TWI643970B - Film forming apparatus, method of manufacturing film-forming product, and method of manufacturing electronic component - Google Patents

Abstract

本發明提供一種即便不使用冷卻單元也可抑制電子零件的溫度上升並進行微米級的成膜的成膜裝置、成膜製品的製造方法及電子零件的製造方法。包括：腔室，其為供濺射氣體導入的容器；搬送部，設置在腔室內，以圓周的軌跡循環搬送工件；以及成膜處理部，具有通過濺射而使成膜材料堆積於由搬送部循環搬送的工件來進行成膜的濺射源，並且具有對利用濺射源使工件成膜的成膜部位加以劃分的劃分部。劃分部是為了對各成膜處理部加以劃分而配置，以使得圓周的軌跡中，在成膜中的成膜部位以外的區域經過的軌跡比在成膜中的成膜部位經過的軌跡更長。

Description

成膜裝置、成膜製品的製造方法及電子零件的製造方法

本發明涉及一種成膜裝置、成膜製品的製造方法及電子零件的製造方法。

以移動電話為代表的無線通信設備中，搭載有許多作為電子零件的半導體裝置。為了防止對通信特性的影響，半導體裝置謀求抑制電磁波向外部的洩露等電磁波對內外的影響。因此，一直使用具有對電磁波的屏蔽功能的半導體裝置。

一般而言，半導體基板是通過在作為用於對安裝基板進行中轉的基板的中介層（interposer）基板上搭載半導體晶片，並利用樹脂將所述半導體晶片密封而形成。開發有一種通過在所述密封樹脂的上表面及側面設置導電性的屏蔽膜而賦予屏蔽功能的半導體裝置（參照專利文獻1）。將所述屏蔽膜稱為電磁波屏蔽膜。

作為電磁波屏蔽膜，例如可使用銅（Cu）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、金（Au）、銀（Ag）、鈀（Pd）、鉑（Pt）、鐵（Fe）、鉻（Cr）、不銹鋼（SUS）、鈷（Co）、鋯（Zr）、鈮（Nb）等金屬材料。並且，電磁波屏蔽膜有時會被製成使用所述金屬材料的任意多種材料的層疊膜。例如，已知有在形成有SUS膜的基礎上形成Cu膜，進而在其上形成SUS膜的層疊結構的電磁波屏蔽膜。

關於電磁波屏蔽膜，為了獲得充分的屏蔽效果，需要降低電阻率。因此，對電磁波屏蔽膜要求某種程度的厚度。關於半導體裝置，一般而言，若為1 μm～10 μm左右的膜厚，則可獲得良好的屏蔽特性。就所述SUS、Cu、SUS的層疊結構的電磁波屏蔽膜而言，已知若為1 μm～5 μm左右的膜厚，則可獲得良好的屏蔽效果。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2013/035819號公報

[發明所欲解決的課題] 作為電磁波屏蔽膜的形成方法，已知有鍍敷法。但是，鍍敷法需要前處理步驟、鍍敷處理步驟、及水洗之類的後處理步驟等濕式步驟，因此不可避免半導體裝置的製造成本的上升。

因此，作為乾式步驟的濺射法受到矚目。作為利用濺射法的成膜裝置，提出有使用電漿進行成膜的電漿處理裝置。電漿處理裝置將惰性氣體導入配置有靶材的真空容器，施加直流電壓。使經電漿化的惰性氣體的離子與成膜材料的靶材碰撞，並使自靶材趕出的材料堆積於工件來進行成膜。

一般的電漿處理裝置被用於能夠在幾十秒至幾分鐘的處理時間內形成的厚度為10 nm～數100 nm的膜的形成中。但是，如上所述，作為電磁波屏蔽膜，需要形成微米級厚度的膜。由於濺射法是使成膜材料的粒子堆積於成膜對象物上來形成膜的技術，因此所形成的膜越厚，膜的形成所需的時間越長。

因此，為了形成電磁波屏蔽膜，需要比一般的濺射法更長的幾十分鐘至一小時左右的處理時間。例如，就SUS、Cu、SUS的層疊結構的電磁波屏蔽膜而言，為了獲得5 μm的膜厚，有時需要一小時多的處理時間。

如此，使用電漿的濺射法中，在所述處理時間內，半導體封裝體會一直暴露於電漿的熱中。結果，至獲得厚度5 μm的膜為止，有時會將半導體封裝體加熱至200℃上下。

另一方面，關於半導體封裝體的耐熱溫度，若為幾秒～幾十秒左右的暫時加熱，則為200℃左右，但在加熱超過幾分鐘的情況下，一般為150℃左右。因此，難以使用一般的利用電漿的濺射法來形成微米級的電磁波屏蔽膜。

為了應對所述情況，考慮在電漿處理裝置上設置用來抑制半導體封裝體的溫度上升的冷卻單元。然而，在離子體處理裝置上設置冷卻單元會產生使裝置構成複雜化並且大型化，而且增加維護冷卻機構的工時的問題。

為了解決如上所述的課題，本發明的目的在於實現即便不使用冷卻單元也可抑制電子零件的溫度上升並進行微米級的成膜。

[解決課題的手段] 為了達成所述目的，本發明的成膜裝置的特徵在於包括：腔室，其為供濺射氣體導入的容器；搬送部，設置在所述腔室內，以圓周的軌跡循環搬送工件；以及多個成膜處理部，具有通過濺射而使成膜材料堆積於由所述搬送部循環搬送的所述工件來進行成膜的濺射源，並且具有對利用所述濺射源使所述工件成膜的成膜部位加以劃分的劃分部，所述劃分部是為了對各成膜處理部加以劃分而配置，以使得所述圓周的軌跡中，在成膜中的成膜部位以外的區域經過的軌跡比在成膜中的成膜部位經過的軌跡更長。

所述多個成膜處理部可通過使成膜材料選擇性堆積，而形成包含多個成膜材料的層的膜。所述多個成膜處理部具有對應於不同種類的成膜材料的濺射源，通過使成膜材料一種一種地選擇性堆積，而形成包含多種成膜材料的層的膜。

若將所述工件以圓周的軌跡，在濺射成膜中的所述成膜部位經過的時間設為T1、將在未成膜的區域經過的時間設為T2，則可為0.6：10≦T1：T2＜1：1。

所述圓周的軌跡中，在濺射成膜中的所述成膜部位經過的軌跡可對應於圓心角為20°～150°的一部分圓的區域。

形成最厚層的成膜材料的所述成膜部位可比形成其他層的成膜材料的成膜部位更大。所述形成最厚層的成膜材料可為用作電磁波屏蔽的材料。

本發明的成膜製品的製造方法在供濺射氣體導入的腔室內，利用搬送部以圓周的軌跡循環搬送所述工件，利用沿所述圓周的軌跡配置的多個成膜處理部，通過濺射而使成膜材料堆積於所述工件來形成成膜材料的膜，所述成膜製品的製造方法的特徵在於：所述多個成膜處理部中，在任一種成膜材料的所述成膜處理部進行成膜的期間，其他成膜材料的所述成膜處理部不進行成膜，以使得所述圓周的軌跡上，成膜中的成膜處理部以外的部分所占的比例比成膜中的成膜處理部所占的比例更大。

本發明的電子零件的製造方法在供濺射氣體導入的腔室內，利用搬送部以圓周狀的軌跡循環搬送電子零件，利用沿所述圓周的軌跡配置的多個成膜處理部，通過濺射而使成膜材料堆積於所述循環搬送的所述電子零件來形成成膜材料的膜，所述電子零件的製造方法的特徵在於：所述多個成膜處理部中，在用作電磁波屏蔽的材料所對應的所述成膜處理部進行成膜的期間，其他成膜材料的所述成膜處理部不進行成膜，以使得所述圓周的軌跡上，成膜中的成膜處理部以外的部分所占的比例比成膜中的成膜處理部所占的比例更大。

[發明的效果] 本發明可提供一種即便不使用冷卻單元也可抑制電子零件的溫度上升並進行微米級的成膜的成膜裝置、成膜製品的製造方法及電子零件的製造方法。

參照附圖對本發明的實施形態（以下稱為本實施形態）進行具體說明。本實施形態是通過濺射進行成膜的成膜裝置。

[概要] 如圖1所示，成膜裝置100是如下裝置：若旋轉台31旋轉，則保持部33所保持的工件W以圓周的軌跡移動，當經過與濺射源4對向的位置時，自靶材41（參照圖4）濺射的粒子附著，從而進行成膜。

本實施形態的工件W例如是如圖2所示的半導體封裝體。半導體封裝體是在作為用於對安裝基板進行中轉的基板的中介層基板B上搭載半導體晶片IC，並利用樹脂R進行密封的電子零件。T是用於與安裝基板的印刷配線連接的電極。成膜裝置100在樹脂R的上表面及側面形成膜F。所述膜F為導電性的電磁波屏蔽膜。此外，圖2的例子中，在中介層基板B的側面也形成膜F。

[構成] 如圖1、圖3、圖4及圖5所示，成膜裝置100包括：腔室200、搬送部300、成膜處理部400A～成膜處理部400D、負載鎖部600、控制裝置700。

[腔室] 如圖4所示，腔室200是供濺射氣體G導入的容器。濺射氣體G是用來實施濺射的氣體，所述濺射是利用通過施加電力而產生的電漿，使所產生的離子等與工件W碰撞。例如，可將氬氣等惰性氣體用作濺射氣體G。

腔室200的內部空間形成有真空室21。所述真空室21是具有氣密性、可通過減壓而成為真空的空間。例如，如圖1及圖4所示，真空室21是圓柱形狀的密閉空間。

腔室200具有排氣口22、導入口24。排氣口22是用來確保真空室21與外部之間的氣體流通而進行排氣E的開口。所述排氣口22例如形成於腔室200的底部。排氣口22處連接有排氣部23。排氣部23具有配管及未圖示的泵、閥等。通過所述排氣部23的排氣處理，而將真空室21內減壓。

進而，腔室200具有導入口24。導入口24是用來將濺射氣體G導入至真空室21的靶材41附近的開口。所述導入口24處連接有氣體供給部25。對各靶材41各設置有一個氣體供給部25。另外，除了配管以外，氣體供給部25還具有未圖示的濺射氣體G的氣體供給源、泵、閥等。通過所述氣體供給部25而將濺射氣體G自導入口24導入至真空室21內。

[搬送部] 搬送部300設置於腔室200內，是以圓周的軌跡循環搬送工件W的裝置。將如上所述的通過搬送部300而工件W進行移動的軌跡稱為搬送路徑P。循環搬送是指使工件W以圓周的軌跡環繞移動。所述搬送部300具有旋轉台31、馬達32、保持部33。

旋轉台31是圓形的板。馬達32是提供驅動力並使旋轉台31以圓的中心為軸進行旋轉的驅動源。保持部33是保持由搬送部300所搬送的工件W的構成部。工件W可簡單地保持在保持部33，也可經由載置有多個工件W的托盤而保持在保持部33。通過所述保持部33而將工件W定位在旋轉台31上。

多個保持部33以等間隔配設。例如，各保持部33以與旋轉台31的圓周方向的圓的切線平行的朝向來配置，且在圓周方向上等間隔地設置。更具體而言，保持部33是保持工件W或托盤的槽、孔、凸起、夾具、固定器等。還可通過靜電吸盤、機械式吸盤（mechanical chuck）、粘著吸盤，或者通過這些與槽、孔、凸起、夾具、固定器、托盤等的組合來構成保持部33。此外，本實施形態中，設置有6個保持部33，因此，在旋轉台31上以60°的間隔來保持6個工件W或托盤。其中，保持部33可為一個，也可為多個。

[成膜處理部] 成膜處理部400A～成膜處理部400D是對由搬送部300所搬送的工件W進行成膜的處理部。以下，在不對多個成膜處理部400A～成膜處理部400D加以區別的情況下，以成膜處理部400進行說明。如圖4所示，成膜處理部400具有濺射源4、劃分部5、電源部6。

（濺射源） 濺射源4是通過濺射而使成膜材料堆積於工件W來進行成膜的成膜材料的濺射源。濺射源4具有靶材41、背板（backing plate）42、電極43。靶材41由堆積於工件W來形成膜的成膜材料形成，與搬送路徑P隔開而設置於對向的位置。靶材41的底面側與通過搬送部300進行移動的工件W隔開且對向。成膜材料例如可使用Cu、SUS等。其中，若為通過濺射進行成膜的材料，如下文所述，能夠應用各種材料。所述靶材41例如為圓柱形狀。其中也可為橢圓柱形狀、角柱形狀等其他形狀。

背板42是保持靶材41的構件。電極43是用來自腔室200的外部對靶材41施加電力的導電性構件。此外，濺射源4中視需要而適當具備磁鐵、冷卻機構等。

如圖1所示，在腔室200的上蓋，在圓周方向上設置有多個此種濺射源4。此外，圖1的例子中，設置有4個濺射源4。

（劃分部） 劃分部5是對利用濺射源4使工件W成膜的成膜部位M1～成膜部位M4加以劃分構件。以下，在不對多個成膜部位M1～成膜部位M4加以區別的情況下，以成膜部位M進行說明。如圖1所示，劃分部5具有自搬送路徑P的圓周的中心、即搬送部300的旋轉台31的旋轉中心，呈放射狀配設的方形的壁板5a、壁板5b。壁板5a、壁板5b例如在夾隔靶材41的位置設置於真空室21的頂板。劃分部5的下端空出工件W經過的空隙，與旋轉台對向。由於存在所述劃分部5，而可抑制濺射氣體G及成膜材料擴散至真空室21。

成膜部位M是由包含濺射源4的靶材41在內的劃分部5所劃分的空間。更具體而言，如圖3所示，自平面方向來看，成膜部位M是由劃分部5的壁板5a、壁板5b與腔室200的外周壁的內表面26、內周壁的外表面27所包圍的扇形空間。成膜部位M的水平方向的範圍是由一對壁板5a、5b所劃分的區域。

成膜材料以膜的形式堆積於經過成膜部位M中的與靶材41對向的位置的工件W。所述成膜部位M是進行大部分成膜的區域，但即便是超出成膜部位M的區域，也會有來自成膜部位M的成膜材料的洩露，因此並非完全沒有膜的堆積。

另外，通過濺射而成為最高溫的是靶材41的正下方。因此，成膜部位M內的溫度分佈存在偏差，但各成膜部位M可被視為與成膜部位M以外的區域相比，具有有助於工件W的溫度上升的一致性的區域。

（電源部） 電源部6是對靶材41施加電力的構成部。通過利用所述電源部6對靶材41施加電力，而使濺射氣體G電漿化，可使成膜材料堆積於工件W。本實施形態中，電源部6例如為施加高電壓的直流（direct current，DC）電源。此外，在為進行高頻濺射的裝置的情況下，還可設為射頻（radio frequency，RF）電源。旋轉台31與接地的腔室200電位相同，通過對靶材41側施加高電壓而產生電位差。由此，使可動的旋轉台31為負電位，因而避免了與電源部6連接的困難性。

多個成膜處理部400通過使成膜材料選擇性堆積，而形成包含多個成膜材料的層的膜。特別是本實施形態中，具有對應於不同種類的成膜材料的濺射源4，通過使成膜材料一種一種地選擇性堆積，而形成包含多種成膜材料的層的膜。所謂具有對應於不同種類的成膜材料的濺射源4，包括所有的成膜處理部400的成膜材料不同的情況，還包括多個成膜處理部400為共同的成膜材料而其他與此不同的情況。所謂使成膜材料一種一種地選擇性堆積，是指在任一種成膜材料的成膜處理部400進行成膜的期間，其他成膜材料的成膜處理部400不進行成膜。另外，所謂成膜中的成膜處理部400或成膜部位，是指對成膜處理部400的靶材41施加電力，而呈工件W可進行成膜的狀態的成膜處理部400或成膜部位。

本實施形態中，在搬送路徑P的搬送方向上，配設有4個成膜處理部400A～成膜處理部400D。成膜部位M1～成膜部位M4對應於4個成膜處理部400A～成膜處理部400D。這些成膜處理部400A～成膜處理部400D中，3個成膜處理部400A～成膜處理部400C的成膜材料為Cu。即，成膜處理部400A～成膜處理部400C的濺射源4具備包含Cu的濺射源41。另一個成膜處理部400D的成膜材料為SUS。即，成膜處理部400D的濺射源4具備包含SUS的濺射源41。本實施形態中，在成膜處理部400A～成膜處理部400C進行Cu的成膜處理的期間，成膜處理部400D不進行SUS的成膜處理。另外，在成膜處理部400D進行SUS的成膜處理的期間，成膜處理部400A～成膜處理部400C不進行Cu的成膜處理。

另外，以搬送路徑P的圓周的軌跡中，在未成膜的區域經過的軌跡比在成膜中的成膜部位M經過的軌跡更長的方式來設定對各成膜部位M1～成膜部位M4加以劃分的劃分部5的間隔。此外，實施形態中，雖使用「長」、「大」等表達，但搬送路徑P是圓周的軌跡，因此，所謂「長」、「大」是指在有限的區域中所占的比例大。

更具體而言，若將工件W在成膜中的成膜處理部400的成膜部位M經過的時間設為T1、將在成膜中的成膜部位M以外的區域經過的時間設為T2，則以0.6：10≦T1：T2＜1：1的方式來設定成膜部位M的大小。例如，在成膜處理部400A～成膜處理部400C進行Cu膜的成膜處理的期間，若將在成膜部位M1～成膜部位M3經過的合計時間設為T1、將在成膜部位M1～成膜部位M3以外的區域經過的合計時間設為T2，則為0.6：10≦T1：T2＜1：1。

另外，成膜中的成膜部位M對應於圓心角為20°～150°的一部分圓的區域。即，任一種成膜材料的成膜部位M對應於圓心角為20°～150°的一部分圓的區域。例如，如圖6所示，將成膜處理部400A～成膜處理部400C的成膜部位M1～成膜部位M3中的搬送路徑P的圓心角分別設為I、II、III。如此，圓心角I、圓心角II、圓心角III的合計為20°以上且150°以下。此外，各成膜部位M1～成膜部位M4中的各搬送路徑P的圓心角I、圓心角II、圓心角III、圓心角IV分別為20°以上。

（負載鎖部） 負載鎖部600是在維持真空室21的真空的狀態下，通過未圖示的搬送單元，自外部將未處理的工件W或載置有工件W的托盤搬入真空室21，並將處理完的工件W或托盤搬出至真空室21的外部的裝置。所述負載鎖部600可應用周知的結構，因而省略說明。

[控制裝置] 控制裝置700是對成膜裝置100的各部加以控制的裝置。所述控制裝置700例如可由專用的電路或者以規定的程序進行動作的計算機等來構成。即，關於與濺射氣體G及反應氣體G2對真空室21的導入及排氣相關的控制、濺射源4的電源的控制、旋轉台31的旋轉的控制等，其控制內容已程序化，且由可編程邏輯控制器（programmable logic controller，PLC）或中央處理器（central processing unit，CPU）等處理裝置來執行，能夠對應於多種多樣的成膜樣式。

作為具體控制內容，可列舉：初始排氣壓力、濺射源4的選擇、對靶材41的施加電力、濺射氣體G的流量、種類、導入時間及排氣時間、成膜時間等。

參照假想的功能方塊圖即圖5，對用來以所述方式執行各部的動作的控制裝置700的構成進行說明。即，控制裝置700包括：機構控制部70、電源控制部71、存儲部72、設定部73、輸入輸出控制部74。

機構控制部70是控制排氣部23、氣體供給部25、搬送部300的馬達32、負載鎖部600等的驅動源、閥、開關、電源等的處理部。電源控制部71是控制電源部6的處理部。

控制裝置700以在任一種成膜材料的成膜處理部進行成膜的期間，其他成膜材料的成膜處理部不進行成膜的方式選擇性控制成膜處理部400。即，電源控制部71在對成膜處理部400A～成膜處理部400C的靶材41施加電壓來進行成膜的期間，不進行對成膜處理部400D的靶材41的電壓的施加。另外，電源控制部71在對成膜處理部400D的靶材41施加電壓進行成膜的期間，不進行對成膜處理部400A～成膜處理部400C的靶材41的電壓的施加。

存儲部72是存儲本實施形態的控制中所需要的信息的構成部。設定部73是將自外部輸入的信息設定於存儲部72的處理部。輸入輸出控制部74是控制與作為控制對象的各部之間的信號的轉換或輸入輸出的接口（interface）。

進而，控制裝置700處連接有輸入裝置75、輸出裝置76。輸入裝置75是用來使操作員經由控制裝置700來操作成膜裝置100的開關、觸摸屏、鍵盤、鼠標等輸入單元。例如，可通過輸入單元來輸入進行成膜的濺射源4的選擇。

輸出裝置76是使用來確認成膜裝置100的狀態的信息呈操作員能夠視認的狀態的顯示器、燈、儀錶（meter）等輸出單元。例如，可將正在進行成膜的濺射源4所對應的成膜部位M與其他成膜部位M加以區別地顯示於輸出裝置76。

[動作] 以下，參照圖3、圖4及圖6對如上所述的本實施形態的動作進行說明。此外，以下的動作是通過成膜處理部400A～成膜處理部400D，在工件W的表面形成包含密接層、電磁波屏蔽層、保護層這三層的電磁波屏蔽膜的例子。直接形成於工件W的密接層為SUS層，是提高與成型樹脂、Cu的密接度的基底。形成於密接層上的電磁波屏蔽層為Cu層，是具有電磁波屏蔽功能的層。形成於電磁波屏蔽層上的保護層為SUS層，防止Cu鏽等。

首先，如圖3及圖4所示，利用負載鎖部600的搬送單元，將應進行成膜處理的工件W依次搬入腔室200內。旋轉台31使空的保持部33依次移動至自負載鎖部600搬入的搬入部位。保持部33對由搬送單元搬入的工件W或載置有工件W的托盤的分別單獨地加以保持。對於一個保持部33，可供給一個工件W，也可供給多個載置於托盤的工件W。如此，作為成膜對象的工件W被全部載置於旋轉台31上。

排氣部23通過對真空室21進行排氣來減壓，使其一直為真空。成膜處理部400D的氣體供給部25將濺射氣體G供給至靶材41的周圍。旋轉台31旋轉並達到規定的旋轉速度。由此，保持於保持部33的工件W以畫圓的軌跡在搬送路徑P上移動，並經過與濺射源4對向的位置。

其次，僅在成膜處理部400D，電源部6對靶材41施加電壓。由此，濺射氣體G電漿化。在濺射源4，通過電漿而產生的離子與靶材41發生碰撞而射出成膜材料的粒子。因此，成膜材料的粒子堆積於經過成膜處理部400D的成膜部位M4的工件W的表面而生成膜。此處，形成SUS的密接層。此時，雖然工件W經過成膜處理部400A～成膜處理部400C的成膜部位M1～成膜部位M3，但成膜處理部400A～成膜處理部400C未對靶材41施加電力，故不進行成膜處理，工件W未被加熱。另外，在成膜部位M1～成膜部位M4以外的區域，工件W也未被加熱。如此，在未被加熱的區域，工件W放出熱。

在成膜處理部400D的成膜時間經過後，將成膜處理部400D停止。即，停止電源部6對靶材41的電力施加。並且，僅在成膜處理部400A～成膜處理部400C，電源部6對靶材41施加電壓。由此，濺射氣體G電漿化。在濺射源4，通過電漿而產生的離子與靶材41發生碰撞而射出成膜材料的粒子。因此，成膜材料的粒子堆積於經過成膜處理部400A～成膜處理部400C的成膜部位M1～成膜部位M3的工件W的表面而生成膜。此處，形成Cu的電磁波屏蔽層。電磁波屏蔽層需要形成得比密接層及保護層更厚，因此，同時使用3個成膜處理部400A～成膜處理部400C。此時，雖然工件W經過成膜處理部400D的成膜部位M4，但成膜處理部400D未對靶材41施加電力，故不進行成膜處理，工件W未被加熱。另外，在成膜部位M1～成膜部位M4以外的區域，工件W也未被加熱。如此，在未被加熱的區域，工件W放出熱。

在成膜處理部400A～成膜處理部400C的成膜時間經過後，將成膜處理部400A～成膜處理部400C停止。即，停止電源部6對靶材41的電力施加。並且，僅在成膜處理部400D，電源部6對靶材41施加電壓。由此，濺射氣體G電漿化。在濺射源4，通過電漿而產生的離子與靶材41發生碰撞而射出成膜材料的粒子。因此，成膜材料的粒子堆積於經過成膜部位M4的工件W的表面而生成膜。此處，形成SUS的保護層。此時，雖然工件W經過成膜處理部400A～成膜處理部400C的成膜部位M，但成膜處理部400A～成膜處理部400C未對靶材41施加電力，故不進行成膜處理，工件W未被加熱。另外，在成膜部位M1～成膜部位M4以外的區域，工件W也未被加熱。如此，在未被加熱的區域，工件W放出熱。

[作用效果] 本實施形態包括：腔室200，其為供濺射氣體G導入的容器；搬送部300，設置在腔室200內，以圓周的軌跡循環搬送工件W；以及成膜處理部400，具有通過濺射而使成膜材料堆積於由搬送部300循環搬送的工件W來進行成膜的濺射源4，並且具有對利用濺射源4使工件W成膜的成膜部位M加以劃分的劃分部5。

並且，劃分部5是為了對各成膜處理部400加以劃分而配置，以使得圓周的軌跡中，在成膜中的成膜部位M以外的區域經過的軌跡比在成膜中的成膜部位M經過的軌跡更長。

因此，即便當經過成膜中的成膜處理部400的下方時，因電漿的熱而工件W的溫度上升，也可在經過不在成膜中的成膜處理部400下方的搬送路徑P或不存在成膜處理部400的搬送路徑P，並再次到達成膜中的成膜處理部400的下方為止的期間，將熱放出。

由此，與在固定的位置對工件W進行濺射的情況相比，即便不使用冷卻單元，也可防止工件W的溫度因電漿的熱而過度上升，能夠形成比較厚的微米級的膜。其適用於對容易受到熱的影響的半導體封裝體形成微米級的電磁波屏蔽膜。

特別是通過配置所述劃分部5，可確保工件W經過未成膜的區域而進行放熱的時間比經過成膜中的區域而對工件W進行加熱的時間更長，故可防止工件W的溫度上升。

進而，無需設置冷卻單元，故可簡化成膜裝置100的構成，並且可削減冷卻所需的電力消耗。另外，省去定期維護冷卻單元的工時。

多個成膜處理部400具有對應於不同種類的成膜材料的濺射源4，通過使成膜材料一種一種地選擇性堆積，而形成包含多種成膜材料的層的膜。通常的濺射中，在形成多種成膜材料的層的情況下，容易推進工件W的加熱，但本實施形態中，可抑制溫度上升。

若將工件W在成膜中的成膜處理部400的成膜部位M經過的時間設為T1、將在成膜部位M以外的區域經過的時間設為T2，則以0.6：10≦T1：T2＜1：1的方式來設定成膜部位M的大小。因此，可確保不成膜而自工件W放熱的時間比通過成膜而對工件W進行加熱的時間更長，可防止工件W的溫度上升。

所述圓周的軌跡中，在成膜中的成膜部位經過的軌跡對應於圓心角為20°～150°的一部分圓的區域。因此，可確保能夠對工件W成膜的區域，並且抑制通過成膜而對工件W進行加熱的區域的擴大，確保不成膜而進行放熱的區域，故可設為對於防止工件W的溫度上升而言最佳化的構成。

形成最厚層的成膜材料的成膜部位M比形成其他層的成膜材料的成膜部位M更大。因此，可以短時間形成厚的層。此外，此處所謂「大」，考慮如下形態。 （a）使經過最厚層的成膜區域M的工件W的軌跡比經過其他層的成膜區域M的工件W的軌跡更長。 （b）使工件W經過最厚層的成膜區域M的時間比工件W經過其他層的成膜區域M的時間更長。 （c）使在最厚層的成膜區域M經過的軌跡所對應的一部分圓的圓心角比在其他層的成膜區域M經過的軌跡所對應的一部分圓的圓心角更大。

例如，如上所述，比基底的密接層或保護層更厚地形成電磁波屏蔽層。因此，並用兩個以上的電磁波屏蔽層的材料的成膜部位M1～成膜部位M3等，以使得比基底的密接層或保護層的成膜部位M4更大。

[試驗結果] （比較例） 作為比較例，表示並不利用旋轉搬送型，而是利用使固定器上的工件靜止來進行濺射的成膜裝置，進行成膜時的工件的溫度上升的形態。試驗條件如下所示。此外，作為工件，使用當作半導體封裝體的絕緣性樹脂基板。 ·工件：絕緣性樹脂基板 ·靶材：Cu（銅） ·固定器：Al（鋁） ·靶材與工件的距離：36.0 mm ·濺射氣體：Ar 200.9 sccm 0.5 Pa ·直流電力：10.0 kW ·成膜速率：24.4 nm/s

作為試驗結果，將以Cu為靶材，對由Al固定器所支持的基板進行濺射的結果、即膜厚與溫度上升的關係示於圖7的圖表中。進行濺射直至膜厚成為5 μm的結果為：固定器溫度上升至90℃，基板溫度上升至170℃。

對於一般的半導體封裝體而言，若超過150℃，則構成封裝體的樹脂容易破壞。因此，超過150℃地進行加熱欠佳。如此，在此種成膜裝置的情況下，難以繼續進行成膜直至成為5 μm左右的膜厚。因此，必需冷卻機構。

（實施例1） 作為本發明的實施例1，表示一邊利用旋轉台使載置於托盤的工件旋轉，一邊在成膜部位進行濺射成膜的情況下的工件的溫度上升的形態。試驗條件如下所示。此外，作為工件，使用當作半導體封裝體的絕緣性樹脂基板。

·工件：絕緣性樹脂基板 ·靶材：Cu ·固定器：SUS ·靶材與工件的距離：150 mm（相對的狀態） ·旋轉台的轉數…6 rpm ·濺射氣體：Ar 100 sccm 0.7 Pa ·直流電力：2300 W/3000 W（具備兩個濺射源的成膜處理部中，對其中一個濺射源的施加電力與對另一個濺射源的施加電力的值） ·成膜速率：0.8 nm/s ·成膜部位的圓心角的角度：49.5° ·經過Cu的成膜部位的時間T1、經過未進行成膜的區域的時間T2的比 49.5：310.5（≒1.594：10）

作為試驗結果，將在一個Cu的成膜部位中，對旋轉臺上的基板進行7600秒鐘濺射來進行厚度6000 nm的Cu的成膜的結果、即溫度的推移示於圖8的圖表中。

根據所述圖表可知：若在一個Cu的成膜部位中進行濺射，則開始時為25℃的基板在開始後4000秒時，溫度上升至65.0℃左右，但保持大致平穩的狀態而未進一步上升。即，可知溫度上升得到抑制。

此處，若增加用於成膜的成膜部位的數量、即成膜處理部的數量（n），則預想會成倍上升，例如自開始溫度的25℃起，上升40℃×n。即，若用於成膜的成膜處理部的數量為2，則估計溫度上升25℃+40℃×2=105℃，若數量為3個，則估計溫度上升25℃+40℃×3=145℃。如上所述，若考慮半導體封裝體的溫度上升的界限為150℃，如果為圓心角49.5°所對應的成膜部位，則如所述實施形態那樣，即便並用3個，也不會超過150℃，可獲得良好的成膜結果。

若考慮某種程度的裕度，如果將一個成膜部位的圓心角設為大致50.0°，則成膜中的成膜部位的大小的上限即為50.0°×3=150°。另外，就確保工件冷卻的時間的方面而言，成膜部位的大小越小越具有冷卻效果。但是，若考慮成膜效率，如果小於圓心角20°，則難以成膜，因此圓心角20°即為下限。因此，如上所述，優選設為圓心角20°～圓心角150°的範圍。

進而，所述實施形態中，當將工件W在成膜中的成膜處理部400的成膜部位M經過的合計時間設為T1、將在成膜部位M以外的區域經過的合計時間設為T2時，以0.6：10≦T1：T2＜1：1的方式設定成膜部位M的大小。關於以所述方式進行設定的具體的根據，使用圖8的圖表進行說明。圖8是將Cu成膜為6000 nm（=6 μm）的厚度的例子。

首先，半導體封裝體中的電磁波屏蔽膜未必需要將膜厚設為6000 nm。一般而言，根據其用途等，以1000 nm（1 μm）～10000 nm（10 μm）的範圍來設定膜厚。

因此，考慮形成膜厚為最小膜厚1000 nm的Cu膜。此時，成膜所需的時間是形成6000 nm的膜時的7600秒的六分之一，因而為7600秒/6=1267秒≒1300秒。並且，根據圖8的圖表，1300秒下的基板溫度為約60℃，因此作為半導體封裝體的工件W的溫度上升為60℃-25℃=35℃。

工件W的初始溫度為25℃，一個成膜部位的圓心角為49.5°，工件W作為半導體封裝體時的溫度上升的界限為150℃，根據（150℃-25℃）/35℃≒3.6，計算出：若為圓心角為49.5°的成膜部位，則可將3.6部位為一份的區域、即49.5°×3.6=178°≒180°的區域用於成膜。

此處，關於成膜中的成膜處理部400的成膜部位M與其以外的部分的關係，不論是由經過時間來表示的情況還是由圓心角來表示的情況，比率相同。因此，T1：T2的上限優選設定為小於180：180=1：1。

另外，考慮形成最大膜厚10000 nm（10 μm）的Cu膜。此時，成膜所需的時間是形成6000 nm的膜時的10/6倍、即7600秒×10/6=12667秒。考慮到成膜所需的時間超過法定勞動時間8小時（28800秒）則欠佳，因此將其作為上限。

據此，能夠在8小時以內形成膜厚10000 nm的Cu膜的成膜部位的最小圓心角為49.5/（28800秒/12667秒）=21.8°≒20°。即，圓周的軌跡360°中，將20°用作成膜部位的區域，因此，T1：T2的下限優選設定為20：340=0.6：10。

此外，圖8的圖表是形成Cu膜的情況的圖表。其中，在形成如後述的其他金屬（例如SUS、Al、Ni、Fe、Ag、Ti、Cr、Nb、Pd、Pt、V、Ta、Au等）的膜的情況下，若靶材41為金屬，則對靶材41施加的電力也相同。因此，電漿的加熱溫度也與Cu膜相同，通過成膜而上升的工件W的溫度也產生相同的傾向。因此，在為其他金屬的情況下，也宜以0.6：10≦T1：T2＜1：1的方式設定成膜部位M的大小。

（實施例2） 對本發明的實施例2進行說明。本實施例中，圖3所示的M2的部位並非成膜部位，而成為膜處理部位。即，在共同的腔室200內，除了成膜部位以外，還具有進行膜處理的部位。膜處理包括：氮化膜、氧化膜等化合物膜的生成、蝕刻、清洗、粗面化等表面處理。膜處理是指不使用如濺射的情況那樣的靶材41，也稱為逆濺射。在膜處理部位，以圓周的軌跡循環搬送工件，同時，例如在經過通過施加高頻電力來產生電漿的筒形電極的下方時，進行膜處理。

本實施例中的膜處理是Ar轟擊。Ar轟擊也稱為離子轟擊（ion bombardment），通過使由於電漿而離子化的Ar衝撞處理對象表面來進行清洗、粗面化等表面處理。

另外，本實施例中，在圖3所示的M3的成膜部位進行使用SUS作為靶材41的SUS的成膜。更具體而言，在進行Ar轟擊的表面處理後，進行SUS的成膜（第1次），其次進行Cu的成膜，進而進行SUS的成膜（第2次）。

實施例2的成膜條件如下所示。 ·工件：絕緣性樹脂基板 ·靶材：Cu（成膜部位M1） SUS（成膜部位M3） ·固定器：SUS ·靶材與工件的距離：Cu 60 mm（相對的狀態） SUS 60 mm（相對的狀態） ·旋轉台的轉數…Ar轟擊 30 rpm SUS（第1次） 6 rpm Cu 6 rpm SUS（第2次） 6 rpm ·濺射氣體：Ar Ar轟擊 150 sccm SUS（第1次） 120 sccm 0.8 Pa Cu 100 sccm 0.7 Pa SUS（第2次） 120 sccm 0.8 Pa ·對筒形電極的高頻的施加電力：300 W ·對濺射源的直流的施加電力：2300 W/3000 W（SUS（第1次、第2次）、Cu共同、具備兩個濺射源的成膜處理部中，對其中一個濺射源的施加電力與對另一個濺射源的施加電力的值） ·成膜速率：SUS（第1次） 0.73 nm/s Cu 1.40 nm/s SUS（第2次） 0.73 nm/s ·各成膜部位及表面處理部位的圓心角的角度：49.5° ·經過Cu的成膜部位的時間T1、經過未進行成膜的區域的時間T2的比 49.5：310.5（≒1.594：10） ·經過SUS的成膜部位的時間T1、經過未進行成膜的區域的時間T2的比 49.5：310.5（≒1.594：10） ·經過表面處理部位的時間T1、經過未進行表面處理的區域的時間T2的比 49.5：310.5（≒1.594：10）

作為試驗結果，將對旋轉臺上的基板，使用膜處理部位M2進行60秒鐘膜處理、使用成膜部位M3進行280秒鐘設為膜厚200 nm的SUS的第1次成膜、使用成膜部位M1進行3570秒鐘設為膜厚5000 nm的Cu的成膜、使用成膜部位M3進行690秒鐘設為膜厚500 nm的SUS的成膜的結果、即溫度的推移示於圖9的圖表中。

根據所述圖表可知：與實施例1相比，即便在靶材與工件的距離為60 mm的比較近的位置，增加成膜速率來進行濺射，也同樣為：開始時為28℃左右的基板在第1次的SUS的成膜中為40℃左右，在Cu的成膜中為60℃左右，在第2次的SUS的成膜中為55℃左右，並沒有進一步上升。即，從常識來看，認為在拉近靶材與工件的距離的情況下，溫度會進一步上升，但可知本實施例中，溫度上升得到抑制。

作為即便讓靶材靠近來增加成膜速率，上升溫度也為實施例1的上升溫度以下的理由，認為有以下方面：成膜速率上升，相對應地Cu的成膜時間變得比實施例1更短；關於自成膜開始至成膜結束為止所增加的熱量，若膜厚相同則同樣，但若變薄則會減少。即，雖然實施例2的層疊有SUS與Cu的膜厚（5700 nm）近似於實施例1的Cu的膜厚（6000 nm），但變得更薄，因此熱量減少。

（實施例3） 對本發明的實施例3進行說明。本實施例中，與實施例2同樣地，圖3所示的M2的部位並非成膜部位，而成為膜處理部位。本實施例中的膜處理與實施例2同樣地是Ar轟擊。

另外，本實施例中，與實施例2同樣地，在圖3所示的M3的成膜部位進行使用SUS作為靶材41的SUS的成膜。進而，本實施例中，在圖3所示的M1的成膜部位進行Cu的成膜，並且在M4的成膜部位也進行Cu的成膜。更具體而言，在進行Ar轟擊的表面處理後，進行SUS的成膜（第1次），其次在兩處成膜部位M1、M4同時進行Cu的成膜，進而進行SUS的成膜（第2次）。在進行Cu的成膜的兩處成膜部位M1、M4，使所施加的直流電力低於實施例1、實施例2，但兩處成膜部位M1、M4的成膜速率的合計值與實施例2相比增加。

實施例3的成膜條件如下所示。 ·工件：絕緣性樹脂基板 ·靶材：Cu（成膜部位M1、M4） SUS（成膜部位M3） ·固定器：SUS ·靶材與工件的距離：Cu（成膜部位M1、M4）60 mm（相對的狀態） SUS 60 mm（相對的狀態） ·旋轉台的轉數…Ar轟擊 30 rpm SUS（第1次） 6 rpm Cu（成膜部位M1、M4共同）6 rpm SUS（第2次） 6 rpm ·濺射氣體：Ar Ar轟擊 150 sccm SUS（第1次） 120 sccm 0.8 Pa Cu（成膜部位M1、M4共同）100 sccm 0.7 Pa SUS（第2次） 120 sccm 0.8 Pa ·對筒形電極的高頻的施加電力：600 W ·對濺射源的直流的施加電力：SUS 2300 W/3000 W（第1次、第2次共同、具備兩個濺射源的成膜處理部中，對其中一個濺射源的施加電力與對另一個濺射源的施加電力的值） Cu 1800 W/2400 W（成膜部位M1、M4共同、具備兩個濺射源的成膜處理部中，對其中一個濺射源的施加電力與對另一個濺射源的施加電力的值） ·成膜速率：SUS（第1次）0.73 nm/s Cu 2.24 nm/s（成膜部位M1、M4各1.12 nm/s） SUS（第2次）0.73 nm/s ·Cu的成膜部位的圓心角的角度：99.0°（成膜部位M1、M4各49.5°） ·SUS的成膜部位及表面處理部位的圓心角的角度：49.5° ·經過Cu的成膜部位M1、M4的時間T1、經過未進行成膜的區域的時間T2的比 99：261（≒3.793：10） ·經過SUS的成膜部位的時間T1、經過未進行成膜的區域的時間T2的比 49.5：310.5（≒1.594：10） ·經過表面處理部位的時間T1、經過未進行表面處理的區域的時間T2的比 49.5：310.5（≒1.594：10）

作為試驗結果，將對旋轉臺上的基板，使用膜處理部位M2進行60秒鐘膜處理、使用成膜部位M3進行280秒鐘設為膜厚200 nm的SUS的第1次成膜、使用成膜部位M1、M4進行2240秒鐘設為膜厚5000 nm（成膜部位M1、M4各2500 nm）的Cu的成膜、使用成膜部位M3進行690秒鐘設為膜厚500 nm的SUS的成膜的結果、即溫度的推移示於圖10的圖表中。

根據所述圖表可知：與實施例1相比，即便在靶材與工件的距離為60 mm的比較近的位置，增加成膜速率來進行濺射，也同樣為：開始時為28℃左右的基板在第1次的SUS的成膜中為30℃左右，在Cu的成膜中為60℃左右，在第2次的SUS的成膜中為60℃左右，並沒有進一步上升。即，從常識來看，認為在拉近靶材與工件的距離的情況下，溫度會進一步上升，但可知本實施例中，溫度上升得到抑制。

作為即便讓靶材靠近來增加成膜速率，上升溫度也為實施例1的上升溫度以下，且為實施例2的上升溫度左右的理由，認為有以下方面：成膜速率上升，相對應地Cu的成膜時間變得比實施例1更短；關於自成膜開始至成膜結束為止所增加的熱量，若膜厚相同則同樣，但若變薄則會減少。即，雖然實施例3的層疊有SUS與Cu的膜厚（5700 nm）近似於實施例1的Cu的膜厚（6000 nm），但變得更薄，因此熱量減少。

其中，同時在兩處成膜部位進行Cu的成膜，因此，與實施例1、實施例2相比，經過未進行成膜的區域的時間變短。因此，與實施例2相比，溫度梯度大，即單位時間的溫度上升變大，故若進一步延長成膜時間，則有可能上升至100℃左右。

此外，所述實施例2及實施例3中，相對於經過未進行成膜的區域的時間T2，縮短經過處理時間長的成膜部位的時間T1，從而抑制基板的溫度上升。具體而言，實施例2中，將處理時間明顯較長的Cu的成膜部位的圓心角的角度設為49.5°，實施例3中也將Cu的成膜部位的圓心角的角度設為99.0°，由此而推測可充分抑制基板的溫度上升。進而，關於SUS的成膜部位及表面處理部位，也將各自的圓心角的角度設為49.5°，由此而推測可進一步抑制溫度上升。

[其他實施形態] 本發明並不限定於所述實施形態，還包含如下形態。 （1）關於成膜材料，能夠應用可通過濺射來成膜的各種材料。例如，在製作層疊型的電磁波屏蔽膜時，考慮使用如下材料。 電磁波屏蔽層的材料：Cu、Al、Ni、Fe、Ag、Ti、Cr、Nb、Pd、Pt、Co、Zr等 基底的密接層的材料：SUS、Ni、Ti、V、Ta等 最表面的保護層的材料：SUS、Au等

進而，還可將電磁波屏蔽膜中所含的電磁波屏蔽層進一步設為由多種材料形成的層結構。例如，還可將Cu與Ni層疊來形成電磁波屏蔽層。Cu具有阻擋電場的功能，Ni具有阻擋磁場的功能，整體而言可期待薄膜化。所述情況下，還可通過使成膜材料一種一種地選擇性堆積來抑制工件的溫度上升。另外，可使電磁波屏蔽層中所含的各層比單一的成膜材料的情況更薄，故與單一的成膜材料的情況相比，各層的成膜時間變得更短，可抑制工件的溫度上升。

（2）也可通過在成膜部位設置多個靶材來提高成膜速率。此時，各成膜部位的溫度變高，但成膜時間縮短，故結果可獲得與所述相同的效果。

（3）由搬送部同時搬送的工件、托盤的數量、對其加以保持的保持部的數量至少為一個即可，並不限定於所述實施形態中例示的數量。即，可為一個工件循環而反復進行成膜的形態，也可為兩個以上的工件循環而反復進行成膜的形態。

（4）作為成膜對象的工件及電子零件並不限定於半導體封裝體。能夠應用於要求微米級的膜厚、需要抑制溫度上升的各種構件。

（5）如所述實施例2、實施例3所示，可在具有成膜部位的腔室內進行膜處理。其中，也可在與具有成膜部位的腔室不同的腔室進行膜處理。

（6）所述實施形態中，設定為旋轉台31在水平面內進行旋轉的例子。其中，搬送部的旋轉面的朝向並不限定於特定的方向。例如，還可為在垂直面內進行旋轉的旋轉面。進而，搬送部具有的搬送單元並不限定於旋轉台31。例如，也可為具有保持工件的保持部的圓筒形狀的構件以軸為中心進行旋轉的旋轉體。在設置於旋轉體的內壁面的保持部保持工件，在配置於旋轉體的內側的圓筒形狀、圓柱形狀或角柱形狀的支持體的外壁面設置向外與工件對向的多個成膜處理部。或者，在設置於旋轉體的外壁面的保持部保持工件，在配置於旋轉體的外側的圓筒形狀、圓柱形狀或角柱形狀的支持體的內壁面設置向內與工件對向的多個成膜處理部。由此，可對通過旋轉體的旋轉而以圓周的軌跡循環搬送的工件進行成膜處理。

（7）所述實施形態中，設定為使成膜材料一種一種地選擇性堆積來進行成膜。但是，本發明並不限定於此，只要可通過使成膜材料選擇性堆積而形成包含多個成膜材料的層的膜即可。因此，也可同時堆積兩種以上的成膜材料。例如，有時利用Co、Zr、Nb的合金來形成電磁波屏蔽膜。在此種情況下，可同時選擇多個成膜處理部中，將Co作為成膜材料的成膜處理部、將Zr作為成膜材料的成膜處理部及將Nb作為成膜材料的成膜處理部來進行成膜。

並且此時，宜以圓周的軌跡中，在成膜中的成膜部位以外的部分經過的軌跡比這些的成膜中在成膜部位經過的軌跡更長的方式，來選擇用於成膜的成膜處理部、或者設定對成膜處理部加以劃分的劃分部的配置。

即，在選擇多個一種或多種成膜處理部來進行成膜、或者選擇單一的成膜處理部來進行成膜的任一情況下，均宜以圓周的軌跡中，在成膜中的成膜部位以外的部分經過的軌跡比成膜中在成膜部位經過的軌跡更長的方式，來選擇用於成膜的成膜處理部、或者設定對成膜處理部加以劃分的劃分部的配置。

（8）所述實施形態中，由兩個壁板5a、5b構成在圓周方向上對成膜部位加以劃分的劃分部5，在相鄰的成膜部位間處於對向位置的壁板5a與壁板5b之間形成有自旋轉台31的上表面至腔室200的頂板面的空間。但是，本發明並不限定於此，例如，也可在相鄰的成膜部位間處於對向位置的壁板5a與壁板5b之間配置與壁板5a、壁板5b的下端高度相同的遮蔽板。

（9）以上已對本發明的實施形態及各部的變形例進行了說明，但所述實施形態或各部的變形例僅作為一例而提出，並不意圖限定發明的範圍。上文所述的這些新穎的實施形態能以其他各種形態實施，在不脫離發明的主旨的範圍內可進行各種省略、替換、變更。這些實施形態及其變形包含於發明的範圍或主旨內，並且包含於權利要求書所記載的發明內。

100‧‧‧成膜裝置

200‧‧‧腔室

21‧‧‧真空室

22‧‧‧排氣口

23‧‧‧排氣部

24‧‧‧導入口

25‧‧‧氣體供給部

26‧‧‧外周壁的內表面

27‧‧‧內周壁的外表面

300‧‧‧搬送部

31‧‧‧旋轉台

32‧‧‧馬達

33‧‧‧保持部

400、400A～400D‧‧‧成膜處理部

4‧‧‧濺射源

41‧‧‧靶材

42‧‧‧背板

43‧‧‧電極

5‧‧‧劃分部

5a、5b‧‧‧壁板

6‧‧‧電源部

600‧‧‧負載鎖部

700‧‧‧控制裝置

70‧‧‧機構控制部

71‧‧‧電源控制部

72‧‧‧存儲部

73‧‧‧設定部

74‧‧‧輸入輸出控制部

75‧‧‧輸入裝置

76‧‧‧輸出裝置

B‧‧‧中介層基板

IC‧‧‧半導體晶片

E‧‧‧排氣

F‧‧‧膜

G‧‧‧濺射氣體

I、II、III、IV‧‧‧圓心角

M、M1～M4‧‧‧成膜部位

P‧‧‧搬送路徑

R‧‧‧樹脂

T‧‧‧電極

W‧‧‧工件

圖1是實施形態的成膜裝置的透視立體圖。 圖2是表示作為成膜對象的電子零件的示意剖面圖。 圖3是實施形態的成膜裝置的透視平面圖。 圖4是圖3的A-A示意縱剖面圖。 圖5是表示實施形態的控制裝置的方塊圖。 圖6是表示成膜區域的大小的平面圖。 圖7是表示利用靜止型的濺射裝置的工件的溫度變化的圖表。 圖8是表示實施例1的工件的溫度變化的圖表。 圖9是表示實施例2的工件的溫度變化的圖表。 圖10是表示實施例3的工件的溫度變化的圖表。

Claims (9)

1. 一種成膜裝置，其通過濺射在工件上堆積膜厚為1μm上的成膜材料，所述成膜裝置包括：腔室，其為供濺射氣體導入的容器；搬送部，設置在所述腔室內，以圓周的軌跡循環搬送工件；多個成膜處理部，具有通過濺射而使成膜材料堆積於由所述搬送部循環搬送的所述工件來進行成膜的濺射源，並且具有對利用所述濺射源使所述工件成膜的成膜部位加以劃分的劃分部；以及控制裝置，以當多個所述成膜處理部中的任一者以上進行成膜時的期間，其他的所述成膜處理部不進行成膜的方式控制多個所述成膜處理部，所述劃分部是為了對各所述成膜部位加以劃分而配置，以使得所述圓周的軌跡中，在通過所述控制裝置而進行成膜中的所述成膜部位以外的區域經過的軌跡比在所述進行成膜中的所述成膜部位經過的軌跡更長。
2. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中所述多個成膜處理部通過使成膜材料選擇性堆積，而形成包含多個成膜材料的層的膜。
3. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其中所述多個成膜處理部具有對應於不同種類的成膜材料的濺射源，通過使成 膜材料一種一種地選擇性堆積，而形成包含多種成膜材料的層的膜。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的成膜裝置，其中若將所述工件以圓周的軌跡，在所述進行成膜中的所述成膜部位經過的時間設為T1、將在所述進行成膜中的所述成膜部位以外的區域經過的時間設為T2，則為0.6：10≦T1：T2<1：1。
5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的成膜裝置，其中所述圓周的軌跡中，在所述進行成膜中的所述成膜部位經過的軌跡對應於圓心角為20°~150°的一部分圓的區域。
6. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的成膜裝置，其中形成最厚層的成膜材料的所述成膜部位在所述圓周的軌跡上所占的比例大於形成其他層的成膜材料的成膜部位所占的比例。
7. 如申請專利範圍第6項所述的成膜裝置，其中所述形成最厚層的成膜材料為用作電磁波屏蔽的材料。
8. 一種成膜製品的製造方法，在供濺射氣體導入的腔室內，利用搬送部以圓周的軌跡循環搬送所述工件，利用沿所述圓周的軌跡配置的多個成膜處理部，通過濺射而使多種成膜材料堆積於所述工件來形成膜厚為1μm上的成膜材料的膜；所述成膜製品的製造方法的特徵在於：進行至少一種的所述成膜材料的成膜的期間，所述多個成膜處理部中，以使得所述圓周的軌跡上，使用於一種的所述成膜材 料的成膜的成膜處理部以外的部分所占的比例比使用於一種的所述成膜材料的成膜的成膜處理部所占的比例更大的方式選擇使用的成膜處理部，未選擇的成膜處理部不進行成膜。
9. 一種電子零件的製造方法，在供濺射氣體導入的腔室內，利用搬送部以圓周狀的軌跡循環搬送電子零件，利用沿所述圓周的軌跡配置的多個成膜處理部，通過濺射而使含有用作電磁波屏蔽的成膜材料的多種成膜材料堆積於所述循環搬送的所述電子零件來形成膜厚為1μm上的成膜材料的膜；所述電子零件的製造方法的特徵在於：進行所述用作電磁波屏蔽的成膜材料的成膜的期間，所述多個成膜處理部中，以使得所述圓周的軌跡上，使用於所述用作電磁波屏蔽的成膜材料的成膜的成膜處理部以外的部分所占的比例比使用於所述用作電磁波屏蔽的成膜材料的成膜的成膜處理部所占的比例更大的方式選擇使用的成膜處理部，未選擇的成膜處理部不進行成膜。