TWI632381B - 漏電檢測裝置 - Google Patents

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TWI632381B TW106140840A TW106140840A TWI632381B TW I632381 B TWI632381 B TW I632381B TW 106140840 A TW106140840 A TW 106140840A TW 106140840 A TW106140840 A TW 106140840A TW I632381 B TWI632381 B TW I632381B
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Abstract

本發明之目的在於提供可使檢測精度提高之漏電檢測裝置。漏電檢測裝置(100)具有交流漏電檢測部(1)、直流漏電檢測部(2)及邏輯和電路(3)。交流漏電檢測部(1)之第一判定部(16)根據由修正部(14)輸出之修正第一電壓信號與第一臨界值的大小關係，而輸出第一輸出信號。直流漏電檢測部(2)之激磁部(23)施加激磁頻率之激磁電壓至激磁線圈(22)。直流成分檢測部(25)根據藉由電流檢測用電阻(2 4)而轉換之電壓的直流成分大小輸出第二電壓信號。第二判定部(26)根據由直流成分檢測部(25)輸出之第二電壓信號與第二臨界值的大小關係輸出第二輸出信號。直流漏電檢測部(2)具有低通濾波器(27)。低通濾波器(27)設置在激磁部(23)中電性連接激磁線圈(22)與電流檢測電阻(24)之連接點的輸入端與激磁線圈(22)之間。

Description

漏電檢測裝置
本發明係大致關於漏電檢測裝置，更詳而言之，關於可檢測交流漏電電流及直流漏電電流之漏電檢測裝置。
以往習知的漏電檢測裝置係具有漏電電流之交流成分檢測用的零相變流器及漏電電流之直流成分檢測用的通量閘型直流變流器，且用於漏電斷路器的漏電檢測裝置(日本專利申請案公開第2013-38047號)。
零相變流器具有圓環狀磁心及捲繞該在該磁心上之二次繞組。此外，直流變流器具有圓環狀磁心及捲繞該在該磁心上之二次繞組。
漏電檢測裝置具有連接於直流變流器之二次繞組的激磁電路。該激磁電路以直流變流器之二次繞組作為激磁線圈，送出激磁電流，並且根據該激磁電流之變化輸出電壓作為輸出電壓。
此外，漏電檢測裝置具有：交流洩漏電流檢測電路、交流用額定感度設定部、直流洩漏電流檢測電路、直流用額定感度設定部及OR邏輯電路。交流用 額定感度設定部中之第二比較器的輸出信號及直流用額定感度設定部中之DC成分比較器的輸出信號輸入OR邏輯電路。
此外，藉由充電電纜連接於連接電動汽車之充電入口的充電連接器且藉由電源電纜連接於外部電源並控制對電動汽車之充電電池的充電的充電控制裝置希望滿足例如IEC 62752之規格。在IEC 62752中，除了規定免受脈衝電流漏電電流破壞之保護的A型機能以外，亦規定直流漏電電流之檢測及免受直流漏電電流破壞之保護。
具有零相變流器及通量閘型之直流變流器的漏電檢測裝置在用於例如CCID時，希望提高檢測精度。
本發明之目的在於提供可使檢測精度提高之漏電檢測裝置。
本發明之一態樣的漏電檢測裝置具有交流漏電檢測部、直流漏電檢測部及邏輯和電路。前述交流漏電檢測部檢測交流漏電電流。前述直流漏電檢測部檢測直流漏電電流。前述邏輯和電路計算由前述交流漏電檢測部輸出之第一輸出信號與由前述直流漏電檢測部輸出之第二輸出信號的邏輯和。前述交流漏電檢測部具有第一核心、二次線圈、電流檢測部、修正部及第一判定部。多數導電體可通過前述第一核心。前述二次線圈捲繞在前述第一核心上。前述電流檢測部輸出根據流入前述二次線圈之交流電流振幅的信號位準的第一電壓信號。前述修正部輸出修正第一電壓信號，該修正第一電壓信號係隨著由前述電流檢測 部輸出之前述第一電壓信號的頻率高於預定頻率，使前述第一電壓信號之前述信號位準降低。前述第一判定部根據由前述修正部輸出之前述修正第一電壓信號與第一臨界值的大小關係，輸出信號位準在高位準與低位準之間切換的前述第一輸出信號。前述直流漏電檢測部具有第二核心、激磁線圈、電流檢測用電阻、激磁部、直流成分檢測部、第二判定部及低通濾波器。前述多數導電體可通過前述第二核心。前述激磁線圈捲繞在前述第二核心上。前述電流檢測用電阻將流入前述激磁線圈之電流轉換成電壓。前述激磁部施加激磁頻率之激磁電壓至前述激磁線圈，且該激磁頻率之激磁電壓的電壓位準依據藉由前述電流檢測用電阻而轉換之電壓與臨界電壓的比較結果在比基準電壓值高之第一電壓值與比前述基準電壓值低之第二電壓值間交互地變化。前述直流成分檢測部根據藉由前述電流檢測用電阻而轉換之電壓的直流成分大小，輸出第二電壓信號。前述第二判定部根據由前述直流成分檢測部輸出之前述第二電壓信號與第二臨界值的大小關係，輸出電壓位準在高位準與低位準之間切換的前述第二輸出信號。前述低通濾波器設置在前述激磁部中電性連接前述激磁線圈與前述電流檢測電阻之連接點的輸入端與前述激磁線圈之間。
1‧‧‧交流漏電檢測部
2‧‧‧直流漏電檢測部
3‧‧‧邏輯和電路
4‧‧‧導電體
10‧‧‧第一變流器
11‧‧‧第一核心
12‧‧‧二次線圈
13‧‧‧電流檢測部
14‧‧‧修正部
16‧‧‧第一判定部
20‧‧‧第二變流器
21‧‧‧第二核心
22‧‧‧激磁線圈
23‧‧‧激磁部
24‧‧‧電流檢測用電阻
25‧‧‧直流成分檢測部
25a‧‧‧直流成分檢測部
26‧‧‧第二判定部
27‧‧‧(第二)低通濾波器
100‧‧‧漏電檢測裝置
140‧‧‧(第一)低通濾波器
141‧‧‧電阻器
142‧‧‧電容器
143‧‧‧電容器
144‧‧‧電阻器
145‧‧‧電容器
146‧‧‧電容器
230‧‧‧控制電源
231‧‧‧運算放大器
232‧‧‧電壓切換電路
233‧‧‧基準電壓產生部
234‧‧‧電阻器
235‧‧‧電阻器
250‧‧‧積分電路
251‧‧‧回授電阻
271‧‧‧電容器
272‧‧‧電阻器
273‧‧‧電容器
510‧‧‧(第三)低通濾波器
2321‧‧‧輸入端子
2322‧‧‧電源端子
2323‧‧‧接地端子
2324‧‧‧輸出端子
2325‧‧‧高側MOSFET
2326‧‧‧低側MOSFET
2327‧‧‧控制邏輯電路
2501‧‧‧運算放大器
2502‧‧‧電阻器
2503‧‧‧電容器
2551‧‧‧運算放大器
2552‧‧‧電阻器
2553‧‧‧電阻器
2554‧‧‧電容器
A0‧‧‧實線
B0‧‧‧單點虛線
B1‧‧‧雙點虛線
B2‧‧‧實線
fe‧‧‧預定激磁頻率
F3‧‧‧非正弦波
FG1‧‧‧頻率-增益特性
FG2‧‧‧頻率-增益特性
Te‧‧‧激磁線圈之周期
VH‧‧‧第一電壓值
VL‧‧‧第二電壓值
Vr‧‧‧基準電壓值
V1‧‧‧第一臨界值
V2‧‧‧第二臨界值
【圖1】係本發明一實施形態之漏電檢測裝置的概略電路圖。
【圖2】係顯示交流漏電之判定臨界值與頻率之關係例的圖。
【圖3】係顯示本發明一實施形態之漏電檢測裝置的第一低通濾波器例的電路圖。
【圖4】圖4A係上述漏電檢測裝置之直流漏電檢測部的激磁電壓波形圖。圖4B係上述漏電檢測裝置之直流漏電檢測部的動作波形圖。
【圖5】係上述漏電檢測裝置之直流漏電檢測部的激磁電流波形圖。
【圖6】係顯示上述漏電檢測裝置之第一低通濾波器及第二低通濾波器的頻率-增益特性的圖。
【圖7】圖7A係比較例之漏電檢測裝置的電流檢測用電阻的電壓波形圖。圖7B係顯示圖7A中未漏電時之電流檢測用電阻之電壓與漏電時之電流檢測用電阻之電壓差的時間變化圖。
【圖8】係本發明一實施形態之變形例的漏電檢測裝置的概略電路圖。
以下說明之實施形態只不過是本發明各種實施形態中的一種。只要可達成本發明之目的，下述實施形態可因應設計等進行各種變更。
(實施形態)
以下，依據圖1至圖6說明本實施形態之漏電檢測裝置100。
漏電檢測裝置100可用於例如使電動車之充電電池充電的充電控制單元等。電動車係例如電動汽車、油電混合汽車等。充電控制單元具有：充電控制器、充電電纜、充電連接器(供電插頭)、電源電纜及電源插頭。充電控制器設置在電源電纜之一端與充電電纜之一端間，並控制由外部交流電源(例如，商用電源)對電動車之充電電池的充電。在此，電動車具有將由交流電源供給之交流電轉換成直流電並使充電電池充電的直流電源裝置。充電電纜係電性連接充電控制器與電動車之充電電池的電纜。充電連接器設於充電電纜之另一端並可分離地連接於電動車之充電入口(充電埠)。電源電纜係電性連接充電控制器與交流電源 之電纜。電源插頭設於電源電纜之另一端並可分離地連接於插座(Outlet)。充電控制器具有殼體及設置在收納於殼體內之印刷配線板上的CCID(充電電路中斷裝置，Charge Circuit Interrupt Device)。在充電控制單元中，由充電控制器之殼體引出電源電纜及充電電纜。充電控制器係依據經由充電電纜輸入之控制引示信號(control pilot signal)檢測充電電纜與電動車之連接狀態、充電電池之充電狀態等。
充電控制器之殼體內設有電性連接上述電源電纜及充電電纜之線狀多數(2個)導電體4(請參照圖1)。因此，在充電控制單元中，由交流電源供給至電動車之直流電源裝置的交流電流流動通過電源電纜、多數導電體4及充電電纜。
漏電檢測裝置100係例如構成上述CCID之一部份並安裝在上述印刷配線板上。
漏電檢測裝置100具有：交流漏電檢測部1，其檢測多數(例如，2個)導電體4之交流漏電電流；直流漏電檢測部2，其檢測多數導電體4之直流漏電電流；及邏輯和電路3。交流漏電檢測部1根據交流漏電電流之檢測結果，輸出信號位準在低位準與高位準間切換之第一輸出信號。第一輸出信號之信號位準在交流漏電檢測部1中未檢出交流漏電電流時為低位準。此外，第一輸出信號之信號位準在交流漏電檢測部1中檢出交流漏電電流時為高位準。直流漏電檢測部2根據直流漏電電流之檢測結果，輸出信號位準在低位準與高位準間切換之第二輸出信號。第二輸出信號之信號位準在直流漏電檢測部2中未檢出直流漏電電流時為低位準。此外，第二輸出信號之信號位準在直流漏電檢測部2中檢出交流漏電電流時為高位準。邏輯和電路3計算由交流漏電檢測部1輸出之第一輸出信號與由直 流漏電檢測部2輸出之第二輸出信號的邏輯和。因此，第一輸出信號與第二輸出信號兩者都是低位準時，邏輯和電路3之輸出信號為低位準。此外，第一輸出信號及第二輸出信號中之至少一者為高位準時，邏輯和電路3之輸出信號為高位準。
以下，更詳細地說明漏電檢測裝置100。
交流漏電檢測部1具有：第一核心11、二次線圈12、電流檢測部13、修正部14及第一判定部16。
多數導電體4可通過第一核心11。舉例而言，第一核心11之形狀為環狀。在此，第一核心11係例如卷磁心。卷磁心係條狀(帶狀)磁性構件捲成卷狀而形成。磁性構件宜由軟磁性材料形成。在此，軟磁性材料係例如高導磁合金。
第一核心11收納在具有電絕緣性之第一核心殼體中。舉例而言，第一核心殼體之形狀為中空環狀。第一核心殼體之材料宜為非磁性材料。在此，非磁性材料係例如PBT(聚對苯二甲酸丁二酯，Polybutylene terephthalate)或PP(聚丙烯，Polypropylene)等。
二次線圈12係由捲繞在第一核心11上之銅線構成。在此，構成二次線圈12之銅線捲繞在收納第一核心11之第一核心殼體上。換言之，構成二次線圈12之銅線透過第一核心殼體捲繞在第一核心11上。
交流漏電檢測部1中包含第一核心11及二次線圈12之第一變流器10係檢測通入第一核心11之多數導電體4的零相電流的零相變流器。
電流檢測部13輸出根據流入二次線圈12之交流電流振幅的信號位準的第一電壓信號。電流檢測部13係例如藉由連接在二次線圈12之兩端間的電流檢測用電阻(第一電流檢測用電阻)構成。在此，第一電流檢測用電阻將流入二次線圈12之交流電流轉換成第一電壓信號。
此外，關於CCID中之交流漏電的漏電判定臨界值，考慮頻率對人體影響之差異，例如，如圖2所示地設定為漏電頻率越高則值越大係藉由例如UL2331-2來規格化。在此，「漏電判定臨界值」在UL規格中稱為「容許跳脫臨界值(permitted trip threshold)」。即，CCID中之交流漏電的漏電判定臨界值係以漏電頻率越低感度越高而漏電頻率越高感度越低之方式規格化。以下，規定每一漏電頻率之漏電判定臨界值的曲線稱為「擺脫(let-go)曲線」。
在此，在交流漏電檢測部1中，在電流檢測部13與第一判定部16間設置修正部14，使得用於在第一判定部16中判定有無交流漏電之第一臨界值V1不需要根據漏電頻率改變。修正部14係組配成隨著由電流檢測部13之第一電壓信號的頻率高於預定頻率(例如，100Hz)，使第一電壓信號之信號位準降低而輸出修正第一電壓信號。簡言之，修正部14係根據頻率對第一電壓信號進行加權來進行修正。修正部14係例如設置在電流檢測部13與第一判定部16間之低通濾波器140(以下，稱為「第一低通濾波器140」)。第一低通濾波器140之頻率-增益特性FG1(請參照圖6)係增益(濾波器增益)隨著頻率高於300Hz而降低。第一低通濾波器140可例如，如圖3所示地，用2個電阻器141、144及4個電容器142、143、145、 146構成。在第一低通濾波器140中，電阻器141、電容器142、電容器143及電阻器144之串聯電路連接於電流檢測部13之兩端間。此外，在第一低通濾波器140中，電容器145與電容器146之串聯電路並聯連接於電容器142、電容器143及電阻器144之串聯電路。在第一低通濾波器140中，第一判定部16(請參照圖1)連接於電容器145與電容器146之串聯電路的兩端間。
第一判定部16根據由修正部14輸出之修正第一電壓信號與第一臨界值V1的大小關係，輸出信號位準在高位準與低位準間切換之第一輸出信號。簡言之，第一判定部16係比較由修正部14輸出之修正第一電壓信號與預先設定之第一臨界值V1並判定修正第一電壓信號是否超過第一臨界值V1的判定電路。第一判定部16可例如使用比較器等構成。
第一判定部16在由修正部14輸出之修正第一電壓信號的信號位準超過第一臨界值V1時，第一輸出信號之信號位準由低位準變化成高位準。在此，在交流漏電檢測部1中，雖然在第一判定部16中使用之第一臨界值V1不論漏電頻率為何均為一定，但藉由設置修正部14，可實質地等同於將第一臨界值V1設定為漏電頻率越高則越大之值。換言之，交流漏電檢測部1設定修正部14之頻率-增益特性(第一低通濾波器140之頻率-增益特性FG1)，使交流漏電電流之頻率越高，在第一判定部16中使用之第一臨界值V1擬似地越大。
直流漏電檢測部2係通量閘(Flux Gate)方式之電流感測器。在此，直流漏電檢測部2具有：第二核心21、激磁線圈22、電流檢測用電阻24、激磁部23、直流成分檢測部25、第二判定部26及低通濾波器27。
多數導電體4可通過第二核心21。舉例而言，第二核心21之形狀為環狀。第二核心21係例如卷磁心。卷磁心係條狀磁性構件捲成卷狀而形成。磁性構件宜由軟磁性材料形成。在此，軟磁性材料係例如高導磁合金。直流漏電檢測部2宜採用例如導磁率比矽鋼板高之高導磁合金作為第二核心21之材質。藉此，直流漏電檢測部2可高感度地檢測mA級之直流電流(例如，6mA以上之直流漏電電流)。
第二核心21收納在具有電絕緣性之第二核心殼體中。舉例而言，第二核心殼體之形狀為中空環狀。第二核心殼體之材料宜為非磁性材料。在此，非磁性材料係例如PBT或PP等。
激磁線圈22係由捲繞在第二核心21上之銅線構成。在此，構成激磁線圈22之銅線捲繞在收納第二核心21之第二核心殼體上。換言之，構成激磁線圈22之銅線透過第二核心殼體捲繞在第二核心21上。
直流漏電檢測部2中包含第二核心21及激磁線圈22之第二變流器20係用以檢測通入第二核心21之多數導電體4的直流漏電電流的直流變流器。
在直流漏電檢測部2中，電流檢測用電阻24(以下，亦稱為「第二電流檢測用電阻24」)串聯連接於激磁線圈22。因此，流入激磁線圈22之電流藉由第二電流檢測用電阻24轉換成電壓。換言之，第二電流檢測用電阻24將流入激磁線圈22之電流轉換成電壓。第二電流檢測用電阻24之兩端電壓的大小與流入激磁線圈22之電流的大小成正比。
激磁線圈22之一端連接於激磁部23之輸出端。激磁線圈22之另一端電性連接於激磁部23之輸入端及第二電流檢測用電阻24。
激磁部23對激磁線圈22施加激磁頻率之激磁電壓。激磁電壓係例如，如圖4A所示地，電壓位準在比基準電壓值Vr高之第一電壓值VH與比基準電壓值Vr低之第二電壓值VL間交互地變化之激磁頻率的矩形波電壓。激磁電壓依據藉由電流檢測用電阻24轉換之電壓與臨界電壓的比較結果，使電壓位準在第一電壓值VH與第二電壓值VL之間交互地變化。在此，雖然基準電壓值Vr、第一電壓值VH及第二電壓值VL分別為2.5V、5V及0V，但不限於該等數值。第一電壓值VH與基準電壓值Vr之差的絕對值及第二電壓值VL與基準電壓值Vr之差的絕對值宜相同。此外，該等絕對值係設定為使第二核心21磁飽和。上述交流漏電檢測部1中之檢測對象的交流漏電電流頻率係例如30kHz以下。在此情形中，激磁頻率宜為例如大約200Hz至300Hz。
激磁部23係正回授之震盪電路。激磁部23藉由進行震盪動作，供給交流之激磁電流至激磁線圈22。在此，激磁部23例如具有：運算放大器231、基準電壓產生部233、電壓切換電路232、電阻器234及電阻器235。運算放大器231係單電源驅動之運算放大器。
運算放大器231之反相輸入端子電性連接於激磁線圈22與第二電流檢測用電阻24之連接點。運算放大器231之非反相輸入端子連接於電阻器234與電阻器235之連接點。運算放大器231之輸出端子連接於電壓切換電路232。
基準電壓產生部233經由電流檢測用電阻24連接於激磁線圈22。基準電壓產生部233之輸出電壓的電壓值係基準電壓值Vr。
電壓切換電路232具有：輸入端子2321、電源端子2322、接地端子2323及輸出端子2324。在激磁部23中，運算放大器231之輸出端子連接於電壓切換電路232之輸入端子2321。此外，在激磁部23中，電壓切換電路232之輸出端子2324經由電阻器235與電阻器234之串聯電路，連接於電流檢測用電阻24與基準電壓產生部233之連接點。
在電壓切換電路232中，電源端子2322連接於控制電源230，且接地端子2323接地。控制電源230之電源電壓之電壓值係例如5V。接地之電位係0V。在電壓切換電路232中，高側MOSFET2325與低側MOSFET2326之串聯電路連接在電源端子2322與接地端子2323之間。高側MOSFET2325係p通道之增強型MOSFET。低側MOSFET2326係n通道之增強型MOSFET。在電壓切換電路232中，高側MOSFET2325之源極端子連接於電源端子2322，且高側MOSFET2325之汲極端子連接於低側MOSFET2326之汲極端子。此外，在電壓切換電路232中，低側MOSFET2326之源極端子連接於接地端子2323。另外，在電壓切換電路232中，高側MOSFET2325之閘極端子與低側MOSFET2326之閘極端子連接。再者，在電壓切換電路232中，高側MOSFET2325之汲極端子及低側MOSFET2326之汲極端子連接於輸出端子2324。又，電壓切換電路232具有連接於輸入端子2321之控制邏輯電路2327。
控制邏輯電路2327連接於高側MOSFET2325之閘極端子及低側MOSFET2326之閘極端子，且分別控制各MOSFET2325、2326之閘極電壓。運算放大器231 之輸出信號為低位準時，控制邏輯電路2327分別控制各MOSFET2325、2326之閘極電壓，使高側MOSFET2325斷路且使低側MOSFET2326導通。藉此，電壓切換電路232之輸出電壓(輸出端子與接地端子間之電壓)為大約0V(即，第二電壓值VL)。運算放大器231之輸出信號為高位準時，控制邏輯電路2327分別控制各MOSFET2325、2326之閘極電壓，使高側MOSFET2325導通且使低側MOSFET2326斷路。藉此，電壓切換電路232之輸出電壓為大約5V(第一電壓值VH)。
電壓切換電路232係用例如新日本無線股份有限公司之閘極驅動器的NJW4 841-T1(商品名)構成。
在激磁部23中，電流檢測用電阻24之輸出電壓(激磁線圈22與電流檢測用電阻24之連接點的電壓)輸入運算放大器231之反相輸入端子。此外，在激磁部23中，藉由2個電阻器235、234使電壓切換電路232之輸出電壓與基準電壓產生部233之輸出電壓的差電壓輸入分壓而得的臨界電壓輸入運算放大器231之非反相輸入端子。在此，基準電壓產生部233之輸出電壓的電壓值係電源電壓之電壓值的大約一半的值。臨界電壓根據激磁電壓(請參照圖4A之實線A0、圖4B之單點虛線B0)之電壓位準的變化，如圖4B中之雙點虛線B1所示地變化。此外，藉由電流檢測用電阻24轉換之電壓根據激磁電壓之電壓位準的變化，如圖4B中之實線B2所示地變化。在此，在直流漏電檢測部2中，激磁電壓每半周期地磁飽和。因此，激磁電流之波形每半周期地呈現急劇之電流脈衝波形。直流之漏電電流未流入導電體4時，急劇之電流脈衝波形按激磁電壓周期的二分之一周期呈現。直流之漏電電流未流入導電體4時，在激磁電流之1周期的波形中，使激磁電流極性為正時之波形的相位只偏移π[rad]時，激磁電流極性為正時之波形與激磁電流極性為負時之波形理想地對稱。雖然激磁線圈22之阻抗係由激磁線圈22之電 阻、電感、電容及角頻率決定，但因為電感與比導磁率成正比，所以第二核心21磁飽和時，激磁線圈22之阻抗急劇地減少。簡言之，在直流漏電檢測部2中，因為第二核心21磁飽和時，激磁線圈22之阻抗急劇地減少，所以流入激磁線圈22之電流急劇地增加。在激磁部23中，藉由電流檢測用電阻24轉換之電壓達到臨界電壓時，以基準電壓值Vr為基準之激磁電壓的極性反轉。因此，直流之漏電電流未流入導電體4時，激磁電流為例如非正弦波之交流電流(與激磁電流成正比之電流檢測用電阻24的輸出電壓係，例如，如圖4B中之實線B2所示地變化)。相對於此，直流之漏電電流流入導電體4時，激磁電流為，例如，如圖5所示之非正弦波F3之交流電流。設預定激磁頻率為fe時，激磁電流之周期Te係1/fe。
在圖5所示之例子中，激磁電流為正向時，藉由直流之漏電電流產生之磁通的方向與藉由激磁電流產生之磁通的方向相同。因此，直流之漏電電流流入導電體4時，相較於直流之漏電電流未流入導電體4時，激磁線圈22磁飽和之時間(換言之，激磁電流飽和之時間)較早。此外，在圖5所示之例子中，激磁電流為負向時，藉由直流之漏電電流產生之磁通方向與藉由激磁電流產生之磁通方向相反。因此，直流之漏電電流流入導電體4時，相較於直流之漏電電流未流入導電體4時，激磁線圈22磁飽和之時間較遲。在直流之漏電電流未流入導電體4的狀態中，激磁電流包含之直流成分為零。在直流之漏電電流流入導電體4之狀態中，在激磁電流中產生直流成分，且在藉由電流檢測用電阻24轉換之電壓中產生與電流直流成分成正比的電壓直流成分。上述直流之漏電電流係例如由直流電源裝置經由交流電源之接地點流入導電體4。在直流之漏電電流流入導電體4的狀態中，若觀察激磁電流之1周期，激磁電流之正負電流波形係以零交叉點為基準呈非對稱之形狀。
直流成分檢測部25根據藉由電流檢測用電阻24轉換之電壓的直流成分大小輸出第二電壓信號。換言之，直流成分檢測部25輸出第二電壓信號，且該第二電壓信號具有與流入導電體4之漏電電流直流成分成正比的電壓位準。因此，直流成分檢測部25之輸出電壓係與藉由電流檢測用電阻24檢出之電流值包含的直流成分大小成正比的電壓。
直流成分檢測部25包含積分電路250及回授電阻251。積分電路250包含：運算放大器2501；電阻器2502，其一端連接於運算放大器2501之反相輸入端子；及電容器2503，其連接在運算放大器2501之反相輸入端子與輸出端子之間。積分電路250係組配成基準電壓值Vr之基準電壓輸入運算放大器2501之非反相輸入端子，且藉由電流檢測用電阻24轉換之電壓經由電阻器2502輸入至運算放大器2501之反相輸入端子。回授電阻251連接在積分電路250之輸出端與電阻器2502之另一端間。
第二判定部26根據由直流成分檢測部25輸出之第二電壓信號與第二臨界值V2的大小關係，輸出電壓位準在高位準與低位準間切換之第二輸出信號。第二判定部26具有使用比較器等之比較電路。在第二判定部26中，由直流成分檢測部25輸出之第二電壓信號超過第二臨界值V2時，第二輸出信號之信號位準由低位準變化成高位準。
低通濾波器27設置在激磁部23中連接激磁線圈22與電流檢測用電阻24之連接點的輸入端與激磁線圈22之間。在說明邏輯和電路3後，更詳細地說明低通濾波器27。
邏輯和電路3係計算由交流漏電檢測部1輸出之第一輸出信號與由直流漏電檢測部2輸出之第二輸出信號的邏輯和的邏輯電路。因此，在漏電檢測裝置100中，若由交流漏電檢測部1輸出之第一輸出信號與由直流漏電檢測部2輸出之第二輸出信號兩者均為低位準，邏輯和電路3之輸出信號為低位準。此外，在漏電檢測裝置100中，若由交流漏電檢測部1輸出之第一輸出信號及由直流漏電檢測部2輸出之第二輸出信號中之一者為高位準，邏輯和電路3之輸出信號為高位準。
上述CCID係組配成例如在由邏輯和電路3輸入高位準的輸出信號時，中斷由交流電源對直流電源裝置之電力供給。藉此，CCID可在產生漏電等之異常時，中斷由交流電源對直流電源裝置之電力供給。若邏輯和電路3之輸出信號為低位準，CCID不中斷由交流電源對直流電源裝置之電力供給。
此外，漏電檢測裝置100係在電性連接上述電源電纜及充電電纜之多數(2個)導電體4通入第一核心11及第二核心21的狀態下使用。在此，在漏電檢測裝置100中，由充電控制器小型化之觀點來看，宜重疊配置交流漏電檢測部1之第一變流器10與直流漏電檢測部2之第二變流器20。
在此，交流漏電檢測部1必須在交流漏電電流振幅比擺脫(let-go)曲線上之漏電判定臨界值大時動作，且在比漏電判定臨界值之80%小時不動作。
但是，在漏電檢測裝置100中，例如，在交流漏電電流未流入導電體4時及在激磁頻率偶數倍之頻率的交流漏電電流流入導電體4時，電流檢測用電阻24之輸出電壓如圖7A所示地不同。在圖7A中用實線顯示交流漏電電流未流入導電體 4時之電流檢測用電阻24的輸出電壓，且用虛線顯示交流漏電電流流入導電體4時之電流檢測用電阻24的輸出電壓。在圖7B中以時間為橫軸，且記載由圖7A中交流漏電電流流入導電體4時之電流檢測用電阻24的輸出電壓減去交流漏電電流未流入導電體4時之電流檢測用電阻24的輸出電壓的值(輸出電壓差)，作為縱軸。如由圖7B可知地，在激磁頻率偶數倍之頻率的交流漏電電流流入導電體4時，在電流檢測用電阻24之輸出電壓中產生直流成分(激磁電流之一部分轉換成直流成分)。因此，在直流漏電檢測部2中，未設置上述低通濾波器27時，即使導電體4之交流漏電電流比漏電判定臨界值小且直流漏電電流未流入導電體4，第二判定部26之輸出信號亦為低位準。即，在直流漏電檢測部2中，在未設置低通濾波器27之情形中，激磁頻率偶數倍之頻率的交流漏電電流流入電流檢測用電阻24時，可能誤檢測為直流漏電。因此，在漏電檢測裝置100中，在直流漏電檢測部2未設置低通濾波器27之情形中，在交流漏電檢測部1不可判定為漏電之大小(小於漏電判定臨界值)的交流漏電電流時，邏輯和電路3之輸出信號可能為高位準。在此，如圖2所示地，即使藉由相同電流振幅判定交流漏電為漏電，亦有因頻率不同而為非誤檢測之情形及誤檢測之情形。
因此，在直流漏電檢測部2中設置低通濾波器27(以下，亦稱為「第二低通濾波器27」)。第二低通濾波器27具有電容器271、電阻器272及電容器273。在此，第二低通濾波器27之電阻器272的一端連接於激磁線圈22，且電阻器272的另一端連接於激磁部23之輸入端。簡言之，第二低通濾波器27在激磁部23中連接激磁線圈22與電流檢測用電阻24之連接點的輸入端與激磁線圈22之間設置電阻器272。此外，在第二低通濾波器27中，電容器271之一端連接於激磁線圈22與電阻器272之連接點，且電容器271之另一端接地。另外，在第二低通濾波器27中，電容器273之一端連接於電阻器272與激磁部23之輸入端的連接點，且電容器273 之一端接地。藉此，由激磁線圈22流入第二低通濾波器27之電流的高頻成分(比截止頻率高之頻率成分)流入電容器271或電容器273。
第二低通濾波器27之截止頻率(增益為-3dB時之頻率)比激磁頻率高。由抑制電流檢測用電阻24之電壓波形變形且使比較高頻率之交流漏電成分衰減的觀點來看，第二低通濾波器27之截止頻率宜為例如激磁頻率之5倍以上。舉例而言，若激磁頻率為200Hz，第二低通濾波器27之截止頻率宜為1000Hz以上。第二低通濾波器27之截止頻率宜亦考慮在直流漏電檢測部2中未設置第二低通濾波器27時誤檢測為直流漏電之交流漏電電流的振幅來決定。在圖6中，第二低通濾波器27之頻率-增益特性FG2及第一低通濾波器140之頻率-增益特性FG1分別記載在同一圖上。圖6之橫軸係頻率之對數軸。圖6之縱軸係以dB為單位之增益(濾波器增益)的軸。第二低通濾波器27之頻率-增益特性FG2中的衰減曲線斜率(之絕對值)比第一低通濾波器140之頻率-增益特性FG1中的衰減曲線斜率(之絕對值)大。在此，第一低通濾波器140在10kHz以上之高頻區域中具有1次之衰減特性，且第二低通濾波器27在10kHz以上之高頻區域中具有2次以上之衰減特性。簡言之，第二低通濾波器27之衰減特性係比第一低通濾波器140之衰減特性高次的衰減特性。第二低通濾波器27之頻率-增益特性FG2的衰減曲線及第一低通濾波器140之頻率-增益特性FG1的衰減曲線在分別通用頻率之對數軸及單位為dB之增益軸的1個圖上交叉。在圖6所示之例子中，第二低通濾波器27之截止頻率係1050Hz，且第一低通濾波器140之截止頻率係1000Hz。
以上說明之本實施形態的漏電檢測裝置100具有：交流漏電檢測部1；直流漏電檢測部2；及邏輯和電路3，其計算由交流漏電檢測部1輸出之第一輸出信號與由直流漏電檢測部2輸出之第二輸出信號的邏輯和。交流漏電檢測部1檢測交 流漏電電流。直流漏電檢測部2檢測直流漏電電流。邏輯和電路3計算由交流漏電檢測部1輸出之第一輸出信號與由直流漏電檢測部2輸出之第二輸出信號的邏輯和。交流漏電檢測部1具有：第一核心11、二次線圈12、電流檢測部13、修正部14及第一判定部16。多數導電體4可通過第一核心11。二次線圈12捲繞在第一核心11上。電流檢測部13輸出根據流入二次線圈12之交流電流振幅的信號位準的第一電壓信號。修正部14輸出修正第一電壓信號，且該修正第一電壓信號係隨著由電流檢測部13輸出之第一電壓信號的頻率高於預定頻率，使第一電壓信號之信號位準降低。第一判定部16根據由修正部14輸出之修正第一電壓信號與第一臨界值V1的大小關係，輸出信號位準在高位準與低位準間切換之第一輸出信號。直流漏電檢測部2具有：第二核心21、激磁線圈22、激磁部23、電流檢測用電阻24、直流成分檢測部25、第二判定部26及低通濾波器27。多數導電體4可通過第二核心21。激磁線圈22捲繞在第二核心21上。激磁部23對激磁線圈22施加激磁頻率之激磁電壓，該激磁頻率之激磁電壓在比基準電壓值Vr高之第一電壓值VH與比基準電壓值Vr低之第二電壓值VL間交互地變化。電流檢測用電阻24將流入激磁線圈22之電流轉換成電壓。直流成分檢測部25根據藉由電流檢測用電阻24轉換之電壓的直流成分大小輸出第二電壓信號。第二判定部26根據由直流成分檢測部25輸出之第二電壓信號與第二臨界值V2的大小關係，輸出電壓位準在高位準與低位準間切換之第二輸出信號。低通濾波器27設置在激磁部23中電性連接激磁線圈22與電流檢測用電阻24之連接點的輸入端與激磁線圈22之間。
藉由以上結構，漏電檢測裝置100可使檢測精度提高。在此，在漏電檢測裝置100中，可抑制在直流漏電檢測部2中誤檢測小於第一臨界值V1之交流漏電為直流漏電，因此可使檢測精度提高。
在漏電檢測裝置100中，修正部14係設置在電流檢測部13與第一判定部16間之第一低通濾波器140。第一低通濾波器140之截止頻率及直流漏電檢測部2之低通濾波器27(第二低通濾波器27)的截止頻率比激磁頻率高。第二低通濾波器27之頻率-增益特性FG2中的衰減曲線斜率比第一低通濾波器140之頻率-增益特性FG1中的衰減曲線斜率大。第二低通濾波器27之頻率-增益特性FG2的衰減曲線及第一低通濾波器140之頻率-增益特性FG1的衰減曲線在分別通用頻率之對數軸及單位為dB之增益軸的1個圖上交叉。藉此，漏電檢測裝置100可抑制電流檢測用電阻24之電壓波形變形且可使輸入直流漏電檢測部2之交流漏電成分衰減。
在漏電檢測裝置100中，直流成分檢測部25包含積分電路250及回授電阻251。積分電路250包含：運算放大器2501；電阻器2502，其一端連接於運算放大器2501之反相輸入端子；及電容器2503，其連接在運算放大器2501之反相輸入端子與輸出端子之間。積分電路250係組配成基準電壓值Vr之基準電壓輸入運算放大器2501之非反相輸入端子，且藉由電流檢測用電阻24轉換之電壓經由電阻器2502輸入到運算放大器2501之反相輸入端子。回授電阻251連接在積分電路250之輸出端與電阻器2502之另一端間。藉此，在漏電檢測裝置100中，可與第二核心21之個體變化或溫度特性無關地使直流成分檢測部25之輸出位準穩定。
漏電檢測裝置100亦可具有例如，如圖8所示地，藉由使用運算放大器2551之低通濾波器510(以下，稱為「第三低通濾波器510」)構成的直流成分檢測部25a來取代直流成分檢測部25，作為其變形例。換言之，在漏電檢測裝置100中，直流成分檢測部25a可包含第三低通濾波器510。藉由，漏電檢測裝置100可藉由簡單之結構來實現直流成分檢測部25a。直流成分檢測部25a具有：運算放大器2551； 2個電阻器2552、2553；及電容器2554。在直流成分檢測部25a中，運算放大器2551之非反相輸入端子連接於基準電壓產生部233。藉此，在直流成分檢測部25a中，基準電壓值Vr之基準電壓輸入運算放大器2551之非反相輸入端子。此外，在直流成分檢測部25a中，運算放大器2551之反相輸入端子經由電阻器2552連接於電流檢測用電阻24與激磁線圈22之連接點。藉此，在直流成分檢測部25a中，藉由電流檢測用電阻24轉換之電壓經由電阻器2552輸入到運算放大器2551之反相輸入端子。在直流成分檢測部25a中，電阻器2553及電容器2554之並聯電路連接在運算放大器2551之輸出端子與反相輸入端子之間。
直流成分檢測部25a藉由使電流檢測用電阻24之輸出電壓包含的高頻成分衰減，輸出第二電流檢測用電阻24之輸出電壓包含的直流成分至第二判定部26。在此，由直流成分檢測部25a輸出之電壓信號為與流入導電體4之直流漏電電流大小成正比的電壓值。
此外，雖然圖1之結構中的激磁部23包含運算放大器231及電壓切換電路232，但當然亦可藉由1個電路部件(例如，1個運算放大器)來實現該等機能。

Claims (4)

  1. 一種漏電檢測裝置，其特徵為具有：交流漏電檢測部，其檢測交流漏電電流；直流漏電檢測部，其檢測直流漏電電流；及邏輯和電路，其計算由該交流漏電檢測部輸出之第一輸出信號與由該直流漏電檢測部輸出之第二輸出信號的邏輯和；該交流漏電檢測部具有：第一核心，多數導電體可通過該第一核心；二次線圈，其捲繞在該第一核心上；電流檢測部，其輸出取決於流入該二次線圈之交流電流振幅的信號位準之第一電壓信號；修正部，其輸出修正第一電壓信號，該修正第一電壓信號係隨著由該電流檢測部輸出之該第一電壓信號的頻率高於預定頻率，而使該第一電壓信號之該信號位準降低；及第一判定部，其根據由該修正部輸出之該修正第一電壓信號與第一臨界值的大小關係，而輸出信號位準在高位準與低位準之間切換的該第一輸出信號；該直流漏電檢測部具有：第二核心，該多數導電體可通過該第二核心；激磁線圈，其捲繞在該第二核心上；電流檢測用電阻，其將流入該激磁線圈之電流轉換成電壓；激磁部，其依據藉由該電流檢測用電阻轉換之電壓與臨界電壓的比較結果，將「電壓位準在比基準電壓值高之第一電壓值與比該基準電壓值低之第二電壓值間交互地變化之激磁頻率的激磁電壓」，施加至該激磁線圈；直流成分檢測部，其輸出「取決於藉由該電流檢測用電阻而轉換之電壓的直流成分大小」的第二電壓信號；第二判定部，其根據由該直流成分檢測部輸出之該第二電壓信號與第二臨界值的大小關係，而輸出電壓位準在高位準與低位準之間切換的該第二輸出信號；及低通濾波器，其設置於該激磁部中之「電性連接在該激磁線圈與該電流檢測電阻之連接點的輸入端」與該激磁線圈之間；該臨界電壓，係將該激磁電壓與「以該基準電壓值作為輸出電壓的電壓值」之基準電壓產生部之輸出電壓的差電壓予以分壓而得。
  2. 如申請專利範圍第1項之漏電檢測裝置，其中：該修正部係設置在該電流檢測部與該第一判定部之間的第一低通濾波器，該第一低通濾波器之截止頻率及該直流漏電檢測部之該低通濾波器亦即第二低通濾波器之截止頻率比該激磁頻率高，該第二低通濾波器之頻率-增益特性中的衰減曲線斜率比該第一低通濾波器之頻率-增益特性中的衰減曲線斜率大，該第二低通濾波器之頻率-增益特性的衰減曲線與該第一低通濾波器之頻率-增益特性的衰減曲線，在頻率之對數軸及單位為dB之增益軸各自通用的1個圖上係交叉。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之漏電檢測裝置，其中，該直流漏電檢測部包含第三低通濾波器。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之漏電檢測裝置，其中：該直流漏電檢測部包含積分電路及回授電阻，該積分電路包含：運算放大器；電阻器，其一端連接於該運算放大器之反相輸入端子；及電容器，其連接在該運算放大器之反相輸入端子與該輸出端子之間，且該基準電壓值之基準電壓輸入該運算放大器之非反相輸入端子並藉由該電流檢測用電阻轉換之電壓經由該電阻器輸入到該運算放大器之反相輸入端子，該回授電阻連接在該積分電路之輸出端與該電阻器之另一端之間。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6697745B2 (ja) * 2016-11-29 2020-05-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 直流漏電検出装置、漏電検出装置
DE112019003114T5 (de) * 2018-06-21 2021-03-11 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung-zuverlässigkeitsbewertungsvorrichtung und verfahren zum bewerten der zuverlässigkeit von halbleitervorrichtungen
KR102039270B1 (ko) * 2018-08-23 2019-10-31 주식회사 에프램 지락 전류 감지 회로
KR102039268B1 (ko) * 2018-08-23 2019-10-31 주식회사 에프램 교류 및 직류 전류 감지 회로
KR102039269B1 (ko) * 2018-08-23 2019-10-31 주식회사 에프램 누전 전류 감지 회로
US11047887B2 (en) * 2018-08-31 2021-06-29 Asahi Kasei Microdevices Corporation Current sensor, detection device, detection method, and program
KR102083600B1 (ko) * 2018-11-19 2020-03-02 엘에스산전 주식회사 누전 차단기 및 그 누전 차단기의 제어 방법
CN110531211B (zh) * 2019-10-09 2021-10-29 青岛鼎信通讯股份有限公司 一种用于交直流漏电检测系统的电路方案
CN110672913B (zh) * 2019-10-09 2022-06-21 青岛鼎信通讯股份有限公司 一种适于交直流漏电检测的复杂波形信号处理方法
FR3107793B1 (fr) * 2020-02-28 2022-05-06 St Microelectronics Grenoble 2 Interface d'alimentation USB-PD
US11841403B2 (en) * 2020-04-02 2023-12-12 Wayne/Scott Fetzer Company Motor leakage current detector, devices using same and related methods
US11175350B2 (en) * 2020-04-20 2021-11-16 Lear Corporation Leakage current monitoring system
CN111856119A (zh) * 2020-08-24 2020-10-30 上海煜闻电子科技有限公司 一种漏电流检测装置和检测方法
CN112630683A (zh) * 2020-12-10 2021-04-09 山东恒邦智能设备有限公司 一种高压开关柜局部电泄露的查修报点系统
CN112763938A (zh) * 2020-12-24 2021-05-07 唐新颖 一种基于磁通门检测剩余漏电方法
CN113406531A (zh) * 2021-05-14 2021-09-17 上海盛位电子技术有限公司 一种漏电检测装置、漏电检测方法和充电设备
CN115616442A (zh) * 2021-07-16 2023-01-17 台达电子企业管理（上海）有限公司 检测装置、逆变器及检测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201245728A (en) * 2011-03-23 2012-11-16 Panasonic Corp Electric leakage detection apparatus
JP2013038047A (ja) * 2011-08-11 2013-02-21 Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd 漏電遮断器
WO2016002216A1 (ja) * 2014-07-04 2016-01-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電流検出装置および電流検出方法
CN104067134B (zh) * 2012-02-29 2016-10-26 富士电机机器制御株式会社 电流检测装置
WO2016170731A1 (ja) * 2015-04-22 2016-10-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 遮断装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4136079B2 (ja) * 1998-05-28 2008-08-20 テンパール工業株式会社 直流電流検出装置
CN2497461Y (zh) * 2001-08-07 2002-06-26 刘建华 无功耗电机综合保护器
WO2011129218A1 (ja) * 2010-04-14 2011-10-20 三菱電機株式会社 絶縁劣化診断装置
JP5634240B2 (ja) * 2010-12-08 2014-12-03 パナソニック株式会社 漏電検出遮断器
JP6304647B2 (ja) * 2012-11-21 2018-04-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電流検出装置
CN203164351U (zh) * 2013-04-07 2013-08-28 北京机械设备研究所 一种地桩与漏电检测电路
JP6298581B2 (ja) * 2013-09-30 2018-03-20 東日本旅客鉄道株式会社 電流検出装置及びこれを備えた変電設備
JP2016013043A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 漏電検出装置及び給電制御装置
CN205374588U (zh) * 2015-12-22 2016-07-06 海南电力技术研究院 泄漏电流采集装置
JP6697745B2 (ja) * 2016-11-29 2020-05-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 直流漏電検出装置、漏電検出装置
JP6793337B2 (ja) * 2017-01-31 2020-12-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 給電制御装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201245728A (en) * 2011-03-23 2012-11-16 Panasonic Corp Electric leakage detection apparatus
JP2013038047A (ja) * 2011-08-11 2013-02-21 Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd 漏電遮断器
CN104067134B (zh) * 2012-02-29 2016-10-26 富士电机机器制御株式会社 电流检测装置
WO2016002216A1 (ja) * 2014-07-04 2016-01-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電流検出装置および電流検出方法
WO2016170731A1 (ja) * 2015-04-22 2016-10-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 遮断装置

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