TWI651540B - 用於在介於一受測試裝置與測試電子器件間之一應用空間中傳送信號的結構 - Google Patents

用於在介於一受測試裝置與測試電子器件間之一應用空間中傳送信號的結構 Download PDF

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Abstract

用於在介於一受測試裝置(DUT)與測試電子器件間之一應用空間中傳送信號之一實例性結構包括：一電路板，該電路板為介於測試電子器件與一受測試裝置(DUT)間之一應用空間之部分；以及一同軸結構，該同軸結構係用以沿著介於該等測試電子器件與該DUT間之電氣途徑傳遞信號。該同軸結構包括至少由一回路線路部分環繞之一信號線路。

Description

用於在介於一受測試裝置與測試電子器件間之一應用空間中傳送信號的結構
本說明書大致係關於一種用於在介於一受測試裝置(DUT)與測試電子器件間之一應用空間中傳送信號的結構。
晶圓級測試包括測試一晶圓上的晶粒。在本說明書中，「晶粒」的複數形是指多顆「晶粒」。在測試一晶圓上的晶粒時可使用一探針卡。現今的探針卡及封裝裝置測試板包括一切換網路，用以多工處理與測試中裝置(例如，用於一RF探針卡之無線電收發器)互通的通道，乃至可較快速測試之可管理數目個通道。這些切換網路設計可能複雜，並且可能要微調才能降低其對於所執行測試的衝擊。此類切換網路可由以下所構成：探針卡或封裝裝置測試PCB(印刷電路板)內的帶線層及與共面波導連接之板之表面上的組件。
如切換矩陣等測試電路系統應具有用以準確測試一晶粒之一良好電氣路徑(例如，低損耗、低電感及低串擾)。
一種實例性設備包含：一電路板，該電路板為介於測試電子 器件與一受測試裝置(DUT)間之一應用空間之部分；以及一同軸結構，該同軸結構沿著介於該等測試電子器件與該DUT間之電氣途徑傳遞信號，其中該同軸結構包含至少由一回路線路部分環繞之一信號線路。該實例性設備可單獨或結合地包括一或多個下列特徵。
在該同軸結構中，可由該回路線路完全環繞該信號線路。在該同軸結構中，至少可由該回路線路部分環繞該信號線路。該同軸結構可穿過該電路板。該同軸結構可包含一積層製造結構(additively-manufactured structure)。該積層製造結構可包含一3D列印結構或一2 ½ D列印結構。該同軸結構可包含一製造結構。
該DUT可包含多個收發器，該等收發器之各者可包含用於傳送與接收信號之裝置。該同軸結構可包含用於選擇供測試用之收發器通道之一切換矩陣。
該同軸結構可包含主動元件或被動元件之至少一者。該等主動元件或被動元件可為該同軸結構之一整合零件。該等主動元件或被動元件可包含附接至該同軸結構之整合零件的離散組件。
該同軸結構可包含用於保持或轉移熱轉移材料之至少一通道。該至少一通道可經定位以熱衝擊與該應用空間相關聯之一主動或被動裝置。穿過該(等)通道之該熱傳送材料可經組態以穩定化該應用空間內之主動或被動裝置之溫度，其中穩定化包含冷卻或加熱該裝置以維持目標溫度。
一種實例性系統包含：受測試裝置(DUT)；用以測試該等DUT之測試電子器件；以及一同軸結構，該同軸結構沿著介於該等測試電 子器件與該DUT間之電氣途徑傳遞信號，其中該同軸結構包含一信號線路，至少由一回路線路部分環繞該信號線路。該實例性系統可單獨或結合地包括下列特徵中之一或多項。
該同軸結構可為一第一同軸結構。該系統可包含：用以在該等測試電子器件與該第一同軸結構間傳遞信號之一第二同軸結構；以及用以在該第一同軸結構與該等DUT間傳遞信號之一第三同軸結構。
該電路板可包含以一第一間距配置之電氣元件。該等DUT係位於一晶圓上，該晶圓可包含以一第二間距配置之接點，其中該第二間距小於該第一間距。該第三同軸結構可包含一互連件，該互連件包含積層製造電氣導管，該積層製造電氣導管為介於該電氣元件與該接點間之一電氣途徑之部分。該積層製造電氣導管可包含導電材料。該積層製造電氣導管之至少某些可經組態成具有實質上匹配的電氣路徑長度、阻抗及信號衰減。該積層製造電氣導管可包含彎曲或蜿蜒部分，經組態以達成不同積層製造電氣導管間實質上匹配的電氣路徑長度與飛行時間(time-of-flight)、阻抗及信號衰減。
在該同軸結構中，可由該回路線路完全環繞該信號線路。在該同軸結構中，該信號線路可未被該回路線路完全環繞。該同軸結構可包含一積層製造結構。該積層製造結構可包含一3D列印結構或一2 ½ D列印結構。該同軸結構可包含一機械加工結構。
該DUT可包含多個收發器，該等收發器之各者可包含用於傳送與接收信號之裝置。該同軸結構可包含用於該收發器選定之一者之一切換矩陣以供測試之用。該同軸結構可包含主動元件或被動元件之至少一 者。
該等主動元件或被動元件可為該同軸結構之一整合零件。該等主動元件或被動元件可包含附接至該同軸結構之整合零件的離散組件。該同軸結構可包含用於保持冷卻液之至少一通道。該至少一通道可經定位以熱衝擊與該DUT之測試相關聯之一主動或被動元件。
本說明書所述之任何兩項或更多項特徵(包括在發明內容中的特徵)可經結合以形成未在本文具體描述的實施方案。
本文所述的測試系統及技術、或其部分可實施成包括指令之一電腦程式產品/藉由包括指令之一電腦程式產品來控制，該等指令儲存於一或多個非暫存機器可讀儲存媒體上，並且可在一或多個處理裝置上執行用來控制(例如，協調)本文所述的操作。本文所述的測試系統及技術、或其部分可實施成一設備、方法、或電子系統，其可包括一或多個處理裝置以及用於儲存可執行指令以實施各種操作之記憶體。
在附圖與下文【實施方式】中提出一或多項實施方案的細節。經由【實施方式】與圖式、並經由申請專利範圍，可明白其他特徵與優點。
100‧‧‧實例性測試系統
101‧‧‧印刷電路板(PCB)
102‧‧‧測試電子器件
103‧‧‧測試器測試頭
104‧‧‧纜線
105‧‧‧互連件
201‧‧‧切換矩陣
202‧‧‧微波切換器
204‧‧‧平衡對不平衡轉換器
206‧‧‧同軸結構
208‧‧‧應用空間(AS)
210‧‧‧點位
300‧‧‧測試系統
301‧‧‧PCB
302‧‧‧電子裝置
304‧‧‧結構性加勁件
305‧‧‧晶圓
306‧‧‧接點
309‧‧‧互連件
310‧‧‧中介層材料
312‧‧‧接觸器總成
320‧‧‧結構
321‧‧‧受測試裝置(DUT)
322‧‧‧受測試裝置(DUT)
325‧‧‧電路系統
400‧‧‧積層製造電氣導管
401‧‧‧內在傳導材料
402‧‧‧空氣
404‧‧‧材料
500‧‧‧互連件
501‧‧‧積層製造電氣導管
502‧‧‧空氣介電質
503‧‧‧材料
505‧‧‧第一間距
506‧‧‧第二間距
600‧‧‧互連件
601‧‧‧群組
602‧‧‧空間
604‧‧‧間距
606‧‧‧空間
700‧‧‧積層製造程序
701‧‧‧平坦基材
702‧‧‧圖案化聚合物
703‧‧‧金屬層
704‧‧‧層堆疊
710‧‧‧實例性程序
711‧‧‧添加圖案化聚合物
712‧‧‧添加金屬層
713‧‧‧平坦化表面
714‧‧‧重複操作710至操作713
715‧‧‧移除聚合物
800‧‧‧程序
804‧‧‧嵌入介電帶
805‧‧‧溶解聚合物
807‧‧‧介電帶
808‧‧‧內在傳導材料
809‧‧‧層系
810‧‧‧電氣導管
1001‧‧‧積層製造電氣互連件
1002‧‧‧PCB
1003‧‧‧積層製造電氣導管
1003a‧‧‧導管
1003b‧‧‧導管
1004‧‧‧彎曲或蜿蜒部分
1007‧‧‧X維度；X方向
1008‧‧‧Y維度；Y方向
1009‧‧‧導管
1010‧‧‧結構
1011‧‧‧電路板
1012‧‧‧螺絲
1013‧‧‧導管
1014‧‧‧絕緣材料
1015‧‧‧電氣導管
1301‧‧‧阻抗控制型信號線路
1302‧‧‧回路(接地)平面
1303‧‧‧樹脂及織物
1304‧‧‧信號線路
1305‧‧‧接地平面
1307‧‧‧接地平面
1308‧‧‧信號線路
圖1展示一測試系統之一實例性實施方案。
圖2展示可透過一印刷電路板用於傳送信號之一切換矩陣之一實例性實施方案。
圖3為一測試系統之一實例，其含有一測試板與一互連件及含有待測 試之DUT之一晶圓。
圖4為一積層製造電氣導管之一實例。
圖5為一積層製造互連件之一實例。
圖6為一積層製造互連件之另一實例。
圖7為一積層製造程序之一實例。
圖8為一積層製造程序之部分之一實例，其可用於產生具有一同軸結構之一積層製造互連件。
圖9為一互連件之一替代實例性實施方案。
圖10為一互連件之一替代實例性實施方案。
圖11為圖10之實例性互連件之一特寫剖視圖。
圖12(包含圖12A、圖12B及圖12C)展示生產用於互連件之傳導導管的不同製造技術。
不同圖中類似的參考數字指示類似的元件。
製造商可在各種製造階段測試裝置。在一實例性製造程序中，於單一矽晶圓上製作大量的積體電路。將晶圓切割成稱為晶粒的個別積體電路。接著將各晶粒囊封在塑膠或另一封裝材料(例如，晶片級封裝)中以生產成品。
在製造程序中，盡可能早地偵測並丟棄故障組件，對製造商而言是一經濟誘因。因此，許多製造商在切割晶圓之前，先在晶圓級測試積體電路。鑑別出缺陷電路，且通常在封裝前將之丟棄，從而省下多個封裝缺陷晶粒的成本。作為最終檢查，許多製造商在各成品裝運前都先進行 測試。此一程序測試封裝內的零件，相較於稞晶粒多出額外費用。所以，由於測試結果準確而降低丟棄寶貴零件的必要性。
為了測試大量裝置，製造商通常使用ATE，例如自動測試設備(Automatic Test Equipment)(或「測試器」)。ATE回應於一測試程式集(TPS)中的指令，自動產生要施加至諸如一或多顆稞晶粒等受測試裝置(DUT)之輸入信號，並且監測所得輸出信號。ATE比較輸出信號與預期回應，以判斷各DUT是否有缺陷。ATE典型包括一電腦系統及具有對應功能的測試儀器或裝置。
在某些實施方案中，ATE係用於在晶圓級測試電子裝置或晶粒。晶圓上所測試的電子裝置為DUT，並且與印刷電路板(PCB)上的電子裝置不同，印刷電路板(PCB)上的電子裝置為啟用測試的組件。在某些實施方案中，PCB係用於射頻(RF)測試，並且在其他實施方案中，PCB可用於其他類型的(例如，非RF)測試。在涉及RF測試的實例性實施方案中，用於RF測試之PCB上的組件尤其是用來在來自DUT之許多RF通道與測試器中可用之較少數目個測試通道間提供一切換矩陣。
在涉及RF測試的實例性實施方案中，應用空間中的PCB上亦發現可用於測試系統之線路與DUT之阻抗線路間之阻抗匹配的平衡對不平衡轉換器(balun)及電容器，電容器藉由在電容器中之儲存能量與DUT間提供更短、更低的電感連接來支援DUT之多個電源供應器。由於DUT可很快切換電源狀態，使得歸因於連接電源供應器至DUT之線路之電感，導致電源供應器無法追蹤DUT處的所欲電壓，所以電容器在某些例子中可能相關。此現象依據纜線長度與構造而變化，並且可藉由儘可能電氣靠近DUT 所嵌裝的輔助旁路電容器來補償。這些旁路電容器提供位於附近的(藉由較低電感路徑連接的)儲存能量備用電源，其可由DUT在開啟時叫用並在DUT關閉時限制過電壓尖峰。在某些沒有旁路電容器的實施方案中，欠壓(電壓暫降)及過電壓(尖峰脈衝)狀況會在DUT出現，產生軟性或潛在硬性故障。
晶圓上的多個DUT(例如，晶粒)可用PCB一同(例如，平行或同時)測試。在一實例性實施方案中，PCB可為一測試探針卡(例如，一RF測試或其他測試探針卡)之部分(或形成一測試探針卡)，該測試探針卡本身可為一ATE之一裝置介面板(DIB)之部分。探針卡可用於執行測試晶圓上之DUT。例如，可使探針卡與晶圓上的多個DUT接觸，並且可對彼等DUT上平行執行測試。在一實例中，可使探針卡與晶圓上之一2×8區塊之相鄰DUT接觸，或與其他適當區塊之DUT接觸。之後，可將探針卡移至晶圓上不同(例如，相鄰)區塊之DUT，並且可測試DUT。可重複此程序，直到已測試晶圓上的全都DUT為止。下文描述探針卡與晶圓上之DUT間的接觸。
圖1展示包括一PCB 101之一實例性測試系統100，PCB 101構成一探針卡，並且包括諸如本文所述的組件。如圖所示，於PCB 101與測試電子器件102投送信號，測試電子器件102可為一測試器測頭103之部分。例如，測試電子器件可藉由透過纜線104、PCB 101及互連件105(下文描述其實例)發送信號至一DUT，執行實際測試DUT。對彼等信號的回應可馳返彼路徑到達測試電子器件，其中測量彼等回應以判斷一DUT是否運作正常。例如，在某些實施方案中，測試電子器件可具有與圖式不同的 組態，並且可在測試頭外(例如，在諸如一電腦之一或多個處理裝置處)執行處理。
在某些實施方案中，纜線104可為一同軸結構之部分。就這點而言，纜線104可為併入同軸結構之同軸纜線。例如，纜線104可為同軸結構之一整合零件，並且可形成在同軸結構內。在某些實施方案中，一同軸結構中之一同軸線路包括但不限於由諸如空氣等之一介電質完全環繞之一信號(或力)線路，繼而由回路(或接地)線路完全環繞介電質。在一同軸線路的某些實施方案中，可由諸如空氣之一介電質部分環繞信號(或力)線路，繼而由由回路(或接地)線路僅部分環繞介電質。換言之，如本文所使用，「同軸」未要求相同的介電質完全環繞力線路，也未要求一回路線路完全環繞介電質。本文所述的任意同軸線路都屬於這種情況。
在某些實施方案中，應用空間為測試系統區域，其尤其包括本文所述的切換矩陣。就這點而言，切換矩陣僅為應用空間中可包括之電路系統類型之一實例。因此，儘管本文所述的系統、設備及方法是以切換矩陣為內容脈絡來描述，其仍不限於搭配彼類型電路系統使用，而是可搭配任意適當類型電路系統使用。再者，本文所述的系統、設備及方法不限於搭配一測試系統之應用空間中所發現的電路系統使用，而是可用於實施任意適當類型電子器件或其他類型系統中的任意適當類型電路系統。
請參閱圖2，AS(例如，應用空間(Application Space))208中之切換矩陣201可包括但不限於主動及/或被動元件。例如，切換矩陣可包括如用於投送信號之微波切換器202，藉此選擇待測試的功能。可為切換矩陣之部分、或另外包括於應用空間中之其他元件的實例包括但不限於電 容器(圖中未繪示)、平衡對不平衡轉換器204及微波積體電路(MIMIC)(圖中未繪示)，微波積體電路可為能夠產生並接收高速信號之砷化鎵裝置。本文未描述之其他類型元件可為切換矩陣之部分。
在某些實施方案中，可使用一或多個同軸結構206來實施切換網路。該一或多個同軸結構稱為應用空間(AS)同軸結構，用以區別該(等)同軸結構與介於AS 208與測試電子器件102間之(多個)同軸結構及下文所述介於AS與DUT間之互連件105。至此，在某些情況下，AS切換矩陣之元件被併入或嵌裝在PCB 101上。具體而言，PCB電氣導管不具有一同軸結構，因而能經受不可接受的電氣信號損耗及串擾位準。藉由使用圖2所示諸如同軸通孔等同軸導管，可降低電氣信號負載及串擾，藉此導致在測試期間改善信號完整性。可使用本文所述的任意程序或使用(多個)其他適當程序來形成同軸結構206。同軸結構206可具有本文所述任意同軸結構或任意其他適當同軸結構之形式。
在某些實施方案中，AS同軸結構可與下伏PCB分離，並且直接連接至通到測試頭103及互連件105之同軸結構，藉此為測試系統提供一端對端同軸結構。在某些實施方案中，端對端同軸結構包括從測試電子器件102、通過同軸結構104、至探針頭接觸DUT處之點位210的同軸信號傳輸導管。在某些實施方案中，同軸傳輸導管中可以沒有間隙。在其他實施方案中，同軸傳輸導管中(例如，不同同軸結構之間)可有一或多個間隙，藉由諸如帶線連接或其他電路元件等其他類型之傳輸元件而使間隙產生裂口。在某些實施方案中，AS同軸結構206可與關於圖1及圖2所述包括但不限於互連件105之其他同軸結構分離使用，或在與其不同的電路系 統中使用。
在本實例中，AS同軸結構可包括用於透過PCB 101傳送信號至互連件105之同軸導管。AS同軸結構亦可包括一或多個主動及/或被動電路元件，諸如上述者。AS同軸結構可為一整合型結構。例如，可用一或多個積層製造程序及/或一或多個(減材)機械加工程序來形成AS同軸結構。例如，在某些實施方案中，可用三維(3D)列印或二又二分之一維(2 ½ D)列印來形成AS同軸結構。下文所述為可用於形成AS同軸結構之3D及2½ D列印程序的實例。然而，除了或有別於下文所述的程序，也可使用其他類型的積層製造程序。亦如所述，可使用機械加工程序藉由從一現存結構移除材料以產生AS同軸結構來形成該(等)同軸結構。
在某些實施方案中，為了促進信號傳輸一致性，不同導管之電氣特性可實質上匹配。例如，不同導管之阻抗可經控制而實質上相同。在此內容脈絡中，阻抗控制包括指定個別導管阻抗的能力及匹配不同導管阻抗的能力。另外，如以不同導管之ToF(飛行時間)所測量之電氣路徑長度(對照實體路徑長度)可實質上相同。另外，不同電氣導管產生的信號衰減可實質上相同。在某些實施方案中，AF同軸結構中的電氣導管全都具有相同的阻抗、電氣路徑長度及衰減。在其他實施方案中，情況並非如此，彼等特性會改變。例如，在某些實施方案中，測試電子器件可考量及/或校正這些參數之一或多者之變化。
AS同軸206結構可為一完全整合型結構，其中諸如上述等主動及/或被動電路元件(例如，電容器、平衡對不平衡轉換器、微波切換器、MIMIC等)形成為AS同軸結構之部分。例如，在使用積層製造及/或 機械加工程序形成AS同軸結構期間，這些主動及/或被動電路元件可經構造作為AS同軸結構之部分。在某些實施方案中，在使用積層製造及/或機械加工程序形成AS同軸結構期間，這些主動及/或被動電路元件全都可經構造作為AS同軸結構之部分。在某些實施方案中，在使用積層製造及/或機械加工程序形成AS同軸結構期間，這些主動及/或被動電路元件中僅某些可經構造作為AS同軸結構之部分。在某些實施方案中，在使用積層製造及/或機械加工程序形成AS同軸結構期間，這些主動及/或被動電路元件可未經構造作為AS同軸結構之部分。取而代之的是，這些主動及/或被動電路元件可予以事先形成並連接至AS同軸結構，並且適當連接至同軸信號傳輸導管，以按照預期影響信號傳輸。
在某些實施方案中，在使用積層製造及/或機械加工程序形成AS同軸結構期間，PCB 101可經構造作為AS同軸結構之部分。在某些實施方案中，在使用積層製造及/或機械加工程序形成AS同軸結構期間，PCB 101可未經構造作為AS同軸結構之部分。取而代之的是，可事先形成PCB 101，並且AS同軸結構適當連接至PCB 101或整合於PCB 101中。
在AS同軸結構與PCB為分離結構的實施方案中，一經形成，便可在PCB上適當嵌裝AS同軸結構。例如，可將AS同軸結構嵌裝到PCB上，使得適當的電氣連接及一或多個同軸傳輸導管能夠連接至其他同軸或其他結構，以便沿著測試電子器件與DUT間的(多條)途徑、透過應用空間(包括PCB)、經由同軸傳輸導管傳送信號。
在某些實施方案中，AS同軸結構可包括形成於AS同軸結構內的一或多個冷卻導管。冷卻導管可連接至一冷卻劑源，其可包括液體 及/或氣體。例如，可使用水、HFE(氫氟醚)、或其他冷卻劑。可氣密封冷卻導管以防冷卻劑洩漏。冷卻導管可僅定位於AS同軸結構中，或其可經由其他同軸結構(包括下文所述的互連件)在測試系統中端對端延伸。冷卻導管可置放在應用空間中電路元件的熱環境內或測試系統中的其他地方。例如，測試系統可包括用於偵測來自DUT之信號的感測器。冷卻導管可經定位以熱衝擊感測器，以便使感測器維持一適當的溫度位準。
如上述，可用本文所述的切換矩陣在測試電子器件與晶圓上或其他地方的DUT間提供系統端對端同軸傳輸。就這點而言，可依一特定間距配置PCB上的電子裝置。在某些實施方案中，一間距包括介於相鄰電子裝置之部分(例如，中心)間的距離。在其他實施方案中，間距可有不同定義。雖非必然，PCB上的間距典型大於晶圓上對應之DUT接點之間距。例如，在某些實例性實施方案中，PCB上的間距為15mm且晶圓上的間距為5mm。本文所述的系統明顯可搭配任何間距值使用，並且PCB與晶圓上的間距有可能相同。
圖3展示關於圖1及圖2所述類型之一測試系統300之一實例。圖3亦展示一PCB上電子裝置302之間距與一晶圓305上DUT之對應的接點306間之一比較。如圖3所示，探針卡上電子裝置302之DUT圖案與晶圓305上實際的DUT 321、322在間距方面有差異。
如上述，在某些實施方案中，本文所述的測試系統提供用以在諸如上述之AS同軸結構206與晶圓上之DUT接點間投送信號之一互連件。這可使用將PCB之間距轉換至晶圓之間距的互連件來完成。為此，在一實例性實施方案中，依介於裝置間的一第一間距(例如，可能為吋)在 一PCB上配置電子裝置及相關聯電路系統。互連件是用來從PCB上的第一間距空間轉換至小於該第一間距之一晶圓上之一間距(一第二間距)。在某些實施方案中，在互連件中且在AS同軸結構中使用空氣介電質同軸線路。相對於最常用的介電質，使用空氣作為一介電質可減少介電損耗，同時空氣的較低介電常數可允許較大的導體及對於一給定阻抗的較低傳導損耗；然而可使用空氣之外的介電質是。使用一同軸組態亦可降低集膚深度傳導性損耗。
在某些實施方案中，除了空氣，也可以其他介電質附加或取代使用。此類介電質的實例包括但不限於塑膠、陶瓷及玻璃。在使用空氣的實例中，可使用額外介電材料維持及/或支撐介於一外在、非空氣材料與相鄰於空氣之一內部傳導材料間的間隔。在某些實施方案中，內部傳導材料與空氣間可有額外介電材料。例如，由內到外的順序可為：內在傳導材料、介電質、空氣、外在材料等等，只要適用便可。任意實施方案中之各介電質都可由多種介電材料組成。
在某些實施方案中，本文所述的測試系統利用一積層製造程序產生用於晶圓級測試之一同軸線路。在一實例中，一積層製造程序(其實例為2 ½-D及3D列印)可用於依一間距產生可在測試PCB上之電子裝置與晶圓級DUT接點間介接之同軸線路。使用為介於一PCB上之電子裝置與一晶圓上之DUT接點間之一電氣途徑之部分的積層製造電氣導管，可改善某些電子裝置的平行測試。
就這點而言，為了促進信號傳輸一致性，不同導管之電氣特性應實質上匹配。例如，不同導管之阻抗應經控制而實質上相同。在此內 容脈絡中，阻抗控制包括指定個別導管阻抗的能力及匹配不同導管阻抗的能力。另外，如以不同導管之ToF(飛行時間)所測量之電氣路徑長度(對照實體路徑長度)應實質上相同。另外，不同電氣導管產生的信號衰減應實質上相同。在某些實施方案中，互連件中的電氣導管全都具有相同的阻抗、電氣路徑長度及衰減。在其他實施方案中，不需要特性上匹配。例如，在某些實施方案中，測試電子器件可考量及/或校正這些參數之一或多者之變化。
在一實例性實施方案中，PCB 101上包括的電氣元件包括其為一射頻(RF)探針功能之部分的電子裝置。在其他實施方案中，本文所述的測試系統可用來為不同類型之向下觸壓(touch-down)或其他測試功能提供互連件。
請重新參閱圖3，實例性測試系統300包括圖1所示類型之一PCB 301，其包括電氣元件。在本實例中，電氣元件包括為用於在DUT上執行晶圓級測試之一探針卡之部分的電子裝置302。然而，本文所述的系統不限於搭配含有為一探針卡之部分的電子裝置之PCB使用。反而，例如，電氣元件可包括可往返於其投送一信號的任何物品。例如，電氣元件可包括在PCB上終止的纜線或其他類型電氣導管。在本實例中，PCB亦包括結構性加勁件304。亦在本實例中，電路系統325與各對應之電子裝置相關聯。
如圖3所示，電子裝置302係以一第一間距配置。第一間距可為介於電子裝置間的任意距離。在圖3的實例中，用以配置電子裝置302的間距大於晶圓305上對應之DUT接點的間距。然而，如上述，在其他實施方案中，可能不是這種情況。例如，在其他實施方案中，用以配置電子 裝置302的間距可小於或等於晶圓305上對應之DUT接點的間距。PCB 301上的電子裝置302映射至晶圓305上對應之DUT接點306。亦即，電子裝置302上適當之信號接點與晶圓305上對應之DUT接點間有一電氣途徑。此外，可由PCB 301上之電子裝置302經由電氣途徑往返於晶圓305上的DUT投送信號，來啟用晶圓305上一DUT之測試。
電子裝置302與晶圓305上之接點306間的電氣途徑包括互連件309。在某些實施方案中，互連件309包括積層製造電氣導管，其為阻抗控制型(例如，經製造或以其他方式經組態以達到一規定的阻抗或阻抗範圍)、其具有一同軸結構及其根據電氣效能模擬同軸纜線。在某些實施方案中，積層製造電氣導管包括緊鄰於(例如，遭受環繞或遭受實質上環繞)諸如空氣之一介電質(例如，一「空氣介電質」)之導電材料(例如，諸如銅等金屬)。例如，由內到外的順序可為：內在傳導材料、空氣、外在材料等等，只要適用便可。
在某些實施方案中，除了或有別於空氣，也可使用其他介電質。此類介電質的實例包括但不限於塑膠、陶瓷及玻璃。在使用空氣的實例中，可使用額外介電材料維持及/或支撐介於一外在、非空氣材料與相鄰於空氣之一內部傳導材料間的間隔。在某些實施方案中，內部傳導材料與空氣間可有額外介電材料。例如，由內到外的順序可為：內在傳導材料、介電質、空氣、外在材料等等，只要適用便可。任意實施方案中之各介電質都可由多種介電材料組成。
圖4展示一積層製造電氣導管400之一實例，其係經由諸如下文所述之一積層製造程序所產生，並且其可用於實施本文所述之任意同 軸導管。導管400包括至少由空氣402部分環繞之一內在傳導材料401(諸如銅)。另一材料404在空氣周圍且形成積層製造電氣導管400之結構。其他材料可為金屬，並且可作用為內在傳導材料之一回路路徑。在其他實施方案中，積層製造電氣導管可具有與圖4所示者不同之一結構及/或組件。在某些實施方案中，積層製造程序係用於產生互連件，包括電氣導管3D列印。在其他實施方案中，積層製造程序包括層層往上形成以產生所得3D結構，其實例包括但不限於電鑄及鑲嵌構造。諸如這些的技術有時稱為2 ½-D列印。在某些定義中，當多層之列印產品堆疊且層之間產生互連時，一列印程序變為2½ D。在其他定義中，即便產生一單列印層之一程序仍因該單層必定具有厚度而構成一2 ½ D列印程序。
圖5展示包含積層製造電氣導管501之一互連件500，諸如圖4所示者，電氣導管501為阻抗控制型，並且為介於PCB上之電子裝置與一晶圓上之DUT接點間之一電氣途徑之部分。在本實例中，一積層製造電氣導管501包含相鄰於一空氣介電質502並由另一材料503環繞之導電材料。然而，如上述，在某些實施方案中，也可使用有別於或除了空氣外之一介電質。實例性互連件500將PCB之一第一間距505之電氣連接轉換至晶圓之一更緊密(例如，更小)之第二間距506。此處，第一間距對應於PCB上電子裝置間的離距，從而對應於電子裝置間的電氣連接，並且第二間距對應於晶圓上DUT接點間的離距。
在圖5的實例，內在傳導材料之相對厚度貫穿互連件維持約相同，如同空氣介電質的大小一般。然而，額外材料量在最靠近PCB之點位與最靠近晶圓之點位間變化。積層製造程序能在晶圓附近產生此類緊密 的間距。在某些實施方案中，在互連件的整個結構中，導管之外壁與中央導體間的實體關係經設計且經產生而在兩者之間形成一固定調諧關係，其可藉由阻抗來測量，正如在例如一50Ω的傳輸導管中一樣。
圖6展示本文所述類型之一互連件600之另一實例，其包含積層製造電氣導管，該積層製造電氣導管為阻抗控制型，並且為介於PCB上之電子裝置與一晶圓上之DUT接點間之一電氣途徑之部分。在圖6之實例中，互連件600將空間602所分離之電子裝置群組601間之一間距轉換成一更緊密間距604，其中晶圓上用於對應群組之DUT接點係由一更小空間606所分離。
在某些實施方案中，如圖3所示者，PCB上之電子裝置與晶圓上之接點間的電氣途徑亦包括互連件309以外的結構。例如，此類結構可包括一中介層材料310，其電氣且實體地連接PCB 301與互連件309。該結構亦可包括一接觸器總成312。接觸器總成312可電氣且實體地連接互連件309與晶圓305上的接點306。在某些實施方案中，接觸器總成312可包括一或多個接腳(例如，基於彈簧的POGO®接腳)，其將互連件中的電氣導管電氣且實體地連接至晶圓上對應的接點。在其他實施方案中，接觸器總成312可包括一或多個MEMS(微機電系統)裝置，其製成介於互連件中的電氣導管與晶圓上對應的接點間的適當電氣及實體連接。在某些實施方案中，可包括比圖3所示更少或更多的結構。
在某些實施方案中，PCB上之電子裝置與晶圓上之接點間的電氣途徑僅包括互連件。在此類實施方案中，可在形成互連件之積層製造程序期間，將中介層材料310、接觸器總成312及任何其他適當中間結構之 結構及/或功能構造作為互連件之部分。在某些實例性實施方案中，這些結構可經由有別於積層製造的程序形成於互連件內或併入於互連件中。
本文所述系統中可使用之積層製造程序的實例包括但不限Microfabrica,Inc.of Van Nuys,California所開發之MICA FreeformTM程序及Nuvotronics,LLC of Durham,North Carolina所開發之PolystrataTM程序。
圖7展示一積層製造程序700之一實例，其包括可在一程序中用於產生本文所述類型之同軸結構的操作(該同軸結構包括積層製造電氣導管，該積層製造電氣導管包含相鄰於諸如空氣之一介電質的導電材料)。圖7之積層製造程序亦可用來實施本文所述同軸結構之任意者。實例性程序700始於(710)一平坦基材701。添加(711)一圖案化聚合物702至平坦基材701。添加(712)一金屬層703於圖案化聚合物702之上，其填充圖案化聚合物之圖案。接著平坦化(713)表面以移除過剩金屬。重複(714)操作710至操作713任何適當次數以產生一層堆疊704，該層堆疊包含具有嵌入式金屬之聚合物。一旦堆疊中有適當數量的層，使用一溶劑移除(715)聚合物，藉此留下曝露金屬706。然而，包含操作710至操作715之此基本程序典型經擴增以支撐一同軸線路(由一空氣介電質環繞之一傳導材料)之中心。
例如，圖8展示一程序800之一實例，其包括與程序700相類似的操作，並且其可用來產生包含一傳導材料之一電氣導管，該傳導材料係由諸如空氣之一介電質環繞。圖8之積層製造程序亦可用來實施本文所述同軸結構之任意者。根據程序800，藉由添加層來形成一層系(strata)直到完成為止。例如，可透過微影術、電鍍術及平坦化，根據以上操作710至操作714來形成層系，用以產生包含圖案化聚合物之一結構，該圖案化 聚合物具有(多個)嵌入式金屬層。於在構造層系期間之一或多個操作點，介電帶807可嵌入(804)於金屬層中以支撐內在傳導材料808。可藉由執行包括微影術、電鍍術及平坦化之連續操作來建立多個層系809。之後，可溶解(805)聚合物(或使用任何阻劑)以留下所得電氣導管810。
在其他實施方案中，可用有別於本文所述之積層製造程序來產生互連件。例如，可用真實的3D列印來產生互連件。
請重新參閱圖3，作為測試程序之部分，包含PCB 301、中介層材料310、互連件309及接觸器總成312之結構320可與一區塊之DUT 321的接點接觸(例如，電氣連接)。可平行測試(例如，同時測試)這些DUT。之後，可使結構320與晶圓305上另一區塊322之DUT接觸，並且可平行測試彼等DUT。可重複此程序，直到已測試晶圓上的全都DUT為止。這個測試程序可為電腦控制型。例如，跨一晶圓之移動可為電腦控制型、測試信號之施加及分析可為電腦控制型等等。
圖9展示用以在PCB 1002上之測試電路系統電子裝置(圖中未繪示)與一晶圓(圖中未繪示)上之DUT接點間投送信號之一積層製造電氣互連件1001及相關結構之另一實例性實施方案。在圖9之實例性實施方案中，積層製造電氣互連件包括個別積層製造電氣導管1003。個別積層製造電氣導管1003可為本文所述的類型，例如，其可為小型同軸結構，各導管皆包含由諸如空氣、陶瓷、玻璃、塑膠、或類似者之一介電材料環繞之一導電芯(中心)。繼而由一導電外在材料環繞導電芯，該導電外在材料作用為用於芯之一電氣回路。繼而，可由一絕緣體環繞導電外在材料，或藉由空氣與其他導體隔離導電外在材料，或導電外在材料可電氣連接至 其他外在材料。
在實例性互連件1001中，積層製造電氣導管之至少某些(例如，全部)經組態成具有實質上匹配的電氣特性，諸如電氣路徑長度/飛行時間(ToF)、阻抗及信號衰減。藉由實質上匹配這些電氣特性，導管之間信號傳輸時間有差異的機率可能降低，藉此減少因透過互連件傳輸所致的時序誤差。在此內容脈絡中，實質上匹配可包括等同於一或多個預定義公差或在一或多個預定義公差內之一匹配。在某些實施方案中，可能只適合實質上匹配電氣路徑長度、阻抗及信號衰減之僅一或二者。
在本實施方案中，藉由使用彎曲或蜿蜒導管部分來至少部分達成匹配的電氣特性。例如，如圖9所示，個別導管包括彎曲或蜿蜒部分1004。這些部分經組態使得不同導管間的電氣路徑長度、阻抗及信號衰減都相同。在圖9之實例性實施方案中，導管1003a投送信號至遠離其比導管1003b還遠之原點的點位。在沒有彎曲或蜿蜒部分1004的情況下，此差異會導致導管1003a的電氣特性不同於導管1003b的電氣特性。結果，穿過導管的1003a之信號及穿過不同導管之信號會與穿過導管1003b之信號有不同電氣特性(例如，時序、衰減等)。然而，增加彎曲或蜿蜒部分1004有效延長導管1003b的信號傳輸路徑，藉此使諸如電氣路徑長度、阻抗及信號衰減等不同導管之電氣特性匹配，並藉此降低對透過互連件之不同導管傳送之不同信號不同效應的可能性。可增加蜿蜒或彎曲部分至一導管之任意或多個部分以達成所欲的電氣特性。
在圖9之實例性實施方案中，晶圓上接點之間距得以在一維度(例如，X維度1007)中維持，但在其他維度(例如，Y維度1008)中 則未維持。換言之，導管間的間隔相對於晶圓上的接點在Y維度1008中展開。依X方向1007，導管間的間隔與晶圓上接點間的間隔約相同。在本實例中，一群組導管1009依X方向1007有十二個導管且依Y方向1008有十二個導管。圖9所示的各組導管可能是、或可能不是這種情況。這類型的間隔可具有優點。例如，有可能在互連件的前面或後面增加用以容納更多晶圓接點之額外組導管。
互連件1001亦可包括諸如一電路板之一結構1010，含有對一DUT(晶圓)上對應之接點提供電氣連接之接腳(例如，彈簧接觸腳，諸如POGO®接腳)。電氣途徑穿過結構1010以到達電路板1011(例如，一中介層板)。電路板1011包括主動及/或被動電子組件，用來補償晶圓與電路板1002間電氣傳輸路徑中之電感。在某些實施方案中，被動電子組件可為電容器、平衡對不平衡轉換器、或切換器；然而，可使用其他主動及/或被動電子組件。
電氣途徑透過電路板1011延伸至積層製造電氣導管1003。電氣途徑自積層製造電氣導管1003延伸至電路板1002上的電氣元件，如上述。
在以上實例中，三個螺絲1012(亦請參閱圖10)係當作用以調整結構1010之角度之一機構使用，以致平面(接腳於該平面接觸DUT)實質上平行於電路板1002。例如，可為了調整平面而旋緊或鬆開螺絲1012中之一或多者。在其他實施方案中，可用不同機構進行機械調整以讓接腳與電路板保持平行。
圖9所示的蜿蜒途徑及各種其他構造可用來實施AS同軸結 構206，或更廣泛地說，切換矩陣201。例如，切換矩陣201亦可包括彎曲或蜿蜒部分，其有效延長其導管的信號傳輸路徑，藉此使諸如電氣路徑長度、阻抗及信號衰減等不同導管之電氣特性匹配，並藉此降低對透過互連件之不同導管傳送之不同信號的不同效應的可能性。可增加蜿蜒或彎曲部分至一導管之任意或多個部分以達成所欲的電氣特性。
圖10展示一替代實施方案之一實例，其使用微帶構造、帶線構造或共面波導構造來產生用於透過互連件傳送信號之電氣導管1015。這些構造各係使用蝕刻術且因此係以減材製造(例如，機械加工)來產生，其概念是，從裝置移除材料以產生適當的電氣及機械連接。一微帶構造、帶線構造或一共面波導構造亦可用來產生同軸結構206，用於透過切換矩陣(從而透過PCB)往返於互連件傳送信號。
就這點而言，為了產生一阻抗控制型通道，需要兩個物品：一力(通常稱為「信號」)線路及一回路(通常稱為「接地」)線路。需要一完整電路才能產生一通道。力及回路(信號及接地)之結合描述完整電路。力與回路間的幾何關係產生阻抗。
請參閱圖12A，在一帶線組態中，使阻抗控制型信號線路1301(朝DUT向前載送信號之線路)於兩個回路(接地)平面1302間分層(這些實際為「回路」，理由是，信號必須兼具一力及一回路才能產生一完整電路)。彼等力與回路線路間的幾何關係為決定電路阻抗之一因素。樹脂及織物1303可介於傳導路徑之間。請參閱圖12B，一微帶組態移除接地平面中之一者，留下信號線路1304及接地平面1305。一微帶之一優點在於，若可在信號線路周圍實施一真實的空氣環境，則隨著信號順沿軌跡傳遞， 電磁損耗會更少。請參閱圖12C，一共面波導呈微帶形式，其中接地平面1307與信號線路1308共面。阻抗大部分衍生自經由結構之表面上軌跡之關係。在信號彼此相鄰時共面波導是良好的選擇，彼此相鄰的信號可能經受軌跡間的串擾或電感性耦合。可用圖12A、圖12B及/或圖12C中所示的結構實施本文所述同軸結構之任意者。
請重新參閱圖10，互連件或切換矩陣中各導管皆可具有一帶線組態、一微帶組態或一共面波導組態。另外，導管的功能及特徵實質上相同於上述積層製造導管。在圖10中，以絕緣材料被覆不同群組之導管1013。移除絕緣材料之一部分1014以顯露在晶圓與探針卡間產生電氣途徑之導管之蜿蜒部分1004。此於圖11中以特寫圖展示。
本文所述特徵之任意者皆可與美國專利申請案第14/084,414號找到的任何適當特徵結合，該案內容係以引用方式併入本文。例如，本文所述的結構可包括：一電路板，該電路板包含以一第一間距配置之電氣元件；一晶圓，該晶圓包含以一第二間距配置之接點，該第二間距小於該第一間距；以及一互連件，該互連件包含積層製造電氣導管，該積層製造電氣導管為介於該電氣元件與該接點間之一電氣途徑之部分，其中該積層製造電氣導管包含導電材料。
使用系統處理裝置、嵌入式處理裝置、及/或可程式化邏輯之一結合來執行如本文所述之測試可。例如，這些不同元件各可執行一或多個測試程式以平行或循序測試多個裝置。本文所述的測試不限於RF測試，而是可用於測試任何電子裝置，包括微處理器、可程式化邏輯及類似者。
儘管本說明書描述關於「測試」及「測試系統」之實例性實施方案，本文所述的裝置及方法仍可用於任意適當系統，並且不限於本文所述的測試系統或實例性測試系統。
可使用硬體或硬體與軟體之一結合來實施及/或控制如本文所述執行的測試。例如，類似本文所述之一測試系統可包括定位於各個點位之各個控制器及/或處理裝置。一中央電腦可協調各個控制器或處理裝置之間的運作。中央電腦、控制器及處理裝置可執行各個軟體常式來使測試與校準之控制及協調起作用。
可至少部分使用一或多個電腦程式產品來控制測試，例如，有形體現於諸如一或多個非暫存機器可讀媒體之一或多個資訊載體中之一或多個電腦程式，用於藉由操作一或多個資料處理設備來執行、或用以控制一或多個資料處理設備之運作，該一或多個資料處理設備例如為一可程式化處理器、一電腦、多台電腦、及/或可程式化邏輯組件。
可用包括編譯或解譯語言之任何形式的程式設計語言撰寫的電腦程式可部署為任何形式，包括單獨程式或一模組、組件、副常式或其他適用於運算環境中的單元。可將電腦程式部署成在一台電腦或多台電腦上執行，多台電腦可位於同一現場或分散在多個現場並以網路互連。
可藉由一或多個可程式化處理器來執行與實施所有或部分測試及校準相關聯的動作，該一或多個可程式化處理器執行本文所述的功能。可使用特殊用途邏輯電路系統來實施全部或部分的測試及校準，例如，FPGA(場可程式化閘陣列)及/或ASIC(特殊應用積體電路)。
舉例而言，適於執行電腦程式的處理器包括通用及特殊用途 微處理器兩者、及任何種類之數位電腦的任何一或多個處理器。一般而言，處理器將接收來自唯讀儲存區或隨機存取儲存區或兩者的指令與資料。電腦元件(包括伺服器)包括用於執行指令的一或多個處理器及用於儲存指令與資料的一或多個儲存區裝置。一般而言，電腦亦將包括一或多個機器可讀取儲存媒體，或在操作上耦合至一或多個機器可讀取儲存媒體以接收來自機器可讀取儲存媒體的資料及/或傳送至機器可讀取儲存媒體資料，該一或多個機器可讀取儲存媒體為例如用於儲存資料的大容量PCB(例如，磁碟、磁光碟或光碟)。適於體現電腦程式指令與資料之機械可讀取的儲存媒體包括所有形式的非揮發性儲存區，舉例而言，包括半導體儲存區裝置(例如，EPROM、EEPROM及快閃儲存區裝置)；磁碟(例如，內部硬碟或可抽換式磁碟)；磁光碟；及CD-ROM與DVD-ROM碟。
如本文所使用，任意「電氣連接」可意味著一直接實體連接、或包括介入之組件但卻容許電氣信號在連接之組件間流動之一連接。除非另有陳述，涉及本文所述電氣電路系統之任意「連接」為一電氣連接，並且非必然直接實體連接，無論字詞「電氣」是否用於修飾「連接」。
本文所述之不同實施的元件可相結合，以形成在上文未具體提出的其他實施例。在未對操作產生負面影響的情況下，元件可不列入本文所述之結構中。此外，各種分開的元件可結合為一或多個個別元件，以執行本文所述之功能。

Claims (27)

  1. 一種測試設備，其包含：一電路板，其為介於測試電子器件與一受測試裝置(DUT)間之一應用空間之部分；以及一同軸結構，其沿著介於該等測試電子器件與該DUT間之電氣途徑傳遞信號，該同軸結構包含導管，該等導管包含一信號線路，至少由一回路線路部分環繞該信號線路，該同軸結構包含多個堆疊層之導電材料，該等導管之至少某些係彎曲或蜿蜒導管，經組態使得針對該等導管之該至少某些，下列之一或多個實質上匹配：電氣路徑長度、阻抗或信號衰減。
  2. 如請求項1之測試設備，其中在該同軸結構中，由該回路線路完全環繞該信號線路。
  3. 如請求項1之測試設備，其中在該同軸結構中，該回路線路部分但非完全環繞該信號線路。
  4. 如請求項1之測試設備，其中該同軸結構穿過該電路板。
  5. 如請求項1之測試設備，其中該多個堆疊層之導電材料係垂直堆疊。
  6. 如請求項1之測試設備，其中該同軸結構包含一製造結構。
  7. 如請求項1之測試設備，其中該DUT包含收發器，該等收發器之各者包含用於傳送與接收信號之裝置；以及其中該同軸結構包含用於選擇供測試用之收發器通道之一切換矩陣。
  8. 如請求項1之測試設備，其中該同軸結構包含主動元件或被動元件之至少一者。
  9. 如請求項8之測試設備，其中該等主動元件或被動元件為該同軸結構之一整合零件。
  10. 如請求項8之測試設備，其中該等主動元件或被動元件包含附接至該同軸結構之整合零件的離散組件。
  11. 如請求項1之測試設備，其中該同軸結構包含用於保持或轉移熱傳送材料之至少一通道，該至少一通道經定位以熱衝擊與該應用空間相關聯之一主動或被動裝置。
  12. 如請求項11之測試設備，其中該熱傳送材料經組態以穩定化該應用空間內之一主動或被動裝置之一溫度，其中穩定化包含冷卻或加熱該裝置以維持一目標溫度。
  13. 一種測試系統，其包含：受測試裝置(DUT)；用以測試該等DUT之測試電子器件；以及一同軸結構，其沿著介於該等測試電子器件與該DUT間之電氣途徑傳遞信號，該同軸結構包含信號線路所組成的導管，至少由個別回路線路部分環繞該等信號線路，該同軸結構包含彎曲或蜿蜒導管，經組態使得針對該等導管之至少某些，下列之一或多個實質上匹配：電氣路徑長度、阻抗或信號衰減。
  14. 如請求項13之測試系統，其中該同軸結構為一第一同軸結構；並且其中該系統進一步包含： 一第二同軸結構，其用以在該等測試電子器件與該第一同軸結構間傳遞信號；以及一第三同軸結構，其用以在該第一同軸結構與該等DUT間傳遞信號。
  15. 如請求項14之測試系統，其中該電路板包含以一第一間距配置之電氣元件；其中該等DUT係位於一晶圓上，該晶圓包含以一第二間距配置之接點，該第二間距小於該第一間距；以及其中該第三同軸結構包含一互連件，該互連件包含積層製造電氣導管，該等積層製造電氣導管為介於該等電氣元件與該等接點間之一電氣途徑之部分，該等積層製造電氣導管包含導電材料。
  16. 如請求項13之測試系統，其中該等導管之該至少某些經組態成具有實質上匹配的電氣路徑長度、阻抗及信號衰減。
  17. 如請求項13之測試系統，其中該等導管的全部係組態以具有實質上匹配的電氣路徑長度、阻抗及信號衰減。
  18. 如請求項13之測試系統，其中，在該同軸結構中，由一回路線路完全環繞一信號線路。
  19. 如請求項13之測試系統，其中，在該同軸結構中，由一回路線路未完全環繞一信號線路。
  20. 如請求項13之測試系統，其中該同軸結構包含多層之堆疊導電材料。
  21. 如請求項20之測試系統，其中該多層之堆疊導電材料係垂直堆疊。
  22. 如請求項13之測試系統，其中該同軸結構包含一機械加工結構。
  23. 如請求項13之測試系統，其中該DUT包含收發器，該等收發器之各者包含用於傳送與接收信號之裝置；以及其中該同軸結構包含用於供測試用之該等收發器之經選擇者之一切換矩陣。
  24. 如請求項13之測試系統，其中該同軸結構包含主動元件或被動元件之至少一者。
  25. 如請求項24之測試系統，其中該等主動元件或被動元件為該同軸結構之一整合零件。
  26. 如請求項24之測試系統，其中該等主動元件或被動元件包含附接至該同軸結構之整合零件的離散組件。
  27. 如請求項13之測試系統，其中該同軸結構包含用於保持冷卻液之至少一通道，該至少一通道經定位以熱衝擊與一DUT之測試相關聯之一主動或被動元件。
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WO (1) WO2015200066A1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11587640B2 (en) 2021-03-08 2023-02-21 Advantest Test Solutions, Inc. Carrier based high volume system level testing of devices with pop structures
US11609266B2 (en) 2020-12-04 2023-03-21 Advantest Test Solutions, Inc. Active thermal interposer device
US11656273B1 (en) 2021-11-05 2023-05-23 Advantest Test Solutions, Inc. High current device testing apparatus and systems
US11674999B2 (en) 2020-11-19 2023-06-13 Advantest Test Solutions, Inc. Wafer scale active thermal interposer for device testing
US11808812B2 (en) 2020-11-02 2023-11-07 Advantest Test Solutions, Inc. Passive carrier-based device delivery for slot-based high-volume semiconductor test system
US11821913B2 (en) 2020-11-02 2023-11-21 Advantest Test Solutions, Inc. Shielded socket and carrier for high-volume test of semiconductor devices
US11841392B2 (en) 2020-06-22 2023-12-12 Advantest Test Solutiions, Inc. Integrated test cell using active thermal interposer (ATI) with parallel socket actuation
US11852678B2 (en) 2020-12-31 2023-12-26 Advantest Test Solutions, Inc. Multi-input multi-zone thermal control for device testing
US11940487B2 (en) 2020-10-01 2024-03-26 Advantest Test Solutions, Inc. Thermal solution for massively parallel testing

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10451652B2 (en) 2014-07-16 2019-10-22 Teradyne, Inc. Coaxial structure for transmission of signals in test equipment
JP6525831B2 (ja) * 2015-09-15 2019-06-05 株式会社ヨコオ コンタクトユニット及び検査治具
TWI582432B (zh) * 2016-01-20 2017-05-11 中華精測科技股份有限公司 整合電容模組之ｉｃ測試座
US9977052B2 (en) 2016-10-04 2018-05-22 Teradyne, Inc. Test fixture
US10241146B2 (en) * 2017-05-01 2019-03-26 Advantest Corporation Test system and method
KR20190051240A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 삼성전자주식회사 테스트 장치
US10972192B2 (en) 2018-05-11 2021-04-06 Teradyne, Inc. Handler change kit for a test system
US10677815B2 (en) * 2018-06-08 2020-06-09 Teradyne, Inc. Test system having distributed resources
US20200035591A1 (en) * 2018-07-30 2020-01-30 Dyi-chung Hu Interposer and manufacturing method thereof
TWI672506B (zh) * 2018-08-08 2019-09-21 中華精測科技股份有限公司 射頻探針卡裝置及其間距轉換板
KR102205616B1 (ko) 2019-04-24 2021-01-21 주식회사 엑시콘 시스템 응용 보드와 사각 형상의 프로브 카드가 결합된 dut 테스트 시스템
CN114585940A (zh) * 2019-09-30 2022-06-03 伊雷克托科学工业股份有限公司 模组化二端点终端接触式电测量系统中的减少的阻抗变化
US11604219B2 (en) 2020-12-15 2023-03-14 Teradyne, Inc. Automatic test equipement having fiber optic connections to remote servers
US11862901B2 (en) 2020-12-15 2024-01-02 Teradyne, Inc. Interposer
TWI752781B (zh) * 2020-12-31 2022-01-11 致茂電子股份有限公司 雷射二極體檢測系統及其檢測方法
US11855376B2 (en) 2021-03-24 2023-12-26 Teradyne, Inc. Coaxial contact having an open-curve shape
US12046787B2 (en) 2021-05-14 2024-07-23 Teradyne, Inc. Waveguide connector for connecting first and second waveguides, where the connector includes a male part, a female part and a self-alignment feature and a test system formed therefrom

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4920574A (en) * 1985-10-04 1990-04-24 Fujitsu Limited Cooling system for an electronic circuit device
US20020195265A1 (en) * 2001-06-20 2002-12-26 Miller Charles A. High density planar electrical interface
US20070004238A1 (en) * 2005-07-02 2007-01-04 Teradyne, Inc. Compliant electro-mechanical device
US20070103199A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-10 Nestor Tzartzanis Systems and methods for transmitting signals across integrated circuit chips

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3516077A (en) 1968-05-28 1970-06-02 Bell Telephone Labor Inc Magnetic propagation device wherein pole patterns move along the periphery of magnetic disks
US3577131A (en) 1969-01-30 1971-05-04 Bell Telephone Labor Inc Domain propagation arrangement
CH514251A (de) 1970-08-21 1971-10-15 Siemens Ag Albis Schaltungsanordnung zum wahlweisen Anschalten wenigstens zweier Eingänge an eine wenigstens einen Vorbereitungs- und einen Auslöseeingang aufweisende Zählstufe
US4117543A (en) 1972-08-24 1978-09-26 Monsanto Company Magnetic bubble logic family
US4021790A (en) 1974-01-11 1977-05-03 Monsanto Company Mutually exclusive magnetic bubble propagation circuits
US3934236A (en) 1974-01-11 1976-01-20 Monsanto Company Pulsed field accessed bubble propagation circuits
US4757256A (en) 1985-05-10 1988-07-12 Micro-Probe, Inc. High density probe card
US4692839A (en) 1985-06-24 1987-09-08 Digital Equipment Corporation Multiple chip interconnection system and package
US4954873A (en) 1985-07-22 1990-09-04 Digital Equipment Corporation Electrical connector for surface mounting
US4729166A (en) 1985-07-22 1988-03-08 Digital Equipment Corporation Method of fabricating electrical connector for surface mounting
US4778950A (en) 1985-07-22 1988-10-18 Digital Equipment Corporation Anisotropic elastomeric interconnecting system
US4754546A (en) 1985-07-22 1988-07-05 Digital Equipment Corporation Electrical connector for surface mounting and method of making thereof
US4758785A (en) 1986-09-03 1988-07-19 Tektronix, Inc. Pressure control apparatus for use in an integrated circuit testing station
US4918383A (en) 1987-01-20 1990-04-17 Huff Richard E Membrane probe with automatic contact scrub action
US4783719A (en) 1987-01-20 1988-11-08 Hughes Aircraft Company Test connector for electrical devices
EP0298219A3 (en) 1987-06-08 1990-08-01 Tektronix Inc. Method and apparatus for testing unpackaged integrated circuits in a hybrid circuit environment
US4912399A (en) 1987-06-09 1990-03-27 Tektronix, Inc. Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form
US4804132A (en) 1987-08-28 1989-02-14 Difrancesco Louis Method for cold bonding
US4980637A (en) 1988-03-01 1990-12-25 Hewlett-Packard Company Force delivery system for improved precision membrane probe
US5020219A (en) 1988-05-16 1991-06-04 Leedy Glenn J Method of making a flexible tester surface for testing integrated circuits
US5103557A (en) 1988-05-16 1992-04-14 Leedy Glenn J Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US4922192A (en) 1988-09-06 1990-05-01 Unisys Corporation Elastic membrane probe
EP0361779A1 (en) 1988-09-26 1990-04-04 Hewlett-Packard Company Micro-strip architecture for membrane test probe
US4975638A (en) 1989-12-18 1990-12-04 Wentworth Laboratories Test probe assembly for testing integrated circuit devices
US5083697A (en) 1990-02-14 1992-01-28 Difrancesco Louis Particle-enhanced joining of metal surfaces
US5072176A (en) 1990-07-10 1991-12-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Flexible membrane circuit tester
US5132613A (en) 1990-11-30 1992-07-21 International Business Machines Corporation Low inductance side mount decoupling test structure
US5264787A (en) 1991-08-30 1993-11-23 Hughes Aircraft Company Rigid-flex circuits with raised features as IC test probes
US5180977A (en) 1991-12-02 1993-01-19 Hoya Corporation Usa Membrane probe contact bump compliancy system
US5355079A (en) 1993-01-07 1994-10-11 Wentworth Laboratories, Inc. Probe assembly for testing integrated circuit devices
US5422574A (en) 1993-01-14 1995-06-06 Probe Technology Corporation Large scale protrusion membrane for semiconductor devices under test with very high pin counts
US5378982A (en) 1993-02-25 1995-01-03 Hughes Aircraft Company Test probe for panel having an overlying protective member adjacent panel contacts
US5456404A (en) 1993-10-28 1995-10-10 Digital Equipment Corporation Method of testing semiconductor chips with reusable test package
US5468157A (en) 1993-10-29 1995-11-21 Texas Instruments Incorporated Non-destructive interconnect system for semiconductor devices
US5469072A (en) 1993-11-01 1995-11-21 Motorola, Inc. Integrated circuit test system
US7073254B2 (en) 1993-11-16 2006-07-11 Formfactor, Inc. Method for mounting a plurality of spring contact elements
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5416429A (en) 1994-05-23 1995-05-16 Wentworth Laboratories, Inc. Probe assembly for testing integrated circuits
US6499216B1 (en) 1994-07-07 2002-12-31 Tessera, Inc. Methods and structures for electronic probing arrays
US6690186B2 (en) 1994-07-07 2004-02-10 Tessera, Inc. Methods and structures for electronic probing arrays
EP0779989A4 (en) 1994-09-09 1998-01-07 Micromodule Systems Inc SCANING CIRCUITS WITH A MEMBRANE PROBE
US6232789B1 (en) 1997-05-28 2001-05-15 Cascade Microtech, Inc. Probe holder for low current measurements
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US5973405A (en) 1997-07-22 1999-10-26 Dytak Corporation Composite electrical contact structure and method for manufacturing the same
JP3429995B2 (ja) 1997-11-10 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
US6246245B1 (en) 1998-02-23 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card, test method and test system for semiconductor wafers
JPH11354561A (ja) 1998-06-09 1999-12-24 Advantest Corp バンプ形成方法及びバンプ
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6578264B1 (en) 1999-06-04 2003-06-17 Cascade Microtech, Inc. Method for constructing a membrane probe using a depression
US6838890B2 (en) 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6566898B2 (en) 2000-03-06 2003-05-20 Wentworth Laboratories, Inc. Temperature compensated vertical pin probing device
US6927586B2 (en) 2000-03-06 2005-08-09 Wentworth Laboratories, Inc. Temperature compensated vertical pin probing device
US6661244B2 (en) 2000-03-06 2003-12-09 Wentworth Laboratories, Inc. Nickel alloy probe card frame laminate
US6633175B1 (en) 2000-03-06 2003-10-14 Wenworth Laboratories, Inc. Temperature compensated vertical pin probing device
US6586955B2 (en) 2000-03-13 2003-07-01 Tessera, Inc. Methods and structures for electronic probing arrays
US6515499B1 (en) 2000-09-28 2003-02-04 Teradyne, Inc. Modular semiconductor tester interface assembly for high performance coaxial connections
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech, Inc., Beaverton, Oreg. Wafersonde
US6756797B2 (en) 2001-01-31 2004-06-29 Wentworth Laboratories Inc. Planarizing interposer for thermal compensation of a probe card
US7355420B2 (en) 2001-08-21 2008-04-08 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6686732B2 (en) 2001-12-20 2004-02-03 Teradyne, Inc. Low-cost tester interface module
US6911835B2 (en) 2002-05-08 2005-06-28 Formfactor, Inc. High performance probe system
US6965244B2 (en) 2002-05-08 2005-11-15 Formfactor, Inc. High performance probe system
JP2005527823A (ja) 2002-05-23 2005-09-15 カスケード マイクロテック インコーポレイテッド デバイスのテスト用プローブ
US6724205B1 (en) 2002-11-13 2004-04-20 Cascade Microtech, Inc. Probe for combined signals
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
WO2006017078A2 (en) 2004-07-07 2006-02-16 Cascade Microtech, Inc. Probe head having a membrane suspended probe
WO2005065258A2 (en) 2003-12-24 2005-07-21 Cascade Microtech, Inc. Active wafer probe
US7420381B2 (en) 2004-09-13 2008-09-02 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7449899B2 (en) 2005-06-08 2008-11-11 Cascade Microtech, Inc. Probe for high frequency signals
WO2006137979A2 (en) 2005-06-13 2006-12-28 Cascade Microtech, Inc. Wideband active-passive differential signal probe
JP4902248B2 (ja) 2006-04-07 2012-03-21 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
JP4841298B2 (ja) 2006-04-14 2011-12-21 株式会社日本マイクロニクス プローブシートの製造方法
JP4884821B2 (ja) 2006-04-14 2012-02-29 株式会社日本マイクロニクス プローブシートおよび電気的接続装置
JP4518041B2 (ja) 2006-05-19 2010-08-04 エルピーダメモリ株式会社 プローブカード
US7405582B2 (en) 2006-06-01 2008-07-29 Advantest Corporation Measurement board for electronic device test apparatus
DE112007001399T5 (de) 2006-06-09 2009-05-07 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Messfühler für differentielle Signale mit integrierter Symmetrieschaltung
US7443186B2 (en) 2006-06-12 2008-10-28 Cascade Microtech, Inc. On-wafer test structures for differential signals
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7876087B2 (en) 2006-09-12 2011-01-25 Innoconnex, Inc. Probe card repair using coupons with spring contacts and separate atachment points
JP2008082912A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Micronics Japan Co Ltd 電気的接続装置
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7791361B2 (en) 2007-12-10 2010-09-07 Touchdown Technologies, Inc. Planarizing probe card
US8033012B2 (en) 2008-03-07 2011-10-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor test probe card space transformer
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
US8410806B2 (en) 2008-11-21 2013-04-02 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
TWI511217B (zh) 2008-11-25 2015-12-01 Advantest Corp 測試電子電路至受測裝置之介面及利用此介面之方法與裝置
JP5291205B2 (ja) * 2009-02-18 2013-09-18 モレックス インコーポレイテド プリント回路基板用の垂直コネクタ
US8289039B2 (en) * 2009-03-11 2012-10-16 Teradyne, Inc. Pin electronics liquid cooled multi-module for high performance, low cost automated test equipment
JP5433322B2 (ja) * 2009-06-30 2014-03-05 株式会社アドバンテスト コネクタ、ケーブルアッセンブリ及び半導体試験装置
US8232115B2 (en) 2009-09-25 2012-07-31 International Business Machines Corporation Test structure for determination of TSV depth
WO2013134568A1 (en) 2012-03-07 2013-09-12 Advantest Corporation Shielded probe array
US9435855B2 (en) * 2013-11-19 2016-09-06 Teradyne, Inc. Interconnect for transmitting signals between a device and a tester

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4920574A (en) * 1985-10-04 1990-04-24 Fujitsu Limited Cooling system for an electronic circuit device
US20020195265A1 (en) * 2001-06-20 2002-12-26 Miller Charles A. High density planar electrical interface
US20070004238A1 (en) * 2005-07-02 2007-01-04 Teradyne, Inc. Compliant electro-mechanical device
US20070103199A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-10 Nestor Tzartzanis Systems and methods for transmitting signals across integrated circuit chips

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11841392B2 (en) 2020-06-22 2023-12-12 Advantest Test Solutiions, Inc. Integrated test cell using active thermal interposer (ATI) with parallel socket actuation
US11940487B2 (en) 2020-10-01 2024-03-26 Advantest Test Solutions, Inc. Thermal solution for massively parallel testing
US11808812B2 (en) 2020-11-02 2023-11-07 Advantest Test Solutions, Inc. Passive carrier-based device delivery for slot-based high-volume semiconductor test system
US11821913B2 (en) 2020-11-02 2023-11-21 Advantest Test Solutions, Inc. Shielded socket and carrier for high-volume test of semiconductor devices
US11674999B2 (en) 2020-11-19 2023-06-13 Advantest Test Solutions, Inc. Wafer scale active thermal interposer for device testing
US11754620B2 (en) 2020-12-04 2023-09-12 Advantest Test Solutions, Inc. DUT placement and handling for active thermal interposer device
US11774492B2 (en) 2020-12-04 2023-10-03 Advantest Test Solutions, Inc. Test system including active thermal interposer device
TWI807516B (zh) * 2020-12-04 2023-07-01 美商前進測試解決股份有限公司 使用自動化處置器系統及測試器系統來測試系統級封裝受測裝置之方法，及用於測試系統級封裝受測裝置之測試裝置及測試配置
US11846669B2 (en) 2020-12-04 2023-12-19 Advantest Test Solutions, Inc. Active thermal interposer device
US11609266B2 (en) 2020-12-04 2023-03-21 Advantest Test Solutions, Inc. Active thermal interposer device
US11852678B2 (en) 2020-12-31 2023-12-26 Advantest Test Solutions, Inc. Multi-input multi-zone thermal control for device testing
US11742055B2 (en) 2021-03-08 2023-08-29 Advantest Test Solutions, Inc. Carrier based high volume system level testing of devices with pop structures
US11587640B2 (en) 2021-03-08 2023-02-21 Advantest Test Solutions, Inc. Carrier based high volume system level testing of devices with pop structures
US11656273B1 (en) 2021-11-05 2023-05-23 Advantest Test Solutions, Inc. High current device testing apparatus and systems

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