KR102032307B1 - 성막 장치 - Google Patents

Abstract

간단한 구성으로 전자 부품의 가열을 억제할 수 있는 성막 장치를 제공한다.
챔버(20) 내에서 전자 부품(10)을 순환 반송하는 반송부(30)와, 전자 부품(10)에 성막하는 성막 처리부와, 반송부(30)에 의해 반송되며, 배치면(34a)을 갖는 트레이(34)와, 배치면(34a)에 배치되며, 전자 부품(10)을 탑재하기 위한 배치부(35)를 가지고, 배치부(35)는, 한쪽의 면에 점착성을 갖는 점착면(36a)을 가지고, 다른 쪽의 면에 점착성을 갖지 않는 비점착면(36b)를 갖는 유지 시트(36)와, 한쪽의 면에 비점착면(36b)에 밀착하는 점착성이 있는 제1 밀착면(38a)을 가지고, 다른 쪽의 면에 트레이(34)의 배치면(34a)에 밀착하는 점착성이 있는 제2 밀착면(38b)을 갖는 밀착 시트(38)를 가지고, 점착면(36a)은, 전자 부품(10)을 접착하기 위한 접착 영역(S)을 가지고, 적어도 접착 영역(S)에 대응하는 비점착면(36b) 영역 전체에 걸쳐 제1 밀착면(38a)이 밀착되어 있다.

Description

성막 장치{FILM FORMATION APPARATUS}

본 발명은 성막 장치에 관한 것이다.

휴대전화로 대표되는 무선 통신 기기에는 전자 부품인 반도체 장치가 다수 탑재되어 있다. 반도체 장치는, 통신 특성에 미치는 영향을 방지하기 위해서, 외부로의 전자파의 누설 등, 안팎에 대한 전자파의 영향을 억제할 것이 요구된다. 이 때문에, 전자파에 대한 실드 기능을 갖는 반도체 장치가 이용되고 있다.

일반적으로 반도체 장치는, 실장 기판에 대한 중계용 기판으로서의 인터포저 기판 위에 반도체 칩을 탑재하고, 이 반도체 칩을 수지로 밀봉함으로써 형성되어 있다. 이 밀봉 수지의 상면 및 측면에 도전성의 전자파 실드막을 형성함으로써, 실드 기능이 부여된 반도체 장치가 개발되어 있다(특허문헌 1 참조).

이러한 전자파 실드막은 복수 종류의 금속 재료의 적층막으로 할 수 있다. 예컨대, SUS막을 형성한 위에 Cu막을 형성하고, 또 그 위에 SUS막을 형성하는 적층 구조의 전자파 실드막이 알려져 있다.

전자파 실드막에 있어서, 충분한 실드 효과를 얻기 위해서는 전기 저항율을 낮출 필요가 있다. 이 때문에, 전자파 실드막은 어느 정도의 두께가 요구된다. 반도체 장치에 있어서는, 일반적으로는 1 ㎛∼10 ㎛ 정도의 막 두께가 있으면 양호한 실드 특성을 얻을 수 있는 것으로 여겨지고 있다. 상기한 SUS, Cu, SUS의 적층구조의 전자파 실드막에서는, 1 ㎛∼5 ㎛ 정도의 막 두께가 있으면 양호한 실드 효과를 얻을 수 있다는 것이 알려져 있다.

특허문헌 1: 국제공개 제2013/035819호 공보

전자파 실드막의 형성 방법으로서는 도금법이 알려져 있다. 그러나, 도금법은, 전처리 공정, 도금 처리 공정 및 수세와 같은 후처리 공정 등의 습식 공정을 필요로 하므로 반도체 장치의 제조비 상승을 피할 수 없다.

그래서 건식 공정인 스퍼터링법이 주목을 받고 있다. 스퍼터링법에 의한 성막 장치로서는, 플라즈마를 이용하여 성막을 행하는 플라즈마 처리 장치가 제안되어 있다. 플라즈마 처리 장치는, 타겟을 배치한 진공 용기에 불활성 가스를 도입하여 직류 전압을 인가한다. 플라즈마화한 불활성 가스의 이온을, 성막 재료의 타겟에 충돌시키고, 타겟으로부터 쳐내진 재료를 워크에 퇴적시켜 성막을 행한다.

일반적인 플라즈마 처리 장치는, 수십 초에서 수 분의 처리 시간으로 형성 가능한 십∼수백 nm 두께의 막의 형성에 이용되고 있다. 그러나, 상기한 것과 같이, 전자파 실드막으로서는 마이크론 레벨 두께의 막을 형성할 필요가 있다. 스퍼터링법은, 성막 재료의 입자를 성막 대상물 상에 퇴적시켜 막을 형성하는 기술이므로, 형성하는 막이 두껍게 될수록 막의 형성에 걸리는 시간은 길어진다.

따라서, 전자파 실드막을 형성하기 위해서는, 일반적인 스퍼터링법보다도 긴, 수십 분부터 한 시간 정도의 처리 시간이 필요하게 된다. 예컨대, SUS, Cu, SUS의 적층 구조의 전자파 실드막에서는, 5 ㎛의 막 두께를 얻기 위해서 1시간 넘는 처리 시간이 필요한 경우가 있다.

그러면, 플라즈마를 이용하는 스퍼터링법에서는, 이 처리 시간 중에 반도체 장치의 외장인 패키지가 플라즈마의 열에 계속해서 노출되게 된다. 이 결과, 5 ㎛ 두께의 막을 얻을 때까지 패키지는 200℃ 전후까지 가열되는 경우가 있다.

한편, 패키지의 내열 온도는, 수 초∼수십 초 정도의 일시적인 가열이라면 200℃ 정도이지만, 가열이 수 분을 넘는 경우, 일반적으로는 150℃ 정도이다. 이 때문에, 일반적인 플라즈마에 의한 스퍼터링법을 이용하여 마이크론 레벨의 전자파 실드막을 형성하기는 어려웠다.

이에 대처하기 위해서, 플라즈마 처리 장치에, 반도체 패키지의 온도 상승을 억제하기 위한 냉각 장치를 설치하는 것을 생각할 수 있다. 이 경우, 장치 구성이 복잡화, 대형화된다.

본 발명은, 간단한 구성으로 전자 부품의 가열을 억제할 수 있는 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 스퍼터 가스가 도입되는 용기인 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되며, 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터원을 가지고, 상기 스퍼터원에 의해 전자 부품에 성막하는 성막 처리부와, 상기 성막 처리부에 의한 처리 영역에 설치되며, 배치면을 갖는 트레이와, 상기 배치면에 배치되며, 상기 전자 부품을 탑재하기 위한 배치부를 가지고, 상기 배치부는, 한쪽의 면에 점착성을 갖는 점착면을 가지고, 다른 쪽의 면에 점착성을 갖지 않는 비점착면을 갖는 유지 시트와, 한쪽의 면에 상기 비점착면에 밀착하는 점착성이 있는 제1 밀착면을 가지고, 다른 쪽의 면에 상기 트레이의 배치면에 밀착하는 점착성이 있는 제2 밀착면을 갖는 밀착 시트를 가지고, 상기 점착면은, 상기 전자 부품을 접착하기 위한 접착 영역을 가지고, 적어도 상기 접착 영역에 대응하는 비점착면 영역 전체에 걸쳐 상기 제1 밀착면이 밀착되어 있는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은, 스퍼터 가스가 도입되는 용기인 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되며, 전자 부품을 순환 반송하는 반송부와, 상기 반송부에 의해 순환 반송되는 상기 전자 부품에, 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터원을 가지고, 상기 스퍼터원에 의해 전자 부품에 성막하는 성막 처리부와, 상기 반송부에 의해 반송되며, 배치면을 갖는 트레이와, 상기 배치면에 배치되며, 상기 전자 부품을 탑재하기 위한 배치부를 가지고, 상기 배치부는, 한쪽의 면에 점착성을 갖는 점착면을 가지고, 다른 쪽의 면에 점착성을 갖지 않는 비점착면을 갖는 유지 시트와, 한쪽의 면에 상기 비점착면에 밀착하는 점착성이 있는 제1 밀착면을 가지고, 다른 쪽의 면에 상기 트레이의 배치면에 밀착하는 점착성이 있는 제2 밀착면을 갖는 밀착 시트를 가지고, 상기 점착면은, 상기 전자 부품을 접착하기 위한 접착 영역을 가지고, 적어도 상기 접착 영역에 대응하는 비점착면 영역 전체에 걸쳐 상기 제1 밀착면이 밀착되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 유지 시트의 점착면에는, 상기 접착 영역의 외연의 일부 또는 전부를 규정하는 금속제의 프레임이 접착되고, 상기 제1 밀착면은, 상기 접착 영역에 대응하는 비점착면 영역의 전체에 더하여 또한 상기 프레임에 대응하는 비점착면의 영역에도 밀착되어 있어도 좋다.

상기 제1 밀착면과 상기 비점착면의 접착력을 Fa, 상기 제2 밀착면과 상기 배치면의 접착력을 Fb라고 하면, Fa<Fb라도 좋다.

상기 밀착 시트는, 상기 제1 밀착면의 상기 비점착면에 대한 박리 저항이 상기 제2 밀착면의 상기 배치면에 대한 박리 저항보다도 작은 재질에 의해 형성되어 있어도 좋다.

상기 밀착 시트는 열전도율이 0.1 W/(m·K) 이상이라도 좋다.

본 발명에 따르면, 간단한 구성으로 전자 부품의 가열을 억제할 수 있는 성막 장치를 제공할 수 있다.

도 1은 실시형태의 전자 부품을 도시하는 모식 단면도이다.
도 2는 실시형태의 성막 장치의 투시 사시도이다.
도 3은 실시형태의 성막 장치의 투시 평면도이다.
도 4는 도 3의 A-A 모식 종단면도이다.
도 5는 전자 부품이 배치된 트레이를 도시하는 사시도이다.
도 6은 배치부의 구성을 도시하는 분해 사시도이다.
도 7은 실시형태의 제어 장치를 도시하는 블럭도이다.
도 8은 배치부의 트레이에의 배치와 밀착 시트의 분리를 도시하는 설명도이다.
도 9는 전자 부품에의 성막을 도시하는 설명도이다.
도 10은 비교예 및 실시예의 성막 조건을 도시하는 설명도이다.
도 11은 비교예의 시간 경과에 따른 온도 변화를 도시하는 그래프이다.
도 12는 실시예의 시간 경과에 따른 온도 변화를 도시하는 그래프이다.

본 발명의 실시의 형태(이하, 본 실시형태라고 부른다)에 관해서 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.

[전자 부품]

도 1에 도시한 것과 같이, 본 실시형태의 성막 대상이 되는 전자 부품(10)은, 소자(11)를 밀봉한 패키지(12)를 갖는다. 소자(11)는, 반도체 칩, 다이오드, 트랜지스터, 콘덴서, SAW 필터 등의 표면 실장 부품이다. 이하의 설명에서는, 반도체 칩을 소자(11)로 한 예로 설명한다. 여기서 말하는 반도체 칩은 복수의 전자 소자를 집적화한 집적 회로로서 구성된 것이다.

소자(11)는 기판(14)의 표면에 탑재되어 있다. 기판(14)은 세라믹, 유리, 에폭시 수지 등으로 이루어지는 판의 표면에 회로 패턴이 형성되어 있다. 소자(11)와 회로 패턴은 땜납에 의해 접속되어 있다.

기판(14)의 소자(11)가 실장된 표면은, 소자(11)를 덮도록 합성수지에 의해서 밀봉함으로써 패키지(12)가 구성되어 있다. 패키지(12)의 형상은 대략 직방체형이다.

본 실시형태는, 상기와 같은 전자 부품(10)의 상부면(12a) 및 측면(12b)에 전자파 실드막(13)을 형성한다. 전자파 실드막(13)은 도전성 재료에 의해 형성된 전자파를 차폐하는 막이다. 실드 효과를 얻기 위해서는, 전자파 실드막(13)은, 적어도 패키지(12)의 상부면(12a)에 형성되어 있으면 된다. 측면(12b)의 전자파 실드막(13)은 접지를 위한 것이다. 또, 패키지(12)의 상부면(12a)이란 제품에 실장되는 면과 반대쪽의 외표면이다.

상부면(12a)은, 수평으로 배치된 경우에는 가장 높은 위치에 있는 상면이 되지만, 실장된 경우에 위쪽을 향하는 경우도 위쪽을 향하지 않는 경우도 있다. 측면(12b)은 상부면(12a)에 대하여 다른 각도로 형성된 외주면이다. 상부면(12a)과 측면(12b) 사이는 각을 형성하고 있어도, 곡면에 의해 연속되어 있어도 좋다.

[성막 장치]

본 실시형태의 성막 장치(100)를 도 2∼도 7을 참조하여 설명한다. 성막 장치(100)는, 개개의 전자 부품(10)의 패키지(12)의 외표면에, 스퍼터링에 의해 전자파 실드막(13)을 형성하는 장치이다. 성막 장치(100)는, 도 2에 도시한 것과 같이, 회전 테이블(31)이 회전하면, 유지부(33)에 유지된 트레이(34) 상의 전자 부품(10)이 원주의 궤적으로 이동하여 스퍼터원(4)에 대향하는 위치를 통과할 때에, 타겟(41)(도 3 참조)으로부터 스퍼터된 입자를 부착시켜 성막하는 장치이다.

성막 장치(100)는, 도 2 및 도 3에 도시한 것과 같이, 챔버(20), 반송부(30), 성막 처리부(40A, 40B), 표면 처리부(50), 로드록부(60), 제어 장치(70)를 갖는다.

[챔버]

챔버(20)는 반응 가스(G)가 도입되는 용기이다. 반응 가스(G)는, 스퍼터용의 스퍼터 가스(G1), 각종 처리용의 프로세스 가스(G2)를 포함한다(도 4 참조). 이하의 설명에서는, 스퍼터 가스(G1), 프로세스 가스(G2)를 구별하지 않는 경우에는, 반응 가스(G)라고 부르는 경우가 있다. 스퍼터 가스(G1)는, 전력의 인가에 의해 생기는 플라즈마에 의해, 발생하는 이온 등을 타겟(41)에 충돌시켜, 전자 부품(10)의 패키지(12)에 스퍼터링을 실시하기 위한 가스이다. 예컨대, 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 스퍼터 가스(G1)로서 이용할 수 있다.

프로세스 가스(G2)는 에칭이나 애싱에 의한 표면 처리를 행하기 위한 가스이다. 이하, 이러한 표면 처리를 역스퍼터라고 부르는 경우가 있다. 프로세스 가스(G2)는 처리 목적에 따라서 적절하게 변경 가능하다. 예컨대 에칭을 행하는 경우는, 에칭 가스로서 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 이용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 아르곤 가스에 의해서 전자 부품(10) 표면의 세정과 조면화 처리를 행한다. 예컨대, 표면을 세정 및 나노오더로 조면화 처리를 행함으로써 막의 밀착력을 높일 수 있다.

챔버(20) 내부의 공간은 진공실(21)을 형성하고 있다. 이 진공실(21)은, 기밀성이 있어, 감압에 의해 진공으로 할 수 있는 공간이다. 예컨대, 도 2 및 도 4에 도시한 것과 같이, 진공실(21)은, 챔버(20) 내부의 천장(20a), 내저면(20b) 및 내주면(20c)에 의해서 형성되는 원주형의 밀폐 공간이다.

챔버(20)는, 도 4에 도시한 것과 같이, 배기구(22), 도입구(24)를 갖는다. 배기구(22)는, 진공실(21)과 외부의 사이에서 기체의 유통을 확보하여, 배기(E)를 행하기 위한 개구이다. 이 배기구(22)는 예컨대 챔버(20)의 바닥부에 형성되어 있다. 배기구(22)에는 배기부(23)가 접속되어 있다. 배기부(23)는, 배관 및 도시하지 않는 펌프, 밸브 등을 갖는다. 이 배기부(23)에 의한 배기 처리에 의해 진공실(21) 내부는 감압된다.

도입구(24)는, 진공실(21)의 타겟(41) 근방에 스퍼터 가스(G1)를 도입하기 위한 개구이다. 이 도입구(24)에는 가스 공급부(25)가 접속되어 있다. 가스 공급부(25)는 각 타겟(41)에 대하여 하나씩 마련되어 있다. 또한, 가스 공급부(25)는, 배관 외에, 도시하지 않는 반응 가스(G)의 가스 공급원, 펌프, 밸브 등을 갖는다. 이 가스 공급부(25)에 의해서, 도입구(24)로부터 진공실(21) 내에 스퍼터 가스(G1)가 도입된다. 또, 챔버(20)의 상부에는, 후술하는 것과 같이, 표면 처리부(50)가 삽입되는 개구(21a)가 형성되어 있다.

[반송부]

반송부(30)는, 챔버(20) 내에 설치되며, 전자 부품(10)을 원주의 궤적으로 순환 반송하는 장치이다. 순환 반송은, 전자 부품(10)을 탑재한 트레이(34)를 원주의 궤적으로 둘레를 돌아 이동시키는 것을 말한다. 반송부(30)에 의해서 트레이(34)가 이동하는 궤적을 반송 경로(L)라고 부른다. 반송부(30)는 회전 테이블(31), 모터(32), 유지부(33)를 갖는다. 또한, 유지부(33)에는 배치부(35)를 탑재한 트레이(34)가 유지된다.

회전 테이블(31)은 원형의 판이다. 모터(32)는, 회전 테이블(31)에 구동력을 부여하여, 원의 중심을 축으로 하여 회전시키는 구동원이다. 유지부(33)는, 반송부(30)에 의해 반송되는 후술하는 트레이(34)를 유지하는 구성부이다. 회전 테이블(31)의 상부면에는, 복수의 유지부(33)가 원주 등배(等配) 위치에 형성되어 있다. 예컨대, 각 유지부(33)가 트레이(34)를 유지하는 영역은, 회전 테이블(31)의 원주 방향의 원의 접선에 평행한 방향으로 형성되며 또한 원주 방향에 있어서 등간격으로 마련되어 있다. 보다 구체적으로는 유지부(33)는, 트레이(34)를 유지하는 홈, 구멍, 돌기, 지그, 홀더 등이다. 메카니컬 척, 점착 척에 의해서 구성할 수 있다.

트레이(34)는, 도 5에 도시한 것과 같이, 평탄한 배치면(34a)을 갖는 부재이다. 배치면(34a)은 사각 형상 평판의 한쪽의 평면이다. 배치면(34a)의 주연부에는 주벽부(34b)가 형성되어 있다. 주벽부(34b)는, 배치면(34a)을 둘러싸는 사각 형상으로 융기한 프레임이다. 트레이(34)의 재질로서는, 열전도성이 높은 재질, 예컨대 금속으로 하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에서는 트레이(34)의 재질을 SUS로 한다. 또, 트레이(34)의 재질은, 예컨대 열전도성이 좋은 세라믹스나 수지 또는 이들의 복합재로 하여도 좋다.

배치부(35)는, 트레이(34)의 배치면(34a)에 배치되며, 전자 부품(10)을 탑재하기 위한 부재이다. 배치부(35)는 유지 시트(36), 프레임(37), 밀착 시트(38)를 갖는다. 유지 시트(36)는, 도 6에 도시한 것과 같이 평탄한 시트이며, 한쪽의 면에 점착성을 갖는 점착면(36a)을 갖는다. 점착면(36a)은 유지 시트(36)의 한쪽의 면 전체에 걸친다. 점착면(36a)은 전자 부품(10)을 접착하기 위한 접착 영역(S)을 갖는다. 본 실시형태에서는, 유지 시트(36)는 사각형이며, 접착 영역(S)는 유지 시트(36)의 외연보다도 작은 사각 형상의 영역이다. 단, 접착 영역(S)을 유지 시트(36)의 전면으로 할 수도 있다. 유지 시트(36)의 다른 쪽 면은 점착성을 갖지 않는 비점착면(36b)이다. 비점착면(36b)은 예컨대 원활성이 있는 면으로 할 수 있다.

프레임(37)은, 유지 시트(36)의 점착면(36a)이 접착되며, 접착 영역(S)의 외연의 일부 또는 전부를 구획하는 부재이다. 프레임(37)의 재질로서는, 열전도성이 높은 재질, 예컨대 금속으로 하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에서는 프레임(37)의 재질을 SUS로 한다. 또, 트레이(34)와 마찬가지로, 프레임(37)의 재질을, 예컨대 열전도성이 좋은 세라믹스나 수지 또는 이들의 복합재로 하여도 좋다. 트레이(34)의 재질과 프레임(37)의 재질은 일치하여도 상이하여도 좋다. 본 실시형태의 프레임(37)은, 접착 영역(S)을 둘러싸며, 접착 영역(S)의 외연 전부를 규정한다. 프레임(37)은 사각 형상의 판형 부재이며, 중앙에 사각 형상의 관통 구멍(37a)이 형성되어 있다. 이 관통 구멍(37a)의 내연이 접착 영역(S)의 외연에 일치한다. 프레임(37)의 외형은 유지 시트(36)의 외형과 일치한다.

유지 시트(36)의 점착면(36a)은, 프레임(37)의 바닥면에, 서로의 외형이 일치하여, 관통 구멍(37a)의 바닥면 측을 막도록 접착되어 있다. 이 때문에, 프레임(37) 상부면 측의 관통 구멍(37a)으로부터는 점착면(36a)의 접착 영역(S)이 노출되어 있다.

복수의 전자 부품(10)은, 도 5 및 도 6에 도시한 것과 같이, 프레임(37) 내의 노출된 접착 영역(S) 위에 점착 유지된다. 복수의 전자 부품(10)은, 상부면(12a)뿐만 아니라, 측면(12b)에도 막이 형성되도록 간격을 두고서 매트릭스형으로 정렬 배치된다.

밀착 시트(38)는, 도 6에 도시한 것과 같이 평탄한 시트이며, 한쪽의 면에 제1 밀착면(38a)을 가지고, 다른 쪽의 면에 제2 밀착면(38b)을 갖는다. 제1 밀착면(38a)은, 유지 시트(36)의 비점착면(36b)에 밀착하는 점착성이 있는 면이다. 제1 밀착면(38a)은, 적어도 접착 영역(S)에 대응하는 비점착면(36b) 영역 전체에 걸쳐 밀착되어 있다. 접착 영역(S)에 대응하는 비점착면(36b)의 영역이란, 접착 영역(S)의 바로 안쪽이 되는 비점착면(36b) 영역을 말한다. 또한, 제1 밀착면(38a)은, 프레임(37)에 대응하는 비점착면의 영역에도 밀착되어 있다. 즉, 제1 밀착면(38a)은, 프레임(37)의 바로 안쪽이 되는 비점착면(36b)의 영역에도 미치는 범위에 밀착되어 있다. 본 실시형태에서는 프레임(37), 유지 시트(36), 밀착 시트(38)의 외형 크기가 일치하고 있다.

제2 밀착면(38b)은, 트레이(34)의 배치면(34a)에 밀착하는 점착성이 있는 면이다. 본 실시형태는, 프레임(37), 유지 시트(36), 밀착 시트(38)가 전부 외형이 일치하는 양태로 적층되며, 제2 밀착면(38b) 전체가 트레이(34)에 밀착된다.

여기서, 제1 밀착면(38a)과 유지 시트(36)의 비점착면(36b)의 접착력을 Fa, 제2 밀착면(38b)과 트레이(34)의 배치면(34a)의 접착력을 Fb라고 하면, Fa<Fb이다. 또, 예컨대 2≤(Fb-Fa)로 하는 것이 바람직하다. 또한, 유지 시트(36)의 비점착면(36b)의 제1 밀착면(38a)에 대한 박리 저항이, 트레이(34)의 배치면(34a)의 제2 밀착면(38b)에 대한 박리 저항보다도 작은 재질에 의해 형성되어 있다. 예컨대, Fa를 0.02∼0.03[N/폭 25 mm], Fb가 4∼7[N/폭25 mm]로 하는 것이 바람직하다. 단, 본 발명은 이들 값에 한정되지는 않는다. 또한, 밀착 시트(38)는, 열전도율을 0.1 W/(m·K) 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또, 열전도율은 높을수록 좋지만, 1 W/(m·K) 정도면 양호한 냉각 효과를 얻을 수 있다.

유지 시트(36), 밀착 시트(38)의 재질로서는 내열성이 있는 합성수지로 하는 것을 생각할 수 있다. 예컨대 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PI(폴리이미드) 등을 이용할 수 있지만, 이들에 한정되지는 않는다. 점착면(36a), 제1 밀착면(38a), 제2 밀착면(38b)은, 시트의 표면에 대하여 접착제를 적용하거나, 표면에 접착성을 생기게 한 접착면으로 하는 것을 생각할 수 있다. 접착제 또는 접착면의 재질로서는, 예컨대 실리콘계, 아크릴계의 수지, 기타, 우레탄 수지, 에폭시 수지 등, 접착성이 있는 다양한 재료를 사용할 수 있다.

도 5 및 도 6에 도시한 것과 같이, 복수의 전자 부품(10)은, 배치부(35)의 점착면(36a)의 접착 영역(S) 내에 매트릭스형으로 접착된다. 이러한 배치부(35)를 복수 준비하여, 밀착 시트(38)를 통해 트레이(34)의 배치면(34a)에 배치함으로써, 밀착 시트(38)의 제2 밀착면(38b)을 배치면(34a)에 밀착시킨다. 단, 배치부(35)는 단일로 트레이(34)에 배치되어 있어도 좋다.

이와 같이, 유지부(33)에 유지되는 트레이(34), 배치부(35), 밀착 시트(38)에 의해서 전자 부품(10)이 회전 테이블(31) 상에 위치 결정된다. 또, 본 실시형태에서는, 유지부(33)는 6개 형성되어 있기 때문에, 회전 테이블(31) 상에는 60° 간격으로 6개의 트레이(34)가 유지된다. 단, 유지부(33)는 하나라도 복수라도 좋다.

[성막 처리부]

성막 처리부(40A, 40B)는, 반송부(30)에 의해 반송되는 전자 부품(10)에 성막을 행하는 처리부이다. 이하, 복수의 성막 처리부(40A, 40B)를 구별하지 않는 경우에는 성막 처리부(40)로 하여 설명한다. 성막 처리부(40)는, 도 4에 도시한 것과 같이, 스퍼터원(4), 구획부(44), 전원부(6)를 갖는다.

(스퍼터원)

스퍼터원(4)은, 전자 부품(10)에 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 성막하는 성막 재료의 공급원이다. 스퍼터원(4)은, 타겟(41), 배킹 플레이트(42), 전극(43)을 갖는다. 타겟(41)은, 전자 부품(10)에 퇴적되어 막으로 되는 성막 재료에 의해서 형성되고, 반송 경로(L)에 격리하여 대향하는 위치에 마련되어 있다. 본 실시형태의 타겟(41)은, 도 3에 도시한 것과 같이, 2개의 타겟(41A, 41B)이 반송 방향에 직교하는 방향, 즉 회전 테이블(31)의 회전의 반경 방향으로 나란하게 되어 있다. 이하, 타겟(41A, 41B)을 구별하지 않는 경우에는 타겟(41)으로 한다. 타겟(41)의 바닥면 측은, 반송부(30)에 의해 이동하는 전자 부품(10)에, 격리하여 대향한다. 또, 회전 테이블(31)의 직경 방향에 있어서의 트레이(34)의 크기보다도, 2개의 타겟(41A, 41B)에 의해서 성막 재료를 부착시킬 수 있는 실행 영역인 처리 영역 쪽이 크다.

성막 재료는, 후술하는 것과 같이, 예컨대 Cu, Ni, Fe, SUS 등을 사용한다. 단, 스퍼터링에 의해 성막되는 재료라면 다양한 재료를 적용할 수 있다. 또한, 타겟(41)은 예컨대 원주형이다. 단, 타원기둥형, 각기둥형 등, 다른 형상이라도 좋다.

배킹 플레이트(42)는 타겟(41)을 유지하는 부재이다. 전극(43)은, 챔버(20)의 외부로부터 타겟(41)에 전력을 인가하기 위한 도전성 부재이다. 또, 스퍼터원(4)에는, 필요에 따라서 마그넷, 냉각 기구 등이 적절하게 구비되어 있다.

(구획부)

구획부(44)는, 스퍼터원(4)에 의해 전자 부품(10)이 성막되는 성막 포지션(M1, M2), 표면 처리를 행하는 처리 포지션(M3)을 구획하는 부재이다. 이하, 성막 포지션(M1, M2)을 구별하지 않는 경우에는 성막 포지션(M)으로 하여 설명한다. 구획부(44)는, 도 3에 도시한 것과 같이, 반송 경로(L)의 원주의 중심, 즉 반송부(30)의 회전 테이블(31)의 회전 중심으로부터 방사상으로 설치된 사각형의 벽판(44a, 44b)을 갖는다. 벽판(44a, 44b)은, 예컨대 진공실(21)의 천장에, 타겟(41)을 사이에 두는 위치에 설치되어 있다. 구획부(44)의 하단은, 전자 부품(10)이 통과하는 간극을 두고서 회전 테이블에 대향하고 있다. 이 구획부(44)가 있음으로써, 반응 가스(G) 및 성막 재료가 진공실(21)로 확산되는 것을 억제할 수 있다.

성막 포지션(M)은, 스퍼터원(4)의 타겟(41)을 포함하며, 구획부(44)로 구획된 공간이다. 보다 구체적으로는, 도 3에 도시한 것과 같이, 성막 포지션(M1, M2), 처리 포지션(M3)은, 평면 방향에서 봤을 때, 구획부(44)의 벽판(44a, 44b)과, 챔버(20)의 내주면(20c)에 의해서 부채형으로 둘러싸인 공간이다. 성막 포지션(M1, M2), 처리 포지션(M3)의 수평 방향의 범위는, 한 쌍의 벽판(44a, 44b)에 의해서 구획된 영역으로 된다. 또, 성막 포지션(M)에 있어서의 타겟(41)에 대향하는 위치를 통과하는 전자 부품(10)에, 성막 재료가 막으로서 퇴적된다. 이 성막 포지션(M)은, 성막의 대부분이 행해지는 영역인데, 성막 포지션(M)에서 벗어나는 영역이라도 성막 포지션(M)으로부터의 성막 재료의 누설은 있기 때문에, 전혀 막의 퇴적이 없는 것은 아니다. 즉, 성막이 이루어지는 처리 영역은 성막 포지션(M)보다도 약간 넓은 영역이 된다.

(전원부)

전원부(6)는 타겟(41)에 전력을 인가하는 구성부이다. 이 전원부(6)에 의해서 타겟(41)에 전력을 인가함으로써 스퍼터 가스(G1)를 플라즈마화시켜, 성막 재료를 전자 부품(10)에 퇴적시킬 수 있다. 본 실시형태에서는, 전원부(6)는 예컨대 고전압을 인가하는 DC 전원이다. 또, 고주파 스퍼터를 행하는 장치의 경우에는 RF 전원으로 할 수도 있다. 회전 테이블(31)은, 접지된 챔버(20)와 같은 전위이며, 타겟(41) 측에 고전압을 인가함으로써 전위차를 발생시키고 있다. 이에 따라, 가동의 회전 테이블(31)을 마이너스 전위로 하기 위해서 전원부(6)와 접속하는 곤란함을 피하고 있다.

복수의 성막 처리부(40)는, 성막 재료를 선택적으로 퇴적시킴으로써, 복수의 성막 재료의 층으로 이루어지는 막을 형성한다. 특히 본 실시형태에서는, 상이한 종류의 성막 재료에 대응하는 스퍼터원(4)을 포함하여, 성막 재료를 선택적으로 퇴적시킴으로써, 복수 종류의 성막 재료의 층으로 이루어지는 막을 형성한다. 상이한 종류의 성막 재료에 대응하는 스퍼터원(4)을 포함한다는 것은, 모든 성막 처리부(40)의 성막 재료가 상이한 경우도, 복수의 성막 처리부(40)가 공통의 성막 재료이지만, 다른 것이 이것과 상이한 경우도 포함한다. 성막 재료를 1종씩 선택적으로 퇴적시킨다는 것은, 어느 1종의 성막 재료의 성막 처리부(40)가 성막을 행하는 동안에, 다른 성막 재료의 성막 처리부(40)는 성막을 행하지 않는 것을 말한다. 또한, 성막중앙 성막 처리부(40) 또는 성막 포지션(M)이란, 성막 처리부(40)의 타겟(41)에 전력이 인가되어, 전자 부품(10)에 성막을 행할 수 있는 상태에 있는 성막 처리부(40) 또는 성막 포지션(M)을 말한다.

본 실시형태에서는, 반송 경로(L)의 반송 방향으로, 표면 처리부(50)를 사이에 두고서 2개의 성막 처리부(40A, 40B)가 설치되어 있다. 2개의 성막 처리부(40A, 40B)에 성막 포지션(M1, M2)이 대응하고 있다. 이들 성막 처리부(40A, 40B) 중, 성막 처리부(40A)는 성막 재료가 SUS이다. 즉, 성막 처리부(40A)의 스퍼터원(4)은, SUS로 이루어지는 타겟(41A, 41B)을 갖추고 있다. 다른 성막 처리부(40B)는 성막 재료가 Cu이다. 즉, 성막 처리부(40B)의 스퍼터원(4)은, Cu로 이루어지는 타겟(41A, 41B)을 갖추고 있다. 본 실시형태에서는, 어느 하나의 성막 처리부(40)가 성막 처리를 행하고 있는 동안은 다른 성막 처리부(40)는 성막 처리를 행하지 않는다.

[표면 처리부]

표면 처리부(50)는, 반송부(30)에 의해 반송되는 전자 부품(10)에 표면 처리, 즉 역스퍼터를 행하는 처리부이다. 이 표면 처리부(50)는, 구획부(44)에 의해 구획된, 처리 포지션(M3)에 마련되어 있다. 표면 처리부(50)는 처리 유닛(5)을 갖는다. 이 처리 유닛(5)의 구성예를 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.

처리 유닛(5)은, 챔버(20)의 상부에서부터 내부에 걸쳐 설치된 통형 전극(51)을 갖추고 있다. 통형 전극(51)은 각이진 통 형상이며, 일단에 개구부(51a)를 가지고, 타단은 폐색되어 있다. 통형 전극(51)은, 개구부(51a)를 갖는 일단이 회전 테이블(31)로 향하도록 챔버(20)의 상부면에 형성된 개구(21a)에 절연 부재(52)를 통해 부착되어 있다. 통형 전극(51)의 측벽은 챔버(20)의 내부로 연장되어 있다.

통형 전극(51)의, 개구부(51a)와 반대 단부에는, 외측으로 튀어 나오는 플랜지(51b)가 마련되어 있다. 절연 부재(52)가, 플랜지(51b)와 챔버(20)의 개구(21a)의 주연부의 사이에 고정됨으로써, 챔버(20)의 내부를 기밀하게 유지하고 있다. 절연 부재(52)는 절연성이 있으면 되며 특정 재료에 한정되지 않지만, 예컨대 PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 등의 재료로 구성할 수 있다.

통형 전극(51)의 개구부(51a)는, 회전 테이블(31)의 반송 경로(L)과 마주 보는 위치에 배치된다. 회전 테이블(31)은, 반송부로서 전자 부품(10)을 탑재한 트레이(34)를 반송하여 개구부(51a)에 대향하는 위치를 통과시킨다. 또, 회전 테이블(31)의 직경 방향에 있어서의 트레이(34)의 크기보다도 통형 전극(51)의 개구부(51a) 쪽이 크다.

도 3에 도시한 것과 같이, 통형 전극(51)은 평면 방향에서 봤을 때 회전 테이블(31)의 반경 방향에 있어서의 중심 측에서 외측으로 향해서 직경 확장되는 부채형으로 되어 있다. 여기서 말하는 부채형이란, 부채의 부채면 부분의 형태를 의미한다. 통형 전극(51)의 개구부(51a)도 마찬가지로 부채형이다. 회전 테이블(31) 상의 트레이(34)가 개구부(51a)에 대향하는 위치를 통과하는 속도는, 회전 테이블(31)의 반경 방향에 있어서 중심 측으로 향할수록 늦어지고, 외측으로 향할수록 빨라진다. 그 때문에, 개구부(51a)가 단순한 장방형 또는 정방형이면, 반경 방향에 있어서의 중심 측과 외측에서 전자 부품(10)이 개구부(51a)에 대향하는 위치를 통과하는 시간에 차가 생긴다. 개구부(51a)를 반경 방향에 있어서의 중심 측에서 외측으로 향해서 직경 확장시킴으로써, 개구부(51a)를 통과하는 시간을 일정하게 할 수 있어, 후술하는 플라즈마 처리를 균등하게 할 수 있다. 단, 통과하는 시간의 차가 제품상 문제가 되지 않는 정도라면, 장방형 또는 정방형이라도 좋다.

상술한 것과 같이, 통형 전극(51)은 챔버(20)의 개구(21a)를 관통하여, 일부가 챔버(20)의 외부에 노출되어 있다. 이 통형 전극(51)에 있어서의 챔버(20)의 외부에 노출된 부분은, 도 4에 도시한 것과 같이, 하우징(53)에 덮여 있다. 하우징(53)에 의해서 챔버(20) 내부의 공간이 기밀하게 유지된다. 통형 전극(51)의 챔버(20) 내부에 위치하는 부분, 즉 측벽의 주위는 실드(54)에 의해서 덮여 있다.

실드(54)는 통형 전극(51)과 동축의 부채형의 각진 통이며, 통형 전극(51)보다도 크다. 실드(54)는 챔버(20)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 실드(54)는 챔버(20)의 개구(21a)의 가장자리에서 세워 설치하고, 챔버(20) 내부로 향해서 연장된 단부는, 통형 전극(51)의 개구부(51a)와 동일한 높이에 위치한다. 실드(54)는, 챔버(20)와 마찬가지로 캐소드로서 작용하기 때문에, 전기 저항이 적은 도전성 금속 부재로 구성하면 좋다. 실드(54)는 챔버(20)와 일체적으로 성형하여도 좋고, 혹은 챔버(20)에 고정 금구 등을 이용하여 부착하여도 좋다.

실드(54)는 통형 전극(51) 내에서 플라즈마를 안정적으로 발생시키기 위해서 마련되어 있다. 실드(54)의 각 측벽은, 통형 전극(51)의 각 측벽과 미리 정해진 간극을 통해 대략 평행하게 연장되도록 설치된다. 간극이 지나치게 커지면 정전 용량이 작아지거나, 통형 전극(51) 내에서 발생한 플라즈마가 간극에 들어가거나 해 버리기 때문에, 간극은 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 단, 간극이 지나치게 작아져도, 통형 전극(51)과 실드(54) 사이의 정전 용량이 커져 버리기 때문에 바람직하지 못하다. 간극의 크기는, 플라즈마의 발생에 필요하게 되는 정전 용량에 따라서 적절하게 설정하면 된다. 또, 도 4는 실드(54) 및 통형 전극(51)의 반경 방향으로 연장되는 2개의 측벽면밖에 도시하지 않지만, 실드(54) 및 통형 전극(51)의 원주 방향으로 연장되는 2개의 측벽면 사이도, 반경 방향의 측벽면과 동일한 크기의 간극이 형성되어 있다.

또한, 통형 전극(51)에는 프로세스 가스 도입부(55)가 접속되어 있다. 프로세스 가스 도입부(55)는, 배관 외에, 도시하지 않는 프로세스 가스(G2)의 가스 공급원, 펌프, 밸브 등을 갖는다. 이 프로세스 가스 도입부(55)에 의해서 통형 전극(51) 내에 프로세스 가스(G2)가 도입된다. 프로세스 가스(G2)는, 상기한 것과 같이, 처리 목적에 따라서 적절하게 변경 가능하다.

통형 전극(51)에는, 고주파 전압을 인가하기 위한 RF 전원(56)이 접속되어 있다. RF 전원(56)의 출력 측에는 정합 회로인 매칭 박스(57)가 직렬로 접속되어 있다. RF 전원(56)은 챔버(20)에도 접속되어 있다. RF 전원(56)으로부터 전압을 인가하면, 통형 전극(51)이 애노드로서 작용하고, 챔버(20), 실드(54) 및 회전 테이블(31)이 캐소드로서 작용한다. 매칭 박스(57)는, 입력 측 및 출력 측의 임피던스를 정합시킴으로써 플라즈마의 방전을 안정화시킨다. 또, 챔버(20)나 회전 테이블(31)은 접지되어 있다. 챔버(20)에 접속되는 실드(54)도 접지된다. RF 전원(56) 및 프로세스 가스 도입부(55)는 함께 하우징(53)에 형성된 관통 구멍을 통해 통형 전극(51)에 접속한다.

프로세스 가스 도입부(55)로부터 통형 전극(51) 내에 프로세스 가스(G2)인 아르곤 가스를 도입하고, RF 전원(56)으로부터 통형 전극(51)에 고주파 전압을 인가하면, 아르곤 가스가 플라즈마화되어, 전자, 이온 및 라디칼 등이 발생한다.

(로드록부)

로드록부(60)는, 진공실(21)의 진공을 유지한 상태에서, 도시하지 않는 반송 수단에 의해서, 외부로부터 미처리의 전자 부품(10)을 배치부(35)를 통해 탑재한 트레이(34)를 진공실(21)에 반입하고, 처리가 끝난 전자 부품(10)을 배치부(35)를 통해 탑재한 트레이(34)를 진공실(21)의 외부로 반출하는 장치이다. 이 로드록부(60)는 주지된 구조의 것을 적용할 수 있으므로 설명을 생략한다.

[제어 장치]

제어 장치(70)는 성막 장치(100)의 각 부를 제어하는 장치이다. 이 제어 장치(70)는, 예컨대 전용의 전자 회로 혹은 미리 정해진 프로그램으로 동작하는 컴퓨터 등에 의해서 구성할 수 있다. 즉, 진공실(21)에의 스퍼터 가스(G1) 및 프로세스 가스(G2)의 도입 및 배기에 관한 제어, 전원부(6), RF 전원(56)의 제어, 회전 테이블(31) 회전의 제어 등에 관해서는, 그 제어 내용이 프로그램되어 있고, PLC나 CPU 등의 처리 장치에 의해 실행되는 것이며, 다종다양한 성막 사양에 대응 가능하다.

구체적으로 제어되는 내용으로서는, 성막 장치(100)의 초기 배기 압력, 스퍼터원(4)의 선택, 타겟(41) 및 통형 전극(51)에의 인가 전력, 스퍼터 가스(G1) 및 프로세스 가스(G2)의 유량, 종류, 도입 시간 및 배기 시간, 성막 시간, 모터(32)의 회전 속도 등을 들 수 있다.

상기한 것과 같이 각 부의 동작을 실행시키기 위한 제어 장치(70)의 구성을, 가상적인 기능 블록도인 도 7을 참조하여 설명한다. 즉, 제어 장치(70)는, 기구 제어부(71), 전원 제어부(72), 기억부(73), 설정부(74), 입출력 제어부(75)를 갖는다.

기구 제어부(71)는, 배기부(23), 가스 공급부(25), 프로세스 가스 도입부(55), 반송부(30)의 모터(32), 로드록부(60) 등의 구동원, 밸브, 스위치, 전원 등을 제어하는 처리부이다. 전원 제어부(72)는 전원부(6), RF 전원(56)을 제어하는 처리부이다.

제어 장치(70)는, 어느 1종의 성막 재료의 성막 처리부가 성막을 행하는 동안, 다른 성막 재료의 성막 처리부는 성막을 행하지 않도록 성막 처리부(40)를 선택적으로 제어한다. 즉, 전원 제어부(72)는, 성막 처리부(40A)의 타겟(41)에 전압을 인가하여 성막을 행하는 동안은, 성막 처리부(40B)의 타겟(41)에의 전압 인가를 하지 않는다. 또한, 성막 처리부(40B)의 타겟(41)에 전압을 인가하여 성막을 행하는 동안은, 성막 처리부(40A)의 타겟(41)에의 전압 인가를 하지 않는다.

기억부(73)는 본 실시형태의 제어에 필요한 정보를 기억하는 구성부이다. 설정부(74)는, 외부로부터 입력된 정보를 기억부(73)에 설정하는 처리부이다. 입출력 제어부(75)는, 제어 대상이 되는 각 부와의 사이에서의 신호의 변환이나 입출력을 제어하는 인터페이스이다.

또한, 제어 장치(70)에는 입력 장치(76), 출력 장치(77)가 접속되어 있다. 입력 장치(76)는, 오퍼레이터가 제어 장치(70)를 통해 성막 장치(100)를 조작하기위한 스위치, 터치 패널, 키보드, 마우스 등의 입력 수단이다. 예컨대, 성막을 행하는 스퍼터원(4)의 선택을 입력 수단에 의해 입력할 수 있다.

출력 장치(77)는, 장치의 상태를 확인하기 위한 정보를, 오퍼레이터가 시인할 수 있는 상태로 하는 디스플레이, 램프, 미터 등의 출력 수단이다. 예컨대, 성막을 행하고 있는 스퍼터원(4)에 대응하는 성막 포지션(M1, M2), 표면 처리를 행하고 있는 처리 포지션(M3)을, 출력 장치(77)에, 성막 또는 처리를 하고 있지 않은 포지션과 구별하여 표시할 수 있다.

[동작]

이상과 같은 본 실시형태의 동작을, 상기한 도 1∼도 7에 더하여 도 8, 도 9를 참조하여 이하에 설명한다. 또, 도시하지는 않지만, 성막 장치(100)에는, 컨베이어, 로봇 아암 등의 반송 수단에 의해서, 배치부(35)를 통해 전자 부품(10)을 탑재한 트레이(34)의 반입, 반송, 반출이 이루어진다.

전자 부품(10)은, 도 5, 도 8의 (A)에 도시한 것과 같이, 배치부(35)에 있어서의 프레임(37) 내의 접착 영역(S) 상에, 간격을 두고서 매트릭스형으로 나란하게 점착된다. 이러한 복수의 배치부(35)가 트레이(34)의 배치면(34a)에 탑재된다. 이에 따라, 도 8의 (B)에 도시한 것과 같이, 배치면(34a)에, 밀착 시트(38)의 제2 밀착면(38b)이 밀착한다. 또, 후술하는 것과 같이, 배치면(34a)에 접착된 밀착 시트(38), 코팅, 도포 또는 가공 등에 의해서 배치면(34a)에 형성된 밀착 시트(38)와 같이, 배치면(34a)에 접착된 밀착 시트(38)에 대하여, 프레임(37)에 접착된 유지 시트(36)의 비점착면(36b)을 접착하는 양태라도 좋다. 즉, 트레이(34)에 마련된 밀착 시트(38)에 유지 시트(36)가 접착되는 등, 배치부(35)가 트레이(34)에 배치되는 과정에서 유지 시트(36)와 밀착 시트(38)가 일체화하는 구성도, 배치부(35)가 유지 시트(36)와 밀착 시트(38)를 갖는 양태에 포함된다. 접착, 코팅, 도포 또는 가공 등에 의해서 배치면(34a)에 형성된 밀착 시트(38)의 경우는, 밀착 시트(38)와 트레이(34)의 경계면이 제2 밀착면(38b)이 된다.

복수의 트레이(34)는, 로드록부(60)의 반송 수단에 의해, 챔버(20) 내에 순차 반입된다. 회전 테이블(31)은, 빈 유지부(33)를, 순차 로드록부(60)로부터의 반입 부위로 이동시킨다. 유지부(33)는, 반송 수단에 의해 반입된 트레이(34)를, 각각 개별로 유지한다. 이와 같이 하여, 도 2 및 도 3에 도시한 것과 같이, 성막 대상이 되는 전자 부품(10)을 탑재한 트레이(34)가 회전 테이블(31) 상에 전부 배치된다.

이상과 같이 성막 장치(100)에 도입된 전자 부품(10)에 대한 성막 처리를, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 또, 이하의 동작은, 표면 처리부(50)에 의해서 전자 부품(10)의 표면을, 세정 및 조면화한 후, 성막 처리부(40A, 40B)에 의해서 전자 부품(10)의 표면에 전자파 실드막(13)을 형성하는 예이다. 전자파 실드막(13)은 SUS의 층, Cu의 층을 교대로 적층함으로써 형성된다. 전자 부품(10)에 직접 형성되는 SUS의 층은, 몰드 수지, Cu와의 밀착도를 높이는 하지(下地)가 된다. 중간의 Cu의 층은 전자파를 차폐하는 기능을 갖는 층이다. 최상층의 SUS의 층은 Cu의 녹 등을 막는 보호층이다.

우선, 배기부(23)는 진공실(21)을 배기하여 감압함으로써 진공으로 한다. 회전 테이블(31)이 회전하여 미리 정해진 회전 속도에 도달한다. 처리 유닛(5)에 있어서, 통형 전극(51)의 개구부(51a)에 대향하는 위치를 통과한다. 처리 유닛(5)에서는, 프로세스 가스 도입부(55)로부터 통형 전극(51)에 프로세스 가스(G2)인 아르곤 가스를 도입하여, RF 전원(56)으로부터 통형 전극(51)에 고주파 전압을 인가한다. 고주파 전압의 인가에 의해서 아르곤 가스가 플라즈마화되어, 전자, 이온 및 라디칼 등이 발생한다. 플라즈마는 애노드인 통형 전극(51)의 개구부(51a)에서 캐소드인 회전 테이블(31)로 흐른다. 플라즈마 중의 이온이 개구부(51a) 아래를 통과하는 전자 부품(10)의 표면에 충돌함으로써 표면이 세정 및 조면화된다. 그리고, 표면 처리부(50)에 의한 표면 처리 시간이 경과하면, 표면 처리부(50)를 정지한다. 즉, 프로세스 가스 도입부(55)로부터의 프로세스 가스(G2)의 공급, RF 전원(56)에 의한 전압의 인가를 정지한다.

이어서, 성막 처리부(40A)의 가스 공급부(25)는 스퍼터 가스(G1)를 타겟(41)의 주위에 공급한다. 이 상태 하에서, 유지부(33)에 유지된 전자 부품(10)은, 반송 경로(L) 위를 원을 그리는 궤적으로 이동하여, 스퍼터원(4)에 대향하는 위치를 통과한다.

이어서, 성막 처리부(40A)만 전원부(6)가 타겟(41)에 전력을 인가한다. 이에 따라, 스퍼터 가스(G1)가 플라즈마화한다. 스퍼터원(4)에 있어서, 플라즈마에 의해 발생한 이온은, 타겟(41)에 충돌하여 성막 재료의 입자를 날린다. 이 때문에, 성막 처리부(40A)의 성막 포지션(M1)을 통과하는 전자 부품(10)의 표면에는, 그 통과마다 성막 재료의 입자가 퇴적되어 막이 생성된다. 여기서는, SUS의 층이 형성된다. 이 때, 전자 부품(10)은 성막 처리부(40B)의 성막 포지션(M2)을 통과하지만, 성막 처리부(40B)는 타겟(41)에 전력이 인가되고 있지 않기 때문에, 성막 처리는 이루어지지 않고, 전자 부품(10)은 가열되지 않는다. 또한, 성막 포지션(M1, M2) 이외의 영역에 있어서도 전자 부품(10)은 가열되지 않는다. 이와 같이, 가열되지 않는 영역에 있어서, 전자 부품(10)은 열을 방출한다.

성막 처리부(40A)에 의한 성막 시간이 경과하면 성막 처리부(40A)를 정지한다. 즉, 전원부(6)에 의한 타겟(41)에의 전력 인가를 정지한다. 그리고, 성막 처리부(40B)의 전원부(6)가 타겟(41)에 전력을 인가한다. 이에 따라, 스퍼터 가스(G1)가 플라즈마화한다. 스퍼터원(4)에 있어서, 플라즈마에 의해 발생한 이온은, 타겟(41)에 충돌하여 성막 재료의 입자를 날린다. 이 때문에, 성막 처리부(40B)의 성막 포지션(M2)을 통과하는 전자 부품(10)의 표면에는, 그 통과마다 성막 재료의 입자가 퇴적되어 막이 생성된다. 여기서는, Cu의 층이 형성된다. 이 층은, 전자파 실드막의 층의 일부가 된다. 이 때, 전자 부품(10)은 성막 처리부(40A)의 성막 포지션(M1)을 통과하지만, 성막 처리부(40A)는 타겟(41)에 전력이 인가되고 있지 않기 때문에, 성막 처리가 이루어지지 않고, 전자 부품(10)은 가열되지 않는다. 또한, 성막 포지션(M1, M2) 이외의 영역에 있어서도 전자 부품(10)은 가열되지 않는다. 이와 같이, 가열되지 않는 영역에 있어서, 전자 부품(10)은 열을 방출한다.

성막 처리부(40B)에 의한 성막 시간이 경과하면, 성막 처리부(40B)를 정지한다. 즉, 전원부(6)에 의한 타겟(41)에의 전력 인가를 정지한다. 그리고, 성막 처리부(40A)의 전원부(6)가 타겟(41)에 전력을 인가한다. 이에 따라, 스퍼터 가스(G1)가 플라즈마화한다. 스퍼터원(4)에 있어서, 플라즈마에 의해 발생한 이온은, 타겟(41)에 충돌하여 성막 재료의 입자를 비산한다. 이 때문에, 성막 처리부(40A)의 성막 포지션(M1)을 통과하는 전자 부품(10)의 표면에는, 그 통과마다 성막 재료의 입자가 퇴적되어 막이 생성된다. 여기서는, SUS의 층이 형성된다. 이 때, 전자 부품(10)은 성막 처리부(40B)의 성막 포지션(M2)을 통과하지만, 성막 처리부(40B)는 타겟(41)에 전력이 인가되고 있지 않기 때문에, 성막 처리가 이루어지지 않고, 전자 부품(10)은 가열되지 않는다. 또한, 성막 포지션(M1, M2) 이외의 영역에 있어서도 전자 부품(10)은 가열되지 않는다. 이와 같이, 가열되지 않는 영역에 있어서, 전자 부품(10)은 열을 방출한다.

성막 처리부(40A)에 의한 성막 시간이 경과하면, 성막 처리부(40A)를 정지한다. 즉, 전원부(6)에 의한 타겟(41)에의 전력 인가를 정지한다. 이와 같이, 성막 처리부(40A, 40B)에 의한 성막을 반복함으로써, SUS의 막, Cu의 막, SUS의 막이 적층된 막을 형성한다. 또, 추가로 같은 성막을 반복함으로써 3층보다 많은 막을 형성할 수도 있다. 이에 따라, 도 9의 (A)에 도시하는 상태에서, 도 9의 (B)에 도시하는 것과 같이, 전자 부품(10)의 패키지(12)의 상부면 및 측면에 전자파 실드막(13)이 형성된다.

이상과 같은 성막 처리 동안, 회전 테이블(31)은 회전을 계속하여 전자 부품(10)을 탑재한 트레이(34)를 계속해서 순환 반송한다. 그리고, 성막 처리가 완료된 후, 전자 부품(10)을 탑재한 트레이(34)는, 회전 테이블(31)의 회전에 의해 순차 로드록부(60)에 위치 결정되고, 반송 수단에 의해 외부로 반출된다. 도 8의 (C)에 도시한 것과 같이, 반출된 트레이(34)로부터 배치부(35)가, 유지 시트(36)가 밀착 시트(38)로부터 벗겨짐으로써 벗겨진다. 즉, 배치부(35)로부터 밀착 시트(38)가 분리된다. 이와 같이, 트레이(34)에 잔류한 밀착 시트(38)는 그대로 재이용할 수 있다. 즉, 이어서 처리하는 전자 부품(10)을 탑재한 유지 시트(36)의 비점착면(36b)을, 트레이(34) 상의 밀착 시트(38)의 제1 밀착면(38a)에 밀착시켜, 트레이(34)를 진공실(21) 내에 반입함으로써, 상기와 같이 성막 처리를 행할 수 있다. 이러한 양태라도, 유지 시트(36)가 밀착 시트(38)에 접착됨으로써, 밀착 시트(38)를 포함하는 배치부(35)가 구성되고, 배치부(35)를 갖는 성막 장치(100)가 구성되게 된다. 여러 번의 사용으로 밀착 시트(38)의 점착력이 저하해 가면, 트레이(34)로부터 밀착 시트(38)를 벗기고, 새로운 밀착 시트(38)를 포함하는 배치부(35)를 트레이(34)에 배치하여도 좋다. 밀착 시트(38)의 사용 가능한 횟수는 실험 등에 의해 설정해 둘 수 있다. 밀착 시트(38)를 바꾸는 경우, 밀착 시트(38)만 새로운 것으로 하고, 유지 시트(36) 및 프레임(37)에 관해서는 양쪽을 재이용하더라도, 어느 한쪽만 재이용하고 다른 쪽을 새롭게 하더라도, 양쪽 모두 새로운 것을 사용하더라도 좋다. 또, 유지 시트(36)를 벗겨낸 후에, 밀착 시트(38)를 재이용하지 않고서, 트레이(34)로부터 밀착 시트(38)를 벗겨내어 일회용으로 하여도 좋다. 즉, 매회 트레이(34)에 남은 밀착 시트(38)를 벗겨 폐기하고, 밀착 시트(38)를 포함하는 배치부(35)를 트레이(34)에 배치하도록 하여도 좋다.

[전자 부품의 가열이 진행되는 원인]

상기한 것과 같이, 전자 부품(10)은, 가열되지 않는 영역에 있어서 열을 방출할 수 있다. 이 열의 방출은, 주로 배치부(35)를 통해 트레이(34)에 열이 전도함으로써 행해진다. 단, 본 실시형태와 같이, 밀착 시트(38)를 갖지 않는 경우, 다음과 같은 문제가 생긴다.

(1) 배치부(35)의 유지 시트(36)의 바닥면에 점착성이 없는 경우

배치부(35)의 유지 시트(36)의 상면에는, 전자 부품(10)이 접착되는 점착면(36a)이 마련되어 있지만, 유지 시트(36)의 바닥면은 점착성을 갖고 있지 않다. 이 때문에, 단순히 배치부(35)를 트레이(34)의 배치면(34a)에 배치하는 것만으로는 유지 시트(36)의 바닥면과 배치면(34a) 사이에 간극이 생긴다. 즉, 유지 시트(36)의 표면과 배치면(34a)의 표면에는 미세한 요철이 있기 때문에, 접촉하고 있는 면적은 전체의 10% 정도가 되어 버린다. 접촉하지 않은 공간은 진공이기 때문에 열전도가 없다. 이 때문에, 전자 부품(10)의 열이 트레이(34)에 전달되기 어렵게 된다.

(2) 배치부(35)의 유지 시트(36)의 바닥면에 점착성이 있는 경우

상기한 (1)의 문제에 대처하기 위해서, 유지 시트(36)의 바닥면에 점착성을 갖게 하는 것을 생각할 수 있다. 그렇게 하면, 배치부(35)를 트레이(34)의 배치면(34a)에 밀착시킬 수 있어, 유지 시트(36)의 바닥면과 배치면(34a) 사이의 간극이 대폭 감소하기 때문에 열전도성이 향상된다. 그러나, 이 경우, 성막 처리 후, 트레이(34)의 배치면(34a)으로부터 배치부(35)의 유지 시트(36)의 바닥면을 당겨 벗기는 공정이 필요하게 된다. 배치면(34a)으로부터 배치부(35)를 당겨 벗길 때에, 점착한 면에 균일하게 힘을 전달하기는 어렵기 때문에, 당겨 벗기는 힘이 일부에 가해져 프레임(37), 유지 시트(36)가 왜곡될 가능성이 있다. 이와 같이 프레임(37)이나 유지 시트(36)가 왜곡되면, 전자 부품(10)의 배치면의 평탄도를 잃거나, 전자 부품(10)의 배치 간격에 불균일이 생기거나 하기 때문에, 후의 픽업 등의 공정에 지장을 초래한다.

또한, 전자 부품(10)을 유지 시트(36)로부터 픽업할 때는, 유지 시트(36)의 바닥면에서 1개씩 핀으로 쳐올려 벗기기 때문에, 바닥면에 점착성이 있으면, 핀에 점착제가 부착되어, 핀의 접촉 위치, 접촉 면적이 변화함으로써 정확한 픽업을 할 수 없다. 또한, 접촉시킨 핀을 유지 시트(36)로부터 떼어놓을 때에, 유지 시트(36)가 핀에 부착된 채로 잡아당겨지고, 그 후, 유지 시트(36)의 장력을 점착제의 점착력이 이기지 못해 벗겨지고, 이로써 벗겨져 버리면, 전자 부품(10)에 위치 어긋남이나 박리 등의 영향을 줄 가능성이 있다.

[전자 부품의 방열이 향상되는 이유]

본 실시형태에서는, 배치부(35)의 유지 시트(36)의 점착면(36a)의 반대쪽의 면은 점착성을 갖지 않는 비점착면(36b)이다. 그러나, 이 유지 시트(36)를 밀착 시트(38)를 통해 트레이(34)의 배치면(34a)에 밀착시키고 있다. 이 때문에, 전자 부품(10)의 열이 유지 시트(36), 밀착 시트(38)를 통해, 트레이(34)에 전달된다. 따라서 전자 부품(10)의 가열이 억제된다.

또한, 제1 밀착면(38a)과 비점착면(36b)의 접착력이 제2 밀착면(38b)과 배치면(34a)의 접착력보다 작다. 이 때문에, 트레이(34)로부터 유지 시트(36)를 이탈시킬 때에, 제2 밀착면(38b)이 배치면(34a)에 밀착한 상태에서, 제1 밀착면(38a)으로부터 유지 시트(36)가 용이하게 벗겨진다. 따라서, 프레임(37), 유지 시트(36)가 왜곡되기 어렵다. 유지 시트(36)의 점착면(36a)과 반대쪽이 비점착면(36b)이기 때문에, 전자 부품(10)을 픽업할 때에, 유지 시트(36)가 핀에 부착되는 문제도 생기지 않는다.

[작용 효과]

본 실시형태는, 스퍼터 가스(G1)가 도입되는 용기인 챔버(20)와, 챔버(20) 내에 설치되며, 전자 부품(10)을 순환 반송하는 반송부(30)와, 반송부(30)에 의해 순환 반송되는 전자 부품(10)에, 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터원(4)을 가지고, 스퍼터원(4)에 의해 전자 부품(10)에 성막하는 성막 처리부(40)와, 반송부(30)에 의해 반송되며, 배치면(34a)을 갖는 트레이(34)와, 배치면(34a)에 배치되며, 전자 부품(10)을 탑재하기 위한 배치부(35)를 갖는다.

배치부(35)는, 한쪽의 면에 점착성을 갖는 점착면(36a)을 가지고, 다른 쪽의 면에 점착성을 갖지 않는 비점착면(36b)을 갖는 유지 시트(36)와, 한쪽의 면에 비점착면(36b)에 밀착하는 점착성이 있는 제1 밀착면(38a)을 가지고, 다른 쪽의 면에 트레이(34)의 배치면(34a)에 밀착하는 점착성이 있는 제2 밀착면(38b)을 갖는 밀착 시트(38)를 가지고, 점착면(36a)은, 전자 부품(10)을 접착하기 위한 접착 영역(S)을 가지고, 적어도 접착 영역(S)에 대응하는 비점착면(36b) 영역 전체에 걸쳐 제1 밀착면(38a)이 밀착되어 있다.

이 때문에, 전자 부품(10)으로부터의 열이, 유지 시트(36) 및 밀착 시트(38)를 통해 트레이(34)에 전달되어 효율적으로 방열되기 때문에, 장치 구성을 복잡화, 대형화하지 않고서 전자 부품(10)의 가열을 억제할 수 있다. 또한, 냉각을 위해서 전력을 사용할 필요가 없고, 메인터넌스도 용이하게 된다.

유지 시트(36)의 점착면(36a)에는, 접착 영역(S)의 외연의 일부 또는 전부를 규정하는 프레임(37)이 접착되고, 제1 밀착면(38a)은, 접착 영역(S)에 대응하는 비점착면(36b) 영역 전체에 더하여 또한 프레임(37)에 대응하는 비점착면(36b)의 영역에도 밀착되어 있다.

이 때문에, 프레임(37)으로부터의 열도, 유지 시트(36) 및 밀착 시트(38)를 통해 트레이(34)에 전달되어 효율적으로 방열된다. 프레임(37)은, 유지 시트(36)에 비해서 경질이기 때문에, 밀착 시트(38)로부터 유지 시트(36)를 박리할 때에, 프레임(37)에 둘러싸인 접착 영역(S)이 안정되어, 전자 부품(10)에 대한 영향을 억제할 수 있다. 단, 성막 처리 등에 있어서, 프레임(37)도 전자 부품(10)과 마찬가지로 가열된다. 본 실시형태에서는, 밀착 시트(38)에 의한 냉각 효과를 프레임(37)에 관해서도 얻을 수 있다.

또한, 제1 밀착면(38a)과 비점착면(36b)의 접착력을 Fa, 제2 밀착면(38b)과 배치면(34a)의 접착력을 Fb라고 하면, Fa<Fb이다. 보다 바람직하게는, 제1 밀착면(38a)의 비점착면(36b)에 대한 박리 저항이 제2 밀착면(38b)의 배치면(34a)에 대한 박리 저항보다도 작은 재질에 의해 형성되어 있다.

이 때문에, 배치부(35)로부터 밀착 시트(38)를 분리할 때에, 밀착 시트(38)가 트레이(34) 측에 남아, 유지 시트(36)를 박리하여 쉽게 된다. 유지 시트(36)를 밀착 시트(38)로부터 가벼운 힘으로 박리할 수 있기 때문에, 유지 시트(36)의 변형을 억제할 수 있다.

또한, 밀착 시트(38)는 열전도율이 0.1 W/(m·K) 이상이다. 이에 따라, 전자 부품(10)의 방열이 촉진되어 가열이 방지된다.

[시험 결과]

본 실시형태의 성막 장치와 비교예의 성막 장치를 이용하여, 상기와 같은 순서로 실제로 성막 처리의 동작을 실시하여, 온도를 측정한 시험 결과를 이하에 설명한다. 단, 배치부에는 전자 부품을 배치하지 않았다. 온도는, 필름의 온도≒전자 부품의 온도라고 간주하여, 유지 시트의 온도를 열전대로 측정했다. 전자파 실드막의 각 층의 성막 조건은, 도 10에 도시한 것과 같다. 또, Ar 봄바드(Bombardment)란, 이온 봄바드먼트라고도 하고, Ar에 의한 세정, 조면화 처리이며, 상기한 표면 처리에 상당한다.

(비교예)

비교예에서는, 유지 시트로서 PET 필름을 이용하고, 밀착 시트를 이용하지 않고서 성막을 행했다. 이 결과를 도 11에 도시한다. 이 시험에서는, 표면 처리에 의해 50℃ 정도까지 상승하고, 하지층의 SUS의 성막으로 80℃ 정도, 또한 Cu의 성막으로 145℃ 정도까지 상승했다. 그 후의 보호층의 SUS의 성막에서는 110℃ 정도까지 하강했다.

일반적인 반도체 패키지는, 150℃를 넘으면, 패키지를 구성하는 수지가 파괴되기 쉽게 된다. 이 때문에, 150℃에 가까운 145℃ 정도까지 가열되어 버리는 것은 바람직하지 못하다. 특히, 100℃를 넘으면, 유지 시트와 밀착 시트로부터 수분이나 접착제의 가스 방출이 발생하여, 저항치가 오르는 등, 막질을 열화시킬 가능성이 있다. 이 때문에, 이러한 성막 장치의 경우, 냉각 기구가 있는 것이 바람직하다.

(실시예)

실시예에서는, 유지 시트로서 PET 필름을 이용하고, 밀착 시트로서 PET 필름을 이용하여 성막을 행했다. 이 결과를 도 12에 도시한다. 이 시험에서는, 표면 처리에 있어서는, 35℃ 정도의 상승에 머무르고, 하지층의 SUS의 성막으로 40℃ 정도, 또한 Cu의 성막으로 60℃ 정도까지밖에 상승하지 않았다. 그 후의 보호층의 SUS의 성막에서는 50℃ 정도까지 하강했다. 이와 같이, 본 발명에서는 온도 상승이 대폭 억제되는 것을 알 수 있다. 또, 도 11, 도 12에서는, 노이즈가 들어간 관계로, 미세한 시간 간격으로 측정치가 위아래로 변동하고 있는 부위가 있지만, 전체적인 경향은 변하지 않는다.

[다른 실시형태]

본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 다음과 같은 양태도 포함한다.

(1) 상기한 실시형태에서는, 유지 시트(36), 밀착 시트(38)를 평탄하다고 하고 있지만, 이것은 평판형인 것을 의미하여, 그 표면이 평평한 것에 한정되지는 않는다. 유지 시트(36)의 점착면(36a), 밀착 시트(38)의 제1 밀착면(38a), 제2 밀착면(38b)은 점착성이 있는 면이기 때문에 미세한 요철이 존재한다. 또한, 밀착 시트(38)의 제1 밀착면(38a), 제2 밀착면(38b)을 홈을 갖는 형상으로 하여도 좋다. 예컨대, 제1 밀착면(38a) 및 제2 밀착면(38b)의 한쪽 또는 양쪽에, 외부와 연통된 홈을 형성한다. 홈은 냉각 효과를 저해하지 않을 정도로 작은 것이 바람직하다. 이러한 홈을 형성함으로써, 유지 시트(36)와 밀착 시트(38)를 접착시켰을 때에, 밀착면에 기포가 형성되었다고 해도 홈으로부터 기포가 빠지기 쉽게 되는 효과가 있다. 또한, 이 경우, 밀착 시트(38)에 있어서의 홈으로 구획된 형상은, 사각형 등의 다각형으로 하여도, 원형, 타원형 등의 폐곡선 형상으로 하여도 좋다. 또한, 트레이(34)의 배치면(34a)도 평탄면에는 한정되지 않는다. 배치면(34a)과 밀착 시트(38)의 제2 밀착면(38b)의 각각에 상호 합치하는 요철을 형성해 두고, 표면적의 확대에 의한 열전도성의 향상을 도모하여도 좋다.

(2) 성막 재료에 관해서는, 스퍼터링에 의해 성막 가능한 다양한 재료를 적용할 수 있다. 예컨대, 전자파 실드막으로서는 Al, Ag, Ti, Nb, Pd, Pt, Zr 등을 이용할 수도 있다. 또한 자성체로서 Ni, Fe, Cr, Co 등을 사용할 수 있다. 더욱이, 하지의 밀착층으로서 SUS, Ni, Ti, V, Ta 등을 이용하거나, 최표면의 보호층으로서 SUS, Au 등을 이용할 수 있다.

(3) 패키지(12)의 형태는, 예컨대 BGA, LGA, SOP, QFP, WLP 등, 현재 또는 장래에 이용 가능한 온갖 형태가 적용 가능하다. 전자 부품(10)이 외부와의 전기적인 접속을 행하는 단자로서도, 예컨대, 바닥면에 형성하는 BGA 등의 반구형인 것이나 LGA 등의 평면형인 것, 측면에 형성하는 SOP, QFP의 세판형인 것 등이 생각되지만, 현재 또는 장래에 이용 가능한 온갖 단자가 적용 가능하며, 그 형성 위치도 상관없다. 또한, 전자 부품(10)의 내부에 밀봉되는 소자(11)는 단수라도 복수라도 좋다.

(4) 성막 포지션에 있어서의 타겟의 수는 2개에 한정되지는 않는다. 타겟을 하나로 하여도 3개 이상으로 하여도 좋다. 또한, 성막 포지션도 2개 이하로 하여도 4개 이상으로 하여도 좋다.

(5) 반송부에 의해 동시 반송되는 트레이, 전자 부품의 수, 이것을 유지하는 유지부의 수는, 적어도 하나면 되며, 상기한 실시형태에서 예시한 수에 한정되지는 않는다. 즉, 하나의 전자 부품이 순환하여 성막을 반복하는 양태라도 좋고, 2개 이상의 전자 부품이 순환하여 성막을 반복하는 양태라도 좋다.

(6) 에칭이나 애싱에 의한 세정이나 표면 처리는, 성막 포지션을 갖는 챔버와는 별도의 챔버에서 행하여도 좋다. 또, 산화 처리 또는 후산화 처리를 행하는 경우는, 프로세스 가스(G2)로서 산소를 이용할 수 있다. 질화 처리를 행하는 경우는, 프로세스 가스(G2)로서 질소를 이용할 수 있다.

(7) 상기한 실시형태에서는, 회전 테이블(31)이 수평면 내에서 회전하는 예 로 하고 있다. 단, 반송부의 회전면의 방향은 특정 방향에 한정되지는 않는다. 예컨대, 수직면 내에서 회전하는 회전면으로 할 수도 있다. 또한, 반송부가 갖는 반송 수단은 회전 테이블에 한정되지는 않는다. 예컨대, 워크를 유지하는 유지부를 갖는 원통형의 부재가 축을 중심으로 회전하는 회전체로 하여도 좋다. 또한, 순환반송의 궤적은 원주에 한정되지는 않는다. 무단형의 반송 경로에 의해 순환 반송되는 양태를 넓게 포함한다. 예컨대, 직사각형이나 타원이라도 좋고, 크랭크나 사행하는 경로를 포함하고 있어도 좋다. 반송 경로는 예컨대 컨베이어 등에 의해 구성하여도 좋다.

또한, 본 발명은, 스퍼터 가스(G1)가 도입되는 용기인 챔버(20)와, 챔버(20) 내에 설치되며, 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터원(4)을 가지고, 스퍼터원(4)에 의해 전자 부품(10)에 성막하는 성막 처리부(40)와, 성막 처리부(40)에 의한 처리 영역에 설치되며, 배치면(34a)을 갖는 트레이(34)와, 배치면(34a)에 배치되며, 전자 부품(10)을 탑재하기 위한 배치부(35)를 갖는 성막 장치(100)이며, 상기와 같은 배치부(35)를 갖고 있으면 된다. 이 때문에, 전자 부품(10)을 순환 반송하지 않고서 정지한 상태에서 성막하는 성막 장치라도 좋다. 배치부(35)를 통해 전자 부품(10)을 탑재한 트레이(34)를 반입하고, 처리 영역에 설치하여, 타겟(41)에 대한 상대 위치를 변화시키지 않고서 스퍼터링을 행하여도 좋다.

(8) 상기한 실시형태에서는, 성막 재료를 1종씩 선택적으로 퇴적시켜 성막하도록 하고 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한하는 것이 아니라, 성막 재료를 선택적으로 퇴적시킴으로써, 복수의 성막 재료의 층으로 이루어지는 막을 형성할 수 있으면 된다. 이 때문에, 2종 이상의 성막 재료를 동시에 퇴적시키도록 하여도 좋다. 예컨대, 전자파 실드막을 Co, Zr, Nb의 합금으로 형성하는 경우가 있다. 이러한 경우에, 복수의 성막 처리부 중, Co를 성막 재료로 하는 성막 처리부와, Zr를 성막 재료로 하는 성막 처리부와 Nb를 성막 재료로 하는 성막 처리부를 동시에 선택하여 성막을 행하도록 하여도 좋다.

그리고 이 경우, 원주의 궤적 중, 이들의 성막 중에 성막 포지션을 통과하는 궤적보다도, 성막 중의 성막 포지션 이외의 부분을 통과하는 궤적 쪽이 길게 되도록 성막에 이용하는 성막 처리부를 선택하거나 혹은 성막 처리부를 구획하는 구획부의 배치를 설정하면 된다.

즉, 1종 또는 복수 종의 성막 처리부를 여러 개 선택하여 성막을 행하는 경우, 혹은 단일의 성막 처리부를 선택하여 성막을 행하는 경우 중 어디에서도, 원주의 궤적 중, 성막 중에 성막 포지션을 통과하는 궤적보다도, 성막 중의 성막 포지션 이외의 부분을 통과하는 궤적 쪽이 길게 되도록, 성막에 이용하는 성막 처리부를 선택하거나, 혹은 성막 처리부를 구획하는 구획부의 배치를 설정하면 된다.

(9) 이상, 본 발명의 실시형태 및 각 부의 변형예를 설명했지만, 이 실시형태나 각 부의 변형예는 일례로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 상술한 이들 신규의 실시형태는 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은 발명의 범위나 요지에 포함됨과 더불어, 특허청구의 범위에 기재된 발명에 포함된다.

10: 전자 부품, 11: 소자, 12: 패키지, 13: 전자파 실드막, 14: 기판, 100: 성막 장치, 20: 챔버, 20a: 천장, 20b: 내저면, 20c: 내주면, 21: 진공실, 22: 배기구, 23: 배기부, 24: 도입구, 25: 가스 공급부, 30: 반송부, 31: 회전 테이블, 32: 모터, 33: 유지부, 34: 트레이, 34a: 배치면, 34b: 주벽부, 35: 배치부, 36: 유지 시트, 36a: 점착면, 36b: 비점착면, 37: 프레임, 37a: 관통 구멍, 38: 밀착 시트, 38a: 제1 밀착면, 38b: 제2 밀착면, 40, 40A, 40B: 성막 처리부, 4: 스퍼터원, 41, 41A, 41B: 타겟, 42: 배킹 플레이트, 43: 전극, 44: 구획부, 44a, 44b: 벽판, 5: 처리 유닛, 51: 통형 전극, 51a: 개구부, 51b: 플랜지, 52: 절연 부재, 53: 하우징, 54: 실드, 55: 프로세스 가스 도입부, 56: RF 전원, 57: 매칭 박스, 6: 전원부, 60: 로드록부, 70: 제어 장치, 71: 기구 제어부, 72: 전원 제어부, 73: 기억부, 74: 설정부, 75: 입출력 제어부, 76: 입력 장치, 77: 출력 장치, E: 배기, L: 반송 경로, M, M1, M2: 성막 포지션, M3: 처리 포지션, G: 반응 가스, G1: 스퍼터 가스, G2: 프로세스 가스, S: 접착 영역

Claims (6)

1. 스퍼터 가스가 도입되는 용기인 챔버와,
   상기 챔버 내에 설치되며, 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터원을 가지고, 상기 스퍼터원에 의해 전자 부품에 성막하는 성막 처리부와,
   상기 성막 처리부에 의한 처리 영역에 설치되며, 배치면을 갖는 트레이와,
   상기 배치면에 배치되고, 상기 전자 부품을 탑재하기 위한 배치부를 가지며,
   상기 배치부는,
   한쪽의 면에 점착성을 갖는 점착면을 가지고, 다른 쪽의 면에 점착성을 갖지 않는 비점착면을 갖는 유지 시트와,
   한쪽의 면에 상기 비점착면에 밀착하는 점착성이 있는 제1 밀착면을 가지고, 다른 쪽의 면에 상기 트레이의 배치면에 밀착하는 점착성이 있는 제2 밀착면을 갖는 밀착 시트를 가지며,
   상기 점착면은, 상기 전자 부품을 접착하기 위한 접착 영역을 가지며,
   적어도 상기 접착 영역에 대응하는 비점착면 영역 전체에 걸쳐, 상기 제1 밀착면이 밀착되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
2. 스퍼터 가스가 도입되는 용기인 챔버와,
   상기 챔버 내에 설치되며, 전자 부품을 순환 반송하는 반송부와,
   상기 반송부에 의해 순환 반송되는 상기 전자 부품에, 스퍼터링에 의해 성막 재료를 퇴적시켜 성막하는 스퍼터원을 가지고, 상기 스퍼터원에 의해 전자 부품에 성막하는 성막 처리부와,
   상기 반송부에 의해 반송되고, 배치면을 갖는 트레이와,
   상기 배치면에 배치되고, 상기 전자 부품을 탑재하기 위한 배치부를 가지며,
   상기 배치부는,
   한쪽의 면에 점착성을 갖는 점착면을 가지고, 다른 쪽의 면에 점착성을 갖지 않는 비점착면을 갖는 유지 시트와,
   한쪽의 면에 상기 비점착면에 밀착하는 점착성이 있는 제1 밀착면을 가지고, 다른 쪽의 면에 상기 트레이의 배치면에 밀착하는 점착성이 있는 제2 밀착면을 갖는 밀착 시트를 가지며,
   상기 점착면은, 상기 전자 부품을 접착하기 위한 접착 영역을 가지며,
   적어도 상기 접착 영역에 대응하는 비점착면 영역 전체에 걸쳐, 상기 제1 밀착면이 밀착되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유지 시트의 점착면에는, 상기 접착 영역의 외연(外緣)의 일부 또는 전부를 규정하는 프레임이 접착되고,
   상기 제1 밀착면은, 상기 접착 영역에 대응하는 비점착면 영역 전체에 더하여, 또한 상기 프레임에 대응하는 비점착면의 영역에도 밀착되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 밀착면과 상기 비점착면의 접착력을 Fa, 상기 제2 밀착면과 상기 배치면의 접착력을 Fb라고 하면, Fa<Fb인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 밀착 시트는, 상기 제1 밀착면의 상기 비점착면에 대한 박리 저항이 상기 제2 밀착면의 상기 배치면에 대한 박리 저항보다 작은 재질에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 밀착 시트는 열전도율이 0.1 W/(m·K) 이상인 것을 특징으로 하는 성막 장치.

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