TWI647539B - 應用光阻下層膜之圖型形成方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種使用對於鹼性過氧化氫水溶液具有耐性之光阻下層膜之圖型形成方法。
本發明提供一種圖型形成方法，該方法含下列步驟：於表面可形成有無機膜之半導體基板上塗佈含有重量平均分子量1000至100000之具有環氧基之聚合物及溶劑之光阻下層膜形成組成物，並經烘烤形成光阻下層膜之第1步驟；於前述光阻下層膜上形成光阻圖型之第2步驟；以前述光阻圖型作為遮罩乾蝕刻前述光阻下層膜，使前述無機膜或前述半導體基板之表面露出之第3步驟；以及以乾蝕刻後之前述光阻下層膜作為遮罩，使用鹼性過氧化氫水溶液濕式蝕刻前述無機膜或前述半導體基板之第4步驟。

Description

應用光阻下層膜之圖型形成方法
本發明係有關於微影蝕刻製程中，應用對於鹼性過氧化氫水溶液之耐性優異之光阻下層膜而形成圖型之方法。
於基板及形成於其上之光阻膜之間設置光阻下層膜，並形成期望形狀之光阻圖型之微影製程為已知。然而，以往之光阻下層膜例如專利文獻1所記載之由含有胺基塑料系交聯劑之組成物所形成之光阻下層膜對於鹼性過氧化氫水溶液之耐性差。因此，此種光阻下層膜無法用作為使用鹼性過氧化氫水溶液之蝕刻製程中之遮罩。
且專利文獻2中，記載有含有具有經保護之羧基之化合物、具有可與羧基反應之化合物及溶劑之微影用下層膜組成物，或含有具有可與羧基反應之基與經保護之羧基之化合物以及溶劑之微影用下層膜形成組成物，該組成物不含胺基塑料系交聯劑作為必要成分。然而，專利文獻2中，關於由該組成物所形成之光阻下層膜對於鹼性 過氧化氫水溶液之耐性，並無任何記載。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4145972號公報
[專利文獻2]國際公開第2005/013601號
本發明之目的係提供一種使用對於鹼性過氧化氫水溶液具有耐性之光阻下層膜之圖型形成方法。
本發明之第一樣態係一種圖型形成方法，其係包含下列步驟：於表面可形成有無機膜之半導體基板上塗佈含有重量平均分子量1000至100000之具有環氧基之聚合物及溶劑之光阻下層膜形成組成物，並經烘烤形成光阻下層膜之第1步驟；於前述光阻下層膜上形成光阻圖型之第2步驟；以前述光阻圖型作為遮罩乾式蝕刻前述光阻下層膜，使前述無機膜或前述半導體基板之表面露出之第3步驟；以及以乾式蝕刻後之前述光阻下層膜作為遮罩，使用鹼性過氧化氫水溶液濕式蝕刻前述無機膜或前述半導體基板之第4步驟。
前述聚合物可為共聚物(copolymer)、均聚 物(homopolymer)之任一者。
前述聚合物可進一步具有經保護之羧基、及/或對193nm之波長具有吸收之吸光部位或對248nm之波長具有吸收之吸光部位。
經保護之羧基可列舉為例如羧基經酯化者。尤其，使用具有乙烯基醚基之化合物予以酯化之羧基可藉加熱使乙烯基醚基脫離，產生羧酸，固為簡便且使用於大多數情況。關於以乙烯基醚基以外予以酯化之羧基由於亦可藉由選擇適當條件而產生羧酸，故並不僅限於乙烯基醚基。
對193nm之波長具有吸收之吸光部位列舉為例如苯環、萘環、三嗪環，對248nm之波長具有吸收之吸光部位列舉為例如萘環、蒽環、芘環、三嗪環。
前述光阻下層膜形成組成物可進一步含有由具有經保護之羧基之聚合物、具有對193nm之波長具有吸收之吸光部位之聚合物、及具有對248nm之波長具有吸收之吸光部位之聚合物所組成之群選出之1種或2種以上之聚合物。
前述光阻下層膜形成組成物可進一步含有具有由環氧基、氧雜環丁基、羧基、硫醇基及苯基所組成之群選出之1種或2種以上之基之化合物作為交聯劑。
前述無機膜係由例如聚矽膜、氧化矽膜、氮化矽膜、BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass，硼磷矽酸鹽玻璃)膜、氮化鈦膜、氮化氧化鈦膜、鎢膜、氮化鎵膜及砷化鎵膜所組成之群選出之1種或2種以上所成。
前述鹼性過氧化氫水溶液含有例如氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氰化鈉、氰化鉀、三乙醇胺或脲。前述鹼性過氧化氫水溶液含有氨時，該鹼性過氧化氫水溶液係例如25質量%至30質量%之氨水溶液(A)、30質量%至36質量%之過氧化氫水溶液(B)及水(C)之混合物，前述過氧化氫水溶液(B)相對於前述氨水溶液(A)之體積比：(B)/(A)為0.1至20.0，及前述水(C)相對於前述氨水溶液(A)之體積比：(C)/(A)為5.0至50.0。
以本發明之圖型形成方法之第1步驟形成之光阻下層膜由於對鹼性過氧化氫水溶液具有耐性，故可於使用鹼性過氧化氫水溶液之蝕刻製程中作為遮罩使用。此外，該光阻下層膜上之光阻圖型即使暴露於鹼性過氧化氫水溶液中亦不易自半導體基板剝離。
針對本發明之圖型形成方法中使用之光阻下層膜形成組成物說明於下。
前述光阻下層膜形成組成物中所含之聚合物之重量平均分子量係利用凝膠滲透層析儀(GPC)，使用聚苯乙烯作為標準試料所得之值。該值小於1000時，會有形成之光阻下層膜對光阻溶劑之耐性變得不足之情況。
前述光阻下層膜形成組成物中作為任意成分而含有之具有由環氧基、氧雜環丁基、羧基、硫醇基及苯基所組成之群選出之1種或2種以上之基之化合物之交聯劑，作為例如至少具有兩個環氧基之化合物可列舉為參(2,3-環氧基丙基)異氰尿酸酯、1,4-丁二醇二縮水甘油醚、1,2-環氧基-4-(環氧基乙基)環己烷、丙三醇三縮水甘油醚、二乙二醇二縮水甘油醚、2,6-二縮水甘油基苯基縮水甘油醚、1,1,3-參[對-(2,3-環氧基丙氧基)苯基]丙烷、1,2-環己烷二羧酸二縮水甘油酯、4,4’-亞甲基雙(N,N-二縮水甘油基苯胺)、3,4-環氧基環己基甲基-3,4-環氧基環己烷羧酸酯、三羥甲基乙烷三縮水甘油醚、雙酚A-二縮水甘油醚、DAICEL(股)製之Epolead[註冊商標]GT-401、Epolead GT-403、Epolead GT-301、Epolead GT-302、Celloxide[註冊商標]2021、Celloxide 3000、三菱化學(股)製之152、154、157S70、168V70、604、630、806、807、825、827、828、834X90、871、872、1001、1002、1003、1004、1007、1009、1010、1031S、1032H60、1256、4004P、4005P、4007P、4010P、4250、4275、5046B80、YL980、YL983U、YL6810、YL6121L、YX4000、YX4000H、YX7399、YX7700、YX8000、YX8034、YX8800、日本化藥(股)製之EPPN 201、EPPN 202、EOCN-102、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1020、EOCN-1025、EOCN-1027、NAGASE CHEMTEX(股)製之Denacol[註冊商標]EX-252、 Denacol EX-313、Denacol EX-314、Denacol EX-321、Denacol EX-411、Denacol EX-421、Denacol EX-512、Denacol EX-522、Denacol EX-611、Denacol EX-612、Denacol EX-614、Denacol EX-622、BASF Japan(股)製之CY175、CY177、CY179、CY182、CY184、CY192、DIC(股)製之Epiclon 200、Epiclon 400、Epiclon 7015、Epiclon 830、Epiclon 830-S、Epiclon EXA-830CRP、Epiclon EXA-830LVP、Epiclon 835、Epiclon EXA-835LV、Epiclon 840、Epiclon 840-S、Epiclon 850、Epiclon 850-S、Epiclon EXA-850 CRP、Epiclon 1050、Epiclon 1055、Epiclon 2050、Epiclon 3050、Epiclon EXA-4816、Epiclon EXA-4822、Epiclon EXA-4850、Epiclon HP-4032、Epiclon HP-4032D、Epiclon HP-4700、Epiclon HP-4710、Epiclon HP-4770、Epiclon HP-5000、Epiclon HP-7200、Epiclon HP-7200L、Epiclon HP-7200H、Epiclon HP-7200HH、新日鐵住金化學(股)製之Epotot[註冊商標]YD-127、Epotot YD-128、Epotot YDF-170、Epotot YD-8125、Epotot YDF-8170C、Epotot ZX-1059、Epotot YD-825GS、Epotot YD-825GSH、Epotot YDF-870GS、Epotot YDPN-138、Epotot YDCN-700、Epotot YDC-1312、Epotot YSLV-80XY、Epotot YSLV-120TE、Epotot ST-3000、Epotot ST-4000D、Epotot YD-171、Epotot YH-434、Epotot YH-434L、Epotot FX-289BEK75、Epotot FX-305EK70、Epotot ERF-001M30、 日產化學工業(股)製之TEPIC[註冊商標]-G、TEPIC-S、TEPIC-SP、TEPIC-SS、TEPIC-HP、TEPIC-L、TEPIC-VL。
此外，前述至少具有兩個環氧基之化合物另亦可使用具有環氧基之聚合物。前述聚合物只要是具有環氧基之聚合物即可無特別限制地使用。該種聚合物可藉由使用具有環氧基之加成聚合性單體之加成聚合而製造，或可藉由使具有羥基或羥基苯基之高分子化合物與具有表氯醇、縮水甘油基甲苯磺酸酯等具有環氧基之化合物之反應而製造。可列舉為例如，聚丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯及甲基丙烯酸乙酯之共聚物、甲基丙烯酸縮水甘油酯與苯乙烯及甲基丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物等之加成聚合聚合物、環氧基酚醛清漆等之縮聚合聚合物。前述聚合物之重量平均分子量例如以聚苯乙烯換算為300至200000。
此外例如，具有至少兩個氧雜環丁基之化合物可列舉為東亞合成(股)製之Aron Oxetane[註冊商標]OXT-121、Aron Oxetane OXT-221。
且，例如具有至少兩個硫醇基之化合物可列舉為TORAY FINE CHEMICALS(股)製之Thiokol LP[註冊商標]、LP-282、昭和電工(股)製之Karenz MT[註冊商標]PE1、Karenz MT BD1、Karenz MT NR1、Karenz[註冊商標]TPMB、Karenz TEMB。
前述光阻下層膜形成組成物包含交聯劑時， 其含量相對於前述光阻下層膜形成組成物中所含之聚合物含量為例如2質量份至60質量份。使用具有環氧基之化合物作為交聯劑時，形成之光阻下層膜變得不易自半導體基板剝離。前述交聯劑之含量過少時及過量時，會有所形成之膜變得不易獲得對阻劑溶劑之耐性之情況。
前述光阻下層膜形成組成物中為了促進交聯反應，可與上述交聯劑一起含有交聯觸媒。前述交聯觸媒除酸性化合物、鹼性化合物外，可使用藉熱產生酸或鹼之化合物。酸性化合物可使用磺酸化合物或羧酸化合物，藉熱產生酸之化合物可使用熱酸產生劑。磺酸化合物或羧酸化合物列舉為例如對-甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸、吡啶鎓-對-甲苯磺酸鹽、水楊酸、樟腦磺酸、5-磺基水楊酸、4-氯苯磺酸、4-羥基苯磺酸、吡啶鎓-4-羥基苯磺酸、苯二磺酸、1-萘磺酸、4-硝基苯磺酸、檸檬酸、苯甲酸、羥基苯甲酸。熱酸產生劑列舉為例如K-PURE[註冊商標]CXC-1612、K-PURE CXC-1614、K-PURE TAG-2172、K-PURE TAG-2179、K-PURE TAG-2678、K-PURE TAG2689(以上為King Industries公司製)、及SI-45、SI-60、SI-80、SI-100、SI-110、SI-150(以上為三新化學工業(股)製)。該等交聯觸媒可使用1種或組合2種以上使用。
此外，鹼性化合物可使用胺化合物或氫氧化銨化合物，藉熱產生鹼之化合物可使用脲。胺化合物可列舉為例如三乙醇胺、三丁醇胺、三甲基胺、三乙基胺、三正丙基胺、三異丙基胺、三正丁基胺、三第三丁基胺、三 正辛基胺、三異丙醇胺、苯基二乙醇胺、硬脂基二乙醇胺、及二氮雜雙環辛烷等三級胺、吡啶及4-二甲胺基吡啶等芳香族胺。此外，亦列舉苄基胺及正丁基胺等一級胺、二乙基胺及二正丁基胺等二級胺作為胺化合物。該等胺化合物可單獨使用或組合兩種以上使用。氫氧化銨化合物可列舉為例如氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化苄基三甲基銨、氫氧化苄基三乙基銨、氫氧化鯨蠟基三甲基銨、氫氧化苯基三甲基銨、氫氧化苯基三乙基銨。且，藉熱產生鹼之化合物可使用例如具有如醯胺基、胺基甲酸酯基或氮丙啶基之熱不安定性基，且藉加熱生成胺之化合物。另外，亦列舉脲、氯化苄基三甲基銨、氯化苄基三乙基銨、氯化苄基二甲基苯基銨、氯化苄基十二烷基二甲基銨、氯化苄基三丁基銨、氯化膽鹼作為藉熱產生鹼之化合物。
前述光阻下層膜形成組成物包含交聯觸媒時，其含量相對於上述交聯劑之含量為例如0.2質量%至20質量%。
前述光阻下層膜形成組成物中可含有用以提高對半導體基板之塗佈性之界面活性劑作為任意成分。前述界面活性劑可列舉為例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯鯨蠟基醚、聚氧乙烯油基醚等聚氧乙烯烷基醚類，聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等聚氧乙烯烷基芳基醚類，聚氧乙烯．聚氧丙烯嵌段共聚物類，山梨糖醇酐單月桂酸酯、山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、 山梨糖醇酐單硬脂酸酯、山梨糖醇酐單油酸酯、山梨糖醇酐三油酸酯、山梨糖醇酐三硬脂酸酯等山梨糖醇酐脂肪酸酯類，聚氧乙烯山梨糖醇酐單月桂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇酐三硬脂酸酯等之聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯類等之非離子系界面活性劑，EFTOP[註冊商標]EF301、EFTOP EF303、EFTOP EF352(三菱材料電子化成(股)製)、MEGAFAC[註冊商標]F171、MEGAFAC F173、MEGAFAC R-30、MEGAFAC R-30N、MEGAFAC R-40、MEGAFAC R-40-LM(DIC(股)製)、FL0RARD FC430、FLORARD FC431(住友3M(股)製)、ASAHI GUARD[註冊商標]AG710、SURFLON[註冊商標]S-382、SURFLON SC101、SURFLON SC102、SURFLON SC103、SURFLON SC104、SURFLON SC105、SURFLON SC106(旭硝子工業(股)製)等氟系界面活性劑，有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業(股)製)。該等界面活性劑可單獨使用或組合兩種以上使用。
前述光阻下層膜形成組成物包含界面活性劑時，其含量相對於前述光阻下層膜形成組成物所含之聚合物含量，為例如0.01質量%至10質量%。
前述光阻下層膜形成組成物可藉由使上述各成分溶解於溶劑中而調製，以均勻溶液狀態使用。該溶劑可列舉為例如乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、甲基溶 纖素乙酸酯、乙基溶纖素乙酸酯、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、丙二醇、丙二醇單乙基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環戊酮、環己酮、環庚酮、4-甲基-2-戊醇、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、乙酸2-羥基乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、2-庚酮、甲氧基環戊烷、苯甲醚、γ-丁內酯、N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺及N,N-二甲基乙醯胺。該等溶劑可單獨使用或組合2種以上使用。
所調製之光阻下層膜形成組成物較好使用孔徑為例如0.2μm或0.1μm之過濾器及/或0.01μm之過濾器過濾後使用。該光阻下層膜形成組成物在室溫下之長期儲存安定性亦優異。
針對使用前述光阻下層膜形成組成物之本發明之圖型形成方法說明於下。
塗佈前述光阻下層膜形成組成物之半導體基板可列舉為例如矽晶圓、鍺晶圓、及砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、氮化銦、氮化鋁等化合物半導體晶圓。使用表面形成有無機膜之半導體基板時，其無機膜係以例如CVD法、反應性濺鍍法、離子電鍍法、真空蒸鍍法、旋轉塗佈法(Spin On Glass：SOG)形成。於該半導體基板上利用 旋轉器、塗佈器等適當之塗佈方法塗佈前述光阻下層膜形成組成物。隨後，使用加熱板等加熱手段進行烘烤而形成光阻下層膜。烘烤條件係由烘烤溫度100℃至400℃，烘烤時間0.3分鐘至10分鐘之中適當選擇。較好為烘烤溫度120℃至300℃，烘烤時間0.5分鐘至5分鐘。形成之光阻下層膜之膜厚為例如0.001μm至1μm，較好為0.002μm至0.5μm。烘烤時之溫度低於上述範圍時交聯會變得不足，有引起與上層形成之光阻交互混合之情況。另一方面，烘烤時之溫度高於上述範圍時，會有光阻下層膜因熱而分解之虞。
接著於前述光阻下層膜上形成光阻圖型。光阻圖型之形成係以一般方法，亦即可將光阻溶液塗佈於光阻下層膜上，藉由預烘烤、曝光、簡稱為PEB之曝光後烘烤(視需要)、顯像及洗滌而進行。前述光阻圖型之形成中使用之光阻溶液只要是對曝光所使用之光感光者即無特別限制，可使用正型光阻。可列舉為由具有藉酸分解而提高鹼溶解速度之基之黏結劑與光酸產生劑所成之化學增幅型光阻、由藉酸分解而提高光阻之鹼溶解速度之低分子化合物與鹼可溶性黏結劑與光酸產生劑所成之化學增幅型光阻、由具有藉酸分解而提高鹼溶解速度之基之黏藉劑與藉酸分解而提高光阻之鹼溶解速度之低分子化合物與光酸產生劑所成之化學增幅型光阻。可列舉為例如住友化學(股)製之商品名：PAR710、東京應化工業(股)製之商品名：TDUR-P3435LP、及信越化學工業(股)製之商 品名：SEPR430。亦可使用負型光阻取代正型光阻。
前述曝光係通過用於形成特定圖型之遮罩(網線)而進行，例如使用KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EUV(極紫外線)或EB(電子束)。前述顯像係使用鹼顯像液，由顯像溫度5℃至50℃，顯像時間10秒至300秒適當選擇。前述鹼顯像液可列舉為例如氫氧化鉀、氫氧化鈉等鹼金屬氫氧化物之水溶液、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼等氫氧化四級銨水溶液，乙醇胺、丙基胺、乙二胺等胺水溶液等之鹼性水溶液。進一步，亦可於該等顯像液中添加界面活性劑等。亦可替代鹼顯像液，而使用以乙酸丁酯等有機溶劑進行顯像，使光阻之鹼溶解速度未提高之部分顯像之方法。
接著，以形成之光阻圖型作為遮罩，乾式蝕刻前述光阻下層膜。此時，於所用之半導體基板之表面形成前述無機膜時，則露出該無機膜表面，於使用之半導體基板之表面未形成前述無機膜時，則露出該半導體基板表面。
進一步，以乾式蝕刻後之光阻下層膜(該光阻下層膜上殘留光阻圖型時，連同該光阻圖型)作為遮罩，藉由使用鹼性過氧化氫水溶液進行濕式蝕刻，形成期望之圖型。濕式蝕刻之藥液可列舉為混合顯示鹼性之物質例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、氰化鈉、氰化鉀、三乙醇胺等有機胺與過氧化氫，使pH成為鹼性之鹼性過氧化氫水。另外，亦可使用將可使pH成為鹼性者例如脲與過氧 化氫水混合，藉加熱引起脲熱分解而產生氨，使最終pH成為鹼性者作為濕式蝕刻之藥液。鹼性過氧化氫水溶液之使用溫度宜為25℃至90℃，更好為40℃至80℃。濕式蝕刻時間宜為0.5分鐘至30分鐘，更好為1分鐘至20分鐘。
[實施例]
以下，列舉實施例更詳細說明本發明，但本發明並不受該等實施例之限制。
列示以下述合成例所得之聚合物之重量平均分子量之測定所用之裝置等。
裝置：TOSOH(股)製之HLC-8220GPC
GPC管柱：Shodex[註冊商標]KF-803L、Shodex KF-802、Shodex KF-801
管柱溫度：40℃
流量：0.2ml/分鐘
溶離液：THF
標準試料：聚苯乙烯(TOSOH(股))
〈合成例1〉
於將以下述式(1)表示之甲基丙烯酸1-丁氧基乙酯2.31g、以下述式(2)表示之甲基丙烯酸縮水甘油酯2.07g、以下述式(3)表示之甲基丙烯酸甲酯4.01g及以下述式(4)表示之甲基丙烯酸9-蒽基甲酯1.61g添加於 丙二醇單甲基醚乙酸酯24.50g中之溶液中流入氮氣30分鐘後，升溫至80℃。邊使該溶液保持在80℃，邊於該溶液中添加2,2’-偶氮雙(異丁酸)二甲酯0.50g，在氮氣環境下，在80℃攪拌8小時後，獲得含甲基丙烯酸1-丁氧基乙酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸甲酯及甲基丙烯酸9-蒽基甲酯之共聚物之溶液。進行所得共聚物之GPC分析後，重量平均分子量(標準聚苯乙烯換算)為6500。
〈合成例2〉
於將以前述式(1)表示之甲基丙烯酸1-丁氧基乙酯2.51g、以前述式(2)表示之甲基丙烯酸縮水甘油酯3.84g、以前述式(3)表示之甲基丙烯酸甲酯2.16g及以前述式(4)表示之甲基丙烯酸9-蒽基甲酯1.49g添加於丙二醇單甲基醚乙酸酯24.50g中之溶液中流入氮氣30分鐘後，升溫至80℃。邊使該溶液保持在80℃，邊於該溶 液中添加2,2’-偶氮雙(異丁酸)二甲酯0.50g，在氮氣環境下，在80℃攪拌8小時後，獲得含甲基丙烯酸1-丁氧基乙酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸甲酯及甲基丙烯酸9-蒽基甲酯之共聚物之溶液。進行所得共聚物之GPC分析後，重量平均分子量(標準聚苯乙烯換算)為15000。
〈合成例3〉
於將以前述式(1)表示之甲基丙烯酸1-丁氧基乙酯1.19g、以前述式(2)表示之甲基丙烯酸縮水甘油酯0.91g及以下述式(5)表示之2-乙烯基萘7.90g添加於環己酮24.50g中之溶液中流入氮氣30分鐘後，升溫至80℃。邊使該溶液保持在80℃，邊於該溶液中添加2,2’-偶氮雙(異丁酸)二甲酯0.50g，在氮氣環境下，在80℃攪拌8小時後，獲得含甲基丙烯酸1-丁氧基乙酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯及2-乙烯基萘之共聚物之溶液。進行所得共聚物之GPC分析後，重量平均分子量(標準聚苯乙烯換算)為6000。
〈合成例4〉
使甲基丙烯酸縮水甘油酯34.68g及甲基丙烯酸2-羥基丙酯65.32g溶解於丙二醇單甲基醚404.00g後，邊加熱且保持在70℃邊添加偶氮雙異丁腈1.00g，反應24小時獲得甲基丙烯酸縮水甘油酯與甲基丙烯酸2-羥基丙酯之共聚物之溶液。進行所得共聚物之GPC分析後，以標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量約為50000。於含該共聚物20g之溶液100g中添加9-蒽羧酸9.88g、氯化苄基三乙基銨0.25g及丙二醇單甲基醚40.52g，加熱後在120℃反應24小時，獲得具有以下述式(6)表示之構造單位之共聚物之溶液。
〈合成例5〉
於將以前述式(1)表示之甲基丙烯酸1-丁氧基乙酯 10.00g添加於丙二醇單甲基醚乙酸酯24.50g中之溶液中流入氮氣30分鐘後，升溫至80℃。邊使該溶液保持在80℃，邊於該溶液中添加2,2’-偶氮雙(異丁酸)二甲酯0.50g，在氮氣環境下，在80℃攪拌8小時後，獲得含甲基丙烯酸1-丁氧基乙酯之聚合物之溶液。進行所得聚合物之GPC分析後，重量平均分子量(標準聚苯乙烯換算)為11300。
〈合成例6〉
於將以前述式(2)表示之甲基丙烯酸縮水甘油酯10.00g添加於丙二醇單甲基醚乙酸酯24.50g中之溶液中流入氮氣30分鐘後，升溫至80℃。邊使該溶液保持在80℃，邊於該溶液中添加2,2’-偶氮雙(異丁酸)二甲酯0.50g，在氮氣環境下，在80℃攪拌8小時後，獲得含甲基丙烯酸縮水甘油酯之聚合物之溶液。進行所得聚合物之GPC分析後，重量平均分子量(標準聚苯乙烯換算)為11900。
〈調製例1〉
於含前述合成例1所得之共聚物3.20g之溶液10.67g中添加丙二醇單甲基醚乙酸酯60.29g及乳酸乙酯29.04g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈調製例2〉
於含前述合成例2所得之共聚物3.20g之溶液10.67g中添加丙二醇單甲基醚乙酸酯60.29g及乳酸乙酯29.04g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈調製例3〉
於含前述合成例1所得之共聚物2.48g之溶液8.25g中添加0.12g之新日鐵住金化學股份有限公司製之環氧樹脂YH-434L、丙二醇單甲基醚乙酸酯62.40g及丙二醇單甲基醚29.22g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈調製例4〉
於含前述合成例1所得之共聚物2.17g之溶液7.22g中添加0.43g之新日鐵住金化學股份有限公司製之環氧樹脂YH-434L、丙二醇單甲基醚乙酸酯63.12g及丙二醇單甲基醚29.22g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈調製例5〉
於含前述合成例1所得之共聚物2.48g之溶液8.25g中添加0.12g之DAICEL股份有限公司製之環氧樹脂Epolead GT-401、丙二醇單甲基醚乙酸酯62.40g及丙二醇 單甲基醚29.22g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈調製例6〉
於含前述合成例1所得之共聚物2.17g之溶液7.22g中添加0.43g之DAICEL股份有限公司製造之環氧樹脂Epolead GT-401、丙二醇單甲基醚乙酸酯63.12g及丙二醇單甲基醚29.22g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈調製例7〉
於含前述合成例1所得之共聚物2.17g之溶液7.22g中添加0.43g之日產化學工業股份有限公司製之環氧樹脂TEPIC-VL、丙二醇單甲基醚乙酸酯63.12g及丙二醇單甲基醚29.22g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈調製例8〉
於含前述合成例3所得之共聚物2.60g之溶液8.67g中添加丙二醇單甲基醚乙酸酯68.18g及環己酮23.15g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈調製例9〉
於含前述合成例5所得之共聚物1.07g之溶液3.56g中添加含前述合成例6所得之聚合物2.13g之溶液7.11g、丙二醇單甲基醚乙酸酯60.29g及乳酸乙酯29.04g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈調製例10〉
於含前述合成例4所得之共聚物2.80g之溶液13.73g中添加四甲氧基甲基甘醇脲[POWDERLINK(註冊商標)1174，日本Scientech Industries(股)製]0.69g、吡啶鎓對甲苯磺酸0.07g、丙二醇單甲基醚56.57g及丙二醇單甲基醚乙酸酯28.95g，作成溶液。隨後，使用孔徑0.01μm之聚乙烯製微過濾器過濾，調製光阻下層膜形成組成物。
〈實施例1〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例1所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
〈實施例2〉
以旋轉塗佈，在1100rpm、60秒之條件下將調製例1所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作80nm膜厚之塗膜。
〈實施例3〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例2所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
〈實施例4〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例3所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
〈實施例5〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例4所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
〈實施例6〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例5所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
〈實施例7〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例6所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
〈實施例8〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例7所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
〈實施例9〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例8所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
〈實施例10〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例9所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在260℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
〈比較例1〉
以旋轉塗佈，在1900rpm、60秒之條件下將調製例10所調製之光阻下層膜形成組成物塗佈於矽基板上，在220℃烘烤60秒，製作60nm膜厚之塗膜。
(對光阻溶劑之溶出試驗)
將實施例1至實施例10中製作之塗膜浸漬於光阻塗佈時使用之溶劑的OK73稀釋液(東京應化工業(股) 製，丙二醇單甲基醚及丙二醇單甲基醚乙酸酯之混合物)中1分鐘，確認浸漬前後之各光阻下層膜之膜厚變化為1nm以下。該結果顯示實施例1至實施例10所製作之塗膜之上層可層合光阻。
(對光阻顯像液之溶出試驗)
將實施例1至實施例10中製作之塗膜浸漬於光阻顯像時使用之顯像液NMD-3(東京應化工業(股)製)中1分鐘，確認浸漬前後之光阻下層膜之膜厚變化為1nm以下。
(對鹼性過氧化氫水溶液之耐性試驗)
將實施例1至實施例10中製作之塗膜於下述表1所示之溫度下浸漬於同表中所示組成之鹼性過氧化氫水溶液之藥液A及藥液B中12分鐘，隨後經水洗，以目視觀察乾燥後之光阻下層膜狀態。結果示於下述表2。表2中之“○”係未見到塗膜剝離之狀態，“×”表示塗膜之一部分或全部觀察到剝離之狀態。
由上述表2之結果，顯示實施例1至實施例10中製作之塗膜對於鹼性過氧化氫水溶液具有充分之耐性。

Claims (8)

  1. 一種圖型形成方法，其係包含下列步驟：於表面可形成有無機膜之半導體基板上塗佈含有重量平均分子量1000至100000之具有環氧基之聚合物及溶劑之光阻下層膜形成組成物，並經烘烤形成光阻下層膜之第1步驟；於前述光阻下層膜上形成光阻圖型之第2步驟；以前述光阻圖型作為遮罩乾式蝕刻前述光阻下層膜，使前述無機膜或前述半導體基板之表面露出之第3步驟；以及以乾式蝕刻後之前述光阻下層膜作為遮罩，使用鹼性過氧化氫水溶液濕式蝕刻前述無機膜或前述半導體基板之第4步驟。
  2. 如請求項1之圖型形成方法，其中，前述聚合物進一步具有經保護之羧基。
  3. 如請求項1或2之圖型形成方法，其中，前述聚合物進一步具有對193nm之波長具有吸收之吸光部位或對248nm之波長具有吸收之吸光部位。
  4. 如請求項1之圖型形成方法，其中，前述光阻下層膜形成組成物進一步包含：由具有經保護之羧基之聚合物、具有對193nm之波長具有吸收之吸光部位之聚合物、及具有對248nm之波長具有吸收之吸光部位之聚合物所組成之群所選出之1種或2種以上之聚合物。
  5. 如請求項1或2之圖型形成方法，其中，前述光阻 下層膜形成組成物進一步含有：具有由環氧基、氧雜環丁基、羧基、硫醇基及苯基所組成之群所選出之1種或2種以上之基之化合物作為交聯劑。
  6. 如請求項1或2之圖型形成方法，其中，前述無機膜係由聚矽膜、氧化矽膜、氮化矽膜、硼磷矽酸鹽玻璃(BPSG)膜、氮化鈦膜、氮化氧化鈦膜、鎢膜、氮化鎵膜及砷化鎵膜所組成之群所選出之1種或2種以上所成。
  7. 如請求項1或2之圖型形成方法，其中，前述鹼性過氧化氫水溶液含有氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氰化鈉、氰化鉀、三乙醇胺或脲。
  8. 如請求項1或2之圖型形成方法，其中，前述鹼性過氧化氫水溶液係25質量%至30質量%之氨水溶液(A)、30質量%至36質量%之過氧化氫水溶液(B)及水(C)之混合物，前述過氧化氫水溶液(B)相對於前述氨水溶液(A)之體積比：(B)/(A)為0.1至20.0，及前述水(C)相對於前述氨水溶液(A)之體積比：(C)/(A)為5.0至50.0。
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