絕緣基層20而形成貫穿第一表面101和第二表面102的若干通孔103；所述通孔103的形狀以及尺寸依據具體需要設置，例如可以為圓形、矩形、菱形等。在本發明實施例中，所述通孔103為圓形，所述通孔103的直徑D1為25-75um，相鄰的二通孔103的外周緣之間的間距D2大於等於25um。

步驟三：如圖6所示，通過電鍍的方式在所述通孔103中形成若干凸塊21，並使得所述凸塊21的厚度大於所述絕緣基層10的厚度而超出所述絕緣基層10的第二表面102；在本發明實施例中，所述凸塊21的厚度H3為15-40um，且所述凸塊21的厚度H3大於所述絕緣基層10的厚度H1至少5um。

步驟四：如圖7所示，對所述凸塊21表面進行電極處理，以防止所述凸塊21表面被氧化，如此得到半成品電磁遮罩100a；

步驟五：如圖8所示，通過模具配合使用熱成型方式壓合所述半成品電磁遮罩100a從而形成所述電磁遮罩100，所述電磁遮罩100由連續彎折而成的多個框體110組成；通過熱壓成型時，成型形成所述框體110的大小、所述框體110的形狀依據所述電子元件200的具體形狀、輪廓而定，所述框體110的數量依據所述電子元件200的數量而定。在本發明實施例中，所述框體的橫截面呈矩形，每一框體包括絕緣基層10及包覆絕緣基層10的金屬層20；組成每一框體110的所述絕緣基層10包括一底壁11、自所述底壁11兩端同向延伸而成的側壁12。相鄰的二框體110的側壁12之間通過一連接部13連接，而且所述連接部13上至少開設有一個所述通孔103。

步驟六：如圖9所示，將所述電磁遮罩100焊接於PCB板300上。

具體的，焊接時，通過位於在所述連接部13上凸塊21與所述PCB板進行焊接。

本發明所述電磁遮罩100的製造方法中，所述絕緣基層10和金屬層20使用材料簡單，而且所述電磁遮罩100直接通過熱壓成型的方式形成多個框體110，從而使得所述電磁遮罩100制程簡單、成本低廉。

進一步地，熱壓成型所述框體110的形狀依據所述電子元件200的輪廓而定，熱壓成型所述框體的數量依據所述電子元件200的數量而定。如此，所述電磁遮罩100可依據具體需求覆蓋一個或者多個電子元件200，所述框體110更進一步的滿足了高度集成的電子設備內部對排布較為緊密的各個電子元件200同時實現遮罩，節省了電子設備空間，為電子設備進一步輕薄化提供了可能。

可以理解的是，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術構思做出其它各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬於本發明的權利要求的保護範圍。

Claims (10)

1. 一種電磁遮罩，至少具有一框體組成，用於焊接至PCB板上防止電子元件之間輻射電磁能量干擾，其改良在於：所述框體配合對應一電子元件形成一收容空間以容置所述電子元件，所述框體包括圍設形成所述收容空間的絕緣基層以及包覆所述絕緣基層的金屬層，所述絕緣基層具有一第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述絕緣基層上開設有貫穿其第一表面、第二表面的若干通孔，所述金屬層覆蓋所述絕緣基層背離所述收容空間的第一表面，並封閉所述通孔在所述第一表面上的開口，且所述金屬層靠近所述第一表面的一側表面上凸伸形成若干凸塊，所述凸塊與所述通孔一一對應且配合設置，所述凸塊穿設於所述通孔中，且所述凸塊的外表面超出所述絕緣基層的第二表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述電磁遮罩，其中：所述框體包括連續彎折而成的多個框體，所述絕緣基層包括一底壁、自所述底壁兩端同向延伸而成的側壁、以及連接相鄰的二框體之間的連接部，所述連接部與所述相鄰的二框體的側壁相連，所述底壁及側壁共同圍設而成容置電子元件的收容空間。
3. 如申請專利範圍第2項所述電磁遮罩，其中：所述底壁與所述連接部均呈相互平行的水平板體，所述側壁與所述底壁垂直設置，所述連接部上至少開設有一個所述通孔。
4. 如申請專利範圍3項所述電磁遮罩，其中：所述框體的橫截面呈矩形，所述電磁遮罩通過位於所述連接部上的凸塊與所述PCB板焊接。
5. 如申請專利範圍第1項所述電磁遮罩，其中：所述絕緣基層為一厚度均勻的薄型基材，所述絕緣基層的厚度為2-25um。
6. 如申請專利範圍第1項所述電磁遮罩，其中：所述通孔為圓形，所述通孔的直徑為25-75um，所述相鄰的二通孔外周緣之間的間距大於等於25um。
7. 如申請專利範圍第1項所述電磁遮罩，其中：所述金屬層由銅製成，所述金屬層的厚度為6-70um，所述凸塊的厚度為15-40um，所述凸塊的厚度大於所述絕緣基層的厚度至少5um。
8. 一種如申請專利範圍第1-7任意一項所述電磁遮罩的製造方法，包括如下步驟：提供一絕緣基層，並在絕緣基層的第一表面上形成第一金屬層；通過鐳射燒蝕所述絕緣基層而形成貫穿其第一表面和第二表面的若干通孔；通過電鍍的方式在所述通孔中形成若干凸塊，並使得所述凸塊的厚度大於所述絕緣基層的厚度而超出所述絕緣基層的第二表面；對所述凸塊表面進行電極處理，以防止所述凸塊表面被氧化，如此得到半成品電磁遮罩；通過模具配合使用熱成型方式壓合所述半成品電磁遮罩從而形成所述電磁遮罩，所述電磁遮罩由連續彎折而成的多個框體組成；將所述電磁遮罩焊接於PCB板上。
9. 如申請專利範圍第8項所述電磁遮罩的製造方法，其中：所述絕緣基層為一厚度均勻的薄型基材，所述絕緣基層的厚度為2-25um。
10. 如申請專利範圍第8項所述電磁遮罩的製造方法，其中：所述通孔為圓形，所述通孔的直徑為25-75um，所述相鄰的二通孔外周緣之間的間距大於等於25um，所述金屬層由銅製成，所述金屬層的厚度為6-70um，所述凸塊的厚度為15-40um，所述凸塊的厚度大於所述絕緣基層的厚度至少5um。