TWI641916B - 曝光裝置及其固定方法 - Google Patents
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Abstract
提供可實現高曝光精度的曝光裝置。
曝光裝置係具備光學元件被排列成二維狀的排列元件、保持前述排列元件的保持座、將透過前述排列元件的光線,成像於前述感光材料上的投影光學系、相對於前述投影光學系的位置被固定,固定前述保持座的被固定部、將前述保持座固定於前述被固定部的固定具、及用以利用吸附於前述被固定部來保持前述保持座,且設置於該保持座與該被固定部的至少一方的凹部。
Description
本發明係關於例如光微影所用的曝光裝置,尤其詳細來說,關於將以空間光調變元件調變的光線,透過投影光學系,將該光線所致之像成像於所定面上的曝光裝置。
近年來,提案有將利用DMD(digital mirror device:註冊商標)等的空間光調變元件所調變的光線,透過投影光學系,使該光線所致之像,成像於感光材料(光阻)上來進行曝光的曝光裝置。如此,將利用空間光調變元件的曝光裝置,稱為DI(direct image:直接成像)曝光裝置。
DI曝光裝置的曝光頭係具備「空間光調變元件(DMD)」、「第一投影光學系(投影透鏡)」、「微透鏡陣列(MLA)」、及「第二投影光學系(投影透鏡)」。此種DI曝光裝置係具有將以DMD調變的光線,藉由第一投影透鏡來放大投影於MLA上,將通過MLA的光線,藉由第二投影透鏡,投影至所定光照射器的構造。在此,MLA係
指分別對應DMD的各像素部的微透鏡,對合該DMD之各像素的位置,配置成陣列狀的透鏡。
作為此種DI曝光裝置,例如有專利文獻1及專利文獻2所記載的技術。該等技術係關於具備DMD、第一投影透鏡、MLA、及第二投影透鏡等構成要素的曝光裝置,將經由DMD的各像素部(鏡片)的光線,引導至MLA的各微透鏡者。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4510429號公報
[專利文獻2]日本特開2005-189403號公報
然而,於DI曝光裝置中,DMD的交換頻度比較高,每次都需要進行DMD的鏡片與對應其之MLA的透鏡的對位。又,雖然比DMD頻度低,但是,為了將光照射面上的投影像設為希望的位置及方向,也需要進行MLA的對位。然後,此種對位之後,固定DMD及MLA的位置為佳。
然而,因為對位被要求高精度,在用以固定DMD及MLA之位置的作業(例如鎖螺絲)中,產生不能無
視的位置偏離的話,則無法實現高曝光精度。於前述專利文獻1、專利文獻2,並未針對抑制此種位置偏離,用以固定DMD及MLA之位置的構造及方法有任何提案。
因此,本發明的課題係提供可實現高曝光精度的曝光裝置。又,本發明也以提供可適用於該曝光裝置的固定方法作為課題。
為了解決前述課題,關於本發明的曝光裝置之一樣態,係具備光學元件被排列成二維狀的排列元件、保持前述排列元件的保持座、將透過前述排列元件的光線,成像於前述感光材料上的投影光學系、相對於前述投影光學系的位置被固定,固定前述保持座的被固定部、將前述保持座固定於前述被固定部的固定具、及用以利用吸附於前述被固定部來保持前述保持座,且設置於該保持座與該被固定部的至少一方的凹部。
依據此種曝光裝置,因為可使用凹部來吸附固定保持座之後,利用固定具進行固定,所以,可抑制伴隨固定作業之保持座的位置偏離(進而抑制排列元件的位置偏離)。結果,可實現被高精度地對位的排列元件所致之高曝光精度。
又,於前述曝光裝置中,前述排列元件,係排列反射型或透射型的光學元件者;前述投影光學系,係藉由前述排列元件,對反射或透射的光線進行成像者為
佳。
排列元件是反射型或透射型的話,排列元件的位置偏離係透過後段的投影光學系等,大幅影響曝光裝置的曝光精度,所以,藉由上述之位置偏離的抑制,曝光精度可有效地提升。
進而,為了解決前述課題,關於本發明的固定方法之一樣態,係針對具備光學元件被排列成二維狀的排列元件、保持該排列元件的保持座、及將透過前述排列元件的光線,成像於感光材料上的投影光學系的曝光裝置,將前述保持座,固定於相對於前述投影光學系的位置被固定的被固定部的固定方法,具有:利用吸附於前述被固定部來保持前述保持座的第1工程;及將前述第1工程中保持的前述保持座,以固定具來固定於前述被固定部的第2工程。
依據此種固定方法,可抑制伴隨第2工程之固定作業的保持座的位置偏離(進而抑制排列元件的位置偏離),可實現被高精度地對位的排列元件所致之高曝光精度。
在本發明的曝光裝置及固定方法中,因為可抑制伴隨固定作業之保持座的位置偏離,所以,可實現高曝光精度。
1‧‧‧曝光裝置
10‧‧‧曝光頭單元
11‧‧‧曝光頭
12‧‧‧座板
12a‧‧‧貫通孔
13‧‧‧光源
14‧‧‧射入光學系
14a‧‧‧光纖
14b‧‧‧直準透鏡
14c‧‧‧鏡片
15‧‧‧空間光調變元件(DMD)
15a‧‧‧DMD保持座
15b‧‧‧基板
15c‧‧‧螺絲
16‧‧‧第一投影透鏡
16a‧‧‧第一投影透鏡保持座
16b‧‧‧螺絲
17‧‧‧微透鏡陣列(MLA)
17a‧‧‧透鏡元件
17b‧‧‧MLA保持座
17c‧‧‧螺絲
18‧‧‧第二投影透鏡
18a‧‧‧第二投影透鏡保持座
18b‧‧‧螺絲
20‧‧‧搬送系
21‧‧‧平台
22‧‧‧導件
23‧‧‧電磁石
30‧‧‧設置台
31‧‧‧支架
41‧‧‧機械臂
42‧‧‧機械臂
43‧‧‧機械臂
50‧‧‧調整用治具
60‧‧‧接著劑
141‧‧‧孔
142‧‧‧接頭
151‧‧‧壓抵模具
152‧‧‧壓抵模具
153‧‧‧壓抵模具
155‧‧‧真空吸附用的孔
156‧‧‧螺絲
158‧‧‧基座板
171‧‧‧上部保持座
172‧‧‧下部保持座
173‧‧‧墊片
175‧‧‧真空吸附用的孔
176‧‧‧接頭
177‧‧‧機械臂
178‧‧‧突出板
179‧‧‧突出板
[圖1]揭示本實施形態之曝光裝置的概略構造圖。
[圖2]揭示曝光頭之具體構造的圖。
[圖3A]揭示MLA之構造的剖面圖。
[圖3B]揭示MLA之構造的俯視圖。
[圖4]揭示曝光頭所致之畫像形成區域的圖。
[圖5]概念揭示對於座板之投影光學系的固定方法的圖。
[圖6]揭示DMD保持座與MLA保持座之固定位置的圖。
[圖7]揭示DMD保持座的詳細構造之一例的剖面圖。
[圖8]揭示DMD保持座的詳細構造之一例的立體圖。
[圖9]揭示DMD保持座的調整用治具之一例的圖。
[圖10]揭示調整用治具的機械臂之一例的圖。
[圖11]揭示MLA保持座的詳細構造之一例的剖面圖。
[圖12]揭示MLA保持座的詳細構造之一例的立體圖。
[圖13]揭示上部保持座171的調整用治具之一例的圖。
[圖14]揭示變形例的MLA保持座的圖。
[圖15]表示串擾的發生形態與調整方向的關係的圖。
以下,依據圖面來說明本發明的實施形態。
圖1係揭示本實施形態之曝光裝置的概略構造圖。
曝光裝置1係將利用空間光調變元件所調變的光線,透過投影光學系,使該光線所致之像,成像於感光材料(光阻)上來進行曝光的曝光裝置。此種曝光裝置係因利用空間光調變元件來直接形成畫像,故不需要遮罩(或者光罩(reticle)),被稱為DI(direct image:直接成像)曝光裝置。
曝光裝置1係具備曝光頭單元10、搬送曝光對象之基板(工件)W的搬送系20、設置曝光頭單元10及搬送系20的設置台30。在此,工件W係例如塗布光阻之樹脂製的印刷電路基板。
曝光頭單元10係具備複數曝光頭(光學引擎)11,與在此省略圖示的光源。曝光頭11係內藏上述之空間光調變元件,從光源供給光線,以預先設定的圖案照射光線者。該等複數曝光頭11係藉由共通的座板12所支持。該座板12係被固定於以跨越設置台30之方式設置的門狀的支架31,支架31的各端部(腳部)係分別固定於設置台30的側面。
在此,座板12係直接搭載於連繫支架31之兩個腳部的水平的樑部上。於支架31的樑部,形成有曝光頭11貫通的貫通孔(未圖示),座板12係跨越該貫通孔,將兩端部(在此為X方向的端部)固定於支架31的樑部的構造。亦即,座板12係以雙端樑狀固定於支架31。
再者,座板12對於支架31的固定方法係只要是可確保剛性的手法,都可適當適用。例如,在曝光頭單元10具備外框架,是固定該外框架與支架31的構造時,也可將座板12透過曝光頭單元10的外框架,固定於支架31。此時,座板12係以雙端樑狀固定於外框架。
又,搬送系20係具備藉由真空吸附等的方法來吸附保持工件W之平板狀的平台21、沿著平台21的移動方向延伸之兩個導件22、作為一例而構成平台21之移動機構的電磁石23。
在此,說明作為前述移動機構,採用線性電動機平台的範例。此時,線性電動機平台係使移動體(平台)藉由空氣,浮上於棋盤格狀地設置有強磁性體的凸極之平面狀的台板上,對移動體施加磁力,並使移動體與台板的凸極之間的磁力變化,藉此使移動體(平台)移動的機構。
平台21係以該長邊方向朝向平台移動方向之方式配置,並且藉由導件22來彌補真直度之狀態下可往返移動地支持。
在本說明書中,將平台21的移動方向設為X方向,將垂直於X方向的水平方向設為Y方向,垂直方向設為Z方向。工件W為方形,以一邊的方向朝向X方向,另一方的邊朝向Y方向的姿勢,被保持於平台21上。再者,在以下的說明中,也有將X方向稱為工件W的長邊方向,Y方向稱為工件W的寬度方向之狀況。
平台21的移動路徑係以通過曝光頭單元10的正下方
之方式設計,搬送系20係以將工件W搬送至各曝光頭11所致之光線的照射位置,且通過該照射位置之方式構成。在該通過的過程中,藉由各曝光頭11所形成之像的圖案被曝光於工件W。
接著,針對曝光頭11的光學構造進行說明。
圖2係概念揭示曝光頭11之光學構造的圖。如該圖2所示,曝光頭11係具備射入光學系14、空間光調變元件15、第一投影透鏡16、微透鏡陣列(MLA)17、第二投影透鏡18。
射入光學系14係使光源13的輸出光線射入至空間光調變元件15者,具備光纖14a、直準透鏡14b、鏡片14c。在此,光源13係射出405nm或365nm之波長的燈管或雷射二極體,作為光纖14a,例如使用石英的纖維。
光源13的輸出光線係利用光纖14a導引而射入至直準透鏡14b,直準透鏡14b係將從光纖14a射出而擴散的光線,轉換成平行光並予以射出。通過直準透鏡14b的光線,係藉由鏡片14c反射,以角度θ射入至空間光調變元件15。
作為空間光調變元件15,使用數位微鏡元件(DMD)。DMD係例如將13.68μm角程度微小的鏡片(像素鏡)排列成二維狀的排列元件。排列數係例如1024×768個,空間光調變元件(DMD)15的整體大小係例如14mm×10.5mm程度。
DMD15的各像素鏡的角度係藉由控制部(未圖
示)控制。控制部係以僅將形成所希望的圖案之反射光,射入至第一投影透鏡16之方式,輸出用以控制DMD15之各像素鏡的角度的控制訊號。
亦即,DMD15的各像素鏡的角度係因應應形成之畫像的圖案而選擇性控制。具體來說,因應應形成的圖案,使光線應到達工件W的位置的像素鏡係設為藉由該像素鏡所反射之光線射入至第一投影透鏡16的角度(第一角度),其以外的像素鏡係被控制成藉由該像素鏡所反射之光線不會射入至第一投影透鏡16的角度(第二角度)。
如此,僅藉由第一角度的像素鏡所反射之光線到達工件W的表面,反射至第二角度的像素鏡之光線不會到達工件W。
第一投影透鏡16係將來自DMD15的像例如放大2倍至5倍,並投影至MLA17上的放大投影透鏡。
又,MLA17係如圖3A所示剖面圖,圖3B所示俯視圖,將微小的透鏡(以下,稱微透鏡元件)17a多數排列成二維狀的光學零件(排列元件)。各透鏡元件17a係以1對1對應DMD15的各像素鏡。亦即,各透鏡元件17a是將一個像素鏡的像成像於工件W的表面者。
進而,第二投影透鏡18係將藉由MLA17聚光成點狀的光線,例如縮小成1倍(等倍)至1/2倍程度,並投影於工件W上的等倍投影透鏡或縮小投影透鏡。
如此,在DI曝光裝置1中,於MLA17的前段(光射入側)與後段(光射出側),分別配置第一投影透鏡16與第
二投影透鏡18。藉由該等第一投影透鏡16、MLA17及第二投影透鏡18,構成對於DMD15的投影光學系。又,第二投影透鏡18係構成對於MLA17的投影光學系。
圖4係揭示曝光頭11所致之畫像形成區域的立體概略圖。
於該圖4中,各曝光頭11所致之畫像形成區域,係以工件W的表面上的四角框(符號E)表示。於該框所示之畫像形成區域E內,形成1個曝光頭11所致之像。
如圖4所示,曝光頭11係於X方向中設置有兩列,相對於工件W的移動方向在後側之群的各曝光噴頭11係配置於前側之群的各曝光頭11的Y方向之間的位置。
如此,藉由配置各曝光頭11,在一邊將工件W往X方向移動一邊進行曝光時,可將前側之群的各曝光頭11所致之畫像形成區域E中無法曝光的部分,藉由後側的各曝光頭11所致之畫像形成區域E來進行曝光。然後,藉由該等曝光頭11整體來形成所希望的一個圖案。
亦即,未圖示的控制部係記憶應形成之畫像(曝光圖案)的數位資料(原始資料),對搬送系20發送控制訊號,以所定速度來使載置工件W的平台21移動。又,同時,控制部係對DMD15發送控制訊號,以於工件W上形成依據原始資料的曝光圖案之方式,以所定時機及序列控制各像素鏡的角度。
結果,塗布光阻的工件W通過畫像形成區域E,於工件W,形成原始資料所致之曝光圖案。
在此,針對將投影光學系的各構造要素,對於座板12固定的構造進行說明。
圖5係概念揭示對於座板12之投影光學系的固定方法的圖。再者,在圖5中,省略支架31的圖示。
於座板12,形成有藉由DMD15反射的光線通過的貫通孔12a。
然後,於座板12的上面,以MLA17配置於貫通孔12a的上方之方式,固定保持該MLA17的微透鏡陣列保持座(MLA保持座)17b。MLA保持座17b係藉由螺絲17c而螺止於座板12。
進而,於座板12的上面,以第一投影透鏡16配置於MLA17的上方之方式,固定保持該第一投影透鏡16的第一投影透鏡保持座16a。在此,第一投影透鏡16係例如藉由螺止而被第一投影透鏡保持座16a保持。又,第一投影透鏡保持座16a係藉由螺絲16b而螺止於座板12。
又,於第一投影透鏡16的上部,射入光學系14例如藉由螺止來固定,於其射入光學系14,固定有保持DMD15的DMD保持座15a。
另一方面,於座板12的下面,以第二投影透鏡18配置於貫通孔12a的下方之方式,固定保持該第二投影透鏡18的第二投影透鏡保持座18a。在此,第二投影透鏡18係例如藉由螺止而被第二投影透鏡保持座18a保持。又,第二投影透鏡保持座18a係藉由螺絲18b而螺止於座板12。
如此,構成曝光頭11的各要素係對於座板12直接或間接地固定,關於射入光學系14、第一投影透鏡16及第二投影透鏡18,因為相較於DMD15(及DMD保持座15a)及MLA17(及MLA保持座17b),並未被要求高精度的對位,所以,可單對合螺絲與螺孔而藉由螺止來固定。相對於此,MLA17(及MLA保持座17b)係需要以工件W的移動方向為基準的配合特定角度之高精度的對位,DMD15(及DMD保持座15a)係需要配合MLA17的位置與角度之高精度的對位。然後,在此種高精度的對位之後,被要求不擾亂對位的精度地進行固定。
以下,針對本實施形態之DMD15(及DMD保持座15a)與MLA17(及MLA保持座17b)的具體固定方法進行詳細說明。
圖6係揭示DMD保持座與MLA保持座之固定位置的圖。
於該圖6,具體揭示圖5中概念性揭示之DMD保持座與MLA保持座的固定位置。
MLA保持座17b係在幾乎被第一投影透鏡保持座16a覆蓋之狀態下固定於座板12,之後詳述的調整用的機械臂從第一投影透鏡保持座16a往外突出。
如上所述,第一投影透鏡保持座16a係被螺止於座板12,於其第一投影透鏡保持座16a的上部,螺止第一投影透鏡16。於其第一投影透鏡16的上部,螺止射入光學系14,於其射入光學系14的上部,固定DMD保持座15a。
圖7係揭示DMD保持座的詳細構造之一例的剖面圖,圖8係揭示DMD保持座的詳細構造之一例的立體圖。
於圖7中,DMD保持座15a係具備3個壓抵模具151、152、153與基座板158。半導體晶片的DMD15係搭載於基板15b,3個壓抵模具151、152、153係藉由挾持整個基板15b並相互螺止而與DMD15一體化。如此一體化的壓抵模具151、152、153係在之間挾持傾斜調整用的墊片(不鏽鋼的薄板)155,並利用螺絲156固定於基座板158。墊片155係以對於固定DMD保持座15a的射入光學系14的上面,DMD15的反射面成為平行之方式以適切選擇的數量來挾持。藉由此種墊片155所致之傾斜調整,從DMD15朝向第一投影透鏡16的光線的方向,係成為平行於第一投影透鏡16的光軸的方向(亦即,圖1所示之Z軸的方向)。
DMD保持座15a係藉由此種構造,與DMD15一體化而保持DMD15。與DMD15一體化的DMD保持座15a係固定於對於DMD保持座15a之被固定部的射入光學系14的上部。於該射入光學系14的上部,設置有用以真空吸附DMD保持座15a的孔141與吸附用的接頭142。孔141的一端係沿著對向於DMD保持座15a的上面延伸成溝狀,藉由透過如此延伸成溝狀的孔141的真空吸附,DMD保持座15a係緊密保持於射入光學系14的上部。再者,只要可獲得充分的保持力,孔141的端部不需
要為溝狀,例如作為圓孔等亦可。
DMD保持座15a係在高精度的位置調整之後,藉由真空吸附被暫時保持於射入光學系14的上部。真空吸附所代表的吸附保持係可不擾亂精密調整過之DMD保持座15a的位置,將DMD保持座15a保持於射入光學系14的上部(被固定部)。如此保持的DMD保持座15a係藉由螺絲15c而強固地固定於射入光學系14的上部,之後,解除真空吸附亦可。螺絲15c所致之固定作業中係藉由真空吸附來保持DMD保持座15a,所以,可抑制伴隨固定作業之DMD保持座15a的位置偏離。藉由此種固定方法,DMD保持座15a(及DMD15)係被精密且強固地固定於被固定部。再者,在此例中將吸附用的接頭142及孔141設置於被固定部側,但是,即使是將接頭142及孔141設置於DMD保持座15a側之樣態,當然也可同樣地獲得吸附的作用。
作為DMD保持座15a的位置調整,進行垂直於第一投影透鏡16的光軸之面(亦即,圖1所示之垂直於Z軸的XY面)內之橫縱位置及角度的調整。該位置調整因為是精密的調整,使用調整用的治具。
圖9係揭示DMD保持座的調整用治具之一例的圖,圖10係揭示調整用治具的機械臂之一例的圖。
調整用治具40係在DMD保持座15a的位置調整時暫時安裝者,位置調整後DMD保持座15a被固定後卸下。
於圖9及圖10中,調整用治具40係具備3
個機械臂41、42、43,第一與第二機械臂41、42係往機械臂的長度方向(XY面內的X方向)進退,第三機械臂43係往XY面內的Y方向進退。藉由第一與第二機械臂41、42的同方向的進退,DMD保持座15a往X方向移動,藉由第三機械臂43的進退,DMD保持座15a往Y方向移動。又,利用第一與第二機械臂41、42相互往反方向進退,DMD保持座15a係在XY面內旋轉。各機械臂41、42、43係遵從作業者的操作而高精度地進退,所以,作業者係可將DMD保持座15a高精度地對位於所希望的位置及角度。該所希望的位置及角度係以MLA17的位置及角度為基準。
接著,針對MLA17(及MLA保持座17b)的具體固定方法進行說明。
圖11係揭示MLA保持座的詳細構造之一例的剖面圖,圖12係揭示MLA保持座的詳細構造之一例的立體圖。
MLA保持座17b係具備上部保持座171與下部保持座172,上部保持座171可對於下部保持座172精密地旋轉。MLA17係利用藉由接著劑來接著於上部保持座171,與上部保持座171一體化。又,於上部保持座171,設置有角度調整用的機械臂177。
下部保持座172係在之間挾持傾斜調整用的墊片173,利用螺絲174固定於座板12。墊片173係以MLA17的光軸的方向成為平行於第一投影透鏡16的光軸
及第二投影透鏡18的光軸的方向(亦即,圖1所示Z軸的方向)之方式以適當選擇的數量來挾持。如此傾斜調整而被固定於座板12的下部保持座172係成為固定上部保持座171的被固定部。於下部保持座172,設置有用以真空吸附上部保持座171的孔175與吸附用的接頭176。孔175的一端係沿著對向於上部保持座171的上面延伸成溝狀,藉由透過如此延伸成溝狀的孔175的真空吸附,上部保持座171係緊密保持於下部保持座172。再者,該孔175也只要是可獲得充分的保持力,端部不為溝狀,作為圓孔等亦可。
上部保持座171係在與圖1所示之Z軸垂直的XY面之精密的角度調整之後,藉由真空吸附而暫時被身為被固定部的下部保持座172保持。因為該保持也是吸附所致之保持,不會擾亂被精密調整過的角度位置,可保持上部保持座171。如此保持的上部保持座171係藉由螺絲17c而強固地固定於下部保持座172,之後,解除真空吸附。螺絲17c所致之固定作業中係藉由真空吸附,上部保持座171被下部保持座172保持,所以,可抑制伴隨固定作業之上部保持座171的位置偏離(例如鎖螺絲的力道所致之位置偏離)。
藉由此種固定方法,上部保持座171係被精密且強固地固定於下部保持座172,進而MLA17被精密且強固地固定於座板12。即使在此例中將吸附用的接頭176及孔175設置於身為被固定部的下部保持座172側,但是,即
使是將接頭176及孔175設置於上部保持座171側之樣態,當然也可同樣地獲得吸附的作用。
該上部保持座171的角度調整因為是精密的調整,故使用調整用的治具。
圖13係揭示上部保持座171的調整用治具之一例的圖。
調整治具50係因為可將上部保持座171的機械臂177,遵從作業者的操作而高精度地推壓,作業者係可將上部保持座171及MLA17高精度地對合所希望的角度。該所希望的角度,係以圖1所示之平台21所致之工件W的移動方向為基準的特定角度。
再者,關於XY面內之MLA17的位置(亦即下部保持座172的位置),排列成MLA17之透鏡元件的數量,比排列成DMD15之像素鏡的數量有餘裕地還多,故相較於MLA17的角度調整,並未要求高精度的對位,所以,僅單對合螺絲與螺孔而藉由螺止來直接固定。
在此,針對可代替圖11、12所示之MLA保持座17b,採用之變形例的MLA保持座進行說明。
圖14係揭示變形例的MLA保持座的圖。
在該變形例的MLA保持座117b中,於上部保持座171與下部保持座172,分別設置有固定用的突出板178、179,利用該等突出板178、179相互藉由接著劑60固定,上部保持座171被固定於下部保持座172。即使是接著劑60,上部保持座171也可對於下部保持座172充
分強固地固定。
此變形例之狀況中,例如可抑制塗布接著劑60時的應力等所致之上部保持座171的位置偏離,上部保持座171係可精密且強固地固定於下部保持座172。
以下,結束變形例的說明。
接著,針對以MLA17為基準之DMD15的對位進行說明。DMD15係如上所述,使用調整用治具40來進行位置調整,但是,該位置調整中DMD保持座15a之所希望的位置及角度(亦即,DMD15之所希望的位置及角度)係在本實施形態之狀況中,以MLA17的位置與角度為基準,具體來說,從DMD15的各像素鏡發出的光線設置MLA17對應之各透鏡元件的位置與角度。DMD15被對位於所希望的位置及角度時,從DMD15的各像素鏡發出的光線,係經由對應的各透鏡元件,最後在曝光頭11的光照射裝置,成像成點狀。但是,DMD15的位置及角度從所希望的位置及角度偏離時,會產生稱為串擾(cross talk)的多餘光點,導致曝光精度降低。因此,DMD15係以一邊藉由相機與監視器來確認此種串擾的發生狀態,一邊使串擾的發生減少之方式進行位置調整。
圖15係表示串擾的發生形態與調整方向的關係的圖。
於該圖15,正常成像的光點附加斜線表示,串擾的光點則以中空表示。又,於該圖15,表示DMD15的X方向位置偏離所希望的位置的形態1、與DMD15的Y方向
位置偏離所希望的位置的形態2、DMD15的角度偏離所希望的角度的形態3。於任一形態中,DMD15都使串擾的光點如圖所示箭頭般接近正常成像的光點之方向移動,使用圖9所示的調整治具來進行位置調整。
藉由此種位置調整,DMD15可對於MLA17精密地對位,實現串擾較少的高精度曝光。
Claims (4)
- 一種曝光裝置,係將來自光源的光線針對各像素進行調變並成像於感光材料上的曝光裝置,其特徵為具備:排列元件,係光學元件被排列成二維狀;保持座,係保持前述排列元件;投影光學系,係將透過前述排列元件的光線,成像於前述感光材料上;被固定部,係相對於前述投影光學系的位置被固定,固定前述保持座;固定具,係將前述保持座固定於前述被固定部;及凹部,係藉由前述固定具固定前述保持座時用以利用吸附於前述被固定部來保持前述保持座,且設置於該保持座與該被固定部的至少一方。
- 如申請專利範圍第1項所記載之曝光裝置,其中,前述排列元件,係排列反射型或透射型的光學元件者;前述投影光學系,係藉由前述排列元件,對反射或透射的光線進行成像者。
- 如申請專利範圍第1項所記載之曝光裝置,其中,前述排列元件,係排列反射型的光學元件,將來自前述光源的光線,針對各像素進行調變者;前述投影光學系,係使藉由前述排列元件反射且調變的光線成像者。
- 一種固定方法,係將來自光源的光線針對各像素進行調變並成像於感光材料上的曝光裝置,且具備光學元件被排列成二維狀的排列元件、保持該排列元件的保持座、及將透過前述排列元件的光線,成像於感光材料上的投影光學系的曝光裝置,將前述保持座,固定於相對於前述投影光學系的位置被固定的被固定部的固定方法,其特徵為具有:利用吸附於前述被固定部來保持前述保持座的第1工程;及將前述第1工程中保持的前述保持座,以固定具來固定於前述被固定部的第2工程。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-081687 | 2014-04-11 | ||
JP2014081687A JP5858085B2 (ja) | 2014-04-11 | 2014-04-11 | 露光装置及びその固定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201543170A TW201543170A (zh) | 2015-11-16 |
TWI641916B true TWI641916B (zh) | 2018-11-21 |
Family
ID=54274436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104102894A TWI641916B (zh) | 2014-04-11 | 2015-01-28 | 曝光裝置及其固定方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5858085B2 (zh) |
KR (1) | KR102033059B1 (zh) |
CN (1) | CN104977811B (zh) |
TW (1) | TWI641916B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3492804A1 (de) * | 2017-12-04 | 2019-06-05 | ZKW Group GmbH | Kraftfahrzeugscheinwerfer und verfahren |
CN111399166B (zh) * | 2020-06-05 | 2020-09-08 | 苏州微影激光技术有限公司 | 预调整设备、预调整方法及曝光设备组装方法 |
CN117597629A (zh) * | 2021-07-05 | 2024-02-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及平板显示器的制造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4510429B2 (ja) | 2003-11-19 | 2010-07-21 | 財団法人国際科学振興財団 | マスク描画手法、及びマスク描画装置 |
JP4651938B2 (ja) | 2003-12-25 | 2011-03-16 | 富士フイルム株式会社 | 画像形成用露光装置と、その画像ずれ補正方法 |
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-
2014
- 2014-04-11 JP JP2014081687A patent/JP5858085B2/ja active Active
-
2015
- 2015-01-28 TW TW104102894A patent/TWI641916B/zh active
- 2015-02-27 KR KR1020150027995A patent/KR102033059B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-19 CN CN201510122819.XA patent/CN104977811B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102033059B1 (ko) | 2019-10-16 |
JP5858085B2 (ja) | 2016-02-10 |
JP2015204320A (ja) | 2015-11-16 |
TW201543170A (zh) | 2015-11-16 |
CN104977811B (zh) | 2018-06-12 |
CN104977811A (zh) | 2015-10-14 |
KR20150118017A (ko) | 2015-10-21 |
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