TWI653298B - 具有藍色發光元件之顯示裝置用偏光元件或偏光板 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種於有機電致發光顯示裝置中可提高對比度且可提高色彩之顯示性之偏光元件或偏光板。
本發明將含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材控制為如下：該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。

Description

具有藍色發光元件之顯示裝置用偏光元件或偏光板
本發明係關於一種有機電致發光用偏光元件或偏光板。
偏光元件通常係藉由使作為二色性色素之碘或二色性染料吸附配向於聚乙烯醇樹脂膜而製造。於該偏光元件之至少單面經由接著劑層貼合包含三乙醯纖維素等之保護膜而製成偏光板，用於液晶顯示裝置等。使用碘作為二色性色素之偏光板被稱為碘系偏光板，另一方面，使用二色性染料作為二色性色素之偏光板被稱為染料系偏光板。該等之中，染料系偏光板有具有高耐熱性、高濕熱耐久性、高穩定性，且基於調配之色彩之選擇性較高之特徵，另一方面，若將具有相同偏光度之偏光板與碘系偏光板相比，則有透過率較低、即對比度較低之問題。因此，期待維持較高之耐久性，色彩之選擇性多樣，且為更高之透過率，具有較高之偏光特性。
近年來，如專利文獻1及專利文獻2所示，偏光板上貼合有具有120nm至150nm相位差之1/4λ(相對於550nm為1/4波長)相位差板的偏光板、或者偏光板上貼合有相位差為120nm至150nm之1/4λ相位差板及具有260nm至290nm之相位差之1/2λ(相對於550nm為1/2波長)相位差板的膜不僅用於液晶顯示裝置，亦用於有機電致發光顯示裝置(以 下，簡稱為OLED)等。OLED係藉由自發光而進行顯示，但於其顯示裝置內設置有電極等，若對該裝置入射外界光，則會產生反射光，而使顯示對比度降低。為了減少OLED之外界光所導致之對比度降低而使用1/4λ相位差板製成圓偏光板，藉此於OLED中用於抗反射。
然而，通常用於OLED之偏光板係使用與用於要求高對比度之電視或行動電話等液晶顯示裝置之偏光板同樣地，於2片偏光板之吸收軸平行地配置時呈現白色，於2片偏光板之吸收軸正交地配置時呈現黑色之具有較高之偏光度的碘系偏光板。然而，此種碘系偏光板由於其透過率為35%至44%，故而有亮度大幅降低之問題。進而，由於吸收較多作為可見光之短波長側之400nm至500nm之光，故而如例如專利文獻3及專利文獻4所記載之OLED般，於460nm附近具有較強發光之OLED之藍色發光效率降低，因此亮度降低，缺乏色彩之顯示性。針對此種亮度大幅降低之問題，考慮使用透過率為45%至60%之碘系偏光板而防止亮度之降低，但碘系偏光板之耐久性較差，因此會因長時間之使用而結果招致亮度降低，明顯缺乏可靠性。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-311239號公報
[專利文獻2]日本專利特開2007-27043號公報
[專利文獻3]日本專利第4970934號公報
[專利文獻4]WO2012/128081
[專利文獻5]日本專利第4815149號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]功能性色素之應用第1次印刷發行版CMC股份有限公司出版 入江正浩監修P98~100
[非專利文獻2]染料化學，細田豐著，技報堂
針對此種問題，於專利文獻5中面向OLED而揭示有一種有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器之技術，其藉由吸收光效率較高之波段之光，提高光效率較低之波段之光之透過率，降低偏光效率而提高發光效率，同時可防止光反射所導致之明暗對比率降低。然而，於該方法中，僅揭示於作為能見度較高之範圍之500nm至600nm下吸收成為最大之偏光板，若僅利用其透過率之調整，則缺乏對比度之改善以及色彩之顯示性。又，若僅利用調整僅500nm至600nm之偏光板，則對比度之改善不充分。進而，於專利文獻5中並無關於其所使用之偏光板之具體透過率或偏光度及各波長之透過率之記載。
若確認專利文獻3、專利文獻4所記載之OLED之各波長之發光強度，則表示如圖1之發光。圖1所示之OLED之發光強度表示使用分光放射照度計(Spectro-Radiometer USR-40，Ushio電氣股份有限公司製造)進行測定，並將最高發光強度設為100進行換算所得之結果。
關於OLED之發光，以460nm為中心之發光為藉由藍色發光材料之發光，又，以590nm為中心之發光為藉由螢光體將藍色發光進行螢光轉換而得之發光。該OLED之方式被稱為色彩轉換方式，為OLED之方式之一。然而，該方式有藍色之色純度仍然較差之問題、以及進而若外界光入射至OLED則螢光體發光而使對比度降低之問題。該外界光所導致之對比度降低係外界光越強則影響越強，為了抑制外界光所導致之螢光體之發光以提高藍色發光體之色純度及提高發光效率，必須控制偏光元件或偏光板之各波長下之透過率。對於具有藍色自發光元件之顯示裝置，必須設計適於其之偏光元件或偏光板。
又，可知若外界光入射至如專利文獻3、專利文獻4之OLED，則具有如圖2之反射光強度。圖2所示之OLED之反射光強度係使用分光 光度計U-4100(日立製作所公司製作)進行測定，將最高反射光強度設為100進行換算所得之結果。
如圖2所示，可知OLED之外界光所導致之反射光於500nm至600nm下顯示較強之反射。該外界光之反射越強，對顯示裝置之影響越大。由於使用用於OLED之ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)之透明電極，故而認為此種反射光存在其反射所導致之影響等。
因此，對於OLED，要求可不阻礙以460nm為中心之440nm至500nm之發光而控制來自外界光之500nm至650nm之反射光，即，對於偏光元件或其偏光板，要求單獨體透過率較高且耐久性較高，並且於440nm至500nm下透過率較高，於500nm至650nm下偏光度較高，尤其是於550nm至650nm下偏光度較高。
本發明者為了解決上述問題而進行努力研究，結果新發現如下偏光元件或偏光板面向具有藍色自發光元件之顯示裝置，不僅提高OLED之對比度，而且提高色彩之表現性，該偏光元件或偏光板之特徵在於：其係包含含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材之偏光元件，並且該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之各波長之透過率中440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率中550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
即，本發明係關於如下者：「(1)一種偏光元件，其特徵在於：其係包含含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材者，並且1片該基材之透過率為45%至60%，且440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下； (2)如(1)之偏光元件，其中含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材中，使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之440nm至500nm之平均透過率為15%以上，1片該基材之550nm至650nm之平均透過率為40%以上；(3)如(1)或(2)之偏光元件，其中含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材中，使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之500nm至550nm之平均透過率為20%以下，1片該基材之500nm至550nm之平均透過率為45%以上；(4)如技術方案1至3中任一項之偏光元件，其偏光度為60%以上；(5)如技術方案1至4中任一項之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物之至少一種以游離酸之形式含有式(1)所表示之偶氮化合物，
(A1表示具有取代基之苯基或萘基，R1表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X1表示可具有取代基之苯基胺基)；(6)如(1)至(4)中任一項之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物之至少一種以游離酸之形式含有式(2)所表示之偶氮化合物，
(A2表示具有取代基之苯基，R2至R5分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X2表示可具有取代基之苯基胺基，其中，R2至R5不滿足同時全部為低級烷氧基之情況)；(7)如(1)至(4)中任一項之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物之至少一種以游離酸之形式含有式(3)所表示之偶氮化合物，
(A3表示硝基或胺基，R6及R7分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X3表示可具有取代基之苯基胺基)；(8)如(1)至(7)中任一項之偏光元件，其中使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之500nm至550nm之平均透過率為15%以下，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為60%以上，且500nm至550nm之平均透過率為45%以上；(9)如(1)至(8)中任一項之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物之至少一種含有式(1)至式(3)所表示之偶氮化合物之至少一種，且 一併以游離酸之形式含有式(4)所表示之偶氮化合物，
(A4表示具有取代基之苯基或萘基，R8或R9分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、或具有磺基之低級烷氧基，X4表示可具有取代基之胺基、可具有取代基之苯甲醯基胺基、可具有取代基之苯基胺基、可具有取代基之苯基偶氮基、可具有取代基之萘并三唑基)；(10)如(9)之偏光元件，其中式(4)之X4為可具有取代基之苯基胺基；(11)如(9)或(10)之偏光元件，其中式(4)之A4為具有取代基之苯基；(12)如(1)至(8)中任一項之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物之至少一種含有式(1)至式(3)所表示之偶氮化合物之至少一種，且一併以游離酸之形式含有式(5)所表示之偶氮化合物，
(式中，R10、R11分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、具有磺基之低級烷氧基、羰基或具有鹵素原子之苯基或萘基)；(13)如(12)之偏光元件，其中式(5)之R10、R11分別獨立為氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、具有磺基之低級烷氧基、羰基或具有鹵素原子之苯基；(14)如(13)之偏光元件，其中R10、R11分別獨立地至少一個取代基為甲氧基，進而另一個取代基為磺基或羰基；(15)如(5)或(8)至(14)中任一項之偏光元件，其中式(1)之R1為甲基或甲氧基；(16)如(5)或(8)至(15)中任一項之偏光元件，其中式(1)之A1為具有取代基之苯基；(17)如(6)或(8)至(14)中任一項之偏光元件，其中式(2)之R4或R5之至少一者為甲氧基；(18)如(6)、(8)至(14)或(17)中任一項之偏光元件，其中式(2)之R2或R3之至少一者為甲氧基；(19)如(6)、(8)至(15)、(17)或(18)中任一項之偏光元件，其中式(2)之A2為具有取代基之苯基；(20)如(7)至(15)中任一項之偏光元件，其中式(3)之R6及R7之至少一者為甲氧基；(21)如(7)至(15)或(20)中任一項之偏光元件，其中式(3)之R6及R7為甲氧基；(22)如(1)至(21)中任一項之偏光元件，其中基材包含聚乙烯醇系樹脂膜；(23)一種偏光板，其係於如(1)至(22)中任一項之偏光元件之至少單面設置支持體膜而成； (24)如(1)至(22)中任一項之偏光元件或如(23)之偏光板，其設置有具有120nm至150nm之相位差之相位差板；(25)一種有機電致發光顯示裝置，其使用如(1)至(22)中任一項之偏光元件或如(23)或(24)之偏光板」。
本發明係關於一種於具有藍色自發光元件之顯示裝置、尤其是OLED中可提高對比度且可提高色彩之顯示性之偏光元件或偏光板。
圖1表示OLED之各波長之發光強度。
圖2表示外界光入射至OLED時之反射光強度。
圖3中第1 Y軸表示實施例2之偏光板之透過率，第2 Y軸表示實施例2之將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置的發光強度。
圖4中第1 Y軸表示實施例3之偏光板之透過率，第2 Y軸表示實施例3之將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置的發光強度。
圖5中第1 Y軸表示實施例6之偏光板之透過率，第2 Y軸表示實施例6之將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置的發光強度。
圖6中第1 Y軸表示實施例7之偏光板之透過率，第2 Y軸表示實施例7之將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置的發光強度。
圖7中第1 Y軸表示實施例8之偏光板之透過率，第2 Y軸表示實施例8之將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置的發光強度。
圖8中第1 Y軸表示比較例1之偏光板之透過率，第2 Y軸表示比較 例1之將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置的發光強度。
本發明係關於一種於具有藍色自發光元件之顯示裝置、尤其是OLED中之偏光元件或偏光板，其特徵在於：其係包含含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材之偏光元件，並且單獨體透過率為45%至60%，1片該基材之各波長之透過率中440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
所謂基材，係指將包含可含有偶氮化合物之親水性高分子者製膜而成者。親水性高分子並無特別限定，例如有聚乙烯醇系樹脂、直鏈澱粉系樹脂、澱粉系樹脂、纖維素系樹脂、聚丙烯酸鹽系樹脂等。於含有偶氮化合物之情形時，就加工性、染色性、交聯性等而言，最佳為包含聚乙烯醇系樹脂及其衍生物之樹脂。藉由將該等樹脂製成膜狀，使其含有本發明之偶氮化合物及其調配物，應用延伸等配向處理，可製作偏光元件或偏光板。
本案中所使用之偶氮化合物通常可使用被稱為二色性染料者，更佳為二色性較高者。於該情形時，所謂以偶氮化合物為代表之二色性染料，例如除了如非專利文獻1所示之偶氮化合物以外，亦可列舉：C.I.直接黃12、C.I.直接黃28、C.I.直接黃44、C.I.直接橙26、C.I.直接橙39、C.I.直接橙107、C.I.直接紅2、C.I.直接紅31、C.I.直接紅79、C.I.直接紅81、C.I.直接紅247、C.I.直接綠80、C.I.直接綠59、及日本專利特開2001-33627號公報、日本專利特開2002-296417號公報及日本專利特開昭60-156759號公報所記載之有機染料等。該等二色性染料除游離酸以外，亦可例示鹼金屬鹽(例如Na鹽、K鹽、Li鹽)、銨鹽、或胺類之鹽。其中，二色性染料並不限定於該等，可例示公知 之二色性染料。
調整包含該偶氮化合物之二色性染料於基材中之含量，且調整為如下，即，該基材單獨體之透過率為45%至60%，使其具有偏光功能，1片基材之各波長之透過率中440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率中550nm至650nm之平均透過率為10%以下，藉此可獲得本案發明之偏光元件或偏光板。此處，本發明中之平均透過率意指於所示波長與波長之間，每5nm進行測定而獲得之各透過率之平均值。具體而言，例如440nm至500nm之平均值表示440nm、445nm、450nm、460nm、465nm、470nm、475nm、480nm、485nm、490nm、495nm、500nm之各透過率之平均值。基材單獨體之透過率會對透過來自OLED之發光時之發光效率造成影響，故而較佳為具有較高之透過率。關於使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率，為了減少外界光入射時之反射光，較低較好，關於440nm至500nm之平均透過率中相對於吸收軸方向成為正交而獲得之各波長之透過率，為了提高藍色發光效率，並且為了即便作為OLED顯示裝置亦無因外界光而發光之因素，較佳為即便為正交時之透過率亦具有較高之透過率。作為基材單獨體之透過率，較佳為45%至55%。若透過率超過60%，則偏光性能明顯降低，故而欠佳。作為此時之偏光度，只要具有60%以上，則可抑制OLED之對比度降低，較佳為有70%以上，更佳為有75%以上。又，作為各波長之控制方法，較佳為1片基材之各波長之透過率中440nm至500nm之平均透過率為60%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率中550nm至650nm之平均透過率為6%以下。進而較佳為1片基材之各波長之透過率中440nm至500nm之平均透過率為65%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而 進行測定所獲得之各波長之透過率中550nm至650nm之平均透過率為3%以下。
進而，為了製成適於OLED之偏光元件，較佳為使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率中440nm至500nm之平均透過率為15%以上，1片該基材之各波長之透過率中550nm至650nm之平均透過率為40%以上，藉此不會阻礙440nm至500nm之發光，且不會阻礙550nm至650nm之螢光體之發光效率，較佳為使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率中440nm至500nm之平均透過率為30%以上，1片該基材之各波長之透過率中550nm至650nm之平均透過率為40%以上。進而較佳為使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率中440nm至500nm之平均透過率為40%以上，1片該基材之各波長之透過率中550nm至650nm之平均透過率為43%以上。
又，為了防止因來自外界光之影響而導致OLED之對比度降低，較佳為使2片作為偏光元件之基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率中500nm至550nm之平均透過率為20%以下，並且1片基材之500nm至550nm之平均透過率為45%以上。如此，藉由控制500nm至550nm之偏光，可抑制外界光所導致之對比度之降低。
藉由以游離酸之形式含有至少一種式(1)所表示之偶氮化合物作為基材中所含之偶氮化合物，可獲得更良好之本發明之偏光元件或偏光板。較佳為R1為甲基或甲氧基，進而較佳為A1為具有取代基之苯基。再者，本發明之低級烷基及低級烷氧基之低級係表示碳數為1至3。
(A1表示具有取代基之苯基或萘基，R1表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、或具有磺基之低級烷氧基，X1表示可具有取代基之苯基胺基)
藉由以游離酸之形式含有至少一種式(2)所表示之偶氮化合物作為基材中所含之偶氮化合物，可獲得更良好之本發明之偏光元件或偏光板。較佳為式(2)之R4或R5之至少一者為甲氧基，更佳為式(2)之R2或R3之至少一者為甲氧基，進而較佳為式(2)之A2為具有取代基之苯基。
(A2表示具有取代基之苯基，R2至R5分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X2表示可具有取代基之苯基胺基，其中，R2至R5不滿足同時全部為低級烷氧基之情況)
藉由以游離酸之形式含有至少一種式(3)所表示之偶氮化合物作為基材中所含之偶氮化合物，可獲得更良好之本發明之偏光元件或偏 光板。較佳為式(3)之R6或R7之至少一者為甲氧基，更佳為式(3)之R6及R7為甲氧基，進而較佳為A3為硝基。
(A3表示硝基或胺基，R6及R7分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X3表示可具有取代基之苯基胺基)
進而，為了提高OLED之對比度以及提高色彩之表現性，更佳為使2片具有偏光之基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率中500nm至550nm之平均透過率為15%以下，1片該基材之440nm至500nm之平均透過率為60%以上，且500nm至550nm之平均透過率為45%以上。
進而，為了獲得使2片具有偏光之基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之透過率中500nm至550nm之平均透過率為15%以下，1片該基材之440nm至500nm之平均透過率為60%以上，且500nm至550nm之平均透過率為45%以上的良好之偏光元件，以提高OLED之對比度以及提高色彩之表現性，藉由使基材中所含之偶氮化合物之至少一種含有式(1)至式(3)所表示之偶氮化合物中之任一種，且一併以游離酸之形式含有至少一種式(4)所表示之偶氮化合物，可獲得更良好之偏光元件。較佳為式(4)之X4為可具有取代基之苯基胺基，更佳為式(4)之A4為具有取代基之苯基，藉此可獲得更良好之偏光元件，進而較佳為R1及R2為氫原子，藉此可獲得更良好之偏 光元件。
(A4表示具有取代基之苯基或萘基，R8或R9分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、或具有磺基之低級烷氧基，X4表示可具有取代基之胺基、可具有取代基之苯甲醯基胺基、可具有取代基之苯基胺基、可具有取代基之苯基偶氮基、可具有取代基之萘并三唑基)
進而，為了獲得使2片具有偏光之基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之500nm至550nm之平均透過率為15%以下，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為60%以上，且500nm至550nm之平均透過率為45%以上之良好之偏光元件，以提高OLED之對比度以及提高色彩之表現性，藉由使基材中所含之偶氮化合物之至少一種含有式(1)至式(3)所表示之偶氮化合物中之任一種，且一併以游離酸之形式含有至少一種式(5)所表示之偶氮化合物，可獲得更良好之偏光元件。作為式(5)所表示之偶氮化合物，為了提高OLED之對比度以及提高色彩之表現性，較佳為R10、R11分別獨立為氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、具有磺基之低級烷氧基、羰基或具有鹵素原子之苯基，進而較佳為R10、R11分別獨立地至少一個取代基為甲氧基，進而另一個取代基為磺基或羰基。
(式中，R10、R11分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、具有磺基之低級烷氧基、羰基、或具有鹵素原子之苯基或萘基)
作為獲得式(1)所表示之色素之方法，可列舉日本專利特公平01-5623號等所記載之方法，但並不限定於此。
作為獲得式(2)所表示之色素之方法，例如可列舉日本專利2622748號、日本專利第4825135號、WO2007/148757、WO2009/142192所記載之方法，但並不限定於該等。
作為獲得式(3)所表示之色素之方法，例如可列舉日本專利特願2011-197600號所記載之方法，但並不限定於此。
作為獲得式(4)所表示之偶氮化合物之方法，可列舉日本專利特開2003-215338號、日本專利特開平9-302250號、日本專利第3881175號、日本專利第4452237號、日本專利第4662853號等所記載之方法，但並不限定於該等。
式(5)所表示之偶氮化合物或其鹽可依據如非專利文獻2所記載之通常之偶氮染料之製法，藉由進行偶合而容易地製造。作為具體製造方法，於R10、R11為具有取代基之苯基之情形時，例如利用公知之方法使R10、R11以式(6)表示之胺基化合物重氮化，於10~20℃下與N,N-雙(1-羥基-3-磺基-6-萘基)胺(慣用名：二J酸)進行鹼性偶合，而獲得雙 偶氮化合物。其次，將該溶液蒸乾或鹽析過濾乾燥，進行粉碎使其粉末化，藉此可獲得式(5)之化合物。
(式中，Ra、Rb、Rc分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、具有磺基之低級烷氧基、羰基、或鹵素原子)
式(1)至式(4)所表示之偶氮化合物之A1至A4中，A3表示具有取代基之苯基或萘基，作為其取代基，表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基、羰基。作為用以使OLED更高效率及高對比度之較佳取代基，較佳為磺基、甲基、甲氧基、羰基。取代基之個數可為1個，亦可具有2個以上。於具有2個以上取代基之情形時，該取代基之組合可具有複數個相同取代基，該組合並無限定，亦可具有異種之取代基。例如，亦可進行1個取代基為磺基，且另1個取代基為羰基之選擇。
其次，以下以游離酸之形式表示式(1)所表示之色素之更具體之例。
[化合物例1]
[化合物例2]
[化合物例3]
[化合物例4]
[化合物例5]
[化16]
其次，以下以游離酸之形式表示式(2)所表示之偶氮化合物之更具體之例。
[化合物例6]
[化合物例7]
[化合物例8]
[化合物例9]
[化合物例10]
[化合物例11]
[化合物例12]
[化合物例13]
[化合物例14]
其次，以下以游離酸之形式表示式(3)所表示之偶氮化合物之更具體之例。
[化合物例15]
[化合物例16]
[化合物例17]
[化合物例18]
[化合物例19]
[化合物例20]
[化合物例21]
[化合物例22]
[化合物例23]
作為式(4)所表示之色素，若列舉具體例，則例如可列舉C.I.直接紅81、C.I.直接紅117、C.I.直接紅127、日本專利第3881175號、日本專利第4033443號等所記載之偶氮化合物。
以下，以游離酸之形式表示式(4)所表示之偶氮化合物之具體例。
[化合物例24]
[化合物例25]
[化合物例26]
[化合物例27]
[化合物例28]
[化合物例29]
[化合物例30]
[化合物例31]
[化合物例32]
[化合物例33]
以下，以游離酸之形式表示式(4)所表示之偶氮化合物之具體例。
[化合物例34]
[化合物例35]
[化合物例36]
[化合物例37]
[化合物例38]
[化合物例39]
[化合物例40]
[化合物例41]
[化合物例42]
以下，作為基材，以聚乙烯醇系樹脂膜為例，說明具體之偏光元件之製作方法。聚乙烯醇系樹脂之製造方法並無特別限定，可藉由公知之方法製作。作為製造方法，例如可藉由將聚乙酸乙烯酯系樹脂皂化而獲得。作為聚乙酸乙烯酯系樹脂，除作為乙酸乙烯酯之均聚物之聚乙酸乙烯酯以外，亦可例示乙酸乙烯酯及可與其共聚合之其他單體之共聚物等。作為與乙酸乙烯酯共聚合之其他單體，例如可列舉：不飽和羧酸類、烯烴類、乙烯醚類、不飽和磺酸類等。聚乙烯醇系樹脂之皂化度通常為85~100莫耳%左右，較佳為95莫耳%以上。該聚乙烯醇系樹脂亦可進而被改性，例如亦可使用經醛類改性之聚乙烯醇縮甲醛或聚乙烯醇縮乙醛等。又，聚乙烯醇系樹脂之聚合度意指黏度平均聚合度，可藉由該技術領域中周知之方法求出。聚乙烯醇系樹脂之聚合度通常為1,000~10,000左右，較佳為聚合度1,500~6,000左右。
使用將該聚乙烯醇系樹脂製膜而成者作為坯膜。將聚乙烯醇系 樹脂製膜之方法並無特別限定，可利用公知之方法製膜。於該情形時，聚乙烯醇系樹脂膜中亦可含有甘油、乙二醇、丙二醇、低分子量聚乙二醇等作為塑化劑。塑化劑量為5~20重量%，較佳為8~15重量%。包含聚乙烯醇系樹脂之坯膜之膜厚並無特別限定，例如為5~150μm左右，較佳為10~100μm左右。
對藉由上述方式而獲得之坯膜，其次實施膨潤步驟。膨潤處理係藉由在20~50℃之溶液中浸漬30秒~10分鐘而應用處理。溶液較佳為水。延伸倍率較佳為以1.00~1.50倍進行調整，較佳為1.10~1.35倍。於縮短製作偏光素膜之時間之情形時，由於色素之染色處理時亦進行膨潤，故而亦可省略膨潤處理。
所謂膨潤步驟，係藉由將聚乙烯醇樹脂膜於20~50℃之溶液中浸漬30秒~10分鐘而進行。溶液較佳為水。於縮短製造偏光元件之時間之情形時，由於色素之染色處理時亦進行膨潤，故而亦可省略膨潤處理。
於膨潤步驟之後實施染色步驟。於染色步驟中，可使用非專利文獻1等中所示之偶氮化合物(通稱二色性染料)進行含浸。由於為使顏色著色之步驟，故而將含浸該偶氮化合物之步驟設為染色步驟。此處，作為偶氮化合物，可將非專利文獻1所記載之染料或式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)等所示之偶氮化合物於染色步驟中使聚乙烯醇膜吸附色素，以及進行含浸。染色步驟只要為使聚乙烯醇膜吸附色素、以及進行含浸之方法，則並無特別限定，例如染色步驟可藉由將聚乙烯醇樹脂膜浸漬於含有偶氮化合物之溶液中而進行。該步驟中之溶液溫度較佳為5~60℃，更佳為20~50℃，尤佳為35~50℃。浸漬於溶液之時間可適當調節，較佳為以30秒~20分鐘進行調節，更佳為1~10分鐘。染色方法較佳為浸漬於該溶液中，但亦可藉由對聚乙烯醇樹脂膜塗佈該溶液而進行。含有偶氮化合物之溶液可含有碳酸氫 鈉、氯化鈉、硫酸鈉、無水硫酸鈉、三聚磷酸鈉等作為染色助劑。其等之含量可根據基於染料之染色性之時間、溫度而以任意之濃度調整，作為各自之含量，較佳為0~5重量%，更佳為0.1~2重量%。作為非專利文獻1所記載之二色性染料之偶氮化合物或式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)等所表示之偶氮化合物等除以游離酸之形式使用以外，亦可為該化合物之鹽。此種鹽亦可用作鋰鹽、鈉鹽、及鉀鹽等鹼金屬鹽、或者銨鹽或烷基胺鹽等有機鹽。較佳為鈉鹽。
可於染色步驟後且進入下一步驟之前進行洗淨步驟(以下，稱為洗淨步驟1)。所謂洗淨步驟1，係指將染色步驟中附著於聚乙烯醇樹脂膜之表面之染料溶劑洗淨的步驟。藉由進行洗淨步驟1，可抑制染料移行至接下來進行處理之液中。洗淨步驟1中通常使用水。洗淨方法較佳為浸漬於該溶液中，但亦可藉由將該溶液塗佈於聚乙烯醇樹脂膜上而進行洗淨。洗淨之時間並無特別限定，較佳為1~300秒，更佳為1~60秒。洗淨步驟1中之溶劑之溫度必須為不會使親水性高分子溶解之溫度。通常於5~40℃下進行洗淨處理。然而，由於即便無洗淨步驟1之步驟，性能亦不會產生問題，故而亦可省略本步驟。
可於染色步驟或洗淨步驟1之後，進行含有交聯劑及/或耐水化劑之步驟。作為交聯劑，例如可使用硼酸、硼砂或硼酸銨等硼化合物，乙二醛或戊二醛等多元醛，縮二脲型、異氰尿酸酯型或嵌段型等之多元異氰酸酯系化合物，硫酸氧鈦(titanium oxysulfate)等鈦系化合物等，另外，亦可使用乙二醇縮水甘油醚、聚醯胺表氯醇等。作為耐水化劑，可列舉：過氧化琥珀酸、過硫酸銨、過氯酸鈣、安息香乙醚、乙二醇二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、氯化銨或氯化鎂等，較佳為使用硼酸。使用以上所示之至少1種以上之交聯劑及/或耐水化劑，進行含有交聯劑及/或耐水化劑之步驟。作為此時之溶劑，較佳為水，但並無限定。關於含有交聯劑及/或耐水化劑之步驟中之溶劑中 之交聯劑及/或耐水化劑之含有濃度，若以硼酸為例進行表示，則相對於溶劑濃度較佳為0.1~6.0重量%，更佳為1.0~4.0重量%。該步驟中之溶劑溫度較佳為5~70℃，更佳為5~50℃。使聚乙烯醇樹脂膜含有交聯劑及/或耐水化劑之方法較佳為浸漬於該溶液中，亦可將該溶液塗佈或塗敷於聚乙烯醇樹脂膜。該步驟中之處理時間較佳為30秒~6分鐘，更佳為1~5分鐘。然而，並非必須含有交聯劑及/或耐水化劑，於欲縮短時間之情形時，當不需要交聯處理或耐水化處理時，亦可省略該處理步驟。
於進行染色步驟、洗淨步驟1、或含有交聯劑及/或耐水化劑之步驟後，進行延伸步驟。所謂延伸步驟，係指將聚乙烯醇膜於單軸上延伸之步驟。延伸方法可為濕式延伸法或乾式延伸法中之任一種，藉由以延伸倍率3倍以上進行延伸，可達成本發明。較佳為以延伸倍率3倍以上、較佳為5倍至7倍進行延伸。
於乾式延伸法之情形時，當延伸加熱介質為空氣介質時，較佳為於空氣介質之溫度為常溫~180℃下進行延伸。又，較佳為於濕度為20~95%RH之環境中進行處理。作為加熱方法，例如可列舉輥間區域延伸法、輥加熱延伸法、加壓延伸法、紅外線加熱延伸法等，其延伸方法並無限定。延伸步驟可以1階段進行延伸，亦可藉由2階段以上之多階段延伸進行。
於濕式延伸法之情形時，於水、水溶性有機溶劑、或其混合溶液中進行延伸。較佳為一面浸漬於含有交聯劑及/或耐水化劑之溶液中一面進行延伸處理。作為交聯劑，例如可使用硼酸、硼砂或硼酸銨等硼化合物，乙二醛或戊二醛等多元醛，縮二脲型、異氰尿酸酯型或嵌段型等之多元異氰酸酯系化合物，硫酸氧鈦等鈦系化合物等，另外，亦可使用乙二醇縮水甘油醚、聚醯胺表氯醇等。作為耐水化劑，可列舉：過氧化琥珀酸、過硫酸銨、過氯酸鈣、安息香乙醚、乙二醇 二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、氯化銨或氯化鎂等。於含有以上所示之至少1種以上之交聯劑及/或耐水化劑之溶液中進行延伸。交聯劑較佳為硼酸。延伸步驟中之交聯劑及/或耐水化劑之濃度例如較佳為0.5~15重量%，更佳為2.0~8.0重量%。延伸倍率較佳為2~8倍，更佳為5~7倍。較佳為於延伸溫度為40~60℃下進行處理，更佳為45~58℃。延伸時間通常為30秒~20分鐘，更佳為2~5分鐘。濕式延伸步驟可以1階段進行延伸，亦可藉由2階段以上之多階段延伸進行。
於進行延伸步驟後，有交聯劑及/或耐水化劑析出、或異物附著於膜表面之情形，故而可進行將膜表面洗淨之洗淨步驟(以下，稱為洗淨步驟2)。洗淨時間較佳為1秒~5分鐘。洗淨方法較佳為浸漬於洗淨溶液中，但可藉由將溶液塗佈或塗敷於聚乙烯醇樹脂膜而洗淨。可以1階段進行洗淨處理，亦可進行2階段以上之多階段處理。洗淨步驟之溶液溫度並無特別限定，通常為5~50℃，較佳為10~40℃。
作為至此之處理步驟中所使用之溶劑，例如可列舉：水、二甲基亞碸、N-甲基吡咯啶酮、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、甘油、乙二醇、丙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇或三羥甲基丙烷等醇類，乙二胺或二伸乙基三胺等胺類等之溶劑，但並不限定於該等。又，亦可使用1種以上之該等溶劑之混合物。最佳之溶劑為水。
於延伸步驟或洗淨步驟2之後，進行膜之乾燥步驟。乾燥處理可藉由自然乾燥進行，為了進一步提高乾燥效率，可進行藉由輥之壓縮或藉由氣刀、或吸水輥等進行表面之水分去除，及/或亦可進行送風乾燥。作為乾燥處理溫度，較佳為於20~100℃下進行乾燥處理，更佳為於60~100℃下進行乾燥處理。乾燥處理時間可應用30秒~20分鐘，較佳為5~10分鐘。
利用以上之方法，可獲得一種偏光元件，其特徵在於：其係本發明之含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材，且該基材單獨體之透 過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
所獲得之偏光元件藉由於其單面或雙面設置透明保護層而製成偏光板。透明保護層可作為基於聚合物之塗佈層或膜之層壓層而設置。作為形成透明保護層之透明聚合物或膜，較佳為機械強度較高，熱穩定性良好之透明聚合物或膜。作為用作透明保護層之物質，例如可列舉：如三乙醯纖維素或二乙醯纖維素之乙酸纖維素樹脂或其膜、丙烯酸系樹脂或其膜、聚氯乙烯樹脂或其膜、尼龍樹脂或其膜、聚酯樹脂或其膜、聚芳酯樹脂或其膜、以如降烯之環狀烯烴作為單體之環狀聚烯烴樹脂或其膜、聚乙烯、聚丙烯、具有環系或降烯骨架之聚烯烴或其共聚物、主鏈或側鏈為醯亞胺及/或醯胺之樹脂或聚合物或其膜等。又，亦可設置具有液晶性之樹脂或其膜作為透明保護層。保護膜之厚度例如為0.5~200μm左右。藉由將其中之同種或異種之樹脂或膜於單面、或者雙面上設置1層以上而製作偏光板。
為了將上述透明保護層與偏光元件貼合而需要接著劑。作為接著劑，並無特別限定，較佳為聚乙烯醇接著劑。作為聚乙烯醇接著劑，例如可列舉：Gohsenol NH-26(日本合成公司製造)、Exceval RS-2117(可樂麗公司製造)等，但並不限定於此。可對接著劑添加交聯劑及/或耐水化劑。聚乙烯醇接著劑係使用順丁烯二酸酐-異丁烯共聚物，視需要可使用混合有交聯劑之接著劑。作為順丁烯二酸酐-異丁烯共聚物，例如可列舉：Isobam#18(可樂麗公司製造)、Isobam#04(可樂麗公司製造)、氨改性Isobam#104(可樂麗公司製造)、氨改性Isobam#110(可樂麗公司製造)、醯亞胺化Isobam#304(可樂麗公司製造)、醯亞胺化Isobam#310(可樂麗公司製造)等。此時之交聯劑可使用水溶性多元環氧化合物。所謂水溶性多元環氧化合物，例如可列舉： DENACOL EX-521(長瀨化成公司製造)、TETRAD-C(Mitsui Gas化學公司製造)等。又，作為聚乙烯醇樹脂以外之接著劑，亦可使用胺基甲酸酯系、丙烯酸系、環氧系等公知之接著劑。又，以提高接著劑之接著力或提高耐水性為目的，亦可同時以0.1~10重量%左右之濃度含有鋅化合物、氯化物、碘化物等添加物。關於添加物，亦並無限定。利用接著劑將透明保護層貼合後，以適當之溫度進行乾燥或熱處理，藉此獲得偏光板。
所獲得之偏光板視情形，例如於貼合於有機電致發光等顯示裝置之情形時，亦可於其後成為非露出面之保護層或膜之表面設置用以改善視角及/或改善對比度之各種功能性層、具有亮度提高性之層或膜。於將偏光板貼合於該等膜或顯示裝置時，較佳為使用黏著劑。
該偏光板亦可於另一表面、即保護層或膜之露出面具有抗反射層或防眩層、硬塗層等公知之各種功能性層。於製作該具有各種功能性之層時，較佳為塗敷方法，亦可將該具有功能之膜經由接著劑或黏著劑進行貼合。又，所謂各種功能性層，可製成控制相位差之層或膜。對於OLED顯示裝置，藉由貼合120nm至150nm之相位差板、尤其是相對於約555nm之1/4λ相位差板，於外界光入射至OLED之情形時，可使其具有抗反射功能。
利用以上之方法，可獲得一種偏光元件及偏光板，其特徵在於：其係本發明之含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材，且該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。具有使用本發明之偏光元件或偏光板之色自發光元件之顯示裝置、尤其是OLED的可靠性較高，長期為高對比度，且具有較高之色彩再現性。
如此獲得之本發明之偏光元件或偏光板可視需要設置保護層或 功能層及支持體等而於發出藍色光之顯示裝置、例如有機電致發光等中用作有效之偏光元件或偏光板。
[實施例]
以下，藉由實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等。再者，實施例所示之透過率之評價係以如下方式進行。
將測定1片偏光元件或偏光板時之透過率設為透過率Ts，將使2片偏光元件或偏光板以其吸收軸方向成為相同之方式重疊之情形之透過率設為平行位透過率Tp，將使2片偏光板以其吸收軸成為正交之方式重疊之情形之透過率設為正交位透過率Tc。
單獨體透過率Ys係於400nm~700nm之波長範圍，每隔特定波長間隔dλ(此處為5nm)求出分光透過率τλ，藉由下式(I)算出。式中，Pλ表示標準光(C光源)之分光分佈，yλ表示2度視野等色函數。
分光透過率τλ係使用分光光度計[日立公司製造“U-4100”]進行測定。
偏光度ρy係根據平行位透過率Tp及正交位透過率Tc，藉由式(II)求出。
ρ y={(Tp-Tc)/(Tp+Tc)}1/2×100 式(II)
實施例1
將皂化度99%以上之平均聚合度2400之聚乙烯醇膜(可樂麗公司製造VF-XS)浸漬於45℃之溫水中2分鐘，應用膨潤處理將延伸倍率設為1.30倍。將經膨潤處理之膜浸漬於含有水1500重量份、三聚磷酸鈉1.5重量份、日本專利特開平09-132726之實施例2所記載之染料0.15重量份之45℃之水溶液中，進行染色。將該經染色而獲得之膜一面延伸至5.0倍一面於含有硼酸30.0g/L之50℃之水溶液中進行5分鐘延伸處理。一面保持該經硼酸處理而獲得之膜之拉伸狀態一面於30℃之水中進行20秒之水洗處理，將所獲得之膜於70℃下進行9分鐘乾燥處理，獲得本發明之透過率為約50%之偏光元件。使用聚乙烯醇系接著劑將經乾燥而獲得之偏光元件及經鹼處理之三乙醯纖維素膜(富士膠片公司製造TD-80U)層壓，從而獲得偏光板。於將所獲得之偏光板於溫度85℃、相對濕度85%RH之環境下進行700小時之耐久性試驗時，未見透過率及偏光度之變化。
實施例2
將實施例1所記載之日本專利特開平09-132726號之實施例2所記載之染料0.15重量份替換為日本專利特開平10-259311號之實施例3所記載之染料0.15重量份，除此以外，以相同之方式製作偏光元件及偏光板，製成測定試樣。於將所獲得之偏光板於溫度85℃、相對濕度85%RH之環境下進行700小時之耐久性試驗時，未見透過率及偏光度之變化。
實施例3
將實施例1所記載之日本專利特開平09-132726號之實施例2所記載之染料0.15重量份替換為具有式(2)之結構之日本專利特開平2-309302號之實施例2所記載之染料0.1重量份，除此以外，以相同之方式製作偏光元件及偏光板，製成測定試樣。於將所獲得之偏光板於溫 度85℃、相對濕度85%RH之環境下進行700小時之耐久性試驗時，未見透過率及偏光度之變化。
實施例4
將實施例1所記載之日本專利特開平09-132726之實施例2所記載之染料0.15重量份替換為具有式(1)之結構之日本專利特公平01-5623之實施例1所記載之偶氮化合物0.2重量份，除此以外，以相同之方式製作偏光元件及偏光板，製成測定試樣。於將所獲得之偏光板於溫度85℃、相對濕度85%RH之環境下進行700小時之耐久性試驗時，未見透過率及偏光度之變化。
實施例5
將實施例1所記載之日本專利特開平09-132726之實施例2所記載之染料0.15重量份替換為具有式(3)之結構之國際公開編號WO2013/035752 A1之化合物例1所記載之偶氮化合物0.2重量份，除此以外，以相同之方式製作偏光元件及偏光板，製成測定試樣。於將所獲得之偏光板於溫度85℃、相對濕度85%RH之環境下進行700小時之耐久性試驗時，未見透過率及偏光度之變化。
實施例6
將實施例1所記載之日本專利特開平09-132726之實施例2所記載之染料0.15重量份替換為具有式(2)之結構之日本專利2622748號之實施例1所記載之偶氮化合物0.098重量份，除此以外，以相同之方式製作偏光元件及偏光板，製成測定試樣。於將所獲得之偏光板於溫度85℃、相對濕度85%RH之環境下進行700小時之耐久性試驗時，未見透過率及偏光度之變化。
實施例7
將含有實施例1所記載之日本專利特開平09-132726之實施例2所記載之染料0.15重量份之染色液替換為調配有具有式(2)之結構之日本 專利2622748號之實施例1所記載之偶氮化合物0.098重量份及具有式(5)之結構之日本專利特願2012-041024之實施例A-3所記載之式(16)之染料0.7重量份之染色液，除此以外，以相同之方式製作偏光元件及偏光板，製成測定試樣。於將所獲得之偏光板於溫度85℃、相對濕度85%RH之環境下進行700小時之耐久性試驗時，未見透過率及偏光度之變化。
實施例8
將含有實施例1所記載之日本專利特開平09-132726號之實施例2所記載之染料0.15重量份之染色液替換為調配有具有式(2)之結構之日本專利2622748號之實施例1所記載之偶氮化合物0.098重量份及具有式(4)之結構之日本專利4033443號之化合物No.1之染料0.7重量份之染色液，除此以外，以相同之方式製作偏光元件及偏光板，製成測定試樣。於將所獲得之偏光板於溫度85℃、相對濕度85%RH之環境下進行700小時之耐久性試驗時，未見透過率及偏光度之變化。
比較例1
依據日本專利特開2008-065222號之比較例1之配方，製作不含二色性染料之碘系偏光板，製作透過率為約50%之偏光板，除此以外，以與實施例1相同之方式製作測定試樣。於將所獲得之偏光板於溫度85℃、相對濕度85%RH之環境下進行700小時之耐久性試驗時，單獨體透過率變化至88%，偏光度消失。
表1中，表示實施例1至8、比較例1之基材單獨體之透過率(Ys)、偏光度(ρy)、以5nm間隔測定而獲得之440nm至500nm(以下，省略為Ave440-500)單獨體之平均透過率(Ts)及使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之平均透過率(Tc)、以5nm間隔測定而獲得之500nm至550nm(以下，省略為Ave500-550)單獨體之平均透過率(Ts)及使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定 所獲得之各波長之平均透過率(Tc)、以5nm間隔測定而獲得之550nm至650nm(以下，省略為Ave550-650)單獨體之平均透過率(Ts)及使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之各波長之平均透過率(Tc)。
根據表1之結果，可知獲得440nm至500nm之Ts較高且550nm至650nm之Ts與Tc之差較大之偏光板，其係本發明之含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材，且該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之2片基材之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
其次，將使聚碳酸酯延伸而獲得之具有138nm之相位差之1/4λ相位差板相對於其延伸軸及偏光板之吸收軸以45°貼合於實施例1至8、以及比較例1所獲得之偏光板，將所獲得之偏光板經由黏著劑(PTR-3000，日本化藥公司製造)與OLED顯示裝置貼合，製成測定試樣。使用色彩亮度計(CS-200，Konica Minolta公司製造)測定表示OLED之紅色、綠色、藍色且基於測定色純度時之CIE 1931所規定之xy色度圖的xy色座標。藉由計算NTSC比(經National Television System Committee(國家電視系統委員會)標準化之電視之色空間比)，利用該 比率(%)表示此時之色再現範圍。將測定該色純度時之xy色座標及NTSC比之結果示於表2。
關於NTSC比，作為NTSC比為100%時之座標，將紅色之色座標設為(0.67,0.33)，將綠色之色座標設為(0.21,0.71)，將藍色之色座標設為(0.14,0.08)，將由該座標導出之面積設為100%而算出。算出方法係依據式(III)算出。
NTSC比=(Rx×Gy+Gx×By+Bx×Ry-Ry×Gx-Gy×Bx-By×Rx)×100/0.3164．．．式(III)
(將紅色測定時之x座標表示為Rx，紅色測定時之y座標表示為Ry，綠色測定時之x座標表示為Gx，綠色測定時之y座標表示為Gy，藍色測定時之x座標表示為Bx，藍色測定時之y座標表示為By)
根據表2之結果，可知藉由將根據本案發明獲得之偏光板設於OLED，與使用先前之碘系偏光板之情形相比，NTSC比提高。
其次，針對介隔1/4λ貼合有實施例6中所使用之偏光板之OLED，於外界光亮度500cd/m2之條件下，使用色彩亮度計(CS-200，Konica Minolta公司製造)測定OLED亮度，算出白色投影時與黑色投影時之對比度。將其結果示於表3。再者，OLED-ON表示白色發光時之狀態，OLED-OFF表示黑色顯示時之狀態。
其次，針對介隔1/4λ貼合有實施例6中所使用之偏光板之OLED，於外界光亮度1500cd/m2之條件下，使用色彩亮度計(CS-200，Konica Minolta公司製造)測定OLED亮度，算出白色投影時與黑色投影時之對比度。將其結果示於表4。
其次，針對介隔1/4λ貼合有實施例8中所使用之偏光板之OLED，於外界光亮度500cd/m2之條件下，使用色彩亮度計(CS-200，Konica Minolta公司製造)測定OLED亮度，算出白色投影時與黑色投影時之對比度。將其結果示於表5。
其次，針對介隔1/4λ貼合有實施例8中所使用之偏光板之OLED，於外界光亮度1500cd/m2之條件下，使用色彩亮度計(CS-200，Konica Minolta公司製造)測定OLED亮度，算出白色投影時與黑色投影時之對比度。將其結果示於表6。
其次，針對介隔1/4λ貼合有比較例1中所使用之偏光板之OLED，於外界光亮度500cd/m2之條件下，使用色彩亮度計(CS-200，Konica Minolta公司製造)測定OLED亮度，算出白色投影時與黑色投影時之對比度。將其結果示於表7。
其次，針對介隔1/4λ貼合有比較例1中所使用之偏光板之OLED，於外界光亮度1500cd/m2之條件下，使用色彩亮度計(CS-200，Konica Minolta公司製造)測定OLED亮度，算出白色投影時與黑色投影時之對比度。將其結果示於表8。
如由表3至表8之結果所明確，可知於使用實施例1~8之偏光板之情形時，外界光入射時之對比度提高為約10倍，對於提高對比度亦有效果，與此相對，使用比較例1之偏光板之情形時，不僅OLED之白色投影時之白色發光時的亮度降低，而且幾乎未見500cd/m2或1500cd/m2等之外界光入射時之對比度之提高。
圖3中，第1 Y軸表示實施例2之偏光板之透過率，第2 Y軸表示將 最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置之發光強度。根據圖3之圖表，可知本發明之偏光板不會阻礙440nm至500nm之發光，且550nm至650nm之偏光度較高，該偏光板之特徵在於：其係本案之含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材，且該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
圖4中，第1 Y軸表示實施例3之偏光板之透過率，第2 Y軸表示將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置之發光強度。根據圖4之圖表，可知本發明之偏光板不會阻礙440nm至500nm之發光，且550nm至650nm之偏光度較高，該偏光板之特徵在於：其係本案之含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材，且該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
圖5中，第1 Y軸表示實施例6之偏光板之透過率，第2 Y軸表示將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置之發光強度。根據圖5之圖表，可知本發明之偏光板不會阻礙440nm至500nm之發光，且550nm至650nm之偏光度較高，該偏光板之特徵在於：其係本案之含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材，且該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
圖6中，第1 Y軸表示實施例7之偏光板之透過率，第2 Y軸表示將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置之發光強度。根據圖6之圖表，可知本發明之偏光板不會阻礙440nm至500nm之發光，且 550nm至650nm之偏光度較高，該偏光板之特徵在於：其係本案之含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材，且該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
圖7中，第1 Y軸表示實施例8之偏光板之透過率，第2 Y軸表示將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置之發光強度。根據圖7之圖表，可知本發明之偏光板不會阻礙440nm至500nm之發光，且550nm至650nm之偏光度較高，該偏光板之特徵在於：其係本案之含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材，且該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
圖8中，第1 Y軸表示比較例1之偏光板之透過率，第2 Y軸表示將最高強度換算為100之情形之來自OLED顯示裝置之發光強度。根據圖8之圖表，可知獲得1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以下之偏光板。根據圖8之結果，可知比較例1之偏光板阻礙440nm至500nm發光，降低OLED之亮度，亦無法充分地抑制外界光所導致之螢光體之發光，故而對比度亦降低。
根據使用以上實施例1至8、比較例1之偏光板之表1至8、圖3至圖8之結果可知：如下偏光元件或偏光板之耐久性較高，可提高OLED之色彩之表現性，提高外界光入射時之對比度，該偏光元件係本案之含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材，且該基材單獨體之透過率為45%至60%，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。具有使用本發明之偏光元件或偏光板之 色自發光元件之顯示裝置、尤其是OLED不僅有高對比度，而且可靠性較高，長期為高對比度，且可提供較高之色彩再現性。

Claims (26)

  1. 一種偏光元件，其特徵在於：其係包含含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材者，並且1片該基材之透過率為45%至60%，且440nm至500nm之平均透過率為50%以上，使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之550nm至650nm之平均透過率為10%以下。
  2. 如請求項1之偏光元件，其中含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材中，使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之440nm至500nm之平均透過率為15%以上，1片該基材之550nm至650nm之平均透過率為40%以上。
  3. 如請求項1或2之偏光元件，其中含有偶氮化合物且具有偏光功能之基材中，使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之500nm至550nm之平均透過率為20%以下，1片該基材之500nm至550nm之平均透過率為45%以上。
  4. 如請求項1或2之偏光元件，其偏光度為60%以上。
  5. 如請求項1或2之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物之至少一種以游離酸之形式含有式(1)所表示之偶氮化合物， (A1表示具有取代基之苯基或萘基，R1表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X1表示可具 有取代基之苯基胺基)。
  6. 如請求項1或2之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物之至少一種以游離酸之形式含有式(2)所表示之偶氮化合物， (A2表示具有取代基之苯基，R2至R5分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X2表示可具有取代基之苯基胺基，但，R2至R5不滿足同時全部為低級烷氧基之情況)。
  7. 如請求項1或2之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物之至少一種以游離酸之形式含有式(3)所表示之偶氮化合物， (A3表示硝基或胺基，R6及R7分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X3表示可具有取代基之苯基胺基)。
  8. 如請求項1或2之偏光元件，其中使2片該基材相對於吸收軸方向成為正交而進行測定所獲得之500nm至550nm之平均透過率為15%以下，1片基材之440nm至500nm之平均透過率為60%以上，且500nm至550nm之平均透過率為45%以上。
  9. 如請求項1或2之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物以游離酸之形式含有式(1)至式(3)所表示之偶氮化合物之至少一種，且進而以游離酸之形式含有式(4)所表示之偶氮化合物， (A1表示具有取代基之苯基或萘基，R1表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X1表示可具有取代基之苯基胺基)； (A2表示具有取代基之苯基，R2至R5分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X2表示可具有取代基之苯基胺基，但，R2至R5不滿足同時全部為低級烷氧基之情況)； (A3表示硝基或胺基，R6及R7分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X3表示可具有取代基之苯基胺基)； (A4表示具有取代基之苯基或萘基，R8或R9分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、或具有磺基之低級烷氧基，X4表示可具有取代基之胺基、可具有取代基之苯甲醯基胺基、可具有取代基之苯基胺基、可具有取代基之苯基偶氮基、可具有取代基之萘并三唑基)。
  10. 如請求項9之偏光元件，其中式(4)之X4為可具有取代基之苯基胺基。
  11. 如請求項9之偏光元件，其中式(4)之A4為具有取代基之苯基。
  12. 如請求項1或2之偏光元件，其中基材中所含之偶氮化合物以游離酸之形式含有式(1)至式(3)所表示之偶氮化合物之至少一種，且進而以游離酸之形式含有式(5)所表示之偶氮化合物， (A1表示具有取代基之苯基或萘基，R1表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X1表示可具有取代基之苯基胺基)； (A2表示具有取代基之苯基，R2至R5分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X2表示可具有取代基之苯基胺基，但，R2至R5不滿足同時全部為低級烷氧基之情況)； (A3表示硝基或胺基，R6及R7分別獨立地表示氫原子、低級烷 基、低級烷氧基、磺基或具有磺基之低級烷氧基，X3表示可具有取代基之苯基胺基)； (式中，R10、R11分別獨立地表示氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、具有磺基之低級烷氧基、羰基或具有鹵素原子之苯基或萘基)。
  13. 如請求項12之偏光元件，其中式(5)之R10、R11分別獨立為氫原子、低級烷基、低級烷氧基、磺基、具有磺基之低級烷氧基、羰基或具有鹵素原子之苯基。
  14. 如請求項13之偏光元件，其中R10、R11分別獨立地至少一個取代基為甲氧基，進而另一個取代基為磺基或羰基。
  15. 如請求項5之偏光元件，其中式(1)之R1為甲基或甲氧基。
  16. 如請求項5之偏光元件，其中式(1)之A1為具有取代基之苯基。
  17. 如請求項6之偏光元件，其中式(2)之R4或R5之至少一者為甲氧基。
  18. 如請求項6之偏光元件，其中式(2)之R2或R3之至少一者為甲氧基。
  19. 如請求項6之偏光元件，其中式(2)之A2為具有取代基之苯基。
  20. 如請求項7之偏光元件，其中式(3)之R6及R7之至少一者為甲氧基。
  21. 如請求項7之偏光元件，其中式(3)之R6及R7為甲氧基。
  22. 如請求項1或2之偏光元件，其中基材包含聚乙烯醇系樹脂膜。
  23. 如請求項1或2之偏光元件，其設置有具有120nm至150nm之相位差之相位差板。
  24. 一種偏光板，其係於如請求項1至23中任一項之偏光元件之至少單面設置支持體膜而成。
  25. 如請求項24之偏光板，其設置有具有120nm至150nm之相位差之相位差板。
  26. 一種有機電致發光顯示裝置，其係使用如請求項1至23中任一項之偏光元件或如請求項24或25之偏光板。
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