KR101952417B1 - 레지스트 하층막을 적용한 패턴형성방법 - Google Patents

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Abstract

[과제] 염기성 과산화수소 수용액에 대한 내성을 갖는 레지스트 하층막을 이용한 패턴형성방법을 제공한다.
[해결수단] 표면에 무기막이 형성될 수도 있는 반도체 기판 상에, 중량평균 분자량 1000 내지 100000의 에폭시기를 갖는 폴리머 및 용제를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포하고, 베이크하여 레지스트 하층막을 형성하는 제1 공정, 상기 레지스트 하층막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 제2 공정, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 레지스트 하층막을 드라이에칭하고, 상기 무기막 또는 상기 반도체 기판의 표면을 노출시키는 제3 공정, 그리고 드라이에칭 후의 상기 레지스트 하층막을 마스크로 하고, 염기성 과산화수소 수용액을 이용하여 상기 무기막 또는 상기 반도체 기판을 웨트에칭하는 제4 공정을 포함하는 패턴형성방법.

Description

레지스트 하층막을 적용한 패턴형성방법{PATTERN FORMING METHOD USING RESIST UNDERLAYER FILM}
본 발명은, 리소그래피 프로세스에 있어서, 염기성 과산화수소 수용액에 대한 내성이 우수한 레지스트 하층막을 적용하여 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
기판과 그 위에 형성되는 레지스트막과의 사이에 레지스트 하층막을 마련하고, 원하는 형상의 레지스트 패턴을 형성하는, 리소그래피 프로세스가 알려져 있다. 그러나, 종래의 레지스트 하층막, 예를 들어 특허문헌 1에 기재되어 있는, 아미노플라스트계 가교제를 포함하는 조성물로 형성된 레지스트 하층막은, 염기성 과산화수소 수용액에 대한 내성이 뒤떨어진다. 이때문에, 이러한 레지스트 하층막을, 염기성 과산화수소 수용액을 이용한 에칭프로세스에 있어서의 마스크로서 사용할 수 없었다.
또한 특허문헌 2에는, 보호된 카르복실기를 갖는 화합물, 카르복실기와 반응가능한 기를 갖는 화합물, 및 용제를 포함하는 리소그래피용 하층막 형성 조성물, 또는 카르복실기와 반응가능한 기와 보호된 카르복실기를 갖는 화합물, 및 용제를 포함하는 리소그래피용 하층막 형성 조성물이 기재되어 있고, 해당 조성물은 아미노플라스트계 가교제를 필수성분으로서 포함하지 않는다. 그러나 특허문헌 2에는, 해당 조성물로 형성된 레지스트 하층막의 염기성 과산화수소 수용액에 대한 내성에 대하여, 아무런 기재도 시사도 없다.
일본특허 제4145972호 공보 국제공개 제2005/013601호
본 발명은, 염기성 과산화수소 수용액에 대한 내성을 갖는 레지스트 하층막을 이용한 패턴형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 태양은, 표면에 무기막이 형성될 수도 있는 반도체 기판 상에, 중량평균 분자량 1000 내지 100000의 에폭시기를 갖는 폴리머 및 용제를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포하고, 베이크하여 레지스트 하층막을 형성하는 제1 공정, 상기 레지스트 하층막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 제2 공정, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 레지스트 하층막을 드라이에칭하고, 상기 무기막 또는 상기 반도체 기판의 표면을 노출시키는 제3 공정, 그리고 드라이에칭 후의 상기 레지스트 하층막을 마스크로 하고, 염기성 과산화수소 수용액을 이용하여 상기 무기막 또는 상기 반도체 기판을 웨트에칭하는 제4 공정을 포함하는 패턴형성방법이다.
상기 폴리머는, 코폴리머(공중합체), 호모폴리머(단독중합체) 중 어느 하나일 수도 있다.
상기 폴리머는, 보호된 카르복실기, 및/또는 193nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위 혹은 248nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위를 추가로 가질 수 있다.
보호된 카르복실기로서, 예를 들어, 카르복실기를 에스테르화한 것을 들 수 있다. 특히, 비닐 에테르기를 갖는 화합물을 이용하여 에스테르화한 카르복실기는, 가열에 의해 비닐 에테르기를 탈리시키고, 카르본산을 발생시킬 수 있기 때문에, 간편하며, 많은 경우에 이용되고 있다. 비닐 에테르기 이외에 에스테르화한 카르복실기에 대해서도, 적절한 조건을 선택함으로써 카르본산을 발생시킬 수 있기 때문에, 비닐 에테르기로만 한정되는 일은 없다.
193nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위로서, 예를 들어, 벤젠환, 나프탈렌환, 트리아진환을 들 수 있고, 248nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위로서, 예를 들어, 나프탈렌환, 안트라센환, 피렌환, 트리아진환을 들 수 있다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물은, 추가로, 보호된 카르복실기를 갖는 폴리머, 193nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위를 갖는 폴리머, 및 248nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위를 갖는 폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 폴리머를 포함할 수 있다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물은, 추가로, 에폭시기, 옥세타닐기, 카르복실기, 티올기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기를 갖는 화합물을 가교제로서 포함할 수 있다.
상기 무기막은, 예를 들어, 폴리실리콘막, 산화규소막, 질화규소막, BPSG(Boro-Phospho Silicate Glass)막, 질화티탄막, 질화산화티탄막, 텅스텐막, 질화갈륨막 및 비화갈륨막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어진다.
상기 염기성 과산화수소 수용액은, 예를 들어, 암모니아, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 시안화 나트륨, 시안화 칼륨, 트리에탄올아민 또는 요소를 포함한다. 상기 염기성 과산화수소 수용액이 암모니아를 포함하는 경우, 해당 염기성 과산화수소 수용액은, 예를 들어, 25질량% 내지 30질량%의 암모니아 수용액(A), 30질량% 내지 36질량%의 과산화수소 수용액(B) 및 물(C)의 혼합물이며, 상기 암모니아 수용액(A)에 대한 상기 과산화수소 수용액(B)의 체적비:(B)/(A)는 0.1 내지 20.0이며, 및 상기 암모니아 수용액(A)에 대한 상기 물(C)의 체적비:(C)/(A)는 5.0 내지 50.0이다.
본 발명의 패턴형성방법의 제1 공정에서 형성되는 레지스트 하층막은, 염기성 과산화수소 수용액에 대한 내성을 갖기 때문에, 염기성 과산화수소 수용액을 이용한 에칭프로세스에서 마스크로서 사용할 수 있다. 나아가, 그 레지스트 하층막 상의 레지스트 패턴은, 염기성 과산화수소 수용액에 노출되어도 반도체 기판으로부터 쉽게 박리되지 않는다.
본 발명의 패턴형성방법에 있어서 사용되는 레지스트 하층막 형성 조성물에 대하여, 이하 설명한다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물에 포함되는 폴리머의 중량평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)에 의해, 표준 시료로서 폴리스티렌을 이용하여 얻어지는 값이다. 이 값이 1000보다 작으면, 형성되는 레지스트 하층막의 레지스트 용제에 대한 내성이 불충분해지는 경우가 있다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물이 임의성분으로서 함유하는, 에폭시기, 옥세타닐기, 카르복실기, 티올기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기를 갖는 화합물인 가교제로는, 예를 들어, 적어도 2개의 에폭시기를 갖는 화합물로서, 트리스(2,3-에폭시프로필)이소시아누레이트, 1,4-부탄디올디글리시딜 에테르, 1,2-에폭시-4-(에폭시에틸)시클로헥산, 글리세롤 트리글리시딜 에테르, 디에틸렌 글리콜디글리시딜 에테르, 2,6-디글리시딜페닐글리시딜 에테르, 1,1,3-트리스[p-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]프로판, 1,2-시클로헥산디카르본산 디글리시딜 에스테르, 4,4'-메틸렌비스(N,N-디글리시딜 아닐린), 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산 카르복실레이트, 트리메틸올에탄 트리글리시딜 에테르, 비스페놀-A-디글리시딜 에테르, Daicel Corporation제의 EPOLEAD〔등록상표〕 GT-401, EPOLEAD GT-403, EPOLEAD GT-301, EPOLEAD GT-302, CELLOXIDE〔등록상표〕 2021, CELLOXIDE 3000, Mitsubishi Chemical Corporation제의 152, 154, 157S70, 168V70, 604, 630, 806, 807, 825, 827, 828, 834X90, 871, 872, 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010, 1031S, 1032H60, 1256, 4004P, 4005P, 4007P, 4010P, 4250, 4275, 5046B80, YL980, YL983U, YL6810, YL6121L, YX4000, YX4000H, YX7399, YX7700, YX8000, YX8034, YX8800, Nippon Kayaku Co.,Ltd.제의 EPPN201, EPPN202, EOCN-102, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1020, EOCN-1025, EOCN-1027, Nagase ChemteX Corporation제의 Denacol〔등록상표〕 EX-252, Denacol EX-313, Denacol EX-314, Denacol EX-321, Denacol EX-411, Denacol EX-421, Denacol EX-512, Denacol EX-522, Denacol EX-611, Denacol EX-612, Denacol EX-614, Denacol EX-622, BASF Japan Ltd.제의 CY175, CY177, CY179, CY182, CY184, CY192, DIC corporation제의 EPICLON 200, EPICLON 400, EPICLON 7015, EPICLON 830, EPICLON 830-S, EPICLON EXA-830CRP, EPICLON EXA-830LVP, EPICLON 835, EPICLON EXA-835LV, EPICLON 840, EPICLON 840-S, EPICLON 850, EPICLON 850-S, EPICLON EXA-850CRP, EPICLON 1050, EPICLON 1055, EPICLON 2050, EPICLON 3050, EPICLON EXA-4816, EPICLON EXA-4822, EPICLON EXA-4850, EPICLON HP-4032, EPICLON HP-4032D, EPICLON HP-4700, EPICLON HP-4710, EPICLON HP-4770, EPICLON HP-5000, EPICLON HP-7200, EPICLON HP-7200L, EPICLON HP-7200H, EPICLON HP-7200HH, Nippon Steel&Sumikin Chemical Co., Ltd.제 EPOTOHTO〔등록상표〕 YD-127, EPOTOHTO YD-128, EPOTOHTO YDF-170, EPOTOHTO YD-8125, EPOTOHTO YDF-8170C, EPOTOHTO ZX-1059, EPOTOHTO YD-825GS, EPOTOHTO YD-825GSH, EPOTOHTO YDF-870GS, EPOTOHTO YDPN-138, EPOTOHTO YDCN-700, EPOTOHTO YDC-1312, EPOTOHTO YSLV-80XY, EPOTOHTO YSLV-120TE, EPOTOHTO ST-3000, EPOTOHTO ST-4000D, EPOTOHTO YD-171, EPOTOHTO YH-434, EPOTOHTO YH-434L, EPOTOHTO FX-289BEK75, EPOTOHTO FX-305EK70, EPOTOHTO ERF-001M30, Nissan Chemical Industries, Limited제 TEPIC[등록상표]-G, TEPIC-S, TEPIC-SP, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC-VL을 들 수 있다.
게다가, 상기 적어도 2개의 에폭시기를 갖는 화합물로는, 또한, 에폭시기를 갖는 폴리머를 사용할 수도 있다. 상기 폴리머로는, 에폭시기를 갖는 폴리머이면, 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 폴리머는, 에폭시기를 갖는 부가중합성 모노머를 이용한 부가중합에 의해 제조할 수 있고, 또는 하이드록시기 혹은 하이드록시 페닐기를 갖는 고분자 화합물과, 에피클로르하이드린, 글리시딜토실레이트 등의 에폭시기를 갖는 화합물과의 반응에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 폴리글리시딜아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트 및 에틸 메타크릴레이트의 공중합체, 글리시딜 메타크릴레이트와 스티렌과 2-하이드록시 에틸 메타크릴레이트의 공중합체 등의 부가중합 폴리머, 에폭시노볼락 등의 축중합 폴리머를 들 수 있다. 상기 폴리머의 중량평균 분자량으로는, 예를 들어, 폴리스티렌 환산으로 300 내지 200000이다.
또한, 예를 들어, 적어도 2개의 옥세타닐기를 갖는 화합물로서, Toagosei Company, Limited제의 ARONOXETANE〔등록상표〕 OXT-121, ARONOXETANE OXT-221을 들 수 있다.
또한, 예를 들어, 적어도 2개의 티올기를 갖는 화합물로서, Toray Fine Chemicals Co., Ltd.제 THIOKOL LP〔등록상표〕, LP-282, Showa Denko K.K.제의 Karenz MT〔등록상표〕 PE1, Karenz BD1, Karenz NR1, Karenz〔등록상표〕 TPMB, Karenz TEMB를 들 수 있다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물이 가교제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 상기 레지스트 하층막 형성 조성물에 포함되는 폴리머의 함유량에 대하여, 예를 들어 2질량부 내지 60질량부이다. 가교제로서 에폭시기를 갖는 화합물을 이용하면, 형성되는 레지스트 하층막이 반도체 기판으로부터 쉽게 박리되지 않게 된다. 상기 가교제의 함유량이 과소인 경우 및 과잉인 경우에는, 형성되는 막의 레지스트 용제에 대한 내성이 쉽게 얻어지지 않는 경우가 있다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물은, 가교반응을 촉진시키기 위하여, 상기 가교제와 함께, 가교촉매를 함유할 수 있다. 상기 가교촉매로는, 산성 화합물, 염기성 화합물에 더하여, 열에 의해 산 또는 염기가 발생하는 화합물을 이용할 수 있다. 산성 화합물로는, 설폰산 화합물 또는 카르본산 화합물을 이용할 수 있고, 열에 의해 산이 발생하는 화합물로는, 열 산발생제를 이용할 수 있다. 설폰산 화합물 또는 카르본산 화합물로서, 예를 들어, p-톨루엔설폰산, 트리플루오로메탄설폰산, 피리디늄-p-톨루엔설포네이트, 살리실산, 캠퍼설폰산, 5-설포살리실산, 4-클로로벤젠설폰산, 4-하이드록시 벤젠설폰산, 피리디늄-4-하이드록시 벤젠설폰산, 벤젠디설폰산, 1-나프탈렌설폰산, 4-니트로벤젠설폰산, 구연산, 안식향산, 하이드록시 안식향산을 들 수 있다. 열 산발생제로서, 예를 들어, K-PURE〔등록상표〕 CXC-1612, K-PURE CXC-1614, K-PURE TAG-2172, K-PURE TAG-2179, K-PURE TAG-2678, K-PURE TAG2689(이상, King Industries사제), 및 SI-45, SI-60, SI-80, SI-100, SI-110, SI-150(이상, Sanshin Chemical Industry Co.,Ltd제)을 들 수 있다. 이들 가교촉매는, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
또한, 염기성 화합물로는, 아민 화합물 또는 수산화 암모늄 화합물을 이용할 수 있고, 열에 의해 염기가 발생하는 화합물로는, 요소를 이용할 수 있다. 아민 화합물로서, 예를 들어, 트리에탄올아민, 트리부탄올아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리노말프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리노말부틸아민, 트리-tert-부틸아민, 트리노말옥틸아민, 트리이소프로판올아민, 페닐디에탄올아민, 스테아릴디에탄올아민, 및 디아자비시클로옥탄 등의 제3급 아민, 피리딘 및 4-디메틸아미노피리딘 등의 방향족 아민을 들 수 있다. 또한, 벤질아민 및 노말부틸아민 등의 제1급 아민, 디에틸아민 및 디노말부틸아민 등의 제2급 아민도 아민 화합물로서 들 수 있다. 이들 아민 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 수산화 암모늄 화합물로는, 예를 들어, 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 수산화 테트라프로필암모늄, 수산화 테트라부틸암모늄, 수산화 벤질트리메틸암모늄, 수산화 벤질트리에틸암모늄, 수산화 세틸트리메틸암모늄, 수산화 페닐트리메틸암모늄, 수산화 페닐트리에틸암모늄을 들 수 있다. 또한, 열에 의해 염기가 발생하는 화합물로는, 예를 들어, 아미드기, 우레탄기 또는 아지리딘기와 같은 열 불안정성기를 갖고, 가열함으로써 아민을 생성하는 화합물을 사용할 수 있다. 그 외, 요소, 벤질트리메틸암모늄 클로라이드, 벤질트리에틸암모늄 클로라이드, 벤질디메틸페닐암모늄 클로라이드, 벤질도데실디메틸암모늄 클로라이드, 벤질트리부틸암모늄 클로라이드, 콜린클로라이드도 열에 의해 염기가 발생하는 화합물로서 들 수 있다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물이 가교촉매를 포함하는 경우, 그 함유량은, 상기 가교제의 함유량에 대하여, 예를 들어 0.2질량% 내지 20질량%이다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물은, 임의성분으로서, 반도체 기판에 대한 도포성을 향상시키기 위하여 계면활성제를 함유할 수 있다. 상기 계면활성제로는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌 라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌 노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌 알킬아릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌 블록코폴리머류, 솔비탄 모노라우레이트, 솔비탄 모노팔미테이트, 솔비탄 모노스테아레이트, 솔비탄 모노올레이트, 솔비탄 트리올레이트, 솔비탄 트리스테아레이트 등의 솔비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 솔비탄 모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌 솔비탄 모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌 솔비탄 모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌 솔비탄 트리올레이트, 폴리옥시에틸렌 솔비탄 트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌 솔비탄 지방산 에스테르류 등의 비이온계 계면활성제, EFTOP〔등록상표〕 EF301, EFTOP EF303, EFTOP EF352(Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.제), MEGAFAC〔등록상표〕 F171, MEGAFAC F173, MEGAFAC R-30, MEGAFAC R-30N, MEGAFAC R-40, MEGAFAC R-40-LM(DIC corporation제), FLUORAD FC430, FLUORAD FC431(Sumitomo 3M Limited제), Asahi Guard〔등록상표〕 AG710, SURFLON〔등록상표〕 S-382, SURFLON SC101, SURFLON SC102, SURFLON SC103, SURFLON SC104, SURFLON SC105, SURFLON SC106(Asahi Glass Co., Ltd.제) 등의 불소계 계면활성제, 오가노실록산폴리머 KP341(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제)을 들 수 있다. 이들 계면활성제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물이 계면활성제를 포함하는 경우, 그 함유량은, 상기 레지스트 하층막 형성 조성물에 포함되는 폴리머의 함유량에 대하여, 예를 들어, 0.01질량% 내지 10질량%이다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물은, 상기 각 성분을, 용제에 용해시킴으로써 조제할 수 있고, 균일한 용액상태로 이용된다. 이러한 용제로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜모노에틸에테르, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜모노에틸에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜프로필에테르 아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 시클로펜탄온, 4-메틸-2-펜탄올, 2-하이드록시 이소부티르산메틸, 2-하이드록시 이소부티르산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 아세트산 2-하이드록시 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 유산 에틸, 유산 부틸, 2-헵탄온, 메톡시시클로펜탄, 아니솔, γ-부티로락톤, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, 및 N,N-디메틸아세트아미드를 들 수 있다. 이들 용제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
조제한 레지스트 하층막 형성 조성물은, 구경이 예를 들어 0.2μm 또는 0.1μm의 필터 및/또는 0.01μm의 필터를 이용하여 여과한 후, 사용하는 것이 바람직하다. 이 레지스트 하층막 형성 조성물은, 실온에서 장기간의 저장 안정성도 우수하다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물을 이용한 본 발명의 패턴형성방법에 대하여, 이하 설명한다.
상기 레지스트 하층막 형성 조성물이 도포되는 반도체 기판으로는, 예를 들어, 실리콘웨이퍼, 게르마늄웨이퍼, 및 비화갈륨, 인화인듐, 질화갈륨, 질화인듐, 질화암모늄 등의 화합물 반도체웨이퍼를 들 수 있다. 표면에 무기막이 형성된 반도체 기판을 이용하는 경우, 그 무기막은, 예를 들어, CVD법, 반응성 스퍼터법, 이온플레이팅법, 진공증착법, 스핀코팅법(스핀온글라스: SOG)에 의해 형성된다. 이러한 반도체 기판 상에, 스피너, 코터 등의 적당한 도포방법에 의해 상기 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포한다. 그 후, 핫 플레이트 등의 가열수단을 이용하여 베이크함으로써 레지스트 하층막을 형성한다. 베이크조건으로는, 베이크온도 100℃ 내지 400℃, 베이크시간 0.3분 내지 10분간 중에서 적당히, 선택된다. 바람직하게는, 베이크온도 120℃ 내지 300℃, 베이크시간 0.5분 내지 5분간이다. 형성되는 레지스트 하층막의 막두께로는, 예를 들어 0.001μm 내지 1μm, 바람직하게는 0.002μm 내지 0.5μm이다. 베이크시의 온도가, 상기 범위보다 낮은 경우에는 가교가 불충분해지고, 상층에 형성되는 레지스트와 인터믹싱을 일으키는 경우가 있다. 한편, 베이크시의 온도가 상기 범위보다 높은 경우는, 레지스트 하층막이 열에 의해 분해되는 경우가 있다.
이어서 상기 레지스트 하층막 상에, 레지스트 패턴을 형성한다. 레지스트 패턴의 형성은 일반적인 방법, 즉, 포토레지스트용액을 레지스트 하층막 상에 도포하고, 프리베이크, 노광, PEB라 약칭되는 노광후 베이크(필요한 경우), 현상, 및 린스에 의해 행할 수 있다. 상기 레지스트 패턴의 형성에 사용하는 포토레지스트 용액으로는, 노광에 사용되는 광으로 감광하는 것이면 특별히 한정은 없고, 포지티브형 포토레지스트를 사용할 수 있다. 산에 의해 분해되어 알칼리 용해속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 광 산발생제로 이루어진 화학 증폭형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리 용해속도를 상승시키는 저분자 화합물과 알칼리가용성 바인더와 광 산발생제로 이루어진 화학 증폭형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 알칼리 용해속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리 용해속도를 상승시키는 저분자 화합물과 광 산발생제로 이루어진 화학 증폭형 포토레지스트를 들 수 있다. 예를 들어, Sumitomo Chemical Company, Limited제, 상품명: PAR710, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.제, 상품명: TDUR-P3435LP, 및 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제, 상품명: SEPR430을 들 수 있다. 포지티브형 포토레지스트를 대신하여, 네가티브형 포토레지스트를 사용할 수도 있다.
상기 노광은, 소정의 패턴을 형성하기 위한 마스크(레티클)를 통과하여 행해지며, 예를 들어, KrF 엑시머레이저, ArF 엑시머레이저, EUV(극단자외선) 또는 EB(전자선)가 사용된다. 상기 현상에는 알칼리현상액이 이용되고, 현상온도 5℃ 내지 50℃, 현상시간 10초 내지 300초에서 적당히 선택된다. 상기 알칼리현상액으로는, 예를 들어, 수산화 칼륨, 수산화 나트륨 등의 알칼리금속 수산화물의 수용액, 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸암모늄, 콜린 등의 수산화 4급 암모늄의 수용액, 에탄올아민, 프로필아민, 에틸렌 디아민 등의 아민 수용액 등의 알칼리성 수용액을 들 수 있다. 또한, 이들 현상액에 계면활성제 등을 첨가할 수도 있다. 알칼리현상액 대신에, 아세트산부틸 등의 유기용매로 현상을 행하고, 포토레지스트의 알칼리 용해속도가 향상되지 않은 부분을 현상하는 방법을 이용할 수도 있다.
이어서, 형성한 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 레지스트 하층막을 드라이에칭한다. 이때, 이용한 반도체 기판의 표면에 상기 무기막이 형성되어 있는 경우, 그 무기막의 표면을 노출시키고, 이용한 반도체 기판의 표면에 상기 무기막이 형성되지 않은 경우, 그 반도체 기판의 표면을 노출시킨다.
나아가, 드라이에칭 후의 레지스트 하층막(그 레지스트 하층막 상에 레지스트 패턴이 잔존해 있는 경우, 그 레지스트 패턴도)을 마스크로 하고, 염기성 과산화수소 수용액을 이용하여 웨트에칭함으로써, 원하는 패턴이 형성된다. 웨트에칭의 약액으로는, 염기성을 나타내는 물질, 예를 들어, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 암모니아, 시안화 나트륨, 시안화 칼륨, 트리에탄올아민 등의 유기아민과 과산화수소수를 혼합하여, pH를 염기성으로 한, 염기성 과산화수소수를 들 수 있다. 그 외, pH를 염기성으로 할 수 있는 것, 예를 들어, 요소와 과산화수소수를 혼합하고, 가열에 의해 요소의 열분해를 일으킴으로써 암모니아를 발생시키고, 최종적으로 pH를 염기성으로 한 것도, 웨트에칭의 약액으로서 사용할 수 있다. 염기성 과산화수소 수용액의 사용온도는 25℃ 내지 90℃인 것이 바람직하고, 40℃ 내지 80℃인 것이 더욱 바람직하다. 웨트에칭시간으로는, 0.5분 내지 30분인 것이 바람직하고, 1분 내지 20분인 것이 더욱 바람직하다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하나, 본 발명은, 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
하기 합성예에서 얻어진 폴리머의 중량평균 분자량의 측정에 이용한 장치 등을 나타낸다.
장치: Tosoh Corporation제 HLC-8220GPC
GPC칼럼: Shodex〔등록상표〕 KF-803L, Shodex KF-802, Shodex KF-801
칼럼온도: 40℃
유량: 0.2mL/분
용리액: THF
표준 시료: 폴리스티렌(Tosoh Corporation)
<합성예 1>
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 24.50g에, 하기 식(1)로 표시되는 1-부톡시에틸 메타크릴레이트 2.31g, 하기 식(2)로 표시되는 글리시딜 메타크릴레이트 2.07g, 하기 식(3)로 표시되는 메틸 메타크릴레이트 4.01g 및 하기 식(4)로 표시되는 9-안트릴메틸 메타크릴레이트 1.61g을 첨가한 용액 중에 질소를 30분 흘린 후, 80℃로 승온하였다. 그 용액을 80℃로 유지하면서, 해당 용액에 2,2'-아조비스(이소부티르산)디메틸 0.50g을 첨가하고, 질소 분위기하, 80℃에서 8시간 교반 후, 1-부톡시에틸 메타크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 및 9-안트릴메틸 메타크릴레이트의 공중합체를 포함하는 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체의 GPC분석을 행한 결과, 중량평균 분자량(표준 폴리스티렌 환산)은 6500이었다.
[화학식 1]
Figure 112016018740326-pct00001

<합성예 2>
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 24.50g에, 상기 식(1)로 표시되는 1-부톡시에틸 메타크릴레이트 2.51g, 상기 식(2)로 표시되는 글리시딜 메타크릴레이트 3.84g, 상기 식(3)로 표시되는 메틸 메타크릴레이트 2.16g 및 상기 식(4)로 표시되는 9-안트릴메틸 메타크릴레이트 1.49g을 첨가한 용액 중에 질소를 30분 흘린 후, 80℃로 승온하였다. 그 용액을 80℃로 유지하면서, 해당 용액에 2,2'-아조비스(이소부티르산)디메틸 0.50g을 첨가하고, 질소 분위기하, 80℃에서 8시간 교반 후, 1-부톡시에틸 메타크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 및 9-안트릴메틸 메타크릴레이트의 공중합체를 포함하는 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체의 GPC분석을 행한 결과, 중량평균 분자량(표준 폴리스티렌 환산)은 15000이었다.
<합성예 3>
시클로헥산온 24.50g에, 상기 식(1)로 표시되는 1-부톡시에틸 메타크릴레이트 1.19g, 상기 식(2)로 표시되는 글리시딜 메타크릴레이트 0.91g 및 하기 식(5)로 표시되는 2-비닐나프탈렌 7.90g을 첨가한 용액 중에 질소를 30분 흘린 후, 80℃로 승온하였다. 그 용액을 80℃로 유지하면서, 해당 용액에 2,2'-아조비스(이소부티르산)디메틸 0.50g을 첨가하고, 질소 분위기하, 80℃에서 8시간 교반 후, 1-부톡시에틸 메타크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트 및 2-비닐나프탈렌의 공중합체를 포함하는 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체의 GPC분석을 행한 결과, 중량평균 분자량(표준 폴리스티렌 환산)은 6000이었다.
[화학식 2]
Figure 112016018740326-pct00002

<합성예 4>
글리시딜 메타크릴레이트 34.68g 및 2-하이드록시 프로필메타크릴레이트 65.32g을 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 404.00g에 용해시킨 후, 가열하여 70℃로 유지하면서 아조비스이소부티로니트릴 1.00g을 첨가하고, 24시간 반응시켜 글리시딜 메타크릴레이트와 2-하이드록시 프로필메타크릴레이트의 공중합체의 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체의 GPC분석을 행한 결과, 표준 폴리스티렌 환산으로 중량평균 분자량은 약 50000이었다. 이 공중합체 20g을 포함하는 용액 100g에, 9-안트라센카르본산 9.88g, 벤질트리에틸암모늄 클로라이드 0.25g 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 40.52g을 첨가하고, 가열 후 120℃에서 24시간 반응시켜, 하기 식(6)으로 표시되는 구조단위를 갖는 공중합체의 용액을 얻었다.
[화학식 3]
Figure 112016018740326-pct00003

<합성예 5>
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 24.50g에, 상기 식(1)로 표시되는 1-부톡시에틸 메타크릴레이트 10.00g을 첨가한 용액 중에 질소를 30분 흘린 후, 80℃로 승온하였다. 그 용액을 80℃로 유지하면서, 해당 용액에 2,2'-아조비스(이소부티르산)디메틸 0.50g을 첨가하고, 질소 분위기하, 80℃에서 8시간 교반 후, 1-부톡시에틸 메타크릴레이트의 중합체를 포함하는 용액을 얻었다. 얻어진 중합체의 GPC분석을 행한 결과, 중량평균 분자량(표준 폴리스티렌 환산)은 11300이었다.
<합성예 6>
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 24.50g에, 상기 식(2)로 표시되는 글리시딜 메타크릴레이트 10.00g을 첨가한 용액 중에 질소를 30분 흘린 후, 80℃로 승온하였다. 그 용액을 80℃로 유지하면서, 해당 용액에 2,2'-아조비스(이소부티르산)디메틸 0.50g을 첨가하고, 질소 분위기하, 80℃에서 8시간 교반 후, 글리시딜 메타크릴레이트의 중합체를 포함하는 용액을 얻었다. 얻어진 중합체의 GPC분석을 행한 결과, 중량평균 분자량(표준 폴리스티렌 환산)은 11900이었다.
<조제예 1>
상기 합성예 1에서 얻은 공중합체 3.20g을 포함하는 용액 10.67g에, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 60.29g 및 유산에틸 29.04g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<조제예 2>
상기 합성예 2에서 얻은 공중합체 3.20g을 포함하는 용액 10.67g에, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 60.29g 및 유산에틸 29.04g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<조제예 3>
상기 합성예 1에서 얻은 공중합체 2.48g을 포함하는 용액 8.25g에, Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.제의 에폭시수지 YH-434L을 0.12g, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 62.40g 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 29.22g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<조제예 4>
상기 합성예 1에서 얻은 공중합체 2.17g을 포함하는 용액 7.22g에, Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.제의 에폭시수지 YH-434L을 0.43g, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 63.12g 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 29.22g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<조제예 5>
상기 합성예 1에서 얻은 공중합체 2.48g을 포함하는 용액 8.25g에, Daicel Corporation제의 에폭시수지 EPOLEADGT-401을 0.12g, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 62.40g 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 29.22g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<조제예 6>
상기 합성예 1에서 얻은 공중합체 2.17g을 포함하는 용액 7.22g에, Daicel Corporation제의 에폭시수지 EPOLEADGT-401을 0.43g, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 63.12g 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 29.22g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<조제예 7>
상기 합성예 1에서 얻은 공중합체 2.17g을 포함하는 용액 7.22g에, Nissan Chemical Industries, Limited제의 에폭시수지 TEPIC-VL을 0.43g, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 63.12g 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 29.22g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<조제예 8>
상기 합성예 3에서 얻은 공중합체 2.60g을 포함하는 용액 8.67g에, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 68.18g 및 시클로헥산온 23.15g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<조제예 9>
상기 합성예 5에서 얻은 중합체 1.07g을 포함하는 용액 3.56g에, 상기 합성예 6에서 얻은 중합체 2.13g을 포함하는 용액 7.11g, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 60.29g 및 유산에틸 29.04g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<조제예 10>
상기 합성예 4에서 얻은 공중합체 2.80g을 포함하는 용액 13.73g에, 테트라메톡시메틸글리콜우릴[POWDERLINK(등록상표) 1174, Nihon Cytec Industries Inc.제] 0.69g, 피리디늄파라톨루엔설폰산 0.07g, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 56.57g 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 28.95g을 첨가하여, 용액으로 하였다. 그 후, 구경 0.01μm의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 이용하여 여과함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물을 조제하였다.
<실시예 1>
실리콘기판 상에 조제예 1에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<실시예 2>
실리콘기판 상에 조제예 1에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1100rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 80nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<실시예 3>
실리콘기판 상에 조제예 2에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<실시예 4>
실리콘기판 상에 조제예 3에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<실시예 5>
실리콘기판 상에 조제예 4에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<실시예 6>
실리콘기판 상에 조제예 5에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<실시예 7>
실리콘기판 상에 조제예 6에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<실시예 8>
실리콘기판 상에 조제예 7에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<실시예 9>
실리콘기판 상에 조제예 8에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<실시예 10>
실리콘기판 상에 조제예 9에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 260℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
<비교예 1>
실리콘기판 상에 조제예 10에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물을 스핀코트로 1900rpm, 60초의 조건으로 도포하고, 220℃에서 60초 베이크함으로써, 60nm의 막두께의 도막을 제작하였다.
(포토레지스트 용제에 대한 용출시험)
실시예 1 내지 실시예 10에서 제작된 도막을, 포토레지스트 도포시에 사용하는 용제인 OK73 시너(Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.제, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 혼합물)에 1분간 침지하고, 침지의 전후에서의 각 레지스트 하층막의 막두께의 변화가 1nm 이하인 것을 확인하였다. 이 결과는, 실시예 1 내지 실시예 10에서 제작된 도막의 상층에 레지스트를 적층하는 것이 가능한 것을 나타내고 있다.
(레지스트 현상액에 대한 용출시험)
실시예 1 내지 실시예 10에서 제작된 도막을, 포토레지스트 현상시에 사용되는 현상액인 NMD-3(Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.제)에 1분간 침지하고, 침지의 전후에서의 레지스트 하층막의 막두께의 변화가 1nm 이하인 것을 확인하였다.
(염기성 과산화수소 수용액애 대한 내성시험)
실시예 1 내지 실시예 10에서 제작된 도막을, 하기 표 1에 나타낸 조성의 염기성 과산화수소 수용액인 약액 A 및 약액 B에, 이 표에 나타낸 온도로 12분간 침지하고, 그 후 수세, 건조 후의 레지스트 하층막의 상태를 육안으로 관찰하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다. 표 2 중의 “○”는 도막에 박리가 보이지 않는 상태를, “×”는 도막의 일부 또는 전부에서 박리가 관찰된 상태를 나타내고 있다.
[표 1]
Figure 112016018740326-pct00004

[표 2]
Figure 112016018740326-pct00005

상기 표 2의 결과로부터, 실시예 1 내지 실시예 10에서 제작된 도막은, 염기성 과산화수소 수용액에 대하여 충분한 내성을 갖는 것으로 나타났다.

Claims (8)

  1. 표면에 무기막이 형성될 수도 있는 반도체 기판 상에, 중량평균 분자량 1000 내지 100000의 에폭시기를 갖는 폴리머 및 용제를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포하고, 베이크하여 레지스트 하층막을 형성하는 제1 공정,
    상기 레지스트 하층막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 제2 공정,
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 레지스트 하층막을 드라이에칭하고, 상기 무기막 또는 상기 반도체 기판의 표면을 노출시키는 제3 공정, 그리고
    드라이에칭 후의 상기 레지스트 하층막을 마스크로 하고, 염기성 과산화수소 수용액을 이용하여 상기 무기막 또는 상기 반도체 기판을 웨트에칭하는 제4 공정,
    을 포함하는 패턴형성방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 폴리머는 보호된 카르복실기를 추가로 갖는, 패턴형성방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 폴리머는, 193nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위 또는 248nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위를 추가로 갖는, 패턴형성방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트 하층막 형성 조성물은, 추가로, 보호된 카르복실기를 갖는 폴리머, 193nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위를 갖는 폴리머, 및 248nm의 파장에 흡수를 갖는 흡광부위를 갖는 폴리머로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 폴리머를 포함하는, 패턴형성방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트 하층막 형성 조성물은, 추가로, 에폭시기, 옥세타닐기, 카르복실기, 티올기 및 페닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 기를 갖는 화합물을 가교제로서 포함하는, 패턴형성방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 무기막은, 폴리실리콘막, 산화규소막, 질화규소막, BPSG막, 질화티탄막, 질화산화티탄막, 텅스텐막, 질화갈륨막 및 비화갈륨막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상으로 이루어진, 패턴형성방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 염기성 과산화수소 수용액은 암모니아, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 시안화 나트륨, 시안화 칼륨, 트리에탄올아민 또는 요소를 포함하는, 패턴형성방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 염기성 과산화수소 수용액은, 25질량% 내지 30질량%의 암모니아 수용액(A), 30질량% 내지 36질량%의 과산화수소 수용액(B) 및 물(C)의 혼합물이며, 상기 암모니아 수용액(A)에 대한 상기 과산화수소 수용액(B)의 체적비:(B)/(A)는 0.1 내지 20.0이며, 및 상기 암모니아 수용액(A)에 대한 상기 물(C)의 체적비:(C)/(A)는 5.0 내지 50.0인, 패턴형성방법.
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