TWI656230B - Film forming device - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可以簡單的構成抑制電子零件的加熱的成膜裝置。本發明包括：搬送部，在腔室內循環搬送電子零件；成膜處理部，成膜於電子零件；托盤，由搬送部搬送，具有載置面；及載置部，載置於載置面，用來搭載電子零件，載置部包括：保持片，一面具備具有黏著性的黏著面，另一面具備不具有黏著性的非黏著面；及密接片，一面具備密接於非黏著面的具有黏著性的第1密接面，另一面具備密接於托盤的載置面的具有黏著性的第2密接面，黏著面具有用來貼附電子零件的貼附區域，第1密接面至少遍及與貼附區域對應的非黏著面的區域的整體而密接。

Description

成膜裝置
本發明是有關於一種成膜裝置。
以行動電話為代表的無線通信設備中，搭載有許多作為電子零件的半導體裝置。為了防止對通信特性的影響，半導體裝置謀求抑制電磁波向外部的洩露等電磁波對內外的影響。因此，一直使用具有對電磁波的屏蔽功能的半導體裝置。
一般而言，半導體基板是藉由在作為用於對安裝基板進行中轉的基板的中介層（interposer）基板上搭載半導體晶片，並藉由樹脂將所述半導體晶片密封而形成。開發有一種藉由在所述密封樹脂的上表面及側面設置導電性的電磁波屏蔽膜而賦予屏蔽功能的半導體裝置（參照專利文獻1）。
此種電磁波屏蔽膜可設為多種金屬材料的積層膜。例如，已知有在形成有不鏽鋼（SUS）膜的基礎上形成Cu膜，進而在其上形成SUS膜的積層結構的電磁波屏蔽膜。
關於電磁波屏蔽膜，為了獲得充分的屏蔽效果，需要降低電阻率。因此，對電磁波屏蔽膜要求某種程度的厚度。關於半導體裝置，一般而言，若為1 μm～10 μm左右的膜厚，則可獲得良好的屏蔽特性。就所述SUS、Cu、SUS的積層結構的電磁波屏蔽膜而言，已知若為1 μm～5 μm左右的膜厚，則可獲得良好的屏蔽效果。 [現有技術文獻]
[專利文獻] [專利文獻1] 國際公開第2013/035819號公報
[發明所要解決的問題] 作為電磁波屏蔽膜的形成方法，已知有鍍敷法。但是，鍍敷法需要前處理步驟、鍍敷處理步驟、及水洗之類的後處理步驟等濕式步驟，因此不可避免半導體裝置的製造成本的上升。
因此，作為乾式步驟的濺鍍法受到矚目。作為利用濺鍍法的成膜裝置，提出有使用電漿進行成膜的電漿處理裝置。電漿處理裝置將惰性氣體導入配置有靶材的真空容器，施加直流電壓。使經電漿化的惰性氣體的離子與成膜材料的靶材碰撞，並使自靶材趕出的材料堆積於工件來進行成膜。
一般的電漿處理裝置被用於可在幾十秒至幾分鐘的處理時間內形成的厚度為10 nm～數100 nm的膜的形成中。但是，如上所述，作為電磁波屏蔽膜，需要形成微米級厚度的膜。由於濺鍍法是使成膜材料的粒子堆積於成膜對象物上來形成膜的技術，因此所形成的膜越厚，膜的形成所需的時間越長。
因此，為了形成電磁波屏蔽膜，需要比一般的濺鍍法更長的幾十分鐘至一小時左右的處理時間。例如，就SUS、Cu、SUS的積層結構的電磁波屏蔽膜而言，為了獲得5 μm的膜厚，有時需要一小時多的處理時間。
如此，使用電漿的濺鍍法中，在所述處理時間內，作為半導體裝置的外包裝的封裝體會一直暴露於電漿的熱中。結果，至獲得厚度5 μm的膜為止，有時會將封裝體加熱至200℃上下。
另一方面，關於封裝體的耐熱溫度，若為幾秒～幾十秒左右的暫時加熱，則為200℃左右，但在加熱超過幾分鐘的情況下，一般為150℃左右。因此，難以使用一般的利用電漿的濺鍍法來形成微米級的電磁波屏蔽膜。
為了應對所述情況，考慮在電漿處理裝置上設置用來抑制半導體封裝體的溫度上升的冷卻裝置。所述情況下，裝置構成複雜化、大型化。
本發明的目的在於提供一種可以簡單的構成抑制電子零件的加熱的成膜裝置。 [解決問題的技術手段]
為了達成所述目的，本發明的特徵在於包括：腔室，其為供濺鍍氣體導入的容器；成膜處理部，設置於所述腔室內，具有藉由濺鍍而使成膜材料堆積來進行成膜的濺鍍源，並且藉由所述濺鍍源而成膜於電子零件；托盤，設置於所述成膜處理部的處理區域，具有載置面；及載置部，載置於所述載置面，用來搭載所述電子零件，所述載置部包括：保持片，一面具備具有黏著性的黏著面，另一面具備不具有黏著性的非黏著面；及密接片，一面具備密接於所述非黏著面的具有黏著性的第1密接面，另一面具備密接於所述托盤的載置面的具有黏著性的第2密接面，所述黏著面具有用來貼附所述電子零件的貼附區域，所述第1密接面至少遍及與所述貼附區域對應的非黏著面的區域的整體而密接。
另外，本發明的特徵在於包括：腔室，其為供濺鍍氣體導入的容器；搬送部，設置於所述腔室內，循環搬送電子零件；成膜處理部，具有藉由濺鍍而使成膜材料堆積於由所述搬送部循環搬送的所述電子零件來進行成膜的濺鍍源，並且藉由所述濺鍍源而成膜於電子零件；托盤，由所述搬送部搬送，具有載置面；及載置部，載置於所述載置面，用來搭載所述電子零件，所述載置部包括：保持片，一面具備具有黏著性的黏著面，另一面具備不具有黏著性的非黏著面；及密接片，一面具備密接於所述非黏著面的具有黏著性的第1密接面，另一面具備密接於所述托盤的載置面的具有黏著性的第2密接面，所述黏著面具有用來貼附所述電子零件的貼附區域，所述第1密接面至少遍及與所述貼附區域對應的非黏著面的區域的整體而密接。
在所述保持片的黏著面貼附有對所述貼附區域的外緣的一部分或全部進行規定的金屬製的框架，所述第1密接面除了與所述貼附區域對應的非黏著面的區域的整體以外，還可進而密接於與所述框架對應的非黏著面的區域。
若將所述第1密接面與所述非黏著面的接著力設為Fa、將所述第2密接面與所述載置面的接著力設為Fb，則可為Fa＜Fb。
所述密接片可由所述第1密接面相對於所述非黏著面的剝離阻力小於所述第2密接面相對於所述載置面的剝離阻力的材質形成。
所述密接片的熱傳導率可為0.1 W/（m×K）以上。
[發明的效果] 根據本發明，可提供一種可以簡單的構成抑制電子零件的加熱的成膜裝置。
參照圖式對本發明的實施方式（以下，稱為本實施方式）進行具體說明。
[電子零件] 如圖1所示，本實施方式的成為成膜對象的電子零件10具有密封元件11的封裝體12。元件11為半導體晶片、二極管、電晶體、電容器、表面聲波（Surface Acoustic Wave，SAW）濾波片等表面安裝零件。以下的說明中，以將半導體晶片作為元件11的一例進行說明。此處所述的半導體晶片是作為將多個電子元件集成化的集成電路而構成者。
元件11搭載於基板14的表面。基板14在包含陶瓷、玻璃、環氧樹脂等的板的表面形成有電路圖案。元件11與電路圖案藉由焊料而連接。
對基板14的安裝有元件11的表面以覆蓋元件11的方式藉由合成樹脂進行密封，由此構成封裝體12。封裝體12的形狀為大致長方體形狀。
本實施方式中，在如上所述的電子零件10的頂面12a及側面12b形成電磁波屏蔽膜13。電磁波屏蔽膜13是由導電性的材料形成的遮蔽電磁波的膜。為了獲得屏蔽效果，電磁波屏蔽膜13只要至少形成於封裝體12的頂面12a即可。原因在於：側面12b的電磁波屏蔽膜13接地。此外，封裝體12的頂面12a是與安裝於製品的面相反的一側的外表面。
在水平載置的情況下，頂面12a成為位於最高位置的上表面，但在進行安裝時，有朝向上方的情況，也有不朝向上方的情況。側面12b是相對於頂面12a而以不同的角度形成的外周面。頂面12a與側面12b之間可形成角，也可藉由曲面而連續。
[成膜裝置] 參照圖2～圖7對本實施方式的成膜裝置100進行說明。成膜裝置100是藉由濺鍍而在各個電子零件10的封裝體的12的外表面形成電磁波屏蔽膜13的裝置。如圖2所示，成膜裝置100是如下裝置：若旋轉台31旋轉，則保持部33所保持的托盤34上的電子零件10以圓周的軌跡移動，在經過與濺鍍源4對向的位置時，使自靶材41（參照圖3）濺鍍的粒子附著來進行成膜。
如圖2及圖3所示，成膜裝置100包括：腔室20、搬送部30、成膜處理部40A、成膜處理部40B、表面處理部50、負載鎖部60、控制裝置70。
[腔室] 腔室20是供反應氣體G導入的容器。反應氣體G包含濺鍍用的濺鍍氣體G1、各種處理用的製程氣體G2（參照圖4）。以下的說明中，在不對濺鍍氣體G1、製程氣體G2加以區別的情況下，有時稱為反應氣體G。濺鍍氣體G1是用來利用藉由施加電力而產生的電漿，使所產生的離子等與靶材41碰撞而對電子零件10的封裝體12實施濺鍍的氣體。例如，可將氬氣等惰性氣體用作濺鍍氣體G1。
製程氣體G2是用來進行藉由蝕刻或灰化的表面處理的氣體。以下，有時將此種表面處理稱為逆濺鍍。製程氣體G2可根據處理的目的而適當變更。例如，在進行蝕刻的情況下，可使用氬氣等惰性氣體作為蝕刻氣體。在本實施方式中，藉由氬氣來進行電子零件10的表面的清洗與粗面化處理。例如，藉由對表面進行清洗及以納米級進行粗面化處理，可提高膜的密接力。
腔室20的內部空間形成真空室21。所述真空室21是具有氣密性、可藉由減壓而設為真空的空間。例如，如圖2及圖4所示，真空室21是由腔室20的內部的頂板20a、內底面20b及內周面20b形成的圓柱形狀的密閉空間。
如圖4所示，腔室20具有排氣口22、導入口24。排氣口22是用來確保真空室21與外部之間的氣體流通而進行排氣E的開口。所述排氣口22例如形成於腔室20的底部。在排氣口22處連接有排氣部23。排氣部23具有配管及未圖示的泵、閥等。藉由利用所述排氣部23的排氣處理，而將真空室21內減壓。
導入口24是用來將濺鍍氣體G1導入至真空室21的靶材41附近的開口。在所述導入口24處連接有氣體供給部25。對各靶材41各設置有一個氣體供給部25。另外，除了配管以外，氣體供給部25還具有未圖示的反應氣體G的氣體供給源、泵、閥等。藉由所述氣體供給部25而將濺鍍氣體G1自導入口24導入至真空室21內。此外，如後述，在腔室20的上部設置有供表面處理部50插入的開口21a。
[搬送部] 搬送部30設置於腔室20內，是以圓周的軌跡循環搬送電子零件10的裝置。循環搬送是指使搭載有電子零件10的托盤34以圓周的軌跡環繞移動。將藉由搬送部30而托盤34進行移動的軌跡稱為搬送路徑L。搬送部30具有旋轉台31、馬達32、保持部33。另外，保持部33保持搭載有載置部35的托盤34。
旋轉台31是圓形的板。馬達32是對旋轉台31提供驅動力並使其以圓的中心為軸進行旋轉的驅動源。保持部33是保持由搬送部30搬送的後述的托盤34的構成部。在旋轉台31的頂面，多個保持部33配設於圓周等配位置。例如，各保持部33保持托盤34的區域是以與旋轉台31的圓周方向的圓的切線平行的朝向來形成，且在圓周方向上等間隔地設置。更具體而言，保持部33是保持托盤34的槽、孔、凸起、夾具、固定器等。可藉由機械吸盤（mechanical chuck）、黏著吸盤來構成。
如圖5所示，托盤34是具有平坦的載置面34a的構件。載置面34a是方形狀的平板的一平面。在載置面34a的周緣部形成有周壁部34b。周壁部34b是呈包圍載置面34a的方形狀隆起的框。作為托盤34的材質，優選為設為熱傳導性高的材質、例如金屬。本實施方式中，將托盤34的材質設為不鏽鋼（SUS）。此外，托盤34的材質例如也可設為熱傳導性佳的陶瓷或樹脂或者這些的複合材。
載置部35載置於托盤34的載置面34a，是用來搭載電子零件10的構件。載置部35具有保持片36、框架37、密接片38。如圖6所示，保持片36是平坦的片，且一面具備具有黏著性的黏著面36a。黏著面36a遍及保持片36的一面的整體。黏著面36a具有用來貼附電子零件10的貼附區域S。本實施方式中，保持片36是方形，貼附區域S是小於保持片36的外緣的方形狀的區域。但是，也可將貼附區域S設為保持片36的整個面。保持片36的另一面是不具有黏著性的非黏著面36b。非黏著面36b例如可設為具有圓滑性的面。
框架37貼附於保持片36的黏著面36a，是定義出貼附區域S的外緣的一部分或全部的構件。作為框架37的材質，優選為設為熱傳導性高的材質、例如金屬。本實施方式中，將框架37的材質設為SUS。此外，也可與托盤34同樣地將框架37的材質例如設為熱傳導性佳的陶瓷或樹脂或者這些的複合材。托盤34的材質與框架37的材質可一致，也可不同。本實施方式的框架37包圍貼附區域S而規定貼附區域S的外緣的全部。框架37是方形狀的板狀構件，且在中央處形成有方形狀的貫通孔37a。所述貫通孔37a的內緣與貼附區域S的外緣一致。框架37的外形與保持片36的外形一致。
保持片36的黏著面36a在框架37的底面以彼此的外形一致而堵塞貫通孔37a的底面側的方式被貼附。因此，黏著面36a的貼附區域S自框架37的頂面側的貫通孔37a露出。
如圖5及圖6所示，多個電子零件10黏著保持於框架37內的所露出的貼附區域S上。多個電子零件10不僅在頂面12a，而且也在側面12b以形成膜的方式空出間隔而呈矩陣狀整列配置。
如圖6所示，密接片38是平坦的片，且一面具有第1密接面38a，另一面具有第2密接面38b。第1密接面38a是密接於保持片36的非黏著面36b的具有黏著性的面。第1密接面38a至少遍及與貼附區域S對應的非黏著面36b的區域的整體而密接。所謂與貼附區域S對應的非黏著面36b的區域，是指成為貼附區域S的正後面的非黏著面36b的區域。另外，第1密接面38a也密接於與框架37對應的非黏著面36b的區域。即，第1密接面38a在也擴及至成為框架37的正後面的非黏著面36b的區域的範圍內密接。本實施方式中，框架37、保持片36、密接片38的外形尺寸一致。
第2密接面38b是密接於托盤34的載置面34a的具有黏著性的面。本實施方式中，框架37、保持片36、密接片38全部是以外形一致的方式積層，第2密接面38b整體密接於托盤34。
此處，若將第1密接面38a與保持片36的非黏著面36b的接著力設為Fa、將第2密接面38b與托盤34的載置面34a的接著力設為Fb，則為Fa<Fb。此外，例如優選為設為2≦(Fb-Fa)。另外，可由保持片36的非黏著面36b相對於第1密接面38a的剝離阻力小於托盤34的載置面34a相對於第2密接面38b的剝離阻力的材質形成。例如，優選為將Fa設為0.02(N/寬度25mm)~0.03(N/寬度25mm)、將Fb設為4(N/寬度25mm)~7(N/寬度25mm)。但是，本發明並不限定於這些值。另外，密接片38優選為將熱傳導率設為0.1W/(m．K)以上。此外，熱傳導率越高越佳，但只要有1W/(m．K)左右，則可獲得良好的冷卻效果。
作為保持片36、密接片38的材質，考慮設為具有耐熱性的合成樹脂。例如，可使用聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate，PET）、聚萘二甲酸乙二酯（Polyethylene Naphthalate，PEN）、聚醯亞胺（Polyimide，PI）等，但並不限定於這些。關於黏著面36a、第1密接面38a、第2密接面38b，考慮相對於片表面應用接著劑或設為使表面產生接著性的接著面。作為接著劑或接著面的材質，例如可使用矽酮系、丙烯酸系的樹脂以及胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂等具有接著性的各種材料。
如圖5及圖6所示，多個電子零件10呈矩陣狀貼附於載置部35的黏著面36a的貼附區域S內。準備多個此種載置部35，經由密接片38而載置於托盤34的載置面34a，由此使密接片38的第2密接面38b密接於載置面34a。但是，載置部35也可單一載置於托盤34。
如此，藉由保持部33所保持的托盤34、載置部35、密接片38而將電子零件10定位於旋轉台31上。此外，本實施方式中，設置有六個保持部33，因此在旋轉台31上以60°的間隔來保持六個托盤34。但是，保持部33可為一個，也可為多個。
[成膜處理部] 成膜處理部40A、成膜處理部40B是對由搬送部30搬送的電子零件10進行成膜的處理部。以下，在不對多個成膜處理部40A、成膜處理部40B加以區別的情況下，以成膜處理部40的形式進行說明。如圖4所示，成膜處理部40具有濺鍍源4、劃分部44、電源部6。
（濺鍍源） 濺鍍源4是藉由濺鍍而使成膜材料堆積於電子零件10來進行成膜的成膜材料的供給源。濺鍍源4具有靶材41、背板（backing plate）42、電極43。靶材41是由堆積於電子零件10來成為膜的成膜材料形成，與搬送路徑L隔開而設置於對向的位置。關於本實施方式的靶材41，如圖3所示，兩個靶材41A、靶材41B在與搬送方向正交的方向即旋轉台31的旋轉的半徑方向上排列。以下，在不對靶材41A、靶材41B加以區別的情況下，設為靶材41。靶材41的底面側與藉由搬送部30進行移動的電子零件10隔開且對向。此外，作為可藉由兩個靶材41A、靶材41B而使成膜材料附著的執行區域的處理區域的大小大於旋轉台31的徑方向上的托盤34的大小。
如後所述，成膜材料例如使用Cu、Ni、Fe、SUS等。但是，若為藉由濺鍍進行成膜的材料，則可應用各種材料。另外，靶材41例如為圓柱形狀。但是，也可為長圓柱形狀、角柱形狀等其他形狀。
背板42是保持靶材41的構件。電極43是用來自腔室20的外部對靶材41施加電力的導電性構件。此外，濺鍍源4中視需要而適當具備磁鐵、冷卻機構等。
（劃分部） 劃分部44是對藉由濺鍍源4使電子零件10成膜的成膜部位M1、成膜部位M2、進行表面處理的處理部位M3加以劃分的構件。以下，在不對成膜部位M1、成膜部位M2加以區別的情況下，以成膜部位M的形式進行說明。如圖3所示，劃分部44具有自搬送路徑L的圓周的中心、即搬送部30的旋轉台31的旋轉中心，呈放射狀配設的方形的壁板44a、壁板44b。壁板44a、壁板44b例如在夾隔靶材41的位置設置於真空室21的頂板。劃分部44的下端空出電子零件10經過的空隙，與旋轉台31對向。藉由存在所述劃分部44，而可抑制反應氣體G及成膜材料擴散至真空室21。
成膜部位M包含濺鍍源4的靶材41，是由劃分部44所劃分的空間。更具體而言，如圖3所示，自平面方向來看，成膜部位M1、成膜部位M2、處理部位M3是由劃分部44的壁板44a、壁板44b與腔室20的內周面20c所包圍的扇形空間。成膜部位M1、成膜部位M2、處理部位M3的水平方向的範圍成為由一對壁板44a、壁板44b所劃分的區域。此外，成膜材料以膜的形式堆積於經過成膜部位M中的與靶材41對向的位置的電子零件10。所述成膜部位M是進行大部分成膜的區域，但即便是超出成膜部位M的區域，也會有來自成膜部位M的成膜材料的洩露，因此並非完全沒有膜的堆積。即，進行成膜的處理區域成為稍微廣於成膜部位M的區域。
(電源部)
電源部6是對靶材41施加電力的構成部。藉由利用所述電源部6對靶材41施加電力，而使濺鍍氣體G1電漿化，可使成膜材料堆積於電子零件10。在本實施方式中，電源部6例如是施加高電壓的直流（Direct Current，DC）電源。此外，在為進行高頻濺鍍的裝置的情況下，也可設為射頻（Radio Frequency，RF）電源。旋轉台31與接地的腔室20為相同電位，藉由對靶材41側施加高電壓而產生電位差。由此，使可動的旋轉台31為負電位，因此避免與電源部6連接的困難性。
多個成膜處理部40藉由使成膜材料選擇性堆積，而形成包含多個成膜材料的層的膜。尤其，本實施方式中，包含與不同種類的成膜材料對應的濺鍍源4，藉由使成膜材料選擇性堆積，而形成包含多種成膜材料的層的膜。所謂包含與不同種類的成膜材料對應的濺鍍源4，包括所有的成膜處理部40的成膜材料不同的情況，也包括多個成膜處理部40為共同的成膜材料而其他與此不同的情況。所謂使成膜材料獨立地選擇性堆積，是指在任一種成膜材料的成膜處理部40進行成膜的期間，其他成膜材料的成膜處理部40不進行成膜。另外，所謂成膜中的成膜處理部40或成膜部位M，是指對成膜處理部40的靶材41施加電力，而呈電子零件10可進行成膜的狀態的成膜處理部40或成膜部位M。
本實施方式中，在搬送路徑L的搬送方向上，夾隔表面處理部50而配設有兩個成膜處理部40A、成膜處理部40B。成膜部位M1、成膜部位M2對應於兩個成膜處理部40A、成膜處理部40B。這些成膜處理部40A、成膜處理部40B中，成膜處理部40A的成膜材料為SUS。即，成膜處理部40A的濺鍍源4具備包含SUS的靶材41A、靶材41B。另一成膜處理部40B的成膜材料為Cu。即，成膜處理部40B的濺鍍源4具備包含Cu的靶材41A、靶材41B。本實施方式中，在任一成膜處理部40進行成膜處理的期間，其他成膜處理部40不進行成膜處理。
[表面處理部] 表面處理部50是對由搬送部30搬送的電子零件10進行表面處理即逆濺鍍的處理部。所述表面處理部50設置於由劃分部44所劃分的處理部位M3。表面處理部50具有處理單元5。參照圖3及圖4對所述處理單元5的構成例進行說明。
處理單元5具備自腔室20的上部至內部而設置的筒形電極51。筒形電極51是角筒狀，一端具有開口部51a，另一端被封閉。筒形電極51以具有開口部51a的一端朝向旋轉台31的方式介隔絕緣構件52而安裝於在腔室20的頂面所設置的開口21a。筒形電極51的側壁在腔室20的內部延伸存在。
在筒形電極51的與開口部51a相反的一端設置有向外方突出的凸緣51b。絕緣構件52被固定於凸緣51b與腔室20的開口21a的周緣之間，由此氣密地保持腔室20的內部。絕緣構件52只要有絕緣性即可，並不限定於特定的材料，例如可包含聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene，PTFE）等材料。
筒形電極51的開口部51a配置於旋轉台31的與搬送路徑L相向的位置。旋轉台31作為搬送部30來搬送搭載有電子零件10的托盤34並經過與開口部51a對向的位置。此外，筒形電極51的開口部51a的大小大於旋轉台31的徑方向上的托盤34的大小。
如圖3所示，若自平面方向來看，則筒形電極51成為自旋轉台31的半徑方向的中心側朝向外側擴徑的扇形。所謂此處所述的扇形，是指扇子的扇面的部分的形狀。筒形電極51的開口部51a也同樣地為扇形。關於旋轉台31上的托盤34經過與開口部51a對向的位置的速度，在旋轉台31的半徑方向上，越朝向中心側越慢，越朝向外側越快。因此，若開口部51a僅僅為長方形或正方形，則在半徑方向的中心側與外側，電子零件10經過與開口部51a對向的位置的時間產生差。藉由使開口部51a自半徑方向的中心側朝向外側擴徑，可將經過開口部51a的時間設為一定，可均等地進行後述的電漿處理。但是，若經過的時間的差為不引起製品上問題的程度，則也可為長方形或正方形。
如上所述，筒形電極51貫通腔室20的開口21a，一部分露出至腔室20的外部。如圖4所示，所述筒形電極51的露出至腔室20的外部的部分被外殼53覆蓋。藉由外殼53而氣密地保持腔室20的內部的空間。筒形電極51的位於腔室20的內部的部分即側壁的周圍由屏蔽體54覆蓋。
屏蔽體54是與筒形電極51同軸的扇形的角筒，且大於筒形電極51。屏蔽體54連接於腔室20。具體而言，屏蔽體54自腔室20的開口21a的邊緣豎立設置，朝向腔室20的內部而延伸的端部位於與筒形電極51的開口部51a相同的高度。屏蔽體54與腔室20同樣地作為陰極發揮作用，因此可利用電阻少的導電性金屬構件來構成。屏蔽體54也可與腔室20一體地成型，或者也可使用固定金屬零件等而安裝於腔室20。
屏蔽體54是用來使電漿在筒形電極51內穩定地產生而設置。屏蔽體54的各側壁是以與筒形電極51的各側壁介隔規定的間隙而大致平行地延伸的方式設置。若間隙變得過大，則電容變小，或在筒形電極51內所產生的電漿會進入間隙，因此理想的是間隙盡可能小。但是，即便間隙變得過小，筒形電極51與屏蔽體54之間的電容也會變大，因此欠佳。間隙的大小可根據產生電漿所需的電容來適當設定。此外，圖4僅圖示了屏蔽體54及筒形電極51的在半徑方向上延伸的兩個側壁面，但在屏蔽體54及筒形電極51的在圓周方向上延伸的兩個側壁面之間也可設置與半徑方向的側壁面相同大小的間隙。
另外，在筒形電極51連接有製程氣體導入部55。除了配管以外，製程氣體導入部55還具有未圖示的製程氣體G2的氣體供給源、泵、閥等。藉由所述製程氣體導入部55而將製程氣體G2導入至筒形電極51內。如上所述，製程氣體G2可根據處理的目的而適當變更。
在筒形電極51連接有用來施加高頻電壓的RF電源56。在RF電源56的輸出側串聯連接有作為整合電路的整合盒57。RF電源56也連接於腔室20。若由RF電源56施加電壓，則筒形電極51作為陽極發揮作用，腔室20、屏蔽體54及旋轉台31作為陰極發揮作用。整合盒57藉由使輸入側及輸出側的阻抗整合，可使電漿的放電穩定化。此外，腔室20或旋轉台31接地。連接於腔室20的屏蔽體54也接地。RF電源56及製程氣體導入部55均經由設置於外殼53的貫通孔而連接於筒形電極51。
若將作為製程氣體G2的氬氣自製程氣體導入部55導入至筒形電極51內，並由RF電源56對筒形電極51施加高頻電壓，則氬氣被電漿化，從而產生電子、離子及自由基等。
（負載鎖部） 負載鎖部60是在維持真空室21的真空的狀態下，藉由未圖示的搬送單元，自外部將經由載置部35而搭載有未處理的電子零件10的托盤34搬入至真空室21，並將經由載置部35而搭載有處理完的電子零件10的托盤34搬出至真空室21的外部的裝置。所述負載鎖部60可應用周知的結構，因此省略說明。
[控制裝置] 控制裝置70是對成膜裝置100的各部加以控制的裝置。所述控制裝置70例如可由專用的電路或者以規定的程序進行動作的電腦等來構成。即，關於與濺鍍氣體G1及製程氣體G2對於真空室21的導入及排氣相關的控制、電源部6、RF電源56的控制、旋轉台31的旋轉的控制等，其控制內容已程序化，且藉由可編程邏輯控制器（Programmable Logic Controller，PLC）或中央處理器（Central Processing Unit，CPU）等處理裝置來執行，可對應於多種多樣的成膜樣式。
作為具體控制內容，可列舉：成膜裝置100的初始排氣壓力、濺鍍源4的選擇、對於靶材41及筒形電極51的施加電力、濺鍍氣體G1及製程氣體G2的流量、種類、導入時間及排氣時間、成膜時間、馬達32的旋轉速度等。
參照假想的功能方塊圖即圖7，對用來以所述方式執行各部的動作的控制裝置70的構成進行說明。即，控制裝置70包括：機構控制部71、電源控制部72、存儲部73、設定部74、輸入輸出控制部75。
機構控制部71是控制排氣部23、氣體供給部25、製程氣體導入部55、搬送部30的馬達32、負載鎖部60等的驅動源、閥、開關、電源等的處理部。電源控制部72是控制電源部6、RF電源56的處理部。
控制裝置70以在任一種成膜材料的成膜處理部進行成膜的期間，其他成膜材料的成膜處理部不進行成膜的方式選擇性控制成膜處理部40。即，電源控制部72在對成膜處理部40A的靶材41施加電壓來進行成膜的期間，不進行對成膜處理部40B的靶材41的電壓的施加。另外，在對成膜處理部40B的靶材41施加電壓進行成膜的期間，不進行對成膜處理部40A的靶材41的電壓的施加。
存儲部73是存儲本實施方式的控制中所需的信息的構成部。設定部74是將自外部輸入的信息設定於存儲部73的處理部。輸入輸出控制部75是控制與成為控制對象的各部之間的信號的轉換或輸入輸出的接口（interface）。
進而，在控制裝置70連接有輸入裝置76、輸出裝置77。輸入裝置76是用來使操作員經由控制裝置70來操作成膜裝置100的開關、觸控螢幕、鍵盤、鼠標等輸入單元。例如，可藉由輸入單元來輸入進行成膜的濺鍍源4的選擇。
輸出裝置77是使用來確認裝置的狀態的信息呈操作員可視認的狀態的顯示器、燈、儀錶（meter）等輸出單元。例如，可將與正在進行成膜的濺鍍源4對應的成膜部位M1、成膜部位M2、正在進行表面處理的處理部位M3與未進行成膜或處理的部位加以區別地顯示於輸出裝置77。
[動作] 以下，除了所述圖1～圖7以外，還參照圖8(a)～圖8(c)、圖9(a)～圖9(b)來對如上所述的本實施方式的動作進行說明。此外，雖未進行圖示，但成膜裝置100是藉由輸送機、機械臂等搬送單元來進行經由載置部35而搭載有電子零件10的托盤34的搬入、搬送、搬出。
如圖5、圖8(a)所示，電子零件10空出間隔而呈矩陣狀排列貼附於載置部35中的框架37內的貼附區域S上。此種多個載置部35搭載於托盤34的載置面34a。由此，如圖8(b)所示，密接片38的第2密接面38b密接於載置面34a。此外，如後所述，也可為相對於如貼附於載置面34a的密接片38、藉由塗敷、塗布或加工等而形成於載置面34a的密接片38的設置於載置面34a的密接片38，貼附貼附於框架37的保持片36的非黏著面36b的方式。即，保持片36貼附於設置於托盤34的密接片38等，保持片36與密接片38在載置部35載置於托盤34的過程中進行一體化的構成也包含於載置部35具有保持片36與密接片38的方式中。在為藉由貼附、塗敷、塗布或加工等而形成於載置面34a的密接片38的情況下，密接片38與托盤34的邊界面成為第2密接面38b。
多個托盤34藉由負載鎖部60的搬送單元而依次搬入至腔室20內。旋轉台31使空的保持部33依次移動至自負載鎖部60搬入的搬入部位。保持部33對由搬送單元搬入的托盤34分別單獨地加以保持。如此，如圖2及圖3所示，搭載有成為成膜對象的電子零件10的托盤34全部被載置於旋轉台31上。
參照圖3及圖4對如上所述相對於導入至成膜裝置100的電子零件10的成膜處理進行說明。此外，以下的動作是藉由表面處理部50對電子零件10的表面進行清洗及粗面化後，藉由成膜處理部40A、成膜處理部40B而在電子零件10的表面形成電磁波屏蔽膜13的一例。電磁波屏蔽膜13是藉由交替地積層SUS層、Cu層而形成。直接形成於電子零件10的SUS層成為提高與模製樹脂、Cu的密接度的基底。中間的Cu層是具有遮蔽電磁波的功能的層。最上層的SUS層是防止Cu鏽等的保護層。
首先，排氣部23藉由對真空室21進行排氣來減壓而形成為真空。旋轉台31旋轉並達到規定的旋轉速度。電子零件10在處理單元5中，經過與筒形電極51的開口部51a對向的位置。處理單元5中，將作為製程氣體G2的氬氣自製程氣體導入部55導入至筒形電極51，並由RF電源56對筒形電極51施加高頻電壓。藉由施加高頻電壓，氬氣被電漿化，從而產生電子、離子及自由基等。電漿自作為陽極的筒形電極51的開口部51a流至作為陰極的旋轉台31。藉由電漿中的離子碰撞經過開口部51a下的電子零件10的表面，從而表面被清洗及粗面化。並且，在表面處理部50的表面處理時間經過後，停止表面處理部50。即，停止來自製程氣體導入部55的製程氣體G2的供給、利用RF電源56的電壓的施加。
其次，成膜處理部40A的氣體供給部25將濺鍍氣體G1供給至靶材41的周圍。所述狀態下，保持部33所保持的電子零件10以畫圓的軌跡在搬送路徑L上移動，並經過與濺鍍源4對向的位置。
其次，僅在成膜處理部40A，電源部6對靶材41施加電力。由此，濺鍍氣體G1電漿化。在濺鍍源4，藉由電漿而產生的離子與靶材41碰撞而射出成膜材料的粒子。因此，在經過成膜處理部40A的成膜部位M1的電子零件10的表面，在每次所述經過時，成膜材料的粒子堆積而生成膜。此處，形成SUS層。此時，雖然電子零件10經過成膜處理部40B的成膜部位M2，但成膜處理部40B未對靶材41施加電力，因此不進行成膜處理，電子零件10未被加熱。另外，在成膜部位M1、成膜部位M2以外的區域，電子零件10也未被加熱。如此，在未被加熱的區域，電子零件10放出熱。
在成膜處理部40A的成膜時間經過後，停止成膜處理部40A。即，停止電源部6對靶材41的電力施加。並且，成膜處理部40B的電源部6對靶材41施加電力。由此，濺鍍氣體G1電漿化。在濺鍍源4，藉由電漿而產生的離子與靶材41碰撞而射出成膜材料的粒子。因此，在經過成膜處理部40B的成膜部位M2的電子零件10的表面，在每次所述經過時，成膜材料的粒子堆積而生成膜。此處，形成Cu層。所述層成為電磁波屏蔽膜13的層的一部分。此時，雖然電子零件10經過成膜處理部40A的成膜部位M1，但成膜處理部40A未對靶材41施加電力，因此不進行成膜處理，電子零件10未被加熱。另外，在成膜部位M1、成膜部位M2以外的區域，電子零件10也未被加熱。如此，在未被加熱的區域，電子零件10放出熱。
在成膜處理部40B的成膜時間經過後，停止成膜處理部40B。即，停止電源部6對靶材41的電力施加。並且，成膜處理部40A的電源部6對靶材41施加電力。由此，濺鍍氣體G1電漿化。在濺鍍源4，藉由電漿而產生的離子與靶材41碰撞而射出成膜材料的粒子。因此，在經過成膜處理部40A的成膜部位M1的電子零件10的表面，在每次所述經過時，成膜材料的粒子堆積而生成膜。此處，形成SUS層。此時，雖然電子零件10經過成膜處理部40B的成膜部位M2，但成膜處理部40B未對靶材41施加電力，因此不進行成膜處理，電子零件10未被加熱。另外，在成膜部位M1、成膜部位M2以外的區域，電子零件10也未被加熱。如此，在未被加熱的區域，電子零件10放出熱。
在成膜處理部40A的成膜時間經過後，停止成膜處理部40A。即，停止電源部6對靶材41的電力施加。如此，藉由反復進行成膜處理部40A、成膜處理部40B的成膜，從而形成積層有SUS膜、Cu膜、SUS膜的膜。此外，進而，藉由反復進行相同的成膜，也可形成多於三層的膜。由此，根據圖9(a)所示的狀態，如圖9(b)所示，在電子零件10的封裝體12的頂面及側面形成電磁波屏蔽膜13。
在如上所述的成膜處理的期間，旋轉台31繼續旋轉並持續循環搬送搭載有電子零件10的托盤34。並且，成膜處理結束後，搭載有電子零件10的托盤34藉由旋轉台31的旋轉而依次定位於負載鎖部60，並藉由搬送單元而搬出至外部。如圖8(c)所示，載置部35藉由保持片36自密接片38剝落而自所搬出的托盤34剝落。即，密接片38自載置部35分離。如此，殘留於托盤34的密接片38可直接進行再利用。即，其次，藉由使搭載有要處理的電子零件10的保持片36的非黏著面36b密接於托盤34上的密接片38的第1密接面38a而將托盤34搬入至真空室21內，從而可與所述同樣地進行成膜處理。即便為此種方式，也藉由將保持片36貼附於密接片38，而構成包含密接片38的載置部35，並構成具有載置部35的成膜裝置100。也可在多次使用中，在密接片38的黏著力降低後，將密接片38自托盤34剝下，並將包含新的密接片38的載置部35載置於托盤34。密接片38的可使用的次數可預先藉由實驗等來設定。在替換密接片38時，僅更新密接片38，關於保持片36及框架37，可再利用兩者，也可僅再利用任一者而將另一者更新，還可使用兩者均為新者。此外，可在剝下保持片36後，不再利用密接片38而將密接片38自托盤34剝下，而設為一次性。即，可每次將殘留於托盤34的密接片38剝下而廢棄，並將包含密接片38的載置部35載置於托盤34。
[進行電子零件的加熱的原因] 如上所述，電子零件10可在未被加熱的區域放出熱。所述熱的放出主要是藉由熱經由載置部35而傳導至托盤34來進行。但是，如本實施方式，在不具有密接片38的情況下，產生以下的問題。
（1）在載置部35的保持片36的底面無黏著性的情況下 在載置部35的保持片36的上表面設置有貼附電子零件10的黏著面36a，但保持片36的底面不具有黏著性。因此，若僅僅將載置部35載置於托盤34的載置面34a，則在保持片36的底面與載置面34a之間產生間隙。即，在保持片36的表面與載置面34a的表面具有微細的凹凸，因此所接觸的面積會成為整體的10%左右。未接觸的空間為真空，因此不存在熱傳導。因此，電子零件10的熱難以傳遞至托盤34。
（2）在載置部35的保持片36的底面具有黏著性的情況下 為了處理所述（1）的問題，考慮使保持片36的底面持有黏著性。如此，可使載置部35密接於托盤34的載置面34a，保持片36的底面與載置面34a之間的間隙大幅減少，因此熱傳導性提高。但是，所述情況下，在成膜處理後，需要將載置部35的保持片36的底面自托盤34的載置面34a剝離的步驟。在將載置部35自載置面34a剝離時，難以使力均勻地傳遞至所黏著的面，因此局部施加剝離力而有框架37、保持片36產生應變的可能性。如此，若框架37或保持片36產生應變，則電子零件10的配置面的平坦度消失，或在電子零件10的配置間隔產生偏差，因此對以後的拾取等步驟造成阻礙。
另外，在將電子零件10自保持片36拾取時，藉由銷一個一個自保持片36的底面向上推而剝下，因此若底面具有黏著性，則黏著劑附著於銷而導致銷的接觸位置、接觸面積發生變化，由此無法進行正確的拾取。進而，在將所接觸的銷自保持片36剝離時，保持片36在附著於銷的狀態下被拉伸，其後，若黏著劑的黏著力負於保持片36的張力而剝離，由此導致被彈開，則有對電子零件10帶來位置偏移或剝離等影響的可能性。
[提高電子零件的放熱的理由] 本實施方式中，載置部35的保持片36的黏著面36a的相反側的面為不具有黏著性的非黏著面36b。然而，使所述保持片36介隔密接片38而密接於托盤34的載置面34a。因此，電子零件10的熱經由保持片36、密接片38而傳遞至托盤34。因此，電子零件10的加熱得到抑制。
另外，第1密接面38a與非黏著面36b的接著力小於第2密接面38b與載置面34a的接著力。因此，在使保持片36自托盤34脫離時，在第2密接面38b密接於載置面34a的狀態下，保持片36容易自第1密接面38a剝離。因此，框架37、保持片36難以產生應變。保持片36的與黏著面36a相反的一側為非黏著面36b，因此在拾取電子零件10時，也不產生保持片36附著於銷的問題。
[作用效果] 本實施方式包括：腔室20，其為供濺鍍氣體G1導入的容器；搬送部30，設置於腔室20內，循環搬送電子零件10；成膜處理部40，具有藉由濺鍍而使成膜材料堆積於由搬送部30循環搬送的電子零件10來進行成膜的濺鍍源4，並且藉由濺鍍源4而成膜於電子零件10；托盤34，由搬送部30搬送，具有載置面34a；及載置部35，載置於載置面34a，用來搭載電子零件10。
載置部35包括：保持片36，一面具備具有黏著性的黏著面36a，另一面具備不具有黏著性的非黏著面36b；及密接片38，一面具備密接於非黏著面36b的具有黏著性的第1密接面38a，另一面具備密接於托盤34的載置面34a的具有黏著性的第2密接面38b，黏著面36a具有用來貼附電子零件10的貼附區域S，第1密接面38a至少遍及與貼附區域S對應的非黏著面36b的區域的整體而密接。
因此，來自電子零件10的熱經由保持片36及密接片38而傳遞至托盤34，從而效率良好地放熱，因此可不使裝置構成複雜化、大型化而抑制電子零件10的加熱。另外，無須使用用來進行冷卻的電力，從而維護也變得容易。
在保持片36的黏著面36a貼附有對貼附區域S的外緣的一部分或全部進行規定的框架37，第1密接面38a除了與貼附區域S對應的非黏著面36b的區域的整體以外，還進而密接於與框架37對應的非黏著面36b的區域。
因此，來自框架37的熱也經由保持片36及密接片38而傳遞至托盤34，從而效率良好地放熱。與保持片36相比，框架37為硬質，因此在將保持片36自密接片38剝離時，框架37所包圍的貼附區域S穩定，可抑制對於電子零件10的影響。但是，在成膜處理等時，框架37也與電子零件10同樣地被加熱。本實施方式中，關於框架37，也可獲得密接片38的冷卻效果。
另外，若將第1密接面38a與非黏著面36b的接著力設為Fa、將第2密接面38b與載置面34a的接著力設為Fb，則為Fa＜Fb。更優選為：由第1密接面38a相對於非黏著面36b的剝離阻力小於第2密接面38b相對於載置面34a的剝離阻力的材質形成。
因此，在將密接片38自載置部35分離時，密接片38殘留於托盤34側，且容易剝離保持片36。可以輕微的力將保持片36自密接片38剝離，因此可抑制保持片36的變形。
另外，密接片38的熱傳導率為0.1 W/（m×K）以上。由此，可促進電子零件10的放熱，並可防止加熱。
[試驗結果] 以下對使用本實施方式的成膜裝置與比較例的成膜裝置，以如上所述的順序實際實施成膜處理的動作並測定溫度而得的試驗結果進行說明。但是，在載置部未載置電子零件。關於溫度，當作膜的溫度≒電子零件的溫度，以熱電偶對保持片的溫度進行測定。電磁波屏蔽膜的各層的成膜條件如表1所示。此外，Ar轟擊也稱為離子轟擊，且為利用Ar的清洗、粗面化處理，相當於所述表面處理。 表1
（比較例） 比較例中，使用PET膜作為保持片，不使用密接片而進行成膜。將所述結果示於圖10中。所述試驗中，藉由表面處理而上升至50℃左右，在基底層的SUS的成膜中上升至80℃左右，進而在Cu的成膜中上升至145℃左右。其後的保護層SUS的成膜中下降至110℃左右。
關於通常的半導體封裝體，若超過150℃，則構成封裝體的樹脂容易破壞。因此，加熱至接近150℃的145℃左右的情況欠佳。尤其，若超過100℃，則有自保持片與密接片產生水分或接著劑的氣體放出、阻力值上升等使膜質劣化的可能性。因此，在為此種成膜裝置的情況下，優選為具有冷卻機構。
（實施例） 實施例中，使用PET膜作為保持片，並使用PET膜作為密接片來進行成膜。將所述結果示於圖11中。所述試驗中，在表面處理中，上升停留於35℃左右，在基底層的SUS的成膜中僅上升至40℃左右，進而在Cu的成膜中僅上升至60℃左右。其後的保護層的SUS的成膜中，下降至50℃左右。如此，可知本發明中，可大幅抑制溫度上升。此外，圖10、圖11中，因混入了雜訊的關係，有測定值在微細的時間間隔中上下變動的部位，但整體的傾向不發生改變。
[其他實施方式] 本發明並不限定於所述實施方式，也包括如下方式。 （1）所述實施方式中，將保持片36、密接片38設為平坦，但其是指平板狀，並不限定於其表面為平滑。保持片36的黏著面36a、密接片38的第1密接面38a、第2密接面38b是具有黏著性的面，因此存在微細的凹凸。進而，也可將密接片38的第1密接面38a、第2密接面38b設為具有槽的形狀。例如，在第1密接面38a及第2密接面38b的一者或兩者形成與外部連通的槽。槽優選為小至不妨礙冷卻效果的程度。藉由設置此種槽，而有如下效果：在將保持片36與密接片38貼合時，即便在密接面形成氣泡，氣泡也容易自槽脫出。另外，所述情況下，密接片38的由槽所劃分的形狀可設為四邊形等多邊形狀，也可設為圓形、橢圓形等閉合曲線形狀。進而，托盤34的載置面34a也並不限定於平坦面。也可預先形成載置面34a與密接片38的第2密接面38b分別彼此吻合的凹凸，而實現由表面積的擴大所帶來的熱傳導性的提高。
（2）關於成膜材料，可應用可藉由濺鍍而成膜的各種材料。例如，作為電磁波屏蔽膜，也可使用Al、Ag、Ti、Nb、Pd、Pt、Zr等。進而，作為磁體，可使用Ni、Fe、Cr、Co等。進而，另外，作為基底的密接層，可使用SUS、Ni、Ti、V、Ta等，作為最表層的保護層，可使用SUS、Au等。
（3）封裝體12的方式例如可應用球柵陣列（Ball Grid Array，BGA）、柵格陣列（Land Grid Array，LGA）、小外形封裝（Small Outline Package，SOP）、四面扁平封裝（Quad Flat Package，QFP）、晶圓級封裝（Wafer Level Package，WLP）等目前或將來可利用的所有方式。即便設為進行電子零件10與外部的電性連接的端子，例如也考慮設置於底面的BGA等半球狀者或LGA等平面狀者、設置於側面的SOP、QFP的細板狀者等，但可應用目前或將來可利用的所有端子，且也不追究其形成位置。另外，密封於電子零件10的內部的元件11可為單個，也可為多個。
（4）成膜部位的靶材的數量並不限定於兩個。可將靶材設為一個，也可設為三個以上。另外，成膜部位可設為兩個以下，也可設為四個以上。
（5）由搬送部同時搬送的托盤、電子零件的數量、對其加以保持的保持部的數量至少為一個即可，並不限定於所述實施方式中例示的數量。即，可為一個電子零件循環而反復進行成膜的方式，也可為兩個以上的電子零件循環而反復進行成膜的方式。
（6）藉由蝕刻或灰化的清洗或表面處理也可在獨立於具有成膜部位的腔室的腔室進行。此外，在進行氧化處理或後氧化處理的情況下，可使用氧作為製程氣體G2。在進行氮化處理的情況下，可使用氮氣作為製程氣體G2。
（7）所述實施方式中，設為旋轉台31在水平面內進行旋轉的一例。但是，搬送部的旋轉面的朝向並不限定於特定的方向。例如，也可設為在垂直面內進行旋轉的旋轉面。進而，搬送部所具有的搬送單元並不限定於旋轉台。例如，也可設為具有保持工件的保持部的圓筒形狀的構件以軸為中心進行旋轉的旋轉體。另外，循環搬送的軌跡並不限定於圓周。廣泛包括利用無端狀的搬送路徑來進行循環搬送的方式。例如，可為矩形或橢圓，也可包含屈曲或彎曲的路徑。搬送路徑例如也可藉由輸送機等來構成。
進而，本發明為如下成膜裝置100，所述成膜裝置100包括：腔室20，其為供濺鍍氣體G1導入的容器；成膜處理部40，設置於腔室20內，具有藉由濺鍍而使成膜材料堆積來進行成膜的濺鍍源4，並且藉由濺鍍源4而成膜於電子零件10；托盤34，設置於成膜處理部40的處理區域，具有載置面34a；及載置部35，載置於載置面34a，用來搭載電子零件10，且只要具有如上所述的載置部35即可。因此，也可為不循環搬送電子零件10而以靜止的狀態進行成膜的成膜裝置。也可將經由載置部35而搭載有電子零件10的托盤34搬入，並設置於處理區域，不使相對於靶材41的相對位置發生變化而進行濺鍍。
（8）所述實施方式中，設為使成膜材料獨立地選擇性堆積來進行成膜。但是，本發明並不限定於此，只要可藉由使成膜材料選擇性堆積而形成包含多個成膜材料的層的膜即可。因此，也可同時堆積兩種以上的成膜材料。例如，有時利用Co、Zr、Nb的合金來形成電磁波屏蔽膜。在此種情況下，可同時選擇多個成膜處理部中，將Co作為成膜材料的成膜處理部、將Zr作為成膜材料的成膜處理部及將Nb作為成膜材料的成膜處理部來進行成膜。
並且，所述情況下，可以圓周的軌跡中，在成膜中的成膜部位以外的部分經過的軌跡比這些的成膜中在成膜部位經過的軌跡更長的方式，來選擇用於成膜的成膜處理部、或者設定對成膜處理部加以劃分的劃分部的配置。
即，在選擇多個一種或多種成膜處理部來進行成膜、或者選擇單一的成膜處理部來進行成膜的任一情況下，均可以圓周的軌跡中，在成膜中的成膜部位以外的部分經過的軌跡比成膜中在成膜部位經過的軌跡更長的方式，來選擇用於成膜的成膜處理部、或者設定對成膜處理部加以劃分的劃分部的配置。
（9）以上已對本發明的實施方式及各部的變形例進行了說明，但所述實施方式或各部的變形例僅作為一例而提出，並不意圖限定發明的範圍。上文所述的這些新穎的實施方式能以其他各種方式實施，在不脫離發明的主旨的範圍內可進行各種省略、替換、變更。這些實施方式及其變形包含於發明的範圍或主旨內，並且包含於申請專利範圍所記載的發明內。
10‧‧‧電子零件
11‧‧‧元件
12‧‧‧封裝體
12a‧‧‧頂面
12b‧‧‧側面
13‧‧‧電磁波屏蔽膜
14‧‧‧基板
100‧‧‧成膜裝置
20‧‧‧腔室
20a‧‧‧頂板
20b‧‧‧內底面
20c‧‧‧內周面
21‧‧‧真空室
21a‧‧‧開口
22‧‧‧排氣口
23‧‧‧排氣部
24‧‧‧導入口
25‧‧‧氣體供給部
30‧‧‧搬送部
31‧‧‧旋轉台
32‧‧‧馬達
33‧‧‧保持部
34‧‧‧托盤
34a‧‧‧載置面
34b‧‧‧周壁部
35‧‧‧載置部
36‧‧‧保持片
36a‧‧‧黏著面
36b‧‧‧非黏著面
37‧‧‧框架
37a‧‧‧貫通孔
38‧‧‧密接片
38a‧‧‧第1密接面
38b‧‧‧第2密接面
40、40A、40B‧‧‧成膜處理部
4‧‧‧濺鍍源
41、41A、41B‧‧‧靶材
42‧‧‧背板
43‧‧‧電極
44‧‧‧劃分部
44a、44b‧‧‧壁板
5‧‧‧處理單元
50‧‧‧表面處理部
51‧‧‧筒形電極
51a‧‧‧開口部
51b‧‧‧凸緣
52‧‧‧絕緣構件
53‧‧‧外殼
54‧‧‧屏蔽體
55‧‧‧製程氣體導入部
56‧‧‧RF電源
57‧‧‧整合盒
6‧‧‧電源部
60‧‧‧負載鎖部
70‧‧‧控制裝置
71‧‧‧機構控制部
72‧‧‧電源控制部
73‧‧‧存儲部
74‧‧‧設定部
75‧‧‧輸入輸出控制部
76‧‧‧輸入裝置
77‧‧‧輸出裝置
E‧‧‧排氣
L‧‧‧搬送路徑
M、M1、M2‧‧‧成膜部位
M3‧‧‧處理部位
G‧‧‧反應氣體
G1‧‧‧濺鍍氣體
G2‧‧‧製程氣體
S‧‧‧貼附區域
A-A‧‧‧示意縱剖面方向
圖1是表示實施方式的電子零件的示意剖面圖。 圖2是實施方式的成膜裝置的透視立體圖。 圖3是實施方式的成膜裝置的透視平面圖。 圖4是圖3的A-A示意縱剖面圖。 圖5是表示配置有電子零件的托盤的立體圖。 圖6是表示載置部的構成的分解立體圖。 圖7是表示實施方式的控制裝置的方塊圖。 圖8(a)～圖8(c)是表示載置部對於托盤的載置與密接片的分離的說明圖。 圖9(a)～圖9(b)是表示對於電子零件的成膜的說明圖。 圖10是表示比較例的隨著時間的經過的溫度變化的圖表。 圖11是表示實施例的隨著時間的經過的溫度變化的圖表。

Claims (6)

  1. 一種成膜裝置，其特徵在於包括：腔室，其為供濺鍍氣體導入的容器；成膜處理部，設置於所述腔室內，具有藉由濺鍍而使成膜材料堆積來進行成膜的濺鍍源，並且藉由所述濺鍍源而成膜於電子零件；托盤，設置於所述成膜處理部的處理區域，具有載置面；及載置部，載置於所述載置面，用來搭載所述電子零件，所述載置部包括：保持片，一面具備具有黏著性的黏著面，另一面具備不具有黏著性的非黏著面；及密接片，一面具備密接於所述非黏著面的具有黏著性的第1密接面，另一面具備密接於所述托盤的載置面的具有黏著性的第2密接面，所述黏著面具有用來貼附所述電子零件的貼附區域，所述第1密接面至少遍及與所述貼附區域對應的非黏著面的區域的整體而密接。
  2. 一種成膜裝置，其特徵在於包括：腔室，其為供濺鍍氣體導入的容器；搬送部，設置於所述腔室內，循環搬送電子零件；成膜處理部，具有藉由濺鍍而使成膜材料堆積於由所述搬送部循環搬送的所述電子零件來進行成膜的濺鍍源，並且藉由所述濺鍍源而成膜於電子零件；托盤，由所述搬送部搬送，具有載置面；及載置部，載置於所述載置面，用來搭載所述電子零件，所述載置部包括：保持片，一面具備具有黏著性的黏著面，另一面具備不具有黏著性的非黏著面；及密接片，一面具備密接於所述非黏著面的具有黏著性的第1密接面，另一面具備密接於所述托盤的載置面的具有黏著性的第2密接面，所述黏著面具有用來貼附所述電子零件的貼附區域，所述第1密接面至少遍及與所述貼附區域對應的非黏著面的區域的整體而密接。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的成膜裝置，其中，在所述保持片的黏著面貼附有對所述貼附區域的外緣的一部分或全部進行規定的框架，所述第1密接面除了與所述貼附區域對應的非黏著面的區域的整體以外，還進而密接於與所述框架對應的非黏著面的區域。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的成膜裝置，其中，若將所述第1密接面與所述非黏著面的接著力設為Fa、將所述第2密接面與所述載置面的接著力設為Fb，則為Fa<Fb。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的成膜裝置，其中，所述密接片是由所述第1密接面相對於所述非黏著面的剝離阻力小於所述第2密接面相對於所述載置面的剝離阻力的材質形成。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的成膜裝置，其中，所述密接片的熱傳導率為0.1W/(m．K)以上。
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