TWI631642B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

一實施例包括基板處理裝置及基板處理方法。該基板處理裝置包括：設備前端模組(EFEM)，其具有裝載埠和索引機器人；製程腔室；傳送腔室，其具有用於相對於該製程腔室搬入或搬出基板的傳送機器人；以及裝載鎖定腔室，其位於該傳送腔室與該設備前端模組(EFEM)之間，且具有用於支撐基板的基板支撐單元和用於支撐覆蓋該基板的外周的蓋板的蓋板支撐單元。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本揭露關於一種基板處理裝置以及基板處理方法。
為了製造半導體裝置或液晶顯示器，可在基板上執行各種製程，例如蝕刻製程、灰化製程和清洗製程。ICP源、遠程電漿源等被用作電漿源。
使用集群類型(cluster type)的裝置來執行上述製程。在集群類型的裝置中，裝載鎖定腔室和製程腔室被佈置在傳送腔室的周圍。
在傳送腔室中，用於傳送晶片的傳送單元提供在裝載鎖定腔室和製程腔室之間，或在製程腔室中的一個和製程腔室中的另一個之間。
一實施例包括基板處理裝置以及用於有效處理基板的基板處理方法。
一實施例包括基板處理裝置以及用於在基板的外周被覆蓋時處理基板的基板處理方法。
本發明構思的示例性實施例可提供一種基板處理裝置，包括：設備前端模組(EFEM)，其具有裝載埠和索引機 器人；製程腔室；傳送腔室，其具有用於相對於該製程腔室搬入或搬出基板的傳送機器人；以及裝載鎖定腔室，其位於該傳送腔室與該設備前端模組(EFEM)之間，且具有用於支撐基板的基板支撐單元和用於支撐覆蓋該基板的外周的蓋板的蓋板支撐單元。
在示例性實施例中，該基板支撐單元可包括用於支撐該基板的底表面的第一基板支撐單元。
在示例性實施例中，該基板支撐單元可包括用於支撐該基板的外周的第二基板支撐單元。
在示例性實施例中，該蓋板支撐單元可位於該基板支撐單元的外側。
在示例性實施例中，該蓋板支撐單元可被定位成使得其頂端比該基板支撐單元的頂端更高出一預定長度。
示例性實施例可進一步包括推動器，該推動器位於該基板支撐單元的外側，且能夠沿設置在該基板支撐單元中的基板的側向移動。
在示例性實施例中，可提供複數個推動器以相對於基板彼此面對。
在示例性實施例中，可提供複數個製程腔室，且該裝載鎖定腔室可具有複數個傳送區域，其中每個傳送區域具有基板支撐單元和蓋板支撐單元。
在示例性實施例中，每個傳送區域可提供基板從設備前端模組(EFEM)被搬入到傳送腔室的搬入路徑，以及將基板從傳送腔室搬出到設備前端模組(EFEM)的搬出路經。
在示例性實施例中，傳送區域的數量大於製程腔室的數量。
在示例性實施例中，製程腔室可透過電漿執行製程處理。
本發明構思的其他實施例可提供一種基板處理方法，包括：將未處理的基板搬入到裝載鎖定腔室；將蓋板設置在該裝載鎖定腔室內的基板的外周上；搬出該未處理的基板，其中該蓋板從該裝載鎖定腔室被設置到傳送腔室；以及搬入該未處理的基板，其中該蓋板被設置到製程腔室。
在示例性實施例中，設置該蓋板可包括：當該未處理的基板位於被設置在該裝載鎖定腔室中的該蓋板下方時，垂直地排列該未處理的基板；以及沿該蓋板方向升高該未處理的基板。
在示例性實施例中，設置在該裝載鎖定腔室中的該蓋板可被提供為設置在蓋板支撐單元中，該蓋板支撐單元被設置在用於在該裝載鎖定腔室中支撐該基板的基板支撐單元的外側。
在示例性實施例中，將該未處理的基板搬入到該裝載鎖定腔室可藉由設備前端模組(EFEM)的索引機器人來進行；且設置該蓋板及從該裝載鎖定腔室搬出該未處理的基板可藉由該傳送腔室的傳送機器人來進行。
在示例性實施例中，該製程腔室可使用電漿處理該基板。
本發明構思的示例性實施例可提供一種基板處理方 法，包括：將未處理的基板從傳送腔室搬入到裝載鎖定腔室，及將蓋板設置在該基板的外周上；將該蓋板設置到該裝載鎖定腔室的內部空間；將經處理的基板設置在被設置於該裝載鎖定腔室中的基板支撐單元中；以及將該基板搬出到設備前端模組(EFEM)。
在示例性實施例中，將該蓋板設置到該裝載鎖定腔室的內側可包括：將該經處理的基板設置到被設置在該裝載鎖定腔室中的蓋板支撐單元的上側；以及將該經處理的基板向下移動。
在示例性實施例中，將該基板搬出到該設備前端模組(EFEM)可藉由設置在該設備前端模組(EFEM)中的索引機器人來進行；以及將該基板搬入到該裝載鎖定腔室並將該基板設置在該支撐單元中可藉由設置在該傳送腔室中的傳送機器人來進行。
本發明構思的實施例可提供一種基板處理裝置以及用於有效處理基板的基板處理方法。
本發明構思的實施例可提供一種基板處理裝置以及用於在基板的周圍被覆蓋時處理基板的基板處理方法。
1‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧載體
6‧‧‧支撐件
10‧‧‧裝載埠
11‧‧‧第一方向
12‧‧‧第二方向
20‧‧‧設備前端模組(EFEM)
21‧‧‧傳送框架
25‧‧‧索引機器人
27‧‧‧傳送軌道
30‧‧‧製程處理單元
40‧‧‧裝載鎖定腔室
41a、41b‧‧‧傳送區域
50‧‧‧傳送腔室
53‧‧‧傳送機器人
60‧‧‧製程腔室
70‧‧‧控制器
100‧‧‧殼體
110‧‧‧基板支撐單元(第一基板支撐單元)
120‧‧‧基板支撐單元(第二基板支撐單元)
121‧‧‧支撐槽
130‧‧‧蓋板支撐單元
140‧‧‧推動器
150‧‧‧蓋板
151‧‧‧接收槽
152‧‧‧槽
2100‧‧‧腔室
2110‧‧‧主體
2111‧‧‧通氣孔
2112‧‧‧排氣線
2120‧‧‧密封蓋
2121‧‧‧擴展空間
2210‧‧‧偏置功率
2200‧‧‧基座
2220‧‧‧加熱構件
2230‧‧‧升降銷
2300‧‧‧噴淋頭
2310‧‧‧分配孔
2400‧‧‧電漿激發單元
2410‧‧‧振盪器
2420‧‧‧波導
2430‧‧‧介電波導
2440‧‧‧製程氣體供給單元
S‧‧‧基板
圖1是根據實施例的基板處理裝置的平面圖。
圖2是裝載鎖定腔室的視圖。
圖3是可提供在圖1的製程腔室中的電漿模組的視圖。
圖4是在搬入基板之前的裝載鎖定腔室的視圖。
圖5是示出在EFEM中將基板搬入裝載鎖定腔室的狀 態的視圖。
圖6是示出改變基板的位置的推動器的視圖。
圖7是將蓋板設置在基板中的視圖。
圖8是示出其中傳送機器人將基板搬入到製程腔室的狀態的視圖。
圖9是示出其中基板被設置在基座的狀態的視圖。
下文將參考圖式更詳細地描述實施例。然而，實施例可採用不同的形式，並且不應被認為限於本文所述的特定實施例。相反地，提供這些實施例使得本揭露將是徹底且完整的，並且將對本案所屬技術領域中具有通常知識者充分傳達該範圍。在圖式中，為了清楚起見而誇大了形狀。
圖1是根據實施例的基板處理裝置的平面圖。
參考圖1，基板處理裝置1包括設備前端模組(EFEM)20、製程處理腔室30以及控制器70。EFEM 20和製程處理腔室30沿著一個方向串聯佈置。在下文中，將EFEM20和製程處理腔室30佈置的方向稱作為第一方向11，及將從頂部觀看時垂直於該第一方向11的方向稱作為第二方向12。
EFEM 20包括裝載埠10和傳送框架21。裝載埠10沿著第一方向11佈置在EFEM 20的前面。裝載埠10具有複數個支撐件6。每個支撐件6沿著第二方向12串聯佈置，且一基板將被提供於一製程中並設置一載體4(例如，晶舟、FOUP等)。載體4儲存有經處理的基板W。在載體4 中，存儲將在製程中提供的基板W和完成處理的基板W。傳送框架21佈置在裝載埠10和製程處理腔室30之間。傳送框架21被設置在其中，且包括用於在裝載埠10和製程處理腔室30之間傳送基板W的索引機器人25。索引機器人25沿著傳送軌道27移動，該傳送軌道27沿著第二方向12設置，且在載體4和製程處理腔室30之間傳送基板W。
製程處理腔室30包括裝載鎖定腔室40、傳送腔室50和製程腔室60。
裝載鎖定腔室40和傳送框架21相鄰地設置。在一實例中，裝載鎖定腔室40可設置在傳送腔室50和EFEM20之間。裝載鎖定腔室40提供一備用空間以用於被傳送到製程腔室60之前的製程中要被提供的基板W，或用於被傳送到EFEM 20之前完成處理的基底W。
傳送腔室50和裝載鎖定腔室40相鄰地設置。當從頂側觀看時，傳送腔室50可具有多邊形主體。在一實例中，當從頂側觀看時，傳送腔室50可具有五邊形主體。在主體的外表面中，裝載鎖定腔室40和複數個製程腔室60沿著主體的周圍佈置。在主體的每個側壁中，形成用於基板W進入的通道(未圖示)，且該通道連接傳送腔室50、裝載鎖定腔室40或製程腔室60。在每個通道中，一門(未圖示)用於打開和關閉該通道，從而在其中密封。傳送腔室50的內部空間設置有用於在裝載鎖定腔室40和製程腔室60之間傳送基板W的傳送機器人53。該傳送機器人53將待裝載在裝載鎖定腔室40中的未處理的基板W傳送到製程 腔室60，或將完成處理的基板W傳送到裝載鎖定腔室40。為了在複數個製程腔室60中依序提供基板W，該基板W在製程腔室60之間傳送。在鄰近EFEM 20的傳送腔室50的側壁中，佈置每個裝載鎖定腔室40，且在該側壁的其餘部分中，佈置製程腔室60。
製程腔室60沿著傳送腔室50的周圍佈置。可提供複數個製程腔室60。可在每個製程腔室60中處理基板W。製程腔室60從傳送機器人53接收基板W，處理基板W，及將經處理的基板W提供給傳送機器人53。在每個製程腔室60進行的處理可以是不同的。由製程腔室60執行的製程可以是在製造半導體裝置或顯示面板期間使用基板W的製程。在一實例中，在製程腔室60中的一個或複數個可包括用於使用電漿處理基板W的電漿模組。
控制器70控制基板處理裝置1的組成。
圖2是裝載鎖定腔室的視圖。
參考圖2，裝載鎖定腔室40包括殼體100、基板S支撐單元110、120和蓋板支撐單元130。
殼體100形成裝載鎖定腔室40的框架。殼體100連接傳送框架21和傳送腔室50。連接殼體100和傳送框架21的開口(未圖示)可藉由一門(未圖示)打開和關閉。連接殼體100和傳送腔室50的開口(未圖示)可藉由一門(未圖示)打開和關閉。在殼體100中，其中將基板S設置其中的傳送區域41a、41b可設置有複數個數量。在一實例中，在殼體100中，傳送區域41a、41b的數量可設置與製程腔室60 的數量為相同或較多。傳送區域41a、41b可垂直地佈置、水平地佈置或兩者。傳送區域41a、41b提供用於搬入待處理的基板及搬出經處理的基板的通道。
基板支撐單元110、120支撐從每個傳送區域41a、41b搬入到裝載鎖定腔室40的基板S。基板支撐單元110、120包括第一基板支撐單元110和第二基板支撐單元120。
第一基板支撐單元110支撐基板S的底表面。第一基板支撐單元110可位於傳送區域41a、41b的底部。第一基板支撐單元110設置有一形狀，使得當索引機器人25、傳送機器人53搬入和搬出基板S時防止干擾索引機器人25、傳送機器人53。在一實例中，第一基板支撐單元110可設置有複數個裝載形狀，從而支撐基板S的底表面。
在一實例中，第一基板支撐單元110可設置為板形，從而包括用於支撐基板S的單元和用於當索引機器人25、傳送機器人53交換基板S時將基板S升高到預定高度的銷。
第二基板支撐單元120支撐基板S的外周。複數個第二基板支撐單元120可位於對應於基板S的外邊緣的位置。在一實例中，當基板S被設置為方形，兩個或更多個第二基板支撐單元120可位於基板S的邊緣上。當基板S被設置為圓形時，兩個或更多個第二基板支撐單元120可位於對應於基板S的任何外底表面的位置。此處，第二基板支撐單元120可沿著圓周等距地間隔開。
在第二基板支撐單元120中，可形成對應於基板S的 外底表面的支撐槽121。當基板S垂直於第二基板支撐單元120佈置而移動時，基板S由支撐槽121支撐並且防止偏離到外部。一外表面和支撐槽121的一外表面之間的距離可形成為大於一預定尺寸和基板S的一尺寸。即使在垂直佈置基板S和第二基板支撐單元120的同時存在誤差時，基板S仍可位於支撐槽121中。
可省略第一基板支撐單元110和第二基板支撐單元120中的一個。基板S可由第一基板支撐單元110或第二基板支撐單元120支撐。
蓋板支撐單元130在每個傳送區域41a、41b中支撐蓋板150。蓋板支撐單元130位於基板支撐單元110、120的外側，並防止干擾位於基板支撐單元110、120中的基板S。蓋板支撐單元130位於可防止干擾搬入和搬出基板S的索引機器人25、傳送機器人53的位置。在一實例中，蓋板支撐單元130可以是位於基板支撐單元110、120外側的複數個裝載埠或具有預定寬度的板。蓋板支撐單元130的上端可比基板支撐單元110、120的上端高出一預定高度。因此，由蓋板支撐單元130支撐的蓋板150可位於比位在基板支撐單元110、120中的基板S更高的位置。
在基板支撐單元110、120的外部，可以設置推動器140。推動器140設置成面向基板S的側表面的表面可沿著基板S移動。複數個推動器140可設置成相對於基板S彼此面對。在一實例中，兩個推動器140可設置為基於基板S彼此面對，或者四個推動器140可設置為彼此交叉。
圖3是可提供在圖1的製程腔室中的電漿模組的視圖。
參考圖3，製程腔室60包括腔室2100、基座2200、噴淋頭2300和電漿激發單元2400。
腔室2100提供基板處理製程的空間。腔室2100包括主體2110和密封蓋2120。主體2110的上表面是開放的並且具有一內部空間。在基板進入處有一開口(未圖示)被形成在主體2110的側壁中，且該開口可藉由諸如一狹縫門(未圖示)的開啟和關閉裝置而開啟和關閉。該開啟和關閉裝置在基板W於腔室2100內被處理時關閉該開口，且當基板W被搬入腔室2100中並被搬出到外部時開啟該開口。
在主體2110的底壁中形成有通氣孔2111。通氣孔2111連接到排氣線2112。腔室2100內的壓力透過排氣線2112控制，並且在製程中產生的反應副產物被排出到腔室2100的外部。
密封蓋2120耦接到主體2110的上壁，覆蓋主體2110之敞開的上表面並密封主體2110的內部。密封蓋2120的上端連接到電漿激發單元2400。在密封蓋2120中形成有擴展空間2121。擴展空間2121在靠近噴淋頭2300時變寬。例如，擴展空間2121可以是上下顛倒的漏斗形式。
基座2200位於腔室2100中。基板被放置在基座2200的上表面。在基座2200中，可以形成冷卻流體在其中循環的冷卻路徑(未圖示)。冷卻流體沿著冷卻路徑循環並冷卻基座2200。在基座2200中，可以從偏置功率(bias power)2210施加功率以從電漿控制基板W處理。從偏置功 率2210施加的功率可以是射頻(Radio Frequency；RF)。基座2200藉由從偏置功率2210供應的功率形成護套，並可形成高密度電漿，從而提高製程能力。
加熱構件2220可以提供在基座2200中。在一實施例中，加熱構件2220可以是熱線。加熱構件2220將基板W加熱至預定溫度。
噴淋頭2300係耦接到主體2110的上壁。噴淋頭2300具有圓形形狀，並且可以平行於基座2200的上表面佈置。噴淋頭2300可以是鋁材料，其中表面經氧化。分配孔2310可以形成在噴淋頭2300中。分配孔2310可以與同心圓周間隔開一定距離以均勻地供應自由基。在擴展空間2121中的電漿擴散流向分配孔2310。在此期間，在噴淋頭2300中捕獲諸如電子或離子的帶電粒子，並且諸如氧自由基的中性粒子穿過分配孔2310並提供到基板W。另外，噴淋頭可以接地並且形成電子或離子移動的路徑。
電漿激發單元2400產生電漿並供應到腔室2100。電漿激發單元2400可以設置在腔室2100的上部。電漿激發單元2400包括振盪器2410、波導2420、介電波導2430、和製程氣體供給單元2440。
振盪器2410產生電磁波。波導2420將振盪器2410與介電波導2430連接，並且提供其中將從振盪器2410產生的電磁波傳遞到介電波導2430的通路。製程氣體供應單元2440將製程氣體供應到腔室2100的上部。製程氣體可根據製程供應為第一製程氣體和第二製程氣體。提供到介 電波導2430的製程氣體藉由電磁波形成電漿狀態。電漿穿過介電波導2430並流動到擴展空間2121。
電漿激發單元2400被示例為使用電磁波。在另一實施例中，電漿激發單元2400可以被提供為電感耦合電漿激發單元和電容耦合電漿激發單元。
圖4是在搬入基板之前的裝載鎖定腔室的視圖。
如圖2和圖4所示，在基板S從EFEM 20被搬入到裝載鎖定腔室40之前，蓋板150被提供在蓋支撐單元130中。蓋板150提供有方形環或圓形形狀，以對應於基板S的外周。因此，當蓋板150放置在基板S的上表面上時，基板S的外周被蓋板150覆蓋。蓋板150的內底表面的形狀對應於基板S的外周，且可包括接收槽151。因此，可以在蓋板150和基板S之間形成黏附。槽152可以形成在蓋板150中。槽152可以對應於蓋支撐單元130的上端的形狀。當蓋板150位於蓋支撐單元130中時，蓋支撐單元130的上端位於槽152中，並且可以防止蓋板150偏離蓋支撐件單元130。
圖5是示出在EFEM中將基板搬入裝載鎖定腔室的狀態的視圖。
參考圖5，索引機器人25可將在製程腔室60中處理的基板S搬入到裝載鎖定腔室40中。控制器70控制索引機器人25，使得基板S可被搬入到由基板支撐單元110、120支撐的更高的位置。當基板S垂直於可由基板支撐單元110、120支撐的位置佈置時，索引機械人25向下移動， 並使基板S能位於基板支撐單元110、120。
圖6是示出改變基板的位置的推動器的視圖。
參考圖6，在從EFEM20搬入基板S之後，可以藉由推動器140校正基板S的位置。索引機械人25被設定為將基板S放置在設置位置。然而，在將基板S放置基板支撐單元110、120的同時，基板S的位置和設置位置可以不同。控制器70沿著基板S將推動器140移動預定距離，並且可推動基板S使得其可以位於正確的位置。之後，推動器140以與基板S相反的方向移動，並且可以防止在移動基板S期間與其它組件干擾。
圖7是將蓋板設置在基板中的視圖。
參考圖7，傳送機器人53將蓋板150放置在基板S中，並從裝載鎖定腔室40搬出基板。
將傳送機器人53搬入到裝載鎖定腔室40中以放置基板S的底部，升高並拾取基板S。傳送機器人53進一步升高到設定高度，並將蓋板150放置在基板S中。傳送機器人53沿著傳送腔室50移動並移動將沿著傳送腔室50處理的基板S。
用於承載在基板S中的傳送區域41a、41b利用蓋板150和基板S執行，從而使蓋支撐單元130變空。當將基板S搬入到傳送腔室50時，控制器70存儲蓋支撐單元130被排空的傳送區域41a、41b的資訊。
圖8是示出其中傳送機器人將基板搬入到製程腔室的狀態的視圖。圖9是示出其中基板被設置在基座的狀態的 視圖。
參考圖8和圖9，從裝載鎖定腔室40搬出的基板S被搬入到製程腔室60中。
當基板S被搬入到製程腔室60中時，升降銷2230可在基座2200中升高。在基板S與基座2200垂直佈置之後，傳送機器人53向下移動。因此，基板S被升降銷2230支撐，傳送機器人53沿著傳送腔室50移動。當升降銷2230向下升起時，基板S被放置在基座2200的上表面。
根據實施例，搬入到製程腔室60中的基板S被提供成使得其外周被蓋板150覆蓋。因此，可以防止暴露於電漿的基板S的外周所產生的現象或其程度可被降低。在一實例中，當基板S位於基座2200中時，基板S的外周的底面可以不是平面的，因此在基板S的外底面與基座S之間可能存在間隙。當處理基板S時，可能會產生此種間隙，從而損壞基板S。因此可能需要藉由電漿阻斷處理基板S的外周。
在一實施例中，不需要將蓋板150放置在製程腔室60中的基板S上，因此更容易維持製程腔室60。
當基板S完成處理時，基板S以與搬入基板S相反的順序進行。當升降銷2230升高時，傳送機器人53從製程腔室60搬出置放在蓋板150上的基板S。控制器70控制傳送機器人53，使得基板被搬入到沒有蓋支撐單元130的傳送區域41a、41b中。傳送機器人53將基板S搬入到裝載鎖定腔室40，使得蓋板150與蓋支撐單元130垂直佈 置，並且將蓋板150和基板S分別放置在蓋支撐單元130和基板支撐單元110、120。之後，傳送機器人53移動到傳送腔室50，且索引機器人25到達裝載鎖定腔室40並搬出處理過的基板S。
前述詳細描述可以僅僅是實施例的示例。此外，上述內容僅示出和描述較佳的實施例，並且其他實施例可以包括各種組合、改變和環境。此即，本案所屬技術領域中具有通常知識者將理解，在不背離由所附申請專利範圍及其等同物限定其範圍的原理和精神的情況下，可以對這些實施例進行替換、修改和改變。此外，不意欲本申請的範圍限於這些具體實施例或其具體特徵或益處。相反地，意在將本申請的範圍僅限於現在遵循的申請專利範圍及其等同物。

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，包括：設備前端模組(EFEM)，其具有裝載埠和索引機器人；製程腔室；傳送腔室，其具有用於相對於該製程腔室搬入或搬出基板的傳送機器人；以及裝載鎖定腔室，其位於該傳送腔室與該設備前端模組(EFEM)之間，且具有用於支撐基板的基板支撐單元和用於支撐在覆蓋該基板的外周之後將與該基板一起搬出到該傳送腔室的蓋板的蓋板支撐單元。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中該基板支撐單元包括用於支撐該基板的底表面的第一基板支撐單元。
  3. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中該基板支撐單元包括用於支撐該基板的外周的第二基板支撐單元。
  4. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中該蓋板支撐單元可位於該基板支撐單元的外側。
  5. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中該蓋板支撐單元被定位成使得其頂端比該基板支撐單元的頂端更高出一預定長度。
  6. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其進一步包括推動器，該推動器位於該基板支撐單元的外側，且能夠沿設置在該基板支撐單元中的基板的側向移動。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中提供複數個該推動器以相對於該基板彼此面對。
  8. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中提供複數個該製程腔室，且該裝載鎖定腔室具有複數個傳送區域，其中每個該傳送區域具有該基板支撐單元和該蓋板支撐單元。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中每個該傳送區域提供該基板從該設備前端模組(EFEM)被搬入到該傳送腔室的搬入路徑；以及將該基板從該傳送腔室搬出到該設備前端模組(EFEM)的搬出路經。
  10. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中該傳送區域的數量大於該製程腔室的數量。
  11. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中該製程腔室透過電漿執行製程處理。
  12. 一種基板處理方法，包括以下步驟：將未處理的基板搬入到裝載鎖定腔室；將蓋板設置在該裝載鎖定腔室內的基板的外周上；搬出該未處理的基板，其中該蓋板從該裝載鎖定腔室被設置到傳送腔室；以及搬入該未處理的基板，其中該蓋板被設置到製程腔室。
  13. 如請求項12所記載之基板處理方法，其中設置該蓋板包括：當該未處理的基板位於被設置在該裝載鎖定腔室中的該蓋板下方時，垂直地排列該未處理的基板；以及沿該蓋板方向升高該未處理的基板。
  14. 如請求項13所記載之基板處理方法，其中設置在該裝載鎖定腔室中的該蓋板被提供為設置在蓋板支撐單元中，該蓋板支撐單元被設置在用於在該裝載鎖定腔室中支撐該基板的基板支撐單元的外側。
  15. 如請求項12所記載之基板處理方法，其中將該未處理的基板搬入到該裝載鎖定腔室係藉由設備前端模組(EFEM)的索引機器人來進行；且設置該蓋板及從該裝載鎖定腔室搬出該未處理的基板係藉由該傳送腔室的傳送機器人來進行。
  16. 如請求項12所記載之基板處理方法，其中該製程腔室使用電漿處理該基板。
  17. 一種基板處理方法，包括以下步驟：將未處理的基板從傳送腔室搬入到裝載鎖定腔室，及將蓋板設置在該基板的外周上；將該蓋板設置到該裝載鎖定腔室的內部空間；將經處理的基板設置在被設置於該裝載鎖定腔室中的基板支撐單元中；以及將該基板搬出到設備前端模組(EFEM)。
  18. 如請求項17所記載之基板處理方法，其中將該蓋板設置到該裝載鎖定腔室的內部空間包括：將該經處理的基板設置到被設置在該裝載鎖定腔室中的蓋板支撐單元的上側；以及將該經處理的基板向下移動。
  19. 如請求項17所記載之基板處理方法，其中將該基板搬出到該設備前端模組(EFEM)係藉由設置在該設備前端模組(EFEM)中的索引機器人來進行；以及將該基板搬入到該裝載鎖定腔室並將該基板設置在該基板支撐單元中係藉由設置在該傳送腔室中的傳送機器人來進行。
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